TW200915004A - Processed substrates having water-repellent areas in patterns, process for production thereof, and process for production of members having patterms made of functional material films - Google Patents

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200915004 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關表面具有撥水性區域之圖型的處理基材 、該基材之製造方法、使用該處理基材製造形成由功能性 材料之膜所構成之圖型的構件的方法。 【先前技術】 在半導體元件、顯示器、發光元件等領域，有許多功 能性薄膜已被實際使用。功能性薄膜係在所要位置配置具 有所要特性之功能性材料形成圖型化者。該薄膜係作爲配 線、電極、絕緣層、發光層及光學薄膜等使用。 例如藉由光蝕刻所得之光阻圖型即爲一例。但是光蝕 刻步驟複雜，能源、材料等之利用效率低。在防塵室内進 行，因此有設備成本高昂的問題。 解決光蝕刻問題的方法，例如提案噴墨法。但是噴墨 法之位置精度低，很難形成高精細的圖型。因此，提案預 先在基材表面上形成具有不接受墨水之撥水性區域與接受 墨水之親水性區域之撥水•親水圖型的底層膜，提高位置 精度的方法。 例如專利文獻1中記載在基材之親水性表面以化學氣 相蒸著法形成由氟化烷基矽烷所構成之薄膜，藉著照射紫 外光，分解•除去由氟化烷基矽烷所構成之薄膜的方法。 該方法所得之基材之非光照射部成爲撥水性區域，光照射 部位成爲親水性區域。 200915004 〔專利文獻1〕日本特開2000-282240號公報 【發明內容】 〔發明之揭示〕 〔發明欲解決的課題〕 上述以往方法需要藉由200nm以下之高能量光的長時 間照射。該方法也需要大規模之設備、真空裝置、高能量 光源等特別的裝置。該方法因使用200nm以下之高能量光 ，因此圖型之薄膜中的有機物也產生分解，有時成爲親水 性區域與撥水性區域之對比較低的圖型。 形成以習知方法所得之撥水.親水圖型的基材在基材 上會殘留形成撥水性區域的材料。在此基材上將親水性之 功能性材料進行圖型化後，欲再於基材全面層合其他材料 時’其他材料有時在撥水性區域受排斥，無法固定。使用 此種基材製作裝置時，形成撥水性區域的材料有時會影響 裝置之運轉。 本發明之目的係提供表面具有對比較高之撥水性區域 之圖型的處理基材。本發明之目的係該處理基材不需要特 別的裝置及筒能量光、長時間之光照射，可以低光量、短 時間製造的方法。本發明之目的係使用該處理基材，製造 形成功能性材料之圖型之構件的方法。本發明之目的係製 造在形成功能性材料之圖型後’除去形成撥水性區域之材 料之構件的方法。 200915004 〔解決課題的手段〕 本發明係關於下述之處理基材、其製造方法、使用該 處理基材之功能性膜形成構件的製造方法。 <ι> —種處理基材，其係在基材表面具有撥水性區域 之圖型的處理基材，其特徵爲該撥水性區域係由含有下述 化合物（A1)或下述化合物（A2)與下述化合物（B)， 再任意含有光硬化促進化合物（C)之硬化性組成物硬化 而成的撥水性硬化膜所構成者， 化合物（A1):具有與矽原子鍵結之氫原子與光硬化 性基的有機聚矽氧烷， 化合物（A2):具有與矽原子鍵結之氫原子，不具有 光硬化性基的有機聚矽氧烷， 化合物（B ):具有光硬化性基的化合物。 <2 >—種表面具有撥水性區域之圖型之處理基材的製 造方法，其特徵係藉由依序含有： 基材表面形成含有下述硬化性組成物之塗膜的步驟， 光照射於該塗膜表面之一部份，使被光照射之部分的 硬化性組成物硬化，形成撥水性硬化膜的步驟及 除去存在於基材表面之未硬化之硬化性組成物之步驟 的方法，製造表面具有由撥水性硬化膜所構成之撥水性區 域之圖型的處理基材。 <3 > —種形成功能性膜之構件的製造方法，其特徵係 藉由含有： 將含有功能性材料與溶劑之液體供給上述之處理基材 -6 - 200915004 的表面，使該液體附著於處理基材表面之撥水性區域以外 之區域的步驟及由附著之該液體除去溶劑’形成由功能性 材料之膜所構成之圖型之步驟的方法’在基材表面形成功 能性膜的圖型。 <4> 一種形成功能性膜之構件的製造方法，其特徵係 藉由含有： 將含有功能性材料與溶劑之液體供給上述之處理基材 的表面，使該液體附著於處理基材表面之撥水性區域以外 之區域的步驟及由附著之該液體除去溶劑，形成由功能性 材料之膜所構成之圖型的步驟及除去撥水性硬化膜之步驟 的方法，在基材表面形成功能性膜的圖型。 上述<1>之本發明之處理基材，其中可藉由光硬化之 官能基較佳爲丙烯醯基或甲基丙烯醯基，促進上述光硬化 之化合物（c)較佳爲藉由光產生自由基的聚合引發劑。 上述可藉由光硬化之官能基較佳爲1,2-環氧基，促進 上述光硬化之化合物（c)較佳爲藉由光產生陽離子的聚 合引發劑。 上述可藉由光硬化之官能基較佳爲乙烯基，促進上述 光硬化之化合物（c)較佳爲白金系觸媒。 上述<1>之本發明之處理基材，其中撥水性區域以外 之基材表面對水之接觸角爲50度以下，撥水性區域對水 之接觸角爲70度以上較佳。撥水性膜之膜厚較佳爲〇. ；!〜 1OOnm 〇 上述<1>之本發明之處理基材，其中該化合物（A1) 200915004 或該化合物（A2 )中，對於每1個矽原子，與矽原子鍵結 的平均氫原子數較佳爲0.1〜1.0個。 上述<2>之處理基材的製造方法，較佳爲照射具有 200nm以上之波長的光。 上述<4>之形成功能性膜之構件的製造方法，較佳爲 藉由使用鹼性溶液洗淨，除去撥水性硬化膜。 〔發明之效果〕 本發明之處理基材係表面具有對比高之撥水性區域。 依據本發明之處理基材之製造法時，可不需要大規模 設備、真空裝置及高能量光源，使用簡便裝置及光源，並 可以低光量、短時間製造處理基材。 使用本發明之處理基材可簡單得到形成由功能性材料 之膜所構成之圖型的構件，可用於許多用途。形成功能性 材料之圖型後，可除去撥水性硬化膜。 〔實施發明之最佳形態〕 以下表示選自丙烯醯基或甲基丙烯醯基之重合性官能 基的用語使用（甲基）丙烯醯基。（甲基）丙烯酸酯係指 丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯。 <化合物（AI )、化合物（A 2 ) > 本發明之硬化性組成物係含有化合物（A 1 )或含有化 合物（A2 )與化合物（B )兩者的硬化性組成物。 200915004 化合物（A1)與化合物（A2)均爲有機聚矽氧烷。 有機聚矽氧烷係具有聚矽氧烷骨架與形成該骨架之矽原子 鍵結之有機基的化合物。與矽原子鍵結之有機基係以碳-矽鍵鍵結。換言之，此有機基係與矽原子鍵結之末端原子 爲碳原子的有機基。有機聚矽氧烷中之矽原子有1個以上 之有機基鍵結，較多的情形係末端矽原子除外，1個或2 個有機基鍵結，末端矽原子有3個以內之有機基鍵結。有 時，無有機基鍵結之矽原子也有少數存在。聚矽氧烷骨架 係具有無分支之線狀、有分支之線狀、環狀、或網目狀的 結構。骨架内之矽原子有1價有機基或1價原子等2個鍵 結，分支部有1價有機基或1價原子等1個鍵結的矽原子 或無這些鍵結之矽原子。 有機聚矽氧烷中，末端矽原子除外，矽原子有2個之 1價基或原子，其中至少1個爲有機基較佳。有機基以外 之基或原子例如有氫原子或羥基及鹵原子或烷氧基等之水 解性基等。末端矽原子較佳爲有3個有機基鍵結或2個有 機基與1個之1價基或原子鍵結。 上述1價有機基較佳爲烴基、含氟有機基、具有取代 基（（甲基）丙烯醯基等）之烴基。烴基較佳爲烷基、烯 基、炔基、芳基。具有取代基之烴基中，取代基部分除外 之烴基（假設氫原子爲取代基所鍵結時的烴基）較佳爲上 述者。與砂原子鍵結之烴基除下述提高撥水性之有機基或 下述光硬化性基外’較佳爲碳數4以下之烷基、碳數4以 下之嫌基或炔基、碳數8以下之芳基。其中較佳爲甲基、 -9 - 200915004 乙基及苯基，特佳爲甲基。有機聚矽氧烷中之多個有機基 可彼此不同。例如1分子中可具有作爲有機基之甲基與苯 基之2種的有機基。 爲了提高撥水性硬化膜之撥水性時，可使提高撥水性 之有機基與化合物（A1 )或化合物（A 2 )鍵結。提高撥 水性之有機基有含氟有機基或長鏈烴基等，特佳爲含氟有 機基。長鏈烴基係碳數爲5〜20之直鏈狀之烷基或烯基， 特佳爲碳數6〜16之直鏈狀之烷基。含氟有機基較佳爲含 醚性氧原子之聚氟烷基。特佳爲具有二氟伸甲基連鏈之聚 氟烷基或具有全氟氧伸烷基之聚氟烷基。 化合物（A1)之光硬化性基係與矽原子鍵結之上述有 機基中所含有的基。光硬化性基較佳爲（甲基）丙烯醯基 、1，2·環氧基或不飽和烴基。具有（甲基）丙烯醯基或 1,2-環氧基的有機基較佳爲具有直接或介於連結基，與烷 基鍵結之構造的有機基。以下具有此等光硬化性基之有機 基也稱爲光硬化性有機基。（甲基）丙烯醯基較佳爲介於 氧原子與烷基鍵結。換言之，光硬化性有機基較佳爲（甲 基）丙烯醯氧基烷基。1,2-環氧基較佳爲介於連結基與烷 基鍵結，與烷基鍵結之含環氧基之基有縮水甘油氧基或 3，4-環氧環己基等。不飽和烴基較佳爲乙烯基或烯丙基等 之非鍵結末端（不與矽原子鍵結之側的末端）具有不飽和 雙鍵的烯基。具有（甲基）丙烯醯基之有機基較佳爲烷基 部分之碳數爲2〜6的（甲基）丙烯醯氧基烷基，特佳爲 (甲基）丙烯醯氧基三伸甲基。具有1，2-環氧基之有機基 -10- 200915004 較佳爲烷基部分之碳數爲2〜6之縮水甘油氧基烷基，特 佳爲3-縮水甘油氧基丙基。不飽和烴基較佳爲乙烯基。 化合物（A1)、化合物（A2)中，爲了發揮含有這 些化合物之組成物硬化所得之撥水性硬化膜的鹼可溶性， 必須有與矽原子鍵結的氫原子。具有此氫原子之撥水性硬 化膜可使用鹼性水溶液洗淨除去。但是光硬化性有機基爲 不飽和烴基時，其硬化反應需要與矽原子鍵結的氫原子， 因此化合物（A1 )、化合物（A2 )在硬化後也需要此氫 原子殘留數的氫原子。 化合物（A1)係具有與矽原子鍵結之氫原子與光硬化 性基的有機聚矽氧烷。此有機聚矽氧烷除氫原子與光硬化 性有機基外，具有烴基或含氟有機基，該烴基較佳爲烷基 或苯基，特佳爲甲基。化合物（A1)中，相對於每1個矽 原子，與矽原子鍵結的平均氫原子數爲〇.1〜1.0個，特佳 爲0.5〜0.9個。化合物（A1)中，相對於每1個矽原子 而言，光硬化性有機基之平均數爲〇·〇1〜〇.5個，特佳爲 0.05〜0.1個。與矽原子鍵結之氫原子之數、或光硬化性 有機基之數太少時，有時硬化性會降低’太多時，撥水性 會降低。 化合物（A1 )之重量平均分子量爲500以上，較佳爲 未達1,000,000，更佳爲未達10,000。重量平均分子量爲 5 00以上時，具有防止由基材表面蒸發的優點，重量平均 分子量未達1，〇〇〇,〇〇〇時，對溶劑之溶解性良好，因此具 有提高作業性的優點。重量平均分子量係藉由凝膠滲透層 -11 - 200915004 析法以聚苯乙烯爲標準物質進行測定。 化合物（A2)係具有與矽原子鍵結之氫原子，不具有 光硬化性基的有機聚矽氧烷。此有機聚矽氧烷具有光硬化 性有機基以外之有機基與氫原子，該有機基較佳爲烴基或 含氟有機基。烴基較佳爲烷基或苯基，特佳爲甲基。化合 物（A2)中，相對於每1個矽原子，與矽原子鍵結的平均 氫原子數爲〇·〗〜1.0個，特佳爲0.5〜0.9個。與砂原子 鍵結之氫原子數未達0.1個時，有時剝離性會降低。 化合物（Α2)之重量平均分子量爲5 00以上，較佳爲 未達1,000,000，更佳爲未達1 0,000。重量平均分子量爲 5 00以上時’具有防止由基材表面蒸發的優點，重量平均 分子量未達1,000,000時，對溶劑之溶解性良好，因此具 有提高作業性的優點。重量平均分子量之定義係與上述化 合物（A1 )的情形相同。 化合物（A1)、化合物（A2)均爲線狀構造之有機 聚矽氧烷或水解性矽烷化合物之水解縮合物爲佳。 線狀構造之有機聚矽氧烷較佳爲具有下述式（al)表 示之有機矽氧烷單位的化合物。下述式（al)中，η爲1 以上之整數的化合物（但是Wi爲Q1時，η可爲〇)相當 於化合物（Α1) ，11爲〇的化合物（但是W1不爲Q1)相 當於化合物（Α2)。下述式（al)之m、n、k係表示表 示各有機矽氧烷單位的數，不表示各有機矽氧烷單位形成 嵌段者°有機聚矽氧烷係表示通常各有機矽氧烷單位之無 規共聚物。 -12- 200915004 [化1] W (CHgJjSIO—· H I —Si—ΟΙ » · Q1 1 —SI—0— •鲁 _ _ R1 1 —SI—0- | -· —SKCHAW1 (a1) ch3 m 1 ch3 η ch3 k 但是 Q1係光硬化性有機基。 R1係光硬化性有機基以外之有機基。 W1係氫原子、Q1、或R1。 m、n、k係0以上之整數。但是W1不爲氫原子時，m 係1以上之整數。 上述式（al)中，W1爲氫原子時，m可爲0，但是 W1爲氫原子時，較佳爲！!！係1以上之整數。R1較佳爲烴 基或含氟有機基，較佳爲甲基或含氟有機基。R1有多個時 (k爲2以上及/或W1爲R1時）、多個的R1可不相同。 式（al)表示之化合物中，具有Q1之化合物（η爲1 以上的化合物、η爲0，且至少一個W1爲Q1的化合物） 爲化合物（Α1)，不具有Q1之化合物爲化合物（Α2)。让 爲1以上之數時，R1爲烴基時，這些化合物容易溶解於烴 系之溶劑。R1爲含氟有機基時，使含有這些化合物之組成 物硬化的撥水性硬化膜除撥水性以外，尙具有撥油性。 Q1具有（甲基）丙烯醯基之有機基時，較佳爲Q11· Υ1-表示之基。但是Q11係表示（甲基）丙烯醯氧基。Υ1 係表不-(CH2) 3-、-(CH2) 4-、-(CH2) 5-、或 -(CH2 ) 6·，較佳爲-(CH2 ) 3-。Q1之具體例有 CH2 = CHCOO(CH2) 3- ' CH2 = C ( CH3 ) COO ( CH2 ) 3-。 -13- 200915004 Q1具有1,2-環氧基之有機基時，較佳爲以qU-y、表 示之基。但是Q12係表示縮水甘油基，Y1係表示上述之聚 伸甲基。較佳爲3 -縮水甘油氧基丙基。 Q1爲不飽和烴基時，較佳爲乙烯基或烯丙基，特佳爲 乙烯基。 R1爲烴基時，較佳爲碳數4以下之烷基，特佳爲甲基 。R1爲含氟有機基時，較佳爲以Rn-Z1-表示之基。但是 Rn係表示可含有碳數1以上之醚性氧原子之氟烷基，Z1 係表示不含氟原子之2價連結基。

