200839862 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 板用玻 執行處 佈於半 處理工 至收納 氣體使 去（參 332322 備藉由 上方閉 該處理 自該開 -/τη. Π-2Ζ. 緣部上 本發明是關於處理例如半導體晶圓或LCD基 璃等之被處理體之處理裝置和處理方法，並且關於 理方法之記錄媒體。 【先前技術】 在例如半導體裝置之製造工程中，作爲剝離塗 導體晶圓（以下，稱爲「晶圓」）之表面之光阻之 程，所知的有將臭氧氣體和水蒸氣之混合氣體供給 於處理容器內之處理空間之晶圓，並藉由上述混合 光阻氧化，依此變質成水溶性，之後，藉由純水除 照日本特開2004_ 1 3 45 2 5號公報、日本特開2003· 號公報、日本特開2003 -224 1 02號公報）。 當作可溶處理所使用之處理裝置，所知的有具 在上面側形成有開口部之處理容器本體，和藉由自 塞上述開口部之蓋體所構成之處理容器之構成。在 容器中，自處理容器本體提起蓋體使開口部打開， 口部將被處理體放入至處理容器本體內。然後，使 邊緣部下面密著於開口部周圍（處理容器本體之邊 面），依此成爲密閉之處理空間。 蓋體是由例如汽缸機構等之蓋體移動機構由上方支 撐，藉由如此之蓋體移動機構之作動，使相對於處理容器 本體作升降動作（參照日本特開2003 -3 3 23 22號公報）。 200839862 再者，在該構成中，藉由蓋體移動機構之加壓力壓住蓋 體，則可以確實使蓋體密著於處理容器本體。 再者，作爲用以鎖定蓋體使蓋體不打開之鎖定機構， 提案有例如具備有多數之滾輪者（參照日本特開2 0 0 3 -3 3 23 22號公報）。如此之鎖定機構是在藉由蓋體關閉開口 部之狀態下，藉由多數滾輪自上下夾住保持蓋體之邊緣部 和處理容器本體之邊緣部，可以固定蓋體，維持對處理容 器本體密著之狀態。 在處理容器本體之邊緣部上面因密封蓋體之邊緣部下 面和處理容器本體之間，故例如具備有〇型環等之密封構 件。再者，提案有在處理容器本體之邊緣部上面，將兩個 密封構件雙層設置在內側和外側’並且將排氣路連接於該 些密封體之間，將密封構件之間減壓’依此成爲更提升密 封構件之密著性之構成（參照日本特開2003 -224 1 02號公 報）。 【發明內容】 [發明所欲解決之課題] 在以往之構成中，亦有因鎖定機構之構造或動作複 雜，而難以調整滾輪定位等之問題。但是，不設置鎖定機 構而僅以蓋體移動機構之動作’難以保持蓋體。即是’使 用例如上述般之臭氧氣體和水蒸氣之處理，因處理空間之 內壓相對於處理容器之外部壓力（外壓）被設定爲正壓’ 故產生使蓋體自處理容器本體遠離之力，再者’即使設置 -5- 200839862 密封構件也有容易變形之問題。因此，在蓋體和處理空間 本體之間產生間隙，有處理空間之環境洩漏至外部之虞， 較危險。再者，由於裝置之異常等，於蓋體移動機構之加 壓力下降之時，當不設置鎖定機構，會有蓋體自處理容器 本體離開，而使處理空間之環境洩漏至外部之虞。 本發明是鑒於上述點而所創作出，其目的爲提供可以 以簡單之構造保持處理容器之蓋體，防止處理空間之環境 洩漏至處理容器之外部之處理裝置、處理方法及記錄媒 體。 [用以解決課題之手段] 爲了解決上述課題，若藉由本發明，則提供一種處理 裝置，將被處理體收納於處理容器內之處理空間而予以處 理’其特徵爲：上述處理容器具備處理容器本體，和閉塞 上述處理容器本體之開口部之蓋體，藉由上述蓋體閉塞上 述開口部，藉此形成上述處理空間，並且在上述處理空間 之外側，爲形成較上述處理空間低壓之低壓空間的構成， 具備藉由密封上述處理容器本體和上述蓋體之間，自上述 處理空間隔斷上述低壓空間之第一密封部，和藉由在比上 述第一密封部更外側密封上述處理容器本體和上述蓋體之 間’自上述處理容器之外部隔斷上述低壓空間之第二密封 部’具備調節上述低壓空間之內壓的低壓空間壓力調節機 構’上述低壓空間之內壓在上述第二密封部執行密封之狀 態下，於上述第一密封部產生洩漏之內側洩漏狀態之時， -6- 200839862 藉由上述低壓空間壓力調節機構，調 內壓對上述處理容器之外部壓力成爲 上述低壓空間之內壓即使成爲. 時，藉由上述低壓空間壓力調節機構 間之內壓對上述處理容器之外部之壓 者，在上述第一密封部和上述第二密 執行密封之正常密封狀態中之上述處 相對於上述處理容器之外部壓力爲正 一密封部之耐熱性及對上述處理空間 較上述第二密封部高亦可。即使上述 述第一密封部高之密封性能亦可。 即使上述第一密封部藉由氟樹脂 述第一密封部接觸之第一密封部接觸 成亦可。上述第二密封部即使爲唇形 上述處理容器本體即使具備本體 上述本體基材裝卸之本體安裝構件， 處理流體供給至上述處理空間之供給 間排出上述處理流體之排出口係設置 亦可。 上述低空間之容積即使爲上述處 大小亦可。再者，即使成爲具備使上 器本體移動之蓋體移動機構，藉由上 上述處理容器本體壓住閉塞上述開口 之構成亦可。 節成上述處理空間之 等壓以下。 t述內側洩漏狀態之 ，調節成上述處理空 力成爲負壓亦可。再 封部中之任一者中均 理空間之內壓，即使 壓亦可。即使上述第 內之環境的耐腐蝕性 第二密封部具有較上 形成亦可。再者，上 面即使藉由碳矽而形 密封亦可。 基材，和安裝成可對 上述第一密封部、將 口，及自上述處理空 於上述本體安裝構件 理空間之容積以上之 述蓋體對上述處理容 述蓋體移動機構，對 部之狀態的上述蓋體 200839862 被供給至上述處理空間之處理流體即使爲臭氧氣體、 水蒸氣或是臭氧氣體和水蒸氣之混合流體亦可。 再者’若藉由本發明，則提供一種處理方法，爲將被 處理體收納於處理容器內之處理空間而予以處理的處理方 法’其特徵爲：將被處理體從形成於上述處理容器之處理 容器本體之開口部搬入至上述處理容器本體之內部，藉由 上述處理容器之蓋體閉塞上述開口部，形成上述處理空 間’在上述處理空間之外側，形成較上述處理空間低壓之 低壓空間，上述處理容器之外部、形成爲上述低壓空間、 上述處理空間爲互相隔斷之正常密封狀態，將上述低壓空 間減壓，使上述低壓空間之內壓，成爲上述處理空間和上 述低壓空間自上述處理容器外部被隔斷之狀態下成爲互相 連通之內側洩漏狀態之時之上述處理空間之內壓，相對於 上述處理容器之外部之壓力成爲等壓以下之壓力，而處理 上述處理空間內之被處理體。 在該處理方法中，即使使上述低壓空間之內壓，成爲 形成爲上述內側洩漏狀態之時之上述處理空間之內壓對上 述處理容器之外部之壓力成爲負極之壓力，而處理上述處 理空間內之被處理體亦可。再者，即使使上述正常密封狀 態中之上述處理空間之內壓相對於上述處理容器之外部壓 力成爲正壓，而處理上述處理空間內之被處理體亦可。再 者，即使一面對上述處理容器本體壓住閉塞上述開口部之 狀態的上述蓋體，一面處理上述處理空間內之被處理體亦 可。