TW200848422A

TW200848422A - Red emitter complexes of Ir(III) and devices made with such compounds

Info

Publication number: TW200848422A
Application number: TW096120130A
Authority: TW
Inventors: Norman Herron; Ying Wang; Viacheslav A Petrov; Mark A Guidry; Jeffrey A Merlo; Kerwin D Dobbs
Original assignee: Du Pont
Priority date: 2006-06-02
Filing date: 2007-06-05
Publication date: 2008-12-16
Also published as: WO2007143201A1; EP2027230A1; US20070278936A1; JP2009539768A

Description

200848422 九、發明說明：【發明所屬之技術領域】本揭示案大體而言係關於Ir(I 係關於⑽合物為活性組份之裝置。、、4錯合物。其亦【先前技術】有機電子裝置定義為一類包括活性層之產品。該等裝置將電能轉化為輻射、經由電子方法偵測信號、將輕射轉化為電能或包括一或多個有機半導〇 Ο π to曆。有機發光二極 (OLED)為包含能夠電致發朵夕J电双心九之有機層的有機電子裝置。在某些OLED中，此等光敏性有機層包含簡單有機分子、共輕聚合物或有機金屬錯合物。該等光敏性有機層可夹於電接觸層之間。當將電塵施加跨越此等電接觸層時，有機層發光。自OLED中之光敏性有機層發射之光可用於（例如）電子顯示器及微電子裝置中。眾所熟知將有機電致發光化合物用作LED中之活性組份。已知諸如蒽、噻二唑衍生物及香豆素衍生物之簡單有機分子展示電致發光。亦已將半導性共軛聚合物用作電致發光組份，如在例如Friend等人之美國專利第5,247，19〇號、Heeger等人之美國專利5,408，109&Nakan〇等人之已公開I洲專利申請案443 861中所揭示的。8-經基啥琳基與三 4貝金屬離子（尤其銘）之錯合物已廣泛地用作電致發光組份，如例如在Tang等人之美國專利5,552,678中所揭示的。

Burrows及Thompson已報導：面-參（2-苯基吡啶）銥可用作有機發光裝置中之活性組份（Appl. Phys. Lett. 1999，75， 121565.doc 200848422 4.)。當銥化合物存在於主體導電材料中時，效能得以最大化。Thompson已進一步報導活性層為摻雜面-參[2-(4’，5’-二氟苯基”比啶-C’2，N]錶（III)之聚（N-乙烯基咔唑）之裝置 (Polymer Preprints 2000，41(1)，770) 〇【發明内容】本發明提供式I或式II之化合物

%。- -R6 ϋ

式I

其中： η為1、2或3 ; ρ為0、1或2 ; η+ρ之總和為3 ; 121565.doc 200848422 R、R2、R3及R4各獨立地為H、F、烷基、燒氧基、三烷基矽烷基、三芳基矽烷基、芳基或經取代芳基； R5及R7各獨立地為烷基或芳基；且 R6為Η或烷基； R8為Η、F或烷基，其限制條件為R1、R2、R3、r/及R8中之至少一者不為Η。在一些實施例中，R5及R7為甲基且义6為Η。在一些實施例中，亦提供包含本發明之化合物之組合物。在另一實施例中，本發明係關於包含至少一包括至少一種本發明之化合物之活性層的電子裝置。在某些實施例中’該層含有兩種或兩種以上此等化合物。在某些實施例中’藉由要求增強有機溶劑中之溶解度之基於溶液的技術來處理材料’該有機溶劑中溶解度之增強可藉由適當選擇取代基R1至R8來提供。命述之一般描述及以下之詳述僅為例證性及解釋性描述且並非限制如隨附申請專利範圍所界定之本發明。【實施方式】本發明提供具有式I或式II之化合物 r

121565.doc 10- 200848422

其中：

η為1、2或3 ; ρ為0、1或2 ; η+ρ之總和為3 ; R1、R2、R3及R4各獨立地為H、F、烷基、烷氧基、三垸基矽烷基、三芳基矽烷基、芳基或經取代芳基。 R5及R7各獨立地為烷基或芳基；且 R6為Η或烷基。 R8為Η、F或烷基，其限制條件為r1、r2、r3、R4及r8中之至少一者不為Η。以上已描述多個態樣及實施例且其僅為例證性而非限制性的。在閱讀本說明書之後，熟習此項技術者將瞭解在不背離本發明之料之情況下可能存在其他態樣及實施例。自以下實施方式及中請專利範圍將顯而易見任—個或多個實施例的其他特徵及益處。在一實細例中’ η為i且ρ為2。在其他實施例中，η為2 且…。在其他實施例中，η為3且ρ為〇。在某些實施例中，本發明係關於化合物之混合物，⑷其中η為1且ρ為2且 121565.doc -11 · 200848422 (b)其中η為二且卩為ι。在某些實施例中混合。該等化合物中之一或多者可與聚合物 Ο ϋ 在一些實施例中，該尊化合物具有電荷輸送性質。舉例而5 ’電子輸送層包含具有雷早於w 报相、百電子輸运性質之化合物可較為里心。又，該等化合物因具 … 光敏f而使其適用於諸如發先層之光敏性層。义應瞭解，為清楚起見而在單猸者牡早獨貝鈿例的上下文中描述之本，明的某些特徵亦可組合提供於單個實施例中。反之，為簡潔起見而描述於單個實施例之上下文中之本發明的各種特徵亦可單獨提供或以任何子組合形式提供。此外，以範圍形式表述之值包括該範圍内之每個值。在本發明之-實施例中，前述化合物中之至少-者係包括於電子裝置的至少一層卜舉例而言，根據本發明之：合物可用於光敏性層、電荷輸送層及兩種類型之層中。在本發明之一些實施例中，本發明係關於一種具有前述化合物中之至少一者的電子裝置。在一些實施例中，本發明係關於一種包含前述化合物中之至少一者及溶劑、加工助劑或聚合物中之至少一者的組合物。亦提供包含本發明之化合物及加工助劑、電荷輸送材料、電荷阻斷材料或其組合之組合物。此等組合物可為任何形式，包括（但不限於）溶劑、乳液及膠狀分散液形式0 如本文所用之燒基”包括具有指定數目碳原子之支鏈與 121565.doc •12- 200848422 直鏈飽和脂族烴基。除非另外指定，否則該術語亦意欲包括環狀基。烧基之實例包括甲基、乙基、丙基、異丙基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、異戊基、環戊基、己基、％己基、異己基及其類似基團。術語，，烷基，，進一步包括經取代烴基與未經取代烴基。在一些實施例中，烷基可絰單取代、雙取代及三取代。經取代烷基之一實例為三氟曱基。其他經取代烷基係由本文所描述之取代基中之一或多者形成。在某些實施例中，烷基具有1至12個碳原 1 子。在其他實施例中，該基團具有1至6個碳原子。術語’’芳基”意謂具有多達20個碳原子之芳族碳環部分，其可為單個環（單環）或稠合在一起或共價連接的多個環（雙環，至夕二環）。芳基部分之任何合適之位置可共價連接至才日疋化學結構。芳基部分之實例包括（但不限於）苯基、 1-萘基、2-萘基、二氫萘基、四氫萘基、聯苯基、蒽基、菲基、苐基、二氫茚基、伸聯苯基、二氫苊基、苊基及其 f 類似基團。在一些實施例中，芳基具有6至20個碳原子。除非另外指定，否則所有基團可經取代或未經取代。諸如（但不限於）烧基或芳基之視情況經取代之基團可經一或多個相同或不同的取代基取代。合適之取代基包括烧基、芳基、硝基、氰基、-N(R7)(R8)、_基、羥基、叛基、烯基、炔基、環烷基、雜芳基、烷氧基、芳氧基、雜务氧基、烧氧魏基、全氣烧基、全氟烧氧基、若烧基、硫烧氧基、-S(0)2-N(R7)(R8)、-(11(==0)-1^(117)^8)、（r7)(r8)n_ 烧基、（R7)(r8)n-烷氧基烷基、（r7)(r8)N-烷基芳氧基烷 121565.doc -13- 200848422 基、_S(〇)s_ 芳基（其中 S = 〇_2^_s(0)s_雜芳基（其中 s==〇_2)。各R7及R8獨立地為視情況經取代之烷基 '環烷基或芳基。在某些實施例中，尺7及R8連同其所結合之氮原子可形成環系統。前綴’’雜’’表示一或多個碳原子已經不同原子置換。另外，始終使用IUPAC編號系統，其中將來自週期表之族自左至右編號為！至丨8(CRC Handbook of Chemistry and Physics，2000年，第 81版）。術語’’基團”意欲意謂化合物之一部分，諸如有機化合物中之取代基。術語”薄膜”與術語”層”可互換使用且係指覆蓋所要區域之塗層。泫術語不受尺寸限制。舉例而言，在一些實施例中，該區域可與整個裝置同樣大。在其他實施例中，該區域可與諸如實際視頻顯示器之特定功能區域同樣小，或與單一子像素同樣小。另外，該區域可連續或不連續。薄膜可藉由包括（但不限於）氣相沈積、液相沈積及熱轉移之任何習知沈積技術來形成。舉例而言，在一些實施例中，薄臈可藉由諸如旋塗、凹板印刷式塗佈、簾幕式塗佈、浸塗、狹縫型擠壓式塗佈、喷塗、連續式噴嘴塗佈之連續=

