TW200937022A - Probe card, manufacturing method of probe card, semiconductor inspection apparatus and manufacturing method of semiconductor device - Google Patents
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Description
200937022 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明關於探針卡、半導體檢測裝置及半導體裝置之 製造技術,特別關於適用在探針卡、該探針卡之製造技術 、包含該探針卡的半導體檢測裝置、以及包含該半導體檢 測裝置之檢測工程的半導體裝置之製造工程的有效技術, 該探針卡爲具備:藉由和半導體積體電路之製造所使用手 ^ 法同樣之手法形成的探針片者。 【先前技術】 半導體元件電路形成於半導體晶圓(以下單稱爲晶圓 )後被進行之半導體裝置之製造工程之中,作爲主要之檢 測工程之一例,以代表性之半導體裝置之出廠形態、亦即 封裝品、裸晶片及 CSP ( Chip Size(Scale) Package )爲例 而圖示於圖5 1。 φ 半導體裝置之製造工程之中,如圖51所示大分爲以 下3種檢測。首先爲,在晶圓被形成有半導體元件電路及 電極之晶圓狀態下被進行、用於掌握導通狀態及半導體元 件之電氣信號動作狀態的晶片檢測,其次,半導體元件於 高溫或高施加電壓等狀態下,抽出不穩定之半導體元件的 預燒(burn-in)檢測,以及半導體裝置出廠前掌握製品性 能的篩選檢測。 對於此種半導體裝置之檢測所使用裝置(半導體檢測 裝置),習知技術上,晶圓,係於其面上設有多數半導體 -4- 200937022 裝置(半導體晶片(以下單稱爲晶片)),切割爲各個而 公使用。在被切割爲各個的半導體裝置,於其表面被排列 設置多數電極。進行此種半導體裝置之工業上之多數生產 ,在檢測其電氣特性時使用之連接裝置,係由探針卡斜向 伸出之鎢針所形成之探針予以構成。於該連接裝置之檢測 係使用,藉由探針彎曲之接觸壓摩擦電極取得接觸,而檢 測其電氣特性的方法。
近年來,隨半導體元件之高密度化,半導體裝置製造 時之檢測工程中,檢測用的探針之窄間距多腳位化被進行 。因此,使用連接裝置的半導體元件之檢測裝置之開發被 期待,該連接裝置爲,在半導體元件之電極與檢測電路間 確實傳送電氣信號,而進行動作檢測的工程中,針對窄間 距化半導體元件之微小電極可於極精確位置狀態下進行探 測,而且對該半導體元件能以低荷重進行探測,可防止損 傷的連接裝置。 Q 隨半導體元件之高密度化、窄間距化之進展,高速信 號之動作測試成爲必要時,可以進行半導體元件之特性檢 測的檢測方法及檢測,有例如揭示於1 988年度之ITC ( International test conference)之演講論文集第 601 頁〜 第607頁(非專利文獻1 )。圖52爲該非專利文獻1揭示 之檢測裝置之構造槪略圖,圖5 3爲該檢測裝置之重要部 分擴大斜視圖。其中,所使用半導體檢測用探針,其使用 之接觸端子,係於可撓性絕緣膜201之上面藉由微影成像 技術形成配線202,於絕緣膜201之下面形成接地層203 200937022 緣膜 塊( 表面 (未 205 行信 揭示 造模 彈簧 配線 針裝 揭示 之孔 成在 觸端 予以 晶圓 導體 接觸 檢測 ,在被檢測對象之半導體之電極所對應位置設置的箱 201之貫穿孔204,藉由鑛層技術形成有半球狀之ί bump ) 205者。該技術之方法,係通過絕緣膜201 ^ 形成的配線202及配線基板206,使連接於檢測電族 圖示)的凸塊205,藉由板彈簧207之彈力,使凸卷 摩擦接觸於檢測對象之半導體元件之電極,依此而連 號之收/送加以檢測。 Ο 另外,於特開2005-24377號公報(專利文獻1 ) 半導體元件之檢測裝置,圖54爲檢測用探針卡之精 式圖,係將探針片分割爲4,藉由設於探針片中央的 柱塞211,來壓接四角錐狀之接觸端子212及形成窄 的絕緣膜213,介由區塊214及緩衝件予以推出的g 置。 另外,於特開平7-2 8 3 2 8 0號公報(專利文獻2 ) 檢測系統,其係以矽晶圓被選擇性異方性蝕刻所形员 © 爲板模來形成接觸端子,使該接觸端子電連接於被乘 具有柔軟性絕緣薄片上的配線,在和該絕緣薄片的g 子配置面相反之背面側挾持緩衝層將探針片固定基 固定,將該探針片固定基板與晶圓支撐基板重疊, 支撐基板係在晶圓形狀之溝將形成有被檢測對象( 裝置)的晶圓固定而成者,藉由接觸端子群之前端 晶圓之電極群之面,取得電連接而進行半導體裝置 另外,於特表2002-531915號公報(專利文獻3)揭 200937022 示藉由微影成像技術形成之彈簧接觸要素,圖55爲藉由 微影成像技術形成之該彈簧接觸要素之製造工程之中途階 段之模式圖,其係以矽基板2 1 5進行異方性蝕刻所形成之 孔2 1 6爲板模來形成晶片部分(接觸端子)2 1 7,藉由微 影成像技術及表面硏磨加工(CMP,Chemical Mechanical Polishing)形成和該晶片部分217連接的橫樑部分218及 支柱部分219,將支柱部分219藉由焊錫222連接於陶瓷 0 多層配線基板220之電極221,最後由矽基板215剝離晶 片部分2 1 7。 【發明內容】 (發明所欲解決之課題) 近年來,使用連接裝置的半導體元件之檢測裝置之開 發被期待,該連接裝置爲,在窄間距、而且多腳位之半導 體元件之電極與檢測電路間,傳送電氣信號而進行動作檢 〇 測的連接裝置。另外,高速電氣信號用的半導體元件,爲 求降低介電損失、且達成微細化,作爲配線層間之絕緣膜 ’係使用介電係數遠比氧化矽(Si〇2 )更小的材料、例如 添加氟的氧化矽(FSG )、添加碳的氧化矽(SiOC )、及 有機系材料等之低介電係數膜(Low-k膜)。此種介電係 數小的材料,因爲耐荷重及機械強度較弱,因此檢測裝置 被期待’對該低介電材料不致於帶來損傷,可於數1 OmN 程度以下之荷重實現穩定之接觸電阻値。 另外,隨半導體元件之微細化進展’例如特開2001- 200937022 53076號之揭示,大多於上層被形成有多層配線225a〜 225g的CMOS-LSI226,在半導體元件之檢測用電極部正 下方形成主動電路元件形成區域(active area)或多層之 微細配線(參照圖56)。因此,以對彼等主動電路元件或 多層之配線不致於帶來損傷的方式,使檢測時接觸端子之 荷重,在能獲得良好接觸電阻値之範圍內儘可能設爲低荷 重。 0 另外,對窄間距化之微小的半導體元件之檢測用電極 焊墊,須以高精確度定位狀態使其接觸檢測用之接觸端子 。另外,於之後的工程,在使用電極焊墊進行導線接合或 連接用凸塊之形成時,爲達成該導線或凸塊對電極焊墊之 確實連接,而被要求儘可能防止探針產生於電極焊墊面之 粗糙度。亦即,被要求微小的探測痕。 以下就彼等觀點檢討上述技術。 鎢針構成之探針及形成有上述半球狀凸塊的探針,係 ❾ 對鋁電極或焊錫電極等材料表面形成有氧化物的被接觸材 料,藉由接觸端子之摩擦電極而擦掉電極材料表面之氧化 物,而接觸其下面之金屬導體材料據以確保接接觸狀態。 結果,接觸端子之摩擦電極會產生電極材料之碎屑,成爲 配線間短路及異物產生之原因。另外,探針以約數百mN 以上荷重施加於電極進行摩擦以確保接觸狀態,亦有可能 給低介電係數材料帶來損傷。 如上述說明,以在圖52及53所示配線之一部分藉由 鍍層形成之凸塊作爲探針的方法,因爲凸塊之前端部爲平 -8- 200937022 坦或半球狀,對於鋁電極或焊錫電極等材料表面形成有氧 化物的被接觸材料,難以擦掉氧化物而造成接觸電阻不穩 定,接觸時須施加約數百mN以上荷重,存在接觸時之荷 重過大的問題。亦即,隨半導體元件之高集積化之進展, 欲於半導體元件表面形成高密度、多腳位且窄間距之電極 時,大多於電極正下方形成多數主動元件或微細配線,半 導體元件檢測時探針對電極之接觸壓過大時,有可能對電 0 極及其正下方之主動元件或配線帶來損傷,探測時有必要 更加注意其之動作控制,將導致檢測作業效率之降低。 另外,因爲預設凸塊之形狀等有可能產生變動,而欲 和未充分接觸之突起(凸塊)亦能完全接觸時,全體需要 施加較大的接觸荷重,因而存在某一部分成爲過大接觸壓 之問題。因此,除貫穿接觸對象之材料表面之氧化物等, 而能確保穩定接觸特性的接觸端子之形狀以外,在探針片 之壓接時欲確實和接觸對象之電極產生接觸時,需要具有 Q 柔軟性之探針片。 使用如圖54所示四角錐狀接觸端子,對半導體元件 之檢測用電極以垂直方向進行探測的檢測裝置(參照專利 文獻1) ’其之接觸電阻値雖穩定,然而隨近年來更窄間 距化與高速信號檢測之要求,亦被要求更加提升接觸端子 之前端位置精確度。另外,如上述說明,高速傳送用電路 形成材料,傾向於使用低介電係數、較不耐荷重的材料, 而且傾向於檢測用電極正下方設置主動元件或電路,因此 ’欲防止探測時對半導體元件之損傷而被要求更低荷重之 -9- 200937022 探針。 另外,上述專利文獻3揭示之技術,藉由設爲形成有 接觸端子的單支撐樑構造’可個別使接觸端子動作,適當 選擇樑之構成材料及形狀’即可以某一程度設定接觸端子 之加壓荷重。但是,如上述說明’專利文獻3揭示之單支 撐樑構造之形成方法,係在成爲接觸端子前端之板模的矽 基板形成晶片部分(接觸端子)之後,再形成和該晶片部 0 分連接的橫樑部分及支柱部分,將支柱部分藉由焊錫連接 於陶瓷多層配線基板之電極,最後以触刻液剝離晶片部分 與矽基板而加以形成者。因此,需要確保焊接部分之面積 ,另外,需要確保蝕刻液滲透入矽基板與陶瓷多層配線基 板間之間隙,會限制晶片部分之窄間距化,焊錫連接及剝 離過程之晶片部分之位置精確度變爲不穩定,形成工程及 組招工程亦存在複雜化的問題。 本發明之一實施形態在於提供,具有接觸端子之傳送 ❹ 特性良好' 接觸特性穩定的半導體裝置檢測用探針卡,該 接觸端子爲:對被接觸對象之電極焊墊,可以在低荷重、 不帶來損傷狀態下進行探針檢測,可以多點且高密度(窄 間距)、以較小探測痕加以接觸者。 本發明之一實施形態在於提供探針卡,其可以高精確 度保持探針檢測時接觸端子之前端位置精確度。 另外,本發明之一實施形態在於提供,使用探針片的 半導體裝置檢測用探針卡,該探針片爲:將四角錐或四角 錐梯形狀之接觸端子形成於前端部而成的單支撐樑構造, -10- 200937022 引出配線與緊固(fastening )用基板被同時形成,組裝及 連接工程容易、低荷重狀態下亦具有穩定之接觸電阻値者 (用以解決課題的手段) 本發明之代表性槪要簡單說明如下。 (1) 本發明之探針卡,係具有探針片,該探針片具 ❹ 備:多數接觸端子,接觸於設於被檢測對象之電極;配線 ,由上述多數接觸端子之各個被電氣引出;及多數周邊電 極,電連接於上述配線,且被連接於多層配線基板之電極 ;於上述探針片,在形成有上述多數接觸端子的第1面之 相反側之第2面,在形成有上述多數接觸端子的區域,使 緊固用基板被緊固;設有手段,用於使上述緊固用基板成 爲可傾斜移動;上述多數接觸端子之各個,係被形成於和 上述探針片分離而延伸、電連接於上述配線的樑之一端; 〇 上述樑之另一端被固定於上述探針片。 (2) 本發明之探針卡,係具有探針片,該探針片具 備:多數接觸端子,接觸於設於被檢測對象之電極;配線 ,由上述多數接觸端子之各個被電氣引出;多數周邊電極 ,電連接於上述配線,且被連接於多層配線基板之電極; 及金屬片,係在形成有上述多數接觸端子的第1面之相反 側之第2面,在形成有上述多數接觸端子的區域被形成; 緊固用基板被緊固於上述金屬片;設有手段,用於使上述 緊固用基板成爲可傾斜移動;上述多數接觸端子之各個被 -11 - 200937022 形成於,和上述探針片分離而延伸、電連接於上述配線的 樑之一端;上述樑之另一端被固定於上述探針片。 (3) 本發明之探針卡,係於(1)或(2)之探針卡 之中’上述多層配線基板被電連接於,檢測上述被檢測對 象之電氣特性的測試器(tester)。 (4) 本發明之探針卡,係於(1)〜(3)之任一探 針卡之中’使上述緊固用基板成爲可傾斜移動而設置的手 0 段,係多數具有彈簧性的導銷。 (5 )本發明之探針卡,係於(4 )之探針卡之中,使 上述緊固用基板成爲可傾斜移動而設置的手段,係另外使 用多數不具彈簧性的導銷。 (〇本發明之探針卡,係於(1)〜(5)之任一探 針卡之中’使上述緊固用基板成爲可傾斜移動而設置的手 段,係1個以上之板彈簧。 (7)本發明之探針卡,係具有探針片,該探針片具 〇 備:多數接觸端子,接觸於設於被檢測對象之電極;配線 ’由上述多數接觸端子之各個被電氣引出;及多數周邊電 極’電連接於上述配線,且被連接於多層配線基板之電極 ;於上述探針片,在形成有上述多數接觸端子的第1面之 相反側之第2面,在形成有上述多數接觸端子的區域,使 緊固用基板被緊固;另外,具有以上述探針片包圍上述緊 固用基板的方式緊固於上述緊固用基板而被形成的1個以 上之區塊(block);上述1個以上之區塊之各個之上述 探針片之上述多數周邊電極、與上述多層配線基板之上述 -12- 200937022 電極呈接觸’上述多數接觸端子之各個被形成於,和上述 探針片分離而延伸、電連接於上述配線的樑之一端;上述 樑之另一端被固定於上述探針片。 (8)本發明之探針卡,係於(1)〜(7)之任—探 針卡之中’上述接觸端子爲,角錐形狀或角錐梯形狀。 (9 )本發明之探針卡,係於(8 )之探針卡之中,上 述接觸端子’係以具有結晶性之基板被施予異方性蝕刻所 ^ 形成之孔爲板模,藉由鍍層而形成者。 (10) 本發明之探針卡,係於(9)之探針卡之中, 上述具有結晶性之基板,係矽。 (11) 本發明之探針卡,係具有探針片,該探針片具 備:多數接觸端子,接觸於設於被檢測對象之電極;配線 ’由上述多數接觸端子之各個被電氣引出;及多數第1及 第2周邊電極,電連接於上述配線,且被連接於多層配線 基板之電極;於上述探針片,在形成有上述多數接觸端子 〇 的第1面之相反側之第2面,在形成有上述多數接觸端子 的區域,使緊固用基板被固定;設有手段,用於使上述緊 固用基板成爲可傾斜移動;上述多數接觸端子之各個被形 成於’和上述探針片分離而延伸、電連接於上述配線的樑 之一端;上述樑之另一端被固定於上述探針片;上述多數 第1周邊電極之各個被形成於,上述探針片之中和上述接 觸端子相同的第1面;上述多數第2周邊電極之各個被形 成於,上述探針片之中和上述接觸端子相反側的第2面。 (12) 本發明之探針卡,係於(11)之探針卡之中, -13- 200937022 上述探針片中之上述第1及第2周邊電極之形成間距,係 較上述多數接觸端子之形成間距爲寬。 (13) 本發明之探針卡之製造方法,係用於製造探針 卡者:該探針卡具有探針片,該探針片具備:多數接觸端 子,接觸於設於被檢測對象之電極;配線,由上述多數接 觸端子之各個被電氣引出;及多數周邊電極,電連接於上 述配線,且被連接於多層配線基板之電極;於上述探針片 〇 ,在形成有上述多數接觸端子的第1面之相反側之第2面 ,在形成有上述多數接觸端子的區域,使緊固用基板被緊 固;設有手段,用於使上述緊固用基板成爲可傾斜移動; 上述多數接觸端子之各個被形成於,和上述探針片分離而 延伸、電連接於上述配線的樑之一端;上述樑之另一端被 固定於上述探針片;上述探針片之形成工程,係包含:( a )以對具有結晶性之基板施予異方性蝕刻所形成之孔爲 板模,藉由鍍層而形成上述多數接觸端子的工程;(b) 〇 於上述基板上依序積層和上述多數接觸端子之各個電連接 的上述樑、上述配線及絕緣層之工程:及(C )除去和上 述多數接觸端子及上述樑爲相同配線層中之上述絕緣層, 而使上述樑由上述探針片分離的工程。 (14) 本發明之半導體檢測裝置,係具有:試料台’ 用於載置被檢測對象;及探針卡,其具有和設於上述被檢 測對象之電極接觸的多數接觸端子,而且電連接於上述被 檢測對象之電氣特性檢測用的測試器;其特徵爲:上述探 針卡具有探針片,該探針片具備:上述多數接觸端子;配 -14- 200937022 線,由上述多數接觸端子之各個被電氣引出;及多數周邊 電極,電連接於上述配線,且被連接於多層配線基板之電 極;於上述探針片,在形成有上述多數接觸端子的第1面 之相反側之第2面,在形成有上述多數接觸端子的區域, 使緊固用基板被緊固;設有手段,用於使上述緊固用基板 成爲可傾斜移動;上述多數接觸端子之各個被形成於,和 上述探針片分離而延伸、電連接於上述配線的樑之一端; 0 上述樑之另一端被固定於上述探針片。 (1 5 )本發明之半導體檢測裝置,係具有:試料台, 用於載置被檢測對象;及探針卡,其具有和設於上述被檢 測對象之電極接觸的多數接觸端子,而且電連接於上述被 檢測對象之電氣特性檢測用的測試器;其特徵爲:上述探 針卡具有探針片,該探針片具備:上述多數接觸端子;配 線,由上述多數接觸端子之各個被電氣引出;多數周邊電 極,電連接於上述配線,且被連接於多層配線基板之電極 〇 :及金屬片,係在形成有上述多數接觸端子的第1面之相 反側之第2面,在形成有上述多數接觸端子的區域被形成 ;緊固用基板被緊固於上述金屬片;緊固用基板被緊固於 上述金屬片;設有手段,用於使上述緊固用基板成爲可傾 斜移動;上述多數接觸端子之各個被形成於,和上述探針 片分離而延伸、電連接於上述配線的樑之一端;上述樑之 另一端被固定於上述探針片。 (1 6 )本發明之半導體檢測裝置,係具有:試料台, 用於載置被檢測對象:及探針卡,其具有和設於上述被檢 -15- 200937022 測對象之電極接觸的多數接觸端子,而且電連接於上述被 檢測對象之電氣特性檢測用的測試器;其特徵爲:上述探 針卡具有探針片,該探針片具備:上述多數接觸端子;配 線’由上述多數接觸端子之各個被電氣引出;及多數周邊 電極’電連接於上述配線,且被連接於多層配線基板之電 極;於上述探針片,在形成有上述多數接觸端子的第1面 之相反側之第2面,在形成有上述多數接觸端子的區域, 0 使緊固用基板被緊固;另外,具有以上述探針片包圍上述 緊固用基板的方式緊固於上述緊固用基板而被形成的1個 以上之區塊;上述1個以上之區塊之各個之上述探針片之 上述多數周邊電極,與上述多層配線基板之上述電極呈接 觸’上述多數接觸端子之各個被形成於,和上述探針片分 離而延伸、電連接於上述配線的樑之一端;上述樑之另一 端被固定於上述探針片。 (1 7 )本發明之半導體檢測裝置,係具有:試料台, 〇 用於載置被檢測對象;及探針卡,其具有和設於上述被檢 測對象之電極接觸的多數接觸端子,而且電連接於上述被 檢測對象之電氣特性檢測用的測試器;其特徵爲:上述探 針卡具有探針片’該探針片具備:上述多數接觸端子;配 線,由上述多數接觸端子之各個被電氣引出;及多數第1 及第2周邊電極’電連接於上述配線,且被連接於多層配 線基板之電極;於上述探針片,在形成有上述多數接觸端 子的第1面之相反側之第2面,在形成有上述多數接觸端 子的區域’使緊固用基板被緊固;設有手段,用於使上述 -16- 200937022 緊固用基板成爲可傾斜移動;上述多數接觸端子之各個被 形成於,和上述探針片分離而延伸、電連接於上述配線的 樑之一端;上述樑之另一端被固定於上述探針片;上述多 數第1周邊電極之各個被形成於’上述探針片之中和上述 接觸端子相同的第1面;上述多數第2周邊電極之各個被 形成於,上述探針片之中和上述接觸端子相反側的第2面 〇 0 (18)本發明之半導體檢測裝置’係於(14)〜(17 )之任一半導體檢測裝置之中,上述探針片係藉由包含以 下工程的工程而被形成:(a )以對具有結晶性之基板施 予異方性蝕刻所形成之孔爲板模,藉由鍍層而形成上述多 數接觸端子的工程;(b)於上述基板上依序積層和上述 多數接觸端子之各個電連接的上述樑、上述配線及絕緣層 之工程;及(c)除去和上述多數接觸端子及上述樑爲相 同配線層中之上述絕緣層,而使上述樑由上述探針片分離 〇 的工程。 (19)本發明之半導體裝置之製造方法,係具有以下 工程:於半導體晶圓作成電路及電連接於上述電路的電極 ,而形成多數半導體元件的工程;使用探針卡進行上述多 數半導體元件之電氣特性檢測的工程,該探針卡,係具有 和設於上述多數半導體元件之上述電極接觸的多數接觸端 子’而且電連接於測試器,該測試器用來檢測形成於上述 多數半導體元件之各個的上述電路之電氣特性;及切割上 述半導體晶圓,分離上述多數半導體元件之每一個的工程 -17- 200937022 :上述探針卡具有探針片,該探針片具備:上述多數接觸 端子;配線’由上述多數接觸端子之各個被電氣引出;及 多數周邊電極,電連接於上述配線,且被連接於多層配線 基板之電極;於上述探針片,在形成有上述多數接觸端子 的第1面之相反側之第2面,在形成有上述多數接觸端子 的區域,使緊固用基板被緊固;設有手段,用於使上述緊 固用基板成爲可傾斜移動;上述多數接觸端子之各個被形 ❿ 成於,和上述探針片分離而延伸、電連接於上述配線的樑 之一端;上述樑之另一端被固定於上述探針片。 (20)本發明之半導體裝置之製造方法,係具有以下 工程:於半導體晶圓作成電路及電連接於上述電路的電極 ,而形成多數半導體元件的工程;使用探針卡進行上述多 數半導體元件之電氣特性檢測的工程,該探針卡,係具有 和設於上述多數半導體元件之上述電極接觸的多數接觸端 子,而且電連接於測試器,該測試器用來檢測形成於上述 ❹ 多數半導體元件之各個的上述電路之電氣特性;及切割上 述半導體晶圓,分離上述多數半導體元件之每一個的工程 :上述探針卡具有探針片,該探針片具備:上述多數接觸 端子;配線,由上述多數接觸端子之各個被電氣引出;多 數周邊電極,電連接於上述配線,且被連接於多層配線基 板之電極;及金屬片,係在形成有上述多數接觸端子的第 1面之相反側之第2面,在形成有上述多數接觸端子的區 域被形成;緊固用基板被緊固於上述金屬片;設有手段, 用於使上述緊固用基板成爲可傾斜移動;上述多數接觸端 -18- 200937022 子之各個被形成於,和上述探針片分離而延伸、電連接於 上述配線的樑之一端;上述樑之另—端被固定於上述探針 片。 (21) 本發明之半導體裝置之製造方法,係具有以下 具有以下工程:於半導體晶圓作成電路及電連接於上述電 路的電極,而形成多數半導體元件的工程;使用探針卡進 行上述多數半導體元件之電氣特性檢測的工程,該探針卡 〇 ,係具有和設於上述多數半導體元件之上述電極接觸的多 數接觸端子,而且電連接於測試器,該測試器用來檢測形 成於上述多數半導體元件之各個的上述電路之電氣特性; 及切割上述半導體晶圓,分離上述多數半導體元件之每一 個的工程;上述探針卡具有探針片,該探針片具備:上述 多數接觸端子;配線,由上述多數接觸端子之各個被電氣 引出;及多數周邊電極,電連接於上述配線,且被連接於 多層配線基板之電極;於上述探針片,在形成有上述多數 〇 接觸端子的第1面之相反側之第2面,在形成有上述多數 接觸端子的區域,使緊固用基板被緊固;另外,具備以上 述探針片包圍上述緊固用基板的方式緊固於上述緊固用基 板而被形成的1個以上之區塊;上述1個以上之區塊之各 個之上述探針片之上述多數周邊電極、與上述多層配線基 板之上述電極呈接觸,上述多數接觸端子之各個被形成於 ’和上述探針片分離而延伸、電連接於上述配線的樑之一 端;上述樑之另一端被固定於上述探針片。 (22) 本發明之半導體裝置之製造方法,係具有以下 -19- 200937022 工程:於半導體晶圓作成電路及電連接於上述電路的電極 ,而形成多數半導體元件的工程;使用探針卡進行上述多 數半導體元件之電氣特性檢測的工程,該探針卡,係具有 和設於上述多數半導體元件之上述電極接觸的多數接觸端 子,而且電連接於測試器,該測試器用來檢測形成於上述 多數半導體元件之各個的上述電路之電氣特性;及切割上 述半導體晶圓,分離上述多數半導體元件之每一個的工程 0 :上述探針卡具有探針片,該探針片具備:上述多數接觸 端子;配線,由上述多數接觸端子之各個被電氣引出;及 多數第1及第2周邊電極,電連接於上述配線,且被連接 於多層配線基板之電極;於上述探針片,在形成有上述多 數接觸端子的第1面之相反側之第2面,在形成有上述多 數接觸端子的區域,使緊固用基板被緊固;設有手段,用 於使上述緊固用基板成爲可傾斜移動;上述多數接觸端子 之各個被形成於,和上述探針片分離而延伸、電連接於上 〇 述配線的樑之一端;上述樑之另一端被固定於上述探針片 :上述多數第1周邊電極之各個被形成於,上述探針片之 中和上述接觸端子相同的第1面;上述多數第2周邊電極 之各個被形成於,上述探針片之中和上述接觸端子相反側 的第2面。 (23)本發明之半導體裝置之製造方法,係於 〜(22)之任一半導體裝置之製造方法之中,上述探針片 係藉由包含以下工程的工程被形成:(a )以對具有結晶 性之基板施予異方性蝕刻所形成之孔爲板模,藉由鍍層而 -20- 200937022 形成上述多數接觸端子的工程;(b)於上述基板上依序 積層和上述多數接觸端子之各個電連接的上述樑、上述配 線及絕緣層之工程;及(c)除去和上述多數接觸端子及 上述樑爲相同配線層中之上述絕緣層,而使上述樑由上述 探針片分離的工程;上述多數接觸端子之各個爲角錐形狀 或角錐梯形狀。 0 【實施方式】 以下實施形態中必要時分割爲多數段落(section )或 實施形態加以說明,但除特別明示以外,彼等並非無關係 ,而是一方具有另一方之一部分或全部之變形例、詳細、 補充說明等之關係。 又,以下說明之實施形態中,言及要素之數(包含個 數、數値、量、範圍等)時,除特別明示以及原理上明確 限定爲特定數以外,並非限定於該特定數,而是可爲特定 〇數以上或以下。 又’以下說明之實施形態中,其構成要素(包含要素 步驟等)時,除特別明示以及原理上明確爲必須以外,並 非一定必要。另外,關於實施形態中之構成要素等,言及 「由A構成」或「由A形成」時,除特別明示僅爲該要 素之情況以外,並不排除其以外之要素。 同樣,以下說明之實施形態中,言及構成要素等之形 狀、位置關係等時,除特別明示以及原理上明確爲非如此 不可以外’包含實質上和其之形狀近似或類似者。此一情 -21 - 200937022 況,關於上述數値及範圍亦同樣。 又’言及材料等時’除特別明示爲非如此、或原理或 狀況上爲非如此以外,特定材料爲主要材料,並非排除副 次要素、添加物、添加要素等。例如,關於矽構件,除特 別明7K以外,並非僅指單純之砂,亦包含添加雜質、以砂 爲主要要素的2元、3元等之合金(例如SiGe)等。 又,以下說明實施形態之全圖中,同一功能者原則上 〇 附加同一符號’並省略重複說明。以下依圖面說明本發明 實施形態。 又,以下說明實施形態使用之圖面中,爲容易観看即 使是平面圖亦有一部分被附加斜線。 以下實施形態及實施例之中,主要用語定義如下。 半導體裝置無關於其形態,可爲被形成有電路的晶圓 狀態者、半導體元件,或其後被封裝處理(QFP( Quad Flat Package ) 、BGA ( Ball Grid Array )、及 CSP ( Chip
