200946418 六、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於用來搬運或保管半導體晶圓之晶圓收納 容器。 【先前技術】 關於半導體晶圓的尺寸，現在已開始討論最大 © 450mm的晶圓規格，其口徑是越做越大，但半導體晶圓 的厚度並不厚，因此，在半導體晶圓的製作過程中之半導 體晶圓的處理，特別是在用來保管半導體晶圓的晶圓收納 容器內必須謹慎的處理。另外，半導體元件的最小圖案也 開始進入50nm以下。隨著如此般微細化的進展，在裝載 著1 OOnm以下的設計規則的元件之半導體晶圓，製程中 產生的粒子的存在，會對晶圓上的圖案造成致命的缺陷。 因此，在用來保持半導體晶圓的環境氣氛內，即使是非常 〇 微小且微量的粒子也必須完全防止。特別是在晶圓收納容 器內，必須儘量避免讓半導體晶圓和晶圓收納容器內發生 接觸。以防止因接觸而產生粒子。在以往所提出或使用的 晶圓收納容器，是將半導體晶圓的周緣部用V形溝槽或ϋ 形溝槽來支承（專利文獻1 )，或是將半導體晶圓的邊緣側 面部及半導體晶圓的背面周緣部予以支承（專利文獻2)。 專利文獻1:日本特開2002-353301 專利文獻2:日本實登3020287 200946418 【發明內容】 在專利文獻1之晶圓收納容器的晶圓支承部是形成V 形溝槽的情況，是用V形溝槽來支承晶圓周邊，且晶圓 支承部是與要形成元件之半導體晶圓的表面的晶圓周緣部 接觸。結果，在晶圓周緣部之形成於半導體晶圓的薄膜 (氧化膜、氮化膜、或金屬膜等）會稍微剝離而飛揚，以粒 胃 子的形式附著在比晶圓周緣部更內側的形成有元件（或是 要形成元件）的表面上。或是，與晶圓周緣部接觸的晶圓 © 支承部（材質爲高分子材料）之些微剝離等，也會產生前述 問題。再者，晶圓表面側僅在晶圓周緣部受到支承是當然 的，而在晶圓背面也是僅在晶圓周緣部受到支承，因此， 特別是在晶圓變得大口徑化的情況，因晶圓本身的重量會 造成晶圓發生撓曲，而使晶圓的穩定度變差。特別是在晶 圓從收納容器取出或放入時’晶圓可能會傾斜而造成晶圓 破損。另外，保管於收納容器的晶圓，受到反覆的晶圓撓 曲振動，也可能會造成晶圓破壞。再者’晶圓彼此也可能 〇 在晶圓收納容器內接觸而造成元件損傷’或因接觸而產生 粒子等。 _ 專利文獻2所示之半導體晶圓的支承方法’由於半導 體背面周緣部與收納容器接觸’因接觸所產生的粒子等會 繞行到半導體表面而附著在半導體表面。或是’會附著在 載置於下方之其他半導體晶圓的表面。結果會產生圖案缺 陷而使半導體晶圓的良率和特性變差。 本發明的目的是爲了提供一種晶圓收納容器’除了可 -6- 200946418 防止搬運中的衝擊等所造成的半導體晶圓的破損，且在取 出半導體晶圓時，能將半導體晶圓以無破損的狀態進行安 全且容易的取出。另外是爲了提供一種能使晶圓收納容器 內產生的粒子等降低至最少的晶圓收納容器。 爲了達成上述目的，本發明之晶圓收納容器，係具 備：至少具有1個開口之收納容器本體、閉合前述開口的 蓋體、在將前述收納容器本體用前述蓋體閉合時使前述收 © 納容器本體的內部和外部環境氣密地隔離的密封構件、形 成於前述收納容器本體的內部且將晶圓以整齊排列的狀態 支承之晶圓保持具；其特徵在於： 晶圓保持具係具備：將複數個晶圓以隔既定間隔沿軸 方向整齊排列的狀態支承之複數個層架、用來支承前述層 架的支承板部、用來將前述支承板部安裝於前述收納容器 本體的內部之支承板安裝部、形成於前述支承板部而將前 述複數個晶圓在徑方向施以限制的限制部；又在層架內側 Ο 穿設1個或複數個孔。另外，層架具有：形成於層架的上 面（載置晶圓時的上側，與晶圓背面接觸的側）而用來支承 並載置上述晶圓背面的1個或複數個載置突起。 另外，上述限制部，僅在半導體晶圓的側端頂部、或 是僅在半導體晶圓的側端頂部和半導體晶圓的斜面部與半 導體晶圓接觸。再者，限制部和層架的邊界，是形成傾斜 (與半導體晶圓背面的斜面下部接觸的部分是形成傾斜）。 晶圓保持具，是在晶圓收納容器內，形成以二側基準面爲 對稱面而呈相對置的一對鏡像體構造。 -7- 200946418 藉由採用本發明的晶圓保持具，能以不接觸晶圓背面 的晶圓周緣部分的方式，在比晶圓背面的晶圓周緣部分更 內側的微小部分支承晶圓。因此，從半導體晶圓背面側繞 行到半導體晶圓表面側的粒子等變得非常少。再者，在晶 圓背面之比其周緣部更內側，用載置突起來支承，如此可 將晶圓的撓曲量抑制成最小。特別是在大口徑的晶圓的情 況，由於晶圓的撓曲量大，故本發明的晶圓保持具的效果 顯著。而且，由於撓曲量變小，積層於晶圓收納容器的晶 © 圓間距可縮小，結果可增加晶圓收納容器可保管的晶圓數 量。再者，在將半導體晶圓取出放入時，由於是將半導體 晶圓載置於複數個載置突起上，故能將半導體晶圓穩定地 設置成水平。結果半導體晶圓就不會發生破損。 再者，限制部的構造，是僅在晶圓側端頂部或者晶圓 側端頂部和晶圓的斜面部與晶圓接觸，如此對於形成有半 導體元件的半導體晶圓表面，包含半導體晶圓的周緣部完 全都不會接觸，而能以此狀態將半導體晶圓收納保管於半 © 導體晶圓收納容器。半導體晶圓的背面，是在形成於收納 容器本體的內部且用來將晶圓以整齊排列的狀態支承的晶 圓保持具，載置於形成在複數個層架（連接於安裝部，用 來將複數個晶圓以隔既定的間隔沿軸方向整齊排列的狀態 支承）上的複數個載置突起，而且半導體晶圓的晶圓側端 頂部或晶圓側端頂部和斜面部是被限制部按壓，藉此將半 導體晶圓固定住。限制部對半導體晶圓的按壓力，是強力 作用於從半導體晶圓的周邊往中心的方向，亦即與半導體 -8 - 200946418 晶圓的平面平行的方向’因此半導體晶圓不會破損’而且 能確實地進行半導體晶圓的固定。 層架是朝收納容器的中心伸出但在中心側未受到固 定，但在層架的內側（內部）具有1個或複數個孔（形成穿 孔狀態的環狀構造），且至少由兩側的臂部（桿件）來支 承，因此能減輕層架本身的重量，同時能抑制支承強度的 減少，而能儘量減少層架因本身重量所造成的撓曲。再 © 者，該層架，在將晶圓收納容器縱向置放（開口朝上）時， 具備將半導體晶圓筆直豎起之導件作用。 半導體晶圓是位於層架和層架之間，但僅半導體晶圓 的側端頂部、或是半導體晶圓的側端頂部和半導體晶圓的 背面側（特別是斜面下部）與限制部接觸，半導體晶圓表面 之晶圓半導體周緣部的內側則不會與限制部接觸，如此起 因於接觸而產生的粒子等就不會產生。結果，在半導體晶 圓表面的元件上（或是將來要形成的區域）不會發生缺陷。 ❹ 因此，在半導體晶圓的周緣部和斜面上部，由於難以防止 熱氧化、CVD(化學氣相沉積）法、PVD(物理氣相沉積）法 等所沉積之絕緣膜、導電體膜、半導體膜，以往必須附加 用來將附著於周緣部之該等膜除去的步驟，但在採用本發 明的晶圓收納容器的情況’則不一定要附加這種薄膜除去 步驟。再者，在將光阻塗布於半導體表面的情況也是，可 省略將半導體晶圓的表面側之晶圓周緣部的光阻除去的步 驟（邊緣清洗，edge rinse)。 再者，對應於使半導體晶圓儘量薄的要求，或是對於 -9- 200946418 厚度不厚但大口徑化的晶圓’在支承背面的層架不存在的 情況，在僅半導體晶圓的側端頂部、或是僅半導體晶圓的 側端頂部和半導體晶圓的背面側（特別是斜面下部）與限制 部接觸的狀態下，要固定半導體晶圓非常困難’但依本發 明的晶圓收納容器，由於半導體晶圓背面也被層架支承’ 故能將半導體晶圓固定住。 再者，可能會要求，連在半導體晶圓的背面周緣部也 不與晶圓收納容器的任何一部分接觸。其理由是爲了防 © 止：在半導體晶圓背面之半導體晶圓與晶圓收納容器（例 如支承部）的接觸部產生的粒子等，從背面繞行而附著於 半導體晶圓表面。以往的支承半導體晶圓背面的情況’由 於是支承半導體晶圓背面的周緣部，並無法克服上述問題 點。本發明的晶圓收納容器的層架，由於在層架內側具有 1個或複數個孔（或是形成穿孔狀態的環狀構造），可減輕 層架重量而朝晶圓收納容器的中心部側延伸。例如’由於 層架內側形成穿孔狀態，可分散施加於層架和支承板部的 © 根部的荷重而使其變小，因此能使層架的前端部延伸至遠 離根部的地方。結果，藉由將晶圓載置於離開晶圓周緣部 一定程度的載置突起上，能以不接觸晶圓周緣部的方式來 固定晶圓。 【實施方式】 本發明提供一種用來收納複數片的半導體晶圓之晶圓 收納容器，其完全不接觸形成有半導體元件之半導體晶圓 -10- 200946418 的表面側’而僅與半導體晶圓的側端頂部或是僅與半導體 晶圓的側端頂部及半導體晶圓的斜面部接觸，且連半導體 晶圓的背面周緣部也不接觸。 