JPH0738405B2 - 発光ダイオードの製造装置 - Google Patents

発光ダイオードの製造装置

Info

Publication number
JPH0738405B2
JPH0738405B2 JP61277306A JP27730686A JPH0738405B2 JP H0738405 B2 JPH0738405 B2 JP H0738405B2 JP 61277306 A JP61277306 A JP 61277306A JP 27730686 A JP27730686 A JP 27730686A JP H0738405 B2 JPH0738405 B2 JP H0738405B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
lead
defective product
frame
continuity inspection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP61277306A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS63129638A (ja
Inventor
喜治 島
利春 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissei Plastic Industrial Co Ltd
Original Assignee
Nissei Plastic Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nissei Plastic Industrial Co Ltd filed Critical Nissei Plastic Industrial Co Ltd
Priority to JP61277306A priority Critical patent/JPH0738405B2/ja
Publication of JPS63129638A publication Critical patent/JPS63129638A/ja
Publication of JPH0738405B2 publication Critical patent/JPH0738405B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は各種電気機器の表示素子として用いられる発
光ダイオードの製造装置に関するものである。
〔従来の技術〕
一般に発光ダイオード(以下LEDという)は、注型成形
又は低圧トランスファ成形により樹脂(エポキシ樹脂、
シリコン樹脂、シリコンエポキシ樹脂等の熱硬化性樹
脂)封止され、その後、別工程によりカッティングさ
れ、更に別工程によって導通、外観、輝度等の検査を行
ってなっている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし上述した従来の方法では、熱硬化性の樹脂を用い
ていることから、硬化時間が長く、材料の再生ができ
ず、設備も大型化し易く、しかも別個に打ち抜き、検査
の工程を必要とすることから、更に設備が大型化し易い
が、その割に生産効率が上がらない問題があった。
この発明は上記従来の問題点を解決するために考えられ
たものであって、その目的は射出成形によるLEDチップ
及びワイヤーの樹脂封止から、打抜き、導通検査、導通
不良品の除去等の工程を連続して実施することができる
LEDの製造装置を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記目的によるこの発明の特徴は、機台上の射出装置及
び竪型の型締装置と、該型締装置の機台側と上部の可動
盤側とに分割して設けた金型とからなる射出成形機をも
って構成され、かつリードフレームの各リードメタル先
端にダイボンデング及びワイヤーボンデングされた発光
ダイオードのチップを、ワイヤーと共にリードメタル先
端部から射出成形により樹脂封止する封止部と、樹脂封
止部分の導通検査に要するリードフレームの打抜加工部
と、リードメタルのカソード側とアノード側とを通電し
て断線の有無を検査する導通検査部と、受台上に扇形回
動自在に軸承したリードフレーム載置用の枠体及び枠体
上側にセンサーと共に配設した下向きのポンチとを備
え、上記導通検査部からの入力情報に従って上記センサ
ーにより不良品を検出し、該不良品を上記ポンチにより
切断除去する不良品除去部とを順に配設し、それら各部
に沿ってリードフレームを順次移送する装置を設けてな
ることにある。
〔作用〕
上記構成では、封止部にて射出成形された熱可塑性樹脂
によりチップ及びワイヤーの樹脂封止が行われ、樹脂封
止後、リードフレームは次の打ち抜き加工部に移送され
る。この加工部にてリードメタルの部分的打ち抜きが行
われる。更にリードフレームは導通検査部に移送されて
導通検査が行われる。またリードフレーム中に不導通の
ものがあると、その位置を検出して切断し不良品として
除去される。
更にこの発明を図示の例により詳細に説明する。
〔実施例〕
1は封止部で、機台2の上に並設した2基のインライン
スクリュ式の射出装置3,4と、垂直方向に作用する竪型
直圧式型締装置5と、機台側と上部の可動盤6の両方に
分割して隣設した2組の金型7,8とからなる射出成形機
をもって構成され、第1の金型7に近接してリードフレ
ーム9のストッカ10が設置してある。
上記第1の金型7は、リードフレーム9の挿填部と、リ
ードメタル先端部を所定寸法より小さく一次的に樹脂封
止するキャビティを有しており、また第2の金型8は、
一次封止を完了したリードフレーム9の挿填部と、リー
ドメタル先端部を所定寸法に二次的に樹脂封止するキャ
ビティを有している。
打抜加工部11は上記第2金型8に隣接して機台上に設け
られた受台12と、受台側のダイスの上部にポンチを下向
きに設けた打抜機13とから構成されている。
また打抜加工部11の隣りには、機台上に設けた受台14
と、その上部の通電装置15の間にて、リードメタルのカ
ソード側とアノード側とを通電して断線の有無を検査す
る検査部16が設けてなる。
更に導通検査部16に隣接して、上記導通検査結果によ
り、導通が得られなかった部分のリードメタルを切断除
去する不良品除去部17が機台上に設けられている。
上記不良品除去部17は、第2図に示すように、受台18の
上にリードフレーム9を載置する枠体19が扇形回動自在
にラックとピニオンを用いて軸承してある。この枠体19
の上側にはセンサー(図は省略)と共にポンチ20が下向
きに配設され、そのセンサーの受光部21を枠体下側の受
台内に配設して、センサーにより不導通部分のリードメ
タルを検出できるようにしてあり、検出したリードメタ
ルを不良品として上記ポンチ20により切断する構造より
なる。
上記金型7,8を始め、ストッカ10、打抜加工部11、導通
検査部16、不良品除去部17は一定の間隔ごとに整列に設
定されて、1つの製造ラインを構成するとともに、側部
にストッカ10から製造ラインにリードフレーム9を往復
運動ごとに移送してセットする装置22が配設してある。
この移送装置22は各金型及び受台に沿って一定の間隔を
往復動する長尺の板体23と、その板体23の側面に設けら
れた所要数の挾持器24と、各挾持器24を進退移動するシ
リンダ25と、板体昇降用シリンダ26及び横移動用シリン
ダ27とから構成されている。
次に動作について説明する。
第1図の状態において、A〜E位置の挾持器24をシリン
ダ25の作動により、予め定めた位置まで前進移動する。
次に昇降用シリンダ26を作動して板体23と共に各挾持器
24を降下し、先端に設けた挾持部材24aをリードフレー
ム9に当接して挾持を行ったのち、昇降用シリンダ26を
作動して上昇させ、さらにシリンダ25を作動して挾持器
24をリードフレーム9と共に元に位置に引き戻す。
これにより各リードフレーム9は各部から取除かれるの
で、次に横移送用シリンダ27を作動して板体23と共に各
挾持器24を隣位する挾持器の位置まで移動する。そして
シリンダ25により再度挾持器24を所定の位置まで前進
し、更に昇降用シリンダ26を作動して前記と同様に各挾
持器24を降下させ、しかるのちリードフレーム9を下降
して金型7,8の固定型にインサート或は各受台12,14,18
の上にセットする。
セット後、各挾持器24は前回と同様に戻され、次の工程
に備える。
またセット後において、封止部1では金型7,8の型締が
行われて、第1の金型7には第1の射出装置3からキャ
ビティにアクリル樹脂などの熱可塑性樹脂が、低射出速
度及び低射出圧で充填され、仕上寸法よりも小さな封止
体28が、先端にLEDチップ29をダイボンディング及びワ
イヤーボンディングした一対のリードメタル9aの先端部
に形成されて、LEDチップ29及びワイヤー30を一次的に
樹脂封止する。
また第2の金型8では、第2の射出装置4からキャビテ
ィにアクリル樹脂またはPPS(ポリフエニレンサルファ
イド)などが高射出速度及び高射出圧により充填され、
上記封止体28の上から更に封止を行う第2の封止体31が
形成される。
上記打抜加工部11では、第6図に示すように一対のリー
ドメタル9aのアノード側がポンチにより打抜されて、リ
ードフレーム9における導通を可能となす。
また導通検査部16ではリードフレーム9に通電を行っ
て、ワイヤー30の断線による不導通の有無を検出し、そ
の情報を次の不良品除去部17に入力する。不良品除去部
17ではその入力情報に従ってセンサーにより不良品を検
出し、ポンチ20を作動して枠板19上のリードフレーム9
から不良品を切断する。不良品は封止体の重さにより反
転してシュータに落下して除去され、リードフレームは
枠体19の回動により他のシュータの上に送出される。
上記各部において作業が完了し、型開きが行われると、
再び移送装置22が作動して、リードフレーム9の供給及
び移送とセットが行われる。
なお上記実施例では、導通検査部16と不良品除去部17と
を別に構成したが、この2つの部分は1つの装置をもっ
て構成してもよい。
また封止は低速、低圧でアクリルを射出する一次封止
と、高速、高圧でPPSを射出する二次樹脂に分けたの
は、ワイヤーボンディングされた金線が樹脂の流動によ
り切れるのを防ぎ、かつ寸法精度を向上するためとハン
ダ付時の耐熱性を付与するためであり、一回の射出で封
止を完了させても良い(その際は歩留りは低下する)。
また、メタルフレームの供給、打ち抜き、検査、処理の
各工程間でのメタルフレームの移送手段等は、同目的を
達成できるものならいかなる手段によっても良い。
〔発明の効果〕
この発明は上述のように、機台上の射出装置及び竪型の
型締装置と、該型締装置の機台側と上部の可動盤側とに
分割して設けた金型とからなる射出成形機をもって構成
され、かつリードフレームの各リードメタル先端にダイ
ボンデング及びワイヤーボンデングされた発光ダイオー
ドのチップを、ワイヤーと共にリードメタル先端部から
射出成形により樹脂封止する封止部と、リードフレーム
の打抜加工部と、導通検査部と、不良品除去部とを順に
配設し、各部に沿って設けた移送装置により、リードフ
レームを順に移送して、射出成形による樹脂封止から不
良品の除去までを連続して行えるようにしたことから、
樹脂封止を行っている間に打抜き、導通検査、不良品の
検出排除等の一連の工程を完了することができる。また
封止装置として射出成形機を用いたので、熱可塑性樹脂
による封止が効率よくしかも精密に行え、封止体の硬化
も熱硬化性樹脂を用いた場合に比べて短時間で済むなど
のことから、発光ダイオードの製造に要する時間が著し
く短縮され量産が容易となる。
封止材料としても熱可塑性樹脂は再生できるので、封止
時に生じた樹脂のランナー枝の再利用による材料コスト
の節減も可能となる。
さらにまた上記不良品除去部を、受台上に扇形回動自在
に軸承したリードフレーム載置用の枠体と、枠体上側に
センサーと共に配設した下向きのポンチとから構成し
て、上記導通検査部からの入力情報に従って上記センサ
ーにより不良品を検出し、該不良品を上記ポンチにより
切断除去するようにしたので、リードフレーム中の不良
品を確実に除去でき、枠体による製品の送出は良品のみ
となることから、高品質なLEDを効率よく製造すること
ができ、これにより製造コストが低減する等の特長を有
する。
【図面の簡単な説明】
図面はこの発明に係る発光ダイオードの製造装置を例示
するもので、第1図は装置の説明図、第2図は不良品除
去部の説明図、第3図から第7図は各部における作業工
程を示すリードフレームの正面図である。 1……封止部、3,4……射出装置 7,8……金型、9……リードフレーム 10……ストッカー、11……打抜加工部 16……導通検査部、17……不良品除去部 22……移送装置、23……板体 24……挾持器、25……シリンダ 26……昇降用シリンダ 27……横移動用シリンダ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭55−33014(JP,A) 実開 昭51−129457(JP,U) 実開 昭59−8367(JP,U) 実開 昭50−42672(JP,U)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】機台上の射出装置及び竪型の型締付装置
    と、該型締装置の機台側と上部の可動盤側とに分割して
    設けた金型とからなる射出成形機をもって構成され、か
    つリードフレームの各リードメタル先端にダイボンデン
    グ及びワイヤーボンデングされた発光ダイオードのチッ
    プを、ワイヤーと共にリードメタル先端部から射出成形
    により樹脂封止する封止部と、 樹脂封止部分の導通検査に要するリードフレームの打抜
    加工部と、 リードメタルのカソード側とアノード側とを通電して断
    線の有無を検査する導通検査部と、 受台上に扇形回動自在に軸承したリードフレーム載置用
    の枠体及び枠体上側にセンサーと共に配設した下向きの
    ポンチとを備え、上記導通検査部からの入力情報に従っ
    て上記センサーにより不良品を検出し、該不良品を上記
    ポンチにより切断除去する不良品除去部とを順に配設
    し、 それら各部に沿ってリードフレームを順次移送する装置
    を設けてなることを特徴とする発光ダイオードの製造装
    置。
JP61277306A 1986-11-20 1986-11-20 発光ダイオードの製造装置 Expired - Fee Related JPH0738405B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61277306A JPH0738405B2 (ja) 1986-11-20 1986-11-20 発光ダイオードの製造装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61277306A JPH0738405B2 (ja) 1986-11-20 1986-11-20 発光ダイオードの製造装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63129638A JPS63129638A (ja) 1988-06-02
JPH0738405B2 true JPH0738405B2 (ja) 1995-04-26

Family

ID=17581697

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61277306A Expired - Fee Related JPH0738405B2 (ja) 1986-11-20 1986-11-20 発光ダイオードの製造装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0738405B2 (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4876356B2 (ja) * 2001-09-05 2012-02-15 ソニー株式会社 回路素子内蔵基板の製造方法、並びに電気回路装置の製造方法
US7709853B2 (en) * 2007-02-12 2010-05-04 Cree, Inc. Packaged semiconductor light emitting devices having multiple optical elements
US9061450B2 (en) 2007-02-12 2015-06-23 Cree, Inc. Methods of forming packaged semiconductor light emitting devices having front contacts by compression molding
CN102896201B (zh) * 2012-10-16 2015-04-01 杭州美卡乐光电有限公司 下模刀具、切筋刀具、下模底座、支架的定位方法、切筋模具和方法
CN103769778A (zh) * 2013-11-18 2014-05-07 深圳盛世天予科技发展有限公司 Led封装的共晶焊台
CN105344879A (zh) * 2015-12-14 2016-02-24 福建闽航电子有限公司 一种用于cqfj产品的引脚弯曲治具
CN105731032B (zh) * 2016-04-28 2023-03-28 重庆智能机器人研究院 新型高精度led灯脚裁切机构
WO2021128111A1 (zh) * 2019-12-26 2021-07-01 安徽世林照明股份有限公司 一种led灯管的引脚切割设备
CN114347372A (zh) * 2022-01-06 2022-04-15 东莞市米蕾电子科技有限公司 一种无需传统灯头及灯座的led灯泡及灯串自动化注塑设备

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51129457U (ja) * 1975-04-07 1976-10-19
JPS5533014A (en) * 1978-08-29 1980-03-08 Towa Electric Method of and device for automatically sorting and picking up electric part

Also Published As

Publication number Publication date
JPS63129638A (ja) 1988-06-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6664647B2 (en) Semiconductor device and a method of manufacturing the same
CN1956157A (zh) 形成引脚模块阵列封装的方法
JPH0738405B2 (ja) 発光ダイオードの製造装置
CN1159754C (zh) 树脂密封金属模和树脂密封型半导体器件及其制造方法
US11876003B2 (en) Semiconductor package and packaging process for side-wall plating with a conductive film
JP3577848B2 (ja) 半導体装置の外形カット方法及びそれに用いる半導体製造装置
CN1043173C (zh) 以槽形外壳构件组构的半导体二极管及其封装方法
CN106796931A (zh) 引线框、半导体装置的制造方法
JP2007307805A (ja) 半導体パッケージ製造装置、半導体パッケージ製造方法及び半導体パッケージ
JPH1079463A (ja) 半導体装置製造用切断装置
CN221775103U (zh) 一种汽车abs连接器上料注塑加工设备
CN221717645U (zh) 一种汽车连接器自动生产设备
US6269723B1 (en) Method and apparatus for enhancement of a punch guide/receptor tool in a dambar removal system
CN100346458C (zh) 半导体封装件模制系统的多余物分离装置
CN211640752U (zh) 一种隐形眼镜模具传送装置
JP3662126B2 (ja) リード屈曲装置及びそれを使用したリード屈曲方法
JPH11330112A (ja) 半導体装置の製造方法およびトランスファモールド装置
CN206677000U (zh) 一种用于分离sot‑89系列引线架上半导体产品的模具
KR100510741B1 (ko) 반도체 패키지 제조용 트림/포밍 장치
JPH0732408A (ja) 電子部品の樹脂モールド方法
JPH01321643A (ja) 半導体装置の樹脂封止装置
JPH0964079A (ja) 樹脂製品の成形方法およびそれに用いるリードフレーム
JP2006173155A (ja) Ledリードフレーム及びその製造に用いる射出成形用金型
JPH0750382A (ja) リードフレーム及びその製造方法並びにこれに用いる成形金型
JPS6381963A (ja) プレス成形機

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees