CN110170892A - 磨削装置 - Google Patents

磨削装置 Download PDF

Info

Publication number
CN110170892A
CN110170892A CN201910119467.0A CN201910119467A CN110170892A CN 110170892 A CN110170892 A CN 110170892A CN 201910119467 A CN201910119467 A CN 201910119467A CN 110170892 A CN110170892 A CN 110170892A
Authority
CN
China
Prior art keywords
grinding
chip
outer peripheral
peripheral edge
jet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910119467.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110170892B (zh
Inventor
前岛信
伊藤太一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Publication of CN110170892A publication Critical patent/CN110170892A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110170892B publication Critical patent/CN110170892B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B55/00—Safety devices for grinding or polishing machines; Accessories fitted to grinding or polishing machines for keeping tools or parts of the machine in good working condition
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B7/226—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain in which the tool is supported by the workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Polarising Elements (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Disintegrating Or Milling (AREA)

Abstract

提供磨削装置，能够防止在晶片的外周缘产生缺损。磨削装置(1)具有清洗喷嘴(50A、50B)，该清洗喷嘴(50A、50B)向利用旋转构件(13)进行旋转的保持工作台(10)所保持的晶片(W)的外周缘(Wc)喷射清洗水(53)，因此例如在对晶片(W)进行粗磨削时，能够利用清洗喷嘴(50A)向晶片(W)的外周缘(Wc)喷射清洗水(53)而对附着于外周缘(Wc)的屑(100)进行冲洗，在对晶片(W)进行精磨削时，也能够利用清洗喷嘴(50B)向粗磨削结束后的晶片(W)的外周缘(Wc)喷射清洗水(53)而进行清洗，因此例如在通过精磨削使晶片(W)薄化而使晶片厚度小于屑(100)时，附着于外周缘(Wc)的屑(100)不会被上提到晶片(W)的上表面。因此，不会在薄化后的晶片(W)的外周缘(Wc)产生缺损。

