TW200917605A - Laser light emitting device - Google Patents

Description

200917605 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關藍色，綠色，紅色等之各波長之中，至 少具有2波長之振盪波長之金屬配線。 【先前技術】 將具有良好之顏色平衡之白色光輸出產生，單色的紅 (R)，綠（G)及藍（B)之各光源係使用於許多的顯示 器之用途，例如，對於使用在透過液晶顯示器之RGB光 源，係使用由固體雷射與非線形光學結晶等所構成之SHG 雷射。 其SHG雷射係爲將來自辦導體雷射的激發光照射至 固體雷射，再使以固體雷射振盪的基本波射入至接下來的 非線形光學結晶，使用從非線形光學結晶所取出之第2高 次諧波等而得到RGB之振盪波長的雷射光之構成，對於 爲了構成RGB之各光源，係對各RGB有改變固體雷射之 種類或非線形光學結晶之種類的必要（例如，參照專利文 獻1 )。 [專利文獻1]日本特開2006-66818號公報 【發明內容】 [欲解決發明之課題] 但在上述SHG雷射中，需要激發用之半導體雷射， 固體雷射，非線形光學結晶，其他反射鏡等多的構成構件 -5- 200917605 ，必然性地，做爲RGB光源，小型化之情況係爲困難。 另一方面，亦嘗試做爲從半導體雷射二極體直接得到 綠色雷射光，而GaN系之半導體雷射二極體係於將c面 做爲主面之氮化鎵（GaN )基板上，經由有機金屬氣相成 長法（MOCVD: Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy)， 使in族氮化物半導體成長而製造，對於將c面做爲主面 而結晶成長之情況，爲了對於c面成長之外延膜，做爲表 背面產生之纖鋅礦構造，針對在異質接合之界面，經由自 然分極，和另外依據晶格應變之壓電電壓效果而產生分極 電場，發光效率則下降，其現象係爲較5 00nm爲長波長 ，成爲特別顯著。 例如，對於爲了使綠色範圍之振盪波長產生，係必須 提升InGaN活性層（發光層）中的In組成比率，但in組 成比率變高時，上述分極電場亦變大，爲了分離注入於活 性磁的電子與正孔，而發光遷移機率則變低，有著光輸出 變小的問題。 本發明係爲爲了解決上述之課題所創案之構成，其目 的爲提供具有包含綠色範圍之振盪波長的多波長之光源， 做爲可小型化之雷射發光裝置。 [爲了解決課題之手段] 爲了解決上述課題，申請專利範圍第1項之發明係一 種雷射發光裝置，其特徵乃至少具備將非極性面或半極性 面做爲結晶成長的主面之GaN系半導體雷射二極體，和 200917605

AlInGaP系半導體雷射二極體者。 另外，申請專利範圍第2項之發明係如申請專利範圍 第1項之雷射發光裝置，其中，前述GaN系半導體雷射 二極體乃對於5l2nm〜552nm之綠色範圍’具有振波長 者。 另外，申請專利範圍第3項之發明係如申請專利範圍 第1項之雷射發光裝置，其中，前述AlInGaP系半導體雷 射二極體乃對於6 2 5 nm〜6 6 5 nm之紅色範圍，具有振盪波 長者。 另外，申請專利範圍第4項之發明係如申請專利範圍 第1項之雷射發光裝置，其中，前述GaN系半導體雷射 二極體乃由第1 GaN系半導體雷射二極體與第2 GaN系 半導體雷射二極體所構成者。 另外’申請專利範圍第5項之發明係如申請專利範圍 第1項之雷射發光裝置，其中，前述第1 GaN系半導體雷 射二極體乃對於44〇nrn〜480nm之藍色範圍，具有振盪波 長，前述第2 GaN系半導體雷射二極體乃對於512nm〜 5 5 2nm之綠色範圍，具有振盪波長者。 