積技術製造，且在其他實施例中，薄膜可藉由諸如噴墨印L 刷、接觸印刷（諸如凹板印刷、絲網印刷）及其類似技術之不連續沈積技術，或實際有效引起薄膜產生的任何其他方式來形成。〃術浯單體係指能聚合之化合物。術語"單體單元，，係扑 121565.doc •14· 200848422 在聚合物中重複之單元。術語"聚合"意欲涵蓋募聚物且包括具有兩個或兩個以上單體單元之物質。短語”鄰近"當用以指裝置中之層時未必意謂一層緊接著另一層0 Ο Ο 如本文所使用，術語"包含”、"包括”、”具有”或其任何其他變化形式意欲覆蓋非排他性包涵。舉例而言，包含一列要素之製程、方法、物品或設備未必僅限於彼等要素而可包含未清楚列出或此製程、方法、物品或設備所固有之其他要素。另外，除非清楚作出相反規定，否則，，或”係指包括”或’’在内而並非排他性的”或”。舉例而言，條件Α4Β 係由以下所述之任一者來滿足：Α正確（或存在）且Β錯誤 (或不存在）；A錯誤（或不存在）且b正確（或存在）；及八與3 兩者均正確（或存在）。同樣，”該，，或”一 ”係用於描述本發明之要素或組份。此僅係出於簡便之目的使用並給出本發明之一般意義。除非其明顯具有其他意義，否則此描述應理解為包括一個或至少一個且單數亦包括複數。對應於週期表内之行的族數使用如q/* 少⑽第si版（2〇〇〇_2〇〇l)中所見之丨’新符號（New Notation)，，的慣例。除非另外定義，否則本文中所使用之所有科技術語具有與熟習本發明所屬領域之技術者通常所瞭解的意義相同的意義。儘管與本文中所描述之方法及材料類似或相當之方 121565.doc -15· 200848422 法及材料可用於本發明實施例的實施或測試中，但在下文中將描述合適的方法及材料。除引用特定章節外，本文中所提及之所有公開案、專利申請案、專利及其他參考文獻之全部内容皆係以引用的方式併入本文中。在相對立的情況下，將以本說明書（包括定義）為主。另外，材料、方法及只例僅為說明性的且不欲為限制性的。對於本文巾未描述之範圍，許多有關特定材料、處理過程及電路之細節為習知的且可見於涉及有機發光二極體顯不器、光谓測器、光電及半導體構件技術範圍内之課本及其他來源中。可自具有-或多個包含本發明之至少一種化合物之層受益的有機電子裝置包括(但不限於)：⑴將電能轉化為輻射之裝置(例如，發光二極體、發光二極體顯示器或二極體雷射)；(2)經由電子處理制信號之裝置(例如光们則器、料·電池、光電阻、光開關、光電晶體、光電管、则測 (3)將幸田射轉化為電能的裝置(例如光伏打裝置或太陽月匕電池），及（4)包括一或多個包括一或多個有機半導體層電子、、且件之裝置（例如電晶體或二極體）。根據本發明之組合物之其他用途包括用於記憶體儲存裝置、抗靜電薄、生物傳感器、電鉻裝置、固體電解質電容器、能量儲存裝置（諸如可充電電池）及電磁屏蔽應用之塗層材料。 s個有機電子裝置結構之圖示展示於圖丨中。裝置切〇具 :陽，層110及陰極層16〇，及位於其間的光敏性層㈣。 ;、、陽極者為包合電荷輸送層（例如電洞輸送材料）之層 121565.doc • 16 - 200848422 ::Γ陰極者可為包含電子輸送材料之電荷輸送層乍為選擇’裝置可在緊接著陰極處使用其他電子輪达層或電洞輸送層150。上如本文中所使用’術語”光敏性"係指當由所施加之電壓 (堵如於發光二極體或發光化學電池中）激發時發光之材料 _射能起反應且在施加或不施加偏壓(諸如於㈣測盗中）時產生信號之材料。在—實施例中，光敏性層為發射層。

Ο 如本文中所使用，術語，，電荷輸送,，當指層或材料時意欲意謂該層或該材料便利該電荷以相對有效及較小電荷損耗遷移通過該層、該材料、構件或結構之厚度，且意義足夠廣泛以包括可充當電洞輸送或電子輸送材料的材料。術語 "電子輸送”當指層或材料時意謂該促進或便利電子遷移通過該層或該材料進人另—層、另—材料、另—構件或另一結構之層或材料、構件或結構。術扣電荷阻斷§ &層、材料、構件或結構時意欲意謂該層、該材料、該構件或該結構將降低電荷遷移進入另一層另材料、另一構件或另一結構之可能性。術語π電子阻斷田才曰層、材料、構件或結構時意欲意謂該降低電子遷移進人另-層、另_材料、另—構件或另—結構之可能性的層、材料、構件或結構。視裝置100之應用而定，光敏性層13〇可為由所施加之電壓（例如在發光二極體或發光電化電池中）激發的發光層，對輻射能量起反應且在施加或不施加偏壓（例如在光偵測 121565.doc •17- 200848422 器中）之情況下產生信號之材料層。光偵測器之實例包括光導電池、光電阻、光開關、光電晶體及光電管及光電電 /也此荨術 a吾在 Kirk-Othmer Concise Encyclopedia of

Chemical Technology，第 4版，第 1537 頁，（1999)中已得以描述。在某些實施例中，電荷輸送層（例如電子輸送層14〇)包含至少一種根據本發明之化合物。

ϋ 在某些實施例中，光敏性層13〇包含至少一種根據本發明之化合物。此外，光敏性材料可進一步與化合物混合。波置中之其他層可由已知可用於此等層中之任何材料製造。陽極110為對於注射正電荷載流子尤其有效之電極。其可由（例如）含有金屬、混合金屬、合金、金屬氧化物或混合金屬氧化物之材料製造，或其可為導電聚合物及其混合物。適當之金屬包括第u族金屬、第4、5及6族金屬及第8、10族過渡金屬。若欲使陽極透光，則一般使用第 12、13及14族金屬之混合金屬氧化物，諸如氧化銦錫。陽極110亦可包含如描述於”nexible Hght emitting diol made from soluble conducting p〇lymer，”Nature 第 357卷，第477·479頁（1992年6月U日）中之有機材料，諸如聚苯胺。陽極及陰極中之至少—者應至少部分透明以使所產生的光可被觀察到。電洞輸送層（其為便利負電荷遷移通過該層進入電子裝置之另-層之層)可包括任何數量之材料。例如於Υ ^Kirk Othmer Encycl〇pedia of Chemical ^ ^ 121565.doc -18- 200848422 四版’弟18卷，第837-860頁，1996中已概述（例如）用於層 120之其他電洞輸送材料之實例。可使用電洞輸送分子與 I合物。通常使用之電洞輸送分子包括（但不限於）·· n，n，_ 二苯基-N，Nf-雙（3-甲基苯基hu，-聯苯基]_4,4，_二胺 (TPD)、1，1-雙[(二_4_甲苯基胺基）苯基]環己烷（TApc)、 N，N’_雙（4-甲基苯基）_N，N，·雙（4_乙基苯基）…，广⑶^二甲基）聯苯基]-4,4’-二胺（ETPD)、肆（3-甲基苯基）-N，N，N,，Nl 2,5_苯二胺（PDA)、α•苯基4_n，n_二苯基胺基苯乙烯 (tps)、對（二乙基胺基）苯甲醛二苯腙（deh)、三苯胺 (TPA)、雙[4-(Ν，Ν·二乙基胺基）_2_甲基苯基](4_甲基苯基）甲烧（ΜΡΜΡ)、1-苯基1[對（二乙基胺基）苯乙稀基]_5_[對 (一乙基胺基）苯基]吡唑啉（pp]R^DEASp)、丨，2反-雙（9η_ 卡坐9-基）％丁烷（DCZB)、ν，ν，ν，，ν，_肆（4_甲基苯基）_ (1，1 聯苯基）-4,4 - 一胺（ττβ)、Ν，Ν，-雙（萘小基）_ν，Ν，_ 雙_ (苯基）聯苯胺（α-NPB)及外琳系化合物，諸如銅酞菁。通常使用之電洞輸送聚合物包括（但不限於）聚乙稀基㈣、（苯 )聚夕烷及聚苯胺。亦可能藉由在聚合物(諸如聚苯乙烯及聚碳酸醋)中摻雜電洞輸送分子(諸如以上提及之電洞輸送分子）得到電洞輸送聚合物。何有機電致發光（"EL”）材料均可用作層^对之光敏 f材料。該等材料包括（但不㈣卜或多種本發明之化合 m、有㈣光化合物1光物及磷光金屬錯合物、共辆 1 ’、此σ物。螢光化合物之實例包括（但不限於）比、茈、紅螫條、去一士香丑素、其衍生物及其混合物。金屬錯 121565.doc -19- 200848422 合物之實例包括（但不限於）金屬螯合類咢辛化合物（metal chelated oxinoid compound)，諸如參（8-羥基醌酸酯基）鋁 (Alq3);環金屬化銥及鉑、電致發光化合物及其混合物。共軛聚合物之實例包括（但不限於）聚（伸苯基伸乙烯基）、聚苐、聚（螺二第）、聚噻吩、聚（對伸苯基）、其共聚物及其混合物。可用於電子輸送層140及/或可選層150中之電子輸送材料之實例包括金屬螯合類咢辛化合物，諸如參（8-羥基醌酸酉旨基）銘（Alq3)及肆-(8_經基酿i酸自旨基）錯（Zrq4);及唆化合物，諸如2-(4-聯苯基）-5-(4-第三丁基苯基）-1，3,4_噁二唑 (PBD)、3-(4-聯苯基）-4-苯基-5_(4-第三丁基苯基三唑（TAZ)及1，3,5-三（苯基-2-苯幷咪唑）苯（TPBI);喹喏啉衍生物，諸如2,3-雙（4-氟苯基）喹喏啉；啡啉，諸如4,7-二苯基-1，10-啡啉（DPA)及2,9-二甲基-4,7-二苯基_1，1〇_啡啉 (DDPA);及其混合物。陰極160為對於注射電子或負電荷載流子尤其有效的電極。陰極可為功函數比陽極低之任何金屬或非金屬。用於陰極之材料可選自第1族之鹼金屬（例如Li、Cs)、第2族（鹼土）金屬、第12族金屬，包括稀土元素及鑭系元素及锕系元素。可使用諸如鋁、銦、鈣、鋇、釤及鎂及其組合之材料。含U有機金屬化合物、LiF及Li20亦可沈積於有機層與陰極層之間以降低操作電壓。已知在有機電子裝置中具有其他層。舉例而言，可於陽極110與電洞輸送層120之間存在一層（未圖示）以便利該等 121565.doc -20- 200848422 層之正電荷輸送及/或能帶隙匹配，或充當一保護性層。可使用此項技術中已知之層。此外，上文所描述之層中之任一層均可由兩個或兩個以上層構成。或者，陽極層 110、電洞輸送層120、電子輸送層140及可選電荷輸送層 150及陰極層160中之部分或所有層均可經表面處理以增加電何載流子之輸送效率。組件層中每一層之材料選擇較佳 " 係藉由平衡使裝置具有高裝置效率與高裝置操作壽命之目的來確定。泫裝置可藉由多種技術（包括在一合適之基板上依次沈積個別層）來製備。可使用諸如玻璃及聚合薄膜之基板。可使用習知之氣相沈積技術，諸如熱蒸鍍、化學氣相沈積及其類似技術。或者，有機層可藉由使用合適溶劑進行之液相沈積來塗覆。液體可為溶液 '分散液或乳液之形式。典型液相沈積技術包括（但不限於）連續沈積技術，諸如旋塗、凹板印刷式塗佈、簾幕式塗佈、浸塗、狹縫型擠壓式塗佈、喷塗及連續式噴嘴塗佈；及不連續沈積技術，諸如 (J + ' 噴墨印刷、凹板印刷及絲網印刷；任何習知之塗佈或印刷技術，包括（但不限於）旋塗、浸塗、捲軸式技術、噴墨印 .'刷、絲網印刷、凹板印刷及其類似技術。 • 在一實施例中，不同層具有以下厚度範圍：陽極110， 500-5000 A，在一實施例中為1000-2000 A ;電洞輸送層 120，50-2000 A，在一實施例中為200_1000 A;光敏性層 130，10-2000 A，在一實施例中為 100-1000 A ;層 140及 150，50-2000 A，在一實施例中為 100-1000 A ;陰極 160， 121565.doc -21 - 200848422 200-10000 A，在一實施例中為300_5000 A。裝置中電子電洞再組合區之位置且因此裝置之發射光譜可受每一層之相對厚度影響。因此，應選擇電子輸送層之厚度，從:使得電子-電洞再組合區處於發光層中。所要層厚度之比率將視所使用之材料的確切性質而定。在一實施例中，裝置依次具有以下結構：陽極、緩衝層、電洞輸送層、光敏性層、電子輸送層、電子注射層、陰極。在-實施例中，帛極係由氧化銦錫或氧化鋼^製成。在一實施例中，緩衝層包含選自由聚噻吩、聚苯胺、聚吡咯、其共聚物及其混合物組成之群的導電聚合物。在 -實施例中’緩衝層包含導電聚合物與膠體形成聚合性酸 :錯合物。在一實施例中，緩衝層包含具有三芳基胺或三芳基甲烷基團之化合物。在一實施例中，緩衝層包含選自由TPD、MPMP、NPB、CBp及其混合物組成之群之材料，如以上所定義。在-實施例中，電洞輸送層包含聚合電洞輸送材料。在一實施例中’電洞輸送層為可交聯的。在一實施例中，電洞輸达層包含具有三芳基胺或三芳基甲烷基團之化合物。在-實施例中，緩衝層包含選自由TpD、MpMp、N郎、 CBP及其混合物組成之群之材料，如以上所定義。在一實施例中，光敏性層包含電致發光金屬錯合物及主體材料。主體材料可為電荷輸送材料。在一實施例中，電致發光錯合物係以至少丨重量％之量存在。在一實施例中電致發光錯合物佔2-20重量％。在一實施例中，電致 121565.doc -22- 200848422