Rfl基較佳爲可含有碳數1〜12之醚性氧原子之氟烷 基，更佳爲可含有碳數1〜12之醚性氧原子之全氟烷基， 特佳爲可含有碳數3〜12之醚性氧原子之全氟烷基。

Rfl基之結構例如有直鏈結構、分支結構、環結構、 或部分具有環的結構，較佳爲直鏈結構。

Rfl基之具體例有以下之基。 F ( CF2 ) 4- ' F ( CF2 ) 6- ' F ( CF2 ) 8- ' Η ( CF2 ) 4-、H ( CF2 ) 6- ' H ( CF2 ) 8-。 CF3CF2OCF2CF2OCF2-、CF3CF2OCF2CF2OCF2CF2-、 CF3CF2OCF2CF2OCF2CF2OCF2CF2〇CF2-、 CF3CF2OCF2CF2OCF2CF2OCF2CF2OCF2CF2-。 cf3cf2cf2ocf2-、cf3cf2cf2ocf2cf2-、 CF3CF2CF2OCF ( CF3 ) -、CF3CF2CF2OCF ( cf3 ) cf2-、 CF3CF2CF2OCF ( CF3 ) CF2OCF2CF2-、CF3CF2CF2OCF ( CF3 ) CF2OCF ( CF3 ) - ' CF3CF2CF2OCF ( cf3 ) CF2OCF ( -14- 200915004 cf3 ) cf2-。 z1 較佳爲以-(CH2 ) g- ' -SO2NR3- ( CH2 ) g-、 -(C = 0 ) -NR3- ( CH2 ) g-表示之基。但是g係表歹 之數，R3係表示氫原子、甲基、或乙基i Z1特佳爲 -((：112)2-。該基21之朝向係指右側鍵結3丨，左 Rfl。 W1較佳爲氫原子或甲基。 具有光硬化性有機基Q 1之有機矽氧烷單位可 中任一位置，但是存在於聚矽氧烷骨架（主鏈）之 佳。因爲存在於分子之末端時，反應性較高的緣故 本發明之化合物（A 1 )、化合物（A2 )可使 述式（a 1 )表示之直鏈結構之市販的化合物。化合 )之市販的化合物例如有以下所例示。 信越化學工業社製KF-99 (前述式（al )中， 上之數' n = 〇、k = 0、WLCHs之化合物）、

