JP2008526768A - 有機金属錯体 - Google Patents

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Abstract

有機金属錯体、その製造方法、ならびにデバイスおよびサブアセンブリにおけるその使用を提供する。

Description

本開示は、一般に、有機電子デバイス中に見られるような有機金属錯体、ならびにそれを製造するための材料および方法に関する。
（関連出願の相互参照）
本出願は、２００４年１２月３０日に出願された米国仮特許出願第６０／６４０，４９３号明細書および２００５年６月２８日に出願された米国仮特許出願第６０／６９４，９４３号明細書に対する利益を主張し、これらそれぞれの開示はそれらの記載内容全体が本明細書に援用される。
有機電子デバイスは、電気エネルギーを放射線に変換したり、電子的過程を介して信号を検出したり、放射線を電気エネルギーに変換したり、１つまたは複数の有機半導体層を含んだりする。有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）は、エレクトロルミネッセンスが可能な有機層を含む有機電子デバイスである。一部のＯＬＥＤにおいては、これらの光活性有機層は、単純な有機分子、共役ポリマー、または有機金属錯体を含む。
十分理解できるであろうが、有機金属錯体を開発することが重要である。
国際公開第０２／０２７１４号パンフレット 米国特許出願公開第２００１／００１９７８２号明細書 欧州特許第１１９１６１２号明細書 国際公開第０２／１５６４５号パンフレット 欧州特許第１１９１６１４号明細書 米国特許第６，３０３，２３８号明細書 国際公開第００／７０６５５号パンフレット 国際公開第０１／４１５１２号パンフレット 米国特許出願公開第２００４／０２５４２９７号明細書 「可溶性伝導性ポリマーから製造される可撓性発光ダイオード（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅｓ Ｍａｄｅ Ｆｒｏｍ Ｓｏｌｕｂｌｅ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ Ｐｏｌｙｍｅｒ）」，Ｎａｔｕｒｅ，１９９２年，３５７，４７７−４７９頁 カーク・オスマー工業化学百科事典（Ｋｉｒｋ Ｏｔｈｍｅｒ，Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ），第１８巻，８３７−８６０頁（第４版、１９９６年） ブラッドリー（Ｂｒａｄｌｅｙ）ら，Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔ．２００１年，１１６（１−３），３７９−３８３頁 キャンベル（Ｃａｍｐｂｅｌｌ）ら，Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｂ，第６５巻 ０８５２１０
有機金属錯体、ならびにそれを含むデバイスおよびサブアセンブリの製造方法を提供する。
以上の全体的説明および以下の詳細な説明は、単に例および説明であり、添付の特許請求の範囲によって規定される本発明を限定するものではない。
本明細書において提示される概念をより理解しやすくするために、添付の図面に実施形態を示している。
図面は例として提供しており、本発明を限定することを意図するものではない。当業者であれば理解できるように、図面中の物体は、単純および明確にするために示されており、必ずしも一定の縮尺で描かれているわけではない。たとえば、図面中の一部の物体の寸法は、実施形態を理解しやすくするために、他の物体に対して誇張されている場合がある。
式ＩまたはＩＩを有する少なくとも１つの配位子を有する有機金属錯体を提供し：
Figure 2008526768
上式中、Ｒ1はアルキルまたはアリールである。波線が交差する結合は、金属への結合を示している。
一実施形態においては、Ｒ1はパラ位にある。
一実施形態においては、Ｒ1はアルキル基である。一実施形態においては、Ｒ1はＣ４〜Ｃ５アルキルである。一実施形態においては、Ｒ1はｔ−ブチルである。
一実施形態においては、Ｒ1はアリールである。一実施形態においては、Ｒ1はフェニルである。
非極性溶媒への配位子の溶解性を増加させるあらゆる置換基で、Ｒ1がさらに置換されていてもよいことを理解されたい。
一実施形態においては、次式を含む有機金属錯体を提供し：
［Ｙ］nＭＺ
上式中：
ｎは、１、２、または３であり；
Ｍは、＋２、＋３、または＋４の酸化状態にある金属であり；
Ｙは、存在ごとに、８−ヒドロキシキノリンまたはアルキル置換８−ヒドロキシキノリンを含む配位子であり；
Ｚは、前出の式ＩまたはＩＩの配位子である。
一実施形態においては、Ｍは、Ａｌ、Ｚｎ、Ｚｒ、またはＧａである。一実施形態においては、ＭはＡｌである。
一実施形態においては、アルキル置換８−ヒドロキシキノリンは２−アルキル−８−ヒドロキシキノリンである。一実施形態においては、アルキル置換８−ヒドロキシキノリンは２−メチル−８−ヒドロキシキノリンである。
一実施形態においては、有機金属錯体はエレクトロルミネッセンスである。
一実施形態においては、次式を有する有機金属錯体を提供し：
ＭＹnＺ
上式中：
ｎは、１、２、または３であり；
Ｍは、＋２、＋３、または＋４の酸化状態にある金属であり；
Ｙは、８−ヒドロキシキノレートおよび置換８−ヒドロキシキノレートから選択され；
Ｚは、式ＩＩＩまたはＩＶの化合物であり：
Figure 2008526768
上式中：
Ｒ’1は、１つまたは複数の溶媒可溶化基またはＴｇ上昇基である；
Ｒ2、Ｒ3、およびＲ4は独立して、Ｈ、アルキル、置換アルキル、アリール、置換アリール、Ｆ、ＣＮ、溶媒可溶化基、およびＴｇ上昇基からなる群より選択される１つまたは複数である。
一実施形態においては、Ｍは、Ａｌ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｉｎ、またはＧａである。一実施形態においては、ＭはＡｌである。
一実施形態においては、Ｒ1はアルキル基である。一実施形態においては、Ｒ1はＣ１〜Ｃ６アルキルである。一実施形態においては、Ｒ1は、シアノ、アルキル、フルオロアルキル、アリール、フルオロアリール、アルキルアリール、アルコキシ、アリールオキシ、フルオロアルコキシ、またはフルオロアリールオキシ、あるいはそれらのヘテロ類似体である。一実施形態においては、Ｒ1は、フェニル、フルオロフェニル、アルキルフェニル、フルオロアルキルフェニル、アルコキシフェニル、またはフルオロアルコキシフェニルである。
一実施形態においては、Ｒ2、Ｒ3、およびＲ4のすべてがＨである。
本明細書において使用される場合、用語「溶媒可溶化」は、少なくとも１種類の有機溶媒に対する材料の溶解性または分散性が、いずれも室温において、標準親分子であるＢＡｌＱ（ＭＹ2Ｚ、式中Ｙ＝２−メチル−８−ヒドロキシキノリネートおよびＺ＝４−フェニルフェノール）のトルエン中約１．９重量％、またはＢＡｌｎａｐＱ（ＭＹ2Ｚ、式中Ｙ＝２−メチル−８−ヒドロキシキノリネートおよびＺ＝６−フェニル−ナフト−２−オール）のトルエン中約１．３重量％よりも増加していることを意味する。用語「Ｔｇ上昇」とは、その材料のガラス転移温度が、標準親分子であるＢＡｌＱの１０３℃およびＢＡｌｎａｐＱの１１２℃よりも上昇していることを意味する。
用語「置換８−ヒドロキシキノレート」は、少なくとも１つのアルキル、アリール、置換アルキル、または置換アリールの置換基を有する８−ヒドロキシキノレートを意味する。
接頭語「ヘテロ」は、１つまたは複数の炭素原子が異なる原子で置き換えられていることを意味する。接頭語「フルオロ」は、１つまたは複数の水素原子がフッ素原子で置き換えられていることを意味する。
本明細書において使用される場合、「Ｙ」および「Ｚ」は、金属錯体上の配位子を意味することを意図している。
閉じ込め構造の多数の他の構成も考慮される。
一実施形態においては、上述の化合物と、少なくとも１種類の溶媒、加工助剤、電荷輸送材料、または電荷障壁材料とを含む組成物が提供される。これらの組成物は、限定するものではないが、溶媒、エマルジョン、およびコロイド分散体などのあらゆる形態であってよい。
（デバイス）
図１を参照すると、代表的な有機電子デバイス１００が示されている。デバイス１００は基体１０５を含む。基体１０５は、剛性または可撓性であってよく、たとえば、ガラス、セラミック、金属、またはプラスチックであってよい。電圧が印加されると、発せられた光は基体１０５を通して見ることができる。
基体１０５の上には、第１の電気接触層１１０が堆積される。説明のため、層１１０はアノード層である。アノード層は線として堆積することができる。アノードは、たとえば、金属、混合金属、合金、金属酸化物、または混合金属酸化物を含有するまたは含む材料でできていてよい。アノードは、伝導性のポリマー、ポリマーブレンド、またはポリマー混合物を含むことができる。好適な金属としては、１１族金属、４族、５族、および６族の金属、ならびに８族、１０族の遷移金属が挙げられる。アノードが光透過性である場合、インジウムスズ酸化物などの１２族、１３族、および１４族金属の混合金属酸化物が一般に使用される。アノードは、有機材料を含むこともでき、特に、（非特許文献１）に記載される代表的材料などの、ポリアニリンなどの伝導性ポリマーを含むことができる。アノードおよびカソードの少なくとも１つは、発生した光を観察できるようにするため、少なくとも部分的に透明であるべきである。
場合により、ホール輸送材料などの緩衝層１２０を、アノード層１１０の上に堆積することができ、このホール輸送材料は「ホール注入接触層」と呼ばれることもある。層１２０としての使用に適したホール輸送材料の例は、たとえば、（非特許文献２）にまとめられている。ホール輸送「小」分子とオリゴマーおよびポリマーと両方を使用することができる。ホール輸送分子としては：Ｎ，Ｎ’ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、１，１ビス［（ジ−４−トリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、Ｎ，Ｎ’ビス（４−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−エチルフェニル）−［１，１’−（３，３’−ジメチル）ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＥＴＰＤ）、テトラキス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−２，５−フェニレンジアミン（ＰＤＡ）、ａ−フェニル４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチレン（ＴＰＳ）、ｐ（ジエチルアミノ）ベンズアルデヒドジフェニルヒドラゾン（ＤＥＨ）、トリフェニルアミン（ＴＰＡ）、ビス［４（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）−２−メチルフェニル］（４−メチルフェニル）メタン（ＭＰＭＰ）、１フェニル−３−［ｐ−（ジエチルアミノ）スチリル］−５−［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニル］ピラゾリン（ＰＰＲまたはＤＥＡＳＰ）、１，２ｔｒａｎｓ−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）シクロブタン（ＤＣＺＢ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’テトラキス（４−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＴＢ）；４，４’，Ｎ，Ｎ’，ジカルバゾリル−ビフェニル（ＣＢＰ）；および銅フタロシアニンなどのポルフィリン系化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。有用なホール輸送ポリマーとしては、ポリビニルカルバゾール、（フェニルメチル）ポリシラン、およびポリアニリンが挙げられるが、これらに限定されるものではない。伝導性ポリマーは、有用な種類の１つである。前述のようなホール輸送部分を、ポリスチレンおよびポリカーボネートなどのポリマー中にドープすることによって、ホール輸送ポリマーを得ることもできる。
