WO2008062826A1 - Appareil de traitement, procédé de traitement et support d'enregistrement - Google Patents

Appareil de traitement, procédé de traitement et support d'enregistrement Download PDF

Info

Publication number
WO2008062826A1
WO2008062826A1 PCT/JP2007/072540 JP2007072540W WO2008062826A1 WO 2008062826 A1 WO2008062826 A1 WO 2008062826A1 JP 2007072540 W JP2007072540 W JP 2007072540W WO 2008062826 A1 WO2008062826 A1 WO 2008062826A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
processing
space
pressure
lid
low
Prior art date
Application number
PCT/JP2007/072540
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Jiro Higashijima
Original Assignee
Tokyo Electron Limited
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Limited filed Critical Tokyo Electron Limited
Priority to DE112007002340T priority Critical patent/DE112007002340T5/de
Priority to US12/439,249 priority patent/US8298344B2/en
Publication of WO2008062826A1 publication Critical patent/WO2008062826A1/ja

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31127—Etching organic layers
    • H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
    • H01L21/31138—Etching organic layers by chemical means by dry-etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor

Definitions

  • Processing apparatus processing method, and recording medium
  • the present invention relates to a processing apparatus and a processing method for processing an object to be processed such as a semiconductor wafer or a glass for an LCD substrate, and further relates to a recording medium for performing the processing method.
  • ozone gas is applied to a wafer stored in a processing space in a processing container as a processing process for removing a resist applied to the surface of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as "wafer").
  • a mixture gas of water and water vapor is supplied, and the resist is oxidized by the mixed gas to change it into water-soluble, and then removed by pure water.
  • a processing container comprising a processing container main body having an opening formed on the upper surface side and a lid that closes the opening from above is used.
  • a configuration with which it is provided is known.
  • the lid is lifted from the processing container body to open the opening, and the object to be processed is put into the processing container body from the opening. Then, a closed processing space is formed by bringing the lower surface of the peripheral edge of the lid into close contact with the periphery of the opening (upper surface of the peripheral edge of the processing container body).
  • the lid is supported from above by a lid moving mechanism such as a cylinder mechanism, for example, and is lifted and lowered with respect to the processing container body by force and operation of the lid moving mechanism (Japanese Patent Laid-Open No. 2000-003). No. 332322). Further, in this configuration, the pressure S is pressed by the pressure applied by the lid moving mechanism, so that the lid can be brought into close contact with the processing container main body with a force S.
  • a lid moving mechanism such as a cylinder mechanism, for example
  • a sealing member such as an o-ring is provided on the upper surface of the peripheral edge of the processing container body to seal between the lower surface of the peripheral edge of the lid and the processing container main body.
  • two sealing members are provided on the upper surface of the peripheral edge of the processing vessel body, and an exhaust passage is connected between the sealing bodies to reduce the pressure between the sealing members.
  • the present invention has been made in view of the above points, a processing apparatus capable of holding the lid of the processing container with a simple structure and preventing the atmosphere of the processing space from leaking outside the processing container, It is an object to provide a processing method and a recording medium.
  • a processing apparatus for storing an object to be processed in a processing space in a processing container, wherein the processing container includes a processing container main body and the processing container.
  • a lid that closes the opening of the physical container body, and the treatment space is formed by closing the opening with the lid, and the treatment space is formed outside the treatment space.
  • a low-pressure space that is lower in pressure than the physical space, and a first seal portion that blocks the low-pressure space from the processing space by sealing between the processing container main body and the lid body; A second seal portion that shuts off the low-pressure space from the outside of the processing container by sealing between the processing container main body and the lid body outside the first seal portion, A low-pressure space pressure adjusting mechanism for adjusting an internal pressure of the low-pressure space, and the internal pressure of the low-pressure space is an inner side where leakage occurs in the first seal portion in a state where the seal is performed in the second seal portion.
  • the process is characterized by being adjusted by the low-pressure space pressure adjustment mechanism so that the internal pressure of the processing space becomes equal to or less than the pressure outside the processing container when a leak state occurs. Location is provided.
  • the internal pressure of the low-pressure space is adjusted so that the internal pressure of the processing space becomes a negative pressure with respect to the pressure outside the processing container when the inside leak state occurs. It may be adjusted by a mechanism.
  • the internal pressure of the processing space in a normal sealing state where sealing is performed in both the first sealing portion and the second sealing portion is a positive pressure with respect to the pressure outside the processing container.
  • the first seal portion may be higher in heat resistance and corrosion resistance to the atmosphere in the processing space than the second seal portion.
  • the second seal part may be higher than the first seal part and may have a sealing performance.
  • the first seal portion may be formed of a fluororesin.
  • the first seal portion contact surface with which the first seal portion contacts may be formed of silicon carbide.
  • the second seal portion may be a lip seal.
  • the processing container main body has a structure including a main body base material and a main body attachment member detachably attached to the main body base material, and a processing fluid is provided in the first seal portion and the processing space. And a discharge port for discharging the processing fluid from the processing space may be provided in the main body mounting member.
  • the volume of the low-pressure space may be larger than the volume of the processing space.
  • a lid moving mechanism that moves the lid relative to the processing container main body, and the lid in a state in which the opening is closed is attached to the processing container main body by the lid moving mechanism; It may be configured to be pressed against.
  • the processing fluid supplied to the processing space may be ozone gas, water vapor, or a mixed fluid of ozone gas and water vapor.
  • a processing method for storing and processing a target object in a processing space in a processing container wherein the target object is an opening formed in a processing container main body of the processing container.
  • the processing container is carried into the inside of the processing container main body, the opening is closed by the lid of the processing container, the processing space is formed, and the pressure is lower than the processing space outside the processing space.
  • a low-pressure space is formed, and the outside of the processing container, the low-pressure space, and the processing space are in a normal sealed state, and the low-pressure space is depressurized, and the internal pressure of the low-pressure space is reduced to the processing space and the low-pressure space.
  • the internal pressure of the processing space is equal to or lower than the pressure outside the processing vessel. Pressure in the processing space And wherein processing the processed, the processing method is provided.
  • the internal pressure of the low-pressure space is such that the internal pressure of the processing space when the inside leak state is negative with respect to the pressure outside the processing container.
  • the object to be processed in the processing space may be processed under pressure. Further, the object to be processed in the processing space may be processed by setting the internal pressure of the processing space in the normal seal state to a positive pressure with respect to the pressure outside the processing container. Further, the object to be processed in the processing space may be processed while pressing the lid in a state where the opening is closed against the processing container main body.
  • the processing object in the processing space may be processed by supplying ozone gas, water vapor, or a mixed fluid of ozone gas and water vapor to the processing space.
  • a recording medium on which a program that can be executed by a control computer of a processing device is recorded, and the program is executed by the control computer,
  • a recording medium is provided, characterized in that the processing apparatus performs any of the processing methods described above.
  • the internal pressure of the processing space in the inner leak state in which a leak occurs in the first seal portion is adjusted to be equal to or lower than the pressure outside the processing container.
  • FIG. 1 is a plan view of a processing system.
  • FIG. 2 is a side view of the processing system.
  • FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a processing unit.
  • FIG. 4 is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of a processing container and showing a state in which an opening is closed by a lid (normal seal state).
  • FIG. 5 is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of a processing vessel and showing a state in which an opening is opened.
  • FIG. 6 is a plan view of a processing container main body.
  • FIG. 7 is a bottom view of the lid.
  • FIG. 8 is an enlarged longitudinal sectional view showing an inner leak state.
  • FIG. 1 is a plan view of a processing system 1 that is effective in the present embodiment.
  • Fig. 2 is a side view thereof.
  • components having substantially the same functional configuration are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.
  • the processing system 1 includes a processing unit 2 that performs resist water-solubilization processing and cleaning processing on the wafer W, and a loading / unloading unit 3 that loads the wafer W into and out of the processing unit 2.
  • a control computer 19 is provided to give control commands to each part of the processing system 1.
  • the width direction of the processing unit 2 and the loading / unloading unit 3 is set in the Y direction in the horizontal plane.
  • Direction, the arrangement direction of the processing unit 2 and the loading / unloading unit 3 (direction perpendicular to the Y direction) is defined as the X direction, and the vertical direction is defined as the vertical direction.
  • the loading / unloading unit 3 is provided with a mounting table 6 for mounting a plurality of, for example, 25, substantially disk-shaped wafers W (carriers C) that can store substantially horizontally at predetermined intervals.
  • In-out port 4 and wafer transfer unit 5 provided with wafer transfer device 7 for transferring wafer W between carrier C mounted on mounting table 6 and processing unit 2, and ing.
  • the wafer W is carried in and out through one side surface of the carrier C, and a lid body that can be opened and closed is provided on the side surface of the carrier C.
  • a shelf plate for holding the wafer W at a predetermined interval is provided on the inner wall, and 25 slots for accommodating the wafer W are formed.
  • One wafer W is accommodated in each slot with the front surface (surface on which the semiconductor device is formed) being the upper surface (the upper surface when the wafer W is held horizontally).
  • the carrier C On the mounting table 6 of the in-out port 4, for example, three carriers can be mounted in a predetermined position side by side in the vertical direction of the horizontal plane.
  • the carrier C is placed with the side surface on which the lid is provided facing toward the boundary wall 8 between the in / out port 4 and the wafer transfer unit 5.
  • a window portion 9 is formed in the boundary wall 8 at a position corresponding to the place where the carrier C is placed.
  • a window portion opening / closing mechanism that opens and closes the window portion 9 by a shutter or the like on the wafer transfer portion 5 side of the window portion 9. 10 is provided.
  • the window part opening / closing mechanism 10 can also open and close the lid provided on the carrier C, and simultaneously opens and closes the lid of the carrier C. Opening the window 9 to allow the wafer loading / unloading port of the carrier C to communicate with the wafer transfer unit 5 makes it possible to access the carrier C of the wafer transfer device 7 disposed in the wafer transfer unit 5, and the wafer. W can be transported.
  • the wafer transfer device 7 disposed in the wafer transfer unit 5 is movable in the heel direction and the heel direction, and is configured to be rotatable about the heel direction as a central axis. Further, the wafer transfer device 7 has an extraction / storage arm 11 for holding the wafer W, and the extraction / storage arm 11 is slidable in the X direction. In this way, the wafer transfer device 7 accesses the slots of any height of all the carriers C mounted on the mounting table 6, and the upper and lower two wafer transfer units 16 disposed in the processing unit 2, Access 17 and in-out port 4 from the processing section On the other hand, the wafer W can be transferred from the processing unit 2 side to the in / out port 4 side.
  • the processing unit 2 has two wafer transfer units for temporarily placing the wafer W in order to transfer the wafer W between the main wafer transfer device 18 as a transfer unit and the wafer transfer unit 5.
  • the processing unit 2 includes a ozone gas generation unit 40 (described later) for generating ozone gas as a processing fluid supplied to the processing units 23a to 23f, and a water vapor generation unit 41 (described later) for generating water vapor.
  • a gas generation unit 24 and a chemical solution storage unit 25 for storing a predetermined processing solution to be sent to the cleaning units 12, 13, 14, and 15 are arranged.
  • a fan filter unit (FFU) 26 for downflowing clean air is disposed in each unit and the main wafer transfer device 18.
  • Each of the wafer transfer units 16 and 17 is for temporarily placing the wafer W between the wafer transfer unit 5 and the wafer transfer units 16 and 17 are stacked in two upper and lower stages. Has been placed.
  • the lower wafer transfer unit 17 is used to place the wafer W so as to be transferred from the in-out port 4 side to the processing unit 2 side
  • the upper wafer transfer unit 16 is used for the processing unit 2 side. It can be used to place wafers W transported from to the in / out port 4 side.
  • the main wafer transfer device 18 is movable in the X direction and the Z direction, and is configured to be rotatable about the Z direction as a central axis.
