TW200846838A - Support structure and exposure apparatus - Google Patents

Description

200846838 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明，係關於支撐構造體及曝光裝置。 本申請案，係基於2007年1月％日提出 扠出之特願2007 01 6194號主張優先權，將其内容援用於此。 【先前技術】

在半導體元件、液晶顯示it件、攝影裝置（CCD(charge c〇upled Device)等)、薄膜磁頭等之元件製程之—的微岑制 程中’為了將形成於作為光罩之標線片(或光阻等)的圖： 轉印曝光至作為基板之塗布有光阻的晶圓（或玻璃板等/ 上，係使用曝光裝置。曝光裝置，係使用步進等之—次曝 光型（靜止曝光型）的投影曝光裝置、或掃描步進器等之掃 私曝光型投影曝光裝置（掃描型曝光裝置）等。 、 此等曝光裝置，隨著半導體元件等的高積體化，形成 於晶圓上之電路圖案係被要求更微細化。近年來，亦有電 路圖案之線見為40〜50iira者。 由於為了實現電路圖案之微細化須使曝光精度提升， 因此須極力排除振動之影響。以往之曝光裝置，例如係透 T防振台設置支撐投影光學系統之支撐構造體，以抑制外 部之振動傳遞至投影光學系統等（例如參照專利文獻i)。 [專利文獻1]日本特開2006_70928號公報 [專利文獻2]國際公開第02/ 1〇1 804號小冊子 6 200846838 v 【發明内容】 卜近年來，電路圖案之線寬係如上所述被要求為4〇〜5〇nm 等、、及，今後電路圖案會更進一部微細化。因此，即須一 步排除振動的影響。 、 以在之曝光裝置，雖對透過框體或支擇構造體 = 但並未對在空間傳遞之噪音等空氣振2 有振=-朿二音:::氣振動的頻率在與設置構件之固 曝光精度惡化。 有了此使 專利文獻2中’記载了例如將曝光裝置本體 理室内且蔣处上田+ 〃又奋於處 …周工間形成於該處理室内部的曝光裝 種曝光裝置，俏且供y 衣夏此 狀λ '、/、備用以形成上述空調空間之空氣的^ f 路徑，而於該循環路徑之 ^的循核 產生之噪音，有可铲在^ 1機。自此送風機 率之振動。例如，•被抑…得遇之期間增強特定頻 件之固有振動數一 、手，、構成干涉儀之構 產生測定誤差之虞 P會因該構件之共振而振動，有 =二可知今後須對上述空氣振動施加對策。 動的支撐構造體及曝光裝可抑制因空氣振動產生之振 本务明探用了對應實施形態所示 過，付加於各要素之八 G之以下構成。不 並非限定各要素。、3 k的付號僅係該要素之例示，而 根據本發明之第】態樣 糸誕供一種支撐構造體（3〇)， 7 200846838 係支撐支撐對象物（14，16，20)，其具備··與自外部傳遞之 空氣振動共振以以使該空氣振動衰減的共振裝置（1)。 透過第1態樣，共振裝置（丨）可藉由與自外部傳遞之空 氣振動共振以以使該空氣振動衰減。 根據本發明之第2態樣，係提供一種曝光裝置（Εχ)， 係使用被支撐構造體支撐之支撐對象物（12, 14, 16, 2〇)將 圖案像曝光至基板（W)，其中，該支撐構造體係使用本發 馨 明之支撐構造體（3〇)。 透過本發明之態樣，由於共振裝置可藉由與自外部傳 遞之空氣振動共振以以使該空氣振動衰減，因此即使空氣 振動之頻率與特定構件之固有振動頻率一致，亦能抑制特 定構件之振動。 因此，根據本發明之態I，可抑制因空氣振_ i Κ L貫施万式】 2下，參照圖式說明本發明之支撐構造體及 :識::=s此外’以下圖式中，•為了使各構件為可 辨識之大小而適當變更各構件的尺 係設定XYZ正交座㈣統，並 ▲明中， 明各構件之位置關俜。又，將右正父座標系統說 關係 將在水平面内之既定古、 X軸方向，將在水平面内與又軸方向正 ：设為 方向，將分別與X軸方向及¥轴方白正，方向…軸 直方向）設為ζ轴方向。 轴方向正父的方向（亦即垂 8 200846838 (第1實施形態） 示意'I。1係顯示本第1實施形態之曝光裝置EX之構成的 =裝置EX’係所謂步進掃描方式之掃描型曝光裝

同^所謂掃描步進器，其係一邊使標線片r 同步移動於一維方向，一 U 投影光學夺續7成於標線片R之圖案透過 :糸統16轉印至晶圓W上的各照射區域。 •内之二光衣置EX，具備曝光裝置本體10、設置於潔淨室 面F上且收容曝光裝置本體1〇之本體處理室4〇、 及共本體處理室40相鄰配置的機械室7〇。 日暴光裝置本體1Q，H. 八備.猎由曝光用光EL照明標線 片# a之’%明光學系統12 ’可保持標線片R來移動之標線 口 14,將自標線片R射出之曝光用光肌投射至晶圓 的投影光學系統16，可保持晶圓w來移動之晶圓載 用以保持投影光學系統1 6或照明光學系統12等且 二载標線片載台14 、 4及日日0載台20之柱架30(支持構造 脰，以及用以統籌控制曝光裝置£又之未圖示控制裝置等。 ，、圖2係柱架3〇之截面圖。此外，圖2中為了說明方便， 略了柱架30、照明光學系統12、標線片載台14、投 一本系、、充16、晶圓載台2〇、防振台36以及地面F以外 的要件。 土杈架30之構成，包含：透過防振台％支撐於設置在 地面F上之底板38且支撐投影光學系統16(支撐對象物） 及晶圓載台20等的主柱架31，設置於該主柱架31上且 9 200846838 支撐標線片載台14(支撐對象物）之第1支持柱架32，以及 没置於該第1支持柱架32上且支撐照明光學系統12(支撐 對象物）之第2支持柱架33。 主柱架31、第i支持柱架32、以及第2支持柱架3亦 F柱杀30 ’具備複數個共振裝置1。共振裝置1，係藉由 赫姆雈茲共振與自外部傳遞之空氣振動共振，以使空氣振 動衰減。此共振裝置1，係由形成於鑄造構件之柱架本體