Size Package )等)者。 探針片係指薄膜,該薄膜爲設有和檢測對象接觸之接 觸端子,及由其被迂迴繞線而成的配線,於該配線被形成 有外部連接用電極者,以厚度約ΙΟμηι〜ΙΟΟμηι者爲對象 〇 探針卡係指,具有和檢測對象接觸之端子、多層配線 基板等之構造體(例如後述之實施形態中以圖2說明的構 造體)。 半導體檢測裝置係指檢測裝置,其具有探針卡與載置 -22- 200937022 檢測對象的試料支擦系。 被檢測對象之一例、亦即LSI用半導體元件(晶片) 2,如圖1所示,於晶圓丨被形成多數個,其後被切離供 使用。圖1爲多數個LSI用半導體元件2被配列設置而成 之晶圓1的斜視圖,將其之一部分、亦即1個半導體元件 2擴大表示。於半導體元件2之表面,沿著周邊配列多數 個電極3 ’用於電連接半導體元件2內形成之電路。 〇 又’於半導體元件2,伴隨高集積化,電極3之配置 之筒密度化及窄間距化更爲進展。電極3之配置之窄間距 化傾向成爲約0.1mm以下,例如成爲〇.〇8mm、0.04mm或 其以下。電極3之高密度化傾向成爲,沿半導體元件2之 周邊’由1列至2列,甚至全面被配置之傾向。 又’藉由半導體元件於高溫進行動作測試,而使半導 體元件之特性及信賴性更明確把握的高溫動作測試(85t 〜150 °C )被實施之傾向存在。又,伴隨使用環境之擴大 〇 ’低溫動作測試(-55t:)被實施之傾向存在。 以下實施例之半導體檢測裝置爲,可對應於電極3之 高密度化及窄間距化,而且可進行高速電氣信號( 100MHz 〜20GHz)之檢測。 又’半導體檢測裝置中之探針卡之一部分之構成材料 ’藉由使用具有1 50 °C耐熱性、而且線膨脹係數和被檢測 對象同一程度的材料,可以防止環境溫度引起之探針前端 部之位置偏移。 以下依據圖2〜圖15說明本發明實施形態之半導體裝 -23- 200937022 置檢測用探針卡。 (第1實施形態) 圖2爲本發明第1實施形態之探針卡之重要部分斷面 圖。圖3爲圖2之主要元件分解圖示的斜視圖。圖4爲圖 2之主要元件分解圖示的組裝斷面圖。依據彼等圖說明本 發明第1實施形態之探針卡。 0 第1實施形態之探針卡,係由:形成有接觸端子4群 的探針片5,緊固用基板6,中間板7,及被插入支撐構件 (上部固定板)8而螺固於中間板7的導銷9。 探針片5,係於探針卡之探測(主面(第1面)側中 央區域形成,和半導體元件2之電極3群接觸的上述接觸 端子4群。又,於探針片5之4邊之周邊部形成,和多層 配線基板1 0之間進行信號處理用的周邊電極1 1群,包圍 該周邊電極11群而於周邊電極固定板12對應之區域形成 〇 金屬膜14。詳如後述,周邊電極11群,係和接觸端子4 群以同一工程被形成者,其前端被連接於多層配線基板10 之電極15。於接觸端子4群與周邊電極11群之間,形成 如圖3所示多數之引出配線1 6。詳如後述,形成接觸端子 4群及周邊電極11群之各個接觸端子,係成爲角錐形狀或 角錐梯形狀。 另外,在信號處理用的上述周邊電極11群被形成部 分之探針片5之背面之金屬膜14,被年接固定上述周邊電 極固定板12。 -24- 200937022 在金屬膜14,藉由蝕刻、圖案化形成定位用之頂件( knock)銷用孔14a及螺栓插入用孔14b,於周邊電極固定 板12及周邊按壓板17,亦分別形成定位用之頂件銷用孔 12a、17a及螺栓插入用孔12b、17b,據以提升組裝性。 針對包圍周邊電極11群而被緊固於探針片5的周邊 電極固定板1 2,使用上述頂件銷用孔1 7a以頂件銷1 7c進 行定位之同時,挾持緩衝構件18將周邊按壓板17加以螺 〇 固,據此而使周邊電極11群介由緩衝構件18連接於多層 配線基板10之電極15。 又,亦可使用設於支撐構件8之傾斜度微調用之雙螺 栓19、或後述之間隔件20(參照圖7),進行形成有接觸 端子4群區域的探針片5之傾斜度微調。其中,雙螺栓19 之構造爲,在外側螺栓19a之中央被形成另一中央螺栓 19b者,藉由外側螺栓19a調整支撐構件8與上板21間之 間隔,微調整兩者之傾斜度後,藉由中央螺栓1 9b螺緊固 ❿定。 又,於探針片5,必要時爲減少檢測用高速電氣信號 之擾亂,而形成電連接於基準電位(接地電位)的接地用 引出配線16A,與信號用及電源用之引出配線16Β»彼等 引出配線16A、16B構成上述引出配線16。該引出配線 1 6A、1 6B,可於探針片5之製造工程中,使用微影成像技 術設計及製作互相之間之配置狀態及形狀,而形成阻抗匹 配或屏蔽(shield)構造。 又,於探針片5背面安裝晶片電容器23。該晶片電容 -25- 200937022 器23,係介由形成於探針片5中之配線’被電連接於接觸 端子4群中之特定接觸端子。該晶片電容器23,係配置於 接觸端子4之附近’可有效盡力防止信號之干擾。 緊固用基板6,係和探針片5之接觸端子4群被形成 之區域以平面重疊的方式’於探針片5之背面(第2面) 介由金屬膜24被黏接固定。詳如後述’金屬膜24,係和 金屬膜14微同一材質、且以同一工程被形成、施予圖案 ^ 化者。又,中間板7被螺固於緊固用基板6。 導銷9,係被插入支撐構件(上部固定板)8、被螺固 於中間板7。又,導銷9具有:探針檢測時盡量防止接觸 端子前端之位置偏移之功能’以及作爲使接觸端子4群被 形成之區域,定位於被檢測對象之電極3群之面用的平行 伸出機構之功能。亦即,導銷9,係在接觸端子4群被形 成之區域處於微傾斜狀態而可以動作(微傾斜移動)狀態 下,欲實現大約和後述之單支撐樑構造之可撓性引起之接 〇 觸端子4之壓接力相同程度、或較其小的大略一定之壓接 力(例如大約500銷之情況下,押入量ΙΟΟμιη程度下大約 爲5〜10Ν),而使用如圖5所示內藏彈簧25的彈簧內藏 型導銷9a及定位專用導銷9b之構成。彼等多數彈簧內藏 型導銷(對框部提供壓接力的手段)9a,及多數定位專用 導銷9b’係被插入支撐構件8'被螺固於中間板7而使用 。又’彈簧內藏型導銷9a爲,在金屬製管部9c內內藏有 上述彈簧25及中軸9d,藉由彈簧25之彈力使中軸9d按 壓中間板7的構造,定位專用導銷9b爲,在金屬製管部 -26- 200937022 9c內內藏有中軸9e,藉由中軸9e之固定於中間板7而進 行定位的構造。導銷9,至少配置3個,較好是配置4個 以上。又’於支撐構件8,導銷9被插入用的插入孔8a’ 爲防止接觸端子前端之位置偏移,較好是盡量消除其和插 入後之導銷9間之間隙,第1實施形態之例之中,插入孔 8a之孔徑較導銷9之徑約僅大1〇 μιη〜20 μιη。 藉由上述各種構件而形成本發明第1實施形態之探針 〇 卡 27。 依據上述第1實施形態之構成,藉由多數導銷9(具 彈簧性之彈簧內藏型導銷9a及定位專用導銷9b )定位探 針片5之同時,賦與壓接力,可將押壓荷重控制於廣範圍 而實現窄間距多腳位之半導體檢測用探針卡。隨半導體元 件2內之高集積化進展,欲將高密度、多腳位且窄間距之 電極3形成於半導體元件2之表面時,大多於電極3正下 方形成多數主動元件或微細配線,半導體元件2之檢測時 Q 對接觸端子4群之電極3群之接觸壓過大時,有可能對電 極3及其正下方之主動元件或微細配線帶來損傷,但依第 1實施形態之半導體檢測用探針卡,可將押壓荷重控制於 廣範圍,可防止對該主動元件或配線之損傷。 圖6爲探針卡5之1個接觸端子4附近之擴大表示的 重要部分斷面圖。第1實施形態之接觸端子4,係被連接 於使用微影成像技術施予圖案化而成的金屬樑部28之前 端附近,於樑部28之另一端附近,在接觸端子4被連接 面之相反側之面,被連接金屬柱部29。柱部29,係被連 -27- 200937022 接於以塡埋聚醯亞胺膜30而形成的引出配線16B,樑部 28和聚醯亞胺膜30成爲分離狀態。亦即樑部28,僅藉由 和柱部29之連接而被支撐於探針片5的構造(以下稱單 支撐樑構造)。配置於此種樑部2 8前端附近的接觸端子4 ,可藉由樑部28之理論使其個別動作。如此則,不必要 爲了使未充分接觸的接觸端子4與電極3成爲完全接觸而 施加更大的接觸荷重。 〇 但是,半導體元件2之表面之電極3群之面,與探針 片5之中之接觸端子4群之面之間,亦有可能產生傾斜。 於本發明第1實施形態之中,中間板7、緊固用基板6、 金屬膜24及探針片5,可於形成有接觸端子4群的區域設 爲微傾斜移動可能之狀態下進行押壓動作,不必要爲了使 未充分接觸的接觸端子4與電極3成爲完全接觸而施加更 大的接觸荷重。另外’如上述說明,可藉由樑部28之理 論使接觸端子4個別動作,使未充分接觸的接觸端子4與 〇 電極3成爲完全接觸用之更大的接觸荷重變爲不必要,可 以防止接觸端子4群與電極3群之接觸壓之一部分變爲過 大,而且可使接觸端子4群與電極3群確實接觸。結果, 可以盡量防止探測引起之電極3之表面之粗糙度,可以確 保低荷重、且穩定之接觸特性、亦即可以確保穩定之接觸 電阻値。 (第2實施形態) 圖7爲本發明第2實施形態之探針卡之重要部分斷面 -28- 200937022 圖。 於第1實施形態,使用導銷9(彈簧內藏型導銷 定位專用導銷9b )作爲探針片5之平行伸出機構,但 7所示,亦可取代導銷9,改使用1個以上之板彈簧 形成可微傾斜移動之構造。又,作爲初期之傾斜度微 ,亦可取代雙螺栓1 9,改使用間隔件20。該間隔件 第1實施形態說明之雙螺栓19可依據需要來使用, 0 省略。 又,於圖7及第1實施形態之圖2說明,於探金-之中’在接觸端子4群被形成之面的相反側之面,以 觸端子4群及周邊電極11群被形成之區域呈平面重 方式配置金屬膜24、14之例,但亦可依據必要之接 子4及周邊電極11之前端位置精確度,省略金屬膜 金屬膜14之其中一方或兩者。 依據第2實施形態,亦可獲得和第1實施形態同 ❿果。 (第3實施形態) 圖8爲本發明第3實施形態之探針卡之重要部分 圖。 如圖8所示,第3實施形態之探針片5,係使來 支撐樑構造之接觸端子4的引出配線16以1層形成 聚醯亞胺保護膜31保護接觸端子4被形成面的構造。 又’於圖8說明’爲減少高速電氣信號之干擾, 9a及 L如圖 26而 :調用 20或 亦可 卜片5 ,和接 .疊的 觸端 24或 樣效 斷面 自單 ,以 在信 -29- 200937022 號用、電源用及接地用之以一層被形成之引出配線16之 中,於電源用之引出配線1 6與接地用引出配線1 6之間, 配置晶片電容器2 3之例,但必要時可省略。 又,於圖8說明,於探針片5之中,在接觸端子4群 被形成之面的相反側之面,以和接觸端子4群及周邊電極 11群被形成之區域呈平面重疊的方式配置金屬膜24、14 之例,但亦可依據必要之接觸端子4及周邊電極11之前 0 端位置精確度,省略金屬膜24或金屬膜14之其中一方或 兩者。 依據第3實施形態,亦可獲得和第1、第2實施形態 同樣效果。 (第4實施形態) 圖9爲本發明第4實施形態之探針卡之重要部分斷面 圖。圖10(a)爲如圖9所示本發明第4實施形態之探針 〇 卡之構成要素、亦即1個區塊(block) 32之斷面槪略圖 。第4實施形態,係將必要個數之區塊32安裝於多層配 線基板10,作爲一體之探針卡加以使用之例。 製作如圖1 〇 ( a )所示區塊3 2時’係如圖1 〇 ( b )所 示,對於緊固用基板33,使形成有多數單支撐樑構造之接 觸端子4的探針片5,使接觸端子4群被形成之面的相反 側之面呈對向,由緊固用基板33上面之對向2邊予以覆 蓋而轉向緊固用基板33之背面’挾持緩衝件34予以緊固 而構成。使上述被緊固於緊固用基板33及緩衝件34的探 -30- 200937022 針片5之背面之周邊電極11群’藉由定位銷(未圖不) 定位於多層配線基板10之電極15群,介由貫穿多層配線 基板10的間隔件36,藉由固定螺栓35將緊固用基板33 與上檔板37加以螺緊固定,而可以構成如圖9所示使用 多數區塊32之探針卡。 又,製作如圖10(a)所示區塊32時’亦可如圖1〇 (c)所示,對於緊固用基板33’使形成有多數單支撐樑 ❹ 構造之接觸端子4的探針片5,使接觸端子4群被形成之 面的相反側之面呈對向,由緊固用基板33上面4邊予以 覆蓋而轉向緊固用基板33之背面,挾持緩衝件34予以緊 固而構成。此構成時,使被緊固於緊固用基板33及緩衝 件34的探針片5之背面之周邊電極11群,藉由定位銷( 未圖示)定位於多層配線基板1〇之電極15群,介由貫穿 多層配線基板1〇的間隔件36,藉由固定螺栓35將緊固用 基板33與上檔板37加以螺緊固定,而可構成如圖9所示 Q 使用多數區塊32之探針卡。 必要時,可於探針片5之接觸端子4群被形成之面的 相反側之面,配置及搭載引出配線必要之電子元件(電容 器、電阻器、溶斷器(fuse )及連接器等),而形成穩定 之檢測或電路。 (第5實施形態) 圖1 1爲本發明第5實施形態之探針卡之重要部分斷 面圖 -31 - 200937022 第5實施形態之構成’係設爲和第4實施形態說明之 安裝有多數區塊32(參照圖9、1〇)的探針卡(參照圖9 )同等之構成,將接觸端子4群、與敷設有緩衝件38的 晶圓搭載台3 9所搭載之晶圓1之電極3群加以定位,藉 由嵌入晶圓搭載台39的Ο型環40 a、嵌入下基板41b的Ο 型環40b、嵌入中基板41c的〇型環40c、及嵌入上基板 41d的Ο型環40d加以密閉。於此狀態下,藉由減壓晶圓 0 搭載台3 9與多層配線基板1 0之間,利用適度之大氣壓即 使大面積亦可確實使接觸端子4群與晶圓1之電極3群接 觸’而可以構成作爲晶圓卡® (wafer cassette)的全晶圓 (full wafer )檢測用之檢測裝置。 又’如圖1 1 ( b )所示,取代晶圓搭載台3 9,使用在 晶圓搭載台3 9b緊固著周圍的具有柔軟性之晶圓搭載膜42 (例如聚醯亞胺片)之構成,於晶圓搭載膜42上介由緩 衝件3 8搭載晶圓1,於此狀態下,藉由減壓晶圓搭載膜 Ο 42與多層配線基板1 0之間,利用適度之大氣壓即使大面 積亦可確實使接觸端子4群與晶圓1之電極3群接觸,而 可以構成作爲晶圓卡匣的全晶圓檢測用之檢測裝置。 又,作爲全晶圓檢測用之檢測裝置之構成,上述密閉 構造可爲任意。又,只要能確實使接觸端子4群與晶圓1 之電極3群接觸,亦可爲不具減壓機構的晶圓卡匣構造。 (第6實施形態) 圖12爲本發明第6實施形態之探針卡之重要部分斷 -32- 200937022 面圖。圖13爲本發明第6實施形態之探針卡之構成要素 、亦即1個區塊32b上被安裝的探針片5之展開圖。於圖 13,相對於探針片5,亦圖示緊固用基板33之緊固位置 3 3s (附加斜線部分)、區塊吊板43之緊固位置43s、緊 固用基板正上方片檔板44之緊固位置44s及基板下面片 檔板45之緊固位置45s。 緊固用基板33對於探針片5,係被緊固於形成有接觸 0 端子4群之面的相反側之面之接觸端子形成對應區域。