關於半導體晶圓的尺寸’現在已開始討論最大 450mm的晶圓規格，其口徑是越做越大。另外，半導體 元件的最小圖案也開始進入50nm以下。在如此般超微小 的圖案，連用來保持半導體晶圓的環境氣氛內的非常微小 © 的粒子和釋氣（outgas)也必須完全防止。特別是在始終保 管著半導體晶圓的晶圓收納容器內，必須儘量減少半導體 晶圓與晶圓收納容器的接觸，以防止因接觸而產生粒子。 第12圖是將半導體晶圓的端緣（端）周邊部放大的示 意圖。半導體晶圓101的表面105側，是由平坦區域X 及邊緣區域 Y所構成。在平坦區域X形成有半導體元 件。然而，一般而言，包含電晶體等的主動元件和電阻等 的被動元件之半導體元件，是形成在從X和Y的邊界起 © 算一定距離w的內側（元件形成區域107)。這是除了受到 薄膜形成、蝕刻製程、光微影等的製程條件的限制以外， 還考慮到爲了防止前述粒子等所造成的缺陷。通常W爲 3〜7mm ’隨著近年來製程技術的進步以及半導體裝置的高 性能化，W變得越來越小。邊緣區域Y，是由傾斜部！ 03 和晶圓邊緣最外部之晶圓側端頂部1 02所構成。由於傾斜 部被稱爲斜面（bevel)，在本說明書，將半導體表面側的傾 斜部1 0 3稱爲斜面上部，將半導體背面側的傾斜部丨〇 4稱 爲斜面下部。如上述般，在近年來的超微細製程，對晶圓 -11 - 200946418 收納容器是要求著，與半導體晶圓表面側，亦即X部或 斜面上部103完全不接觸。 爲了將半導體晶圓支承固定於收納容器，一定要在某 個部位讓半導體晶圓與晶圓收納容器接觸，因此不得不在 晶圓邊緣Y最外部之側端頂部102進行最低限度的接 觸。再者，在連接於側端頂部102之半導體背面側的斜面 下部104，也不得不進行一定程度的接觸（在無法與斜面 上部103接觸的情況，是與斜面下部104接觸）。若半導 體晶圓爲小口徑且厚度夠厚而具有充分的強度，僅藉由側 端頂部及斜面下部的接觸，就能將半導體晶圓從邊緣側用 力按壓，而支承固定於收納容器。然而，在半導體晶圓口 徑變大但半導體晶圓的厚度不厚之現在的狀況下（將來應 該也會維持這種傾向），以及將半導體晶圓硏磨變薄後使 半導體晶圓的強度變得更小的狀況下，僅藉由半導體晶圓 的側端頂部102及斜面下部104與晶圓收納容器的接觸， 對於收納容器內之半導體晶圓的支承固定並不充分，在將 晶圓從晶圓收納容器取出或放入時，在晶圓搬運中及收納 容器的移送中可能發生半導體晶圓的破損。於是，不得不 容許其接觸半導體晶圓的背面1 06側，但如前述般會發 生：在半導體晶圓的背面周緣部與晶圓收納容器的接觸部 產生的粒子等繞行到半導體晶圓表面側的現象。於是，變 成必須使半導體晶圓背面周緣部Z(例如，半導體晶圓的 側端頂部102及斜面下部104除外之距離晶圓側端頂部 2〜l〇mm處）完全不接觸晶圓收納容器的任何部分（在晶圓 200946418 厚0.8~1.0mm之450mm晶圓的情況，邊緣區域Y的尺寸 約 0·4〜1 ·0mm)。 本發明的晶圓收納容器，爲了確實地因應這種要求， 係具備：至少具有1個開口之收納容器本體、閉合前述開 口的蓋體、在將前述收納容器本體用前述蓋體閉合時使前 述收納容器本體的內部和外部環境氣密地隔離的密封構 件、形成於前述收納容器本體的內部且將晶圓以整齊排列 © 的狀態支承之晶圓保持具；其特徵在於：晶圓保持具係具 備：將複數個晶圓以隔既定間隔沿軸方向整齊排列的狀態 支承之複數個層架、用來支承前述層架的支承板部、用來 將前述支承板部安裝於前述收納容器本體的內部之支承板 安裝部、形成於前述支承板部而將前述複數個晶圓在徑方 向施以限制的限制部；又在層架內側穿設1個或複數個 孔。在本說明書記載的「在層架內側穿孔的構造」或「穿 孔狀態的環狀構造」，除了層架內側的孔完全被層架及支 〇 承板包圍的構造（例如，層架及支承板狀呈環狀或框狀而 周圍是完全連在一起的構造）以外，還包含層架內側的孔 不完全被層架及支承板包圍的構造（例如，環狀或框狀的 一部分缺口的構造，構成環狀或框狀的支承板狀的一部分 或全部不存在的構造）。前者的例子，可列舉後述的B字 形、D字形的層架、大致等邊三角形的層架。後者的例 子，可列舉後述第22圖所示之E字形、D字形或B字形 的無縱棒的形狀的層架。另外，層架具有：形成於層架上 面（載置晶圓時的上側，與晶圓背面接觸的側）且用來支承 -13- 200946418 載置上述晶圓背面之1個或複數個載置突起。 第1圖及第2圖係顯示本發明的晶圓收納容器的例 子。第2圖係將容器本體2用蓋體4閉合的狀態之晶圓收 納容器1的立體圖。第1圖，是爲了充分掌握本發明’而 將第2圖所示的晶圓收納容器1切成一半以觀察其內部的 立體圖。其具備：分別設置於用來收納複數片的半導體晶 圓S之容器本體2的對置側壁，將收納於內部的半導體晶 圓S僅從一側（半導體晶圓S的背面）支承之晶圓保持具 〇 3;用來閉合容器本體2的開口 2F之蓋體4»另外還具 備：供搬運裝置（未圖示）的臂部把持之頂突緣5、在作業 員用手搬運晶圓收納容器1時供其握持搬運用的把手6。 在第1圖及第2圖，容器本體2整體是形成大致立方 體形。該容器本體2，通常是以縱向置放狀態（底板部2E 朝下的狀態）來進行搬運，而在要將半導體晶圓S取出放 入的情況，則橫向置放成半導體晶圓的表面朝上。另外， 該容器本體2，是由周圍壁部之4片的側壁部2A、2B、 © 2C、2D和底板部2E所構成，在其上部設置開口 2F。在 各側壁部2A、2B、2C、2D設置補強用肋9等。該容器本 體2,在半導體晶圓S的生產線上等和晶圓搬運用機器人 (未圖示）呈對置時，是在載置台上進行正確的定位且形成 橫向置放狀態（第2圖的狀態）。在橫向置放狀態下，在構 成頂部的側壁部2B的外側，藉由拆裝機構12將頂突緣5 安裝於拆裝自如。在橫向置放狀態下，在構成橫壁部之側 壁部2C、2D的外側，藉由拆裝機構12將搬運用的把手6 -14- 200946418 安裝成拆裝自如。 在容器本體2的上端部，如第1圖所示，設置用來嵌 合蓋體4之蓋體收容段部47。該蓋體收容段部47，是將 容器本體2的上端部擴展成蓋體4的尺寸。藉此，蓋體4 可嵌合於蓋體收容段部47的垂直板部47A的內側並抵接 於水平板部47B，藉此安裝於蓋體收容段部47。再者，安 裝於蓋體4下面側的密封構件（未圖示）是抵接於水平板部 〇 47B，藉此將晶圓收納容器1的內部施以密封。在蓋體收 容段部47的垂直板部47A的內側設置嵌合孔48，以將在 半導體製造過程專用的蓋體（未圖示）固定於容器本體2 側。該嵌合孔48設置於蓋體收容段部47的四角部。另 外，嵌合孔48的位置及形狀，是對應於半導體製造過程 專用的蓋體來做適當的設定。 晶圓保持具3，如第1圖及第3圖所示，是分別設置 於容器本體2內之相對置的側壁部2C、2D，用來將收納 © 於內部的半導體晶圓S從兩側支承。晶圓保持具3是在容 器本體2內的內側安裝成拆裝自如，在晶圓收納容器內， 形成以二側基準面爲對稱面而呈相對置的一對鏡像體構造 (二側基準面，是SEMI規格所制定的，指通過晶圓中心 而將晶圓收納容器的開口分成左右兩個的基準面）。晶圓 保持具3主要具備：將多數個隔著一定間隔排列的各半導 體晶圓S逐一分開支承的層架50、將各層架50以隔著一 定間隔排列的狀態實施一體地支承之（晶圓保持具）支承板 部51。此外，支承板部51具有：將半導體晶圓S在晶圓 -15- 200946418 徑方向施以限制之限制部20 1 (第4圖至第9圖）。 如第3圖所不，層架50在內側具有1個大孔。亦即 是形成：內側爲穿孔狀態的環狀構造，在至少兩處（M及 N)被支承板部51支承之橋形。亦可將其稱爲D字形層 架。層架50是被支承板部51支承，是由從支承板部51 延伸出的2個臂部34以及連結兩臂部的帶狀部分33所構 成，由其等包圍的部分36成爲內側穿孔狀態。亦即，是 被支承板部51、2個臂部34以及帶狀部分33所包圍，而 _ 形成層架內側爲穿孔狀態的環狀構造（以下稱「環狀」或 「環狀構造」）。在第3圖雖顯示支承板部51爲一體物（1 片彎曲的板狀物），但如第13圖所示’將支承板分割成用 來支承層架50的支承板35、用來支承該支承板35的（縱 向）支承板37 (第13圖有2片）亦可。這種分割的支承板， 有減輕支承板重量的好處。另外’由於可調整2片支承板 37的寬度，可在2片支承板37之間形成充分的空間’而 能從外側（晶圓收納容器爲透明的情況’從晶圓收納容器 〇 的外側）觀察晶圓的配置狀況。第13圖雖顯示支承板37 在支承板35上進行支承，但也能挾持在支承板35彼此之 間，或是將其等成形爲一體物。 在層架50的既定位置設置用來支承載置半導體晶圓 背面之載置突起52。