KR101903220B1 - 녹색 발광 재료 - Google Patents

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KR101903220B1
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이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니
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Abstract

화학식 I을 갖는 화합물을 제공한다.
Figure 112014099854295-pct00032

화학식에서, Ar은 페닐, 바이페닐, 또는 터페닐일 수 있고, 임의로는 D, 알킬, 실릴, 중수소화된(deuterated) 알킬, 또는 중수소화된 실릴일 수 있는 하나 이상의 치환기를 가질 수 있고; R1은 알킬, 실릴, 아릴, 헤테로아릴, 중수소화된 알킬, 중수소화된 실릴, 중수소화된 아릴, 또는 중수소화된 헤테로아릴일 수 있고; R2 내지 R11은 동일하거나 또는 상이하고, H, D, 알킬, 실릴, 중수소화된 알킬, 또는 중수소화된 실릴일 수 있다.

Description

녹색 발광 재료 {GREEN LUMINESCENT MATERIALS}
관련 출원 데이타
본 출원은 본 명세서에 전체적으로 참고로 포함된, 2012년 3월 23일자로 출원된 미국 가출원 제61/614,848호로부터 35 U.S.C. § 119(e) 하에 우선권을 주장한다.
본 발명은 일반적으로 녹색 발광 재료 및 전자 소자에서의 그의 용도에 관한 것이다.
디스플레이를 구성하는 발광 다이오드와 같이 광을 방출하는 유기 전자 소자가 많은 상이한 종류의 전자 장비에 존재한다. 그러한 소자 모두에서, 유기 활성 층이 2개의 전기 접촉 층 사이에 개재된다. 전기 접촉 층 중 적어도 하나는 광투과성이어서 광이 전기 접촉 층을 통과할 수 있다. 유기 활성 층은 광투과성 전기 접촉 층을 가로질러 전기를 인가할 때 전기 접촉 층을 통해 광을 방출한다.
발광 다이오드에서 활성 성분으로서 유기 전계발광 화합물(organic electroluminescent compound)을 사용하는 것은 널리 공지되어 있다. 단순한 유기 분자, 예컨대 안트라센, 티아다이아졸 유도체 및 쿠마린 유도체가 전계발광을 나타내는 것으로 공지되어 있다. 금속 착물, 특히 이리듐 및 백금 착물이 또한 전계발광을 나타내는 것으로 공지되어 있다. 일부 경우 이러한 소분자 재료는 도펀트(dopant)로서 호스트(host) 재료 내에 존재하여 가공 및/또는 전자 특성을 개선시킨다.
신규 발광 재료가 여전히 필요하다.
요약
하기 화학식 I을 갖는 재료를 제공한다.
Figure 112014099854295-pct00001
여기서,
Ar은 페닐, 바이페닐, 및 터페닐로 이루어진 군으로부터 선택되고, 여기서 Ar은 임의로는 D, 알킬, 실릴, 중수소화된(deuterated) 알킬, 및 중수소화된 실릴로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 치환기를 갖고;
R1은 H, D, 알킬, 실릴, 아릴, 헤테로아릴, 중수소화된 알킬, 중수소화된 실릴, 중수소화된 아릴, 및 중수소화된 헤테로아릴로 이루어진 군으로부터 선택되고;
R2 내지 R11은 동일하거나 또는 상이하고, H, D, 알킬, 실릴, 중수소화된 알킬, 및 중수소화된 실릴로 이루어진 군으로부터 선택된다.
제1 전기 접촉 층, 제2 전기 접촉 층 및 이들 층 사이의 광활성 층을 포함하며, 광활성 층이 화학식 I을 갖는 재료를 포함하는 유기 전자 소자를 또한 제공한다.
상기 일반적인 설명 및 하기의 상세한 설명은 단지 예시적이고 설명적이며, 첨부된 특허청구범위에 정의된 바와 같은 본 발명을 제한하지 않는다.
실시양태는, 본 명세서에 제시되는 개념의 이해를 돕기 위해 수반되는 도면에서 설명된다.
<도 1>
도 1은 유기 발광 소자의 예시를 포함한다.
<도 2>
도 2는 유기 발광 소자의 다른 예시를 포함한다.
<도 3>
도 3은 2개의 발광 착물에 대한 방출 스펙트럼을 포함한다.
당업자는 도면의 물체가 단순함 및 명확함을 위해 예시되어 있으며 반드시 축척에 맞게 그려진 것은 아니라는 것을 인식한다. 예를 들어, 도면 내의 대상들 중 일부의 치수는 실시양태의 이해를 증진시키는 것을 돕기 위해 다른 대상에 비해 과장될 수도 있다.
많은 측면 및 실시양태가 위에서 설명되었으며, 이는 단지 예시적이며 제한하지 않는다. 본 명세서를 읽은 후에, 숙련자는 다른 측면 및 실시양태가 본 발명의 범주로부터 벗어남이 없이 가능함을 이해한다.
실시양태들 중 임의의 하나 이상의 기타 특징 및 이익이 하기 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용 및 특허청구범위로부터 명백해질 것이다. 상세한 설명은 먼저 용어의 정의와 해설에 대해 다루며, 화학식 I을 갖는 재료, 합성, 소자에 대해 이어지고, 마지막으로 실시예가 이어진다.
1. 용어의 정의 및 해설
이하에 기술되는 실시양태의 상세 사항을 다루기 전에, 일부 용어를 정의 또는 해설하기로 한다.
용어 "알콕시"는 산소를 통해 부착되는 화학식 -OR (여기서, R은 알킬임)을 갖는 기를 의미하고자 하는 것이다.
용어 "알킬"은 지방족 탄화수소로부터 유도된 기를 의미하고자 하는 것으로, 선형, 분지형 또는 환형 기를 포함한다. 일부 실시양태에서, 알킬은 1 내지 20개의 탄소 원자를 갖는다.
용어 "방향족 화합물"은 비편재된 파이 전자(delocalized pi electron)를 갖는 적어도 하나의 불포화 환형 기를 포함하는 유기 화합물을 의미하고자 하는 것이다.
용어 "아릴"은 하나의 부착 지점을 갖는 방향족 탄화수소로부터 유도된 기를 의미하고자 하는 것이다. 이 용어는 단일 고리를 갖는 기, 및 단일 결합에 의해 연결될 수 있거나 또는 함께 융합될 수 있는 다중 고리를 갖는 기를 포함한다. 이 용어는 헤테로아릴을 포함하고자 하는 것이다. 용어 "아릴렌"은 2개의 부착 지점을 갖는 방향족 탄화수소로부터 유도된 기를 의미하고자 하는 것이다. 일부 실시양태에서, 아릴 기는 3 내지 60개의 탄소 원자를 갖는다.
용어 "아릴옥시"는 산소를 통해 부착되는 화학식 -OAr (여기서 Ar은 아릴임)을 갖는 기를 의미하고자 하는 것이다.
용어 "바이페닐"은 하기에 도시된 바와 같이 2개의 페닐 고리를 갖는 기를 의미하고자 하는 것이다.
Figure 112014099854295-pct00002
용어 "분지형 알킬"은 적어도 하나의 2차 탄소 (2개의 다른 탄소에 직접 결합된 탄소) 또는 3차 탄소 (3개의 다른 탄소에 직접 결합된 탄소)를 갖는 알킬 기를 지칭한다. 분지형 알킬은 쇄 내에서 임의의 탄소를 통해서 부착될 수 있다.
용어 "카르바졸릴"은 하기 단위를 함유하는 기를 지칭한다.
Figure 112014099854295-pct00003
여기서, R은 각 경우에 동일하거나 또는 상이하고, D, 알킬, 아릴, 또는 부착 지점으로 이루어진 군으로부터 선택되고, x는 동일하거나 또는 상이하고, 0 내지 4이고, Y는 부착 지점, 알킬, 아릴, 부착 지점을 갖는 알킬, 또는 부착 지점을 갖는 아릴이다. 용어 N-카르바졸릴은 Y가 부착 지점인 카르바졸릴 기를 지칭한다.
층, 재료, 부재, 또는 구조와 관련하여 용어 "전하 수송"은, 이러한 층, 재료, 부재, 또는 구조가, 상대적 효율 및 전하의 적은 손실을 가지면서 이러한 층, 재료, 부재, 또는 구조의 두께를 통과하여 이러한 전하의 이동을 촉진함을 의미하고자 하는 것이다. 정공(hole) 수송 재료는 양전하를 촉진하며; 전자 수송 재료는 음전하를 촉진한다. 발광 재료가 또한 일부 전하 수송 특성을 가질 수 있지만, 용어 "전하 수송 층, 재료, 부재, 또는 구조"는 주된 기능이 발광인 층, 재료, 부재, 또는 구조를 포함하려는 것은 아니다.
용어 "중수소화된" 또는 "중수소화된 유사체"는 적어도 하나의 H가 D로 대체되었음을 의미하고자 하는 것이다. 용어 "중수소화된 유사체"는 하나 이상의 이용가능한 수소가 중수소로 대체된 화합물 또는 기의 구조적 유사체를 지칭한다. 중수소화된 화합물 또는 중수소화된 유사체에서, 중수소는 자연 존재비 수준의 적어도 100 배로 존재한다.
용어 "도펀트"는, 호스트 재료를 포함하는 층 내부에서, 그러한 재료의 부재 하에서의 층의 전자적 특성(들) 또는 방사선의 방출, 수용, 또는 여과의 파장(들)과 비교하여 층의 전자적 특성(들) 또는 방사의 방출, 수용, 또는 여과의 목표 파장(들)을 변경시키는 재료를 의미하고자 한다.
용어 "전자-트랩(electron-trap)" 또는 "전자-트랩 재료"는, 이것이 포함된 층에 존재하는 임의의 다른 재료의 최저 준위 비점유 분자 궤도(lowest unoccupied molecular orbital) (LUMO)보다 에너지가 진공 준위(vacuum level)로부터 더 먼 LUMO를 보유하는 화합물을 의미하고자 하는 것이다. 이와 같이, 이것은 음전하가 그 층에 존재하기에 바람직한 자리여서, 트랩 재료가 퍼콜레이션 부피(percolation volume) (<약15%) 미만으로 존재하면, 이러한 음전하는 트랩 재료의 분자 상에 편재화되어 그 층 내에서 음전하 이동성에 방해가 된다.
접두사 "헤테로"는 하나 이상의 탄소 원자가 상이한 원자로 대체되었음을 나타낸다. 일부 실시양태에서, 상이한 원자는 N, O 또는 S이다.
용어 "정공-트랩" 또는 "정공-트랩 재료"는, 이것이 포함된 층에 존재하는 임의의 다른 재료의 최고 준위 점유 분자 궤도(highest occupied molecular orbital) (HOMO)보다 에너지가 진공 준위에 더 가까운 HOMO를 보유하는 화합물을 의미하고자 하는 것이다. 이와 같이, 이것은 양전하가 그 층에 존재하기에 바람직한 자리여서, 트랩 재료가 퍼콜레이션 부피 (<약 15%) 미만으로 존재하면, 이러한 양전하는 트랩 재료의 분자 상에 편재화되어 그 층 내에서 양전하 이동성에 방해가 된다.
용어 "호스트 재료"는 도펀트가 첨가될 수 있는, 보통 층의 형태인 재료를 의미하고자 하는 것이다. 호스트 재료는 전자적 특성(들) 또는 방사선을 방출, 수용 또는 여과하는 능력을 갖거나 갖지 않을 수 있다.
