TW200934287A - Method of manufacturing display apparatus - Google Patents
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Description
200934287 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係相關於製造顯示裝置之方法，尤其是相關於 包括夾置在電極之間的發光材料，並且使用經由應用電場 '到電極所發出的光之顯示裝置的製造方法。上述顯示裝置 包括例如使用有機電激發光（EL)設備或無機EL設備之 顯示裝置。應注意的是，此處將主要說明使用有機EL的 φ 有機E1顯示裝置，但是並不用於僅將本發明的範疇偈限 於有機E1顯示裝置。 【先前技術】 以驅動方法可將EL顯示裝置分類成兩類型，包括主 動矩陣型和被動矩陣型。主動矩陣EL顯示裝置係以電流 驅動’其各個矩陣陣列像素區包括當作交換裝置之至少一 薄膜電晶體（TFT)。薄膜電晶體依據電容器的儲存電位 ❹ 變化來調整驅動電流，以控制像素區的亮度和階度。 在主動矩陣EL顯示裝置中，主動矩陣有機EL顯示 裝置包括一電極層；一有機放射層，形成在電極層上並且 由有機EL·材料所製成；及另一電極層，形成在有機放射 層上來當作基本構成元件。在光被放設置基板側的底部放 射型顯示裝置之例子中，基板和下電極層需要是能傳送光 的，如此使用透明電極當作下電極層。導電氧化物材料通 常被用於透明電極，及在一些例子中，導電氧化物的表面 受到有機物質污染。在上述此種例子中，難以將電流注射 -4-
200934287 到有機放射層。 因此，如US專利申請出版案號 一般，緊接在形成有機EL顯示裝屬 電極層上之前，需要執行紫外線照射 產生的臭氧來清潔表面以當作親水處 的表面去除有機污染。 然而，當執行上述方法當作清潔 法時，具有進一步需要紫外線照射處 一步需要設置遮光層之處理，以防止 矩陣陣列像素區的薄膜電晶體時，薄 此無法當作交換裝置之現象，這是另 TFT的通道層係由含In (銦）、Ga ( 化物半導體所製成時，具有TFT的特 件而明顯變化之情況。 φ 【發明內容】 爲了解決上述問題而有了本發甲 供製造顯示裝置的一新方法，其中夸 清潔顯示裝置的電極表面之處理， 並且導致薄膜電晶體的特性退化。 根據本發明，爲了解決上述問題 法包括：在一基板上形成一驅動電龄 成發光部包括： 形成一電極，用以施加一電荷到 2005/082515 所揭示 的有機放射層於透明 和利用紫外線照射所 理，藉以從透明電極 透明電極的表面之方 理之問題。此外，進 當利用紫外光線照射 膜電晶體退化，而因 一問題。尤其是，當 鎵）、Zn (鋅）等氧 性依據紫外線照射條 。本發明的目的係提 略藉由紫外線照射來 處理使製造處理複雜 ，製造顯示裝置的方 和一發光部，其中形 —放射層； -5- 200934287 在電極上形成一塗層， 去除塗層的至少一部分；及 在去除塗層的部位之電極的一部分上形成包括發射層 之一層。 根據本發明的製造顯示裝置之方法，能夠省略藉由紫 外線照射來清潔顯示裝置的透明電極表面之處理，此處理 使製造處理複雜並且導致薄膜電晶體的特性退化。因此， 能夠有效率地製造顯示裝置。 從下面參考附圖的例示實施例將使本發明的其他特徵 更加明顯。 【實施方式】 下面將說明根據本發明之驅動電路和發光部形成在基 板上之顯示裝置的製造方法。實施例1是將發光部與包括 薄膜電晶體的驅動電路一起配置在基板上之例子。實施例 〇 2是將發光部堆疊在形成於基板上的驅動電路上之例子。 