CN108326699A - 磨削装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种磨削装置，该磨削装置能够防止因磨削载荷而产生磨削不良。磨削装置(1)包含：多个卡盘工作台(42)，它们配设在转动工作台(41)上；第1磨削单元(46)和第2磨削单元(51)，它们对晶片(W)进行横向进给磨削；以及第1磨削进给单元(61)和第2磨削进给单元(71)，它们对第1磨削单元(46)和第2磨削单元(51)进行磨削进给。各磨削进给单元具有与磨削进给方向平行的一对引导件(62、72)以及滚珠丝杠(65、75)。各磨削单元的磨削区域(A1、A2)是一端位于晶片的外周、另一端位于晶片的中心的圆弧状。

Description

磨削装置
技术领域
本发明涉及磨削装置，该磨削装置利用配设于转动工作台的多个保持工作台对晶片进行保持，并利用多个磨削单元对晶片进行磨削。
背景技术
以往，作为对晶片进行加工的加工装置，公知有将晶片薄化至作为目标的完工厚度的磨削装置(例如，参照专利文献1)。在专利文献1所记载的磨削装置中设置有对晶片进行粗磨削的粗磨削单元和对晶片进行精磨削的精磨削单元。并且，在磨削装置中设置有固定了多个卡盘工作台的转动工作台，转动工作台上的各卡盘工作台分别相对于各磨削单元定位。并且，在各卡盘工作台上对晶片同时实施粗磨削工序、精磨削工序，通过转动工作台的旋转来使晶片在工序之间移动。
在专利文献1中，粗磨削单元和精磨削单元构成为：在旋转轴的下端设置安装座，在安装座的下表面上以能够旋转的方式安装有磨削磨轮，在该磨削磨轮上呈圆环状配设有磨削磨具。并且，在专利文献1的磨削装置中，通过竖立设置的柱和磨削进给单元在上下方向上驱动磨削单元而进行磨削进给，其中，该磨削进给单元具有设置于柱的进退轴和两条引导件。
这里，在进行横向进给磨削(infeed grinding)的情况下，按照磨削磨具经过由卡盘工作台保持的晶片的中心的方式使磨削磨具与晶片接触而对晶片进行磨削。磨削磨具与晶片接触的磨削区域按照磨削磨具的宽度形成为圆弧状，圆弧的一端位于晶片的外周，圆弧的另一端位于晶片的中心。
专利文献1：日本特开2014-30883号公报
但是，在专利文献1的磨削装置中，由于利用引导件按照使磨削单元向前方突出的方式进行悬臂支承，所以存在如下问题：柱及装置整体容易因磨削磨具按压于晶片的上表面的磨削载荷而出现倾斜，这会成为磨削不良的原因。
发明内容
因此，本发明的目的在于，提供磨削装置，该磨削装置能够防止因磨削载荷等而产生磨削不良。
根据本发明，提供磨削装置，其特征在于，该磨削装置具有：转动工作台；能够旋转的多个卡盘工作台，它们以该转动工作台的旋转轴心为中心在该转动工作台上沿圆周方向等角度配设；第1磨削单元，其将具有呈环状配设的多个第1磨削磨具的第1磨削磨轮安装成能够旋转，使该第1磨削磨具在该卡盘工作台所保持的晶片的半径范围内与晶片接触而对晶片进行横向进给磨削；第1磨削进给单元，其对该第1磨削单元在相对于该卡盘工作台接近和远离的磨削进给方向上进行磨削进给；第2磨削单元，其将具有呈环状配设的多个第2磨削磨具的第2磨削磨轮安装成能够旋转，使该第2磨削磨具在该卡盘工作台所保持的晶片的半径范围内与晶片接触而对晶片进行横向进给磨削；以及第2磨削进给单元，其对该第2磨削单元在相对于该卡盘工作台接近和远离的该磨削进给方向上进行磨削进给，该第1磨削进给单元包含：一对第1引导件，它们在该磨削进给方向上平行并隔着该第1磨削单元而配设；以及第1进退轴，其使借助该第1引导件而被定向的该第1磨削单元在该磨削进给方向上进退，该第2磨削进给单元包含：一对第2引导件，它们在该磨削进给方向上平行并隔着该第2磨削单元而配设；以及第2进退轴，其使借助该第2引导件而被定向的该第2磨削单元在该磨削进给方向上进退，该第1磨削单元对该卡盘工作台所保持的晶片进行磨削的第1磨削区域按照该第1磨削磨具的宽度形成为以该第1磨削磨轮的中心为中心的圆弧状，并且该第1磨削区域的一端位于晶片的外周，另一端位于晶片的中心，该第2磨削单元对该卡盘工作台所保持的晶片进行磨削的第2磨削区域按照该第2磨削磨具的宽度形成为以该第2磨削磨轮的中心为中心的圆弧状，并且该第2磨削区域的一端位于晶片的外周，另一端位于晶片的中心，该第1磨削区域的形心配置在将该一对第1引导件的各自的轴心连结而得的第1基准线上，将该第1磨削区域的该一端和该另一端连结而得的弦与该第1基准线垂直地配置，该第2磨削区域的形心配置在将该一对第2引导件的各自的轴心连结而得的第2基准线上，将该第2磨削区域的该一端和该另一端连结而得的弦与该第2基准线垂直地配置，该第1磨削进给单元的该第1基准线和该第2磨削进给单元的该第2基准线相对于该转动工作台的旋转轴心配置在对称位置。
根据该结构，由于圆弧状的第1或第2磨削区域的弦与将一对第1或第2导轨的轴心连结而得的第1或第2基准线垂直地配置，所以即使磨削载荷施加到第1或第2磨削单元，也不容易因磨削载荷而使力作用于一对第1或第2导轨。由此，能够防止各磨削磨轮的旋转中心位置因磨削载荷而发生倾斜，能够避免磨削不良的产生。
优选第1磨削单元的第1进退轴的轴心和第2磨削单元的第2进退轴的轴心分别配置在第1或第2基准线上。
根据本发明，能够防止因磨削载荷等而产生磨削不良。
附图说明
图1是本实施方式的磨削装置的立体图。
图2是对磨削装置的主要结构进行局部剖切并俯视而得的示意图。
图3是从图2的箭头B方向观察而得的柱的示意图。
标号说明
1：磨削装置；41：转动工作台；42：卡盘工作台(保持工作台)；46：粗磨削单元(第1磨削单元)；49：第1磨削磨轮；50：粗磨削磨具(第1磨削磨具)；51：精磨削单元(第2磨削单元)；54：第2磨削磨轮；55：精磨削磨具(第2磨削磨具)；61：第1磨削进给单元；62：引导件；65：滚珠丝杠(进退轴)；71：第2磨削进给单元；72：引导件；75：滚珠丝杠(进退轴)；W：晶片；A1、A2：磨削区域；A1a、A2a：形心；A1b、A2b：弦。
具体实施方式
以下，参照附图对本实施方式的磨削装置进行说明。图1是本实施方式的磨削装置的立体图。另外，在本实施方式中，并不限定于图1所示的结构。磨削装置只要能够如后述那样配置磨削单元，则也可以以任意方式构成。
如图1所示，磨削装置1构成为对晶片W全自动地实施由搬入处理、粗磨削加工、精磨削加工、清洗处理和搬出处理构成的一系列作业。晶片W形成为大致圆板状，在收纳于盒C的状态下被搬入到磨削装置1中。另外，晶片W只要是成为磨削对象的板状的工件即可，可以是硅、砷化镓等半导体基板，也可以是陶瓷、玻璃、蓝宝石等无机材料基板，还可以是半导体产品的封装体基板等。晶片W的背面(图1中的上表面)为进行磨削加工的被磨削面，在正面(图1中的下表面)上粘贴有保护带T。