용어 "발광 재료" 및 "에미터"(emitter)는 (발광 다이오드 또는 발광 전기화학 전지에서와 같이) 인가된 전압에 의해 활성화될 때 광을 발출하는 재료를 의미하고자 하는 것이다. 용어 "녹색 발광 재료"는 대략 495 내지 569 nm 범위의 파장에서 방출 최대값을 갖는 방사선을 방출할 수 있는 재료를 의미하고자 하는 것이다. 용어 "주황색 발광 재료"는 대략 590 내지 619 nm 범위의 파장에서 방출 최대값을 갖는 방사선을 방출할 수 있는 재료를 의미하고자 하는 것이다. 용어 "적색 발광 재료"는 대략 620 내지 750 nm 범위의 파장에서 방출 최대값을 갖는 방사선을 방출할 수 있는 재료를 의미하고자 하는 것이다. 용어 "황색 발광 재료"는 대략 570 내지 589 nm 범위의 파장에서 방출 최대값을 갖는 방사선을 방출할 수 있는 재료를 의미하고자 하는 것이다.
"층"이라는 용어는 "필름"이라는 용어와 상호 교환 가능하게 사용되고, 원하는 영역을 덮는 코팅을 말한다. 이 용어는 크기에 의해 제한되지 않는다. 상기 영역은 전체 소자만큼 크거나, 실제 시각 디스플레이와 같은 특정 기능 영역만큼 작거나, 또는 단일 서브픽셀만큼 작을 수 있다. 층 및 필름은 증착, 액체 침착 (연속 및 불연속 기술), 및 열 전사를 포함한, 임의의 종래의 침착 기술에 의해 형성될 수 있다. 연속식 침착 기술은 스핀 코팅, 그라비어(gravure) 코팅, 커튼 코팅, 딥 코팅, 슬롯-다이 코팅, 분무 코팅, 및 연속식 노즐 코팅 또는 인쇄를 포함하나, 이에 한정되지 않는다. 불연속식 침착 기술은 잉크젯 인쇄(ink jet printing), 그라비어 인쇄 및 스크린 인쇄(screen printing)를 포함하나 이에 한정되지 않는다.
용어 "유기 전자 소자" 또는 때때로 단지 "전자 소자"는 하나 이상의 유기 반도체 층 또는 재료를 포함하는 소자를 의미하고자 하는 것이다.
재료를 지칭할 때, 용어 "인광(phosphorescent)"은 유의한 삼중항(triplet) 특징을 갖는 여기 상태로부터 광을 방출하는 재료를 의미하고자 하는 것이다.
용어 "광활성"은 (발광 다이오드 또는 화학 전지에서와 같이) 인가된 전압에 의해 활성화될 때 광을 방출하거나 또는 방사 에너지에 응답하고 (광검출기 또는 광전지에서와 같이) 인가된 바이어스 전압의 존재 또는 부재 하에 신호를 발생시키는 재료 또는 층을 지칭한다.
용어 "실록산"은 기 R3SiO-를 지칭하며, 여기서 R은 H, D, C1-20 알킬, 플루오로알킬, 또는 아릴이다. 일부 실시양태에서, R 알킬기 내의 하나 이상의 탄소가 Si로 치환된다.
용어 "실릴"은 기 R3Si-를 말하며, 여기서 R은 H, D, C1-20 알킬, 플루오로알킬, 또는 아릴이다. 일부 실시양태에서, R 알킬기 내의 하나 이상의 탄소가 Si로 치환된다.
용어 "터페닐"은 하기에 도시된 바와 같이 3개의 페닐 고리를 갖는 기를 지칭한다.
Figure 112014099854295-pct00004
또는
Figure 112014099854295-pct00005
모든 기는 치환되지 않거나 치환될 수 있다. 일부 실시양태에서, 치환기는 중수소 ("D"), 할라이드, 알킬, 알콕시, 아릴, 아릴옥시, 실릴, 실록산, 알킬아미노, 아릴아미노, 및 시아노로 이루어진 군으로부터 선택된다.
본 명세서에서, 명백하게 달리 기술되거나 사용 맥락에 의해 반대로 지시되지 않으면, 본 명세서의 요지의 실시양태가 소정의 특징부 또는 요소를 포함하거나, 비롯하거나, 함유하거나, 갖거나, 이로 이루어지거나 이에 의해 또는 이로 구성되는 것으로서 기술되거나 설명된 경우에, 명백하게 기술되거나 설명된 것들에 더하여 하나 이상의 특징부 또는 요소가 실시양태에 존재할 수 있다. 본 명세서에 개시된 요지의 대안적 실시양태는 소정의 특징부 또는 요소로 본질적으로 이루어지는 것으로서 설명되는데, 이 실시양태에서는 실시양태의 작동 원리 또는 구별되는 특징을 현저히 변화시키는 특징부 또는 요소가 실시양태 내에 존재하지 않는다. 본 명세서에 기재된 요지의 추가의 대안적 실시양태는 소정의 특징부 또는 요소로 이루어지는 것으로서 기재되는데, 이 실시양태에서 또는 그의 크지 않은 변형예에서는 구체적으로 언급되거나 기재된 특징부 또는 요소만이 존재한다.
또한, 부정관사("a"또는 "an")의 사용은 본 명세서에서 설명되는 요소 및 성분를 설명하기 위해 이용된다. 이는 단지 편의상 그리고 본 발명의 범주의 일반적인 의미를 제공하기 위해 행해진다. 이러한 기술은 하나 또는 적어도 하나를 포함하는 것으로 파악되어야 하며, 단수형은 그 수가 명백하게 단수임을 의미하는 것이 아니라면 복수형을 또한 포함한다.
원소의 주기율표 내의 컬럼(column)에 대응하는 족(group) 번호는 문헌 [CRC Handbook of Chemistry and Physics, 81st Edition(2000-2001)]에 나타난 바와 같은 "새로운 표기(New Notation)" 규정을 사용한다.
달리 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용되는 모든 기술적 및 과학적 용어는 본 발명이 속하는 기술 분야의 숙련자에 의해 통상적으로 이해되는 바와 동일한 의미를 갖는다. 본 명세서에서 설명되는 것과 유사하거나 등가인 방법 및 재료가 본 발명의 실시양태의 실시 또는 시험에서 사용될 수 있지만, 적합한 방법 및 재료가 후술된다. 본 명세서에서 언급되는 모든 간행물, 특허 출원, 특허, 및 다른 참조 문헌은 특정 구절이 인용되지 않으면 전체적으로 참고로 본 명세서에 통합된다. 상충되는 경우에는, 정의를 포함하여 본 명세서가 우선할 것이다. 또한 재료, 방법, 및 실시예는 단지 예시적인 것이며 한정하고자 하는 것은 아니다.
본 명세서에 기술되지 않는 범위까지, 구체적인 재료, 가공 행위 및 회로에 관한 많은 상세 사항은 관용적이며, 유기 발광 다이오드 디스플레이, 광검출기, 광전지 및 반도체 부재 기술 분야의 교재 및 기타 출처에서 확인할 수 있다.
2. 화학식 I을 갖는 재료
본 명세서에 기재된 신규 재료는 하기 화학식 I을 갖는다.
Figure 112014099854295-pct00006
여기서,
Ar은 페닐, 바이페닐, 및 터페닐로 이루어진 군으로부터 선택되고, 여기서 Ar은 임의로는 D, 알킬, 실릴, 중수소화된 알킬, 및 중수소화된 실릴로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 치환기를 갖고;
R1은 H, D, 알킬, 실릴, 아릴, 헤테로아릴, 중수소화된 알킬, 중수소화된 실릴, 중수소화된 아릴, 및 중수소화된 헤테로아릴로 이루어진 군으로부터 선택되고;
R2 내지 R11은 동일하거나 또는 상이하고, H, D, 알킬, 실릴, 중수소화된 알킬, 및 중수소화된 실릴로 이루어진 군으로부터 선택된다.
일부 실시양태에서, 화학식 I을 갖는 화합물은 방출 재료로서 유용하다. 일부 실시양태에서, 화합물은 녹색 방출 재료이다.
일부 실시양태에서, 화학식 I을 갖는 화합물은 방출 재료로서 단독으로 사용된다.
일부 실시양태에서, 화학식 I을 갖는 화합물은 호스트 재료에서 방출 도펀트로서 사용된다.
일부 실시양태에서, 화학식 I을 갖는 화합물은 녹색 방출 재료이고, 녹색 방출은 C.I.E. 색도 스케일 (chromaticity scale) (국제 조명 위원회(Commision Internationale de L'Eclairage), 1931)에 따라서 x = 0.20 내지 0.35, 및 y = 0.55 내지 0.72의 색 좌표를 갖는다.
바이페닐 기에 부착된 피리딘을 갖는 리간드를 갖는 화합물을 지금까지 설명하였다. 예상치 못하게, 일부 실시양태에서, 화학식 I을 갖는 화합물은 선행 기술 화합물에 비해서 더 좁은 방출 프로파일을 갖는다. 보다 포화된 녹색 색상을 생성하는 것은 디스플레이 소자에 이롭다.
예상치 못하게, 일부 실시양태에서, 화학식 I을 갖는 화합물을 포함하는 소자는 선행 기술 화합물을 포함하는 소자에 비해서 더 높은 효율을 갖는다. 에너지 소모를 감소시키는 것은 디스플레이 소자 및 조명 소자에 이롭다.
예상치 못하게, 일부 실시양태에서, 화학식 I을 갖는 화합물을 포함하는 소자는 선행 기술 화합물을 포함하는 소자에 비해서 더 긴 수명을 갖는다. 이것은 디스플레이 및 조명 응용에 이롭다.
화학식 I의 일부 실시양태에서, Ar은 페닐, 3-바이페닐, 4-바이페닐, 4,4'-터페닐, 4,3'-터페닐, 3,4'-터페닐, 3,3'-터페닐, 3,5-터페닐, 치환된 페닐, 치환된 3-바이페닐, 치환된 4-바이페닐, 치환된 4,4'-터페닐, 치환된 4,3'-터페닐, 치환된 3,4'-터페닐, 치환된 3,3'-터페닐, 치환된 3,5-터페닐, 및 그들의 중수소화된 유사체로 이루어진 군으로부터 선택된다.
화학식 I의 일부 실시양태에서, R1은 1 내지 20개의 탄소를 갖는 알킬, 실릴, 1 내지 20개의 탄소를 갖는 중수소화된 알킬, 및 중수소화된 실릴로 이루어진 군으로부터 선택된다.
화학식 I의 일부 실시양태에서, R1은 페닐, 나프틸, 바이페닐, 터페닐, 그들의 치환된 유도체, 및 그들의 중수소화된 유사체로 이루어진 군으로부터 선택된다.
화학식 I의 일부 실시양태에서, R1은 카르바졸릴, 페닐-치환된 카르바졸릴, 알킬-치환된 카르바졸릴, 및 그들의 중수소화된 유사체로 이루어진 군으로부터 선택된다.
화학식 I의 일부 실시양태에서, R1은 N-카르바졸릴, 페닐-치환된 N-카르바졸릴, 알킬-치환된 N-카르바졸릴, 및 그들의 중수소화된 유사체로 이루어진 군으로부터 선택된다.
화학식 I의 일부 실시양태에서, R2 내지 R11은 H 및 D로부터 선택된다.
화학식 I의 일부 실시양태에서, R2 내지 R11 중 적어도 하나는 알킬, 실릴, 중수소화된 알킬, 및 중수소화된 실릴로부터 선택된다.
본 발명의 구체적인 실시양태는 하기를 포함하지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
실시양태 1. 중수소화된 화학식 I의 화합물.
실시양태 2. 적어도 10% 중수소화된 화학식 I의 화합물. "% 중수소화된" 또는 "% 중수소화"란, 수소+중수소의 총합에 대한 중수소의 비를 의미하며, 백분율로 표시된다. 중수소는 동일하거나 상이한 기 상에 있을 수 있다.
실시양태 3. 적어도 20% 중수소화된 화학식 I의 화합물.
