TW200908250A - Resin composition, embedded material, insulation layer and semiconductor device - Google Patents

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TW200908250A
TW200908250A TW097121858A TW97121858A TW200908250A TW 200908250 A TW200908250 A TW 200908250A TW 097121858 A TW097121858 A TW 097121858A TW 97121858 A TW97121858 A TW 97121858A TW 200908250 A TW200908250 A TW 200908250A
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TW
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resin
layer
hole
resin composition
semiconductor device
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TW097121858A
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Toyosei Takahashi
Rie Takayama
Hirohisa Dejima
Junya Kusunoki
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co
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Description

200908250 六、發明說明： 4 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關樹脂組成物、埋入材、絕緣層及半導體 裝置。 【先前技術】 為了因應數位相機、行動電話等電子零件等之小型 化，半導體封裝件也必須進行小型化。 以往之半導體封裝件係在半導體元件之端子部、與搭 載此半導體元件之基板之配線之間，需要有接合線 (bonding wire)及可配置此接合線之空間。因此，在半導 體封裝件之半導體元件與基板之間需要空間，而成為妨礙 小型化之主要原因。 將此半導體封裝件小型化之方法可舉例如：經由在半 導體元件所具備之半導體基板形成穿通電極，而使半導體 基板之機能面、與設置於與該機能面相反側之面之電路配 線進行電性連接之方法（參照專利文獻1)。 記載於此專利文獻1中之方法係於半導體基板設置穿 通孔，並積層例如構成積層板之增層（bui ldup layer)而埋 入穿通孔之内部後，再次形成通道（via)。然後，於該通道 之内面形成導體層而設置導體構件（導體部），而形成穿通 電極。 然而，當使用以如此之增層埋入穿通孔内部之方法 後，有時半導體元件之彎曲會變大。 [專利文獻1]日本特開2005 — 216970號公報 3 320314 200908250
I 【發明内容】 « 本發明之目的在於提供：一種樹脂組成物，其可減低 半導體基板之彎曲等之發生，同時可確實且充分地埋入形 成於此半導體基板之穿通孔的内部。此外，提供由如此之 樹脂組成物所構成之埋入材及絕緣層，並且提供具有此等 埋入材及絕緣層且小型又特性優良之半導體裝置。 為了達成上述目的，本發明係如下述（1)至（Π): (1) 一種樹脂組成物，其係使用於埋入材之樹脂組成物， 該埋入材係用以至少埋入具有貫穿板厚方向且於内部 設置導體部之穿通孔的半導體基板之前述穿通孔，其 中， 該樹脂組成物係：含有具有自由基聚合性雙鍵之樹 脂、熱硬化性樹脂、及與前述具有自由基聚合性雙鍵之樹 脂不同之具有鹼性可溶性基及雙鍵之樹脂者；或含有環狀 稀烴系樹脂者。 (2) 如上述（1)之樹脂組成物，其中， 前述半導體基板係具有機能面、及與該機能面相反側 之面， 前述樹脂組成物係形成埋入前述穿通孔並同時覆蓋前 述相反侧之面的絕緣層者。 (3) 如上述（1)之樹脂組成物，其中， 前述半導體基板係具有機能面、及與該機能面相反側 之面， 前述樹脂組成物係形成埋入前述穿通孔並同時覆蓋前 4 3203]4 200908250 述相反側之面的絕緣層，並可料 ,(Ph〇t〇mh〇graphy)形成開該絕緣層依光微影法 (4) 一種埋入材，其係用以至小 材，其特徵為： 夕埋入前述穿通孔之埋入 由=⑴讀肋絲切化 «) —種絕緣層，其係具有 1傅風 之絕緣部、及與該絕緣述相反側之面的層狀 , 豫4形成為一體且埋入前述穿通 孔中的埋入部，該絕緣層 ::述i1:之樹麵成物之硬化二 相反側之面刚述+導體基被係具有機能面、及與該機能面 (6; -：半導體裝置’係具有上述⑷之埋入材。 一;半導體裝置，係具有上述⑸之絕緣層。 (8) —種半導體裝置，係具有： 2有貫穿板厚方向之穿通孔㈣導縣板； 側之^ = 5 = 2孔之内面及前述半導體基板之一 層，丄脂層、與接合於該第1樹脂 前述第1樹脂層及第2樹脂層而設置於前述穿通 孔之内部的導體部；其中，ι耷通 低。月'』述弟1樹脂層之彈性率較前述第2樹脂層之彈性率 ⑼如上述⑻之半導體|置，其中， 性率係在2500MPa以下。 树知層之彈 320314 5 200908250 • (10)如上述（8)之半導體裝置，其中， 刖述第1樹脂層係由第1樹脂組成物之 則述第1樹月旨組成物係：含有具有自 斤構成 泰聚合性摊鍵 之樹脂、熱硬化性樹脂、及與前述具有自由基铲人又 之樹脂不同之具有鹼性可溶性基及雙鍵之樹 σ丨生雙鍵 日者；或含有 環狀烯烴系樹脂者。 (11) 如上述（10)之半導體裝置，其中’前述環狀烯烴系樹 脂係具有環氧基之降冰片烯（norbornene)系樹脂。 (12) 如上述（8)之半導體裝置，其中，前述第1樹脂層係可 經由照光而進行圖案化者。 (13) 如上述（8)之半導體裝置，其中，前述第2樹脂層之彈 性率係在3500MPa以上。 (14) 如上述（8)之半導體裝置，其中，前述第2樹脂層在玻 璃轉移溫度以下之溫度時之熱膨脹係數係在5〇ppm以 下。 (15) 如上述（8)之半導體裝置，其中，前述第2樹脂層之與 前述第1樹脂層相反側之面形成有配線圖案而成，且 前述配線圖案與前述導體部係電性連接。 (16) 如上述（15)之半導體裝置，其中， :前述絕緣層復具備以覆蓋前述導體部與前述配線圖案 之至少一部分之方式而設置之第3樹脂層，該第3樹腊層 係由第3樹脂組成物所構成， 前述第3樹脂組成物係：含有具有自由基聚合性雙鍵 之樹脂、熱硬化性樹脂、及與前述具有自由基聚合性雙鍵 320314 6 200908250 , 之樹脂不同之具有驗性可溶性基及雙鍵之樹脂者.七A士 環狀婦烴系樹月旨者。 七有 (17)如上述（8)之半導體裝置，其中，前述半導體基板之與 前述絕緣層相反侧之面形成有配線圖案而成，且敢述 配線圖案與前述導體部係電性連接。 【實施方式】 况明關於本發明之樹脂組成物 層及半導體裝置 本發明之樹脂組成物係使用於用以至少埋入且 f 板厚方向且於内部設置導體部之穿通孔的 ^有貝穿 =通孔之埋入材者;且為含有具有自由基聚合ς 树脂、熱硬化性樹脂、及與前述具有自 鍵 樹脂不同之具有驗性可溶性基及雙鍵二° 11雙鍵之 狀烯烴系樹脂者，或此等之混合物。 曰考，或含有環 本發明之埋入材係用以至少埋入前 徵為：由上述樹脂組成物之硬化物所構、孔者，其特 本發明之絕緣層係具有配置於與前 有之機能面相反側之面的層狀之絕緣心：體基板所具 成為一體且埋入前述穿通孔中的埋入立 與該絕緣部形 上述樹腊組成物之硬化物所構成 者特被為：由 本發明之半導體裝置佐目士l 此外，本發明之半導體裝置传^絕緣層。 方向之穿通孔的半導料有貫穿板厚 面及前述半導體基板之_^, /、有^覆盍前述穿通孔之内 側之面之以㈣成之W樹脂 320314 7 200908250 η , 層、與接合於該第1樹脂層之第2樹脂層的絕緣層，及貫 穿前述第1樹脂層及弟2樹脂層而設置於前述穿通孔之内 部的導體部；其中’則述弟1樹脂層之彈性率較前述第2 樹脂層之彈性率低。 首先，說明關於樹脂組成物及埋入材。 前述樹脂組成物係使用於至少埋入如第1圖所示之設 置於半導體元件100所具備之半導體基板10的穿通孔 (through hole)l。此穿通孔1係可藉由設置於穿通孔1之 内部之導電構件（導體部）11，而謀求半導體基板1〇之機能 面101之端子部2、與相反側之面1 〇 2的電性連接。藉此， 可謀求使用有半導體元件100之半導體裝置（半導體封 裝）5 0 0的小型化。 如前述’本發明之樹脂組成物係：A.含有具有自由基 聚合性雙鍵之樹脂、熱硬化性樹脂、及與前述具有自由基 聚合性雙鍵之樹脂不同之具有鹼性可溶性基及雙鍵之樹脂 、者（A組成）；B.含有環狀烯烴系樹脂者（B組成）；或此等之 混合物。 以下，分別說明關於A組成之樹脂組成物、與β組成 之樹脂組成物。 (I) : A組成之樹脂組成物 此樹脂組成物係含有具有自由基聚合性雙鍵之樹月旨。 藉此，能對於照光而選擇性地產生硬化反應。在此，具有 自由基聚合性雙鍵之樹脂可舉例如光硬化性樹墙（主要^ 經由照光而硬化之樹脂）。 320314 8 200908250 前述具有自由基聚合性雙鍵之樹脂可舉例如不飽和聚 酯、在一分子中具有至少1個以上丙烯醯基或曱基丙烯醯 基之丙烯酸系單體或寡聚物等丙烯酸系化合物、苯乙烯等 乙烯系化合物等，此等可單獨使用，此外，也可混合2種 以上使用。 此等之中尤以將丙烯酸系化合物做為主成分之紫外線 硬化性樹脂為佳。丙烯酸系化合物在照光時之硬化速度 快，因此，可以較少之曝光量將樹脂圖案化。 前述丙烯酸系化合物可舉例如丙烯酸酯或甲基丙烯酸 酯之單體等，具體而言可舉例如：乙二醇二丙烯酸酯、乙 二醇二甲基丙烯酸酯、1，6-己二醇二丙烯酸酯、1,6-己二 醇二甲基丙烯酸酯、甘油二丙烯酸酯、甘油二甲基丙烯酸 酯、1，10-癸二醇二丙烯酸酯、1，10-癸二醇二甲基丙烯酸 酯等2官能丙烯酸酯；三羥曱基丙烷三丙烯酸酯、三羥曱 基丙烧三曱基丙稀酸i旨、季戊四醇三丙烯酸g旨、季戊四醇 三曱基丙烯酸S旨、二季戊四醇六丙稀酸酯、二季戊四醇六 、 曱基丙烯酸酯等多官能丙烯酸酯等。 此等之中尤以（曱基）丙烯酸酯為佳、以酯部位之碳數 為1至15之丙烯酸酯或甲基丙烯酸烷酯特佳。藉此，可提 高反應性，且因此而提高感度。 此外，雖無特別限定，但前述具有自由基聚合性雙鍵 之樹脂（光硬化性樹脂）以在常溫為液狀為佳。藉此，可提 高對設置於半導體基板10之穿通孔1埋入之埋入性。此 外，可提高藉由紫外線硬化之反應性。此外，可使與其他 9 320314 200908250 調配成分（例如：熱硬化性樹脂）之混合作業變容易。在常 溫為液狀之具有自由基聚合性雙鍵之樹脂可舉例如：以前 述丙烯酸化合物做為主成分之紫外線硬化性樹脂等。 前述具有自由基聚合性雙鍵之樹脂之重量平均分子量 係無特別限定，以在5000以下為佳、以15〇至3〇〇〇特佳。 若重量平均分子量在前述範圍内，則埋入性特別優良。 在此，重量平均分子量可使用例如G.p. c. (Gel
