TW200907049A - Peroxide activated oxometalate based formulations for removal of etch residue - Google Patents

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200907049 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發月關於伙微電子裝置移除蝕刻殘餘物質之組合物， 該組合物提供較好的耐腐敍性及改良的清洗效率。特別是 本發明提供由過氧化物活化的水性、高驗性金屬氧酸鹽調 配物其在微電子工業特別有用，^對於從具有金屬線路 及m電子基板移純關餘物質特別有效。本發明 亦提供使用上述組合物清洗上述微電子基板及裝置之方 法。 【先前技術】 微電子製造之不可或缺的部分係、制光阻劑將影像從光 罩或線網轉印至所需的電路層。在實現所需影像轉印之 t使用餘刻過程以形成所需結構。用此方法形成之最常 見結構係、金屬線路及通孔。該等金屬線路詩在處於同一 製：層的積體電路各部分之間形成電連接。該等通靡 』牙過電’丨質層然後用導電金屬填充的孔。該等通孔用於 在積體電路的不同垂直層之間建立電連接。在用於形成金 屬線路及通孔的製程中通常使用含i素氣體。 、在蝕刻過程完成後’大部分光阻劑可藉由化學剝離劑溶 液或=藉由氧氣電漿灰化製程移除。問題係該等姓刻過程 產生高度不溶的含金屬的殘餘物質，其可能無法藉由普通 化學剝離劑溶液移除。此外’在灰化製程期間，該等含金 屬的殘餘物質被氧化而變得更難以移除，特別就基於銘之 積體電路而δ。參見”處理蝕刻及植入殘餘物質”，國際半 128860.doc 200907049 1997 年 8 月，56-63 導體（Semiconductor Internati〇nal)， 頁。 上述蝕刻過程的一實例係積體電路上金屬線路之圖案 化。在此製程中，光阻劑塗層施加於金屬薄膜上，然後透 過一光罩或線網成像以在光阻劑塗層中選擇性地曝光一圖 案。將該塗層顯影以移除已曝光或者未曝光的光阻劑（取 決於所用光阻劑《色調），並在金屬圖案上產生一光阻 劑。殘留的光阻劑通常在高溫下硬烘烤以移除溶劑並視需 要使δ亥聚合物基質交聯。然後執行實際金屬姓刻步驟。該 飯刻步驟經由氣熊雷艰夕说r t , 孔〜、¥水之作用將未經光阻劑覆蓋的金屬移 除。移除此金屬將圖案從光阻劑層轉印至金屬層。然後用 有機剝離劑溶液或用—氧氣電漿灰化程序將殘留的光阻 劑移除（剝除"）。該灰化程序之後通常係使用一液體有機 制離心液之清洗步驟。然而，現有的剝離劑溶液（通常 係驗性剝離劑溶液）將不可溶解的金屬氧化物及其他含金 屬的殘餘物質殘留在積體電路上。 安此㈣製程之另一實例係積體電路上通孔（互連孔）之圖 :在此裝％中’光阻劑塗料施加於電介質薄膜上，然 -圖=光罩或線網成像以在光阻劑塗層令選擇性地曝光 一圖案。將該塗層顯影以移除已曝^者未曝光的光阻劑 ’、於所用光阻劑之色調)’並在金屬圖案上產生一光阻 劑。殘留的光阻劑诵赍乂 >、w 展王尤丨且 φ ± 吊在南溫下硬烘烤以移除溶劑並視需 要使該聚合物基質交聯 此 “ 此崎驟經由氣態電漿的作用…刻步驟。 的作用將未經光阻劑覆蓋的電介 128860.doc 200907049 質移除。移除上述電介質之步驟將圖案從光阻劑層轉印至 電介質層。然後用有機剝離劑溶液或一氧氣電漿灰化步驟 移除(”剝離”)殘留的光阻劑。通常，t亥電介質被蝕刻至下 曰金屬層曝光的位置。鈦或氮化鈦抗反射或擴散壁障層通 常存在於金屬/電介質邊界。此邊界層通常蝕刻透過以曝 露下層金屬。已發現蝕刻透過鈦或氮化鈦層之作用引起鈦 併入在通孔内形成的蝕刻殘餘物質中。氧氣電漿灰化將通

