JPH0264A - フォトマスクカバーの製造方法 - Google Patents
フォトマスクカバーの製造方法Info
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Moulding By Coating Moulds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はリソグラフィーにおけるフォトマスクカバーの
製造方法に関するものである。
製造方法に関するものである。
集積回路の製造のためのリソグラフィーにおいて、光源
に紫外線を用いたフォトレジストは、高い解像力と高い
生産性が特徴であり、特に集積度の高いウェハ乃至チッ
プの製造に極めて有用である。
に紫外線を用いたフォトレジストは、高い解像力と高い
生産性が特徴であり、特に集積度の高いウェハ乃至チッ
プの製造に極めて有用である。
この方式は、解像力が高いだけにフォトマスクの画像面
上への小さなゴミの付着はエツチング画像の精度を低下
させ、不良品発生の原因になるほか、ゴミ除去の作業に
より、フォトマスク自体を傷めやすく、その寿命を低下
させる。
上への小さなゴミの付着はエツチング画像の精度を低下
させ、不良品発生の原因になるほか、ゴミ除去の作業に
より、フォトマスク自体を傷めやすく、その寿命を低下
させる。
上記の対策として、フォトマスクの画像面側の光路中に
樹脂薄膜からなるフォトマスクカバーを挿入して、空気
中のゴミの付着からフォトマスク画像を保護する方法が
用いられている。
樹脂薄膜からなるフォトマスクカバーを挿入して、空気
中のゴミの付着からフォトマスク画像を保護する方法が
用いられている。
この場合、ゴミはフォトマスクの画像面上に付着するか
わりに、フォトマスクカバーの表面に付着することにな
る。この際、薄膜自身の厚み及びフォトマスク画像と薄
膜との距離が全面にわたって一定であれば、薄膜上の異
物、即ちゴミの存在の影響をレジスト面においてアウト
フォーカシングさせることが可能であり、フォトマスク
画像に忠実なパターンを露光により得ることができる。
わりに、フォトマスクカバーの表面に付着することにな
る。この際、薄膜自身の厚み及びフォトマスク画像と薄
膜との距離が全面にわたって一定であれば、薄膜上の異
物、即ちゴミの存在の影響をレジスト面においてアウト
フォーカシングさせることが可能であり、フォトマスク
画像に忠実なパターンを露光により得ることができる。
このようなフォトマスクカバーは半導体産業において極
めて有用なものであるが、その製造方法が未だに確立さ
れていない。
めて有用なものであるが、その製造方法が未だに確立さ
れていない。
発明者等は、鋭意研究の結果、薄膜材料を基板上に流延
して得られた薄膜を水中で基板より剥離し、生乾きの状
態で支持枠に均一に固着したのち乾燥することにより、
フォトマスク保護用に適したフォトマスクカバーが得ら
れることを認め、本発明に到達した。
して得られた薄膜を水中で基板より剥離し、生乾きの状
態で支持枠に均一に固着したのち乾燥することにより、
フォトマスク保護用に適したフォトマスクカバーが得ら
れることを認め、本発明に到達した。
薄膜の製造には次の条件を満足させることが必要である
。
。
イ 薄くて厚みの均一な膜とすること。
口 所定の厚みの膜とすること。
ハ フレームに支持した状態で均一な緊張を保てること
。
。
二 製膜及び支持の過程で膜を配向させないこと。
本発明の方法によって製造した薄膜は、これらの条件を
満足させるものである。
満足させるものである。
薄膜の製造には、所謂流延方式を用いることによって、
配向性のない膜を得る。薄膜材料としてはセルロースエ
ステル−b< a 当でアル。セルロースエステル以外
の薄膜材料としては、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポ
リアクリル酸メチル、ポリカーボネート、ポリビニルブ
チラール、含弗素(メタ)アクリレート、テトラフロロ
エチレンと弗化ビニリデンとのコポリマー、テトラフロ
ロエチレンと弗化ビニリデンとへキサフロロプロピレン
とのターポリマー等と弗素化樹脂などをあげることがで
きる。セルロースエステルはケトン、低級脂肪酸エステ
ルなどの比較的低沸点溶剤に容易に溶解し1.溶液濃度
及び流延厚みを規定することにより、所定の出来上がり
厚みの薄膜を製造することができる。フォトマスク保護
用薄膜には、例えば2.8±0.3μmや4.5±0.