Permeation Chromatography，凝膠滲透層析法）進行評 估’可依據預先使料苯乙烯標準物f所晝 正 來計算重量平均分子量。 ㈣ 在此 吳頁目由基聚合性雙鍵之樹脂之含量係無特另 限定，以佔前述樹脂組成物全體之5至6〇重量％ =、、 8至30重量％特佳。特別是在樹脂組成物之樹脂成分（除· …機填充材以外之所有成分）中，以在9重量％ : 以在13重量％以上特佳。 上為佺、 若前述具有自由基聚合性雙鍵之樹脂之 ， 上限值’财時會損害樹齡成物之耐熱性。^過二f 述具有自由基聚合性雙鍵之樹脂之含量〜外，若前 ::有:會損害由樹脂組成物所構成之樹脂層::::值: ^卜’有產生無法經由照光（例如紫外線）而充分^性，此 層之圖案化之情形之虞。因此，藉由令前述仃該樹脂 合性雙鍵之樹脂之含量在上述範圍，而可不損*自由基聚 組成物之硬化物之耐熱性、由成 ^例如樹脂 之可撓料兩者之優良平衡，即可提供二= 320314 10 200908250 之 、成之樹脂層適用於接著薄膜時對於保護膜等 剝離性良好之樹脂組成物。 w述樹㈣成物係含有熱硬化性樹脂。藉此，古 =:)成物之硬化物之耐熱性(具體而言係在欺時之耐 : n〇v〇iac 、雙酚A酚醛樹脂等酚醛型齡樹 甲階=，esQlphenc)1)_#_m;_。 二笨乙烯：？r等酚醛型環氧樹脂；聯苯型環氧樹脂、 :、％乳樹脂、三酚甲烷型環氧樹 :甲炫型環氧樹脂、含三哄核之環氧樹脂、二環； ，盼龍氧樹Λ&ι魏（仙_ =，、三聚氰等具有三_之樹： 不飽和聚_脂、雙馬纽亞贿、聚㈣ ㈣二埽㈣脑、聚錢樹月旨、 等可單獨^合# Γ ^旨、㈣⑽11等；此 可更加提。此等之令尤以環氧樹脂特佳。藉此， t 成物之硬化物之耐熱性及密著性。 ㈣熱硬化性樹㈣可併用在室溫為固態之環氧樹 月曰（例如雙_環氧樹 乳樹 為液狀之環氧樹m/ 氧树月曰（例如在室溫 脂）。藉此，可提日面室溫為液狀之魏改性環氧樹 性，同時由樹^物之硬化物之耐熱 構成之樹脂層之可撓性及在藉由 320314 11 200908250 光微影技術進行《化時之解析度與接紐兩者之平衡優 良之樹脂組成物。 前述熱硬化性樹脂之含量無特別限定，以佔前述樹脂 組成物全體之ίο至40重量％為佳、以15至35重量％特佳c 右熱硬化性樹脂之含量未達前述下限值，則有時提高樹脂 組成物之硬化物之賴性之效果會降低，若超過前述上限 值，則有時提高樹缝成物之钱物之祕之效果會降 低。因此’令熱硬化性樹脂之含量在上述範圍，即可提供 兩者之平衡優良之樹脂組成物。 、、此外，當併用在室溫為液狀之熱硬化性樹脂時，前述 為液狀之具有自由基聚合性雙鍵之樹脂、與此液狀之熱硬 化性樹脂之合計量以佔前述樹脂組成物全體之⑼重量％以 :為：：50重量%以下特佳。特別是，在樹脂組成物之 ’日曰成刀（除了無機填充材以外之所有成分）之中，以在w ί ΓΓ上為佳、以在14重量％以上較佳、以在18様 佳。藉由令液狀之具有自由絲合性钱之樹 /文、之熱硬化性樹脂之合計量在上述範 二 t成她是對半導體基㈣之穿通孔〗之埋 ^微=由該樹脂組成物所構成之樹脂層（接著層）在藉由 σ知技術進行圖案化時之解析度及接著性兩者之平衡及 優良者，此外，使樹脂組成物之硬化物之耐熱性 珂述組成物係含有與前述具有自由基聚合性雙 曰不同之「具有祕可溶性基及雙鍵之獅」。u此，由樹 320314 12 200908250 、脂組成物所構成之樹脂層可進行驗性顯影，且可經由照光 7進行圖案化。所謂「與前述具有自由絲合性雙鍵之樹 月曰不同」係思指樹脂之構造不同。前述具有鹼性可溶性基 及雙鍵之樹脂可舉例如：可藉由光及熱兩者而硬化之硬化 性樹脂。 前述鹼性可溶性基可舉例如：羥基、羧基等。此外， 驗性可溶性基也可有助於熱硬化反應。如此之樹脂可舉例 ，如：具有丙烯酸基、甲基丙_基、乙稀基等光反應基之 熱硬化性樹脂，或具有盼性經基、醇性經基、羧基、酸酐 基等熱反應基之光硬化性樹脂等。再者，光硬化性樹脂也 可復具有環氧基、胺基、異氰酸基等熱反應基。具體而言 可舉例如：（甲基）丙烯酸改性酚樹脂、含有（甲基）丙烯醯 基之丙烯酸聚合物等。此等之中尤以（甲基）丙婦酸改性酚 樹脂為佳。由於使用含有鹼性可溶性基之樹脂，而在進行 顯影處理時在去除未反應之樹脂（樹脂組成物）時，特別是 、 當鹼性可溶性基具有雙鍵部分時，因存在有此雙鍵部分， 而可適用對於環境造成之負擔更少之鹼性水溶液來取代通 常做為顯影液使用之有機溶劑。此外，此時，在使樹腊组 成物硬化時，雙鍵部分有助於硬化反應，結果可提高樹脂 組成物之硬化物之对熱性。 再者’前述可藉由光及熱兩者而硬化之硬化性樹脂係 可使用前述熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂中所述及者，耳 有鹼性可溶性基及雙鍊之樹脂係可經由在此等光硬化性樹 脂中導入熱反應基、或者在熱硬化性樹脂中導入光反應基 320314 13 200908250 « 而得到。 在此，當使用具有光反應基之熱硬化性樹脂時，前述 光反應基之改性率（取代率）無特別限定，以佔前述具有鹼 性可溶性基及雙鍵之樹脂之反應基全體之2〇至8〇%為佳、 以30至70%特佳。令光反應基之改性量在上述範圍，即可 提供解析度特別優良之樹脂組成物。 另一方面’當使用具有熱反應基之光硬化性樹脂時， 别述熱反應基之改性率（取代率）無特別限定，以佔前述具 有驗性可溶性基及雙鍵之樹脂之反應基全體之2〇至別％為 佳、以30至70%特佳。令熱反應基之改性量在上述範圍， 即可提供解析度特別優良之樹脂組成物。 前述具有驗性可溶性基及雙鍵之樹脂之重量平均分子 I係無特別限定’以在300000以下為佳、以5〇〇〇至150000 特佳。若重量平均分子量在前述範圍内，則可使樹脂組成 物之埋入性變得特別優良。 ‘ 在此’重量平均分子量可使用例如G.P. C.進行評估， 可預先藉由使賤笨㈣標準物質所晝成之校正曲線計算 重量平均分子量。 f此，具有鹼性可溶性基及雙鍵之樹脂之含量係無特 別限定’以佔刚述樹脂組成物全體之15至重量％為佳、 以20至40重量％特佳。特別是，在樹脂組成物之樹脂成分 (除了無機填充材以外之财成分）之中，可為1G至80重 量％，且以15至7n舌罢·。/从， 重1 %為佳。若具有驗性可溶性基及雙 鍵之樹月曰之含罝未達前述下限值，則有時提高光硬化性樹 14 320314 200908250 脂及熱硬化性樹脂之相溶性之效果會降低，若超過前、求上 限值’則有時由樹脂組成物所構成之樹脂層之顯影性和在 藉由光微影技術進行圖案化時之解析度會降低。a具有& 性可溶性基及雙鍵之樹脂之含量或樹脂組成物中之液狀^ 分量在上述，即可在錢微影法將由樹额成物所構 成之樹脂層圖案化後，賦予該樹脂層可熱壓合之機能。 此外，雖無特別限定，但在樹脂組成物中以併=光聚 合起始劑更佳。藉此’可經由光聚合而將樹脂效率良好： 如此之先汆合起始劑可舉例如：二苯基酮、乙醯苯、 安息香（benzoin)、安息香異丁基醚、安息香苯甲酸甲妒 安息香苯甲酸、安息香甲基醚、苯甲基苯基硫 phenyl sulfide)、苯偶醯（benzii)、雙苯偶醯 (dibenzil)、雙乙醯（diacetyi)等。 成物起始劑之含量無特別限^，以佔前述樹脂、自 成物王體之Q· 5至5重量％為佳、以◦. 8至2. 5重量％好 方光聚合起始劑之含量未達前述下限值，财時使光聚/ 效果會降低’若超過前述上限值，則反應性; 二二同❿有時在使用前之樹脂組成物之保存性、和d 低。因此，：： 述圖案化後之解析度㈣ 平衡優良之樹㈣絲。在上“圍’即可提供兩者々 尺寸=性當Γ㈣組成物之硬化物中特別要求耐熱性、 和耐祕等特轉，樹餘成物,χ含有無相 320314 15 200908250 * * 、 填充材更佳。此外，藉由作t 當將樹脂組成物之心層做物含有無機填充材， 於保護膜之剝離性。 〜接者缚獏使用時，可提高對 如此之無機填充材 燒黏土、雲母、麵等石夕石、锻燒黏土、未锻 化矽（熔融球狀氧化 氣化鈦、氧化鋁、熔融氧 氧切粉末等氧化物;=：^氧切）、結晶氧切等 Chydrotalcite)f ^ ^ 铁酸鎂、水滑石 峨氧化物;硫酸鋇、硫=化=風氧化鎂、氯氧化 碳酸鹽；鋅、偏爾鋇、蝴酸等硫酸鹽或亞 硼酸鹽，·氮化鋁、气彳卜綱、扣 鋁、硼馱鈣、硼酸鈉等 填充材可單獨或混:使用：氮化物等。此等無機 晶氧化、之以叫料化矽、結 夢由你“ 球狀炫融氧切特佳。 月旨組成物硬化後_熱性、#而可提高使樹 保護膜之剝_ I: 使用時，可提高對於 以圓球狀為佳，，稍心人 W無特別限定’ m 適合做為在特性上益里方性 接者薄膜之接著層的樹脂組成物。 此1’無機填充材之平均粒徑無特別限定，以請至 迷特佳°若此平均粒徑未達前 低，^J則無機填充材變得易凝聚，結果有時強度會降 在=過上限值，則有時由樹脂組成物所構成之樹脂層 |先或藉由光微影技術進行圖案化時之解析度合降低。 320314 16 200908250 * ' 、在此，錢填充材之含量無制限定，以佔前述樹月， 組成物全體之5至60重量%為佳、以1〇至5〇重 曰 若無機填充材之含量未達前述下限值，則 樹寸。 成物之硬化物之耐熱性、尺寸安定性、吸渴性之 ^若㈣前述上限值，則有時由樹脂組成物所構成= 月曰層在猎由光微影技術進行圖案化時之解析度合降低、 脂。此外’在此樹脂組成物中，也可復含有可紐環氧樹 物之含有可撓性環氧樹脂’即可一面維持樹脂組成 做為半導體用材料之可靠性。了進外河樹脂組成物之 脂、晴樹脂可舉例如:聚_生環氧樹 Λ . ^~~%tl^^^Cpolyetiiyleneglyc〇l igl^idyl ether)、聚丙二醇二環氧丙基謎等。 =可撓性環氧樹脂之含量無特別限定 組成物全體之3幻。重量%為佳、以4至：樹 脂之含量未達前述下限值，則有 Γ 之铸如材料之可靠性之效果會降低，若超、尚 ㈣成物所構成之樹脂層之輪和 氐、和有蚪會發生滲出（bleed)。 將知“ 吟木（leveling)劑等添加劑。 之樹脂組成物在適t之有機溶劑（例如：N—甲基 320314 17 200908250 % ._2_吡咯啶酮、 之中混合m 酮、甲苯、乙酸乙酉旨等) 穿通孔埋入材^薄^例如支撐缚膜等上後乾燥’而可得到 之溫=:Γ穿通孔埋入材用薄膜在室温至跳 二為佳二在 之黏度係在前叩佳。咖 特別優良以材㈣膜之埋入性 f愛艮龙且，如此之穿通孔埋入材用薄 、度流動性以外，盘姑莫私――何用/専膜除了具有適 、, 與被者物之密著性/濕潤性也優良。 J後字此穿通孔埋入材用薄膜 之半導體元件Idnr主道舰甘α 八名牙迷孔1 100(+導體基板1〇)上，而可以穿通孔埋入 材用薄膜埋入前诚空；g 了丨， 分田通 錢，加熱❿使穿通孔埋入 .材用1硬化’即可得到穿通孔埋入材（本發明之埋入材）。 、，根彳如此之樹脂組成物’在將做為接著對象（被著物） 之ί導體=件、與基板等做為接著對象（被著物）之半導體 〔用令件進行接著時，在將樹腊組成物適用於此等接著對象 藉由進行使用遮罩之照光，而使樹脂组成物 令之具有自由基聚合性雙鍵之樹脂產生硬化反應，並使產 生硬化反應之部分之樹脂組成物固定。其次，由於經由以 驗性溶液等_影、、右、隹〇 ...s如液進订處理’而使未反應之具有鹼性可溶 f、二1又-之樹脂溶解，故未反應之樹脂組成物會溶解而 於半導體兀件或基板上形成接著層之圖案（硬化後之樹脂 組成物之層）。在將此光硬化後之接著層做為間隔件 (spacer)使用，並將保護做為被著物之半導體元件的玻璃 18 320314 200908250 板安裝於接著層上後，藉由進行熱處理而進行後硬化反 應。藉此，樹脂組成物中之環氧樹脂產生反應，而接著層 可在基板與玻璃板之間硬化並將兩者接著。換言之，由於 樹脂組成物中之熱硬化性樹脂在圖案化後之階段幾乎未反 應故了、、’^由加塵處理或加熱加壓處理，使熱硬化性樹脂 渗出樹脂表面而與被著物接著。並且，經由照光而硬化之 光硬化性樹脂也可藉由在玻璃轉移溫度以上之溫度進行壓 口，使光硬化性樹脂軟化，而有助於使接著層與被著物之 接著性提高。此外，未反應之熱硬化性樹脂部分也以做為 ，化後之光硬化性樹脂部分之塑化劑而發揮作用，而使接 著層與被著物更強力固著。經由選擇薄膜（接著層）之厚 度，也可使如此進行而形成於兩被著物之間之接著層以做 為間隔件而發揮作用。 (II) : Β組成之樹脂組成物 此樹脂組成物係含有環狀烯烴系樹脂。藉此，可 在半導體裝置50〇之加工過程中之樹脂組^之硬化物: 耐熱性、和組裝後之半導體裝置500之耐熱可靠性。 再者，也可❹其他熱錄樹脂來取代環^煙樹 脂、或是與環狀烯㈣脂組合。如此之_軸脂可 如.聚醯胺、聚縮醛、聚碳酸酯、聚對酞酸丁二酯、' 酸乙二酯、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚麵碾'θ對酞 (P〇lyethersulfone)、聚醚醚酮、聚伸苯基 烯等。 承η戊 在本發财使狀雜馳_脂之Μ方法可使用 320314 19 200908250 無規（random)聚合、嵌段（bl〇ck)聚合等已周知之方法。具 體例可舉例如：降冰片烯型單體之（共）聚合物 '降冰片烯 型單體與如α —烯烴類等可共聚之其他單體之共聚物、及 此等共聚物之氳化物等。此等環狀烯烴系樹脂可依已周知 之聚合法製造，在該聚合方法中有加成聚合法與開環聚合 法。其中，以將降冰片烯型單體經由加成（共）聚合所得之 1合物為佳’但本發明並不受此任何限定。 環狀烯烴系樹脂之加成聚合物可舉例如聚降冰片烯系 樹脂，亦即（1)使降冰片烯型單體加成⑷聚合所得之降冰 片烯型單體之加成（共）聚合物、（2)降冰片烯型單體與乙烯 或α —烯烴類之加成共聚物、（3)降冰片烯型單體盘非此軛 二稀及依與其他單體聚合之加成絲物。此等樹月旨& 皆可依已周知之聚合方法得到。 θ 環狀烯經系樹脂之開環聚合物可舉例如聚降冰片婦系 樹脂，亦即⑷降冰片稀型單體之開環（共）聚合物及依需要 而將該⑷聚合物氫化而成之樹脂、（5)降冰片歸型單體與 乙烯或稀烴類之開環共聚物及依需要而將該（共）聚合、 物氫化而成之樹脂、（6W冰片烯型單體與非共麵二婦或^ 他單體之開環(共)聚合物及依需要而將該⑷聚合物气化、 而成之樹脂。此等樹脂皆可依已周知之聚合方法得到。 上述之中，以⑴使降冰片烯型單體加成（共）聚合所得 之加成（共）聚合物為佳，但本發明料受此任何限定。 /、π &肥丞 < 艰狀 之各 在如此之磙狀烯烴糸樹脂中，兀以具有官能基之 烯烴系樹脂為佳。藉此，可提高構成半導體裝置^〇〇 320314 20 200908250 種有機材料和錢㈣與樹脂組成物之 刚迷官能基可舉例如：環氧基、s旨基、= /、、之中尤以具有環氧基之環狀烯烴系樹：基等。 可提商構成半導體裝置5⑽之各種有機错此’ 樹脂組成物之密著性，或提高在半導體=和”，、機材料與 程中之耐熱性、和組裝後之半導體裝置_ 500之加工過 前述具有環氧基之環狀馳㈣脂，U靠性。 將在分子内含有環氧基之單體直接聚合而可經由 據在聚合後經由改性反應而將環氧美 ' •'也可依 同樣之聚合物。改性反應有：使含絲_之方法得到 上述聚合物進行接枝(graft)反應、使具與 與上述聚合物之反應性官能基部位進 土 、σ物 氳過氧化物(hydroperoxide)等環氧化劑直接::::: 具㈣-碳雙鍵之上述聚合物進行環氧化等已周知之方法。 / %狀稀烴系樹脂之加成聚合物係可經由以金屬觸 行之配位聚合、或自由基聚合而得到。其中，在配位聚人 方面’可經由將單體在過渡金屬_存在下，在溶液中二 合而得到聚合物⑽GLE R. GR_ et al.μ
Polymer SClence:part B，P〇lymer Physics，ν〇1· 37, 3〇〇3 —3010(1999))。 ’ 做為使用於配位聚合之金屬觸媒而具代表性之錄盘翻 觸媒係記載於PCT W0 97/33198與PCT恥00//20472中。 配位聚合用金屬觸媒之例可舉例如：雙（甲苯）雙（全敦苯基） 鎳、雙（三甲苯）雙（全氟苯基）鎳、雙（笨）雙（全氣笨基）錄、 320314 21 200908250 雙（四氫）雙（全氟苯基）鎳、雙（乙酸乙酯）雙（全氟苯基） 錄、雙（二唁烧）雙（全氟苯基）鎳等已周知之金屬觸媒。 關於自由基t合技術，係記載於EnCyCi〇pedia
Polymer Science, John Wi ley & Sons, 13, 708(1988)t° 瓜而5，自由基聚合係在自由基起始劑存在下，將 ’皿度升n至50 C至1机後，使單體在溶液巾反應。自由 ，起始j可舉例如.偶氮雙異丁腈（AM)、過氧化苯甲酸 化月&基、偶氮雙異己腈、偶氮雙異戊腈、氫過 氧化二級丁基等。 周知之開環聚合法’以鈦或鶴化合物 = = 體進行開環(共… 前述開環(=:之: = 以:般之氫化_ 性飽和降冰片烯系齡藉此而;到而製她 環聚合物。 j衣狀烯烴糸樹脂之f, 上述聚合系之適當之聚合溶 劑。煙溶劑之例可舉例如戊烧、己院匕括煙和芳香族溶 ^定於此。芳香族溶劑之例可舉^苯或^⑽ 本或二甲裳I πτ 本 甲本、二 Τ本等，但不限定於此。也可 呋喃、乙酸乙舻 _ 用一乙基醚、四 ,^ ^ 酗曰、内酯、酮、醯胺。想+、 此專洛劑做為聚合溶劑使用。 也可早獨或混. 本發明之環狀烯烴系樹脂之分子量 與=體之比例、或改變聚合時間而控制 m合用時’如在美國專利Ui36499 可經由改變起始劑 。當使用上述之配 中所揭示，可經由 320314 200908250 4 使用連鎖移動觸媒來控制分子量。在本發明中，以乙烯、 丙烯、卜己烯、1-癸烯、4-甲基-戊烯等α —烯烴較適於控 制分子量。 在本發明中，重量平均分子量係10000至500000，且 以30000至100000為佳、以50000至80000更佳。重量平 均分子量可使用標準聚降冰片烯並使用凝膠滲透層析法 (GPC)測定。（按照 ASTMDS3536- 91) 使用於製造前述具有環氧基之環狀烯烴系樹脂的環狀 烯烴單體係以下述通式（1)所示之降冰片烯型單體為佳。
(式（1)中，X為0、CH2、（CH2)2中之任一者，η為0至 5之整數； 1至R4分別可為氫、烷基、烯基、炔基、烯丙基、芳 基、芳烷基、或含有酯基之官能基、含有酮基之官能 基、含有醚基之官能基、含有環氧基之官能基中之任 一者；在重複之單體中Ri至R4可為不同，但在所有重 複單元之匕至R4中，至少一者以上為具有環氧基之官 能基）。 烧基之具體例可舉例如：甲基、乙基、丙基、異丙基、 丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十二烧基、 環戊基、環己基、環辛基等；烯基之具體例可舉例如：乙 23 320314 200908250 .烯2、柄基、丁縣、環己縣等 例如··乙炔基、卜丙炔美 八菔1歹"举 美算· 4其 、土 丙炔基、1-丁炔基、2-丁炔 3之:=例可舉例如:苯基、萘基、蕙基等;芳 不受此等任何限定。本〒基本乙基等，但本發明並 ，用於製造前述職敎系樹脂之環狀_單體，且 =Γ如:5—甲基―2,冰片稀、5_乙基I降: 降冰片烯、5-己基-2_降冰片烯、 降 =—2-降辑、一降彻、5= 具有婦基者可舉例如:5~烯丙基I降冰片烯、5— 土-降冰片婦（5_fflethyiidene_2_n〇rb〇取此)、卜 里=了降冰片稀⑸ethyiidenein〇rbc)rnene)、5一亞 -丙基-2-降冰片稀、5—(2_丙稀基）_2_降冰片婦、5_(3_ ^基）1降冰片稀、5_(1—甲基I丙縣）士降冰片 I、5-(4-戊稀基）-2-降冰片烯、5_(1_f基_3_丁烯基）_2— 牛冰片烯、5-(5-己烯基）-2-降冰片婦、5—( ，降冰片…㈣基I 丁稀基)-2-降冰广 ’、5-(2-乙基-3-丁烯基）一2-降冰片烯、5气3, 4—二甲基一4一 戊烯基）-2-降冰片烯、5-(7—辛蝉基）_2_降冰片婦、^(2— 甲基-6-庚烯基）-2-降冰片稀、5-(1，2-二甲基_5一己烯 基）-2-降冰片烯、5_(5_乙基_5_己稀基）冬降冰片婦、 5-(1，2,3-三甲基-4-戊烯基）-2-降冰片烯等； 可舉例如：5-乙絲-2-降冰片料；具有錢基者可^ 320314 24 200908250 • 如·· M，3, 3, 5, 5-六甲其 τ c —2-基）乙其）-功—"，5 一二▼基雙（2-(5-降冰片烯 降冰片婦二可舉，5—笨基-2- 等二τ—_ 苯乙基-2—降冰片烯、5 丫降冰片烯、5- 立氟苯基甲基-2-降;水片檢、 五氟苯基乙基）-2-m、p< ^ ~ ( 片婦箄.呈古Ρ ’騎、5~(3-五氟苯基丙基）-2-降冰 冰片烯-2-基）曱氧基）魏 f基雙（（5_降 烯、5-三乙^ p二甲减傾基―2—降冰片 醫夕说基-2-降冰片婦、5_(2_ 基乙基）-2-降冰片烯、5—f氣基石夕说 片嬌、^ (―乙虱基矽烷基乙基）-2-降冰 —二甲氧基發烧基丙基）-2-降冰片烯、5_(4_: 丁基）t降冰片缚、5-三甲基傾基甲細 咬甲其丙寺，具有絲、驗基、縣、醋基、丙婦醯基 或甲基丙稀喊者可舉例如士降冰 5H价2—f sl、錢5—降冰綠㈣旨、己酸 =，、辛酸5—降冰片晞_2-甲醋、癸酸5- 降、水片掄广、月桂酸5~降冰片烯_2一甲酯、硬脂酸5_ 5=Γ:甲醋、油酸％水片稀I甲醋、次亞麻油酸 ,7Ζ Tfm'5'^;^ ^2~fst'^2- _曰、5~降冰片婦-2-甲酸乙醋、5-降冰片烯-2-甲酸 ;=、5,水嫩甲酸異丁醋、5,冰片稀-2-甲 5 夕絲^旨、卜降冰片烯'2~甲酸三乙基魏基酿、 5-降冰齡甲酸異冰片醋、5,冰片烯_2—甲酸2—經乙 320314 25 200908250 « 甲基碳酸正丁：片5:”基碳酸乙酯、5-降冰片烯-2, 甲氧基-2-降:片、 方~ (甲基）丙烯酸5-降冰片烯—2—甲酷、 降冰片一、(甲基)丙缔酸二 I 曰、（甲基）丙婦酸5-降冰片稀—2_正丙醋 :)丙：酸5-降冰片稀_2_異丁醋、(甲基)丙晞酸5_降冰片 烯-2-異丙酯、（甲基)丙烯酸5_降冰片烯一2一己酯 丙烯酸5-降冰片婦|辛醋、（甲基）两稀酸5—降冰片婦I 癸醋等；具有環氧基者可舉例如：5~[(2, 3-環氧基丙氧Α) 甲基]-2-降冰片烯等；此外，由四環組成者可舉例如 f氧幾基四環[“·◦.似几刚十二姊 樂其 [4. 4. 0.12, 5. 17, 10]十二|烯、8―異丙氧羰基四環 [4. 4. 0. 12, 5. 17, 10]十二_3_烯、8_正丁氧羰基四環 [4:4.〇.12,5.17，1〇]十二1稀、8'(2-甲基丙氧基)羰基四 環^•^^叫十二+烯^甲基丙氧基）^ 「四/I[二°12,517’1〇]十二~3_烯、8~三級丁氧羰基四環 [4.4.0·12,5·17，10]十二-3-婦、8-環己氧幾基四環 [4. 4. 0· 12, 5. 17, 10]十二_3_婦、8_(4，一三級丁臭 幾基四環[4. 4· 0. 12, 5· 17，叫十二8_苯=其乳，
[4. 〇. 12, 5, 17, 1〇]十二'3-烯、8~四氫呋喃氧叛二T
