JP2008211205A - 複数の光学要素を有するパッケージ化された半導体発光デバイスを圧縮成形により形成する方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体発光デバイスをパッケージ化する方法は、前面上に半導体発光デバイスを有する基板を設けるステップを含む。第1の光学要素が、前面上の半導体発光デバイスの近傍に、第1の材料から形成される。第2の光学要素が、半導体発光デバイス及び第1の光学要素を覆って、第1の材料とことなる第2の材料から形成される。第1の光学要素および/または第2の光学要素は、各光学要素を圧縮成形することにより形成される。
【選択図】図7
Description
Claims (32)
- 半導体発光デバイスをパッケージ化する方法であって、
前面の上に前記半導体発光デバイスを有する基板を設けるステップと、
前記前面の上の前記半導体発光デバイスの近傍に、第1の材料から第1の光学要素を形成するステップと、
前記半導体発光デバイス及び前記第1の光学要素を覆って、前記第1の材料と異なる第2の材料から第2の光学要素を形成するステップと
を含み、
前記第1の光学要素を形成するステップ及び/又は前記第2の光学要素を形成するステップは、それぞれの光学要素を圧縮成形するステップを含むことを特徴とする方法。 - 前記第2の光学要素を形成するステップは、前記前面の上に、前記第2の光学要素を圧縮成形するステップを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第1の光学要素を形成するステップは、前記前面の上に、前記第1の光学要素を圧縮成形するステップを含むことを特徴とする請求項2に記載の方法。
- 前記第1の光学要素を圧縮成形するステップ及び前記第2の光学要素を圧縮成形するステップは、
前記第1の光学要素を形成するように構成された第1の成形キャビティ及び前記第2の光学要素を形成するように構成された第2の成形キャビティを備える自動成形装置に、前記基板を装着するステップと、
前記基板を、前記第1の成形キャビティの方に移動するステップと、
前記第1の成形キャビティ内において、前記第1の光学要素を前記前面の上に圧縮成形するステップと、
前記第1の光学要素を有する前記基板を、前記基板を前記自動成形装置から取り外すことなく前記第2の成形キャビティの方に移動するステップと、
前記第2の成形キャビティ内において、前記第2の光学要素を圧縮成形するステップと、
前記第1の光学要素および前記第2の光学要素を有する前記基板を、前記自動成形装置から取り外すステップと
を含むことを特徴とする請求項3に記載の方法。 - 前記基板は、前記前面の上に複数の半導体発光デバイスを備え、
前記第1の光学要素を圧縮成形するステップ及び前記第2の光学要素を圧縮成形するステップは、前記半導体発光デバイスの対応するそれぞれの上を覆って、前記前面の上に、複数の第1の光学要素を圧縮成形するステップ及び複数の第2の光学要素を圧縮成形するステップを含み、
前記第1の成形キャビティ及び前記第2の成形キャビティは、前記複数の半導体発光デバイスの対応するそれぞれの近傍に配置された、レンズ形状の複数のキャビティをそれぞれ備えることを特徴とする請求項4に記載の方法。 - 前記第2の光学要素を圧縮成形するステップは、前記第2の光学要素を、前記半導体発光デバイス及び前記第1の光学要素の上を覆って圧縮成形するステップを含むことを特徴とする請求項3に記載の方法。
- 前記第1の光学要素と前記第2の光学要素とは、パッケージ化された半導体発光デバイスに所望の光学特性を与えるように選択された異なる屈折率を有することを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 前記第1の光学要素および前記第2の光学要素は、パッケージ化された半導体発光デバイスに選択された視角を与えるように構成されることを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 前記第1の材料は、圧縮成形の間に前記第1の光学要素の前記基板への接着を促進するように、かつ/または、パッケージ化された前記半導体発光デバイスの熱サイクルの間に前記半導体発光デバイスおよび/または前記半導体発光デバイスに結合しているワイヤボンドに加えられる応力を制限するように選択された接着特性を有することを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 前記第1の材料および/または前記第2の材料は、蛍光体を含み、
前記第1の材料および/または前記第2の材料は、シリコーンを含むことを特徴とする請求項2に記載の方法。 - 前記基板を設けるステップは、反射キャビティを伴わずに、前記前面の上に前記前面と同じ高さに前記半導体発光デバイスを備え付けるステップを含み、
前記第2の光学要素は、前記半導体発光デバイスを囲む前記基板の前記前面の領域に成形され、前記領域から延在し、かつ、前記半導体発光デバイスを覆って延在することを特徴とする請求項2に記載の方法。 - 前記第1の光学要素を形成するステップは、圧縮成形以外のプロセスを用いて、前記第1の光学要素を形成するステップを含むことを特徴とする請求項2に記載の方法。
- 圧縮成形以外の前記プロセスは、ディスペンシング及び/又はボンディングを含むことを特徴とする請求項12に記載の方法。
- 前記第1の光学要素を形成するステップは、前記半導体発光デバイスの近傍ではあるが前記半導体発光デバイスを覆わずに前記第1の光学要素を形成するステップを含むことを特徴とする請求項12に記載の方法。
- 前記第2の材料は、前記第1の材料と異なる屈折率を有し、
前記第1の光学要素は、キャビティを画定するように成形され、
前記半導体発光デバイスは、前記キャビティ内に配置されることを特徴とする請求項14に記載の方法。 - 前記第2の材料は、圧縮成形の間に前記第2の光学要素の前記基板への接着を促進するように、かつ/または、パッケージ化された前記半導体発光デバイスの熱サイクルの間に前記発光デバイスおよび/または前記発光デバイスに結合しているワイヤボンドに加えられる応力を制限するように選択された接着特性を有することを特徴とする請求項14に記載の方法。
- 前記基板は、前記前面の上にコンタクトを備え、
前記第2の光学要素を圧縮成形するステップは、前記基板を圧縮成形して、前記半導体発光デバイスの上を覆う前記基板の前記前面の上の前記第2の光学要素と、前記基板の前記前面の上の前記コンタクトを含む領域を覆う残余コーティングとを形成するステップを含み、