Gelest 社製 HMS-301 (前述式（al)中，m = l 數' n = 0、k=l以上之數、Ι^ = (：Η3 ' \^=(：Η3之化合

Gelest 社製 DMS-H21 (上述式（al )中，m = 、k=l以上、RkCHs、W〗=H之化合物）。 化合物（A1 )、化合物（A2 )爲水解性矽烷 之水解縮合物時，可藉由水解性矽烷化合物之水解 製造。水解性矽烷化合物使用具有與矽原子鍵結之 的水解性矽烷化合物、具有光硬化性有機基之水解 化合物、具有光硬化性有機基以外之有機基的水解 側鍵結 在分子 末端爲 〇 用以前 物（A1 m=l以 以上之 物）、 :0、η = 0 化合物 縮合來 氫原子 性矽烷 性矽烷 -15- 200915004 化合物等’適當組合這些水解性矽烷化合物，使共水解縮 合可製造化合物（A1 )、化合物（a 2 )。水解性矽烷化 合物較佳爲使用主要爲2官能之（即具有2個水解性基） 水解性矽烷化合物或3官能之（即具有3個水解性基）水 解性矽院化合物。有時這些可與1官能之水解性矽院化合 物或4官能之水解性矽烷化合物倂用。1官能之水解性矽 烷化合物係成爲末端有機矽氧烷單位之化合物，具有分子 量調節劑的功能。 與矽原子鍵結之水解性基係與水反應可成爲羥基的基 ’例如有氯原子等之鹵原子、具有羥基之化合物中除去羥 基之氫原子的基（院氧基等）、醜基、異氰酸醋基、由胺 類中去除胺基之氫原子的基等。水解性基較佳爲碳數4以 下之院氧基，特佳爲甲氧基或乙氧基。水解性基與水反應 成爲羥基後’羥基彼此進行脫水縮合產生矽氧烷鍵。 化合物（A1 )、化合物（A2 )可由3官能之水解性 矽烷化合物與1官能之水解性矽烷化合物製造。使用3官 能之水解性矽烷化合物時，產生交聯後之有機聚矽氧烷， 有時溶劑溶解性可能會降低，但是藉由倂用1官能之水解 性矽烷化合物，可壓低生成之有機聚矽氧烷之分子量，可 得溶劑可溶性的生成物。此生成物係具有交聯結構或分支 結構之有機聚矽氧烷，具有未反應之矽烷醇基（與矽原子 鍵結之羥基）。即使這種化合物（A 1 )、化合物（A2 ) ，具有與矽原子鍵結之氫原子者時，即使硬化後也可溶於 鹼水溶液。化合物（A1)、化合物（A2)也可由3官能 -16- 200915004 之水解性矽烷化合物、2官能之水解性矽烷化合物 能之水解性矽烷化合物來製造。 具有與矽原子鍵結之氫原子水解性矽烷化合衫 以下述式（a2-l )表示之化合物[以下稱爲化合物 ，以下相同]。具有光硬化性有機基之水解性矽娱 較佳爲以下述式（a2-2)表示之化合物。具有光瑪 機基以外之有機基的水解性矽烷化合物較佳爲T a2-3 )表示之化合物。1官能性之水解性矽烷化名 爲以下述式（a2-4)或下述式（a2-5)表示之化名 述化合物（a2-5)經水解成爲2個之1價有機矽壽 [化2] f· H-SIX㈣ 〇1b—SIX(4+<) R1d—SIX ㈣ (a2-1) (a2-2) (a2-3) R1 I1 | W1—SIX I w1—SI—0—s卜 w1 I I R1 R1 R1 (a2-4) (a2-5) 上述各式中’ X係表示水解性基，Q 1係光硬4 基，R1係光硬化性有機基以外之有機基，W1係盡 Q1或R1。a係表不〇或1’ b係表示1或2，c係| 1 (但是b+c係1或2) ’ d係表示〇、1或2。 上述化合物（a2 — 1 )〜（a2 - 5 )之Q1、R1 説明或具體例係如前述，較佳者也如前述。a較佳 及1官 J較佳爲 (a2-l ) :化合物 ΐ化性有 述式（ 「物較佳 Γ物。下 ί烷單位 :性有機 ,原子、 :示0或 、wi之 爲0，b -17- 200915004 較佳爲l’c較佳爲O’d較佳爲1或2。（1爲2時， 1個爲含氟有機基，另外之R1係烷基較佳。 藉由上述水解性矽烷化合物之水解縮合生成下述式（ a2)表示之有機聚矽氧烷。但是下述式（a2)係假設水解 性基全部水解縮合生成時所表示的化學式，實際爲水解性 基或矽烷醇基殘留之部分水解縮合生成物。 [化3]

1* R1 Η_8ΙΟ(3-β)/2 Q、一SIO(地柳 • R'-SiO"仰2 « 1 W1—Si01/2 (a2) • - - Ρ • r L ^ J 上述式中，P係表示1以上之整數，q係0以上之整 數，r係0以上之整數，s係〇以上之整數。化合物（a i )係具有Q1之化合物，化合物（A2 )係不含有Q1之化合 物。 化合物（a2-l )之具體例較佳爲以下之例。 HSi ( OCH3 ) 3、 HSi ( OCH2CH3 ) 3。 化合物（a2-2 )之具體例較佳爲以下之例。 CH2 = C ( CH3) COO ( CH2) 3Si ( OCH3) 3、 ch2 = c ( ch3) COO ( CH2) 3Si ( OCH2CH3) 3 ' CH2 = CHCOO ( CH2 ) 3S1 ( OCH3 ) 3、 CH2 = CHCOO ( CH2) 3S1 ( OCH2CH3) 3、 [CH2 = C ( CH3) COO ( CH2 ) 3]CH3Si ( 〇CH3 ) 2、 [C H 2 = c ( C H 3 ) COO ( CH2 ) 3]CH3Si ( OCH2CH3) 2。 化合物（a2-3 )之具體例較佳爲以下之例。 -18- 200915004 F ( CF2 ) 4CH2CH2Si ( OCH3 ) 3 ' F ( CF2 ) 6CH2CH2Si ( OCH3 ) 3 ' F ( CF2) 8CH2CH2Si ( OCH3 ) 3 ' H ( CF2) 4CH2CH2Si ( OCH3 ) 3 ' H ( CF2 ) 6CH2CH2Si ( OCH3 ) 3 ' H ( CF2 ) 8CH2CH2Si ( OCH3 ) 3、 CF3CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2CH2CH2Si(OCH3)3、