再者，即使將臭氧氣體、水蒸氣或是臭氧氣體和水蒸 -8- 200839862 氣之混合流體供給至上述處理空間，而處理上述處理空間 內之被處理體亦可。 又，若藉由本發明則提供一種記錄媒體，記錄有可藉 由處理裝置之控制電腦實行之程式，其特徵爲：上述程式 係藉由上述控制電腦而被實行，依此對上述處理裝置執行 上述中任一者所記載之處理方法。 若藉由本發明，藉由調節成在第一密封部產生洩漏之 內側洩漏狀態中之處理空間之內壓，相對於處理容器之外 部之壓力成爲等壓以下，可以防止蓋體自處理容器本體更 加分離。即是，可以防止在第二密封部中產生洩漏。因 此’即使在第一密封部產生洩漏之時，則可以防止處理空 間內之環境洩漏至處理容器外部。不使用以往所使用之鎖 定機構等之複雜構造，可以以簡單構造確實保持蓋體，可 以防止蓋體打開。不需要繁雜調整，再者，可以降低裝置 成本。 【實施方式】 以下’根據對當作被處理體之一例的晶圓，施予將塗 佈於晶圓表面之光阻予以水溶化而剝離之處理的處理系統 1，說明本發明之最佳實施形態。第1圖爲本實施形態所 涉及之處理系統1之平面圖。第2圖爲該側面圖。並且， 在本說明書及圖面中，針對具有實質性相同之功能構成的 構成要素，賦予相同符號，省略重複說明。 該處理系統1具有對晶圓W施予光阻水溶化處理及 -9 - 200839862
洗淨處理之處理部2，和對處理部2將晶圓W搬 搬入搬出部3，並且，具備有對處理系統1之各 制命令之控制電腦1 9。並且爲了說明，第1圖 中，在水平面內將處理部2和搬入出部3之寬方 Y方向，將處理部2和搬入出部3之排列方向（ 正交之方向）設爲X方向，將垂直方向定義成Z 搬入出部3是由設置有用以載置以特定間隔 收容多數片例如25片之大致圓盤狀之晶圓W之 體C)之載置台6之輸入出埠4，和具備有在被 置台6之載體C和處理部2之間執行晶圓W交接 運裝置7之晶圓搬運部5所構成。 晶圓W通過載體C之一側面而被搬入搬出， 之側面設置有可開關之蓋體。再者，用以以特定 晶圓W之架板設置在內壁，形成有收容晶圓W二 狹槽。晶圓 W是表面（形成半導體裝置之面） (將晶圓 W保持水平之時成爲上側之面）之狀 片收容於各狹槽。 在輸入出埠4之載置台6上可以例如將3個 於水平面之Y方向載置於特定位置。載體C是將 體之側面朝向輸入出埠4和晶圓搬運部5之境界 置。在境界壁8中，於對應於載體C之載置場所 成有窗部9，窗部9之晶圓搬運部5側設置有藉 開關窗部9之窗部開關機構1 0。 該窗部開關機構1 〇是設置於載體C之蓋體 入搬出之 部供給控 、第2圖 向定義成 與Y方向 方向。 可略水平 容器（載 載置於載 之晶圓搬 在載體c 間隔保持 L 25個之 成爲上面 態一片一 載體排列 設置有蓋 壁8側載 之位置形 由擋門等 依然可開 -10- 200839862 關，與窗部9之開關同時載體C之蓋體也開關。當打開窗 部9使載體C之晶圓搬入出口和晶圓搬運部5連通時，則 可對配設在晶圓搬運部5之晶圓搬運裝置7之載體C存 取，成爲可執行晶圓W搬運之狀態。 配設在晶圓搬運部5之晶圓搬運裝置7可移動至γ方 向和Z方向，並且構成可以Z方向爲中心軸旋轉自如。再 者，晶圓搬運裝置7具有把持晶圓W之取出收納機械臂 1 1，該取出收納機械臂1 1是在X方向成爲滑動自如。如 此一來，晶圓搬運裝置7存取至載置在載置台6之所有載 體C之任意高度之狹槽，再者，構成存取於配設於處理部 2之上下2台晶圓交接單元1 6、1 7，自輸入出埠4側朝處 理部2側，相反可以將晶圓W從處理部2側搬運至輸入 出埠4側。 處理部2具備有爲了在屬於搬運手段之主晶圓搬運裝 置1 8，和晶圓搬運部5之間執行晶圓W交接，暫時載置 晶圓W之兩個晶圓交接單元1 6、1 7，和4台洗淨單元 1 2、1 3、1 4、1 5，和當作將光阻予以水溶化處理之6台處 理裝置之處理單元23a〜23f。 再者，在處理部2配設有：具備使產生當作供給至處 理單元23a〜23f之處理流體之臭氧氣體的臭氧氣體產生 部40 (後述）及產生水蒸氣之水蒸氣產生部4 1 (後述） 之處理氣體產生單元24，和貯藏發送至洗淨單元1 2、 1 3、1 4、1 5之特定處理液之藥液貯藏單元2 5。在處理部2 之頂棚部於各單元及主晶圓搬運裝置1 8配置有用以使清 -11 - 200839862 淨空氣向下流之風扇過濾單元（FFU ) 26。 上述晶圓交接單元1 6、1 7任一者皆在與晶圓搬 之間暫時性載置晶圓W，該些晶圓交接單元1 6、1 下兩段重疊被配置。此時，下段之晶圓交接單元1 了將晶圓W載置成從輸入出埠4側搬運至處理部 使用，上段晶圓交接單元1 6可以用以將晶圓W載 處理部2側搬運至輸入出埠4側。 上述主晶圓搬運裝置18可在X方向和Z方向 並且構成以Z方向爲中心軸旋轉自如。再者，主晶 裝置1 8具有把持晶圓W之搬運機械臂1 8a，該搬 臂1 8 a爲在Y方向滑動自如。如此一來，主晶圓搬 1 8配設成可存取於上述晶圓交接單元1 6、1 7、洗 12〜15、處理單元23a〜23f之所有單元。 各洗淨單元12、13、14、15是在處理單元 23f，對施有光阻水溶化處理之晶圓 W，施予洗淨 乾燥處理。並且，洗淨單元12、1 3、14、1 5在上 各段各配設兩台。如第1圖所不般，洗淨單元1 2、 洗淨單元14、15對於構成該境界之壁面27具有對 造，但是除了對稱，各洗淨單元12、13、14、1 5 大略相同之構成。 另外，各處理單元23a〜23f執行將塗佈於晶| 面之光阻予以水溶化之處理。處理單元23 a〜23 f 圖所示般，在上下方向3段各段各配置兩台。在左 方依順序配設有處理單元2 3 a、2 3 c、2 3 e，在右段 運部5 7是上 7是爲 2側而 置成從 移動， 圓搬運 運機械 運裝置 淨單元 2 3 a〜 處理及 下兩段 13和 稱之構 具備有 1 W表 如第2 段自上 由上依 -12- 200839862 該順序配設有處理單元23b、23d、23f。如第1圖所示 般，處理單元23a和處理單元23b、處理單元23c和處理 單元23d、處理單元23e和處理單元23f雖然對構成該境 界之壁面2 8.具有對稱之構造，但是除了對稱，各處理單 元23a〜23f具備有大略相同之構成。 再者，對各處理單元23a〜23f供給當作處理流體之 臭氧氣體及水蒸氣之配管系統中之任一者皆具備有相同構 成。在此，接著，以處理單元23a爲例，針對該配管系統 和構造予以詳細說明。 第3圖爲處理單元23a之槪略構成圖。處理單元23a 具備有收納晶圓W之處理容器3 0。處理容器3 0是由設置 在上述處理氣體產生單元24內之臭氧氣體產生部40及水 蒸热產生部4 1 ’被供給當做處理流體之臭氧氣體及水蒸 氣。 臭氧氣體產生部40形成爲藉由在含氧氣體中放電， 產生臭氧氣體之構造。臭氧氣體產生部40相對於處理系 統1所具備之各處理單元2 3 a〜2 3 f爲共通。於直接連接 於臭氧氣體產生部40之臭氧元流路45以分歧之方式連接 有對應於各個各處理單元23a〜23f而設置之臭氧主流路 46。