發光錯合物佔20_50重量％ A 物佔50-80重量。/在一實鈿例中，電致發光錯合 _重量%。在:實施:實中施:中，電致發光錯合物佔餓之環金屬化錯合物。在屬錯合物為銥、麵、鍊或含第二主體材料。第例中，光敏性層進-步包例中，第-主p 14I荷輸送材料。在一實施弟一主體為電洞輪送體為電子輪逆姑4CL如在實鉍例中，第二主 Ο Ο 芳基-N-雜環之金屬錯人弟一體材料為羥基、日口物。在一實施例中，羥基芳美-N_ ，、環為未取代或經取代之8 " Μ ^如工I圭啉。在一實施例中，金醯A 一主體為選自由參（8-羥基喹啉酿基）紹、雙（8·經基㈣醯基）(4_苯酚噎琳醯基)錯及其混合物組成之 )：？工基一从心砰之材枓。第一主體與第 :主體之比率可為1:1〇〇至100:1。在一實施例中，該比率為1:10至1G:1。在—實施例中，該比率為1:10至1:5。在-實施例中，該比率為1:5至1:1。在—實施例中，該比率為 121565.doc -23- 200848422 座層之液相沈積及電子輸送層、電子注射層及陰極之氣相沈積來製造。緩衝層可溶解或分散於任何液體介質，且由其形成薄膜後沈積。在一實施例中，液體介質基本係由一或多種有機溶劑組成。在一實施例中，液體介質基本係由水或水及有機溶劑組成。在一實施例中，有機溶劑選自由醇、_、環醚及多元醇組成之群。在一實施例中，有機液體係選自二甲基乙醯胺（”DMAc’’）、N-甲基吡咯啶酮（，，NMP，，）、二甲美甲醯胺^…乂^^乙二醇^冗^^脂族醇及其混合物。^ 衝材料可以0.5至10重量百分比之量存在於液體介質中。視液體介質而定，可使用其他重量百分比之緩衝材料。緩衝層可藉由任何連續或不連續液相沈積技術來塗覆。在一實施例中，緩衝層係藉由旋塗來塗覆。在一實施例中，緩衝層係藉由喷墨印刷來塗覆。在液相沈積之後，液體介質可在空氣、惰性蒙氣中或藉由真空在室溫下或加熱來移除。在一實施例中，將層加熱至低於275 〇c之溫度。在一實施例中，加熱溫度在100。0與275。(：之間。在一實施例中，加熱溫度在10(TC與12(TC之間。在一實施例中，加熱溫度在120 °C與140°C之間。在一實施例中，加熱溫度在 14〇 C與160 C之間。在一實施例中，加熱溫度在16〇〇c與 180 C之間。在一實施例中，加熱溫度在i8(rc與2〇(rc之間。在一實施例中，加熱溫度在2〇〇〇c與：⑼艺之間。在一實施例中，加熱溫度在190艺與220°C之間。在一實施例中，加熱溫度在22(TC與24(TC之間。在一實施例中，加熱 121565.doc -24- 200848422 温度在24(TC與260。(：之間。在一實施例中，加熱溫度在 260 C與275 °C之間。加熱時間視溫度而定，且通常在5分鐘與60分鐘之間。在一實施例中，最終層厚度在5 與 200 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在5 ^^與扣之間。在一實施例中，最終層厚度在4〇 11111與8〇 nm之間。在實加例中’最終層厚度在8 0 nm與12 0 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在12〇 11111與16〇 nm之間。在一實施例中’最終層厚度在16〇nm與200 nm之間。電洞輸运層可由溶解或分散該電洞輸送層且該電洞輸送層將由其形成薄膜之任何液體介質沈積。在一實施例中，液體介質基本係由一或多種有機溶劑組成。在一實施例中液體”貝基本係由水或水及有機溶劑組成。在一實施例中，有機溶劑為芳族溶劑。在一實施例中，有機液體係選自氣仿、二氯甲烷、曱苯、苯甲醚及其混合物。電洞輸送材料可以〇·2至2重量百分比之濃度存在於液體介質中。視液體’I質而疋’可使用其他重量百分比之電洞輸送材料。電洞輸送層可藉由任何連續或不連續液相沈積技術來塗覆。在一實施例中，電洞輸送層係藉由旋塗來塗覆。在實鉍例中，電洞輸送層係藉由噴墨印刷來塗覆。在液相沈積之後，液體介質可在空氣、惰性氣氛中或藉由真空在室溫下或加熱來移除。在一實施例中，將層加熱至低於 C之/皿度。在一實施例中，加熱溫度在I”與之間在一實施例中，加熱溫度在i70°C與200°C之間。在實施例中，加熱溫度在190°C與220°C之間。在一實施例 121565.doc •25- 200848422 中，加熱溫度在210°C與240°C之間。在一實施例中，加熱溫度在230°C與270°C之間。加熱時間視溫度而定，且通常在5分鐘與60分鐘之間。在一實施例中，最終層厚度在5 nm與50 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在5 nm與15 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在15 nm與25 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在25 nm與3 5 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在35 nm與50 nm之間。光敏性層可由溶解或分散該光敏性層且該光敏性層將由其形成薄膜之任何液體介質沈積。在一實施例中，液體介質基本係由一或多種有機溶劑組成。在一實施例中，液體介質基本係由水或水及有機溶劑組成。在一實施例中，有機溶劑為芳族溶劑。在一實施例中，有機液體係選自氯仿一氣甲烧、甲苯、苯曱鱗及其混合物。光敏性材料可以0.2至2重量百分比之濃度存在於液體介質中。視液體介質而定’可使用其他重量百分比之光敏性材料。光敏性層可藉由任何連續或不連續液相沈積技術來塗覆。在一實施例中’光敏性層係藉由旋塗來塗覆。在一實施例中，光敏性層係藉由喷墨印刷來塗覆。在液相沈積之後，液體介質可在空氣、惰性氣氛中或藉由真空在室溫下或加熱來移除。在一實施例中，將已沈積之層加熱至低於具有最低Tg 之材料之Tg的溫度。在一實施例中，加熱溫度比最低“低至少ίο°c。在一實施例中，加熱溫度比最低丁g低至少20 C °在一實施例中，加熱溫度比最低Tg低至少30°C。在一實施例中，加熱溫度在50與1 50之間。在一實施例 121565.doc -26- 200848422 中，加熱溫度在5(TC與75t之間。在一實施例中，加熱溫度在75C與100°C之間。在一實施例中，加熱溫度在i〇(rc 與125°C之間。在一實施例中，加熱溫度在丨以它與丨“它之間。加熱時間視溫度而定，且通常在5分鐘與6〇分鐘之 • 間。在一實施例中，最終層厚度在25 nm與1〇〇 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在25 11111與4〇 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在40 nm與65 nm之間。在一實施例中’最終層厚度在65 nm與80 nm之間。在一實施例中，最 (’ 終層厚度在80 nm與lOOnm之間。電子輸送層可藉由任何氣相沈積方法來沈積。在一實施例中’其係藉由在真空下熱蒸鍍來沈積。在一實施例中，最終層厚度在1 nm與1〇〇 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在1 nm與15 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在 15 nm與30 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在3〇與45 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在45 nm與60 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在60 nm與75 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在75 nm與90 nm之間。在一實施例中’最終層厚度在9〇 nm與100 nm之間。 ·· 電子注射層可藉由任何氣相沈積方法來沈積。在一實施 / 例中，其係藉由在真空下熱蒸鍍來沈積。在一實施例中，真空低於1(Γ6托（t〇rr)。在一實施例中，真空低於1〇·7托。在一實施例中，真空低於1〇·8托。在一實施例中，將材料加熱至在100°C至400°C之範圍中的溫度；150°C至350°C較佳。在一實施例中，材料係以0.5人/sec至1〇 A/sec之速率 121565.doc -27- 200848422 沈積。在一實施例中，材料係以〇·5人/sec至1人/sec之速率沈積。在一實施例中，材料係以1人/sec至2 A/sec之速率沈積。在一實施例中’材料係以2 A/sec至3 A/sec之速率沈積。在一實施例中，材料係以3 A/sec至4 A/sec之速率沈積。在一實施例中，材料係以4 A/sec至5 A/sec之速率沈積。在一實施例中，材料係以5 A/sec至6 A/sec之速率沈積。在一實施例中，材料係以6 A/sec至7 A/sec之速率沈積。在一實施例中，材料係以7 A/sec至8 A/sec之速率沈積。在一實施例中，材料係以8 A/sec至9 A/sec之速率沈積。在一實施例中，材料係以9 A/sec至10 A/sec之速率沈積。在一實施例中，最終層厚度在0.1 nm與3 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在〇· 1 nm與1 nm之間。在一實施例中’最終層厚度在1 nm與2 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在2 nm與3 nm之間。陰極可藉由任何氣相沈積方法來沈積。在一實施例中，其係藉由在真空下熱蒸鍍來沈積。在一實施例中，真空低於托。在一實施例中，真空低於1〇_7托。在一實施例中’真空低於1 〇·8托。在一實施例中，將材料加熱至在1 〇〇 C至400°c之範圍中的溫度；15(TC至350°c較佳。在一實施例中，材料係以〇·5 A/sec至1〇 A/sec之速率沈積。在一只知例中，材料係以0.5 A/sec至1人/sec之速率沈積。在一實施例中，材料係以1 A/sec至2 A/sec之速率沈積。在一實施例中，材料係以2 A/sec至3 A/sec之速率沈積。在一實施例中’材料係以3人/sec至4人/sec之速率沈積。在一實施例 121565.doc -28- 200848422 中，材料係以4人/sec至5人/sec之速率沈積。在一實施例中，材料係以5人/sec至6人/sec之速率沈積。在一實施例中，材料係以6人/sec至7人/sec之速率沈積。在一實施例中，材料以7人/sec至8人/sec之速率沈積。在一實施例中，材料係以8人/sec至9人/sec之速率沈積。在一實施例中，材 •料係以9 A/sec至10 A/sec之速率沈積。在一實施例中，最 ·· 終層厚度在10 nm與10000 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在10 nm與1 000 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在10 nm與5 0 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在50 nm與100 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在100 nm 與200 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在200 nm與 3 00 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在3 00 nm與400 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在400 nm與500 nm 之間。在一實施例中，最終層厚度在5 0 0 nm與6 0 0 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在600 nm與700 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在700 nm與800 nm之間。在一 ^ 實施例中，最終層厚度在800 nm與900 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在900 nm與1000 nm之間。在一實施例 ; 中，最終層厚度在1000 nm與2000 nm之間。在一實施例 β 中，最終層厚度在2000 nm與3000 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在3000 nm與4000 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在4000 nm與5000 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在5000 nm與6000 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在6000 nm與7000 nm之間。在一實施例 121565.doc 29- 200848422 中，最終層厚度在700〇 nm與8000 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在800〇 nm與9000 nm之間。在一實施例中’最終層厚度在9〇〇〇 nm與10000 nm之間。在一貝施例中，裝置係藉由缓衝層、電洞輸送層及光敏 • 性層、電子輸送層、電子注射層及陰極之氣相沈積來製造。 ^ 在一實施例中，緩衝層係藉由氣相沈積來塗覆。在一實轭例中，其係藉由在真空下熱蒸鍍來沈積。在一實施例〇中’真空低於10-6托。在一實施例中，真空低於10_7托。在一實施例中，真空低於丨〇_8托。在一實施例中，將材料加熱至在100°c至400t：之範圍中的溫度；150°C至350°c較佳。在只施例中’材料係以0·5 A/sec至10人/sec之速率沈積。在一實施例中，材料係以〇·5人/sec至1人/sec之速率沈積。在一實施例中，材料係以1人/ sec至2人/sec之速率沈積。在一實施例中’材料以2 A/sec至3 A/sec之速率沈積。在一貝施例中’材料係以3 A/sec至4 A/sec之速率沈積。在一實施例中，材料係以4 A/sec至5 A/sec之速率沈積。在一實施例中’材料係以5 A/sec至6 A/sec之速率沈積。在一實 / 施例中，材料係以6 A/sec至7 A/sec之速率沈積。在一實施 • 例中，材料係以7 A/sec至8 A/sec之速率沈積。在一實施例中，材料係以8 A/sec至9 A/sec之速率沈積。在一實施例中，材料係以9人/sec至10 A/sec之速率沈積。在一實施例中，最終層厚度在5 nm與200 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在5 nm與30 nm之間。在一實施例中，最終層厚 121565.doc -30- 200848422 度在30 nm與60 nm之間。在_會a a丨丄你貫施例中，最終層厚度在60 nm與90 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在9〇 nm與 12〇 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在12〇⑽與15〇 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在l5〇 nm與28〇 nm 之間。在一實施例中，最終層厚度在18〇 11111與2〇〇 nm之間。在一實施例中，電洞輸送層係藉由氣相沈積來塗覆。在一實施财K系藉由在A空下熱蒸鍍來沈積。在一實施例中，真空低於10 6托。在一實施例中，真空低於1〇·7 托。在一實施例中，真空低於10-8托。在一實施例中，將材料加熱至在100 C至400°c之範圍中的溫度；15〇〇c至35〇。(：較佳。在一實施例中，材料係以〇·5人^“至⑺人/8“之速率沈積。在一實施例中，材料係以〇·5人/Sec至1〇 A/sec 之速率沈積。在一實施例中，材料係以0 ;5人/sec至1 A/sec 之速率沈積。在一實施例中，材料係以1人/36(：至2人/sec之速率沈積。在一實施例中，材料係以2人/sec至3人/sec之速率沈積在實施例中’材料係以3人/sec至4人/sec之速率 /尤積在實加*例中’材料係以4 A/sec至5 A/sec之速率沈積在實施例中’材料係以5 A/sec至6 A/sec之速率沈積在實知例中’材料係以6 A/s ec至7 A/s e c之速率沈積。在一實施例中，材料係以7 A/sec至8人/sec之速率沈積。在一實施例中，材料係以8 A/sec至9 A/sec之速率沈積。在一實施例中，材料係以9 A/sec至10 A/sec之速率沈積。在一實施例中，最終層厚度在5 nm與200 nm之間。在 121565.doc -31 - 200848422 一實施例中，最終層厚度在5 nm與30 nm之間。在—實施例中’农終層厚度在3〇 nm與60 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在60 nm與90 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在90 nm與120 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在120 11111與150 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在 15〇 nm與280 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在18〇 nm與200 ηηι之間。在一實施例中，光敏性層係藉由氣相沈積來塗覆。在一實施例中，其係藉由在真空下熱蒸鍍來沈積。在一實施例中’光敏性層基本係由單一電致發光化合物組成，其係藉由在真空下熱蒸鍍來沈積。在一實施例中，真空低於1 〇_6 托。在一實施例中，真空低於1 〇-7托。在一實施例中，真空低於10-8托。在一實施例中，將材料加熱至在100°C至 400°C之範圍中的溫度；15〇。〇至35〇〇c較佳。在一實施例中’材料係以0.5人/ sec 至10人/sec之速率沈積。在一實施例中’材料係以〇·5人/sec至1人/sec之速率沈積。在一實施例中’材料係以1人/sec至2人/sec之速率沈積。在一實施例中’材料係以2人/sec至3人/sec之速率沈積。在一實施例中’材料係以3人/sec至4人/sec之速率沈積。在一實施例中’材料係以4人/ sec至 5 A/sec之速率沈積。在一實施例中’材料係以5 A/sec至6人/sec之速率沈積。在一實施例中’材料係以6 A/sec至7人/sec之速率沈積。在一實施例中’材料係以7 A/sec至8人/sec之速率沈積。在一實施例中’材料係以8人/sec至9人/sec之速率沈積。在一實施例 121565.doc -32- 200848422 中，材料係以9人/sec至10人/sec之速率沈積。在一實施例中，最終層厚度在5 nm與200 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在5 nm與30 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在30 nm與60 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在60 nm與90 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在9〇 nm與 120 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在12〇 nm與150 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在15〇 nm與280 nm 之間。在一實施例中，最終層厚度在18〇 nm與200 nm之

Ο 間。在一實施例中，光敏性層包含兩種電致發光材料，其各自藉由在真空下熱蒸鍍來塗覆。可使用以上所列出之真空條件及溫度中之任一者。可使用以上所列出之沈積速率中之任一者◎相對沈積速率可為50:1至1:50。在一實施例中’柄對沈積速率為1:1至1:3。在一實施例中，相對沈積速率為1:3至1:5。在一實施例中，相對沈積速率為1:5至 18。在一實施例中，相對沈積速率為1:8至1:1〇。在一實施例中’相對沈積速率為1:10至1:2〇。在一實施例中，相對沈積速率為1:20至1:3〇。在—實施例中，相對沈積速率為1:30至1:50。層之總厚度可與以上針對單組件光敏性層所描述之厚度相同。在一實施例中’紐性層包含—種電致發光材料及至少 -種主體材料’其各自藉由在真空下熱蒸鑛來塗覆。可使用以上所列出之真空條件及溫度中之任一者所列出之沈積速率中之任—者。電致發光材料與主體之相 121565.doc • 33 - 200848422 對沈積速率可為1: i至i :99。在一實施例中，相對沈積速率為1 ·1至1 ·3。在一實施例中，相對沈積速率為1:3至1:5。在一實施例中，相對沈積速率為1:5至1:8。纟-實施例中’相對沈積速率為1:8至1:W。在-實施例中，相對沈積速率為UG至1:20。在一實施例巾，相對沈積速率為1:2〇至丨·30。在一實施例中，相對沈積速率為1:30至1:40。在一貝施例中’相對沈積速率為1:40至1:50。在一實施例中，相對沈積速率為1:5〇至1:6〇。在一實施例中，相對沈積速率為1:60至1:7〇。在一實施例中，相對沈積速率為 1:70至1:80。在一實施例中，相對沈積速率為1:8〇至 1:90。在一實施例中，相對沈積速率為1:9〇至1:99。層之總厚度可與以上針對單組件光敏性層所描述之厚度相同。在一實施例中，電子輸送層係藉由氣相沈積來塗覆。在一實施例中，其係藉由在真空下熱蒸鍍來沈積。在一實施例中，真空低於1〇·6托。在一實施例中，真空低於1〇·7 托。在一實施例中，真空低於丨〇-8托。在一實施例中，將材料加熱至在loot：至400°c之範圍中的溫度；150°C至350 °C較佳。在一實施例中，材料係以〇·5 A/sec至10 A/Sec之速率沈積。在一實施例中，材料係以〇·5 A/sec至1 A/Sec之速率沈積。在一實施例中，材料係以i A/sec至2 A/sec之速率沈積。在一實施例中，材料係以2 A/sec至3 A/sec之速率沈積。在一實施例中’材料係以;3 A/sec至4 A/sec之速率沈積。在一實施例中’材料係以4 A/sec至5 A/sec之速率沈積。在一實施例中，材料係以5人/sec至6 A/sec之速率沈 121565.doc -34- 200848422 積。在一實施例中，材料係以6人/sec至7人/sec之速率沈積。在一實施例中，材料係以7人/sec至8人/sec之速率沈積。在一實施例中，材料係以8人/sec至9 A/sec之速率沈積。在一實施例中，材料係以9人/sec至1 〇人/sec之速率沈積。在一實施例中，最終層厚度在5 nm與200 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在5 nm與30 nm之間。在一實施例中，隶終層厚度在30 nm與60 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在60 nm與90 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在90 nm與120 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在120 nm與150 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在 150 nm與280 nm之間。在一實施例中，最終層厚度在18〇 nm與200 nm之間。在一實施例中，電子注射層係藉由氣相沈積來塗覆，如以上所描述。在一實施例中，陰極係藉由氣相沈積來塗覆，如以上所描述。在一實施例中，裝置係藉由一些有機層之氣相沈積及一些有機層之液相沈積來製造。在一實施例中，裝置係藉由緩衝層之液相沈積及所有其他層之氣相沈積來製造。儘管與本文所述之方法及材料類似或相當之方法及材料可用於實施或測試本發明，但適當之方法及材料將於下文描述。另外，材料、方法及實例僅為說明性的且不欲為限制性的。本文中所提及之所有公開案、專利申請案、專利及其他參考文獻的全部内容皆係以引用的方式併入。 121565.doc •35· 200848422 實例以下實例中將進一步描述本文中所描述之概念，該等實例並不限制申請專利範圍中所描述之本發明的範疇。實例1此實例說明具有如下結構之發射性材料之製備。