Si ( OCH3 ) 4 ' Si ( OCH2CH3 ) 4、 CH3 Si ( OCH3 ) 3 ' CH3Si ( OCH2CH3 ) 3、 CH3CH2Si ( OCH3 ) 3、CH3CH2Si ( OCH2CH3 ) 3、 (CH3 ) 2S1 ( OCH3 ) 2、( CH3 ) 2Si ( OCH2CH3 ) 2。 化合物（a2-4 )之具體例較佳爲以下之例。 Η ( CH3 ) 2Si ( OCH3 )、 (CH3 ) 3S1 ( OCH3 )、 ch2 = c ( ch3) COO ( CH2) 3 ( CH3) 2S1 ( OCH3 )、 F ( CF2 ) 6CH2CH2 ( CH3 ) 2S1 ( OCH3 )。 化合物（a2-5 )之具體例較佳爲以下之例。 H ( CH3 ) 2SiOSi ( CH3 ) 3H、 (CH3 ) 3SiOSi ( CH3 ) 3 。 以化合物（a2_ 1 )爲必須成分，藉由水解、縮合，在 式（a2 )中，p成爲1以上之數。關於化合物（a2-2 )、 化合物（a 2 - 3 )、化合物（a 2 - 4 )或化合物（a 2 - 5 )也相 同。 化合物（a2-4 )或化合物（a2-5 )爲成分，藉由水解 -19- 200915004 、縮合可調整化合物（a2)之分子量。 也可使用符合化合物（a2-1 )之2種以上之化合物。 關於化合物（a2-2 )、化合物（a2-3 )、化合物（a2-4 ) 或化合物（a2-5 )也相同。 水解、縮合之反應時，較佳爲以鹽酸、硫酸、硝酸等 之無機酸作爲觸媒使用。反應用之溶劑較佳爲組合溶解觸 媒之水溶性溶劑與溶解生成物之溶劑，而水溶性溶劑與溶 解生成物之溶劑相互混和較佳。例如異丙醇與己烷、異丙 醇與二氯五氟丙烷（.旭硝子社製AK-22 5 ; CF3CF2CHC12 與CC1F2CF2CHC1F之混合物）。反應較佳爲在室溫至溶 劑之沸點爲止的溫度下進行。 本發明之化合物（A1)、化合物（A2)各自可以單 一之化合物所構成，通常可作爲以聚合度等不同之多種化 合物所構成之混合物使用。此混合物中可共同存在上述一 般式之m、n、k、p、q、r、s中至少一個之値不在上述範 圍内者。但是混合物整體之平均値之m、n、k、p、q、r 、s之値各自在上述範圍内者較佳。這些之數係成爲前述 有機聚矽氧烷之重量平均分子量之較佳範圍的數。 <硬化性組成物> 本發明之硬化性組成物係以硬化性成分之前述化合物 (A1 )爲必須的組成物、或以前述化合物（a 2 )與化合 物（B )爲必須的組成物。化合物（B )可爲化合物（A1 )[換言之，硬化性組成物可爲含有前述化合物（A 1 )與 -20- 200915004 前述化合物（A2 )的組成物]。但是以下說明中，未 提及時，化合物（B )係前述化合物（A 1 )以外之化 。本發明之硬化性組成物可爲含有此化合物（B )與 化合物（A 1 )的組成物。此硬化性組成物可以光硬化 硬化，形成硬化物。 化合物（B )係具有光硬化性基之化合物。 化合物（B)可爲有機聚矽氧烷。換言之，可爲 與矽原子鍵結之氫原子，含有光硬化性有機基之有機 氧烷。這種有機聚矽氧烷例如有前述式（al)表示， 爲〇(但是W1非氫原子）有機聚矽氧烷、前述化合 a2_2)或前述化合物（a2-2)與前述化合物（a2-3) 述化合物（a2-4 )或前述化合物（a2-5 )(但是這些；^ 非氫原子）共同共水解縮合所得之有機聚矽氧烷等。 化合物（B )可爲有機聚矽氧烷以外之化合物。 可使用（甲基）丙烯酸酯、聚環氧化物、聚乙烯基化 等之有機聚矽氧烷以外之化合物。前述化合物（A 1 ) 之化合物（B)較佳爲不具有矽原子之（甲基）丙烯 、聚縮水甘油基化合物、或非鍵結末端具有具不飽和 烯基的化合物（以下稱爲烯基化合物）。 上述（甲基）丙烯酸酯爲具有2個以上，較佳爲 以上之（甲基）丙烯醯氧基的（甲基）丙烯酸酯。1 中之（甲基）丙烯醯氧基之數無特別限定，但是8個 較佳。具體之（甲基）丙烯酸酯例如有以下之化合物 季戊四醇三（甲基）丙烯酸酯、季戊四醇四（甲 特別 合物 前述 產生 不含 聚矽 且 m 物（ 與前 :W1 例如 合物 以外 酸酯 基之 3個 分子 以下 〇 基） -21 - 200915004 丙烯酸酯、二季戊四醇五（甲基）丙烯酸酯、二季戊四醇 六（甲基）丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三（甲基）丙烯酸酯 、二三羥甲基丙烷四（甲基）丙烯酸酯。 聚縮水甘油基化合物較佳爲具有2個以上之縮水甘油 基之脂肪族或脂環族的化合物。1分子中之縮水甘油基之 數較佳爲2〜8 ’特佳爲3〜6。例如較佳爲脂肪族之聚縮 水甘油基醚或聚縮水甘油基酯等，特佳爲聚縮水甘油醚。 具體例有三羥甲基丙烷之三縮水甘油醚、甘油之三縮水甘 油醚、季戊四醇之三縮水甘油醚或四縮水甘油醚等。 烯基化合物較佳爲碳數6以上之α-烯烴、具有前述含 氟有機基與烯基之化合物、具有與矽原子鍵結之烯基之（ 且不具有與矽原子鍵結之氫原子）有機聚矽氧烷。烯基可 鍵結於分子末端之矽原子或可鍵結於非末端位置之矽原子 。與矽原子鍵結之烯基較佳爲乙烯基或烯丙基，特佳爲乙 烯基。α-烯烴較佳爲碳數6〜20之α-烯烴。具有前述含氟 有機基與烯基之化合物較佳爲下述式（a3-l)表示之化合 物。烯基鍵結於非末端位置之矽原子的有機聚矽氧烷較佳 爲下述式（a3-2 )表示之化合物。烯基鍵結於分子末端之 矽原子之有機聚矽氧烷較佳爲下述式（a3-3)表示之化合 物。 -22- 200915004 [化4] R^-Z^H-CHa (a3-1)

ch«ch2 R1 (CH3)3SiO- ·- -Si—0一 1 | —SI—Οι ---Si(CH3)3 (a3-2) ch3 t CHa II

(CHa-CH)(CH3)2SIO

* —SI(CH3)2(CH-CH2) (a3-3) 上述式（a3-l)〜（a3-3)中，Rn、Z1、R】係表示前 述之基，t、u、v係分別表示1以上之整數。上述式（a3-1)中’ Rfl較佳爲可含有碳數3〜12之醚性氧原子之全氟 院基 ’ Z1 較佳爲-(CH2) g-。上述式（a3-2) 、（a3-3) 中，R1較佳爲甲基。 化合物（B )對於化合物（A2 ) 1 〇〇質量份，較佳爲 使用0.1〜100質量份，特佳爲使用5〜50質量份。化合 物（B)之量未達0.1質量份時，光硬化性可能會降低。 化合物（B )之量超過1 00質量份時，撥水性可能會降低 。化合物（B)爲化合物（A1)時，對化合物（A2)之使 用量之上限無特別限定。 本發明之硬化性組成物較佳爲含有光硬化促進化合物 (C )。光硬化促進化合物（C )可依化合物（A1 )或化 合物（B)之光硬化性基的種類來適當選擇。光硬化性基 爲（甲基）丙烯醯基時，較佳爲藉由光產生自由基之自由 基產生劑（光自由基聚合引發劑）。光自由基聚合引發劑 係吸收光，產生自由基，使（甲基）丙烯醯基之光聚合反 -23- 200915004 應開始。光自由基聚合引發劑可單獨或混合二種以上來使 用。光自由基聚合引發劑之量係對於化合物（A 1 )、化合 物（A2 )及化合物（B )之總量’較佳爲0.1〜50質量％ ，更佳爲1〜〗〇質量％。 具體的光自由基聚合引發劑例如有下述化合物。2-羥 基-2 -甲基-1-苯基丙院-1-酮（merck社製、Dalocure 1173 )、1-經基環己基苯基酮（CIBA-GEIGY Limited製、 IRGACURE1 84 ) 、1 - ( 4 ·異丙基苯基）-2 -羥基-2 -甲基丙 烷-卜酮（merck社製、Dalocure 1116)、苄基二甲基縮酮 (CIBA-GEIGY Limited 製、IRGACURE65 1 ) 、2-甲基-1- [4-(甲硫基）苯基]-2-嗎啉基丙烷-1-酮（CIBA-GEIGY Limited 製、IRGACURE 907) 、2-苄基-2-二甲基胺基-1-( 4-嗎淋基苯基）-丁嗣-1 (CIBA-GEIGY Limited 製、 IRGACURE3 69 ) 、2，4 -二乙基唾噸酮（日本化藥社製、 KAYACURE DETX)。 光硬化性基爲1 ,2-環氧基時，光硬化促進化合物（C )較佳爲藉由光產生陽離子之陽離子產生劑（光陽離子聚 合引發劑）。光陽離子聚合引發劑係吸收光，產生陽離子 ’使1，2-環氧基之光聚合反應開始。爲了促進光硬化性， 較佳爲倂用光陽離子聚合引發劑與增感劑。這些可單獨或 倂用二種以上。這些光陽離子聚合引發劑與增感劑之合計 量係對於化合物（A 1 )、化合物（A 2 )及化合物（B )之 總量’較佳爲0 _ 1〜5 0質量％，更佳爲1〜1 〇質量％。 光陽離子聚合引發劑例如有鎗鹽型光陽離子聚合引發 -24- 200915004 劑爲代表，有二苯基碘鎗六氟磷酸鹽或三苯毓六氟憐酸鹽 等。具體而言，例如較佳爲[CH3-ph-I + -ph-CH-(CH3)2][PF6·](但是ph係表示1,4-伸苯基），例如有 [CH3-ph-I + -ph-CH- ( CH3) 2][PF6·](但是 ph 係表示 1,4-伸苯基）與丙烯碳酸醋之3: 1之混合物（CIBA-GEIGY Limited製、IRGACURE250 )。增感劑有噻噸酮系增感劑 等。具體而言，例如較佳爲2,4·二乙基噻噸酮（日本化藥 社製、KAYACURE DETX)。 光硬化性基爲烯基時，光硬化促進化合物（C )較佳 爲白金系觸媒。白金系觸媒係促進烯基與矽原子鍵結之氫 原子之反應（氫化矽烷基化反應）的觸媒。白金系觸媒較 佳爲含有白金之金屬錯合物，更佳爲含有白金（II)之金 屬錯合物。白金系觸媒之量係對與矽原子鍵結之氫原子之 莫耳比較佳爲10·1〜10_6，較佳爲使用當含有硬化性組成 物與溶劑之溶液時之溶液中之濃度成爲 0.1 ppm〜 1 〇〇〇 Oppm的。具體的白金系觸媒例如有雙（乙醯基乙酮 )白金（Π)、二氯雙·（環己烯）-白金（II)二聚物、 二氯（1，5-環辛二烯）白金（II)、二氯雙（苯甲腈）白 金（II )等。 爲了形成撥水性硬化膜，而形成硬化性組成物之膜時 ’使用硬化性組成物之溶液形成該溶液之塗膜（濕潤膜） ’接著以蒸發等除去溶劑，形成含有硬化性組成物之塗膜 較佳。溶劑較佳爲例如有甲醇、乙醇、異丙醇等之醇類； 乙酸乙酯、乙酸丁酯等之酯類；己烷等之烴類；二氯五氟 -25- 200915004 丙烷（旭硝子社製ΑΚ-225 ; CF3CF2CHC12與 CC1F2CF2CHC1F 之混合物）、CF3CH2OCF2CHF2 (旭硝子 社製AE-3 000 )等之氟系溶劑。溶液中之固形分濃度較佳 爲0.01〜50質量％，更佳爲0.1〜10質量％。 <基材表面之撥水性區域> 使前述硬化性組成物硬化後之硬化物之表面呈現撥水 性’因此藉由形成薄膜狀之硬化物可得到表面爲撥水性之 硬化膜（即撥水性硬化膜）。以此撥水性硬化膜形成圖型 時’在基材上可形成撥水性區域（此撥水性硬化膜存在的 區域）之圖型。前述硬化性組成物因具有光硬化性，可以 微影法形成撥水性硬化膜之圖型。以印刷法形成硬化性組 成物之薄膜圖型後，該硬化性組成物經硬化也可形成撥水 性硬化膜之圖型。形成撥水性硬化膜後，以蝕刻等將膜部 分除去也可形成撥水性硬化膜之圖型。如此，形成撥水性 硬化膜之圖型的手段無限定，但是較佳爲如後述，以微影 法形成撥水性硬化膜之圖型。 基材表面上，由上述硬化物之表面所構成之撥水性區 域具有撥水性，該撥水性區域以外之表面（以下稱爲非撥 水性區域）具有更低的撥水性，該撥水性之差較大較佳。 本發明中，撥水性係指以對水之接觸角來表示之性質。非 撥水性區域只要是相對於撥水性區域具有較低之撥水性時 ’可爲撥水性或疏水性或親水性。撥水性區域之對水的接 觸角較佳爲70度以上，特佳爲8 5度以上。最佳之撥水性 -26- 200915004 區域之對水之接觸角爲1 00度以上。撥水性越高越佳，但 是通常其上限爲約150度。 非撥水性區域較佳爲對水之接觸角低於撥水性區域20 度以上，特佳爲對水之接觸角爲5 0度以下。撥水性區域 與非撥水性區域之對水之接觸角之差較佳爲4 0度以上， 更佳爲70度以上。此差越大，可得到對比越高的圖型。 非撥水性區域本身對水之接觸角較佳爲4 0度以下，特佳 爲20度以下。本發明中，撥水性係指對水之接觸角超過 6 〇度之表面的性質，疏水性係指對水之接觸角爲4 0度〜 6 〇度之表面的性質，親水性係指對水之接觸角未達4 0度 之表面的性質。本說明書之接觸角係指藉由實施例之靜滴 法所測定的値。 化合物（A1)、化合物（A2)或化合物（B)具有含 氟有機基時’撥水性區域對水之接觸角特別是設定爲8 5 度以上’可在撥水性區域發揮撥油性。具有撥油性之表面 可排斥親油性溶劑（烴系溶劑等），藉此形成功能性膜， 因使即使使用親油性溶劑作爲功能性材料之溶劑，也可防 止功能性材料附著於撥水性區域。而非撥水性區域即使對 於親油性溶劑也具有親和性。撥油性以對十六烷之接觸角 來表示時’化合物（A1)、化合物（A2)或化合物（B) 具有含氟有機基時之撥水性區域對十六烷之接觸角較佳爲 4〇度以上’特佳爲60度以上。非撥水性區域對十六烷之 接觸角較佳爲30度以下，特佳爲20度以下。 供給含有後述之功能性材料之液體時，撥水性區域與 -27- 200915004 非撥水性區域之接觸角之差越大越佳，橫跨撥水性 非撥水性區域之功能性材料之液體容易流入非撥水 ’使功能性材料之液體乾燥，所得之由功能性材料 構成之圖型可正確再現撥水性區域與非撥水性區域 型。 非撥水性區域之接觸角之絕對値越小越佳，功 料在非撥水性區域良好潤濕擴散，使功能性材料之 燥所得之功能性材料之膜所構成之圖型的膜厚能更i 撥水性區域之撥水性硬化膜之膜厚可依目適當 較佳爲0.1〜100nm。此膜厚未達O.lnm時，可能 揮充分的撥水性。形成功能性材料之膜所構成之圖 除去撥水性硬化膜時，從較容易除去的觀點，撥水 膜之膜厚越薄越佳。此時膜厚更佳爲0.1〜50nm， 0 _ 1 〜1 0nm。 非撥水性區域係通常形成功能性薄膜的表面， 材之表面。基材爲金屬氧化物等之金屬化合物或金 無機物所構成時，基材表面通常呈現親水性。基材 等之有機物所構成時，基材表面通常呈現疏水性。 非撥水性區域可成爲這些基材之表面。以薄膜等被 材料所構成之基體所成之基材可將該薄膜等之表面 與基體材料不同之非撥水性。基體係指具有薄膜之 薄膜以外的部分。 本發明之基材之材料較佳爲玻璃；矽（特別是 晶圓的材料）；Pd、Pt、Ru、Ag、Au、Ti、In、Cu 區域與 性區域 之膜所 與之圖 能性材 液體乾 与勻。 選擇， 無法發 型後， 性硬化 特佳爲 通常基 屬等之 爲塑膠 因此， 覆這些 調整成 基材之 構成矽 、Cr、 -28- 200915004

