TW200911707A - Float glass making process and float glass making equipment - Google Patents

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200911707 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種浮式玻璃的製造方法及浮式玻璃的製 造設備。 【先前技術】 於浮式玻璃的製造方法中，首先，將熔融玻璃連續地供 給至收容有熔融金屬的浴槽的水平浴面而形成玻璃帶其 次將玻璃帶自熔融金屬浴槽出口撈起而拉出至熔融金屬： 槽外。利用將該玻璃帶自浴槽的出口撈起的延伸力而將該 玻璃帶形成為目標厚度。繼而’將玻璃帶藉由傳送輥(亦 稱為提昇輕）傳送而搬入至緩冷爐中，且一面於緩冷爐内 傳送該玻璃帶-面使之緩冷。其後，將玻璃帶切割成特定 的長度’藉此來製造板狀的浮式玻璃。 一上述浮式玻璃的製造方法（以下稱為浮式法）係 金屬的；ϋ 藉由溶

昇輕的外周面 而產生凹部或微細之瑕疵， 物’或者腐蝕提 故而有使破璃帶 I33202.doc 200911707 產生污垢或瑕疵之虞。 又，於浮式法I溶融金屬浴槽的溶融金屬容易附著於 位於比自炼融金屬浴面被榜起而與上述浴面分離的部分更 y游的冷槽壁上端部及其附近。繼而，該附著之熔融金屬 藉由再··人附著於玻璃帶的下表面而自熔融金屬浴槽帶出， 附著，提昇輥的外周面，從而與上述同樣地，生成成為凸 p之氧化物’或者腐蝕提昇輥的外周面而生成凹部或微細 的瑕疫’故而有使玻璃帶產生污垢或瑕疵之虞。 、 為了防止上述提昇輥的外周面上的氧化物 面的靠，先前，係如專利讀所記載，使用^ 來形成輥胴部之提昇輕。藉由利用石英來形成觀胴部，可 於某種程度上抑制熔融金屬或其氧化物的附著。 [專利文獻1]日本專利特開2〇〇6_371 68號公報 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 如上所述，使用輥胴部的表面由石英所構成之提昇輥， 可於某種程度上抑制熔融金屬或其氧化物的附著，然而卻 無法完全抑制。尤其是製造用於所謂平板顯示器的基板的 麵時’即使產生極其微小之污垢或瑕寐，亦會導致顯示 器的顯示;f良’纟而必須儘彳能地防止玻璃帶的污垢或瑕 庇的產生。 本發明係鑒於上述情況而研製者，其目的在於提供一種 可防止玻璃帶中產生污垢或瑕疵之浮式玻璃的製造方法及 浮式玻璃的製造設備。 133202.doc 200911707 [解決問題之技術手段] 為了達成上述目的，本發明採用以下之構成。 本發明之浮式玻璃的製造方法係，將溶融玻璃連續地供 給至收容有熔融金屬的熔融金屬浴槽的水平浴面而形成玻 璃帶，將上述玻璃帶自上述浴面榜起，藉由複數個傳送輕 傳送至緩冷爐中；該方法之特徵在於，於上述傳送報的表 面形成有碳膜的狀態下，形成上述玻璃帶、將其榜起 送。 吁 其_人’本發明t芋式玻璃的製造設備具備炫融金屬浴 槽、緩冷爐及傳送輥；該熔融金屬浴槽收容有熔融金屬， 且將溶融玻璃連續地供給至上述熔融金屬的水平浴面而形 成玻璃帶；該緩冷爐使上述玻璃帶緩冷；該傳送親將上述 玻璃帶自上述炫融金屬浴槽傳送至上述緩冷爐；該製造咬 備的特徵在於：於上述傳送報的表面形成有碳膜。又 [發明之效果] 根據本發明之浮式玻璃的製造方法，於傳送較的表面形 射有石厌膜’因此’可防止炫融金屬或其氧化物附著於傳送 A = ^可製成無污垢或瑕^玻璃帶。又，碳膜亦作 劑而發揮作用，因此，即使於傳送_破璃帶之間 ^度差而導致玻璃帶於傳送親的輥面上產生摩擦時， 玻:瑪τ上亦不可能產生瑕疵。 屬發明之浮式玻璃㈣造方法中，亦可於炫融金 θ /合槽壁上端部及其附近的表面形成碳臈，此時， 炼融金屬或其氧化物難以附著於浴槽壁上端部及其附近， 133202.doc 200911707 從而，熔融金屬或其氧化物不會自浴槽壁上端部及其附近 的表面附著於玻璃帶的下表面，藉此，可防止熔融金屬或 其氧化物再次附著於傳送輥上，故而可製造無污垢或瑕疵 的玻璃帶。 