有機層１３０は、緩衝層１２０が存在する場合にはその上に堆積することができるし、第１の電気接触層１１０の上に堆積することもできる。ある実施形態においては、有機層１３０は、種々の成分を含む多数の別個の層であってよい。デバイスの用途に依存するが、有機層１３０は、電圧を適用することによって励起する発光層（発光ダイオードまたは発光電気化学セル中など）、あるいは放射エネルギーに応答し、バイアス電圧を使用しまたは使用せずに信号を発生する材料の層（光検出器中など）であってよい。
デバイス中の他の層は、そのような層が果たすべき機能を考慮することによってそのような層に有用であることが知られているあらゆる材料でできていてよい。
あらゆる有機エレクトロルミネッセンス（「ＥＬ」）材料を、光活性材料（たとえば、層１３０中）として使用することができる。このような材料としては、蛍光染料、小分子有機蛍光化合物、蛍光性およびリン光性の金属錯体、共役ポリマー、ならびにそれらの混合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。蛍光染料の例としては、ピレン、ペリレン、ルブレン、それらの誘導体、およびそれらの混合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。金属錯体の例としては、トリス（８−ヒドロキシキノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）などの金属キレート化オキシノイド化合物；ペトロフ（Ｐｅｔｒｏｖ）らの（特許文献１）に開示されるようなフェニルピリジン、フェニルキノリン、またはフェニルピリミジンの配位子を有するイリジウム錯体などの、シクロメタレート化されたイリジウムおよび白金のエレクトロルミネッセンス化合物、ならびに、たとえば、米国特許公報（特許文献２）、（特許文献３）、（特許文献４）、および（特許文献５）に記載されるような有機金属錯体；ならびにそれらの混合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。電荷キャリアホスト材料と金属錯体とを含むエレクトロルミネッセンス発光層が、トンプソン（Ｔｈｏｍｐｓｏｎ）らにより米国特許公報（特許文献６）に、ならびにバローズ（Ｂｕｒｒｏｗｓ）およびトンプソン（Ｔｈｏｍｐｓｏｎ）により（特許文献７）および（特許文献８）に記載されている。共役ポリマーの例としては、ポリ（フェニレンビニレン）、ポリフルオレン、ポリ（スピロビフルオレン）、ポリチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレン）、それらのコポリマー、およびそれらの混合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
本発明のデバイスの一実施形態においては、光活性材料が有機金属錯体であってよい。別の実施形態においては、光活性材料が、イリジウムまたは白金のシクロメタレート化錯体である。他の有用な光活性材料を使用することもできる。フェニルピリジン、フェニルキノリン、またはフェニルピリミジンの配位子を有するイリジウム錯体が、エレクトロルミネッセンス化合物としてペトロフ（Ｐｅｔｒｏｖ）らの（特許文献１）に開示されている。他の有機金属錯体が、たとえば、米国特許公報（特許文献２）、（特許文献３）、（特許文献４）、および（特許文献５）に記載されている。イリジウムの金属錯体でドープしたポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）の活性層を有するエレクトロルミネッセンスデバイスが、バローズ（Ｂｕｒｒｏｗｓ）およびトンプソン（Ｔｈｏｍｐｓｏｎ）により（特許文献７）および（特許文献８）に記載されている。電荷キャリアホスト材料とリン光性白金錯体とを含むエレクトロルミネッセンス発光層が、米国特許公報トンプソン（Ｔｈｏｍｐｓｏｎ）らにより（特許文献６）、（非特許文献３）、および（非特許文献４）に記載されている。
有機層１３０の上には、第２の電気接触層１６０が堆積される。説明のため、層１６０はカソード層である。
カソード層は、線としてまたは薄膜として堆積することができる。カソードは、アノードよりも低い仕事関数を有するあらゆる金属または非金属であってよい。カソードの代表的材料としては、アルカリ金属、特にリチウム、２族（アルカリ土類）金属、１２族金属、たとえば希土類元素およびランタニド、ならびにアクチニドを挙げることができる。アルミニウム、インジウム、カルシウム、バリウム、サマリウム、およびマグネシウム、ならびにそれらの組み合わせなどの材料を使用することができる。系の動作電圧を下げるために、ＬｉＦおよびＬｉ2Ｏなどのリチウム含有化合物およびその他の化合物を、有機層とカソード層との間に堆積することもできる。
電子輸送層１４０または電子注入層１５０は、場合によりカソードに隣接して配置され、カソードは「電子注入接触層」と呼ばれることもある。
水および酸素などの望ましくない成分がデバイス１００内に入るのを防止するために、接触層１６０の上に封入層１７０が堆積される。このような成分は、有機層１３０に対して悪影響を及ぼすことがある。一実施形態においては、封入層１７０は、障壁層またはフィルムである。
図示していないが、デバイス１００は追加の層を含むことができることを理解されたい。たとえば、層の正電荷輸送および／またはバンドギャップの整合性を促進するため、または保護層として機能させるために、アノード１１０とホール輸送層１２０との間に層（図示せず）が存在してもよい。当技術分野またはその他の分野で知られている他の層を使用することもできる。さらに、上述のいずれかの層は、２つ以上の副層を含むことができるし、層状構造を形成することもできる。あるいは、アノード層１１０ホール輸送層１２０、電子輸送層１４０および１５０、カソード層１６０、ならびにその他の層の一部またはすべて、電荷キャリア輸送効率またはデバイスの他の物理的性質を改善するための処理、特に表面処理を行うことができる。それぞれの構成要素層の材料の選択は、好ましくは、デバイスの稼働寿命を考慮した高いデバイス効率、製造時間、および複雑な要因、ならびに当業者によって認識されているその他の重要事項を有するデバイスを提供するための複数の目標のバランスを取るように決定される。最適な構成要素、構成要素の構成、および組成の決定は、当業者の日常業務であることを理解されたい。
一実施形態においては、本発明の種々の層は、以下の範囲の厚さを有する：アノード１１０、５００−５０００Å、一実施形態においては１０００〜２０００Å；ホール輸送層１２０、５０〜２０００Å、一実施形態においては２００〜１０００Å；光活性層１３０、１０〜２０００Å、一実施形態においては１００〜１０００Å；層１４０および１５０、５０〜２０００Å、一実施形態においては１００〜１０００Å；カソード１６０、２００〜１００００Å、一実施形態においては３００〜５０００Å。デバイス中の電子−ホール再結合領域の位置、したがってデバイスの発光スペクトルは、各層の相対厚さの影響を受けることがある。たとえば、電子−ホール再結合ゾーンが発光層中に存在するように、電子輸送層の厚さを選択すべきである。層の厚さの望ましい比は、使用される材料の厳密な性質に依存する。
一実施形態においては、本発明のデバイスは、アノード、緩衝層、ホール輸送層、光活性層、電子輸送層、電子注入層、カソードの構造をこの順序で有する。一実施形態においては、アノードは、インジウムスズ酸化物またはインジウム亜鉛酸化物でできている。一実施形態においては、緩衝層は、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリピロール、それらのコポリマー、およびそれらの混合物からなる群より選択される伝導性ポリマーを含む。一実施形態においては、緩衝層は、伝導性ポリマーとコロイド形成性ポリマー酸との複合体を含む。一実施形態においては、緩衝層は、トリアリールアミン基またはトリアリールメタン基を有する化合物を含む。一実施形態においては、緩衝層は、前述の定義のＴＰＤ、ＭＰＭＰ、ＮＰＢ、ＣＢＰ、およびそれらの混合物からなる群より選択される材料を含む。
一実施形態においては、ホール輸送層は、ポリマーホール輸送材料を含む。一実施形態においては、ホール輸送層は架橋性である。一実施形態においては、ホール輸送層は、トリアリールアミン基またはトリアリールメタン基を有する化合物を含む。一実施形態においては、緩衝層は、前述の定義のＴＰＤ、ＭＰＭＰ、ＮＰＢ、ＣＢＰ、およびそれらの混合物からなる群より選択される材料を含む。
一実施形態においては、光活性層は、エレクトロルミネッセンス金属錯体およびホスト材料を含む。このホストは電荷輸送材料であってよい。一実施形態においては、ホスト材料は、本明細書において定義される式ＭＹｎＺを有する有機金属錯体である。一実施形態においては、上記エレクトロルミネッセンス錯体は、少なくとも１重量％の量で存在する。一実施形態においては、エレクトロルミネッセンス錯体は２〜２０重量％である。一実施形態においては、エレクトロルミネッセンス錯体は２０〜５０重量％である。一実施形態においては、エレクトロルミネッセンス錯体は５０〜８０重量％である。一実施形態においては、エレクトロルミネッセンス錯体は８０〜９９重量％である。一実施形態においては、金属錯体は、イリジウム、白金、レニウム、またはオスミウムのシクロメタレート化錯体である。一実施形態においては、光活性層は、第２のホスト材料をさらに含む。第２のホストは電荷輸送材料であってよい。一実施形態においては、第２のホストはホール輸送材料である。一実施形態においては、第２のホストは電子輸送材料である。一実施形態においては、第２のホスト材料は、ヒドロキシアリール−Ｎ−複素環の金属錯体である。一実施形態においては、このヒドロキシアリール−Ｎ−複素環は非置換または置換の８−ヒドロキシキノリンである。一実施形態においては、上記金属はアルミニウムである。一実施形態においては、第２のホストは、トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム、テトラキス（８−ヒドロキシキノリナト）ジルコニウム、およびそれらの混合物からなる群より選択される材料である。第１のホスト対第２のホストの比は１：１００〜１００：１とすることができる。一実施形態においては、この比は１：１０〜１０：１である。一実施形態においては、この比は１：１０〜１：５である。一実施形態においては、この比は１：５〜１：１である。一実施形態においては、この比は１：１〜５：１である。一実施形態においては、この比は５：１〜５：１０である。
一実施形態においては、電子輸送層は、ヒドロキシアリール−Ｎ−複素環の金属錯体を含む。一実施形態においては、このヒドロキシアリール−Ｎ−複素環は非置換または置換の８−ヒドロキシキノリンである。一実施形態においては、上記金属はアルミニウムである。一実施形態においては、電子輸送層は、トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム、テトラキス（８−ヒドロキシキノリナト）ジルコニウム、およびそれらの混合物からなる群より選択される材料である。一実施形態においては、電子注入層はＬｉＦまたはＬｉＯ２である。一実施形態においては、カソードはＡｌまたはＢａ／Ａｌである。
一実施形態においては、本発明のデバイスは、緩衝層、ホール輸送層、および光活性層の液相堆積と、電子輸送層、電子注入層、およびカソードの気相堆積とによって製造される。
本発明の緩衝層は、それを溶解または分散してそれからフィルムを形成するあらゆる液体媒体から堆積することができる。一実施形態においては、この液体媒体は１つまたは複数の有機溶媒から実質的になる。一実施形態においては、この液体媒体は、水、あるいは水および有機溶媒から実質的になる。一実施形態においては、この有機溶媒は、アルコール、ケトン、環状エーテル、およびポリオールからなる群より選択される。一実施形態においては、この有機液体は、ジメチルアセトアミド（「ＤＭＡｃ」）、Ｎメチルピロリドン（「ＮＭＰ」）、ジメチルホルムアミド（「ＤＭＦ」）、エチレングリコール（「ＥＧ」）、脂肪族アルコール、およびそれらの混合物から選択される。緩衝材料は、０．５〜１０重量％の量で液体媒体中に存在することができる。液体媒体に依存して、他の重量パーセント値の緩衝材料を使用することもできる。緩衝層は、あらゆる連続または不連続の液相堆積技術によって適用することができる。一実施形態においては、緩衝層はスピンコーティングによって適用される。一実施形態においては、緩衝層はインクジェット印刷によって適用される。液相堆積の後、液体媒体は、空気中、不活性雰囲気中、または真空において、室温または加熱しながら除去することができる。一実施形態においては、この層は２７５℃未満の温度に加熱される。一実施形態においては、加熱温度は１００℃〜２７５℃の間である。一実施形態においては、加熱温度は１００℃〜１２０℃の間である。一実施形態においては、加熱温度は１２０℃〜１４０℃の間である。一実施形態においては、加熱温度は１４０℃〜１６０℃の間である。一実施形態においては、加熱温度は１６０℃〜１８０℃の間である。一実施形態においては、加熱温度は１８０℃〜２００℃の間である。一実施形態においては、加熱温度は２００℃〜２２０℃の間である。一実施形態においては、加熱温度は１９０℃〜２２０℃の間である。一実施形態においては、加熱温度は２２０℃〜２４０℃の間である。一実施形態においては、加熱温度は２４０℃〜２６０℃の間である。一実施形態においては、加熱温度は２６０℃〜２７５℃の間である。加熱時間は温度に依存し、一般に５〜６０分の間である。一実施形態においては、最終層厚さは５ｎｍ〜２００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは５ｎｍ〜４０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは４０ｎｍ〜８０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは８０ｎｍ〜１２０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは１２０ｎｍ〜１６０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは１６０ｎｍ〜２００ｎｍの間である。
本発明のホール輸送層は、それを溶解または分散してそれからフィルムを形成するあらゆる液体媒体から堆積することができる。一実施形態においては、この液体媒体は１つまたは複数の有機溶媒から実質的になる。一実施形態においては、この液体媒体は、水、あるいは水および有機溶媒から実質的になる。一実施形態においては、この有機溶媒は芳香族溶媒である。一実施形態においては、有機液体は、クロロホルム、ジクロロメタン、トルエン、アニソール、およびそれらの混合物から選択される。ホール輸送材料は、０．２〜２重量％の濃度で液体媒体中に存在することができる。液体媒体に依存して、他の重量パーセント値のホール輸送材料を使用することができる。ホール輸送層は、あらゆる連続または不連続の液相堆積技術によって適用することができる。一実施形態においては、ホール輸送層はスピンコーティングによって適用される。一実施形態においては、ホール輸送層はインクジェット印刷によって適用される。液相堆積の後、液体媒体は、空気中、不活性雰囲気中、または真空において、室温または加熱しながら除去することができる。一実施形態においては、この層は２７５℃未満の温度に加熱される。一実施形態においては、加熱温度は１７０℃〜２７５℃の間である。一実施形態においては、加熱温度は１７０℃〜２００℃の間である。一実施形態においては、加熱温度は１９０℃〜２２０℃の間である。一実施形態においては、加熱温度は２１０℃〜２４０℃の間である。一実施形態においては、加熱温度は２３０℃〜２７０℃の間である。加熱時間は温度に依存し、一般に５〜６０分の間である。一実施形態においては、最終層厚さは５ｎｍ〜５０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは５ｎｍ〜１５ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは１５ｎｍ〜２５ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは２５ｎｍ〜３５ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは３５ｎｍ〜５０ｎｍの間である。
本発明の光活性層は、それを溶解または分散してそれからフィルムを形成するあらゆる液体媒体から堆積することができる。一実施形態においては、液体媒体は、１つまたは複数の有機溶媒からから実質的になる。一実施形態においては、液体媒体は、水、あるいは水および有機溶媒から実質的になる。一実施形態においては、この有機溶媒は芳香族溶媒である。一実施形態においては、有機液体は、クロロホルム、ジクロロメタン、トルエン、アニソール、およびそれらの混合物から選択される。光活性材料は、０．２〜２重量％の濃度で液体媒体中に存在することができる。液体媒体に依存して、他の重量パーセント値の光活性材料を使用することができる。光活性層は、あらゆる連続または不連続の液相堆積技術によって適用することができる。一実施形態においては、光活性層はスピンコーティングによって適用される。一実施形態においては、光活性層はインクジェット印刷によって適用される。液相堆積の後、液体媒体は、空気中、不活性雰囲気中、または真空において、室温または加熱しながら除去することができる。一実施形態においては、堆積させた層は、最低Ｔｇを有する材料のＴｇ未満の温度に加熱される。一実施形態においては、加熱温度は最低Ｔｇよりも少なくとも１０℃低い。一実施形態においては、加熱温度は最低Ｔｇよりも少なくとも２０℃低い。一実施形態においては、加熱温度は最低Ｔｇよりも少なくとも３０℃低い。一実施形態においては、加熱温度は５０℃〜１５０℃の間である。一実施形態においては、加熱温度は５０℃〜７５℃の間である。一実施形態においては、加熱温度は７５℃〜１００℃の間である。一実施形態においては、加熱温度は１００℃〜１２５℃の間である。一実施形態においては、加熱温度は１２５℃〜１５０℃の間である。加熱時間は温度に依存し、一般に５〜６０分の間である。一実施形態においては、最終層厚さは２５ｎｍ〜１００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは２５ｎｍ〜４０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは４０ｎｍ〜６５ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは６５ｎｍ〜８０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは８０ｎｍ〜１００ｎｍの間である。
本発明の電子輸送層は、あらゆる気相堆積方法によって堆積することができる。一実施形態においては、真空下での熱蒸着によって堆積される。一実施形態においては、最終層厚さは１ｎｍ〜１００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは１ｎｍ〜１５ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは１５ｎｍ〜３０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは３０ｎｍ〜４５ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは４５ｎｍ〜６０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは６０ｎｍ〜７５ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは７５ｎｍ〜９０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは９０ｎｍ〜１００ｎｍの間である。
本発明の電子注入層は、あらゆる気相堆積方法によって堆積することができる。一実施形態においては、真空下での熱蒸着によって堆積される。一実施形態においては、真空は１０−６ｔｏｒｒ未満である。一実施形態においては、真空は１０−７ｔｏｒｒ未満である。一実施形態においては、真空は１０−８ｔｏｒｒ未満である。一実施形態においては、材料は、１００℃〜４００℃の範囲内の温度、好ましくは１５０℃〜３５０℃の範囲内の温度に加熱される。一実施形態においては、材料は０．５〜１０Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は０．５〜１Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は１〜２Å／秒の速度で堆積される。一実施形態（ｏｎｅ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔｍ）においては、材料は２〜３Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は３〜４Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は４〜５Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は５〜６Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は６〜７Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は７〜８Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は８〜９Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は９〜１０Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、最終層厚さは０．１〜３ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは０．１〜１ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは１ｎｍ〜２ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは２ｎｍ〜３ｎｍの間である。