緊 固用基板正上方片檔板44,亦和緊固用基板33同樣,對 於探針片5而被緊固於形成有接觸端子4群之面的相反側 之面,其之緊固位置爲,多層配線基板1〇之基板電極對 應之配線間距擴大焊墊(第1周邊電極)46a被形成的區 域。該配線間距擴大焊墊46a爲,探針片5之形成時被以 和接觸端子4同一工程形成之端子,於探針片5係被形成 於接觸端子4之同一面,形成間距較接觸端子4爲大。另 〇 外,基板下面片檔板45,對於探針片5係被緊固於形成有 接觸端子4群之面,其之緊固位置爲,多層配線基板10 之基板電極對應之配線間距擴大焊墊(第2周邊電極) 46b被形成的區域。該配線間距擴大焊墊46b,於探針片5 係被形成於接觸端子4之相反側之面,形成間距較接觸端 子4爲大。 圖14爲圖12、13所示區塊3 2b對多層配線基板10 之安裝例的斜視圖。 於第6實施形態,探針片5與被緊固之各個基板(緊 -33- 200937022 固用基板33、緊固用基板正上方片檔板44及基板下面片 檔板45 )設爲上述之構成,引出配線16B之間距,在考 慮組裝狀態而於形成有接觸端子4的探針片5上加以擴大 ,而將探針片5之周邊電極(配線間距擴大焊墊46a、46b )之間距,擴大爲多層配線基板10之通常之基板電極之 形成間距。如此則,即使是多數晶片同時檢測用探針卡等 之配線被以多腳位且窄間距形成之情況下,探針片5之周 ❹ 邊電極與多層配線基板10之基板電極間的電極焊墊間距 擴大用之中間基板可以被省略。亦即可減少形成探針卡的 元件數,可減少元件部間的接觸部,組裝變爲容易。 又,圖12之例爲,使用2個圖14所示區塊3 2b構成 探針卡之例。 製作區塊3 2b時,可將緊固用基板33與區塊吊板43 一體加工形成。又,於單支撐樑構造之接觸端子4,可確 保檢測時接觸端子4部之行程時,可將各個區塊3 2b以區 〇 塊間固定板加以固定,而作爲一體區塊使用。 在探針片5之周邊電極與對應之多層配線基板10之 基板電極之間被定位狀態下,使探針片5及多層配線基板 10藉由基板下面片檔板45與基板上面檔板47予以挾持, 以固定螺栓48將彼等螺緊固定,則可使探針片5之周邊 電極(配線間距擴大焊墊46a、46b )與對應之多層配線基 板10之基板電極間被電連接。又,多層配線基板10藉由 下檔板49與上檔板50予以挾持,以固定螺栓51螺緊固 定,亦可形成第6實施形態之探針卡。又,作爲平行伸出 -34- 200937022 機構之彈簧內藏型導銷9a及接觸端子4之前端位置偏移 防止用之定位專用導銷9b,係貫穿上檔板50而成爲於上 檔板50之上面被固定的構成。 (第7實施形態) 圖1 5爲本發明第7實施形態之探針卡之重要部分斷 面圖。 0 如圖1 5所示,於第7實施形態取代第6實施形態使 用之彈簧內藏型導銷9a (參照圖12),改用板彈簧26, 將多數區塊32b安裝於區塊間固定基板97而成爲一體之 區塊。 藉由第7實施形態,亦可獲得和第6實施形態同樣之 效果。 (第8實施形態) 〇 以下參照圖16〜28,說明上述第1〜第7實施形態之 探針卡使用的探針片(探針片構造體)之一例,針對其製 造方法加以說明。又,形成以後之探針片的各構件,於圖 2〜15所示第1〜第7實施形態之探針卡之重要部分斷面 圖中亦被適當表示。 圖16〜28爲使上述第1實施形態之中圖2所示探針 卡被形成時之製造過程之中,特別是使用對矽晶圓施予異 方性蝕刻而形成之角錐梯形狀之孔作爲板模’使角錐梯形 狀之接觸端子4、樑部28 (參照圖6 )及引出配線16用之 -35- 200937022 配線材料,被一體形成於聚醯亞胺膜(絕緣片)的工程, 或於其表面形成聚醯亞胺膜及配線材料,另外將緊固用基 板6予以緊固之工程等的製造過程,依據工程順序加以表 示者。 首先,如圖16所示工程被執行。該工程係於厚度0.2 〜0.6 mm之矽晶圓60之(100)面之兩面藉由熱氧化形成 約0·5μηι之二氧化矽膜61,塗敷光阻劑,藉由微影成像 〇 技術工程形成角錐梯形狀之孔60a之開設位置之光阻劑被 除去的圖案。之後,以該光阻劑爲遮罩藉由氟酸與氟化銨 之混合液鈾刻除去二氧化矽膜61,以該二氧化矽膜61爲 遮罩藉由強鹼液(例如氫氧化鉀)進行矽晶圓60之異方 性蝕刻,形成被(111 )面及(1 〇〇 )面包圍之角錐梯形狀 之蝕刻孔6 0 a。 於第8實施形態,係以矽晶圓60爲板模,但板模主 要具有結晶性者均可,在其範圍內可做各種變更。又,於 Ο 第8實施形態,係將異方性蝕刻之孔設爲角錐梯形狀,但 其形狀亦可爲角錐形狀,主要能形成以小的針壓而能確保 穩定之接觸電阻之程度的接觸端子4,在其形狀範圍內可 做各種變更。又,於接觸對象之1個電極,以多數接觸端 子4予以接觸亦可。 之後,圖1 7所示工程被執行。於該工程’係藉由氟 酸與氟化銨之混合液鈾刻除去作爲遮罩之二氧化矽膜61 ’ 再度藉由溼氧之熱氧化,於矽晶圓60之全面形成約 〇. 5 μιη之二氧化矽膜62。之後,於該二氧化矽膜62之表 -36- 200937022 面形成導電性披膜63。之後,於該導電性披膜63之表面 ’以設置接觸端子4部之開口的方式形成光阻劑遮罩64。 之後,以該光阻劑遮罩64爲遮罩,以該導電性披膜 63爲供電層,以高硬度材料爲主成份進行電鑛,一體形成 接觸端子4及連接電極部4b。此時,和接觸端子4同樣構 造的周邊電極U亦被形成。作爲高硬度材料,例如對鎳 4c、鍺(Rh) 4d及鎳4e依序電鍍,以接觸端子4及連接 0 電極部4b爲一體而形成接觸端子部4a即可。光阻劑遮罩 64可爲液狀阻劑或薄膜狀阻劑(乾薄膜,dry film)。 之後,圖18所示工程被執行。於該工程,係除去光 阻劑遮罩64之後,以覆蓋接觸端子部4a及導電性披膜63 的方式形成聚醯亞胺膜65,進行平坦性硏磨使接觸端子部 4a之表面由聚醯亞胺膜65露出。聚醯亞胺膜65之表面及 接觸端子部4a之表面硏磨可爲例如使用CMP ( Chemical Mechanical Polishing)或使用硏磨片之硏磨加工。 Q 之後,圖19所示工程被執行。於該工程,係於聚醯 亞胺膜65形成導電性披膜66,形成光阻劑遮罩67之後, 施予鍍層形成樑部28者。導電性披膜66,可藉由濺鍍法 或蒸鑛法形成例如Cr (鉻),而形成膜厚約Ο.ίμιη之Cr 膜,在形成有該Cr膜的表面藉由濺鍍法或蒸鏟法形成銅 ,而形成膜厚約Ιμιη之銅膜即可。又,樑部28之材料可 使用例如於銅鍍層施予鎳鍍層的材料、或鎳鈷鑛層等。光 阻劑遮罩6 7,係和光阻劑遮罩64同樣可爲液狀阻劑或薄 膜狀阻劑(乾薄膜,dry film)。 -37- 200937022 之後,圖20所示工程被執行。於該工程,係除去光 阻劑遮罩67之後,以樑部28之鍍層膜爲遮罩軟蝕刻導電 性披膜66之後,覆蓋樑部28及聚醯亞胺膜65而形成聚 醯亞胺膜68,進行平坦性硏磨以使樑部28之表面由聚醯 亞胺膜68露出。聚醯亞胺膜68之表面及樑部28之表面 硏磨可爲例如使用CMP或使用硏磨片之硏磨加工。 之後,圖21所示工程被執行。於該工程,係覆蓋樑 0 部28及聚醯亞胺膜68而形成聚醯亞胺膜69之後,於表 面形成鋁遮罩70,使應形成引出配線連接用孔71a之位置 上存在的聚醯亞胺膜69被蝕刻除去直至到達樑部28之表 面。 在形成引出配線連接用孔7 1 a時,係以鋁遮罩70爲 蝕刻遮罩,使用乾蝕刻或雷射蝕刻即可。又,亦可省略銘 遮罩70之形成,直接施予雷射開孔加工形成引出配線連 接用孔7 1 a。 Q 之後,圖22所示工程被執行。於該工程,係除去銘 遮罩70之後,以鍍層塡充引出配線連接用孔7 1 a,另形成 導電性披膜72,形成阻劑遮罩73之後,施予配線材料74 之鍍層。 導電性披膜72,可藉由濺鍍法或蒸鍍法形成例如Cr ,而形成膜厚約Ο.ίμιη之Cr膜,在形成有該Cr膜的表面 藉由濺鍍法或蒸鍍法形成銅,而形成膜厚約Ιμηι之銅膜即 可。又,於該銅膜施予數μηι厚之銅鏟層,而增加耐開孔 加工性亦可。又,配線材料74可使用銅鑛層或於銅鍍層 -38- 200937022 施予鎳鍍層的材料。光阻劑遮罩73,係和光阻劑遮罩64 、07同樣可爲液狀阻劑或薄膜狀阻劑(乾薄膜,dry fUm )° 之後,圖23所示工程被執行。於該工程,係除去光 阻劑遮罩73,形成聚醯亞胺膜75,形成鋁遮罩76之後, 使配線材料74與上部之配線材料79 (如使用圖24之後述 說明)間之連接用孔之應形成位置上存在的聚醯亞胺膜75 被除去’直至到達配線材料74之表面爲止。 在到達配線材料74之表面爲止除去聚醯亞胺膜75時 ,可以鋁遮罩76爲蝕刻遮罩而進行乾蝕刻或雷射蝕刻即 可λ外,亦可省略鋁遮罩76之形成,直接施予雷射開 孔加工。 之後’圖24所示工程被執行。於該工程,係除去鋁 遮罩76之後,於聚酷亞胺膜75形成導電性披膜77,形成 光阻劑遮罩7 8之後’進行配線材料7 9之鍍層。 © 導電性披膜77,可藉由濺鍍法或蒸鍍法形成例如Cr ,而形成膜厚約Ο.ίμηι之(^膜,在形成有該以膜的表面 藉由濺鍍法或蒸鍍法形成銅,而形成膜厚約1μιη之銅膜即 可。又,配線材料79可使用銅鍍層或於銅鍍層施予鎳鍍 層的材料。光阻劑遮罩78’係和光阻劑遮罩64、67、73 同樣可爲液狀阻劑或薄膜狀阻劑(乾薄膜,dry film)。 成爲引出配線1 6之配線材料7 4、7 9之所以設爲2層 構造之目的在於,例如以配線材料74作爲接地用配線( 引出配線16A),以配線材料79作爲信號用及電源用配 -39- 200937022 線(引出配線16B ),於配線材料74、79之間形成微帶 狀構造而達成阻抗匹配,盡量防止高速電氣信號之干擾。 又,由窄間距多腳位化配置之接觸端子4群至周邊電極11 群之引出配線16被設爲2層構造之目的在於,容易形成 引出配線1 6,另外避開微細配線之迂迴擴大配線寬度,而 降低配線電阻値,減少電壓降之同時,確保電流容量。 又,必要時可省略配線材料79之形成,設爲僅配線 材料7 4之1層。 之後,圖2 5所示工程被執行。於該工程,係除去光 阻劑遮罩7 8,以配線材料7 9爲遮罩進行軟蝕刻除去導電 性披膜77之後,形成聚醯亞胺膜80,於該聚醯亞胺膜80 進行黏接層81及金屬膜82之黏接,於金屬膜82形成所 要圖案形成用之光阻劑遮罩83。 其中,黏接層81可使用例如聚醯亞胺系黏接片或環 氧系黏接片。又,金屬膜82’係將42合金(錬42%及鐵 〇 58%之合金,線性膨脹係數4Ppm/°C )或INVAR合金(例 如鎳36%及鐵64%之合金,線性膨脹係數1.5ppm/°C )等 之線性膨脹係數、而且接近矽晶圓(矽板模)60之線性膨 脹係數的金屬片,以黏接層81貼合於聚醯亞胺膜80而構 成。如此則,除可實現形成之探針片5之強度提升及大面 積化以外,可實現檢測時之溫度引起之位置偏移之防止’ 可確保各種狀況下之位置精確度。於該要旨下’金屬膜82 亦可使用以預燒(burn-in )檢測時之位置精確度之確保爲 目的,線性膨脹係數接近檢測對象之半導體元件之線性膨 -40- 200937022 脹係數的材料。 上述黏接工程,係例如將形成有接觸端子部4a及 醯亞胺膜80的矽晶圓,與黏接層81及金屬膜82疊合 以大約10〜200Kgf/cm2加壓之同時,施加黏接層81之 璃轉移點溫度(Tg )以上之溫度,於真空中加熱加壓黏 即可。又,於金屬膜82形成所要圖案用的光阻劑遮罩 ’係和光阻劑遮罩64、67、73、78同樣可爲液狀阻劑 薄膜狀阻劑(乾薄膜,dry film)。 之後,圖26所示工程被執行。於該工程,係以光 劑遮罩83爲遮罩進行金屬膜82之蝕刻形成所要金屬膜 、24之圖案之後,作爲次一工程(參照圖27)之前處 ,以保護薄膜覆蓋形成有金屬膜14、24之圖案的黏接 8 1之面,於相反側之面,以中央被挖掉的保護薄膜爲遮 ,藉由氟酸與氟化銨之混合液触刻除去由矽蝕刻用保護 具之蓋部l〇〇b (詳如圖27之後述)露出之區域的二氧 〇 矽膜62。之後,剝離該保護薄膜,在形成有接觸端子 群的區域對應之金屬膜24,以黏接構件84使緊固用基 6被黏接固定,以黏接構件86使矽飩刻用保持環85被 接於黏接層81。 金屬膜82使用42合金片或INVAR合金片時,金 膜14、24之圖案形成用之鈾刻,可爲使用氯化鐵溶液 噴液蝕刻。 之後,圖2 7所示工程被執行。於該工程,係安裝 蝕刻用保護治具’蝕刻除去矽晶圓60。例如於中間固定 聚 > 玻 接 83 或 阻 14 理 層 罩 治 化 4 板 黏 屬 之 矽 板 -41 - 200937022 l〇〇d將矽鈾刻用保持環85螺緊,使不鏽鋼製之固定治具 100a與不鏽鋼製之蓋部l〇〇b介由0型環100c加以安裝 ,使板模之砂晶圓60藉由強驗溶液(例如氫氧化鉀)予 以蝕刻除去。 之後,圖28所示工程被執行。於該工程,係拆下矽 蝕刻用保護治具(固定治具l〇〇a、蓋部100b、0型環 100c及中間固定板l〇〇d),對矽蝕刻用保持環85以覆蓋 0 單面的方式黏接保護薄膜,對二氧化矽膜62、導電性披膜 63 (鉻及銅)及鎳膜4c進行蝕刻除去。之後,除去該保 護薄膜之後,以導電性披膜72爲阻障膜蝕刻除去聚醯亞 胺膜65、68、69,另除去不要之導電性披膜72。之後, 使周邊電極固定板12藉由黏接件87被螺固於金屬膜14, 沿該周邊電極固定板12及緊固用基板6之外周部切出聚 醯亞胺膜75、80及黏接層81,而製成探針片構造體105 。又,上述切出之探針片構造體1〇5組裝於探針卡之工程 G 說明圖,於第1實施形態中,其斜視圖圖示於圖3,斷面 圖圖示於圖4。 於圖28所示工程,二氧化矽膜62可藉由氟酸與氟化 銨之混合液被蝕刻除去,Cr膜可藉由過錳酸鉀溶液被蝕刻 除去,銅膜及鎳膜4c可藉由鹼性銅蝕刻溶液被鈾刻除去 。藉由該一連串蝕刻處理使铑(Rh) 4d露出接觸端子4 之表面,藉由铑(Rh) 4d之成爲接觸端子4之表面’可 使電極3 (參照圖1 )之材料、亦即焊錫或鋁等難以附著 於接觸端子4。又,鍺(Rh) 4d之硬度較鎳爲高’難以氧 -42- 200937022 化,因此可使接觸端子4之接觸電阻成爲穩定。 (第9實施形態) 以下參照圖29〜32說明第9實施形態之探針 體之製造方法,其和第8實施形態之探針片構造體 製造工程有若干差異。 圖29〜32爲本發明第9實施形態之探針片被 0 之製造過程之工程順序圖。 製造方法之基本,係依據第8實施形態說明之丨 28之製造方法,但省略硏磨工程。又’必要時可導 實施形態說明之硏磨工程。 首先,如圖29所示工程被執行。於該工程, 和第8實施形態說明之圖16〜17之工程同樣的工 成接觸端子部4a之後,除去光阻劑或乾薄膜64 ( 17 ),形成聚醯亞胺膜65b。之後,於聚醯亞胺膜 Q 表面形成鋁遮罩88,使成爲次一工程被形成之樑部 接觸端子部4a間之電連接位置的接觸端子部4a上 亞胺膜65b被除去,直至到達接觸端子部4a之表面 除去聚醯亞胺膜65b時,例如可以鋁遮罩88 遮罩而進行乾蝕刻或雷射蝕刻即可。另外,亦可省 罩88之形成’直接施予雷射開孔加工而除去所要 聚醯亞胺膜65b。 之後,圖3 0所示工程被執行。於該工程,係 第8實施形態說明之圖19〜20之工程同樣的工程 片構造 105之 形成時 圖1 6〜 入第8 係藉由 程,形 參照圖 65b之 28b與 之聚醯 〇 爲触刻 略鋁遮 位置之 藉由和 ,於聚 -43- 200937022 醯亞胺膜65b上形成導電性披膜66b,形成光阻劑遮罩之 後,施予鍍層形成樑部28b者。之後,除去光阻劑遮罩之 後,以樑部28b之鍍層膜爲遮罩軟蝕刻導電性披膜66b之 後,覆蓋樑部28b及聚醯亞胺膜65b而形成聚醯亞胺膜 68b。之後,於聚醯亞胺膜68b表面形成鋁遮罩7 0b,使引 出配線連接用孔(柱部)應形成位置上存在的聚醯亞胺膜 6 8b被蝕刻除去直至到達樑部28b之表面。