第4圖至第8圖係具有各種形狀之 本發明的層架50和支承板部51及半導體晶圓的狀態之說 明圖。是從晶圓保持具3的橫側觀察，在容器本體2內的 相對置的側壁部2C或2D配置晶圓保持具3的狀態。晶 -16- 200946418 圓保持具3 ’是在晶圓收納容器內，形成以二側基準面爲 對稱面而呈相對置的一對鏡像體構造，因此在第4圖至第 8圖僅顯示其單側（二側基準面，是與圖中的通過晶圓中 心的縱向中心線（一點鏈線）一致。第4圖用符號Η表 示）。第4圖係顯示半圓弧狀的環狀層架的例子（第4圖的 層架在內側有一個大孔，可視爲D字形層架的一種）。在 晶圓保持具3的支承板部51設置層架50，層架50是由 〇 支承板部51的兩處（圖中的Μ、Ν)來支承。層架50，是 從Μ及Ν延伸成圓弧狀的帶狀，層架50的內側（內部）成 爲環狀構造。由於層架50是成爲環狀構造，可減輕層架 50的重量，而能抑制層架50本身重量所造成之撓曲。 另外，由於層架50是在Μ及Ν兩處被支承板部51 支承，故能更強固地支承層架50。因此，層架50可朝半 導體晶圓的徑向伸出，而使其位置（支承半導體晶圓背面 的位置）的調整自由度變大。由於在層架50上載置半導體 © 晶圓，爲了維持層架50不變形的狀態，除了在Μ及Ν之 支承板部的支承強度加大、或將層架本身的強度加大以 外，減輕層架本身的重量也是有效的，因此除了形成環狀 構造以外，隨著離開支承部Μ、Ν而使層架50變薄變細 的構造也是有效的。另外，藉由形成環狀構造，能使層架 往晶圓中心延伸，而能支承更廣區域的晶圓背面，如此可 增大晶圓背面的支承位置（亦即載置突起52的位置）之自 由度。 在層架50的三處（圖中的P、Q、R)設置載置突起 -17- 200946418 52，其與半導體晶圓的背面的既定部分接觸以將半導體晶 圓從背面側支承。半導體晶圓，在晶圓保持具3的（¾¾ 板部51)的限制部201，使半導體晶圓的周緣部與晶圓保 持具3接觸而在徑方向施以限制。亦即，在將半導體晶Μ 從晶圓收納容器取出放入時，是以半導體晶圓的背面朝下 的方式來配置晶圓收納容器1(層架50的載置突起52朝 上）。打開蓋體4，將晶圓插入晶圓收納容器本體2(例如 將晶圓背面載置於叉構件），而載置在層架50的載置突起 〇 52上。由於層架50是在晶圓收納容器本體2內形成1對 (亦即兩處，載置突起52也是在層架50設置複數個）’因 此將半導體晶圓載置於載置突起52上之後，即使移去叉 構件，半導體晶圓也不會移動（當然必須使載置突起52的 高度一致以讓半導體晶圓形成水平）。在將期望片數的半 導體晶圓放入晶圓收納容器後，閉合蓋體4。在蓋體4安 裝有：與晶圓周緣部接觸，且具備用來將晶圓在徑方向施 以限制的限制部之晶圓按壓構件94(第1 0圖）。如此，半 ❹ 導體晶圓，是藉由從設置於晶圓收納容器本體的1對晶圓 保持具3的限制部201及安裝於蓋體4的晶圓按壓構件 94朝半導體晶圓徑方向的施力，而被按壓固定住。 在此，根據第9圖來說明本發明的晶圓保持具3的限 制部201。第9圖是將在晶圚保持具設置半導體晶圓的狀 態從晶圓厚度方向觀察的圖。S代表半導體晶圓，5 0代表 層架，52代表載置突起，201代表限制部。限制部201是 晶圓邊緣部與晶圓保持具3的支承板部51接觸的區域， -18- 200946418 用來將晶圓在徑方向施以限制。圖中，雖顯示限制部和層 架位在相同位置，但晶圓邊緣與限制部接觸的位置，有時 也會和層架的位置不同。又從第4圖至第7圖可看出，限 制部201不一定要和層架50形成連續的（也是有連續的情 況。亦即，可在L、Μ、N部設置限制部）。限制部201較 佳爲設置在可固定半導體晶圓之最佳位置。在期望儘量減 少與半導體晶圓接觸的部分的情況，只要儘量減少與晶圓 © 接觸的部分即可。然而，在因接觸所產生的粒子等非常少 的情況，或因接觸所產生的粒子等不致構成問題的情況， 若增大限制部20 1之與晶圓接觸的區域，則可更強固地固 定住晶圓。 第9(a)圖係顯示限制部201具有V形溝槽（或U形溝 槽）的情況。半導體晶圓S的邊緣被限制部的V形溝槽 202挾持，而且半導體晶圓S背面被層架50的載置突起 52支承固定著。在如此般使用V形溝槽或U形溝槽作爲 © 限制部201的情況，由於半導體晶圓邊緣部Υ的斜面上 部103也會接觸限制部201，故從接觸部產生的粒子等容 易附著於半導體晶圓表面的元件區域而發生問題。 第9(b)圖係顯示具有大致垂直壁狀的側壁之限制部 201的圖。僅半導體晶圓S的邊緣前端，亦即僅半導體晶 圓S的側端頂部102與限制部201的側壁203接觸，半導 體晶圓S的斜面上部1〇3和斜面下部1〇4都沒有接觸。半 導體晶圓S的背面被載置突起52支承。在此情況，由於 半導體晶圓邊緣部的斜面上部並未接觸限制部201，故不 200946418 會發生如第9(a)圖所示之從接觸部產生的粒子等容易附著 於半導體晶圓表面的元件區域的問題。 第9(c)圖係顯示限制部201的下部204(與半導體晶圓 S的背面側接觸的部分）呈傾斜的情況。半導體晶圓S的 邊緣當中的斜面下部104會與該傾斜面204接觸。藉由調 整載置突起52的高度，能使限制部201的傾斜面204接 觸半導體晶圓S的斜面下部1 04且使半導體晶圓s的側端 頂部102接觸限制部201的垂直側壁203。相較於第9(b) © 圖的情況，由於半導體晶圓S和限制部201的接觸面積增 大，晶圓收納容器內之半導體晶圓的穩定度變佳。在此情 況也是，由於半導體晶圓邊緣部的斜面上部103未接觸限 制部201，故不會發生如第9(a)圖所示之從接觸部產生的 粒子等容易附著於半導體晶圓表面的元件區域的問題。 載置突起（52(P)、52(Q)、52(R))，在本發明，是以晶 圓中心爲中心，從上述晶圓收納容器的面部（facial)基準 面朝前述開口側及底側（相對於開口側之裏側，以開口側 〇 朝上的方式置放收納容器時是收納容器的下側，或是與開 口側相對置的側）方向以〇度〜(5度配置（ά爲30〜70的數 値）。面部基準面是指，將收納於收納容器本體的晶圓二 等分，而與收納容器的前面（晶圓取出放入的地方，亦即 開口面）平行的垂直面。在第4圖，面部基準面，是包含 通過晶圓中心的中心線G且與紙面垂直的面。在第4 圖，載置突起52(Ρ)是以晶圓中心0爲中心而從面部基準 面G朝開口側（第4圖的上側）方向形成角度rl;載置突起 -20- 200946418 5 2(R)是以晶圓中心0爲中心而從面部基準面G朝底側（第 4圖的下側）方向形成角度及r2是在0度〜<5度（5 =30~70)的範圍，藉此能穩定地載置晶圓。再者，在ri和 r2大致相等的情況，晶圓的穩定性更佳。另外，在超出 上述範圍的情況，特別是rl超過70度的情況，層架和載 置突起會成爲阻礙，也可能會造成把持部（end effector)無 法進入。特別是，若所載置的晶圓間的間距小，其阻礙會 〇 變大。52(Q)是在52(P)和52(R)之間，其角度比Γ1和r2 更小。不管載置突起是1個的情況或載置突起是多數個的 情況，載置突起的位置都是以〇度度（(5爲30〜70的數 値）爲佳。 在第4圖雖是顯示，載置突起是以面部基準面爲邊界 而在其上下及基準面附近分別設置1個的情況，但只要考 慮附設在其他晶圓保持具的層架上的載置突起的關係而能 將晶圓穩定地載置於層架上，將載置突起偏置於其中任一 〇 方亦可。載置突起爲1個或2個的情況也是同樣的，能以 面部基準面爲邊界而偏置於其上下或基準面附近。又具有 4個以上的載置突起的情況也是，載置突起能以面部基準 面爲邊界而偏置於其上下或基準面附近，或是可分散配置 於該等區域。另外，如上述般載置突起雖以〇度〜<5度（5 爲3 0〜70的數値）的範圍爲佳，但在不致妨礙晶圓的出入 或不致影響晶圓穩定性的情況下，也能在偏離前述角度的 位置設置載置突起。特別是在底側，如後述第8圖所示一 方的晶圓保持具的層架和另一方的晶圓保持具的層架互相 -21 - 200946418 連結的情況，亦可在該連結部分等設置載置突起。 若考慮到與收納於收納容器的晶圓中心隔著大致一定 距離的晶圓背面可接觸的區域（亦即載置突起的位置）’而 針對晶圓從收納容器的出入容易性及晶圓的撓曲性等進行 探討，該距離爲晶圓直徑的0.3倍~〇.5倍。再者，在晶圓 收納容器1中，如上述般用來取出放入晶圓的叉構件和臂 構件等會進入，因此從晶圓收納容器1的中心部起算的某 個範圍內可能無法配置層架50。亦即’在設計層架50的 © 配置及大小時，必須避開晶圓的操作區域。又由於在層架 50內的載置突起52上載置半導體晶圓，爲了防止半導體 晶圓發生轉動或移動，必須計算整體的均衡而算出層架 50內的載置突起52的位置。