將參考附圖詳細說明底部放射型的主動矩陣式有機EL顯 示裝置之例子。 (實施例1 ) 製造方法包括十二個步驟’及其流程圖解在圖1的流 程圖。圖2A至2L爲圖解根據本發明的製造方法所製造之 底部放射型的主動矩陣式有機EL顯示裝置之橫剖面圖。 在圖2A至2L圖解底部閘頂部接點式薄膜電晶體。然 -6- 200934287 而，本發明並不侷限於此種電晶體結構，而 例如頂部閘底部接點式薄膜電晶體。薄膜電 電極2、閘極絕緣層3、半導體層4、源極電 極6、及保護層7以所述的順序堆疊在基板 有機EL裝置具有透明陽極電極8、電洞注！ 放射層12、電子注射層13、及陰極電極14 堆叠在基板1上之結構。經由電洞注射層】 φ 層13，藉由透明陽極電極8和陰極電極14 有機放射層1 2。 基板1是絕緣基板。基板1希望例如是 諸如聚對苯二甲酸乙二酯（PET )等有機材 料用於基板1時，可將薄膜電晶體製造在撓1 首先，在步驟1中，將透明導電膜沈積 希望將 ITO用於透明導電膜。另一選捐 ln203、Sn02、及ZnO的至少其中之一的材 φ 電膜上是理想的。當作透明導電膜的膜形成 如濺鍍、脈衝雷射蒸汽沈積、或電子束蒸汽 是理想的。然而，膜形成法並不偈限於汽相 透明導電膜圖型化，以形成透明陽極電極8 止所說明的狀態圖解在圖2A。 接著，在步驟2中，將導電膜沈積在基 少一種金屬的膜被使用當作導電膜。此外， 屬氧化物（MOx，其中Μ表示金屬元素）。 單一層或堆疊複合膜。當作導電膜的膜形成 是亦可應用到 晶體具有閘極 i極5、汲極電 1上之結構。 时層11、有機 以所述的順序 1和電子注射 將電荷施加到 玻璃基板。當 料或聚合物材 生基板上。 在基板1上。 i是，將包括 料用於透明導 方法，使用諸 沈積等汽相法 法。然後，將 。將到目前爲 板1上。含至 可使用導電金 導電膜可包括 方法，使用諸 200934287 如濺鍍、脈衝雷射蒸汽沈積、或電子束蒸汽沈積等汽相法 是理想的。然而，膜形成法並不侷限於汽相法。然後，將 導電膜圖型化，以形成閘極電極2。需注意的是，當由與 透明陽極電極8的材料相同之材料製成閘極電極2時，能 夠同時形成閘極電極2和透明陽極電極8。將到目前爲止 所說明的狀態圖解在圖2B。 接著，在步驟3中，將絕緣體膜沈積在閘極電極2和 透明陽極電極8上。絕緣體膜係由無機材料所製成，此無 機材料選自由氧化物 '碳化物、氮化物、氟化物、及其化 合物所組成的群組。例如，含至少一種金屬元素的金屬氧 化物膜被使用當作絕緣體膜。在金屬氧化物中，使用含下 面的至少其中之一的金屬氧化物當作絕緣體膜較理想： S i Ο 2 ' A12 〇 3、G a2 0 3、I η 2 〇 3、M g Ο、C a Ο、S r Ο、B a Ο、
ZnO、Nb2〇5、Ta2〇5、Ti〇2、Zr02、Hf02、Ce〇2、Li2〇、 N a 2 〇、K 2 〇、Rb 2 〇、SC2O3 ' Y2O3 ' La2〇3 ' Nd2〇3 ' Sm2〇3 ' Gd2〇3、Dy2〇3、Er2〇3、及 Yb2〇3。此外，可使用 金屬氮化物（MNX ’其中M表示金屬元素）。另外，可使 用金屬氮氧化物（MOxNy，其中Μ表示金屬元素）。當作 絕緣體膜的膜形成方法，使用諸如濺鍍、脈衝雷射蒸汽沈 積、或電子束蒸汽沈積等汽相法是理想的。然而，膜形成 法並不侷限於汽相法。然後’將絕緣體膜圖型化，以形成 間極絕緣層3和第一塗層9。也就是說，絕緣體膜的一部 分當作閘極絕緣層3’而其另一部分當作第一塗層9。閘 極絕緣層3和第一塗層9源自相同層的絕緣體膜，但是具 -8 - 200934287 有不同功能。因此，分開說明閘極絕緣層3和第一塗層 9。將到目前爲止所說明的狀態圖解在圖2C。 