Fe、Zn、Sn、Ta、W、或Pb等之金屬或這些之合金；Pd〇 、Sn02 ' In203、PbO、或 Sb2〇3 等之金屬氧化物；HfB2、 ZrB2、LaB6、CeB6、ΥΒ4、或 GdB4 等之硼化物；TiC、 ZrC、HfC、TaC、SiC、或 WC 等之碳化物；TiN、ZrN、 或HfN等之氮化物；Si或Ge等構成半導體的材料；碳； 聚醯亞胺、聚苯乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、或聚四氟乙 烯等之樹脂：等之材料。更佳爲玻璃、構成矽晶圓的材料 、金屬氧化物或聚醯亞胺所構成之材料。這些材料係至少 構成基材之表面之材料爲佳，基材整體也可爲這些材料所 構成。 基材表面可爲蝕刻、硏磨、表面氧化' 表面光照射等 之表面處理所形成的材料。這些表面處理大多可使基材表 面形成親水化。基材表面被污染或被雜質污染時，洗淨後 使用較佳。上述表面處理有時對於此洗淨也有效。基材可 爲表面具有薄膜的基材。如前述之材料所構成之基體的表 面形成如前述之材料或其以外之材料所構成之薄膜者可作 爲基材使用。此薄膜較佳爲具有前述非撥水性區域之表面 特性的薄膜。特佳爲親水性化合物（親水性聚合物等）所 構成之薄膜或以親水化處理化合物（親水化處理用之水解 性矽烷等）處理形成之薄膜。 可採用在基材表面形成含有親水性化合物之硬化性組 成物之塗膜，藉由靜置將親水性化合物移至基材側的方法 ，取代使用預先將表面親水化的基材。親水性化合物係高 表面能之材料，因此具有配向於基材側，前述化合物（A 1 -29- 200915004 )或前述化合物（A 2 )等之顯示撥水性之化合物係低表面 能之材料’因此具有配向於氣相界面的性質。利用此性質 ’在硬化性組成物之塗膜中’可形成親水性化合物被配置 於基材表面的雙層構造。親水性化合物爲水解性矽烷化合 物等時’與基材表面反應，基材表面被親水化。 基材之形狀無特別限定’具有形成圖型之表面爲平面 '曲面、或部分具有曲面之平面的基材較佳，具有形成圖 型之表面爲平面形狀的基材較佳。特佳爲薄片狀或薄膜狀 之基材。薄片狀或薄膜狀之基材較佳爲在基材之單面形成 圖型。基材之面積也無特別限定，可採用具有可適用於以 往塗佈方法之大小之面的基材。基體之形狀係與這些基材 之形狀相同較佳。 本發明之在基材表面具有撥水性區域之圖型的處理基 材的圖型形狀無特別限定。圖型係在撥水性區域與非撥水 性區域形成，假如以非撥水性區域爲地，撥水性區域爲圖 (被描繪於地上者）時，圖係由點或線所構成。此點之面 積或形狀、線之寬或長不限定。本發明可形成微細圖型， 例如以線構成之圖型，可形成線寬爲1 Ομιη以下的圖型。 <基材之洗淨、親水化基材> 如前述，處理基材之製造時，預先將基材表面洗淨爲 佳。也可將基材表面進行親水化處理，較佳爲使用表面具 有親水性薄膜的基材。這些表面之處理可使用共通的方法 ，有時很難區別該處理爲這些處理中任一種。以下這些全 -30- 200915004 部當作基材之親水化處理，說明如下。 基材之親水化處理方法可使用將塑膠、金屬'玻璃、 陶瓷等之表面親水化處理之一般的方法。該方法例如有基 材表面進行濕式洗淨的方法、基材表面進行濕式氧化的方 法、基材表面進行光洗淨或光氧化的方法、基材表面塗佈 親水性化合物的方法、或組合這些方法的方法。基材之材 質爲親水性時，可直接使用，但是這種基材通常容易髒。 因此，使用基材前藉由濕式洗淨、光洗淨、或這些之組合 進行親水化處理爲佳。基材表面之材質爲疎水性，有時必 須進行親水性化，基材表面較佳爲藉由濕式氧化、光氧化 、或塗佈親水性化合物進行親水化處理較佳。 基材之濕式洗淨時，可使用水、水系洗淨劑、或非水 系洗淨劑（有機溶劑、氟系溶劑等）。特別是基材使用水 或含界面活性劑之水系洗淨劑洗淨後，使用異丙醇或乙醇 等之低沸點的有機溶劑，將表面之雜質或水分等除去、乾 燥的方法較佳。依據基材之種類或污染之種類•程度，可 追加步驟或減少步驟之一部份。有機系之污垢附著的基材 之濕式洗淨，首先爲了除去該污垢，可預先以二氯五氟丙 烷（旭硝子社製AK-225; CF3CF2CHC12與 CC1F2CF2CHC1F之混合物）等之氟系溶劑洗淨，接著以水 系洗淨劑或有機溶劑將基材浸漬洗淨爲佳。浸漬洗淨時， 可倂用超音波洗淨。對於玻璃可採用浸漬洗淨配合以含有 氧化铈系微粒子的硏磨劑硏磨洗淨，再以純水清洗、風乾 使用的方法取代浸漬洗淨。 -31 - 200915004 基材之濕式氧化係使用過氧化物等之氧化劑的水溶液 使表面氧化。氧化劑無特別限定，例如有硫酸、硝酸、過 氧化氫、過硫酸鉀、過硫酸銨、過錳酸鉀等。使基材濕式 氧化的方法只要是可將該水溶液塗佈於基材表面者時，即 無特別限定’可採用旋轉塗佈法、浸漬法、噴霧法、輥塗 佈法等。 將基材光洗淨或光氧化的方法有UV照射處理、 uv/o3處理（紫外光、臭氧、或兩者之組合之處理）、電 漿處理、電暈放電處理、火焰處理等，較佳爲uv/o3處理 〇 僅以濕式洗淨時，微小的有機物之污垢（例如中性洗 劑之界面活性劑之殘渣、潔淨室之浮游物等）容易殘留。 而上述之光洗淨無上述疑慮。因此，也可使用最先以濕式 洗淨除去比較大的污垢後，再以光洗淨進行洗淨的方法。 可用於基材表面之親水化處理的親水性化合物，例如 有聚（乙烯醇）、聚（乙烯基吡咯烷酮）、聚（乙二醇） 等之親水性聚合物；甘油、季戊四醇、山梨糖醇等之多元 醇等。與基材表面反應，在表面形成親水性殘基之親水化 處理化合物，例如有Si ( OCH3 ) 4、Si ( OCH2CH3 ) 4 ' HSi ( OCH2CH3 ) 3、NH2CH2CH2CH2Si ( OCH2CH3 ) 3、