另外，申請專利範圍第6項之發明係如申請專利範圍 弟1項至第5項任一之雷射發光裝置，其中，前述GaN 系半導體雷射二極體及AlInGaP系半導體雷射二極體乃配 置於共通之支撐體上者。 另外’申請專利範圍第7項之發明係如申請專利範圍 第6項之雷射發光裝置’其中，前述支撑體乃由ain而 -7- 200917605 成者。 另外，申請專利範圍第8項之發明係如申請專利範圍 第1項至第7項任一之雷射發光裝置，其中，針對在前述 各半導體雷射一極體之正電極或負電極之任一方乃各自獨 立地加以配線者。 另外’申請專利範圍第9項之發明係如申請專利範圍 第1項之雷射發光裝置，其中，針對在前述各半導體雷射 二極體之正電極或負電極之任一方乃均做爲短路者。 另外，申請專利範圍第1 0項之發明係如申請專利範 圍第1項之雷射發光裝置，其中，前述GaN系半導體雷 射二極體與AlInGaP系半導體雷射二極體乃做爲反覆排列 爲陣列狀者。 如根據本發明，因將具有多波長之振盪波長的雷射發 光裝置，至少由將非極性面或半極性面做爲結晶成長的主 面之GaN系半導體雷射二極體，和AiInGaP系半導體雷 射二極體構成，並由對應於各振盪波長的半導體雷射二極 體所構成，故可小型化雷射發光裝置，另外，對於GaN 系半導體雷射二極體，係因將非極性面或半極性面做爲結 晶成長的主面，故控制加上於活性層之分極電場，可得到 綠色之振盪波長者。 【實施方式】 [爲了實施發明之最佳型態] 在以下’參照圖面說明本發明之一實施型態，圖1係 -8- 200917605 爲表示本發明之第1雷射發光裝置之構造圖，圖2係爲表 示本發明之第2雷射發光裝置之構造圖。- 在第1之雷射發光裝置之中，於做爲支撐體的支撐基 板5上’形成金屬配線4，於金屬配線4接合綠色L D 1與 紅色LD2，在此，LD係表示雷射二極體（Laser Diode) ，綠色LD1與紅色LD2係爲由半導體之層積構造而成之 雷射二極體，元件之正電極（陽極）或負電極（陰極）之 任一方則接合於金屬配線4，另一方的電極則連接於導線 6，導線7。 例如，連接於導線6及導線7之各雷射二極體元件之 電極如爲正電極，導線6及導線7之前端係配線於驅動電 源等之正極，配線於金屬配線4之導線9的前端係配線於 電源等之負極，而連接於導線6及導線7之各雷射二極體 元件的電極如爲負電極，導線6及導線7之前端係配線於 驅動電源等之負極，配線於金屬配線4之導線9的前端係 配線於電源等之正極，另一方面，和與導線6及導線7連 接之電極相反側之電極係均經由金屬配線4而做爲短路。 另外，綠色 LD1係呈對於 5 3 2nm±20nm ( 512nm〜 5 5 2nm )之綠色範圍具有振盪波長地所構成，紅色LD2係 呈對於645nm±20nm( 625nm〜665nm)之紅色範圍具有振 盪波長地所構成。 於圖4表示綠色LD1之具體的構造例，綠色LD1係 使用爲六方晶化合物半導體之ΠΙ-V族GaN系半導體，上 述III-V族GaN系半導體係以4元混晶系之AlxGayInzN ( 200917605 x + y + z= l，OdxCIll，0[iy[Ill，OdzCHl)所表現。 於GaN單結晶基板1 1上，依序形成n型GaN接觸層 12(例如膜厚2μηι) ，η型AlGaN包覆層13(膜厚1·5μιη ，例如1 ·0μηι厚），η型GaN光引導層14 (例如膜厚 Ο.ίμηι ) ，InGaN活性層（發光層）15，接著，做爲p型 半導體層，於活性層15之上方，依序層積p型AlGaN電 子阻擋層16 (例如膜厚20nm ) ，p型GaN光引導層17 ( 例如膜厚〇. 