^ 3封住该凹部3之蓋部4，以及具有連接被蓋部 4、封住之空間S與外部空間之瓶頸5a的管口 5(頸部）所構 成0 此外，瓶頸5a意指通路。本實施形態之瓶頸5a，係 發揮使空氣出人於空間s與外部空間之間用之流路功能。'、 4b的"1圖4所示’蓋部4係板形構件，具有形成有母螺紋 、貝通孔4a。又，蓋部4係藉由螺絲&鎖固於柱架本

係管形構件，於一 紋4b螺合而固定於蓋 端部側5g形成有公螺紋51l。 5h與形成於貫通孔4a之母螺 係用以說明赫姆霍茲共振之說明圖 霍茲共振器之示意圖 部之間料接有頭部之赫姆霍兹共鳴器，空間 統。當將音速為顯部之空氣為質量作用的彈菁質量系 設為L、r c、空間部之容量設為ν、頸部之長度 ^之戴面積設為s後，赫姆霍兹共鳴器之共振 200846838 不 頻率f可由下式（1)表 [式1] / 亦即，如式⑴所示， ^ 盥頻率f相Π Μ _ 敛八馬态，當自外部加入 二員丰"目同的周期性外力時、亦 振動時，内部之空氣即振動。 …… 之隹兹共鳴之原理。因赫姆霍兹共鳴器内部 ::所產生之摩擦力等使頻率f之空氣振動的能量 ㈣二、。果：會使空氣振動之振幅減少。亦π，可藉由 '萑级共鳴器使與共振頻率f相同頻I ^ _ 減。 干 作1 u頸率之空氣振動衰 本實施形態之曝光裝置Εχ巾，形成於柱架本體2之 Γ:被蓋部4封住而形成之節係發揮赫姆霍兹共鳴 的功旎’官口 5所具有之瓶頸Μ、發揮赫姆霍 么么/、鳴器之頸部的功能，葬t卜你政纟 月"糟此使共振裝置1發揮功能（參照 圖3)。 上述式（1)，係將赫姆霍茲共鳴器之空間部之容量V、 頸部之長冑L、以及頸部之截面積s構成為變數。因此， 藉由調整此等變數，而能構成具有任意共振料f之赫姆 霍茲共鳴器。 亦即’本實施形態中，藉由以與欲衰減之空氣振動之 頻率F對應之各規格形成空間s(容量v)與瓶頸(長度l, 截面積S)之至少-方，使共振裝置】具有與上述空氣=動 11 200846838 之頻率F —致之共振頻率。 此外，本實施形態中，共振裝置i之共振頻率[一 好係設定成例如後述雷射干涉儀28(參照目狀固有振= 數。 此處’參照圖6〜圖9說明用% ^ 體方法。 -W整空間S之容量的具 』例如，如圖6所示，可藉由用以調整空間s之容 凋整構件6透過充滿空間s 一部 量。此種調整構“可使用玻二之等方式二整空間S的容 可在以蓋部4封住凹部3二=4。此外’調整構件6 空間s内部。…配置於凹部3内，藉此配置於 H S 圖1所不可藉由以分隔板7(調整構件)區隔空 =來調整空間s的容量。上述分隔板7可在以 皿。^住凹部3前配置於凹部3内，_此W #

内部。 Μ 猎此配置於空間S #圖8所不’可藉由可調整插入空間$之插入 之插入構件8來調整空 里 或於一减心目丨卜：間S之谷里。插入構件8,於整體 盘广。η則(在圖8為整體)形成有公螺 與貫通孔4a厶pus > 辦、Ό於 於二 形成於蓋部4之貫通孔4b。此外， =貝通孔a形成有母職4e。藉由使插人 或左旋轉使插入構件8進出，藉此調整空間S之容量 由使所5整體形成公螺紋衫，藉 8所對空間s之插入量成為可調整，亦即將圖 所不之插入構件與管…體形成，藉此能調整空間s 12 200846838 口 5形成為較厚，以可 間s之各量充分變化。 頭5 a之長度及戴面積的 之容量。此種情形下，最好係將管 藉由使管口 5之插入量變化而使空 其次，參照圖10說明調整瓶 具體方法。 如上尸/Γ迹