孔殘餘物質氧化使其更難以移除。因此必須隸殘餘物質 移除增強劑加人剝離劑溶液巾以能夠清除該等殘餘物質。 參見”使用現代電漿灰化機移除氮化鈦上生長的二氧化欽 並降低通孔接觸電阻”，Mat, Res. s〇c Sympn，w 卷’ 1998，345_3 52頁。該灰化程序之後通常係、使用一液體 有機剝離劑溶液之清洗步驟。然而，現有的剝離劑溶液 (通常係驗性剝離劑溶液）將不可溶解的金屬氧化物及其他 含金屬的殘餘物質殘留在積體電路上。市面上有一些具有 兩有機溶劑含量的基於㈣的剥離劑及灰化後殘餘物質移 除劑’但其對於其他在通孔中或金屬線路上發現的殘餘物 質不大有效。其等亦需要高溢（通常说或更高）以將殘餘 物質從通孔及金屬線路清除。 在含有金屬薄膜的微電路上使用鹼性剝離劑總是不能生 產出高品質電4，特別是使用含有銘或活性金屬（諸如紹 或欽）與更具正電性金屬（諸如銅或旬之各種組合或合金之 金屬薄膜時。.已觀察到各類金屬腐姓，諸如金屬線路之腐 敍晶鬚、電敍、凹坑、叫π , ^ , 几凹口，其至少部分係由於金屬與驗 I28860.doc 200907049 性剝離劑反應。此外由Lee等人（Proc Interface ,89，第 3 7 149頁）揭示水清洗步驟（用於將有機剝離劑從晶圓移 除）之前很少有腐蝕作用發生。顯然，腐蝕係金屬與清洗 期間所存在的強鹼性水溶液接觸之結果。已知鋁金屬在上 述條件下快速腐蝕，Ambat等人，腐蝕科學，33卷（5)， 684頁，1992 。 先鈉用於避免腐蝕問題之方法，使用含有非鹼性有機溶 劑諸如異丙醇之中間清洗液。然而，&等方法費用高且具 有不需要的安全性、化學衛生及環境影響。 在美國專利號6,465,403中，揭示了用於微電子工業之水 性鹼性組合物，其適於藉由移除光阻劑殘餘物質及其他不 需要的污染物以剝離或清洗半導體晶圓基板。該水性組合 物通常含有（a)—種或多種無金屬離子鹼，其量足以產生約 10-13之pH; (b)約0.01重量％至約5重量％(以％ 表示） 之水溶性無金屬離子矽酸鹽；（(〇約〇 〇1重量％至約ι〇重量 /〇之種或多種金屬螯合劑及（d)視需要之其他成分。 然而，在先前技術中所揭示的組合物中均無法有效地移 除在典型蝕刻製程後殘留的所有有機污染及含金屬的殘餘 物質。利用該等調配物，特別難以移除切的殘餘物質。 因此，需要藉由將無機及有機污染從半導體晶圓基板移除 但不損壞積體電路以清洗上述基板之剝離組合物。隨著單 晶圓工具之廣泛應用，亦需要能夠以較短時間及在比先前 技術中:且合物低的溫度下移除金屬污染及有機污染之調配 物此等組合物不可腐蝕部分構成積體電路之金屬特徵並 128860.doc 200907049 應避免由中間清洗液引起的費減不利結果。在用前-段 落中論述之調配物清洗時，鎮及I呂線路尤其易被腐飯。 【發明内容】 根據本發明’提供—種高度驗性、水性調配物，其包括 ⑷水’（b)至少-種無金屬離子鹼，其量^以產生一具驗 !·生pH ’較好約n至約13 4之鹼性之最終組合物；⑷約 〇.〇1重量。Λ至約5重量％(以％ Si〇2表示）之至少一種水溶性 ，金屬離子賴鹽腐餘抑制劑；⑷約QGi重量％至約财 量〇/°之至少一種金屬螯合劑；及（e)超過0至約2.0重量％之 至少一種金屬氧酸鹽。此等調配物與至少一種可與金屬氧 酸鹽反應而形成金屬過氧酸鹽之過氧化物混合，產生一水 I·生驗性微電子清洗組合物。