CN106985060A - 基板减薄装置、减薄基板的方法以及制造半导体封装的方法 - Google Patents

基板减薄装置、减薄基板的方法以及制造半导体封装的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106985060A
CN106985060A CN201710037784.9A CN201710037784A CN106985060A CN 106985060 A CN106985060 A CN 106985060A CN 201710037784 A CN201710037784 A CN 201710037784A CN 106985060 A CN106985060 A CN 106985060A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
wheel top
cleaning
scratch diskette
nozzle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201710037784.9A
Other languages
English (en)
Inventor
崔相壹
金昞豪
崔洪硕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of CN106985060A publication Critical patent/CN106985060A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/10—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping
    • B24B37/105—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping the workpieces or work carriers being actively moved by a drive, e.g. in a combined rotary and translatory movement
    • B24B37/107—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping the workpieces or work carriers being actively moved by a drive, e.g. in a combined rotary and translatory movement in a rotary movement only, about an axis being stationary during lapping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27—Work carriers
    • B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
    • B24B41/06—Work supports, e.g. adjustable steadies
    • B24B41/068—Table-like supports for panels, sheets or the like
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/12—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving optical means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B55/00—Safety devices for grinding or polishing machines; Accessories fitted to grinding or polishing machines for keeping tools or parts of the machine in good working condition
    • B24B55/02—Equipment for cooling the grinding surfaces, e.g. devices for feeding coolant
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

基板减薄装置包括：能够支撑基板的工作盘；可旋转研磨装置，包括能够研磨被工作盘支撑的基板的轮顶端；清洁装置，配置为在研磨装置旋转的同时执行轮顶端的同步清洁。当使用基板减薄装置时，甚至可以以相当高的可靠性制造非常薄的半导体器件。