실시양태 4. 적어도 30% 중수소화된 화학식 I의 화합물.
실시양태 5. 적어도 40% 중수소화된 화학식 I의 화합물.
실시양태 6. 적어도 50% 중수소화된 화학식 I의 화합물.
실시양태 7. 적어도 60% 중수소화된 화학식 I의 화합물.
실시양태 8. 적어도 70% 중수소화된 화학식 I의 화합물.
실시양태 9. 적어도 80% 중수소화된 화학식 I의 화합물.
실시양태 10. 적어도 90% 중수소화된 화학식 I의 화합물.
실시양태 11. 95%를 초과하게 중수소화된 화학식 I의 화합물.
실시양태 12. Ar이 페닐인 화학식 I의 화합물.
실시양태 13. Ar이 3-바이페닐인 화학식 I의 화합물.
실시양태 14. Ar이 4-바이페닐인 화학식 I의 화합물.
실시양태 15. Ar이 4,4'-터페닐인 화학식 I의 화합물.
실시양태 16. Ar이 4,3'-터페닐인 화학식 I의 화합물.
실시양태 17. Ar이 3,4'-터페닐인 화학식 I의 화합물.
실시양태 18. Ar이 3,3'-터페닐인 화학식 I의 화합물.
실시양태 19. Ar이 3,5-터페닐인 화학식 I의 화합물.
실시양태 20. Ar이 적어도 하나의 치환기를 갖는 화학식 I의 화합물.
실시양태 21. Ar이 적어도 하나의 치환기를 갖는 실시양태 12 내지 19 중 임의의 실시양태의 화합물.
실시양태 22. 치환기가 D인 실시양태 20 또는 21의 화합물.
실시양태 23. 치환기가 1 내지 20개의 탄소를 갖는 알킬 기인 실시양태 20 또는 21의 화합물.
실시양태 24. 치환기가 실릴 기인 실시양태 20 또는 21의 화합물.
실시양태 25. 치환기가 중수소화된 실시양태 23 또는 24의 화합물.
실시양태 26. R1이 1 내지 20개의 탄소를 갖는 알킬 기인 화학식 I의 화합물.
실시양태 27. R1이 1 내지 20개의 탄소를 갖는 중수소화된 알킬 기인 화학식 I의 화합물.
실시양태 28. R1이 3 내지 12개의 탄소를 갖는 분지형 알킬 기인 화학식 I의 화합물.
실시양태 29. R1이 3 내지 12개의 탄소를 갖는 중수소화된 분지형 알킬 기인 화학식 I의 화합물.
실시양태 30. R1이 화학식 R3Si-를 갖는 실릴 기이고, 여기서 R은 각 경우에 동일하거나 또는 상이하고, 1 내지 12개의 탄소를 갖는 알킬 기인 화학식 I의 화합물.
실시양태 31. R1이 화학식 R3Si-를 갖는 중수소화된 실릴 기이고, 여기서 R은 각 경우에 동일하거나 또는 상이하고, 1 내지 12개의 탄소를 갖는 중수소화된 알킬 기인 화학식 I의 화합물.
실시양태 32. R1이 아릴 기인 화학식 I의 화합물.
실시양태 33. R1이 중수소화된 아릴 기인 화학식 I의 화합물.
실시양태 34. R1이 페닐인 화학식 I의 화합물.
실시양태 35. R1이 나프틸인 화학식 I의 화합물.
실시양태 36. R1이 바이페닐인 화학식 I의 화합물.
실시양태 37. R1이 터페닐인 화학식 I의 화합물.
실시양태 38. R1이 헤테로아릴인 화학식 I의 화합물.
실시양태 39. R1이 중수소화된 헤테로아릴인 화학식 I의 화합물.
실시양태 40. 헤테로아릴 또는 중수소화된 헤테로아릴 기가 질소-함유 기인 실시양태 38 또는 39의 화합물.
실시양태 41. R1이 카르바졸릴인 화학식 I의 화합물.
실시양태 42. R1이 페닐-치환된 카르바졸릴인 화학식 I의 화합물.
실시양태 43. R1이 알킬 기 치환된 카르바졸릴인 화학식 I의 화합물.
실시양태 44. 카르바졸릴이 N-카르바졸릴인 실시양태 41 내지 43 중 임의의 실시양태의 화합물.
실시양태 45. R1이 중수소화된 실시양태 41 내지 44 중 임의의 실시양태의 화합물.
실시양태 46. R1이 적어도 하나의 치환기를 갖는 실시양태 32 내지 40 중 임의의 실시양태의 화합물.
실시양태 47. 치환기가 1 내지 20개의 탄소를 갖는 알킬 기인 실시양태 46의 화합물.
실시양태 48. 치환기가 실릴 기인 실시양태 46의 화합물.
실시양태 49. 치환기가 중수소화된 실시양태 46 내지 48 중 임의의 실시양태의 화합물.
실시양태 50. R1이 D인 적어도 하나의 치환기를 갖는 실시양태 34 내지 48 중 임의의 실시양태의 화합물.
실시양태 51. R2가 H인 화학식 I의 화합물.
실시양태 52. R2가 D인 화학식 I의 화합물.
실시양태 53. R2가 1 내지 20개의 탄소를 갖는 알킬 기인 화학식 I의 화합물.
실시양태 54. R2가 화학식 R3Si-를 갖는 실릴 기이고, 여기서 R은 각 경우에 동일하거나 또는 상이하고, 1 내지 12개의 탄소를 갖는 알킬 기인 화학식 I의 화합물.
실시양태 55. R3이 H인 화학식 I의 화합물.
실시양태 56. R3이 D인 화학식 I의 화합물.
실시양태 57. R3이 1 내지 20개의 탄소를 갖는 알킬 기인 화학식 I의 화합물.
실시양태 58. R3이 화학식 R3Si-를 갖는 실릴 기이고, 여기서 R은 각 경우에 동일하거나 또는 상이하고, 1 내지 12개의 탄소를 갖는 알킬 기인 화학식 I의 화합물.
실시양태 59. R4가 H인 화학식 I의 화합물.
실시양태 60. R4가 D인 화학식 I의 화합물.
실시양태 61. R4가 1 내지 20개의 탄소를 갖는 알킬 기인 화학식 I의 화합물.
실시양태 62. R4가 화학식 R3Si-를 갖는 실릴 기이고, 여기서 R은 각 경우에 동일하거나 또는 상이하고, 1 내지 12개의 탄소를 갖는 알킬 기인 화학식 I의 화합물.
실시양태 63. R5가 H인 화학식 I의 화합물.
실시양태 64. R5가 D인 화학식 I의 화합물.
실시양태 65. R5가 1 내지 20개의 탄소를 갖는 알킬 기인 화학식 I의 화합물.
실시양태 66. R5가 화학식 R3Si-를 갖는 실릴 기이고, 여기서 R은 각 경우에 동일하거나 또는 상이하고, 1 내지 12개의 탄소를 갖는 알킬 기인 화학식 I의 화합물.
실시양태 67. R6이 H인 화학식 I의 화합물.
실시양태 68. R6이 D인 화학식 I의 화합물.
실시양태 69. R6이 1 내지 20개의 탄소를 갖는 알킬 기인 화학식 I의 화합물.
실시양태 70. R6이 화학식 R3Si-를 갖는 실릴 기이고, 여기서 R은 각 경우에 동일하거나 또는 상이하고, 1 내지 12개의 탄소를 갖는 알킬 기인 화학식 I의 화합물.
실시양태 71. R7이 H인 화학식 I의 화합물.
실시양태 72. R7이 D인 화학식 I의 화합물.
실시양태 73. R7이 1 내지 20개의 탄소를 갖는 알킬 기인 화학식 I의 화합물.
실시양태 74. R7이 화학식 R3Si-를 갖는 실릴 기이고, 여기서 R은 각 경우에 동일하거나 또는 상이하고, 1 내지 12개의 탄소를 갖는 알킬 기인 화학식 I의 화합물.
실시양태 75. R8이 H인 화학식 I의 화합물.
실시양태 76. R8이 D인 화학식 I의 화합물.
실시양태 77. R8이 1 내지 20개의 탄소를 갖는 알킬 기인 화학식 I의 화합물.
실시양태 78. R8이 화학식 R3Si-를 갖는 실릴 기이고, 여기서 R은 각 경우에 동일하거나 또는 상이하고, 1 내지 12개의 탄소를 갖는 알킬 기인 화학식 I의 화합물.
실시양태 79. R9가 H인 화학식 I의 화합물.
실시양태 80. R9가 D인 화학식 I의 화합물.
실시양태 81. R9가 1 내지 20개의 탄소를 갖는 알킬 기인 화학식 I의 화합물.
실시양태 82. R9가 화학식 R3Si-를 갖는 실릴 기이고, 여기서 R은 각 경우에 동일하거나 또는 상이하고, 1 내지 12개의 탄소를 갖는 알킬 기인 화학식 I의 화합물.
실시양태 83. R10이 H인 화학식 I의 화합물.
실시양태 84. R10이 D인 화학식 I의 화합물.
실시양태 85. R10이 1 내지 20개의 탄소를 갖는 알킬 기인 화학식 I의 화합물.
실시양태 86. R10이 화학식 R3Si-를 갖는 실릴 기이고, 여기서 R은 각 경우에 동일하거나 또는 상이하고, 1 내지 12개의 탄소를 갖는 알킬 기인 화학식 I의 화합물.
실시양태 87. R11이 H인 화학식 I의 화합물.
실시양태 88. R11이 D인 화학식 I의 화합물.
실시양태 89. R11이 1 내지 20개의 탄소를 갖는 알킬 기인 화학식 I의 화합물.
실시양태 90. R11이 화학식 R3Si-를 갖는 실릴 기이고, 여기서 R은 각 경우에 동일하거나 또는 상이하고, 1 내지 12개의 탄소를 갖는 알킬 기인 화학식 I의 화합물.
실시양태 91. 기가 중수소화된 실시양태 53, 54, 57, 58, 61, 62, 65, 66, 69, 70, 73, 74, 77, 78, 81, 82, 85, 86, 89 또는 90 중 임의의 실시양태의 화합물.
실시양태 92. R2 내지 R11이 H인 화학식 I의 화합물.
실시양태 93. R2 내지 R11이 H 또는 D인 화학식 I의 화합물.
실시양태 94. R2 내지 R11 중 적어도 하나가 H가 아닌 화학식 I의 화합물.
실시양태 95. R2 내지 R11 중 적어도 하나가 알킬 기인 화학식 I의 화합물.
실시양태 96. R2 내지 R11 중 적어도 하나가 실릴 기인 화학식 I의 화합물.
실시양태 97. 기가 중수소화된 실시양태 94 또는 95의 화합물.
실시양태 98. Ar이 페닐, 3-바이페닐, 4-바이페닐, 4,4'-터페닐, 4,3'-터페닐, 3,4'-터페닐, 3,3'-터페닐, 3,5-터페닐, 치환된 페닐, 치환된 3-바이페닐, 치환된 4-바이페닐, 치환된 4,4'-터페닐, 치환된 4,3'-터페닐, 치환된 3,4'-터페닐, 치환된 3,3'-터페닐, 치환된 3,5-터페닐, 및 그들의 중수소화된 유사체로 이루어진 군으로부터 선택되고, R1이 분지형 알킬인 화학식 I의 화합물.
실시양태 99. Ar이 페닐, 3-바이페닐, 4-바이페닐, 4,4'-터페닐, 4,3'-터페닐, 3,4'-터페닐, 3,3'-터페닐, 3,5-터페닐, 치환된 페닐, 치환된 3-바이페닐, 치환된 4-바이페닐, 치환된 4,4'-터페닐, 치환된 4,3'-터페닐, 치환된 3,4'-터페닐, 치환된 3,3'-터페닐, 치환된 3,5-터페닐, 및 그들의 중수소화된 유사체로 이루어진 군으로부터 선택되고, R1이 페닐, 나프틸, 바이페닐, 터페닐, 카르바졸릴, 그들의 치환된 유도체, 및 그들의 중수소화된 유사체로 이루어진 군으로부터 선택되는 화학식 I의 화합물.
실시양태 100. R2 내지 R11이 H 및 D로부터 선택되는 실시양태 98 또는 99의 화합물.