在磨削装置1的基台11的前侧载置有收纳了多张晶片W的一对盒C。在一对盒C的后方设置有将晶片W相对于盒C搬入搬出的盒机器人16。在盒机器人16的两个斜后方设置有对加工前的晶片W进行定位的定位机构21和对加工完的晶片W进行清洗的旋转清洗机构26。在定位机构21与旋转清洗机构26之间设置有将加工前的晶片W搬入到卡盘工作台(保持工作台)42的搬入单元31和将加工完的晶片W从卡盘工作台42搬出的搬出单元36。
盒机器人16构成为在由多节连杆构成的机械臂17的前端设置有手部18。不仅利用盒机器人16将加工前的晶片W从盒C搬送到定位机构21，还利用盒机器人16将加工完的晶片W从旋转清洗机构26搬送到盒C。定位机构21是在暂放工作台22的周围配置能够相对于暂放工作台22的中心进退的多个定位销23而构成的。在定位机构21中，通过使多个定位销23与载置在暂放工作台22上的晶片W的外周缘抵靠而将晶片W的中心定位于暂放工作台22的中心。
搬入单元31构成为在搬入臂32的前端设置有搬入垫33，其中，该搬入臂32能够在基台11上旋转。在搬入单元31中，通过搬入垫33将晶片W从暂放工作台22提起，通过搬入臂32使搬入垫33旋转，从而将晶片W搬入到卡盘工作台42上。搬出单元36构成为在搬出臂37的前端设置有搬送垫38，其中，该搬出臂37能够在基台11上旋转。在搬出单元36中，通过搬送垫38来吸引保持晶片W并将晶片W从卡盘工作台42提起，通过搬出臂37使搬送垫38旋转，从而将晶片W从卡盘工作台42搬出。
旋转清洗机构26构成为设置有朝向旋转工作台27喷射清洗水和干燥空气的各种喷嘴(未图示)。利用旋转清洗机构26使保持着晶片W的旋转工作台27在基台11内下降，在基台11内喷射清洗水而对晶片W进行旋转清洗，之后，吹送干燥空气而使晶片W干燥。在搬入单元31和搬出单元36的后方设置有能够旋转的转动工作台41。在转动工作台41上以能够旋转的方式设置有多个(在本实施方式中为3个)卡盘工作台42。3个卡盘工作台42以转动工作台41的旋转轴心为中心按照等角度(在本实施方式中为120°)配设。在各卡盘工作台42的上表面形成有隔着保护带T对晶片W进行吸引保持的保持面43。保持面43具有以卡盘工作台42的旋转中心(保持面43的中心)为顶点并且按照外周稍微降低的方式倾斜的倾斜面，晶片W仿照保持面43的形状而形成为平缓倾斜的圆锥形状。
转动工作台41按照120度的间隔进行间歇旋转，从而依次定位在对保持在卡盘工作台42上的晶片W进行搬入和搬出的搬入搬出位置、与粗磨削单元(第1磨削单元)46对置的粗磨削位置以及与精磨削单元(第2磨削单元)51对置的精磨削位置。在粗磨削位置，通过粗磨削单元46将晶片W粗磨削到规定的厚度。在精磨削位置，通过精磨削单元51将晶片W精磨削到完工厚度。在转动工作台41的周围竖立设置有第1柱12和第2柱13。
在第1柱12上设置有第1磨削进给单元61。第1磨削进给单元61使粗磨削单元46在相对于卡盘工作台42接近和远离的磨削进给方向即Z轴方向上移动而进行磨削进给。第1磨削进给单元61具有两条引导件62，该两条引导件62由设置于第1柱12并与Z轴方向平行的轨道构成。两条引导件62隔着粗磨削单元46而配置，借助主轴支架64对粗磨削单元46进行支承，并且对粗磨削单元46的Z轴方向的移动进行定向。主轴支架64与作为进退轴的滚珠丝杠65螺合，滚珠丝杠65的一端与驱动马达66连结。通过驱动马达66来旋转驱动滚珠丝杠65，使粗磨削单元46沿着引导件62在Z轴方向上进退移动。