前記方法は、前記コンタクトに損傷を与えることなく、前記コンタクトを覆う前記残余コーティングを取り除くステップをさらに含むことを特徴とする請求項2に記載の方法。 - 前記第1の光学要素または前記第2の光学要素は、前記半導体発光デバイス及び前記半導体発光デバイスを前記基板に結合するワイヤボンドの上を覆って圧縮成形され、前記ワイヤボンドに直接に接触することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記基板は、セラミック基板、MCPCB、可撓性回路基板、および/またはリードフレームを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記基板は、前記前面の上に複数の半導体発光デバイスを備え、
前記第1の光学要素を形成するステップおよび前記第2の光学要素を形成するステップは、前記半導体発光デバイスの対応するそれぞれの上を覆って、前記基板の前記前面の上に、複数の第1の光学要素を形成するステップおよび複数の第2の光学要素を成形するステップを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - パッケージ化された半導体発光デバイスであって、
基板と、
前記基板の前面の上に備え付けられた半導体発光デバイスと、
前記基板の前記前面の上の前記半導体発光デバイスの近傍の第1の光学要素と、
前記基板の前記前面の上の前記半導体発光デバイス及び前記第1の光学要素を覆う第2の光学要素と
を備え、
前記第1の光学要素および/または前記第2の光学要素は、圧縮成形された光学要素を備えることを特徴とするパッケージ化された半導体発光デバイス。 - 前記半導体発光デバイスは、反射キャビティを伴わずに前記基板の前記前面の上に前記前面と同じ高さに備え付けられ、
前記第2の光学要素は、前記半導体発光デバイスを囲む前記基板の前記前面の領域に成形され、前記領域から延在し、かつ、前記半導体発光デバイスを覆って延在することを特徴とする請求項21に記載のパッケージ化された半導体発光デバイス。 - 前記圧縮成形された光学要素は、シリコーンレンズを備えることを特徴とする請求項21に記載のパッケージ化された半導体発光デバイス。
- 前記半導体発光デバイスは、複数の半導体発光デバイスを備え、
前記圧縮成形された光学要素は、前記半導体発光デバイスの対応するそれぞれの上を覆う複数の圧縮成形された光学要素を備えることを特徴とする請求項21に記載のパッケージ化された半導体発光デバイス。 - 前記半導体発光デバイスに電気的に結合された、前記基板の前記前面の上のコンタクトをさらに備えることを特徴とする請求項21に記載のパッケージ化された半導体発光デバイス。
- 前記半導体発光デバイスは、複数の半導体発光デバイスを備え、
前記コンタクトは、各半導体発光デバイスに電気的に結合された、前記前面の上の複数のコンタクトを備え、
前記圧縮成形された光学要素は、前記半導体発光デバイスの対応するそれぞれを覆う複数の圧縮成形された光学要素を備えることを特徴とする請求項25に記載のパッケージ化された半導体発光デバイス。 - 前記圧縮成形された光学要素は、シリコーンレンズを備えることを特徴とする請求項26に記載のパッケージ化された半導体発光デバイス。
- 前記半導体発光デバイスを前記基板のコンタクト部分に電気的に結合するワイヤボンドをさらに備え、
前記圧縮成形された光学要素のうちの少なくとも1つは、前記ワイヤボンドに直接に接触することを特徴とする請求項25に記載のパッケージ化された半導体発光デバイス。 - 前記第1の光学要素と前記第2の光学要素とは、前記パッケージ化された半導体発光デバイスに所望の光学特性を与えるように選択された異なる屈折率を有することを特徴とする請求項21に記載のパッケージ化された半導体発光デバイス。
- 前記第1の光学要素および前記第2の光学要素は、前記パッケージ化された半導体発光デバイスに選択された視角を与えるように構成されていることを特徴とする請求項21に記載のパッケージ化された半導体発光デバイス。
- 前記第1の光学要素は、圧縮成形の間に前記第1の光学要素の前記基板への接着を促進するように、かつ/または、前記パッケージ化された半導体発光デバイスの熱サイクルの間に前記発光デバイスおよび/または前記発光デバイスに結合しているワイヤボンドに加えられる応力を制限するように選択された接着特性を有する第1の材料を含むことを特徴とする請求項21に記載のパッケージ化された半導体発光デバイス。
- 前記第1の光学要素は、第1の材料を含み、
前記第2の光学要素は、第2の材料を含み、
前記第1の材料および/または前記第2の材料は、蛍光体を含み、
前記第1の材料および/または前記第2の材料は、シリコーンを含むことを特徴とする請求項21に記載のパッケージ化された半導体発光デバイス。
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TW (1) | TWI466313B (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010123620A (ja) * | 2008-11-17 | 2010-06-03 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2010153500A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Nitto Denko Corp | 光半導体装置の製造方法 |
JP2011066335A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置の製造方法 |
JP2011187929A (ja) * | 2010-02-09 | 2011-09-22 | Sony Corp | 発光装置およびその製造方法 |
WO2013080596A1 (ja) | 2011-11-29 | 2013-06-06 | シャープ株式会社 | 発光デバイスの製造方法 |
JP2013161850A (ja) * | 2012-02-02 | 2013-08-19 | Towa Corp | 半導体チップの圧縮樹脂封止成形方法及び樹脂バリ防止用のテープ |
US8757826B2 (en) | 2011-01-21 | 2014-06-24 | Stanley Electric Co., Ltd. | Light-emitting device, method for producing the same, and illuminating device |
JP2015133369A (ja) * | 2014-01-10 | 2015-07-23 | アピックヤマダ株式会社 | 光デバイス及び光デバイスの製造方法 |