例如，如第4圖所示，以rl 和r2大致相等且5 2 (Q)位於其中間（亦即面部面附近）的方 式在三處設置載置突起 52，藉此形成穩定的狀態。另 外，藉由採用微小形狀的載置突起52，可減少與半導體 晶圓背面的接觸面積，而能減少接觸部產生的影響，但若 © 過於微小，單位面積的荷重變大，因此也要考慮磨耗程度 來算出最佳的形狀。另外，載置突起52的數目並不限於 上述三處，也可以更多。或者，考慮到晶圓保持具有1對 且進一步安裝後述後層架的情況，只要晶圓穩定，載置突 起52爲1或2個亦可。因此，載置突起52能在上述角度 〇度~ (5度（5爲30~70的數値）內設置1處以上。 再者，層架50，爲了符合半導體工業的規格，在半 導體晶圓的背面位置，宜形成在以晶圓中心爲中心而具有 -22- 200946418 60~ 140度的視角r的位置（第7圖）。在此的視角，從第7 圖可看出，從晶圓中心觀察層架時，是相當於晶圓圓周方 向的層架所佔範圍的中心角。因此，例如佔全圓周的層架 的情況，視角爲360度；佔圓周一半的層架的情況，視角 爲180度。若考慮到與二側（bilateral)面隔著大致一定距 離的晶圓背面可接觸的區域，而針對晶圓從收納容器的出 入容易性及晶圓的撓曲性等進行探討，該距離爲晶圓直徑 Q 的0.3倍〜0.5倍，且可接觸區域的視角r最大爲約140 度。又爲了穩定地載置晶圓，視角r必須爲60度左右（晶 圓保持具的層架爲1個的情況）。 再者，在晶圓收納容器1中，如上述般用來取出放入 晶圓的叉構件和臂構件等會進入，因此從晶圓收納容器1 的中心部起算的某個範圍內可能無法配置層架50。亦 即，在設計層架50的配置及大小時，必須避開晶圓的操 作區域。又由於在層架50內的載置突起52上載置半導體 ❹ 晶圓，爲了防止半導體晶圓發生轉動或移動，必須計算整 體的均衡而算出層架50內的載置突起52的位置。例如， 若在形成上述視角r之層架50的帶狀部分33上’在將視 角大致二等分的位置共三處設置載置突起52，會成爲穩 定的狀態，再者，藉由採用微小形狀的載置突起52，可 減少與半導體晶圓背面的接觸面積，而能減少接觸部產生 的影響，但若過於微小，單位面積的荷重變大’因此也要 考慮磨耗程度來算出最佳的形狀。另外，載置突起52的 數目並不限於上述三處，也可以更多。或者’只要晶圓穩 -23- 200946418 定，載置突起52爲1或2個亦可。基於以上說明，載置 突起52，可在形成上述視角r之層架50的帶狀部分33 上，以將視角大致二等分的位置爲中心而設置1處以上。 在禁止半導體晶圓的背面周緣部與晶圓收納容器接觸 的情況，也能使用本發明的層架50。亦即，在層架50的 臂部34或帶狀部分33 (第4圖的層架呈圓弧狀，故臂部 和帶狀部一致）中，只要在相當於晶圓周緣部的部分（通常 爲臂部34的場所）不設置載置突起，即可輕易地實現。 © 第5圖係顯示其他的層架50的例子。在晶圓保持具 3的支承板部51附設層架50，層架50是被支承板部51 的兩處（圖中的Μ及N)所支承。層架50，是從Μ及N延 伸而在中途彎曲，沿半導體晶圓的圓周方向呈帶狀延伸而 連結在一起。層架50的內側當然是形成環狀構造。在第 5圖，載置突起52是在圓周方向的帶狀部分33設置於三 處（P、Q、R)。這個狀態，也是取半導體晶圓的力矩的平 衡（晶圓載置位置，相對於晶圓中心位於大致等距離的位 © 置），因此半導體晶圓的穩定性佳。又同時顯示限制部 201。另外，第5圖的層架也是，在層架內側的1個大孔 是被臂部及帶狀部分所包圍，因此也能視爲是D字形層 架。 第6圖係顯示其他的層架50的例子。在晶圓保持具 3的支承板部51附設層架50，層架50是被支承板部51 的兩處（圖中的Μ及Ν)所支承。層架5〇是形成內側爲環 狀構造之長方形帶狀。在第6圖’載置突起52是在長方 -24- 200946418 向的帶狀部分33設置於三處（P、Q、r)。載置突起52, 在僅在一處載置晶圓時不穩定的情況，是如此般設置二處 以上’亦即設置複數個（第5圖、第6圖的情況是同樣 的）。另外’在第6圖的層架也是屬於d字形的1種。 第7圖係層架5〇在支承板部51的三處（圖中的L、 Μ、N)被支承的情況，是形狀和第4圖相同的內側爲環狀 構造之圓弧狀層架50。也受到支承板部51的正中央的支 〇 承以補強帶狀部分33。在第7圖，載置突起52是在圓周 方向的帶狀部分33設置三處（P、Q、R)。第5圖及第6圖 的形狀的層架50也是同樣的，可在正中央附近受支承板 部51的支承以補強帶狀部分33。第7圖所示的層架在內 側具有2個孔，可稱爲Β字形層架。 本發明的層架，也能具有比第7圖所示的Β字形層架 (內側具有2個孔的層架）更多的孔。例如，以臂部或帶狀 部作爲框架來形成網狀。在該網狀框架部分的1或複數部 〇 位設置載置突起，而在其上方載置晶圓。依據這種構造， 可將載置突起上所載置的晶圓重量分散於多數個框架。如 以上所說明，本發明的層架，藉由在內側具有1個或複數 個孔，可減輕層架重量，可減少施加於層架和支承板部的 根部的力量，即使在層架的載置突起上載置晶圓，層架也 不會發生過度撓曲。 第8圖係顯示，在容器本體2內的相對置的側壁部 2C及2D設有1對層架50之2個晶圓保持具3的層架相 連結的狀態。第8圖所示的晶圓保持具3的形狀’是和第 -25- 200946418 5圖所示的類似，層架50的帶狀部分33沿圓周方向（下 方）延伸，和另一方的晶圓保持具3的層架50的帶狀部分 連結。本發明也能使用這種連續的晶圓保持具3° 如前述說明般，層架50的作用’是將複數個晶圓以 隔既定的間隔沿（半導體晶圓的）軸方向整齊排列的狀態予 以支承。半導體晶圓的厚度，雖依晶圓尺寸而定，但在進 行背面磨削前爲約 〇.4|11111~約 1.2mm(直徑 100mm~600mm 的晶圓）。另外，層架厚度爲約〇.2mm〜約2.0mm。若考慮 © 到載置突起的高度、層架和晶圓的間隙，收納容器之層架 間的間距爲約5mm〜25mm。 如第3圖所示，在晶圓保持具3的上部設置2個把手 54。該把手54,是抬起晶圓保持具3時供握持的部分。 可用手指或機械握持2個把手54而往上抬起。上述支承 板部51，是將各層架及限制部以一體的方式支承著。晶 圓保持具3，係藉由上部嵌合部55、下部嵌合部56而以 可拆裝的方式固定於容器本體2之相對置的各側壁部 〇 2C、2D。該上部嵌合部55及下部嵌合部56是構成晶圓 保持具3的安裝部。 第1圖係顯示晶圓保持具3安裝於晶圓收納容器本體 的側壁部2D的狀態。關於將晶圓保持具3固定在晶圓收 納容器的方法，例如是詳細記載於日本特開2004-2 14269 號。在將蓋體4(用來閉合收納容器本體4的開口 2F)蓋合 於收納容器本體4時，藉由設置於收納容器本體側及/或 蓋體側的密封構件，使收納容器本體2的內部和外部環境 -26- 200946418 氣密地隔離。 第ίο圖係顯示配合蓋體而按壓晶圓之晶圓按壓構件 的立體圖，第1 1圖係其俯視圖。晶圓按壓構件94如第 10圖及第11圖所示，是形成大致長方形。該晶圓按壓構 件94的長邊方向兩端部和中央部是固定在蓋體4的背 面，在其間構成按壓部95。按壓部95，是將半導體晶圓 S從其上部施以彈性按壓以進行支承的構件，是由多數個 〇 並排的按壓帶96所構成。按壓帶96是有彈性的構件，是 形成向下彎曲。再者，按壓帶96的平面形狀（第1〇圖的 狀態的形狀），是沿著半導體晶圓S的周緣彎曲成波形， 而使半導體晶圓S不致進入按壓帶96的間隙。 按壓帶96的側面形狀，是形成朝下側的山形。在該 山形部分的2個頂點位置設置：將半導體晶圓S逐一嵌合 而隔著一定間隔予以支承之嵌合溝槽97。嵌合溝槽97是 形成銳角以挾持半導體晶圓S的周緣。 Ο 晶圓按壓構件94，可在收納容器本體裝設晶圓後， 放入收納容器本體，然後再將蓋體4對準收納容器本體2 而蓋合。或是，將晶圓按壓構件94預先安裝於蓋體4’ 在將蓋體4蓋合於收納容器本體2時，使其對準裝設在收 納容器本體2內的晶圓。後者的情況適用於自動化。嵌合 於晶圓按壓構件94的嵌合溝槽97之半導體晶圓S，是被 形成銳角的嵌合溝槽97所挾持而受支承。在此嵌合溝槽 97雖是形成銳角，但一般而言，是將嵌合溝槽97的角度 最佳化以適當地進行晶圓的取出和保持。換言之’嵌合溝 -27- 200946418 槽97不一定要是銳角，也可以是鈍角或以大致垂直面來 支承之u字形。藉此，即使是對晶圓支承容器1施加強 力衝擊的情況，嵌合溝槽97仍能挾持半導體晶圓s的周 緣而抑制旋轉及移動，以進行確實的支承。另外’由於按 壓帶96沿著半導體晶圓S的周緣而形成波形，即使半導 體晶圓S脫離嵌合溝槽97仍不會進入各按壓帶96之間。 