本発明のカソードは、あらゆる気相堆積方法によって堆積することができる。一実施形態においては、真空下での熱蒸着によって堆積される。一実施形態においては、真空は１０−６ｔｏｒｒ未満である。一実施形態においては、真空は１０−７ｔｏｒｒ未満である。一実施形態においては、真空は１０−８ｔｏｒｒ未満である。一実施形態においては、材料は、１００℃〜４００℃の範囲内の温度、好ましくは１５０℃〜３５０℃の範囲内の温度に加熱される。一実施形態においては、材料は０．５〜１０Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は０．５〜１Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は１〜２Å／秒の速度で堆積される。一実施形態（ｏｎｅ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔｍ）においては、材料は２〜３Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は３〜４Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は４〜５Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は５〜６Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は６〜７Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は７〜８Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は８〜９Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は９〜１０Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、最終層厚さは１０〜１００００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは１０〜１０００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは１０ｎｍ〜５０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは５０ｎｍ〜１００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは１００ｎｍ〜２００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは２００ｎｍ〜３００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは３００ｎｍ〜４００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは４００ｎｍ〜５００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは５００ｎｍ〜６００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは６００ｎｍ〜７００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは７００ｎｍ〜８００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは８００〜９００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは９００ｎｍ〜１０００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは１０００ｎｍ〜２０００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは２０００ｎｍ〜３０００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは３０００ｎｍ〜４０００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは４０００ｎｍ〜５０００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは５０００ｎｍ〜６０００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは６０００ｎｍ〜７０００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは７０００ｎｍ〜８０００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは８０００ｎｍ〜９０００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは９０００〜１００００ｎｍの間である。
一実施形態においては、本発明のデバイスは、緩衝層、ホール輸送層、および光活性層、電子輸送層、電子注入層、およびカソードの気相堆積によって製造される。
一実施形態においては、緩衝層は気相堆積によって適用される。一実施形態においては、真空下での熱蒸着によって堆積される。一実施形態においては、真空は１０−６ｔｏｒｒ未満である。一実施形態においては、真空は１０−７ｔｏｒｒ未満である。一実施形態においては、真空は１０−８ｔｏｒｒ未満である。一実施形態においては、材料は、１００℃〜４００℃の範囲内の温度、好ましくは１５０℃〜３５０℃の範囲内の温度に加熱される。一実施形態においては、材料は０．５〜１０Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は０．５〜１Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は１〜２Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は２〜３Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は３〜４Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は４〜５Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は５〜６Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は６〜７Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は７〜８Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は８〜９Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は９〜１０Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、最終層厚さは５ｎｍ〜２００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは５ｎｍ〜３０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは３０ｎｍ〜６０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは６０ｎｍ〜９０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは９０ｎｍ〜１２０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは１２０ｎｍ〜１５０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは１５０ｎｍ〜２８０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは１８０ｎｍ〜２００ｎｍの間である。
一実施形態においては、ホール輸送層は気相堆積によって適用される。一実施形態においては、真空下での熱蒸着によって堆積される。一実施形態においては、真空は１０−６ｔｏｒｒ未満である。一実施形態においては、真空は１０−７ｔｏｒｒ未満である。一実施形態においては、真空は１０−８ｔｏｒｒ未満である。一実施形態においては、材料は、１００℃〜４００℃の範囲内の温度、好ましくは１５０℃〜３５０℃の範囲内の温度に加熱される。一実施形態においては、材料は０．５〜１０Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は０．５〜１Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は１〜２Å／秒の速度で堆積される。一実施形態（ｏｎｅ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔｍ）においては、材料は２〜３Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は３〜４Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は４〜５Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は５〜６Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は６〜７Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は７〜８Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は８〜９Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は９〜１０Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、最終層厚さは５ｎｍ〜２００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは５ｎｍ〜３０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは３０ｎｍ〜６０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは６０ｎｍ〜９０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは９０ｎｍ〜１２０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは１２０ｎｍ〜１５０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは１５０ｎｍ〜２８０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは１８０ｎｍ〜２００ｎｍの間である。