Description

磨削装置
技术领域
本发明涉及对晶片进行磨削加工的磨削装置。
背景技术
对晶片进行磨削的磨削装置具有：保持工作台，其对晶片进行保持；以及磨削构件，其安装有能够旋转的磨削磨轮，该磨削磨轮固定有对保持工作台所保持的晶片实施磨削的磨削磨具，该磨削装置能够将晶片磨削至规定的厚度。在磨削装置中，在对磨削磨轮或保持工作台进行了更换等之后，为了使保持工作台的保持面与磨削磨具的磨削面平行，实施利用磨削磨具对保持面进行磨削的自磨(self grind)(例如，参照下述的专利文献1)。
保持工作台由圆盘状的多孔板和包围多孔板的框体构成，通过自磨使多孔板的上表面与框体的上表面成为一个面。多孔板的上表面是对晶片进行保持的保持面。另一方面，框体的上表面是与接触式的高度测量部接触而对保持面的高度进行测量的测量面。在磨削加工中，对保持面所保持的晶片的上表面高度进行测量，并且对框体的上表面高度进行测量，根据它们之间的高度差对晶片的厚度进行计算，从而将晶片磨削至期望的厚度。在磨削加工中，存在对晶片进行粗磨削的粗磨削和使粗磨削后的晶片为期望的完工厚度的精磨削，精磨削后的晶片例如被薄化至5μm～10μm的厚度。有时在精磨削后的晶片的外周缘会产生缺损。由于在精磨削中所使用的磨削磨具的磨粒是产生缺损的原因，因此作为对策使精磨削用的磨削磨具由较小的磨粒构成，从而防止在晶片的外周缘产生缺损。
专利文献1：日本特开2014-237210号公报
但是，虽然采取上述那样的对策能够减少在晶片的外周缘产生缺损，但难以完全消除缺损。
发明内容
本发明就是鉴于上述情况而完成的，其目的在于能够防止在晶片的外周缘产生缺损。
本发明是磨削装置，其具有：保持工作台，其对圆板状的晶片进行保持；旋转构件，其使该保持工作台进行旋转；以及磨削构件，其使呈环状地配设有磨削磨具的磨削磨轮进行旋转，利用该磨削磨具对该保持工作台所保持的晶片进行磨削，其中，该磨削装置具有清洗喷嘴，该清洗喷嘴向利用该旋转构件进行旋转的该保持工作台所保持的晶片的外周缘喷射清洗水。
优选为，上述清洗喷嘴具有向上述保持工作台所保持的晶片的外周缘喷射上述清洗水的喷射口，将该清洗喷嘴从该保持工作台所保持的晶片的外周侧在该保持面方向上定位在比晶片的外周缘的切线方向靠内侧的位置，并且使该喷射口相对于该保持面以规定的角度朝向下方，从而向晶片的外周缘喷射该清洗水。
另外，本发明优选为具有按压喷嘴，该按压喷嘴从被上述清洗喷嘴喷射所述清洗水的晶片的外周缘部分的上方侧喷射清洗水而将晶片相对于该保持面进行按压。
本发明的磨削装置具有清洗喷嘴，该清洗喷嘴向利用旋转构件进行旋转的保持工作台所保持的晶片的外周缘喷射清洗水，因此例如在对晶片进行粗磨削时，能够利用清洗喷嘴向晶片的外周缘喷射清洗水，从而对附着于外周缘的磨削屑和磨粒进行冲洗，另外，在对晶片进行精磨削时，也能够利用清洗喷嘴向粗磨削结束后的晶片的外周缘喷射清洗水而进行清洗，从而不使磨削屑和磨粒附着于晶片的外周缘，因此，例如在精磨削时磨削屑和磨粒不会被上提到晶片的上表面。因此，根据本发明，不会在薄化后的晶片的外周缘产生缺损。
上述清洗喷嘴具有向上述保持工作台所保持的晶片的外周缘喷射上述清洗水的喷射口，构成为将清洗喷嘴从保持工作台所保持的晶片的外周侧在保持面方向上定位在比晶片的外周缘的切线方向靠内侧的位置，并且使喷射口相对于保持面以规定的角度朝向下方，从而向晶片的外周缘喷射该清洗水，因此能够提高磨削时的晶片的外周缘的清洗效果，不会在薄化后的晶片的外周缘产生缺损。
另外，本发明具有按压喷嘴，该按压喷嘴从被上述清洗喷嘴喷射上述清洗水的晶片的外周缘部分的上方侧喷射清洗水而将晶片相对于保持面进行按压，因此即使将清洗喷嘴的上述规定的角度设定为与保持面接近平行的角度，在磨削时晶片的外周缘也不会从保持工作台上浮，能够良好地对外周缘进行清洗。
附图说明
图1是示出磨削装置的结构的立体图。
图2是示出磨削磨具的磨削区域并且对清洗喷嘴的位置进行说明的说明图。
图3是示出从清洗喷嘴向晶片的外周缘喷射清洗水并且利用磨削磨具对晶片进行磨削的状态的剖视图。
图4是示出一边从清洗喷嘴向晶片的外周缘喷射清洗水并且使按压喷嘴从晶片的外周缘部分的上方侧喷射清洗水而进行按压，一边利用磨削磨具对晶片进行磨削的状态的剖视图。
标号说明