Ha rfrj固定於 蓋部4(參照圖3)。因此，管口 5可容 、 J各易地拆裝。亦即，

口 5係拆裝自如地固定於蓋部4。藉此，如圖1〇所… 由預先準備瓶頸化長度及截面積不同之管口 5b〜5E不、^ 擇此等管口 5安裝於蓋部4,即可調整瓶頸之長度：： 面積。 凡 般 之 此外，當瓶頸5a長度較長時，亦可如管口 w 使瓶頸5a。藉由使瓶頸5a彎曲而能抑制管口自罢邱 突出量。 1 Η 將圖1〇所示之栓5f安裝於蓋部4並封住貫通：4:即：要 二了防止管口 5或插入構件8之脫離，在以邀 奴衷減之空氣振動之頻率F對應之各規格決定空間: ::瓿頸5a之長度與截面積後’最好係例如使用接著劑： 將官口5及插入構件8固接於蓋部4。 ， *二卜面Γ出管σ5之瓶頸5a之内徑為相同而改變t 長又或截面知的例子，但内徑並不_定要相同。例; 改變部分内徑而獲得改變長度或截面積的效果。、可 回到圖1，B召日月 被標線片載台14.支=線片光用光肛照明 私線片R，具有使自未圖示曝光用 13 200846838 光源射出之曝光用光el之照度均一化的光學積分器、聚 光透鏡、中繼透鏡系統、以及將標線片R上之曝光用光el 之照明區域設定成狹縫狀之可變視野光闌等（均未圖示）。 藉由上述構成，照明光學系統12可以更均一之照度分 布之曝光用光EL照明標線片R上的既定照明區域。 此外，自曝光用光源射出之曝光用光EL，可使用例如 自水銀燈射出之紫外區之亮線（§、線、h線、i線）、^準 分子雷射光（波長248nm)、ArF準分子雷射光（波長i93㈣ 等的紫外光。 系 外 所 標線片載台Η，係支撐標線片R且在垂直於投影光學 統16之絲AX之平面内進行：維移動及微小旋轉。此 ，標線片R’係被形成於標線片载台14之矩形開口周圍 設的標線片吸附機構真空吸附。 此外，亦可使標線片R篇土， 私動至光軸ΑΧ之方向或照射 於標線片R之曝光用光EL的光軸方向。

標線片載台14上之桿綠η p ^ ^ 铩綠片R在二維方向之位置及旋 毕才角’係被未圖示之雷射千、、牛差 ^ 对干涉儀以即時方式測定，其測定 、、、口果輸出至控制裝置。控制裝 彳衣罝你根據雷射干涉儀之測定 結果驅動線性馬達等，以進 ,,u 進订^線片载台14所支撐之標 線片R的定位。 …队小1又付枉罙32支撐。

才又影光學糸統1, β係以既玄如旦 — 无疋投衫倍率將形成於標線片R 圖案投影曝光於晶圓W的备站 ^ 的糸統，係以複數個光學元件構 烕。本實施形態中，投影氺風 '、先子糸統16係投影倍率沒為例 14 200846838 如1/4或1/5之縮小系統。此外，投影光學系統16亦可係 縮小系統、等倍系統及放大系統之任一者。 投影光學系統16，係透過感測器柱架35插入設於主 柱架3】頂板之孔部31a而被支撐。此外，於感測器柱架乃 設置有未圖示之FA感測器等。

晶圓載台20，具備能保持晶圓w在χ方向、γ方向、 以及Θ Ζ方向之三自由度方向的χγ # 22，以及將χγ台 22支撐成可在χγ平面内移動的晶圓岐座24。進而，亦 ，備可在對ΧΥ台22上所裝载之晶® *進行曝光處理中 裝載其他晶圓並進行對準處理等的測量台23。 於晶圓載台20上設有移動鏡％，在與該移動鏡對向 之位置設有雷射干涉儀28。晶圓載台2()在二維方向Μ 置及旋轉角係藉由雷射干涉儀 28以即時方式測定，測定 結果輸出至控制裝置。控制裝 利衣置係根據雷射干涉儀28之 測定結果驅動線性馬達等， 曰 乂徑制日日囫載台20所保持之 日日0 W的位置、移動速度等。 此外，於晶圓固定座24形成有用以回收空氣 其返回機械室7〇的載台排I 吏 後述。 礼4 110。關於其詳細構成留待 壓 士〜、 农兄1丨木仟淨度、溫度、 力寺）維持於大致一定的曝光室42、以 室42側部之未圖示標線 -置於此曝光 s丄^ 衣载室及晶圓裝载室。此外， 曝光室42内部配置有曝光裝置本體1〇。 此外 於曝光室42之上部侧面 又,用从將經溫度調整之空 15 200846838 乳（氣體）A供應至本體處理室4G内之機械室π所連接的喷 出口 自機械室7G吹送之經溫度調整空氣〇係從喷出 口 5〇藉由橫向流動方式送入曝光室42之上部空間44。 又，於曝光室42底部設有返回 下方連接返回管54之一端。返回管 械室70。 部52，於此返回部52 54之另一端連接於機 又，於主柱架31之下端側面及底面複數處連接有返回