水的量為1〇〇重量調配物 或組合物之餘數。_另外指明，否則在本申請案中提及 之所有百分比係重量百分比，且係基於組合物之總重。 在足以將不需要的污染物及/或殘餘物質從基板表面清 除之溫度下，使該清洗組合物與半導體晶圓基板接觸一段 時間。本發明之組合物提供增強的耐腐蝕性及改良的清洗 效率。 【實施方式】 本發明之高度鹼性、水性調配物包括（a)水，（b)至少一 種無金屬離子鹼，其量係足以產生—具鹼性pH，較好約Η 至約13 ·4之pH之农終s周配物，（c)約〇.〇 1重量。/。至約$重量 %(以％ Si%表示）之至少一種水溶性無金屬離子矽酸鹽腐 蝕抑制劑；（d)約0.01重量。/。至約10重量％之至少一種金屬 128860.doc 200907049 聲合劑，及⑷超過0至約2.0重量％之至少—種金屬氧酸 鹽。此等調配物與至少一種可與調配物之金屬氧酸趟反應 的過氧化物混合，因此在使用所得的清洗組合物之前形成 了金屬過氧酸鹽。在足以將不需要的污染物及/或殘餘物 質從基板表面清除之溫度下，使所得的清洗組合物與微電 子裝置如半導體晶圓基板接觸一段時間。 本發明提供一種適於與用於將污染物及殘餘物質從半導 ^ 冑晶圓剝離及清除之過氧化物混合的新的水性調配物，其 中遠等調配物含有水（較好係高純度去離子水）、一種或多 種無金屬離子驗、-種或多種無金屬離子石夕酸鹽腐钱抑制 劑、一種或多種金屬螯合劑及一種或多種金屬氧酸鹽。 〃任何適當的驗可用於本發明之水性調配物。該等驗較好 係氫氧化第三銨，諸如氫氧化四烷銨（包括含有羥基及烷 氧基的烷基，通常烷基或烷氧基具有丨至4個碳原子卜= 等鹼性物質中最佳的係氫氧化四甲基銨及三甲基m 基-虱氧化銨（膽鹼）。其他可用的氫氧化第三銨之實例包 曱土 3經丙基氫氧化録、三甲基小經丁基氯氧化 鉍一甲基-4-經丁基氫氧化銨、三乙基_2_羥乙基氫氧化 銨、三丙基-2-羥乙基氫氧化銨、三丁基。，乙基氫氧化 銨、二曱基乙基m基氫氧化錄、二甲基二（2_經乙美） 氫氧化銨、單甲基三(2_經乙基)氫氧化銨、氫氧化四：基 錢、氫氧化四丙基銨、氫氧化四丁基胺、單甲基-三乙： t氧㈣、單f基三丙基氫氧化銨、單甲基三丁基氫氧I 銨、單乙基三曱基氫氧化銨、單乙基三丁基氫氧化錢、二 Ι 28860.doc ΙΟ 200907049 f基二乙基氫氧化錢'二甲基二丁基氫氧化銨及其類似物 及其混合物。 其他在本發明可發揮功能的鹼包括氫氧化銨、有機胺特 別是烷醇胺，諸如2-胺基乙醇、^胺基_2_丙醇、丨_胺基-% 丙醇、2-(2-胺基乙氧基）乙醇、2_(2_胺基乙基胺基）乙醇、 2-(2-胺基乙基胺基）乙胺及其類似物’其他強有機驗諸如 胍、1，3-戊二胺、4_胺甲基义卜辛二胺、胺基乙基哌嗪、 4-(3-胺丙基）嗎啉、1，2_二胺基環己烷、三（2_胺乙基） 胺、2-甲基-1,5-戊二胺及㈣。含有金屬離子諸如納或卸 之鹼性溶液亦可行，但較不佳，因為可能發生殘餘金屬污 染。亦可使用該等額外的驗性組分特別是氮氧化錄與前述 四烧基氫氧化敍之混合物。 該無金屬離子鹼將以能夠提供最終調配物一高鹼性 PH(通常約η至約13·4之pH)之量應用於該調配物。 任何適當的&金屬離子石夕酸鹽可用於本發明之調配物 中。該矽酸鹽較好係矽酸第三銨’諸如矽酸四烷基銨（包 括含有經基及烧氧基的&基，it常在院基或院氧基中U 至4個碳原子）。最佳的無金屬離子矽酸鹽組分係矽酸四曱 基銨。用於本發明的其他適當❹金屬離子石夕酸鹽源可藉 由將任何-種或多種下列物質溶解在高鹼性清洗劑中就地 產生。