  • the main wafer transfer device 18 has a transfer arm 18a for holding the wafer W, and this transfer arm 18a is slidable in the Y direction.
  • the main wafer transfer device 18 is disposed so as to be accessible to all the wafer transfer units 16 and 17, the cleaning units 12 to 15 and the processing units 23a to 23f.
  • Each of the cleaning units 12, 13, 14, and 15 performs a cleaning process and a drying process on the wafer W that has been subjected to the resist water-solubilization process in the processing units 23a to 23f.
  • the cleaning units 12, 13, 14, and 15 are arranged in two stages, two in each of the upper and lower stages. As shown in Fig. 1, the cleaning units 12, 13 and the cleaning units 14, 15 are on the wall 27 that forms the boundary between them.
  • the cleaning units 12, 13, 14, 15 have substantially the same configuration except that the force S has a symmetrical structure with respect to the symmetric structure, except that it is symmetrical.
  • each of the processing units 23a to 23f performs a process of making the resist applied to the surface of the wafer W water soluble.
  • the processing units 23a to 23f are arranged in three stages in the vertical direction and two in each stage. Processing units 23a, 23c, and 23e are arranged in this order from the top on the left, and processing units 23b, 23d, and 23f are arranged in this order from the top on the right.
  • the processing unit 23a and the processing unit 23b, the processing unit 23c and the processing unit 23d, and the processing unit 23e and the processing unit 23f have a symmetric structure with respect to the wall surface 28 that forms the boundary. Except for being symmetrical, each processing unit 23a-23f has a generally similar configuration! /.
  • piping systems for supplying ozone gas and water vapor as processing fluids to the processing units 23a to 23f have the same configuration.
  • the piping system and structure will be described in detail by taking the processing unit 23a as an example.
  • FIG. 3 is a schematic configuration diagram of the processing unit 23a.
  • the processing unit 23 a is provided with a processing container 30 for storing the wafer W.
  • the processing container 30 is supplied with ozone gas and water vapor as processing fluid from the ozone gas generating unit 40 and the water vapor generating unit 41 installed in the processing gas generating unit 24 described above.
  • the ozone gas generating section 40 has a structure that generates ozone gas by discharging in an oxygen-containing gas.
  • the ozone gas generation unit 40 is common to the processing units 23a to 23f included in the processing system 1.
  • the ozone source flow path 45 directly connected to the ozone gas generation unit 40 has each processing unit 23a to 23f.
  • Ozone main channel provided corresponding to 46 forces are connected to branch.
  • the ozone main flow path 46 is provided with a needle valve 47 and a flow meter 48 so that the ozone gas generated by the ozone gas generation unit 40 can be supplied to the processing container 30 of the processing unit 23a at a desired flow rate. It has become.
  • a processing-side ozone gas flow path 51 Downstream of the ozone main flow path 46 is a processing-side ozone gas flow path 51 that supplies ozone gas to the processing container 30 via the switching valve 50, and a bypass-side ozone gas that bypasses the processing container 30 and passes ozone gas. Connected to channel 52.
  • the switching valve 50 is a three-way valve, and the ozone gas generated by the ozone gas generation unit 40 is passed through the treatment-side ozone gas flow path 51 and processed by the processing unit.
  • the state in which the gas is supplied to the processing container 30 of the gas 23a and the state in which the gas is supplied to the bypass side ozone gas flow path 52 without being supplied to the processing container 30 are switched.
  • the downstream side of the bypass-side ozone gas flow channel 52 is connected to a main discharge flow channel 105, which will be described later, via a backflow prevention orifice 53 that prevents backflow of ozone gas.
  • the water vapor generating unit 41 is configured to generate water vapor by boiling pure water supplied from the outside.
  • the water vapor generating unit 41 is common to the processing units 23a to 23f included in the processing system 1, and each of the processing units 23a to 23f is connected to the water vapor source channel 55 directly connected to the water vapor generating unit 41.
  • the water vapor main flow path 56 provided corresponding to is connected so as to branch.
  • An escape passage 59 having a pressure switch 57 and a relief valve 58 is connected to the water vapor source flow passage 55, and when the pressure of the water vapor generation part 41 exceeds a set pressure value, a part of the water vapor However, it is exhausted to the outside through the escape passage 59. As a result, the water vapor source channel 55 is always maintained at a constant water vapor pressure.
  • a pipe heat retention heater 60 is attached to the steam source flow path 55, and is kept at a temperature of, for example, about 110 ° C to about 120 ° C. Thereby, the temperature drop of the water vapor in the water vapor source channel 55 is prevented.
  • An orifice 65 and a double dollar valve 66 are provided in a water vapor main flow channel 56 that is branched from the water vapor source flow channel 55.
  • the orifice 65 and the needle valve 66 function as a flow rate adjusting mechanism for supplying the water vapor generated by the water vapor generating unit 41 to the processing container 30 of the processing unit 23a at a desired flow rate.
  • a processing-side steam flow channel 71 Downstream of the main steam flow channel 56 is a processing-side steam flow channel 71 for supplying water vapor to the processing vessel 30 via a switching valve 70, and a bypass-side water vapor flow that bypasses the processing vessel 30 and passes water vapor.
  • the switching valve 70 is a three-way valve, and the steam generated by the steam generating section 41 is supplied to the processing container 30 of the processing unit 23a via the processing-side steam flow path 71 and not supplied to the processing container 30. It is possible to switch to a state where it is passed through the bypass-side steam channel 72.
  • FIG. 4 is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of the processing container 30, and shows a state in which the opening 80 a of the processing container main body 80 is closed by the lid 81.
  • FIG. 5 shows a state where the lid 81 is separated from the opening 80a.
  • FIG. 3 is a plan view of the processing container body 80 of the processing container 30 as viewed from above.
  • FIG. 7 is a bottom view of the lid 81 of the processing container 30 as viewed from below.
  • the processing container 30 has a processing container body 80 having a hollow cylindrical shape with an open top surface and a closed bottom surface, and an upper surface side of the processing container body 80. And a disc-shaped lid 81 that closes the formed opening 80a (upper surface opening) from above. That is, by closing the opening 80a with the lid 81, a processing space 83 in which the wafer W is stored and processed is formed inside the processing container 30 (between the processing container main body 80 and the lid 81). It is configured.
  • a space between the peripheral edge portion of the processing container main body 80 and the peripheral edge portion of the lid body 81 is larger than the processing space 83 in order to bring the lid body 81 into close contact with the processing container main body 80.
  • a low-pressure space 84 that is reduced in pressure is formed.
  • a lid moving mechanism 86 that moves the lid 81 up and down relative to the processing vessel main body 80 is provided above the processing vessel 30.
  • a mounting table 91 for mounting the wafer W substantially horizontally is provided on the bottom surface of the processing container main body 80. Further, on the bottom surface of the processing vessel main body 80, on both sides of the mounting table 91, a supply port 92 for supplying ozone gas and water vapor as processing fluid to the processing space 83, and an exhaust port 93 for discharging the processing fluid from the processing space 83 are provided. Is open. As will be described later, N gas (nitrogen gas) as a purge gas can be supplied to the processing space 83 through the supply port 92, and N gas can be discharged through the discharge port 93.
  • N gas nitrogen gas
  • the supply port 92 is connected to the downstream side of the processing-side ozone gas flow path 51 and the downstream side of the processing-side water vapor flow path 71.
  • a main discharge channel 131 described later is connected to the discharge port 93.
  • a suction port 95 for sucking and holding the wafer W is opened on the upper surface of the mounting table 91.
  • a suction suction path 96 is connected to the suction port 95, and a suction suction mechanism 97 including, for example, an ejector is connected to the suction suction path 96 outside the processing container 30. ing. That is, the suction suction path 96 and the suction port 95 are depressurized by the operation of the suction suction mechanism 97 so that the lower surface of the wafer W is sucked and held on the mounting table 91.
  • the processing container body 80 is provided with a double seal structure that seals between the processing container body 80 and the lid 81 outside the processing space 83.
  • first seal portion 101 that blocks the low-pressure space 84 from the processing space 83 by sealing between the processing vessel main body 80 and the lid 81, and the processing container main body 80 outside the first seal portion 101.
  • second seal portion 102 that shuts off the low-pressure space 84 (and the processing space 83) from the outside of the processing container 30 by sealing between the cover 81 and the lid 81.
  • the first seal portion 101 is provided between the processing space 83 and the low pressure space 84. That is, the processing container main body 80 protrudes upward from the bottom surface of the processing container main body 80 on the inner side of the cylindrical side wall 80b and on the outer side of the mounting table 91. Further, it is provided in a substantially circular ring shape so as to surround the mounting table 91 along the inner side surface of the side wall 80b (see FIG. 6). The upper surface force of the first seal portion 101 is pressed against the lower surface of the lid 81 (first seal portion contact surface 116a described later) and is brought into close contact therewith.
  • the inner space force treatment space 83 surrounded by the first seal portion 101 is formed, and a space outside the first seal portion 101 (formed between the first seal portion 101 and the side wall 80b).
  • the annular gap is configured to be a lower groove portion 84a that constitutes a lower portion of the low-pressure space 84. That is, the processing space 83 and the lower groove portion 84a (low pressure space 84) are cut by the first seal portion 101.
  • the first sealing portion 101 Since the first seal portion 101 is directly exposed to the atmosphere (processing fluid) in the processing space 83 during the processing of the wafer W, the first sealing portion 101 is resistant to corrosion in the atmosphere in the processing space 83. It is required to be formed of an excellent material and a material excellent in heat resistance against the temperature in the processing space 83. In particular, it is desirable that the second seal portion 102 that is not directly exposed to the atmosphere in the processing space 83 is made of a material having higher corrosion resistance, heat resistance, etc. to the atmosphere in the processing space 83. For example, a fluororesin such as PTFE (polytetrafluoroethylene) can be used as such a material.
  • PTFE polytetrafluoroethylene
  • the first seal portion contact surface 116a in contact with the first seal portion 101 in the lid 81 is made of, for example, silicon (Si), silicon carbide (SiC) quartz, or metal. It is formed of a fluororesin-coated one. That is, in this embodiment, the first seal is obtained by bringing the fluororesin and silicon carbide (or silicon) into surface contact. The seal performance in the portion 101 is configured to be exhibited.
  • the peripheral edge of the bottom surface of the processing space 83 formed by only the first seal portion 101, the supply port 92, the discharge port 93, the suction port 88, the peripheral portion of the mounting table 91, and the like described above is also the first seal portion. It is made of the same material as 101.
  • first seal portion 101 is configured to be detachable integrally with the peripheral edge of the bottom surface of the processing space 83, the supply port 92, the discharge port 93, the suction port 88, the peripheral portion of the mounting table 91, and the like.
  • the processing container main body 80 includes a main body base material 105 made of a material having good thermal conductivity such as aluminum, a first seal portion 101, and the like, and is detachable from the main body base material 105. And a body attachment member 106 attached to the body.
  • the main body attachment member 106 is formed in a substantially circular ring shape in plan view (see FIG. 6), and is provided on the inner side of the side wall 80b of the processing container main body 80. And it is detachably fixed to the main body base material 105 by mounting parts such as bolts (not shown). Further, the main body mounting member 106 is formed of a material excellent in corrosion resistance and heat resistance to the atmosphere in the processing space 83, such as PTFE.
  • a first seal portion 101 is formed on the main body attachment member 106. Further, the supply port 92, the discharge port 93, and the suction port 88 described above are opened to the main body attachment member 106 on the inner side of the first seal portion 101.
  • most of the mounting table 91 (that is, the portion that is covered with the wafer W in the state where the wafer W is mounted on the mounting table 95) is formed by the main body substrate 105.
  • the mounting table 9 1 The peripheral edge of the main body is formed by the main body mounting member 106. Therefore, the first seal portion 101, the supply port 92, the discharge port 93, the suction port 88, the peripheral portion of the mounting table 91, etc.