1 μιη ) ，p型AlGaN包覆層1 8 (膜厚1 ·5μηι， 例如0.4μηι厚），ρ型GaN接觸層19(例如膜厚0.05μηι )° 在此，GaN單結晶基板1 1上係將m面做爲主面，經 由針對在其主面之結晶成長，層積爲III族氮化物半導體 之GaN系半導體層，隨之，不只結晶成長於GaN單結晶 基板1 1之m面上之GaN系半導體層，而至最上層之p型 GaN接觸層19爲止所有的GaN系半導體層之成長主面係 成爲m面。 圖8係爲表示GaN系半導體之結晶構造的單元元件 之圖解圖’ GaN系半導體之結晶構造係可爲六方晶系近似 者’將沿著六角柱之軸方向之c軸做爲法線的面（六角柱 之頂面）則爲c面（000 1 )，在GaN系半導體中，分極 方向則沿著c軸，因此，c面係因表示在+ c軸側與_c軸側 不同之性質，故稱爲極性面（Polar Plane )，另—方面， 六角柱之側面（柱面）則各爲m面（1 〇 -1 〇 )，通過爲鄰 接之一對的稜線的面則爲a面（1 1 -20 )，此等係對於c -10- 200917605 面而言，爲直角之結晶面，因對於分極方向做爲垂直交叉 ，而稱爲無極性的面，即非極性面（Nonpolar Plane)。 如上述，因將結晶成長主面做爲非極性面之m面， 故針對在異質接合的界面，未發生經由自然分極之電場或 依據晶格應變之壓電電場，而控制發光效的下降，隨之， 爲了使綠色範圍之振盪波長產生，而即使提升InGaN活 性層1 5中的In組成比率，分極電場亦未變強，可做爲良 好之綠色光源而使用，然而，其他的非極性面（例如a面 )，或有少分極電場影響之構成的半極性面，例如，亦可 使用（1〇_1_1) ， ( 10-1-3) ， （11-22)等。 η型GaN接觸層12係爲低阻抗層，另外，p型GaN 接觸層1 9係爲爲了得到與p電極41之電阻接觸之低阻抗 層，而η型GaN接觸層12係爲於GaN，例如摻雜3x 1018cm·3 η型摻雜劑Si之半導體層，另外，p型GaN接觸 層19係爲於GaN，例如摻雜3xl019cm_3 p型摻雜劑Mg 之半導體層。 η型AlGaN包覆層13及p型AlGaN包覆層18係爲 產生將來自活性層1 5的光封閉於此等之間的封閉效果之 構成，η型AlGaN包覆層13係爲於AlGaN，例如摻雜3X 1018cm·3 η型摻雜劑Si之半導體層，另外，p型AlGaN包 覆層1 8係爲於AlGaN ’例如摻雜3x1 019cnT3 p型摻雜劑 Mg之半導體層，而η型AlGaN包覆層13係較n型GaN 光引導層14帶隙爲寬’ P型AlGaN包覆層1 8係較p型 GaN光引導層17帶隙爲寬’由此’可進行良好之封閉’ -11 - 200917605 近而可實現低臨界値及高效率之半導體雷射二極體。 η型GaN光引導層14及p型GaN光引導層17係爲 產生爲了封閉載體（電子及正孔）於活性層15之載體封 閉效果之半導體層，由此，成爲呈提升針對在活性層1 5 之電子及正孔的再結合之效率，η型GaN光引導層14係 爲於GaN，例如摻雜3x1018cnT3 η型摻雜劑Si之半導體 層，p型 GaN光引導層17係爲於GaN，例如摻雜5x 1018cnT3 p型摻雜劑Mg之半導體層。 例如摻雜5xl018cm_3 p型摻雜劑Mg之p型AlGaN電 子阻擋層1 6係防止從活性層1 5之電子的流出，提升電子 及正孔之再結合效率。 