1：磨削装置；2：装置基座；3a、3b：载台；4a、4b：盒；5：搬出搬入构件；6：临时放置工作台；7：清洗构件；8：旋转工作台；9a：第1搬送构件；9b：第2搬送构件；10：保持工作台；11：多孔板；12：框体；13：旋转构件；14a、14b：柱；15：支柱；16：壳体；17a、17b：支承部；20A、20B：磨削构件；21：主轴；22：电动机；23：主轴外壳；24：保持架；25：安装座；26：磨削磨轮；27a、27b：磨削磨具；30A、30B：磨削进给构件；31：滚珠丝杠；32：电动机；33：导轨；34：升降板；40A、40B：厚度测量构件；41：第1测量仪；42：第2测量仪；50A、50B：清洗喷嘴；51：喷射口；52：清洗水提供源；53：清洗水；60：按压喷嘴；61：喷射口；62：清洗水。
具体实施方式
图1所示的磨削装置1是对作为被加工物的圆板状的晶片W实施磨削的磨削装置的一例。磨削装置1具有沿Y轴方向延伸的装置基座2，在装置基座2的-Y方向侧相邻地配设有载台3a、3b。在载台3a上载置有收纳磨削前的晶片W的盒4a，在载台3b上载置有收纳磨削后的晶片W的盒4b。在与盒4a和盒4b对置的位置配设有搬出搬入构件5，该搬出搬入构件5将晶片W从盒4a搬出并且将晶片W向盒4b搬入。在搬出搬入构件5的可动范围中配设有用于临时放置晶片W的临时放置构件6和对附着于磨削后的晶片W的磨削屑进行清洗的清洗构件7。
磨削装置1具有：能够自转的旋转工作台8；保持工作台10，其配设在旋转工作台8上，具有对晶片W进行保持的保持面11a；旋转构件13，其使保持工作台10进行旋转；磨削构件20A，其对保持工作台10所保持的晶片W实施粗磨削；以及磨削构件20B，其对保持工作台10所保持的粗磨削后的晶片W实施精磨削。在临时放置构件6的附近具有将临时放置于临时放置构件6的磨削前的晶片W搬送至保持工作台10的第1搬送构件9a。另外，在清洗构件7的附近具有将保持工作台10所保持的磨削后的晶片W搬送至清洗构件7的第2搬送构件9b。
保持工作台10以旋转工作台8的中心为中心设置相等的角度而配设有例如3个。保持工作台10由圆盘状的多孔板11和收纳多孔板11的框体12构成，多孔板11的上表面是对晶片W进行吸引保持的保持面11a。保持工作台10的围绕保持面11a的框体12的环状的外周侧上表面是具有与保持面11a相同的高度的基准面12a。各保持工作台10的下端分别与旋转构件13连接，能够以规定的旋转速度进行自转。通过使旋转工作台8进行旋转而能够使保持工作台10进行公转。另外，保持工作台10的保持面11a是以该保持面11a的中心部分为顶点使外周方向向下方倾斜的倾斜面。
在装置基座2的+Y方向侧的端部竖立设置有沿Z轴方向延伸的柱14a。在柱14a的前方侧隔着磨削进给构件30A配设有磨削构件20A。磨削构件20A具有：主轴21，其具有Z轴方向的轴心；电动机22，其与主轴21的一端连接；主轴外壳23，其围绕能够旋转的主轴21并对该主轴21进行支承；保持架24，其对主轴外壳23进行保持；磨削磨轮26，其在主轴21的下端借助安装座25以能够装卸的方式安装；以及粗磨削用的磨削磨具27a，其呈环状地配设于磨削磨轮26的下部。作为磨削磨具27a的磨粒的粒度，例如使用#600(平均粒径为20μm)。而且，使电动机22驱动而使主轴21进行旋转，从而能够使磨削磨轮26以规定的旋转速度进行旋转。
磨削进给构件30A具有：滚珠丝杠31，其沿Z轴方向延伸；电动机32，其与滚珠丝杠31的一端连接；一对导轨33，它们与滚珠丝杠31平行地延伸并配设在柱14a上；以及升降板34，其一个面与保持架24连结。升降板34的另一个面与一对导轨33滑动接触，形成于升降板34的中央部的螺母与滚珠丝杠31螺合。电动机32通过对滚珠丝杠31进行驱动而能够使磨削构件20A与升降板34一同向±Z方向进行升降。
在装置基座2的+Y方向侧的端部以与柱14a之间设置规定的间隔的方式竖立设置有柱14b。在柱14b的前方侧隔着磨削进给构件30B配设有磨削构件20B。磨削构件20B具有：磨削磨轮26，其在主轴21的下端借助安装座25以装卸自如的方式安装；以及精磨削用的磨削磨具27b，其呈环状地配设于磨削磨轮26的下部，除此之外的部分与磨削构件20A的结构相同。作为磨削磨具27b的磨粒的粒度，例如使用#8000。在磨削构件20B中，使电动机22驱动而使主轴21进行旋转，从而能够使磨削磨轮26以规定的旋转速度进行旋转。
磨削进给构件30B的结构与磨削进给构件30A的结构相同。即，磨削进给构件30B具有：滚珠丝杠31；电动机32，其与滚珠丝杠31的一端连接；一对导轨33，它们与滚珠丝杠31平行地延伸并配设于柱14b；以及升降板34，其一个面与保持架24连结，电动机32通过对滚珠丝杠31进行驱动而能够使磨削构件20B与升降板34一同向±Z方向进行升降。