1 56,此返回管56之另一端連接於機械室7〇。亦即，雖 省略圖不’但返回t 56具備複數個分歧路，各分歧路連 接於主柱架31之下端侧面及底面之複數處。 —亦即，曝光室42内之空氣G係從返回部52等透過返 回官54, 56返回至機械室7〇。 於曝光室42之側面連接有連接於機械室7〇之供氣管 路60,且進而延伸至曝光室42内。於其内部依序配置有 加熱器62、送風機64、化學過濾器CF、以及過濾器箱af。 進而，供氣管路60分歧成兩個分歧路66a，66b。一分 歧路66a透過溫度穩定化流路裝置8〇a連接於主柱架之 内側空間46。另一分歧路66b透過溫度穩定化流路裝置8〇b 連接於主柱架3 1之内侧空間46。 溫度穩定化流路裝置80a，80b，係藉由在與自供氣管 2 60吹送之空氣G之間進行熱交換，進一步高精度地調 整空氣G之溫度的裝置。溫度穩定化流路裝置，可使用例 如曰本特表2002 — 101804號公報所揭示的裝置。 溫度穩定化流路裝置80a，80b，分別透過供應管92及 16 200846838 排出管94連接有調溫裝置9〇。藉此，由調溫裝置、供 應管92、溫度穩定化流路裝置_、排出管％構成 調溫用媒質c的循環路徑。 “又’調溫用女某質c係使用例如Flu〇rinert(登記商標卜 ^由調溫裝置90 !周整成大致―定的溫度。藉此，溫度穩 定化流路裝置80a，80b之溫度可維持於一定。調溫用媒質 c亦可使用其他例如含氫氟醚（HFE)或水。 圖η係顯示設於晶圓載台20之載台排氣部11〇之構 成的概念圖。 如上所述，晶圓載台20,具備χγ台22與晶圓固定 座24’ ΧΥ台22透過未圖示空氣軸承以非接觸方式支撑於 晶圓固定座24上。 於ΧΥ纟22之側面設有貫通於γ方向之㈤口，於該 開口延伸設置有兼用Μ線性馬達之γ導桿122。亦即， ΧΥ台22構成為可沿γ導桿122導引於γ方向。

又於曰曰圓载台20之γ方向兩端，配置有使χγ台 22往X方向大幅移動之—對線性馬達124。線性馬達 係將配置於Υ導据】9 9而山 V才干122兩鳊且收納有線圈繞線之可動件 、以及與可動件124“ζ方向之面對向且由積層配 置之板狀水久磁石構成的固定件124β組合而成。 >如圖11所示’於晶圓固定座24上配置有具有複數個 排氣口 112之一對載台排氣部u〇。 載台排氣部 内侧配置成插入 110,係於晶圓固定座24上之線性馬達124 沿X方向形成之凹型槽（未圖示）。亦即， 17 200846838 % 載台排氣部110,係配置於除了晶圓固定座24上之XY台 22之私動區域與線性馬達124之配置區域以外的區域。 ;σ載口排氣邛1 1 〇之χ方向側面分別連接返回管 ^此返回管58連㈣返回管％(參照圖^。藉此，晶圓 載口 20附近之空氣G，係從形成於晶圓固定座上之複 數個排氣口 112吹送至載台排氣部11〇内，並透過返回管 58, 56返回至機械室7〇。 _ 又，載台排氣部110之各排氣口 112，係構成為可藉 由未圖不電磁閥等開閉。如上述將排氣口 i 12構成為可開 1之理由在於，係為了能配合χγ台之移動而選擇欲開口 之排氣口 1 12之故。換言之，係為了避免χγ台22移動時 周邊之空氣G之流動紊亂。 其次’說明曝光裝置ΕΧ之作用。 百先，藉由控制裝置使機械室70作動，經調溫之空氣 5朝向曝光至42吹送。藉此，曝光室42内，經調溫之空 馨氣G即以均一之橫流自噴出口 5〇送入曝光室^的上处 間44 。 °工 又’藉由控制裝置使送風機64作動，經調溫之空氣g I7透過刀歧路66a，66b送入主柱架3 1之内側空間46。 接著，达入載台空間46b之空氣G，係自載台排氣部 U〇排虱至返回管58，且自主柱架31之下侧端面等排 至返回管％，而返回機械室7〇。 、& 又，送入曝光室42之空氣G，係排氣至返回管54， 而返回機械室70。 ’ 18 200846838 藉匕對曝光室42及主柱架3 j之内側空間46進行空 氣調節。 當如上述對曝光室42及主柱架31之内侧空間牝進行 空耽調節時，即如上述使機械室7〇及送風機64作動。而 會因機械室70及送風機64之作動使寬頻帶之嗓音亦即空 氣振動產生。 本實施形態中’機械室70及送風機“所產生之空氣 振動’會藉由共振頻率設為頻率f之共振裝置工衰減頻率 f。具體而言，當空氣振動到達共振裝置ι時，會因空氣振 動所3之頻率f之成分而共振u ι内部之空氣因共振而 ，動，藉此產生之摩擦力等使頻…空氣振動的能量被 祕’其結果能減少空氣振動所含之頻率f之振幅而衰減。 亦P /、振衣置1之共振頻率f，例如當設定成雷射 Γ儀28之固有振動數時，頻率[經衰減之空氣振動會傳 遞至主柱架31的内伽处ρ丨“ ^ u , 工間46。因此，即使因機械室70 及送風機64之作動產生之噪音傳遞至主柱架Μ之内側空 間46時’亦可抑制雷射干涉儀Μ之振動。 在如上述對空氣振動進行之政策及調溫的環境下 行曝光裝置本體10之曝光處理。㈣ 光用光源射出之曝光用光-，在由各種透鏡或反Ι:等： 成之照明光學系…，經整形為所需大小及‘構 :後知明形成有圖案之標線片R，形成於此標線片R之圖 木係透過k #光學系統16縮小轉印至晶圓載台2二 持之晶…的各照射區域。藉此，將微細圖案高精声二 19 200846838 形成於晶圓W上。 . 如以上所說明’根據本實施形態之曝光裝置EX，由 於柱架3〇具備與自外部傳遞之空氣振動共振以使空氣振 動衰減的共振裝置卜因此可以使該空氣振動衰減。因此，、 即使空氣振動之頻率與特定之構件（在本實施形態中例 田射干涉冑28)之固有振動頻率一致，亦能抑制特定構件 之振動。因此，根據本實施形態之曝光裝置Εχ，可