Description

基板减薄装置、减薄基板的方法以及制造半导体封装的方法
技术领域
发明构思涉及基板减薄装置、通过使用该基板减薄装置而减薄基板的方法、以及制造半导体封装的方法，更具体地，涉及允许以相当高的可靠性制造非常薄的半导体器件的基板减薄装置、通过使用该基板减薄装置而减薄基板的方法、以及制造半导体封装的方法。
背景技术
由于在半导体产品的尺寸减小时对制造更轻、更薄、更短和更小的半导体产品的持续要求，正在尝试和应用满足该要求的若干工艺。通过减薄半导体基板而减小半导体基板的厚度的工艺包括研磨半导体基板的背面的工艺，并且随着半导体基板的目标厚度减小，通常更难以保持半导体器件的可靠性。
发明内容
发明构思提供允许以相当高的可靠性制造非常薄的半导体器件的基板减薄装置。
发明构思还提供减薄基板的方法，该方法允许以相当高的可靠性制造非常薄的半导体器件。
发明构思还提供制造薄的并且具有相当高的可靠性的半导体封装的方法。
根据示例实施方式，基板减薄装置包括：能够支撑或者配置为支撑基板的工作盘；可旋转的研磨装置，包括能够研磨或者配置为研磨被工作盘支撑的基板的轮顶端；以及清洁装置，配置为在研磨装置旋转的同时执行轮顶端的同步清洁。
根据另一示例实施方式，减薄基板的方法包括将基板固定在工作盘上、通过旋转包括轮顶端的研磨装置而至少部分地研磨基板、以及执行轮顶端的同步清洁。
根据又一示例实施方式，制造半导体封装的方法包括：在基板的有源表面上形成半导体器件；将保护膜附接在基板的有源表面上；将基板固定在工作盘上使得基板的有源表面面对工作盘；通过旋转包括轮顶端的研磨装置而至少部分地研磨基板；执行轮顶端的同步清洁；将被研磨基板分离为单独的半导体管芯；通过安装单独的半导体管芯而制造半导体封装。
示例实施方式涉及用于研磨基板的方法，该方法包括固定地附接基板到支撑物；通过旋转包括多个轮顶端的研磨装置而至少部分地研磨基板；多个轮顶端中的至少一个接触基板的至少一部分；以及射出压缩流体到多个轮顶端中的至少一个上，其中射出与至少部分研磨同时被执行。
附图说明
通过结合附图的以下详细说明，发明构思的实施方式将被更清楚地理解，在附图中：
图1是根据实施方式的基板减薄装置的透视图；
图2A和2B是更详细地示出减薄基板的方法的视图，其中图2A是示出通过轮顶端被减薄的基板的透视图，图2B是示出其的侧视图；
图3是紧接着研磨之后或者在研磨之后不久的轮顶端的表面的放大图；
图4是示出当基板被磨轮研磨时磨轮与基板之间的位置关系的平面图；
图5是用于概念性地示出具有非平面支撑表面的工作盘(chuck table)与磨轮之间的位置关系的侧视图；
图6A和6B分别是示出其中清洁装置包括两个或更多喷嘴的示例实施方式的侧视图和平面图；
图7A和7B分别是示出其中清洁装置包括两个或更多喷嘴的另一示例实施方式的侧视图和平面图；
图8A至8D是示出根据示例实施方式的基板的研磨的时间线和轮顶端的同步清洁的时间线的曲线图；
图9是示出根据示例实施方式的被研磨的基板的厚度变化的示意图；
图10是根据示例实施方式的制造半导体封装的方法的流程图；
图11至16是示出根据示例实施方式的制造半导体封装的方法的工艺次序的视图。
具体实施方式
图1是根据示例实施方式的基板减薄装置100的透视图。根据示例实施方式的基板减薄装置不局限于用于研磨工艺的装置的构造，并且可以是通过其可以连续地执行或者按不同次序执行的一系列的工艺例如研磨工艺、另一研磨工艺、清洁工艺等等的处理装置的一部分。
参照图1，在X方向上延伸的矩形开口可以形成在基板减薄装置100的底框120的上表面中。矩形开口可以被移动板131和基本上防水的盖132覆盖，移动板131是与工作盘130一起可移动的。在X方向、Y方向和/或Z方向上移动工作盘130的移动装置可以提供在基本上防水的盖132之下。
工作盘130的表面可以是经由多孔板吸附和支撑基板W的支撑表面133。支撑表面133可以通过在工作盘130内侧的流道连接到吸力源，基板W可以通过施加到支撑表面133的负压被吸附和固定。
柱单元121可以提供在底框120的开口后面。能沿着Z方向上下移动研磨装置140的移动装置150可以提供到柱单元121。基本上平行于Z方向的一对导轨151可以布置在柱单元121上，可滑动地安装在该对导轨151上的电机驱动Z轴盘152可以提供到移动装置150。
螺母部分可以形成在Z轴盘152的后侧，并且滚珠螺杆153可以螺旋联接到螺母部分。此外，滚珠螺杆153可以通过连接到滚珠螺杆153的一端的驱动电机154被旋转，由此研磨装置140可以沿着该对导轨151在Z方向上移动。
研磨装置140可以经由外壳141安装在Z轴盘152的前表面上，并且可以包括圆柱形心轴142和在圆柱形心轴142下端处的座143。在心轴142的径向上扩展的凸缘144可以安装到心轴142，研磨装置140的其他部分可以经由凸缘144被外壳141支撑。包括基本上环形布置的多个轮顶端145的磨轮146可以安装在座143的下表面上。多个轮顶端145可以例如是通过诸如陶瓷粘结剂、金属粘结剂或者树脂粘结剂的粘合剂来粘结用于研磨金刚石的颗粒然后硬化该粘合剂而获得的金刚石磨石。
测量基板W的上表面的高度的测量装置160可以提供在研磨装置140的一侧。测量装置160可以是接触型或者非接触型测高仪。例如，测量装置160可以是非接触型测高仪，该非接触型测高仪包括光发射部分和光接收部分并且基于光发射部分和光接收部分而测量基板W的上表面的高度，该光接收部分接收从光发射部分发射然后被基板W反射的光。
配置为执行轮顶端145的同步清洁的清洁装置111可以提供在研磨装置140的另一侧。这里，表述“轮顶端145的同步清洁”指的是在通过轮顶端145执行研磨时研磨装置140的轮顶端145被同时地或者同时间地清洁。
清洁装置111例如可以是能够喷射或者射出流体的喷嘴。当清洁装置111喷射流体时，喷嘴的方向可以被调节使得射流直接接触轮顶端145。此外，还可以提供加压装置113，加压装置113对从清洁装置111喷射的流体加压从而允许以足够的喷射压力喷射的该流体与轮顶端145形成接触。加压装置113例如可以是泵，并且可以连接到清洁装置111。
共同地控制基板减薄装置100的每个或者至少一个部分的控制器170可以提供到基板减薄装置100。控制器170可以包括处理器、存储器等等，处理器执行各种工艺。根据存储器的目的，存储器可以包括一个或多个存储介质诸如只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)等等。
在基板减薄装置100中，研磨装置140可以在磨轮146通过心轴142绕Z轴旋转时接近工作盘130。磨料水被供给到基板W，轮顶端145在旋转的同时与基板W形成接触，由此基板W可以被减薄。磨料水是为了在研磨期间冷却磨轮146并且提供轮顶端145和基板W之间的润滑而供给的液体。因为磨料水不直接供给到轮顶端145，所以磨料水在供给目的、供给方式、供给流体的装置的构造等等方面显著地不同于从清洁装置111喷射并且将在下文描述的流体。
轮顶端145在执行研磨时通过清洁装置111被连续地清洁，由此可以去除会在基板W的表面上引起划痕的异物。