又，本發明之浮式玻璃的製造方法中，較好的是供給含 碳氣體並使之熱分解而形成碳膜，此時，即使於玻璃帶的 製造過程中碳膜發生損耗或分解之情形時，亦可重新形成 碳膜，藉此，可連續地製造無污垢或瑕疵之玻璃帶。 又，本發明t浮式玻璃@製造方法中，車交好的是選擇乙 炔作為含碳氣體，此時，可容易地形成緻密的碳膜，可防 止熔融金屬或其氧化物附著於傳送輥或浴槽壁上端部等， 故而可製造出無污垢或瑕疵的玻璃帶。 其次，根據本發明之浮式玻璃的製造設備，於傳送輥的 表面形成有碳a，因*匕，會防止熔融金屬5戈其氧化物附著 於傳送秦t故而可製造出無污垢或瑕疵的玻璃帶。又，碳 :亦作為潤滑劑而發揮作用，因&，即使於傳送輥與玻璃 帶之間產生速度差而導致玻璃帶㈣送輥的輥面上產生摩 擦時，玻璃帶上亦不可能產生瑕疵。 又，本發明之浮式玻璃的製造設備中，亦可於熔融金屬 浴槽的浴槽壁上端部及其附近的表面形成有碳膜，藉此， 可防止炫融金屬或其氧化物附料浴槽壁上端部等，從而 可防止㈣金屬或其氧化物再次附著於傳㈣，故而可製 造出無污垢或瑕疵的玻璃帶。 又’本發明之浮式玻璃的製造設備中，較好的是具備供 133202.doc 200911707 &炭氣體並使之熱分解而形成碳膜的碳膜形成裝置，從 而’可於傳送輥表面或浴槽壁上端部及其附近的表面容易 地形成碳膜。藉此，可防止炼融金屬或其氧化物附著於該 等部件而可製造出無污垢或瑕疲的玻璃帶。 又，本發明之浮式玻璃的製造設備中，沿著傳送輥的長 度方向而配置至少一個氣體供給喷嘴，藉此，可於傳送輥 的整個傳送輥表面上形成碳膜。 又，本發明之浮式玻璃的製造設備中’較好的是選擇乙 快作為含碳氣體’此時’可容易地形成緻密的碳膜，防止 熔融金屬或其氧化物附著於傳送輥或浴槽壁上端部等，故 而可製造無污垢或瑕疵的玻璃帶。 【實施方式】 以下’參照圖式說明本發明之實施形態。再者，以下說 明中所參照的圖式係用以說明本實施形態之浮式玻璃的製 造设備及浮式玻璃的製造方法者，所圖示之各部分的大 小 '厚度、尺寸等’有時與實際製造設備的尺寸關係不 同。 首先’說明本實施形態之浮式玻璃的製造設備（以下， 稱為製造設備）。圖1係表示本實施形態之浮式玻璃的製造 設備之剖面示意圖，圖2係表示圖1之浮式玻璃的製造設備 中所具備的碳膜形成裝置之立體示意圖。 圖1所示的製造設備大致包含金屬浴丨、金屬浴出口部2 及緩冷爐3 ’該金屬浴1設置於用於使玻璃原料熔解並且澄 清之熔解澄清槽（省略圖示）的後段，該金屬浴出口部2設置 133202.doc 200911707 於金屬浴1的後段，該緩冷爐3設置於金屬浴出口部2的後 段。 又，於緩冷爐3的後段，具備省略圖示的缺陷檢測器及 省略圖示的切割機，該缺陷檢測器用於檢查玻璃帶6的表 面’該切割機用以切割被冷卻的玻璃帶6。

如圖1所示，金屬浴丨包含裝滿熔融金屬u的熔融金屬浴 槽lc、以及設置於熔融金屬浴槽lc上部的上部構造體η， 且構成為使金屬浴1的内部儘可能地與外部氣體環境隔 絕。又，金屬浴出口部2大致包含具備提昇輥2&的下部套 管即渣箱2A、以及上部套管即密封閘2b。 於溶融金屬浴槽Μ ’裝滿由金屬錫等所構成之炫融金 屬U，且構成為自熔解澄清槽（省略圖示，以下相同）連續 地將熔融玻璃5供給至該熔融金屬u的浴面化上。又，上 部構造體㈣具備省略圖示的導管，自該導管供給包含氣 乳及氮氣之還原性混合氣體，從而，使金屬浴}内始㈣ 持為大氣壓以上之還原性氣體環境。藉此，可儘可能地使 得金屬浴1的内部與外部氣體環境隔絕。金屬浴内之還斤 氣體環境氣體係自玻璃帶6已拉出之金屬 ： 2A側流出。 u座相 … 備提昇輥2a(傳送輥），冓成為, 由提昇輥2a之牽引力而白卜、人π 马藉 的玻璃帶6。二： 屬浴槽1°拉出成形為板狀 耠汁輥2&大致包含由石英所开彡赤沾相 支持輥胴部的軸，且於仰 、Ά的輥胴部及 係藉由後述碳臈形成裝置，二輕面形成有碳膜。碳臈 ^置於破璃帶之形成、榜起或傳送 133202.doc 200911707 :釭二或：生產開始前或該等操作之間歇時間所形成 二該妷臈’使得熔融金屬以或其氧化物難以附著於 幵> ai。再者，對於提昇輕以之根數並無特別限制， 只要能將麵帶6傳送至緩冷爐，即可具備任意根。 “又’於各提昇輕2a之下部，為了隔斷炫融金屬浴槽⑽ j冷爐3之間的氣流，而配置有石墨製成的密封塊2卜各 密封塊21以其上表面與各提昇輥輥面相接觸之方式而 口又置於台座22之上〇 又，於金屬浴出口部2，設有省略圖示的加熱器，以能 夠調節玻璃帶6之溫度。進而，於提昇輥以之下方，設置 有供氮氣等惰性氣體喷出之省略圖示的配管。該惰性氣體 較好的是於預熱至4〇〇〜6〇η：後噴出。其目的在於防止玻 璃帶6因惰性氣體而局部冷卻。 於提昇辕2a之上方，設有鋼材製成的密封問。 又，於金屬洛出口部2之入口及出口、以及玻璃帶6與提昇 報々之接點的上方’分別配置有不鏽鋼製成的垂簾^。各 垂簾2C以自密封閘㈣下之狀態而設置於不會與玻璃帶6 ^觸的位置。藉由設置垂簾〜，可防止溶融金屬浴槽_ .力之降低、以及因氧氣滲入至熔融金屬浴槽1c内而引起 的炫融金屬13受污染。 、:、人於緩冷爐3内，具備有層間報（layer r〇11)3b ,且構 成為藉由層_3b而將自渣箱2A傳送的玻璃帶續送至緩 冷爐3内。 將於熔解瓜清槽熔融的熔融玻璃5，自熔解澄清槽連續 133202.doc 200911707 地供給至熔融金屬浴槽1(:的熔融金屬la的浴面讣上，且將 熔融玻璃5成形為具有預期的厚度及寬度之玻璃帶6之後， 藉由提昇親2a(傳送觀）之牽引力而自熔融金屬浴槽u的出 口拉出該破璃帶6。將玻璃帶6通過金屬浴出口部2而傳送 至緩冷爐3，於通過緩冷爐3内部時逐漸冷卻。 ，、人如圖2所示，於本實施形態之製造設備中，具備 用以於提昇親2a上形成碳膜之碳膜形成裝置丄丄。碳膜形成 裝置11係向提昇輥2a的輥面(表面)之周圍供給含碳氣體， 使含碳氣體熱分解而於親面形成碳膜者，其包含：氣體供 T部12(氣體供給機構）；至少—個氣體供給喷嘴，沿著提 昇親2a的長度方向，以與觀面對向之方式配置；以及至少 個導入。IU 3 ’與氣體供給部丨2連接而將含碳氣體導至氣 體供給喷嘴。當氣體供給喷嘴及導入部13有複數個之情形 時，各導入部U自氣體供給部12岔開而連接，且沿著與各 提昇輥以的旋轉軸平行的方向(長度方向)而延伸。再者， 氣體供給噴嘴只要具有能夠向提昇^的輥面周圍大致均 勻地供給含碳氣體的形狀即可，既可為長度與提昇輕^大 致相同的:體式喷嘴，亦可為沿著複數個提昇親面而配置 賀出口直徑為I mm〜30 mm的個別的噴嘴。 氣=::12係供給含碳氣體與惰性氣體的混合氣體 者^括含石反氣體源12a及惰性氣體供給源⑶。 碳氣體源12a供給的含碳氣體，較好的是例如烴，^ 別好的是乙块。又，作為自情性二中特 极盗麯 & L砠仏、·Ό源12b供給的惰 、乂好的是例如氮氣等。惰性氣體較好的是加熱至 I33202.doc 200911707 6〇〇°C左右。又，該混合氣體（以下，稱為導入氣體）中的含 碳氣體的濃度較好的是例如3〇體積％以下。進而，導入氣 體的溫度較好的是處於500t〜600°C的範圍内。若為6〇(rc 以下’則氣體供給部12及導入部13内部之含碳氣體不易分 . 解；若為5〇〇。(：以上，則使被塗佈的部件冷卻而對製造製 程造成影響的可能性將減少。 如圖3所示，導入部13包含具有中空部14a之圓筒狀的喷 嘴用外插管14(以下，稱為外插管14)、以及插入至外插管 14之中空部14a的複數個氣體供給用内插管15(以下，稱為 内插管15)。圖3中，具備有4根内插管15，各内插管15設 為各不相同的長度。X，各内插管15之一端⑸側與氣體 供給部12連接，於各内插管的另一端15b側開設有氣體供 、’、Q 15c又，於外插管14，沿著其長度方向而設有複數 個氣體供給喷嘴l4b。各氣體供給噴嘴14b設於與位於各内 插Z的另一端15b的氣體供給口 15c的位置相對應的部位。 藉由該構成，自氣體供給部12供給至導入部13的導入氣 體於構成導入部13的内插管15内流通後自氣體供給口 15c 出所排出之導入氣體分別主要通過位於附近之氣體供 - 給喷嘴⑽而向外部排出。再者，將外插管14的前端部… 者塞藉此形成導入氣體不會自前端部14c漏出之構成。 圖3中’用一點鏈線來標示導入氣體的流動。 圖4及圖5中，以刘；_ & 口 J面不思圖及自玻璃帶6的移動方向觀 察之示意圖來表示 — 。卩1 3的設置例。構成導入部13之外 插管14例如，如圖4所- ΰ 4所不’設置於提昇輥2a的下側、石墨 133202.doc 200911707 製成之密封塊21的内部。密封塊21如上所述，為了使溶融 金屬浴槽lc與緩冷爐3之間的氣流隔斷，係以與提昇親以 的輥面2b相接觸之方式而設置，但亦可如圖4所示，於兮 密封塊21之上表面21 a形成槽部21b，將成為導入部13的外 插管14插入至該槽部21b中而設置。又，設置外插管 時，使軋體供給噴嘴14b朝向輥面2b側而設置即可。進 而，為使密封塊21對氣流的隔斷功能有效發揮作用，以堵 塞密封塊21上所設的槽部21b之方式而配置提昇輥。即 可。以堵塞槽部21b之方式而配置提昇輥2a，並且將外插 管14設置於該槽部21b，藉此，自外插管14的氣體供給喷 嘴14b排出的導入氣體難以擴散至槽部21b的外部，設於密 封塊21上的槽部2lb作為含碳氣體的反應室而發揮作用。 又，如圖5所示’將導入部13設置於提昇輥2a上時，設 於外插管14上之氣體供給喷嘴14b以沿著提昇輥2&的旋轉 軸方向、以相等間隔排列之方式而配置即可。藉此，遍及 提昇輥2a的輥面2b的幾乎整個面上均等地供給有導入氣 體，因此碳膜的成長速度大致固定。再者，圖4及圖5中， 圖示了於提昇輥2a的輥面2b形成有碳膜3〇的狀態。 其次，於圖6中，以剖面示意圖之方式表示導入部^的 其他設置例。該其他設置例中，與前一例不同，於與密封 塊21稍分離的位置且係與報面2b對向的位置設置有導入部 13此時，於外插管14上安裝氣流控制板16即可。氣流控 制板16以夾著氣體供給噴嘴丨4b之方式而設置有一對，且 以向觀面2b側突出之方式而設置即可。藉由設置氣流控制 133202.doc •14· 200911707 板16，導入氣體將容易與輥面21?接觸，從而可減少導入氣 體自輥面2b與外插管14之間擴散而流出的量。又，根據本 例’密封塊2 1與輥面2b接觸，故而可進一步發揮隔斷氣流 之功能。 其次，圖7中’以剖面示意圖之方式表示導入部的其他 設置例。於該其他設置例中，與圖4所示之例相同，於密 封塊2 1的上表面21 a形成槽部21 c，將成為導入部13的外插 管14插入至該槽部21c ’但與圖4之不同點在於，將槽部 21c之形成位置設置於與輥面2b的接觸位置δ稍分離的位 置。更具體而言，設置於和密封塊2 1與輥面2b的接觸位置 S相離而偏向輥2a的旋轉方向的行進側之位置。又，於密 封塊21的端部形成有突出部21b，藉由該突出部21b，使輥 面2b與密封塊21之間隔變窄。藉此，自外插管14的氣體供 給喷嘴14b排出之導入氣體難以擴散至槽部21c的外部，設 於密封塊21的槽部21c作為含碳氣體的反應室而發揮作 用。又，根據本例，可使密封塊21進一步發揮隔斷氣流之 功能。 其次，對使用上述製造設備的浮式玻璃的製造方法進行 說明。 圖1中，將熔解澄清槽中所熔融的熔融玻璃5，自熔解澄 清槽連縯地供給至熔融金屬浴槽lc之熔融金屬la的浴面lb 上。將熔融玻璃5成形為具有預期的厚度及寬度的玻璃帶6 之後，藉由提昇輥2a的牽引力而自熔融金屬浴槽lc的出口 拉出，被拉出的玻璃帶6藉由提昇輥2a而在金屬浴出口部2 133202.doc 15 200911707 内傳送且被送入至緩冷爐3。送入至緩冷爐3的玻璃帶6於 通過緩冷爐3内部時緩緩冷卻。

於與該玻璃帶6之形成、撈起或傳送等一系列操作的同 時，或者於該等操作的間歇時間，自圖2所示的氣體供給 部丨2 ’將包括含碳氣體與惰性氣體的導入氣體供給至導入 邛13。供給至導入部13之導入氣體經由氣體供給用的内插 官15 ’自外插管14的各氣體供給噴嘴14b，向旋轉的提昇 輥2a的輥面2b排出。此時，導入氣體中所含之含碳氣體於 輥面2b熱分解，而於輥面2b形成緻密的碳膜3〇。又，供給 導入氣體時，使提昇輥2a旋轉，藉此可將碳膜以均勻的厚 度形成於輥面2b的整個面上，故而較好。 為了防止熔融金屬浴槽1(；中之熔融金屬la氧化，將浮式 玻璃的製造設備中所具備之提昇輥2a設置於含有氫氣的還 原氣體環境下4，提昇輥2a由於會與自溶融金屬浴槽^ 所撈起之玻璃帶6接觸，故而為了防止玻璃帶翹曲或破 裂，而將之配置於650。〇〜700。〇左右之高溫氣體環境中。 於上述具有還原性且高溫之氣體環境中，就能夠形成緻密 的碳膜30方面而言，較好的是使用乙炔作為含碳氣體。乙 快於輥表面2b上經還原分解而形成碳膜3〇。 又，^昇輥2a的親面2b較好的是，例如，由石英、以等 導入氣體中的含碳氣體、較好的是乙炔氣體的濃度，較 好的是40體積％以下，更好的是1()〜肩積％的範 漠度為40體積％以下，則可形成均㈣碳膜，而不易形: 133202.doc -16- 200911707 碳的凝聚體。又，若濃度為1〇〜2〇體積％的範圍内，則乙 炔的供給里將變侍充分’從而可進一步均勻地形成碳 30 ° 、又’作為導入氣體的供給量，結合輥的大小、輕的旋轉 速度、以及用以暴露的開口部面積而適當設定即可。 又’關於導入氣體之供給’亦可間隔固定的時間而間斷 地供給，但是為了確保碳膜3〇的均質性，較好的是連續不 ( 冑地供給。形成於親面沘上的碳臈由於處於還原氣體環境 中，故而通常不會氧化分解，但有時自緩冷爐3側會有微 置的氧氣混入至渣箱2A的内部，此時，由於微量的氧氣， 碳膜30將氧化分解，從而使得碳膜3〇的膜厚局部變薄，抑 或甚至碳膜3〇局部消失。又，由於玻璃帶6係-面與提昇 幸:2a之間發生稍許滑動__面被傳送，故而碳膜亦難以避免 .貝耗。因此，為了確保碳臈3〇的均質性，較好的是連續不 斷地供給原料氣體。 ， #者，對於碳膜3G的厚度並無特別限制，但較好的是 〇〜〜的範圍内。若碳膜3〇的厚度為〇〇1_以 上，則可確實地防止熔融金屬la或其氧化物的附著，故而 =子。又’若碳膜30的厚度為1〇 _以下，則碳膜3〇不可 :剝ί而附著於玻璃帶6上。又，即使萬-細的一部 者/玻璃帶6上之情形時’傳送玻璃帶6的後段的緩冷 境中的"Λ大氣/體環境中，故而碳膜30會因大氣氣體環 H而氧化’變為二氧化碳’而自玻璃帶6的表面 故而在破璃的品質上並不會有較大問題。碳㈣的 133202.doc 200911707 厚度更好的是處於0.1 pm〜1 μηι的範圍内。 如以上說明，根據上述浮式玻璃的製造方法，於提昇輥 2a的報面2b形成碳膜30，故而可降低提昇親相對於^等 熔融金la的㈣性。藉此，可藉由形成碳膜3〇來防止炼融 金屬la或其氧化物附著於提昇輥“上，又，碳膜％亦作為 潤滑劑而發揮作用’故而可製造無污垢或瑕疵的玻璃帶6。 於本發明中，亦可於在提昇輥2a上形成碳臈儿的同時’ 在鄰接於玻璃帶6的下側的部件即熔融金屬浴槽卜的浴槽 壁上端部I e及浴槽壁上端部附近形成碳臈。 圖8中，以剖面示意圖之方式表示圖丨的浮式玻璃的製造 设備中所具備的熔融金屬浴槽1〇的浴槽壁上端部k。 如圖8所示，所謂熔融金屬浴槽卜的浴槽壁上端部ie， 位於玻璃帶6的脫離部T0下游的浴槽壁“的上端部。再 者，所謂玻璃帶6的脫離部Τ0 ’係指自熔融金屬1&的浴面 lb連續地撈起玻璃帶6時玻璃帶6與浴面ib分離的位置。位 於該脫離部το附近的浴槽壁上端部le係鄰接於玻璃帶打 側的部件’係炼融金屬1&或其氧化物易於附著的部分。附 著於浴槽壁上端部le的熔融金屬la或其氧化物，有時會藉 由再次附著於玻璃帶6的下表自而自_金屬㈣= 出，附著於提昇輥2a等傳送輥的外周面。 又’所谓洽槽壁上端部附近，如圖8所示，係指位於玻 璃帶6的脫離部TO下游的浴槽壁u的側壁部。，且係夹著 浴槽壁上端部le的側壁部1§。該側壁部1§上亦容易附著熔 融金屬1 a或其氧化物。 133202.doc .18· 200911707 因此’較好的是，與上述提昇輥23的情形相同，在浴槽 壁上端部le及/或側壁部lg的周圍配置碳膜形成裝置的^ 體供給噴嘴mb’自該氣體供給喷嘴U4b供給含碳氣體& 以形成碳膜3 1。 藉由形成碳膜31，可降低浴槽壁上端部“及/或側壁部 lg相對於熔融金屬la的濡濕性，故而熔融金屬&難以 著。 藉此，可防止熔融金屬la或其氧化物附著於玻璃帶6、 提昇輥2a ,故而可製造無污垢或瑕疵的玻璃帶6。再者， 作為用於將碳膜3 1塗佈於浴槽壁上端部丨e的含碳氣體，例 如，可例示乙炔、乙烯、乙烷、甲烷、丙烷等。 [實施例] (實驗1) 使用圖9所示的用於形成碳膜的實驗裝置，於提昇輥的 輥的構成材料即石英玻璃板（樣品）1〇5上形成碳膜，對所形 成的碳膜進行各種評價。 對圖9所示的實驗裝置進行說明，該實驗裝置1〇〇以於管 狀的反應容器1 〇 1外周配設有加熱器1 〇2的管型電爐丨〇3為 主體而構成。於反應容器1 〇丨的内部，設置有由耐熱性材 料構成的樣品台1 04 ’該樣品台1 〇4上，設置有形成著碳臈 的石英玻璃板105。又’於反應容器1〇1中，配設有由石英 玻璃製成的供給管106 ’用於供給含有含碳氣體的導入氣 體。位於供給管106前端的氣體供給喷嘴l〇6a配置於石英 玻璃板105的表面附近’其可將含碳氣體供給至石英玻璃 133202.doc 19- 200911707 板105的表面周圍。進而，於反應容器ι〇ι中配設有用於 供給含有氳氣的還原性氣體的另一供給管丨〇7。 以下，對使用上述實驗裝置的碳膜的形成方法進行說 明。首先，於反應容器！ 〇丨的樣品台i 〇4上，設置石英玻璃 板105,且以將導入氣體喷至石英玻璃板1〇5表面之方式而 配置氣體供給喷嘴106a。其次，自另一供給管1〇7將包含 氫氣與氮氣的混合氣體的還原性氣體供給至反應容器【〇】 内，以使反應容器101内的氣體環境變為與玻璃製造設備 的金屬浴出口部的相同。繼而，藉由加熱器丨02，使反應 容器内升溫至特定的處理溫度為止。其後’自氣體供給噴 嘴1 06a導入特定濃度的導入氣體（特定的烴與氮氣的混合 氣體）’經過特定的處理時間而進行碳膜的形成處理後， 停止導入氣體的導入並排出剩餘氣體’而後降低溫度。 按照上述順序，如下述表i設定含碳氣體的種類、導入 氣體中的含碳氣體的濃度、處理溫度及處理時間，獲得實 施例1〜13及比較例1〜2的樣品。 利用光學顕微鏡及掃描電子顕微鏡（SEM，以⑽以％ Electron Microscope)，觀察所得的樣品的石英玻璃板ι〇5 的表面狀態。對形成有碳膜者測定碳膜的摩擦係數，並且 對錫的濡濕性進行評價。結果如表2所示。 碳膜的摩擦係數的測定係使用圖1〇所示的評價裝置來進 行。若對圖10所示的評價裝置進行說明，則該評價裝置 2〇〇係以於管狀的容器201的外周配設有加熱器2〇2的管型 電爐203為主體而構成。於容器2〇1的内部，設置有不鏽鋼 133202.doc •20· 200911707 切片2〇4,其中-個輕切片204中，嵌入著用 於計測位置的紅寶石針204a。於該等輕切片2〇4上，將藉 由上述實驗裝置處理過的石英破璃板1〇5以被處理 之方式而設置。 於石英玻璃板1G5上載置有㈣咖，對於每—與槪切 片2〇4的接觸面積，施加⑽g的载荷。進而’於石英玻璃 板1〇5上安裝始線挪，且料咖與捲繞器2〇7連接， 2英玻璃板1〇5以3〇 _/分鐘的速度相對於輕切片而滑 。又，於料206上，組裝有載荷儀2〇8，可計測石英玻 板1〇5相對於輥切片的摩擦力。進而，於容器201中，配 設有用於供給氫氣與氮氣的混合氣體的供給管209。 =而，為使容H2CH内的氣體環境變為與破 ::屬浴出口部的相同’自供給管-供給氯氣與氮j 此口乳體’且精由加熱器2G2使容器州内升溫至咖。c， 於此狀態下’使捲繞器工作，並進行摩擦力的評價。根據 所相出的摩擦力，求出摩擦係數。結果如表2所示。 二：於錫的濡濕性’係使用評價高溫下的金 性的裝置（ULVAC股份有限公司製造的weti2〇〇): 於上述裝置的加熱平台上，將萨 ' 石英玻璃板1〇5以被處理面朝上曰^崎置置處理過的 叫切丄炙万式而设置，自凡 石英玻璃板1〇5上的小孔噴出已炫融的錫，來測定^狀 態的錫的接觸角。 』疋熔融狀 將接觸角為11〇。以上者評價為「良好」 110〇去蜂π A「π 士、 饮项用禾滿 者6子以不充分」。結果如表2所示。 