因空氣振動產生之振動。 又’由於具備複數個共振裝S】，因此能使自複 向傳遞之空氣振動衰減。 又’柱架本體2係鑄造構件’形成於柱架本體2之凹 部3係構成共振裝置！之一部分。為了製程之方便，鱗造 構件在被製造時-般具有多數個凹部。本實施形態中，由 於將預先形成於鑄造構件之凹料為共㈣置i之一部八 使用，因此無需進行另外形成凹部之步驟，而能容易地： 成共振裝置1。 又，共振裝置1中，由於管口 5係拆裝自如地固定於 蓋部4’而能容易地更換如圖1〇所示之各種管口 $並安裝： 因此此谷易地使共振裝置1 $ & ^ 、 1 1之共振頻率對應於欲衰減之所 欲空氣振動數的頻率。 、又，如上所述，由於可調整以蓋部4封住凹部3而形 成之空間S的容量，因此同樣地可容易地使共振裴置【之 共振頻率對應於欲衰減之所欲空氣振動數的頻率。 (第2實施形態） 20 200846838 其次，說明本發明之第2實施形態。此外，相較於上 述第1實施形態中，如圖2所示柱架30所具有之所有共 振裝置1具備與同一種類之頻率f對應之管口 5，本第2 貫施形態’係如圖12所示，柱架3〇具有具備與不同種類 之頻率對應的管口 5之共振裝置i這點係與上述第丨實施 形態不同。因此，本實施形態之說明中，與上述第丨實施

_ 形態相同之部分，係省略或簡化其說明，而以相異點為主 進行說明。 、.… 如圖13所示，當注目於噪音等空氣振動所含之特定頻 率fl時，在既定空間内存在振幅相對較大之波腹與振幅相 ^較小之波節。又，當使特定頻率fl衰減時，共振頻率可 稭由將共振裝4 1如圖13所示設置於振幅相對較大之波 腹’而有效率地使特定頻率π衰減。 4 件又，曝光裝置EX巾，作為適於排除振動之影響的構 曰口除了雷射干涉儀28以外’尚具備投影光學系統16、 曰曰圓载台20之XY台22、同樣之晶圓載台2〇之測量么、 移動鏡26等構件。又，此等構件各具有不同之固。23 ^古因此，最好係對作為適於排除振動之影響的 U有振動數分別設置共振頻率一致的共振。 本實施形態中’係使空氣振動所含之複數 衣減對象，且於作為衰減對象之既定頻#、乍為 腹，配置有藉由具有適合之管口 5 ::振動的波 振袭置！。 匕、振步員率-致的共 因此，根據本實施形態 可有效率地使噪 音等寬頻帶 21 200846838 之空氧振動所含的複數個頻率成分衰減。 此外，本實施形態中，雖說明可藉由管口 丘振#罟1 , 5之種類使 ’、" 之/、振頻率與空氣振動之既定頻率— 可藉由調整共振裝所具備之空間s之容ΐ:’但亦 共振裝置1之共振頻率與空氣振動之既定 的方法’使 (第3實施形態） 、致。

其次’說明本發明之第3實施形態 施形態中，共振裝置丨之構成係與上述 其他部分則為共通，因此，“―恶不同， 口此，本貫施形悲之說明中，盥上述 弟1貫施形態相同之部分，係 、 異點為主進行說明。 “略或間化其說明，而以相 置/ 係本實施形態之曝光裝^ Εχ所具備之共振裝 面圖。如此圖所示’本實施形態之共振裝置！， 為^上“1實施形^之管Π 5，而具備外形形狀設定 …且旋轉自如地嵌合於蓋部4的管口 51。 都共振裝置1，在因空氣振動使共振裝置1共振時，内 :之空氣係振動，其結果即透過瓶頸5a使空氣進出。當透 過此瓶頸5 a之空|[的矣夕& +丄t 士 孔的私動方向與空氣振動之振幅方向一致 日寸’可更有效率地使空氣振動衰減。 一因此，如圖15所示，管口 51係使瓶頸5a之方向Ε(瓶 頌5a延伸之方向（轴方向），且為线移動之方向）沿空氣 、動之振巾田方向设置，藉此本實施形態、t曝光裝置Εχ， 可更有效率地使空氣振動衰減。 本貝加开y恶中’官口 5 j係旋轉自如地嵌合於蓋部4。 22 200846838 亦即，官口 51，係固定成瓶頸5a對蓋部4之方向的角度 又化自如。因此，可容易地改變瓶頸5a之方向l，容易地 使瓿頸5a之方向L_致於空氣振動的振幅方向。 ^此外，在決定瓶頸5a之方向L後，亦可使用接著劑 等將& 口 51固接於盍部4，以使瓶頸5a之方向l不會偏 (第4實施形態）

