CN101434046A - 磨削装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种磨削装置，其能够以简单的结构将晶片的中心定位在卡盘工作台的中心。磨削装置包括中心对准构件。中心对准构件包括：摄像构件，其拍摄处于保持在保持臂上的状态的晶片的外周区域的一部分；和偏移量检测构件，其根据摄像构件所拍摄得到的图像信息，检测晶片的中心与保持臂的中心的偏移量。偏移量检测构件从拍摄得到的图像信息检测出晶片的外周缘的三个点以上的坐标以求出晶片的中心，并检测出晶片的中心与保持臂的中心的偏移量。保持臂进行与偏移量相应的修正，从而以将晶片的中心定位在临时放置工作台的中心的方式载置晶片，晶片搬入构件设置成能够以这样的方式转动：吸附部划出通过临时放置工作台的中心和卡盘工作台的中心的圆弧状轨迹，晶片搬入构件将晶片的中心定位在卡盘工作台的中心后解除吸附。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于对在表面上形成有多个器件的晶片的背面进行磨削的磨削装置。
背景技术
在半导体器件制造工序中，在大致圆盘形状的半导体晶片的表面上，通过呈格子状排列的被称为间隔道的分割预定线划分出多个区域，在该划分出的区域上形成IC(Integrated Circuit：集成电路)、LSI(large scaleintegration：大规模集成电路)等器件。然后，通过利用切削装置沿着间隔道切断半导体晶片，将半导体晶片分割成一个个半导体芯片。
被分割的晶片在被沿着间隔道切断之前，通过对背面进行磨削或蚀刻而形成为预定的厚度。近年来，为了实现电气设备的轻质化和小型化，要求晶片的厚度更薄，例如为50μm左右。
关于将晶片的背面磨削变薄的磨削装置，为了精加工出薄且抗弯强度高的晶片以满足该要求，想了各种办法，也在其中明白了为了制作抗弯强度高的晶片，使载置要磨削的晶片的卡盘工作台的中心与晶片中心一致是很重要的。
另一方面，还提出了这样的磨削方法：仅对晶片的形成有IC和LSI等器件的器件区域的背面进行磨削，在外周部的剩余区域留下环状凸部。根据该磨削方法，器件区域被磨削成薄至50μm左右，而使周围较厚，从而能够获得下一工序中的处理变得容易的晶片。
为了实现这样的磨削方法，在将晶片载置在卡盘工作台上时，使晶片的中心与卡盘工作台的中心对准是很重要的，例如提出了日本特开平7-211766号公报中公开的中心对准装置。
此外，在日本特开2005-268530号公报中，提出了设置多个照相机来一次拍摄多个部位、并根据这些图像算出晶片中心的方法。
专利文献1：日本特开平7-211766号公报
专利文献2：日本特开2005-268530号公报
专利文献1中公开的接触式的中心对准装置存在晶片产生裂纹或求出的中心位置对准精度不足的问题。此外，专利文献2中公开的半导体晶片的校准装置由于使用多个照相机，所以存在照相机耗费成本和照相机的位置调整耗费工时的问题。
发明内容
本发明是鉴于这样的问题而完成的，其目的在于提供一种能够以简单的结构将晶片的中心定位在卡盘工作台的中心的磨削装置。
根据本发明提供一种磨削装置，该磨削装置包括：收纳晶片的盒；搬出构件，其利用保持臂保持该盒内的晶片并将晶片搬出；临时放置工作台，其载置由该搬出构件搬出的晶片；晶片搬入构件，其具有吸附部，该吸附部对载置在上述临时放置工作台上的晶片进行保持后将该晶片搬入到卡盘工作台上；和磨削构件，其对保持在上述卡盘工作台上的晶片进行磨削，其特征在于，