图2A和2B是更详细地示出减薄基板W的方法的视图。图2A是示出通过轮顶端145被减薄的基板W的透视图，图2B是示出其的侧视图。
参照图2A和2B，基板W可以被固定到工作盘130的支撑表面133。基板W可以被布置为使得基板W的在其上形成半导体器件的有源表面面对支撑表面133。结果，基板W的后表面Wr面对研磨装置140。
此外，保护膜WF可以被附接到基板W的有源表面上。如参照图1描述的，支撑表面133可以通过在工作盘130内侧的流道连接到吸力源，基板W可以通过施加到支撑表面133的负压被吸附和固定。
支撑基板W的工作盘130可以以大约200rpm到大约400rpm的转速在箭头A的方向上旋转。同时地或者同时间地，研磨装置140的磨轮146可以以大约1500rpm到大约7200rpm的转速在箭头B的方向上旋转。在一些示例实施方式中，按每分钟转数测量的磨轮146的转速可以是工作盘130的每分钟转数的大约5倍至大约20倍。
在磨轮146旋转时，磨轮146的轮顶端145可以接触基板W的后表面Wr(其是处理目标表面)，具体地，磨轮146可以在箭头C方向上以例如大约1μm/秒的前进速度向下移动。磨轮146的前进可以继续直到基板W具有期望的厚度，例如，大约10μm到大约200μm的厚度。
在一些示例实施方式中，基板W可以通过基板W的研磨而被分离为单独的半导体管芯102。因为保护膜WF被附接到被分离的单独的半导体管芯102的有源表面上，所以单独的半导体管芯102可以保持在基本上其初始位置而不被无序地分散。
清洁装置111可以提供在磨轮146的一个下侧。如图2A和2B中所示，轮顶端145上的杂质可以通过从清洁装置111喷射的流体而被去除。
图3是紧接着研磨之后或者在研磨之后不久的轮顶端145的表面的放大图。参照图3，可以看出由于研磨而产生的异物至少部分地填充存在于轮顶端145的表面上的大量孔(见孔内侧的部分，该部分由虚线标记并由箭头表示)。
这样的异物可以是由于研磨基板W的后表面而产生的基板W的残渣，可以是从轮顶端145掉出的材料例如掉落的金刚石微粒，或者可以是粘合剂诸如陶瓷粘结剂。如果异物聚集在孔中，因为在基板W被轮顶端145研磨时会产生划痕，所以半导体器件会被损伤。
如图2A和2B中所示，异物可以通过利用清洁装置111清洁轮顶端145而被去除，由此在基板W的研磨期间减少或者基本上防止划痕产生在基板W上。
流体可以是液体、气体或者其混合物。在一些示例实施方式中，流体可以包括空气、氮(N2)、氦(He)、氖(Ne)、水、氨、酒精及其混合物中的至少一个。这里，液体诸如水、酒精和氨可以还包括表面活性剂。
当流体是液体和气体的混合物时，液体可以通过气体被雾化并且被喷射。即，当气体以高的线速度流动时，在将液体暴露到气体流之后，随着液体被快速雾化，可以形成液滴和气体的混合物。此外，液滴和气体的混合物撞击轮顶端145的表面，由此促进异物的去除。在一些示例实施方式中，被雾化液体可以是水，被用于雾化液体的气体可以是空气。
此外，当清洁装置111喷射流体时，清洁装置111的方向可以被调节使得喷射的流体被导向轮顶端145。这样，流体可以沿着由箭头D和E表示的路径清洁轮顶端145。
图4是示出当基板W被磨轮146研磨时磨轮146与基板W之间的位置关系的平面图。
参照图4，基板W被示出为绕中心O旋转，并且磨轮146被示出为绕中心O'旋转。因为基板W在被固定到工作盘130的同时旋转，所以基板W的旋转中心可以基本上等于工作盘130的旋转中心。这里，虽然基板W被示出为在逆时针方向上旋转，但基板W可以在顺时针方向上旋转。
基板W的旋转中心O和磨轮146的旋转中心O'可以彼此不一致。在一些示例实施方式中，磨轮146的旋转中心O'可以位于基板W的外部，如图4中所示。
在图4中，沿着磨轮146的外圆周的阴影部分是轮顶端轨迹145t，并且表示随着磨轮146的旋转轮顶端145(见图2A和2B)穿过的路径。其中轮顶端轨迹145t交叠基板W的所有部分可以不用于基板W的研磨。在一些示例实施方式中，研磨可以实际上仅在轮顶端轨迹145t的研磨区145z中执行，研磨区145z由基板W的中心O和第一方向边缘M限定。因而，为了仅在研磨区145z中执行研磨，该研磨区145z是轮顶端轨迹145t的交叠基板W的一部分，支撑基板W的支撑表面133(见图1)可以不是完全地平坦。在一些示例实施方式中，工作盘130的支撑表面133可以具有圆锥形，其具有随着从工作盘130的中心朝向工作盘130的外圆周的距离增加而减小的高度，该中心具有峰值高度。
图5是用于概念性地示出具有非平面支承表面133的工作盘130与磨轮146之间的位置关系的侧视图。
参照图5，作为工作盘130的上表面的支撑表面133可以具有锥形。如图5中所示，支撑表面133具有锥形，其具有随着从工作盘130的中心O朝向工作盘130的外圆周的距离增加而减小的高度，该中心具有峰值高度。应当注意到，为了方便起见，图5中的锥形被夸大。
工作盘130的斜率可以被调节使得基板W的中心O与第一方向边缘M之间的研磨区145z基本上平行于由轮顶端145的下表面形成的平面。当使用这样的构造时，研磨可以仅在其中轮顶端轨迹145t交叠基板W的区域当中的研磨区145z中被执行或者大部分在该研磨区145z中被执行。
在基板W的中心O和与研磨区145z相对的边缘N之间的区域中，因为在基板W与轮顶端145之间存在间隙，所以可以不执行研磨。基板W与轮顶端145之间的间隙的最大值H可以是几十微米，例如可以在从大约15μm至大约50μm的范围。
再次参照图4，在轮顶端145为了研磨而被旋转时，至少一些轮顶端145可以不交叠基板W的正在被研磨的表面。换言之，虽然可以有轮顶端轨迹145t的一部分交叠基板W，但是也可以有轮顶端轨迹145t的一部分不交叠基板W。
为此，基板W的中心O可以与磨轮146的中心O'不一致，如上所述。此外，磨轮146的半径可以大于基板W的半径。具体地，基板W和磨轮146的位置可以被调节使得轮顶端轨迹145t穿过基板W的中心O。
如图4中所示，磨轮146的旋转方向可以是顺时针方向或者逆时针方向。当磨轮146在顺时针方向上旋转时，磨轮146在从基板W的第一方向边缘M朝向基板W的中心O的方向上与基板W形成接触。当磨轮146在逆时针方向上旋转时，磨轮146在从基板W的中心O朝向基板W的第一方向边缘M的方向上与基板W形成接触。
虽然清洁装置111在图1、2A和2B中被示出为包括一个喷嘴，但清洁装置111可以包括两个或更多喷嘴。
图6A和6B分别是示出其中清洁装置111包括两个或更多喷嘴的示例实施方式的侧视图和平面图。
参照图6A和6B，清洁装置111可以包括第一子喷嘴111a和第二子喷嘴111b。第一子喷嘴111a和第二子喷嘴111b的方向可以被调节使得第一子喷嘴111a和第二子喷嘴111b分别对准轮顶端145的位置P1和位置P2。
在一些示例实施方式中，相同的流体可以通过第一子喷嘴111a和第二子喷嘴111b被喷射。因为轮顶端145顺序地穿过位置P1和位置P2，因此可以被清洁两次，轮顶端145可以被更完全地清洁。
在一些示例实施方式中，不同的流体可以通过第一子喷嘴111a和第二子喷嘴111b被喷射。例如，气体可以通过第一子喷嘴111a喷射，液体可以通过第二子喷嘴111b喷射。可选地，液体可以通过第一子喷嘴111a喷射，气体可以通过第二子喷嘴111b喷射。在一些示例实施方式中，通过第一子喷嘴111a和第二子喷嘴111b喷射的流体可以处于相同的相并且具有不同的成分和/或组分。
被从第一子喷嘴111a喷射的流体清洁的位置P1可以位于被从第二子喷嘴111b喷射的流体清洁的位置P2前面。在一些示例实施方式中，诸如包含表面活性剂的水、氨或者酒精的极性溶剂可以通过第一子喷嘴111a被喷射，并且纯水可以通过第二子喷嘴111b被喷射。当使用这样的构造时，因为轮顶端145可以在位置P1被极性溶剂清洁然后在位置P2被漂洗，可以执行更有效率的清洁。
在图6A和6B中，虽然被流体清洁的位置P1和位置P2被示出为接近轮顶端轨迹145t的朝向研磨区145z的前进侧，例如，接近第一方向边缘M，但发明构思不限于此。在一些示例实施方式中，被流体清洁的位置P1和位置P2可以在轮顶端轨迹145t的从研磨区145z的远离侧。
图7A和7B分别是示出其中清洁装置111包括两个或更多喷嘴的另一示例实施方式的侧视图和平面图。
参照图7A和7B，示例实施方式不同于图6A和6B所示的示例实施方式之处在于第一子喷嘴111a和第二子喷嘴111b的方向被调节使得第一子喷嘴111a和第二子喷嘴111b在相同的位置P对准。
可以通过第一子喷嘴111a和第二子喷嘴111b喷射的流体的类型可以如参照图6A和6B所描述的。然而，在示例实施方式中，因为流体被喷射到相同的位置P，可以实现更强的清洁效果。
图8A至8D是示出根据示例实施方式的用于执行基板W的研磨的时间线以及用于执行轮顶端145的同步清洁的时间线的曲线图。基板W的研磨可以暂时与轮顶端145的同步清洁重叠。这基于参考图1作出的说明。如参照图1描述的，轮顶端145的同步清洁指的是通过轮顶端145的研磨和轮顶端145的清洁可以同时地或者同时间地执行。
参照图8A，基板W的研磨的开始时间t1可以与轮顶端145的同步清洁的开始时间t1基本上重合。
在这种情况下，在开始时间t1，基板W的研磨可以与研磨基板W的轮顶端145的清洁同时地或者同时间地执行。此外，在结束时间t2，基板W的研磨可以与研磨基板W的轮顶端145的清洁同时地或者同时间地终止。
参照图8B，基板W的研磨的开始时间和结束时间可以分别不同于轮顶端145的同步清洁的开始时间和结束时间。具体地，基板W的研磨可以在轮顶端145的同步清洁期间被执行。
在这种情况下，轮顶端145的同步清洁的开始时间t0可以早于基板W的研磨的开始时间t1。此外，轮顶端145的同步清洁的结束时间t3可以晚于基板W的研磨的结束时间t2。
在这种情况下，因为轮顶端145的同步清洁在基板W的研磨期间被连续地执行，所以可以显著地减少和/或基本上防止由于轮顶端145的污染而导致的划痕。
参照图8C，基板W的研磨的开始时间和结束时间可以分别不同于轮顶端145的同步清洁的开始时间和结束时间，具体地，轮顶端145的同步清洁可以在基板W的研磨期间被执行。
在这种情况下，基板W的研磨的开始时间t1可以早于轮顶端145的同步清洁的开始时间t1'。此外，基板W的研磨的结束时间t2可以晚于轮顶端145的同步清洁的结束时间t2'。
在这种情况下，因为磨轮146在更接近基板W的研磨的结束时间t2时可以更稳定地操作，所以研磨厚度可以被更精确地控制。
参照图8D，基板W的研磨的开始时间可以不同于轮顶端145的同步清洁的开始时间，基板W的研磨的结束时间可以基本上与轮顶端145的同步清洁的结束时间相同。更具体而言，基板W的研磨的开始时间t1可以早于轮顶端145的同步清洁的开始时间t1'。此外，基板W的研磨和轮顶端145的同步清洁可以在结束时间t2同时地或者同时间地终止。
在开始时间t1和结束时间t2之间的时间阶段的初始部分期间，虽然基板W的研磨被执行，但基板W的厚度仍然是厚的，并且要被研磨的晶片W的大部分保留。因此，即使划痕产生在基板的表面上，有源表面上的器件也可以不被损伤。即，即使清洁从开始时间t1'开始，该开始时间t1'是在基板W被稍微研磨之后的时点，在有源表面上的半导体器件的可靠性也可以不被显著地影响。
此外，如果基板W的清洁从开始时间t1'开始，因为轮顶端145可以从此时点直到研磨的终止基本上连续地被清洁，因此可以基本上防止被研磨的表面上的划痕，并且可以保持半导体器件的相当高的可靠性。
图9是示出根据示例实施方式的被研磨的基板W的厚度变化的示意图。
参照图9，通过使用具有轮顶端145的磨轮146，固定在工作盘130上的基板W经受减薄。在减薄之前和之后的厚度变化在图9的右侧被概念性地示出。
基板W在研磨之前可以具有大约400μm至大约850μm的厚度。基板W在研磨之后可以具有大约10μm至大约200μm的厚度。由通过减薄的厚度减小导致的基板W的厚度变化Δt可以在从大约400μm到大约760μm的范围，或者在从大约500μm到大约650μm的范围。
为了精确控制基板W的厚度，磨轮146可以例如以大约1μm/秒的前进速度向下(即，在朝向基板W的方向上)移动。
图10是示出根据示例实施方式的制造半导体封装1的方法的流程图。图11至16是示出根据示例实施方式的制造半导体封装1的方法的工艺次序的视图。
参照图10和11，半导体器件可以形成在基板W的有源表面上(S1)。
基板W可以包括半导体基板。在一些示例实施方式中，基板W可以包括半导体诸如Si或者Ge。在一些其他示例实施方式中，基板W可以包括化合物半导体诸如SiGe、SiC、GaAs、InAs或者InP。在一些另外的示例实施方式中，基板W可以具有绝缘体上硅(SOI)结构。
包括大量半导体器件并且之后将彼此分离的大量半导体管芯区域DA可以形成在基板W的有源表面Wf上。
包括多个各种单独的器件的半导体器件可以形成在半导体管芯区域DA上。多个单独的器件可以包括各种微电子器件，例如，诸如互补金属绝缘体半导体(CMOS)晶体管的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、大规模集成电路(LSI)、诸如CMOS成像传感器(CIS)的图像传感器、微机电系统(MEMS)、有源器件、无源器件等等。多个单独的器件可以电连接到在半导体管芯区域DA中的基板W的导电区域。半导体器件可以包括多个单独的器件中的至少两个，或者可以还包括将多个单独的器件电连接到半导体管芯区域DA中的基板W的导电区域的导电配线或者导电插塞。此外，多个单独的器件中的每个或者至少一个可以通过绝缘膜与其他相邻器件电隔离。
通过将半导体管芯区域DA彼此分离而获得的半导体管芯例如可以是半导体存储器芯片。半导体存储器芯片可以是易失性半导体存储器芯片诸如动态随机存取存储器(DRAM)或者静态随机存取存储器(SRAM)，或者可以是非易失性半导体存储器芯片诸如相变随机存取存储器(PRAM)、磁阻随机存取存储器(MRAM)、铁电随机存取存储器(FeRAM)、或者电阻随机存取存储器(RRAM)。
基板W可以具有大约400μm至大约850μm的厚度。半导体管芯区域DA可以通过多个划片槽SL而彼此区分。
参照图10和12，基板W可以沿着基板W的多个划片槽SL被至少部分地切割(S2)。
基板W通过使用锯轮被至少部分地切割至某一深度T2。深度T2可以是基板W的厚度的大约10％到大约60％。在一些示例实施方式中，深度T2可以大于用于形成半导体器件的深度T1。用于形成半导体器件的深度T1可以在从若干微米到几十微米的范围，例如在从大约5μm到大约99μm的范围。
锯轮可以包括表现出优异的工具性能的材料，诸如硬金属(硬质合金)或者烧结金刚石，并且可以通过考虑要被处理的材料的厚度、种类等等而选择。锯轮沿着划片槽SL向前移动，由此执行基板W的至少部分切割。
参照图10至13，保护膜WF可以附接至基板W的有源表面Wf上(S3)。保护膜WF例如可以是聚氯乙烯(PVC)聚合物片，并且可以经由丙烯酸树脂粘合剂附接在有源表面Wf上。丙烯酸树脂粘合剂可以具有大约2μm至大约10μm的厚度，保护膜WF可以具有大约60μm至大约200μm的厚度。
在图12和13中，示出了其中在基板W的表面上执行至少部分切割之后附接保护膜WF的示例实施方式。然而，保护膜WF可以首先被附接，然后通过使用激光执行至少部分切割。图14是示出在附接保护膜WF之后通过使用激光执行至少部分切割的方法的透视图。
参照图14，保护膜WF可以形成在基板W的有源表面WF上，然后通过确定基板W内的聚焦位置而沿着划片槽SL辐照激光束到基板W上，激光束具有相对于基板W具有穿透性的波长。因而，当激光束辐照在基板W上时，改性层可以沿着划片槽SL形成在基板W内。改性层可以通过使用图14所示的激光辐照器件320而形成。
激光辐照器件320可以包括支撑基板W的工作盘321、辐照激光束到被工作盘321支撑的基板W上的激光束辐照装置322、以及为工作盘321所支撑的基板W拍照的成像装置323。工作盘321可以吸附和支撑基板W，并且可以在X方向和/或Y方向上移动。
激光束辐照装置322可以配置为使得安装到壳322a末端的集中器322b辐照脉冲激光束，壳322a具有圆柱形形状并且基本上水平地布置。此外，安装到构成激光束辐照装置322的壳322a的末端的成像装置323可以包括通过使用可见光拍照的普通CCD成像装置或者红外CCD成像装置，红外CCD成像装置包括辐照红外线到基板W上的红外辐照装置以及检测由红外辐照装置辐照的红外线的光学器件，红外CCD成像装置输出相应于由光学器件检测的红外线的电信号。
激光束辐照装置322与激光束辐照位置对准然后辐照激光束。激光束的聚焦可以在基板W的在基板W的厚度方向上的中点处被调节。此外，在集中器322b辐照相对于基板W具有穿透性的波长的激光束时，工作盘321和集中器322b可以以适当的速度相对移动。
参照图10和15，至少部分地被切割的基板W根据参照图1至9描述的方法经受减薄(S5)。
如参照图1至9描述的，基板W的减薄可以包括至少部分地研磨基板W(S51)以及执行轮顶端145的同步清洁(S52)。如参照图8A至8D描述的，基板W的至少部分地研磨(S51)可以以各种方式暂时地与轮顶端145的同步清洁(S52)重叠。
因为基板W的至少部分地研磨(S51)以及轮顶端145的同步清洁(S52)已经参照图1至9被详细描述，将省略其重复的说明。
半导体管芯SD1和SD2可以通过减薄而彼此分离。通过减薄，基板W的部分可以在基板W的厚度方向上被去除使得基板W的后表面从初始水平变化到超过通过至少部分切割基板W而形成的深度的水平。即，因为通过减薄而去除的基板W的部分的厚度超过通过至少部分切割基板W而形成的深度，所以半导体管芯SD1和SD2可以彼此分离并且被个体化。然而，因为半导体管芯SD1和SD2附接到保护膜WF上，半导体管芯SD1和SD2可以保持其初始位置而不是被无序地分散。
参照图10和16，半导体封装1可以通过安装个体化的半导体管芯而制造。
半导体封装1可以包括封装基底基板200和半导体管芯SD。封装基底基板200例如可以是印刷电路板、陶瓷基板或者内插板(interposer)。
当封装基底基板200是印刷电路板时，封装基底基板200可以包括基板基底202、接合垫210以及连接垫216，接合垫210和连接垫216分别形成在基板基底202的上表面和下表面上。接合垫210和连接垫216可以分别通过覆盖基板基底202的上表面和下表面的阻焊层(未示出)而暴露。基板基底202可以包括从酚醛树脂、环氧树脂和聚酰亚胺中选择的至少一种材料。例如，基板基底202可以包括从FR4、四官能环氧树脂(tetrafunctional epoxy)、聚苯醚、环氧树脂/聚亚苯基氧化物、双马来酰亚胺三嗪(BT)、Thermount、氰酸酯、聚酰亚胺和液晶聚合物中选择的至少一种材料。接合垫210和连接垫216的每个或者至少一个可以包括铜、镍、不锈钢或者铍铜。内部配线224可以形成在基板基底202中，内部配线224提供焊盘210之间和/或接合垫210与连接垫216之间的电连接。内部配线224可以形成在基板基底202内，但不限于此。内部配线224可以形成在基板基底202的上表面和/或下表面上并且被阻焊层覆盖。接合垫210和连接垫216可以是分别通过阻焊层暴露的部分电路线，电路线在将Cu箔涂覆在基板基底202的上表面和下表面上之后被图案化。
当封装基底基板200是内插板时，基板基底202可以包括例如硅晶片。
连接端子230可以附接在封装基底基板200的下表面上。连接端子230例如可以是焊球或者焊料凸块。连接端子230可以将半导体封装1电连接到半导体封装1外部的器件。
半导体管芯SD可以包括在其上表面上的多个芯片垫20。多个芯片垫20可以通过接合线30分别电连接到多个相应的接合垫210。芯片垫20可以包括第一芯片垫22和第二芯片垫24。接合垫210可以包括第一接合垫212和第二接合垫214。
接合线30可以包括连接第一芯片垫22到第一接合垫212的第一接合线32以及连接第二芯片垫24到第二接合垫214的第二接合线34。
封装基底基板200中的内部配线224可以连接第二接合垫214到连接垫216。
基板封装1可以还包括形成在封装基底基板200上并围绕封装基底基板200的上表面、半导体管芯SD和接合线30的模层50。模层50例如可以包括环氧模塑化合物(EMC)。
半导体管芯SD可以经由管芯附接膜40附接在封装基底基板200上。半导体管芯SD可以附接在封装基底基板200上使得半导体管芯SD的有源表面面对封装基底基板200的相反侧，即，半导体管芯SD的无源表面面对封装基底基板200。管芯附接膜40可以包括粘结剂成分和固化成分。粘结剂成分可以包括例如丙烯酸聚合物树脂和/或环氧树脂。固化成分可以包括例如环氧树脂、苯酚固化树脂或者苯氧基树脂。替代地，固化成分可以同时地或者同时间地用作粘结剂成分。管芯附接膜40可以还包括诸如固化促进剂或者硅烷偶联剂的添加剂、以及填充剂。固化促进剂例如可以是磷化氢、咪唑或者胺固化促进剂。硅烷偶联剂例如可以是巯基硅烷偶联剂或者环氧硅烷偶联剂。填充剂例如可以是硅石。
当使用根据发明构思的基板减薄装置时，甚至可以以相当高的可靠性制造非常薄的半导体器件。
虽然已经参照其示例实施方式具体地示出和描述了本发明构思，将理解的是，可以在其中进行形式和细节的各种变化而没有脱离权利要求的精神和范围。
本申请要求于2016年1月18日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2016-0005994号的优先权，其公开通过引用整体合并在此。

Claims (25)

1.一种基板减薄装置，包括：
工作盘，配置为支撑基板；
可旋转的研磨装置，包括配置为研磨被所述工作盘支撑的所述基板的轮顶端；以及
清洁装置，配置为在所述研磨装置处于旋转的同时执行所述轮顶端的同步清洁。
2.根据权利要求1所述的基板减薄装置，其中所述清洁装置包括：
加压装置，配置为对所述清洁中使用的清洁流体加压；以及
喷嘴，配置为喷射所述清洁流体。
3.根据权利要求2所述的基板减薄装置，其中所述清洁流体包括空气、氮(N2)、氦(He)、氖(Ne)、水、氨、酒精和其混合物中的至少一个。
4.根据权利要求3所述的基板减薄装置，其中所述清洁流体是包括空气和水的混合物，以及
所述喷嘴配置为雾化所述水。
5.根据权利要求2所述的基板减薄装置，其中所述喷嘴配置为对准所述轮顶端。
6.根据权利要求5所述的基板减薄装置，其中所述喷嘴包括第一子喷嘴和第二子喷嘴。
7.根据权利要求6所述的基板减薄装置，其中所述第一子喷嘴和所述第二子喷嘴分别配置为对准所述轮顶端的不同部分。
8.根据权利要求6所述的基板减薄装置，其中所述第一子喷嘴和所述第二子喷嘴配置为对准所述轮顶端的相同部分。
9.根据权利要求2所述的基板减薄装置，其中所述研磨装置配置为使得所述轮顶端在所述基板的所述研磨期间不交叠所述基板的被研磨表面的至少一部分，以及
所述喷嘴配置为对准所述轮顶端的不交叠所述被研磨表面的部分。
10.根据权利要求1所述的基板减薄装置，其中所述工作盘具有锥形支撑表面，所述锥形支撑表面具有随着从所述工作盘的所述中心朝向所述工作盘的所述外圆周的距离增加而减小的高度，所述工作盘的所述中心具有峰值高度。
11.根据权利要求1所述的基板减薄装置，其中所述工作盘配置为相对于所述基板的所述中心可旋转，以及
所述基板的所述中心与所述研磨装置的旋转中心不一致。
12.根据权利要求1所述的基板减薄装置，其中所述研磨装置配置为将所述基板的厚度减小400μm到760μm。
13.根据权利要求1所述的基板减薄装置，其中所述清洁装置配置为至少在所述研磨装置操作的同时连续地可操作。
14.一种减薄基板的方法，所述方法包括：
将基板固定在工作盘上；
通过旋转包括轮顶端的研磨装置而至少部分地研磨所述基板；以及
执行所述轮顶端的同步清洁。
15.权利要求14所述的方法，在将所述基板固定在所述工作盘上之前还包括：
沿着所述基板的划片槽至少部分地切割所述基板；以及
将保护膜附接在所述基板的有源表面上。
16.根据权利要求14所述的方法，其中所述轮顶端的所述同步清洁包括朝向所述轮顶端喷射清洁流体。
17.根据权利要求14所述的方法，其中所述轮顶端的所述同步清洁在所述基板的所述至少部分地研磨期间被执行。
18.根据权利要求14所述的方法，其中所述基板的所述至少部分地研磨在所述轮顶端的所述同步清洁期间被执行。
19.根据权利要求14所述的方法，其中所述基板的所述至少部分地研磨在所述基板的所述中心与所述基板相对于所述基板的所述中心的第一方向边缘之间的所述基板的区域上被执行。
20.根据权利要求19所述的方法，其中通过所述研磨装置的所述旋转，所述研磨装置在从所述基板的所述中心朝向所述基板的所述第一方向边缘延伸的方向上与所述基板形成接触。
21.根据权利要求19所述的方法，其中通过所述研磨装置的所述旋转，所述研磨装置在从所述基板的所述第一方向边缘朝向所述基板的所述中心延伸的方向上与所述基板形成接触。
22.一种制造半导体封装的方法，所述方法包括：
在基板的有源表面上形成半导体器件；
将保护膜附接在所述基板的所述有源表面上。
将所述基板固定在工作盘上使得所述基板的所述有源表面面对所述工作盘；
通过旋转包括轮顶端的研磨装置而至少部分地研磨所述基板；
执行所述轮顶端的同步清洁；
将被研磨基板分离为单独的半导体管芯；以及
通过安装所述单独的半导体管芯而制造半导体封装。
23.根据权利要求22所述的方法，其中所述轮顶端的所述同步清洁至少在所述基板的所述至少部分地研磨期间被连续地执行。
24.根据权利要求22所述的方法，其中通过所述基板的所述至少部分地研磨而减小的所述基板的厚度从400μm到760μm的范围。
25.根据权利要求22所述的方法，其中所述基板的所述至少部分地研磨包括旋转所述工作盘和所述研磨装置，以及
所述研磨装置的以每分钟转数(rpm)计的转速是所述工作盘的以每分钟转数计的转速的5倍至20倍。
CN201710037784.9A 2016-01-18 2017-01-18 基板减薄装置、减薄基板的方法以及制造半导体封装的方法 Pending CN106985060A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160005994A KR102214510B1 (ko) 2016-01-18 2016-01-18 기판 씨닝 장치, 이를 이용한 기판의 씨닝 방법, 및 반도체 패키지의 제조 방법
KR10-2016-0005994 2016-01-18

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN106985060A true CN106985060A (zh) 2017-07-28

Family

ID=59313952

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710037784.9A Pending CN106985060A (zh) 2016-01-18 2017-01-18 基板减薄装置、减薄基板的方法以及制造半导体封装的方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10008398B2 (zh)
KR (1) KR102214510B1 (zh)
CN (1) CN106985060A (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109352430A (zh) * 2018-12-12 2019-02-19 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种减小锗磨削片弯曲度的加工方法
CN110125792A (zh) * 2018-02-08 2019-08-16 株式会社迪思科 磨削装置
CN110170892A (zh) * 2018-02-20 2019-08-27 株式会社迪思科 磨削装置
CN110405546A (zh) * 2018-04-27 2019-11-05 半导体元件工业有限责任公司 晶圆减薄系统和相关方法
CN113059483A (zh) * 2021-03-19 2021-07-02 上海泽丰半导体科技有限公司 基板整平治具、整平方法及探针卡
WO2022193542A1 (zh) * 2021-03-19 2022-09-22 长鑫存储技术有限公司 晶圆清洗方法及晶圆清洗装置
CN115847293A (zh) * 2022-12-15 2023-03-28 西安奕斯伟材料科技有限公司 研磨清洗设备

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7048335B2 (ja) * 2018-02-01 2022-04-05 株式会社ディスコ 保持面の研削方法
JP7191467B2 (ja) * 2018-11-28 2022-12-19 株式会社ディスコ 被加工物の研削方法
JP7270373B2 (ja) * 2018-12-20 2023-05-10 株式会社岡本工作機械製作所 樹脂を含む複合基板の研削方法及び研削装置
EP3908423A4 (en) * 2019-06-20 2022-08-24 Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. SYSTEMS AND METHODS FOR LASER CUTTING OF CONNECTED STRUCTURES
JP7299773B2 (ja) * 2019-07-09 2023-06-28 株式会社ディスコ 研削装置
CN110509133B (zh) * 2019-08-09 2020-10-27 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司 蓝宝石衬底切割片再生加工方法
JP2022035272A (ja) * 2020-08-20 2022-03-04 株式会社東京精密 フライカット装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009141176A (ja) * 2007-12-07 2009-06-25 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの研削方法
CN102085639A (zh) * 2009-11-10 2011-06-08 株式会社迪思科 晶片的加工装置
US20110165823A1 (en) * 2010-01-07 2011-07-07 Okamoto Machine Tool Works, Ltd. Semiconductor substrate planarization apparatus and planarization method
CN203031439U (zh) * 2012-10-30 2013-07-03 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 一种半导体晶片抛光系统
CN103962938A (zh) * 2013-01-31 2014-08-06 株式会社荏原制作所 研磨装置
CN104308720A (zh) * 2014-08-27 2015-01-28 上海华力微电子有限公司 研磨头清洗装置、研磨设备及清洗方法
CN104999370A (zh) * 2014-04-16 2015-10-28 株式会社迪思科 磨削装置
CN105382676A (zh) * 2015-11-17 2016-03-09 广东先导半导体材料有限公司 一种砷化镓晶片的抛光方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69709924D1 (de) * 1996-06-15 2002-02-28 Unova Uk Ltd Flexible verbindung einer schleifmaschinenspindel zu einer plattform
US6098901A (en) 1997-11-05 2000-08-08 Aplex, Inc. Apparatus for dispensing slurry
US6595196B2 (en) * 2000-06-22 2003-07-22 Michael Bath Dust-free masonry cutting tool
KR20030047493A (ko) 2001-12-11 2003-06-18 주식회사 실트론 반도체 실리콘 웨이퍼의 세정방법
CN1914004B (zh) * 2004-01-26 2010-06-02 Tbw工业有限公司 用于化学机械平面化的多步骤、原位垫修整方法
US7202141B2 (en) * 2004-03-29 2007-04-10 J.P. Sercel Associates, Inc. Method of separating layers of material
US8740670B2 (en) * 2006-12-28 2014-06-03 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Sapphire substrates and methods of making same
KR100884939B1 (ko) 2007-08-01 2009-02-23 주식회사 에스에프에이 웨이퍼 연마장치
US8084335B2 (en) * 2008-07-11 2011-12-27 Semiconductor Components Industries, Llc Method of thinning a semiconductor wafer using a film frame
US20120034147A1 (en) 2009-04-28 2012-02-09 Sumco Corporation Method for cleaning silicon sludge
US8765653B2 (en) 2009-07-07 2014-07-01 Air Products And Chemicals, Inc. Formulations and method for post-CMP cleaning
JP2011216753A (ja) * 2010-04-01 2011-10-27 Panasonic Corp 半導体装置及びその製造方法
KR20140116542A (ko) 2012-01-24 2014-10-02 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 입자 감소를 위한 세정 모듈 및 프로세스
US8915771B2 (en) 2012-12-27 2014-12-23 Strasbaugh, Inc. Method and apparatus for cleaning grinding work chuck using a vacuum
US20140202491A1 (en) 2013-01-23 2014-07-24 Michael Vogtmann Method and apparatus for cleaning grinding work chuck using a scraper
KR102111592B1 (ko) 2013-11-26 2020-06-08 주식회사 케이씨텍 분사식 웨이퍼의 웨팅 장치

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009141176A (ja) * 2007-12-07 2009-06-25 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの研削方法
CN102085639A (zh) * 2009-11-10 2011-06-08 株式会社迪思科 晶片的加工装置
US20110165823A1 (en) * 2010-01-07 2011-07-07 Okamoto Machine Tool Works, Ltd. Semiconductor substrate planarization apparatus and planarization method
CN203031439U (zh) * 2012-10-30 2013-07-03 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 一种半导体晶片抛光系统
CN103962938A (zh) * 2013-01-31 2014-08-06 株式会社荏原制作所 研磨装置
CN104999370A (zh) * 2014-04-16 2015-10-28 株式会社迪思科 磨削装置
CN104308720A (zh) * 2014-08-27 2015-01-28 上海华力微电子有限公司 研磨头清洗装置、研磨设备及清洗方法
CN105382676A (zh) * 2015-11-17 2016-03-09 广东先导半导体材料有限公司 一种砷化镓晶片的抛光方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
张剑波: "《清洗技术基础教程》", 31 August 2004, 中国环境科学出版社 *

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110125792A (zh) * 2018-02-08 2019-08-16 株式会社迪思科 磨削装置
CN110125792B (zh) * 2018-02-08 2023-03-10 株式会社迪思科 磨削装置
CN110170892A (zh) * 2018-02-20 2019-08-27 株式会社迪思科 磨削装置
CN110170892B (zh) * 2018-02-20 2023-11-03 株式会社迪思科 磨削装置
CN110405546A (zh) * 2018-04-27 2019-11-05 半导体元件工业有限责任公司 晶圆减薄系统和相关方法
CN109352430A (zh) * 2018-12-12 2019-02-19 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种减小锗磨削片弯曲度的加工方法
CN109352430B (zh) * 2018-12-12 2020-12-04 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种减小锗磨削片弯曲度的加工方法
CN113059483A (zh) * 2021-03-19 2021-07-02 上海泽丰半导体科技有限公司 基板整平治具、整平方法及探针卡
WO2022193542A1 (zh) * 2021-03-19 2022-09-22 长鑫存储技术有限公司 晶圆清洗方法及晶圆清洗装置
CN115847293A (zh) * 2022-12-15 2023-03-28 西安奕斯伟材料科技有限公司 研磨清洗设备

Also Published As

Publication number Publication date
US20170207108A1 (en) 2017-07-20
KR20170086310A (ko) 2017-07-26
KR102214510B1 (ko) 2021-02-09
US10008398B2 (en) 2018-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106985060A (zh) 基板减薄装置、减薄基板的方法以及制造半导体封装的方法
KR102526457B1 (ko) 부품 실장 시스템, 수지 성형 장치, 수지 탑재 장치, 부품 실장 방법 및 수지 성형 방법
KR102418412B1 (ko) 반도체 패키지의 제조 방법
US7662666B2 (en) Method of processing wafer
CN101846601B (zh) 球栅阵列封装切片试块的制作方法
US9953871B2 (en) Wafer processing method
JP2011192934A (ja) ワークの分割方法
KR20110026390A (ko) 보호막 피복 방법 및 보호막 피복 장치
US10056296B2 (en) Workpiece processing method
KR102631710B1 (ko) 웨이퍼의 가공 방법
WO2015087904A1 (ja) ウェーハ加工方法
JP2016115722A (ja) 半導体製造装置、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法
KR20120030784A (ko) 기판 절단 시스템 및 기판 지지장치
JP5995616B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP2014053351A (ja) ウエーハの加工方法
KR100631282B1 (ko) 레이저를 이용한 웨이퍼 평탄화 장치
JP6976650B2 (ja) ウェーハの加工方法
EP0985494B1 (en) Method of grinding semiconductor articles
JP6594241B2 (ja) ウェーハの加工方法
US20120255161A1 (en) Place station for a pick-and-place machine
JP2014053355A (ja) ウエーハの加工方法
JP2014053357A (ja) ウエーハの加工方法
KR102674904B1 (ko) 피가공물의 가공 방법
JP6594243B2 (ja) ウェーハの加工方法
CN107030903A (zh) 封装基板的加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20170728