卜其次，說明本發明之第4實施形態。此外，本第4實 化形恶中’共振裝置！之構成係與上述第i實施形態不同， 2他部分則為共通，因此，本實施形態之說明中，與上述 弟1貫施形態相同之部分，係省略或簡化其說明，而以相 兴點為主進行說明。 回1 6 ’係本實施形態之曝光裝 置1的澈 /、甭之/、振裝 ^ 、截面圖。如該圖所示，本實施形態之共振裝置i， 二1::述弟1實施形態之蓋部4而具備由膜狀構件構成 W不之赫姆霍茲共鳴 剛性較高日夺，*門邱”旦…二間部之壁部的 變化，此献柄：^内部之空氣振動產生 的空氣振動=兹共鳴器、，可強力地使所欲頻率(共振頻率) 另一方面 的構件構成時 變化。因此， 容量變化變動 ，當形成空間部之壁部係以較軟且衰減性高 ，空間部之容量會隨著内部之空氣振動產生 赫姆隹茲共鳴益之共振頻率會隨著空間部之 。又’在此種情形了 ’赫姆霍茲共鳴器，係 23 200846838 使包含所欲頻率（共振頻率 減。此外，此時之空氣振動之=頻率的空氣振動衰 之剛性較高的情形相較係較弱I貞形成空間部之壁部 亦即，赫姆霍茲共鳴器，者 較高時可強力地使與既定共振二之剛性 成刀哀減，§形成空間部之壁 、 含既宏1^ 罕乂私而衣減性較鬲時使包 士疋共振頻率之寬頻帶的頻率成分衰減的程度較低。

4。：即實由=之共振裝置1具備由膜狀構件構成的蓋部 飞赫、工間S之一部分係藉由膜狀構件構成，因此 兹共鳴器而言係與空間部較軟且衰減性高的情J 妓捃相玄— 之共振4置卜使包含既定 共振頻率之寬㈣的頻率成分衰減的程度較低。 所一以上雖說明了本發明之實施形態，但上述實施形態中 丁之動作步驟、或各構成構件之各形狀或組合等僅為— 例’在不脫離本發明主皆 ”、' 曰之乾圍内可根據設計要求等作各 種变更。 例如，上述貫施形態中，係說明了柱架π具備共振 置加1的構成 '然而’本發明並不限定於此，亦可係二限： '木3G之其他支撐構造體（底板38等）具備共振裝置的構 成此種情形下，由於支撐構造體有不包含鑄造構件之可 此性，因此只要將凹部另外形成於支撐構造體，且藉由該 凹部、蓋部4、以及管口 5構成共振裝置即可。 上述實施形態中，係舉例說明了因機械室7〇或送風機 64作動而產生之噪音自外部傳遞之空氣振動。然而，本發 24 200846838 明並不限定於此，只要係自柱架30外部傳遞之所有聲音 均為有效。亦即，可抑制自曝光裝置ΕΧ外部傳遞至曝光 裝置ΕΧ内部之聲音所引起的振動。 上述實施形態中，係說明共振裝置丨所具備之蓋部4,4ι 封住柱架30之㈣3全部的情形。然而本發明並不限定 於此，亦可係蓋部4, 41封住凹部3之一部分的構成。 又’上述實施形態中，係說明了共振裝置丨所具備之 _ 蓋部整體由膜狀構件構成。然而本發明並不限定於此，亦 可係蓋部一部分由膜狀構件構成。 此外，上述實施形態中，雖說明光源係使用準分 子雷射、ArF準分子雷射，但並不限於此，亦可使用雷 射、Ar2雷射、或金屬蒸氣雷射或γΑ(}雷射，可將此等言^ 波作為曝光用照明光。或者，亦可將諧波作為曝光用照明 光使用，其係以塗布有例如铒（Er)(或铒及鏡（Yb)兩者）之光 纖放大器，將從DFB半導體雷射或纖維雷射射出之紅外線 _ 區或可見區的單一波長雷射光放大，並以非線形光學結晶 將其轉換波長成紫外光。 又，上述實施形態中，雖係以步進重複方式之曝光裝 置為例進行了說明，但本發明亦可適用於步進掃描方向的 曝光裝置。再者，本發明除了半導體元件之製造用之曝光 裝置以外，尚可適用於用於製造包含液晶顯示元件（/cD) 等之顯示器而將元件圖案轉印至玻璃板上的曝光裝置、用 於薄膜磁頭之製造而將元件圖案轉印至陶瓷晶圓上的曝光 裝置以及用於CCD等之攝影元件製造的曝光裝置等。 25 200846838 •t 又’投影光學系統16可係折射系統、反折射系統、以 及反射系統之任-者，亦可係縮小系統、等倍系統、以及 放大糸統之任一者。 再者，亦可使本發明適用於為了製造使用於光曝光裝 置、EUV曝光裝置、X線曝光裝置、以及電子線曝光裝置 的標線片或光罩，將電路圖案轉印於玻璃基板或石夕晶圓等 之曝光裝置。此處，使用DUV(遠紫外）光或vuv(真空紫 φ 外）光等之曝光裝置一般係使用透射型標線片，而標線片基 板係使用石英玻璃、塗布有氟之石英玻璃、螢石、氟化鎂、 或水晶等。又，近接方式之X線曝光裝置或電子線曝光裝 置等係使用透射型光罩（圖案模版光罩（stencil mask)、薄膜 光罩（membrane mask))，光罩基板係使用矽晶圓。 此外，上述曝光裝置，係揭示於W〇99/34255號、 WO99/50712 號、W〇99/66370 號、日本特開平 u_194479 號、日本特開2000-12453號、以及日本特開2〇〇〇_292〇2 ⑩ 號等。 又，本發明亦可在施以必要之適當液體對策後，適用 於透過供應至投影光學系統與基板（晶圓）之間之液體將既 定圖案形成於基板上的液浸曝光裝置。液浸曝光裝置之構 造及曝光動作，揭示於例如國際公開第99/495〇4號小冊 子日本#寸開平124873號、以及曰本特開平1 〇·3 〇3號。 又，本發明亦適用於雙載台型曝光裝置。雙載台型曝 光裝置之構造及曝光動作，係揭示於日本特開平1 〇 一 163099號、日本特開平1〇一 214783號、日本特表2〇㈧一 26 200846838 5〇5958號或美國專利第6取衛號。又，本發明亦適用 於如日本特開平u— 135彻號所揭示，具備可 等之被處理基板移動之曝光載台與測量載台（具備各種測量 構件或感測器）之曝光裝置。