活性層 15係爲例如具有包含In GaN之 MQW ( multipule-quantum well )構造（多重量子井構造），經由 電子與正孔再結合之情況而產生光，爲了使其產生的光放 大的層，活性層15係具體而言，由交互2〜7週期程度重 複層積InGaN井層（例如3nm厚度）與GaN阻障層（例 如9nm厚度）所構成，對於此情況，inGaN井層係經由將 In的組成比做爲5 %以上之情況，帶隙則變爲較小，構成 量子井層’另一方面，GaN阻障層係做爲帶隙較大之障壁 層而發揮機能。 發光波長係經由針對在InGaN井層之In的組成比呈 變高地進行調整的情況，做爲呈得到綠色範圍之振盪波長 5 12nm〜5 5 2nm ’例如，InGaN井層之In組成係做爲20% 前後’將InGaN井層做爲30%前後之情況則爲期望，然 -12- 200917605 而，前述MQW構造係理想爲將含有In 爲3以下者。 p型AlGaN電子阻擋層16至p型 止之P型半導體層積體係經由根據台面 之情況，形成脊形條紋A ’更具體而言 GaN接觸層19，ρ型AlGaN包覆層18; 層1 7的一部分，形成台形之脊行條紋 A係如圖4所示，沿著c軸方向所形成 經由針對在脊形條紋A之長度方向 端的劈開所形成之一對的端面（平行於 行，均垂直於C軸，構成C面及-C面， 成共振器，在活性層1 5所產生的光係 之間的同時，經由誘導釋放所放大，並 一部分則從共振器端面，做爲雷射光而 η電極4 2係例如圍A1金屬，p電彳 ，Pd/Au合金所形成，各電阻連接於p 及GaN單結晶基板11，而p電極41則 紋A之頂面（條紋狀之接觸範圍）之p 地’設置被覆P型GaN光引導層17及 18之露出面的絕緣層40，由此，因可 條紋A ’故成爲可進行有效率之雷射振 可由折射率較1大之絕緣材料，例如， 成者。 更加地’脊行條紋之頂面係成爲m 之量子井的數量做 GaN接觸層19爲 蝕刻除去其一部分 〔’蝕刻除去P型 泛P型GaN光引導 A，而其脊形條紋 〇 (C軸方向）之兩 紙面）係爲相互平 在此等端面之間構 往返在共振器端面 且，所放大的光之 取出於元件外。 區41係由A1金屬 型GaN接觸層19 呈唯接觸於脊形條 型GaN接觸層19 p型AlGaN包覆層 使電流集中於脊行 盪，絕緣層4 0係 Si02或Zr02而構 面，於其m面形 -13- 200917605 成p電極41，並且’形成η電極42之GaN單結晶基板 11之背面亦爲m面，如此，因p電極41及η電極42均 形成於m面，故可實現對於雷射之高輸出畫或高溫動作 充分承受之信賴性。 在製作圖4之半導體雷射二極體時，首先，將m面 做爲主面之GaN單結晶基板1 1係可從將c面做爲主面之 GaN單結晶切出而製作，所切出之基板的m面係經由化 學機械性硏磨處理所硏磨，對於（〇〇〇1 )方向及（n_20 )方向之雙方的方位誤差，做爲± 1 °以內（理想係± 〇 . 3。以 內），如此，將m面做爲主面，且可得到無錯位或層積 缺陷之結晶缺陷的GaN單結晶基板1 1，對於如此之GaN 單結晶基板1 1的表面係不過產生原子位準之段差。 並且，經由有機金屬氣相成長法（MOCVD)而使各 半導體層成長，對於進行結晶成長之情況，係組合成爲各 半導體層之構成元素的原料之原料氣體而流動，但對於將 形成於GaN單結晶基板1 1上之n型GaN接觸層12〜p型 GaN接觸層19爲止之各半導體層形成時，所有的層之成 長的情況，對於所供給之鎵原料（三甲鎵）之摩爾分率之 氮素原料（氨）之摩爾分率的比之 V/III比係亦維持爲 1 000以上（理想爲3000以上）之高的値，更具體而言， 針對在從η型AlGaN包覆層1 3至最卜.