상기 실시양태 중 어느 하나는, 서로 배타적이지 않은 한, 하나 이상의 다른 실시양태와 조합될 수 있다. 예를 들어, Ar이 페닐인 실시양태는 R1이 3 내지 12개의 탄소를 갖는 분지형 알킬인 실시양태와 조합될 수 있다. 상기에 논의된 상호 배타적이지 않은 다른 실시양태에 대해서도 동일하게 적용된다. 당업자는 실시양태가 상호 배타적이지 않은 것을 이해할 것이고, 따라서 본 출원에 의해서 고려되지 않은 실시양태의 조합을 쉽게 결정할 수 있을 것이다.
화학식 I을 갖는 재료의 예에는 하기에 도시된 화합물 G1 내지 G17이 포함되지만, 이로 제한되는 것은 아니다.
Figure 112014099854295-pct00007
Figure 112014099854295-pct00008
Figure 112014099854295-pct00009
Figure 112014099854295-pct00010
Figure 112014099854295-pct00011
Figure 112014099854295-pct00012
Figure 112014099854295-pct00013
Figure 112014099854295-pct00014
Figure 112014099854295-pct00015
Figure 112014099854295-pct00016
Figure 112014099854295-pct00017
Figure 112014099854295-pct00018
Figure 112014099854295-pct00019
Figure 112014099854295-pct00020
Figure 112014099854295-pct00021
Figure 112014099854295-pct00022
Figure 112014099854295-pct00023
3. 합성
본 발명에 기재된 재료는 일반적으로 하기와 같은 절차에 의해서 제조된다. 리간드는 가장 전형적으로는 적절한 2-클로로피리딘과 적절한 3-클로로페닐보론산 또는 에스테르를 Pd 촉매화 스즈키 커플링(Suzuki coupling)시키고, 이어서 하기에 도시된 바와 같은 구조의 폴리페닐 분획을 추가로 스즈키 유형 커플링시켜서 제조될 수 있다:
Figure 112014099854295-pct00024
이어서, 리간드를 환류 하에서 2-에톡시에탄올 중에서 이리듐 트라이클로라이드를 사용하여 Ir 상에 사이클로메탈화(cyclometallated)하여 클로로다이머릭 중간체를 생성한다. 이 단계에 이어서 은 염을 사용하여 알콜 용매 중에서 제3 사이클로메탈화하여 Ir의 배위권(coordination sphere)으로부터 잔류하는 클로라이드를 제거한다. 단리된 트리스-사이클로메탈화 재료를 톨루엔 또는 메틸렌 클로라이드 용리액으로 용리하는 크로마토그래피를 사용하여 정제하고, 마지막으로 아세토니트릴을 첨가하여 톨루엔 또는 메틸렌 클로라이드로부터 재결정화하여 단리할 수 있다. 최종 황색 결정성 재료를 높은 진공에서 건조하고, 이어서 단리된 그대로 소자 구조물에서 사용하였다. 개별 상세사항은 구체적인 화합물 G1 및 G2에 대해서 하기에 기재되어 있다.
4. 소자
본 명세서에 기재된 재료를 포함하는 하나 이상의 층을 갖는 것으로부터 이익을 얻을 수 있는 유기 전자 소자는 (1) 전기 에너지를 방사선으로 변환하는 소자 (예컨대, 발광 다이오드, 발광 다이오드 디스플레이, 조명 장치, 조명 기기(luminaire), 또는 다이오드 레이저), (2) 전자공학적 공정을 통해 신호를 검출하는 소자 (예컨대, 광검출기, 광전도성 전지, 포토레지스터, 광스위치, 광트랜지스터, 광전관, IR 검출기, 바이오센서), (3) 방사선을 전기 에너지로 변환하는 소자 (예컨대, 광기전 소자 또는 태양 전지), 및 (4) 하나 이상의 유기 반도체 층을 포함하는 하나 이상의 전자 성분을 포함하는 소자 (예컨대, 트랜지스터 또는 다이오드)를 포함하지만 이로 한정되지 않는다.
유기 전자 소자 구조의 일례를 도 1에 도시한다. 소자(100)는 제1 전기 접촉 층인 애노드 층(110)과 제2 전기 접촉 층인 캐쏘드 층(160), 및 그들 사이의 광활성 층(140)을 갖는다. 애노드에 인접하여 정공 주입 층(120)이 존재한다. 정공 주입 층에 인접하여, 정공 수송 재료를 포함하는 정공 수송 층(130)이 존재한다. 캐쏘드에 인접하여, 전자 수송 재료를 포함하는 전자 수송 층(150)이 존재할 수 있다. 선택 사양으로서, 소자는 애노드(110) 옆의 하나 이상의 추가적인 정공 주입 또는 정공 수송 층(도시하지 않음) 및/또는 캐쏘드(160) 옆의 하나 이상의 추가적인 전자 주입 또는 전자 수송 층(도시하지 않음)을 사용할 수 있다.
층(120 내지 150)을 개별적으로 그리고 집합적으로 활성 층이라고 지칭한다.
일부 실시양태에서, 광활성 층은 도 2에 도시된 바와 같이 픽셀화된다. 소자(200)에서, 층(140)은 층 전반에서 반복되는 픽셀 또는 서브픽셀 단위(141, 142, 143)로 나누어진다. 각각의 픽셀 또는 서브픽셀 단위는 상이한 색을 나타낸다. 일부 실시양태에서, 서브픽셀 단위는 적색, 녹색, 및 청색을 위한 것이다. 도면에는 3종의 서브픽셀 단위가 도시되어 있지만, 2종의 또는 3종 초과의 단위가 사용될 수 있다.
일부 실시양태에서, 상이한 층은 하기 범위의 두께를 가진다: 애노드(110), 500 내지 5000 Å, 일부 실시양태에서, 1000 내지 2000 Å; 정공 주입 층(120), 50 내지 2000 Å, 일부 실시양태에서, 200 내지 1000 Å; 정공 수송 층(120), 50 내지 2000 Å, 일부 실시양태에서, 200 내지 1000 Å; 광활성 층(130), 10 내지 2000 Å, 일부 실시양태에서, 100 내지 1000 Å; 층(140), 50 내지 2000 Å, 일부 실시양태에서, 100 내지 1000 Å; 캐쏘드(150), 200 내지 10000 Å, 일부 실시양태에서, 300 내지 5000 Å. 소자 내의 전자-정공 재조합 구역의 위치, 및 이에 따른 소자의 방출 스펙트럼은 각각의 층의 상대적인 두께에 의해 영향을 받을 수 있다. 층 두께의 목적하는 비율은 사용되는 재료의 정확한 성질에 따라 달라질 것이다.
일부 실시양태에서, 화학식 I을 갖는 화합물은 녹색 방출 색상을 갖는, 광활성 층(140) 내의 방출 재료로서 유용하다. 이들은 단독으로 사용될 수 있거나, 또는 호스트 재료 내의 도펀트로서 사용될 수 있다.
일부 실시양태에서, 화학식 I을 갖는 화합물은 광활성 층(140) 내의 정공-트랩으로서 유용하다.
일부 실시양태에서, 화학식 I을 갖는 화합물은 광활성 층(140) 내의 전자-트랩으로서 유용하다.
실시양태에서 제시된 화학식 I의 임의의 화합물, 특정 실시양태, 및 상기 논의된 실시양태의 조합이 소자 내에 사용될 수 있다.
a. 광활성 층
일부 실시양태에서, 광활성 층은 화학식 I을 갖는 화합물로 본질적으로 이루어진다.
일부 실시양태에서, 광활성 층은 호스트 재료, 및 도펀트로서의 화학식 I을 갖는 화합물을 포함한다.
일부 실시양태에서, 광활성 층은 호스트 재료, 도펀트로서의 화학식 I을 갖는 화합물, 및 제2 호스트 재료를 포함한다.
일부 실시양태에서, 광활성 층은 호스트 재료, 및 도펀트로서의 화학식 I을 갖는 화합물로 본질적으로 이루어진다.
일부 실시양태에서, 광활성 층은 제1 호스트 재료, 제2 호스트 재료, 및 도펀트로서의 화학식 I을 갖는 화합물로 본질적으로 이루어진다.
일부 실시양태에서, 화학식 I을 갖는 도펀트 대 총 호스트 재료의 중량비는 1:99 내지 40:60 범위이고; 일부 실시양태에서는 5:95 내지 30:70이고; 일부 실시양태에서는 10:90 내지 20:80이다.
일부 실시양태에서, 호스트는 도펀트의 삼중항 에너지 준위보다 높은 삼중항 에너지 준위을 가져서, 이것은 방출을 켄칭하지 않는다. 일부 실시양태에서, 호스트는 카르바졸, 인돌로카르바졸, 트라이아진, 아릴 케톤, 페닐피리딘, 피리미딘, 페난트렌, 트라이아릴아민, 트라이페닐렌, 티오펜, 푸란, 그들의 중수소화된 유사체, 그들의 조합 및 그들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다.
일부 실시양태에서, 광활성 층은 발광 화합물, 호스트 재료, 및 정공-트랩 재료로서의 화학식 I을 갖는 화합물을 포함한다.
일부 실시양태에서, 광활성 층은 인광 화합물, 호스트 재료, 및 정공-트랩 재료로서의 화학식 I을 갖는 화합물을 포함한다.
일부 실시양태에서, 광활성 층은 인광 사이클로메탈화 착물, 호스트 재료, 및 정공-트랩 재료로서의 화학식 I을 갖는 화합물을 포함한다.
일부 실시양태에서, 광활성 층은 발광 화합물, 호스트 재료, 및 정공-트랩 재료로서의 화학식 I을 갖는 화합물을 포함하고, 발광 화합물은 적색, 주황색 또는 황색 방출 색상을 갖는다.
일부 실시양태에서, 광활성 층은 발광 화합물, 호스트 재료, 정공-트랩 재료로서의 화학식 I을 갖는 화합물, 및 제2 호스트 재료를 포함한다.
일부 실시양태에서, 광활성 층은 발광 화합물, 호스트 재료, 및 정공-트랩 재료로서의 화학식 I을 갖는 화합물로 본질적으로 이루어진다.
일부 실시양태에서, 광활성 층은 적색 발광 화합물, 호스트 재료, 및 정공-트랩 재료로서의 화학식 I을 갖는 화합물로 본질적으로 이루어진다.
일부 실시양태에서, 광활성 층은 발광 화합물, 제1 호스트 재료, 제2 호스트 재료, 및 정공-트랩 재료로서의 화학식 I을 갖는 화합물로 본질적으로 이루어진다.
일부 실시양태에서, 광활성 층은 적색 발광 화합물, 제1 호스트 재료, 제2 호스트 재료, 및 정공-트랩 재료로서의 화학식 I을 갖는 화합물로 본질적으로 이루어진다.
화학식 I의 정공-트랩 재료는 층의 총 중량을 기준으로 1 내지 10 wt%의 양으로 존재할 수 있고; 일부 실시양태에서는 2 내지 5 wt%의 양으로 존재할 수 있다.
화학식 I을 갖는 화합물은 성분 HOMO 준위 중 임의의 것이 화학식 I의 화합물의 HOMO 준위에 비해서 진공 준위로부터 더 먼 임의의 종류의 전계발광 ("EL") 층을 위한 정공-트랩으로서 사용될 수 있다. 또한, 형광 방출 재료의 경우, 방출 단일항 에너지 준위가 화학식 I의 화합물의 단일항 에너지 준위에 비해서 더 낮아야 한다. 이것은 정의 부분에서 앞서 논의되어 있다.
EL 재료는 소분자 유기 형광 화합물, 발광 금속 착물, 공액 중합체, 및 그들의 혼합물을 포함하지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 형광 화합물의 예에는 크라이센, 피렌, 페릴렌, 루브렌, 쿠마린, 안트라센, 티아다이아졸, 이들의 유도체, 이들의 아릴아미노 유도체, 및 이들의 혼합물이 포함되지만 이로 한정되지 않는다. 금속 착물의 예에는 트리스(8-하이드록시퀴놀라토)알루미늄(Alq3)과 같은 금속 킬레이트(metal chelated) 옥사이노이드 화합물과, 사이클로메탈화 이리듐 및 백금 전기발광 화합물, 예를 들어 미국 특허 제6,670,645호(페트로브(Petrov) 등) 및 공개된 PCT 출원 WO 03/063555호 및 WO 2004/016710호에 개시된 페닐피리딘, 페닐퀴놀린 또는 페닐피리미딘 리간드와 이리듐의 착물, 및 예를 들어 공개된 PCT 출원 WO 03/008424호, WO 03/091688호 및 WO 03/040257호에 기술된 유기금속 착물, 및 그의 혼합물을 포함하나 이에 한정되지 않는다. 공액 중합체의 예에는 폴리(페닐렌비닐렌), 폴리플루오렌, 폴리(스피로바이플루오렌), 폴리티오펜, 폴리(p-페닐렌), 그 공중합체, 및 그 혼합물이 포함되지만 이로 한정되지 않는다.
적색, 주황색 및 황색 발광 재료의 예에는 페닐퀴놀린 또는 페닐아이소퀴놀린 리간드를 갖는 Ir의 착물, 페리플란텐, 플루오란텐 및 페릴렌이 포함되지만, 이로 한정되지 않는다. 적색 발광 재료는, 예를 들어 미국 특허 제6,875,524호 및 미국 출원 공개 제2005-0158577호에 기재되어 있다.
일부 실시양태에서, 광활성 층은 발광 화합물, 호스트 재료, 및 전자-트랩 재료로서의 화학식 I을 갖는 화합물을 포함한다.
일부 실시양태에서, 광활성 층은 인광 화합물, 호스트 재료, 및 전자-트랩 재료로서의 화학식 I을 갖는 화합물을 포함한다.
일부 실시양태에서, 광활성 층은 인광 사이클로메탈화 착물, 호스트 재료, 및 전자-트랩 재료로서의 화학식 I을 갖는 화합물을 포함한다.
일부 실시양태에서, 광활성 층은 발광 화합물, 호스트 재료, 및 전자-트랩 재료로서의 화학식 I을 갖는 화합물을 포함하고, 발광 화합물은 적색, 주황색 또는 황색 방출 색상을 갖는다.
일부 실시양태에서, 광활성 층은 발광 화합물, 호스트 재료, 전자-트랩 재료로서의 화학식 I을 갖는 화합물, 및 제2 호스트 재료를 포함한다.
일부 실시양태에서, 광활성 층은 발광 화합물, 호스트 재료, 및 전자-트랩 재료로서의 화학식 I을 갖는 화합물로 본질적으로 이루어진다.
일부 실시양태에서, 광활성 층은 적색 발광 화합물, 호스트 재료, 및 전자-트랩 재료로서의 화학식 I을 갖는 화합물로 본질적으로 이루어진다.
일부 실시양태에서, 광활성 층은 발광 화합물, 제1 호스트 재료, 제2 호스트 재료, 및 전자-트랩 재료로서의 화학식 I을 갖는 화합물로 본질적으로 이루어진다.
일부 실시양태에서, 광활성 층은 적색 발광 화합물, 제1 호스트 재료, 제2 호스트 재료, 및 전자-트랩 재료로서의 화학식 I을 갖는 화합물로 본질적으로 이루어진다.
화학식 I의 전자-트랩 재료는 층의 총 중량을 기준으로 1 내지 10 wt%의 양으로 존재할 수 있고; 일부 실시양태에서는 2 내지 5 wt%의 양으로 존재할 수 있다.
화학식 I을 갖는 화합물은 성분 LUMO 준위 중 임의의 것이 화학식 I의 화합물의 LUMO 준위에 비해서 진공 준위에 더 가까운 임의의 종류의 전계발광 ("EL") 층을 위한 전자-트랩으로서 사용될 수 있다. 또한, 형광 방출 재료의 경우, 방출 단일항 에너지 준위가 화학식 I의 화합물의 단일항 에너지 준위에 비해서 더 낮아야 한다. 이것은 정의 부분에서 앞서 논의되어 있다. EL 재료의 상이한 유형은 상기에서 논의되었다.
b. 기타 소자 층
소자 내의 기타 층은 그러한 층에 유용한 것으로 공지된 임의의 재료로 만들어질 수 있다.
애노드(110)는 양전하 캐리어를 주입하는 데 있어서 특히 효율적인 전극이다. 이는, 예를 들어 금속, 혼합된 금속, 합금, 금속 산화물 또는 혼합된-금속 산화물을 함유하는 재료로 만들어질 수 있고, 또는 전도성 중합체 및 그들의 혼합물일 수 있다. 적합한 금속에는 11족 금속, 4, 5 및 6족의 금속 및 8 내지 10족 전이 금속이 포함된다. 애노드가 광투과성이라면, 12, 13 및 14족 금속의 혼합-금속 산화물, 예를 들어 인듐-주석-산화물이 일반적으로 사용된다. 애노드는 또한 문헌 [Flexible light-emitting diodes made from soluble conducting polymer, Nature "vol. 357, pp 477 479 (11 June 1992)]"에 기재된 바와 같이 유기 재료, 예컨대 폴리아닐린을 포함할 수 있다. 발생된 광의 관찰이 가능하도록, 애노드 및 캐쏘드 중 적어도 하나는 적어도 부분적으로 투명해야 한다.
정공 주입 층(120)은 정공 주입 재료를 포함하며, 유기 전자 소자에서 하부 층의 평탄화, 전하 수송 및/또는 전하 주입 특성, 산소 또는 금속 이온과 같은 불순물의 제거, 및 유기 전자 소자의 성능을 증진 또는 개선하는 다른 측면들을 포함하지만 이에 한정되지 않는 하나 이상의 기능을 가질 수 있다. 정공 주입 층은 양성자성 산(protonic acid)으로 종종 도핑되는, 폴리아닐린(PANI) 또는 폴리에틸렌다이옥시티오펜(PEDOT)과 같은 중합체성 재료로 형성될 수 있다. 양성자성 산은 예를 들어 폴리(스티렌설폰산), 폴리(2-아크릴아미도-2-메틸-1-프로판설폰산) 등일 수 있다.
정공 주입 층은 구리 프탈로시아닌 및 테트라티아풀발렌-테트라시아노퀴노다이메탄 시스템(TTF-TCNQ)과 같은, 전하 전달 화합물 등을 포함할 수 있다.
일부 실시양태에서, 정공 주입 층은 적어도 하나의 전기 전도성 중합체 및 적어도 하나의 플루오르화 산 중합체를 포함한다.
일부 실시양태에서, 정공 주입 층은 콜로이드-형성 중합체성 산으로 도핑된 전기 전도성 중합체의 수성 분산액으로부터 제조된다. 그러한 재료는, 예를 들어, 미국 특허 출원 공개 제2004/0102577호, 제2004/0127637호, 제2005/0205860호, 및 국제특허 공개 WO 2009/018009호에 기재되어 있다.
층 (130)에 대한 다른 정공 수송 재료의 예는 예를 들어, 문헌 [Kirk-Othmer Encyclopedia of Chemical Technology, Fourth Edition, Vol. 18, p. 837-860, 1996, by Y. Wang]에 요약되어 있다. 정공 수송 분자 및 중합체 둘 모두가 사용될 수 있다. 통상적으로 사용되는 정공 수송 분자는, N,N'-다이페닐-N,N'-비스(3-메틸페닐)-[1,1'-바이페닐]-4,4'-다이아민 (TPD), 1,1-비스[(다이-4-톨릴아미노)페닐]사이클로헥산 (TAPC), N,N'-비스(4-메틸페닐)-N,N'-비스(4-에틸페닐)-[1,1'-(3,3'-다이메틸)바이페닐]-4,4'-다이아민 (ETPD), 테트라키스-(3-메틸페닐)-N,N,N',N'-2,5-페닐렌다이아민 (PDA), a-페닐-4-N,N-다이페닐아미노스티렌 (TPS), p-(다이에틸아미노)벤즈알데하이드 다이페닐하이드라존 (DEH), 트라이페닐아민 (TPA), 비스[4-(N,N-다이에틸아미노)-2-메틸페닐](4-메틸페닐)메탄 (MPMP), 1-페닐-3-[p-(다이에틸아미노)스티릴]-5-[p-(다이에틸아미노)페닐] 피라졸린 (PPR 또는 DEASP), 1,2-트랜스-비스(9H-카르바졸-9-일)사이클로부탄 (DCZB), N,N,N',N'-테트라키스(4-메틸페닐)-(1,1'-바이페닐)-4,4'-다이아민 (TTB), N,N'-비스(나프탈렌-1-일)-N,N'-비스-(페닐)벤지딘 (α-NPB), 및 포르피린계 화합물, 예를 들어, 구리 프탈로시아닌이다. 일부 실시양태에서, 정공 수송 층은 정공 수송 중합체를 포함한다. 일부 실시양태에서, 정공 수송 중합체는 다이스티릴아릴 화합물이다. 일부 실시양태에서, 아릴 기는 둘 이상의 융합된 방향족 고리를 갖는다. 일부 실시양태에서, 아릴기는 아센이다. 본 명세서에 사용되는 바와 같이, "아센"이라는 용어는 둘 이상의 오르토-융합된 벤젠 고리를 직선형 배열로 포함하는 탄화수소 부모 성분을 말한다. 통상적으로 사용되는 기타 정공 수송 중합체는 폴리비닐카르바졸, (페닐메틸)-폴리실란, 및 폴리아닐린이다. 전술된 것과 같은 정공 수송 분자를 폴리스티렌 및 폴리카르보네이트와 같은 중합체 내로 도핑함으로써 정공 수송 중합체를 또한 얻을 수 있다. 일부 경우에는, 트라이아릴아민 중합체, 특히 트라이아릴아민-플루오렌 공중합체를 사용한다. 일부 경우에, 중합체 및 공중합체는 가교결합성이다.
일부 실시양태에서, 정공 수송 층은 p-도펀트를 추가로 포함한다. 일부 실시양태에서, 정공 수송 층은 p-도펀트로 도핑된다. p-도펀트의 예는, 테트라플루오로테트라시아노퀴노다이메탄(F4-TCNQ: tetra플루오로tetra시아노quinodimethane) 및 페릴렌-3,4,9,10-테트라카복실릭-3,4,9,10-다이언하이드라이드(PTCDA: perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic-3,4,9,10-dianhydride)를 포함하나 이에 한정되지 않는다.
층 (150)에 사용할 수 있는 전자 수송 재료의 예에는, 금속 퀴놀레이트 유도체, 예를 들어 트리스(8-하이드록시퀴놀레이토)알루미늄(AlQ), 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이토)(p-페닐페놀레이토) 알루미늄(BAlq), 테트라키스-(8-하이드록시퀴놀레이토)하프늄(HfQ: tetrakis-(8-hydroxyquinolato)hafnium) 및 테트라키스-(8-하이드록시퀴놀레이토)지르코늄(ZrQ: tetrakis-(8-hydroxyquinolato)zirconium); 및 아졸 화합물, 예컨대 2-(4-바이페닐릴)-5-(4-t-부틸페닐)-1,3,4-옥사다이아졸 (PBD), 3-(4-바이페닐릴)-4-페닐-5-(4-t-부틸페닐)-1,2,4-트라이아졸 (TAZ) 및 1,3,5-트라이(페닐-2-벤즈이미다졸)벤젠 (TPBI); 퀴녹살린 유도체, 예를 들어 2,3-비스(4-플루오로페닐)퀴녹살린; 페난트롤린, 예컨대 4,7-다이페닐-1,10-페난트롤린 (DPA) 및 2,9-다이메틸-4,7-다이페닐-1,10-페난트롤린 (DDPA) 및 그 혼합물이 포함되지만, 이로 한정되지 않는다. 일부 실시양태에서, 전자 수송 층은 n-도펀트를 추가로 포함한다. N-도펀트 재료는 주지되어 있다. n-도펀트는, 1족 및 2족 금속; 1족 및 2족 금속 염, 예를 들어 LiF, CsF, 및 Cs2CO3; 1족 및 2족 금속 유기 화합물, 예를 들어 Li 퀴놀레이트; 및 분자 n-도펀트, 예를 들어 류코 염료, 금속 착물, 예를 들어 W2(hpp)4(여기서 hpp=1,3,4,6,7,8-헥사하이드로-2H-피리미도-[1,2-a]-피리미딘임) 및 코발토센, 테트라티아나프타센, 비스(에틸렌다이티오)테트라티아풀발렌, 헤테로사이클릭 라디칼 또는 다이라디칼, 및 이량체, 올리고머, 중합체, 헤테로사이클릭 라디칼 또는 다이라디칼의 폴리사이클 및 다이스피로 화합물을 포함하나 이에 한정되지 않는다.