用於在清潔劑中產生錢鹽之適當的無金屬離子物 質係固體石夕晶圓、砍酸、朦體二氧化碎、發煙二氧化梦或 任何其他適當形式的矽或二氧化矽。 至少—種無金屬離子矽酸鹽將以約〇〇1至約5重量％，較 128860.doc -11 - 200907049 好約0 · 01至2重量％之量存在於調配物中。 本發明之調配物亦調配有一種或多種適當的金屬螯合劑 配製以增加調配物保留溶液中金屬之能力，並增強晶圓基 板上金屬殘餘物質的溶解。用於此目的之金屬螯合劑之典 型實例係下列有機酸及其異構物及鹽類：乙二胺四乙酸 (EDTA)、丁二胺四乙酸、環己烷_丨，2_二胺四乙酸 (CyDTA)、二乙三胺五乙酸（DETPA)、乙二胺四丙酸、值 乙基）乙二胺三乙酸（HEDTA)、N，N，N，，N，-乙二胺四（次曱基 膦）酸（EDTMP)、三伸乙四胺六乙酸（TTHA)、以二胺基_ 2-羥基丙烷-N,N，N’，N’-四乙酸（DHPTA)、甲基亞胺基二乙 酸、丙二胺四乙酸、氮川三乙酸（NTA)、檸檬酸、酒石 酸、葡萄糖酸、糖二酸、甘油酸、草酸、苯二甲酸、馬來 酸、^杏仁酸、丙二酸、乳酸、水揚酸、兒茶盼、沒食子 酸、沒食子酸丙酯、焦五倍子酚、8-羥基喹啉及半胱氨 酸。 較佳金屬螯合劑係胺基羧酸諸如環己烷_丨，2_二胺四乙酸 (CyDTA)。此類金屬螯合劑對通常在電漿，，灰化”後在金屬 線路及通孔上發現的含鋁殘餘物質具有高親和力。此外， 用於此類金屬螯合劑之pKa通常包括—約12的？反&，其提 高了本發明組合物的性能。 至少一種金屬螯合劑將以約0.01至約1〇重量％，較好約 0.01至約2重量％之量存在於調配物中。 來自週期表V族及vi族之過渡金屬之任何適合的金屬氧 酸鹽可應用於本發明調配物中。該金屬氧酸鹽組分可包括 128860.doc 200907049 一種或多種選自單核金屬氧酸鹽、均多核金屬氧酸鹽及雜 多核金屬氧酸鹽之金屬氧酸鹽。本發明之過渡金屬金屬氧 酸鹽包括鉬（Mo)、鎢（W)、釩（V)、鈮（Nb)、鉻（Cr)或组 (Ta)之金屬氧酸鹽。金屬氧酸鹽以超過〇至約2重量％之 里，較好以約〇.〇1至約2重量之量存在於調配物中。

適合的單核金屬氧酸鹽包括如式[Μ〇ρ]η·ζ+所示之金屬氧 酸鹽，其中Μ為高氧化態前期過渡金屬諸如Cr、ν、Μ〇、 W、Nb及Ta，Ζ係電荷平衡反離子。最佳電荷平衡反離子 係貝子、四烷基銨及銨陽離子。金屬離子諸如鈉或鉀亦可 行，但較不佳’因為可能發生殘餘金屬污染。上述適合的 單核金屬氧酸鹽實例之一係例如（ΝΗ4)2Μ〇〇4，其中ΝσΗ4+ 係電荷平衡反離子，而Μο〇4_係金屬氧酸根。 適合的均多核金屬氧酸鹽包括如式[Mm〇p]n.z+所示之金 屬氧酸鹽’其中Μ為高氧化態前期過渡金屬諸如。、ν、 W、Nb及Ta’且ζ係電荷平衡反離子。該等金屬氧酸 鹽係由單核金屬氧酸鹽藉由與酸縮合所形成。適合的均夕 核金屬氧酸鹽實例之-係⑽4)馬〇24，其中NH/係電二 平衡反離子，❿Μ〇7〇2,係均多核金屬氧酸根。 雜多核金屬氧酸鹽包括如式[XxMm〇p]n-z+所示之金屬：酸 鹽’其中Μ為高氧化態前期過渡金屬諸如。、ν、心、 :、Nb及Ta; X係一雜原子，其可為過渡金屬或者 " 衡反離子適合的雜多核金屬氧酸蜂眚 原子X而w為前期過渡金屬Μ 例之—係、H4SiWl2〇4G，其中Η+係電荷平衡反離子，s = ^ \ rfn W7 -5¾. -tfn ιά λλ- α _ 句雜 128860.doc -13- 200907049 本發明5周配物可含有不損害清洗組合物效果之可選成 分，諸如（例如）界面活性劑、殘餘物質移除劑增強劑及其 類似物。 