一実施形態においては、光活性層は気相堆積によって適用される。一実施形態においては、真空下での熱蒸着によって堆積される。一実施形態においては、光活性層は、１種類のエレクトロルミネッセンス化合物から実質的になり、これは真空下での熱蒸着によって堆積される。一実施形態においては、真空は１０−６ｔｏｒｒ未満である。一実施形態においては、真空は１０−７ｔｏｒｒ未満である。一実施形態においては、真空は１０−８ｔｏｒｒ未満である。一実施形態においては、材料は、１００℃〜４００℃の範囲内の温度、好ましくは１５０℃〜３５０℃の範囲内の温度に加熱される。一実施形態においては、材料は０．５〜１０Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は０．５〜１Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は１〜２Å／秒の速度で堆積される。一実施形態（ｏｎｅ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔｍ）においては、材料は２〜３Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は３〜４Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は４〜５Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は５〜６Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は６〜７Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は７〜８Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は８〜９Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は９〜１０Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、最終層厚さは５ｎｍ〜２００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは５ｎｍ〜３０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは３０ｎｍ〜６０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは６０ｎｍ〜９０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは９０ｎｍ〜１２０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは１２０ｎｍ〜１５０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは１５０ｎｍ〜２８０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは１８０ｎｍ〜２００ｎｍの間である。
一実施形態においては、光活性層は、２種類のエレクトロルミネッセンス材料を含み、そのそれぞれが真空下での熱蒸着によって適用される。前述のあらゆる真空条件および温度を使用することができる。前述のあらゆる堆積速度を使用することができる。相対堆積速度は５０：１〜１：５０とすることができる。一実施形態においては、相対堆積速度は１：１〜１：３である。一実施形態においては、相対堆積速度は１：３〜１：５である。一実施形態においては、相対堆積速度は１：５〜１：８である。一実施形態においては、相対堆積速度は１：８〜１：１０である。一実施形態においては、相対堆積速度は１：１０〜１：２０である。一実施形態においては、相対堆積速度は１：２０〜１：３０である。一実施形態においては、相対堆積速度は１：３０〜１：５０である。層全体の厚さは、１成分の光活性層に関して前述したものと同じであってよい。
一実施形態においては、光活性層は、１種類のエレクトロルミネッセンス材料と少なくとも１種類のホスト材料とを含み、そのそれぞれが真空下での熱蒸着によって適用される。前述のあらゆる真空条件および温度を使用することができる。前述のあらゆる堆積速度を使用することができる。エレクトロルミネッセンス材料対ホストの相対堆積速度は１：１〜１：９９とすることができる。一実施形態においては、相対堆積速度は１：１〜１：３である。一実施形態においては、相対堆積速度は１：３〜１：５である。一実施形態においては、相対堆積速度は１：５〜１：８である。一実施形態においては、相対堆積速度は１：８〜１：１０である。一実施形態においては、相対堆積速度は１：１０〜１：２０である。一実施形態においては、相対堆積速度は１：２０〜１：３０である。一実施形態においては、相対堆積速度は１：３０〜１：４０である。一実施形態においては、相対堆積速度は１：４０〜１：５０である。一実施形態においては、相対堆積速度は１：５０〜１：６０である。一実施形態においては、相対堆積速度は１：６０〜１：７０である。一実施形態においては、相対堆積速度は１：７０〜１：８０である。一実施形態においては、相対堆積速度は１：８０〜１：９０である。一実施形態においては、相対堆積速度は１：９０〜１：９９である。層全体の厚さは、１成分の光活性層に関して前述したものと同じであってよい。
一実施形態においては、電子輸送層は気相堆積によって適用される。一実施形態においては、真空下での熱蒸着によって堆積される。一実施形態においては、真空は１０−６ｔｏｒｒ未満である。一実施形態においては、真空は１０−７ｔｏｒｒ未満である。一実施形態においては、真空は１０−８ｔｏｒｒ未満である。一実施形態においては、材料は、１００℃〜４００℃の範囲内の温度、好ましくは１５０℃〜３５０℃の範囲内の温度に加熱される。一実施形態においては、材料は０．５〜１０Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は０．５〜１Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は１〜２Å／秒の速度で堆積される。一実施形態（ｏｎｅ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔｍ）においては、材料は２〜３Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は３〜４Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は４〜５Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は５〜６Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は６〜７Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は７〜８Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は８〜９Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、材料は９〜１０Å／秒の速度で堆積される。一実施形態においては、最終層厚さは５ｎｍ〜２００ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは５ｎｍ〜３０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは３０ｎｍ〜６０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは６０ｎｍ〜９０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは９０ｎｍ〜１２０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは１２０ｎｍ〜１５０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは１５０ｎｍ〜２８０ｎｍの間である。一実施形態においては、最終層厚さは１８０ｎｍ〜２００ｎｍの間である。
一実施形態においては、電子注入層は、前述のような気相堆積によって適用される。
一実施形態においては、カソードは、前述のような気相堆積によって適用される。一実施形態においては、デバイスは、一部の有機層の気相堆積、および一部の有機層の液相堆積によって製造される。一実施形態においては、デバイスは、緩衝層の液相堆積、および他のすべての層の気相堆積によって製造される。
動作中、適切な電源（図示せず）からの電圧がデバイス１００に印加される。それによって、デバイス１００の層に電流が流れる。電子が有機ポリマー層に入り、フォトンを放出する。アクティブマトリックスＯＬＥＤディスプレイと呼ばれる一部のＯＬＥＤでは、光活性有機フィルムの個別の堆積物が、電流の流れによって独立して励起し、それによって個別のピクセルが発光することができる。パッシブマトリックスＯＬＥＤディスプレイと呼ばれる一部のＯＬＥＤでは、光活性有機フィルムの堆積物は、電気接触層の行および列によって励起させることができる。
デバイスは、種々の技術を使用して作製することができる。このようなものとしては、非限定的な例として、気相堆積技術および液相堆積が挙げられる。デバイスは、後に組み合わせることでデバイスを形成することが可能な分離した複数の製品に組み立てることもできる。
（定義）
「ａ」または「ａｎ」の使用は、本発明の要素および成分を記述するために使用される。これは、単に便宜上のものであり、本発明の一般的意味を示すために使用される。この記述は、１つまたは少なくとも１つを含むものと読むべきであり、特に明記しない限り単数形は、複数形も包含するものとする。
層または材料について言及される場合、用語「活性」は、電子的または電気放射的（ｅｌｅｃｔｒｏ−ｒａｄｉａｔｉｖｅ）性質を示す層または材料を意味することを意図している。活性層材料は、放射線を受けた場合に、放射線を放出する場合もあるし、電子−ホール対の濃度変化を示す場合もある。したがって、用語「活性材料」は、デバイスの動作を電子的に促進する材料を意味する。活性材料の例としては、限定するものではないが、電荷を伝導、注入、輸送、またはブロックする材料が挙げられ、この電荷は電子またはホールのいずれであってもよい。不活性材料の例としては、平坦化材料、絶縁材料、および環境障壁材料が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