嵌合溝槽97，可如第9(a)圖所示般形成V形溝槽（或 U形溝槽）。這時，可獲得和嵌合溝槽97形成銳角的情況 © 相同的效果。或是如第9(b)圖或第9(c)圖所示般形成：僅 半導體晶圓的側端頂部、或是僅半導體晶圓的側端頂部和 晶圓的斜面下部與晶圓接觸的構造。這時，雖沒有挾持晶 圓的效果，但利用從半導體晶圓的側端頂部朝半導體晶圓 徑方向的按壓力，可藉由晶圓保持具3的限制部（1對）和 晶圓按壓構件94來固定半導體晶圓。 晶圓按壓構件94，可具有和第9圖所示相同的層架 及載置突起，以支承半導體晶圓的背面。如此般藉由具備 〇 層架等，可更穩定地固定半導體晶圓。 若晶圓大口徑化成300mm以上，若維持晶圓厚度不 變其撓曲量會變大，爲了抑制撓曲量則必須增大其厚度， 隨著晶圓的體積變大，晶圓重量也會變大。因此在本發明 的層架呈水平的情況，若晶圓變得大口徑化，在載置晶圓 時，依層架的強度可能造成層架向下撓曲。若該撓曲量變 大，在用載置突起來支承晶圓背面的情況，晶圓周緣部會 和層架接觸’起因於該接觸會產生粒子。爲防止此現象， -28- 200946418 在本發明的層架，是從（晶圓保持具）支承板部的根部朝層 架的前端，亦即朝所載置的晶圓徑方向的晶圓中心而形成 往晶圓中心軸側上方傾斜，也就是從所載置的晶圓的背面 側朝表面側方向傾斜。而且，層架的最上部，就是形成於 該層架的載置突起的最上部。 第14圖係前述呈傾斜的層架之示意圖，是將晶圓收 納容器的蓋體卸下，從載置晶圓的方向、亦即晶圓徑方向 〇 觀察的圖（第1圖的側壁部2A朝下的狀態）。圖中之下方 爲晶圓背面側，圖中之上方爲晶圓表面側。在收納容器本 體311的兩側壁部（左右的側壁部，第1圖及第2圖的 2C、2D)安裝（晶圓保持具）支承板部312。如第14圖所 示’（晶圓保持具）支承板部312，是在三處的安裝部（上部 315、中央316、下部317)大致垂直地安裝於收納容器本 體311的側壁部（2C、2D)。另外，（晶圓保持具）支承板部 312是大致對稱地安裝於收納容器本體311的側壁部 © (2C、2D)。層架313是以朝上方傾斜的方式安裝於（晶圓 保持具）支承板部3 1 2。沿晶圓軸方向配置的層架3 1 3數 目’是和收納於晶圓收納容器的晶圓數目相同，傾斜角爲 一定（0)且層架313的間距也是一定的。傾斜角，可以是 呈傾斜的層架的中心軸和晶圓背面的夾角，也可以是呈傾 斜的層架所支承的晶圓背面和該層架之與該晶圓背面相對 置的側面的的夾角。在層架313的前端部附設載置突起 319’該載置突起319的最上部是在層架313當中最高的 部分。如第14圖所示，晶圓S背面被載置在該層架上， -29- 200946418 並收納於晶圓收納容器。如前述般，晶圓S周緣部是與用 來將晶圓S在徑方向施以限制的限制部3 1 4接觸’其接觸 狀態是和第9圖的說明相同。 晶圓S背面是與層架313當中最高的部分，亦即載置 突起319接觸。若晶圓S僅在周緣部受支承而在晶圓S的 背面呈自由狀態（未受支承），其重量會造成晶圓S撓曲’ 且如前述般隨著晶圓S的大口徑化，其撓曲量變大。只要 在本發明的層架上載置晶圓S，由於晶圓S是連背面也受 ® 到支承，故能抑制晶圓撓曲。然而，在水平層架的情況’ 晶圓S的重量可能造成層架往下沉。特別是在厚度薄的層 架或由低強度的材料構成的層架的情況，由於往下方的變 形量變大，可能會導致晶圓S彼此接觸或層架與晶圓表面 接觸。又爲了防止該等的接觸，必須將層架間距加大而使 收納容器變大。再者，若層架往下方變形’晶圓背面可能 會接觸層架的根部附近。 於是，藉由採用第14圖所示之往上傾斜的層架 〇 3 1 9，可抑制往下方的傾斜，可縮小層架的間距而使晶圓 收納容器小型化，或能在晶圓收納容器內收納更多數的晶 圓。此外，由於晶圓S的背面不會與載置突起319以外的 層架313部分接觸，從晶圓表面繞到晶圓背面周緣部的薄 膜不會剝離而產生粒子，因此不致污染晶圓’如此可將晶 圓收納容器內保持在極清淨的狀態。再者，也能使層架變 薄或寬度變窄，而能謀求層架的輕量化。 在第14圖雖僅顯示1個載置突起319，但只要載置 -30- 200946418 突起319的高度一致，也能設置複數個載置突起319。在 具有複數個載置突起3 1 9的情況，由於層架呈傾斜，必須 使該等載置突起319的最上部的高度一致而和晶圓背面同 時接觸。晶圓背面是載置於該等的載置突起319上，若載 置突起319最上部的高度不一致，晶圓會發生傾斜，或存 在著無法與晶圓背面接觸的載置突起319，並不理想。在 層架313之高度相等的複數場所設置載置突起319的情 ❹ 況’可設置相同大小（單體的載置突起的高度相同）之載置 突起319。但在層架313的高度不同的複數場所設置載置 突起319的情況，必須調整載置突起319的大小（單體的 載置突起的高度），以使完成時（或安裝於晶圓收納容器時） 的層架最上部的高度相同。 在讓層架傾斜的情況也是，從晶圓的中心軸上方（亦 即晶圓面的上方）觀察的圖，是例如和第4圖至第8圖相 同。層架的形狀爲第4圖所示的圓弧形的情況，圓弧狀的 〇 層架的中央附近在層架中最高。若僅在該部分設置1個載 置突起（第4圖的52(Q))時，只要考慮該載置突起的高度 即可’若在其他部分也要設置載置突起（第4圖的52 (P)、 52(R))時，則必須加高52(P)、52(R)(單體）載置突起的高 度而使其和52(Q)的高度相等。 第5圖的形狀的情況會變得稍微複雜。層架的臂部 34當然是往上傾斜，層架的帶狀部分33可爲整體的高度 相同’該帶狀部分33亦可進一步往上方或下方傾斜。在 帶狀部分33高度相同的情況，可設置高度相同的載置突 200946418 起52(P)、52(Q)、52(R)。在呈傾斜的情況，必須調整單 體的載置突起52(P)、52(Q)、52(R)的高度，而使其全部 成爲相同尚度。 第6圖的形狀的情況也是變得稍微複雜。層架的臂部 34當然是往上傾斜，層架的帶狀部分33可爲整體的高度 相同’該帶狀部分33亦可進一步往上方或下方傾斜。在 帶狀部分33高度相同的情況，可設置高度相同的載置突 起52(P)、52(Q)、5 2(R)。在呈傾斜的情況，必須調整單 _ 體的載置突起52(P)、52(Q)、52(R)的高度，而使其全部 成爲相同高度。 在第7圖的形狀的情況，是和第4圖所示的情況類 似。圓弧狀部分34、33往上傾斜，補強部分也往上傾 斜。圓弧狀的層架的中央附近是在層架當中最高。若僅在 該部分設置1個載置突起（第7圖的52(Q))時，只要考慮 該載置突起的高度即可，若在其他部分也設置載置突起 (第7圖的52(P)、52(R))時，則必須將52(P)、52(R)(單體） 〇 載置突起的高度增高成和52(Q)的高度相等。 第8圖的形狀的情況也是變得稍微複雜。層架的臂部 34當然是往上傾斜，層架的帶狀部分33可爲整體的高度 相同，該帶狀部分33亦可進一步往上方或下方傾斜。在 帶狀部分33高度相同的情況，可設置高度相同的載置突 起52(P)、52(Q)、52(R)。在呈傾斜的情況，必須調整單 體的載置突起52(P)、52(Q)、52(R)的高度，而使其全部 成爲相同高度。再者，在與另一側的層架相連結的部分， -32- 200946418 可爲高度相同，亦可爲進一步往上或往下傾斜。在該連結 部分設置載置突起的情況，其高度必須和其他的載置突起 (52(P)、52(Q)、52(R))相同。 第15圖係顯示形狀和第4圖〜第8圖不同的層架的例 子，晶圓收納容器本體331是處於通常設置的狀態，亦 即，晶圓收納容器本體33 1的底部（第1圖的2E)朝下，晶 圓出入側（開口側）（第1圖的2F)朝上，是在正面看得到晶 〇 圓面的方向的截面圖（未顯示晶圓面）。第15圖所示的晶 圓保持具，是和第4圖〜第8圖同樣的，呈對稱地分別安 裝於容器本體331內的相對置的側壁部2C及2D。形成於 晶圓保持具的層架仍是呈環狀構造，複數個層架是鄰接於 —側的（晶圓保持具）支承板部332或333，藉此可謀求層 架的輕量化和強度提昇。 第1 5圖所示的層架，是呈底邊位於收納容器本體側 (側壁部2C側或2D側）之大致等邊三角形（底邊部沿晶圓 〇 外周呈大致圓弧狀，二個子層架（爲了和到此爲止所敘述 的配置在收納於收納容器的晶圓的軸方向之層架區別而稱 爲「子層架」）爲等邊且在前端部交會的形狀）的環狀構 造，是將同大小且同形狀的二個大致等邊三角形的子層架 334(第1子層架3 34- 1、第2子層架334-2)形成於一方的 晶圓保持具。另外，在安裝於相對置的側壁部之晶圓保持 具也是，以大致對稱的方式形成二個同樣的子層架 335 (3 35-1、335-2)。1組子層架之2個等邊子層架交會的 前端部（也稱爲頂點（部））是大致朝向晶圓中心。在這種懸 -33- 200946418 臂式的子層架的情況，在以相同材料和相同重量來做比較 時’等邊三角形的形狀是強度最強的形狀之一，因此是最 適用於本發明的晶圓保持具的形狀。而且由於具備複數個 同樣的等邊三角形形狀，即使支承大口徑晶圓，也能使撓 曲和扭曲成爲最小。在第15圖由於晶圓保持具有2個， 晶圓是由4個等邊三角形的子層架來支承。一般而言，子 層架的個數的最大數目是取決於：1個大致等邊三角形的 前端部之交角（頂角）、等邊長度以及（晶圓保持具）支承板 ❹ 部的尺寸。 第 15圖所示的載置突起 336(336-1、336-2)及 337(337-1、337-2)，是形成於等邊三角形的子層架的和底 邊相對置的頂點附近。亦即，在第1子層架3 34- 1的頂點 附近設置第1載置突起336-1，在第2子層架334-2的頂 點附近設置第2載置突起33 6-2。另外，在對稱位置之子 層架335-1的頂點附近設置第1載置突起337-1，在子層 架335-2的頂點附近設置第2載置突起337-2。第15圖所 ❹ 示的4個等邊三角形由於具有同程度的大小，形成於各頂 點之載置突起的位置，是將載置於其上方的晶圓之與周緣 部隔著大致等距離的位置的背面予以支承。因此，晶圓重 量是同程度地分配於載置突起，晶圓本身重量所造成的撓 曲變得更均一。層架（子層架也是同樣的）呈水平的情況， 如前述般，依層架強度及層架重量可能發生層架往下變 形，但圖示之等邊三角形的形狀是變形量最少的形狀之 一。爲了進一步減少變形量，如第14圖所示，相對於晶 -34- 200946418 圓面，使層架形成往上傾斜的構造。亦即，層架是形成： 從層架和（晶圓保持具）支承板部的根部朝層架前端部往晶 圓中心（軸）側上方傾斜。如此般將層架設計成複數個大致 等邊三角形且讓層架傾斜，可在確實地抑制層架變形的狀 態下僅藉由載置突起來支承晶圓。結果，晶圓本身的揍曲 也會變得非常少。 層架及載置突起，由於通常是使用樹脂來成形，可製 Ο 作出對應於其等的形狀之模具，將樹脂注入模具（例如射 出成形）而製作成層架及載置突起。 第19圖係將第14圖所示的晶圓保持具（支承板部及 層架）放大的示意圖。層架513，相對於（晶圓保持具）支承 板部5 1 1是以前述角度0傾斜。如前述般（晶圓保持具）支 承板部511在安裝於收納容器的狀態下，在載置晶圓時， 相對於水平面（晶圓面）呈垂直狀態，因此這時角度0是相 對於水平面爲鉛垂方向的角度。在層架513的前端部附設 〇 載置突起514，在其上方以接觸晶圓S背面的方式載置晶 圓S。角度0，是層架513所支承的晶圓背面和層架513 的與晶圓背面相對置的側面的夾角。若層架513與水平的 夾角爲α，則α=90 - 0。另外，如前述般，晶圓S的邊 緣部與（晶圓保持具）支承板部5 1 1的限制部5 1 2接觸。角 度α只要爲0.1度以上即可，但在載置晶圓S時，受到晶 圓重量使層架513往下變形而使層架變得比水平位置更低 的情況，是比0.1度更大。若加大該角度α ，當然層架 513的間隔（間距）會變大。另外，依層架513長度的不 -35- 200946418 同，其間隔也會改變。在晶圓收納容器雖希望能收納多數 的晶圓，但由於受到晶圓收納容器大小的限制，角度α宜 爲0.1〜3.5度。另外，由於（晶圓保持具）支承板部也可能 發生彎曲的情況，角度0有時宜視爲：在層架載置晶圓 時，相對於晶圓面（水平面）的鉛垂方向和層架的夾角。
若層架513的間距爲a，（晶圓保持具）支承板部511 的限制部512至載置突起514的最上部（晶圓接觸位置）的 距離、亦即（晶圓保持具）支承板部511的根部至形成於層 Q 架513之載置突起514的最上部的連結線之晶圓徑方向成 分爲b，層架513的根部厚度爲c，層架513根部上端至 載置突起514的最上端部的距離爲d，載置突起514的最 上端部至層架513根部下端的距離爲e，貝!J a = c + d + e。另 外，若層架513長度（層架513的根部至載置突起514的 最上端部所在的層架位置的距離）爲m，則b = msin 0。 b只要比晶圓周緣部（從晶圓邊緣端起算1〜5mm的部 位）更內側即可，但在晶圓變得大口徑化的情況，由於晶 © 圓重量會造成晶圓本身撓曲，故不宜過短（晶圓之比b更 內側的部分發生撓曲）。在晶圓徑3 00-5 00 mm的情況，b 宜爲40〜100mm。具有上述b及α的層架，能以不致阻礙 晶圓出入且儘量減少晶圓重量所造成的晶圓撓曲的方式來 支承晶圓背面。例如，在載置4 5 0mm晶圓的情況，能以 儘量抑制晶圓撓曲的方式來支承晶圓背面，且能以樹脂毛 邊等（層架等的成形時發生在層架上）不致接觸晶圓的方式 來支承晶圓。 -36- 200946418 c =約 2.5mm、e =約 2mm 時，b =約 90mm、α=約 3.5 度時，層架間的間距a爲約10mm。然而，c、α會依層架 的材料強度而可能變得更小，e會依晶圓厚度和晶圓出入 收納容器的裕度而有增減。又關於b，會依層架本身重量 所造成的變形程度、晶圓出入時的困難程度等而改變。例 如，晶圓本身重量所造成的變形程度完全沒有問題且晶圓 出入時困難度小的情況，在大口徑晶圓的情況，可往比 〇 90mm更內側、亦即往晶圓中心側延伸，再者若在其間設 置1個以上的載置突起等，可進一步減少晶圓本身的撓 曲。 第15圖所示之大致等邊三角形的子層架，其頂角爲 15〜140度，較佳爲45〜75度，最佳爲大致60度。例如在 3 00mm的收納容器，1個晶圓保持具（相對於晶圓中心之 晶圓保持具部區域的視角爲約75度）所附設的子層架的數 目說明如下。在b = 4 0mm、頂角15度的情況，大致等邊 G 三角形的底邊長爲約11 mm、等邊長約41mm，因此是附 設最多約18個的等邊三角形子層架。在b = 4 0mm、頂角 45度的情況，大致等邊三角形的底邊長爲約3 4mm、等邊 長約44mm，因此是附設最多約6個的等邊三角形子層 架。在b = 40mm、頂角 60度的情況，是附設最多約4 個；在b = 40mm、頂角75度的情況，是附設最多約3 個；在b = 40mm、頂角140度的情況，是附設1個大致等 邊三角形子層架。 在3 0 0mm的收納容器，1個晶圓保持具（相對於晶圓 -37- 200946418 中心之晶圓保持具部區域的視角爲約75度）所附設的子層 架，在b = 90mm的情況其數目說明如下。在頂角15度 時，附設最多約8個的大致等邊三角形子層架。在頂角 45度時，附設最多2個的大致等邊三角形子層架。在頂 角60度時，附設約2個的大致等邊三角形子層架。在頂 角75度時，附設1個的大致等邊三角形子層架。 在45 0mm的收納容器，1個晶圓保持具（相對於晶圓 中心之晶圓保持具部區域的視角爲約75度）所附設的子層 ❹ 架，在b = 90mm的情況其數目說明如下。在頂角15度 時，附設最多約12個的大致等邊三角形子層架。在頂角 45度時，附設最多約4個的大致等邊三角形子層架。在 頂角60度時，附設2個的大致等邊三角形子層架。在頂 角75度時，附設約2個的大致等邊三角形子層架。 第16圖係顯示本發明之具有呈傾斜的層架之其他實 施例。第16圖所示的層架343，是和第14圖所示的層架 同樣的，相對於（晶圓保持具）支承板部呈傾斜，亦即如前 〇 述般在載置晶圓時’相對於水平面（或晶圓面）呈傾斜。且 進一步具備層架補強肋350。層架補強肋350，是形成在 與層架所支承的晶圓相對置的側之層架面和（晶圓保持具） 支承板部之間’從層架的根部延伸到層架中段，可將層架 予以補強。藉由該層架補強肋350’在載置晶圓時，可將 晶圓重量所造成之層架撓曲抑制成最小，且能防止層架的 間距變大，結果可增加容器內之晶圓收納數目。 第19圖也顯示層架補強肋515。層架補強肋515，是 -38- 200946418 在（晶圓保持具）支承板部511和層架513的根部，以厚實 且水平的狀態往晶圓徑方向延伸，藉此來補強層架513。 該根部的受力最大。亦即，除了承受層架整體的重量以 外’在將晶圓載置於層架時還承受晶圓重量。因此，根部 之肋高度（厚度）大。由於層架側的層架補強肋的重量也會 負荷於根部，隨著遠離根部，逐漸使其高度變小，以避免 發生應力集中部分。換言之’層架補強肋是從層架（和支 〇 承板部）的根部延伸至層架中段，層架補強肋的晶圓軸方 向的尺寸，在根部最大’而隨著接近層架中段逐漸變小。 另外，取代這種層架補強肋，使層架具有厚度，且使根部 的厚度較厚’而隨著接近層架前端使其厚度變薄，如此也 能有效地強化層架。