캐쏘드(160)는 전자 또는 음전하 캐리어를 주입하는 데 있어서 특히 효율적인 전극이다. 캐쏘드는 애노드보다 낮은 일 함수를 갖는 임의의 금속 또는 비금속일 수 있다. 캐쏘드를 위한 재료는 1족의 알칼리 금속(예를 들어, Li, Cs), 2족(알칼리 토류) 금속, 12족 금속(희토류 원소 및 란탄족 및 악티늄족 원소 포함)으로부터 선택될 수 있다. 알루미늄, 인듐, 칼슘, 바륨, 사마륨 및 마그네슘과 같은 재료와 더불어 그의 조합을 사용할 수 있다.
알칼리 금속-함유 무기 화합물, 예를 들어, LiF, CsF, Cs2O 및 Li2O, 또는 Li-함유 유기금속 또는 배위 화합물을 또한 유기 층(150)과 캐소드 층(160) 사이에 침착시켜 작동 전압을 낮출 수 있다. 이러한 층(도시하지 않음)을 전자 주입 층이라고 부를 수 있다.
유기 전자 소자 내에 다른 층을 갖는 것이 알려져 있다. 예를 들어, 주입되는 양전하의 양을 제어하고/하거나 층의 밴드갭 매칭(band-gap matching)을 제공하거나 또는 보호 층으로서 작용하는 층(도시되지 않음)이 애노드 (110)과 정공 주입 층 (120) 사이에 있을 수 있다. 당업계에 공지된 층, 예를 들어, 구리 프탈로시아닌, 규소 옥시-니트라이드, 플루오로탄소, 실란, 또는 Pt와 같은 금속의 초박층(ultra-thin layer)을 사용할 수 있다. 대안적으로, 애노드 층 (110), 활성 층 (120), (130), (140), 및 (150), 또는 캐쏘드 층 (160)의 일부 또는 전부를 표면 처리하여 전하 담체 수송 효율을 증가시킬 수 있다. 각각의 성분 층의 재료의 선정은 바람직하게는, 방출체 층 내의 양전하 및 음전하의 균형을 맞추어 높은 전계발광 효율을 갖는 소자를 제공하도록 결정한다.
각각의 기능 층은 하나 초과의 층으로 이루어질 수 있는 것으로 이해된다.
c. 소자 제작
소자 층들은 증착, 액체 침착, 및 열전사를 포함하는 임의의 침착 기술 또는 기술들의 조합에 의해 형성될 수 있다.
일부 실시양태에서, 소자는 정공 주입 층, 정공 수송 층 및 광활성 층의 액체 침착, 및 애노드, 전자 수송 층, 전자 주입 층 및 캐쏘드의 증착에 의해서 제작된다.
정공 주입 층은 그것이 용해 또는 분산되어 있는 임의의 액체 매질로부터 침착될 수 있는데, 정공 주입 층은 상기 액체 매질로부터 필름을 형성할 것이다. 일부 실시양태에서, 액체 매질은 1종 이상의 유기 용매로 본질적으로 이루어진다. 일부 실시양태에서, 액체 매질은 물 또는 물과 유기 용매로 본질적으로 이루어진다. 정공 주입 재료는 0.5 내지 10 중량%의 양으로 액체 매질 중에 존재할 수 있다. 정공 주입 층은 임의의 연속식 또는 불연속식 액체 침착 기술에 의해 적용될 수 있다. 일부 실시양태에서, 정공 주입 층은 스핀 코팅에 의해서 적용된다. 일부 실시양태에서, 정공 주입 층은 잉크 제트 인쇄에 의해서 적용된다. 일부 실시양태에서, 정공 주입 층은 연속 노즐 인쇄에 의해서 적용된다. 일부 실시양태에서, 정공 주입 층은 슬롯-다이 코팅에 의해서 적용된다. 액체 침착 후에, 액체 매질을 공기 중에서, 불활성 분위기에서, 또는 진공에 의해, 실온에서 또는 가열에 의해 제거할 수 있다.
정공 수송 층은 그가 용해 또는 분산되어 있는 임의의 액체 매질로부터 침착될 수 있는데, 정공 수송 층은 상기 액체 매질로부터 필름을 형성할 것이다. 일부 실시양태에서, 액체 매질은 1종 이상의 유기 용매로 본질적으로 이루어진다. 일부 실시양태에서, 액체 매질은 물 또는 물과 유기 용매로 본질적으로 이루어진다. 일부 실시양태에서 유기 용매는 방향족 용매이다. 일부 실시양태에서, 유기 액체는 클로로포름, 다이클로로메탄, 클로로벤젠, 다이클로로벤젠, 톨루엔, 자일렌, 메시틸렌, 아니솔 및 그 혼합물로부터 선택된다. 정공 수송 재료는 0.2 내지 2 중량%의 농도로 액체 매질 중에 존재할 수 있다. 정공 수송 층은 임의의 연속 또는 불연속 액체 침착 기술에 의해 적용될 수 있다. 일부 실시양태에서, 정공 수송 층은 스핀 코팅에 의해서 적용된다. 일부 실시양태에서, 정공 수송 층은 잉크 제트 인쇄에 의해서 적용된다. 일부 실시양태에서, 정공 수송 층은 연속 노즐 인쇄에 의해서 적용된다. 일부 실시양태에서, 정공 수송 층은 슬롯-다이 코팅에 의해서 적용된다. 액체 침착 후에, 액체 매질을 공기 중에서, 불활성 분위기에서, 또는 진공에 의해, 실온에서 또는 가열에 의해 제거할 수 있다.
광활성 층은 그가 용해 또는 분산되어 있는 임의의 액체 매질로부터 침착될 수 있는데, 광활성 층은 상기 액체 매질로부터 필름을 형성할 것이다. 일부 실시양태에서, 액체 매질은 1종 이상의 유기 용매로 본질적으로 이루어진다. 일부 실시양태에서, 액체 매질은 물 또는 물과 유기 용매로 본질적으로 이루어진다. 일부 실시양태에서 유기 용매는 방향족 용매이다. 일부 실시양태에서, 유기 용매는 클로로포름, 다이클로로메탄, 톨루엔, 아니솔, 2-부탄온, 3-펜탄온, 부틸아세테이트, 아세톤, 자일렌, 메시틸렌, 클로로벤젠, 테트라하이드로푸란, 다이에틸 에테르, 트라이플루오로톨루엔 및 그의 혼합물로부터 선택된다. 광활성 재료는 0.2 내지 2 중량%의 농도로 액체 매질 중에 존재할 수 있다. 액체 매질에 따라 다른 중량 백분율의 광활성 재료를 사용할 수 있다. 광활성 층은 임의의 연속 또는 불연속 액체 침착 기술에 의해 적용될 수 있다. 일부 실시양태에서, 광활성 층은 스핀 코팅에 의해 적용된다. 일부 실시양태에서, 광활성 층은 잉크젯 인쇄에 의해 적용된다. 일부 실시양태에서, 광활성 층은 연속식 노즐 인쇄에 의해서 적용된다. 일부 실시양태에서, 광활성 층은 슬롯-다이 코팅에 의해 적용된다. 액체 침착 후에, 액체 매질을 공기 중에서, 불활성 분위기에서, 또는 진공에 의해, 실온에서 또는 가열에 의해 제거할 수 있다.
전자 수송 층은 임의의 증착법에 의해 침착될 수 있다. 일부 실시양태에서, 이것은 진공 하에 열증발에 의해 침착된다.
전자 주입 층은 임의의 증착법에 의해 침착될 수 있다. 일부 실시양태에서, 이것은 진공 하에 열증발에 의해 침착된다.
캐쏘드는 임의의 증착법에 의해 침착될 수 있다. 일부 실시양태에서, 이것은 진공 하에 열증발에 의해 침착된다.
실시예
본 명세서에 기재된 개념을 하기 실시예에 추가로 설명할 것인데, 하기 실시예는 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범주를 한정하지 않는다.
실시예 1.
본 실시예는 화합물 G1의 제조를 예시한다.
(a) 2-(3-클로로페닐)-4-tert-부틸피리딘
2-클로로-4-tert-부틸피리딘 (19.92 그램, 0.1174 mol), 3-클로로페닐보론산 (20.17 그램, 0.1290 mol), 물 (332 ml), 탄산 칼륨 (45.65 그램, 0.3303 mol), 및 모노글라임 (332 ml)을 배합하고, 질소를 45분 동안 주입하였다. 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐(0) (4.98 그램, 5.746 mmol)을 신속히 첨가하고, 혼합물을 밤새 환류 하에 가열하였다. 혼합물을 회전식 증발기로 농축하여 모노글라임을 제거하였다. 다이클로로메탄 ("DCM")을 첨가하고, 물로 여러번 추출한 후 고체 매질에 미리 흡수시켰다. DCM 및 헥산을 이용한 실리카 크로마토그래피를 사용하여 생성물을 정제하였고, 이것을 황색 오일 27 그램으로 농축하였다.
(b) 2-[3-(4-바이페닐)페닐]-4-tert-부틸피리딘 리간드
Figure 112014099854295-pct00025
2-(3-클로로페닐)-4-tert-부틸피리딘 (20 그램, 0.0814 mol), 4-바이페닐보론산 (20 그램, 0.1010 mol), 물 (250 ml)과 인산 칼륨 트라이베이직(tribasic) (54 그램, 0.2544 mol)의 용액, 및 1,4-다이옥산 500 ml에 질소를 50분 동안 주입하였다. 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0), (5.576 그램, 6.089 mmol) 및 트라이-t-부틸포스핀 (3.415 그램, 16.879 mmol)을 신속히 첨가하고, 혼합물을 밤새 환류시켰다. 1,4-다이옥산을 회전식 증발기에 의해서 제거하고, 다이클로로메탄을 첨가하였다. 여러번 물로 세척한 후, 유기물을 고체 매질에 미리흡수시키고, DCM 및 헥산을 이용한 실리카 컬럼 크로마토그래피로 정제하였다. 생성물을 회전식 증발기로 황색 오일 25.27 그램으로 농축하였고, 이것은 밤새 부분적으로 고체화되었다.
(c) 화합물 G1
부분 (b)로부터의 리간드 15 g을 2-에톡시에탄올 20 mL, 및 물 2mL 중에서 이리듐 클로라이드 7.5 g과 혼합하였다. 혼합물을 질소 하에서 밤새 환류시키고, 냉각하고, 물 20 mL로 희석하였다. 밝은 노란 주황색 고체를 여과하고, 물 및 메탄올로 잘 세척하고, 흡인 건조하였다. 고체를 다이클로로메탄으로 추출하고, 여과하고, 건조하였다. 이 고체를 메틸렌 클로라이드 150 mL 및 메탄올 10 mL 중에 첨가하고, 실버 트라이플루오로메탄 설포네이트 5 g을 첨가하였다. 이것을 잘 교반하고, 4시간 동안 환류시켰다. 냉각 후, 혼합물을 증발시키고, 메탄올 중에서 추출하고, 여과하였다. 고체 약 4 g을 단계 (b)로부터의 리간드 7 g과 함께 n-프로판올 (약 80 mL) 중에 넣고, 밤새 환류시켰다. 황색 고체를 여과에 의해서 분리하고, 메탄올로 세척하였다. n-프로판올 여액을 환류 하에서 추가로 가열하여 반응을 더 진행시키고, 이어서 건조물로 증발시켰다. 이어서, 회수된 황색 고체를 첫번째로 단리된 분획과 합하고, 무수 톨루엔 중에 용해시켰다. 재료를 톨루엔 용리액을 사용하여 크로마토그래피에 의해서 정제하였다. 이것으로부터의 최종 황색 용리액을 적은 부피로 증발시키고, 아세토나이트릴을 약 50 부피%로 첨가하고, 생성된 용액을 방치하여 황색 결정을 생성하였다. 황색 생성물을 여과하고, 고 진공 하에서 건조하였다. 1-H nmr 스펙트로스코피에 의해서 fac 이성체로 확인된 생성물 G1 대략 9.7 g을 수득하였고, 초고압 액체 크로마토그래피에 의해서 순도는 >99%로 판단되었다.