[4. 4. 0· 12, 5. 17’ 10]十二_3_烯、8_四氫。比喃 320314 26 200908250 • [4.4.0.12,5.17，10]十二-3_烯、8_甲基_8—乙氧羰基四環 [4. 4. 0· 12, 5. 17, 10]十二-3-烯、"基+正丙氧羰基四 壤[4.4.0.12,5.17，10]十二_3_婦、8—甲基_8_異丙氧徵基 四環[4.4.0.12,5.17，10]十二_3_烯、8_甲基_8_正丁氧羰 基四裱[4. 4. 0· 12’ 5. 17, 1〇]十二一3一烯、8_甲基_8一（2_甲基 丙氧基）羧基四環[4.4.0.12,5.17，10]十二-3-烯、8_甲基 -8-U-甲基丙氧基）幾基四環[4. 4. 12, 5. 17, 1〇]十二| 烯、8-甲基-8-三級丁氧四環[4. 4· Q. 12, 5. 17,叫十二 _3—烯、8-甲基-8,己氧羰基四環[4.4.0.12,5.17，10]7 --3-烯、8-曱基|(4’〜三級了基環己氧基）戴基四環 [4· 4. 0· 12, 5. 17, 10]十二_3_烯、8_甲基_8_苯氧幾基四環 [4.4.0. 12,5. 17, l〇] + ^_3-«r > 8-f ^-8-ra ft ^ 基四％[4. 4. 0· 12’ 5. 17, i〇]十二一3_稀、8_尹基_8_四氫吡 喃氧幾基四環[4. 4. 〇. 12, 5. 17, 1〇]十二_3_稀、8_甲基_8_ 乙醯氧基四環[4_ 4. 〇. 12, 5. 17, 1〇]十二_3_烯、8, 9_二(甲 氧幾基）四環[4.4. 0· 12, 5· π，1〇]十二-3-烯、8, 9-二（乙氧 羰基）四環[4. 4. 0. 12, 5. Π，1〇，]十二-3-烯、8, 9-二（正丙氧 羰基）四環[4. 4.0· 12, 5. 17, 1〇]十二-3-烯、8, 9-二（異丙氧 碳基）四環[4. 4. 0. 12, 5. 17, 10.]十二-3-烯、8, 9-二（正丁氧 羰基）四環[4. 4.0. 12, 5. 17, 1〇]十二-3-烯、8, 9-二（三級丁 氧裁基）四環[4. 4. 0. 12, 5. π，10]十二-3-烯、8, 9-二（環己 氧羰基）四環[4. 4. 0. 12, 5. π, 1〇]十二-3-烯、8, 9-二（苯氧 羰基）四環[4. 4. 0· 12, 5. Π，10]十二_3_烯、8, 9—二（四氫呋 喃氧羰基）四環[4.1 〇· 12, 5. 17, 10]十二-3-烯、8, 9-二（四 27 320314 200908250 氩吼喃氧縣）四環[4.4. Ql2,5> 17, i()]+m 9_ 四環[4.4.0.12,5.17，1〇]十二_3_稀、四環 [4· 4· 0· 12, 5. 17, 1〇]十二—3，—8_甲酸、8—甲基四環 [4. 4. 0. 12, 5· 17’ 1〇]十二甲酸、8_曱基四環 [4. 4. 0. 12, 5 [4. 4. 0. 12, 5 [4.4. 0. 12, 5 [4. 4. 0. 12, 5 Π, 1〇]十二—烯、8_乙基四環 17, 10]十二~3~烯、8-甲基四環 01，6]十二-3-烯、8一亞乙基四環 17, 12]十二-3-烯、8-亞乙基四環 [4.4.0.12,5.17，1001，6]十二_3_烤等。 前述具有環氧基之環狀烯㈣樹脂，-般而言以如3 ⑵所不之降冰片烯型單體之加成(共)聚合物為佳。
(2) (式⑵中，X為〇、CH2、（CH2)2中之任一者，〇為〇至 5之整數，πι為1〇至loooo之整數； 匕至R4分別可為氫、烷基、烯基、炔基、烯丙基、芳 基、芳烷基、或含有酯基之官能基、含有酮基之官能 基、含有醚基之官能基、含有環氧基之宫能基中之任 一者；在重複之單體中仏至！^可為不同，但在所有重 複單元之匕至匕令，至少一者以上為具有環氧基之 能基）。 320314 28 200908250 _ 從硬化後之聚合物特性（低彈性率、高延伸率、低吸水 率等）之觀點來看，前述具有環氧基之環狀烯烴系樹脂（A) 係以式（3)及式（4)所示之聚合物為佳。如式（4)所示，將具 有芳烷基之降冰片烯單體導入聚合物中，即可提高對一般 做為負型顯影液之溶劑使用之環戊酮或庚酮等極性溶劑之 溶解性，且具有加工性優良之優點。
(式（3)中，m、η為1以上之整數；Ri至R?分別可為氫、 烧基、稀基、快基、稀丙基、芳基、芳烧基、或含有 酯基之官能基、含有酮基之官能基、含有醚基之官能 基中之任一者；在重複之單體中匕至R?可為不同）。
(式（4)中，1、m、η為1以上之整數；p為0至5之整 數；匕至Ri。分別可為氫、烷基、烯基、炔基、烯丙基、 芳基、芳烷基、或含有酯基之官能基、含有酮基之官 29 320314 200908250 ^ 能基、含有醚基之官能基中之任一者；在重複之單體 中Rl至R!D可為不同）。 從硬化後之聚合物特性之觀點來看，前述具有環氧基 之環狀烯烴系樹脂（A)係以式（5)所示之聚合物更佳。可經 由導入具有癸基之單體而得到低彈性之膜，此外，可經由 導入具有苯乙基之單體而得到低吸水性、耐藥品性、極性 溶劑溶解性優良之膜。
(式（5)中，1、m、n為1以上之整數）。 共聚物中的具有環氧基之單體之含有率係可由經由曝 光交聯而得到可耐顯影液之交聯密度來決定。具有環氧基 之單體之含有率，在聚合物中是以5至95莫耳％(較佳係 20至80莫耳％、更佳係30至70莫耳％)之比例來使用。如 此所得之聚合物係顯示低吸水性（< 0. 3wt%)、低電容率（< 2. 6)、低電容損失（0· 001)、玻璃轉移點（170至400°C)等 優良物理特性。 由如此之B組成之樹脂組成物所構成之樹脂層，係以 可經由照光而進行圖案化者為佳。藉此，可以高精度且低 30 320314 200908250 . 成本並僅於所需之位置進行配置樹脂層。 為了使則逑樹脂層可經由照光而進行圖案化，在前述 B組成之樹脂組成物中以添加光酸產生劑、敏化劑 (sensitiser)、酸捕捉劑等為佳。 前述光酸產生劑可使用已周知之所有化合物。光酸產 生劑會進行裱氧基之交聯，並且之後經由硬化而提高與基 板之密著性。光酸產生劑以鏽鹽（〇nium saH)、鹵素化合 物、硫酸鹽、或其混合物為佳。鑌鹽可舉例如：重氮鹽 (diazonium)、銨鹽、鎭鹽、鏟鹽（sulf〇nium)、磷酸鹽、 鉀鹽（arsonium)、氧鑌鹽（oxonium)等。只要為可製造前述 鏽鹽與相對陰離子之化合物，相對陰離子即無限制。相對 陰離子之例可舉例如：硼酸、鉀酸、磷酸、銻酸、硫酸鹽、 魏酸與其氯化物，但不限定於此等。鑌鹽之光酸產生劑可 單獨使用或混合使用’舉例如：四說调酸三苯基疏鹽、六 氟補三苯基疏鹽、四氟钟酸三苯基㈣、四氟魏三苯 基錡鹽、四氟硫酸三苯基銃鹽、四氟硼酸硫代苯氧基二 苯基疏，、四氟賴4一硫代苯氧基二苯絲鹽、四氣钟酸 4一硫代苯氧基二苯基銃鹽、四氟磷酸4-硫代苯氧基二苯基 銃鹽、四氟磺酸4-硫代苯氧基二苯基銃鹽、四氟硼酸4_ 二級丁基笨基二苯基銃鹽、四氟續酸三級丁基苯基二苯 基銃鹽、四氟銻酸4-三級丁基苯基二笨基銃鹽、三氟膦酸 4-二級丁基苯基二苯基疏鹽、三氟續酸4_三級丁基苯基二 苯基锍鹽、三氟硼酸參（4-甲基苯基）銕鹽、四氟硼酸參（4一 甲基苯基）錡鹽、六氟鉀酸參（4_曱基苯基）鎳鹽、六氟磷酸 320314 31 200908250 _ 參（4-曱基苯基）銃鹽、六氟磺酸參（4-曱基苯基）鏟鹽、四 氟硼酸參（4-甲氧基苯基）鏟鹽、六氟銻酸參（4-甲氧基苯基） 锍鹽、六氟磷酸參（4-曱氧基苯基）锍鹽、三氟磺酸參（4-甲氧基苯基）銃鹽、四氟硼酸三苯基錤鹽、六氟銻酸三苯基 錤鹽、六氟鉀酸三苯基錤鹽、六氟磷酸三苯基錤鹽、三氟 磺酸三苯基鎖鹽、四氟硼酸3, 3-二硝基二苯基錤鹽、六氟 銻酸3, 3-二硝基二苯基鎭鹽、六氟鉀酸3, 3-二硝基二苯基 錤鹽、三氟磺酸3, 3-二硝基二苯基錤鹽、四氟硼酸4, 4-二硝基二苯基鐄鹽、六氟録酸4, 4-二硝基二苯基錤鹽、六 氟鉀酸4, 4-二硝基二苯基錤鹽、三氟磺酸4, 4-二硝基二苯 基錤鹽。 含有鹵素之光酸產生劑之例可舉例如：2, 4, 6-參（三氯 甲基）三畊、2-烯丙基-4, 6-雙（三氯甲基）三啡、α，/5, α-三溴曱基苯基颯（α，/5, a-tribromomethylphenylsulfone)、 (2，α _2，3，5，6_ 六氯二曱苯、2，2-雙（3，5_二漠-4_經苯 基）-1，1，1，3,3,3-六氟二曱苯、1，1,1-參（3,5-二溴-4-羥 \ . 苯基）乙烧、與該等之混合物。 磺酸系光酸產生劑可舉例如：曱苯磺酸2-硝基苯甲 酯、甲苯磺酸2, 6-二硝基苯曱酯、曱苯磺酸2, 4-二硝基苯 甲酯、曱磺酸2-硝基苯甲酯、乙磺酸2-硝基苯甲酯、9, 10-二甲氧基蒽-2-磺酸酯、1，2, 3-參（曱磺醯氧基）苯、1,2,3-參（乙磺醯氧基）苯、1，2, 3-參（丙磺醯氧基）苯等，但不限 定於此等。 光酸產生劑以三氟曱磺酸4, 4’ -二-三級丁基苯基錤 32 320314 200908250 .鹽、三氟甲磺酸4,4’，4”-參（三級丁基苯基）銃鹽、肆（五 氟笨基）棚酸二苯基錤鹽、肆（五氟苯基）珊酸三笨基鎮二苯 基錤鹽、肆（五氟苯基）硼酸4, 4,-二-三級丁基苯基錤鹽、 肆（五氟苯基）硼酸參（三級丁基苯基）銃鹽、肆（五氟苯基） 硼酸4-曱基苯基-4-(1-曱基乙基）苯基鎭鹽、與該等之混 合物為佳。 在本發明中光酸產生劑之調配比例，相對於環狀烯烴 系樹脂100重量份，為〇.丨至1〇〇重量份，且以〇1至1〇 重量份較佳。 月|J述敏化劑可擴大可使光酸產生劑活性化之波長範 圍’且可在不對聚合物之交聯反應造成直接影響之範圍内 添加。最佳之敏化劑係在所使用之光源附近具有最大吸光 :數且可將吸收後之能量有效率地轉移至光酸產生劑的化 合物。光酸產生劑之敏化劑可舉例如：蒽、芘、茈等環芳 香無。可舉例如：2-異丙基-9H-噻噸-9—烯、4-異丙基_911_ 、、1-氯-4-環丙基噻嘴、㈣哄（phen〇thiazine)、 與該等之混合物。在本發明中增感劑之調配比，例如相對 於％狀烯烴系樹脂1〇〇重量份，為〇. 1至1〇重量份，且以 至5重量份較佳。當光源為g線（436nm)與i線（365·) 等長波長時，敏化劑可有效地使光酸產生劑活性化。 剛述酸捕捉劑係具有使由如此之樹脂組成物所構成之 =層之解析度提高之效果。換言之’在進行光化學反應 π酉欠捕捉劑會吸收擴散至未曝光部之酸。酸捕捉劑可舉例 如.吡°疋、二甲基吡啶（lutidine)、啡噻哄、三正丙基胺 320314 33 200908250 與三乙胺等二級、二4 酸捕捉劑之 嚴份，為0. 1 二級胺，但不限定於此等。 調配比例，例如相料k 對於環狀烯烴系樹脂100重 至0. 05重量份。 B '、'旦成之樹脂組成物中，可依需 劑、抗氧化劑、_劑 '塑化劑、雜_ ^ ^染 使用如此之B組成之_旨組成物，並與 樹脂組成_樣進行，即可製作穿通孔埋人材用^成= 此穿通孔埋人材⑽難層於具有穿通孔1之半導將 =〇(半導體基板1Q)上，而可以穿通孔埋人材 ^牛 别述穿通孔1。然後，加熱使穿通孔埋人__=入 即可得到㈣孔以材（本㈣之埋讀）。 ’ 、此外，上述之各A組成及B組成之樹脂組成物 清漆之狀態塗布於具有穿通孔1之半導體元件100(半導 基板10)上並乾燥後.，使其硬化，而得到穿通孔埋入材（本 發明之埋入材）。 其次’說明關於絕緣層。 將上述之穿通孔埋入材用薄膜按照第2圖所示埋入穿 通孔1，並同時將其貼合於半導體基板10上使其覆蓋與= 導體基板10之機能面101相反側之面102後，使其硬化。 藉此，形成具有配置於相反側之面102之層狀之絕緣部 3’、及與此絕緣部3,形成為一體且埋入前述穿通孔中之埋 入部3的絕緣層（穿通孔埋入材）。因設置如此之絕緣層， 而可保護存在於穿通孔1中之導電構件11，並同時可保護 存在於與半導體基板之機冑b面1〇1相反側之面〗〇2的再 320314 34 200908250 配線電路。 此外，當以如上述之可經由照光而進行圖案化之樹脂 組成物（例如：含有具有自由基聚合性雙鍵之樹脂、熱硬化 性樹脂、具有驗性可溶性基及雙鍵之樹脂的A組成的樹脂 組成物）來構成穿通孔埋入材用薄膜時，即可經由照光而進 行圖案化。因此，此時，在使穿通孔埋入材用薄膜硬化前， 藉由予以圖案化成任何圖案，即可形成任何電路配線，而 可不使用阻劑材料。若使用例如光罩等對穿通孔埋入材用 薄膜選擇性地照光，則構成被照光之部分之穿通孔埋入材 用薄膜的樹脂組成物中所含之光硬化性樹脂會光硬化。因 此，若以顯影液（例如：驗性水溶液、有機溶劑等）將照光（曝 光）後之穿通孔埋入材用薄膜予以顯影，則僅有被照光之部 分會不溶於顯影液中而殘留，可配合位置且精度良好地將 穿通孔埋入材用薄膜予以圖案化（殘留）成目標之形狀，因 此，可於所得之絕緣層形成後述之如第3圖所示之開口部 31、 如此之絕緣部3’之厚度無特別限定，以10至60//m 為佳、以15至55/zm特佳。若絕緣部3’之厚度在前述範 圍内’則半導體元件10 0之溫度循壞測試和财回流測試之 可靠性特別優良。 其次，說明關於半導體裝置。 首先，說明關於本發明之半導體裝置之第1實施形態。 第3圖係表示第1實施形態之半導體裝置之一部分的 縱剖面圖。 35 320314 200908250 * . 如第3圖所示，半導體裝置500之上述之半導體元件 100與透明基板4係介由間隔件5而接合。 在半導體元件100所具備之半導體基板1〇之機能面 101側之中央部裝載有微透鏡，接收穿透透明基板之光 能量後，傳遞至半導體元件100。在設置有微透鏡60之部 分以外之半導體基板丨〇之機能面101形成有保護膜21。 由於以間隔件5將半導體元件100與透明基板4之外 圍2接合，故微透鏡60之上侧（透明基板側）形成空隙8(呈 中空構造）。藉此，可防止灰塵等在半導體裝置之生產過程 中附著於微透鏡60上。 半導體基板10如同上述具有穿通孔丨，並於其内部設 置有導電構件1卜於舆半導體基板1〇.之機能面1〇1相反 側之面102，設置有電路配線12。然後，穿通孔i之内面 及半導體基板之面102係經絕緣處理以使其對於導電構件 及電路配線12保持絕緣狀態。如此之絕緣處理可舉例 如.將半導體基才反10之表面選擇性地氧化的熱處理、如氧 電漿處理等氧化處理、如後述之第2實施形態以樹脂材料 形成絕緣層之處理等。 在導電構件11之内部係填充有埋人部3。而且，盘埋 入部3 一體化之層狀之絕緣部3,係覆蓋著電路配線12。、在 本實施形態中係藉由此等埋入部3與絕緣部3,而構成絕緣 層。 再者’在本發明中，也依可需要省略絕緣部3，，而單 獨形成埋入穿通孔1之埋入部。此時，埋入部即為本發明 320314 36 200908250 之埋入材。 "在本實_態中，由於是將由如上述之可經由照光進 行圖案化之樹脂組成物所構成之穿通孔埋入材用薄膜使用 於形成該絕緣層，故可依光微影法形成開口部。換古'之， 穿通孔埋入材用薄膜係在硬化前被圖案化，於絕緣^之絕 緣部3’形成有開口部31’。如此，於開口部31，之内部及 與絕緣層之半導體基板為相反側之面設置有電路配線Μ。 此外，於電路配線12之下侧（第3圖中之下側）進一步 配置有絕緣層31。於絕緣層31形成有經配置珲料凸塊 (solder bump)71 之開口 部。 此外，構成間隔件5之樹月旨組成物、與構成絕緣戶（埋 入部3及絕料3，）讀麵可糊^同、，但_ 同樹脂組成物為佳。藉此，可減低半導體巢置刚之彎曲。 因此，構成間隔件5之樹脂組成物係以 佳:如上述之含有具有自由基聚合性雙鍵之樹:下= 卜生樹月曰、及與則述具有自由基聚合性雙鍵之樹脂不同之具 有知性可洛性基及雙鍵之樹脂的A組成之樹脂組成物；含 有環狀烯烴系樹脂的B組成之樹脂組成物；或此等之混合 物。 此外’雖無特別限定，但絕緣層31也以由與上述之構 f絕緣層（埋入部3及絕緣部3，）之樹脂組成物同樣之樹脂 組成物所構成為佳。藉此，可依光微影法形成開口部。 其次，說明關於本發明之半導體裝置之第2實施形態。 第4圖係表示第2實施形態之半導體裝置之一部分的 37 320314 200908250
I . 縱剖面圖。 以下’說明關於第2實施形態之半導體裝置，但係以 與前述第1實施形態之半導體裝置之不同點為中心做說 明，關於同樣之項目則適當省略。 如第4圖所示，半導體装置500係由具備半導體基板 10之半導體元件100、透明基板（玻璃基板）4、及在半導體 基板10與透明基板4之間以形成空隙（中空部）8之方式而 设置之間隔件（框構件）5所構成。 在半導體基板10形成有貫穿板厚方向之穿通孔1，在 該穿通孔1之内部設置有穿通電極（導體部）6。 此穿通電極6係貫穿形成為覆蓋設置於半導體基板10 之穿通孔1之内面及面（與機能面1〇1相反側之面）1〇2的 第1 ^脂層3卜與接合於該第1樹脂層31的第2樹脂層 32而设置。而且’該穿通電極與設置於半導體基板之 機能面（另-面）1〇1之配線圖案之端子部2係電性連接。 t 另一方面’於第2樹脂層32之與第1樹脂層31相反 側之面（第4圖中之下側之面）形成有配線圖案7,且與穿 通電極6電性連接。此外，形成有覆蓋穿通電極6及配線 圖案7之第3樹脂層（防焊層，solder resist layer)33, 且於配線圖案7之一部分係貫穿第3樹脂層33而形成有焊 料凸塊71。 在本κ施形悲中係藉由第i樹脂層3卜第2樹脂層 32、第3樹脂層33而構成絕緣層。 如刖述第1樹^層31係形成為覆蓋穿通孔1之内面 320314 38 200908250 .及半導體基板1〇之一側 此外12樹脂層(第4圖中下側之面）。 在如此之半導體裝置Γ 與第1樹脂層31接合。 脂層31之彈性率低於⑽_ ’本發明之特徵係第1樹 1樹脂層31可吸收在第2 ^騎層32之彈性率。藉此，第 而可硬化時產生之應力， 2500MPa以之彈性率係無特別限定’以在 聊略最佳=第^!：啊以下特佳、以1剛至 則_2樹料32硬==之彈鮮在前絲圍内， 優良。 叉化^產生之應力予以吸收的作用為 硬化^特別限定，但第1樹脂層31以可經_光而進行 配晉Γ°藉此，可以高精度且低成本並僅於所需之位置 配置樹脂層。 在外帛2樹脂層32之彈性率也無特別限^，但以在 〇MPa以上為佳、以在4_MPa以上特佳、以4500至 5500MPa最佳。若第2樹脂層犯之彈性率在前述範圍内， 貝!可得到絕緣性高j_可靠性優良之半導體裝置5QQ。具有 别述範圍内之彈性率之第2樹脂層32，就結果而言是使用 熱膨脹係數小且耐熱性高之樹脂。因此，在以雷射加工穿 通孔時可降低孔側壁之損傷（耐雷射加工性）。 另外’第2樹脂層32在玻璃轉移溫度以下之溫度時之 熱膨脹係數並無特別限定，以在lOOppm以下為佳、以在 8〇ppm以下特佳、以2〇至6〇ppm最佳。由於若第2樹脂層 39 320314 200908250 32在玻璃轉移溫度以下之溫度時之熱膨脹係數在前述範圍 内，則在製造半導體裝置500之各步驟中因熱而造成之伸 縮會變小，故在半導體基板1〇與第2樹脂層32之間之伸 縮度之差會縮小，而可減低半導體裝置5〇〇之彎曲。並且， 可提向後續步驟之成品率，並同時可得到可靠性高之半導 體裝置500。 在將如述第1樹脂層31之彈性率當做a、將前述第2 樹脂層32之彈性率當做b時，雖無特別限定，但彈性率之 比（A/B)以〇. 2至〇. 8為佳、以〇. 2至〇. 5特佳。若彈性 率之比在前述範圍内，則可使用可靠性優良之第2樹脂層 32,同時減低半導體裝置5〇〇之彎曲。並且，如此之第2 樹脂層32之耐雷射加工性優良，因此可得到可靠性高之半 導體裝置500。 > 其次，詳細說明關於如此之第丨樹脂層31、第2樹月 層32及第3樹脂層33。 (第1樹脂層31) 第1樹脂層31係由上述之樹脂組成物所構成，亦即佳 與含有具有自由絲合性雙鍵之_、熱硬化性樹脂、及 與前述具有自由絲合性雙鍵之樹脂不同之 性 性基及雙鍵之樹㈣A組成；含有環料㈣樹脂者㈣ 組成，或此㈣混合物_之第}樹脂組成物所構成。 可於具有牙通孔1之半導體基板1G，將上述之第1樹 脂組成物依υ以清漆之狀態塗布域燥之方法 之狀態積層之方法等，覆罢穿、s了丨】 心以潯膜 後疏穿通孔1之内面及半導體基板 320314 40 200908250 ' Q之側之面102。之後’例如藉由光微影法等而選擇性 地去除第1樹脂層31，使端子部2從第i樹脂層31露出。 在此第1树脂層31係由耐熱性較後述之第2樹脂層 32 =之材料所構成，但由於在使端子部2露出時可使用光 t ”法且如田使用雷射加工時無須將第丄樹脂層Μ加 故在端子部2露出之位置附近之第i獅層μ不會產 生變質、劣化，並可除去第1樹脂層3卜 9 (第2樹脂層32) 弟2_日層32係由含有例如硬化性 之第2樹脂組成物所構成。 、更化J尊 雔齡A /樹月日可舉例如：驗㈣樹脂、甲紛祕樹脂、 脂，經桐油、亞廚：:樹未改性之甲階物樹 _脂等甲階油?改性之油改性甲階盼盤 脂、雙紛F型環氧樹=樹^賴脂；雙盼八型環氧樹. I氧樹月旨、雙驗環氧樹脂、雙盼Ε型環 型環氧樹脂等雙盼型環气^雙齡P奴讀脂、雙紛Z 齡醛型環氧樹脂等酚醛二二曰：酚酚.型環氧樹脂、甲酚 ::*型環她“:脂；峨 ，氧树脂、降冰片烯型環氧樹脂 ：戊一烯型 具有三_之_ ; 素）難、三Μ胺樹脂等 聚胺酯樹脂、酞酸二烯二二S曰樹脂、雙馬來醯亞胺樹脂、 叫脂、聚魏㈣、具有苯并 32〇334 41 200908250 %畊環之樹脂、一 氰酸酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、爷防 胺樹脂、苯并淨^ t醯胺釀亞 也可併用具有尤^ 甲之丨種， 種或2種以上歲 也可將j ^ 與讀等之預聚合物併用。 聚合I)4為^是以氮_樹脂⑽w韓樹月旨之預 小。並且，第此’可使第2樹脂層32之熱膨服係數變 耗正切（dieie f 低；丨電損 tric loss tangent))等也優良。 、^氮酸I曰樹腊可經由例如使鹵化氰化合物與紛類 應並依需要以加熱等方法進行預聚合而得到。具體而兮 可舉例如·紛駿型氰酸酯樹脂；雙酚A型氰酸酯樹脂、雙 ”型，酸酯樹脂、四甲基雙酚F型氰酸酯樹脂等雙酚型 氰馱酉日树月曰等。此等之中尤以酚醛型氰酸酯樹脂為佳。因 此’可藉由増加交聯密度而提高耐熱性、與提高第.2樹脂 組成物等之阻燃性。此係因酚醛型氰酸酯樹脂在硬化反應 後會形成三Π井環之故。並且，推測係因酚醛型氰酸酯樹脂 其構造上苯環之比例高且易碳化之故。並且，即使在使第 2樹脂層32薄膜化（厚度35/zm以下）之情形下，也可賦予 弟2樹脂層32優良之剛性。特別是由於加熱時之剛性優 良’故安裝半導體元件時之可靠性也特別優良。. 前述酚醛型氰酸酯樹脂可使用例如式（6)所示者：
(β) 42 320314 200908250 (η為任意之整數）。 前述式⑹所示之祕型氛酸醋樹醋 無特別限定，以〗至為佳、 =複早^ 留- 土、去义Α 至7特^土。若平均重複 早儿η未達别述下限值，則_型氛酸醋樹醋 ;'二在加：時！時低量體會麟、揮發。此外’若'4 亡。過則述上限值，則溶融黏度會變得過高，而 有時第2樹脂層32之成形性會降低。 旨之重量平均分子量無特別限定，以重 ,^子里為5GG至45〇〇為佳、以_至3刚 =量會r=t量未達前述下限值，則#製作第2樹脂層 *者!·生（tackiness)，而有時第2 彼此接觸，互相附著、或樹脂發生轉印。此外， I】:：里超過則述上限值，則反應會變得過快，當掣作 基板（特別是電路基板）時，有 田1作 剝離強度降低。 發生成料良、或層間 。前述氰酸_脂之重量平均分子量可藉由例如 膠渗透層析法，標準物質：換算成聚苯乙烯）進行測定。 此外，雖無特別限定，但前述氣酸醋樹脂可單獨 種也可併用具有不同重量平均分子量之2種以上 將1，或2種以上與該等之預聚合物併用。 / +則述熱硬化性樹脂之含量無制限定，以佔前2 樹月曰組成物全體之5至5Q重量％為佳、以Μ至仙重量％
Tt:若Λ量t達前述下限值，則有時難以形成第2樹脂 曰 右超過蚰述上限值，則有時第2樹脂層32之強度 43 320314 200908250 會降低。 此外，前述第2樹脂組成物人 藉此，即使將最後所得之電路A s無機填充材為佳。 寬路基板予以薄膜化（厚度〇.5nm 脹化。 也可提昇電路基板之低熱膨 前述無機填充材可舉例如. 翔土、带I .〗如· π石、煅燒黏土、未煅燒 虱化鈦、氧化鋁、氧化矽、 熔融虱化矽等氧化物；碳酸 平y (氫氧輪、氫氧化#、Μ#、水滑石等碳酸鹽； 酸鈣、亞硫酸鈣等硫酸鹽仏 乳化物’硫酉夂鋇、硫 硼酸鋁风次亞硫駄鹽，硼酸鋅、偏硼酸鋇、 刪夂紹哪酸約、删_等哪 化矽、氮仆功笙《儿此 八化鋁、亂化硼、氮 機填充材欽酸錄、敛酸鋼等欽酸鹽等。盔 Γ;:Γ: ?用f等中之1種，也可併用2種以上:、 點上，以炫1別疋以乳化石夕為佳’在低熱膨脹性優良之觀 狀有破裂狀3化石夕（特別是球狀熔融氧化石夕）為佳。其形 :降低第^樹月乂 但為了確保對纖維基材之含浸性，在 - 彳ί知組成物之炫融黏产 氧化f其目…取使用球狀 則述“、、機填充材之平均粒 5.0/zm 為佳、以 Λ 7 = 〇 f 疋 Μ 0.01 至 .至2.G//ro特佳。由於若|播殖右 之粒徑未達前逃下限值，則清漆之黏度會變高、，，、故右^ 對製作第2樹脂屉99η士 “ kr"，故有時會 9層32訏之作業性造成影響。此外， 丽述上限值，則^ ^右超過 漆中無機填充劑會發生沈_ 320314 44 200908250 製，la