Families Citing this family (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7355284B2 (en) * | 2004-03-29 | 2008-04-08 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting devices including flexible film having therein an optical element |
KR100731678B1 (ko) * | 2006-05-08 | 2007-06-22 | 서울반도체 주식회사 | 칩형 발광 다이오드 패키지 및 그것을 갖는 발광 장치 |
US7709853B2 (en) * | 2007-02-12 | 2010-05-04 | Cree, Inc. | Packaged semiconductor light emitting devices having multiple optical elements |
US9061450B2 (en) * | 2007-02-12 | 2015-06-23 | Cree, Inc. | Methods of forming packaged semiconductor light emitting devices having front contacts by compression molding |
DE102007017855A1 (de) * | 2007-04-16 | 2008-10-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelementes und optoelektronisches Bauelement |
US9660153B2 (en) | 2007-11-14 | 2017-05-23 | Cree, Inc. | Gap engineering for flip-chip mounted horizontal LEDs |
US10008637B2 (en) | 2011-12-06 | 2018-06-26 | Cree, Inc. | Light emitter devices and methods with reduced dimensions and improved light output |
US9425172B2 (en) * | 2008-10-24 | 2016-08-23 | Cree, Inc. | Light emitter array |
US8044420B2 (en) * | 2009-01-15 | 2011-10-25 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Light emitting diode package structure |
US9255686B2 (en) | 2009-05-29 | 2016-02-09 | Cree, Inc. | Multi-lens LED-array optic system |
US9035328B2 (en) | 2011-02-04 | 2015-05-19 | Cree, Inc. | Light-emitting diode component |
US20110015987A1 (en) * | 2009-07-20 | 2011-01-20 | International Business Machines Corporation | Systems and methods for marketing to mobile devices |
TWM389811U (en) * | 2010-05-12 | 2010-10-01 | Ledtech Electronics Corp | Illumination structure and lamp tube structure for generating plural specifically directional light sources |
TWI407598B (zh) * | 2010-05-26 | 2013-09-01 | Advanced Optoelectronic Tech | 發光二極體封裝製程 |
EP2614694B1 (de) * | 2010-09-06 | 2020-02-26 | Heraeus Noblelight GmbH | Beschichtungsverfahren für ein optoelektronisches chip-on-board-modul |
TWI441361B (zh) * | 2010-12-31 | 2014-06-11 | Interlight Optotech Corp | 發光二極體封裝結構及其製造方法 |
US9673363B2 (en) | 2011-01-31 | 2017-06-06 | Cree, Inc. | Reflective mounting substrates for flip-chip mounted horizontal LEDs |
US9401103B2 (en) | 2011-02-04 | 2016-07-26 | Cree, Inc. | LED-array light source with aspect ratio greater than 1 |
US10686107B2 (en) | 2011-07-21 | 2020-06-16 | Cree, Inc. | Light emitter devices and components with improved chemical resistance and related methods |
WO2013013154A2 (en) | 2011-07-21 | 2013-01-24 | Cree, Inc. | Light emitter device packages, components, and methods for improved chemical resistance and related methods |
US10211380B2 (en) | 2011-07-21 | 2019-02-19 | Cree, Inc. | Light emitting devices and components having improved chemical resistance and related methods |