133202.doc 200911707 [表i] 含碳氣 體種類 原料氣體中的 含碳氣體濃度(％) 處理溫度 CC) 處理時間 (分鐘） 實施例1 c2H2 30 650 20 實施例2 c2h2 20 650 20 實施例3 c2h2 10 650 20 實施例4 c2h2 20 600 20 實施例5 c2h2 20 700 20 實施例6 c2h2 20 650 40 實施例7 c2h2 20 650 10 實施例8 c2h2 20 650 5 實施例9 c2h2 20 650 1 實施例10 c2h2 50 700 20 實施例11 c2h2 50 650 20 實施例12 c6h6 50 1000 20 實施例13 c3h8 50 1000 20 比較例1 — — 650 20 比較例2 — — 一 — [表2] 碳膜形成狀態 (目測） 碳膜形成狀態 (SEM) 摩擦係數 相對於錫的濡濕 控制 實施例1 生成 膜狀 0.42 良好 實施例2 生成 膜狀 0.40 良好 實施例3 生成 膜狀 0.49 良好 實施例4 生成 膜狀 0.72 良好 實施例5 生成 膜狀 0.40 良好 實施例6 生成 膜狀 0.38 良好 實施例7 生成 膜狀 0.51 良好 實施例8 生成 膜狀 0.57 良好 實施例9 生成 膜狀 0.77 良好 實施例10 生成 膜狀 0.80 良好 實施例11 生成 膜狀 0.85 良好 實施例12 生成 膜狀 0.43 良好 實施例13 生成 膜狀 0.45 良好 比較例1 未生成 無 1.05 不充分 比較例2 未生成 益 1.00 不充分 133202.doc -22- 200911707 如表1及表2所示，比較例1中顯示熱處理的情形’比較 例2中顯示未處理的情形，但由於該等比較例1及比較例2 中無碳膜’故而摩擦係數亦高，相對於錫可迅速濡濕。 另一方面’當利用乙炔（C2H2)來形成碳膜之情形時，如 實施例1〜11所示，會於6501〜700°C的範圍内產生熱分 解’而形成良好的碳臈。作為一例，將實施例2的樣品的 表面狀態顯示於圖丨丨及圖丨2中。圖丨丨係肉眼觀察玻璃上附

有妷膜的狀態的照片，根據光澤可知，玻璃表面上生成有 厚度均勻的平滑的膜。圖12係利用電子顯微鏡觀察圖η的 碳膜的照片，可知表面均勻而無間隙地分布著直徑10 左右的碳的微粒子（白色部分），該膜非常緻密而難以劃 傷由此可知，實施例2的樣品中，形成有緻密而均質的 碳膜。 、 又，即使形成如丙烷（c^8)、苯（c#6)等乙炔（c2H2)以 外的碳膜之情形時，如實施例12及實施例13所#，亦會於 1〇〇〇 c左右的溫度下產生熱分解，而形成良好的碳膜。 又’於形成有碳膜的實施例卜13中，摩擦係數低，相對 於錫的濡濕控制亦良好。 (實驗2) 於玻璃製造設備的金屬浴出口部， 1 °又置圖2〜5所示的碳 膜形成裝置而進行實機試驗。如圖2〜圖5所示，於 提昇輥的下側設置氣體供給喷嘴，以 體，繼& , 门锐表面賀出原料氣 體龜而，對喷出原料氣體時與未噴出 帶的说1 原枓氣體時的玻璃 帶的q動傷痕的產生頻率等進行對比。 133202.doc •23- 200911707 作為導入氣體’係使用與氮氣混合而將乙炔濃度調節至 20。/。的此合軋體（導入氣體），相對於直徑為3、長度 為的提昇輕’將導人氣體的供給量設為0.6 mVh。又， 將氣體％ i兄度（金屬浴出口部内的溫度）設為7⑼。C ,氣體 環境氣體設為氫氣與氮氣的混合氣體。 *、。果#由所喷出的導入氣體，使提昇輕的輕面生成碳 膜而變黑’與成膜前相&，玻璃帶的滑動傷痕的產生頻率 降至約50%。雖有因附著於玻璃帶上的碳膜片而產生缺陷 之嫌’但實際上’在暴露於大氣氣體環境中的時點，碳膜 片已燃燒殆盡，故而不會形成缺陷。 如上所述，藉由使碳臈形成於傳送輥的表面，可防止熔 融金屬或其氧化物附著於傳送親，故而可製造無污垢或瑕 疫的玻璃帶。X，由於碳膜亦作為潤滑劑而發揮作用，故 而即使傳送觀與玻璃帶之間產生速度差而導致玻璃帶於傳 送輥的輥面上產生摩擦時，玻璃帶上亦不可能產生瑕疵。 進而’使導人氣體連續或間斷地噴出至傳送㈣周邊，以 增強因損耗等而減少的碳膜，藉此可製造長時間無污垢或 瑕疲的玻璃帶。 