200921778 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 發明領域 本發明係有關於一種用以研削於表面形成複數元件之 晶圓内面之研削裝置。 C先前技 發明背景 10 15 於半‘體元件製造程序中，藉由於略呈圓盤形狀之半 導體晶圓之表面上排列成格子狀且被稱作切割道之分割預 定線劃分複數領域，且於該劃分之領域形成IC、LSI等元 件’又，利用切削裝置沿著切割道將半導體晶圓切斷，藉 此，半導體晶圓會分割成各個半導體晶片。 所分割之晶圓在沿著切割道切斷前會將内面藉由研削 3刻” «狀厚度，近年來，為了達成電子儀器之 小型化，㈣之厚度必須作成更薄，例如卿m。 精力I:因應該要求，將晶圓内面削薄之研削裝置會為了 楕加工成薄且撓曲強度高之晶圓 得知h t 曰曰圓而下各種工夫，其中，可 為了作成撓曲強度高之晶圓，使 Α φ , 便栽置研削晶圓之夾頭 口中心與晶圓之中心一致是重要的。 削二方面’目前亦揭示有-種研削方法，該方法僅研 部二圓形狀或L財元件之元件領域之内面，且於外周 領域^領域保留環狀凸部，料據該研削方法，則元件 個程序=獅，，且周„厚_得顺㈣地進行下 20 200921778 為了實現此種研削方法，在將晶圓載置於夾頭台時， 使晶圓之中心對齊夾頭台之中心是重要的，舉例言之，目 前有一種如日本專利公開公報特開平7-211766號公報中所 揭示之中心對齊裝置。 5 又，於特開2005-268530號公報中揭示有一種方法，該 方法係設置複數攝影機，且將複數處同時地進行攝影，並 自該等影像算出晶圓中心。 〔專利文獻1〕特開平7-211766號公報 〔專利文獻2〕特開2005-268530號公報 10 【發明内容】 發明欲解決之課題 如專利文獻1中所揭示之接觸式中心對齊裝置會產生 晶圓之破裂或所要求之中心定位精度不足，再者，由於專 利文獻2中所揭示之半導體晶圓之對準裝置係使用複數攝 15 影機，因此會有耗費攝影機成本或攝影機位置調整工程數 之問題。 本發明係有鑑於該點，其目的在提供一種可藉由簡單 之構造將晶圓中心定位於夾頭台中心之研削裝置。 【發明内容3 20 用以解決課題之手段 若依據本發明，則可提供一種研削裝置，該研削裝置 包含有：卡匣，係收納晶圓者；搬出機構，係藉由保持臂 保持該卡匣内之晶圓並搬出者；暫置台，係載置業已藉由 該搬出機構所搬出之晶圓者；晶圓搬入機構，係具有吸附 200921778 部’且該，附部保持載置於該暫置台 者;及研嶋，係研削保持於該 二失頭台 該研削裝置包含有中，機構 ：又’ 中心，並將晶圓裁置二=之中心對齊前述暫置台之 有:前述暫置台，传筆=該中心對齊機構包含 诉蒹已預先登錄中心去· _ 係業已預先登錄將晶圓定位、載置於該暫置 10 15 之狀態之晶圓外周領域的攝:::二持於該保持臂 測機構’係依據由該攝影機構所攝影之^像-i及偏離量檢 圓中心與前述保持臂t心之偏離量者。二：:離_晶 機構自藉前述攝影機構〜偏離夏檢測 緣一上之座標並二::資訊’檢測晶園外周 與前述保持臂中心之偏 —U 檢測晶圓中心 it ^ 3 ύ 則述保持臂修正前述偏離量 = :Π:於前述暫置*之中心，且將晶_ =暫置口上，而則述晶圓搬入機構係設置成可旋動，以 直出吸附部通過前述暫置台之中心與前述夾頭台之中心之 圓弧狀軌跡’且將晶圓之中心定值於前述夾頭台之中心並 解除吸附。 2〇 糊言之，前述晶圓係具有於表面形成複數元件之元 件領域及圍繞該元件領域之外周剩餘領域之晶圓，且前述 研削機構研削對應於該元件領域之晶圓内面，並於對應於 該外周剩餘領域之晶圓内面形成環狀凸部。 較為理想的是前述攝影機構檢剛在對應於前述外周剩 200921778 餘領域之晶圓内面上所形成之前述環狀凸部之外周緣與内 周緣，並檢測該環狀凸部之寬度。 較為理想的是前述攝影機構檢測前述環狀凸部之内周 緣與該環狀凸部之隆起根R部最下點並算出R部之寬度，且 5 與預先登錄之R部之容許值比較。 舉例言之，前述晶圓具有於表面形成複數元件之元件 領域及圍繞該元件領域之外周剩餘領域，且研削對應於該 元件領域之内面，並在對應於該外周剩餘領域之内面形成 環狀凸部。又，前述研削機構研削環狀凸部。 10 發明效果 若依據本發明，則可於將晶圓保持在保持臂之狀態下 僅藉由將晶圓之外周緣攝影一次而算出晶圓之中心位置， 且可檢測業已預先登錄之保持臂中心與晶圓中心之偏離 量，並使晶圓之中心對齊暫置台之中心位置而將晶圓載置 15 於暫置台上。 再者，藉由設置成可旋動並晝出吸附部通過暫置台中 心與炎頭台中心之圓弧狀執跡的晶圓搬入機構，而可於短 時間内使晶圓中心對齊夾頭台之中心並將晶圓載置於夾頭 台上。 20 又，由於可利用一次之攝影檢測環狀凸部之寬度，因 此，在將對應於元件領域之晶圓内面研削後，亦可於短時 間内檢測環狀凸部之寬度，並進行保留有環狀凸部之晶圓 研削之良窳判定或環狀凸部位置之高精度檢測。 再者，於對應於外周剩餘領域之内面保留環狀凸部且研削 200921778 對應於元件領域之晶圓内面時，由於亦可同樣地檢測在環 狀&部之根部所產生之R形狀之寬度，因此可於短時間内匈 定研磨輪之磨損情況。 【實施方式】 5用以貫施發明之最佳形態 以下參照圖式詳細說明本發明實施形態之研削裝置， 餐照第1圖，顯示本發明實施形態之研削裝置之立體圖。研 削裝置係具有略呈長方體形狀之裝置外殼2，且於裝置外鼓 2之右上端鄰接垂直支持板4。 10 於垂直支持板4之内側面設置二對朝上下方向延伸之 導引執6及導引軌8，又，粗研削單元10係於其中-導弓丨軌6 上裝设成可朝上下方向移動，精研削單元12則於另—導引 軌8上裴設成可朝上下方向移動。 粗研削單71:10包含有：單元外殼14 ;研磨輪18，係裝: I5設於輪架16,而輪架16裝設於該單元外殼14之下端且可自 由旋轉者；電動馬達20，係將裳設於單元外殼14下端之輪 架16朝逆時針旋轉方向旋轉者；及移動基台22，係裂設有 單元外殼14者。 研磨輪18係由％狀磨石基台18&及裝設於磨石基台也 20下面之粗研削用研磨石18b所構成。於移動基台形成—對 被v引執24 n由將料被導引軌μ與設置於垂直支持板* 之導引執6嵌合且可移動，使粗研削單元⑴支持為可朝上下 方向移動。 符说26係研削進給機構，該研削進給機構％係使粗研 9 200921778 削單元10之移動基台22沿著導引執6移動，並將研磨輪ι8進 行研削進給，又，研削進給機構26包含有：滾珠螺桿28， 5 係與導引軌6平行地朝上下方向配置於垂直支持板4且支持 為可旋轉者；脈衝馬達30 ’係旋轉驅動滾珠螺桿28者；及 未圖示之螺帽，係裝設於移動基台22且與滾珠螺桿28螺合者。 藉由利用脈衝馬達30將滾珠螺桿28正轉或逆轉驅動， 使粗研削單元10朝上下方向（相對於後述夾頭台之保持面 呈垂直之方向）移動。 精研削單元12亦構成與粗研削單元1〇相同，且包含 10有：單元外殼32 ;研磨輪36 ,係裝設於輪架34，而輪架34 裝設於單元外殼32之下端且可自由旋轉者；電動馬達％， 係將裝設於單元外殼32上端之輪架34朝逆時針旋轉方向驅 動者；及移動基台40，係裝設有單元外殼32者。研磨輪％ 係由環狀磨石基台36a及裝設於磨石基台36a下面之精研削 15用研磨石36b所構成。 於移動基台40形成一對被導引軌42，又，藉由將該等 被導引軌42與設置於垂直支持板4之導引執8嵌合且^移 動，使精研削單元12支持為可朝上下方向移動。 符號44係研削進給機構，該研削進給機構料係使精研 削單元12之移動基台4〇沿著導引軌8移動，並將研磨輪％進 仃研削進給’又，研削進給機構44包含有：滾珠螺桿％ , 係與導引轨8平行地朝上下方向配置於垂直支持板4且支持 為可旋轉者；脈衝馬達48 ,係旋轉驅動滾珠螺桿仏者；及 未圖示之螺帽，錄設於移動基台40且與滾珠螺桿46螺合者。 200921778 藉由利用脈衝馬達48將滾珠螺桿46正轉或逆轉驅動， 使精研削單元12朝上下方向（相對於後述夾頭台之保持面 呈垂直之方向）移動。 研削裝置係具有轉盤50，且轉盤50係於垂直支持板4 之月ί側配置成與裝置外殼2之上面略呈一面，又，轉盤50係 形成為直徑較大之圓盤狀，且藉由未圖示之旋轉驅動機構 朝箭頭記號51所示之方向旋轉。
於轉盤50上，三個夾頭台52係配置成可於水平面内旋 轉，且相互地於圓周方向間隔12〇度，又，夾頭台52係藉由 1〇圓盤狀基台54及利用多孔陶瓷材形成為圓盤狀之吸附夾頭 56所構成’同時藉由將未圖示之吸引機構作動而吸附保持 被載置於吸附夾頭56之保持面上的晶圓。 依此所構成之夾頭台52係藉由未圖示之旋轉驅動機構 朝箭頭記號53所示之方向旋轉，又’藉由使轉盤50適當地 旋轉一個配置於轉盤5〇之夾頭台52會依序地移動至晶圓 搬入、搬出領域A ;粗研削加工領域Β;精研削加工領域C; 及晶圓搬入、搬出領域A。 研削農置包含有：第1卡㈣，係相對於晶圓搬入、搬 20 出項域AS己置於—側，並儲備研削加工前之晶圓者；及第2 卡£60,係、相對於晶圓搬人、搬出領域a配置於另一側，並 儲備研削加工後之晶圓者。 ;第卡厘58與晶圓搬入、搬出領域a間配置有暫置台 62二-亥暫置台62係載置自第i卡㈣所搬出之晶圓，且於暫 置口 62之上方配置有攝影機倾，該攝影機構μ係將藉由 11 200921778 晶圓搬送機構70自第汁E 58所搬出之晶圓進行攝影，又， 攝影機構64係安裝於支持構件66。 於晶圓搬入、搬出領域A與第2卡£6〇間配置有旋轉洗 淨機構68 ’又’晶圓搬送機構7〇係由保持臂72及移動保持 5臂72之多節連桿機構74所構成，且將收納於第丨卡厘別内之 晶圓搬出至暫置台60 ’同時將業已藉由旋轉洗淨機構的^ 淨之晶圓搬送至第2卡匣60。 晶圓搬入機構76係將載置於暫置台62上的研削
月1J 之晶圓搬送至被定位在晶圓搬入、搬出領域A之夾頭台2 10上，晶圓搬出機構78則將載置於被定位在晶圓搬入、搬出 領域A之夾頭台52上的研削加工後之晶圓搬送至旋轉洗淨 機構68。 ' 於弟1卡匣58内收納有第2圖所示之半導體晶圓I!,坐 ，平 導體晶圓11係由例如厚度為7〇〇μιη之矽晶圓所構成，且於 15表面113上，複數切割道13係形成為格子狀，同時於藉由該 等複數切割道13所劃分之複數領域上形成ic、LSI等元件15。 依此所構成之半導體晶圓11包含有：形成元件15之元 件領域17 ;及圍繞元件領域17之外周剩餘領域19，又，外 周剩餘領域19之寬度係設定為約2mm至3mm，且於半導體 20晶圓11之外周形成作為顯示矽晶圓之結晶方位標記的缺口 21。 藉由保護膠帶黏貼程序，於半導體晶圓11之表面11&黏 貼保護膠帶23，因此，半導體晶圓11之表面ua係藉由保護 膠帶23來保護，且如第3圖所示，會構成内面Ub露出之狀 態，同時將内面lib作成上側而將複數片半導體晶圓u收納 12 200921778 於第1卡匣58中。 其次’參照第4圖’以模式方式顯示晶圓u之中心⑽ 保持臂72之中心82及暫置台62之中^8顿_。暫置^ 係具有保持面62a，且該保持面62a係構成可藉由未圖二之 吸引機構來吸引，又，保持臂72之中心82與暫置台Ο之中 〜84係預先登錄於控制器1 〇4(參照第8圖）。 於本發明實施形態中，藉由保持臂72自下倒保持晶圓 11，且使晶圓11之中心8〇與暫置台62之令心84—致而 圓11載置於暫置台62上。 ：Βθ 10 參照第5圖，顯示藉由保持臂72將晶圓u定位於攝影機 構64下並將晶圓此外周緣進行攝影之模式圖，符號％ 攝影視野。 ' 其次’參照第6圖，說明依據藉由攝影機構料所攝影之 影像檢測晶am之中心位置的方法。符號87係藉由攝=機 15構64所攝影之攝影影像，且藉由掃描攝影影⑽，抽出三 點A、B、c，又，藉由該掃描操作，可求取三點A、B、c 之X、γ座標。 若將連結點A及點B之線段88之二等分線9〇劃線拉 長’再將連結點B及點C之線段92之二等分線94劃線拉長， 則可求取二等分線90、三等分線94之交點％作為晶圓^之 中心位置80。 若除了前述三點八至〇再追加一點，則可求取四種三點 之組合，依此，若針對個別三點之組合求取二等分線之交 點，並自該等交點之平均值求取晶圓丨丨之中心則可更= 13 200921778 確地求取晶圓11之中心8〇。 依此求取晶圓11之中心80後，如第7(A)圖所示，藉由 偏離量檢測機構，檢測保持臂72之中心82與晶圓11之中心 8〇之偏離量1〇6。 ”_人，如第7(B)圖所示，藉由驅動晶圓搬送機構7〇之 多節連桿74，移動保持臂72並使晶圓U之中心8〇與暫置台 62之中心84—致。 人，參照第8圖，說明晶圓搬入機構76與暫置台62 及夾頭台52之關係。晶圓搬入機構76之作動臂_以連結 1〇脈衝馬達102與作動臂98之連結卿3的軸作為中心進行 旋動。 於作動臂98之前端部安裝有吸附塾1〇〇，若驅動脈衝馬 達102貝作動臂76會旋冑，並畫出吸附塾觸之令心通過 暫置台62之中心84與夾頭台52之中心的圓弧狀軌跡1〇5。 15 藉此，可將載置於暫置台62上且使其十心8〇對齊暫置 σ之中心84的晶圓11利用晶圓搬入機構76之吸附墊1〇〇來 吸附，同％藉由以預定脈衝驅動脈衝馬達丨,將晶圓1】移 動至夾頭台52上，且使其中心8〇對齊失頭台μ之吸附夾頭 56之中心。 2〇 其次，吸引驅動吸附夾頭56，並解除吸附墊1〇〇之吸 引，藉此，晶圓11會使其中心8〇對齊吸附夾頭56之中心而 正確地吸引保持於夾頭台52上。 控制器104係控制攝影機構64及晶圓搬送機構7〇之多 節連桿74，同時掌管粗研削單元1〇、精研削單元12、夾頭 14 200921778 台52等其他多種單元之控制。 如第9⑻圖所示，本發明研削裝置之粗研削單元· 精研削單元12特別適合於研削對應於晶_之元件領域17 的晶圓内面108,並於對應於外周剩餘領域19之晶圓内面形 5 成環狀凸部110。 如第9⑷圖所示’本發明之攝影機構64可檢測形成於 晶im内面之環狀凸部m的外周緣與内周緣，並檢测環狀 凸部110之寬度。 舉例言之，檢測環狀凸部110之外周緣之三fiA、B、c 與内周緣之三點D、E、F，並分別求取點A與點〇之又座標 差、點B與點E之X座標差、點C與點座標差且加以平 均，藉此，可檢測環狀凸部110之寬度。 不過，由於連結點A與點D之直線及連結與點F之直 線並未通過晶圓11之中心8〇,因此必須分別對點A與點D之 15 X座標差及點C與點FiX座標差，進行偏離晶圓中心的角度 修正。 再者，本發明之攝影機構64可檢測環狀凸部11〇之内周 緣與環狀凸部11〇之隆起根尺部112之最下點112a並算出尺部 112之寬度。 2〇 舉例言之，以三點G、Η、I檢測環狀凸部11〇之隆起根 R部112之最下點U2a，並分別求取點D與點GiX座標差、 點E與點Η之X座標差、點F與點jix座標差且加以平均藉 此’可算出R部112之寬度。 不過，由於連結點D與點〇之直線及連結點F與點丨之直 15 200921778 線並未通過晶圓11之中心8〇，因此必須對點D與點G之X座 標差及點F與點I之X座標差，進行依據與晶圓中心之偏離量 的角度修正。 藉由將依此所檢測之R部i i 2之寬度與預先登錄之R部 5 112之寬度的容許值加以比車交，而可於短時間判定研磨石 18b或研磨石36b之磨損情況，又，在判定尺部112之寬度大 於容許值時，則將研磨輪18或研磨輪36與新的研磨輪進行 交換。 其次，參照第10圖，說明保持於夾頭台52之晶圓丨丨與 10構成研磨輪18之粗研削用研磨石18b之關係。夾頭台52之旋 轉中心P1與研磨石18b之旋轉中心P2呈偏心，且研磨石丨扑 之外徑係設定為比晶圓11之元件領域17與剩餘領域19之邊 界線114的直徑小且比邊界線114的半徑大之尺寸，又，環 狀研磨石18b會通過夾頭台52之旋轉中心pi。 15 以300rPm將夾頭台52朝箭頭記號53所示之方向旋轉， 並以6000rpm使研磨石18b朝箭頭記號丨丨6所示之方向旋 轉，同時將研削進給機構26作動而使研磨輪18之研磨石18b 與晶圓11之内面接觸，又，以預定研削進給速度將研磨輪 18朝下方研削進給預定量。 20 其結果，於半導體晶圓11之内面上，如第11圖所示， 對應於元件領域17之領域會進行粗研削除去而形成厚度梢 微比預定厚度（例如50μπι)厚的圓形狀凹部1〇8，同時對應於 外周剩餘領域19之領域會殘存而形成環狀凸部（環狀補強 部）110(部粗研削程序）。 16 200921778 么又’於上次定位在晶圓搬入'搬出領域A的下〆個爽頭 上研肖丨加工岫之晶圓11係如前述般對齊中心位置來 載置’又，藉由將未圖示之吸引機構作動，將晶圓11吸引 保持於失頭台52上。 5 《次，將轉盤5〇朝箭頭記號51所示之方向旋轉120度， 並將保持有業經粗研削加工之晶圓11的炎頭台52定位在精 研，加工領域C，且將保持有研削加工前之晶圓⑽失頭台 52定位在粗研削加工領域b。 1 /持於被定位在粗研削加工領域B之失頭台52上的粗 1〇 =削加卫前之晶圓11之内面爪係藉由粗研削單元1〇施行 =述粗研削加卫，載置於被定位在精研削加X領域C之爽頭 、〜上的業二粗研削加工之晶圓11之内面1115則藉由精研 削單元12施行精研削加工。 參照第12圖說明精研削加工。精研削用研磨石36b之外 5徑係形成為與粗研削用研磨石⑽相同之尺寸，如第12圖所 不’將精研削用研磨石36歧位成通過夾頭台Μ之旋轉中心 U曰圓11之中〜80) ’此日夺’研磨石36b之外周緣係定位成 與藉由粗研削加工所形成之環狀凸部110之内周面接觸。 2〇 、以3〇〇lpm將夹頭台52朝箭頭記號53所示之方向旋轉， 0並以_〇rpm使精研削用研磨石抛朝箭頭記號m所示之 方向％轉，同時將研削進給機構44作動而使研磨輪％之研 磨石36b與形成於晶圓内面之圓形狀凹部之底面接觸。 其結果，形成於晶圓11内面之圓形狀凹部108之底面係 進仃精研削，且對應於元件領域17之領域係形成為預定厚 17 200921778 度(例如50μιη)(凹部精研削程序）。
依據本發明，進行粗研削加工及精研削加工之晶圓U 係由於其中心如前述般定位於夾頭台52之中心，因此可確 實地研削對應於it件領域17之領域，且環狀凸部ιι〇之寬度 亦均一。 又 經由粗研削加工領域B及精研削加工領域c回到晶圓 搬入、搬出領域A的夾頭台52會在此解除業經精研削加工之 晶圓11的吸附保持，又，定位於晶圓搬人、搬出領域 頭台52上的業經精研削加工之晶圓u係藉由晶圓搬出機構 10 78搬出至洗淨機構68。 搬送至洗淨機構68之晶圓U會在此洗淨除去附著於内 面（研削面）llb及側面之研削屑，同時進行旋轉乾燥，業經 洗淨及旋轉乾燥之晶圓11係藉由晶圓搬送機構7〇搬送至第 2卡E60並加以收納。 15 再者，本實施形態之研削裝置亦可利用在粗研削單元 10及精研削單元12將藉由剛述晶圓11之内面研削而殘存之 環狀凸部110進行研削時。 舉例吕之，晶圓11之厚度為700μηι時，環狀凸部11〇之 厚度亦為700μπι，然而，可將其研削至⑺叫爪之厚度而使後 20 續切削程序等時之處理變得容易。 I：圖式簡單說明2 第1圖係本發明貫施形態之研削裝置之外觀立體圖。 第2圖係半導體晶圓之表側立體圖。 第3圖係黏貼有保護膠帶之半導體晶圓之内面側立體圖。 18 200921778 第4圖係顯示晶圓之中心、保持臂之中心及暫置台之中 心的位置關係模式圖。 第5圖係藉由保持臂將晶圓定位於攝影機構下並將日曰 圓之外周緣進行攝影時之模式圖。 阳 5 第6圖係依據攝影影像檢測晶圓中心之說明圖。 第7 (A)圖係說明晶圓之中心位置偏離量檢測程序之說 明圖’第7(B)圖係使晶圓之中心與暫置台之中心—致而將 晶圓載置於暫置台上之說明圖。 ' 第8圖係顯示晶圓搬入機構與暫置台及爽頭台之位置 10 關係說明圖。 第9 (A)圖係算出對齊外周剩餘領域所形成之環狀凸部 之寬度與凸部之隆起根R部之寬度的說明圖，第9⑼圖係第 9(A)圖之9B-9B線截面圖。 第10圖係藉由研削裝置來實施之凹部粗研削程序說明圖。 15 帛11圖係業已實施凹部粗研難序之半導體晶圓之放 大截面圖。
第12圖係藉由研難置來實施之凹部精棚程序說明圖 【主要元件符號說明】 2…裝置外殼 4...垂直支持板 6,8…導引軌 10·.·粗研削單元 11…半導體晶圓 11a.·.表面 lib·. ·内面 12…精研削單元 13...切割道 14，32…單元外殼 15…元件 16，34".輪架 19 200921778 17.. .元件領域 18…粗研磨輪 18a，36a...磨石基台 18b...粗研磨石 19.. .外周剩餘領域 20，38...電動馬達 21···缺口 22，40...移動基台 23.. .保護膠帶 24，42...被導引軌 26，44…研削進給機構 28，46··.滾珠螺桿 30，48，102...脈衝馬達 36".精研磨輪 36b...精研磨石 50.. .轉盤 51，53，116，118…箭頭記號 52".夾頭台 54.. .基台 56.. .吸附夾頭 58.. .第1卡匣 60.. .第2卡匣 62.. .暫置台 62a...保持面 64.. .攝影機構 66…支持構件 68.. .旋轉洗淨機構 70.. .晶圓搬送機構 72.. .保持臂 74…多節連桿機構 76.. .晶圓搬入機構 78.. .晶圓搬出機構 80.. .晶圓之中心 82.. .保持臂之中心 84.. .暫置台之中心 86…攝影視野(攝影領域) 87.. .攝影影像 88，92·"線段 90，94··.二等分線 96…交點 98.. .作動臂 100.. .吸附墊 103···連結軸 104.. .控制器 105…圓弧狀執跡 106.. .偏離量 108.. .凹部 110.. .環狀凸部 20 200921778 1Π··.隆起挪部 Β...粗研削加工領域 112a...最下點 C...精研削加工領域 114…邊界線 PI，Ρ3...夾頭台之旋轉中心 A...晶圓搬入、搬出領域 A，B，C，D，E，F，G，Η，I···點 Ρ2...研磨石之旋轉中心 21