在旋转工作台8的中央竖立设置有支柱15。在支柱15的上端面固定有壳体16。在壳体16的磨削构件20A侧(-X方向侧)的侧面配设有厚度测量构件40A，该厚度测量构件40A对被磨削构件20A粗磨削的晶片W的厚度进行测量，在壳体16的磨削构件20B侧(+X方向侧)的侧面配设有厚度测量构件40B，该厚度测量构件40B对被磨削构件20B精磨削的晶片W的厚度进行测量。厚度测量构件40A、40B是接触式的测高仪，具有对保持工作台10的保持面11a所保持的晶片W的上表面高度进行测量的第1测量仪41和对保持工作台10的保持面11a的保持面高度进行测量的第2测量仪42。
第1测量仪41具有与被测量物的表面接触的测量头，测量头的位置与保持工作台10的保持面11a的位置对应。在第1测量仪41中，能够将该第1测量仪41的测量头与保持工作台10所保持的晶片W的上表面接触时的高度作为晶片W的上表面高度来进行测量。第2测量仪42具有与被测量物的表面接触的测量头，测量头的位置与保持工作台10的基准面12a的位置对应。在第2测量仪42中，能够将该第2测量仪42的测量头与基准面12a接触时的高度作为保持工作台10的保持面高度来进行测量。并且，在厚度测量构件40A、40B中，能够将第1测量仪41的测量值与第2测量仪42的测量值之差计算为晶片W的厚度。
磨削装置1具有清洗喷嘴50A、50B，该清洗喷嘴50A、50B朝向利用旋转构件13进行旋转的保持工作台10所保持的晶片W的外周缘Wc喷射清洗水。清洗喷嘴50A被支承部17a支承，该支承部17a竖立设置于磨削构件20A侧(-X方向侧)的旋转工作台8的外侧。清洗喷嘴50A具有朝向保持工作台10所保持的晶片W的外周缘Wc喷射清洗水的喷射口51，喷射口51与清洗水提供源52连接。在清洗喷嘴50A中，能够在利用磨削构件20A对晶片W进行粗磨削时对晶片W的外周缘Wc进行清洗。清洗喷嘴50B被支承部17b支承，该支承部17b竖立设置于磨削构件20B侧(+X方向侧)的旋转工作台8的外侧。清洗喷嘴50B的结构与清洗喷嘴50A相同，喷射口51与清洗水提供源52连接。在清洗喷嘴50B中，能够在利用磨削构件20B对晶片W进行精磨削时对晶片W的外周缘Wc进行清洗。
接着，对图1所示的磨削装置1的动作例进行说明。磨削前的晶片W在与上表面(被磨削面)相反的一侧的下表面粘贴有带T，并且在盒4a中收纳有多个磨削前的晶片W。搬出搬入构件5从盒4a取出一张磨削前的晶片W，并将晶片W临时放置于临时放置构件6。在临时放置构件6中进行了晶片W的对位之后，利用第1搬送构件9a将晶片W从临时放置构件6搬送至保持工作台10。保持工作台10通过作用有吸引源的吸引力的保持面11a隔着带T对晶片W进行吸引保持。
通过使旋转工作台8进行旋转，使保持着晶片W的保持工作台10向磨削构件20A的下方移动。如图2所示，利用旋转构件13使保持工作台10例如向箭头A方向进行旋转。接着，利用图1所示的磨削进给构件30A使磨削构件20A向-Z方向下降，并且磨削构件20A通过使主轴21进行旋转而使磨削磨具27a例如向箭头A方向进行旋转，从而一边利用磨削磨具27a按压晶片W的上表面一边进行粗磨削。
在粗磨削中，从清洗喷嘴50A朝向晶片W的外周缘Wc喷射清洗水53而进行清洗。这里，如图2所示，在向箭头A方向进行旋转的磨削磨具27a的旋转轨迹中，磨削磨具27a实际与晶片W的上表面接触而进行磨削的圆弧状的区域是磨削区域P。在粗磨削中，磨削磨具27a始终一边通过晶片W的中心Wo，一边在磨削区域P中使磨削磨具27a的磨削面与晶片W的上表面接触而进行粗磨削。
当在粗磨削时对晶片W的外周缘Wc进行清洗的情况下，优选为将清洗喷嘴50A从保持工作台10所保持的晶片W的外周侧在保持面方向上定位在比晶片W的外周缘Wc的切线方向靠内侧的位置，并且使喷射口51相对于图3所示的保持工作台10的保持面11a以规定的角度朝向下方，从而向晶片W的外周缘Wc喷射清洗水53。本实施方式所示的清洗喷嘴50A被定位于图2所示的从晶片W的外周缘Wc的切线方向稍微靠内侧的喷射位置SP1，从喷射口51以与向箭头A方向进行旋转的晶片W的旋转方向相对的方式朝向外周缘Wc喷射清洗水53。
清洗喷嘴50A的位置不限定于上述的喷射位置SP1。例如，可以将清洗喷嘴50A定位于能够沿着晶片W的外周缘Wc的切线方向喷射清洗水53的喷射位置SP2，也可以将清洗喷嘴50A定位于能够在与喷射位置SP1、SP2相反的一侧的位置朝向晶片W的外周缘Wc喷射清洗水53的喷射位置SP3。