臭氧主流路46設置有針閥47和流量計48，成爲可以 以所欲之流量，將在臭氧氣體產生部4 0所產生之臭氧氣 體供給至處理單元23a之處理容器30。 臭氧主流路4 6之下游側經切換閥5 0連接於將臭氧氣 體供給至處理容器3 0之處理側臭氧氣體流路5 1，和使臭 -13- 200839862 氧氣體於處理容器3 0迂迴流通之旁通側臭氧氣體流 52。切換閥50爲三方閥，切換成將在臭氧氣體產生部 產生之臭氧氣體經由處理側臭氧氣體流路5 1供給至處 單元2 3 a之處理容器3 0之狀態，和不供給至處理容器 而流通於旁通側臭氧氣體流路5 2之狀態。並且，旁通 臭氧氣體流路52之下游側經防止臭氧氣體逆流之逆流 止節流閥5 3，連接於後述之主排出流路1 〇 5。 水蒸氣產生部4 1成爲藉由使自外部所供給之純水 騰而產生水蒸氣之構成。水蒸氣產生部4 1相對於處理 統1所具備之各處理單元23a〜23f爲共通，直接連接 水蒸氣產生部4 1之水蒸氣元流路5 5以分歧之方式連接 對應於各個處理單元 23a〜23f而設置之水蒸氣主流 56 〇 於水蒸氣元流路5 5連接有具備有壓力開關5 7和釋 閥5 8之排氣管路5 9，當水蒸氣產生部4 1之壓力超過設 壓力値之時，水蒸氣之一部份從排氣管路59排氣至 部。依此，水蒸氣元流路5 5內經常保持在一定之水蒸 壓。再者，在水蒸氣元流路5 5裝設有配管保溫加熱 6 0，保持在例如1 1 〇 °c〜1 2 0 °c左右之溫度。依此，防止 蒸氣元流路55內中之水蒸氣之溫度下降。 自水蒸氣元流路5 5分歧而設置之水蒸氣主流路5 6 置有節流閥6 5和針閥6 6。該些節流閥6 5和針閥6 6是 作用以所欲之流量使在水蒸氣產生部4 1所產生之水蒸 供給至處理單元2 3 a之處理容器3 0的流量調節機構而 路 40 理 30 側 防 沸 系 於 有 路 放 定 外 氣 器 水 設 當 氣 發 -14- 200839862 揮功能。 水蒸氣主流路56之下游側經切換閥70連接於將水 氣供給至處理容器3 0之處理側水蒸氣流路7 1，和使水 氣流通迂迴處理容器3 0之旁通側水蒸氣流路7 2切換閥 爲三方閥，切換成經處理側水蒸氣流路7 1，將在水蒸氣 生部4 1所產生之水蒸氣供給至處理單元2 3 a之處理容 3 0之狀態，和不供給至處理容器3 0通往旁通側水蒸氣 路72之狀態。 接著，針對處理容器3 0予以說明。第4圖爲表示 理容器3 0之槪略構成之縱剖面圖，表示藉由蓋體8 1閉 處理容器本體80之開口部80a之狀態。第5圖爲表示 開口部8 0a使蓋體8 1隔離之狀態。第6圖爲自上方觀 處理容器30之處理容器本體80之平面圖。第7圖爲自 方觀看處理容器30之蓋體81之底面圖。 如第4圖及第5圖所示般，處理容器30具備有構 上面開口，底面密封之中空圓筒形狀之處理容器本體80 和自上方閉塞形成在該處理容器本體80之上面側之開 部8 0a (上面開口部）的圓板形狀之蓋體8 1。即是，成 藉由蓋體81閉塞開口部80a，於處理容器30之內部（ 理容器本體8 0和蓋體81之間），形成收納晶圓W而 行處理之處理空間83。並且，在處理容器30之外側， 處理容器本體80之邊緣部和蓋體8 1之邊緣部之間，爲 使蓋體8 1對處理容器本體8 0密著，形成有較處理空間 低壓之低壓空間84。在處理容器3 0之上方，設置有使 蒸 蒸 70 產 器 流 處 塞 白 看 下 成 ， □ 爲 處 執 於 了 83 蓋 -15- 200839862 體81相對於處理容器本體80升降移動之蓋體移動機 86 ° 在處理容器本體80之內部中，在處理容器本體80 底面設置有用以略水平載置晶圓W之載置台91。再者 在處理容器本體80之底面，於載置台9 1之兩側，開口 當作處理流體之臭氧氣體及水蒸氣供給至處理空間83 供給口 92，和使處理流體自處理空間83排出之排出 93。並且，如後述般，可通過該供給口 92，將當作沖洗 體之N2氣體（氮氣體）供給至處理空間8 3，再者，可 過排出口 93，排出N2氣體。 在供給口 92連接有上述處理側之臭氧氣體流路5 1 下游側，和處理側水蒸氣流路7 1之下游側。在排出口 連接有後述之主排出流路1 3 1。 在載置台9 1之上面開口有用以吸附保持晶圓W之 附口 95。吸附口 95連接有吸附用吸引路96，吸附用吸 路96是在處理容器30之外部連接具備例如噴射器等之 附用吸引機構97。即是，藉由吸附用吸引機構97之動 減壓吸附用吸引路96和吸附口 95內，依此吸附晶圓 之下面，構成保持於載置台9 1。 再者，在處理容器本體80設置有在處理空間83之 側密封處理容器本體80和蓋體8 1之間的雙層密封構造 即是，藉由密封處理容器本體8 0和蓋體8 1之間，自處 空間83遮斷低壓空間84之第一密封部101，和在比第 密封部1 〇 1更外側密封處理容器本體80和蓋體8 1之間 構 之 將 之 □ 氣 通 之 93 吸 引 吸 作 W 外 〇 理 -16 - 200839862 自處理容器30之外部隔絕低壓空間84 (及處理空間83 ) 之第二密封部102。 第一密封部1 〇 1是沿著處理空間83和低壓空間84之 間而設置。即是，在比處理容器本體80之圓筒狀之側壁 8 0b更內側並且比載置台91更外側，自處理容器本體80 之底面突出至上方。再者，以沿著側壁80b之內側面包圍 載置台91之方式，設置成略圓形之環狀（參照第6 圖）。如此第一密封部1 〇 1之上面對蓋體8 1之下面（後 述第一密封部接觸面1 1 6a )壓接，成爲密著。再者，藉由 第一密封部1 〇 1所包圍之內側空間成爲處理空間8 3，構成 較第一密封部1 〇 1更外側之空間（形成在第一密封部1 0 1 和側壁80b之間之環狀之間隙）成爲構成低壓空間84之 下部之下側溝部84a。即是，處理空間83和下側溝部84a (低壓空間84 )成爲藉由第一密封部1 0 1區隔。 該第一密封部1 0 1因在晶圓W處理中直接對處理空 間8 3內之環境（處理流體）曝曬，故要求藉由對處理空 間8 3內之環境耐腐蝕性優良之材質，再者對處理空間8 3 內之溫度耐熱性優良之材質形成。尤其，相較較於對處理 空間8 3內之環境直接不曝曬之第二密封部1 0 2，藉由對處 理空間8 3內之環境之耐腐蝕性、耐熱性等爲高之材質而 形成爲佳。就以該材質而言，以使用例如PTFE (聚四氟 乙烯）等之氟樹脂爲佳。 並且，如後述般，在蓋體81中第一密封部1 01接觸 之第一密封部接觸面1 1 6a藉由氟樹脂塗佈於例如矽 -17- 200839862 (Si )、碳化矽（Sic )石英或金屬而形成。即是，本實 施形態是藉由使氟樹脂和碳化矽（或是矽）面接觸’構成 發揮第一密封部1 0 1中之密封性能。 並且，在圖示之例中，不僅第一密封部1 〇 1，即使在 處理空間83之底面邊緣部、上述供給口 92、排出口 93、 吸附口 8 8、載置台91之邊緣部等（即是，將晶圓W載置 在載置台9 5之狀態中也對處理空間8 3露出，晶圓W之 處理中，直接曝曬於處理空間8 3內之環境之部份），也 藉由與第一密封部101相同之材質而形成。並且，第一密 封部1 0 1構成可與處理空間8 3之底面邊緣部、供給口 92、排出口 93、吸附口 88、載置台91之邊緣部等一體性 裝卸。 即是，處理容器本體8 0是由例如鋁等之熱傳導性佳 之材料所構成之本體基材1 0 5，和具備有第一密封部1 0 1 等且安裝成可對本體基材105裝卸之本體安裝構件106而 構成。本體安裝構件1 06是形成俯視觀看成爲略圓形之環 狀（參照第6圖），設置在較處理容器本體8 0之側壁8 Ob 更內側。然後，藉由無圖式之螺栓等之安裝用零件，對本 體基材105固定成可裝卸。再者，本體安裝構件106藉由 對處理空間8 3內之環境耐蝕性、耐熱性等優良之材質， 例如P T F E等所形成。如此之本體安裝構件1 〇 6形成有第 一密封部1 0 1。再者，上述供給口 9 2、排出口 9 3、吸附口 88也在比第一密封部1〇1更內側，開口於本體安裝構件 106。另外，載置台91之大部份（即是，在將晶圓W載 -18- 200839862 置在載置台95之狀態中接觸於晶圓W而覆蓋之部份）雖 然藉由本體基材105而形成，但是載置台91之邊緣部是 藉由本體安裝構件106所形成。因此，藉由將本體安裝構 件1 0 6相對於本體基材1 0 5裝卸，可以使第一密封部 101、供給口 9 2、排出口 9 3、吸附口 8 8、載置台91之邊 緣部等一體性對處理容器本體8 0裝卸。即是，於更換第 一密封部101之時，若更換本體安裝構件106全體時即 可，當成爲如此構成時，可以一起更換第一密封部1 〇 1、 供給口 92、排出口 93、吸附口 88、載置台91之邊緣部 等，可以簡化維修作業等。 第二密封部1 02爲例如唇形密封，具備有形成自側壁 80b之上面突出成逆圓錐台面形狀之唇部l〇2a。再者，在 俯視觀看構成略圓形之環狀（參照第7圖），沿著處理容 器本體80之側壁80b之上面而設置。 如第5圖所示般，唇部l〇2a在自處理容器本體80使 蓋體8 1隔離之狀態，即是在不施加外力之狀態，成爲隨 著自基端部朝向上方之前端部（自側壁8 Ob上面側朝向後 述之第二密封部接觸面1 1 5 a側），傾斜成逐漸自開口部 8 0a隔離朝向外側之形狀’即是成爲逆圓錐台面形狀。另 外，如第4圖所示般，在使蓋體81接近於處理容器本體 80之狀態下，唇部l〇2a被夾於處理容器本體80和蓋體 8 1之間，被推至外側。即是’反抗於唇部1 〇2a之彈性力 而彈性變形，沿著處理容器本體8 0和蓋體8 1之間，自基 端部橫向設置，成爲壓接於蓋體81之下面（後述之第二 -19- 200839862 密封部接觸面1 1 5 a側）。 第二密封部102因通常不直接曝曬於處理空間83之 環境，故即使藉由比第一密封部1 0 1相對於處理空間8 3 之環境耐腐飩性弱之材質而形成亦可，但是當在第一密封 部102產生洩漏時，因有曝露於處理空間83之環境之 虞，故以持有適當耐腐蝕性爲佳。再者’以藉由比第一密 封部1 〇 1柔軟性爲高之彈性體形成爲佳。本實施形態中之 第二密封部1 0 2是藉由V IT ON (註冊商標，氟彈性體）形 成。 即是，如後述般，在蓋體81接觸第二密封部102之 面（後述之第二密封部接觸面1 1 5 a )是藉由鋁所形成。即 是，在本實施形態中，藉由使氟橡膠和鋁面接觸，構成執 行第二密封部102之密封。 如此之第二密封部1 02因藉由可彈性變形之材質而形 成，故在處理容器本體80和蓋體8 1之間具有高密封性 能，尤其，發揮較上述第一密封部1 0 1之密封性能高之密 封性能。換言之，第二密封部1 〇2和蓋體8 1 (後述之第二 密封部接觸面1 1 5 a )之間的密著性成爲第一密封部1 〇 1和 蓋體8 1 (後述第一密封部接觸面1 1 6a )之間的密著性高 之構造。 即是，例如第8圖所示般，在蓋體81相對於處理容 器本體8 0些許上昇之狀態下，第一密封部1 0 1之上面自 蓋體81僅離開些許，在第二密封部102，藉由唇部102a 之彈性力（復原力），唇部1 〇2a追隨蓋體8 1上昇而變 -20- 200839862 形。因此，唇部l〇2a之前端部自蓋體81不分離，第二密 封部1 02中之密封持續。因此，於蓋體81之上昇量小 時，在第一密封部1 0 1中，形成間隙而產生洩漏，即使成 爲處理空間83和低壓空間84互相連通之狀態下，在第二 密封部102不產生洩漏，可以維持自處理容器30之外部 隔絕低壓空間84 (及處理空間83 )之狀態。即是，在第 二密封部1 02中執行密封之狀態下，成爲僅在內側之第一 密封部1 〇 1，可以維持洩漏產生之內側洩漏狀態。 接著，針對蓋體8 1予以說明。第4圖、第5圖及第7 圖所示之例中，蓋體8 1具備有例如由鋁等之熱傳導性佳 之材料所構成之蓋體基材115、設置在蓋體基材115之下 面，對於處理空間8 3內之環境耐腐蝕性、耐熱性佳之材 質（例如，矽（Si )或是碳化矽（SiC )等）所形成之下 面板1 1 6。 下面板1 1 6之下面邊緣部成爲上述第一密封部1 01接 觸之環狀之第一密封部接觸面116a。另外，蓋體基材115 之下面邊緣部在較下面板1 1 6更外圍側，構成上述第二密 封部102接觸之環狀第二密封部接觸面U5a。 在蓋體基材115之邊緣部（第一密封部接觸面116a 和第二密封部接觸面1 1 5a之間）設置有構成低壓空間84 之上部之環狀上側溝部84b。上述下側溝部84a和上側溝 部8 4b於藉由蓋體81關閉開口部80a之時，成爲互相上 下連通，根據該些，在處理空間8 3之周圍，形成環狀之 低壓空間8 4。 -21 - 200839862 並且，在上側溝部84b連接有低壓空間壓力調節路 1 1 8，在低壓空間壓力調節路1 1 8於處理容器3 0之外部連 接有可調節低壓空間84之內壓之低壓空間壓力調節機構 1 20。低壓空間壓力調節機構1 20具備有例如噴射器等。 藉由該低壓空間壓力調節機構1 20，可以吸引上側溝部 84b內（低壓空間84 )之環境而予以減壓，例如後述般， 可將正常密封狀態（即使在第一密封部1 〇 1和第二密封部 1 02中之任一者也正常執行密封之狀態）中之低壓空間84 之內壓PL1，設成比正常密封狀態下之處理空間83之內壓 PP1、處理容器30之外部之壓力PG (在本實施形態中爲大 氣壓（大約 101.3kPa))等低壓（Pu'PoSPp!)。 並且，低壓空間壓力調節機構1 20是以將正常密封狀 態下之低壓空間84之內壓PL1調節成成爲內側洩漏狀態 之時之處理空間83之內壓PP2相對於處理容器30之外部 之壓力PG成爲負壓之壓力的方式加以控制。如此之正常 密封狀態下之處理空間83之內壓PP1、正常密封狀態中之 低壓空間84之內壓PL1、內側洩漏狀態中之處理空間83 之內壓PP2、內側洩漏狀態下之低壓空間84之內壓PL2、 處理容器30之外部之壓_力（外壓）PG、處理空間83之容 積VP、低壓空間84之容積VL之關係則以下式（1 )表 不 ° (P P 1 V p + P L 1 V L )/( V P + V L ) = P P2 二 P L2 < P 0 …（1) -22- 200839862 即是，正常密封狀態中之低壓空間84之內壓Pli和 低壓空間8 4之容積V L被設定成內側洩漏狀態中之低壓空 間84之內壓PL2相對於外壓P〇成爲負壓之値。 並且，越增大低壓空間84之容積VL，則越可以縮小 內側洩漏狀態下之處理空間83之內壓PP2。換言之’因越 增大低壓空間84之容積VL，正常密封狀態下之低壓空間 8 4之內壓P L !即使高亦可，故可以降低低壓空間壓力調節 機構120之負擔。因此，容積VL在處理容器30設計容許 之範圍內越大越佳。例如，容積即使爲處理空間8 3之 容積VP以上之大小亦可。 蓋體81是藉由蓋體移動機構83自上方保持。作爲蓋 體移動機構86使用具備有例如第4圖所示之汽缸本體86a 和活塞桿86b之汽缸機構。在圖示之例中，汽缸本體86a 是在蓋體81之上方，安裝於相對於處理單元23a之框體 等被固定之固定架台122。活塞桿86b是從汽缸本體86a 之下端部突出，將長度方向朝上下方向（Z方向）設置， 在汽缸本體86a之下方，設置成沿著上下方向伸縮。在該 活塞桿86b之下端部固定蓋體81 (蓋體基材115 )之上面 中央部。 即是，蓋體8 1是在蓋體移動機構8 6使活塞桿8 6 b伸 長，依此使活塞桿8 6b —體性下降，接近於處理容器本體 80，並且使活塞桿86b收縮，依此一體性使活塞桿86b上 昇，自處理容器本體8 0分離。例如，於將晶圓w搬入出 至例如處理容器3 0之內部之時，在蓋體移動機構8 6中， -23- 200839862 使活塞桿86b收縮，藉由使蓋體81上昇，使開口部80a 開口’開放處理空間83。再者，藉由蓋體8 1閉塞開口部 8 0a，於處理空間8 3成爲正壓之狀態（晶圓W之處理中 等）中，可以從蓋體移動機構8 6對蓋體8 1施予反抗處理 空間83之正壓之加壓力（推力）。即是，藉由蓋體移動 機構8 6之加壓力，以將蓋體8 1從處理容器3 0之外部 (上方）推壓至下方之方式，予以推彈，依此，將蓋體保 持成不打開開口部80a，對於上述第一密封部接觸面li6a 第二密封部接觸面1 1 5 a，使上述第一密封部1 〇 1、第二密 封部102各予以確實密著。 再者，在處理容器3 0具備有調節處理空間83之環境 溫度之加熱器125、126。加熱器125安裝於處理容器本體 80(本體基材105)之下部加熱器126設置在蓋體81 (蓋 體基材115)。 並且，在處理容器3 0設置有用以在載置台9 1上使晶 圓W升降之晶圓升降機構128。晶圓升降機構128具備有 抵接於晶圓W之下面，保持晶圓W之升降銷1 2 8 a，和使 升降銷128a相對於載置台91升降移動之升降驅動手段 128b。升降銷128a通往被設置成在載置台91之上面和處 理容器本體80之下面之間以上下方向貫通的貫通孔128c 內。升降銷128a和貫通孔128c之間藉由貫通孔密封構件 128d被密封，構成處理空間83內之環境不會從貫通孔 1 2 8 c洩漏至外部。並且，在圖式之例中，升降銷1 2 8 a和 貫通孔128c在俯視觀看是被設置在載置台91之中央部 -24- 200839862 (藉由本體基材105所構成之部份），使晶圓W之下面 中央部載置於升降銷128a之上端部而予以支撐。升降驅 動手段128b設置在處理容器本體80之下方。 連接於上述排出口 93之主排出流路131是如第3圖 所示般，依序設置切換閥132、壓力開關133、逆流防止 節流閥1 3 4、空氣操作閥1 3 5及釋放閥1 3 6。主排出流路 131之下游端連接具備有臭氧分解器等之排氣處理裝置 1 3 7。再者，在主排出流路1 3 1中，於逆流防止節流閥1 3 4 和空氣操作閥1 3 5之間連接有上述旁通側臭氧氣體流路5 2 和上述旁通側水蒸氣流路72之下游側。 除此之外，在該實施形態中，於處理側臭氧氣體流路 5 1之途中連接有N2氣體供給流路1 4 1。該N2氣體供給流 路141自由處理系統1外之N2供給源供給N2氣體之N2 氣體元流路142分歧而被設置。再者，在N2氣體供給流 路1 4 1設置有控制N2氣體之供給的空氣操作閥1 43。 再者，設置在主排出流路1 3 1之切換閥1 3 2連接有 N2氣體排出流路145。切換閥132爲三方閥，如後述般， 切換成使當作通過排出口 93自處理容器3 0排出之處理流 體之臭氧氣體及水蒸氣，通過主排出流路1 3 1而排出之狀 態，和如後述般，將當作通過排出口 9 3而自處理容器3 0 內排出之沖洗氣體之N2氣體，通過N2氣體排出流路145 而排出之狀態。 並且’以上雖然以處理單元23 a爲代表例而予以說 明，但是其他處理單元23b〜23f也具備有相同構成。 -25- 200839862 處理系統1之各功能要素是經訊號線等連接於將處理 系統1全體之動作予以自動控制之控制電腦1 9 (參照第1 圖）。在此’功能要素意味著爲了實現例如設置在上述搬 入出邰3之晶圓搬運裝置7、窗部開關機構10、設置在處 理部2之主晶圓搬運裝置18、4台洗淨單元12、13、14、 15、處理氣體產生單元24所具有之臭氧氣體產生部40及 水蒸氣產生部41、藥液貯藏單元25、還有各處理單元23a 〜23f中之切換閥50、70、132、蓋體移動機構86、低壓 空間壓力調節機構120、加熱器125、126等之特定製程條 件而動作之所有要素。控制電腦1 9典型上爲可以依存實 行之軟體而實現任意功能之泛用電腦。 如第1圖所示般，控制電腦19具有備有CPU (中央 運算裝置）之運算部19a、連接於運算部19a之輸入輸出 部1 9b，和被插入於輸入輸出部1 9b，儲存控制軟體之記 錄媒體1 9c。該記錄媒體1 9c記錄有藉由控制電腦1 9所實 行，使處理系統1執行後述特定之基板處理方法之控制軟 體（程式）。控制電腦1 9藉由實行該控制軟體，將處理 系統1之各功能要素控制成實現藉由特定製程處理程式所 定義之各種製程條件（例如處理空間83之溫度、處理空 間83之內壓PP1、低壓空間84之內壓PL1等）。 記錄媒體1 9c即使爲固定性設置在控制電腦1 9者， 或裝卸自如安裝於設置在控制電腦1 96之無圖式讀取裝置 而可藉由該讀取裝置讀取者亦可。在最典型之實施形態 中，記錄媒體1 9c爲藉由處理系統1之廠商人員安裝控制 -26- 200839862 軟體之硬碟驅動器。在其他實施形態中，記錄媒體1 寫入控制軟體之CD-ROM或是DVD-ROM般之可移除 碟。該可移除式磁碟藉由設置在控制電腦1 9之無圖 光學性讀取裝置被讀取。再者，記錄媒體1 9c即使爲 (Random Access Memory )或是 ROM ( Read Memory)中之任一者之形式者亦可。並且，記錄媒體 即使爲卡匣式之ROM般者亦可。即是，可將在電腦 術領域中所知之任意者當作記錄媒體1 9c使用。並且 配置多數處理系統1之工場中，統籌性控制各處理系 之控制電腦1 9之管理電腦即使儲存有控制軟體亦可 時，各處理系統1經通訊迴路藉由管理電腦被操作， 特定製程。 接著，說明如上述般所構成之處理系統1中之晶 之處理工程。首先，藉由取出收納機械臂1 1自載置 入出埠4之載置台6之載體C 一片一片取出晶圓W， 由取出收納機械臂1 1所取出之晶圓W搬運至下段之 接交單元1 7。如此一來，主晶圓搬運裝置1 8自晶圓 單元1 7接收晶圓W，藉由主晶圓搬運裝置1 8適當搬 各處理單元 23a〜23f。然後，在各處理單元 23a> 中，使塗佈於晶圓W表面之光阻水溶化。完成特定 水溶化處理之晶圓W藉由搬運機械臂1 8 a自各處理 23a〜23f適當被搬出。之後，晶圓W藉由搬運機械f 適當被搬入至各洗淨單元12、13、14、15，藉由純水 予除去附著於晶圓W之被水溶化之光阻的洗淨處理 9 c爲 :式磁 式之 RAM Only [19c 之技 ，在 :統1 。此 實行 圓W 於輸 將藉 晶圓 交接 入至 〜23f 光阻 單元 r 18a 等施 。依 -27- 200839862 此，剝離塗佈於晶圓 W之光阻。各洗淨單元12、13、 14、1 5是於對晶圓W施予洗淨處理之後，因應所需，藉 由藥液處理執行微粒、金屬除去處理之後，執行乾燥處 理，之後，晶圓W再次藉由搬運機械臂1 8a被搬運至上段 之交接單元1 6。然後，晶圓W自交接單元1 6被取出收納 機械臂1 1接收，藉由取出收納機械臂1 1，將已剝離光阻 之晶圓W收納於載體C內。 接著，針對處理單元23 a〜23f之動作態樣，以處理 單元23a爲代表予以說明。首先，在處理容器30中，藉 由蓋體移動機構86之動作，使蓋體81上昇，藉由自處理 容器本體8 0之上面放開蓋體8 1，開放處理空間8 3。再 者，使晶圓升降機構128之升降銷128a成爲突出於載置 台91及開口部80a之上方之狀態。在該狀態中，藉由主 晶圓搬運裝置1 8之搬運機械臂1 8a，使晶圓W進入至蓋 體8 1和處理容器本體8 0之間，載置於升降銷1 2 8 a之上 端部。如此一來，於升降銷1 28a交接晶圓W之後，使搬 運機械臂18a自蓋體81和處理容器本體80之間退出，使 保持晶圓W之升降銷1 2 8 a下降。即是，將晶圓W從開口 部8 0a搬入至處理容器本體80之內部，使晶圓W載置於 載置台91。 使搬運機械臂18a退出之後，藉由蓋體移動機構86 之動作，使蓋體81下降，接近於處理容器本體80，藉由 蓋體8 1閉塞開口部80a。即是，使第一密封部1 01和第一 密封部接觸面11 6a，再者，第二密封部1 02和第二密封部 -28- 200839862 接觸面1 1 5 a互相密著。如此一來，在第一密封部1 〇 1之 內側形成密閉之處理空間8 3。再者，在處理空間8 3之外 側，處理容器本體80之下側溝部84a之下部開口和蓋體 8 1之上側溝部84b之下部開口互相上下連通，該些藉由下 側溝部84a和上側溝部84b，形成低壓空間84。如此一 來，低壓空間8 4以包圍處理空間8 3之周圍之方式，形成 在第一密封部1 〇 1和第二密封部1 〇2之間，藉由第一密封 部1 01和第二密封部1 02予以密閉。如上述般，第一密封 部101和第二密封部102各密著於蓋體81之下面，藉由 執行兩層密封，處理容器 3 0之外部之環境、處理空間 83、低壓空間84互相被隔絕。即是，成爲正常密封狀 態。 再者，當將晶圓W載置於載置台9 1時，藉由吸附用 吸引機構97之動作，使晶圓W之下面吸附於吸著口 95 而予以保持。並且，當成爲正常密封狀態時，藉由低壓空 間壓力調節機構1 20之動作，減壓低壓空間84。即是，將 成爲與處理容器30之外部之壓力（外壓）PQ幾乎相同之 壓力之低壓空間84之內壓設爲較外壓PG低之壓力PL1。 如此一來，藉由外壓P〇和低壓空間874之內壓PL1之差 壓，作用對處理容器本體80壓住蓋體81之力。 此時，蓋體81主要藉由蓋體移動機構86之加壓力及 活塞桿86b或蓋體81之自重，以不打開開口部80a之方 式予以鎖定，並且，藉由外壓P 〇和低壓空間8 4之內壓 PL1之差壓所產生之力，作用當作鎖定蓋體8 1之輔助力。 29- 200839862 即是，藉由產生該差壓，蓋體81更確實被鎖定，對處 容器本體80更強固被密著。 再者，低壓空間84之內壓PL1之目標値是設爲內 洩漏狀態（在第一密封部1 0 1產生洩漏之狀態、處理空 83和低壓空間84自處理容器30之外部被隔絕之狀態下 相連通之狀態）中之處理空間3 0之內壓PP2，相對於外 P〇成爲負壓之壓力。如此之內壓PL1之目標値可以例如 滿足上述式（1)之壓力求出。在本實施形態中，式（1 中之外壓P〇爲大氣壓，處理空間83之內壓PP1爲例如 示壓爲大約50kPa〜75kPa左右。此時，低壓空間84之 壓PL1即使例如計示壓大約80kPa〜-90kPa左右亦可。 如上述般，形成密閉之處理空間8 3及低壓空間84 調節低壓空間84之內壓，首先藉由加熱器125、126之 作，使處理空間83及晶圓W升溫。再者，藉由切換閥 之切換，使在臭氧氣體產生部40所產生之臭氧氣體經 理側臭氧氣體流路5 1、供給口 92，供給至處理空間83 加壓處理空間83之內壓。如此一來，執行升溫加壓 程。另外，在水蒸氣產生部41所產生之水蒸氣是藉由 換閥70之切換，通過旁通側水蒸氣流路72，排出至主 出流路1 3 1。再者，升溫加壓工程中，關閉設在N2氣體 給流路141之空氣操作閥143，停止N2氣體之供給。 者，設置在主排出流路1 3 1之切換閥1 3 2是將通過排出 93而自處理容器30排出之臭氧氣體切換成通過主排出 路1 3 1而排出之狀態。 理 側 間 互 壓 以 ) 計 內 9 動 50 處 y 工 切 排 供 再 □ 流 -30- 200839862 再者，升溫加壓工程中’通過排出口 93而自處理空 間8 3排出之臭氧氣體通過主排出流路3 1而被排出。並 且，通至旁通側水蒸氣流路7 2之水蒸氣被排出至主排出 流路1 3 1。如此一來’臭氧氣體及水蒸氣之混合氣體經空 氣操作閥1 3 5及釋放閥1 3 6 ’自主排出流路1 3 1排出至外 部。釋放閥136之設定壓力被設定成例如50 kP a〜75 kP a 左右。升溫加壓工程中之處理空間86之內壓PP1相對於處 理容器3 0之外部之壓力Ρο爲正壓，例如被調節成計示壓 大約50kPa〜7 5kPa左右亦可。低壓空間84之內壓維持於 上述設定壓力 Ppi (例如計示壓大約-80kPa〜-90kPa左 右）。 如此一來，一邊將處理空間8 3內置換成臭氧環境， 一邊將處理空間83及晶圓W升溫至特定溫度（例如1 〇〇 °C〜1 1 0 °C左右），完成升溫加壓工程。 接著，執行處理收納於處理空間8 3之晶圓W之處理 工程。即是，一面自在水蒸氣產生部41所產生之水蒸氣 自處理側水蒸氣流路7 1供給至處理空間8 3，一面自處理 側臭氧氣體流路51將臭氧氣體供給至處理空間8 3。處理 空間83維持於一定處理溫度。如此一來，將臭氧氣體和 水蒸氣之混合流體（氣體）當作處理流體供給至晶圓W， 依此執行使塗佈於晶圓W表面之光阻氧化之水溶化處 理。並且，通過排出口 93自處理空間83排出之臭氧氣體 和水蒸氣之混合氣體通過主排出流路1 3 1而排出。 處理工程中之處理空間83之內壓PP1被調節成例如與 -31 - 200839862 升溫加壓工程同程度（計示壓大約 50kPa〜75kPa左 右）。低壓空間84之內壓則維持於上述設定壓力PL1 (例 如計示壓大約- 80kPa〜- 90kPa左右）。 特定處理工程完成後，執行使處理空間8 3置換成N 2 氣體環境之沖洗工程。即是，設爲將在臭氧氣體產生部40 所產生之臭氧氣體，藉由切換閥5 0之切換，不供給至處 理空間83而通往旁通側臭氧氣體流路52之狀態。再者， 設爲藉由切換閥70之切換，將在水蒸氣產生部4 1所產生 之水蒸氣不供給至處理空間8 3，而通往旁通側水蒸氣流路 72之狀態。 再者，沖洗工程中，打開設置在N2氣體供給流路1 4 1 之空氣操作閥1 43，經處理側臭氧氣體流路5 1而將N2氣 體供給至處理空間8 3。再者，設置在主排出流路1 3 1之切 換閥132是將通過排出口 93而自處理空間83排出之N2 氣體切換成通過N2氣體排出流路1 45而排出之狀態。如 此一來，沖洗工程是將N2氣體供給至處理空間8 3，使處 理空間83置換成N2氣體環境。 當沖洗工程完成，則執行晶圓W之搬出。首先，停 止藉由吸附口 9 5吸附晶圓W。並且，藉由低壓空間壓力 調節機構1 20之動作，使低壓空間84之內壓上升，例如 恢復至與外壓Po相同程度。然後，藉由蓋體移動機構86 之動作，使蓋體81上昇，藉由自處理容器本體80之上面 放開蓋體8 1，開放處理空間83、84。在該狀態中，使升 降銷128a上昇，將晶圓W推至載置台91及開口部80a之 -32- 18 200839862 上方，自開口部80a搬出。然後，使主晶圓搬運裝置 之搬運機械臂18a進入至蓋體81和處理容器本體80 間，藉由搬運機械臂1 8 a自升降銷1 2 8 a接收晶圓W。 後，藉由使搬運機械臂1 8a及晶圓W自蓋體81和處理 器本體80之間退出而自處理容器30搬出晶圓W。 但是，如上述般在處理空間8 3中，執行升溫加壓 程、處理工程、沖洗工程等之期間，處理空間8 3之內 Pp!是藉由臭氧氣體、水蒸氣、N2氣體等之供給，對處 容器3 0之外壓PG加壓成正壓。例如，在升溫加壓工程 處理工程中’處理空間8 3之內壓P p i是如上述般，維持 示壓大約50kPa〜70kPa左右之設定壓力。因此，在處 空間83中，藉由外壓P。和處理空間83之內壓PP1之 壓，作用自處理容器本體80使蓋體81分離之力。對此 如上述般，蓋體81接收藉由蓋體移動機構86之加壓力 低壓空間84之負壓所產生之力，依此成爲鎖定狀態。 是，保持不自處理容器本體80分離。再者，由於例如 理單兀23a之異常等，即使蓋體移動機構86之加壓力 降時，低壓空間8 4之內壓P L!成爲較外壓p 0或處理空 8 3之內壓P p 1低之負壓狀態（例如，滿足上述式（1 ) 壓力）’依此可以維持蓋體8 1之鎖定。 即是，藉由例如處理單元23a之異常等，於蓋體移 機構8 6之加壓力下降時，處理空間8 3之內壓p p ι相對 外壓P 〇成爲正壓，依此，反抗蓋體移動機構8 6之加壓 或活塞桿86b之自重、蓋體81之自重，蓋體81自處理 之 之 容 工 壓 理 計 理 差 ， 和 即 處 下 間 之 動 於 力 容 -33- 200839862 器本體80被提起。如此一來，第一密封部1 0 1自第一密 封部接觸面1 16a分離，有產生洩漏之虞。但是，在第二 密封部102中，由於藉由唇部102a之復原力，唇部l〇2a 以追隨第二密封部接觸面1 1 5 a上昇之方式變形，故蓋體 8 1之上昇量僅有些許，即使第一密封部1 01自第一密封部 接觸面U6a離開後，唇部102a之前端部不自第二密封部 接觸面1 1 5 a分離，持續密封。即是，成爲僅第一密封部 1 〇 1洩漏之內側洩漏狀態。 如此之內側洩漏狀態中，雖然低壓空間84 (及處理空 間8 3 )藉由第二密封部1 02與處理容器3 0外部隔絕，但 是低壓空間84和處理空間83因經形成在第一密封部101 之間隙而互相連通，故通過該間隙，高壓側之處理空間83 之環境流入至低壓空間84。因此，處理空間83之內壓下 降，低壓空間84之內壓上昇。但是，即使於如此之時， 由於將低壓空間84之內壓PL1預先調節成相當低之低 壓，流入處理空間83之環境所引起之低壓空間84之內壓 上昇部份相抵，故低壓空間84之內壓相對於外壓P〇不成 爲正壓。並且，處理空間8 3之環境流入至低壓空間84， 處理空間83之內壓和低壓空間874之內壓成爲互相相等 之內壓 PP2 二 PL2 = ( Ppl VP + PL1VL ) / ( Vp + Vl )時，內壓 PP2、Pl2對於外壓P〇成爲負壓（PP2= PL2 < P〇 )。 如此一來，在內側洩漏狀態中，使蓋體8 1自處理容 器本體8 0隔離（上昇）之力减弱，相反地，藉由內壓Pp2 成爲負壓（PP2 < P〇 )，依此藉由內壓PP2和外壓P〇之差 -34- 200839862 壓，作用使蓋體8 1相對於處理容器本體80接近（下降） 之力。因此，可以防止蓋體8 1上昇至內側洩漏狀態中之 上昇量以上。依此，可以防止第二密封部1 〇2自第二密封 部接觸面1 15a分離，即是，可防止在第二密封部1〇2中 產生洩漏。 並且，以上雖然以處理單元2 3 a中之處理爲代表加以 說明，但是即使在其他處理單元23b〜23f中，也執行相 同之處理。 如上述說明般，對於如此之處理單元23a〜23f，以在 第一密封部1 〇 1中產生洩漏之內側洩漏狀態下之處理空間 83之內壓PP2 (低壓空間84之內壓PL2 )相對於處理容器 3 0之外部壓力PG成爲負壓之方式，調節正常密封狀態下 之低壓空間84之內壓PL1，依此，可以防止蓋體81自處 理容器本體80隔離。即是，可以防止在第二密封部102 中產生洩漏。因此，即使在第一密封部1 〇 1中產生洩漏之 時，藉由第二密封部102，可以防止處理空間83內之腐蝕 性環境洩漏至處理容器3 0之外部，故較爲安全。 尤其，不使用以往所使用之鎖定機構等般之複雜構 造，依據由低壓空間8 4、低壓空間壓力調節路1 1 8、低壓 空間壓力調節機構1 20等所構成之簡單構造，確實保持蓋 體8 1，可以防止蓋體8 1打開。