上述磨削装置包括中心对准构件，该中心对准构件将由上述搬出构件搬出的晶片以晶片的中心与上述临时放置工作台的中心对准的方式载置在该临时放置工作台上，
该中心对准构件包括：上述临时放置工作台，其中心被预先登记；上述保持臂，其中心被预先登记，该中心在将晶片定位并载置在该临时放置工作台上时与该临时放置工作台的中心一致；摄像构件，其对处于保持在该保持臂上的状态的晶片的外周区域的一部分进行拍摄；以及偏移量检测构件，其根据由该摄像构件拍摄得到的图像信息，来检测出晶片的中心与上述保持臂的中心的偏移量，
该偏移量检测构件从由上述摄像构件拍摄得到的图像信息检测出晶片的外周缘的三个点以上的坐标，以求出晶片的中心，然后检测出晶片的中心与上述保持臂的中心的偏移量，
上述保持臂进行与上述偏移量相应的修正，从而以将晶片的中心定位在上述临时放置工作台的中心的方式将晶片载置在该临时放置工作台上，
上述晶片搬入构件设置为能够以这样的方式转动：吸附部划出通过上述临时放置工作台的中心和上述卡盘工作台的中心的圆弧状轨迹，上述晶片搬入构件将晶片的中心定位在上述卡盘工作台的中心后解除吸附。
例如，上述晶片是包括在表面上形成有多个器件的器件区域、和围绕该器件区域的外周剩余区域的晶片，上述磨削构件对晶片的与该器件区域对应的背面进行磨削，从而在晶片的与该外周剩余区域对应的背面上形成环状的凸部。
优选的是，上述摄像构件对在晶片的与上述外周剩余区域对应的背面上形成的上述环状凸部的外周缘和内周缘进行检测，从而检测出该环状凸部的宽度。
优选的是，上述摄像构件对上述环状凸部的内周缘和该环状凸部的隆起根圆角部最下方点进行检测，从而算出圆角部的宽度，然后将该宽度与预先登记的圆角部的允许值进行比较。
例如，上述晶片包括在表面上形成有多个器件的器件区域、和围绕该器件区域的外周剩余区域，晶片的与该器件区域对应的背面被磨削，从而在晶片的与该外周剩余区域对应的背面上形成有环状的凸部，
上述磨削构件对环状凸部进行磨削。
根据本发明，在晶片保持在保持臂上的状态下，仅拍摄一次晶片的外周缘就能够算出晶片的中心位置，能够检测出预先登记的保持臂的中心与晶片中心的偏移量，从而以晶片的中心与临时放置工作台的中心位置对准的方式将晶片载置在临时放置工作台上。
并且，晶片搬入构件设置为能够以这样的方式转动：吸附部划出通过临时放置工作台的中心和卡盘工作台的中心的圆弧状轨迹，利用该晶片搬入构件，能够在短时间内以晶片中心与卡盘工作台的中心对准的方式将晶片载置在卡盘工作台上。
此外，由于通过一次拍摄就能够检测出环状凸部的宽度，所以在对晶片的与器件区域对应的背面进行磨削后，还能够在短时间内检测出环状凸部的宽度，能够进行留下环状凸部的晶片磨削的优劣判断，以及环状凸部位置的高精度检测。
而且，在与外周剩余区域对应的背面上留下环状凸部而对与器件区域对应的晶片背面进行磨削时，也同样能够检测出在环状凸部的根部产生的圆角形状的宽度，所以能够在短时间内判断磨削用轮的磨损情况。
附图说明
图1是本发明实施方式的磨削装置的外观立体图。
图2是半导体晶片的表侧立体图。
图3是粘贴有保护带的半导体晶片的背面侧立体图。
图4是表示晶片的中心、保持臂的中心和临时放置工作台的中心的位置关系的示意图。
图5是利用保持臂将晶片定位在摄像构件下、并对晶片的外周缘进行拍摄时的示意图。
图6是根据摄像图像检测晶片中心的说明图。
图7(A)是说明晶片的中心位置偏移量检测工序的说明图，图7(B)是以使晶片的中心与临时放置工作台的中心一致的方式将晶片载置在临时放置工作台上的说明图。