如图3所示，作为从清洗喷嘴50A的喷射口51喷射清洗水53的规定的角度，例如设定为相对于保持工作台10的保持面11a朝向下方的45°。一边从以这种方式定位的清洗喷嘴50A的喷射口51向晶片W的外周缘Wc喷射清洗水53，一边进行粗磨削，从而对附着于晶片W的外周缘Wc的屑100进行冲洗。在屑100中包含磨削屑和磨粒。清洗喷嘴50A的规定的角度没有特别限定，但如果角度小于45°，则从喷射口51喷射的清洗水53会使晶片W从保持工作台10浮起，如果角度大于45°，则无法将磨削屑和磨粒从晶片W的外周缘Wc去除干净，清洗效果不好。因此，清洗喷嘴50A的规定的角度优选为45°，能够提高晶片W的外周缘Wc的清洗效果。
在粗磨削中，使用图1所示的厚度测量构件40A始终对晶片W的厚度的变化进行监视，在晶片W成为期望的厚度的时刻结束粗磨削。另外，粗磨削后的晶片W的厚度被设定为100μm～200μm。另外，粗磨削所产生的屑100是10μm～20μm。然后，使旋转工作台8进一步旋转而使对粗磨削后的晶片W进行保持的保持工作台10移动至磨削构件20B的下方。一边使保持工作台10进行旋转，并且利用磨削构件20B使主轴21进行旋转而使磨削磨具27b以规定的旋转速度进行旋转，一边利用磨削进给构件30B使磨削构件20B例如向-Z方向下降，从而利用旋转的磨削磨具27b将晶片W的上表面精磨削至期望的完工厚度。在利用磨削构件20B进行精磨削的情况下，与磨削构件20A同样，在图2所示的磨削区域P中使磨削磨具27b与晶片W的上表面接触而进行精磨削。另外，期望的完工厚度例如被设定为5μm～10μm。
当在精磨削时对晶片W的外周缘Wc进行清洗的情况下，也将清洗喷嘴50B定位于图2所示的喷射位置SP1，并且使喷射口51相对于图3所示的保持工作台10的保持面11a例如以45°朝向下方，从而向晶片W的外周缘Wc喷射清洗水53。一边从以这种方式定位的清洗喷嘴50B的喷射口51向晶片W的外周缘Wc喷射清洗水53，一边进行精磨削，从而对晶片W的外周缘Wc进行清洗。在精磨削时，大部分屑100已被从外周缘Wc去除，但即使假设在外周缘Wc残留有粗磨削时产生的屑100，也能够利用清洗水53进行冲洗。在精磨削中，使用图1所示的厚度测量构件40B始终对晶片W的厚度的变化进行监视，在晶片W成为期望的完工厚度的时刻结束精磨削。另外，清洗喷嘴50B也可以定位于喷射位置SP2或喷射位置SP3。
这样，本发明的磨削装置1具有清洗喷嘴50A、50B，该清洗喷嘴50A、50B向利用旋转构件13进行旋转的保持工作台10所保持的晶片W的外周缘Wc喷射清洗水53，因此在利用磨削构件20A对晶片W进行粗磨削时，能够通过清洗喷嘴50A向晶片W的外周缘Wc喷射清洗水53而对附着于外周缘Wc的屑100进行冲洗。另外，在利用磨削构件20B对晶片W进行精磨削时，能够通过清洗喷嘴50B向粗磨削结束后的晶片W的外周缘Wc喷射清洗水53而进行清洗，因此例如在通过精磨削使晶片W薄化而使晶片厚度小于屑100时，附着于外周缘Wc的屑100不会被上提到晶片W的上表面。因此，根据本发明，不会在薄化后的晶片W的外周缘Wc产生缺损。
如图4所示，磨削装置1例如也可以具有按压喷嘴60，该按压喷嘴60从被清洗喷嘴50A(50B)喷射清洗水53的晶片W的外周缘部分的上方侧喷射清洗水62而将晶片W相对于保持面11a进行按压。按压喷嘴60被定位在晶片W的外周缘Wc部分的正上方，具有喷射清洗水62的喷射口61。在图4的例子中，作为从清洗喷嘴50A(50B)的喷射口51喷射清洗水53的规定的角度，例如设定为相对于保持工作台10的保持面11a朝向下方的25°。一边从以这种方式定位后的清洗喷嘴50A(50B)的喷射口51向晶片W的外周缘Wc喷射清洗水53而进行清洗，并且从按压喷嘴60的喷射口61朝向该外周缘部分喷射清洗水62而将外周缘Wc相对于保持面11a进行按压，一边对附着于晶片W的外周缘Wc的屑100进行冲洗，从而能够对晶片W进行粗磨削/精磨削。
这样，在磨削装置1具有按压喷嘴60的情况下，由于能够从按压喷嘴60喷射清洗水62而将晶片W向下方按压，因此即使将清洗喷嘴50A(50B)的规定的角度设定为小于45°的角度，在磨削时也不会使晶片W的外周缘Wc从保持工作台上浮，从而能够良好地对外周缘Wc进行清洗。
本发明也能够应用在如下的情况：在对晶片W进行粗磨削/精磨削之前，进行对晶片W的外周缘Wc的被倒角后的部分进行磨削而去除的加工(边缘修整)。即，也可以在对晶片W的外周缘Wc实施边缘修整时，利用清洗喷嘴向晶片W的外周缘Wc喷射清洗水而进行清洗。
上述实施方式所示的磨削装置1是具有两个磨削构件20A、20B的双轴装置，但不限定于该装置结构，在具有1个磨削构件的单轴装置中也能够应用本发明。

Claims (3)

1.一种磨削装置，其具有：保持工作台，其对圆板状的晶片进行保持；旋转构件，其使该保持工作台进行旋转；以及磨削构件，其使呈环状配设有磨削磨具的磨削磨轮进行旋转，并利用该磨削磨具对该保持工作台所保持的晶片进行磨削，其中，
该磨削装置具有清洗喷嘴，该清洗喷嘴向利用该旋转构件进行旋转的该保持工作台所保持的晶片的外周缘喷射清洗水。
2.根据权利要求1所述的磨削装置，其中，
所述清洗喷嘴具有向所述保持工作台所保持的晶片的所述外周缘喷射所述清洗水的喷射口，
将该清洗喷嘴从该保持工作台所保持的晶片的外周侧在保持面方向上定位在比晶片的外周缘的切线方向靠内侧的位置，并且使该喷射口相对于该保持面以规定的角度朝向下方，从而向晶片的外周缘喷射该清洗水。
3.根据权利要求2所述的磨削装置，其中，
该磨削装置具有按压喷嘴，该按压喷嘴从被所述清洗喷嘴喷射所述清洗水的晶片的外周缘部分的上方侧喷射清洗水而将晶片相对于该保持面进行按压。
CN201910119467.0A 2018-02-20 2019-02-18 磨削装置 Active CN110170892B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018027834A JP7396785B2 (ja) 2018-02-20 2018-02-20 研削装置
JP2018-027834 2018-02-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110170892A true CN110170892A (zh) 2019-08-27
CN110170892B CN110170892B (zh) 2023-11-03