本明細書において使用される場合、用語「含んでなる」（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）、「含んでなること」（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）、「含む」（ｉｎｃｌｕｄｅｓ）、「含むこと」（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）、「有する」（ｈａｓ）、「有すること」（ｈａｖｉｎｇ）、またはそれらの他のあらゆる変形は、非排他的な包含を扱うことを意図している。たとえば、ある一連の要素を含むプロセス、方法、物品、または装置は、それらの要素にのみに必ずしも限定されるわけではなく、そのようなプロセス、方法、物品、または装置に関して明示されず固有のものでもない他の要素を含むことができる。さらに、反対の意味で明記されない限り、「または」（ｏｒ）は、包含的な「または」（ｏｒ）を意味するのであって、排他的な「または」（ｏｒ）を意味するのではない。たとえば、条件ＡまたはＢが満たされるのは、Ａが真であり（または存在する）Ｂが偽である（または存在しない）、Ａが偽であり（または存在しない）Ｂが真である（または存在する）、およびＡおよびＢの両方が真である（または存在する）のいずれか１つによってである。
用語「層」は、用語「フィルム」と交換可能に使用され、希望する領域を覆うコーティングを意味する。この領域は、デバイス全体または実際の画像表示などの特定の機能性領域までの大きさであってもよいし、あるいは１つのサブピクセルの小ささであってもよい。フィルムは、気相堆積および液相堆積などのあらゆる従来の堆積技術によって形成することができる。液相堆積技術としては、スピンコーティング、グラビアコーティング、カーテンコーティング、浸漬コーティング、スロットダイコーティング、スプレーコーティング、および連続ノズルコーティングなどの連続堆積技術；ならびにインクジェット印刷、グラビア印刷、およびスクリーン印刷などの不連続堆積技術が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
用語「有機電子デバイス」は、１つまたは複数の半導体の層または材料を含むデバイスを意味することを意図している。有機電子デバイスとしては：（１）電気エネルギーを放射線に変換するデバイス（たとえば、発光ダイオード、発光ダイオードディスプレイ、ダイオードレーザー、または照明パネル）、（２）電子的過程を介して信号を検出するデバイス（たとえば、光検出器 光導電セル、フォトレジスタ、フォトスイッチ、フォトトランジスタ、光電管、赤外線（「ＩＲ」）検出器、またはバイオセンサー）、（３）放射線を電気エネルギーに変換するデバイス（たとえば、光起電性デバイスまたは太陽電池）、および（４）１つまたは複数の有機半導体層（たとえば、トランジスタまたはダイオード）を含む１つまたは複数の電子部品を含むデバイスが挙げられるが、これらに限定されるものではない。デバイスという用語は、記憶デバイス、帯電防止フィルム、バイオセンサー、エレクトロクロミックデバイス、固体電解コンデンサ、充電式電池などのエネルギー蓄積デバイス、および電磁遮蔽用途のためのコーティング材料も含んでいる。
用語「基体」は、剛性または可撓性のいずれであってもよく、１つまたは複数の材料の１つまたは複数の層を含むことができる工作物を意味することを意図しており、このような材料としては、ガラス、ポリマー、金属、またはセラミック材料、あるいはそれらの組み合わせを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
特に定義しない限り、本明細書において使用されるすべての技術的および科学的な用語は、本発明が属する当業者によって一般に理解されているものと同じ意味を有する。本明細書に記載されているものと類似または同等の方法および材料を使用して、本発明の実施形態の実施または試験が可能であるが、好適な方法および材料については以下に説明する。本明細書において言及されるあらゆる刊行物、特許出願、特許、およびその他の参考文献は、特に明記しない限り、それらの記載内容全体が参照により援用される。抵触の場合には、定義を含めた本明細書が調整される。さらに、本発明の材料、方法、および実施例は単に説明的なものであって、限定を意味するものではない。
本明細書に記載されていない程度の、具体的な材料、処理行為、および回路に関する多くの詳細は従来通りであり、それらについては、有機発光ダイオードディスプレイ、光検出器、光電池、および半導体要素の技術分野の教科書およびその他の情報源中に見ることができる。
本明細書に記載される概念を以下の実施例でより詳細に説明するが、これらの実施例は、特許請求の範囲に記載される本発明の範囲を限定するものではない。
（実施例１ ４−（４−ｔ−ブチルフェニル）−フェノールのアルミニウム錯体の調製）
Figure 2008526768
（１ａ フェノール系配位子の調製）
Figure 2008526768
Ｈ2Ｏ（４００ｍＬ）中のＫ2ＣＯ3（３１．５２ｇ、２２．８ｍｍｏｌ）の脱気した溶液を、４−ブロモフェノール（５．１９ｇ、３０ｍｍｏｌ）と、４−（ｔ−ブチルフェニル）ボロン酸（１０．３８ｇ、６６ｍｍｏｌ）と、Ｐｄ（ＰＰｈ3）4（２．００ｇ、１．７２ｍｍｏｌ）とのモノグライム（４００ｍＬ）中の混合物に加え、次に８０℃で２日間加熱した。冷却後、その混合物をジエチルエーテルで希釈し、１Ｍ ＨＣｌ（約１００ｍＬ）を加えた。ＮａＨＣＯ3飽和溶液で中和した後、その有機層を分離し、ＭｇＳＯ4上で乾燥させた。溶媒を蒸発させると黄色固体が得られ、それをシリカ（ヘキサン）上のクロマトグラフィーによって精製すると、所望の生成物が白色粉末（１３．１ｇ、９６％）として得られた。
（１ｂ １ａで調製した配位子を含むアルミニウム錯体の調製）
グローブボックス中で、１．６０ｇのキナルジン（２−メチル−８−ヒドロキシキノリン）を、３００ｍＬの丸底フラスコ中で撹拌しながら２５ｍＬのトルエンに溶解させた。迅速に撹拌しながら、２．７５ｍＬの１．９Ｍトリエチルアルミニウムのトルエン溶液（アルドリッチ（Ａｌｄｒｉｃｈ））をシリンジで加えた。溶液が発泡してあふれるのを防止するため、添加はゆっくり行う必要がある。溶液は濁り始め、最終的には濃い黄色の繊維状沈殿物が形成された。この溶液をマントルヒーター中で還流すると、溶液が透明な黄色になるにつれて、固形分が再溶解した。１ａで調製した配位子１．１３ｇを、５ｍＬのトルエン中の溶液として加え、加熱撹拌すると、薄いオレンジ色の透明な溶液が得られた。この溶液を３０分間再度還流した。
ヘキサンを加えると、所望の生成物の白色結晶の沈殿物が、約１．４ｇの収量で得られる。この結晶を濾過によって回収し、吸引乾燥した。得られた材料は青色のフォトルミネッセンスであり、以下に示される塩化メチレン中での１−Ｈ ＮＭＲを有する。生成物のＴｇ：１２１℃。この材料は、デバイス製造前に高真空中で昇華させた。
Figure 2008526768
Figure 2008526768
（実施例２ ６−（４−ｔ−ブチルフェニル）−ナフト−２−オールのアルミニウム錯体の調製）
Figure 2008526768
（２ａ フェノール系配位子の調製）
Figure 2008526768
Ｈ２Ｏ（１００ｍＬ）中のＫ2ＣＯ3（８．２ｇ、５．９ｍｍｏｌ）の脱気した溶液を、６−ブロモ−２−ナフトール（３．４３ｇ、１．５４ｍｍｏｌ）と、４−（ｔ−ブチルフェニル）ボロン酸（３．２１ｇ、１．８０ｍｍｏｌ）と、Ｐｄ（ＰＰｈ3）4（０．８９ｇ、０．７７ｍｍｏｌ）とのモノグライム（１００ｍＬ）中の混合物に加え、次に８０℃で２日間加熱した。冷却後、その混合物をジエチルエーテルで希釈し、１Ｍ ＨＣｌ（約２０ｍＬ）を加えた。ＮａＨＣＯ3飽和溶液で中和した後、その有機層を分離し、ＭｇＳＯ4上で乾燥させた。溶媒を蒸発させると黄色固体が得られ、それをシリカ（ヘキサン）上のクロマトグラフィーによって精製すると、所望の生成物が黄褐色粉末（３．８ｇ、８９％）として得られた。
（２ｂ ２ａで調製した配位子を含むアルミニウム錯体の調製）
グローブボックス中で、１．６０ｇのキナルジン（２−メチル−８−ヒドロキシキノリン）を、３００ｍＬの丸底フラスコ中で撹拌しながら２５ｍＬのトルエンに溶解させた。迅速に撹拌しながら、２．６５ｍＬの１．９Ｍトリエチルアルミニウムのトルエン溶液（アルドリッチ（Ａｌｄｒｉｃｈ））をシリンジで加えた。発泡が激しいので、あふれるのを防止するため、添加はゆっくり行う必要がある。溶液は濁り始め、最終的には濃い黄色の繊維状沈殿物が形成される。この溶液をマントルヒーター中で還流すると、溶液が透明な黄色になるにつれて、固形分が再溶解する。加熱撹拌しながら、２ａで調製した配位子１．４ｇを固体として加えた。グローブボックス中で空気冷却器（ａｉｒ ｃｏｎｄｅｎｓｏｒ）をつけて２時間還流した後、冷却する。
初期の溶液は黄色っぽいオレンジ色で透明である。この溶液を冷却するとわずかに沈殿物が生じ、ヘキサンを加えると沈殿が促進する。所望の生成物を、熱トルエンから結晶化させると、少量のヘキサンを加える場合には淡黄色固体として結晶化する。収量２．９ｇ。塩化メチレン中の１−Ｈ ＮＭＲから、期待された生成物が少量の第２の異性体を不純物として含むことが分かる。融点２６４℃、Ｔｇ１３１℃。この材料は、デバイス製造前に高真空中で昇華させた。
Figure 2008526768
Figure 2008526768
（実施例３ ４−（３，５−ジメチルフェニル）−フェノールのアルミニウム錯体の調製）
Figure 2008526768
（３ａ フェノール系配位子の調製）
Figure 2008526768
４．９ｇの４−Ｂｒ−フェノールと、４．５ｇの３，５−ジメチルフェニルボロン酸と、１９．５ｇの炭酸カリウムと、０．３ｇのテトラキス（トリフェニルホスフィン）−パラジウムと、１５０ｍＬの水と、１５０ｍＬの１，２−ジメトキシエタンとの混合物を、１２時間還流した（８５〜９０℃）。その反応混合物を６００ｍＬの水で希釈し、ジクロロメタン（７５ｍｌ×３）で抽出し、その有機層をまとめたものをＭｇＳＯ4上で乾燥させた。溶媒を減圧除去し、その残留物を減圧蒸留して、１．５ｇの３ａを純度＞９５％、沸点１２５〜１３３℃／０．１ｍｍＨｇで得た。
（３ｂ ３ａで調製した配位子のアルミニウム錯体の調製）
グローブボックス中で、１．６ｇのキナルジン（２−メチル−８−ヒドロキシキノリン）を、３００ｍＬの丸底フラスコ中で撹拌しながら２５ｍＬのトルエンに溶解させた。迅速に撹拌しながら、２．６５ｍＬの１．９Ｍトリエチルアルミニウムのトルエン溶液（アルドリッチ（Ａｌｄｒｉｃｈ））をシリンジで加えた。あふれるのを防止するため、添加はゆっくり行う必要がある。溶液は濁り始め、最終的には濃い黄色の繊維状沈殿物が形成された。この溶液をマントルヒーター中で還流すると、溶液が透明な鮮黄色になる。３ａで調製したフェノール１．０ｇを、５ｍＬのトルエン中の溶液として加え、その溶液を鮮黄色溶液として加熱撹拌した。３０分還流した後、冷却し、メタノールおよびヘキサンを加える。静置すると淡黄色結晶性固体が沈殿し、それを濾過によって回収し、メタノールで十分に洗浄し、吸引乾燥すると、以下に示す１−Ｈ ＮＭＲスペクトルを有する材料が得られる。この材料は、少量の第２の異性体材料を含有する。融点２６５℃、Ｔｇ１０５℃。この材料は、デバイス製造前に高真空中で昇華させた。
Figure 2008526768
Figure 2008526768
（実施例４ ６−（３，５−ジメチルフェニル）−ナフト−２−オールのアルミニウム錯体の調製）
Figure 2008526768
（４ａ フェノール系配位子の調製）
Figure 2008526768
実施例３ａに示される合成と同様にして、１１．６ｇの６−ブロモナフトトールと、８．２ｇの３，５−ジメチルフェニルボロン酸と、３００ｍＬの脱イオン水と、３６ｇの炭酸カリウムと、０．３ｇのテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウムと、２５０ｍＬの１，２−ジメトキシエタンとの混合物を、１２時間還流した（８５〜９０℃）。その反応混合物を、次に６００ｍＬの１０％塩酸で希釈し、ジクロロメタン（７５ｍｌ×３）で抽出し、その有機層をまとめたものを水（３００ｍＬ）で洗浄し、ＭｇＳＯ4上で乾燥させた。溶媒を減圧除去し、その残留物を熱ヘキサン中に再溶解させ、その熱溶液を短いシリカゲルプラグに通した。溶媒を除去し、固形残留物を真空乾燥して、６ｇ（６５％）の４ａを得た。