3μmなどの一定の厚みのものが使用される。
配向性のない膜を得る。薄膜材料としてはセルロースエ
ステル−b< a 当でアル。セルロースエステル以外
の薄膜材料としては、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポ
リアクリル酸メチル、ポリカーボネート、ポリビニルブ
チラール、含弗素(メタ)アクリレート、テトラフロロ
エチレンと弗化ビニリデンとのコポリマー、テトラフロ
ロエチレンと弗化ビニリデンとへキサフロロプロピレン
とのターポリマー等と弗素化樹脂などをあげることがで
きる。セルロースエステルはケトン、低級脂肪酸エステ
ルなどの比較的低沸点溶剤に容易に溶解し1.溶液濃度
及び流延厚みを規定することにより、所定の出来上がり
厚みの薄膜を製造することができる。フォトマスク保護
用薄膜には、例えば2.8±0.3μmや4.5±0.
3μmなどの一定の厚みのものが使用される。
流延時の流延基板を平滑なガラス板とし、溶媒除去後水
中に浸漬すると、薄膜は大きな力を加えることなくガラ
ス板から自然に剥がれるので、膜を損傷することもなく
容易に回収することができる。この薄膜をアルミニウム
支持枠に直接マウントし、生乾きの状態のとき、支持枠
と膜の接触部分に沿って、揮発性の溶剤を少量塗布し乾
燥させると、膜が支持枠に接着するとともに、ごく僅か
に膜が収縮しようとして、均一な緊張状態での支持が得
られる。
中に浸漬すると、薄膜は大きな力を加えることなくガラ
ス板から自然に剥がれるので、膜を損傷することもなく
容易に回収することができる。この薄膜をアルミニウム
支持枠に直接マウントし、生乾きの状態のとき、支持枠
と膜の接触部分に沿って、揮発性の溶剤を少量塗布し乾
燥させると、膜が支持枠に接着するとともに、ごく僅か
に膜が収縮しようとして、均一な緊張状態での支持が得
られる。
硝酸セルロースをはじめとするセルロースエステルは結
晶性が小さいのに分子構造が剛直であるため、成形後の
ディメンショナルスタビリティがある。適当な流延溶剤
が利用でき、乾燥後は大きな内部応力が発生し、ガラス
板への密着性が乏くなるため、水中で力を加えずに薄膜
だけを回収することができ、薄膜は水によりごく僅か膨
潤するなど種々の利点があるが、本発明はこれらの利点
をたくみに利用したものである。
晶性が小さいのに分子構造が剛直であるため、成形後の
ディメンショナルスタビリティがある。適当な流延溶剤
が利用でき、乾燥後は大きな内部応力が発生し、ガラス
板への密着性が乏くなるため、水中で力を加えずに薄膜
だけを回収することができ、薄膜は水によりごく僅か膨
潤するなど種々の利点があるが、本発明はこれらの利点
をたくみに利用したものである。
従来の外力のみで剥離する方法は、薄膜の厚さが3μm
近辺と非常に薄い膜であるため強度が剥離に耐えられる
ほど強くないため、破損する場合が多い。
近辺と非常に薄い膜であるため強度が剥離に耐えられる
ほど強くないため、破損する場合が多い。
又外力のみで剥離する補助手段として、流延用ガラスに
離型剤等を塗布することが行われるが、この方法では離
型剤が薄膜に転写することによる薄膜の光学的な性能低
下や枠との接着性を低下させる等の短所がある。これに
対して本発明の水を媒体とする剥離方式によれば、上記
の如き欠点がなく、優れたフォトマスクカバーを得るこ
とができる。
離型剤等を塗布することが行われるが、この方法では離
型剤が薄膜に転写することによる薄膜の光学的な性能低
下や枠との接着性を低下させる等の短所がある。これに
対して本発明の水を媒体とする剥離方式によれば、上記
の如き欠点がなく、優れたフォトマスクカバーを得るこ
とができる。
以下に実施例によりさらに本発明を説明する。
実施例1
硝化綿R3−5(ダイセル化学工業製、インプロパツー
ル混綿、固型分70%)64g、メチルエチルケトン1
46g、酢酸ブチル120g及びトルエン120gから
なる硝化綿ドープを、り、リアランス50μmのパーコ
ーターを用いて、平滑なガラス板上に塗布し、24時間
室温(20℃)に放置乾燥し、さらに60℃で1時間乾
燥した。乾燥フィルム化した硝化綿をガラス板ごと静か
に清浄な水中に浸漬した。暫時放置すると、硝化綿フィ
ルムはガラス板から自然に剥離したので、−旦直径約1
50mmの円形アルミフレームを用いて形を崩さないよ
うすくい上げ、該フレーム内の部分を内径100mm、
外径110mm、厚みl(1mmのアルミニウム支持枠
の上面にマウントした。次いで、フィルムの支持枠との
接触界面に沿って、少量のメチルエチルケトンを塗布し
、風乾することによって、フィルムを支持枠に接着させ
た。支持枠の外側にはみ出している部分のフィルムを切
り除き、60℃で3時間乾燥させると、均一な緊張度で
支持された厚さ3μm(比重1.6)の硝酸セルロース
フィルムから成るフォトマスクカバーを得た。
ル混綿、固型分70%)64g、メチルエチルケトン1
46g、酢酸ブチル120g及びトルエン120gから
なる硝化綿ドープを、り、リアランス50μmのパーコ
ーターを用いて、平滑なガラス板上に塗布し、24時間
室温(20℃)に放置乾燥し、さらに60℃で1時間乾
燥した。乾燥フィルム化した硝化綿をガラス板ごと静か
に清浄な水中に浸漬した。暫時放置すると、硝化綿フィ
ルムはガラス板から自然に剥離したので、−旦直径約1
50mmの円形アルミフレームを用いて形を崩さないよ
うすくい上げ、該フレーム内の部分を内径100mm、
外径110mm、厚みl(1mmのアルミニウム支持枠
の上面にマウントした。次いで、フィルムの支持枠との
接触界面に沿って、少量のメチルエチルケトンを塗布し
、風乾することによって、フィルムを支持枠に接着させ
た。支持枠の外側にはみ出している部分のフィルムを切
り除き、60℃で3時間乾燥させると、均一な緊張度で
支持された厚さ3μm(比重1.6)の硝酸セルロース
フィルムから成るフォトマスクカバーを得た。
尚、アルミニウム支持枠の厚みは、フォトマスク画像面
と樹脂薄膜との間の光路中における一定の間隔を形成す
るスペーサとして働くことになる。
と樹脂薄膜との間の光路中における一定の間隔を形成す
るスペーサとして働くことになる。
実施例2
実施例1の硝化綿ドープに代えて、酢酸綿LT−105
(ダイセル化学工業製)60g、塩化メチレン846g
及びメタノール94gからなる酢酸綿を用いて、実施例
1に準じて酢酸セルロースフィルムを作製した。但し流
延厚みは50μm1支持枠とフィルムとの接着に用いた
溶剤は塩化メチレン/メタノール=9/1の混合溶剤で
あった。
(ダイセル化学工業製)60g、塩化メチレン846g
及びメタノール94gからなる酢酸綿を用いて、実施例
1に準じて酢酸セルロースフィルムを作製した。但し流
延厚みは50μm1支持枠とフィルムとの接着に用いた
溶剤は塩化メチレン/メタノール=9/1の混合溶剤で
あった。
同様にして均一な緊張度で支持された厚さ3μm(比重
1.3)のフィルムから成るフォトマスクカバーを得た
。
1.3)のフィルムから成るフォトマスクカバーを得た
。
実施例3
硝化綿R3−7(ダイセル化学工業製、インプロパツー
ル混綿、固型分70%)20g、酢酸ブチル50g1酢
酸イソブチル50g及びシクロへキサノン90gからな
る硝化綿ドープを作製した。
ル混綿、固型分70%)20g、酢酸ブチル50g1酢
酸イソブチル50g及びシクロへキサノン90gからな
る硝化綿ドープを作製した。
このドープの23℃における粘度は480cpであった
。このドープを用いてスピンコーティング法によりフィ
ルムを作成した。即ち、スピンナーにガラス板をセット
し、70rpmで回転させつつ、その回転中心に上記ド
ープを5秒間を要して滴下した。滴下終了後直ちに回転
速度を1105Orpに上昇(立ち上がり所要時間0.
2秒)させ、この速度で15秒間維持する間に遠心流延
させた後、回転を停止させた。
。このドープを用いてスピンコーティング法によりフィ
ルムを作成した。即ち、スピンナーにガラス板をセット
し、70rpmで回転させつつ、その回転中心に上記ド
ープを5秒間を要して滴下した。滴下終了後直ちに回転
速度を1105Orpに上昇(立ち上がり所要時間0.
2秒)させ、この速度で15秒間維持する間に遠心流延
させた後、回転を停止させた。
次にガラス板をスピンナーから取り外し、24時間室内
(23℃、60%RH)に放置乾燥し、さらに60℃で
1時間乾燥した。以下実施例1と同様にして水中浸漬し
、ガラス板から生成フィルムを剥離し、アルミニウム支
持枠にマウントし、接着支持させた。支持枠ごと60℃
、3時間乾燥し、平均厚み0.29μm、厚木むら0.
03μm以下の均一な緊張度で支持された硝酸セルロー
スフィルムから成るフォトマスクカバーを得た。
(23℃、60%RH)に放置乾燥し、さらに60℃で
1時間乾燥した。以下実施例1と同様にして水中浸漬し
、ガラス板から生成フィルムを剥離し、アルミニウム支
持枠にマウントし、接着支持させた。支持枠ごと60℃
、3時間乾燥し、平均厚み0.29μm、厚木むら0.
03μm以下の均一な緊張度で支持された硝酸セルロー
スフィルムから成るフォトマスクカバーを得た。
実施例4
ポリビニルブチラールをエチルセロソルブアセテートに
溶解し、0.2μmのフィルターで濾過して濃度5%の
溶液を得た。この溶液をガラス板上にスピンコーティン
グ法により塗布し、厚さ2.85μmの均一な膜を得た
。次に実施例1と同様に水中浸漬し、ガラス板から生成
フィルムを剥離し、アルミニウム支持枠にマウントし、
接着支持させた。支持枠ごと60℃、3時間乾燥し、均
一な緊張度で支持されたポリビニルブチラールから成る
フォトマスクカバーを得た。
溶解し、0.2μmのフィルターで濾過して濃度5%の
溶液を得た。この溶液をガラス板上にスピンコーティン
グ法により塗布し、厚さ2.85μmの均一な膜を得た
。次に実施例1と同様に水中浸漬し、ガラス板から生成
フィルムを剥離し、アルミニウム支持枠にマウントし、
接着支持させた。支持枠ごと60℃、3時間乾燥し、均
一な緊張度で支持されたポリビニルブチラールから成る
フォトマスクカバーを得た。
出願人代理人 古 谷 馨
Claims (1)
- 基板上に均一な厚みの薄膜を形成し、水中で薄膜を基板
より剥離することを特徴とするフォトマスクカバーの製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1089137A JPH0264A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | フォトマスクカバーの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1089137A JPH0264A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | フォトマスクカバーの製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57103488A Division JPS58219023A (ja) | 1982-06-15 | 1982-06-15 | 樹脂薄膜の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0264A true JPH0264A (ja) | 1990-01-05 |
JPH0514262B2 JPH0514262B2 (ja) | 1993-02-24 |
Family
ID=13962490
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1089137A Granted JPH0264A (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | フォトマスクカバーの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0264A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6274524B1 (en) | 1997-04-25 | 2001-08-14 | Kyocera Corporation | Semiconductive zirconia sintering body and electrostatic removing member constructed by semiconductive zirconia sintering body |
US6342292B1 (en) | 1997-12-16 | 2002-01-29 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Organic thin film and process for producing the same |
KR100833470B1 (ko) * | 2007-05-02 | 2008-06-02 | 연세대학교 산학협력단 | 식물의 엽록체 및 미토콘드리아 발달에 관여하는NbBTF3유전자 |
KR100854594B1 (ko) * | 2007-02-09 | 2008-08-27 | 전남대학교산학협력단 | 톨-유사 수용체-5 자극 활성이 강화된 pas-플라젤린융합 단백질 |
-
1989
- 1989-04-07 JP JP1089137A patent/JPH0264A/ja active Granted
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6274524B1 (en) | 1997-04-25 | 2001-08-14 | Kyocera Corporation | Semiconductive zirconia sintering body and electrostatic removing member constructed by semiconductive zirconia sintering body |
US6342292B1 (en) | 1997-12-16 | 2002-01-29 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Organic thin film and process for producing the same |
US6797207B2 (en) | 1997-12-16 | 2004-09-28 | Asahi Kasei Emd Corporation | Process for producing organic thin film |
KR100854594B1 (ko) * | 2007-02-09 | 2008-08-27 | 전남대학교산학협력단 | 톨-유사 수용체-5 자극 활성이 강화된 pas-플라젤린융합 단백질 |
KR100833470B1 (ko) * | 2007-05-02 | 2008-06-02 | 연세대학교 산학협력단 | 식물의 엽록체 및 미토콘드리아 발달에 관여하는NbBTF3유전자 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0514262B2 (ja) | 1993-02-24 |
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