  • the processing vessel body 80 can be attached and detached. That is, when the first seal portion 101 is replaced, the entire main body attaching member 106 may be replaced. With such a configuration, the first seal portion 101, the supply port 92, the discharge port 93, the suction port 88, the peripheral portion of the mounting table 91, and the like can be replaced at once, and the maintenance work and the like can be simplified. it can.
  • the second seal portion 102 is, for example, a lip seal, and is an inverted truncated cone from the upper surface of the side wall 80b.
  • a lip 102a is formed so as to protrude into a surface shape. In plan view, it has a substantially circular ring shape (see FIG. 7), and is provided along the upper surface of the side wall 80b of the processing vessel body 80.
  • the lip 102a has a distal end portion (side wall) above the base end in a state where the lid 81 is separated from the processing vessel body 80, that is, in a state where no external force is applied.
  • 80b As it goes from the upper surface side to the second seal portion contact surface 115a side (to be described later), the shape gradually slopes away from the opening 80a and is inclined outward, that is, an inverted truncated cone surface shape. .
  • the lip 102a is sandwiched between the processing container main body 80 and the lid 81 and pushed outward. Can be spread.
  • the second seal portion 102 is normally not directly exposed to the atmosphere of the processing space 83, it is formed of a material that has a lower corrosion resistance to the atmosphere of the processing space 83 than the first seal portion 101. However, if a leak occurs in the first seal portion 102, it may be exposed to the atmosphere of the processing space 83, so it is desirable to have appropriate corrosion resistance. In addition, it is preferable to form the elastic body with higher flexibility than the first seal portion 101.
  • the second seal portion 102 in the present embodiment is formed of Viton (registered trademark, fluorine rubber).
  • a surface (second seal portion contact surface 115a described later) with which the second seal portion 102 contacts in the lid 81 is formed of aluminum. That is, in the present embodiment, the second seal portion 102 is configured to be sealed by bringing the fluororubber and aluminum into surface contact.
  • the second seal portion 102 Since the second seal portion 102 is formed of an elastically deformable material, it has a high sealing performance between the processing vessel main body 80 and the lid body 81. The sealing performance higher than that of the single sealing portion 101 is exhibited. In other words, the adhesiveness between the second seal portion 102 and the lid 81 (second seal portion contact surface 115a described later) is determined by the first seal portion 101 and the lid 81 (first later described first). The seal contact surface 116a) It has a structure higher than the adhesion between them.
  • the lid 81 when the lid 81 is slightly raised with respect to the processing container main body 80, the upper surface of the first seal portion 101 is slightly separated from the lid 81.
  • the second sealing portion 102 is deformed so that the lip 102a rises following the lid 81 by the elastic force (restoring force) of the lip 102a. For this reason, the sealing at the second seal portion 102 is continued without leaving the distal end portion lid 81 of the lip 102a.
  • the lid 81 will be described.
  • the lid 81 is provided on the lower surface of the lid base 115 made of a material having good thermal conductivity such as aluminum and the lid base 115, for example.
  • the lower surface peripheral edge portion of the lower surface plate 116 is an annular first seal portion contact surface 116a with which the first seal portion 101 contacts.
  • the lower surface peripheral portion of the lid base material 115 constitutes the annular second seal portion contact surface 115a with which the above-described second seal portion 102 contacts on the outer peripheral side of the lower plate 116! /,
  • annular upper groove portion constituting the upper portion of the low pressure space 84 84b is provided in the peripheral portion of the lid base material 115 (between the first seal portion contact surface 116a and the second seal portion contact surface 115a).
  • the lower groove portion 84a and the upper groove portion 84b communicate with each other when the opening portion 80a is closed by the lid 81, and thereby, an annular low-pressure space is formed around the processing space 83. 84 is formed.
  • a low-pressure space pressure adjusting path 118 is connected to the upper groove portion 84b, so that the low-pressure space
  • a low pressure space pressure adjustment mechanism 120 that can adjust the internal pressure of the low pressure space 84 is connected to the pressure adjustment path 118 outside the processing vessel 30.
  • the low-pressure space pressure adjusting mechanism 120 is provided with, for example, an ejector.
  • the low pressure space pressure adjusting mechanism 120 can suck and reduce the atmosphere in the upper groove portion 84b (low pressure space 84). For example, as described later, the normal seal state (the first seal portion 101 and the first seal portion 101)
  • the internal pressure P of the low-pressure space 84 in the state where sealing is normally performed in either of the second seal portions 102)
  • the low-pressure space pressure adjusting mechanism 120 has a positive pressure that is negative with respect to the internal pressure P force of the processing space 83 when the inside leak state occurs and the pressure P outside the processing vessel 30.
  • Control is performed so as to adjust the internal pressure P of the low pressure space 84 in the normally sealed state.
  • the force S can be reduced by reducing the internal pressure P of 3. In other words, the volume V of the low pressure space 84 is increased.
  • volume V is treated
  • the volume of the space 83 may be larger than V.
  • the lid 81 is held from above by a lid moving mechanism 86.
  • a lid moving mechanism 86 for example, a cylinder provided with a cylinder body 86a and a piston rod 86b as shown in FIG. A mechanism is used.
  • the cylinder main body 86a is attached to a fixed base 122 fixed to the casing of the processing unit 23a and the like above the lid 81.
  • the piston rod 86b is protruded from the lower end of the cylinder body 86a and is provided with the length direction directed upward and downward (Z direction), and expands and contracts along the upward and downward direction below the cylinder body 86a. It is provided as follows. A central portion of the upper surface of the lid body 81 (lid body base 115) is fixed to the lower end portion of the piston rod 86b.
  • the lid 81 is lowered integrally with the piston rod 86 b by extending the piston rod 86 b in the lid moving mechanism 86, approaches the processing vessel main body 80, and the piston opening By contracting 86b, the piston rod 86b is lifted together and separated from the processing vessel main body 80.
  • the piston rod 86b is contracted by the lid moving mechanism 86 and the lid 81 is raised to open the opening 80a and open the processing space 83. It is supposed to do.
  • the processing space 83 is moved from the lid moving mechanism 86 to the lid 81. It is possible to apply a pressing force (thrust) against the positive pressure. That is, the cover body 81 is urged to press downward from the outside (upper side) of the processing container 30 by the pressure applied by the cover body moving mechanism 86, thereby holding the cover body 81 so that the opening 80a is not opened.
  • the first seal portion 101 and the second seal portion 102 are surely brought into close contact with the first seal portion contact surface 116a and the second seal portion contact surface 115a.
  • the processing container 30 is provided with heaters 125 and 126 for adjusting the temperature of the processing space 83.
  • the heater 125 is attached to the lower part of the processing container main body 80 (main body base material 105).
  • the heater 126 is provided on the lid 81 (lid body base 115).
  • the processing container 30 is provided with a wafer elevating mechanism 128 for elevating the wafer W on the mounting table 91.
  • the wafer elevating mechanism 128 includes elevating pins 128a that contact the lower surface of the wafer W and hold the wafer W, and elevating drive means 128b that moves the elevating pins 128a up and down relative to the mounting table 91.
  • the elevating pins 128a are passed through through holes 128c provided so as to penetrate vertically between the upper surface of the mounting table 91 and the lower surface of the processing container main body 80. Between the lifting pin 128a and the through hole 128c, there is a through hole sealing member 128d.
  • the atmosphere in the processing space 83 is configured not to leak outside through the through hole 128c.
  • the lifting pins 128a and the through holes 128c are provided in the central portion of the mounting table 91 (portion constituted by the main body base material 105) in a plan view, and the lower surface central portion of the wafer W is provided.
  • the lift pin 128a is placed on and supported by the upper end of the lift pin 128a.
  • the raising / lowering driving means 128b is installed below the processing container main body 80.
  • the main discharge flow path 131 connected to the discharge port 93 has a switching valve 1 32, a pressure switch 133, a backflow prevention orifice 134, an air operation valve 135, and a relief valve 136. It is provided in order.
  • the downstream end of the main discharge channel 131 is connected to an exhaust gas processing device 137 equipped with an ozone killer or the like.
  • the bypass side ozone gas channel 52 and the downstream side of the bypass side water vapor channel 72 described above are connected between the backflow prevention orifice 134 and the air operated valve 135. Yes.
  • an N gas supply channel is provided in the middle of the processing-side ozone gas channel 51.
  • This N gas supply channel 141 is connected. This N gas supply channel 141 is supplied from an N supply source outside the processing system 1.
  • N gas supply channel 142 It is branched from the N gas source channel 142 for supplying N gas. N gas supply
  • the air supply valve 141 is provided with an air operated valve 143 that controls the supply of N gas.
  • an N gas discharge flow path 145 is connected to the switching valve 132 provided in the main discharge flow path 131.
  • the switching valve 132 is a three-way valve. As will be described later, ozone gas and water vapor as processing fluid discharged from the processing container 30 through the discharge port 93 are discharged through the main discharge flow path 131, as will be described later. As described above, the N gas as the purge gas discharged from the processing container 30 through the discharge port 93 is discharged through the N gas discharge flow path 145.
  • the other processing units 23b to 23f also have the same configuration.
  • Each functional element of the processing system 1 is connected to a control computer 19 (see FIG. 1) that automatically controls the operation of the entire processing system 1 via signal lines and the like.
  • the functional elements are, for example, the wafer transfer device 7 provided in the aforementioned loading / unloading unit 3, the window opening / closing mechanism 10, the main wafer transfer device 18 provided in the processing unit 2, the four cleaning units 12, 13, 14, 15, Ozone gas generation unit 40 and water vapor generation unit 41 included in the processing gas generation unit 24, medicine ⁇ Night storage unit 25, and further, switching valves 50, 70, 132, lid moving mechanism 86, low-pressure space pressure adjusting mechanism 120, heaters 125, 126, etc. in each processing unit 23a-23f It means all the elements that work to realize.
  • the control computer 19 is typically a general-purpose computer that can realize an arbitrary function depending on the software to be executed.
  • the control computer 19 is attached to an arithmetic unit 19a having a CPU (central processing unit), an input / output unit 19b connected to the arithmetic unit 19a, and an input / output unit 19b. And a recording medium 19c storing control software.
  • the recording medium 19c stores control software (program) that is executed by the control computer 19 to cause the processing system 1 to perform a predetermined substrate processing method to be described later.
  • the control computer 19 causes each functional element of the processing system 1 to change various process conditions (for example, the temperature of the processing space 83 and the internal pressure P of the processing space 83) defined by a predetermined process recipe.
  • the internal pressure P of the low pressure space 84 is controlled to be realized.
  • the recording medium 19c is fixedly provided in the control computer 19, or is detachably attached to a reading device (not shown) provided in the control computer 19 and can be read by the reading device. There may be.
  • the recording medium 19c is a hard disk drive in which control software is installed by a service person of the manufacturer of the processing system 1.
  • the recording medium 19c is a removable disk such as a CD-ROM or DVD-ROM in which control software is written. Such a removable disk is read by an optical reading device (not shown) provided in the control computer 19.
  • the recording medium 19c may be of any format of RAM (Random Access Memory) or ROM (Read Only Memory). Further, the recording medium 19c may be a cassette type ROM.
  • any medium known in the technical field of computers can be used as the recording medium 19c.
  • control software may be stored in a management computer that controls the control computer 19 of each processing system 1 in an integrated manner.
  • each processing system 1 is operated by a management computer via a communication line, Execute the process.
  • wafers W are taken out one by one from the carrier C placed on the placing table 6 of the in / out port 4 by the take-out storage arm 11, and the wafer W taken out by the take-out storage arm 11 is transferred to the lower wafer transfer unit. Transport to 17.
  • the main wafer transfer device 18 receives the wafer W from the wafer transfer unit 17 and appropriately carries it into the processing units 23a to 23f by the main wafer transfer device 18.
  • the resist applied on the surface of the wafer W is water-solubilized.