图8是表示晶片搬入构件、与临时放置工作台以及卡盘工作台的位置关系的说明图。
图9(A)是计算与外周剩余区域对应地形成的环状凸部的宽度、和凸部的隆起根圆角部的宽度的说明图，图9(B)是沿着图9(A)中的9B-9B线的剖视图。
图10是利用磨削装置实施的凹部粗磨削工序的说明图。
图11是实施了凹部粗磨削工序的半导体晶片的放大剖视图。
图12是通过磨削装置实施的凹部精磨削工序的说明图。
标号说明
10：粗磨削单元；12：精磨削单元；18：粗磨轮；18b：粗磨削磨具；36：精磨轮；36b：精磨削磨具；50：转台；52：卡盘工作台；54：吸附卡盘；62：临时放置工作台；64：摄像构件；70：晶片搬送构件；72：保持臂；74：多节连杆；76：晶片搬入构件；78：晶片搬出构件；80：晶片的中心；82：保持臂的中心；84：临时放置工作台的中心；86：摄影区域；87：摄像图像；90、94：平分线；96：交点；98：动作臂；100：吸附垫；110：环状凸部；112：隆起根圆角部。
具体实施方式
以下参照附图详细说明本发明实施方式的磨削装置。参照图1，图1表示本发明实施方式的磨削装置的立体图。磨削装置包括大致长方体形状的装置壳体2。垂直支承板4与装置壳体2的右上端相邻。
在垂直支承板4的内侧面设置有沿上下方向延伸的两对导轨6和8。在作为一方的导轨6上以能够沿上下方向移动的方式安装有粗磨削单元10，在作为另一方的导轨8上以能够沿上下方向移动的方式安装有精磨削单元12。
粗磨削单元10构成为具有：单元壳体14；磨轮18，其安装在轮座16上，轮座16可自由旋转地、安装于该单元壳体14的下端；电动马达20，其安装在单元壳体14的下端，用于使轮座16向逆时针方向旋转；和移动基座22，单元壳体14安装于该移动基座22。
磨轮18由环状的磨具基座18a、和安装在磨具基座18a的下表面的粗磨削用的磨削磨具18b构成。在移动基座22上形成有一对被引导轨道24，通过使这些被引导轨道24以能够移动的方式与设置在垂直支承板4上的导轨6配合，粗磨削单元10被支承成能够沿上下方向移动。
26是磨削进给机构，其使粗磨削单元10的移动基座22沿着导轨6移动，并对磨轮18进行磨削进给。磨削进给机构26构成为具有：滚珠丝杠28，其与导轨6平行地沿上下方向配置在垂直支承板4上，且被支承成能够旋转；脉冲马达30，其驱动滚珠丝杠28旋转；和未图示的螺母，其安装在移动基座22上，且与滚珠丝杠28旋合。
通过由脉冲马达30驱动滚珠丝杠28正转或反转，来使粗磨削单元10沿上下方向(相对于后述的卡盘工作台的保持面垂直的方向)移动。
精磨削单元12也与粗磨削单元10同样地构成，其构成为具有：单元壳体32；磨轮36，其安装在轮座34上，轮座34可自由旋转地、安装于单元壳体32的下端；电动马达38，其安装在单元壳体32的上端，用于向逆时针方向驱动轮座34；和移动基座40，单元壳体32安装于该移动基座40。磨轮36由环状的磨具基座36a、和安装在磨具基座36a的下表面的精磨削用的磨削磨具36b构成。
在移动基座40上形成有一对被引导轨道42，通过使这些被引导轨道42以能够移动的方式与设置在垂直支承板4上的导轨8配合，精磨削单元12被支承成能够沿上下方向移动。