又，藉由使碳膜形成於熔融金屬浴槽的浴槽壁上端部及 其附近，而使得溶融金屬或其氧化物莫隹以附著於浴槽壁上 端部及其附近，故而’熔融金屬或其氧化物不會自：槽壁 上端部及其附近而附著到玻璃帶的下表面。 上 因此’可防止熔融金屬或其氧化物再次 ’故而可製造無污垢或瑕庇的坡璃帶。 附著於傳送輥 133202.doc •24- 200911707 以上參照特定的實施態樣對本發明進行了詳細說明，但 本領域技術人員當知，可在未脫離本發明的精神及範圍： 情況下加以各種變更或修正。 本申請案係基於2007年7月23日申請之日本專利申言主 2〇〇7-19〇7〇8 ,該申請案之内容以參照的形式併人本^ 中0 【圖式簡單說明】 f

圊1係表示本發明的實施形態即浮式麵的製造設備之 剖面示意圖。 圖2係表示圖！的浮式玻璃的製造設備中所具備的碳膜形 成裝置之立體示意圖。 ^ 圖3係表示構成圖2的碳膜形成裝置的導入部之立體示立 圖。 忍 圖4係表示構成碳膜形成裝置的導入部的設置例之剖面 示意圖。 圖5係自玻㈣的移動方向觀察構成碳膜形&裝置之導 入部的設置例之示意圖。 圖6係表示構成碳膜形成裝置之導入部的其他設置例之 剖面示意圖。 圖7係表示構成碳膜形成裝置之導入部的其他設置例之 剖面示意圖。 圖8係表示圖1的浮式玻璃的製造設備中所具備之熔融金 屬浴槽的浴槽壁上端部之剖面示意圖。 圖9係表示實施例中之用於形成碳膜的實驗裝置之剖面 133202.doc •25· 200911707 示意圖。 圖1 〇係表示實施例中之碳膜 面示意圖。 的摩擦係數的評價裝 置之剖 片 圖11係表示實施例2中利造之韻的照片。 圖12係實施例2中所製诰夕*胳&读 吓眾k之奴膜的知描型電子顯微鏡照 【主要元件符號說明】 la 熔融金屬 lb 浴面 1 c 1 e 2a 2b 熔融金屬浴槽 浴槽壁上端部 提昇輥（傳送輥） 輥面 3 5 6 11 12 14b 30 緩冷爐 炫融玻璃 玻璃帶 碳膜形成裝置 氣體供給部（氣體供給機構） 氣體供給噴嘴 碳膜 το 脫離部 133202.doc •26-

Claims (1)

1. 200911707 申請專利範圍： 1. 一種浮式玻璃的製造方法， — 將熔融破螭連續地供給至收 令有熔融金屬的熔融金屬浴槽 憨，肱 夂十，口面而形成破璃 =將上述玻璃帶自上料面務起，藉由複數個傳_ 傳送至緩冷爐中；該方法之特徵在於， 於上述傳送輥的表面形成有碳膜之狀態下 玻璃帶、將其撈起並傳送。 成这 2·如請求項1之浮式玻璃的製造方法，其中 八：:於比上述玻璃帶自上述浴面被榜起而與上述浴面 刀離的持更下游的上述炫融金屬浴槽 及f述浴槽壁上端部附近的表面，形成有碳膜。P 3. 如凊^項！或2之浮式玻璃的製造方法，其中上述碳膜係 使含碳氣體熱分解而形成。 、“ 4. 項3之浮式玻璃的製造方法，其中上述含碳氣體 馬乙快。 5’ -種浮式玻璃的製造設備’其具備熔融金屬浴槽、緩冷 爐及傳送輕；該炼融金屬浴槽收容有炫融金屬，且炫融 ^璃連續地供給至上料融金屬的水平浴面而形成玻璃 ，該緩冷爐使上述玻璃帶緩冷；該傳送親將上述玻璃 自上述’溶融金屬浴槽傳送至上述緩冷爐；該 之特徵在於， 於上述傳送輥的表面形成有碳膜。 6.如哨求項5之浮式玻璃的製造設備，其中在位於比從上 述办面分離的部分更下游的上述熔融金屬浴槽的浴槽壁 133202.doc 200911707 7·如f主2上述洛槽壁上端部附近的表面，形成有碳膜。 〇月/項5或6之浮式玻璃的製造讯借甘占a扯 , 成裝置，其相一 甲具備碳膜形 膜。 ^ 3奴氣體並使之熱分解而形成上述碳 8. 4吻求項7之浮式 包含：至，丨… ㈣U黄’其中碳膜形成裝置 夕—個氣體供給噴嘴，沿著上 方向，以與上述傳送報表面對向之方= 機構，將上、十、人 囬對向之方式配置；氣體供給 述含碳氣體供給至上述氣體供給噴嘴·以及 軋體導入部，脾μ、+.人山 貝方，U及 ,^ ，述3奴氣體自上述氣體供給機構導黾 上述氣體供給噴嘴。 饵偁導至 月长項7或8之浮式玻璃 體為乙块。 備’其中上述含碳氣 133202.doc