Si ( NCO ) 4等具有親水性基之水解性矽烷化合物、或該 化合物之一部份或全部被水解之化合物、或該化合物之水 解縮合物。使用H-Si ( 〇CH2CH3 ) 3時，與表面反應後， 必須以0.1 mo 1/L程度之氫氧化鈉水溶液洗淨。 -32- 200915004 親水性化合物或親水化處理化合物係以溶解於溶劑的 溶液形態進行塗佈較佳。親水性聚合物或多元醇較佳爲溶 解於水中，矽烷化合物較佳爲溶解於異丙醇等之醇系溶劑 。溶液中之這些化合物的濃度較佳爲〇.〇1〜1〇質量％，更 佳爲〇_1〜1質量％。 塗佈於基材之這些溶液之塗佈方法無特別限定，可使 用旋轉塗佈法、浸漬法' 噴霧法、輥塗佈法、彎月面塗佈 法、網板印刷法等。塗佈後除去溶劑，可得到親水化後之 表面。 基材之表面以不同之材料形成時的親水化處理採用以 親水性化合物或親水化處理化合物進行親水化的方法時， 對於不同之材料之表面可賦予相同的親水性，因此較理想 <處理基材之製造方法> 本發明之處理基材之製造方法無特別限定，如前述較 佳爲以微影法製造。以下說明微影法之處理基材的製造方 法。此方法之基礎步驟（例如塗膜之形成步驟等）也可適 用微影法以外之方法的方法，以下說明不僅限於微影法。 微影法之製造法係以下順序含有：在基材之表面形成 含有硬化性組成物之塗膜的步驟（以下稱爲塗膜形成步驟 )、將光照射於該塗膜之表面之一部份，使被光照射之部 分之硬化性組成物硬化，形成撥水性硬化膜的步驟（以下 稱爲硬化步驟）及除去存在於基材表面之未硬化之硬化性 -33- 200915004 組成物的步驟（以下稱爲顯影步驟）。含有這些步驟之製 造法之1例使用圖1具體說明。 圖1 ( a )係表示基材之1例。此基材（0 )係由基體 (1 )與其單面所形成之親水性薄膜（2 )所構成。圖1 ( b )係表示經塗膜形成步驟，在此基材之表面形成前述硬化 性組成物之塗膜（3 )者。圖1 ( c )係表示硬化步驟。將 光（6 )介於光罩（5 )照射於前述硬化性組成物之塗膜， 透過光罩（5 )之光透過部分的光使硬化性組成物之塗膜 硬化。被光照射之塗膜部分硬化成爲撥水性硬化膜（4 ) ，未被光照射之部分實質上不會硬化。圖1 ( d )係表示經 過顯影步驟所得之處理基材（9 )。處理基材（9 )之表面 具有由撥水性硬化膜之表面所構成之撥水性區域（8 )與 基材表面之非撥水性區域（7 )所形成之圖型。 塗膜形成步驟係如前述，使用硬化性組成物之溶液， 在基材表面上塗佈該溶液，形成該溶液之塗膜（濕潤膜） 接著除去溶劑形成硬化性組成物之塗膜。基材表面上塗佈 硬化性組成物之溶液的方法可採用例如旋轉塗佈法、浸漬 法、線棒塗佈法、混合塗佈法、輥塗佈法等。塗佈係在室 溫下或加熱下進行較佳。溶劑之除去較佳爲藉由蒸發除去 溶劑（以下也稱爲乾燥），在大氣中或氮氣流中等進行較 佳。乾燥係在室溫進行較佳。乾燥在加熱下進行時，可依 基材之材質之耐熱性適當改變溫度及時間。 硬化步驟係將光照射於塗膜之表面之一部份。光照射 所用的光較佳爲波長200nm以上之光，更佳爲波長300nm •34- 200915004 以上之光。又’較佳爲波長380nm以下之光，更佳爲波長 3 65nm以下之光。波長200nm以上之光具有基材分解之疑 慮較少的優點。藉由波長3 8Onm以下之光照射，開始硬化 反應之光硬化促進化合物（C )較容易取得，光源也廉價 。照射時間係依據光之波長、光之強度•光源之種類、組 成物之種類等可適當改變。超高壓水銀燈時，在2〜100 mw/cm2狀態下照射5〜1 20秒即可。高壓水銀燈時，一般 照射時間可比超高壓水銀燈更短。 光源例如有低壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈 、氙燈、鈉燈、氮等之氣體雷射、有機色素溶液之液體雷 射、無機單結晶中含有稀土離子之固體雷射等。可得單色 光之雷射以外之光源可使用例如寬頻之線光譜、連續光譜 使用干涉過濾器、遮斷過濾器等之光學過濾器取出之特定 波長的光。因可一次較大面積照射，因此光源較佳爲高壓 水銀燈或超高壓水銀燈。 光之照射較佳爲藉由光罩進行光照射。藉由此方法可 僅在膜表面之所要區域產生硬化反應，可得到撥水性區域 與非撥水性區域形成所要之圖型的處理基材。 光照射之氣氛可任意選擇。形成使膜厚lOOnm以下之 硬化性組成物硬化的撥水性硬化膜時，有時會因氧阻礙硬 化，因此在氮氣體氣氛等惰性氣體氣氛下進行光照射較佳 。惰性氣體例如選自氮、氬、氦、二氧化碳等的氣體，氮 氣體較佳，因可廉價取得。 光照射只要是光照射用之光透過基材之波長的光時， -35- 200915004 從基材任一面側進行均可，通常由基材之含有組成物之膜 的面側進行光照射較佳。 使用介於光罩之光或雷射光進行光照射時，可得到撥 水性區域與非撥水性區域形成所要圖型所成的處理基材。 可形成撥水性區域或非撥水性區域之線寬爲1 0 μιη以下的 圖型。 本發明中，基材使用塑膠基板等之可撓性基板時，可 實施輥對輥法（Roll to Roll法）所設置之多數輕與多數 輥之間設置曝光機，對基板進行光照射，可以高產率得到 處理基材。 顯影步驟係除去存在於基材表面之未硬化的硬化性組 成物。藉由除去未硬化之硬化性組成物，使基材表面露出 。除去未硬化之硬化性組成物的方法係當前述化合物（A】 )、前述化合物（A2)、前述化合物（B)等爲低分子量 之化合物時’較佳爲吹送氮氣流除去的方法較佳。這些化 合物爲高分子量之化合物時，因容易蒸發，因此殘留未硬 化之硬化性組成物的表面以有機溶劑洗淨較佳。洗淨所用 之有機溶劑較佳爲溶解未硬化之硬化性組成物之各成分的 溶劑。該有機溶劑例如有甲醇、乙醇、異丙醇等之醇系溶 劑、乙酸乙酯 '乙酸丁酯等之酯系溶劑、己烷等之烴系溶 劑等。 <形成由功能性材料之膜所構成之圖型的構件> 本發明係形成由功能性材料之膜所構成之圖型之構件 -36- 200915004 (以下也稱爲功能膜形成構件）的製造方法。此製造方法 之特徵係含有：將含有功能性材料之液體供給上述本發明 之處理基材的表面，使撥水性區域以外之表面附著該液體 的步驟（以下稱爲功能性膜形成步驟1 )及由附著之該液 體中除去溶劑形成由功能性材料之膜所構成之圖型的步驟 (以下稱爲功能性膜形成步驟2)。功能性膜形成步驟2 之後追加除去撥水性硬化膜的步驟（以下稱爲硬化膜除去 步驟），也可製造除去前述撥水性硬化膜的構件。 使用圖2具體說明含有這些步驟之功能膜形成構件之 製造法之1例。 圖2(d)係表示與圖1(d)相同的處理基材。處理 基材（9)之表面具有由撥水性硬化膜之表面所構成之撥 水性區域（8 )與基材表面之非撥水性區域（7 )所形成的 圖型。圖2 ( e )係表示功能性膜形成步驟1。將含有功能 性材料的液體（U )由液供給裝置（1 〇 )供給處理基材之 表面’使液體（1 1 )附著於撥水性區域以外（非撥水性區 域（7))的表面。液體供給裝置（1〇)例如可使用噴墨 裝置等。液體（11)即使接觸撥水性區域（8)之表面也 可藉由撥水性區域表面之高撥水性（且高撥油性）排斥該 液體’因而液體（11)不會附著於撥水性區域（8)之表 面。圖2 ( f)係表示經過功能性膜形成步驟1的基材。液 體（1 1 )係塡滿非撥水性區域（7 )之表面，而不存在於 撥水性區域（8 )之表面。如圖所示，液體（η )即使高 於撥水性硬化膜之高度，也不會覆蓋撥水性區域（8 )之 -37- 200915004 表面。 圖2 ( g )係表示經過功能性膜形成步驟2所得之功能 膜形成構件（1 3 )。由含有功能性材料的液體（1 1 )中除 去溶劑，形成由功能性材料之膜（1 2 )與其以外之部分所 構成之圖型。圖2(h)係由圖2(g)所示之功能膜形成 構件（1 3 )經過硬化膜除去步驟所得之除去撥水性區域（ 8 )之撥水性硬化膜的功能膜形成構件（1 3 )。 功能性材料例如有形成金屬配線之金屬粒子分散膏、 形成彩色濾光片之色素材料、形成電子裝置•有機顯示器 的陶瓷材料、有機半導體材料等。 含有功能性材料之液體係指將功能性材料溶解或分散 於水、有機溶劑、這些之混合物等之溶劑的液體或液狀體 。本發明之處理基材之撥水性區域中，如前述，也顯示撥 油性時，上述有機溶溶劑也可使用極性較低之有機溶劑。 有機溶劑無特別限定，例如有甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等 之醇類；正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、癸烷、十二 烷、十四烷、十六烷、十八烷、環己烷、甲苯、二甲苯、 四氫化萘、十氫化萘等之烴類；乙二醇二甲醚、乙二醇 二乙醚、乙二醇甲基乙醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二 乙醚、四氫呋喃、二噁烷等之醚系化合物；丙烯碳酸酯、 γ-丁內酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲基甲醯胺、二甲基亞 碾、環己酮等之極性化合物。這中當中，較佳爲選擇溶解 性、分散性、安定性等較佳的溶劑。這些有機溶劑可單獨 或混合二種以上之混合物來使用。 -38- 200915004 功能性膜形成步驟1之液體的塗佈方法例如有旋轉塗 佈法、浸漬法、線棒塗佈法、刮刀塗佈法、輥塗佈法等之 塗佈方法、網版印刷、噴墨法等對特定區域之印刷方法。 這些中，從可選擇性塗佈於由撥水性區域與非撥水性區域 所構成之圖型上的非撥水性區域的觀點，較佳爲網版印刷 、噴墨法。 功能性膜形成步驟2之溶劑之除去係與前述相同，溶 劑之蒸發除去（也稱乾燥）較佳。乾燥係在大氣中或氮氣 流中等進行較佳。乾燥係在室溫進行較佳。乾燥在加熱下 進行時，可依基材之材質之耐熱性適當改變溫度及時間。 電子元件等中’除去撥水性硬化膜後之功能膜形成構 件是有用的。除去撥水性硬化膜係因該構件作爲電子元件 使用時’撥水性硬化膜可能會影響元件的作動的緣故。硬 化膜除去步驟中，撥水性硬化膜除去時，構件使用鹼性溶 液洗淨較佳。構件可浸漬於鹼性溶液中洗淨。鹼性溶液例 如有鹼金屬氫氧化物（氫氧化鈉、氫氧化鉀等）之水溶液 或甲醇溶液、四甲銨氫氧化物之水溶液或甲醇溶液。鹼金 屬氫氧化物或四甲銨氫氧化物溶液之濃度較佳爲0.05〜 1.0mol/L。洗淨或浸漬之溫度較佳爲在10〜50°C下0.5分 鐘〜1.0小時。 構件可藉由UV/03處理除去撥水性硬化膜。例如使用 UV/03 產生裝置 PL7-200 ( Cenegineering 社製），將構件 照射〗〜3分鐘。 撥水性硬化膜之除去時，從較容易除去的觀點，撥水 -39- 200915004 性硬化膜之膜厚越薄越佳。如前述’該膜厚較佳爲0.1〜 50nm，更佳爲 0.1 〜l〇nm。 【實施方式】 〔實施例〕 以下舉例（例1〜4、6 (實施例）、例5 (比較例） )具體說明本發明，但是本發明不受此限定。 (溶液（1 )之調製） 樣品瓶中採取異丙醇（2.5g)。添加分子之兩末端具 有三甲基矽烷基之甲基氫聚矽氧油（KF-99、信越化學工 業社製、相當於前述式（al )中，m=l以上之數、n = 〇、 k = 0、WkCHs之化合物、分子量 1400、化合物（A2)) 之10質量％異丙醇溶液（O.lg)。再添加二季戊四醇六丙 烯酸酯（相當於化合物（B ))之異丙醇1質量％溶液（ 〇.2g )、光自由基聚合引發劑：IRGACURE 907 ( CIBA· GEIGY Limited社製）之1質量％異丙醇溶液（0.06g)。 將樣品瓶數次搖晃使溶液混合得到硬化性組成物之溶液。 以下此溶液作爲溶液（1 )。 (溶液（2 )之調製） 樣品瓶中採取異丙醇（2.5g )。添加分子之兩末端具 有三甲基矽烷基之甲基氫聚矽氧油（KF-99、信越化學工 業社製、相當於前述化合物（A2 ))之1 0質量％異丙醇 -40- 200915004 溶液（o.lg)。再添加（ch2 = ch) ( CH3) 2SiO ·[ (CH3 ) 2SiO]n * Si ( CH3 ) 2 ( CH = CH2 ) ( DMS-V21、

Gelest社製、分子量6000、相當於化合物（B))之異丙 醇1質量％溶液（〇.2g )、雙（乙醯基乙酸）白金（II) (sigma-aldrich社製）之1質量％四氫呋喃溶液（0.07g) 。將樣品瓶數次搖晃使溶液混合得到硬化性組成物之溶液 。以下此溶液作爲溶液（2 )。 (溶液（3 )之調製） 樣品瓶中採取異丙醇（2.5g)。添加分子之兩末端具 有三甲基矽烷基之甲基氫聚矽氧油（KF-99、信越化學工 業社製、相當於前述化合物（A2 ))之1 0質量％異丙醇 溶液（O.lg)。再添加季戊四醇聚縮水甘油醚（EX-411、 長瀨Chemtex社製、相當於化合物（B))之異丙醇1質 量％溶液（〇.2g )、光陽離子聚合引發劑：IRGACURE 250 (CIBA-GEIGY Limited社製）之1質量％異丙醇溶液（ 0.06g )、增感劑·· DETX (日本化藥社製）之1質量％異 丙醇溶液（〇.〇3g )。將樣品瓶數次搖晃使溶液混合得到 硬化性組成物之溶液。以下此溶液作爲溶液（3 )。 (溶液（4 )之調製） 具備攪拌器之l〇〇ml的三口燒瓶中投入 HSi ( OC2H5 ) a ( 3.2g ) 、CH2 = C ( CH3 ) COO ( CH2 ) 3Si (OCH3)3(東京化成工業社製、〇.16g)、 •41 - 200915004 CF3 ( CF2 ) 5CH2CH2S1 ( 〇CH3 ) 3 ( TSL825 7、GE 東芝 silicone 社製、lg) 、H ( CH3 ) 2SiOSi ( CH3) 2H ( LS-7040、信越化學工業社製、4.3g )。接著添加己烷（28g )、異丙醇（12g)。 攪拌狀態下滴加1 .28%鹽酸水溶液1 .8g。滴加結束後 ，再攪拌1小時。然後除去溶劑得到液狀生成物（相當於 化合物（A 1 ))。所得之液狀生成物溶解於異丙醇中，製 作液狀生成物之1 0質量％異丙醇溶液。 除了使用上述液狀生成物之1 0質量％異丙醇溶液取代 溶液（1)之調製之甲基氫聚矽氧油之10質量％異丙醇溶 液外，以相同方法得到硬化性組成物之溶液。以下此溶液 爲溶液（4 )。 (溶液（5 )之調製） 除了使用二甲基聚矽氧油（KF-96-5 0cs、信越化學工 業社製、前述式（al )中，m = 0、n = 0 ' k=l以上之數' R】=CH3、W^CHs之化合物）取代溶液（1 )之調製中之分 子之兩末端具有三甲基矽烷基之甲基氫聚矽氧油外，其餘 相同得到硬化性組成物之溶液。以下此溶液爲溶液（5 ) [例1]處理基材1之製作 (基板之洗淨） 5cm四方之矽晶圓以甲醇洗淨後，再以uV/03洗淨。 -42- 200915004 (溶液之塗佈） 將製作之溶液（1 )旋轉塗佈（3 000rpm、20秒）於 矽晶圓。 (光照射） 對於製得之塗膜表面，由塗膜側介由具有開孔圖型（ 2.5 cm X 5 cm )之光罩，以超高壓水銀燈之紫外線（波長 300 〜450nm) 100mw/cm2 照身寸 30 秒。 (基材之洗淨） 將基材以異丙醇清洗後，以乙醇清洗，使用氮氣流乾 燥得到處理基材1。 [例2]處理基材2之製作 例1之處理基材之製作中，除了溶液（1)改爲溶液 (2 )，光照射之條件改爲lOOmw/cm2 ' 60秒外，其餘同 樣得到處理基材2。 [例3]處理基材3之製作 例1之處理基材之製作中，除了溶液（1)改爲溶液 (3 )，光照射之條件改爲l〇〇mW/Cm2、60秒外，其餘同 樣得到處理基材3。 -43- 200915004 [例4]處理基材4之製作 例1之處理基材之製作中，除了溶液（〗）改爲溶液 (4)外，其餘同樣得到處理基材4。 [例5]處理基材5之製作 例1之處理基材之製作中，除了溶液（1 )改爲溶液 (5 )外，其餘同樣得到處理基材5。 對於例1〜5所製作之處理基材進行以下之評價。 (膜厚之測定） 藉由 atomic force microscope (AFM)測定撥水性之 薄膜的膜厚。例1之處理基材爲8nm。 (接觸角之測定） 測定處理基材之表面對水的接觸角。對水之接觸角係 藉由靜滴法依據JIS R3 2 5 7「基板玻璃表面之潤濕性試験 方法」，將水滴載至於基材上之測定表面之3處，測定各 水滴。液滴係2μί/滴，測定係在2(TC下進行。接觸角係 以3測定値之平均値（n = 3 )表示。對十六烷之接觸角也 以相同方法測定。結果如表1所示。例1〜5中確認形成 具有親水性區域與撥水性區域之處理基材。 (撥水性之膜之除去） 將上述步驟所得之處理基材浸漬於〇.lmol/L之氫氧 -44- 200915004 化鈉水溶液中1分鐘後，使用蒸餾水清洗，以氮氣流在室 溫乾燥。測定基材之表面對水的接觸角。結果如表〗所示 。雖確認例1〜4中，可除去撥水性之膜，但是例5中， 未能除去撥水性之膜》 [表1〕 例 處理基材之接觸角(度） 撥水膜除去後之接觸角( 度） 7 C 十六烷 7 光照射部 遮光部 光照射部 遮光部 光照射部 遮光部 1 100 14 30 10 9 5 2 103 12 31 11 10 5 3 101 10 28 11 8 5 4 107 9 46 11 7 5 5 102 12 [例6]撥水親水圖型之形成後之處理基材之製作 除了光照射時，使用lOpinL/S之光罩外，與例1同樣 操作得到具有親水性區域與撥水性區域之圖型的處理基材 。基材表面藉由SEM觀察。相片如圖3 (左）所示。確認 形成寬ΙΟμιη之明暗圖型。 處理基材浸漬於〇.lmol/L之氫氧化鈉水溶液（25°C ) 中1分鐘後，使用蒸餾水清洗，以氮氣流在室溫乾燥。基 材表面藉由SEM觀察。相片如圖3 (右）所示。確認撥水 性之膜被除去，明暗圖型消失。 〔產業上之利用可能性〕 -45- 200915004 依據本發明時，不須使用大規模設備、真空裝置及光 源，可形成由撥水性區域與非撥水性區域所構成之微細撥 水-非撥水圖型。利用噴墨在該圖型面噴射含有功能性材 料之墨水時，僅在非撥水性區域保持含有功能性材料之墨 水，而撥水性區域未保持墨水，因此含有功能性材料之墨 水可將基材圖型化。本發明也可用於形成電子裝置之電路 。因此，本發明之功能性膜形成構件適用於噴墨方式之液 晶用彩色濾光片、有機EL顯示器、半導體裝置或電路之 配線圖型之製造等。 具有撥水-非撥水圖型之處理基材之非撥水性區域含 有具功能性材料之墨水，也可將功能性材料轉印至別的基 材上。 本發明之基材表面具有撥水-非撥水圖型之處理基材 也可用於醫療領域。例如製作具有毛細血管之血管部成爲 非撥水性區域（特別是親水性區域）之圖型的光罩，將毛 細血管之圖型轉印至基材。其上散佈血管皮細胞，僅在非 撥水性區域使細胞增殖，可使毛細血管之圖型再生。 本發明之基材表面具有撥水-非撥水圖型的處理基材 係利用存在於非撥水性區域（特別是親水性區域）之表面 的羥基等之反應性，使該非撥水性區域之表面與具有其他 性質之化合物反應，也可形成具有撥水性與其他性質的基 材。 在此引用2007年3月1日申請之日本專利申請2007· 05 1 623號之說明書、申請專利範圍、圖面及摘要之全内容 -46- 200915004 ，作爲本發明之說明書之揭示內容。 【圖式簡單說明】 〔圖1〕係表示本發明之處理基材之製造方法的剖面 模式圖。 〔圖2〕係表示本發明之構件之製造方法的剖面模式 圖。 〔圖3〕係表示實施例之形成撥水親水圖型的處理基 材及浸漬於氫氧化鈉水溶液後之處理基材的SEM相片（ 倍率3 0 0倍）。 【主要元件符號說明】 〇 :基材 1 :基體 2 :親水性薄膜 3 :硬化性組成物之塗膜 4 :撥水性硬化膜 5 :光罩 6 :光 7 :非撥水性區域 8 :撥水性區域 9:處理基材 I 〇 :液供給裝置 II :含有功能性材料的液體 -47- 200915004 1 2 :功能性材料之膜 1 3 :功能性膜形成構件 -48