44是磨削进给机构，其使精磨削单元12的移动基座40沿着导轨8移动，并对磨轮36进行磨削进给。磨削进给机构44构成为具有：滚珠丝杠46，其与导轨8平行地沿上下方向配设在垂直支承板4上，且被支承能够旋转；脉冲马达48，其驱动滚珠丝杠46旋转；和未图示的螺母，其安装在移动基座40上，且与滚珠丝杠46旋合。
通过由脉冲马达48驱动滚珠丝杠46正转或反转，精磨削单元12沿上下方向(相对于后述的卡盘工作台的保持面垂直的方向)移动。
磨削装置在垂直支承板4的前侧具有转台50，该转台50配设成与装置壳体2的上表面在大致同一面上。转台50形成为直径比较大的圆盘状，并通过未图示的旋转驱动机构向箭头51所示的方向旋转。
在转台50上沿圆周方向彼此相隔120度地配置有三个卡盘工作台52，这些卡盘工作台52能够在水平面内旋转。卡盘工作台52由圆盘状的基座54、和利用多孔性陶瓷材料形成为圆盘状的吸附卡盘56构成，通过使未图示的吸引构件动作，来对载置在吸附卡盘56的保持面上的晶片进行吸引保持。
这样构成的卡盘工作台52通过未图示的旋转驱动机构向箭头53所示的方向旋转。通过转台50的适当旋转，配设在转台50上的三个卡盘工作台52依次移动到晶片搬入·搬出区域A、粗磨削加工区域B、精磨削加工区域C、和晶片搬入·搬出区域A。
磨削装置包括：第一盒58，其配设在晶片搬入·搬出区域A的一侧，用来存放磨削加工前的晶片；和第二盒60，其配设在晶片搬入·搬出区域A的另一侧，用来存放磨削加工后的晶片。
在第一盒58和晶片搬入·搬出区域A之间配设有临时放置工作台62，该临时放置工作台62用来载置从第一盒58搬出的晶片，在临时放置工作台62的上方配置有摄像构件64，该摄像构件64用来对通过晶片搬送构件70从第一盒58搬出的晶片进行拍摄。摄像构件64安装在支承部件66上。
在晶片搬入·搬出区域A和第二盒60之间配设有回转清洗构件68。晶片搬送构件70由保持臂72和使保持臂72移动的多节连杆机构74构成，晶片搬送构件70将收纳在第一盒58内的晶片搬出到临时放置工作台62上，并且将由回转清洗构件68清洗过的晶片搬送到第二盒60。
晶片搬入构件76将载置在临时放置工作台62上的磨削加工前的晶片搬送到定位于晶片搬入·搬出区域A的卡盘工作台52上。晶片搬出构件78将定位于晶片搬入·搬出区域A的卡盘工作台52上所载置的磨削加工后的晶片搬送到回转清洗构件68。
图2所示的半导体晶片11收纳在第一盒58内。半导体晶片11由例如厚度为700μm的硅晶片构成，半导体晶片11在表面11a上呈格子状地形成有多条间隔道13，并且在由这些多条间隔道13划分出的多个区域中形成有IC、LSI等器件15。
这样构成的半导体晶片11包括：形成有器件15的器件区域17、和围绕器件区域17的外周剩余区域19。此外，外周剩余区域19的宽度设定为大约2～3mm。在半导体晶片11的外周形成有作为表示硅晶片的结晶方位的标记的凹口21。
在半导体晶片11的表面11a上通过保护带粘贴工序粘贴有保护带23。因此，半导体晶片11的表面11a被保护带23所保护，如图3所示，背面11b成为露出的状态，多片半导体晶片11以背面11b朝上的方式收纳在第一盒58中。
接下来，参照图4，图4示意性地表示晶片11的中心80、保持臂72的中心82和临时放置工作台62的中心84的关系。临时放置工作台62具有保持面62a，该保持面62a是被未图示的吸引构件吸引的结构。保持臂72的中心82和临时放置工作台62的中心84预先登记在控制器104(参照图8)中。
在本发明实施方式中，由保持臂72从下侧保持晶片11，以使晶片11的中心80与临时放置工作台62的中心84一致的方式将晶片11载置在临时放置工作台62上。
参照图5，图5表示利用保持臂72将晶片11定位在摄像构件64的下方并拍摄晶片11的外周缘的示意图。86是摄影视场。
接下来参照图6，对根据由摄像构件64拍摄到的图像来检测晶片11的中心位置的方法进行说明。87是由摄像构件64拍摄到的摄像图像，通过扫描摄像图像87来提取A、B、C三个点。通过该扫描操作，能够求出A、B、C三个点的X、Y坐标。
若划出连接点A和点B的线段88的平分线90，接着划出连接点B和点C的线段92的平分线94，则平分线90、94的交点96作为晶片11的中心位置80被求出。
如果除了上述A～C三个点以外还追加一点，则可求出四种类型的三点组合。这样，若针对每个三点组合求出平分线的交点，并从这些交点的平均值求出晶片11的中心，则能够更准确地求出晶片11的中心80。
在这样求出晶片11的中心80后，如图7(A)所示，利用偏移量检测构件检测出保持臂72的中心82与晶片11的中心80之间的偏移量106。
接下来，如图7(B)所示，通过驱动晶片搬送构件70的多节连杆74，使保持臂72移动，从而使晶片11的中心80与临时放置工作台62的中心84一致。
接下来参照图8对晶片搬入构件76、临时放置工作台62和卡盘工作台52的关系进行说明。晶片搬入构件76的动作臂98以连接轴103的轴心为中心转动，其中该连接轴103将脉冲马达102连接到动作臂98上。
在动作臂98的前端部安装有吸附垫100。当驱动脉冲马达102时，动作臂98以这样的方式转动：吸附垫100的中心划出通过临时放置工作台62的中心84和卡盘工作台52的中心的圆弧状轨迹105。
由此，用晶片搬入构件76的吸附垫100，来吸附以中心80与临时放置工作台的中心84对准的方式载置在临时放置工作台62上的晶片11，并以预定脉冲驱动脉冲马达102，由此，能够使晶片11以其中心80与卡盘工作台52的吸附卡盘56的中心对准的方式移动到卡盘工作台52上。
接着，驱动吸附卡盘56进行吸引，解除吸附垫100的吸引，由此，晶片11以其中心80与吸附卡盘56的中心对准的方式被准确地吸引保持在卡盘工作台52上。
控制器104控制摄像构件64和晶片搬送构件70的多节连杆74，并且负责粗磨削单元10、精磨削单元12和卡盘工作台52等其他许多单元的控制。
如图9(B)所示，本发明磨削装置的粗磨削单元10和精磨削单元12特别适合于对与晶片11的器件区域17对应的晶片背面108进行磨削，从而在与外周剩余区域19对应的晶片背面上形成环状的凸部110。
如图9(A)所示，本发明的摄像构件64对在晶片11的背面上形成的环状凸部110的外周缘和内周缘进行检测，从而能够检测出环状凸部110的宽度。
例如，检测环状凸部110的外周缘的A、B、C三个点和内周缘的D、E、F三个点，分别求出点A和点D的X坐标的差、点B和点E的X坐标的差、以及点C和点F的X坐标的差，通过对它们求平均值能够检测出环状凸部110的宽度。
不过，由于连接点A和点D的直线以及连接点C和点F的直线不通过晶片11的中心80，所以需要对点A和点D的X坐标的差、以及点C和点F的X坐标的差，分别进行从晶片的中心偏移的角度修正。
此外，本发明的摄像构件64检测环状凸部110的内周缘和环状凸部110的隆起根圆角部112的最下方点112a，从而能够算出圆角部112的宽度。
例如，在G、H、I三个点检测环状凸部110的隆起根圆角部112的最下方点112a，分别求出点D和点G的X坐标的差、点E和点H的X坐标的差、以及点F和点I的X坐标的差，通过对它们求平均值能够算出圆角部112的宽度。
不过，由于连接点D和点G的直线、以及连接点F和点I的直线不通过晶片11的中心80，所以需要对点D和点G的X坐标的差、以及点F和点I的X坐标的差进行与距离晶片中心的偏移量对应的角度修正。
将这样检测到的圆角部112的宽度与预先登记的圆角部112的宽度的允许值进行比较，能够在短时间内判断磨削磨具18b或36b的磨损情况。在判定为圆角部112的宽度超过了允许值的情况下，将磨削磨具18b或36b更换为新的磨轮。
接下来参照图10，对保持在卡盘工作台52上的晶片11、与构成磨轮18的粗磨削用的磨削磨具18b的关系进行说明。卡盘工作台52的旋转中心P1和磨削磨具18b的旋转中心P2偏心，磨削磨具18b的外径设定为这样的尺寸：小于晶片11的器件区域17与剩余区域19的交界线114的直径、且大于交界线114的半径，环状的磨削磨具18b通过卡盘工作台52的旋转中心P1。
使卡盘工作台52以300rpm(Round per minute：每分钟转数)向箭头53所示的方向旋转，同时使磨削磨具18b以6000rpm向箭头116所示的方向旋转，并且使磨削进给机构26动作以使磨轮18的磨削磨具18b与晶片11的背面接触。然后以预定的磨削进给速度使磨轮18以预定量向下方进行磨削进给。
其结果为，如图11所示，在半导体晶片11的背面通过粗磨削除去与器件区域17对应的区域，形成比预定厚度(例如50μm)略厚的圆形的凹部108，并且留下与外周剩余区域19对应的区域而形成环状凸部(环状加强部)110(凹部粗磨削工序)。
此外，在这期间，在定位于晶片搬入·搬出区域A的下一个卡盘工作台52上，以如上述那样中心位置对准的方式载置磨削加工前的晶片11。然后，通过使未图示的吸引构件动作，将晶片11吸引保持在卡盘工作台52上。
接着，使转台50向箭头51所示的方向旋转120度，使保持有粗磨削加工后的晶片11的卡盘工作台52定位于精磨削加工区域C，使保持有磨削加工前的晶片11的卡盘工作台52定位于粗磨削加工区域B。
利用粗磨削单元10对在定位于粗磨削加工区域B的卡盘工作台52上所保持的粗磨削加工前的晶片11的背面11b施行上述的粗磨削加工，利用精磨削单元12对在定位于精磨削加工区域C的卡盘工作台52上所载置的粗磨削加工过的晶片11的背面11b施行精磨削加工。
参照图12说明精磨削加工。精磨削用的磨削磨具36b的外径形成为与粗磨削用的磨削磨具18b相同的尺寸。如图12所示，将精磨削用的磨削磨具36b定位成通过卡盘工作台52的旋转中心P3(晶片11的中心80)。这时，磨削磨具36b的外周缘定位成与通过粗磨削加工形成的环状凸部110的内周面接触。
使卡盘工作台52以300rpm向箭头53所示的方向旋转，同时使精磨削用的磨削磨具36b以6000rpm向箭头118所示的方向旋转，并且使磨削进给机构44动作、以使磨轮36的磨削磨具36b与形成在晶片11的背面上的圆形的凹部108的底面接触。
其结果为，形成在晶片11的背面上的圆形的凹部108的底面被精磨削，与器件区域17对应的区域形成为预定厚度(例如50μm)(凹部精磨削工序)。
根据本发明，由于接受粗磨削加工和精磨削加工的晶片11的中心被如上所述地定位于卡盘工作台52的中心，所以能够可靠地磨削与器件区域17对应的区域，环状的凸部110的宽度也变得均匀。