導電性披膜66b,可藉由濺鍍法或蒸鏟法形成例如Cr (鉻),而形成膜厚約Ο.ίμιη之Cr膜,在該Cr膜的表面 藉由濺鍍法或蒸鍍法形成銅,而形成膜厚約Ιμηι之銅膜即 可。又,樑部之材料可使用例如於銅鍍層施予鎳鍍層的材 料、或鎳鈷鍍層等。在形成引出配線連接用孔(柱部)時 ’係以鋁遮罩7 Ob爲蝕刻遮罩,進行乾蝕刻或雷射蝕刻即 可。又,亦可省略鋁遮罩70b之形成,直接施予雷射開孔 加工形成引出配線連接用孔。 之後’圖31所示工程被執行。於該工程,係藉由和 第8實施形態說明之圖22〜23之工程同樣的工程,除去 鋁遮罩70b之後’以鍍層71b塡充引出配線連接用孔,另 外形成導電性披膜72b。之後,於導電性披膜72b上形成 阻劑遮罩之後’施予配線材料74b之鍍層。之後,除去光 阻劑遮罩,形成聚醯亞胺膜75b之後,於聚醯亞胺膜75b 之表面形成鋁遮罩之後’使配線材料7 4 b上被形成之配線 材料79b與配線材料74b間之連接用孔之應形成位置上存 在的聚醯亞胺膜75b被除去,直至到達配線材料74b之表 -44- 200937022 面爲止。之後,除去該鋁遮罩,於聚醯亞胺膜75b之表面 形成導電性披膜77b之後,形成光阻劑遮罩78b,施予配 線材料79b之鍍層。 以下,係藉由和第8實施形態說明之圖25〜27之工 程同樣的工程,製作如圖3 2所示第9實施形態之探針片 構造體1 0 5 b。
(第1 〇實施形態) 以下參照圖33〜35說明第10實施形態之探針片之製 造方法。圖3 3〜3 5爲本發明第1 〇實施形態之探針片形成 時之製造過程之工程順序圖。 第1 〇實施形態之探針片5,係使由單支撐樑構造之柱 部引出的引出配線以一層形成,使聚醯亞胺之保護膜形成 於單支撐樑構造之接觸端子形成面者。圖33〜35圖示無 硏磨工程之情況,但必要時可導入硏磨工程。 首先,如圖33所示工程被執行。於該工程,係藉由 和第8實施形態說明之圖16〜19之工程同樣的工程,形 成接觸端子部4a之後,除去光阻劑遮罩67或乾薄膜,形 成聚醯亞胺膜68c。之後’於聚醯亞胺膜68c之表面形成 鋁遮罩70b,使樑部28c上被形成之配線材料與樑部28c 之連接位置上之聚醯亞胺膜68c被蝕刻除去,直至到達樑 部28b之表面。 之後,圖3 4所示工程被執行。於該工程,係除去鋁 遮罩70b之後,以鍍層71b塡充引出配線連接用孔,另外 -45- 200937022 形成導電性披膜72c。之後,形成阻劑遮罩之後施予配線 材料74c之鍍層。之後,除去光阻劑遮罩,形成聚醯亞胺 膜75c,於聚醯亞胺膜75c黏接黏接層8 1c及金屬膜82c ,於該金屬膜82c之上形成所要圖案之形成用光阻劑遮罩 8 3c ° 以下,係藉由和第8實施形態說明之圖26〜28之工 程同樣的工程,如圖3 5所示,爲了配線間短路或配線面 〇 之保護,必要時將聚醯亞胺之保護膜31(參照第3實施形 態及圖8 )形成於單支撐樑構造之接觸端子形成面,組裝 探針片構造體1 〇5c,製作如圖8所示探針卡。 又,爲達成高速傳送信號之穩定化,如圖8所示,必 要時可於接地用引出配線1 6與電源用引出配線1 6之間配 置、搭載電容器23。 (第1 1實施形態)
以下參照圖36〜37說明第11實施形態之探針片之製 造方法。圖3 6〜3 7爲本發明第1 1實施形態之探針片形成 時之製造過程之工程順序圖。 第11實施形態,係在柱部(單支撐樑之基座之增大 部)29與引出配線之間,考慮到樑部彎曲引起之應力施加 ,爲了補強而將和柱部29連接之配線材料(引出配線1 6 )設爲例如銅與鎳之二層構造的補強例。柱部2 9與配線 材料間之連接部的補強,如圖36及37所示’可爲配線材 料全體之補強,或一部分補強。 -46 - 200937022 首先,如圖3 6所示,藉由和第8實施形態說明之圖 16〜21之工程同樣的工程之後,於圖22之工程階段,使 配線材料74之部分設爲銅74d與鎳74e之鏟層之二層構 造。 之後’藉由和第8實施形態說明之圖23〜27之工程 同樣的工程’製作如圖37所示探針片構造體105d。 又’補強材料,可使用鎳合金或鈀(Pd)合金等之合 〇金材料,或鎢等之金屬材料。 (第1 2實施形態) 以下參照圖38〜43說明第12實施形態之探針片構造 體之製造方法,其和第8實施形態之探針片構造體1 05之 製造工程有若干差異。 圖3 8〜43爲本發明第1 2實施形態之探針片形成時之 製造過程之工程順序圖。
製造方法之基本,係依據第8實施形態說明之圖1 6〜 28之製造方法,但設爲聚醯亞胺膜65、65c之2層犧牲層 ’增加接觸端子部4a之高度,蝕刻除去聚醯亞胺膜65、 65c、68、69時,以樑部28之金屬材料爲遮罩,使樑部 28背面之聚醯亞胺膜殘留而予以製造之例。又,必要時可 依據規格省略聚醯亞胺膜65c之犧牲層,省略硏磨工程, 除去樑部28背面之聚醯亞胺膜69。 首先’如圖38所示工程被執行。於該工程,係藉由 和第8實施形態說明之圖1 6〜1 8之工程同樣的工程形成 -47- 200937022 接觸端子部4a之後,於聚醯亞胺膜65形成光阻劑遮罩64 ,以導電性披膜63作爲供電層,以高硬度材料爲主成份 施予電鍍形成第2層金屬材料4f,使連接電極部4b與接 觸端子部4a成爲一體而形成。又,光阻劑遮罩64可爲液 狀阻劑或薄膜狀阻劑(乾薄膜,dry film )。第2層金屬 材料4f,可使用例如鎳鍍層。 之後,圖39所不工程被執行。於該工程,係除去光 〇 阻劑遮罩64之後,覆蓋連接電極部4b而形成聚醯亞胺膜 65c,進行聚醯亞胺膜65c之平坦性硏磨以使連接電極部 4b之表面由聚醯亞胺膜65c露出。聚醯亞胺膜65c之表面 及連接電極部4b之表面硏磨可爲例如CMP或使用硏磨片 之硏磨加工。 之後’圖40所示工程被執行。於該工程,係藉由和 第8實施形態說明之圖1 9之工程同樣的工程,於聚醯亞 胺膜6 5 c上形成導電性披膜6 6,形成光阻劑遮罩6 7之後 〇 ,施予鍍層形成樑部28者。 之後,圖41所示工程被執行。於該工程,係藉由和 第8實施形態說明之圖20〜24之工程同樣的工程,除去光 阻劑遮罩7 8之後,以配線材料7 9爲遮罩軟蝕刻除去導電 性披膜77。之後,形成聚醯亞胺膜80,於該聚醯亞胺膜 8〇上形成導電性披膜90,形成所要周邊圖案形成用的光 阻劑遮罩9 1。光阻劑遮罩9丨,係可爲液狀阻劑或薄膜狀 阻劑(乾薄膜,dry film)。 之後,如圖42所TfC工程被執行。於該工程,係以導 -48- 200937022 電性披膜90作爲供電層施予電鍍形成金屬膜14之圖案 除去光阻劑遮罩91之後,以金屬膜14之圖案爲遮罩進 軟蝕刻除去導電性披膜90。之後,作爲次一工程之前處 ’以保護薄膜覆蓋形成有金屬膜14之圖案的聚醯亞胺 80之面’於相反側之面,以中央被挖掉的保護薄膜爲遮 ’藉由氟酸與氟化銨之混合液鈾刻除去由矽蝕刻用保護 具之蓋部l〇〇b(參照圖27)露出之區域的二氧化矽膜 〇 。之後,剝離該保護薄膜,在形成有接觸端子4群的區 對應之聚醯亞胺膜80,以黏接構件84使緊固用基板6 黏接固定,以黏接構件86使矽蝕刻用保持環85被黏接 聚醯亞胺膜8 0。 導電性披膜90,可藉由濺鍍法或蒸鍍法形成例如 (鉻),而形成膜厚約〇· Ιμπι之Cr膜,在形成有該Cr 的表面藉由濺鍍法或蒸鍍法形成銅,而形成膜厚約Ιμιη 銅膜即可。又,金屬膜14可使用例如鎳鑛層或銅鍍層 〇予以形成。 之後,藉由和第8實施形態說明之圖27〜28之工 同樣的工程,製作如圖43所示第1 2實施形態之探針片 造體1 05e。 第1 2實施形態之中說明,以樑部2 8之金屬材料爲 罩,使樑部28背面之聚醯亞胺膜殘留而蝕刻除去聚醯 胺膜65、65c、68、69之例。但彼等聚醯亞胺膜之除去 可使用例如乾蝕刻或雷射加工。其中,藉由使聚醯亞胺 之一部分殘留而可以確保單支撐樑構造之接觸端子之強 行 理 膜 罩 治 62 域 被 於 Cr 膜 之 等 程 禅 稱 遮 亞 亦 膜 度 -49- 200937022 及彈性係數。又,亦可使柱部29完全露出而除去 胺膜。 又,於圖38〜43之製造過程,說明作爲探針 之金屬膜14之圖案材料係使用鍍層材料,在形成 端子4群的區域對應之聚醯亞胺膜80,以黏接構例 緊固用基板6被黏接固定之例。但亦可使用第1實 說明之圖16〜28之黏接層81及金屬膜82。 〇 (第1 3實施形態) 以下參照圖44〜4 5說明第1 3實施形態之探針 體之製造方法,其和第8實施形態之探針片構造體 製造工程有若干差異。 圖44〜45爲本發明第1 3實施形態之探針片形 製造過程之工程順序圖。 製造方法之基本,係依據第8實施形態說明之| © 28之製造方法與第12實施形態說明之圖38〜43之 法,但設爲僅蝕刻除去聚醯亞胺膜65、65c,使其 亞胺膜殘留而予以製造之例。又,必要時可依據規 聚醯亞胺膜65c之犧牲層,省略硏磨工程。 首先,如圖44所示工程被執行。於該工程, 和第12實施形態說明之圖38〜40之工程同樣的工 去光阻劑遮罩6 7之後,殘留導電性披膜6 6之狀態 連接電極部4b而形成聚醯亞胺膜6 8,進行平坦性 使連接電極部4b之表面由聚醯亞胺膜68露出。聚 聚醯亞 片周邊 有接觸 .84使 施形態 片構造 105之 成時之 圓1 6〜 製造方 他聚醯 格省略 係藉由 程,除 下覆蓋 硏磨以 醯亞胺 -50- 200937022 膜68之表面及連接電極部4b之表面硏磨可爲例如CMP 或使用硏磨片之硏磨加工° 之後,圖45所示工程被執行。於該工程,係藉由和 第12實施形態說明之圖41〜42之工程同樣的工程,製作 如圖45所示探針片構造體105f。 第1 3實施形態之中說明,僅蝕刻除去聚醯亞胺膜65 、65c之例。彼等聚醯亞胺膜之除去亦可使用例如乾蝕刻 Q 、鹼性溶液蝕刻、雷射加工或氧電漿蝕刻等手段。其中’ 藉由使聚醯亞胺膜68、69殘留而可以確保單支撐樑構造 之接觸端子之強度及彈性係數。 (第1 4實施形態) 以下參照圖45〜49說明第14實施形態之探針片構造 體之製造方法,其和第8實施形態之探針片構造體1〇5之 製造工程有若干差異。 〇 圖46〜49爲本發明第14實施形態之探針片形成時之 製造過程之工程順序圖。 製造方法之基本,係依據第8實施形態說明之圖1 6〜 28之製造方法,但於圖18之聚醯亞胺膜65之下部另形成 金屬層92 ’以金屬層92設爲犧牲層,增加接觸端子部4a 之局度’而除去金屬層92及聚醯亞胺膜65、68、69之製 造方法之例。又,必要時可依據規格省略硏磨工程,以樑 部28之金屬材料爲遮罩而殘留樑部28背面之聚醯亞胺膜 69 ° -51 - 200937022 首先,如圖46所示工程被執行。於該工程,係藉由 和第8實施形態說明之圖1 6之工程同樣的工程形成孔60a 〇 之後,藉由氟酸與氟化銨之混合液蝕刻除去作爲遮罩 使用的二氧化矽膜61,再度藉由溼氧中之熱氧化,於矽晶 圓60之全面形成約〇·5μηι之二氧化砂膜62。之後,於該 二氧化矽膜62之表面形成導電性披膜63。之後’於該導 0 電性披膜63之表面形成光阻劑遮罩64b ’用以形成接觸端 子4部及形成周邊電極11。 之後,以該光阻劑遮罩64b爲遮罩,於該導電性披膜 63進行電鍍金屬材料,形成金屬層92(犧牲層)。金屬 層92 (犧牲層)之金屬材料,可使用對接觸端子材料具有 選擇性蝕刻(具有蝕刻選擇比)的金屬作爲犧牲層。例如 於後續工程形成之接觸端子部4a,形成由铑(Rh ) 4d及 鎳4e構成之接觸端子(參照圖48)時,可使用對鎳及鍺 0 具有選擇性鈾刻的銅作爲犧牲層。光阻劑遮罩64b可爲液 狀阻劑或薄膜狀阻劑(乾薄膜,dry film )。 之後,圖47所示工程被執行。於該工程,係除去光 阻劑遮罩64b之後,形成光阻劑。形成光阻劑遮罩64c用 於除去接觸端子部4a之形成部分及周邊電極11之形成部 分用的光阻劑。光阻劑遮罩64c可爲液狀阻劑或薄膜狀阻 劑(乾薄膜,dry film)。 之後,圖48所示工程被執行。於該工程,係以該光 阻劑遮罩64c爲遮罩,以導電性披膜63作爲供電層,以 -52- 200937022 高硬度材料爲主成份施予電鎪,使連接電極部4b與接 端子4成爲一體而形成。