실시예 2.
본 실시예는 화합물 G2의 제조를 예시한다.
(b) 2-[3-(4-터페닐)페닐]-4-tert-부틸피리딘 리간드
Figure 112014099854295-pct00026
상기 실시예 1로부터의 2-(3-클로로페닐)-4-tert-부틸피리딘 (10 그램, 0.0407 mol), 4,4'-터페닐보론산 (13.7 그램, 0.05 mol), 물 (125 ml)과 인산 칼륨 트라이베이직 (27 그램, 0.1272 mol)의 용액, 및 1,4-다이옥산 250 ml에 질소를 50분 동안 주입하였다. 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0), (2.288 그램, 3.044 mmol) 및 트라이-t-부틸포스핀 (1.708 그램, 8.44 mmol)을 신속히 첨가하고, 혼합물을 밤새 환류시켰다. 1,4-다이옥산을 회전식 증발기에 의해서 제거하고, 다이클로로메탄을 첨가하였다. 여러번 물로 세척한 후, 유기물을 고체 매질에 미리흡수시키고, DCM 및 헥산을 이용한 실리카 컬럼 크로마토그래피로 정제하였다. 생성물을 회전식 증발기로 매우 연한 황색 고체 8 그램으로 농축하였다.
(c) 화합물 G2
부분 (b)로부터의 리간드 2.65 g을 2-에톡시에탄올 20 mL, 및 물 2 mL 중에서 이리듐 클로라이드 1.1 g과 혼합하였다. 혼합물을 질소 하에서 밤새 환류시키고, 냉각하고, 물 20 mL로 희석하였다. 밝은 황색 고체를 여과하고, 물 및 메탄올로 잘 세척하고, 흡인 건조하였다. 고체를 다이클로로메탄으로 추출하고, 여과하고, 건조하였다. 이 고체를 DCM 150 mL 및 메탄올 10 mL 중에 첨가하고, 실버 트라이플루오로메탄 설포네이트 2.5 g을 첨가하였다. 이것을 4시간 동안 잘 교반하고, 약하게 환류시켰다. 냉각 후, 혼합물을 증발시키고, 50/50 메틸렌 클로라이드/메탄올로 추출하고, 여과하였다. 회수된 주황색 용액을 건조물로 증발시키고, 단계 (b)로부터의 리간드 2 g과 함께 2-에톡시에탄올 50 mL 중에 재용해시키고, 밤새 환류시켰다. 탄산 나트륨 1 g을 생성된 냉각된 용액에 첨가하여 많은 양의 황색 고체를 생성하였고, 이것을 2 시간 동안 추가로 환류시킨 후 여과하여 분리하고, 메탄올로 세척하고, 흡인 건조하였다. 재료를 메틸렌 클로라이드 중에서 추출하고, 메틸렌 클로라이드 용리액을 사용하여 크로마토그래피로 정제하였다. 최종 황색 용리액을 적은 부피로 증발시키고, 아세토나이트릴을 약 50 부피%로 첨가하고, 생성된 용액을 방치하여 황색 바늘형 결정을 생성하였다. 황색 생성물을 여과하고, 고 진공 하에서 건조하였다. 1-H nmr 스펙트로스코피에 의해서 fac 이성체로 확인된 생성물 G2 대략 2.4 g을 수득하였고, 초고압 액체 크로마토그래피에 의해서 순도는 >99%로 판단되었다.
실시예 3
2-클로로-5-메틸피리딘으로 출발하여 실시예 1과 유사한 방식으로 화합물 G16을 제조하였다.
소자 실시예
이들 실시예는 OLED 소자의 제작 및 성능을 보여준다.
(1) 재료
HIJ-1은 중합체성 플루오르화된 설폰산으로 도핑된 전기 전도성 중합체이다. 이러한 재료는, 예를 들어, 미국 특허 출원 공개 제2004/0102577호, 제2004/0127637호, 제2005/0205860호, 및 국제 특허 공개 WO 2009/018009호에 기재되어 있다.
HT-1은 트라이아릴아민-함유 중합체이다. 그러한 재료는, 예를 들어, 국제 특허 공개 WO 2009/067419호에 기재되어 있다.
호스트-1은 인돌로카르바졸이다. 이러한 재료는 동시계류 중인 특허 출원 [UC1006]에 기재되어 있다.
호스트-2는 인돌로카르바졸이다. 이러한 재료는 예를 들어, 공개된 PCT 출원 제WO 2010/099534호 및 제WO 2011/059463호에 기재되어 있다.
호스트-3은 인돌로카르바졸이다. 이러한 재료는 예를 들어, 공개된 PCT 출원 제WO 2010/099534호 및 제WO 2011/059463호에 기재되어 있다.
ET-1은 금속 퀴놀레이트 착물이다.
도펀트-1은 하기 화학식을 갖고, 미국 특허 공개 제2006/0008673호에 기재된 바와 같이 제조될 수 있다.
Figure 112014099854295-pct00027
소자는 유리 기판 상에 하기 구조를 가졌다.
애노드 = 인듐 주석 산화물(ITO: Indium Tin Oxide), 50 nm
정공 주입 층 = HIJ-1(50 nm)
정공 수송 층 = HT-1(20 nm)
광활성 층, 하기에 논의됨 = 35:49:16 (중량비) 호스트-1:호스트-2:도펀트 (60 nm);
전자 수송 층 = ET-1 (10 nm)
전자 주입 층/캐쏘드 = CsF/Al (0.7/100 nm)
(2) 소자 제작
용액 가공 및 열증발 기술의 조합에 의해서 OLED 소자를 제작하였다. 씬 필름 디바이시즈, 인크(Thin Film Devices, Inc)로부터의 패턴화된 인듐 주석 산화물(ITO) 코팅 유리 기재를 사용하였다. 이들 ITO 기재는 시트 저항이 30옴/스퀘어(ohm/square)이고 광투과율이 80%인 ITO로 코팅된 코닝(Corning) 1737 유리를 기반으로 한다. 패턴화된 ITO 기재를 수성 세제 용액 내에서 초음파로 세정하였고 증류수로 헹구었다. 그 후, 패턴화된 ITO를 아세톤 중에서 초음파로 세정하고, 아이소프로판올로 헹구어 질소 스트림에서 건조시켰다.
소자 제작 직전에, 세정되고 패턴화된 ITO 기재를 UV 오존으로 10분 동안 처리하였다. 냉각 직후에, HIJ-1의 수성 분산액을 ITO 표면 위에 스핀 코팅하고 가열하여 용매를 제거하였다. 냉각 후, 이어서 기재를 HT-1의 용액으로 스핀 코팅한 후, 가열하여 용매를 제거하였다. 냉각 후에 기재를 메틸 벤조에이트 중 광활성 층 재료의 용액으로 스핀 코팅하고 가열하여 용매를 제거하였다. 기재를 마스킹하고, 진공 챔버에 넣었다. 전자 수송 층을 열증발에 의해 침착시키고, 이어서 CsF 층으로 침착시켰다. 이어서, 진공 상태에서 마스크를 바꾸고 열증발에 의해 Al의 층을 침착시켰다. 챔버를 통기시키고, 유리 덮개, 건조제, 및 UV 경화성 에폭시를 사용하여 소자를 캡슐화하였다.
(3) 소자 특성화
OLED 샘플을 그의 (1) 전류-전압 (I-V) 곡선, (2) 전계발광 방사휘도(electroluminescence radiance) 대 전압, 및 (3) 전계발광 스펙트럼 대 전압을 측정함으로써 특성화하였다. 3 가지 측정 모두를 동시에 수행하고 컴퓨터로 제어하였다. 소정 전압에서의 소자의 전류 효율(current efficiency)은, 소자를 작동시키는 데 필요한 전류 밀도(current density)로 LED의 전계발광 방사휘도를 나눔으로써 결정한다. 단위는 cd/A이다. 미놀타(Minolta) CS-100 미터 또는 포토리서치(Photoresearch) PR-705 미터를 사용하여 색 좌표를 결정하였다.
실시예 4 및 비교예 A
본 실시예는 화학식 I을 갖는 화합물의 소자 내에서 발광 재료로서의 용도를 예시한다.
실시예 4에서, 광활성 층은 발광 재료로서 화합물 G1을 함유하였다.
비교예 A에서, 광활성 층은 발광 재료로서 도펀트-1을 함유하였다.
결과는 하기의 표 1에 주어진다.
Figure 112014099854295-pct00028
표 1로부터, 효율은 거의 동일하지만, 화합물 G1을 갖는 소자가 더 양호한 색상을 가지며, 수명이 20% 넘게 증가된다는 것을 인지할 수 있다.
도 3에, 화합물 G1 및 도펀트-1에 대한 방출 스펙트럼을 나타낸다. 스펙트럼은 도펀트 1보다 화합물 G1이 더 좁다.
실시예 5 및 비교예 B
광활성 층을 제외하고는 상기에 기재된 바와 같이 소자를 제조하였다. 광활성 층은 84:16 (중량비)의 호스트-3:도펀트의 60 nm였다.
실시예 5에서, 도펀트는 화합물 G16이었다.
비교예 B에서, 도펀트는 도펀트-1이었다.
결과가 하기 표 2에 나타나있다.
Figure 112014099854295-pct00029
화합물 G16을 사용할 경우, 색상은 비교 도펀트와 매우 유사하지만, 수명은 20% 증가된다는 것을 인지할 수 있다.
전반적인 설명 또는 실시예에서 전술된 모든 작용이 요구되지는 않으며, 특정 작용의 일부가 요구되지 않을 수 있고, 설명된 것에 더하여 하나 이상의 추가의 작용이 수행될 수 있음을 알아야 한다. 또한, 작용들이 나열된 순서는 반드시 그들이 수행되는 순서는 아니다.
상기 명세서에서, 개념들이 특정 실시양태를 참조하여 설명되었다. 그러나, 당업자는 아래의 특허청구범위에서 설명되는 바와 같은 본 발명의 범주로부터 벗어남이 없이 다양한 변형 및 변경이 이루어질 수 있음을 이해한다. 따라서, 명세서 및 도면은 제한적이라기보다 예시적인 의미로 간주되어야 하며, 그러한 모든 변형은 본 발명의 범주 내에 포함시키고자 한다.
이득, 다른 이점, 및 문제에 대한 해결책이 특정 실시양태에 관해 전술되었다. 그러나, 이득, 이점, 문제에 대한 해결책, 그리고 임의의 이득, 이점, 또는 해결책을 발생시키거나 더 명확해지게 할 수 있는 임의의 특징부(들)는 임의의 또는 모든 특허청구범위의 매우 중요하거나, 요구되거나, 필수적인 특징부로서 해석되어서는 안된다.
소정 특징부가 명확함을 위해 별개의 실시양태들과 관련하여 본 명세서에서 설명되고, 단일 실시양태와 조합하여 또한 제공될 수 있다는 것을 이해하여야 한다. 역으로, 간략함을 위해 단일 실시양태와 관련하여 설명된 여러 특징부들은 별개로 또는 임의의 하위 조합으로 또한 제공될 수 있다. 아울러, 범위로 기재된 값의 참조는 그 범위 내의 각각의 모든 값을 포함한다.

Claims (13)

  1. 하기 화학식 I을 갖는 화합물:
    Figure 112017128273971-pct00030

    여기서,
    Ar은 페닐이고, 여기서 Ar은 임의로는 하나 이상의 치환기 D를 갖고;
    R1은 H, D, 알킬 및 중수소화된 알킬로 이루어진 군으로부터 선택되고;
    R2는 H, D, 알킬 및 중수소화된 알킬로 이루어진 군으로부터 선택되고;
    R1 및 R2 중 하나 이상은 알킬이며, R3 내지 R11은 H이다.
  2. 제1항에 있어서, R1은 1 내지 20개의 탄소를 갖는 알킬, 및 1 내지 20개의 탄소를 갖는 중수소화된 알킬로 이루어진 군으로부터 선택되는 화합물.
  3. 제1항에 있어서, 화합물 G1 및 G16으로부터 선택되는 화합물.
    Figure 112017128273971-pct00037

    Figure 112017128273971-pct00038
  4. 제1 전기 접촉 층, 제2 전기 접촉 층 및 이들 층 사이의 광활성 층을 포함하며, 광활성 층은 하기 화학식 I을 갖는 화합물을 포함하는 유기 전자 소자.
    Figure 112017128273971-pct00031

    여기서,
    Ar은 페닐이고, 여기서 Ar은 임의로는 하나 이상의 치환기 D를 갖고;
    R1은 H, D, 알킬 및 중수소화된 알킬로 이루어진 군으로부터 선택되고;
    R2는 H, D, 알킬 및 중수소화된 알킬로 이루어진 군으로부터 선택되고;
    R1 및 R2 중 하나 이상은 알킬이며, R3 내지 R11은 H이다.
  5. 제4항에 있어서, R1은 1 내지 20개의 탄소를 갖는 알킬, 및 1 내지 20개의 탄소를 갖는 중수소화된 알킬로 이루어진 군으로부터 선택되는 소자.
  6. 제4항에 있어서, 화학식 I을 갖는 화합물이 화합물 G1 및 G16으로부터 선택되는 소자.
    Figure 112018057882328-pct00039

    Figure 112018057882328-pct00040
  7. 제4항에 있어서, 광활성 층은 발광 화합물, 호스트 재료, 및 정공-트랩(hole-trap) 재료 또는 전자-트랩(electron-trap) 재료로서의 화학식 I을 갖는 화합물을 포함하는 소자.
  8. 제7항에 있어서, 정공-트랩 재료는 광활성 층에 존재하는 임의의 다른 재료의 최고 준위 점유 분자 궤도(HOMO)보다 에너지가 진공 준위에 더 가까운 HOMO를 보유하고; 전자-트랩 재료는 광활성 층에 존재하는 임의의 다른 재료의 최저 준위 비점유 분자 궤도(LUMO)보다 에너지가 진공 준위로부터 더 먼 LUMO를 보유하고; 발광 화합물은 적색, 주황색 또는 황색 방출 색상을 갖는 소자.
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6119171B2 (ja) * 2012-10-05 2017-04-26 三菱化学株式会社 イリジウム錯体化合物、該化合物及び溶剤を含有する組成物、該化合物を含有する有機電界発光素子、表示装置及び照明装置
KR102384222B1 (ko) 2014-09-26 2022-04-07 삼성전자주식회사 유기금속 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
GB201511300D0 (en) * 2015-06-26 2015-08-12 Cambridge Display Tech Ltd Metal complex and organic light-emitting device
KR102429871B1 (ko) 2015-03-13 2022-08-05 삼성전자주식회사 유기금속 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
US11672167B2 (en) 2015-03-13 2023-06-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Organometallic compound and organic light-emitting device including the same
US10804473B2 (en) 2015-05-21 2020-10-13 Lg Chem, Ltd. Electron transport materials for electronic applications
KR102609664B1 (ko) * 2015-05-29 2023-12-04 미쯔비시 케미컬 주식회사 이리듐 착물 화합물, 그 화합물을 함유하는 유기 전계 발광 소자, 표시 장치 및 조명 장치
US10672996B2 (en) 2015-09-03 2020-06-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9966542B2 (en) 2016-06-02 2018-05-08 E I Du Pont De Nemours And Company Electroactive materials
WO2018178001A1 (de) * 2017-03-29 2018-10-04 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
CN112640151A (zh) * 2018-12-07 2021-04-09 深圳市柔宇科技股份有限公司 Oled器件及其制备方法、旋涂成膜的原料溶液
KR20220039383A (ko) * 2020-09-22 2022-03-29 삼성전자주식회사 유기금속 화합물, 이를 포함한 유기 발광 소자 및 상기 유기 발광 소자를 포함한 전자 장치
WO2022250044A1 (ja) * 2021-05-25 2022-12-01 三菱ケミカル株式会社 イリジウム錯体化合物、イリジウム錯体化合物含有組成物及び有機電界発光素子とその製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6699599B2 (en) 2000-12-07 2004-03-02 Canon Kabushiki Kaisha Deuterated semi-conducting organic compounds used for opto-electronic devices

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10238903A1 (de) * 2002-08-24 2004-03-04 Covion Organic Semiconductors Gmbh Rhodium- und Iridium-Komplexe
US7816016B1 (en) * 2003-02-13 2010-10-19 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electroluminescent iridium compounds and devices made therefrom
JP2006013222A (ja) * 2004-06-28 2006-01-12 Fuji Photo Film Co Ltd 有機電界発光素子、およびその製造方法
US7709100B2 (en) * 2004-07-07 2010-05-04 Universal Display Corporation Electroluminescent efficiency
EP3428986B1 (en) * 2004-07-07 2021-01-20 Universal Display Corporation Stable and efficient electroluminescent materials
KR100676965B1 (ko) * 2005-03-05 2007-02-02 주식회사 두산 신규 이리듐 착화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
US9078330B2 (en) * 2005-03-15 2015-07-07 Isis Innovation Limited Highly branched dendrimers
WO2010004877A1 (ja) * 2008-07-10 2010-01-14 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
US9461253B2 (en) * 2008-12-10 2016-10-04 Udc Ireland Limited Organic electroluminescence device and luminescence apparatus
DE102009041414A1 (de) * 2009-09-16 2011-03-17 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6699599B2 (en) 2000-12-07 2004-03-02 Canon Kabushiki Kaisha Deuterated semi-conducting organic compounds used for opto-electronic devices

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Mol. Cryst. Liqu. Cryst., Vol.455, pp.373-379 (2006)*

Also Published As

Publication number Publication date
WO2013142634A1 (en) 2013-09-26
JP2015515463A (ja) 2015-05-28
JP6204453B2 (ja) 2017-09-27
US20150028321A1 (en) 2015-01-29
EP2828274A1 (en) 2015-01-28
CN104203968A (zh) 2014-12-10
KR20140140087A (ko) 2014-12-08
CN104203968B (zh) 2017-05-03
EP2828274A4 (en) 2015-10-21
US9793497B2 (en) 2017-10-17

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