经由粗磨削加工区域B和精磨削加工区域C后返回晶片搬入·搬出区域A的卡盘工作台52，在这里解除对精磨削加工后的晶片11的吸附保持。然后，定位于晶片搬入·搬出区域A的卡盘工作台52上的精磨削加工后的晶片11通过晶片搬出构件78被搬出到清洗构件68。
搬送到清洗构件68的晶片11在此清洗除去附着在背面(磨削面)11b和侧面上的磨削屑，并且进行回转干燥。进行了清洗和回转干燥后的晶片11通过晶片搬送构件70被搬送并收纳在第二盒60中。
此外，本实施方式的磨削装置也可以用于以下情况：粗磨削单元10和精磨削单元12对通过上述的晶片11的背面磨削而留下的环状凸部110进行磨削。
例如，在晶片11的厚度为700μm的情况下，环状凸部110的厚度也是700μm，但是将该环状凸部110磨削至100μm左右的厚度，能够使以后的磨削工序等时的处理变得容易。
Claims (5)
1、一种磨削装置，该磨削装置包括：
收纳晶片的盒；搬出构件，其利用保持臂保持该盒内的晶片并将晶片搬出；临时放置工作台，其载置由该搬出构件搬出的晶片；晶片搬入构件，其具有吸附部，该吸附部对载置在上述临时放置工作台上的晶片进行保持后将该晶片搬入到卡盘工作台上；和磨削构件，其对保持在上述卡盘工作台上的晶片进行磨削，其特征在于，
上述磨削装置包括中心对准构件，该中心对准构件将由上述搬出构件搬出的晶片以晶片的中心与上述临时放置工作台的中心对准的方式载置在该临时放置工作台上，
该中心对准构件包括：上述临时放置工作台，其中心被预先登记；上述保持臂，其中心被预先登记，该中心在将晶片定位并载置在该临时放置工作台上时与该临时放置工作台的中心一致；摄像构件，其对处于保持在该保持臂上的状态的晶片的外周区域的一部分进行拍摄；以及偏移量检测构件，其根据由该摄像构件拍摄得到的图像信息，来检测出晶片的中心与上述保持臂的中心的偏移量，
该偏移量检测构件从由上述摄像构件拍摄得到的图像信息检测出晶片的外周缘的三个点以上的坐标，以求出晶片的中心，然后检测出晶片的中心与上述保持臂的中心的偏移量，
上述保持臂进行与上述偏移量相应的修正，从而以将晶片的中心定位在上述临时放置工作台的中心的方式将晶片载置在该临时放置工作台上，
上述晶片搬入构件设置为能够以这样的方式转动：吸附部划出通过上述临时放置工作台的中心和上述卡盘工作台的中心的圆弧状轨迹，上述晶片搬入构件将晶片的中心定位在上述卡盘工作台的中心后解除吸附。
2、如权利要求1所述的磨削装置，其特征在于，
上述晶片是包括在表面上形成有多个器件的器件区域、和围绕该器件区域的外周剩余区域的晶片，
上述磨削构件对晶片的与该器件区域对应的背面进行磨削，从而在晶片的与该外周剩余区域对应的背面上形成环状的凸部。
3、如权利要求2所述的磨削装置，其特征在于，
上述摄像构件对在晶片的与上述外周剩余区域对应的背面上形成的上述环状凸部的外周缘和内周缘进行检测，从而检测出该环状凸部的宽度。
4、如权利要求3所述的磨削装置，其特征在于，
上述摄像构件对上述环状凸部的内周缘和该环状凸部的隆起根圆角部最下方点进行检测，从而算出圆角部的宽度，然后将该宽度与预先登记的圆角部的允许值进行比较。
5、如权利要求1所述的磨削装置，其特征在于，
上述晶片包括在表面上形成有多个器件的器件区域、和围绕该器件区域的外周剩余区域，晶片的与该器件区域对应的背面被磨削，从而在晶片的与该外周剩余区域对应的背面上形成有环状的凸部，
上述磨削构件对环状凸部进行磨削。
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