la-苯基異喹啉配位基之製備

c16h12fn 精確質量：237.10 莫讀：質量:237.27 C, 80.99; H, 5.10; F, 8.01; N, 5.90 使 30 g K2C03、250 ml脫氣水、10 g(0.061 mol)l_氯異喹啉、10 g(0.065 mol)3-甲基-4-氟苯基二羥硼酸、0.3 g (Ph4P)Pd、3 00 mL二曱氧乙烷之混合物回流12 h。分離有機相，且以CH2Cl2(l〇〇 mlx3)萃取水相，且以水（300 mLx 2)洗滌已合併之有機層，用MgS04乾燥，且在減壓下移除溶劑。將殘餘物再溶解於己烷（200 mL)中且經由短矽膠填料進行過濾，且移除溶劑得到10.3 g(62%)油狀產物，其含 121565.doc -36- 200848422 有4%之溶劑（NMR)。咕及19F NMR光譜與以上所指示之結構一致。不經進一步純化即將材料用於環金屬化步驟中。 1 b-來自1 a之配位基之雙環金屬化銥錯合物的製備將在以上la中製備之4.8 g苯基異喹啉配位基與3·6 g氯化鈒混合於50 mL· 2-乙氧基乙醇及1 mL水中。在氮氣下使此混合物回流30 min。接著冷卻漿液且添加2〇 g 2,4_戊二銅及1·〇 g碳酸鈉。將漿液再加熱至回流持續至少3〇以 Ο Ο 實例2此實例說明具有如下結構之發射性材料之製備。上。當以二氯曱烷溶離時，後藉由TLC監測反應之進程產物沈殿為黏性紅色固體，回收之固體提取至二氣曱烷色溶液蒸發至乾且經由以二析分離最快運行之發紅光溶亮紅光材料。濃縮二氯甲烷結晶為暗紅色塊狀物。1Η及結構一致。

產生快速運行之發紅光點，隨。冷卻漿液且添加甲醇/水以將接著藉由過濾進行收集。將所中且經由二氧化矽過濾。將紅氣甲院溶離之二氧化矽管柱層離份。所得深紅色溶液含有發中之溶液，Ρ遠後由溶劑使產物 19F NMR光譜與以上錯合物之 121565.doc 37- 200848422

將來自實例la之2.4 g苯基異喹啉配位基與18 §氯化銥混口於50 mL 2-乙氧基乙醇及！ mL水中。在氮氣下使此混合物回流30 min，接著冷卻至室溫，隨後添加1() g 2,2,6,6_ 四甲基_3,5.庚二酮及“ g礙酸納。再次使漿液回流持續至少30 min以上。當以二氯甲烷溶離時，產生一快速運行之發紅光，點，接著藉由TLC監測反應進程。冷卻浆液且添加甲醇/水以將產物沈澱為黏性紅色固體，接著藉由過濾進行收集。將所回收之固體提取至二氯甲⑥中且經由二氧化矽過濾。將紅色溶液蒸發至乾且經由以二氯甲烷溶離之二氧化石夕管柱層析以分離最快運行之發紅光溶離份。所得深紅色溶液含有發亮紅光材料。將深紅色溶液蒸發至約乃 mL，接著添加甲醇且使溶液冷卻且形成呈鋸齒形針狀之暗紅色晶體。由熱甲苯使材料再結晶。咕及191? 與以上錯合物之結構一致。先53 實例3此實例說明具有如下結構之發射性材料之製備。

Ο /土、六主外亂议丞興〇 36 g氯化銥混合於10 mL 2-乙氧基乙隨芬！ T t , 丄乙知及1 mL水中。在氮氣下使此混合物回流持續30 min。將溶液冷卻至室溫且將固體狀之 0.42 g PNP配位基及^ g碳酸鈉添加至混合物巾。再持續 121565.doc -38- 200848422 回流至少30 min以上。藉由TLC監測反應之進程且當判定完成時，冷卻漿液且添加甲醇/水，且藉由過濾收集所得紅色黏性固體。將固體提取至二氯甲烷中，並經由二氧化矽填料過濾紅色溶液，且蒸發所得溶液以減小體積且添加甲醇以起始結晶。歷經2小時形成紅色晶體。以約400 mg 產量回收紅色晶體（亮紅色PL)，其極難溶於甲苯。二氯甲烧中進行之Nmr指示該物質為所要產物。實例4此實例說明具有如下結構之發射性材料之製備。

4a具有如下結構之苯基異喹啉配位基之製備：

Ο 如實例la中所描述，但使用20 g K2C03、250 ml脫氣水、5 g(0.03 mol)l-氯異喹啉、6_5 g(0.033 mol)3-三甲基矽烷基苯基二羥硼酸、〇·2 g (Ph4P)Pd、300 mL二甲氧基乙烷之混合物回流12 h。分離6.1 g(72%、96%純度）呈黃色油 121565.doc -39- 200848422 狀之所要材料，不經進一步純化即將其用於下一步驟。經分離材料之1H NMR與以上所指示之結構一致。 4b配位基4a之雙環金屬化銀錯合物的製備：將來自實例4a之2·8 g苯基異喹啉配位基與18 §氣化銥混口於25 mL 2-乙氧基乙醇及i mL水中。在氮氣下使此混合物回流2 min。此時，添加1〇 g固體碳酸氫鈉且持續回流 30 min。將溶液冷卻至室溫且將固體狀丨.$ Ο Ο 〇-5 30；11 二：由監測反應之進程且當判定完成時，在氮氣流中將▲液蒸發至乾且收隼所得收集所传紅色黏性固體。_提取、’經由二氧化矽填料過濾紅色溶液，且蒎心所得溶液以減小體積且接 1'、患篮積且接者在二氧化矽管柱上進行以- 虱甲烧_之層析。收集最快運行之紅 - 小體積，且接著系加审 A ^以減 ~光譜分析發結晶。二氣甲燒，進行之化合物。為經實例5之材料略微污染的預期實例5此實例說明具有如