又適用本發明4曝光裝置並不限於使用纟具光透射 性之基板上形成既定遮光圖案（或相位圖案，減光圖案）的 紐射性光罩（標線片），或在具光反射性之基板上形成既 定反射圖案的歧射性光罩，亦可係使用例如美國專利第 6’778’257號公報所揭示之電子光罩的曝光裝置，該電子光 罩係根據欲曝光圖案之電子資料來形成透射圖案、反射圖 案、或發光圖案。 又，上述實施形態中，雖係將本發明之支撐構造體適 用於曝光裝置之構成，但除了曝光裝置以外，亦可適用於 轉印光罩之描繪裝置、光罩圖案之位置座標測定裝置等精 密測定機器。 因^線片載台之移動所產生的反作用力，可如日本特 開平8— 330224號公報（對應USP5,874,820號）之記載，使 用框構件以機械方式釋放至地面（大地），以避免其傳至投 影光學系統。 又5因晶圓載台之移動所產生的反作用力，可如日本 特開平8一 1664乃號公報（對應USP5,528，126號）之記載， 使用框構件以機械方式釋放至地面（大地），以避免其傳至 投影光學系統。 其次’說明在微影步驟中使用本發明實施形態之曝光 27 200846838 裝置及曝光方法之微型元件製造方法的實施形態。

圖17’係顯示微型元件（ic(積體電路）或LSI(大型積體） 專半¥體日日片、液晶面板、ccd、微型機器、MEMS、DNA 晶片、薄膜磁頭等）的製造例流程圖。 首先，步驟S10(設計步驟）中，係進行微型元件之功 能/性能設計（例如半導體元件之電路設計等），並進行用 以實現其功能之圖案設計。接著，步驟su(光罩製作步驟） _ 中，係製作形成有所設計電路圖案之光罩（標線片）。另一 方面，步驟S12(晶圓製造步驟）中，係使用矽等材料來製 造晶圓。 其次，步驟S13(晶圓處理步驟）中，係使用在步驟sl〇 〜步驟S12所準備的光罩與晶圓，如後述般，藉由微影技 術等將實際電路㈣成於晶圓上。其次，步驟Sl4(元件組 裝步驟）中，使用在步驟S13所處理之晶圓進行元件組裝。 於此步驟S14中，係視需要而包含切割製程、接合製程及 φ封裝製程（晶片封入）等製程。最後，步驟S15(檢查步驟）中， 係進订在步驟S14製成之元件的動作確認測試、耐久測試 等檢查。在經過此等步驟後元件即告完成，並將之出貨。 圖I8’係顯示半導體元件中該步驟S13之詳細流程例。 步驟S21(氧化步驟），係使晶圓表面氧化。步驟 S22(Cvd(化學汽相沉積）步驟），係於晶圓表面形成絕緣 , 膜。步驟S23(電極形成步驟），係藉由蒸鍍將電極形成於 , 晶圓上。步驟S24(離子注入步驟），係將離子注入晶圓。 以上步驟S21〜步驟S24之各步驟，係構成晶圓處理之各 28 200846838 階段的前置處理步驟，並視各階段所需處理加以選擇並執 行。 晶圓處理的各階段中，當結束上述前置處理步驟時， 即如以下進行後續處理步驟。此後續處理步驟中，首先， 步驟S25(光阻形成步驟），將感光劑塗布於晶圓。接著， 步驟S26(曝光步驟）中，使用以上說明之微影系統（曝光裝 置）及曝光方法，將光罩之電路圖案轉印於晶圓。其次，步 _ 驟S27(顯影步驟）中，使已曝光之晶圓顯影，步驟S28(蝕 刻步k )中藉由姓刻除去光阻殘存部分以外部分之露出構 件。接著，步驟S29(光阻除去步驟）中，除去結鋒= 不需要之光阻。藉由反覆進行此等前置處理步驟及後續處 理步驟’於晶圓上多重形成電路圖案。 又，本發明除了半導體元件等之微型元件以外，亦可 適用於光曝光裝置、EUV曝光裝置、χ線曝光裝置、以及 電子線曝光裝置等所使用之標線片或光罩的製造。 • 此外，於法令所允許的範圍内，援用上述各實施形態 及變形例中所引用之曝光裝置等相關所有公開公報及美國 專利等之揭示作為本文記載之一部分。 【圖式簡單說明】 圖1 ’係藏不本發明第丨實施形態之曝光裝置構成的 示意圖。 圖2 ’係顯不本發明第丨實施形態之曝光裝置所具備 之柱架的截面圖。 29 200846838 圖3 ’係顯不本發明第1實施形態之曝光裝置所具備 之共振裝置的截面圖。 圖4 ’係顯不本發明第1實施形態之曝光裝置所具備 之共振裝置的分解圖。 圖5 ’係用以說明赫姆霍茲共鳴之說明圖。 圖6 ’係說明調整本發明第1實施形態之曝光裝置所 具備之共振裝置之空間容量的具體方法的說明圖。 圖7 ’係說明調整本發明第1實施形態之曝光裝置所 具備之共振裝置之空間容量的具體方法的說明圖。 圖8 ’係說明調整本發明第1實施形態之曝光裝置所 具備之共振裝置之空間容量的具體方法的說明圖。 圖9，係說明調整本發明第〗實施形態之曝光裝置所 具備之共振裝置之空間A容量的具體方法的說明圖。 圖10 ’係說明調整本發明第i實施形態之曝光裝置所 /、備之共振裝置之瓶頸長度及截面積的具體方法的說明 圖。 圖11，係顯示本發明第i實施形態之曝光裝置所具備 之晶圓載台所設之載台排氣部的概念圖。 /、

圖12，係顯示本發明第2實施形態之曝光裝置所具備 之柱架的截面圖。 A 圖1 3，係說明本發明第2實施形態之曝光裝置之共振 裝置之配置方法的說明圖。 圖14，係顯示本發明第3實施形態之曝光裝置所具備 之柱架的截面圖。 30 200846838 圖1 5，係說明本發明第3實施形態之曝光裝置之共振 裝置之配置方法的說明圖。 圖1 6，係顯示本發明第4實施形態之曝光裝置所具備 之柱架的截面圖。 圖1 7，係顯示微型元件一製程例的流程圖。 圖18，係顯示圖17中之步驟S13之詳細步驟一例的 圖0 【主要元件代表符號】 1 共振裝置 2 3 4, 41 5, 51， 5b〜5e 5 a 6

8 12 14 16 20 30 A 柱架本體部 凹部 蓋部 管口（頸部） 瓶頸 調整構件 分隔板（調整構件） 插入構件 照明光學系統（支撐對象物） 標線片載台（支撐對象物） 投影光學系統（支撐對象物） 晶圓載台（支撐對象物） 柱架（支撐構造體） 空間 31 200846838

EX

W 曝光裝置 晶圓（基板）

32

Claims (1)

1. 200846838 十、申請專利範圍： 撐支撐對象物，其具備： 共振以以使該空氣振動衰減 1、——種支撐構造體，係支 與自外部傳遞之空氣振動 的共振裝置。 士2、如中請專利範圍第i項之支㈣造體，其中，該共 振n㈣由赫姆霍兹共鳴來以使該空氣振動衰減。 ▲ 3、如中請專利範圍第1或2項之支撐構造體，其中，

   该共振裝置，具備： 形成於該支撐構造體之凹部； 封住該凹部一部分或全部之蓋部；以及 具有連接被該蓋部封住之空間與外部空間之瓶頸的頸 部係’藉由該鑄造構件形成 士申明專利範圍第3項之支撐構造體，其中，該支 ^構造體包含鑄造構件，該凹部之壁面之至少-部分或全 5、如申請專利範圍第4項之支撐構造體，&中，該空 間與該瓶頸之至φ — 士 &、， 方係以兵該空氣振動之頻率對應的各 規格形成。 6如巾W專利範圍第3至5項中任-項之支撐構造體， ”中Up係拆裝自如地固定於該蓋部。 复 申5專利範圍第3至6項中任一項之支撐構造體， “中’ 5亥頌部係固定成瓶頸對該蓋部之方向的角度變化自 如。 8如申明專利範圍第3至7項中任一項之支撐構造體， 33 200846838 其中， 幅方向 該頸部係設置成該瓶頸 之方向朝向該空氣振動 的振 9、如申請專利範圍第3至8項中任—項之支撐構 其中，被该盍部封住之空間之容量係可調整。 一 …Π):如:請專利範圍第9項之支撐構造體，其 以凋正被:亥盍部封住之空間之容量的調整構件，以該調敕 構件充滿該空間之一部分。 ° I

   其具備用 該調整構 士申^月專利範圍第9項之支撐構造體 以調整被該蓋部封住之空間之容量的調整構件 件係區隔該空間之一部分的分隔板。 备12、如申請專利範圍第9項之支撐構造體，其具備可 藉由被該蓋部支撐且可調整插入被該蓋部封住之空間之插 入畺之插入構件調整該空間之容量。 13、 如申請專利範圍第12項之支撐構造體，其中，該 插入構件與該頸部係一體形成。 14、 如申請專利範圍第3至13項中任一項之支撐構造 版，其中，該蓋部之至少一部分係由膜狀構件形成。 1 5、如申請專利範圍第1至14項中任一項之支撐構造 i ’/、中’該共振裝置係設置於與該空氣振動之波腹對應 的位置。 16、 如申請專利範圍第1至15項中任一項之支撐構造 體，其具備複數個該共振裝置。 17、 如申請專利範圍第16項之支撐構造體，其具備共 振頻率不同之該共振裝置。 34 200846838 18、一種曝光裝置，係使用被支撐構造體支撐之支撐 對象物將圖案像曝光至基板，其中，該支撐構造體係使用 申請專利範圍第1至17項中任一項之支撐構造體。 十一、國式： 如次頁。

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