另外，上述層架的補強，不僅是適用 於呈傾斜的層架，也適用於未傾斜而呈水平的層架。例 如’可將層架局部增厚（但在將晶圓載置於載置突起時， 不致接觸晶圓表面及背面的程度），或配合不同材料來使 © 用等，以將層架施以補強。 第17圖係顯示’和第15圖同樣的大致等邊三角形形 狀的複數個子層架之層架補強肋，是從晶圓面側觀察的截 面圖。在大致等邊三角形的各子層架362、363、3 65、 366 的 2 個等邊（362-1 和 362-2 ' 363-1 和 363-2、365-1 和365-2、366-1和366-2)的內側附設：從子層架和（晶圓 保持具）支承板部（361、3 64)的根部延伸至各等邊的中段 之層架補強肋 371(371-1、 371-2)、 372(372-1、 372-2)、 373(373-1、 373-2)、 374(374-1、 374-2)。另外，在子層架 -39- 200946418 362、363、365、366的頂角部分別附設載置突起367、 3 68、369、370，這 4 個載置突起 367、3 68、369、370 最 上部的高度相等，在載置晶圓S時，由於這4個載置突起 是均一地與晶圓S背面接觸，故晶圓S不會傾斜。 第20圖係顯示，在和第17圖同樣的層架（子層架）上 載置晶圓的狀態之立體圖。層架522，是相對於（晶圓保 持具）支承板部521呈傾斜安裝，且具備：以（晶圓保持具） 支承板部521爲底邊之大致等邊三角形的2個等邊（522-1、522-2)。在2個等邊的交會部分之頂角附近附設載置 突起523，晶圓S背面載置於該載置突起523上。從層架 5 22的根部至2個等邊的的中央附近附設有層架補強肋 524(524-1、5 24-2)。由於是在層架5 22上載置晶圓S，層 架522會受到晶圓S重量所產生之往下的力。層架522是 呈懸臂樑狀，在（晶圓保持具）支承板部521和層架5 22的 根部承受著晶圓S重量及層架5 22本身的重量。因此，若 根部的強度不足，層架5 22在根部附近可能發生變形。層 架補強肋524也附設在（晶圓保持具）支承板部521，層架 補強肋524可在根部將層架522施以補強，以抑制根部的 變形。另外，雖然層架5 22本身也有往下變形的可能性， 但藉由層架補強肋524可儘量減少其變形發生。特別是由 於層架補強肋5 24是在根部較厚而往前端部逐漸變薄，因 此可進一步強化其補強程度。 另外，層架522的2個等邊（5 22- 1、522-2)大致相等 且在頂角部附設載置突起523，因此往下的力是均等地負 200946418 荷於各等邊，不致使一方承受較大的力量。如此也能儘量 減少層架的變形。再者，如前述般，晶圓S雖與（晶圓保 持具）支承板部的限制部525接觸，但層架522的根部之 (晶圓保持具）支承板部部分521不一定會與晶圓S接觸。 亦即，晶圓S雖是呈圓形，但（晶圓保持具）支承板部不一 定是呈圓形。然而，層架底邊側之（晶圓保持具）支承板部 的一部分（或全部）是與晶圓邊緣接觸，該接觸部分成爲在 © 徑方向限制晶圓之限制部。在層架底邊側之（晶圓保持具） 支承板部全部都與晶圓邊緣接觸的情況，限制部（亦即， (晶圓保持具）支承板部之與晶圓邊緣接觸的部分）成爲直 徑和晶圓徑大致相等的圓弧狀。 第1 8圖係顯示本發明的其他實施形態，除了具有附 設第17圖所示的層架補強肋之大致等邊三角形的子層架 之晶圓保持具以外，進一步設置：在與收納容器本體的開 口相對置之背面部（第1圖的底板部2E)內側具有後層架 © (設置於背面的層架而稱爲「後層架」）的晶圓保持具。該 後層架396(2個等邊396-1、396-2)和相當於底邊部的後 (晶圓保持具）支承板部3 95是形成大致等邊三角形的環狀 構造。在與收納容器本體的開口部相對置的背面部內側， 藉由後晶圓保持具安裝部3 98來安裝後晶圓保持具。後層 架3 96是附設於後（晶圓保持具）支承板部3 95，和安裝於 收納容器側壁部的上述層架（子層架）同樣的，其頂角部是 朝晶圓中心側。在大致等邊三角形的後層架3 96的頂角部 設置載置突起397。在將收納容器橫向放置時，該載置突 -41 - 200946418 起397的高度是和安裝於收納容器側壁部之其他子層架 (382、 383、 385、 386)的載置突起（387 、 388、 389、 390) 的高度相同，因此在載置晶圓S時，是和其他載置突起同 樣的使晶圓背面接觸該載置突起397。 因此，後層架396是和其他層架以同程度的角度0形 成傾斜（或是使載置突起3 97的高度一致）。另外，在其他 子層架未傾斜時，後層架396也同樣的不傾斜。如此般藉 由設置後層架，不僅是在設置在相對置的兩處之收納容器 © 側壁部之子層架，在設置於其等的大致中間位置的場所也 能支承晶圓背面，因此可進一步減少晶圓的撓曲，而能實 現更窄的間距’以進一步增多可收納於收納容器內的晶圓 數目。 和其他的層架（子層架）同樣的，附設用來補強後層架 396的層架補強肋399(3 99- 1、399-2)亦可。另外，後（晶 圓保持具）支承板部395，不一定要以大致等邊三角形的 底邊部的形式來形成直線狀，也能形成曲線狀。另外，在 〇 後（晶圓保持具）支承板部395不一定要設置限制部，晶圓 邊緣不與後（晶圓保持具）支承板部接觸亦可（在其他晶圓 保持具的限制部與晶圓邊緣接觸）。然而，若在後（晶圓保 持具）支承板部3 95設置限制部來按壓晶圓邊緣，可將晶 圓固定地更牢固。 另外’藉由使載置突起和收納於收納容器之晶圓中心 隔一定距離，可將晶圓穩定地固定在收納容器。爲了容易 從收納容器的開口進行晶圓的取出放入，且爲了儘量減少 -42- 200946418 晶圓撓曲，該距離宜爲所收納的晶圓直徑的0.3倍至〇·5 倍的範圍。 目前爲止所說明的晶圓保持具，主要是針對可和收納 容器分割或分離的構件的形式。由於晶圓保持具具有上述 般複雜的構造，若考慮到成形模具的製作以及定期洗淨 等，以上述分割或分離的形式較佳，但依該晶圓保持具的 構造，也能以和收納容器形成一體的方式來製作（例如插 〇 入成形）。形成一體的情況之好處在於，可省去晶圓保持 具之安裝及組裝作業，經由1次的成形即可製作出收納容 器本體和晶圓保持具。又關於洗淨也是，可改良洗淨裝置 和洗淨液，以和分別洗淨的情況同樣程度的作業即可完成 洗淨。例如，晶圓保持具的構成要素之安裝部可和收納容 器本體形成一體。另外，層架（包含子層架）也和收納容器 本體形成一體亦可。再者，限制部也和收納容器本體形成 一體亦可。這些都例如能在藉由插入成形進行成形時和收 © 納容器本體一起形成。 第21圖係顯示將晶圓保持具（（晶圓保持具）支承板部 和層架）藉由插入成形進行成形時的形狀的示意圖。插入 成形，是預先形成出晶圓保持具的成形體’將該成形體插 入收納容器本體的成形模具’然後注入樹脂而形成一體 物。以（晶圓保持具）支承板部602配設於收納容器本體 601的嵌合部的方式進行插入成形。嵌合部是指’晶圓保 持具熔合於收納容器本體而接合成一體的部分。若使接合 部分（收納容器本體601和（晶圓保持具）支承板部602的 -43- 200946418 邊界部分）的表面稍熔融而進行熔合，其接合強度變強， 因此要插入的晶圓保持具（特別是（晶圓保持具）支承板部 6〇2)，宜使用熔點比隨後注入的收納容器本體601樹脂低 的材料。然而，只要能形成包圍晶圓保持具的插入部的周 圍，不一定要符合前述條件。例如第21圖所示，能使用 具有包入部606的晶圓保持具和收納容器本體601的模 具，也能使用可形成底切（undercut)607之晶圓保持具和 收納容器本體601的模具。結果，附設層架603之晶圓保 ⑩ 持具不會從收納容器本體60 1脫離，而能使（晶圓保持具） 支承板部602和收納容器本體601強固地結合在一起。當 然，若配合上溶合性，可進一步強化其結合。 另外，藉由使晶圓保持具的插入部的角部儘量形成平 滑，可避免應力集中在隨後注入的收納容器本體樹脂，因 此可進行高加工精度的加工。另外，宜避免熱膨脹係數差 異太大的樹脂。在這種情況，若將成形品加溫，樹脂會產 生伸縮，而可能發生接合部的剝離或裂痕等。爲了防止熱 〇 收縮所造成的剝離，較佳爲在局部形成第21圖所示的底 切607。再者，在插入成形時，包圍（晶圓保持具）支承板 部6 02之收納容器本體601的樹脂厚度，必須能充分承受 插入所產生之內部應力。例如，相當於底切607外側的突 緣部和包入部6 06的厚度的設計很重要。 另外，關於層架，可不和（晶圓保持具）支承板部形成 一體而僅將形狀複雜的層架予以分割分離，而在必要時再 將層架安裝於收納容器。 -44- 200946418 第22圖係顯示本發明的晶圓保持具的其他實施例。 本實施例的晶圓保持具610的特徵在於，（晶圓保持具）支 承板部611的內側呈中空（穿孔狀態）。如此般具有中空的 支承板部之晶圓保持具，配合上中空的層架可實現更進一 步的輕量化。第22圖的正中央的支承板部611是構成限 制部612，晶圓邊緣是與該部分接觸。層架616是形成內 側穿孔的E字形（在支承板部側穿孔）。在E字形層架的直 〇 線部分的交點（臂部6 1 5和帶狀部分6 1 3的交點）附近配置 載置突起614。第22圖雖是在1個層架配置3個載置突 起，但如先前所述並不限於3個，也可以是1個或2個， 或是比3個更多。但是，在配置成第22圖所示的位置的 情況，在載置晶圓時，晶圚重量和層架重量的合計荷重可 均一分散於3個臂部615，層架的穩定性佳而能延長層架 壽命。層架呈D字形或B字形等之無縱棒的情況，可使 用和第22圖所示的晶圓保持具同樣的中空支承板。另 ❹ 外，這種E字形、B字形或D字形等的無縱棒的層架也 是，除了呈水平以外，當然也能使用上述般之呈傾斜的構 . 造。另外，也能如上述般將該等晶圓保持具藉由插入成形 來形成出。 目前爲止，雖是說明在層架的既定位置配置1個或複 數個載置突起，但也能配置比前述實施例所敘述的情況更 多的載置突起。另外，載置突起是指，形成突（凸）狀或突 起狀之可載置晶圓的部分。載置突起的前端可以是既微小 且細，而使接觸晶圓背面的部分較小。或者，載置突起也 -45- 200946418 可以是前端部（載置晶圓的部分）呈平坦狀或曲面狀的載置 突起。或者，載置突起可在層架上面（載置晶圓時的上 側，是與晶圓背面接觸的側）之既定位置隔著間隔而形 成，以支承晶圓背面。載置突起，也可以使載置晶圓的部 位和晶圓形成平面重疊，亦即讓層架整體或一部分與晶圓 背面接觸。在此情況，是由層架本身來支承晶圓背面。在 此情況也是，可將層架的一部分（相當於晶圓背面之不要 被支承的部位）設計成凹狀，以避免接觸晶圓背面。例 ® 如，若晶圓背面的周緣部不想與層架接觸，可在支承晶圓 背面的周緣部之層架部分形成凹陷或讓其消失。或是，載 置突起的形狀也可以是半球狀或半圓柱狀。在半球狀載置 突起的情況’載置晶圓時，理論上是與晶圓形成點接觸， 實際上接觸部承受晶圓重量而稍微下沉，因此是成爲大致 圓形的面接觸。另外，在半圓柱狀的載置突起的情況，在 載置晶圓時，理論上是與晶圓形成點接觸，實際上接觸部 承受晶圓重量而稍微下沉，因此是成爲大致矩形的面接 〇 觸。 關於構成收納容器本體和蓋體的材料，可使用雜質氣 體產生少之高純度的聚碳酸酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚 酸醯亞胺、環烯烴聚合物、氟樹脂等的高分子材料。特別 是在晶圓製程內的容器一般是使用，在前述高分子材料混 合導電性塡料（碳纖維、碳粉、碳奈米管等）而賦予抗靜電 性或導電性的材料。又關於晶圓保持具（（晶圓保持具）支 承板部、層架）所使用的材料，包括聚丙烯、聚對苯二甲 -46- 200946418 酸丁二酯、聚四氟乙烯、聚萘二酸丁酯、聚醚醚酮、氟樹 脂、聚乙烯、聚乙烯彈性體、聚烯烴彈性體等的高分子材 料。較佳爲使用：進一步在其等中混合導電性塡料（碳纖 維、碳粉、碳奈米管等）而賦予抗靜電性或導電性的材 料’如此可抑制起因於靜電而附著在收納容器、晶圓保持 具（（晶圓保持具）支承板部、層架、載置突起）上的粒子 等。 G 作爲上述插入材料，如上述般可使用熔點比收納容器 本體更低的熱塑性樹脂或金屬材料。收納容器本體爲聚碳 酸酯製的情況’作爲晶圓保持具（（晶圓保持具）支承板 部、層架、載置突起）的材料，例如可使用聚對苯二甲酸 丁二酯、聚四氟乙烯、聚碳酸酯和聚四氟乙烯的樹脂合金 (alloy)等。另外，在收納容器本體爲環狀烯烴系樹脂或環 狀烯烴系共聚物的情況’作爲晶圓保持具（（晶圓保持具） 支承板部、層架、載置突起）的材料，例如可使用其等和 〇 聚四氟乙烯的樹脂合金等。作爲金屬材料，是包括不鏽鋼 系、鈦系、鋁系等。該等金屬材料，由於強度比高分子材 料高’故能形成更薄。又具有釋氣非常少的好處。再者， 也能使用以高分子材料被覆該等金屬材料而構成的材料。 如此般以高分子材料來被覆金屬材料而構成的晶圓保持具 ((晶圓保持具）支承板部、層架、載置突起），由於強度佳 且表面平滑’層架可做得較薄且變形量變小，結果可縮小 層架間距。 本發明的晶圓收納容器，不僅可作爲製程用容器而適 -47- 200946418 用在半導體前步驟及後步驟的製程內，當然也能作爲出貨 容器來使用。另外，雖然主要是針對收納半導體晶圓之晶 圓收納容器來做說明，但本發明的晶圓收納容器並不限於 半導體晶圓，當然也適用於一般的薄板。例如，本發明也 適用於光罩、標線片（reticle)等的收納容器，液晶等的顯 示元件形成用基板等的收納容器等。又在上述說明，在某 個實施例有記載但在其他實施例未記載的內容，只要不互 相矛盾且能適用，當然也能適用在該實施例中。 @ 本發明可適用於，使用晶圓收納容器（用來搬運或保 管半導體晶圓）之半導體產業。 【圖式簡單說明】 第1圖係顯示本發明的實施形態之晶圓收納容器本體 的內部的立體圖。 第2圖係顯示本發明的實施形態之晶圓收納容器的立 體圖。 〇 第3圖係顯示本發明的實施形態之晶圓保持具的立體 圖。 第4圖係顯示本發明的實施形態之組裝有晶圓保持具 和半導體晶圓之晶圓收納容器的單側的俯視圖。 第5圖係顯示本發明的其他實施形態之組裝有晶圓保 持具和半導體晶圓之晶圓收納容器的單側的俯視圖。 第6圖係顯示本發明的其他實施形態之組裝有晶圓保 持具和半導體晶圓之晶圓收納容器的單側的俯視圖。 -48- 200946418 第7圖係顯示本發明的其他實施形態之組裝有晶圓保 持具和半導體晶圓之晶圓收納容器的單側的俯視圖。 第8圖係顯示本發明的其他實施形態之組裝有晶圓保 持具和半導體晶圓之晶圓收納容器的單側的俯視圖。 第9(a)〜（c)圖係顯示本發明的晶圓保持具之限制部及 層架。 第10圖係顯示晶圓按壓構件的立體圖。 〇 第η圖係顯示晶圓按壓構件的俯視圖。 第12圖係半導體晶圓的邊緣周邊部的放大俯視圖。 第1 3圖係顯示本發明的實施形態之其他晶圓保持具 的立體圖。 第14圖係顯示具有傾斜層架之晶圓收納容器。 第15圖係顯示本發明的其他形狀的層架。 第16圖係顯示附設具有層架補強肋的層架之晶圓收 納容器。 Ο 第17圖係顯示附設具有層架補強肋的層架之晶圓收 納容器。 第1 8圖係顯示具有後層架之晶圓收納容器。 第1 9圖係用來說明傾斜層架的狀態。 第20圖係顯示具有層架補強肋的層架狀態之立體 圖。 第21圖係用來說明晶圓保持具的插入成形的狀態。 第22圖係顯示晶圓保持具的其他實施形態。 -49- 200946418 【主要元件符號說明】 1 :晶圓收納容器 2、 3 1 1、3 3 1、3 3 9、3 4 1、6 0 1 :晶圓收納容器本體 3、 610:晶圓保持具 4 :蓋體 5 :頂突緣 6 :搬運用的把手
50、 313、 334、 335、 343、 513、 522、 603、 613 ：層 Q 架 51、 312、3 32、3 3 3、342、361、364、381、3 84、 511、521、602:(晶圓保持具）支承板部 52、 319、3 3 6、3 3 7、349、3 97、514、523、604、 614 :載置突起 54 :把手 5 5 :上部嵌合部 56 :下部嵌合部 〇 5 8 :上部被嵌合片 62 :支承板片 6 3 :板材 64、66 :定位手段 67 :前後方向定位手段 69 :下部板部 71 :缺口 73:前後方向支承板片 -50- 200946418 75 :制動器 76 :卡止片 76A :彈性板片 76B :卡止用爪 314、344、512、525、6 12：限制部 338:晶圓保持具前方安裝部 340 :晶圓保持具後方安裝部 © 3 45 :上部安裝部 346:中央安裝部 3 47 :下部安裝部 371 、 372 、 373 、 374 、 391(391-1 、 391-2)、 392(392-1 、 392-2) 、 393(393-1 、 393-2) 、 394(394-1 、 394-2)、399(399-1、399-2)、515、524 ：層架補強肋 3 95:後（晶圓保持具）支承板部 3 9 6 :後層架 ® 3 98 :後晶圓保持具安裝部 6 1 1 :支承板部 . 6 1 5 :臂部 6 1 6 :帶狀部分 -51 -