用於本發明調配物的適合金屬氧酸鹽包括（但不限於）鉬 酸銨（(NH4)2Mo〇4)、鎢酸銨（(NH4)2W〇4)、鎢酸（h2W〇4)、 偏釩酸銨（NH4V〇3)、七鉬酸銨（(NH4)6M〇7〇24)、偏鎢酸銨 ((NH4)6H2W12〇40)、仲鎢酸銨（(NH4)i()H2Wi2〇42)、十釩酸 四曱銨（（TMA)4H；2V丨0〇28)、十銳酸四甲銨 ((TMA)6Nb10〇28)、重鉻酸銨（(NH4)2Cr2〇7)、磷鉬酸銨 ((NHAPMouO4。）、矽鎢酸（H4SiWi2〇4〇)、磷鎢酸 (H3PW12O40)、填酸（h3PMo12〇40)、石夕 |目酸（H4SiMo12〇40) 及鉬釩磷酸鹽（HJMoioVWw)。 本發明之較佳調配物實例包括（但不限於）含有2.丨％氫氧 化四甲銨、0.14%矽酸四甲銨、〇 12%反式·丨，2環己二胺四 乙酸及約0.01至約2%鉬酸銨或矽鎢酸及其餘為水至1〇〇% 之調配物。 上述調配物將與至少一種過氧化物以上述調配物與過氧 化物約5:1至約40:1之比率，較佳以15:1至3〇:1之比率，且 最佳以20:1之比率混合，以提供微電子清洗組合物。可使 用可與上述調配物之金屬氧酸鹽反應形成金屬過氧酸鹽之 任何適合的過氧化物。適合的過氧化物包括過氧化氫；過 氧酸諸如過氧一磷酸（H4P2〇8)、過氧二硫酸（H4S2〇8)、鄰 笨二甲醯亞胺基過氧己酸、過氧乙酸（C2H4〇3)、過氧苯曱 酸、二過氧苯二甲酸及其鹽；及烷基過氧化物諸如過氧化 128860.doc •14· 200907049 苯甲醯、過氧化甲基乙基綱 丁基異丙苯。較佳的過氧化物係過氧化 ^本、過氧化三級 增強的清洗效率據認為係過氧化物^等 質活化之結果。在驗性溶液中，…亥等金屬氣酸鹽物 、Cr' Vv、NbV、及^屬乳酸鹽（金屬f、 金屬過氧酸鹽。該等金屬 ”過聽物反應形成無機 效果。首先，金>1=^ 種方柄強清潔 无金屬過氧酸鹽分解產生單重

高反應性自由基氧化劑，為 =H k该早重悲軋可增進殘餘物質 艨 '—紐a A ^ 、軋化且因此增進殘餘物質的 洛解。已知金屬過氧酸鹽亦為有 ' 高效觸媒。該催化活性可增強 I乳化物乳化之 公& S 5$基於妷之殘餘物質的氧化與 移除。 因為於此Q ☆液中產生的所得金屬過氧酸鹽分解，該等 溶液的壽命通常有限。根據由過氧化錮酸鹽所產生溶液之 紅色’财數第三段落中含有鉬酸銨的較佳調配物，當其與 20:1稀釋比之過氧化氫（鳩)混合時在抑了顯示一介於5 分鐘（2%!目酸銨）與45分鐘（〇.〇1%銦酸錢）之壽命。就前數 第三段落中含有矽鎢酸之較佳調配物而言，根據顏色變 化，由調配物與20%過氧化氫（2〇:1)混合所得之清洗組合 物之壽命長得多，介於45分鐘（2%矽鎢酸）與5小時（〇 〇1% 矽鎢酸）。鋁蝕刻速率之測量隨含有前數第三段落中含有 矽鎢酸（0.5%)之較佳調配物之清洗組合物而變化，其中當 較佳調配物以20:1稀釋比與過氧化氫2〇%混合時，顯示一 僅為3 _ 5小時的槽池壽命，但該組合物可藉由加入過氧化 128860.doc -15- 200907049 氫重新活化。加熱該等組合物引起該等組合物壽命大幅縮 短。 在該等用於半導體及微晶圓工業之清洗組合物中使用金 屬氧酸鹽之另一顧慮係在處理後金屬可能殘留在晶圓表面 上。用XPS(X射線光電子光譜法）測試來自該等組合物的鉬 與鶴之金屬吸收。