Family

ID=67689025

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910119467.0A Active CN110170892B (zh) 2018-02-20 2019-02-18 磨削装置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7396785B2 (zh)
KR (1) KR102654427B1 (zh)
CN (1) CN110170892B (zh)
TW (1) TWI785206B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110517951A (zh) * 2019-08-29 2019-11-29 上海华力集成电路制造有限公司 一种改善sti研磨前晶圆微刮伤的清洗方法
CN111660157A (zh) * 2020-06-08 2020-09-15 苏州辰轩光电科技有限公司 减薄机
CN115889293A (zh) * 2022-11-08 2023-04-04 西安奕斯伟材料科技有限公司 清洗硅片的周缘的装置、方法及清洗硅片的设备

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09237770A (ja) * 1995-12-25 1997-09-09 Nippei Toyama Corp ウエハの処理システム
JP2003007668A (ja) * 2001-06-27 2003-01-10 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp 半導体ウェーハの洗浄装置及び洗浄方法
KR20060133208A (ko) * 2005-06-20 2006-12-26 삼성전자주식회사 초음파 세정을 이용하는 웨이퍼 후면 연마 장치
JP2008098574A (ja) * 2006-10-16 2008-04-24 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの研磨装置
US20150283588A1 (en) * 2013-04-07 2015-10-08 Kaijo Corporation Ultrasonic cleaning apparatus and ultrasonic cleaning method
CN105500181A (zh) * 2014-10-10 2016-04-20 株式会社荏原制作所 抛光处理装置、基板处理装置及抛光处理方法
CN106985060A (zh) * 2016-01-18 2017-07-28 三星电子株式会社 基板减薄装置、减薄基板的方法以及制造半导体封装的方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02185359A (ja) * 1989-01-11 1990-07-19 Toshiba Corp 研削方法及びその装置
JP4487353B2 (ja) * 1999-11-26 2010-06-23 ソニー株式会社 研磨装置および研磨方法
JP2003211353A (ja) * 2002-01-18 2003-07-29 Nippei Toyama Corp ウェーハの加工装置
JP2004066376A (ja) * 2002-08-05 2004-03-04 Nippei Toyama Corp 半導体ウエーハ研削盤のクーラント噴射装置およびその方法
JP4102205B2 (ja) * 2003-01-22 2008-06-18 株式会社日平トヤマ ウェーハ研削装置
JP2013141738A (ja) * 2012-01-12 2013-07-22 Disco Corp 加工装置
JP6157229B2 (ja) 2013-06-10 2017-07-05 株式会社ディスコ 研削装置及び研削方法
TWI488983B (zh) * 2013-10-08 2015-06-21 光洋應用材料科技股份有限公司 銅矽合金濺鍍靶材及銅矽合金記錄層

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09237770A (ja) * 1995-12-25 1997-09-09 Nippei Toyama Corp ウエハの処理システム
JP2003007668A (ja) * 2001-06-27 2003-01-10 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp 半導体ウェーハの洗浄装置及び洗浄方法
KR20060133208A (ko) * 2005-06-20 2006-12-26 삼성전자주식회사 초음파 세정을 이용하는 웨이퍼 후면 연마 장치
JP2008098574A (ja) * 2006-10-16 2008-04-24 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの研磨装置
US20150283588A1 (en) * 2013-04-07 2015-10-08 Kaijo Corporation Ultrasonic cleaning apparatus and ultrasonic cleaning method
CN105500181A (zh) * 2014-10-10 2016-04-20 株式会社荏原制作所 抛光处理装置、基板处理装置及抛光处理方法
CN106985060A (zh) * 2016-01-18 2017-07-28 三星电子株式会社 基板减薄装置、减薄基板的方法以及制造半导体封装的方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110517951A (zh) * 2019-08-29 2019-11-29 上海华力集成电路制造有限公司 一种改善sti研磨前晶圆微刮伤的清洗方法
CN110517951B (zh) * 2019-08-29 2022-11-29 上海华力集成电路制造有限公司 一种改善sti研磨前晶圆微刮伤的清洗方法
CN111660157A (zh) * 2020-06-08 2020-09-15 苏州辰轩光电科技有限公司 减薄机
CN115889293A (zh) * 2022-11-08 2023-04-04 西安奕斯伟材料科技有限公司 清洗硅片的周缘的装置、方法及清洗硅片的设备
CN115889293B (zh) * 2022-11-08 2024-04-16 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 清洗硅片的周缘的装置、方法及清洗硅片的设备

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190100023A (ko) 2019-08-28
CN110170892B (zh) 2023-11-03
JP7396785B2 (ja) 2023-12-12
KR102654427B1 (ko) 2024-04-03
TW201934254A (zh) 2019-09-01
TWI785206B (zh) 2022-12-01
JP2019141950A (ja) 2019-08-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102085639B (zh) 晶片的加工装置
CN110170892A (zh) 磨削装置
US7278903B2 (en) Processing method for wafer and processing apparatus therefor
CN108453618A (zh) 基板的研磨装置和基板的处理系统
JP2023017278A (ja) 硬質ウェーハの研削方法
CN101402178A (zh) 晶片的磨削加工装置
JP2008264913A (ja) 研削加工装置
CN107186612A (zh) 基板的研磨装置、研磨方法、研磨组件、研磨程序及记录介质
CN101444898A (zh) 磨轮安装机构
KR20120040104A (ko) 웨이퍼 반송 기구
JP2018083266A (ja) 研削装置及び粗さ測定方法
JP2013004726A (ja) 板状物の加工方法
CN105081980B (zh) 磨削装置
JP2017056523A (ja) 研削装置
CN108326699A (zh) 磨削装置
JP5121390B2 (ja) ウェーハの加工方法
KR102243872B1 (ko) 피가공물의 연삭 방법
CN110034020A (zh) 被加工物的加工方法和加工装置
JP6884015B2 (ja) 基板の研磨装置および研磨方法
JP2020093338A (ja) 研削装置
TW202030051A (zh) 測定治具
US20220339753A1 (en) Processing method
JP7015139B2 (ja) 被加工物の研削方法及び研削装置
CN109290941A (zh) 晶片的加工方法
JP2012069677A (ja) 研削装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant