TW200843152A - Methods of forming packaged semiconductor light emitting devices having multiple optical elements by compression molding - Google Patents

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Description

200843152 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 此發明係關於半導體發光裝置及其製造方法，而更特定 言之，係關於用於半導體發光裝置之封裝及封裝方法。 【先前技術】
ί 諸如發光二極體（LED)或雷射二極體之半導體發光裝置 已廣泛用於許多應用。如熟習此項技術者所熟知，半^體 發光裝置包括經組態用以在其加電後發射相干及/或不相 干光之一或多個半導體層。吾等還習知，半導體發光裝置 通常係封裝成提供外部電連接、散熱片、透鏡或波導、環 境保護及/或其他功能。 例如，吾等習知提供用於半導體發光裝置之兩塊式封 裝，其中將半導體發光裝置黏著於包括氧化鋁、氮化鋁 及/或其他材料之一基板上，該基板包括在其上面的電迹 線，以便提供用於半導體發光裝置之外部連接。例如使用 黏膠將可包含鍍銀之銅的一第二基板黏著在該第一基板上 而包圍該半導體發光裝置。可將一透鏡放置於該第二基板 上而在該半導體發光裝置之上。乙汕之申請序號us 2004/0041222 A1内說明瞭具有上述兩塊式封裝的發光二 極體，其榣題為’，電源表面黏著發光晶粒封裝，，，2004年3 月4日么佈’该專利案已讓渡給本發明之受讓人，其全部 揭示内谷以引用方式併入於此，如同在本文完整說明。 在針對半導體發光裝置採用多部分黏著封裝之情況下， 不Π邛刀叙係由不同材料製成。因此，針對此類封裝之 129048.doc 200843152 = 且可能較高而在一封裝内的各個組件之間可能產生一敎 =配^而可能令一封裝產生可靠性問題。例如，可能 ’I於放熱片或腔之—銅金屬與—主體（其中 散熱片或腔)之-塑膠之間的一介面處產生問題： =己可=會因針對該封裝之增加的塊件數目而更加複雜。 此外，在使用-薄片金屬光腔之情況下，—般僅 限的深度及形狀組態範圍内製造一腔。此類 可具有一較大的弁胪办鬥…π 刀对衣通 ’先月“間’從而使得所使用的囊封材料體 積更大」…能使得與溫度循環期間囊封物内的分層 及/或氣泡形成相關之問題增加。 使用藉由黏合劑附著之一預模製透鏡可能會在所製成產 品之強固性及可靠性方面遇 < j呆些問蟪。例如，此類I#署 之製程可能本質上不一较而％立丄 匕犬負衣置 不致而所產生的封裝可能不
及/或可靠。吾等還習知，兹山址m U 猎由使用借助於形成該透鏡時 所使用之一樹脂的黏声夕 ^ ^ 处說吟 4度之一施配方法來形成該透鏡。 在某些應用中，較佳的可以係將該咖 (例如，一陶瓷基板、一全屬 、基板 孟屬核心印刷電路板（Mcpc 一撓性電路基板及/或一 妗士广加、 ) X引線框架）之一表面上，而不使 一反射器杯。但是，左T植似，， m 不k ί、此類結構之情況下， 難以形成及/或固定—读於 m . ^ 疋透鏡，因為上述各種方法 適合在該LED並非定位於―㈣之情況下制。 力=;Γ二用環氧樹脂之轉移模製來囊封特定的低 r"Hewlett— 义 ^ 類裝置上的環氧樹脂可向該封裝提供 129048.doc 200843152 =由度::::其内部的裝置。但是,環氧樹㈣向於 劣化二二：光裝置產生的藍色光之電磁能量而 而可w此變成具有較小的光透射性。因此，計 於广能在一相對較短的時間週期變得較暗。因此，： =發射藍色光的裝置而言，環氧樹脂可能係―;太： 吸引力的選項。此外，環氣 不太有 的熱膨脹係數(CTE)失配之—曰 '，有與聚錢軟凝膠 .,Tpna 之^ ’㈣氧軟凝膠可用於 層“及其接合導線進行接面塗布以作為第—囊封物 程：等二Γ ’使用M鑄來以環氧樹脂囊封led褒置。此 t序二又僅可應用於一開放的室’在此情況下包含於—杯 脂可發生固化，而可以將一引線框架插入該杯 環=Γ氧樹脂固化時加以壓禱。在固化期間，液態 9 纟準—般可因化學反應及體積縮小而對其自 身進行自由調整。 /、 曰、L方法使用由聚石夕氧形成之壓縮模製透鏡。藉由使用 ，圓裝一可以將I細模製透鏡陣列放置於在一基板或 曰曰貝之-匹配的LED晶片陣列上。但是，傳統的透鏡壓 縮模製一般需要使用在該基板的背部側而非前部側上之電 接點’因為該模製材料可延伸橫跨前部側接點而限制鱼前 部側接點形成電連接。用以形成此類傳統壓縮模製透鏡之 壓 '、'侣杈製程序可從日本Ky〇tc^ T〇WA公司獲得。 半導體♦光U之封裝可能因各種操作所需要的精度而 令所得的封裝裝置之成本增加。該等成本-般會因需要具 129048.doc 200843152 有不同光性質之封裝發光裝 能降低形成封裝發光裝置的 完全實現此技術之優點。例 造由一材料製成之簡單透鏡 【發明内容】 置而增加。儘管已建議採用可 成本之壓縮模製技術，但尚未 如’此類技術一般僅係用於製
ί， 本毛明之一些具體實施例提供封裝半導體發光裝置的方 法包括提供在其一前部面上具有該半導體發光裝置之一 基板。㈣前部面上緊鄰該半導體發光裝置由-第-材料 形成-第-光元件。在該半導體發光裝置及該第一光元件 上由不同於该第一材料之一第二材料形成一第二光元件。 該第一光元件及/或該笼—止-μ〆# A 4弟一先70件係藉由壓縮模製該個別 光元件而形成。 在其他具體實施例中’壓縮模製該第一光元件與該第二 光元件包括將該基板裝載於_自動化模製㈣中，該模製 設備包括經組態用以形成該第—光元件之—第—模穴與經 組悲用㈣成該第二光元件之—第二模穴。將該基板移動 至該第-模穴。在該第一模穴中將該第一光元件壓縮模製 於該前部面上。將在其上面具有該第—光元件的基板移動 至該第二模穴而不從該自動化模製設備移除該基板。在該 第一光l中壓縮模製该第一光元件。從該自動化模製設備 移除具有該第一光元件及該第二光元件之基板。 在其他具體實施例中，該基板包括在其前部面上的複數 個半導體發光裝置。Μ縮模製該第-光元件及該第二光元 件包括將複數個第一光元件及複數個第二光元件壓縮模製 129048.doc 200843152 於該基板之前部面上且在該等半導體發光裝置之對應裝置 之上"亥第一模穴與該第二模穴皆包括複數個透鏡狀的 腔，該等腔係緊鄰該複數個半導體發光裝置之對應裝置而 定位。 在其他具體實施例中’壓縮模製該第二光元件包括將該 第二光元件壓縮模製於該半導體發光裝置及該第一光元件 之上°亥第一光元件與該第二光元件可具有經選擇成針對
亥封衣半$體發光裝置提供一所需光特性的不同折射率。 該第一光元件及該第二光元件可經組態用以向該封裝半導 體發光裝置提供-選定視角材料可具有—黏合特 性，該黏合特性經選擇成在壓縮模製期間促進該第一光元 件與該基板的黏合及/或在該封裝半導體發光裝置之熱循 環期間限制向該發光裝置及/或耗合至該發光裝置之-線 接合施加的應力。1亥第-材料及/或第二材料可包括一磷 光體’而該第—材料及/或該第二材料可以係聚石夕氧。 在其他具體實施例中，提供該基板包括將該半導體發光 裝置齊平地黏著於其前部面上而不使用一反射器腔。該第 二光兀件係模製於該基板之前部面之—包圍該半導體發光 裝置的區域巾並從職域延❹及延伸於該半導體發光裝 置之上。 在其他具體實施例中，形成該第一光元件包括藉由使用 除壓縮模製以外之一程序來形成該第一光元件。除壓縮模 製以外的程序可包括施配及/或接合。形成該第一光元件 可包括將該第一光元件形成為緊鄰該半導體發光裝置但不 129048.doc 200843152 覆蓋該半導體發光裝置。該第二材料可具有與該第_材料 不同之-折射率’而該第一光元件可以係成形為定義一 腔，而該半導體發光裝置可以係定位於該腔内。該第二材 料可具有-黏合特性，該黏合特性經選擇成在壓縮模製期 門促進名第一光元件與該基板的黏合及/或可經選擇在該 封裝半導體發光裝置之熱循環期間限制向該發光裝置及/ 或耦合至該發光裝置之一線接合施加的應力。
在其他具體實施例中，該基板包括在其前部面上之一接 點。壓縮模製該第二光元件包括壓縮模製該基板以形成在 該基板的前部面上且在該半導體發光裝置之上的第二光元 件以及在包括該接點的該基板之前部面之一區域上的一殘 餘塗層。該方法進一步包括移除在該接點之上的殘餘塗層 而不損壞該接點。 在其他具體實施例中，該第一光元件或該第二光元件係 1縮模製於該半導體發光裝置以及將該半導體發光裝置耦 合至該基板之一線接合上而直接接觸該線接合。該基板可 以係一陶瓷基板、一金屬核心印刷電路板（MCPcb)、一撓 性電路基板及/或一引線框架。該基板可包括在其前部面 上的複數個半導體發光裝置，而形成該第一光元件及形成 5亥第二光元件可包括在該基板之前部面上於該等半導體發 光衣置之對應裝置上形成複數個第一光元件及形成複數個 弟—光元件。 在其他具體實施例中，封裝半導體發光裝置包括一基板 與一黏著於該基板之一前部面上的半導體發光裝置。一第 129048.doc -10- 200843152 Ο
一光元件係在該基板之前部面上而緊鄰該半導體發光裝 置。一第二光元件係在該基板之前部面上且在該半導體發 光裝置及該第一光元件之上。該第一光元件及/或該第二 光元件係壓縮模製的光元件。該半導體發光裝置可以係齊 平地黏著於該基板之前部面上而不使用一反射器腔，而該 第二光元件可以係模製於該基板之前部面之一包圍該半導 體發光裝置的區域中並從該區域延伸以及延伸於該半導體 發光裝置之上。該壓縮模製的光元件可以係聚矽氧透鏡。 該半導體發光裝置可以係複數個半導體發光裝置，而該等 壓縮模製的光元件可以係在該等半導體發光裝置之對應裝 置之上的複數個壓縮模製的光元件。 在其他具體實施例中’在該基板之前部面上提供電搞合 至該半導體#光裝置之-接點。言亥半導體發光裝置可以係 複數個半導體發光裝置，而該接點可以係在該前部面上電 耦合至該等半導體發光裝置之個別裝置的複數個接點，而 該等壓縮模製的光元件可以係在該等半導體發光裝置之對 應裝置之上的複數個壓縮模製的光元件。一線接合可將該 半導體發光裝置電耦合至絲板之—接觸料，而該等壓 縮模製的光ϋ件之至少-㈣可以直接接觸該線接合。 在其他具體實施例中’該第一光元件與該第二光元件可 具有經選擇成針對該封裝半導體發光裝置提供—所需光特 〖生的不同折射率。δ亥第一及該第二光元件可經組態用以向 該封裝半導體發光褒置提供一選定視角。該第一光元件可 以係具有-黏合特性之_第一材料，該黏合特性經選擇成 129048.doc -11 - 200843152 线模製期間促進該第一光元件與該基板的黏合及/或 该封裝半導體發光裝置之熱循環期間限制向該發光裝置 及/或搞合至該發光裝置之一線接合施加的應力。該第一 光元件可以係—第一材料，而該第二光元件可以係一第二 材料，而該第一材料及/或該第二材料可包括—鱗光體， 而该第一材料及/或該第二材料可以係聚矽氧。 【實施方式】 ,、下文將參考顯示本發明之具體實施例的附圖來更全面地 D兄明本發明 '然而’此發明可以用許多不同形式加以執行 而應視為限於本文所提出的具體實施例。確切地說，所提 供㈣些具體實施例將使得此揭示内容更為詳盡及完整， 亚且讓熟習此項技術者完整地瞭解本發明之範疇。圖中， :了清楚起見’已經放大各層及各區域的尺寸及：尺 丁 0 應瞭解當元件或層係表示為在另一元件或層"上” 接至·’或禺合至，，另-元件或層時，其可以係直接在另一 儿件或層上、連接或耦合至另一 令間元件或層。相反地，當元驗=或者可以出現 田凡件係表不為”直接在" 件或層”上”、”直接連接至”或”直接•合至，，另 時，不會出現中間元件或層。在所有圖式中，相同數字； 不相同s件。本文所用的術語"及/或”包括相關 、 之一或多個項目的任何及所有组合。 ρ +項目 應瞭解，雖然術語第―、第二料在本文中用以說 個兀件、組件、區域、層及/或區段 疋此寺術語不應 129048.doc 200843152 限制此等元件、έ日此 ^ 、、、、區域、層及/或區段。此等術注係 僅用以將一元件、細杜广 予彳丁…係 或區段區分。因此’ π二^ a層 下面說明之一第-元件、組件、區 域、層或區段可稱為一第二元件、組件、區域 段’而不脫離本發明之教導内容。 s或區 本文可為便於說明而使用空間關係術語，例如"下方"、 Γ:
，’下面”、"下部”、”上面”、”上部"及類似者，來說明如圖 所示一元件或特徵與另-(另外多個)元件或特徵之關係。 應瞭解’圖式所描述的方位以外，該等空間關係術語之 用意係涵蓋該裝置在使用或操作巾以时位1如，若 顛倒該等圖式中的裝i，則㉟明為在其他元件或特徵 面"或”下方”之元件便將係定向於該等其他元件或特徵之 ”上面’’。因此，範例性術語，，下面"可涵蓋上面與下面兩者 之-方位。可以對該裝置作其他方式的定向(旋轉9。度或 採用其他方位）而本文所使用的空間關係描述符作相應的 解釋。 〜 本文所用的術語係僅基於說明特定具體實施例之目的， 而不期望限制本發明。本文所用的單數形式，，一，，、，，一個” 及”該”之用意亦包含複數形式，除非内容清楚地指示其他 情況。應進一步瞭解術語”包括，，及/或，’包含”在用於此說明 書時規定所述特徵、整體、步驟、操作、元件及/或組件 之存在，但疋並不排除存在或增加一或多個其他特徵、整 體、步驟、拓作、元件、組件及/或其群組。 本文參考示意性解說本發明之理想具體實施例的斷面圖 129048.doc -13 - 200843152 來况明本發明之具體實施例。同樣地，可預期圖解的形狀 因(例如)製造技術及/或公差而發生變化。因此本發明之且 體實施例不應解釋為受限於本文所解說的特定區域形狀y 而應包含(例如)因製造而產生的形狀偏差。例如，解說為 矩形的餘刻區域將通常具有圓形或彎曲特徵。因此，圖中 ^况的區域本質上為示意性，而且其形狀並無意於說明一 裝置區域之精確形狀而且無意於限制本發明之範嘴。
除非另外定義H彳本文所料全部術語（包括技術及 科子術6吾）具有與熟習此發明所屬技術者所共同瞭解者相 同的含意。應進一步瞭解，術語(例如通用詞典所定義的 術浯）應視為具有與其在相關技術及此說明書之内容中的 " 致之έ思，而且將不視為具有理想或過度正式的意 義’除非本文如此清楚地定義。 現在將參考圖丨至9來說明封裝半導體發光裝置之具體實 施例及其形成方法。首先參考圖丨，在俯視平面圖中示意 性解說一封裝半導體發光裝置1〇〇。更特定言之，圖解之 I置100係顯示為包括一基板1〇5，該基板1〇5具有以陣列 配置黏著於該基板105之一前部面107上的複數個半導體發 光裝置108。一壓縮模製的光元件11〇(顯示為一透鏡）係形 成於該基板105之前部面107上而在個別半導體發光裝置 108之上。 该（等）半導體發光裝置1〇8可包含一發光二極體、雷射 一極體及/或其他裝置，該等其他裝置可包括··一或多個 半導體層（其可包含矽、碳化矽、氮化鎵及/或其他半導體 129048.doc -14- 200843152 材料）、一可包含藍寶石、矽、碳化矽、氮化鎵的基板或 其他微電子基板’以及可包含金屬之一或多個接觸層及/ 或其他導電層。半導體發光裝置之設計及製造為熟習此項 技術者所熟知的技術。 舉例而言，該（等）發光裝置108可為基於氮化鎵之 在石厌化石夕基板上製造之雷射’例如北卡羅來納州達拉謨市 Cree，Inc·所製造及銷售的此類裝置。例如，本發明可能適 用於如以下美國專利案第6,2〇1，262、6，187,6〇6、 6，120,600、5,912,477、5,739,554、5,631，190、5,604，135、 5,523,589、5,416,342、5,393,993、5,338,944、5,210,051、 5’027,168、5,027，168、4,966,862 及 / 或 4,918,497 號中所述 之LED及/或雷射，其揭示内容係以引用的方式併入於此， 如同在本文完整說明。其他合適的LED及/或雷射在以下專 利文獻中予以說明：已公佈之美國專利公告案第us 2003/0006418 A1號，標題為”具有一量子井及超晶格之基 於ΙΠ族氮化物的發光二極體結構，基於⑴族氮化物的量子 井結構及基於III族氮化物的超晶格結構，，，2〇〇3年1月9曰 公佈’以及已公佈之美國專利公告案第US 2002/0123 164 A1號，標題為”包含用於光擷取之修改的發光二極體及其 製仏方法。另外’本發明之具體實施例亦適合使用塗布 磷光體之LED，例如標題為”包括錐形側壁之塗布磷光體 的發光二極體，及其製造方法，，，2〇〇4年3月25日公佈的美 國專利申清案第US 2004/0056260 A1號所說明之LED，其 揭不内容係以引用的方式併入於此，如同在本文完整說 129048.doc 200843152 明。 在其他具體實施例中’可以將_滴在其中包含碟光體之 一材料（例如環氧樹脂）放置於該半導體發光裝置上。例如 在美國專利案第 6,252,254 ; 6,〇69,44〇 ; $，㈣，，· 5’813’753 ’ 5,277,840及5,959,3 1 6號中說明使用磷光體塗 層之LED。 還顯示在該基板1〇5之前部面107上的複數個電接點 Π5。例如，該等接點115可以係鍍金和電接觸墊，其將該 等半導體發光裝置1G8連接至電路、電源及類似者。、應瞭 解，儘官本文僅說明在該前部面107上的接點，但在一些 具體實施例中還可提供背部側接點。 本文將進-步說明，在本發明之特定具體實施例中提供 可藉以在該基板105之前部面107上形成一壓縮模製透鏡 11 〇而同時仍，然使用前冑面接點i i 5並允許與該前部面i 〇 7 之電連接而不會因用於形成該等透鏡110的非導電材料之 殘餘沉積而受到干擾的方法。此外，在本發明之一些具體 實施例中用於形成該等透鏡110的殘餘聚矽氧可以保留於 不需要電接觸的該前部面107之表面上。 應瞭解，圖1所示配置係基於範例性目的，而在本發明 之各項具體實施例中可以在該封裝半導體發光裝置100中 包括一或多個半導體發光裝置108與接點115之各種不同組 態及組合，其中包括具有僅一單一發光裝置108之裝置。 同樣’應瞭解，在—些具體實施例中，可以將圖i所示結 構100進一步處理成將其各部分分離成提供由圖解的裝置 129048.doc -16- 200843152 1 〇〇形成之複數個離散的封裝半導體發光裝置。 依據該等具體實施例，該基板可包括嵌入的電連接以在 電接點11 5之間形成一 LED串或叢集以提供個別的前部側 接點LED及/或LED串或叢集。此外，具有透鏡的個別LED 皆可包括接點以啟用該等LED。
在本發明之一些具體實施例中，半導體發光裝置1〇8可 以係齊平地黏著於該基板1 〇5上之前部面107上而不使用如 (例如）圖7所示包圍該等發光裝置1〇8之一反射器腔。 現在將參考圖2之示意圖來說明依據其他具體實施例之 一封裝半導體發光裝置2〇〇。如圖2之具體實施例中所示， 。亥封叙半導體發光裝置200包括一基板2〇5與齊平地黏著於 基板205之一前部面207上的複數個發光裝置2〇8。複數個 電接點21 5係顯示為在該前部面207上緊鄰該等半導體發光 衣置208。圖2還顯示覆蓋接點215的前部側之一遮罩23〇。 如圖2所示，該遮罩230可能不完全覆蓋該等接點215之整 個表面區域。 圖2將該等半導體發光裝置2〇8示意性解說為具有一圓形 形狀。但是，應瞭解，it等半導體發光褒置2〇8之形狀可 以改變而圓形表示係基於說明本發明之目％。此外，圖2 未顯示該壓縮模製透鏡1 10之結構。哕 口傅 4專則部側接點215相 對於該等發光裝置208之特定配置及前邻 夕 汉則#側接點2 1 5之數目 係基於解說目的，而可依據本發明之—此 二/、體貫施例提供 其他配置。 流程圖來說明依據 現在將參考圖3至6之斷面圖及圖9之 129048.doc 17 200843152 本發明之一些具體實施例形成一封裝半導體發光裝置的方 法。圖3至6之斷面圖係沿圖2之線a-A所取。因此，應瞭 角牛’正如圖2之說明，圖3至6中接點21 5及發光裝置208之 特定配置係基於說明本發明之目的，而本發明的方法不限 .於圖中所示組件的特定結構或配置。 • 將參考該等圖式來說明，本發明之一些具體實施例提供 用以形成在一基板上具有模製壓縮透鏡及前部面電接點之 Γ； 封裝半導體發光裝置。該基板可以係（例如）一陶瓷基板、 一金屬核心印刷電路板（MCPCB)、一撓性電路基板及/或 一引線框架。對於圖3至6所示具體實施例，在模製之前將 一遮罩或模板（例如一聚醯亞胺膜）施加於該基板上的接 點。在將該等壓縮模製透鏡（例如聚石夕氧透鏡或類似者）施 加於該基板後，可以使用一熱網篩或其他移除方法來從受 該遮罩或模板覆蓋的前部側接點移除該透鏡形成材料。但 疋應瞭解本舍明之其他具體實施例提供包括壓縮模製 ( 彡鏡的封*帛導體*光裝置之製造而不使用-遮罩或基 板。而且，可以使用不同類型的遮罩並可以使用不同方法 來移除殘餘的透鏡形成材料，例如雷射、鑛、熱刀片、熱 * 導線柵格及/或導線網目。 - 纟圖3所示具體實施例中可看出，提供包括-基板205之 一裝配件該基板在其-前部面浙上具有半導體發光 裝置208與前部側接點215。如上面所提到，在所示且體實 施例中，還提供覆蓋該等前部側接點215之一遮罩23〇。圖 3還示意性顯示-壓縮模具3〇5。模具3〇5係具有成形為透 129048.doc 200843152 鏡的凹痕或腔320。針對圖示複數個發光裝置2Q8之每1 別裝置而提供-腔320。#聚石夕氧315放置於該模且3〇5上 及該等凹痕320令。圖3還顯示，還可以在該聚石夕氧315與 該模具305之間使用—釋放層31()。該釋放層3]G可促進在 由該聚矽氧315壓縮模製透鏡後於該釋放層31〇移除該模具 3 05 4釋放層3 1 〇可以係'(例如）可從AsaM玻璃公司講得之
Aflex膜。從圖3可看丨，圖示壓縮模製程序中的聚石夕氧 315填充該等腔32G但進—步橫跨介於該等腔320之間及包 圍該等腔320的區域而延伸，從而相應地在包括該接點215 的該基板加之前部面之-區域之上產生一殘餘塗層在該 基板205 ^之沉積。在本文所述的本發明之具體實施例 中’ Μ氧315之此—額外覆蓋可能因用於形成該透鏡或 光元件之壓縮模製程序之性質而發生。 ，在/考圖4顯示忒裝配件200係在該基板2〇5的壓縮 模製期間插入該模具305以在該基板之一前部面上於該等 個別半導體發光裝置208之上形成光元件。在其他具體實 把例中’用於形成該壓縮模製的光元件及殘餘塗層之材料 係一聚石夕氧塑膠，而該壓縮模製在約〇1至約〇/英叶2 之一壓力下而在約1〇〇γ至約15〇。以或者在—些具體實施 Ή中係、’、勺140 C)之-溫度發生，s時約三至約十分鐘（或 者在-些具體實施射係約五分鐘)。纟本發明之一些具 體實施例中用於形成封裝半導體發光裝置之一合適的聚石夕 乳材料之一範例係有機聚矽氧混合物。 圖5所不，在壓縮模製後，於該釋放層gw移除該模具 129048.doc 200843152 3〇5。因此’該裝配件2〇〇除包括在該基板之前冑面之—區 域（包括4等接點21 5)上的—殘餘塗層525外還包括在該等 發光裝置2〇8的每-裝置上之-壓縮模製的光元件520。換 言之，壓縮模製的聚秒氧層515在從該模具3()5移除之時包 括該殘餘塗層525與該光元件520兩者，如圖5所示。
产圖5進一步解說使用一用於移除位於該遮罩23〇上的聚矽 氧而同日“寄才莫製透鏡留在每_發光裝置⑽上之移除方 法或知序之使用。士σ圖5所特別顯示，該移除程序包括藉 由-熱刀片53G以-對應於該遮罩23()的圖案或藉由具有對 應於切割進該殘餘塗層525的圖案之—圖案的其他切割構 件來切割該殘餘塗層525。在一些具體實施例中，該熱刀 片5_30本身具有-對應圖案，從而允許藉由在圖5中的箭頭 所不方向上之-單一運動來執行切割操#而無需在一第二 方向上運動。在本發明之某些其他具體實施例中，該切： 設備530可進-步進行一第二或第三方向移動以便能按需 要將該殘餘塗層525切割成曝露該等接點215之一電接觸部 分而不損壞該等接點2丨5。 圖6解說依據本發明之一些具體實施例在圖5所示移除操 作後所得的料半導體發光裝置結構。從圖6可看出，該 基板205包括複數個發光裝置2〇8,職數個發光裝置2〇8 具有在該等發光裝置2〇8的對應裝置上形成之壓縮模製透 鏡620。已移除在該基板2〇5之前部面之一區域（包括該等 接點215之-接觸區域）之上的殘餘塗層525而不損壞該等 接點21 5以允許形成與該等接點215之電連接。 129048.doc -20- 200843152 現在將參考圖9之流程圖來說明依據本發明之其他具體 實施例用以形成一半導體發光裝置的操作。如圖9所示具 體實施例中所示，在步驟900中藉由提供在其一前部面 107、 207上具有接點115、215之一基板1〇5、2〇5來開始操 作（步驟900)。將一半導體發光裝置1〇8、2〇8黏著於該基板 105、205之前部面丨07、207上（步驟905)。將該發光裝置
108、 208電連接至該等接點115、215之一或多個接點（步 驟905)。因此，該等接點115、215可提供用以藉由在該基 板105、205之前部面107、2〇7上形成一電連接而將該發光 裝置108、208與其他電路電連接之構件。可以藉由附著一 將一個別發光裝置108、208電連接至該基板1〇5、2〇5之一 接觸部分（即，該接觸部分可以係該等前部側接點115、 2 1 5之一接點）的線接合來形成一額外連接或在步驟9〇5中 提到的連接（步驟9 1 〇)。 在各項具體實施例中，該基板105、205可以係一陶£基 板、一金屬核心印刷電路板（MCPCB)、一撓性電路基板 及/或一引線框架或類似物。此外，在本發明之不同具體 實施例中可以採取各種個別配置將一或多個發光裝置 1 08、20 8及蝻部側接點i! 5、2 i 5提供於該基板^ 〇5、2〇5 上。在本發明之各項具體實施例中可以依據適合對應於發 光裝置及前部㈣接點的選定幾何結構或配置之—圖案來按 需要提供殘餘塗層從該等接點之移除。 如圖9所示， 罩230(步驟915) 提供覆盖該等前部側接點丨丨5、2丨5之一遮 。忒基板可以係（例如）一聚醯亞胺膜。該 129048.doc -21 - 200843152 基板經壓縮模製用以形成在該基板l〇7、207之前部面上且 在該等半導體發光裝置108、208之個別裝置之上的一光元 件11 0、620以及在包括該等接點的該基板之前部面之一區 域上的一殘餘塗層，現在將參考步驟92〇至940來說明。 在圖9所示具體實施例中可看出，壓縮模製包括在包括 複數個透鏡狀的腔320(其係緊鄰該複數個半導體發光裝置 108、208之對應裝置而定位）之該模具3〇5之一表面上提供
一釋放層310(步驟920)。該基板係放置於具有該等腔之模 具3 05中，該等腔係緊鄰該等半導體發光裝置之對應裝置 而定位（步驟925)。在該模具3〇5及該等腔32〇與介於該等腔 320之間及包圍該等腔32〇之一區域中提供聚矽氧層3ι5(步 驟930)。由該等腔中的聚矽氧來壓縮模製透鏡62〇、ιι〇(步 驟93 5)。從該模具移除該基板（其中形成一透鏡）（步驟 940) 〇 現在將參考圖9所示步驟945及950而針對本發明之一些 具體貫施例來說明與移除該等接點上的殘餘塗層而不損壞 该寻接點相關之操作。以對應於如上所述在步驟中施 加的遮罩之-圖案切割該殘餘塗層（步驟945)。在該基板包 括在該前部面上的複數個發光裝置及接點之一些且體， 例中，切割該殘餘塗層包括藉由一熱刀片來切割該殘二 ^ ”亥熱刀片可具有對應於在該殘餘塗層中切割的圖案之 兮切了以错由該切割刀片朝該基板的前進來提供 口哀切告ij刼作而不必橋鈐 /、5忒基板來杈向移動切割部件。 此’可^小㈣移除程序期㈣接觸表面造成任何損壞 129048.doc -22- 200843152 之風險。移除覆蓋該接觸表面上的殘餘塗層之遮罩及切口 以曝露該等前部側接點（步驟950)。 在本發明之一些具體實施例中，在壓縮模製該光元件 110、620前藉由一線接合將該發光裝置1〇8、2〇8電連接至
一接觸部分。此外，在一些具體實施例中，該基板經壓縮 模製用以形成在該半導體發光裝置1〇8、2〇8之上且直接接 觸該線接合的光元件110、620。本文所述之一壓縮模製程 序可允烀该光元件在該線接合及相關聯的發光裝置兩者上 之此類直接接觸及形力而同日字減小甚《防止藉由線接合對 該發光裝置與該接觸部分之間的耦合造成的損壞。相反 地’形《此一酉己置之一透鏡的各種其他方法彳需要使用額 外的保護性施塗以便避免損壞該線接合與該發光裝置及一' 基板的對應接觸部分之間的連接。 此外，在本文所述的本發明之一些具體實施例中，可以 將該發光裝置齊平地黏著於該基板之前部面上並可以圍繞 該發光裝置以一在該發光裝置上延伸完整的18〇度之圓頂 來形成-I缩模製的光元件。因& ’與需要使用包圍該發 練置之-反射材料之-腔的方法相，可以透過選㈣ 透鏡形成材料及向其添加的任何添加劑 該發光裝置操取及提供光時之-更大的靈活性及 率：此類反射腔-般吸收至少—絲量的所發射光，而從 該雨部面延伸成完全包圍該發光裝置(其係齊平地黏著於 該基板的前部面上）之-透鏡或其他光元件可以在各種應 用中提供改良的錢取。但是，在—些具體實施例中，該 129048.doc -23- 200843152 led可能駐留於一腔或凹陷中。 f 儘管已參考圖3至6及9來說明使用—料的本發明之旦 體實施例，但應瞭解本發明之一些具體實施例不使用此二 遮罩及切割程序。在本發明之一些具體實施例中，該基板 係一撓性電路基板而藉由對該基板進行—濕式溶劑化^ 潔以移除該等接點之上的殘餘塗層來移除該殘餘塗層。^ 瞭解，無論是否使用-遮罩或濕式钱刻方法，皆可在包^ 該複數個接點的該基板之前部面之—區域上移除該殘餘淹 層而無需完全曝露該等接點。但是，應曝露該等接點之二 足夠大的區域以允許與其形成一電連接而殘餘塗層不合干 擾該電連接。與壓縮模製之前相比，可以結合該濕式溶劑 化學清潔操作而使用在形成該殘餘塗層後提供之一遮蔽方 法’以便限制以-選定圖案從所需區域移除殘餘塗層。
Cj 現在將參考圖7及8之具體實施例來說明依據本發^之其 他具體實施例之封裝半導體發光裝置。每一裝置皆包括形 成於一基板上之複數個（圖示為第一及第二）光元件。應瞭 解’在本發明之不同具體實施例中可以藉由使用壓縮模製 來形成該等個別光元件之一及/或兩者。 在圖7之具體實施例中可看出，—封裝半導體發光裝置 7〇〇包括齊平地黏著於一基板705之一前部面7〇7上的複數 個半導體發光裝置708。一第一光元件74〇係形成於該等半 導體發光裝置708之每一裝置之上。在該第—光元件—及 邊發光裝置708之上形成一第二光元件72〇。如圖7之具體 實施例中進一步顯示’可以向該第二光元件720添加-添 129048.doc -24- 200843152 加劑7 4 2以貫現該半導㈣名乂 千V體發先裝置7〇8之光透射或發射特 性。應瞭解，可以替代祕a 〃 曰代地向该弟一光元件74〇添加該添加
劑742，或可以在該笠出—/iL 、先兀件720、740之每一元件中提供 一相同及/或不同的、禾a t /' 一 ’、、口 Μ。此外，可以藉由針對該等個 別光元件7 2 0、7 4 0撰i罢τ rn & , 、 、不同特性，例如針對該等個別材料 選擇一不同的折射率7 羊以在攸该半導體發光裝置708發射的 光通過時提供一所雲六令里 + 斤而效果，來進一步訂製光性質。用於實 現光性質之添加齊j可白紅 ψ 包括一磷光體、一散射劑、一發光材 料及/或實現所發射光的光特性之其他材料。 應瞭解，在圖7之具體實施例中可以對該等第一盥第二 光元件皆進行壓縮模製。但是，在其他具體實施例中，可 以藉由其他構件來形成該第一光元件74〇而藉由一般如上 面餐考圖3至6及圖8所述之壓縮模製來形成該第二光 720 〇 Ο 圖8解說-封裝半導體發光裝置8〇〇之其他具體實施例。 在圖8之具體實施例可看出，將一半導體發光裝置8〇8齊平 地黏著於一基板805之一前部面上。顯示一線接合_形成 該基板805與該半導體發光裝置㈣之間的―連接。儘管圖 8一未顯示’但應瞭解可以在該發光裝置8〇8與該基板奶的 前部面之間的介面處形成一第二連接。 在該基板805的前部面上緊鄰一發光裝置8〇8而形成一第 一光元件840。在該發光裝置8〇8、線接合8〇9及該第一光 元件840上形成一第二光元件82〇。如參考圖7所述，可以 藉由一般如前文所述之壓縮模製來形成該等個別光元件 129048.doc -25- 200843152 :4。82。之一或兩個元件。此外，該第一光元件8 t圖8之斷面圖中呈現為兩個離散元件，但可以係圍繞該 兔光裝置808及線接合8〇9而延伸之一環形的單一光元件
==圖:。之流程圖來說明用以形成_封裝半導體 先衣置的方法之其他具體實施例。更特定言之，袁考圖 :所述的方法可用於形成圖7或圖8所示裝置。基於圖此 、、日不目的’將說明其中將該等光元件皆壓縮模製於一自動 化模製設備中之具體實施例。但是，應瞭解本發明不限於 此類具體實施例。此外，應瞭解，在—些具體實施例中可 以結合在其一前部面上具有接點之基板以及為曝露該等前 部面接點而對該槿制好判^ 衩良材枓之一殘餘部分所作之移除，來使 用參考壓縮模製所述之操作。 對於圖1G所示之具體實施例，藉由提供在其-前部面上 具^丨導體發光裝置之—基板來開始操作（步驟⑽㈠。 如前面所述’該基板可包括在其前部面上的複數個半導體 兔光I置’例如圖1及2所示。此外，可以將該等半導體發 光衣置齊平地黏著於該基板之前部面上而不使用—反射器 腔。該基板可以係（例如卜陶究基板，一 McpcB、一捷: 電:基板及/或-引、線框架。但是，彳以將該等發光裝置 黏著於一反射器腔或類似物中。 現在將參考步驟1GG5至咖來說明與形成該封裝半導體 ^光I置的第一光元件及第二光元件相關之操作。將該基 板衣載於自動化权製設備中，該設備包括經組態用以形 成忒第％兀件之一第一模穴與經組態用以形成該第二光 129048.doc -26- 200843152 凡件之一第二模穴(步驟1005)。該等第-及第二模穴皆可 包括複數《鏡㈣腔，該㈣騎鄰該複數個半導體發 光裝置之對應裝置而定位，豆中 " ^ 、、， 位其中该基板包括在其上面的複 數個半導體發光裝置。 罝將该基板移動至該第一模穴（步驟 1 010)。該移動可能俦驻 糸糟由在该自動化模製設備内之自動 化輸送為、、機械臂及/或類似物。 在該第-模穴中將該m件壓縮模製於該基板之前 部面上（步驟1015)。應'瞭解，儘管係顯示為在步驟1015中 的壓縮模製，作可M m Λ 彳一 T以糟由使用除壓縮模製（例如施配及/或 接口）以外之&序來形成該第_光元件或該第二光元 件、。，此外，可以在步驟⑻5中將該第-光元件形成為緊鄰 料導體發光裝置但並不覆蓋該半導體發光裝i，例如， 圖中的光7G件840所不。在一些具體實施例中還可以在步 、’ 015中將，亥第一光凡件形成為模製於該基板之前部面之 G圍σ亥半導體發光裝置的區域中並從該區域延伸以及延 伸於該半導體發朵梦罢 ^ 九衣置之上，如針對圖7之具體實施例中 、第光7L件740所不。在該第—光元件不在該發光裝置 之上延伸的—些具體實施例中，㈣_光元件可以係成形 為定義一腔而該半導體發光裝置係定位於該腔内。 將在其上面具有該第一光元件的基板移動至該第二模穴 而無=從該自動化模製設備移除該基板（步驟劃）。例 ^，過可將一輸送器或機械工具（例如參考步驟1010中的 操作所述）用於步驟1020中的操作。 在忒第一光腔中壓縮模製該第二光元件（步驟。如 129048.doc -27- 200843152 同芩考圖8所示第一光元件所今 ^ 7况明，可以將該第二光元件 模製成從該基板之前部之一包圚 匕国该+導體發光裝置的區域 延伸並延伸於該發光裝置之上， 如圖7之第二光元件72〇及 圖8之弟一光元件820所示。從兮白 < ^自動化模製設備移除在i 上面具有該第一光元件及 /、 1030) 〇 弟…件之基板(步驟 圖7及圖8兩者亦顯示，可以將該第二光元件壓縮模製於 Γ: 該半導體發光裝置及該第一光 尤70件兩者之上。該第一光元 件與该弟二光元件可具有奴< ;竖视 頁、、、工^擇成針對該封裝半導體發光 裝置提供一所需光特性的不同折射率。該第一光元件及該 ::光元件可經組態用以向該封裝半導體發光裝置提供一 =視角。在—些具體實施例中，用於形成該第-及/或 第光7〇件之材料具有一黏合特性，該黏合特性經選擇成 在該壓縮模製期間促進將該第—光元件黏合於該基板及/ 或在z封衣半導體發光裝置之熱循環期間限制向該發光裝 置及/或_合至該發光裝置之—線接合施加的應力。該第 ::兀件材料及/或該第二光元件材料可包括一磷光體。 〆第材料及/或该第二材料可以係、聚石夕氧、環氧樹脂、 一混合聚矽氧/環氧樹脂材料及/或類似材料。 一 2上所述，本發明之一些具體實施例提供封裝半導體發 光裝置及藉由使用壓縮模製以製造具有訂製純質的透鏡 來开:成D亥等封I半導體發光裝置的方法。例如，可以提供 經封裝成具有藉由㈣壓縮模製製造的複合透鏡之發光裝 置。在-些具體實施例中，可以使用多個壓縮模具來製造 129048.doc -28- 200843152 壓縮模製透鏡，其中第_愈μ “ 造具有所需光性質(例如視角)之件經壓縮模製用以製 中，可以分散、接合一第一—、見。在其他具體實施例 可以塵縮模製該第二光一凡件或對其作類似處理，而 二光元件可具有以-光元件及該第 ^ 、應°亥封叙裝置的應用需要之不同 性貝（形狀、成分、折射率及 包括該第-光元件及該第… 一二具體實施例除 x第一光元件外還可肖杯一 件、層及/或I縮模具。 貞外的光凡 可互不相同並可以係”成提二广件之形狀及成分 發明之各項且所需要的燈效能。在本 h β <谷項具體實施例中 i曰嗝刘八u $ 棱七、改良的黏合及/或在各 相適部分上更低的應力。 在圖式與說明書中，p姐々 ^ ± 已揭不本發明之具體實施例，且雖 然使用特定術語，但是哕辇 a 僅以—般及說明意義加以 吏用而非基於限制之目的，本# % A ^,1 - pr ^ , 不钐月之乾弩係在以下申請 导利乾圍中提出。 【圖式簡單說明】 圖1係依據本發明之一此且辦者 ^ 二一體κ轭例之一封裝半導體發 光裝置之一俯視平面圖。 圖2係依據本發明之盆仙且獅 η心，、他具體實施例之一封裝半導體發 光裝置之一俯視平面圖。 圖3至6係依據本發明之一些具體實施例解說一形成圖2 之封裝半導體#光裝置的方法之沿圖2的線α_α所取之斷面 圖。 圖7係依據本發明之其他具體實施例之一封裝半導體發 129048.doc -29- 200843152 光裝置之_斷面圖。 圖8係佑士余a 、 據本备明之其他具體實施例之一半導體發光裝 置之一斷面圖。 圖9係依據本發明之一些具體實施例解說用以形成一封 衣半V體發光裝置的操作之一流程圖。 圖1 〇係依據本發明之其他具體實施例解說用以形成一封 裝半導體發光裝置的操作之一流程圖。 【主要元件符號說明】 100 封裝半導體發光裝置 105 基板 107 基板105之一前部面 108 半導體發光裝置 110 光元件/透鏡 115 電接點 200 封裝半導體發光裝置/裝配件 205 基板 207 基板205之一前部面 208 發光裝置 215 電接點 230 遮罩 305 壓縮模具 310 釋放層 315 聚矽氧（層） 320 凹痕或腔 129048.doc -30· 200843152 515 聚矽氧層 520 光元件 525 530 620 700 705 707 708 720 740 742 800 805 808 809 820 840 殘餘塗層 熱刀片/切割設備 透鏡/光元件 封裝半導體發光裝置 基板 基板705之一前部面 半導體發光裝置 第二光元件 第一光元件 添加劑 封裝半導體發光裝置 基板 半導體發光裝置 線接合 第二光元件 第一光元件 129048.doc -31 -

Claims (1)

  1. 200843152 十、申請專利範圍： 1， 一種封裳一半導體發光裝置的方法，其包含： __-X 甘 土板，5亥基板在其一前部面上具有該丰導㈣發 光裝置； X 、在^前部面上緊鄰該半導體發光裝置由一第一材料形 成一第一光元件；以及
    一 ”半導體發光裝置及該第一光元件上由不同於該第 ::料之-第二材料形成-第二光元件，其中形成該第 —:牛及/或形成该第二光元件包含壓縮模製該個別光 2， 如請求項]$古、土 ^ , 、 / ，，、中形成該第二光元件包含：壓縮 3. 杈衣在該前部面上之該第二光元件。 如請求項2之方法，i ，、中形成该弟一光元件包含：壓縮 4. 、製在弟一面上之該第一光元件。 士 θ长項3之方法，其中壓 T &細楔製5亥弟一光元件及該第 一光元件包含： 將σ亥基板I載於^一自動★ 替制％ + t 目勤化柄製政備中，該設備包括經 組悲用以形成該第一光元件 7、、 元疋件之一弟一杈穴與經組態用以 形成該第二光元件之一第二模穴； 將該基板移動至該第一模穴； 在5亥弟一模穴中將：士方结 . 將邊弟一先兀件壓縮模製於該前部面 上； 將在其上面具有該第 模穴而不從該自動化模 一光元件的該基板移動至該第二 製設備移除該基板； 129048.doc 200843152 在第二光腔中壓縮模製該第二光元件；以及 從該自動化模製設備移除具有該第一光元件及該第二 光元件之該基板。 士明求項4之方法，其中該基板包括在其該前部面上之 複數個半導體發光裝置，而壓縮模製該第一光元件及該 第一光元件包含將複數個第一光元件及複數個第二光元 件壓鈿板製於該基板之該前部面上且在該等半導體發光 :置之對應裝置之上，而其中該第一模穴與該第二模穴 皆包括緊鄰該複數個帛導體#光裝置之對應I置而定位 之複數個透鏡狀的腔。 6，如請求項3之方法’其中壓縮模製該第二光元件包括： 將該第二光元件壓縮模製於該半導體發光裝置及該第一 光元件上。 〆币 7.二！6之方法，其中該第一光元件與該第二光元件 擇成針對該封裝半導體發光裝置提供牛 特性的不同折射率。 坏而先 8 ·如請求項6 $ t 貝6之方法，其十該第一光元件及 _ 9 f組態用以向該封裝半導體發光裝置提供-選定視：件 :::Γ方法，其中該第-材料具有-r: 與=1經選擇成在壓縮模製期間促進該第-光元件 期間限：二t及/或在該封裝半導體發光裝置之熱㈣ 限制向该發光裝置及/ 盾%、 合施加的應力。 七先衣置之-線接 1〇.如請求項2之方法，其中該第一材料及 129048.doc 弟材枓及/或該第二材料包 200843152 括-碟光體，而其中該第-材料及/或該第二材料包含聚 矽氧。 11·如#求項2之方法’其中提供該基板包括：將該半導體 么光衣置齊平地黏著於其該前部面上而不使n㈣ :’而其中該第二光元件係模製於該基板之該前部面之 -包圍該半導體發光裝置的區域中並從該區域延伸以及 延伸於該半導體發光裝置之上。 12.如明求項2之方法，其中形成該第一光元件包含：藉由 使用除壓縮模t以外之-程序來形《該第—光元件。 13·如請求項12之彳法，#中除壓縮模製以外的該程序包含 施配及/或接合。 14· ^明求項12之方法，其中形成該第一光元件包括：將該 光元件形成為緊鄰该半導體發光裝置但不覆蓋該半 導體發光裝置。 孤° ，員14之方法，其中該第二材料具有與該第一材料 =同之一折射率，而其中該第一光元件係成形為定義一 腔’而其中該半導體發光裝置係定位於該腔中。 16’如明求項14之方法，其中該第二材料具有一黏合特性， 孩黏合特性經選擇成在壓縮模製期間促進該第二光元件 與邊基板的黏合及/或經選擇來在該封裝半導體發光裝置 之熱循環期間限制向該發光裝置及/或耦合至該發光裝置 之一線接合施加的應力。 1 7.如請灰jg 9 — ^ 貝2之方法，其中該基板包括在其該前部面上之 -特愛上 ”、、5 ’而其中壓縮模製該第二光元件包含壓縮模製該 129048.doc 200843152 土板以形成在該基板之該前部面上且在該半導體發光裝 f:上的該第二光元件以及在包括該接點的該基板之該 勹^面之區域上的一殘餘塗層，而其中該方法進一步 ^除在"亥接點之上的該殘餘塗層而不損壞該接點。 18·如:求項1之方法，其中該第一光元件或該第二光元件 係壓％模製於該半導體發光裝置以及將該半導體發光裝 置$合至該基板之一線接合之上並直接接觸該線接合。 。月长項1之方法，其中該基板包含一陶瓷基板、一金 屬核^印刷電路板（MCPCB)、一撓性電路基板及/或一引 線框架。 月求項1之方法，其中該基板包括在其該前部面上的 複數個半導體發光裝置，而其中形成該第一光元件及形 成°亥第一光元件包含在該基板之該前部面上且在該等半 導體發光裝置之對應裝置之上形成複數個第一光元件及 形成複數個第二光元件。 21. —種封裝半導體發光裝置，其包含·· 一基板； 一半導體發光裝置，其係黏著於該基板之一前部面 上； 一第一光元件，其在該基板之該前部面上且緊鄰該半 導體發光裝置；以及 一第二光元件，其在該基板之該前部面上且在該半導 體發光裝置及該第一光元件之上，其中該第一光元件及/ 或該第二光元件包含壓縮模製的光元件。 129048.doc 200843152 22·如請求項21之裝置，其中該半導體發光裝置係齊平地黏 著於該基板之該前部面上而不使用一反射器腔，而其中 該第二光元件係模製於該基板之該前部面之一包圍該半 導體發光裝置的區域中並從該區域延伸以及延伸於該半 導體發光裝置之上。 23·如請求項21之裝置，其中該等壓縮模製的光元件包含聚 矽氧透鏡。 24·如請求項21之裝置，其中該半導體發光裝置包含複數個 半導體發光裝置，而其中該等壓縮模製的光元件包含在 该等半導體發光裝置之對應裝置之上的複數個壓縮模製 之光元件。 25.如請求項21之裝置，其進一步包含在該基板的該前部面 上之一電耦合至該半導體發光裝置的接點。 26·如請求項25之裝置，其中該半導體發光裝置包含複數個 半導體發光裝置，而該接點包含在該前部面上電耦合至 °亥等半導體發光裝置之個別裝置的複數個接點，而其中 該等壓縮模製的光元件包含在該等半導體發光裝置之對 應裝置之上的複數個壓縮模製之光元件。 27.如請求項26之裝置，其中該等壓縮模製的光元件包含聚 矽氧透鏡。 28 ·如凊求項25之装置，其進一步包含將該半導體發光裝置 電耦合至該基板之一接觸部分的一線接合，而其中該等 壓縮模製的光元件之至少一元件直接接觸該線接合。 29.如請求項21之裝置，其中該第一光元件與該第二光元件 129048.doc 200843152 具有經選擇成針對該封裝+導體t光裝 特性的不同折射率. Z、所需光 30. 如請求項21之裝置，其中該第一元件及該第 At ^ 件会极 組態用以向該封裝半導體發光裝置提供一選定視角。、”二 31. 如請求項2i之裳置，其中該第一光元件包含具有 特性之一第一材料，該黏合特性經選擇成在壓縮模製期 間促進該第一光元件與該基板的黏合及/或在該封裝半導 體發光裝置之熱循環期間限制向該發光裝置及/或耦合至 該發光裝置之一線接合施加的應力。 32. 如請求項21之裝置，其中該第一光元件包含一第一材 料，而該第二光元件包含一第二材料，而其中該第一材 料及/或該第二材料包括一磷光體，而其中該第一材料 及/或該第二材料包含聚矽氧。 129048.doc
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