層之p型GaN接觸 層19爲止，V/III比的平均値爲1〇〇〇以上之情況則爲理 想，由此，針對在η型A1G a N包覆層I 3，活性層1 5及p 型A1 GaN包覆層1 8之所有的層，可得到點缺陷少之良好 -14 - 200917605 的結晶。 接著，圖5表示紅色LD2之具體構造，而紅色LD2 係由AlinGaP系半導體所構成，另外，各半導體層之結晶 成長係經由既知的有機金屬氣相成長法（MOCVD )所進 行，於傾斜η型GaAs基板22上’層積η型AlGalnP包 覆層 23，AlGalnP光引導層 24，MQW活性層 25, AlGalnP光引導層26，p型 AlGalnP第1包覆層27， AlGalnP触刻停止層28，η型 AlGalnP阻擋層31，p型 AlGaAs第2包覆層29，p型GaAs接觸層30，p電極32 ，對於η型GaAs基板22的背側，係形成η電極21，對 於η型GaAs基板22係使用其結晶方位從（001 ) 10〜15 度傾斜之構成。 MQW活性層25係由3層之GalnP井層與2層之未摻 雜之（AlG.5Ga〇.5)().5lnc).5P 阻障層所形成，η 型 AlGalnP 包 覆層23係經由η型不純物Si摻雜之（AU.vGao.Oo.sIno.sP ，AlGalnP光引導層24與AlGalnP光引導層26係經由未 摻雜之（八1〇.5〇3〇.5)().5111〇.5?，1)型八10&1|1?第1包覆層27 係經由 P型不純物 Zn摻雜之（Al〇.7Ga〇.3)〇.5In〇.5P， AlGalnP，蝕刻停止層28係經由使用3層p型不純物Zn 摻雜之無應變的（AlnGao.do 5InG 5p與使用2層p型不純 物Zn摻雜之（AloiGao.do.sIn。5p而交互層積此等的層，p 型AlGaAs第2包覆層29係經由p型不純物zn摻雜之 Al〇.5GaAs，p型GaAs接觸層30係經由p型不純物Zn摻 雜之GaAs，η型AlGalnP阻擋層3 1係經由η型不純物Si 200917605 摻雜之（Al^Ga^h.sIno.sP所構成，p電極32係使用Ti 與Au之多層金屬膜，n電極21係使用Au，Ge，Ni之合 金層和Ti與Au之多層金屬膜。 將MQW活性層25做爲從兩側以AlGalnP光引導層 24，26夾持之構造，而此等光引導層係爲爲了封閉光於 垂直方向所形成之構成，經由光引導層之組成或厚度而可 控制垂直廣角度，當減弱其垂直方向之光封閉時，發光點 則擴大於垂直方向，射出光束的垂直廣角度（FFP之層積 方向的大小）則降低。 圖5所示之高輸出紅色半導體雷射二極體係由p型 AlGaAs第2包覆層29與p型GaAs接觸層30，形成條紋 狀之脊形部分B，具有以η型AlGalnP阻擋層31被覆其 脊形部分B兩側之埋入脊形構造，電流係未流動於成爲逆 偏壓之η型AlGalnP阻擋層31及其下部，而流動在條紋 狀之脊部B。 如此，在構成綠色LD 1與紅色LD2的例中，於支撐 基板5上之金屬配線4，接合綠色LD 1及紅色LD2之負 電極的情況，η電極42與η電極21則接合於金屬配線4 ，另一方面，將正電極接合於金屬配線4之情況係接合ρ 電極41與ρ電極3 2於金屬配線4。 如此，因由綠色半導體雷射二極體與紅色半導體雷射 二極體，使用2個，配置於共通之支撐基板上，故可非常 地將雷射發光裝置作爲小型化，另外，綠色 LD 1係由 G aN系半導體所構成，但與以往之c面結晶成長不同，因 -16- 200917605 將結晶成長面做爲呈成爲非極性面或半極性面’故控制在 量子井層之分極’發光效率則增加，而可將綠色的波長振 盪，另外，沒有經由電流的變化之發光波長之位移的問題 ，而可實現安定之振盪波長。 接著，圖2表示並不只紅色與綠色，亦加上藍色之雷 射發光裝置，與圖1相同之符號係表示相同的構成，加上 於圖1之構成，藍色LD3則接合於金屬配線4，與金屬配 線4相反側，從藍色LD3配線有導線6，藍色LD3係在 460nm±20nm( 440nm〜480nm)之範圍，呈具有振擾波長 地所構成，如圖2’因各自準備R，G，B，3原色之半導 體雷射二極體，將此等配置於爲共通之支撐體的支撐基板 5，故可非常地將雷射發光裝置之全體作爲小型化。 另一方面，藍色 LD3之具體的構造係與做爲綠色 LD1之構造所說明之圖4的半導體雷射二極體構造並無變 化，但活性層1 5之In組成比率有不同之構成，活性層 1 5之InGaN井層之In組成係做爲1 5%前後，將InGaN井 層做爲3 0%前後之情況則爲期望，另外，藍色LD3之情 況係亦可將結晶成長的主面做爲m面成長，但因較綠色 LD 1，針對在活性層1 5之In組成爲低，壓電電場的影響 亦變小，故亦可將結晶成長的主面做爲c面。 如圖2，將配置R ’ G ’ B之各半導體雷射二極體於 支撐基板5之雷射發光裝置作爲封裝化之情況的全體構造 ，表示於圖3 (金屬配線4係未圖示），圖3 ( a )則表示 從封裝的前面而視的圖，圖3 ( b )則表示從封裝的後面 -17- 200917605 而視的圖。 配置R，G，B之各半導體雷射二極體之支撐基板5 係安裝於金屬之支撐台41，更加地，支撐台41係安裝於 金屬之台座42，而3支導線銷43係由金屬所構成，與導 線6，7，8所連接，另外，3支導線銷43係連接於獨立 之電壓驅動端子，而雷射光係如圖所射出，各導線銷43 與金屬之台座42係做爲不短路地經由絕緣體5 0所絕緣， 另一方面，連接於金屬配線4之導線9係藉由支撐台41 ，台座42，電性連接於導線銷44。 如以上，因對於R，G，B之各光源，均使用半導體 雷射二極體，故可緊密地做爲封裝化，台座4 2之直徑係 例如可形成爲5.6 m m程度的大小，如圖3所封裝化之雷 射發光裝置係例如做爲彩色顯示器之R G B光源所使用。 圖6係表示CIE色度圖’如上述’在本發明之雷射發 光裝置之中，因將綠色LD1之振盪波長中心做爲532nm ，將紅色LD2之振盪波長中心做爲645nm，將藍色LD3 之振盪波長中心做爲460n m ’故可寬廣覆蓋針對在CIE色 度圖之顏色的範圍。 接著，於圖7表示周期性地排列綠色LD，紅色LD ’ 藍色L D爲陣列狀之陣列型雷射發光裝置，於做爲支撐體 之支撐基板5上’形成金屬配線5 2 ’對於金屬配線5 2上 係首先呈紅色LD2a，綠色LDla’藍色LD3a’接著’紅 色LD2b，綠色LDlb，藍色LD3b地’將紅色LD與綠色 LD與藍色LD做爲1組，重覆其組成而配置於金屬配線 -18- 200917605 52 ° 另外，紅色 LD2a〜2η，綠色 LD2a〜2η，藍色 〜2η之正電極或負電極之一方係經由金屬配線52 做爲短路，金屬配線5 2係與導線5 3所連接，另一 和金屬配線52所接合之電極相反的極之電極係對 導體雷射二極體，與導線6a，6b，…，導線7a， ，導線 8a，8b，…，所連接，傳達至此等導線之 獨立所驅動，然而，相同震盪波長之LD係亦可未 立而驅動，而進行連動驅動。 如以上，在構成陣列型雷射發光裝置之情況， 於R’ G’ B之各光源，均使用半導體雷射二極體 將裝置全體做爲小型化，然而，如圖7，亦可將排 體雷射二極體爲矩陣狀之支撐基板5做爲複數枚排 下’ 2維狀地配置半導體雷射二極體，構成陣列型 光裝置。 【圖式簡單說明】 [圖1]係爲表示本發明之第1雷射發光裝置之 0 [圖2]係爲表示本發明之第2雷射發光裝置之 〇 [圖3]係爲表示本發明之第2 GaN系半導體元 他剖面構造圖。 [圖4]係爲表示GaN系半導體元件之剖面構造丨 ,L D 2 a ，所有 方，與 於各半 7b，… 電壓係 作爲獨 因亦對 ，故可 列半導 列於卜-雷射發 構造圖 構造圖 件之其 -19- 200917605 [圖5]係爲表示AlInGaP系半導體元件之剖面構造圖 [圖6]係爲表示CIE色度圖。 [圖7]係爲表示使用本發明之雷射發光裝置之陣列型 雷射發光裝置之構造圖。 [圖8 ]係爲表示六方晶系之面方位的單元元件圖。 【主要元件符號說明】

1 :綠色LD

2 :紅色L D

3 :藍色LD 4 :金屬配線 5 :支撐基板 6 :導線 7 :導線 8 :導線 9 :導線 1 1 : G a N卓結晶基板 12: η型GaN接觸層 1 3 : η型AlGaN包覆層 U : η型GaN光引導層 1 5 : InGaN活性層 16 : p型AlGaN電子阻擋層 17 : p型GaN光引導層 -20- 200917605 1 8 : p型AlGaN包覆層 1 9 : p型GaN接觸層 2 1 : η電極 22 : η型GaAs基板 23 : η型AlGalnP包覆層 24 : AlGalnP光引導層 2 5 : M Q W活性層 26 : AlGalnP光引導層 27 : p型AlGalnP第1包覆層 28 : AlGalnP鈾刻停止層 29 : p型AlGaAs第2包覆層 30: p型GaAs接觸層 3 1 : η型AlGalnP阻擋層 3 2 : p電極 41 :支撐台 42 :台座 4 3 :導線銷 5 0 :絕緣體 -21 -

Claims (1)

1. 200917605 十、申請專利範圍 1 _ 一種雷射發光裝置，其特徵乃至少具備：具有結晶 成長非極性面或半極性面的主面之GaN系半導體雷射二 極體，和Alin GaP系半導體雷射二極體者。 2.如申請專利範圍第1項之雷射發光裝置，其中，前 述GaN系半導體雷射二極體乃對於512nm〜552nm之綠 色範圍，具有振盪波長者。 3 ·如申請專利範圍第1項之雷射發光裝置，其中，前 述AlInGaP系半導體雷射二極體乃對於62 5nm〜665 nm之 紅色範圍，具有振盪波長者。 4 如申請專利範圍第1項之雷射發光裝置，其中，前 述GaN系半導體雷射二極體乃由第1 GaN系半導體雷射 二極體與第2 GaN系半導體雷射二極體所構成者。 5 ·如申請專利範圍第4項之雷射發光裝置，其中，前 述第1 GaN系半導體雷射二極體乃對於440ηιη〜480nm之 藍色範圍，具有振盪波長，前述第2 GaN系半導體雷射二 極體乃對於512 nm〜552 nm之綠色範圍，具有振盪波長者 〇 6. 如申請專利範圍第1項至第5項之任一項之雷射發 光裝置，其中，前述GaN系半導體雷射二極體及AlInGaP 系半導體雷射二極體乃配置於共通之支撐體上者。 7. 如申請專利範圍第6項之雷射發光裝置，其中，前 述支撐體乃由A1N而成者。 8 ·如申請專利範圍第1項至第7項之任一項之雷射發 -22- 200917605 光裝置’其中，針對在前述各半導體雷射二極體 或負電極之任一方乃各自獨立地加以配線者。 9 ·如申請專利範圍第1項至第7項之任一項之 光裝置，其中’針對在前述各半導體雷射二極體之 或負電極之任一方乃均做爲短路者。 1 〇 ·如申請專利範圍第1項至第9項之任一項 發光裝置’其中’前述 GaN系半導體雷射二 AlInGaP系半導體雷射二極體乃做爲反覆排列爲陣 正電極 雷射發 正電極 之雷射 極體與 列狀者 -23-