接著，在步驟4中，將半導體膜沈積在閘極絕緣層3 上。半導體膜由下面的其中之一製成是理想的： 含ZnO當作主要構成元素之氧化物，含Ιη203當作主 要構成元素之氧化物，含Ga203當作主要構成元素之氧化 物，及含包括那些的至少其中二者之合成氧化物當作主要 0 構成元素之氧化物。 尤其是，希望使用含Ιη203和ZnO的氧化物，其中 Ιη203和ZnO的莫耳比等於或大於整個氧化物之莫耳比的 一半。 另一選擇是，半導體膜能夠包括氧化物半導體，諸如 Sn02或TiOx等。可使用包括另一氧化物半導體的氧化 物。當作半導體膜的膜形成方法，使用諸如濺鍍、脈衝雷 射蒸汽沈積、或電子束蒸汽沈積等汽相法是理想的。然 φ 而，膜形成法並不侷限於汽相法。然後，將半導體膜圖型 化，以形成半導體層4。將到目前爲止所說明的狀態圖解 在圖2D。 接著，在步驟5中，將導電膜沈積在半導體層4上。 含至少一種金屬的膜被使用當作導電膜。此外，可使用導 電金屬氧化物（MOx，其中Μ表示金屬氧化物）。導電膜 可包括單一層或堆疊複合膜。當作導電膜的膜形成方法， 使用諸如濺鍍、脈衝雷射蒸汽沈積、或電子束蒸汽沈積等 汽相法是理想的。然而，膜形成法並不侷限於汽相法。然 -9- 200934287 後，將導電膜圖型化，以形成源極電極5和汲極電極6。 需注意的是’當由與透明陽極電極8相同的材料之材料製 成源極電極5和汲極電極6時，可同時形成電極。將到目 前爲止所說明的狀態圖解在圖2E。 接著’在步驟6中，將第二塗層1〇沈積在源極電極 5'汲極電極6、和第一塗層9上。第二塗層10係由無機 材料所製成，此無機材料選自由氧化物、碳化物、氮化 Q 物、氟化物、及其化合物所組成的群組。例如，使用含至 少一種金屬元素的金屬氧化物膜當作第二塗層。在金屬氧 化物中，使用含下面的至少其中之一的金屬氧化物當作絕 緣體膜較理想：Si〇2、Al2〇3、Ga2〇3、In2〇3、MgO、 CaO、SrO、BaO、ZnO、Nb205、Ta205、Ti02、Zr02、 Hf〇2、Ce02、Li20、Na20、K20、Rb20、Sc203、Y2〇3、 La2〇3、N d 2 〇 3、S m2 O 3 ' G d 2 0 3、D y 2 〇 3、ΕΓ2Ο3、及 Yb203。此外，可使用金屬氮化物（MNX，其中Μ表示金 〇 屬元素）。另外，可使用金屬氮氧化物（MOxNy，其中μ 表示金屬元素）。當作第二塗層10的膜形成方法，使用 諸如濺鍍、脈衝雷射蒸汽沈積、或電子束蒸汽沈積等汽相 法是理想的。然而，膜形成法並不侷限於汽相法。然後’ 將第二塗層10圖型化，以形成保護層7和具有開口部的 第二塗層10。也就是說，第二塗層10的一部分當作保護 層7，而其另一部分當作具有開口部的第二塗層10。保護 層7和第二塗層10源自相同層的第二塗層10，但是具有 不同功能。因此，分開說明保護層7和第二塗層10。因 -10- 200934287 此，塗層包括諸如第一塗層9和第二塗層10等至少兩塗 層，尤其是包括由不同材料製成的至少兩種複合層。藉由 上述步驟完成圖2F所圖解的結構。 接著，在步驟7中，去除第一塗層9的至少一部分。 也就是說，具有開口部的第二塗層10被使用當作硬遮罩 以蝕刻第一塗層9。然後，去除位在透明陽極電極8上之 第一塗層9的至少一部分。用於第一塗層9的蝕刻是乾蝕 φ 刻和濕蝕刻的其中之一。透明陽極電極8對上鈾刻第一塗 層9的蝕刻劑之蝕刻率小於第一塗層9的蝕刻率。第二塗 層1 0對上蝕刻第一塗層9的蝕刻劑之鈾刻率小於第一塗 層9的蝕刻率。藉由上述步驟完成圖2G所圖解的結構。 接著，在步驟8中，將電洞注射層11形成在透明陽 極電極8上。使用諸如濺鍍、脈衝雷射蒸汽沈積、電子束 蒸汽沈積、旋轉塗佈、或真空蒸汽沈積等膜形成法當作電 洞注射層11的膜形成法是理想的。然而，膜形成法並不 φ 侷限於此種方法。將到目前爲止所說明的狀態圖解在圖 2H。 接著’在步驟9中，將有機放射層12形成在電洞注 射層11上。使用諸如真空蒸汽沈積或塗佈等膜形成法當 作有機放射層12的膜形成法是理想的。然而，膜形成法 並不侷限於此種方法。將到目前爲止所說明的狀態圖解在 圖21。 接著，在步驟10中’將電子注射層13形成在有機放 射層12上。使用諸如濺鏟、脈衝雷射蒸汽沈積、電子束 -11 - 200934287 蒸汽沈積、旋轉塗佈、或真空蒸汽沈積等膜形成法 子注射層13的膜形成法是理想的。然而，膜形成 侷限於此種方法。將到目前爲止所說明的狀態圖 2J ° 接著’在步驟11中’將陰極電極14形成在電 層13上。使用諸如濺鍍、脈衝雷射蒸汽沈積、電 汽沈積、旋轉塗佈、或真空蒸汽沈積等膜形成法當 ^ 電極14的膜形成法是理想的。然而，膜形成法並 於此種方法。將到目前爲止所說明的狀態圖解在圖 接著，在步驟12中’將密封層18形成在陰極 上。欲使用的密封層18希望是由具有厚膜的玻璃 之蓋子。然而，密封層18的材料並不偈限於蓋子 目前爲止所說明的狀態圖解在圖2L。 如上述，根據本發明，執行以第一塗層9覆蓋 極電極8的表面之步驟和去除第一塗層9的步驟， 夠使透明陽極電極8的表面變乾淨。因此，在執行 驟的例子中，即使當未提供利用紫外線照射的清 時，透明陽極電極8的表面仍變成如藉由利用紫外 清潔所獲得之表面一般乾淨。根據本發明的發明 現，此乃依據下面原因。在諸如精細粒子或油內容 染沈積到透明陽極電極8的表面上之例子中’當透 電極8的表面覆蓋有第一塗層9時，污染黏合到第 9。此時，污染黏合到第一塗層9比透明陽極電極 面更強力（或第一塗層9染上污染）。然後，當藉 當作電 法並不 解在圖 子注射 子束蒸 作陰極 不侷限 2K。 電極1 4 所製成 。將到 透明陽 藉以能 上述步 潔處理 線照射 人之發 物等污 明陽極 一塗層 8的表 由蝕刻 -12- 200934287 去除第一塗層9時，也與去除第一塗層9 一同去除 如此，透明陽極電極8的表面是乾淨表面。 另外，在本發明中，第二塗層10被使用當作 以鈾刻第一塗層9。因此，在露出透明陽極電極8 之步驟中，可防止透明陽極電極8的表面受到抗蝕 機溶劑之污染。 可與形成薄膜電晶體的步驟一起執行形成第一 0 和第二塗層10的步驟。在上述處理中，說明與閘 層3同時形成第一塗層9，而與保護層7同時形成 層10之例子。然而，可一起執行的步驟並不侷 例。亦可與形成第一塗層9和第二塗層10的步驟 行形成閘極電極2、半導體層4、源極電極5、和汲 6的步驟。 當充作薄膜電晶體之層的至少其中之一被使用 疊膜時，可與充作薄膜電晶體之一層同時形成第一 φ 和第二塗層10。 (實施例2 ) 本發明不僅可應用到將薄膜電晶體和有機EL 向設置在基板上（實施例1)之結構，亦可應用在 電晶體和有機EL裝置堆疊之結構。將參考圖3A至 明將薄膜電晶體和有機EL裝置堆疊之結構的例子。 形成薄膜電晶體的處理與實施例1相同，因此 說明。與實施例1者相同之參考號碼所表示的各別 污染。 硬遮罩 的表面 劑或有 塗層9 極絕緣 第二塗 限於此 一起執 極電極 當作堆 塗層9 裝置橫 將薄膜 3F說 省略其 層之材 -13- 200934287 料與實施例1的材料完全相同。 ® 3A ®解將薄膜電晶體形成在玻璃基板1上之狀 態' ° %丨乍電晶體之層對應於從底部以所述的順序設置 之閘極電極2、閘極絕緣層3、半導體層4、源極電極5、 及汲極電極6。 將中間層絕緣膜1 5形成在薄膜電晶體上。藉由鈾刻 去除中間層絕緣膜15的一部分以形成接觸孔。接觸孔被 0 塡滿導電材料以形成插塞1 6。將到目前爲止所說明的狀態 圖解在圖3B。 然後’將透明陽極電極8和第一塗層9以所述的順序 沈積在中間層絕緣膜1 5上並且以蝕刻圖型化。將到目前 爲止所說明的狀態圖解在圖3C。 然後’將隔牆17形成在透明陽極電極8和第一塗層9 上。將到目前爲止所說明的狀態圖解在圖3D。 然後，使用隔牆17當作硬遮罩，以蝕刻第一塗層9, 〇 藉以露出透明陽極電極8的表面。將到目前爲止所說明的 狀態圖解在圖3E。在此例中，將第一塗層9沈積在透明 陽極電極8上，然後去除第一塗層9，藉以使透明陽極電 極8的表面變乾淨。 接著，將有機EL層形成在露出的透明陽極電極8 上。有機EL層包括以所述的順序堆疊之電洞注射層1 1、 有機放射層12、及電子注射層13。將陰極電極14形成在 所形成的有機EL層上。將到目前爲止所說明的狀態圖解 在圖3 F。最後，以玻璃蓋密封結果的裝置。 -14- 200934287 如上述所製造之底部放射型的主動矩陣式有機EL裝 置中之發光裝置的特性與將透明陽極電極的表面遭受紫外 線照射的清潔處理之例子比較並無不同。各個像素中的薄 膜電晶體並未由於紫外線照射而退化，如此可在主動矩陣 式有機EL顯示裝置中達成如設計一般的性能和可靠度。 (例子） 下面將參考例子更詳細說明本發明的實施例1。然 而，本發明並不侷限於下面例子。 此例子是製造如圖2L所示之底部放射型的主動矩陣 式有機EL顯示裝置之例子。圖2L所示之薄膜電晶體是底 部閘頂部接點型的並且形成在基板1上。尤其是，將閘極 電極2、閘極絕緣層3、半導體層4、源極電極5、汲極電 極6、及保護層7形成在基板1上。圖2L所示之有機EL 裝置是底部放射型的並且形成在基板1上。尤其是，將透 明陽極電極8、第一塗層9、第二塗層10、電洞注射層 11、有機放射層12、電子注射層13、及陰極電極14形成 在基板1上。 玻璃基板（由Corning公司所生產之No. 1737)被使 用當作基板1。玻璃基板的厚度是0.5 mm。 將多晶ITO薄膜形成在基板1上。在此例中，使用含 氬氣和氧氣的混合物之大氣的RF磁控管濺鍍被用於形成 多晶ITO薄膜。然後，藉由照相微影和濕飩刻精密處理沈 積的多晶ITO薄膜，以形成閘極電極2和透明陽極電極 -15- 200934287
然後，藉由RF磁控管濺鍍，以厚度2〇〇 nm將Si〇2 薄膜形成在閘極電極2和透明陽極電極8上。有關膜形成 條件，基板溫度被設定成室溫，輸入RF功率被設定成 400W，氬氣的供應流率被設定成1〇 seem，及室壓被設定 成0.1 Pa。藉由照相微影和使用緩衝氫氟酸溶液之濕鈾刻 來圖型化所沈積的S i02薄膜，以形成閘極絕緣層3和第 一塗層9。 然後，藉由RF磁控管濺鍍，以厚度40 nm將含有In-Ga-Ζη-Ο的氧化物半導體薄膜形成在閘極絕緣層3上。有 關膜形成條件，基板溫度被設定成室溫，輸入RF功率被 設定成200W，含5%的氧氣之氬氣的供應流率被設定成25 seem，及室壓被設定成0.5 Pa。所形成之含有In-Ga-Zn-0 的氧化物半導體薄膜是非晶的，及其組成比In:Ga:Zn:0是 1 : 1 : 1 :4。藉由照相微影和使用緩衝氫氟酸溶液之濕蝕刻來 圖型化所沈積之含有In-Ga-Ζη-Ο的氧化物半導體薄膜， 以形成半導體層4。 然後，藉由RF磁控管濺鍍，以厚度丨〇〇 nm將含In-Ζη·0的導電氧化物薄膜形成在半導體層4上。有關膜形 成條件’基板溫度被設定成室溫，輸入Rf功率被設定成 100W ’氬氣的供應流率被設定成50 sccm，及室壓被設定 成〇·3 Pa。藉由照相微影和濕蝕刻精密處理所沈積之含 In-Zn-O的導電氧化物薄膜’以形成源極電極5和汲極電 極6 〇 -16- 200934287 然後，藉由RF磁控管濺鍍，以厚度200 run將 膜形成在源極電極5、汲極電極6、和第一塗層9 關膜形成條件，基板溫度被設定成室溫，輸入RF 設定成400W，氮氣的供應流率被設定成5 seem， 被設定成0.1 Pa。藉由照相微影和濕蝕刻來圖型化 的SiN薄膜，以形成保護層7和具有開口部的第 10° ❹ 然後，使用第二塗層10當作硬遮罩，以藉由 衝氫氟酸溶液之濕鈾刻來去除第一塗層9，藉以露 陽極電極8的表面。在此例中，透明陽極電極8的 與緩衝氫氟酸溶液和沖洗用純水接觸，因此，其表 到抗蝕劑或有機溶劑的污染。 爲了檢査所獲得的透明陽極電極之表面的清潔 電洞注射層的材料之導電聚合物PEDOT:PSS[聚（ 烯基二氧賽吩）聚（苯乙烯磺酸鹽）]滴在其上。 φ 前爲止所說明的狀態圖解在圖4A。爲了比較，圖 4C分別圖解將PEDOT:PSS滴在遭受紫外線照射的 理之ITO薄膜上之狀態，及將PEDOT:PSS滴在未 ITO薄膜上之狀態。確定藉由此例的方法所清潔之 膜的表面具有與習知方法之藉由紫外線照射的清潔 清潔之ITO薄膜的表面相同之可濕性。另一方面， 理的ITO薄膜上之PEDOT:PSS是接觸角度大的 滴。此可能是由於ITO薄膜的表面上之有機污染的 致。從上述結果可明白看出，在利用此例的方法
SiN薄 上。有 功率被 及室壓 所沈積 二塗層 使用緩 出透明 表面僅 面未受 度，將 3,4-乙 將到目 4B及 清潔處 處理的 ITO薄 處理所 在未處 液體微 影響所 之例子 -17- 200934287 中’即使當未提供紫外線照射的清潔處理，仍能獲得具有 如利用紫外線照射所處理的表面一般乾淨之表面的IT〇薄 膜。 然後’將有機EL·層形成在露出的透明陽極電極8 上。有機EL層係藉由以所述的順序堆疊電洞注射層u、 有機放射層12、及電子注射層13所形成。將陰極電極14 形成在如上述所形成之有機EL層上。最後，以玻璃蓋密 0 封結果的裝置。 如上述所製造之底部放射型的主動矩陣式有機EL裝 置中之發光裝置的特性與將ITO薄膜的表面遭受紫外線照 射的清潔處理之例子比較並無不同。各個像素中的薄膜電 晶體並未由於紫外線照射而退化，如此可在主動矩陣式有 機EL顯示裝置中達成如設計一般的性能和可靠度。 儘管已參考例示實施例說明本發明，但是應明白本發 明並不侷限於所揭示的例示實施例。下面申請專利範圍的 ❹ 範疇係與最廣泛的闡釋一致，以涵蓋所有此種修正和同等 的結構和功能。 【圖式簡單說明】 圖1爲根據本發明的實施例1之製造顯示裝置的處理 之流程圖。 圖2A爲根據本發明的實施例1之製造顯示裝置的處 理中之透明陽極電極的形成圖；圖2B爲根據本發明的實 施例1之製造顯示裝置的處理中之透明閘極電極的形成 -18 - 200934287 圖；圖2C爲根據本發明的實施例1之製造顯示裝置的處 理中之閘極絕緣層和第一塗層的形成圖；圖2D爲根據本 發明的實施例1之製造顯示裝置的處理中之半導體層的形 成圖：圖2E爲根據本發明的實施例1之製造顯示裝置的 處理中之源極電極和汲極電極的形成圖；圖2F爲根據本 發明的實施例1之製造顯示裝置的處理中之保護層和第二 塗層的形成圖；圖2G爲根據本發明的實施例1之製造顯 0 示裝置的處理中之第一塗層的蝕刻圖；圖2H爲根據本發 明的實施例1之製造顯示裝置的處理中之電洞注射層的形 成圖；圖21爲根據本發明的實施例1之製造顯示裝置的 處理中之有機放射層的形成圖；圖2J爲根據本發明的實 施例1之製造顯示裝置的處理中之電子注射層；圖2K爲 根據本發明的實施例1之製造顯示裝置的處理中之陰極電 極的形成圖；及圖2L爲根據本發明的實施例1之製造顯 示裝置的處理中之密封層的形成圖。 