、、、口構之發射性材料之製備。 121565.doc 200848422 將來自實例4a之2.8 g苯基異㈣配位基與18§氣化錶混合於25 mL 2-乙氧基乙醇及i mL水中。在氮氣下使此混合物回流30 min。將溶液冷卻至室溫且將固體狀15 § 2 4-戍二嗣及1.〇 g碳酸納添加至混合物中。再持續回流至少3〇 min以上。藉由TLC監測反應之進程，且當判定完成時，在氮氣流巾將漿«發至乾且收#所得^ Ο 固體提取至二氯甲烷中且經由二氧化矽填料過濾紅色溶液，且蒸發所得溶液以減小體積且接著在二氧化矽管柱上進行以二氣甲烷溶離之層析，且其展現3個不同的：紅光 4 ▼。最快運行之紅色譜帶為實例4b之材料。收集第一個紅色譜帶且蒸發以減小體積，且接著添加甲醇以誘= 晶。二氯甲燒中進行之Nmr光譜分析展示產物為經來= 例4b之材料略微污染的預期化合物。 ^

〇 6 a /、有如下結構之苯基喧琳配位基之製備··

121565.doc -41 -

Ο 200848422 如實例la中所描述，但使用22 g k2C03、250 ml脫氣水、5 g(0.029 mol)2-氯喹啉、6·5 g(〇.〇33 mol)3-三甲基矽烷基苯基二羥硼酸、0.2 g (Ph4P)Pd、300 mL二甲氧乙烷之混合物回流12 h。分離5·9 g(71%、96%純度）呈黃色油狀之所要材料，不經進一步純化即將其用於下一步驟。經分離材料之咕NMR與以上所指示之結構一致。 6b配位基6a之雙環金屬化銥錯合物的製備：將來自實例6a之2.8 g苯基喹啉配位基與18 g氯化銥混合於25 mL 2-乙氧基乙醇及i mL水中。在氮氣下使此混合物回流2 min，此時冷卻溶液且添加1〇 §碳酸氫鈉^接著再持續回流30 min。將溶液冷卻至室溫且將固體狀丨.$ § 2,4_ 戊二酮及1.〇 g碳酸鈉添加至混合物中。再持續回流至少3〇職以上。藉由TLC監測反應之進程，且當判定完成時，在氮氣流中將漿液蒸發至乾且收集所得紅色黏性固體。將固體提取至二氣甲烷中且經由二氧化矽填料過濾、紅色溶液：且蒸發所得溶液以減小體積且接著在二氧化矽管柱上進行以二氯甲烷溶離之層析。收集最快運行之紅色譜帶且 2以減小體積，且接著添加甲醇以誘發結晶。二氯甲烧進仃之Nmr光譜分析展示產物為預期化合物。

121565.doc -42- 200848422 7a具有如下結構之苯基異喹啉配位基之製備

r^S 〇

U 如實例la中所描述，但使用22 g K2C03、250 ml脫氣水、10 g(0.06 mol)l_氯異喹啉、8 g(0.058 mol)3-甲基苯基二羥硼酸、0.2 g (Ph4P)Pd、300 mL二曱氧乙烷之混合物回流12 h。在真空蒸餾之後，分離6 g液體狀所要產物 (46%)，不經進一步純化即將其用於下一步驟。經分離材料之1H NMR與以上所指示之結構一致。 7b配位基7a之雙環金屬化銥錯合物的製備：將來自實例7a之4.38 g苯基異喹啉配位基與3.6 g氯化銥混合於5 0 mL 2 -乙氧基乙醇及2 mL水中。在氮氣下使此混合物回流持續30 min，此時，將溶液冷卻至室溫且將固體狀1.5 g 2,4-戊二酮及1.0 g碳酸鈉添加至混合物中。再持續回流至少30 min以上。藉由TLC監測反應之進程，且當判定完成時，在氮氣流中將漿液蒸發至乾且收集所得暗紅色黏性固體。將固體提取至二氣甲烷中且經由二氧化矽填料過濾紅色溶液，且蒸發所得溶液以減小體積，且接著在二氧化矽管柱上進行以二氯甲烷溶離之層析。收集最快運行之紅色譜帶且蒸發以減小體積，且接著添加甲醇以誘發結 121565.doc -43 - 200848422 晶。二氯甲烷中進行之Nmr光譜分析展示產物為預期化合物。實例8此實例說明具有如下結構之發射性材料之製備：

Γ 8a具有如下結構之苯基異喹啉配位基之製備：如實例la中所描述，但使用60 g K2C03、500 ml脫氣水、20 g(0.122 mol)l-氯異喹啉、17·5 g(0.128 mol)4-曱基苯基二羥硼酸、0·5 g (Ph4P)Pd、400 mL二甲氧乙烷之混合物回流12 h。分離18.7 g呈結晶物質之所要產物（70%，純度>99%)，不經進一步純化即將其用於下一步驟中。經分離材料之1H NMR與以上所指示之結構一致。 8b配位基8a之雙環金屬化銥錯合物的製備：使用4.38 g苯基異喹啉配位基8a及3.6 g氯化銥遵循實例 7b之程序。二氣甲烧中進行之Nmr光譜分析展示產物為預 121565.doc -44- 200848422 期化合物。實例9此實例說明具有如下結構之發射性材料之製備：

〇 9a具有如下結構之苯基異喹啉配位基之製備：

如實例la中所描述，但使用12 g K2C03、100 ml脫氣水、4 g(0.024 mol)l-氯異喹啉、5.5 g(0.027 mol)4-(苯基）苯基二羥硼酸、0.2 g (Ph4P)Pd、200 mL二甲氧乙烷之混合物回流12 h。分離6 g呈黃色結晶物質之所要產物（90%，純度>96%)，不經進一步純化即將其用於下一步驟中。經分離材料之1H NMR與以上所指示之結構一致。 9b配位基9a之雙環金屬化銥錯合物的製備：使用5.62 g苯基異喹啉配位基9a及3.6 g氯化銥遵循實例 7b之程序。二氯甲烧中進行之Nmr光譜分析展示產物為預 121565.doc -45- 200848422 期化合物。實例ίο此實例說明具有如下結構之發射性材料之製備：

Ο 10a具有如下結構之苯基喹啉配位基之製備：

10b配位基10a之雙環金屬化銥錯合物的製備： ϋ 使用0.60 g苯基喹啉配位基10a及0.36 g氯化銥遵循實例 7b之程序。二氯甲烷中進行之Nmr光譜分析展示產物為預期化合物。實例11此實例說明具有如下結構之發射性材料之製備：

121565.doc -46- 200848422 實例11此實例說明配位基之雙金屬化銥錯合物之製備。

使用所展示之5.22 g苯基異喹啉配位基及3·6 g氣化銥遵循實例713之程序。以2_0§2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮置換 2,4-戊二酮。二氯甲烷中進行之Nmr光譜分析展示產物為預期化合物。實例12此實例說明具有如下結構之發射性材料之製備。

使用3.0 g苯基喹啉配位基1(^及18 §氯化銥遵循實例 7b之程序。以2·〇 g 2,2,6,6_四甲基_3,5_庚二_置換2,‘戊二酮。二氣甲烷中進行之Nmr光譜分析展示產物為預期化合物。 121565.doc -47- 200848422 實例13此實例說明具有如下結構之發射性材料之製傷。

13a具有如下結構之苯基喹啉配位基之彭備· 〇 " β

X) 如實例la中所描述，但使用45 g K2C〇3、3〇〇 ml脫氣水、18 g(0.1 mol)2-氣-3-甲基喹啉、15 g(〇 u m〇1)3 甲基 (J 苯基二羥硼酸、〇·3 g (Ph4P)Pd、200 mL二甲氧乙院之混合物回流12 h。分離22 g呈黃色結晶物質之所要產物（94%， • 純度>98%)，不經進一步純化即將其用於下一步驟中。經分離材料之1H NMR與以上所指示之結構一致。 13b配位基13a之雙環金屬化銀錯合物的製備：使用4.66 g苯基喹琳配位基13a及3.6 g氯化銥遵循實例7b 之程序。二氯甲烷中進行之Nmr光譜分析展示產物為預期化合物。 121565.doc -48- 200848422 實例14此實例說明具有如下結構之發射性材料之製備

14 a具有如下結構之苯基啥琳配位基之製備：如實例la中所描述，但使用22 g K2C〇3、3〇〇 ml脫氣水、10 g(0_056 m〇l)2-氣-3-甲基喹啉、8 g(〇〇58 m〇1)4_f 基苯基二羥硼酸、0.3 g (Ph4P)Pd、200 mL二甲氧乙烧之混合物回流12 h。分離11.5 g呈黃色油狀之所要材料（94%，純度>95%，剩餘物為二甲氧乙烷），不經進一步純化即將其用於下一步驟中。經分離材料之1H NMR與以上所指示之結構一致。 14b配位基14a之雙環金屬化銥錯合物的製備：使用4.66 g苯基喹啉配位基14a及3·6 g氯化銥遵循實例外之程序。二氯甲烷中進行之Nmr光譜分析展示產物為預期 121565.doc -49- 200848422 化合物。實例15此實例說明具有如下結構之發射性材料之製備：

15a具有如下結構之苯基喹啉配位基之製備：如實例la中所描述，但使用20 g K2C03、300 ml脫氣水、8 g(0.045 mol)2-氯-3·甲基喹啉、9.6 g(0.048 mol)4-(苯基）苯基二羥硼酸、0.3 g (Ph4P)Pd、200 mL二甲氧乙烷之混合物回流12 h。分離6 g呈結晶物質之所要產物（60%，純度>98%)，不經進一步純化即將其用於下一步驟中。經分離材料之1H NMR與以上所指示之結構一致。 121565.doc •50- 200848422 15b配位基15a之雙環金屬化銥錯合物的製備：使用5.0 g苯基喹啉配位基15a及3·06 g氯化錶遵循實例7b 之程序。二氯甲烷中進行之Nmr光譜分析展示產物為預期化合物。實例16此實例說明具有如下結構之發射性材料之製備：