Claims (1)

1. 200915004 十、申請專利範圍 1·—種處理基材，其係在基材表面具有撥水性區域 之圖型的處理基材，其特徵爲該撥水性區域係由含有下述 化合物（A1 )或下述化合物（A2 )與下述化合物（B )， 再任意含有光硬化促進化合物（C )之硬化性組成物硬化 而成的撥水性硬化膜所構成者， 化合物（A1):具有與矽原子鍵結之氫原子與光硬化 * 性基的有機聚矽氧烷， 化合物（A2):具有與矽原子鍵結之氫原子，不具有 光硬化性基的有機聚矽氧烷， 化合物（B ):具有光硬化性基的化合物。 2. 如申請專利範圍第1項之處理基材，其中光硬化 性基爲丙烯醯基或甲基丙烯醯基，光硬化促進化合物（C )爲藉由光產生自由基的自由基產生劑。 3. 如申請專利範圍第1項之處理基材，其中光硬化 ί 性基爲1,2·環氧基，光硬化促進化合物（C )爲藉由光產 生陽離子的陽離子產生劑。 4. 如申請專利範圍第1項之處理基材，其中光硬化 性基爲乙烯基，光硬化促進化合物（C)爲白金系觸媒。 5. 如申請專利範圍第1〜4項中任一項之處理基材， 其中撥水性區域以外之基材表面對水之接觸角爲5 0度以 下，撥水性區域對水之接觸角爲7〇度以上。 6. 如申請專利範圍第1〜5項中任一項之處理基材， 其中撥水性硬化膜之膜厚爲0.1〜]OOnm。 -49- 200915004 7. 如申請專利範圍第1〜6項中任一項之處理基材， 其中該化合物（A1 )或該化合物（A2 )中，相對於每1 個矽原子，與矽原子鍵結的平均氫原子數爲0.1〜1.0個。 8. —種表面具有撥水性區域之圖型之處理基材的製 造方法，其特徵係藉由依序含有： 基材表面形成含有下述硬化性組成物之塗膜的步驟， 光照射於該塗膜表面之一部份，使被光照射之部分的 硬化性組成物硬化，形成撥水性硬化膜的步驟及 除去存在於基材表面之未硬化之硬化性組成物之步驟 的方法，製造表面具有由撥水性硬化膜所構成之撥水性區 域之圖型的處理基材， 硬化性組成物：含有下述化合物（A 1 )或下述化合物 (A2)與下述化合物（B)，再任意含有光硬化促進化合 物（C)之硬化性組成物硬化的撥水性硬化膜所構成者， 化合物（A1):具有與砂原子鍵結之氫原子與光硬化 性基的有機聚矽氧烷， 化合物（A2):具有與矽原子鍵結之氫原子，不具有 光硬化性基的有機聚矽氧烷， 化合物（B ):具有光硬化性基的化合物。 9. 如申請專利範圍第8項之製造方法，其係照射具 有200nm以上之波長的光。 1 0· —種形成功能性膜之構件的製造方法，其特徵係 藉由含有： 將含有功能性材料與溶劑之液體供給申請專利範圍第 -50- 200915004 1〜7項中任一項之處理基材的表面，使該液體附著於處理 基材表面之撥水性區域以外之區域的步驟及由附著之該液 體除去溶劑，形成由功能性材料之膜所構成之圖型之步驟 的方法，在基材表面形成功能性膜的圖型。 1 1 · 一種形成功能性膜之構件的製造方法，其特徵係 藉由含有： 將含有功能性材料與溶劑之液體供給申請專利範圍第 1〜7項中任—項之處理基材的表面，使該液體附著於處理 基材表面之撥水性區域以外之區域的步驟及由附著之該液 體中除去溶劑，形成由功能性材料之膜所構成之圖型的步 驟及除去撥水性硬化膜之步驟的方法，在基材表面形成功 能性膜的圖型。 1 2 .如申請專利範圍第1 1項之形成功能性膜之構件的 製造方法，其係藉由使用鹼性溶液洗淨，除去撥水性硬化 膜。 -51 -