同样，在第2柱13上设置有第2磨削进给单元71。第2磨削进给单元71使精磨削单元51在相对于卡盘工作台42接近和远离的磨削进给方向即Z轴方向上移动而进行磨削进给。第2磨削进给单元71具有两条引导件72，该两条引导件72由设置于第2柱13并与Z轴方向平行的轨道构成。两条引导件72隔着精磨削单元51而配置，借助主轴支架74对精磨削单元51进行支承，并且对精磨削单元51的Z轴方向的移动进行定向。主轴支架74与作为进退轴的滚珠丝杠75螺合，滚珠丝杠75的一端与驱动马达76连结。通过驱动马达76来旋转驱动滚珠丝杠75，使精磨削单元51沿着引导件72在Z轴方向上进退移动。
在粗磨削单元46的主轴47的下端安装有安装座48，在安装座48的下表面上安装有粗磨削用的第1磨削磨轮49，在该第1磨削磨轮49上呈环状配设有多个粗磨削磨具(第1磨削磨具)50。主轴47具有能够旋转的旋转轴(未图示)，第1磨削磨轮49借助安装座48而以能够旋转的方式安装在该主轴47上。粗磨削磨具50例如由利用金属结合剂或树脂结合剂等结合剂固定了金刚石磨粒的金刚石磨具构成。并且，在精磨削单元51的主轴52的下端设置有安装座53，在安装座53的下表面上安装有精磨削用的第2磨削磨轮54，在该第2磨削磨轮54上呈环状配设有多个精磨削磨具(第2磨削磨具)55。主轴52具有能够旋转的旋转轴(未图示)，第2磨削磨轮54借助安装座53而以能够旋转的方式安装在该主轴52上。精磨削磨具55由粒径比粗磨削磨具50细的磨粒构成。
在利用这样的磨削装置1对晶片W进行磨削的情况下，首先，将晶片W从盒C内搬送到定位机构21，利用定位机构21对晶片W进行定心。接着，使晶片W的背面即被磨削面朝上并使粘贴于正面的保护带T朝下而将晶片W搬入到卡盘工作台42上，对晶片W进行吸引保持。然后，通过转动工作台41的旋转将晶片W依次定位在粗磨削位置、精磨削位置。
在粗磨削位置处的晶片W的粗磨削加工中，将粘贴于晶片W的保护带T的正面作为被保持面而利用卡盘工作台42对晶片W进行吸引保持。在该状态下，一边使卡盘工作台42绕着Z轴旋转一边使旋转的粗磨削磨具50在半径范围内与晶片W的上表面接触，通过横向进给磨削来进行粗磨削，该横向进给磨削将晶片W的上表面作为被磨削面。然后，在转动工作台41进行了旋转后的精磨削位置处的晶片W的精磨削加工中，一边使卡盘工作台42绕着Z轴旋转一边使旋转的精磨削磨具55在半径范围内与晶片W的被磨削面(上表面)接触，通过横向进给磨削来进行精磨削。在横向进给磨削中，晶片W的上表面在各磨削磨具50、55的接触区域被按压，此时的磨削载荷会作用于卡盘工作台42、粗磨削单元46以及精磨削单元51。
在精磨削之后，通过搬出单元36的搬送垫38对晶片W的被磨削面进行吸引保持，将晶片W搬出到旋转清洗机构26。利用旋转清洗机构26来清洗晶片W，并将晶片W从旋转清洗机构26向盒C搬出。
接着，除图1之外，还参照图2和图3对磨削装置1的上述的结构的位置关系进行说明。图2是对磨削装置的主要结构进行局部剖切并俯视而得的示意图。
如图1和图2所示，第1柱12和第2柱13由按照面向转动工作台41的方式设置的门型柱构成。各柱12、13分别具有：一对柱部12a、13a，它们沿着引导件62、72而定位；以及连结部12b、13b，它们将一对柱部12a、13a的上半部之间连结(参照图1，在图2中未图示)。连结部12b、13b配设在比安装座48、53和各磨削磨轮49、54靠上方的位置。
图3是从图2的箭头B方向观察而得的柱的说明图。如图3所示，在第1柱12中，在连结部12b的下方的两条柱部12a之间形成有开口。另外，虽然在图3中未示出，但由于第2柱13也被设置成与第1柱12呈左右对称的形状，所以该第2柱13与第1柱12同样地、在连结部13b的下方的两条柱部13a之间形成有开口。因此，借助第1柱12和第2柱13，作业者能够从它们的背面侧通过开口来更换各磨削磨轮49、54或进行维护。
回到图2，在各柱12、13中，与转动工作台41对置的那一侧的面成为对引导件62、72进行支承的支承面12c、13c。这里，将连接着由支承面12c支承的两条引导件62的各自的轴心的假想线设为第1磨削进给单元61的基准线S1。并且，将连接着由支承面13c支承的两条引导件72的各自的轴心的假想线设为第2磨削进给单元71的基准线S2。
各柱12、13和引导件62、72设置成：第1磨削进给单元61的基准线S1和第2磨削进给单元71的基准线S2在俯视图中以转动工作台41的旋转轴心41a为轴配置在对称位置。换言之，形成如下的位置关系：转动工作台41的旋转轴心41a配设在各基准线S1、S2的交叉位置处所形成的内角θ1的角的二等分线上。这里，内角θ1形成为锐角，优选设定在50°～70°的范围内。内角θ1的最佳值为60°。通过将配置基准线S1、S2的位置关系如此设定，粗磨削单元46和精磨削单元51的磨削区域A1、A2以转动工作台41的旋转轴心41a为轴配置在对称位置，并且能够使磨削装置1小型化。
在各柱12、13中，位于与转动工作台41相反的一侧的面在俯视图中形成为沿着基台11的外周缘的形状，实现了作为磨削装置1整体的小型化。并且，前方(图2的纸面中的上方)的柱部12a、13a形成为覆罩在转动工作台41的上方(参照图1)，引导件62、72也位于转动工作台41的上方。这样，通过将各柱12、13设置成覆盖在转动工作台41的上方，能够使各柱12、13的设置空间变窄，由此也能够实现整体的小型化。
在对晶片W进行磨削时，将保持着未磨削的晶片W的卡盘工作台42定位在粗磨削单元46的下方，将保持着粗磨削完成的晶片W的卡盘工作台42定位在精磨削单元51的下方。之后，当如上述那样开始粗磨削和精磨削时，晶片W与磨削磨具50、55接触，该接触区域成为磨削区域A1、A2。具体来说，由于卡盘工作台42的保持面43为圆锥面(参照图3)，所以磨削区域A1、A2按照磨削磨具50、55的宽度形成为以磨削磨轮49、54的中心为中心的圆弧状。并且，该圆弧的一端位于晶片W的外周，另一端位于晶片W的中心。这里，在图2中，用标号A1a、A2a示出俯视图中的磨削区域A1、A2的形心，用标号A1b、A2b示出将磨削区域A1、A2的一端和另一端连结而得的弦。
在本实施方式中，第1柱12、第1磨削进给单元61和粗磨削单元46等构成为成为如下的位置关系：磨削区域A1的形心A1a位于第1磨削进给单元61的基准线S1上。并且，还构成为如下的位置关系成立：磨削区域A1的弦A1b与第1磨削进给单元61的基准线S1垂直。此外，第1磨削进给单元61中的滚珠丝杠65的轴心配置在基准线S1上，并且，也构成为两条引导件62的中间点与磨削区域A1的形心A1a一致或位于形心A1a的附近。也就是说，对第1柱12和主轴支架64等的形状、大小和方向进行设定，以便满足这些位置关系并且粗磨削单元46能够对卡盘工作台42上的晶片W进行磨削。此时，在俯视图中，基准线S1经过卡盘工作台42的上方，并经过第1磨削磨轮49的中心或其附近。
第2柱13、第2磨削进给单元71和精磨削单元51被设置成相对于第1柱12、第1磨削进给单元61和粗磨削单元46除磨削磨具之外呈左右对称的构造。详细来讲，第2柱13、第2磨削进给单元71和精磨削单元51等构成为成为如下的位置关系：磨削区域A2的形心A2a位于第2磨削进给单元71的基准线S2上。并且，还构成为如下的位置关系成立：磨削区域A2的弦A2b与第1磨削进给单元71的基准线S2垂直。此外，第2磨削进给单元71中的滚珠丝杠75的轴心配置在基准线S2上，并且，也构成为两条引导件72的中间点与磨削区域A2的形心A2a一致或位于形心A2a的附近。也就是说，对第2柱13和主轴支架74等的形状、大小和方向进行设定，以便满足这些位置关系并且精磨削单元51能够对卡盘工作台42上的晶片W进行磨削。此时，在俯视图中，基准线S2经过卡盘工作台42的上方，并经过第2磨削磨轮49的中心或其附近。
如以上那样，在上述实施方式中，由于磨削区域A1、A2的形心A1a、A2a配置在基准线S1、S2上、并且弦A1b、A2b与基准线S1、S2垂直，所以当施加了利用各磨削单元46、51对晶片W进行磨削的磨削载荷时，能够使磨削单元46、51不容易发生倾斜。当对其进行详细叙述时，磨削单元46、51在被两条引导件62、72夹着的状态下对磨削单元46、51的Z轴方向(磨削进给方向)进行定向(引导)，在利用基准线S1、S2将磨削区域A1、A2切分而得的两侧均等地施加磨削载荷。由此，能够抑制与Z轴方向和基准线S1、S2垂直的方向的力G1、-G1、G2、-G2施加于引导件62、72。此外，在俯视图(图2)中，两条引导件62、72的各自的中间点与磨削区域A1、A2的形心A1a、A2a一致。其结果是，不会对两条引导件62、72施加磨削进给方向以外的方向的力，磨削单元46、51及它们所包含的磨削磨轮49、54的旋转轴不容易发生倾斜，提高了所磨削的晶片W的厚度精度，能够避免磨削不良的产生。
并且，由于滚珠丝杠65、75的轴心配置在基准线S1、S2上，所以能够高效地发挥出滚珠丝杠65、75所作用的力(磨削载荷)。并且，滚珠丝杠65、75的轴心可以配置在与磨削区域A1、A2接近的位置。由此，也能够有助于抑制磨削磨轮49、54的旋转轴的倾斜，能够提高晶片W的面精度并防止产生磨削不良。
由于将第1柱12和第2柱13作为门型柱而形成有开口，所以能够从各柱12、13的背面侧视觉辨认各磨削磨轮48、54及进行处理。这里，在上述实施方式中，各柱12、13的支承面12c、13c从基台11的角部侧朝向转动工作台41的旋转轴心41a。因此，假设当从前表面侧更换或调整各磨削磨轮46、54时，作为大型部件的转动工作台41位于作业者与各磨削磨轮46、54之间，它们之间的距离变长而使作业者的手很难到达。关于这一点，在上述实施方式中，能够通过各柱12、13的开口来处理各磨削磨轮48、54，并能够良好地维持更换或维护的作业性。
另外，关于上述实施方式中的各柱12、13或主轴支架64、74等的形状、大小和方向，只要基准线S1、S2相互的位置关系、基准线S1、S2与磨削区域A1、A2的形心A1a、A2a、弦A1b、A2b之间的位置关系与上述同样，则没有特别地限定，能够进行各种设计变更。
并且，本发明的实施方式并不限定于上述的实施方式和变形例，也可以在不脱离本发明的技术思想的主旨的范围内进行各种变更、置换、变形。此外，如果因技术的进步或衍生出的其他技术而能够利用其他方法实现本发明的技术思想，则也可以使用该方法来实施。因此，权利要求书覆盖了能够包含在本发明的技术思想的范围内的所有实施方式。
并且，在本实施方式中，对将本发明应用于磨削装置的结构进行了说明，但也可以应用于防止旋转的磨轮的旋转轴倾斜而提高加工精度的研磨装置等其他的加工装置中。
如以上说明的那样，本发明具有能够防止产生磨削不良的效果，对使用转动工作台而利用两个磨削单元对晶片进行磨削的磨削装置有用。

Claims (2)

1.一种磨削装置，其特征在于，
该磨削装置具有：
转动工作台；
能够旋转的多个卡盘工作台，它们以该转动工作台的旋转轴心为中心在该转动工作台上沿圆周方向等角度配设；
第1磨削单元，其将具有呈环状配设的多个第1磨削磨具的第1磨削磨轮安装成能够旋转，使该第1磨削磨具在该卡盘工作台所保持的晶片的半径范围内与晶片接触而对晶片进行横向进给磨削；
第1磨削进给单元，其对该第1磨削单元在相对于该卡盘工作台接近和远离的磨削进给方向上进行磨削进给；
第2磨削单元，其将具有呈环状配设的多个第2磨削磨具的第2磨削磨轮安装成能够旋转，使该第2磨削磨具在该卡盘工作台所保持的晶片的半径范围内与晶片接触而对晶片进行横向进给磨削；以及
第2磨削进给单元，其对该第2磨削单元在相对于该卡盘工作台接近和远离的该磨削进给方向上进行磨削进给，
该第1磨削进给单元包含：
一对第1引导件，它们在该磨削进给方向上平行并隔着该第1磨削单元而配设；以及
第1进退轴，其使借助该第1引导件而被定向的该第1磨削单元在该磨削进给方向上进退，
该第2磨削进给单元包含：
一对第2引导件，它们在该磨削进给方向上平行并隔着该第2磨削单元而配设；以及
第2进退轴，其使借助该第2引导件而被定向的该第2磨削单元在该磨削进给方向上进退，
该第1磨削单元对该卡盘工作台所保持的晶片进行磨削的第1磨削区域按照该第1磨削磨具的宽度形成为以该第1磨削磨轮的中心为中心的圆弧状，并且该第1磨削区域的一端位于晶片的外周，另一端位于晶片的中心，
该第2磨削单元对该卡盘工作台所保持的晶片进行磨削的第2磨削区域按照该第2磨削磨具的宽度形成为以该第2磨削磨轮的中心为中心的圆弧状，并且该第2磨削区域的一端位于晶片的外周，另一端位于晶片的中心，
该第1磨削区域的形心配置在将该一对第1引导件的各自的轴心连结而得的第1基准线上，将该第1磨削区域的该一端和该另一端连结而得的弦与该第1基准线垂直地配置，
该第2磨削区域的形心配置在将该一对第2引导件的各自的轴心连结而得的第2基准线上，将该第2磨削区域的该一端和该另一端连结而得的弦与该第2基准线垂直地配置，
该第1磨削进给单元的该第1基准线和该第2磨削进给单元的该第2基准线相对于该转动工作台的旋转轴心配置在对称位置。
2.根据权利要求1所述的磨削装置，其中，
该第1磨削单元的该第1进退轴的轴心配置在该第1基准线上，该第2磨削单元的该第2进退轴的轴心配置在该第2基准线上。
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