又,此時,和接觸端子4同樣 造之周邊電極11亦被形成。對高硬度鑛層材料例如鎳 、铑(Rh) 4d及鎳4e依序施予鏟層,而使連接電極部 與接觸端子4成爲一體而形成接觸端子部4a即可。 之後,圖49所示工程被執行。於該工程,係藉由 第8實施形態說明之圖18〜24及圖25〜27之工程同樣 0 工程,製作如圖49所示第14實施形態之探針片構造 1 05g ° 又,於圖47之中說明之例爲,形成圖案用以除去 成接觸端子部4a之部分及形成周邊電極11之部分用的 阻劑,但使光阻劑遮罩64b殘留狀態下,於光阻劑遮 64b及金屬層92之表面形成光阻劑遮罩64c,例如必要 形成鋁遮罩後,使用乾蝕刻或雷射加工,除去形成所要 觸端子部4a之部分及形成周邊電極11之部分用的光阻 Q 遮罩64c及光阻劑遮罩64b亦可。 又,於圖47,除去光阻劑遮罩64b之後,形成聚醯 胺膜6 5,例如必要時形成鋁遮罩後,使用乾蝕刻或雷射 工’除去所要接觸端子部4a之形成部分及周邊電極11 形成部分用的聚醯亞胺膜65亦可。 又,於圖46〜49之製造過程,說明使用黏接層81 金屬膜82之例,但於第1 4實施形態,亦可省略黏接層 及金屬膜82,使用鍍層材料作爲探針片周邊之金屬膜 之圖案材料。 觸 構 4 c 4b 和 的 體 形 光 罩 時 接 劑 亞 加 之 及 8 1 14 -53- 200937022 (第1 5實施形態) 以下參照圖50說明使用第1〜14實施形態之探針卡 (探測裝置)的半導體檢測裝置。 圖5 0爲本發明第1 5實施形態之包含半導體檢測裝置 的檢測系統之全體構成圖,表示藉由單支撐樑構造之接觸 端子4將所要之接觸荷重施加於晶圓1之各個電極3面, 0 實施電器特性檢測的試驗裝置。 於圖50所示狀態,彈簧內藏型導銷9a (亦可使用板 彈簧26(未圖示)),係藉由吸收探針卡27之接觸端子 4群之前端面與晶圓1之電極3面呈現從動前之荷重,及 其後之過驅動引起之荷重增加而被保持於低荷重。於此狀 態,各個單支撐樑構造之壓接力(荷重)被施加於單支撐 樑構造之前端所形成之接觸端子4,經由和晶圓i之電極 3接觸的接觸端子4、引出配線16 (例如配線材料74、79 Q )、周邊電極11、多層配線基板1〇之電極15、內部配線 10b、及電極10c’在其和半導體元件之電氣特性檢測用的 測試器(t e s t e r ) 1 7 0之間,進行檢測用電氣信號的收/送 〇 於檢測系統之全體構成中’探針卡2 7構成爲晶圓探 測器(wafer prober )。該檢測系統由以下構成:試料支 撐系160,用於支撐被檢測對象之晶圓1;探針卡27,其 和被檢測對象(晶圓1)之電極3接觸而進行電氣信號之 處理;驅動控制系1 50,用於控制試料支撐系丨6〇之動作 -54- 200937022 ;溫度控制系1 40,用於控制被檢測對象之溫度;及測試 器1 7 0,進行半導體元件(晶片)2之電氣特性檢測。於 晶圓1配列多數半導體元件(晶片)2,於個半導體元件2 之表面配列多數電極3作爲外部連接電極。試料支撐系 160由以下構成:試料台162,可自由拆裝地載置晶圓i, 設於大略水平;升降軸164,支撐該試料台162而配置於 垂直;升降驅動部165,進行升降軸164之升降驅動;及 Q X-Y平台167,支撐升降驅動部165。X-Y平台167被固 定於框體166。升降驅動部165由例如步進馬達等構成。 試料台162之水平方向及垂直方向之定位動作,係組合 X-Y平台167之水平面內之移動動作,與升降驅動部165 產生之上下移動而進行。又,於試料台162設有旋動機構 (未圖示),使水平面內之試料台162之旋動變位成爲可 tb 。 於試料台162上方配置探針系(探針卡27)。亦即, Q 於第1實施形態之圖2所示探針卡27及多層配線基板10 ,係試料台162呈平行對向姿勢設置。各個接觸端子4, 係介由探針卡27之探針片5上設置的引出配線16(參照 圖2、3)及周邊電極11,經由多層配線基板10之電極15 及內部配線1 〇 b,電連接於多層配線基板1 〇上設置的電極 10c,介由電極10c連接之排線171電連接於測試器17〇。 驅動控制系1 5 0,係介由排線1 7 2電連接於測試器 170。又,驅動控制系150 ’係對試料支撐系160之各驅動 部之傳動器送出控制信號,控制其動作。亦即,驅動控制 -55- 200937022 系150’係於內部具備電腦,配合介由排線172被傳送之 測試器1 70之測試動作之進行資訊,控制試料支撐系1 6〇 之動作。又,驅動控制系150 ’係具備操作部151,受理 驅動控制相關之各種指示之輸入,例如受理手動操作之指 示。 於試料台162具備加熱器141用於加熱半導體元件2 。溫度控制系1 4 0,係藉由控制試料台1 6 2之加熱器1 4 j 〇 或冷卻治具’而控制試料台1 62搭載之晶圓1之溫度。溫 度控制系1 40 ’係具備操作部1 5 1,用於受理溫度控制相 關之各種指示之輸入,例如受理手動操作之指示。其中, 使設於探針片5或探針卡27之一部分之可溫度控制的發 熱體與試料台162之加熱器141連動而進行溫度控制亦可 〇 以下說明半導體檢測裝置之動作。首先,被檢測對象 (晶圓1 ) ’係被定位、載置於試料台1 62上,驅動控制 © X-Y平台167及旋動機構’使晶圓1上配列之多數個半導 體元件2上被形成之電極3群,被定位於探針卡27上並 設之多數個接觸端子4群之正下方。之後,驅動控制系 150’使升降驅動部165動作,自被接觸構件之多數電極3 全體之面接觸於接觸端子前端之時點起至成爲大約1〇〜 1 ΟΟμηι上推狀態爲止使試料台丨62上升,於探針片$必要 時實施雙螺栓19或縫隙之微調整,使被確保於初期高精 確度平坦度的單支撐樑構造之前端上被形成的各個接觸端 子4群中之各個前端’藉由多數個彈簧內藏型導銷9a或 -56- 200937022 板彈簧26之平行伸出機構(壓接機構),以和半導體元 件2上被配列之多數電極3群(全體)之面從動的方式模 擬平行伸出,之後,藉由各個單支撐樑構造之彎曲產生之 荷重來模擬晶圓1上被配列之各個被接觸構件(電極3) ,而依據均勻之荷重(1銷(pin)相當於約3〜150mN) 進行按壓接觸,使各接觸端子4與各電極3之間以低電阻 (0.01 Ω〜0.1 Ω )被電連接。 0 此情況下之初期押壓時,藉由彈簧內藏型導銷9a (或 板彈簧26),在接觸端子4群被形成區域之接觸端子4側 的相反側之面被螺固的緊固用基板6會產生傾斜移動,該 緊固用基板6之相反側之面的接觸端子4群之前端面,將 進行模擬而以從動於半導體元件2之電極3群之面的方式 被平行伸出,藉由各個單支撐樑構造之彎曲所產生接觸壓 ,而進行接觸端子4之按壓接觸。 介由排線1 7 1、多層配線基板1 〇及接觸端子4,在形 Q 成於晶圓1的半導體元件2與測試器1 70之間,進行動作 電流或動作檢測信號之處理,判斷該半導體元件2之動作 特性可否。另外,上述一連串檢測動作係針對形成於晶圓 1的多數半導體元件2之各個進行,而判斷動作特性之可 否。 (第1 6實施形態) 以下參照圖51說明半導體裝置之製造方法之一例, 其包含使用第1 5實施形態之半導體檢測裝置進行檢測的 -57- 200937022 檢測工程或檢測方法。 (1) 本發明第16實施形態之半導體裝置之製造方法 ,係具有以下工程:於晶圓1作成電路而形成半導體裝置 的工程(半導體元件電路形成);藉由第15實施形態說 明之半導體檢測裝置,以晶圓級(wafer level )整批檢測 多數半導體裝置之電氣特性的工程(晶圓檢測);切斷晶 圓1,分離成爲各個半導體元件2的工程(切割):及以 0 樹脂等封裝半導體元件2的工程(組裝及封裝)。之後, 經由預燒(burn-in )、篩選檢測及外觀檢測而作爲晶片封 裝品予以出廠。 (2) 本發明第16實施形態之半導體裝置之製造方法 ,係具有以下工程:於晶圓1作成電路而形成半導體元件 的工程(半導體元件電路形成);藉由第15實施形態說 明之半導體檢測裝置,以晶圓級整批檢測多數半導體元件 之電氣特性的工程(晶圓檢測):及切斷晶圓1,分離成 Q 爲各個半導體元件2的工程(切割)。之後,經由晶片檢 測用插座安裝、預燒、篩選檢測、由插座取出及外觀檢測 而作爲裸晶片出廠品予以出廠。 (3) 本發明第16實施形態之半導體裝置之製造方法 ,係具有以下工程:於晶圓1作成電路而形成半導體裝置 的工程(半導體元件電路形成):及藉由第1 5實施形態 說明之半導體檢測裝置,以晶圓級整批檢測多數半導體裝 置之電氣特性的工程(晶圓檢測)。之後,經由預燒、篩 選檢測及外觀檢測而作爲全晶圓(full wafer )出廠品予以 -58- 200937022 出廠。於該預燒及篩選檢測,係藉由第15實施形態說明 之半導體檢測裝置進行檢測》 (4) 本發明第16實施形態之半導體裝置之製造方法 ’係具有以下工程:於晶圓1作成電路而形成半導體裝置 的工程(半導體元件電路形成);及藉由第i 5實施形態 說明之半導體檢測裝置,以晶圓級整批檢測多數半導體裝 置之電氣特性的工程(晶圓檢測)。之後,經由預燒及外 0 觀檢測’切斷晶圓1,分離成爲各個半導體元件2的工程 (切割),及經由外觀檢測而作爲裸晶片出廠品予以出廠 。於該預燒及篩選檢測,係藉由第1 5實施形態說明之半 導體檢測裝置進行檢測。 (5) 本發明第16實施形態之半導體裝置之製造方法 ’係具有以下工程:於晶圓1作成電路而形成半導體裝置 的工程(半導體元件電路形成):分割晶圓1的工程(晶 圓分割);及藉由第1 5實施形態說明之半導體檢測裝置 〇 ,以分割而成之晶圓級整批檢測多數半導體裝置之電氣特 性的工程(分割晶圓檢測)。之後,經由預燒、篩選檢測 及外觀檢測而作爲分割晶圓出廠品予以出廠。 (6) 本發明第16實施形態之半導體裝置之製造方法 ,係具有以下工程··於晶圓1作成電路而形成半導體裝置 的工程(半導體元件電路形成):分割晶圓1的工程(晶 圓分割):及藉由第15實施形態說明之半導體檢測裝置 ,以分割而成之晶圓級整批檢測多數半導體裝置之電氣特 性的工程(分割晶圓檢測)。之後,經由預燒、篩選檢測 -59- 200937022 、切斷分割之晶圓而分離成爲各個半導體元件的工程(切 割)及外觀檢測,而作爲裸晶片出廠品予以出廠。於該預 燒及篩選檢測,係藉由第1 5實施形態說明之半導體檢測 裝置進行檢測。 (7) 本發明第16實施形態之半導體裝置之製造方法 ,係具有以下工程:於晶圓1作成電路而形成半導體裝置 的工程(半導體元件電路形成);於晶圓1形成樹脂層等 0 的工程(樹脂層形成);及藉由第15實施形態說明之半 導體檢測裝置,整批檢測形成有樹脂層等的晶圓1上被形 成之多數半導體元件2之電氣特性的工程(晶圓檢測)。 之後,經由預燒、篩選檢測、切斷晶圓1分離成爲各個半 導體元件2的工程(切割)、及外觀檢測’而作爲CSP出 廠品予以出廠。於該預燒及篩選檢測,係藉由第1 5實施 形態說明之半導體檢測裝置進行檢測。 (8) 本發明第16實施形態之半導體裝置之製造方法 ❹ ,係具有以下工程:於晶圓1作成電路而形成半導體裝置 的工程(半導體元件電路形成);於晶圓1形成樹脂層等 的工程(樹脂層形成):及藉由第1 5實施形態說明之半 導體檢測裝置,整批檢測形成有樹脂層等的晶圓1上被形 成之多數半導體元件2之電氣特性的工程(晶圓檢測)。 之後,經由預燒、篩選檢測及外觀檢測,而作爲CSP出廠 品予以出廠。於該預燒及篩選檢測,係藉由第1 5實施形 態說明之半導體檢測裝置進行檢測。 (9 )本發明第1 6實施形態之半導體裝置之製造方法 -60- 200937022 ,係具有以下工程:於晶圓1作成電路而形成半導體裝置 的工程(半導體元件電路形成);於晶圓1形成樹脂層等 的工程(樹脂層形成);分割形成有樹脂層等的晶圓1的 工程(晶圓分割):及藉由第1 5實施形態說明之半導體 檢測裝置,以分割而成之晶圓級整批檢測多數半導體裝置 之電氣特性的工程(分割晶圓檢測)。之後,經由預燒、 篩選檢測及外觀檢測,而作爲分割晶圓CSP出廠品予以出 〇 廠。於該預燒及篩選檢測,係藉由第15實施形態說明之 半導體檢測裝置進行檢測。 (10)本發明第16實施形態之半導體裝置之製造方 法,係具有以下工程:於晶圓1作成電路而形成半導體裝 置的工程(半導體元件電路形成);於晶圓1形成樹脂層 等的工程(樹脂層形成);分割形成有樹脂層等的晶圓1 的工程(晶圓分割):及藉由第1 5實施形態說明之半導 體檢測裝置,以分割而成之晶圓級整批檢測多數半導體裝 〇 置之電氣特性的工程(分割晶圓檢測)。之後,經由預燒 、篩選檢測、切斷晶圓分離成爲各個半導體元件的工程( 切割)、及外觀檢測,而作爲C S P出廠品予以出廠。於該 預燒及篩選檢測,係藉由第1 5實施形態說明之半導體檢 測裝置進行檢測。 於上述半導體裝置之製造方法’於檢測半導體元件2 之電氣特性的工程中,係藉由使用第1〜1 3實施形態說明 之探針片構造體,因此可以實現以低荷重之數1 0mN以下 之押壓力,具有高精確度之接觸端子4之前端位置精確度 -61 - 200937022 ,具有穩定之接觸電阻値及良好之傳送特性的檢測。 亦即,上述實施形態說明之探針卡,係具備:以角錐 形狀或角錐梯形狀,將位置精確度良好之單支撐樑構造之 接觸端子、引出配線、周邊電極及聚酿亞胺膜(絕緣薄片 )一體形成於矽基板上,使作爲板模之該矽基板及特定之 聚醯亞胺膜分別依序被蝕刻除去而整批形成的探針片;使 形成有接觸端子的區域上被緊固之緊固用基板6構成微可 0 傾斜移動者。依據此探針卡,即使是被形成有數ΙΟμιη程 度以下之窄間距且多腳位(銷(pin ))的單支撐樑構造 之接觸端子的探針片,亦可以容易整批形成,使用微影成 像技術可使薄膜配線多層化之電氣信號特性之設計及製作 變爲容易。因此,不僅能實現窄間距且多腳位之檢測用, 亦能實現具有阻抗匹配之高速傳送用電路之探針卡。另外 ,使和被檢測對象具有大約相同程度之線性膨脹係數的金 屬片及緊固用基板,直接緊固於形成有接觸端子之區域而 €) 構成,如此則,可實現接觸端子之前端位置精確度於廣溫 度範圍內良好的探針卡。 又,上述實施形態說明之探針卡具備:角錐形狀或角 錐梯形狀之接觸端子,以良好之位置精確度配置於前端而 成的單支撐樑構造被整批形成的探針片,將該探針片和該 探針卡背面之緊固用基板及組裝用基材一體形成,藉由彈 簧內藏型導銷或板彈簧實現傾斜移動動作,藉由單支撐樑 構造來實現各個接觸端子之所要之押壓荷重,如此則’可 實現低荷重、接觸電阻値之穩定性良好、接觸端子群之位 -62- 200937022 置精確度與組裝性良好的探針卡。 又,上述實施形態說明之探針卡,係藉由組合多數個 區塊(block )構造之探針而使用於半導體檢測,該區塊 係包圍形成有單支撐樑構造接觸端子之區域的探針片之相 反面上被緊固的緊固用基板者;因此,可以簡單構成實現 多數晶片之同時檢測用探針卡或全晶圓檢測用之晶圓卡匣 (wafer cassette ) ° 0 以上依據實施形態具體說明本發明,但是本發明並不 限定於上述實施形態,在不脫離其要旨之情況下可做各種 變更實施。 例如上述實施形態中說明之例爲,將使用圖1 6〜28 之工程製造的探針片,組合於具有如圖2所示構成之探針 片構造體,但亦可將圖29〜49之工程製造的探針片,自 由組合於如圖7〜1 5所示構成之探針片構造體予以使用。 〇 (發明效果) 本發明之代表性效果簡單說明如下。 本發明之探針卡及其製造方法,係具備將角錐形狀或 角錐梯形狀及位置精確度良好之單支撐樑構造之接觸端子 、引出配線、周邊電極及絕緣薄片整批形成而成探針片, 使在形成有該接觸端子的區域被緊固的緊固用基板構成爲 可傾斜移動;因此,和形成有半球形狀鍍層凸塊的薄膜( membrane)、或者將接觸端子形成樑部與陶瓷多層配線基 板焊接後,藉由蝕刻液剝離其之犧牲基板而形成的單支撑 -63- 200937022 樑之形成方法比較,可達成以下效果: (1 )即使是形成有數1 〇μιη以下之窄間距、多腳位的 單支撐樑構造之接觸端子的探針片,亦可以容易整批形成 接觸端子群,配線多層化引起之電氣信號特性之設計及製 作變爲容易。因此,不僅能實現窄間距且多腳位之檢測用 ,亦能實現具有阻抗匹配之高速傳送用電路之探針卡。 (2 )使具有和被檢測對象大約相同程度之線性膨脹 0 係數的金屬片及緊固用基板,直接緊固於形成有接觸端子 之區域而構成,如此則,可於廣溫度範圍內實現接觸端子 之前端位置精確度良好的探針卡 (3)使整批形成有角錐形狀或角錐梯形狀接觸端子 而成的探針片,和組裝用基材以一體、整批方式形成,兼 顧單支撐樑構造之接觸端子之個別的押壓動作與傾斜移動 兩者,如此則,即使大面積之被檢測對象亦可實現低荷重 之接觸、且良好、穩定之接觸電阻値,可實現接觸端子之 〇 前端位置精確度及良好組裝性之探針卡。 又,本發明之探針卡,係藉由組合多數個區塊構造之 探針而使用於半導體檢測,該區塊係包圍在形成有單支撐 樑構造接觸端子之區域的探針片之相反面上被緊固的緊固 用基板者;因此,可以簡單構成實現多數晶片之同時檢測 用探針卡或全晶圓檢測用之晶圓卡匣(wafer cassette)。 【圖式簡單說明】 圖1爲半導體元件(晶片)被配列而成之被檢測對象 -64 - 200937022 、亦即晶圓’與其之一部分、亦即半導體元件(晶片)的 斜視圖。 圖2爲本發明第1實施形態之探針卡之重要部分斷面 圖。 圖3爲圖2之探針卡之主要元件分解圖示的斜視圖。 圖4爲圖2之探針卡之主要元件分解圖示的組裝斷面 圖。 0 圖5爲圖2之探針卡之主要元件、亦即導銷之重要部 分斷面圖。 圖6爲本發明第1實施形態之探針卡之接觸端子群附 近擴大的重要部分斷面圖。 圖7爲本發明第2實施形態之探針卡之重要部分斷面 圖。 圖8爲本發明第3實施形態之探針卡之重要部分斷面 圖。 〇 圖9爲本發明第4實施形態之探針卡之重要部分斷面 圖。 圖10(a)爲本發明第4實施形態之探針卡之構成要 素、亦即1個區塊(block)之斷面槪略圖,(b)及(c) 爲(a)所示區塊之構成斜視圖。 圖1 1 ( a )及(b )爲本發明第5實施形態之探針卡之 重要部分斷面圖。 圖12爲本發明第6實施形態之探針卡之重要部分斷 面圖。 -65- 200937022 圖13爲本發明第6實施形態之探針卡之構成要素、 亦即1個區塊上被安裝的探針片之展開圖。 圖14爲本發明第6實施形態之探針卡之構成要素、 亦即1個區塊對多層配線基板之安裝例的重要部分斜視圖 〇 圖15爲本發明第7實施形態之探針卡之重要部分斷 面圖。 0 圖1 6爲本發明第8實施形態之探針卡中之探針片( 探針片構造體)部分被形成時之製造過程之一部分之重要 部分斷面圖。 圖17爲接續圖16之探針片部分之製造過程之一部分 之重要部分斷面圖。 圖18爲接續圖17之探針片部分之製造過程之一部分 之重要部分斷面圖。 圖19爲接續圖18之探針片部分之製造過程之一部分 〇之重要部分斷面圖。 圖20爲接續圖19之探針片部分之製造過程之一部分 之重要部分斷面圖。 圖21爲接續圖20之探針片部分之製造過程之一部分 之重要部分斷面圖。 圖22爲接續圖21之探針片部分之製造過程之一部分 之重要部分斷面圖。 圖23爲接續圖22之探針片部分之製造過程之一部分 之重要部分斷面圖。 -66- 200937022 圖24爲接續圖23之探針片部分之製造過程之一部分 之重要部分斷面圖。 圖25爲接續圖24之探針片部分之製造過程之一部分 之重要部分斷面圖。 圖26爲接續圖25之探針片部分之製造過程之一部分 之重要部分斷面圖。 圖27爲接續圖26之探針片部分之製造過程之一部分 0 之重要部分斷面圖。 圖28爲接續圖27之探針片部分之製造過程之一部分 之重要部分斷面圖。 圖29爲本發明第9實施形態之探針卡中之探針片( 探針片構造體)部分被形成時之製造過程之一部分之重要 部分斷面圖。 圖30爲接續圖29之探針片部分之製造過程之一部分 之重要部分斷面圖。 〇 圖31爲接續圖30之探針片部分之製造過程之一部分 之重要部分斷面圖。 圖32爲接續圖31之探針片部分之製造過程之一部分 之重要部分斷面圖。 圖33爲本發明第10實施形態之探針卡中之探針片( 探針片構造體)部分被形成時之製造過程之一部分之重要 部分斷面圖。 圖34爲接續圖33之探針片部分之製造過程之一部分 之重要部分斷面圖。 -67- 200937022 圖35爲接續圖34之探針片部分之製造過程之一部分 之重要部分斷面圖。 圖36爲本發明第11實施形態之探針卡中之探針片( 探針片構造體)部分被形成時之製造過程之一部分之重要 部分斷面圖。 圖37爲接續圖36之探針片部分之製造過程之一部分 之重要部分斷面圖。 0 圖38爲本發明第12實施形態之探針卡中之探針片( 探針片構造體)部分被形成時之製造過程之一部分之重要 部分斷面圖。 圖39爲接續圖38之探針片部分之製造過程之一部分 之重要部分斷面圖。 圖40爲接續圖39之探針片部分之製造過程之一部分 之重要部分斷面圖。 圖41爲接續圖40之探針片部分之製造過程之一部分 〇之重要部分斷面圖。 圖42爲接續圖41之探針片部分之製造過程之一部分 之重要部分斷面圖。 圖43爲接續圖42之探針片部分之製造過程之一部分 之重要部分斷面圖。 圖44爲本發明第13實施形態之探針卡中之探針片( 探針片構造體)部分被形成時之製造過程之一部分之重要 部分斷面圖。 圖45爲接續圖44之探針片部分之製造過程之一部分 -68- 200937022 之重要部分斷面圖。 圖46爲本發明第14實施形態之探針卡中之探針片( 探針片構造體)部分被形成時之製造過程之一部分之重要 部分斷面圖。 圖47爲接續圖46之探針片部分之製造過程之一部分 之重要部分斷面圖。 圖48爲接續圖47之探針片部分之製造過程之一部分 0 之重要部分斷面圖。 圖49爲接續圖48之探針片部分之製造過程之一部分 之重要部分斷面圖。 圖50爲本發明第15實施形態之檢測系統之一例之全 體槪略構成圖。 圖51爲半導體裝置之檢測工程之工程圖。 圖52爲習知使用鍍層凸塊的半導體元件檢測裝置之 重要部分斷面圖》 © 圖53爲圖52之鍍層凸塊部分之斜視圖。 圖54爲使用形成有四角錐狀接觸端子的習知探針片 之半導體元件檢測裝置之重要部分斷面圖。 圖55爲藉由微影成像技術形成之彈簧接觸要素之製 造工程之中途階段之模式圖斷面圖。 圖56爲在半導體元件之檢測用電極部正下方形成主 動電路元件或多層微細配線的構造說明之重要部分斷面圖 -69- 200937022 【主要元件符號說明】 1 :晶圓 2 :半導體元件 3 :電極 4 :接觸端子 4a :接觸端子部 4b :連接電極部
4d :铑(Rh) 4e :鎳 5 :探針片 6 :緊固用基板 7 :中間板 8 :支撐構件 9 :導銷 〇 9a :彈簧內藏型導銷 9b :定位專用導銷 1 0 :多層配線基板 1 1 :周邊電極 12:周邊電極固定板 14 :金屬膜 12a、14a、17a :頂件銷用孔 12b、14b、17b :螺栓插入用孔 1 5 :電極 -70- 200937022 16A :接地用引出配線 16B:電源用引出配線 1 7 :周邊按壓板 1 8 :緩衝構件 19 :雙螺栓 19a、19b:螺栓 20 :間隔件 ❹ 21 :上板 2 3 :晶片電容器 24 :金屬膜 26 :板彈簧 2 7 :探針卡 2 8 :樑部 2 9 :柱部 32、32b :區塊 〇 3 3 :緊固用基板 3 3 s :緊固位置 34 :緩衝件 3 6 :間隔件 3 7 :上檔板 3 8 :緩衝件 3 5 :固定螺栓 39、39b:晶圓搭載台 40a : Ο型環 -71 - 200937022 40b : Ο型環 4 0 c : Ο型環 4 1 b :下基板 4 1 c :中基板 42 :晶圓搭載膜 43 :區塊吊板 4 3 s :緊固位置 〇 44:緊固用基板正上方片檔板 44s :緊固位置 45 :基板下面片檔板 45s :緊固位置 46a :配線間距擴大焊墊 46b :配線間距擴大焊墊 47 :基板上面檔板 48 :固定螺栓 Ο 49 :下檔板 5 0 :上檔板 97:區塊間固定基板 60 :砂晶圓
6 0 a :孑L 6 1 :二氧化矽膜 62 :二氧化矽膜 63、66、72、77:導電性披膜 6 4、67、73、83:光阻劑遮罩 -72- 200937022 65、68、69、75、80:聚醯亞胺膜 7 0、7 6 :鋁遮罩 7 1 :鍍層 71a :引出配線連接用孔 74、79 :配線材料 8 1 :黏接層 82 :金屬膜
8 5 :矽蝕刻用保持環 1 0 0 a ·固疋治具 1 0 0 b :蓋部 100c: ◦型環 1 0 0 d :中間固定板 105、 105c、 105d、 105e、 105f:探針片構造體
-73-
Claims (1)
- 200937022 十、申請專利範圍 1·—種探針卡’其特徵爲: 具有探針片’該探針片具備: 多數接觸端子,接觸於設於被檢測對象之電極; 配線’由上述多數接觸端子之各個被電氣引出;及 多數周邊電極,電連接於上述配線,且被連接於多層 配線基板之電極; ❹ 於上述探針片,在形成有上述多數接觸端子的第1面 之相反側之第2面,在形成有上述多數接觸端子的區域, 使緊固用基板被緊固; 設有手段,用於使上述緊固用基板成爲可傾斜移動; 上述多數接觸端子之各個被形成於,和上述探針片分 離而延伸、電連接於上述配線的樑之一端; 上述樑之另一端被固定於上述探針片。 2. 如申請專利範圍第1項之探針卡,其中 〇 上述多層配線基板被電連接於,檢測上述被檢測對象 之電氣特性的測試器(tester)。 3. 如申請專利範圍第1項之探針卡,其中 使上述緊固用基板成爲可傾斜移動而設置的前述手段 ,係多數具有彈簧性的導銷。 4. 如申請專利範圍第3項之探針卡,其中 使上述緊固用基板成爲可傾斜移動而設置的手段,係 另外使用多數不具彈簧性的導銷。 5. 如申請專利範圍第1項之探針卡,其中 -74- 200937022 使上述緊固用基板成爲可傾斜移動而設置的前述手段 ,係1個以上之板彈簧。 6.如申請專利範圍第1項之探針卡,其中 上述接觸端子爲,角錐形狀或角錐梯形狀。 7 ·如申請專利範圍第6項之探針卡,其中 上述接觸端子’係以具有結晶性之基板被施予異方性 蝕刻所形成之孔爲板模,藉由鍍層而形成者。 0 8.如申請專利範圍第7項之探針卡,其中 上述具有結晶性之基板,係矽。 9. 一種探針卡,其特徵爲: 具有探針片,該探針片具備: 多數接觸端子,接觸於設於被檢測對象之電極; 配線,由上述多數接觸端子之各個被電氣引出;及 多數第1及第2周邊電極,電連接於上述配線,且被 連接於多層配線基板之電極; 〇 於上述探針片,在形成有上述多數接觸端子的第1面 之相反側之第2面,在形成有上述多數接觸端子的區域, 使緊固用基板被緊固; 設有手段,用於使上述緊固用基板成爲可傾斜移動; 上述多數接觸端子之各個被形成於,和上述探針片分 離而延伸、電連接於上述配線的樑之一端; 上述樑之另一端被固定於上述探針片; 上述多數第1周邊電極之各個被形成於,上述探針片 之中和上述接觸端子相同的第1面; -75- 200937022 上述多數第2周邊電極之各個被形成於,上述探針片 之中和上述接觸端子相反側的第2面。 10. 如申請專利範圍第9項之探針卡,其中 上述探針片之中上述第1及第2周邊電極之形成間距 ,係較上述多數接觸端子之形成間距寬。 11. 一種半導體檢測裝置,係具有: 試料台,用於載置被檢測對象;及 ❹ 探針卡,其具有和設於上述被檢測對象之電極接觸的 多數接觸端子,而且電連接於上述被檢測對象之電氣特性 檢測用的測試器;其特徵爲: 上述探針卡具有探針片,該探針片具備: 上述多數接觸端子; 配線,由上述多數接觸端子之各個被電氣引出;及 多數周邊電極,電連接於上述配線,且被連接於多層 配線基板之電極; 〇 於上述探針片,在形成有上述多數接觸端子的第1面 之相反側之第2面,在形成有上述多數接觸端子的區域, 使緊固用基板被緊固; 設有手段,用於使上述緊固用基板成爲可傾斜移動; 上述多數接觸端子之各個被形成於,和上述探針片分 離而延伸、電連接於上述配線的樑之一端; 上述樑之另一端被固定於上述探針片。 1 2 _如申請專利範圍第1 1項之半導體檢測裝置,其 中 -76- 200937022 上述探針片係藉由包含以下工程的工程而被形成: (a )以具有結晶性之基板被施予異方性蝕刻所形成 之孔爲板模,藉由鑛層而形成上述多數接觸端子的工程; (b) 於上述基板上依序積層和上述多數接觸端子之 各個電連接的上述樑、上述配線及絕緣層之工程;及 (c) 除去和上述多數接觸端子及上述樑爲相同配線 層中之上述絕緣層,而使上述樑由上述探針片分離的工程 〇-77-
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI481882B (zh) * | 2013-04-12 | 2015-04-21 | Giga Byte Tech Co Ltd | 電路板測試系統及其測試方法 |
TWI601959B (zh) * | 2013-06-06 | 2017-10-11 | Elfinote Tech Corporation | Proximity patch for probe card, method for manufacturing patch for probe card and probe card |
TWI818853B (zh) * | 2022-05-24 | 2023-10-11 | 南韓商Tse有限公司 | 半導體封裝的測試裝置 |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8076216B2 (en) | 2008-11-11 | 2011-12-13 | Advanced Inquiry Systems, Inc. | Methods and apparatus for thinning, testing and singulating a semiconductor wafer |
WO2010125605A1 (ja) * | 2009-04-28 | 2010-11-04 | 株式会社アドバンテスト | 配線基板ユニットおよび試験装置 |
US8362797B2 (en) * | 2009-08-25 | 2013-01-29 | Advanced Inquiry Systems, Inc. | Maintaining a wafer/wafer translator pair in an attached state free of a gasket disposed therebetween |
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JP5397619B2 (ja) * | 2009-11-13 | 2014-01-22 | 日本電産リード株式会社 | 基板検査用の検査治具 |
JP2013540354A (ja) * | 2010-09-28 | 2013-10-31 | アドバンスド インクワイアリー システムズ インコーポレイテッド | ウエハテストシステムならびに関連する使用方法および製造方法 |
KR101149759B1 (ko) * | 2011-03-14 | 2012-06-01 | 리노공업주식회사 | 반도체 디바이스의 검사장치 |
JP6092509B2 (ja) * | 2011-10-17 | 2017-03-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 接触端子の支持体及びプローブカード |
JP5859834B2 (ja) | 2011-12-06 | 2016-02-16 | エルフィノート・テクノロジー株式会社 | プローブカード用のバンプ付きメンブレンシート、プローブカード及びプローブカード用のバンプ付きメンブレンシートの製造方法 |
JP5947139B2 (ja) * | 2012-07-27 | 2016-07-06 | 株式会社日本マイクロニクス | プローブ及び電気的接続装置 |
JP6068925B2 (ja) * | 2012-10-23 | 2017-01-25 | 株式会社日本マイクロニクス | プローブの製造方法 |
CN104655885B (zh) * | 2013-11-15 | 2018-01-05 | 本田技研工业株式会社 | 电流施加装置以及半导体元件的制造方法 |
US9285394B2 (en) * | 2014-01-09 | 2016-03-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Testing apparatus and method |
TWI521212B (zh) * | 2014-03-10 | 2016-02-11 | A method and a method of assembling a vertical probe device, and a vertical probe device | |
TWI596344B (zh) * | 2016-04-27 | 2017-08-21 | Replaceable probe module probe card and its assembly method and probe module replacement side law | |
TWI638176B (zh) * | 2017-07-18 | 2018-10-11 | 旺矽科技股份有限公司 | 電測裝置 |
IT201700017037A1 (it) * | 2017-02-15 | 2018-08-15 | Technoprobe Spa | Scheda di misura per applicazioni ad alta frequenza |
US10114041B2 (en) * | 2017-03-28 | 2018-10-30 | Ford Global Technologies, Llc | Ground loop reduction apparatus |
US10057989B1 (en) * | 2017-04-10 | 2018-08-21 | Tactotek Oy | Multilayer structure and related method of manufacture for electronics |
JP7068578B2 (ja) * | 2018-03-30 | 2022-05-17 | 山一電機株式会社 | 検査用ソケット |
JP7287250B2 (ja) * | 2019-11-18 | 2023-06-06 | 三菱電機株式会社 | 試験装置及び試験方法 |
TWI750552B (zh) * | 2019-12-16 | 2021-12-21 | 旺矽科技股份有限公司 | 可定位之探針卡及其製作方法 |
TWI718938B (zh) * | 2020-04-20 | 2021-02-11 | 中華精測科技股份有限公司 | 分隔式薄膜探針卡及其彈性模組 |
TWI719895B (zh) * | 2020-05-11 | 2021-02-21 | 中華精測科技股份有限公司 | 陣列式薄膜探針卡及其測試模組 |
CN113347412B (zh) * | 2021-06-04 | 2022-07-12 | 合肥市华宇半导体有限公司 | 一种dp转hdmi芯片的多方式检测装置 |
TWI775566B (zh) * | 2021-08-13 | 2022-08-21 | 美商第一檢測有限公司 | 晶片檢測設備 |
TWI788113B (zh) * | 2021-11-23 | 2022-12-21 | 創意電子股份有限公司 | 檢測裝置及其測試插座 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5166607A (en) * | 1991-05-31 | 1992-11-24 | Vlsi Technology, Inc. | Method and apparatus to heat the surface of a semiconductor die in a device during burn-in while withdrawing heat from device leads |
JP3658029B2 (ja) | 1994-02-21 | 2005-06-08 | 株式会社ルネサステクノロジ | 接続装置およびその製造方法 |
TW381328B (en) * | 1994-03-07 | 2000-02-01 | Ibm | Dual substrate package assembly for being electrically coupled to a conducting member |
WO2000033089A2 (en) | 1998-12-02 | 2000-06-08 | Formfactor, Inc. | Lithographic contact elements |
US6799976B1 (en) * | 1999-07-28 | 2004-10-05 | Nanonexus, Inc. | Construction structures and manufacturing processes for integrated circuit wafer probe card assemblies |
JP4554011B2 (ja) | 1999-08-10 | 2010-09-29 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
TWI236723B (en) * | 2002-10-02 | 2005-07-21 | Renesas Tech Corp | Probe sheet, probe card, semiconductor inspection device, and manufacturing method for semiconductor device |
JP4465995B2 (ja) | 2003-07-02 | 2010-05-26 | 株式会社日立製作所 | プローブシート、プローブカード、半導体検査装置および半導体装置の製造方法 |
JP4145293B2 (ja) * | 2004-12-28 | 2008-09-03 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体検査装置および半導体装置の製造方法 |
JP4472593B2 (ja) * | 2005-07-12 | 2010-06-02 | 東京エレクトロン株式会社 | プローブカード |
JP2007101373A (ja) * | 2005-10-05 | 2007-04-19 | Renesas Technology Corp | プローブシート接着ホルダ、プローブカード、半導体検査装置および半導体装置の製造方法 |
JP4767075B2 (ja) * | 2006-04-14 | 2011-09-07 | 株式会社日本マイクロニクス | 電気的接続装置 |
JP2007309682A (ja) * | 2006-05-16 | 2007-11-29 | Renesas Technology Corp | 伝送回路、接続用シート、プローブシート、プローブカード、半導体検査装置、および半導体装置の製造方法 |
US7486525B2 (en) * | 2006-08-04 | 2009-02-03 | International Business Machines Corporation | Temporary chip attach carrier |
-
2008
- 2008-02-27 JP JP2008045809A patent/JP2009204393A/ja active Pending
- 2008-10-13 KR KR1020080099926A patent/KR101004922B1/ko not_active IP Right Cessation
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- 2008-10-17 CN CN2008101665401A patent/CN101520470B/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI481882B (zh) * | 2013-04-12 | 2015-04-21 | Giga Byte Tech Co Ltd | 電路板測試系統及其測試方法 |
TWI601959B (zh) * | 2013-06-06 | 2017-10-11 | Elfinote Tech Corporation | Proximity patch for probe card, method for manufacturing patch for probe card and probe card |
TWI818853B (zh) * | 2022-05-24 | 2023-10-11 | 南韓商Tse有限公司 | 半導體封裝的測試裝置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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