在將鋁及TEOS晶圓在前數第四段落之 含有鉬酸銨及鎢矽酸鹽的較佳調配物（其與過氧化氫20%以 20:1比率混合）中處理後，在去離子水中清洗1分鐘，然後 在氬氣中乾燥’在任何晶圓表面上觀察不到鉬或鶴。顯示 δ亥專金屬陰離子可輕易地從晶圓表面清洗去，過渡金屬污 染將不會係該等調配物之問題。 本發明清洗組合物之蝕刻速率在25°C下用前數第五段落 之較佳調配物測量’其中調配物中加入稀釋比為2〇:丨之 20%過氧化氫。作為比較，製備一對照調配物而不用任何 金屬氧酸鹽（對照調配物=水、2.1 %氫氧化四曱銨、〇.丨4〇/。 矽酸四曱銨、0,12%反式-u-環己二胺四乙酸）。與對照調 配物相比，所有經測試的含有矽鎢酸或鉬酸銨的較佳清洗 組合物並不明顯降低鋁、鈦及TE〇s蝕刻速率，但鎢餘刻 速率約為用對照調配物所獲得之蝕刻速率的一半。 在銘金屬線路及通孔上測試了該等較佳調配物（其中加 入了稀釋比20:1之20%過氧化氫）之清洗效率。作為一對照 物’使用如一段落之對照調配物。就經測試的銘金屬線路 而言’對照調配物只能在45。(：下在5分鐘後移除所有殘餘 物質’但即使在25。(：下5分鐘後總是觀察到電流腐蝕。對 128860,doc 16 200907049 於兩種較佳調配物’與對照調配物相比，觀察到電流腐蝕 大幅減少，在較低溫度下及在較短處理時間内實現殘餘物 質之移除。對於含有鉬酸銨（0.1%)的較佳調配物，在25C>c 下在僅僅2分鐘内該等金屬線路被清潔但不受腐蝕，對於 含有矽鎢酸（0.5%)的較佳調配物，在25<；(：下2分鐘内該等 金屬線路被完全清潔，但幾乎觀察不到腐蝕。就經測試的 鋁通孔而言，在25。(：下該對照調配物可在僅僅5分鐘内清 潔該等通孔，該調配物含有稀釋比2〇:丨之2〇%過氧化氫。 含有矽鎢酸的較佳調配物容許使用較高的調配物與2〇%過 氧化氫之比率（30:1)而不會觀察到用對照調配物引起的腐 蝕增強。在該情況下，在25t：下在僅僅2分鐘内可以完成 清潔。 通常，含有矽鎢酸及鉬酸銨之較佳調配物顯示優於對照 調配物的腐蝕抑制作用及清洗效率。同樣在兩種情況下， 相對於對照調配物，鎢蝕刻率幾乎下降一半。 雖然已根據具體的實施例描述了本發明，應瞭解在不背 離此處所揭示發明概念之精神及範圍的前提下，可進行改 變 '改良及變更。因此，旨在包含所有屬於附加申請專力 範圍之精神及範圍之内的改變、改良及變更。 128860.doc

Claims (1)

1. 200907049 十、申請專利範圍： 1 · 一種用於清泳4電子裝置之與過氧化物組合之驗性水性 調配物，該調配物含有：（a)水；（b)至少一種無金屬離子 驗，其量係足以產生一具有鹼性pH之最終調配物；（c)約 0.01重量％至約5重量％(以％ Si〇2表示）之至少一種水溶 性無金屬離子矽酸鹽腐蝕抑制劑；（d)約〇.〇 1重量％至約 10重量％之至少一種金屬螯合劑；及（e)超過〇重量％至約 2.0重量％之至少一種金屬氧酸鹽。 2. 如請求項1之調配物，其中該金屬氧酸鹽係選自由鉬 (Mo)、鎢（W)、鈒（V)、鈮（Nb)、鉻（Cr)及组（Ta)組成之 群的金屬之金屬氧酸鹽。 3. 如請求項2之調配物，其中該金屬氧酸鹽係選自由單核 金屬氧酸鹽、均多核金屬氧酸鹽及雜多核金屬氧酸鹽組 成之群。 4. 如請求項2之調配物’其中該調配物之鹼性pH係約pH 1 1 至約13.4。 5. 如請求項2之調配物，其中該無金屬離子鹼係氫氧化 録’該無金屬離子矽酸鹽係矽酸第三銨，及該金屬螯合 劑係胺基羧酸。 6. 