WO2013085874A1 (en) | 2011-12-05 | 2013-06-13 | Cooledge Lighting Inc. | Control of luminous intensity distribution from an array of point light sources |
US9496466B2 (en) | 2011-12-06 | 2016-11-15 | Cree, Inc. | Light emitter devices and methods, utilizing light emitting diodes (LEDs), for improved light extraction |
TWI527273B (zh) | 2012-02-02 | 2016-03-21 | Towa Corp | Method and apparatus for sealing resin sealing of semiconductor wafer and apparatus for preventing edge of resin |
WO2013116114A1 (en) * | 2012-02-02 | 2013-08-08 | Bridgelux, Inc. | Packaging photon building blocks having only top side connections in a molded interconnect structure |
US9698322B2 (en) | 2012-02-07 | 2017-07-04 | Cree, Inc. | Lighting device and method of making lighting device |
US8957580B2 (en) | 2012-02-13 | 2015-02-17 | Cree, Inc. | Lighting device including multiple wavelength conversion material layers |
US8946747B2 (en) | 2012-02-13 | 2015-02-03 | Cree, Inc. | Lighting device including multiple encapsulant material layers |
US9240530B2 (en) | 2012-02-13 | 2016-01-19 | Cree, Inc. | Light emitter devices having improved chemical and physical resistance and related methods |
US9343441B2 (en) | 2012-02-13 | 2016-05-17 | Cree, Inc. | Light emitter devices having improved light output and related methods |
US9653656B2 (en) | 2012-03-16 | 2017-05-16 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | LED packages and related methods |
US8637887B2 (en) | 2012-05-08 | 2014-01-28 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Thermally enhanced semiconductor packages and related methods |
US9059379B2 (en) | 2012-10-29 | 2015-06-16 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Light-emitting semiconductor packages and related methods |
EP3179468B1 (en) * | 2012-12-10 | 2022-01-19 | Daktronics, Inc. | Encapsulation of light-emitting elements on a display module |
US10103297B2 (en) | 2012-12-10 | 2018-10-16 | Daktronics, Inc. | Encapsulation of light-emitting elements on a display module |
US9618191B2 (en) | 2013-03-07 | 2017-04-11 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Light emitting package and LED bulb |
US9470395B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-10-18 | Abl Ip Holding Llc | Optic for a light source |
CA3015068C (en) | 2013-05-10 | 2019-07-16 | Abl Ip Holding Llc | Silicone optics |
CN104425671A (zh) * | 2013-08-21 | 2015-03-18 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管的制造方法 |
DE102015103571A1 (de) * | 2015-03-11 | 2016-09-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl an Konversionselementen, Konversionselement und optoelektronisches Bauelement |
US10840420B2 (en) * | 2015-10-30 | 2020-11-17 | Nichia Corporation | Method for manufacturing light emitting device |
JP6743801B2 (ja) * | 2017-10-27 | 2020-08-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
US20190157527A1 (en) * | 2017-11-22 | 2019-05-23 | GM Global Technology Operations LLC | Light emitting element package |
CN109445179A (zh) * | 2018-10-22 | 2019-03-08 | 青岛海信电器股份有限公司 | 发光二极管灯板、其防护封装方法、背光模组及显示装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63129638A (ja) * | 1986-11-20 | 1988-06-02 | Nissei Plastics Ind Co | 発光ダイオ−ドの製造装置 |
JP2001237462A (ja) * | 2000-02-22 | 2001-08-31 | Sanyo Electric Co Ltd | Led発光装置 |
WO2005104247A1 (ja) * | 2004-04-19 | 2005-11-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Led照明光源の製造方法およびled照明光源 |
JP2006148147A (ja) * | 2004-11-15 | 2006-06-08 | Lumileds Lighting Us Llc | Ledダイ上のオーバーモールドレンズ |
Family Cites Families (47)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0333162B1 (en) * | 1988-03-16 | 1994-06-15 | Mitsubishi Rayon Co., Ltd. | Phosphor paste compositions and phosphor coatings obtained therefrom |
US4918497A (en) * | 1988-12-14 | 1990-04-17 | Cree Research, Inc. | Blue light emitting diode formed in silicon carbide |
US5027168A (en) * | 1988-12-14 | 1991-06-25 | Cree Research, Inc. | Blue light emitting diode formed in silicon carbide |
US4966862A (en) * | 1989-08-28 | 1990-10-30 | Cree Research, Inc. | Method of production of light emitting diodes |
US5210051A (en) * | 1990-03-27 | 1993-05-11 | Cree Research, Inc. | High efficiency light emitting diodes from bipolar gallium nitride |
US5416342A (en) * | 1993-06-23 | 1995-05-16 | Cree Research, Inc. | Blue light-emitting diode with high external quantum efficiency |
US5338944A (en) * | 1993-09-22 | 1994-08-16 | Cree Research, Inc. | Blue light-emitting diode with degenerate junction structure |
US5393993A (en) * | 1993-12-13 | 1995-02-28 | Cree Research, Inc. | Buffer structure between silicon carbide and gallium nitride and resulting semiconductor devices |
US5604135A (en) * | 1994-08-12 | 1997-02-18 | Cree Research, Inc. | Method of forming green light emitting diode in silicon carbide |
US5523589A (en) * | 1994-09-20 | 1996-06-04 | Cree Research, Inc. | Vertical geometry light emitting diode with group III nitride active layer and extended lifetime |
US5631190A (en) * | 1994-10-07 | 1997-05-20 | Cree Research, Inc. | Method for producing high efficiency light-emitting diodes and resulting diode structures |
US5739554A (en) * | 1995-05-08 | 1998-04-14 | Cree Research, Inc. | Double heterojunction light emitting diode with gallium nitride active layer |
JP2947156B2 (ja) * | 1996-02-29 | 1999-09-13 | 双葉電子工業株式会社 | 蛍光体の製造方法 |
TW383508B (en) * | 1996-07-29 | 2000-03-01 | Nichia Kagaku Kogyo Kk | Light emitting device and display |
JPH11103097A (ja) * | 1997-07-30 | 1999-04-13 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
US5813753A (en) * | 1997-05-27 | 1998-09-29 | Philips Electronics North America Corporation | UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light |
US6201262B1 (en) * | 1997-10-07 | 2001-03-13 | Cree, Inc. | Group III nitride photonic devices on silicon carbide substrates with conductive buffer interlay structure |
US6252254B1 (en) * | 1998-02-06 | 2001-06-26 | General Electric Company | Light emitting device with phosphor composition |
JP3985332B2 (ja) * | 1998-04-02 | 2007-10-03 | 松下電器産業株式会社 | 半導体発光装置 |
US5959316A (en) * | 1998-09-01 | 1999-09-28 | Hewlett-Packard Company | Multiple encapsulation of phosphor-LED devices |
US6274924B1 (en) * | 1998-11-05 | 2001-08-14 | Lumileds Lighting, U.S. Llc | Surface mountable LED package |
US6204523B1 (en) * | 1998-11-06 | 2001-03-20 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | High stability optical encapsulation and packaging for light-emitting diodes in the green, blue, and near UV range |
US6521916B2 (en) * | 1999-03-15 | 2003-02-18 | Gentex Corporation | Radiation emitter device having an encapsulant with different zones of thermal conductivity |
JP2002050797A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-15 | Toshiba Corp | 半導体励起蛍光体発光装置およびその製造方法 |
US6747406B1 (en) * | 2000-08-07 | 2004-06-08 | General Electric Company | LED cross-linkable phospor coating |
US6635363B1 (en) * | 2000-08-21 | 2003-10-21 | General Electric Company | Phosphor coating with self-adjusting distance from LED chip |
US6518600B1 (en) * | 2000-11-17 | 2003-02-11 | General Electric Company | Dual encapsulation for an LED |
US6791119B2 (en) * | 2001-02-01 | 2004-09-14 | Cree, Inc. | Light emitting diodes including modifications for light extraction |
JP2002344030A (ja) * | 2001-05-18 | 2002-11-29 | Stanley Electric Co Ltd | 横方向発光型面実装led及びその製造方法 |
US6958497B2 (en) * | 2001-05-30 | 2005-10-25 | Cree, Inc. | Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures |
JP4122737B2 (ja) * | 2001-07-26 | 2008-07-23 | 松下電工株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP2003218399A (ja) * | 2002-01-22 | 2003-07-31 | Rohm Co Ltd | 反射ケース付半導体発光装置 |
US7264378B2 (en) * | 2002-09-04 | 2007-09-04 | Cree, Inc. | Power surface mount light emitting die package |
ATE543221T1 (de) * | 2002-09-19 | 2012-02-15 | Cree Inc | Leuchtstoffbeschichtete leuchtdioden mit verjüngten seitenwänden und herstellungsverfahren dafür |
TW200414572A (en) * | 2002-11-07 | 2004-08-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | LED lamp |
KR20040092512A (ko) * | 2003-04-24 | 2004-11-04 | (주)그래픽테크노재팬 | 방열 기능을 갖는 반사판이 구비된 반도체 발광장치 |
US7355284B2 (en) * | 2004-03-29 | 2008-04-08 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting devices including flexible film having therein an optical element |
JP2006032370A (ja) * | 2004-07-12 | 2006-02-02 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2006066786A (ja) * | 2004-08-30 | 2006-03-09 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | 発光ダイオード |
JP4953578B2 (ja) * | 2005-02-18 | 2012-06-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP5123466B2 (ja) * | 2005-02-18 | 2013-01-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US7405433B2 (en) * | 2005-02-22 | 2008-07-29 | Avago Technologies Ecbu Ip Pte Ltd | Semiconductor light emitting device |
JP4815843B2 (ja) * | 2005-04-01 | 2011-11-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US7105863B1 (en) * | 2005-06-03 | 2006-09-12 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Light source with improved life |
WO2007015426A1 (ja) * | 2005-08-04 | 2007-02-08 | Nichia Corporation | 発光装置及びその製造方法並びに成形体及び封止部材 |
JP4212612B2 (ja) * | 2006-08-01 | 2009-01-21 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
US7709853B2 (en) * | 2007-02-12 | 2010-05-04 | Cree, Inc. | Packaged semiconductor light emitting devices having multiple optical elements |
-
2007
- 2007-02-12 US US11/705,305 patent/US7709853B2/en active Active
-
2008
- 2008-02-08 DE DE102008008057A patent/DE102008008057A1/de not_active Withdrawn
- 2008-02-12 TW TW097104985A patent/TWI466313B/zh active
- 2008-02-12 JP JP2008030634A patent/JP2008211205A/ja active Pending
- 2008-02-13 CN CN200810088194XA patent/CN101261985B/zh active Active
-
2011
- 2011-02-21 JP JP2011034183A patent/JP2011109134A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63129638A (ja) * | 1986-11-20 | 1988-06-02 | Nissei Plastics Ind Co | 発光ダイオ−ドの製造装置 |
JP2001237462A (ja) * | 2000-02-22 | 2001-08-31 | Sanyo Electric Co Ltd | Led発光装置 |
WO2005104247A1 (ja) * | 2004-04-19 | 2005-11-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Led照明光源の製造方法およびled照明光源 |
JP2006148147A (ja) * | 2004-11-15 | 2006-06-08 | Lumileds Lighting Us Llc | Ledダイ上のオーバーモールドレンズ |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010123620A (ja) * | 2008-11-17 | 2010-06-03 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2010153500A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Nitto Denko Corp | 光半導体装置の製造方法 |
JP2011066335A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置の製造方法 |
JP2011187929A (ja) * | 2010-02-09 | 2011-09-22 | Sony Corp | 発光装置およびその製造方法 |
US8757826B2 (en) | 2011-01-21 | 2014-06-24 | Stanley Electric Co., Ltd. | Light-emitting device, method for producing the same, and illuminating device |
WO2013080596A1 (ja) | 2011-11-29 | 2013-06-06 | シャープ株式会社 | 発光デバイスの製造方法 |
US9006006B2 (en) | 2011-11-29 | 2015-04-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Manufacturing method for light-emitting device comprising multi-step cured silicon resin |
EP2924744A1 (en) | 2011-11-29 | 2015-09-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Manufacturing method for light-emitting device |
JP2013161850A (ja) * | 2012-02-02 | 2013-08-19 | Towa Corp | 半導体チップの圧縮樹脂封止成形方法及び樹脂バリ防止用のテープ |
JP2015133369A (ja) * | 2014-01-10 | 2015-07-23 | アピックヤマダ株式会社 | 光デバイス及び光デバイスの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011109134A (ja) | 2011-06-02 |
TWI466313B (zh) | 2014-12-21 |
TW200843152A (en) | 2008-11-01 |
US7709853B2 (en) | 2010-05-04 |
DE102008008057A1 (de) | 2008-08-21 |
CN101261985B (zh) | 2013-08-14 |
US20080194061A1 (en) | 2008-08-14 |
CN101261985A (zh) | 2008-09-10 |
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---|---|---|
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