1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：２．５０（６Ｈ，ｓ）、７．１０（１Ｈ，ｓ）、７．２２（２Ｈ，ｍ）、７．３８（２Ｈ，ｓ）、７．７５（２Ｈ，ｓ）、７．８５（１Ｈ，ｄ）、８．０５（１Ｈ，ｓ）ｐｐｍ。
（４ｂ ４ａで調製した配位子のアルミニウム錯体の調製）
グローブボックス中で、３．２ｇのキナルジン（２−メチル−８−ヒドロキシキノリン）を、３００ｍＬの丸底フラスコ中で撹拌しながら２５ｍＬのトルエンに溶解させた。迅速に撹拌しながら、５．３ｍＬの１．９Ｍトリエチルアルミニウムのトルエン溶液（アルドリッチ（Ａｌｄｒｉｃｈ））をシリンジで加えた。発泡が激しいので、あふれるのを防止するため、添加はゆっくり行う必要がある。溶液は濁り始め、最終的には濃い黄色の繊維状沈殿物が形成される。この溶液をマントルヒーター中で還流すると、透明な黄色になる。４ａで調製したフェノール２．５ｇを、５ｍＬのトルエン中の溶液として加え、次に薄いオレンジ色の溶液として加熱撹拌した。３０分還流した後、室温まで冷却すると、非常に薄い黄色の結晶性沈殿物が析出し始める。その結晶を濾過によって回収し、メタノールで十分洗浄し、吸引乾燥した。５．３ｇの淡黄色粉末が得られた。Ｔｇ１１７℃。この固体は青色フォトルミネッセンスであり、以下に示す１−Ｈ ＮＭＲスペクトルを有する。
Figure 2008526768
Figure 2008526768
（実施例５ ６−（３，５−ビス−トリフルオロメチル−フェニル）−ナフト−２−オールのアルミニウム錯体の調製）
Figure 2008526768
（５ａ フェノール系配位子の調製）
Figure 2008526768
６−ブロモ−２−ナフトール６．１ｇ、０．０２７３ｍｏｌと；３，５−トリフルオロメチルフェニルボロン酸７．６ｇ、０．０２９５ｍｏｌと；炭酸カリウム１８．６ｇ、０．１３４６ｍｏｌと；水１８０ｍＬと；エチレングリコールジメチルエーテル１８０ｍＬとを混合し、窒素を４５分間スパージした。次にテトラキストリフェニルホスフィンＰｄ（０）（１．２ｇ、０．００１ｍｏｌ）を加え、その混合物を終夜還流した。室温まで冷却した後、５００ｍＬの酸性水を加え、ジクロロメタンで抽出した。その有機層をシリカゲル上に予備吸収させ、ヘキサン８０％／エチルアセテート２０％でシリカカラムから溶離させた。溶離した有機材料を濃縮し、エタノールに加え、活性炭を加えて撹拌し、濾過し、濃縮し、沈殿させて、所望のフェノール系配位子を７５％の収率で得た。
（５ｂ ５ａで調製した配位子のアルミニウム錯体の調製）
グローブボックス中で、３．２ｇのキナルジン（２−メチル−８−ヒドロキシキノリン）を、３００ｍＬの丸底フラスコ中で撹拌しながら２５ｍＬのトルエンに溶解させた。迅速に撹拌しながら、５．３ｍＬの１．９Ｍトリエチルアルミニウムのトルエン溶液（アルドリッチ（Ａｌｄｒｉｃｈ））をシリンジで加えた。発泡が激しいので、あふれるのを防止するため、添加はゆっくり行う必要がある。溶液は濁り始め、最終的には濃い黄色の繊維状沈殿物が形成される。この溶液をマントルヒーター中で還流すると、透明な黄色になる。５ａで調製したフェノール３．６ｇを、５ｍＬのトルエン中の溶液として加え、次に薄いオレンジ色の溶液として加熱撹拌した。３０分還流した後、冷却し、メタノールを加える。蒸発させ、さらにメタノールを加えると、薄黄色結晶性材料が析出し、これを濾過によって回収し、メタノールで十分洗浄し、吸引乾燥した。５．５ｇの淡黄色結晶が回収され、融点２４７℃およびＴｇ１１４℃であった。この結晶は青緑色のフォトルミネッセンスであり、トルエンに対する溶解性が高く＞２．８重量％である。塩化メチレン中のこの材料の１−Ｈ ＮＭＲスペクトルを以下に示す。
Figure 2008526768
Figure 2008526768
（実施例６ ４−（４−トリフルオロメチルフェニル）−フェノールのアルミニウム錯体の調製）
Figure 2008526768
（６ａ フェノール系配位子の調製）
Figure 2008526768
窒素雰囲気下で、４−ブロモフェノール（５．００ｇ、２．９１×１０-2ｍｏｌ）と、４−ＣＦ3−１−フェニルボロン酸（６．０７５ｇ、３．２０×１０-2ｍｏｌ）と、ＫＦ（５．５７ｇ、９．６０×１０-2ｍｏｌ）と、Ｐｄ2（ｄｂａ）3（０．１３３ｇ、１．４５×１０-4ｍｏｌ）とをＴＨＦ（１００ｍＬ）中で混合した。数分間の撹拌後、Ｐ（tＢｕ）3（０．０５９ｇ、２．９１×１０-4ｍｏｌ）のＴＨＦ（１０ｍＬ）溶液を混合した。得られた混合物を室温で４８時間撹拌した。この溶液を２００ｍＬのＥｔ2Ｏで希釈した後、シリカプラグで濾過し、揮発分を蒸発させると、暗褐色の濃厚な油が得られた。この油にヘキサンを加えると、淡褐色粉末が形成され、これをカラムクロマトグラフィー（１：５のＥｔＯＡｃ／ヘキサン）でさらに精製すると白色粉末が得られた。収量＝４．８６ｇ（７０％）。フェノール６ａの1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤ2Ｃｌ2中）スペクトルを以下に示す。
Figure 2008526768
（６ｂ ６ａで調製した配位子のアルミニウム錯体の調製）
グローブボックス中で、３．２ｇのキナルジン（２−メチル−８−ヒドロキシキノリン）を、３００ｍＬの丸底フラスコ中で撹拌しながら２５ｍＬのトルエンに溶解させた。迅速に撹拌しながら、５．３ｍＬの１．９Ｍトリエチルアルミニウムのトルエン溶液（アルドリッチ（Ａｌｄｒｉｃｈ））をシリンジで加えた。発泡が激しいので、あふれるのを防止するため、添加はゆっくり行う必要がある。溶液は濁り始め、最終的には濃い黄色の繊維状沈殿物が形成される。この溶液をマントルヒーター中で還流すると、透明な黄色になる。６ａで調製したフェノール２．４ｇを、５ｍＬのトルエン中の溶液として加え、次に薄いオレンジ色の溶液として加熱撹拌した。３０分還流した後、冷却し、メタノールを加える。蒸発させ、さらにメタノールを加えると、オフホワイトの結晶性材料が析出し、これを濾過によって回収し、メタノールで十分洗浄し、吸引乾燥した。２．５ｇの白色結晶が回収され、融点２０２℃およびＴｇ９２℃であった。この結晶は青緑色のフォトルミネッセンスであり、トルエンに対する溶解性が高く＞２．８重量％であった。この材料の塩化メチレン中の１−Ｈ ＮＭＲスペクトルを以下に示す。この材料は、デバイス評価前に高真空中で昇華させた。
Figure 2008526768
Figure 2008526768
（実施例７ ４−（３−シアノフェニル）−フェノールのアルミニウム錯体の調製）
Figure 2008526768
（７ａ フェノール系配位子の調製）
Figure 2008526768
窒素雰囲気下で、４−ブロモフェノール（５．３０ｇ、３．０８×１０-2ｍｏｌ）と、３−ＣＮ−１−フェニルボロン酸（４．９８６ｇ、３．３９×１０-2ｍｏｌ）と、ＫＦ（５．９１ｇ、１．０２×１０-1ｍｏｌ）と、Ｐｄ2（ｄｂａ）3（０．１４１ｇ、１．５４×１０-4ｍｏｌ）とをＴＨＦ（１００ｍＬ）中で混合した。数分間の撹拌後、Ｐ（tＢｕ）3（０．０６２ｇ、３．０８ｘ１０-4ｍｏｌ）のＴＨＦ（１０ｍＬ）溶液を混合した。得られた混合物を室温で４８時間撹拌した。この溶液を２００ｍＬのＥｔ2Ｏで希釈した後、シリカプラグで濾過し、揮発分を蒸発させると、暗褐色の濃厚な油が得られた。この油にヘキサンを加えると、淡褐色粉末が形成され、これをカラムクロマトグラフィー（１：５のＥｔＯＡｃ／ヘキサン）でさらに精製すると白色粉末が得られた。収量＝３．９ｇ（６５％）。フェノール７ａの1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤ2Ｃｌ2中）スペクトルを以下に示す。
Figure 2008526768
（７ｂ ７ａで調製した配位子のアルミニウム錯体の調製）
グローブボックス中で、３．２ｇのキナルジン（２−メチル−８−ヒドロキシキノリン）を、３００ｍＬの丸底フラスコ中で撹拌しながら２５ｍＬのトルエンに溶解させた。迅速に撹拌しながら、５．３ｍＬの１．９Ｍトリエチルアルミニウムのトルエン溶液（アルドリッチ（Ａｌｄｒｉｃｈ））をシリンジで加えた。発泡が激しいので、あふれるのを防止するため、添加はゆっくり行う必要がある。溶液は濁り始め、最終的には濃い黄色の繊維状沈殿物が形成される。この溶液をマントルヒーター中で還流すると、透明な黄色になる。７ａで調製したフェノール１．９６ｇを、５ｍＬのトルエン中の溶液として加え、次に薄いオレンジ色の溶液として加熱撹拌した。３０分還流した後、冷却し、メタノールを加える。蒸発させ、さらにメタノールを加えると、クリーム色の結晶性材料が析出し、これを濾過によって回収し、メタノールで十分洗浄し、吸引乾燥した。５．０ｇのクリーム色の結晶が回収され、融点２１９℃およびＴｇ１０６℃であった。この結晶は青緑色のフォトルミネッセンスであり、トルエンに対する溶解性が高く約１．６重量％であった。この材料の塩化メチレン中の１−Ｈ ＮＭＲスペクトルを以下に示す。この材料は、デバイス評価前に高真空中で昇華させた。
Figure 2008526768
Figure 2008526768
（実施例８ ４−（４−シアノフェニル）−フェノールのアルミニウム錯体の調製）
Figure 2008526768
（８ａ フェノール系配位子の調製）
Figure 2008526768
窒素雰囲気下で、４−ブロモフェノール（５．３０ｇ、３．０８×１０-2ｍｏｌ）と、４−ＣＮ−１−フェニル ボロン酸（４．９８６ｇ、３．３９×１０-2ｍｏｌ）と、ＫＦ（５．９１ｇ、１．０２×１０-1ｍｏｌ）と、Ｐｄ2（ｄｂａ）3（０．１４１ｇ、１．５４×１０-4ｍｏｌ）とをＴＨＦ（１００ｍＬ）中で混合した。数分間の撹拌後、Ｐ（tＢｕ）3（０．０６２ｇ、３．０８×１０-4ｍｏｌ）のＴＨＦ（１０ｍＬ）溶液を混合した。得られた混合物を室温で４８時間撹拌した。この溶液を２００ｍＬのＥｔ2Ｏで希釈した後、シリカプラグで濾過し、揮発分を蒸発させると、暗褐色の濃厚な油が得られた。この油にヘキサンを加えると、淡褐色粉末が形成され、これをカラムクロマトグラフィー（１：５のＥｔＯＡｃ／ヘキサン）でさらに精製すると白色粉末が得られた。収量＝３．３ｇ（５５％）。フェノール８ａの1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤ2Ｃｌ2中）スペクトルを以下に示す。
Figure 2008526768
（８ｂ ８ａで調製した配位子のアルミニウム錯体の調製）
グローブボックス中で、３．２ｇのキナルジン（２−メチル−８−ヒドロキシキノリン）を、３００ｍＬの丸底フラスコ中で撹拌しながら２５ｍＬのトルエンに溶解させた。迅速に撹拌しながら、５．３ｍＬの１．９Ｍトリエチルアルミニウムのトルエン溶液（アルドリッチ（Ａｌｄｒｉｃｈ））をシリンジで加えた。発泡が激しいので、あふれるのを防止するため、添加はゆっくり行う必要がある。溶液は濁り始め、最終的には濃い黄色の繊維状沈殿物が形成される。この溶液をマントルヒーター中で還流すると、透明な黄色になる。８ａで調製した１．９６のフェノールを、５ｍＬのトルエン中の溶液として加え、次に薄いオレンジ色の溶液として加熱撹拌した。３０分還流した後、冷却し、メタノールを加える。蒸発させ、さらにメタノールを加えると、クリーム色の結晶性材料が析出し、これを濾過によって回収し、メタノールで十分洗浄し、吸引乾燥した。１．６ｇのクリーム色の結晶が回収され、融点１８０℃およびＴｇ１２３℃であった。この結晶は青緑色のフォトルミネッセンスであり、トルエンに対する溶解性が高く約１．６重量％であった。この材料の塩化メチレン中の１−Ｈ ＮＭＲスペクトルを以下に示す。この材料は、デバイス評価前に高真空中で昇華させた。
Figure 2008526768
Figure 2008526768
（実施例９．デバイスの製造および特性決定データ）
溶液処理および熱蒸着技術の組み合わせによってＯＬＥＤデバイスを製造した。シン・フィルム・デバイシズ・インコーポレイテッド（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｅｖｉｃｅｓ，Ｉｎｃ）の、パターン形成されたインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）がコーティングされたガラス基体を使用した。これらのＩＴＯ基体は、３０Ω／□のシート抵抗および８０％の光透過率を有する１４００ÅのＩＴＯがコーティングされたコーニング（Ｃｏｒｎｉｎｇ）１７３７ガラスを主とするものである。これらのパターン形成されたＩＴＯ基体は、水性洗浄液中で超音波洗浄し、蒸留水ですすいだ。次に、このパターン形成されたＩＴＯを、アセトン中で超音波洗浄し、イソプロパノールですすぎ、窒素気流中で乾燥させた。デバイス製造の直前に、このパターン形成されたＩＴＯ基体を洗浄したものを、Ｏ2プラズマで５分間処理した。冷却の直後に、緩衝液１の水性分散液をＩＴＯ表面上にスピンコーティングし、加熱して溶媒を除去した。冷却後、基体にホール輸送体１の溶液をスピンコーティングし、次に加熱して溶媒を除去した。冷却後、基体に発光層溶液をスピンコーティングし、加熱して溶媒を除去した。基体にマスクをして、真空チャンバー中に入れた。ＺｒＱ層を熱蒸着によって堆積した後、ＬｉＦ層を堆積した。次に、真空下でマスクを交換し、Ａｌ層を熱蒸着によって堆積した。チャンバーに通気し、ガラス蓋、デシカント（ｄｅｓｓｉｃａｎｔ）、およびＵＶ硬化性エポキシを使用してデバイスを封入した。
実施例９．１では、ホストは、実施例３の材料とホストＡとの混合物であった。発光体は赤色発光体２であった。
実施例９．２では、ホストは、実施例５とホストＢとの混合物であった。発光体は赤色発光体１であった。
ＯＬＥＤ試料の特性決定は、（１）電流−電圧（Ｉ−Ｖ）曲線、（２）エレクトロルミネッセンス放射輝度対電圧、および（３）エレクトロルミネッセンススペクトル対電圧を測定することによって行った。３つすべての測定を同時に行い、コンピュータで制御を行った。ＬＥＤのエレクトロルミネッセンス放射輝度を、デバイスを動作させるために必要な電流密度で割ることによって、ある電圧におけるデバイスの電流効率が求められる。この単位はｃｄ／Ａである。出力効率は、電流効率を動作電圧で割った値である。この単位はｌｍ／Ｗである。
デバイス製造に使用した材料を以下に列挙する：
緩衝液１は、ポリ（３，４−ジオキシチオフェン）とポリマー性フッ素化スルホン酸との水性分散液であった。この材料は、米国特許公報（特許文献９）の実施例３に記載の手順と類似の手順を使用して調製した。
ホール輸送体１は、架橋性ポリマーのホール輸送材料であった。
ホストＡ：
Figure 2008526768
ホストＢ：
Figure 2008526768
赤色発光体１：
Figure 2008526768
赤色発光体２：
Figure 2008526768
ＺｒＱ：テトラキス−（８−ヒドロキシキノリン）ジルコニウム。
Figure 2008526768
（実施例１０．デバイスの製造および特性決定データ）
熱蒸着技術によってＯＬＥＤデバイスを製造した。すべての薄膜蒸着のベース真空は１０-8ｔｏｒｒの範囲内であった。シン・フィルム・デバイシズ・インコーポレイテッド（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｅｖｉｃｅｓ，Ｉｎｃ）の、パターン形成されたインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）がコーティングされたガラス基体を使用した。これらのＩＴＯは、３０Ω／□のシート抵抗および８０％の光透過率を有する１４００ÅのＩＴＯコーティングがコーティングされたコーニング（Ｃｏｒｎｉｎｇ）１７３７ガラスを主とするものである。これらのパターン形成されたＩＴＯ基体は、次に、水性洗浄液中で超音波洗浄した。次にその基体を蒸留水ですすぎ、続いてイソプロパノールですすいだ後、トルエン蒸気中で脱脂した。洗浄直後、緩衝液１の水性分散液をＩＴＯ表面上にスピンコーティングし、加熱して溶媒を除去した。
次に、この基体を真空チャンバー中に入れ、熱蒸着によって緩衝層上に複数の薄膜層を順次堆積した。マスクを介して、パターン形成されたＬｉＦおよびＡｌの層を堆積した。完成したＯＬＥＤデバイスを次に、真空チャンバーから取り出し、エポキシを使用してカバーガラスで封入し、特性決定を行った。デバイスの層は以下の表１０．１に示している。ＯＬＥＤ試料の特性決定は、（１）電流−電圧（Ｉ−Ｖ）曲線、（２）エレクトロルミネッセンス放射輝度対電圧、および（３）エレクトロルミネッセンススペクトル対電圧を測定することによって行った。３つすべての測定を同時に行い、コンピュータで制御を行った。ＬＥＤのエレクトロルミネッセンス放射輝度を、デバイスを動作させるために必要な電流密度で割ることによって、ある電圧におけるデバイスの電流効率が求められる。この単位はｃｄ／Ａである。出力効率は、電流効率を動作電圧で割った値である。この単位はｌｍ／Ｗである。
デバイス製造に使用した材料を以下に列挙する：
ＮＰＢ：Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（フェニル）ベンジジン
ＴＤＡＴＡ：４，４’，４’’−トリス−（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミノ）−トリフェニルアミン
Figure 2008526768
Figure 2008526768
以上の本明細書において、特定の実施形態を参照しながら本発明の概念を説明してきた。しかし、当業者には理解できるように、特許請求の範囲に記載される本発明の範囲から逸脱しない種々の修正および変形を行うことができる。したがって、本明細書および図面は、限定的ではなく説明的な意義があると見なすべきであり、このようなすべての修正が、本発明の範囲内に含まれることを意図している。
多数の態様および実施形態を以上に説明してきたが、これらは単に例示的で非限定的なものである。本明細書を読めば、本発明の範囲から逸脱しない他の態様および実施形態が実現可能であることが、当業者には分かるであろう。
特定の実施形態に関して、利益、その他の利点、および問題に対する解決法を以上に記載してきた。しかし、これらの利益、利点、問題の解決法、ならびに、なんらかの利益、利点、または解決法を発生させたり、より顕著となったりすることがある、あらゆる特徴が、特許請求の範囲のいずれかまたはすべての重要、必要、または本質的な特徴として構成されるものではない。
明確にするために、別々の実施形態の状況において、本明細書に記載されている特定の複数の特徴は、１つの実施形態の中で組み合わせても提供できることを理解されたい。逆に、簡潔にするため１つの実施形態の状況において説明した種々の特徴も、別々に提供したり、あらゆる副次的な組み合わせで提供したりすることができる。さらに、ある範囲において記載される値への言及は、その範囲内にあるすべての値を含んでいる。
有機電子デバイスの概略図である。

Claims (20)

  1. 金属の配位子であって、以下の式ＩまたはＩＩを含むことを特徴とする配位子。
    Figure 2008526768
     （上式中、Ｒ1はアルキルまたはアリールである）
  2. Ｒ1がパラ位にあることを特徴とする請求項１に記載の配位子。
  3. Ｒ1がＣ４〜Ｃ５アルキルであることを特徴とする請求項１に記載の配位子。
  4. Ｒ1がｔ−ブチルであることを特徴とする請求項１に記載の配位子。
  5. Ｒ1がアリールであることを特徴とする請求項１に記載の配位子。
  6. 次式を含むことを特徴とする有機金属錯体。
    ［Ｙ］nＭＺ
    （上式中：
    ｎは、１、２、または３であり；
    Ｍは、＋２、＋３、または＋４の酸化状態にある金属であり；
    Ｙは、存在ごとに、８−ヒドロキシキノリンまたはアルキル置換８−ヒドロキシキノリンを含む配位子であり；
    Ｚは、以下の式ＩまたはＩＩを含む配位子であり：
    Figure 2008526768
     上式中、Ｒ1はアルキルまたはアリールである）
  7. Ｍが、Ａｌ、Ｚｎ、Ｚｒ、またはＧａであることを特徴とする請求項６に記載の錯体。
  8. 前記アルキル置換８−ヒドロキシキノリンが２位において置換されていることを特徴とする請求項６に記載の錯体。
  9. 前記アルキル置換８−ヒドロキシキノリンが２−メチル−８−ヒドロキシキノリンであることを特徴とする請求項６に記載の錯体。
  10. 次式であることを特徴とする請求項６に記載の錯体。
    Figure 2008526768
  11. 次式であることを特徴とする請求項６に記載の錯体。
    Figure 2008526768
  12. 次式を有することを特徴とする有機金属錯体。
    ＭＹnＺ
    （上式中：
    ｎは、１、２、または３であり；
    Ｍは、＋２、＋３、または＋４の酸化状態にある金属であり；
    Ｙは、８−ヒドロキシキノレートおよび置換８−ヒドロキシキノレートから選択され；
    Ｚは、以下の式ＩＩＩまたはＩＶの化合物であり：
    Figure 2008526768
     上式中：
    Ｒ’1は、１つまたは複数の溶媒可溶化基またはＴｇ上昇基であり；
    Ｒ2、Ｒ3、およびＲ4は独立して、Ｈ、アルキル、置換アルキル、アリール、置換アリール、Ｆ、ＣＮ、溶媒可溶化基、およびＴｇ上昇基からなる群より選択される１つまたは複数である）
  13. Ｍが、Ａｌ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｉｎ、またはＧａであることを特徴とする請求項１２に記載の錯体。
  14. Ｒ’1がアルキル基であることを特徴とする請求項１２に記載の錯体。
  15. Ｒ’1がシアノ、アルキル、フルオロアルキル、アリール、フルオロアリール、アルキルアリール、アルコキシ、アリールオキシ、フルオロアルコキシ、またはフルオロアリールオキシ、あるいはそれらのヘテロ類似体であることを特徴とする請求項１２に記載の錯体。
  16. Ｒ’1がフェニル、フルオロフェニル、アルキルフェニル、フルオロアルキルフェニル、アルコキシフェニル、またはフルオロアルコキシフェニルであることを特徴とする請求項１２に記載の錯体。
  17. 請求項６に記載の錯体と、少なくとも１種類の溶媒、加工助剤、電荷輸送材料、または電荷障壁材料とを含むことを特徴とする組成物。
  18. 活性層と請求項６に記載の錯体とを含むことを特徴とする有機電子デバイス。
  19. 前記活性層が光活性層であり、前記錯体が前記光活性層内にあるか、または前記光活性層に隣接していることを特徴とする請求項１８に記載のデバイス。
  20. 請求項６に記載の錯体を含むことを特徴とする有機電子デバイスの製造に有用な物品。
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