〇 圖3A爲根據本發明的實施例2之製造顯示裝置的處 理中之薄膜電晶體的形成圖；圖3B爲根據本發明的實施 例2之製造顯示裝置的處理中之中間層絕緣膜、接觸孔、 及插塞的形成圖；圖3C爲根據本發明的實施例2之製造 顯示裝置的處理中之透明陽極電極和第一塗層的形成圖； 圖3D爲根據本發明的實施例2之製造顯示裝置的處理中 之隔牆的形成圖；圖3E爲根據本發明的實施例2之製造 顯示裝置的處理中之第一塗層的蝕刻圖；及圖3F爲根據 本發明的實施例2之製造顯示裝置的處理中之有機EL層 -19- 200934287 的形成圖。 圖4A爲將PEDOT:PSS滴在藉由根據本發明的方法所 清潔之ITO膜表面上的照片；圖4B爲將PEDOT:PSS滴在 藉由紫外線照射所清潔之ITO膜表面上的照片；及圖4C 爲將PED〇T:PSS滴在未處理的ITO膜表面上之照片。 【主要元件符號說明】 ❸
1 :基板 2 :閘極電極 3 :閘極絕緣層 4 :半導體層 5 :源極電極 6 :汲極電極 7 :保護層 8 :透明陽極電極 9 :第一塗層 10 :第二塗層 Π :電洞注射層 1 2 :有機放射層 1 3 :電子注射層 14 :陰極電極 1 5 :中間層絕緣膜 16 :插塞 1 7 :隔牆 1 8 :密封層 -20-
Claims (1)
- 200934287 十、申請專利範圍 1. 一種製造顯示裝置之方法，包含在一基板上形成一 驅動電路和一發光部，其中該形成該發光部包含： 形成一電極，用以施加一電荷到一放射層； 在該電極上形成一塗層，該塗層係由一無機材料所製 '成’該無機材料選自由氧化物、碳化物、氮化物、氟化 物、及其一化合物所組成的群組； Φ 去除該塗層的至少一部分；及 在去除該塗層的該部位之該電極的一部分上形成包括 該發射層之一層。 2. 根據申請專利範圍第1項之製造顯示裝置的方法， 其中該塗層係由濺鍍所形成。 3. 根據申請專利範圍第1項之製造顯示裝置的方法， 其中該去除該塗層的該至少一部分包含濕蝕刻和乾蝕刻的 其中之一。 φ 4.根據申請專利範圍第3項之製造顯示裝置的方法， 其中相對於用以蝕刻該塗層的一蝕刻劑之該電極的一蝕刻 率小於該塗層的一触刻率。 5. 根據申請專利範圍第1項之製造顯示裝置的方法， 其中與當作該驅動電路之一薄膜電晶體的一閛極電極、一 閘極絕緣層、一半導體層、一源極電極、—汲極電極、和 一保護層之任一個同時形成該塗層。 6. 根據申請專利範圍第1項之製造顯示裝置的方法， 其中該塗層包含至少兩塗層。 -21 - 200934287 7.根據申請專利範圍第6項之製造顯示裝置的方法’ 其中： 該塗層包含至少兩種的複合層’由彼此不同的材料所 製成；及 該去除該塗層的該至少一部分包含使用形成在該第一 塗層上之該複合塗層的一第二塗層當作一遮罩’而去除該 複合塗層之一第一塗層的至少一部分。 ^ 8.根據申請專利範圍第7項之製造顯示裝置的方法， Ό 其中相對於用以蝕刻該第一塗層的一鈾刻劑之該第二塗層 的一蝕刻率小於該第一塗層的一蝕刻率。 9 .根據申請專利範圍第1項之製造顯示裝置的方法， 其中將該發光部與該驅動電路一起配置在該基板上。 10.根據申請專利範圍第1項之製造顯示裝置的方 法，其中將該發光部堆疊在形成於該基板上的該驅動電路 上。 φ 11·根據申請專利範圍第1項之製造顯示裝置的方 法，其中該發光部包含一有機電激發光裝置。 -22-
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