如請求項5之調配物，其中該金屬氧酸鹽係選自由鉬酸 銨（(ΝΗ4)2Μο04)、鎢酸銨（(NH4)2W04)、鎢酸（h2 w〇4)、 偏釩酸銨（nh4vo3)、七鉬酸銨（（nh4)6m〇7o24)、偏鎢酸 銨（(NH4)6H2W1204〇)、仲鎢酸銨（(NH4)10H2W12〇42)、十釩 酸四曱鈹（（TMA)4H2V10〇28)、十銳酸四甲銨 128860.doc 200907049 ((TMA)6Nb10O28)、重鉻酸銨（(NH4)2Cr2〇7)、磷鉬酸錢 ((NH4)3PMo1204。）、矽鎢酸（H4SiWi2〇4〇)、磷鎢酸 (H3PW12O40)、磷鉬酸（H3PM〇12〇40)、矽鉬酸 (H4SiMo1204〇)及鉬釩磷酸鹽（H5PM〇igV204())組成之群。 7.如請求項6之調配物，其中該無金屬離子鹼係氫氧化四 曱銨，該無金屬離子矽酸鹽係矽酸四曱銨，該金屬養人 劑係反式-1，2-環己二胺四乙酸，及該金屬氧酸鹽係選自 由鉬酸銨及矽鎢酸組成之群。

   8 ·如請求項7之調 石夕酸四甲銨、0.12%反式-1，2-環己二胺四乙酸、及約〇 〇ι 至約2。/。金屬氧酸鹽、及其餘為使其全量至ι〇〇%之水。 9. 如請求項8之調配物，其中該金屬氧酸鹽係鉬酸銨。 10. 如請求項8之調配物，其中該含氧鉬酸鹽係矽鎢酸。 11. 種用於清潔微電子裝置的鹼性、水性清洗組合物，該 /月洗組合物含有如請求項丨之調配物與至少一種過氧化 人—考以約5:1至約40:1之調配物與過氧化物之比混 士八：其中該至少一種過氧化物可與金屬氧酸鹽反應形 成金屬過氧酸鹽。 1 2 · —種用於、、备 、主、“ ^减電子裝置的驗性、水性清洗組合物，該 清洗組合物A古 ^ 物，二者有如知求項2之調配物與至少一種過氧化 合，且其/ 5·1至約4〇:1之調配物與過氧化物之比混 成金屬過二:^一種過氧化物可與金屬氧酸鹽反應形 種用於凊潔微電子裝置的驗性、水性清洗組合物，該 128860.doc 200907049 清洗組合物含有如請求 物，二者以約5.!至約4〇1 少一種過氧化 ——約40:1之調配物與過氧化物之比混 :八屬 少一種過氧化物可與金屬氧酸鹽反應形 成金屬過氧酸鹽。 求項η之鹼性、水性清洗組合物，其中該至少一種 過氧化物包括過氧化氫。 15·=求項12之驗性、水性清洗組合物，其中該至少-種 過乳化物包括過氧化氫。 16.=請求項13之鹼性、水性清洗組合物，其中該至少-種 過乳化物包括過氧化氫。 17, I種用於將污染物或殘餘物質從微電子基板清除之方 足’包括將該微電子基板與如請求項"之清洗組合物在 以移除4物或殘餘物f之溫度下接觸—段時間。 ^種用於將污染物或殘餘物質從微電子基板清除之方 足’包括將該微電子基板與如請求項12之清洗組合物在 ^移除污染物或殘餘物f之溫度τ接觸—段時間。 ^種用於將污染物或殘餘物質從微電子基板清除之方 足包括將該微電子基板與如請求項13之清洗組合物在 从移除污染物或殘餘物質之溫度下接觸—段時間。 ·:種用於將污染物或殘餘物質從微電子基板清除之方 足以f微電子基板與如請求項16之清洗組合物在 除〉7染物或殘餘物質之溫度下接觸-段時間。 128860.doc 200907049 七、指定代表圖： (一) 本案指定代表圖為：（無）。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明： 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： (無）

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