如此之構成中，不需要以 往使用之鎖定機構中所執行的困難調整，維修也簡單。再 者，較少擔心故障，可以提高信賴性。並且，零件數量變 少，可以降低裝置成本。 -35- 200839862 以上’雖然針對本發明之最佳實施形態予以說 是本發明並不限定於該例。若爲該項業者在申請專 所記載之技術思想之範疇內，可作各種變更例或修 該些變更例或修正例當然也屬於本發明之技術範圍 例如’處理裝置中所供給之處理流體除臭氧氣 蒸氣之外，也含有其他處理氣體。再者，處理裝置 定於執行光阻水溶化處理之處理單元2 3 a〜2 3 f，即 被處理體施予光阻水溶化處理以外之處理者亦可。 體並不限定於半導體晶圓，即使爲例如其他基板 L C D基板用玻璃或C D基板、印刷基板、陶瓷基 可。 以上之實施形態中，第一密封部1 〇 1和第二 102中之任一者皆安裝於處理容器本體80側，第一 接觸面1 16a、第二密封接觸面1 15a雖然位於蓋體\ 但是並不限定於該形態。例如，即使將第一密封部 密封部中之任一方或雙方安裝於蓋體8 1側，將第 部接觸面和第二密封接觸面中之任一方或雙方設置 容器本體8 0側亦可。再者，第一密封部、第二密 種類、材質、形狀等並不限定於以上之實施形態。 即使使用〇型環等當作第一密封部或第二密封部亦 處理空間8 63、低壓空間84之形狀等也不限定 之實施形態。例如，以上之實施形態中，藉由設置 容器本體80之下側溝部84a和設置在蓋體81之上 84b，形成低壓空間84，但是即使爲僅形成下側溝 明，但 利範圍 正例， 〇 體或水 並不限 使爲對 被處理 ，即是 板等亦 密封部 密封部 8 1側， 和第二 一密封 在處理 封部之 例如， 可。 於以上 在處理 側溝部 部 8 4a -36- 200839862 或上側溝部84b中之任一方的構成，亦可形成低壓空間。 再者，低壓空間壓力調節路1 1 8並非蓋體81側，即使連 接於處理容器本體80側（下側溝部84a)亦可。 在以上之實施形態中，成爲內側洩漏狀態之前之正常 密封狀態中之低壓空間84之內壓PL1，雖然設爲藉由低壓 空間壓力調節機構1 2 0，調節成爲內側洩漏狀態之時之處 理空間83之內壓PP2 (低壓空間84之內壓PL2 )相對於外 壓P〇成爲負壓之壓力，但是如此之低壓空間84之內壓 PL1，即使爲成爲內側洩漏狀態之時之處理空間83之內壓 PP2 (低壓空間84之內壓PL2 )相對於外壓PG成爲幾乎等 壓（Pp2 = PL2 = P〇 )之壓力亦可。即是，若使內壓Pp2 (PL2)相對於外壓成爲寺壓以下即可’更佳爲如上述 實施形態般，即使內壓Pp2 ( PL2 )相對於外壓PG成爲負 壓亦可。換言之，即使設定成如滿足以下式（1 )’所表示 之關係亦可，更佳爲滿足以上式實施形態所示式（1 )所 示之關係亦可。 (P P 1 V P+ P L 1 V L) / ( V P+ V L) = P P2 = P L2 S P 0 …（1) 即是，正常密封狀態中之低壓空間84之內壓PL1和 低壓空間84之容積VL，即使設定成內側洩漏狀態中之低 壓空間8 4之內壓P L2相對於外壓P 〇成爲等壓以下亦可， 最佳設定爲內壓PL2相對於外壓p〇成爲負壓。 如上式般，於成爲內側洩漏狀態之時之處理空間8 3 -37- 200839862 之內壓Pp2相對於外壓PG成爲等壓之時，亦可以防止成爲 內側洩漏狀態之時，蓋體8 1自處理容器本體8 0分離，可 以防止在第二密封部1 02發生洩漏。再者，不用使用以往 所使用之鎖定機構等般之複雜構造，可以以簡單構造防止 蓋體8 1之開放。 [產業上之利用可行性] 本發明可以適用於使用氣體處理例如半導體晶圓或 LCD基板用玻璃等之被處理體的裝置、方法等。 【圖式簡單說明】 第1圖爲處理系統之平面圖。 第2圖爲處理系統之側面圖。 第3圖爲處理單元之槪略構成圖。 第4圖表示處理容器之槪略性構成，爲表示藉由蓋體 閉塞開口部之狀態（正常密封狀態）之縱剖面圖。 第5圖表示處理容器之槪略性構成，表示開放開口部 之狀態之縱剖面圖。 第6圖爲處理容器本體之平面圖。 第7圖爲蓋體之底面圖。 第8圖爲放大表示內側洩漏狀態之縱剖面圖。 【主要元件符號說明】 1 :處理系統 -38- 200839862 2 :處理部 3 :搬入搬出部 4 :輸入出ί阜 5 :晶圓搬運部 6 :載置台 7 :晶圓搬運裝置 8 :境界壁 9 :窗部 1 0 :窗部開關機構 1 1 :取出收納機械臂 1 2、1 3、1 4、1 5 ·•洗淨單元 16、17:晶圓交接單元 1 8 :主晶圓搬運裝置 1 9 :控制電腦 19a :運算部 1 9 b :輸入輸出部 19c :記錄媒體 23a〜23f:處理單元 24:處理氣體產生單元 2 5 :藥液貯藏單元 26:風扇過濃單兀（FFU) 28 :壁面 3 0 :處理容器 40 :臭氧氣體產生部 -39- 200839862 4 1 :水蒸氣產生部 4 5 :臭氧元流路 4 6 :臭氧主流路 4 7 :針閥 4 8: 流量計 5 1 :處理側臭氧氣體流路 5 2 :旁通側臭氧氣體流路 5 3 :逆流防止節流閥 5 5 :水蒸氣元流路 5 6 :水蒸氣主流路 5 7 :壓力開關 5 8 :釋放閥 5 9 :排氣管路 60 :配管保溫加熱器 6 5 :節流閥 6 6 :針閥 70 :切換閥 7 1 :處理側水蒸氣流路 72 :旁通側水蒸氣流路 8 0 :處理容器本體 8 0a :開口部 80b :側壁 81 :蓋體 8 3 :處理空間 -40 200839862 8 4 :低壓空間 84a :下側溝部 84b :上側溝部 86 :蓋體移動機構 8 6 a :汽缸本體 86b :活塞桿 91 :載置台 92 :供給口 93 :排出口 9 5 :吸附口 96 :吸附用吸引路 97 =吸附用吸引機構 1 〇 1 :第一密封部 1 0 2 :第二密封部 1 0 2 a :唇部 105 :本體基材 106 :本體安裝構件 115 :蓋體基材 1 1 5 a :第二密封部接觸面 1 1 6 :下面板 1 16a :第一密封部接觸面 1 1 8 :低壓空間壓力調節路 120 :低壓空間壓力調節機構 122 :固定架台 -41 - 200839862 1 2 5 :加熱器 1 2 6 :加熱器 128 :晶圓升降機構 128a :升降銷 128b :升降驅動手段 1 2 8 c :貫通孔 128d :貫通孔密封構件 1 3 1 :主排出流路 1 3 2 :切換閥 1 3 3 :壓力開關 134 :逆流防止節流閥 1 3 5 :空氣操作閥 1 3 6 :釋放閥 1 3 7 :排氣體處理裝置 141 : N2氣體供給流路 142 : N2氣體元流路 1 4 3 :空氣操作閥 145 : N2氣體排出流路 W :晶圓 C :載體 -42