• 此平均粒徑可藉由例如粒度分布計（H0RIBA 500)進行測定。
此外，前述無機填充材無特別限定，可使用平均粒柄 為單分散之無機填充材’也可使用平均粒徑為多分散之： 機填充材。並且也可併用平均粒後為單分散及/或： 之無機填充材1種或2種以上。 A 曰並且，以平均粒徑在5·0„以下之球狀氧化石夕（特別 疋球狀溶融乳化石夕）為佳、以平均粒經為〇 〇ι至 球狀㈣氧化糾佳。藉此，可提高無機栽材之殖充^之 d無機填充材之含量無❸彳限定 & 。 若含量在前述範圍内達：重量轉佳。 當使用氰酸醋樹脂（特別是_氛酸=、^吸水。 述熱硬化性樹脂時，以使用環氧樹曰）做為前 為佳。前述環氧樹脂可舉 'τ、上不3齒素原子〕 F型環氧_、雙㈣型_ ^ Α型環氧樹腊、雙齡 ㈣Μ型環氧難、雙=料氧樹腊、 脂等雙_環氧樹月旨；_驗型環氧二型環氡樹 戰樹脂等酚醛型環 史曰、曱酚酚醛型環 (一)型環氧樹二二:型環，、伸苯二，基 燒基型環氧樹脂；萘型環氧：烷f型嶮氧樹脂等芳基伸 型糸讀脂、二環戍 二二型嶮氡樹脂、苯氧基 腐、金剛貌型環氧街猎=奶曰、降心歸型環氧樹 獨使用此等中 裱氧樹脂等。 之1種’也可併用具 曰可早 J重蕙乎均分子量 320314 45 200908250 • 之2種以上、或將1種或2種以上與該等之 此等環氧椒之預汆合物併用 為佳。藉此，可H〜基伸燒基型環氧樹月! 前述所-严鬲吸濕焊料耐熱性及阻燃性。 月芳基伸烷基型環氧樹脂」係指ϋ + - 中具有-㈣上^ ^純在重稷早π 苯二甲基型環氧樹日t 土衣虱树月曰。可舉例如：伸 乳射月曰、聯苯二伸甲基· di咖hylene)_ 2 基（b_enyl 型環氧樹脂為佳。聯茨;^田。此\之+尤以聯苯二伸甲基 表示。 —申曱基型環氧樹脂可以例如式（7〕
VCH^ 0一 、0 ,〇 (7) 前述式⑺所示之聯苯二 複單元η無特別限曱土 衣虱树脂之平均| 於若平均重複單开 1()為佳、以2至5特佳。 置後早πη未達前埯 竹狂 環氧樹脂讀彳|易結晶，I限值’則聯苯二伸甲基 降低’故有時會處理_ 二泛用溶劑之溶解性會較 前述上限值，則榭 a 卜，若平均重複單元η超 不良等之原因。日μ 4會降低’而有時會成為成 前述環氧樹脂之含量盔牿 物全體之㈣重量齡=’以佔第2樹脂紐 量未達前述下限值，則有時2至40重量％特佳。若 或所得之半導體元件⑽（製^旨樹脂之反應性會降伯 χ%)之耐濕性會降低，若寿 320314 46 200908250 .前述則有時第2樹雁層 剧迷被氧樹脂之重量平士、、、f生曰降低 平均分子量為5ί)η 5川λ句刀子里热谷別限定，以重量 若重量平均分 丄00為佳、以_至15,〇〇〇特佳。 會產生黏著性，3 下限值’則有時第2樹脂層％ 32時，會變得益二則述上限值，則在製作第2樹脂層 肉 …將第2樹脂組成物充分供給至穿通孔1 :有！無法得到-致之半導體元件酬製品)。 定。〗ι衣氧祕脂之重量平均分子量可以例如GPC進行測 述執樹脂(特別是酚Μ氰酸酯樹脂)做為前 二更化丨生心時，以使㈣樹脂為佳。前述 脂、甲階_型哪、 ； 樹脂可單獨使用此等中之1種，也可併用具 平均分子量之2種以上、或將1種或2種以上 中’特別是q基伸烧基 1 糾θ^。糟此’可進—步提高半導體元件_之吸 濕焊料耐熱性。 卞1UU之及 ±匕前述芳基伸絲型盼樹脂可舉例如：伸笨二甲基型紛 2月曰、聯苯二伸甲基型_脂等。聯苯二伸甲基型紛樹脂 可以例如式（8)表示。
ΟΗ CS) 320314 47 200908250 > • 冑述式⑻所絲 單元n無特別限定，以丨伸甲基型酚樹脂之平均重複 若平均重複單元η未逵个12為佳、以2至8特佳。由於 之耐熱性會降低。此外=限值’财時第2樹脂層32 值，則與其他樹脂之相溶重;^單元η超過前述上限 經由組合前述氰酸 氏而㈣加工性會降低。 與芳基伸烧基型紛樹脂，酸型氛酸醋樹脂） 控制反應性。 二|又聯畨度，而可輕易地 前述驗樹脂之含量無特別 全體之1至55重A 以佔弟2樹脂組成物 去、圭—、+、 〇、< 、以5至4〇重量％特佳。若冬® 未達4下限值’則有時 里=… 若超過前述上限值，則有睹合^曰層32之财熱性會降低， 脹性之特性。 夺3扣。第2樹脂層32之低熱膨 前述酚樹脂之重量平均分 分子量以至18_為 ⑽特別蚊’重量平均 、量平均分子量未達前述下限值15000特佳。若重 生黏著性，若超過前述上限值，則日第 :薄一含浸性會降低，_=:::= 則述驗樹脂之重量平八旦 並且，當使用1 \子置可以例如哪進行測定。 脂）、前述驗樹脂旨樹脂（特別是麟型氰酸酉旨樹 甲基型紛樹脂）二二;L基型盼樹月旨，特別是聯苯二伸 特別是聯苯-铀、月’以咖旨(芳基伸烷基型環氧樹脂， p本一伸曱基型環氧樹月旨）之組合來製作第2樹脂 320314 48 200908250 層 =2時，可得輯·咖之第2樹脂 、雖無特別限定，但前述第2樹脂組成物以使用 為佳。前述耦合劑因會提古i、f 耦δ劑 填充材之界面之㈣性㈤比、、硬化性樹脂與前述無機 。閑性’而在所得之第2樹脂声由 使熱硬化性樹脂等及盔 a 中，可 性，特別暑可掉-…、機填 勻者’故可提高耐埶 特別疋可k尚吸濕後之耐熱性。 .、、、 編合劑=用一般所使用之任_合劑 r其/使用從％氧外耦合劑、陽離子㈣絲合劑、' 女土石烷耦合劑、鈦酸系矽烷耦合劑及聚矽氧油⑹ 〇11)㈣合射選出之1種以上之搞合劑為佳。藉此，可 =與無機填充材之界面之濕潤性，因此而可更加提高耐 前述耦合劑之添加量由於依前述無機填充材之比表面 積而定，故無特別限定，但相對於無機填充材1〇〇重量份， 以〇. 05至3重量份為佳、以〇·丨至2重量份特佳。由於若 含量未達前述下限值，則在第2樹脂層32中無法充分被覆 無機填充材’故有時提高第2樹脂層32之财熱性之效果會 降低，若超過前述上限值，則會對反應造成影響，而有時 第2樹脂層32之彎曲強度等會降低。 在前述第2樹脂組成物中，依需要也可使用硬化促進 劑。前述硬化促進劑可使用已周知之物。可舉例如：環烧 酸鋅（zinc naphthenate)、環烧酸銘、辛酸錫、辛酸銘、 雙（乙醯丙酮）鈷（II)、參（乙醯丙酮）鈷（III)等有機金屬 49 320314 200908250 •鹽；三乙胺、三丁胺、二氮雜雙環[2, 2, 2]辛烷等3級胺類； 2-苯基-4-甲基咪唑、2-乙基-4-乙基咪唑、2-苯基-4-甲基 咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基咪哇、2-苯基_4, 5-二羥基咪 唑等咪唑類；酚、雙酚A、壬酚等酚化合物；乙酸、苯甲 酸、柳酸、對f苯磺酸等有機酸；或此等之混合物。硬化 促進劑可單獨使用包含此等中之衍生物之丨種，也可併用 包含此等之衍生物之2種以上。 刖述硬化促進劑之含量無特別限定，以佔前述第2樹 脂組成物全體之0.05至5重量％為佳、以〇·2至2重量％ 特:圭。若含量未達前述下限值，則有時會無法顯現促進第 2樹脂組成物硬化之效果，若超過前述上限值，則有時第2 樹脂層32之保存性會降低。 在前述第2樹脂組成物中，也可併用例如：苯氧基樹 脂、聚醯亞胺樹腊、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚苯醚 (polyphenylene oxide)樹脂、聚醚颯、聚酯樹脂、聚乙烯 树脂、聚苯乙烯樹脂等熱塑性樹脂；苯乙烯—丁二晞共聚 物、苯乙烯一異戊二烯共聚物等聚苯乙烯系熱塑性彈性 體，聚烯烴系熱塑性彈性體、聚醯胺系彈性體、聚酯系彈 性體等熱塑性彈性體；聚丁二烯、環氧改性聚丁二烯、丙 烯酉文改性聚丁二烯、甲基丙烯酸改性聚丁二烯等二 性體。 一⑽尔坪 此外’在前述第2樹脂組成物中’也可依需要添加顏 料、染料、消泡劑、均染劑、紫外線吸收劑、發泡劑、抗 氧化劑、阻燃劑、離子捕捉劑等除了上述成分以外之添： 320314 50 200908250 物。 可於第1樹脂層3卜將上述之第2樹脂組成物依n 以清漆之狀態塗布並乾燥之方法、2)以薄膜之狀態積層之 方法等’覆蓋半導體基板1()之—側之面m而埋人穿通孔 1之内心之後’例如：藉由雷射加卫等而選擇性地去除 第2樹脂们2，使端子部2從第2樹脂層32露出。 在此，右令其為按照上述的使端子部2從帛1樹脂層 露出之狀態，選擇性地去除第2樹脂層⑽後，再次使 端子4 2路出而得到帛2樹脂層32之構成，則欲藉由雷射 匕去除之口Ρ刀係僅由第2樹脂層32所構成。由於第2樹 月曰層32疋由耐熱性優良之材料所構成，故即使藉由例如雷 2加工去除，也可確實防止在端子部2露出之位置附近之 第2樹脂層32變質、劣化。 (第3樹脂層33；) 第3树月日層33係以由上述之樹脂組成物所構成為佳， (二丨卩㈣=有具有自*絲合性雙鍵之_、熱硬化性樹 曰、=與前述具有自由基聚合性雙鍵之樹脂不同之具有驗 者性基及雙鍵之樹脂的Α組成；含有環狀稀烴系樹脂 氣組成，或此#的混合物同樣之第3麟組成物所構 為^藉此，可確實地減低半導體基板1〇產生朁曲之情 ^同％可確貫且充分地埋入形成於此半導體基板10之穿 通孔1之内部。 牙 同樣 ，外，第3樹月旨層33也可與前述第i樹月旨層 進行操作而形成。 320314 51 200908250 . 如此，第2實施形態之半導體裝置500係以彈性率不 同之弟1樹脂層31及第2樹脂層32埋入設置於半導體基 板10之穿通孔1者。藉此，可減低半導體基板1〇之彎曲。 換言之’設置於半導體基板10側之第1樹脂層31係使用 彈性率低者，賦予使對基板之應力緩和之機能，另外，接 合於第1樹脂層31而設置之第2樹脂層32則使用彈性率 局者’結果即為使用熱膨脹係數小且财熱性高之樹脂，因 此’在藉由雷射加工而將穿通孔1予以加工時可降低孔側 壁之損傷（亦即賦予时雷射加工性）。 (實施例） 以下’基於實施例及比較例詳細說明本發明，但本發 明並非受此等所限定。 (實施例1A) .合成具有鹼性可溶性基及雙鍵之樹脂（可藉由光及熱兩 者而硬化之硬化性樹脂：甲基丙烯酸改性雙酚a型酚醛 樹脂：MPN) 將雙酚A型酚醛樹脂（PHEN0LITELF —4871，大日本》 墨化學公司製）之固形分麵EK溶液5 中’並在其中添加做 〆 做马觸媒之二丁胺15g、及做為聚合本 巧。，後，加熱至靴。費時30分鐘將甲, 時使其反應，藉^人ff巾’並在1G晴摔5】 紛A型祕樹脂非揮“ ？4%之甲基㈣酸改性雙 、节基丙烯酸改性率50%)。 2.調製樹脂清漆 320314 52 200908250 • 秤量做為具有鹼性可溶性基及雙鍵之樹脂之上述之甲 基丙烯酸改性雙酚A型酚醛樹脂（mpn)31. 74重量％、做為 光^·•合性樹月曰之在室溫為液狀之丙烯酸樹脂單體（新中村 化學公司製，NK酯3G)9. 83重量％、做為熱硬化性樹脂之 雙酚A型酚醛型環氧樹脂（大日本油墨化學工業公司製， EPICLON N — 8 6 5 ) 19. 84 重量 ％、聚矽氧環氧樹脂（Toray D〇w CorningSilcone 公司製，ΒΥ16—115)3· 63 重量％、與做為 粒子狀填充材之氧化s夕（Admatechs公司製，SO —Ε2，平均 粒徑：0.5/zm，最大粒徑：2//111)33. 71重量％，並且添加 甲基乙基酮（MEK，大伸化學公司製）後，調製成使樹脂成分 濃度達71%。然後，攪拌至雙酚A型酚醛型環氧樹脂（N — 865)溶解為止。 其次’使用珠磨機（beads mi 11)(小珠直徑400 //m， 處理速度6g/s，5次），使氧化矽分散。 然後’進一步添加硬化劑（感光劑）（Ciba Specialty (Chemicals 公司製，Irgacure 651)1. 25 重量％，以攪拌翼 (450rpm)攪拌丨小時，藉此得到樹脂清漆。 3. 製造穿通孔埋入材用薄膜 將上述之樹脂清漆以刮刀塗布器（comma coater)塗布 於聚酉曰薄膜（三菱Polyester Film公司製，T100G，厚度 25/zm) ’並在8(rc乾燥1〇分鐘製成薄膜後，得到膜厚5〇 /zm之穿通孔埋入材用薄膜。 4. 製造半導體裝置 準備具有穿通孔（其内面經電鍍處理）之半導體元件。 53 320314 200908250 Λ • 此半導體元件係藉由穿通孔内面之電鍍，而使半導體元件 所具備之半導體基板之機能面與背面導通。於此半導體元 件（半導體基板）上，在6〇它真空積層上述之聚酯薄膜上之 牙通孔埋入材用薄膜，並埋入穿通孔，同時使位於半導體 基板之背面側部分之厚度達50# m。 其次，於穿通孔埋入材用薄膜上覆蓋預定形狀之遮罩 後’使波長365nm之光照射200mJ/cm2而進行圖案曝光。 然後，使用3%TMAH，以喷霧壓力〇. 2MPa顯影120秒，而 形成開口部。其次，在15CTC熱處理90分鐘而使穿通孔埋 入村用薄膜硬化。藉此，得到由埋入穿通孔之埋入部、與 覆蓋半導體基板之背面之層狀之絕緣部所構成的穿通孔埋 入材（絕緣層）。然後’在開口部裝載焊料球（solder ball) ’而得到半導體裝置。 再者，穿通孔埋入材用薄膜在室溫至18〇。〇之最低熔 融黏度係801 Pa·s。 (實施例2A) 除了增加無機填充材之調配量，並按照下述調製樹脂 清漆以外，其餘與實施例1A同樣進行。 秤量做為具有鹼性可溶性基及雙鍵之樹脂之上述之曱 基丙烯酸改性f酚A型酚醛樹脂（MPN)23. 94重量％、做為 光聚合性樹脂之在室溫為液狀之丙烯酸樹脂單體（新中村 化學公司製，NK酯3G)7. 41重量％、做為熱硬化性樹脂之 雙齡A型紛酸r型％氧樹脂（大日本油墨化學工業公司製， EPICL0NN_ 865)14· 97 重量％、聚矽氧環氧樹脂（T〇ray D〇w 320314 54 200908250 C〇rningSiic〇ne 公司製，BY16—115)2.74 重量％、與做為 粒子狀填充材之氧化梦（_批咖公司製，sq —E2，平均 粒徑·· 〇.5/zm，最大粒徑：2_)5〇 〇〇重量％，並且添加 :基乙基酮（職，大伸化學公⑽）後，㈣成使樹腊成分 漠度達71%。'然後，麟至雙紛A型祕型環氧樹脂（N〜 865)溶解為止。 其次，使用珠磨機（小珠直徑400/zm，處理速度6g// s ’ 5次）’使氧化秒分散。 然後，進一步添加硬化劑（感光劑）（Ciba Speciality Chemicals公司製，！rgacure 651)〇 94重量％，以攪拌翼 (450rpin)攪拌1小時，藉此得到樹脂清漆。 再者，穿通孔埋入材用薄膜在室溫至18(rc之最低熔 融黏度係3106Pa.s。 (比較例1A) 除了不使用具有鹼性可溶性基及雙鍵之樹脂，並按照 下述调製樹脂清漆以外，其餘與實施例1A同樣進行。 秤量做為光聚合性樹脂之在室溫為液狀之丙烯酸樹脂 單體（新中村化學公司製，酯3G)14.4〇重量％、做為熱 硬化性樹脂之雙酚A型酚醛型環氧樹脂（大日本油墨化學 工業公司製，EPICLON N— 865)29.07重量％、聚矽氧環氧 樹脂（Toray Dow Corning Si leone 公司製，BY16— 115)5. 32 重1%、與做為粒子狀填充材之氧化矽（Admatechs公司製， S0〜E2 ’平均粒徑：〇. 5/zm ’最大粒徑：2//m)49. 38重量 ^並且添加曱基乙基嗣（MEK ,大伸化學公司製）後，調製 55 320314 200908250 • f使樹脂成分濃度達71%。然後，攪拌至雙酚△型酚醛型 環氧樹脂（N— 865)溶解為止。 其次’使用珠磨機（小珠直徑400 ^111，處理速度6g/ s，5次），使氧化矽分散。 然後，進一步添加硬化劑（感光劑）（Ciba Speciality 〇1丄(^13公司製，11'忌3〇1『6 651)1.83重量％，以擾拌翼 (450rpm)攪拌1小時，藉此得到樹脂清漆。 、 2此樹脂清漆進行製造？通孔埋人材 膜中有龜料足。因此，無法進行其他評估。 膜及及比較例中所得之穿通孔埋入材用薄 =及+¥妓置，進行下述評估。將評估項目與内容 表不。所得之結果如表i所示。 1.穿通孔埋入性 將所叙？祕埋人材㈣齡阶積層於具有穿通 孔之半導體元侧具狀铸體基板而埋人穿通孔 在2〇CW/cm2之條件下曝光，並在1肌硬化9Q分鐘。盆 次，將此半導體元件之穿通孔部分之勤研餘光。以領 微鏡觀察職之半導體元件，評估㈣㈣通孔之深度、， 穿通孔埋入材所填入之程度。各符號如下。 又 ◎:穿通孔埋入材填充穿通孔之95%以上。 〇：穿通孔埋入材填充穿通孔之8〇%以上、且未達⑽ △:穿通孔埋入材填充穿通孔之5〇%以上、且未達咖 X.穿通孔埋入材僅填充穿通孔未達5〇%。 2.顯影性 320314 56 200908250 將所得之穿通孔埋入材用薄膜在25t浸潰於⑽之 TMAH(氫氧化四甲錄）中’若在3分鐘以⑽脂溶•未殘 留於支樓基板聚醋薄膜上，則將顯影性判斷為「有顯影性 (可顯影）」，若樹脂殘留則判斷為「無顯影性（無法顯影；。 各符號如下。 ’」 〇：有顯影性 X :無顯影性 3.解析度（開口率） 穿通孔埋入材用薄膜之圖案化之解析度係如同下述以 開口率評估。 將所得之穿通孔埋入材用薄膜在60。〇積層於聚醯亞胺 薄膜，使用可打開直徑200 /im之通道（via)的負型薄膜遮 罩’使波長365nm之光照射200mJ/cm2而進行圖案曝光。 之後，使用3%TMAH，以喷霧壓力〇. IMPa顯影90秒， 以測長顯微鏡測定被圖案化之通道（測試用之孔）之直徑， 使用下述式計算開口率。 開口率（％) =實測得之開口部之直徑（Am)/遮罩之直徑 200(/zm)xl00 57 320314 200908250 [表1 ] 實施例 1A 實施例 2A 比較例 1A 具有鹼性可溶性基 及雙鍵之樹脂 甲基丙烯酸改性雙酚A型酚醛樹脂 (MPN)(wt%) 31.74 23. 94 0 光聚合性樹脂 丙烯酸樹脂單體(三乙二醇二甲基 丙烯酸酯，商品名：NK酯3G)(wt%) 9.83 7.41 14. 40 調配 熱硬化性樹脂 雙酚A型酚醛型環氧樹脂（商品名： EPICLON N —865)(wt%) 19.84 14.97 29.07 聚矽氧環氧樹脂（商品名：BY16-115)(wt%) 3. 63 2. 74 5.32 硬化劑 感光劑（商品名：Irgacure 651) (wt%) 1.25 0.94 1.83 無機填充材 氧化矽（商品名：S0—E2)(wt%) 33.71 50. 00 49.38 評估 埋入性 ◎ ◎ — 顯影性 〇 〇 — -- 解析度 99 95 — 由表1顯而易見地可知，實施例1A及2A之穿通孔埋 入材之半導體元件之穿通孔埋入性優良。 此外’實施例1Α及2Α之穿通孔埋入材用薄膜之顯影 性及解析度皆優良。 (實施例1Β) 1·調製形成第1樹脂層之第丨樹脂清漆 使用癸基降冰片烯//環氧丙基曱基降冰片烯/苯乙基 降冰片烯-31/30/39之共聚物做為具有光反應性官能基 之環狀烯烴系樹脂。此絲物餘下述方法制。ς 玻璃機益在6GC、G. 1 Torr下乾燥18小時。之後，將玻 璃機器設置於手套卫作箱（glQvebQx)内。其次，在反應燒 瓶中加入乙酸乙醋rq〗7rr、 to 、 、 C917§)、％己烷（917g)、癸基降冰片烯 g，0. 31mol)、環氧丙基甲基醚降冰片烯， 58 320314 200908250 0. 3〇m〇l)、笨乙基降冰片稀（77. 2g，G. 39_ ^瓦财k作箱取出後，在此溶液中通人氮氣3()分_ /、脫乳。然後’在手套工作箱中將做為觸媒之雙（ (全氟苯基）鎳9. 36g(19.5mmol)溶於甲苯15mL $ 又 Μ之注射器中，從手套工作箱取出後，加人至反庫^ 中。之後’在2〇t攪拌5小時使其反應，並且，加^ 酸溶液⑽咖1)並攪拌18小時。停止_，分離成水异 與溶劑層後，去除水層。在剩餘之溶液中加人蒸館水= 擾拌20分鐘後，去除分離之水層。進行錢淨步驟3次= 將該經洗淨之反應溶液加入甲醇中，濾集沉殿物，並以水 充分洗淨後’在真空下乾燥。乾燥後，回收聚合物（共聚 物）309g(產率92%)。由GPC得知所得之聚合物之分子量係 Mw=71000、Μπ = 32000、Mw/Mn=2. 2。由 H —麵得知聚 合物組成係癸基降冰片烯45莫耳％、環氧基降冰片烯3〇莫 耳％、苯乙基降冰片烯25莫耳％。 、 …再者，使用上述之樹脂清漆所得之第1樹脂層之彈性 率係1500MPa，熱膨脹係數係i4〇ppm(i〇〇至2〇〇。〇）。 2.調製形成第2樹脂層之第2樹脂薄膜 使氰酸酯樹脂（酚醛型氰酸酯樹脂：L〇NZA公司製， Primaset PT—30，重量平均分子量7〇〇)3〇重量份、環氧 樹脂（聯苯二伸曱基型環氧樹脂：曰本化藥公司製，Nc — 3000，ί哀氧當量275，重量平均分子量2〇〇〇)ι5重量份、 苯氧基樹脂（聯苯環氧樹脂與雙酚s環氧樹脂之共聚物，且 末^&4具有環氧基· Japan Epoxy Resins公司製，YX — 59 320314 200908250 8100H30 ’重量平均分子量30000)15重量份、硬化觸媒（咪 唾化合物：四國化成工業公司製，Curezol 1B2PZ(卜苯甲 基-2-苯基咪唑））〇. 1重量份溶解、分散於曱基乙基酮中。 並且’添加無機填充材（球狀溶融氧化梦：Admatechs公司 製’ SO—25H，平均粒徑：5//m)40重量份、與耦合劑（環 氧矽烷耦合劑：日本Unicar公司製，A—187)0. 2重量份 後’使用高速攪拌裝置攪拌10分鐘，而調製出固形分50 重量％之樹脂清漆。 於厚度25 Am之PET(聚對酞酸乙二酯）薄膜之單面， 使用刮刀塗布器裝置將在上述中所得之樹脂清漆塗布成使 乾燥後之絕緣膜之厚度達4〇//ιη後，以16(TC之乾燥裝置 乾無10分鐘，而製得附有基材之絕緣片。 再者’使用上述之樹脂清漆所得之第2樹脂層之殚性 率係40〇〇MPa，熱膨脹係數係3〇ppm。 3.製造半導體裝置 將上述之第1樹脂清漆塗布於在板厚方向具有穿通孔 (0 100//m)之半導體基板（0 2〇〇mm，厚度150 // m)上旅使 其乾燥，而埋入穿通孔，並同時覆蓋半導體基板之下徊， 而形成厚度40/zm之第丨樹脂層。 t其次，使用一般之曝光（i線）/顯影製程，將第1樹 ^層之所需部分予以圖案化且使樹脂層僅殘留在穿通孔a 土面，並且以160〇Cxlhr使第1樹脂層在烤爐中硬化。 然後，真空積層第2樹脂薄膜以覆蓋上述之第1樹月旨 層而埋入穿通孔，.並同時形成厚度4〇_之第2樹脂廣。 60 3203 Η 200908250 在此第2樹脂層，在相當於第1樹脂層之穿通孔之部分之 中央使用UV(波長355nm)雷射打洞，並且以200°Cxl. 5hr 在烤爐中使第2樹脂層硬化，而得到半導體裝置。 (實施例2B) 除了按照下述來調配構成第1樹脂層之樹脂清漆以 外，其餘與實施例1B同樣進行。 除了將實施例1B之癸基降冰片烯、環氧丙基曱基醚降 冰片烯、苯乙基降冰片烯之饋入量改成癸基降冰片烯 (106g，0. 45mol)、環氧丙基曱基醚降冰片稀（177g， 0. 30mol)、苯乙基降冰片烯（49.5g，0. 25mol)以外，其餘 與實施例1B同樣進行，而得到癸基降冰片烯/環氧丙基曱 基降冰片烯/苯乙基降冰片烯二45/30/25之共聚物。進 行聚合、再沉殿並乾燥後，回收聚合物319g(產率95%)。 由GPC得知所得之聚合物之分子量係Mw= 69000、Mn = 310 0 0、Mw/ Μη = 2. 2。由Η —丽R得知聚合物組成係癸基降 冰片烯44莫耳％、環氧基降冰片烯31莫耳％、苯乙基降冰 片烯25莫耳％。 再者，使用上述之樹脂清漆所得之第1樹脂層之彈性 率係900MPa，熱膨脹係數係200ppm(100至200°C)。 (實施例祁） 除了按照下述來調配構成第2樹脂層之樹脂清漆以 外，其餘與實施例1B同樣進行。 使氰酸酯樹脂（酚醛型氰酸酯樹脂：L0NZA公司製， Primaset PT—30，重量平均分子量700)40重量份、環氧 61 320314 200908250 樹脂（聯苯二伸f基型環氧樹脂··曰本化藥公司製，Nc— 3000，锿氧當量275，重量平均分子量2〇〇〇)2〇重量份、 苯氧基樹脂（聯苯環氧樹脂與雙酚s環氧樹脂之共聚物，且 末端部具有環氧基：Japan Epoxy Resins公司製，γχ — 8100Η30 ’重1平均分子量3〇〇〇〇)2〇重量份、硬化觸媒（咪 坐化3物.四國化成工業公司製，curez〇i ΐΒ2ρζ(1-苯甲 基―2—苯基咪唑））0.ι重量份溶解、分散於甲基乙基酮中。 並且，添加無機填充材（球狀熔融氧化矽：Admatechs公司 製’ S0-25H ’平均粒徑：〇. 5，）2G重量份、熟合劑（環 氧砍燒輕合劑：日本Unicar公司製，A—187)〇 2重量份 後’使用高速攪拌裝置攪拌1〇分鐘，而調製 重量％之樹脂清漆。 於厚度25//in之PET(聚對酞酸乙二醋）薄膜之， 使用刮刀塗布器裝置將在上述中所得之樹脂清漆塗 乾燥後之絕緣狀厚度達4一後，卩⑽。c = 乾燥10分鐘’而製得时基材之絕緣片。 … 再者，❹上叙樹崎漆所得m化彈 率係3500MPa，熱膨脹係數係42ppm。 弹卜 (實施例4B) 使用由12-祕癸.脫水㈣而得狀 (耐論12)做為第1樹脂層，所得之第i樹脂層之 OMPa，熱膨脹係數係12__至航）。㈣率係 (實施例5B) 樹脂層之樹脂清漆以 除了按照下述來調配構成第 320314 62 200908250 . 外，其餘與實施例1B同樣進行。 使酚樹脂（酚醛型酚樹脂：住友^証以邛公司製，pR — HF —3,羥基當量1〇5)15重量份、環氧樹脂（雙酚F型環 乳樹脂.大日本油墨公司製’ 830 —S，環氧當量175)25重 量份、苯氧基樹脂（雙酚F型環氧樹脂之聚合物，且末端部 具有環氧基：Japan Epoxy Resins公司製，4〇1〇p，環氧 當$ 4400)20重量份、硬化觸媒（咪唑化合物：四國化成工 , 業公司製，（^1^2〇12?脱（2-苯基-4,5-二羥基甲吴嗤 唑））〇· 1重量份溶解、分散於曱基乙基酮中。並^，添加 …機真充材（球狀炫融氧化石夕：入血你咖公司製，s〇 —
Hr均粒傻.G5/zm)4G重量份、與麵合劑（環氧石夕燒 ==.日本unicar公司製，Α—1δ7)〇· 2重量份後，使 之袈置攪拌1〇分鐘’而調製出固形分50重量％ „π^ΡΕΤ(聚對酞酸乙二醋)薄膜之單面， ? 料11裝㈣在上財讀脂清漆塗布成使 乾知後之絕緣膜之厚度達4〇_後，以⑽ 乾燥1〇分鐘，而製得附有基材之絕緣片。 裝置 率係4_ΜΡ吏用=述之樹月1清漆所得之第2樹脂層之彈性 羊係48GGMPa，熱賴係數係4Gppi^ (比較例1β) 、雨孔^不使用第1樹脂層，僅以第2樹脂層進行埋入穿 内权洞以外’其餘與實施例1Β同樣進行。 320314 63 200908250 (比較例2B) 除了按照下述來調配構成第1樹脂層之樹脂清漆，並 在形成第1樹脂層時以積層取代塗布以外，其餘與實施例 1B同樣進行。 使氰酸酯樹脂（酚醛型氰酸酯樹脂：L0NZA公司製，
Primaset PT—30 ’重量平均分子量700)20重量份、環氧 樹脂（聯苯二伸甲基型環氧樹脂：曰本化藥公司製，NC — 3000 ’環氧當量275，重量平均分子量2000)10重量份、 苯氧基樹脂（聯苯環氧樹脂與雙酚s環氧樹脂之共聚物，且 末端部具有環氧基：Japan Epoxy Resins公司製，YX-8100H30 ’重量平均分子量30000)10重量份、硬化觸媒（咪 唾化合物：四國化成工業公司製，Curez〇1 1B2pz(卜苯甲 基-2-笨基咪唑））〇.丨重量份溶解、分散於甲基乙基酮中。 並且外加無機填充材（球狀溶融氧化珍：八伽的echs公司 ，S0—25H ’平均粒徑·· 〇. 5/zm)6〇重量份、與耦合劑（環 氧石夕院輕合劑：日本Unicar公司製，A—187)G 2重量份 後’使用高速授拌裝置攪拌1Q分鐘，而調 重量％之樹脂清漆。 刀 一酯）薄臈之單面， 之樹脂清漆塗布成使 以160。。之乾燥裝置 於厚度25#miPET(聚對酞酸乙二酯
率係 5500MPa， 再者， 里，而製得附有基材之絕緣片。 使用上述之樹脂清漆所得之第1 熱膨脹係數係2〇ppm。 之彈性 320314 64 200908250 對於在各實施例及比較例中所得之半導體裝置，進行 下述評估。將評估項目與内容一併表示。所得之結果如表 2所示。 1. 彎曲 半導體裝置之彎曲係以接觸式之彎曲測定裝置進行評 估。 2. 可靠性 半導體裝置之可靠性係以在180°Cx5hr之熱處理、與 260°C之IR回流xlO次後有無樹脂膨脹、剝離而進行評估。 再者，評估係n=20。各符號如下。 ◎:在18至20/20個半導體裝置，無樹脂膨脹、剝離。 〇：在16至17/20個半導體裝置，無樹脂膨脹、剝離。 △:在13至15/20個半導體裝置，有些微樹脂膨脹、剝 離。. X :在1至12/20個半導體裝置，產生樹脂膨脹、剝離。 3. 雷射加工性 評估在相當於第1樹脂層之穿通孔之部分之中央使用 UV(波長355nm)雷射打洞時之加工性。各符號如下。 〇：觀察/分析孔之壁面後，結果無法辨識到氧化/炭化 X :觀察/分析孔之壁面後，結果可辨識到氧化/炭化 65 320314 200908250 [表2] 實施例 1B 實施例 2B 實施例 3B 實施例 4B 實施例 5B 比較例 1B 比較例 2B 第1樹 脂層 彈性率 (MPa) 1500 900 1500 1080 1500 — 5500 熱膨脹係 數(ριρπι) 140 200 140 12 140 — 20 第2樹 脂層 彈性率 (MPa) 4000 4000 3500 4000 4800 4000 4000 熱膨脹係 數(KM) 30 30 42 30 40 30 30 彎曲（IM) 220 190 210 200 230 450 580 可靠性 ◎ ◎ ◎ ◎ 〇 X X 雷射加工性 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 由表2顯而易見地可知，實施例1B至5B之彎曲量皆 減低。 此外，實施例1B至4B之可靠性特別優良。 此外，實施例1B至5B之雷射加工性也優良。 (產業上之可利用性） 根據本發明，可提供一種能減低半導體基板之彎曲等 產生並同時確實且充分地埋入形成於此半導體基板之穿通 孔之内部的樹脂組成物。 此外，根據本發明，可得到具有由如此之樹脂組成物 所構成之:k入材及絕緣層且減少彎曲的半導體裝置。如此 之半導體裝置為小型且特性相當優良者。 此外，當使用特定之第2樹脂層時，特別可提高雷射 加工性。因此，具有產業上之可利用性。 【圖式簡單說明】 66 320314 200908250 一第1圖係表示具備具有穿通孔之半導體基板的半導體 元件之一例之剖面圖。 、第2圖係在穿通孔被穿通孔埋入材所埋入之狀態的 導體元件之剖面圖。 ,,第3圖係表示第1實施形態之半導體裝置之一部分的 縱剖【ί圖係表示第2實施形態之半導體裝置之-部分的 埋入部 3， 透明基板 5 穿通電極（導體部） 配線圖案 8 半導體基板 11 電路配線 21 弟1樹脂層 31， 第2樹腊層 33 微透鏡 71 半導體元件 101 與機能面相反側之面 半導體裝置（半導體封裝） 【主要元件符號說明】 穿通孔 3 4 6 7 10 12 31 32 60 100 102 500 端子部 絕緣部 間隔件 空隙 導電構件（導電部） 保護膜 開口部 第3樹脂層（防焊層） 焊料凸塊 機能面 320314 67

Claims (1)

  1. 200908250 七、申請專利範圍： 1. 一種樹脂組成物，其係使用於埋入材之樹脂組成物，該 埋入材係用以至少埋入具有貫穿板厚方向且於内部設 置導體部之穿通孔的半導體基板之前述穿通孔，其中， 該樹脂組成物係：含有具有自由基聚合性雙鍵之樹 脂、熱硬化性樹脂、及與前述具有自由基聚合性雙鍵之 樹脂不同之具有鹼性可溶性基及雙鍵之樹脂者；或含有 環狀稀烴系樹脂者。 2. 如申請專利範圍第1項之樹脂組成物，其中， 前述半導體基板係具有機能面、及與該機能面相反 側之面， 前述樹脂組成物係形成埋入前述穿通孔並同時覆 蓋前述相反侧之面的絕緣層者。 3. 如申請專利範圍第1項之樹脂組成物，其中， 前述半導體基板係具有機能面、及與該機能面相反 側之面， 前述樹脂組成物係形成埋入前述穿通孔並同時覆 蓋前述相反側之面的絕緣層，並可對於該絕緣層依光微 影法形成開口部者。 4. 一種埋入材，其係用以至少埋入前述穿通孔之埋入材， 其特徵為： 由申請專利範圍第1項之樹脂組成物之硬化物所 構成。 5. —種絕緣層，其係具有配置於下述相反側之面的層狀之 68 320314 200908250 絕緣部、及與魏緣卿成為 — ϋ且埋人前述穿通孔中 的埋入部，該絕緣層之特徵為： 構成 由申請專利範圍第i項之樹脂組成物之硬化物所 其中’前述半導體基板係具有機能面、及與該機能 面相反側之面。 6.種半導體裝置，係具有申請專利範圍第4項之埋入 材。 7· -種半導體裝置，係具有中請專利範圍第5項之絕緣 8. —種半導體裝置，係具有： 形成有貝穿板厚方向之穿通孔的半導體基板·， 具備以覆蓋前述穿通孔之㈣及前述半導體基板 之一側之面之方式而形成之第丨樹脂層、與接合於該第 1樹月曰層之第2樹脂層的絕緣層；及 貫穿前述第1樹脂層及第2樹脂層而設置於前述穿 通孔之内部的導體部；其中， 前述第1樹脂層之彈性率較前述第2樹脂層之彈性 率低。 9·如申請專利範圍第8項之半導體裝置，其中，前述第工 樹脂層之彈性率係在2500MPa以下。 1〇·如申請專利範圍第8項之半導體裝置，其中，. 成 前述第1樹脂層係由第1樹脂組成物之硬化物所構 320314 69 200908250 前述第1樹脂組成物係：含有具有自由基聚合性雙 鍵之樹脂、熱硬化性樹脂、及與前述具有自由基聚合性 雙鍵之樹脂不同之具有鹼性可溶性基及雙鍵之樹脂 者；或含有環狀烯烴系樹脂者。 11·如申請專觀圍第H)項之半導體裝置，其中，前述環 狀稀煙系樹脂係具有環氧基之降冰片稀系樹脂。、 12.如申請專利範圍第8項之半導體裝置，其中，前述第i 樹脂層係可經由照光而進行圖案化者。 13·如申請專利範圍第8項之半導體裝置，其中，前述第2 樹脂層之彈性率係在3500MPa以上。 14·如申請專利範圍第8項之半導體裝置，其中，前述第2 购旨層在破璃轉移溫度以下之溫度時之熱膨脹係數係 在50ppm以下。 15. =請專利划第8項之半導體裝置，其中，前述第； 2月曰層之與别述第丨樹脂層相反側之面形成有配線圖 木而成且别述配線圖案與前述導體部係電性連接。 16. 如申請專利範圍第15項之半導體裝置，其中， 前述絕緣層復具備以覆蓋前述導體部與前述配線 :木之至少一部分之方式而設置之第3樹脂層，該第3 树脂層係由第3樹脂組成物所構成， 4第3樹脂組成物係··含有具有自由基聚合性雙 雔^樹t、熱硬純樹脂、及與前述具有自由基聚合性 脂不同之具有鹼性可溶性基及雙鍵之樹脂 者，或§有環狀烯烴系樹脂者。 320314 70 200908250 17.如申請專利範圍第8項之半導體裝置，其中，前述半導 體基板之與前述絕緣層相反侧之面形成有配線圖案而 成，且前述配線圖案與前述導體部係電性連接。 71 320314
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