如實例la中所描述，但使用20 g K2C03、250 ml脫氣水、5.7 g(0.035 mol)l-氯喹啉、7.5 g(0.033 mol)4-三曱基矽烷基苯基二羥硼酸、0.2 g (Ph4P)Pd、300 mL二甲氧乙烷之混合物回流12 h。分離5 · 8 g呈黃色油狀之所要產物 (54%，90%純度，NMR)，不經進一步純化即將其用於下一步驟中。經分離材料之1H NMR與以上所指示之結構一 121565.doc -51 - 200848422 致。 16b配位基16a之雙環金屬化銥錯合物的製備：使用2.8 g苯基異喹啉配位基16a及1.8 g氯化銥遵循實例 4b之程序。二氯甲烧中進行之Nmr光譜分析展示產物為預期化合物。實例17此實例說明具有如下結構之發射性材料之製備：

17a具有如下結構之苯基喹啉配位基之製備：

如實例la中所描述，但使用22 g K2C03、250 ml脫氣水、6·2 g(0_035 mol)2-氯 3-甲基喹啉、7.5 g(0.038 mol)4-三曱基矽烷基苯基·二羥硼酸、0.2 g (Ph4P)Pd、300 mL二 121565.doc -52- 200848422 甲氧乙烷之混合物回流12 h。分離8.2 gS ώ Α η ζ g呈白色結晶固體狀之所要產物（76%，96%純度，NMR)，不經進一步純化即將其用於下一步驟中。經分離材料之NMR與以上所指示之結構一致。 17b配位基17a之雙環金屬化銥錯合物的製備：使用2.9 g苯基喹啉配位基丨以及丨” g氯化銥遵循實例仆之程序。二氯甲烷中進行之Nmr光譜分析展示產物為預期化合物。

實例18此實例說明具有如下結構之發射性材料之製備

18a具有如下結構之苯基異喹啉配位基之製備： ϋ

如實例la中所描述，但使用3〇 g k2C03、250 ml脫氣水、8·5 g(0.〇55 mol)l-氯異喹啉、10 g(0.065 瓜〇1)2-氟-3- 甲氧基笨基二羥硼酸、0.3 g (Ph4P)Pd、300 mL二甲氧乙烷之混合物回流12 h。由己烷結晶之後，分離12·3 g呈白色 121565.doc -53 - 200848422 結晶物質之所要產物（88%)，炫點1G7 rc(Dsc)，不一步純化即將其用於下—步驟中。經分離材料之^她與以上所指示之結構一致。 18b配位基l8a之雙環金屬化銥錯合物的製備：使用5.06g苯基異啥琳配位基18a及36 §氣化銥遵循實例 7b之程序。二氯甲院中進行之Nmr光譜分析展示產物期化合物。

實例19此實例說明具有如下結構之發射性材料之製備

19a具有如下結構之苯基異喹啉配位基之製備：

Ο 如實例la中所描述，但使用30 g K2C03、250 ml脫氣水、10 g(〇.〇61 mol)l-氯異喹淋、10 g(〇.〇65 mol)2-!L_3- 甲基苯基二羥硼酸、〇·3 g (Ph4P)Pd、300 mL二甲氧乙烧之混合物回流12 h。由己烧結晶之後，分離12 · 3 g呈白色結晶物質之所要產物（85%)，熔點56.5°C (DSC)，不經進一步 121565.doc -54- 200848422 純化即將其用於下一步驟中。經分離材料之1H NMR與以上所指示之結構一致。 19b配位基19a之雙環金屬化銥錯合物的製備：使用4.75 g苯基異喹啉配位基19a及3.6 g氯化銥遵循實例 7b之程序。二氯甲烷中進行之Nmr光譜分析展示產物為預期化合物。實例20此實例說明具有如下結構之發射性材料之製備。

20a具有如下結構之苯基異喹啉配位基之製備：

如實例la中所描述，但使用20 g K2C03、250 ml脫氣水、5 g(0.03 mol)l-氯異喹啉、10 g(0.032 mol)3-氟-5-甲基苯基二羥硼酸、〇·3 g (Ph4P)Pd、300 mL二甲氧乙烷之混合物回流12 h。由己烧結晶之後，分離8 g呈結晶物質之所要產物（67%)，不經進一步純化即將其用於下一步驟中。經分離材料之咕NMR與以上所指示之結構一致。 20b配位基20a之雙環金屬化銥錯合物的製備： 121565.doc -55- 200848422 使用4.75 g笨基異喹啉配位基施及3·6祿化銥遵循實例 7b之私序。_鼠甲烧中進行之Nmr光譜分析展示產物為預期化合物。實例21 A實例說明具有如下結構之發射性材料之製備：

Ο 如實例la中所描述，但使用log K2C03、100 ml脫氣水、1·7 g(0.01 m〇l)l -氣異喹淋、2 g(〇.〇i2 m〇i)3_ 甲氧基-4-氟苯基二羥硼酸、〇」g (ph4p)pd、3〇〇 mL二甲氧乙烷之混合物回流12 h。由己烷結晶之後，分離2 〇 g呈白色結晶物質之所要產物（80%)，熔點95 ；rc (DSC)，不經進一步純化即將其用於下一步驟中。經分離材料之ιΗ ^訄尺與以上所指不之結構一致。 21b配位基21a之雙環金屬化銥錯合物的製備： 121565.doc -56- 200848422 使用2.53 g苯基異喧啉配位基21a及1.8 g氣化銥遵循實例 7b之程序。二氯甲烷中進行iNmi^譜分析展示產物為預期化合物。

實例22此實例說明具有如下結構之發射性材料之製備：使用4.38 g苯基異喹啉配位基8a及3·6 §氯化銥遵循實例 7b之程序。使用2·〇 g 2,2,6,6_四甲基庚烷_3,5•二酮替換 2,4-戊二酮。二氯甲烷中進行之Nmr光譜分析展示產物為預期化合物。實例23此實例說明具有如下結構之發射性材料之製備。

使用8.8 g 2-苯基-3-甲基喹啉配位基及7·2 g氯化銥遵循實例7b之程序。使用4·〇 g 2,2,6,6•四曱基庚烷_3,5_二酮替換2,4-戊二酮。二氯甲烷中進行之Nmr光譜分析展示產物為預期化合物。 121565.doc -57- 200848422 實例2 4此實例說明具有如下結構之發射性材料之製備： OLED裝置係由熱蒸鍍技術製造。所有薄膜沈積之本底真空均在10·8托之範圍内。使用來自Thin Film Devices，lnc 之經圖案化氧化銦錫塗佈之玻璃基板。此等ιτο基板係基於塗佈有1400 Α具有30歐姆（〇hm)/平方的薄層電阻及透光率之ITO塗層之Corning 1737玻璃。接著在水性清潔劑溶液中用超音波清潔圖案化ITO基板。接著以蒸餾水沖洗基板，隨後以異丙醇沖洗，且接著在甲苯蒸氣中除脂。接著將經清潔之圖案化ITO基板裝載入真空腔室中且將該腔室抽空至10·8托。接著進一步使用氧電漿清潔基板約 1·5分鐘。在清潔之後，接著藉由熱蒸鍍依次將薄膜之多個層沈積於基板上。圖案化金屬電極（LiF/A1)係經由掩膜沈積。在沈積期間使用石英晶體監測器量測薄膜之厚度。接著將已完成之OLED裝置取出真空腔室，用防護玻璃罩使用環氧樹脂密封，且加以表徵。藉由量測OLED試樣之（1)電流-電壓（j_v)曲線、（2)電致發光輻射率對電壓及（3)電致發光光譜對電壓來表徵〇led 試樣。所有三種量測係同時執行且由電腦進行控制。裝置在某-電壓下之電流效率係藉由用LED之電致發光輻射率除操縱裝置所需之電流密度來測定。單位為cd/A。功率效率為電流效率除以操作電壓。單位為lm/w。下文列出用於製造裝置之材料：緩衝液二氧基嗟吩）與聚合說化石黃社水性分散液。使用與已公開之美國專利申請案第2〇〇4/〇254297 121565.doc -58- 200848422 號之實例3中所述的程序類似的程序來製備該材料。電洞輸送體1為可交聯之聚合電洞輸送材料。 NPB : N，N’-雙（萘_1_基）-N，N’-雙·（苯基）聯苯胺

Balq2 :雙（2-甲基-8-喹啉醯基-κΝ1,κ08)(6-苯基-2-萘酚根）鋁

ZrQ:肆-(8-羥基喹啉醯基·κΝ1，κ08)锆 / 裝置組態：實例24.1 Ο ΙΤΟ基板緩衝液1(48 nm) NPB(30 nm) 摻雜於balq2(400 nm)中之實例1中之發紅光物（3 ·2 nm) ZrQ(30 nm)

LiF(l nm)

Al(100 nm) 實例24.7 : ITO基板緩衝液1(46 nm) ‘ NPB(30 nm) - 摻雜於balq2(400 nm)中之實例7中之發紅光物（3.2 nm)

ZrQ(30 nm)

LiF(l nm)

Al(100 nm) 實例24.8 : 121565.doc -59- 200848422 ιτο基板緩衝液1(44 nm) ΝΡΒ(30 nm) 捧雜於balq2(400 nm)中之實例8中之發紅光物（3 ·2 nm) ZrQ(30 nm)

LiF(l nm)

Al(100 nm) 實例24.9 : Ο ϋ ITO基板緩衝液1(44 nm) NPB(30 nm) 摻雜於balq2(400 nm)中之實例9中之發紅光物（3.2 nm) ZrQ(30 nm)

LiF(l nm)

Al(100 nm) 實例24.10 : ITO基板缓衝液1(47 nm) NPB(30 nm) 摻雜於balq2(400 nm)中之實例10中之發紅光物（3.2 nm) ZrQ(30 nm)

LiF(l nm)

Al(100 nm) 實例24.12 : 121565.doc -60- 200848422 ιτο基板缓衝液1(45 nm) NPB(30 nm) 摻雜於balq2(400 nm)中之實例12中之發紅光物（3.2 nm) ZrQ(30 nm)

LiF(l nm)

Al(100 nm) 實例24.13 : Ο

ITO基板緩衝液1(47 nm) NPB(30 nm) 摻雜於balq2(400 nm)中之實例13中之發紅光物（3.2 nm) ZrQ(30 nm)

LiF(l nm)

Al(100 nm) 實例24.14 : ITO基板緩衝液1(47 nm) NPB(30 nm) 摻雜於balq2(400 nm)中之實例14中之發紅光物（3 ·2 nm) ZrQ(30 nm)

LiF(l nm)

Al(100 nm) 實例24.15 : 121565.doc -61 - 200848422 ITO基板緩衝液1(44 nm) NPB(30 nm) 摻雜於balq2(400 nm)中之實例1 5中之發紅光物（3 ·2 nm) ZrQ(30 nm)

LiF(l nm) ’ Al(100 nm) 實例24.18 : 〇 ITO基板緩衝液1(49 nm) NPB(30 nm) 摻雜於balq2(400 nm)中之實例1 8中之發紅光物（3.2 nm) ZrQ(30 nm)

LiF(l nm)

Al(100 nm) 實例24.20 ITO基板緩衝液1(48 nm) 胃 NPB(30 nm) • 摻雜於balq2(400 nm)中之實例20中之發紅光物（3.2 nm)

ZrQ(30 nm)

LiF(l nm)

Al(100 nm) 121565.doc -62- 200848422 表24·1裝置特徵資料峰值效率， cd/A 500尼特 (nit)下之電流效率， cd/A 500尼特下之功率效率，lm/W 色彩座標， (x，y) 實例24.1 20 16.7 9 (0.65,0.35) 實例24.7 8.5 7 3.1 (0.68,0.32) 實例24.8 14 11.4 5.8 (0.68,0.32) 實例24.9 6 3.75 1.7 (0.685,0.3) 實例24.10 16 10.4 4.6 (0.66,0.35) 實例24.12 16 10.6 5.3 (0.66,0.34) 實例24.13 13 10.8 5 (0.68,0.32) 實例24.14 8 5.4 2.5 (0.64,0.35) 實例24.15 11 7.7 3.6 (0.66,0.33) 實例24.18 5.5 3.3 1.25 (0.69,0.31) 實例24.20 20 15.5 7.9 (0.65,0.35) 〇實例25·裝置製造及特徵資料藉由溶液處理及熱蒸鏟技術之組合來製造OLED裝置。 • 使用來自Thin Film Devices，Inc之經圖案化氧化銦錫（ΙΤΟ) ，塗佈之玻璃基板。此等ITO基板係基於塗佈有1400 A具有 30歐姆/平方的薄層電阻及80%透光率之ιτο之Corning 1737玻璃。在水性清潔劑溶液中用超音波清潔圖案化IT〇基板且用蒸餾水沖洗。接著在丙酮中用超音波清潔圖案化 ΙΤΟ ’用異丙醇沖洗且於氮氣流中乾燥。 121565.doc -63- 200848422 在裝置製造之前，用〇2電漿處理該等經清潔之圖案化 ITO基板5分鐘。在冷卻之後，立即在ιτ〇表面上旋塗緩衝液1或緩衝液2之水性分散液且加熱移除溶劑。在冷卻之後，接著以電洞輸送體i、電洞輸送體2或電洞輸送體化 . 缝旋塗基板’且接著加熱以移除溶劑。在冷卻之後，以 . #射性層溶液旋塗基板，且加熱以移除溶劑。遮蔽基板且將置放於真空腔室中。藉由熱蒸鑛沈積層，接著沈冑UF層。在真空下改變掩膜且藉由熱蒸鍍沈積A1層。使肖腔室通氣且使用玻璃蓋、乾燥劑及UV可固化環氧樹脂密封裝置。、^實例25.2中，主體為Balq與主體A之混合物。緩衝液為緩衝液2。電洞輸送層使用電洞輸送體3。發射物為來自實例2之材料。實例25.4中，主體為Balq與主體a之混合物。緩衝液為緩衝液1。電洞輸送層使用電洞輸送體2。發射物為來自實例4之材料。、】2^·5中’主體為Balq與主體a之混合物。緩衝液 ★ 為緩衝液1。電洞輸送層使用電洞輸送體2。發射物為來自 -實例5之材料。 * 、在實例25.7中，主體為Baiq與主體人之混合物。緩衝液為緩衝液1。電洞輸送層使用電洞輸送體1。發射物為來自實例7之材料。、 ·11中，主體為Balq與主體A之混合物。緩衝液為緩衝夜1。電洞輸送層使用電洞輸送體1。發射物為來自 121565.doc -64- 200848422 實例11之材料。、在實例25.16中，主體為Balq與主體Α之混合物。緩衝液為緩衝液2。電洞輸送層使用電洞輸送體2。發射物為來自實例16之材料。、^貝例25.22中，主體為Balq與主體八之混合物。緩衝液為緩衝液1。電洞輸送層使用電洞輸送體i。發射物為來自實例22之材料。 Ο Ο 、5 .Μ中，主體為Balq與主體a之混合物。緩衝液為緩衝液1。電洞輸送層使用電洞輸送體卜發射物為來自實例2 3之材料。藉由里/則OLED試樣之⑴電流_電壓⑴v)曲線、⑺電致 ^光幸田射率對電壓及（3)電致發光光譜對電壓來表徵式樣所有一種里測係同時執行，且由電腦進行控制。裝置在某—電壓下之電流效率係藉由用LED之電致發光輻射率除操縱裝置所需之電流密度來測定。單位為祕。功率效率為電流效率除以操作電壓。單位^/w。下文列出用於製造裝置之材料：緩衝液1為聚（3,4_ - g f ^ 、一乳基嗟吩）與聚合氟化磺酸之水性分散液。使用與已公開之盖 Ί之杲國專利申請案第2004/0254297 號之實例3中所述的藉皮相y n ^ 4幻％序類似的程序來製備該材料。緩衝液2為聚°比ϋ各盘平人# /、心a鼠化石頁酸之水性分散液。使用與已公開之美國專利由&也# 申Μ案弟XXX號之實例X中所述的程序類似的程序來製備該材料。電洞輸送體1為可交胸取人_ 又聯聚合電洞輸送材料。 121565.doc -65 - 200848422 電洞輸送體2為可交聯聚合電洞輸送材料。電洞輸送體3為可交聯聚合電洞輸送材料。主體A :

Balq :雙（2-甲基-8-喹啉醯基-κΝ1，κ08)(4-苯基-酚醯基）鋁 ZrQ :肆-(8-羥基喹啉）锆表25.1裝置特徵資料 500尼特下之電流效率，cd/A 500尼特下之功率效率，lm/W 色彩座標， (x，y) 實例25.2 14.0 7.6 (0.66,0.33) 實例25.4 5.3 2.0 (0.68,0.32) 實例25.5 8.6 3.9 (0.68,0.32) 實例25.7 4.6 2.0 (0·69,0·30) 實例25.11 9.3 4.5 (0.68,0.31) 實例25.16 5.6 2.3 (0.70,0.30) 實例25.22 9.8 4.8 (0.68,0.32) 實例25.23 14.0 7.5 (0.65,0.35) 121565.doc -66- 200848422 f 應瞭解，為清楚起見而在單獨實施例的上下文中描述之本發明的某些特徵亦可組合提供於單個實施例中。反之，為w潔起見描述於單個實施例之上下文中的本發明之各種特徵亦可單獨提供或以任何子組合形式提供。此外，以範圍形式表述之值包括在該範圍内之每個值。【圖式簡單說明】圖1包括一有機電子裝置之說明性實例。熟習此項技術者瞭解該等圖中之對象係為簡單明瞭之目的而說明且不必、按比例描繪。舉例而言，圖中某些對象之尺寸可能相對其他對象有所誇大，以有助於更好地理解實施例。 ϋ 121565.doc •67-

Claims

200848422 十、申請專利範圍： 1. 一種具有式I或式II之化合物：

R6 P

式I ;

其中： η為1、2或3 ; ρ為0、1或2 ; η+ρ之總和為3 ; R1、R2、R3及R4各獨立地為H、F、烷基、烷氧基、三烧基石夕烧基、三芳基石夕烧基、芳基或經取代芳基； 121565.doc 200848422 R1 2及R3各獨立地為烷基或芳基；且 r6為Η或烷基； R8為Η、F或烧基，其限制條件為R、V、R3、r、r8中之至少一者不為 Η。 ❹ 2.如請求们之化合物，其中…及^為甲基且以 3·如請求項丨之化合物，其具有如下結構： Η

4·如凊求項1之化合物，其具有如下結構

Ο 121565.doc 1 · 一種組合物，其句人主狀添丨匕3如印求項1之化合物及溶劑、加工 2 =、電荷輸送材料、電荷阻斷材料或其組合。 3 種電子裝置1包含至少-層，該至少-層包含一包 200848422 7. I 9 8. 含至少一種如請求項1之化合物的層。如請求項6之裝置，其中該裝置為一發光二極體、一發光二極體顯示器、一雷射二極體、一光偵測器、光導電池、光電阻、光開關、光電晶體、光電管、IR-偵測器、光伏打裝置、太陽能電池、感光器、光電導體、光電刻蝕裝置、電晶體或二極體。如請求項6之裝置，其中該層為一光敏性層。 9. 如請求項6之裝置，其中該層為一電荷輸送層。 Ο 1/ 121565.doc