  • the wafer W that has been subjected to the predetermined resist water solubilization processing is appropriately unloaded from the processing units 23a to 23f by the transfer arm 18a. Thereafter, the wafer W is appropriately loaded into the cleaning units 12, 13, 14, and 15 by the transfer arm 18a, and a cleaning process for removing the water-soluble resist adhering to the wafer W is performed with pure water or the like. Is done. As a result, the resist applied to the wafer W is peeled off.
  • Each cleaning unit 12, 13, 14, 15 performs a cleaning process on the wafer W, then performs a particle and metal removal process by a chemical process as necessary, and then performs a drying process, and then performs a wafer process.
  • the wafer W is again transported to the upper delivery unit 16 by the transport arm 18a. Then, the wafer W is received from the delivery unit 16 to the take-out storage arm 11, and the wafer W from which the resist has been removed is stored in the carrier C by the take-out storage arm 11.
  • the lid 81 is lifted by the operation of the lid moving mechanism 86, and the processing space 83 is opened by releasing the lid 81 from the upper surface of the processing container body 80. Further, the raising / lowering pins 128a of the wafer raising / lowering mechanism 128 are protruded above the mounting table 91 and the opening 80a. In this state, the wafer W is caused to enter between the lid 81 and the processing container main body 80 by the transfer arm 18a of the main wafer transfer device 18 and placed on the upper end of the lift pins 128a.
  • the transfer arm 18a is retracted from between the lid 81 and the processing container body 80, and the lift pins 128a holding the wafer W are lowered. That is, the wafer W is carried into the processing container main body 80 from the opening 80a, and the wafer W is mounted on the mounting table 91.
  • the lid body moving mechanism 86 is actuated to lower the lid body 81 to be close to the processing container body 80, and the lid body 81 closes the opening 80a.
  • first seal portion 101 and the first seal portion contact surface 116a are brought into close contact with each other, and the second seal portion 102 and the second seal portion contact surface 115a are brought into close contact with each other.
  • a sealed processing space 83 is formed on the inner side of the first seal portion 101.
  • the lower opening of the lower groove portion 84a of the processing container body 80 and the lower opening of the upper groove portion 84b of the lid 81 communicate with each other vertically, and the lower groove portion 84a and the upper groove portion are communicated with each other.
  • the low pressure space 84 is formed by 84b.
  • the low pressure space 84 is formed between the first seal portion 101 and the second seal portion 102 so as to surround the processing space 83, and the first seal portion 101 and the second seal portion 102 are formed.
  • the seal portion 102 is sealed.
  • the first seal portion 101 and the second seal portion 102 are in close contact with the lower surface of the lid 81, and double sealing is performed, so that the atmosphere outside the processing container 30 and the processing space are increased.
  • the low-pressure space 84 is blocked from each other. That is, a normal sealing state is achieved.
  • the low pressure space 84 is decompressed by the operation of the low pressure space pressure adjusting mechanism 120. That is, the internal pressure of the low-pressure space 84, which is almost the same as the pressure outside the processing container 30 (external pressure) P, is
  • O LI O L1 exerts a force to press the lid 81 against the processing vessel main body 80.
  • the lid 81 is locked so as not to open the opening 80a mainly by the pressure of the lid moving mechanism 86 and the weight of the piston rod 86b and the lid 81.
  • Force generated by the pressure difference between P o and the internal pressure P of the low-pressure space 84 Auxiliary force to lock the lid 81
  • the target value of the internal pressure P in the low pressure space 84 is the inside leak state (in the first seal portion 101).
  • the pressure should be negative for P2O.
  • a target value of the internal pressure P is, for example, described above. It can be obtained as a pressure satisfying the formula (1).
  • the external pressure P in the equation (1) is atmospheric pressure
  • the internal pressure P in the processing space 83 is, for example, about 50 gage pressure.
  • the internal pressure P of the low pressure space 84 is, for example, a gauge pressure.
  • the processing space 83 and the wafer W are raised by the operation of the heater 125 126. Let warm. Further, the ozone gas generated by the ozone gas generation unit 40 is supplied to the processing space 83 through the processing side ozone gas flow path 51 and the supply port 92 by switching the switching valve 50, and the internal pressure of the processing space 83 is increased. Thus, the temperature raising and pressurizing step is performed. On the other hand, the water vapor generated in the water vapor generating section 41 is passed through the bypass-side water vapor flow path 72 and discharged to the main discharge flow path 131 by switching the switching valve 70. In the heating and pressurization process, N gas is supplied.
  • the switching valve 132 provided in the main discharge channel 131 switches to a state in which ozone gas discharged from the processing container 30 through the discharge port 93 is discharged through the main discharge channel 131.
  • the ozone gas is discharged from the processing space 83 through the discharge port 93 and is discharged through the main discharge flow path 131. Further, the water vapor passed through the bypass side water vapor channel 72 is discharged to the main discharge channel 131. In this way, the mixed gas of ozone gas and water vapor is discharged from the main discharge passage 131 to the outside through the air operation valve 135 and the relief valve 136.
  • the set pressure of the relief valve 136 is set to about 50 kPa and 75 kPa, for example.
  • the internal pressure P in the processing space 83 during the heating and pressurizing process is changed to the pressure P outside the processing vessel 30.
  • the internal pressure of the low pressure space 84 is the set pressure P described above (for example, about 80 kPa 90 kPa as gauge pressure)
  • the temperature of the processing space 83 and the wafer W is raised to a predetermined temperature (eg, about 100 ° C. to 110 ° C.), and the temperature raising and pressurizing step is completed.
  • a predetermined temperature eg, about 100 ° C. to 110 ° C.
  • a processing step for processing the wafer W stored in the processing space 83 is performed. That is, the steam generated in the steam generating section 41 is not supplied from the processing-side steam channel 71 to the processing space 83. However, ozone gas is supplied from the treatment-side ozone gas flow path 51 to the treatment space 83.
  • the processing space 83 is maintained at a constant processing temperature. In this way, by supplying a mixed fluid (gas) of ozone gas and water vapor as a processing fluid to the wafer W, a water solubilization process for oxidizing the resist applied to the surface of the wafer W is performed.
  • the mixed gas of ozone gas and water vapor discharged from the processing space 83 through the discharge port 93 is discharged through the main discharge channel 131.
  • the internal pressure P of the processing space 83 during the processing step is, for example, approximately the same as that in the heating and pressurizing step (gauge pressure).
  • the internal pressure of the low pressure space 84 is maintained at the set pressure P described above (for example, about 80 kPa 90 kPa in terms of gauge pressure).
  • the ozone gas generated by the ozone gas generation unit 40 is not supplied to the processing space 83 but switched to the bypass side ozone gas flow path 52 by switching the switching valve 50. Further, by switching the switching valve 70, the steam generated by the steam generating section 41 is not supplied to the processing space 83 but is passed through the bypass-side steam channel 72.
  • the air operated valve 143 provided in the N gas supply channel 141 is opened,
  • N gas is supplied to the processing space 83 through the processing-side ozone gas flow path 51.
  • the switching valve 132 provided in the channel 131 switches to a state in which the N gas discharged from the processing space 83 through the discharge port 93 is discharged through the N gas discharge channel 145. In this way
  • N gas is supplied to the processing space 83 and the processing space 83 is replaced with an N gas atmosphere.
  • the wafer W is unloaded. First, the suction of the wafer W by the suction port 95 is stopped. Furthermore, the internal pressure of the low pressure space 84 is increased by the operation of the low pressure space pressure adjusting mechanism 120 and recovered to the same level as the external pressure P, for example. And the lid moving machine o
  • the lid 81 is raised, and the lid 81 is released from the upper surface of the processing container main body 80, thereby opening the processing space 83 84.
  • the elevating pin 128a is raised, the wafer W is pushed up above the mounting table 91 and the opening 80a, and carried out from the opening 80a.
  • the transfer arm 18a of the main wafer transfer device 18 enters between the lid 81 and the processing container main body 80, and the wafer W is received from the lift pins 128a by the transfer arm 18a. afterwards, The wafer W is unloaded from the processing container 30 by withdrawing the transfer arm 18a and the wafer W from between the lid 81 and the processing container main body 80.
  • the internal pressure P of the treatment space 83 is ozone gas, water vapor, N gas, etc.
  • the pressure is increased to a positive pressure with respect to the external pressure P of the processing vessel 30.
  • the internal pressure P in the processing space 83 is about the gauge pressure as described above.
  • the set pressure is maintained at about 50kPa to 70kPa. Therefore, in the processing space 83, the lid 81 is separated from the processing container main body 80 due to the differential pressure between the external pressure P and the internal pressure P of the processing space 83.
  • the lid 81 is locked by receiving a force generated by the pressure applied by the lid moving mechanism 86 and the negative pressure of the low-pressure space 84. That is, it is held so as not to be separated from the processing container main body 80. Even if the pressure applied to the lid moving mechanism 86 decreases due to, for example, an abnormality in the processing unit 23a, the negative pressure is lower than the internal pressure P force S, the external pressure P in the low pressure space 84, or the internal pressure P in the processing space 83. State (for example,
  • the pressure satisfying the above-mentioned formula (1) is maintained by the force S to maintain the lock of the lid 81.
  • the lid 81 is lifted from the processing vessel main body 80 against the pressure of the moving mechanism 86, the weight of the piston rod 86b, and the weight of the lid 81. Then, the first seal portion 101 is separated from the first seal portion contact surface 116a, and there is a possibility that leakage occurs. However, in the second seal portion 102, the lip 102a is deformed so as to rise following the second seal portion contact surface 115a due to the restoring force of the lip 102a. As long as there is a small amount, even after the first seal portion 101 is separated from the first seal portion contact surface 116a, the tip of the lip 102a is not separated from the second seal portion contact surface 115a, and the sealing is continued. That is, an inner leak state occurs in which only the first seal portion 101 leaks.
  • the low pressure space 84 (and the processing space 83) remains blocked from the outside of the processing vessel 30 by the second seal portion 102.
  • the processing space 83 communicates with each other through a gap formed in the first seal portion 101. Therefore, the atmosphere of the processing space 83 on the high pressure side flows into the low pressure space 84 through the gap. Therefore, the internal pressure of the processing space 83 decreases and the internal pressure of the low pressure space 84 increases. However, even in such a case, the internal pressure P of the low pressure space 84 is adjusted to a sufficiently low pressure in advance.
  • the lid 81 is moved to the processing container.
  • the separation from the main body 80 can be prevented. That is, it is possible to prevent a leak from occurring in the second seal portion 102. Therefore, even when a leak occurs in the first seal portion 101, the corrosive atmosphere in the processing space 83 can be prevented from leaking to the outside of the processing container 30 by the second seal portion 102, which is safe.
  • a simple structure constituted by a low-pressure space 84, a low-pressure space pressure adjusting path 118, a low-pressure space pressure adjusting mechanism 120, etc. without using a complicated structure such as a conventionally used lock mechanism.
  • difficult adjustments that have been performed with a conventionally used lock mechanism are unnecessary, and maintenance is easy.
  • the number of parts is reduced, and the device cost can be reduced.
  • the processing fluid supplied to the processing apparatus includes other processing gases in addition to ozone gas and water vapor.
  • the processing apparatus is not limited to the processing units 23a to 23f for performing the resist water-solubilizing treatment, and may be a device that performs a process other than the resist water-solubilizing treatment on the object to be processed. good.
  • the object to be processed is not limited to a semiconductor wafer, but may be another substrate, for example, glass for an LCD substrate, a CD substrate, a printed substrate, a ceramic substrate, or the like.
  • the first seal portion 101 and the second seal portion 102 are both attached to the processing container body 80 side, and the first seal portion contact surface 116a, the second seal portion
  • the contact surface 115a is not limited to the force, or form, that is on the lid 81 side.
  • either one or both of the first seal part and the second seal part are attached to the lid 81 side, and either or both of the first seal part contact surface and the second seal part contact surface are Both may be provided on the processing container body 80 side.
  • the types, materials, shapes, etc. of the first seal part and the second seal part are not limited to the above embodiments.
  • an O-ring or the like may be used as the first seal portion or the second paper portion.
  • the shapes of the processing space 83 and the low pressure space 84 are not limited to the above embodiments.
  • the force that the low-pressure space 84 is formed by the lower groove portion 84a provided in the processing vessel body 80 and the upper groove portion 84b provided in the lid 81 is, of course, the lower groove portion 84a. Even in a configuration in which only one of the upper and lower grooves 84b is formed, a low pressure space can be formed.
  • the low pressure space pressure adjusting path 118 may be connected to the processing container main body 80 side (lower groove portion 84a) connected to the lid 81 side.
  • the low-pressure air in the normal seal state before the inner leak state is reached.
  • the internal pressure P between 84 is the internal pressure P (low pressure
  • the internal pressure P of the low pressure space 84 is not in an inner leak state.
  • the internal pressure P (P) is the pressure (P) a pressure (P) a pressure (P) a pressure (P) a pressure (P) a pressure (P) a pressure (P) a pressure (P) a pressure (P) a pressure (P) a pressure (P) a pressure (P) a pressure (P) a pressure (P) a pressure (P)
  • the pressure is less than or equal to the pressure of the above embodiment.
  • the internal pressure P (P) may be negative with respect to the external pressure P.
  • the internal pressure P (P) may be negative with respect to the external pressure P.
  • the internal pressure P of the low-pressure space 84 in the inside leak state is equal to or lower than the external pressure P.
  • the internal pressure p may be set to a negative pressure with respect to the external pressure p.
  • the lid 81 can be prevented from separating from the processing container main body 80 when the inside leak state occurs, and a leak occurs in the second seal portion 102. Can be prevented. Further, it is possible to prevent the lid 81 from being opened with a simple structure without using a complicated structure such as a conventionally used lock mechanism.
  • the present invention can be applied to an apparatus, a method, and the like for processing an object to be processed such as a semiconductor wafer or LCD substrate glass using a gas.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

明 細 書
処理装置、処理方法及び記録媒体
技術分野
[0001] 本発明は、例えば半導体ウェハや LCD基板用ガラス等の被処理体を処理する処 理装置と処理方法に関し、さらに、処理方法を行わせる記録媒体に関する。
背景技術
[0002] 例えば半導体デバイスの製造工程においては、半導体ウエノ、（以下、「ウェハ」とい う）の表面に塗布されたレジストを剥離する処理工程として、処理容器内の処理空間 に収納したウェハにオゾンガスと水蒸気の混合ガスを供給し、前記混合ガスによって レジストを酸化させることにより水溶性に変質させ、その後、純水により除去するもの カ失口られて!/、る（特開 2004— 134525号公幸 、特開 2003— 332322号公幸 、特開 2003— 224102号公報参照）。
[0003] 力、ような処理に用いられる処理装置としては、上面側に開口部が形成されている処 理容器本体と、前記開口部を上方から閉塞する蓋体とによって構成された処理容器 を備える構成が知られている。この処理容器においては、蓋体を処理容器本体から 持ち上げて開口部を開口させ、その開口部から処理容器本体内に被処理体を入れ るようになっている。そして、蓋体の周縁部下面を開口部の周囲（処理容器本体の周 縁部上面）に密着させることにより、密閉された処理空間を形成する構成になってい
[0004] 蓋体は、例えばシリンダ機構などの蓋体移動機構によって上方から支持されており 、力、かる蓋体移動機構の作動により、処理容器本体に対して昇降させられる（特開 2 003— 332322号公報参照）。また、この構成においては、蓋体移動機構の加圧力 によって蓋体を押さえ付けることにより、蓋体を処理容器本体に対して確実に密着さ せること力 Sでさる。
[0005] また、蓋体が開かないようにロックするためのロック機構として、例えば複数のローラ を備えたものが提案されている（特開 2003— 332322号公報参照）。力、かるロック機 構は、蓋体によって開口部を閉じた状態で、蓋体の周縁部と処理容器本体の周縁部 を複数のローラによって上下力 挟んで保持することにより、蓋体を固定し、処理容 器本体に対して密着させた状態を維持することができる。
[0006] 処理容器本体の周縁部上面には、蓋体の周縁部下面と処理容器本体との間をシ ールするため、例えば oリングなどのシール部材が備えられる。また、処理容器本体 の周縁部上面に、 2つのシール部材を内側と外側に二重に設けたもの、さらに、それ らのシール体の間に排気路を接続し、シール部材の間を減圧することで、シール部 材の密着性をより向上させるようにした構成が提案されている（特開 2003— 224102 号公報参照)。
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0007] 従来の構成にあっては、ロック機構の構造や動作が複雑で、ローラの位置合わせ 等の調整も難しい問題があった。しかし、ロック機構を設けずに、蓋体移動機構の作 動のみで蓋体を保持することは難しかった。即ち、例えば上記のようなオゾンガスと水 蒸気を用いた処理では、処理空間の内圧が処理容器の外部の圧力（外圧）に対して 陽圧に設定されるので、蓋体を処理容器本体から離隔させようとする力が生じ、また 、シール部材が設けられていても変形しやすい問題がある。そのため、蓋体と処理空 間本体との間に隙間が生じ、処理空間の雰囲気が外部に漏れるおそれがあり、危険 である。また、装置の異常などで、蓋体移動機構の加圧力が低下した場合に、ロック 機構が設けられていないと、蓋体が処理容器本体から離れ、処理空間の雰囲気が外 部に漏れるおそれがある。
[0008] 本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、処理容器の蓋体を簡単な構造 で保持し、処理空間の雰囲気が処理容器の外部に漏れることを防止できる処理装置 、処理方法及び記録媒体を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
[0009] 上記課題を解決するため、本発明によれば、被処理体を処理容器内の処理空間 に収納して処理する処理装置であって、前記処理容器は、処理容器本体と、前記処 理容器本体の開口部を閉塞する蓋体とを備え、前記蓋体によって前記開口部を閉 塞することにより、前記処理空間が形成され、かつ、前記処理空間の外側に、前記処 理空間よりも低圧にされる低圧空間が形成される構成とし、前記処理容器本体と前 記蓋体との間をシールすることにより前記低圧空間を前記処理空間から遮断する第 一のシール部と、前記第一のシール部よりも外側において前記処理容器本体と前記 蓋体との間をシールすることにより前記低圧空間を前記処理容器の外部から遮断す る第二のシール部とを備え、前記低圧空間の内圧を調節する低圧空間圧力調節機 構を備え、前記低圧空間の内圧は、前記第二のシール部においてシールが行われ ている状態で前記第一のシール部においてリークが発生する内側リーク状態になつ た場合に、前記処理空間の内圧が前記処理容器の外部の圧力に対して等圧以下に なるように、前記低圧空間圧力調節機構により調節されることを特徴とする、処理装 置が提供される。
[0010] 前記低圧空間の内圧は、前記内側リーク状態になった場合に、前記処理空間の内 圧が前記処理容器の外部の圧力に対して陰圧になるように、前記低圧空間圧力調 節機構により調節されるようにしても良い。また、前記第一のシール部と前記第二の シール部のいずれにおいてもシールが行われている正常シール状態における前記 処理空間の内圧は、前記処理容器の外部の圧力に対して陽圧にしても良い。前記 第一のシール部は、耐熱性及び前記処理空間内の雰囲気に対する耐腐食性が前 記第二のシール部よりも高いものにしても良い。前記第二のシール部は、前記第一 のシール部よりも高!/、シール性能を有するものにしても良レ、。
[0011] 前記第一のシール部は、フッ素樹脂によって形成しても良い。また、前記第一のシ ール部が接触する第一のシール部接触面は、炭化シリコンによって形成しても良い。 前記第二のシール部はリップシールでも良い。
[0012] 前記処理容器本体は、本体基材と、前記本体基材に対して着脱可能に取り付けら れた本体取付部材とを備える構造とし、前記第一のシール部、前記処理空間に処理 流体を供給する供給口、及び、前記処理空間から前記処理流体を排出する排出口 は、前記本体取付部材に設けても良い。
[0013] 前記低圧空間の容積は、前記処理空間の容積以上の大きさにしても良い。また、 前記蓋体を前記処理容器本体に対して移動させる蓋体移動機構を備え、前記開口 部を閉塞した状態の前記蓋体を、前記蓋体移動機構によって前記処理容器本体に 対して押し付ける構成にしても良い。
[0014] 前記処理空間に供給される処理流体は、オゾンガス、水蒸気、又は、オゾンガスと 水蒸気との混合流体であっても良い。
[0015] また、本発明によれば、被処理体を処理容器内の処理空間に収納して処理する処 理方法であって、被処理体を前記処理容器の処理容器本体に形成された開口部か ら前記処理容器本体の内部に搬入し、前記開口部を前記処理容器の蓋体によって 閉塞し、前記処理空間を形成し、前記処理空間の外側に、前記処理空間よりも低圧 にされる低圧空間を形成し、前記処理容器の外部、前記低圧空間、前記処理空間 が互いに遮断された正常シール状態にし、前記低圧空間を減圧し、前記低圧空間 の内圧を、前記処理空間と前記低圧空間が前記処理容器の外部から遮断された状 態で互!/、に連通する内側リーク状態になった場合の前記処理空間の内圧が、前記 処理容器の外部の圧力に対して等圧以下になるような圧力にして、前記処理空間内 の被処理体を処理することを特徴とする、処理方法が提供される。
[0016] この処理方法にあっては、前記低圧空間の内圧を、前記内側リーク状態になった 場合の前記処理空間の内圧が、前記処理容器の外部の圧力に対して陰圧になるよ うな圧力にして、前記処理空間内の被処理体を処理しても良い。また、前記正常シ ール状態における前記処理空間の内圧を、前記処理容器の外部の圧力に対して陽 圧にして、前記処理空間内の被処理体を処理しても良い。また、前記開口部を閉塞 した状態の前記蓋体を、前記処理容器本体に対して押し付けながら、前記処理空間 内の被処理体を処理するようにしても良い。前記処理空間に、オゾンガス、水蒸気、 又は、オゾンガスと水蒸気との混合流体を供給して、前記処理空間内の被処理体を 処理しても良い。
[0017] さらに、本発明によれば、処理装置の制御コンピュータによって実行することが可能 なプログラムが記録された記録媒体であって、前記プログラムは、前記制御コンビュ ータによって実行されることにより、前記処理装置に、上記のいずれかに記載の処理 方法を行わせるものであることを特徴とする、記録媒体が提供される。
[0018] 本発明によれば、第一のシール部においてリークが発生する内側リーク状態にお ける処理空間の内圧が、処理容器の外部の圧力に対して等圧以下になるように調節 することで、蓋体が処理容器本体からそれ以上離隔することを防止できる。即ち、第 二のシール部においてリークが発生することを防止できる。従って、第一のシール部 においてリークが発生した場合でも、処理空間内の雰囲気が処理容器の外部に漏れ ることを防止できる。従来用いられていたロック機構等のような、複雑な構造を用いる ことなく、簡単な構造で蓋体を確実に保持でき、蓋体が開くことを防止できる。難しい 調整が不要であり、また、装置コストを低減できる。
図面の簡単な説明
[0019] [図 1]処理システムの平面図である。
[図 2]処理システムの側面図である。
[図 3]処理ユニットの概略構成図である。
[図 4]処理容器の概略的な構成を示し、蓋体によって開口部を閉塞した状態 (正常シ ール状態）を表した縦断面図である。
[図 5]処理容器の概略的な構成を示し、開口部を開放した状態を表した縦断面図で ある。
[図 6]処理容器本体の平面図である。
[図 7]蓋体の底面図である。
[図 8]内側リーク状態を拡大して示した縦断面図である。
発明を実施するための最良の形態
[0020] 以下、本発明の好ましい実施の形態を、被処理体の一例としてのウェハに対して、 ウェハの表面に塗布されたレジストを水溶化して剥離する処理を施す処理システム 1 に基づいて説明する。図 1は、本実施の形態に力、かる処理システム 1の平面図である 。図 2は、その側面図である。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の 機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を 省略する。
[0021] この処理システム 1は、ウェハ Wにレジスト水溶化処理及び洗浄処理を施す処理部 2と、処理部 2に対してウェハ Wを搬入出する搬入出部 3を有しており、更に、処理シ ステム 1の各部に制御命令を与える制御コンピュータ 19を備えている。なお説明のた め、図 1、図 2においては、水平面内において処理部 2と搬入出部 3の幅方向を Y方 向、処理部 2と搬入出部 3の並び方向（Y方向と直交する方向）を X方向、鉛直方向を Ζ方向と定義する。
[0022] 搬入出部 3は、複数枚、例えば 25枚の略円盤形状のウェハ Wを所定の間隔で略水 平に収容可能な容器 (キャリア C)を載置するための載置台 6が設けられたイン 'アウト ポート 4と、載置台 6に載置されたキャリア Cと処理部 2との間でウェハ Wの受け渡しを 行うウェハ搬送装置 7が備えられたウェハ搬送部 5と、力 構成されている。
[0023] ウェハ Wはキャリア Cの一側面を通して搬入出され、キャリア Cの側面には開閉可能 な蓋体が設けられている。また、ウェハ Wを所定間隔で保持するための棚板が内壁 に設けられており、ウェハ Wを収容する 25個のスロットが形成されている。ウェハ Wは 表面（半導体デバイスを形成する面）が上面（ウェハ Wを水平に保持した場合に上側 となっている面）となっている状態で各スロットに 1枚ずつ収容される。
[0024] イン.アウトポート 4の載置台 6上には、例えば、 3個のキャリアを水平面の Υ方向に 並べて所定位置に載置することができるようになつている。キャリア Cは蓋体が設けら れた側面をイン'アウトポート 4とウェハ搬送部 5との境界壁 8側に向けて載置される。 境界壁 8においてキャリア Cの載置場所に対応する位置には窓部 9が形成されており 、窓部 9のウェハ搬送部 5側には、窓部 9をシャッター等により開閉する窓部開閉機構 10が設けられている。
[0025] この窓部開閉機構 10は、キャリア Cに設けられた蓋体もまた開閉可能であり、窓部 9 の開閉と同時にキャリア Cの蓋体も開閉する。窓部 9を開口してキャリア Cのウェハ搬 入出口とウェハ搬送部 5とを連通させると、ウェハ搬送部 5に配設されたウェハ搬送装 置 7のキャリア Cへのアクセスが可能となり、ウェハ Wの搬送を行うことが可能な状態と なる。
[0026] ウェハ搬送部 5に配設されたウェハ搬送装置 7は、 Υ方向と Ζ方向に移動可能であり 、かつ、 Ζ方向を中心軸として回転自在に構成されている。また、ウェハ搬送装置 7は 、ウェハ Wを把持する取出収納アーム 11を有し、この取出収納アーム 11は X方向に スライド自在となっている。こうして、ウェハ搬送装置 7は、載置台 6に載置された全て のキャリア Cの任意の高さのスロットにアクセスし、また、処理部 2に配設された上下 2 台のウェハ受け渡しユニット 16、 17にアクセスして、イン 'アウトポート 4側から処理部 2側へ、逆に処理部 2側からイン ·アウトポート 4側へウェハ Wを搬送することができる ように構成されている。
[0027] 処理部 2は、搬送手段である主ウェハ搬送装置 18と、ウェハ搬送部 5との間でゥェ ハ Wの受け渡しを行うためにウェハ Wを一時的に載置する 2つのウェハ受け渡しュニ ット 16、 17と、 4台の洗净ユニット 12、 13、 14、 15と、レジストを水溶ィ匕処理する 6台 の処理装置としての処理ユニット 23a〜23fとを備えている。
[0028] また、処理部 2には、処理ユニット 23a〜23fに供給する処理流体としてのオゾンガ スを発生させるオゾンガス発生部 40 (後述）および水蒸気を発生させる水蒸気発生 部 41 (後述）を備える処理ガス発生ユニット 24と、洗浄ユニット 12、 13、 14、 15に送 液する所定の処理液を貯蔵する薬液貯蔵ユニット 25とが配設されて!/、る。処理部 2 の天井部には、各ユニット及び主ウェハ搬送装置 18に、清浄な空気をダウンフロー するためのファンフィルターユニット（FFU) 26が配設されている。
[0029] 上記ウェハ受け渡しユニット 16、 17は、いずれもウェハ搬送部 5との間でウェハ Wを 一時的に載置するものであり、これらウェハ受け渡しユニット 16、 17は上下 2段に積 み重ねられて配置されている。この場合、下段のウェハ受け渡しユニット 17は、イン- アウトポート 4側から処理部 2側へ搬送するようにウェハ Wを載置するために用い、上 段のウェハ受け渡しユニット 16は、処理部 2側からイン ·アウトポート 4側へ搬送するゥ ェハ Wを載置するために用いることができる。
[0030] 上記主ウェハ搬送装置 18は、 X方向と Z方向に移動可能であり、かつ、 Z方向を中 心軸として回転自在に構成されている。また、主ウェハ搬送装置 18は、ウェハ Wを把 持する搬送アーム 18aを有し、この搬送アーム 18aは Y方向にスライド自在となってい る。こうして、主ウェハ搬送装置 18は、上記ウェハ受け渡しユニット 16、 17と、洗浄ュ ニット 12〜； 15、処理ユニット 23a〜23fの全てのユニットにアクセス可能に配設されて いる。
[0031] 各洗浄ユニット 12、 13、 14、 15は、処理ユニット 23a〜23fにおいてレジスト水溶化 処理が施されたウェハ Wに対して、洗浄処理及び乾燥処理を施す。なお、洗浄ュニ ット 12、 13、 14、 15は、上下 2段で各段に 2台ずっ配設されている。図 1に示すよう に、洗浄ユニット 12、 13と洗浄ユニット 14、 15とは、その境界をなしている壁面 27に 対して対称な構造を有している力 S、対称であることを除けば、各洗浄ユニット 12、 13 、 14、 15は概ね同様の構成を備えている。
[0032] 一方、各処理ユニット 23a〜23fは、ウェハ Wの表面に塗布されているレジストを水 溶化する処理を行う。処理ユニット 23a〜23fは、図 2に示すように、上下方向に 3段 で各段に 2台ずっ配設されている。左段には処理ユニット 23a、 23c、 23eが上からこ の順で配設され、右段には処理ユニット 23b、 23d、 23fが上からこの順で配設されて いる。図 1に示すように、処理ユニット 23aと処理ユニット 23b、処理ユニット 23cと処理 ユニット 23d、処理ユニット 23eと処理ユニット 23fは、その境界をなしている壁面 28 に対して対称な構造を有している力 対称であることを除けば、各処理ユニット 23a〜 23fは概ね同様の構成を備えて!/、る。
[0033] また、各処理ユニット 23a〜23fに対する処理流体としてのオゾンガスおよび水蒸気 を供給する配管系統は、いずれも同様の構成を備えている。そこで次に、処理ュニッ ト 23aを例として、その配管系統と構造について詳細に説明する。
[0034] 図 3は、処理ユニット 23aの概略構成図である。処理ユニット 23aには、ウェハ Wを 収納する処理容器 30が備えられている。処理容器 30には、前述した処理ガス発生 ユニット 24内に設置されたオゾンガス発生部 40及び水蒸気発生部 41から、処理流 体としてのオゾンガスおよび水蒸気が供給されるようになっている。
[0035] オゾンガス発生部 40は、含酸素気体中で放電することによりオゾンガスを発生させ る構造になっている。オゾンガス発生部 40は、処理システム 1が備える各処理ュニッ ト 23a〜23fに対して共通であり、オゾンガス発生部 40に直接接続されたオゾン元流 路 45には、それぞれの各処理ユニット 23a〜23fに対応して設けられたオゾン主流 路 46力 分岐するように接続されている。オゾン主流路 46には、ニードル弁 47と流 量計 48が設けられており、オゾンガス発生部 40で発生させたオゾンガスを、処理ュ ニット 23aの処理容器 30に対して所望の流量で供給できるようになつている。
[0036] オゾン主流路 46の下流側は、切替弁 50を介して、処理容器 30にオゾンガスを供 給する処理側オゾンガス流路 51と、処理容器 30を迂回させてオゾンガスを通すバイ パス側オゾンガス流路 52に接続されている。切替弁 50は三方弁であり、オゾンガス 発生部 40で発生させたオゾンガスを、処理側オゾンガス流路 51を経て、処理ュニッ ト 23aの処理容器 30に供給する状態と、処理容器 30に供給せずにバイパス側ォゾ ンガス流路 52に通す状態とに切り替えられる。なお、バイパス側オゾンガス流路 52の 下流側は、オゾンガスの逆流を防止する逆流防止オリフィス 53を介して、後述する主 排出流路 105に接続されている。
[0037] 水蒸気発生部 41は、外部から供給された純水を沸騰させることにより水蒸気を発 生させる構成になっている。水蒸気発生部 41は、処理システム 1が備える各処理ュ ニット 23a〜23fに対して共通であり、水蒸気発生部 41に直接接続された水蒸気元 流路 55には、それぞれの各処理ユニット 23a〜23fに対応して設けられた水蒸気主 流路 56が、分岐するように接続されている。
[0038] 水蒸気元流路 55には、圧力スィッチ 57とリリーフ弁 58を備えた逃がし路 59が接続 してあり、水蒸気発生部 41の圧力が設定圧力値を超えた場合は、水蒸気の一部が 逃がし路 59から外部に排気されるようになっている。これにより、水蒸気元流路 55内 は、常に一定の水蒸気圧に保たれている。また、水蒸気元流路 55には、配管保温ヒ ータ 60が装着してあり、例えば 110°C〜； 120°C程度に保温されている。これにより、 水蒸気元流路 55内における水蒸気の温度低下が防止されている。
[0039] 水蒸気元流路 55から分岐して設けられた水蒸気主流路 56には、オリフィス 65と二 一ドル弁 66が設けられている。これらオリフィス 65とニードル弁 66は、水蒸気発生部 41で発生させた水蒸気を、処理ユニット 23aの処理容器 30に対して所望の流量で 供給させるための流量調節機構として機能する。
[0040] 水蒸気主流路 56の下流側は、切替弁 70を介して、処理容器 30に水蒸気を供給 する処理側水蒸気流路 71と、処理容器 30を迂回させて水蒸気を通すバイパス側水 蒸気流路 72に接続されている。切替弁 70は三方弁であり、水蒸気発生部 41で発生 させた水蒸気を、処理側水蒸気流路 71を経て、処理ユニット 23aの処理容器 30に供 給する状態と、処理容器 30に供給せずにバイパス側水蒸気流路 72に通す状態とに 切り替えられるようになつている。
[0041] 次に、処理容器 30について説明する。図 4は、処理容器 30の概略的な構成を示 す縦断面図であり、処理容器本体 80の開口部 80aを蓋体 81によって閉塞した状態 を示している。図 5は、開口部 80aから蓋体 81を離隔させた状態を示している。図 6 は、処理容器 30の処理容器本体 80を上方から見た平面図である。図 7は、処理容 器 30の蓋体 81を下方からみた底面図である。
[0042] 図 4及び図 5に示すように、処理容器 30は、上面が開口し、底面が塞がれた中空の 円筒形状をなす処理容器本体 80と、この処理容器本体 80の上面側に形成された開 口部 80a (上面開口部）を上方から閉塞する円板形状の蓋体 81とを備えて!/、る。即 ち、蓋体 81によって開口部 80aを閉塞することにより、処理容器 30の内部（処理容器 本体 80と蓋体 81との間）に、ウェハ Wが収納され処理が行われる処理空間 83が形 成される構成になっている。さらに、処理容器 30の外側において、処理容器本体 80 の周縁部と蓋体 81の周縁部との間には、蓋体 81を処理容器本体 80に対して密着さ せるために処理空間 83よりも低圧にされる低圧空間 84が形成されるようになってい る。処理容器 30の上方には、蓋体 81を処理容器本体 80に対して昇降移動させる蓋 体移動機構 86が設けられている。
[0043] 処理容器本体 80の内部において、処理容器本体 80の底面には、ウェハ Wを略水 平に載置するための載置台 91が設けてある。また、処理容器本体 80の底面におい て、載置台 91の両側には、処理空間 83に処理流体としてのオゾンガス及び水蒸気 を供給する供給口 92と、処理空間 83から処理流体を排出させる排出口 93が開口さ れている。なお、後述するように、この供給口 92を通じて、処理空間 83にパージガス としての Nガス（窒素ガス）も供給でき、また、排出口 93を通じて、 Nガスを排出でき
2 2
るようになっている。
[0044] 供給口 92には、前述した処理側オゾンガス流路 51の下流側と、処理側水蒸気流 路 71の下流側とが接続されている。排出口 93には、後述する主排出流路 131が接 続されている。
[0045] 載置台 91の上面には、ウェハ Wを吸着保持するための吸着口 95が開口されてい る。吸着口 95には、吸着用吸引路 96が接続されており、吸着用吸引路 96には、処 理容器 30の外部において、例えばェジェクタ等が備えられている吸着用吸引機構 9 7が接続されている。即ち、吸着用吸引機構 97の作動により吸着用吸引路 96と吸着 口 95内を減圧することにより、ウェハ Wの下面を吸着し、載置台 91に保持する構成と なっている。 [0046] また、処理容器本体 80には、処理空間 83の外側において処理容器本体 80と蓋体 81との間をシールする二重シール構造が設けられている。即ち、処理容器本体 80と 蓋体 81との間をシールすることにより低圧空間 84を処理空間 83から遮断する第一 のシール部 101と、第一のシール部 101よりも外側において処理容器本体 80と蓋体 81との間をシールすることにより低圧空間 84 (及び処理空間 83)を処理容器 30の外 部から遮断する第二のシール部 102とが備えられている。
[0047] 第一のシール部 101は、処理空間 83と低圧空間 84との間に沿って設けられている 。即ち、処理容器本体 80の円筒状の側壁 80bよりも内側かつ載置台 91よりも外側に おいて、処理容器本体 80の底面から上方に突出させられている。また、側壁 80bの 内側面に沿って載置台 91を囲むように、略円形のリング状に設けられている（図 6参 照）。力、かる第一のシール部 101の上面力 蓋体 81の下面（後述する第一のシール 部接触面 116a)に対して圧接され、密着させられるようになつている。また、第一のシ ール部 101によって囲まれた内側の空間力 処理空間 83となり、第一のシール部 10 1よりも外側の空間（第一のシール部 101と側壁 80bとの間に形成された環状の隙間 )が、低圧空間 84の下部を構成する下側溝部 84aとなるように構成されている。即ち 、処理空間 83と下側溝部 84a (低圧空間 84)とは、第一のシール部 101によって仕 切られるようになつている。
[0048] この第一のシール部 101は、ウェハ Wの処理中、処理空間 83内の雰囲気（処理流 体）に対して直接的に晒されるので、処理空間 83内の雰囲気に対する耐腐食性に 優れた材質、また、処理空間 83内の温度に対する耐熱性にも優れた材質によって 形成することが要求される。特に、処理空間 83内の雰囲気に対して直接的に晒され ない第二のシール部 102よりも、処理空間 83内の雰囲気に対する耐腐食性、耐熱 性などが高い材質によって形成することが望ましい。そのような材質としては、例えば PTFE (ポリテトラフルォロエチレン)などのフッ素樹脂を用いると良レ、。
[0049] なお、後述するように、蓋体 81において第一のシール部 101が接触する第一のシ ール部接触面 116aは、例えばシリコン（Si)、炭化シリコン（SiC)石英あるいは金属 にフッ素樹脂コートしたものによって形成されている。即ち、本実施形態においては、 フッ素樹脂と炭化シリコン (又はシリコン）とを面接触させることにより、第一のシール 部 101におけるシール性能が発揮されるように構成されている。
[0050] さらに、図示の例では、第一のシール部 101だけでなぐ処理空間 83の底面周縁 部、前述した供給口 92、排出口 93、吸着口 88、載置台 91の周縁部等（即ち、ウェハ Wを載置台 95に載置した状態においても処理空間 83に対して露出し、ウェハ Wの 処理中、処理空間 83内の雰囲気に直接的に晒される部分）も、第一のシール部 101 と同様の材質によって形成されている。さらに、第一のシール部 101は、処理空間 83 の底面周縁部、供給口 92、排出口 93、吸着口 88、載置台 91の周縁部等と一体的 に着脱可能に構成されている。
[0051] 即ち、処理容器本体 80は、例えばアルミニウムなどの熱伝導性の良い材料で構成 された本体基材 105と、第一のシール部 101等を備え本体基材 105に対して着脱可 能に取り付けられている本体取付部材 106とによって構成されている。本体取付部 材 106は、平面視において略円形のリング状に形成されており（図 6参照）、処理容 器本体 80の側壁 80bよりも内側に設けられる。そして、図示しないボルト等の取付用 部品によって、本体基材 105に対して着脱可能に固定されている。また、本体取付 部材 106は、処理空間 83内の雰囲気に対する耐腐食性、耐熱性などに優れた材質 、例えば PTFEなどによって形成されている。かかる本体取付部材 106に、第一のシ ール部 101が形成されている。また、前述した供給口 92、排出口 93、吸着口 88は、 第一のシール部 101よりも内側において、本体取付部材 106に開口されている。一 方、載置台 91の大部分（即ち、ウェハ Wを載置台 95に載置した状態においてウェハ Wに接触して覆われる部分）は、本体基材 105によって形成されている力 載置台 9 1の周縁部は、本体取付部材 106によって形成されている。従って、本体取付部材 1 06を本体基材 105に対して着脱することにより、第一のシール部 101、供給口 92、 排出口 93、吸着口 88、載置台 91の周縁部等を一体的に、処理容器本体 80に対し て着脱できるようになつている。即ち、第一のシール部 101を交換する際は、本体取 付部材 106全体を交換すれば良い。このような構成にすると、第一のシール部 101、 供給口 92、排出口 93、吸着口 88、載置台 91の周縁部等を一括して交換でき、メン テナンス作業等を簡略化することができる。
[0052] 第二のシール部 102は、例えばリップシールであり、側壁 80bの上面から逆円錐台 面形状に突出するように形成されたリップ 102aを備えている。また、平面視において は略円形のリング状をなしており（図 7参照）、処理容器本体 80の側壁 80bの上面に 沿って設けられている。
[0053] 図 5に示すように、リップ 102aは、処理容器本体 80から蓋体 81を離隔させた状態、 即ち、外力が加えられていない状態においては、基端部から上方の先端部 (側壁 80 b上面側から後述する第二のシール部接触面 115a側）に向かうに従い次第に開口 部 80aから離隔して外側に向力、うように傾斜した形状、即ち、逆円錐台面形状になつ ている。一方、図 4に示すように、処理容器本体 80に蓋体 81を近接させた状態にお いては、リップ 102aは、処理容器本体 80と蓋体 81との間に挟まれて、外側へ押し広 げられる。即ち、リップ 102aの弾性力に杭して弾性変形させられ、処理容器本体 80 と蓋体 81との間に沿って、基端部から横向きに設けられて、蓋体 81の下面（後述す る第二のシール部接触面 115a側）に圧接されるようになって!/、る。
[0054] 第二のシール部 102は、通常、処理空間 83の雰囲気に直接的には晒されないの で、第一のシール部 101よりも処理空間 83の雰囲気に対する耐腐食性が弱い材質 によって形成しても良いが、第一のシール部 102においてリークが発生すると、処理 空間 83の雰囲気に晒されるおそれがあるため、適度な耐腐食性を持たせることが望 ましい。また、第一のシール部 101よりも柔軟性が高い弾性体によって形成すること が好ましい。本実施形態における第二のシール部 102は、バイトン (登録商標、フッ 素ゴム）によって形成されている。
[0055] 因みに、後述するように、蓋体 81において第二のシール部 102が接触する面（後 述する第二のシール部接触面 115a)は、アルミニウムによって形成されている。即ち 、本実施形態においては、フッ素ゴムとアルミニウムとを面接触させることにより、第二 のシール部 102におけるシールが行われるように構成されている。
[0056] 力、かる第二のシール部 102は、弾性変形可能な材質によって形成されているため 、処理容器本体 80と蓋体 81との間において高いシール性能を有し、特に、前述した 第一のシール部 101のシール性能よりも高いシール性能を発揮する。換言すれば、 第二のシール部 102と蓋体 81 (後述する第二のシール部接触面 115a)との間の密 着性が、第一のシール部 101と蓋体 81 (後述する第一のシール部接触面 116a)との 間の密着性よりも高い構造になっている。
[0057] 即ち、例えば図 8に示すように、蓋体 81が処理容器本体 80に対して僅かに上昇し た状態においては、第一のシール部 101の上面は、蓋体 81から僅かに離隔してしま う力 第二のシール部 102においては、リップ 102aの弾性力（復元力）により、リップ 1 02aが蓋体 81に追従して上昇するように変形する。そのため、リップ 102aの先端部 ヽ蓋体 81から離れず、第二のシール部 102におけるシールが継続されようになつ ている。従って、蓋体 81の上昇量が小さい場合は、第一のシール部 101において隙 間が形成されてリークが発生し、処理空間 83と低圧空間 84が互いに連通した状態 になっても、第二のシール部 102においてはリークが発生せず、低圧空間 84 (及び 処理空間 83)が処理容器 30の外部から遮断された状態を維持できるようになつてい る。つまり、第二のシール部 102においてシールが行われている状態で、内側の第 一のシール部 101のみにおいてリークが発生する内側リーク状態を維持できるように なっている。
[0058] 次に、蓋体 81について説明する。図 4、図 5及び図 7に示す例では、蓋体 81は、例 えばアルミニウムなどの熱伝導性の良い材料で構成された蓋体基材 115と、蓋体基 材 115の下面に設けられ、処理空間 83内の雰囲気に対する耐腐食性、耐熱性など に優れた材質 (例えばシリコン（Si)又は炭化シリコン（SiC)など）によって形成された 下面板 116とを備えている。
[0059] 下面板 116の下面周縁部は、前述した第一のシール部 101が接触する環状の第 一のシール部接触面 116aとなっている。一方、蓋体基材 115の下面周縁部は、下 面板 116よりも外周側において、前述した第二のシール部 102が接触する環状の第 二のシール部接触面 115aを構成して!/、る。
[0060] 蓋体基材 115の周縁部（第一のシール部接触面 116aと第二のシール部接触面 1 15aとの間）には、低圧空間 84の上部を構成する環状の上側溝部 84bが設けられて いる。前記下側溝部 84aと上側溝部 84bは、蓋体 81によって開口部 80aを閉じたとき 、互いに上下に連通するようになっており、これらによって、処理空間 83の周りに、環 状の低圧空間 84が形成される。
[0061] さらに、上側溝部 84bには、低圧空間圧力調節路 118が接続されており、低圧空間 圧力調節路 118には、低圧空間 84の内圧を調節可能な低圧空間圧力調節機構 12 0が、処理容器 30の外部において接続されている。低圧空間圧力調節機構 120に は、例えばェジェクタなどが備えられている。この低圧空間圧力調節機構 120により 、上側溝部 84b内（低圧空間 84)の雰囲気を吸引して減圧することができ、例えば後 述するように、正常シール状態（第一のシール部 101と第二のシール部 102のいず れにおいてもシールが正常に行われている状態）における低圧空間 84の内圧 P を
L1
、正常シール状態における処理空間 83の内圧 P 、処理容器 30の外部の圧力 P (
PI o 本実施形態にぉレ、ては大気圧（約 101. 3kPa) )等よりも低圧にすることが可能であ る（P < P < P )。
LI O PI
[0062] さらに、低圧空間圧力調節機構 120は、内側リーク状態になった場合の処理空間 8 3の内圧 P 力 処理容器 30の外部の圧力 P に対して陰圧になるような圧力に、正
P2 O
常シール状態における低圧空間 84の内圧 P を調節するように制御される。かかる
L1
正常シール状態における処理空間 83の内圧 P 、正常シール状態における低圧空
P1
間 84の内圧 P 、内側リーク状態における処理空間 83の内圧 P 、内側リーク状態に
LI P2
おける低圧空間 84の内圧 P 、処理容器 30の外部の圧力（外圧） P 、処理空間 83
L2 O
の容積 V、低圧空間 84の容積 Vの関係は、次式（1)で表される。
P L
(P V +P V ) / (V +V ) =P =P く P …ひ）
PI Ρ Ll L P L P2 L2 O
即ち、正常シール状態における低圧空間 84の内圧 P と低圧空間 84の容積 Vは
Ll L
、内側リーク状態における低圧空間 84の内圧 P が外圧 P に対して陰圧になるよう
L2 O
な値に設定される。
[0063] なお、低圧空間 84の容積 Vは大きくするほど、内側リーク状態における処理空間 8
L
3の内圧 P を小さくすること力 Sできる。換言すれば、低圧空間 84の容積 Vを大きくす
P2 L
るほど、正常シール状態における低圧空間 84の内圧 P は高くても良いので、低圧
L1
空間圧力調節機構 120の負担を低減できる。従って、容積 Vは、処理容器 30の設
L
計の都合上許容される範囲内で、なるべく大きくすると良い。例えば容積 Vは、処理
L
空間 83の容積 V以上の大きさにしても良い。
P
[0064] 蓋体 81は、蓋体移動機構 86によって上方から保持されている。蓋体移動機構 86 としては、例えば図 4に示すようなシリンダ本体 86aとピストンロッド 86bとを備えたシリ ンダ機構が用いられる。図示の例では、シリンダ本体 86aは、蓋体 81の上方におい て、処理ユニット 23aの筐体等に対して固定された固定架台 122に取り付けられてい る。ピストンロッド 86bは、シリンダ本体 86aの下端部から突出させられ、長さ方向を上 下方向（Z方向）に向けて設けられており、シリンダ本体 86aの下方において、上下方 向に沿って伸縮するように設けられている。このピストンロッド 86bの下端部に、蓋体 8 1 (蓋体基材 1 15)の上面中央部が固着されている。
[0065] 即ち、蓋体 81は、蓋体移動機構 86においてピストンロッド 86bを伸長させることによ り、ピストンロッド 86bと一体的に下降させられ、処理容器本体 80に近接し、ピストン口 ッド 86bを収縮させることにより、ピストンロッド 86bと一体的に上昇させられ、処理容 器本体 80から離隔するようになっている。例えば処理容器 30の内部にウェハ Wを搬 入出させる場合は、蓋体移動機構 86においてピストンロッド 86bを収縮させ、蓋体 81 を上昇させることにより、開口部 80aを開口させ、処理空間 83を開放するようになって いる。また、蓋体 81によって開口部 80aが閉塞され、処理空間 83が陽圧になってい る状態（ウェハ Wの処理中など）では、蓋体移動機構 86から蓋体 81に対して、処理 空間 83の陽圧に抗する加圧力（推力）を与えることができる。即ち、蓋体移動機構 86 の加圧力によって蓋体 81を処理容器 30の外部（上方)から下方に押し付けるように 付勢し、これにより、開口部 80aが開口されないように蓋体 81を保持し、前述した第 一のシール部接触面 116a第二のシール部接触面 115aに対して、前述した第一の シール部 101、第二のシール部 102をそれぞれ確実に密着させるようになつている。
[0066] また、処理容器 30には、処理空間 83の雰囲気を温調するためのヒータ 125、 126 が備えられている。ヒータ 125は、処理容器本体 80 (本体基材 105)の下部に取り付 けられている。ヒータ 126は、蓋体 81 (蓋体基材 115)に設けられている。
[0067] さらに、処理容器 30には、載置台 91上においてウェハ Wを昇降させるためのゥェ ハ昇降機構 128が設けられている。ウェハ昇降機構 128は、ウェハ Wの下面に当接 してウェハ Wを保持する昇降ピン 128aと、昇降ピン 128aを載置台 91に対して昇降 移動させる昇降駆動手段 128bとを備えている。昇降ピン 128aは、載置台 91の上面 と処理容器本体 80の下面との間を上下方向に貫通するように設けられた貫通孔 128 c内に通されている。昇降ピン 128aと貫通孔 128cの間は、貫通孔シール部材 128d によってシールされており、処理空間 83内の雰囲気が貫通孔 128cから外部に漏れ 出ないように構成されている。なお、図示の例では、昇降ピン 128aと貫通孔 128cは 、平面視において載置台 91の中央部（本体基材 105によって構成された部分）に設 けられており、ウェハ Wの下面中央部を昇降ピン 128aの上端部に載せて支持するよ うになつている。昇降駆動手段 128bは、処理容器本体 80の下方に設置されている。
[0068] 前述した排出口 93に接続された主排出流路 131には、図 3に示すように、切替弁 1 32、圧力スィッチ 133、逆流防止オリフィス 134、エアオペ弁 135およびリリーフ弁 13 6が順に設けられている。主排出流路 131の下流端は、オゾンキラーなどを備えた排 ガス処理装置 137に接続されている。また、主排出流路 131において、逆流防止オリ フィス 134とエアオペ弁 135との間に、上述したバイパス側オゾンガス流路 52と、上 述したバイパス側水蒸気流路 72の下流側とが接続されている。
[0069] 加えて、この実施の形態では、処理側オゾンガス流路 51の途中に Nガス供給流路
2
141が接続してある。この Nガス供給流路 141は、処理システム 1外の N供給源より
2 2
Nガスを供給する Nガス元流路 142から分岐して設けられている。また、 Nガス供
2 2 2 給流路 141には、 Nガスの供給を制御するエアオペ弁 143が設けられている。
2
[0070] また、主排出流路 131に設けられた切替弁 132には、 Nガス排出流路 145が接続
2
してある。切替弁 132は三方弁であり、後述するように、排出口 93を通じて処理容器 30から排出された処理流体としてのオゾンガス及び水蒸気を、主排出流路 131を通 じて排出させる状態と、後述するように、排出口 93を通じて処理容器 30内から排出さ れたパージガスとしての Nガスを、 Nガス排出流路 145を通じて排出させる状態とに
2 2
切り替えられるようになつている。
[0071] なお、以上では代表して処理ユニット 23aを例として説明した力 他の処理ユニット 23b〜23fも同様の構成を備えている。
[0072] 処理システム 1の各機能要素は、処理システム 1全体の動作を自動制御する制御コ ンピュータ 19 (図 1参照）に、信号ライン等を介して接続されている。ここで、機能要素 とは、例えば前述した搬入出部 3に設けられたウェハ搬送装置 7、窓部開閉機構 10、 処理部 2に設けられた主ウェハ搬送装置 18、 4台の洗浄ユニット 12、 13、 14、 15、 処理ガス発生ユニット 24が備えるオゾンガス発生部 40および水蒸気発生部 41、薬 ί夜貯蔵ユニット 25、更には、各処理ユニット 23a〜23fにおける切替弁 50、 70、 132 、蓋体移動機構 86、低圧空間圧力調節機構 120、ヒータ 125、 126等の、所定のプ ロセス条件を実現するために動作する総ての要素を意味している。制御コンピュータ 19は、典型的には、実行するソフトウェアに依存して任意の機能を実現することがで きる汎用コンピュータである。
[0073] 図 1に示すように、制御コンピュータ 19は、 CPU (中央演算装置）を備えた演算部 1 9aと、演算部 19aに接続された入出力部 19bと、入出力部 19bに揷着され制御ソフト ウェアを格納した記録媒体 19cと、を有する。この記録媒体 19cには、制御コンビユー タ 19によって実行されることにより処理システム 1に後述する所定の基板処理方法を 行わせる制御ソフトウェア（プログラム）が記録されている。制御コンピュータ 19は、該 制御ソフトウェアを実行することにより、処理システム 1の各機能要素を、所定のプロ セスレシピにより定義された様々なプロセス条件（例えば、処理空間 83の温度、処理 空間 83の内圧 P 、低圧空間 84の内圧 P 等）が実現されるように制御する。
PI L1
[0074] 記録媒体 19cは、制御コンピュータ 19に固定的に設けられるもの、あるいは、制御 コンピュータ 19に設けられた図示しない読み取り装置に着脱自在に装着されて該読 み取り装置により読み取り可能なものであっても良い。最も典型的な実施形態におい ては、記録媒体 19cは、処理システム 1のメーカーのサービスマンによって制御ソフト ウェアがインストールされたハードディスクドライブである。他の実施形態においては、 記録媒体 19cは、制御ソフトウェアが書き込まれた CD— ROM又は DVD— ROMの ような、リムーバブルディスクである。このようなリムーバブルディスクは、制御コンビュ ータ 19に設けられた図示しない光学的読取装置により読み取られる。また、記録媒 体 19cは、 RAM (Random Access Memory)又は ROM (Read Only Memor y)のいずれの形式のものであっても良い。さらに、記録媒体 19cは、カセット式の RO Mのようなものであっても良い。要するに、コンピュータの技術分野において知られて いる任意のものを記録媒体 19cとして用いることが可能である。なお、複数の処理シ ステム 1が配置される工場においては、各処理システム 1の制御コンピュータ 19を統 括的に制御する管理コンピュータに、制御ソフトウェアが格納されていても良い。この 場合、各処理システム 1は、通信回線を介して管理コンピュータにより操作され、所定 のプロセスを実行する。
[0075] 次に、上記のように構成された処理システム 1におけるウェハ Wの処理工程を説明 する。まず、イン ·アウトポート 4の載置台 6に載置されたキャリア Cから取出収納ァー ム 11によって一枚ずつウェハ Wが取り出され、取出収納アーム 11によって取り出した ウェハ Wを下段のウェハ受け渡しユニット 17に搬送する。すると、主ウェハ搬送装置 1 8がウェハ受け渡しユニット 17からウェハ Wを受け取り、主ウェハ搬送装置 18によって 各処理ユニット 23a〜23fに適宜搬入する。そして、各処理ユニット 23a〜23fにおい て、ウェハ Wの表面に塗布されているレジストが水溶化される。所定のレジスト水溶化 処理が終了したウェハ Wは、搬送アーム 18aによって各処理ユニット 23a〜23fから 適宜搬出される。その後、ウェハ Wは、搬送アーム 18aによって各洗浄ユニット 12、 1 3、 14、 15に適宜搬入され、ウェハ Wに付着している水溶化されたレジストを除去す る洗浄処理が純水等により施される。これにより、ウェハ Wに塗布されていたレジスト が剥離される。各洗浄ユニット 12、 13、 14、 15は、ウェハ Wに対して洗浄処理を施し た後、必要に応じて薬液処理によりパーティクル、金属除去処理を行った後、乾燥処 理を行い、その後、ウェハ Wは再び搬送アーム 18aによって上段の受け渡しユニット 16に搬送される。そして、受け渡しユニット 16から取出収納アーム 11にウェハ Wが受 け取られ、取出収納アーム 11によって、レジストが剥離されたウェハ Wがキャリア C内 に収納される。
[0076] 次に、処理ユニット 23a〜23fの動作態様について、処理ユニット 23aを代表して説 明する。まず、処理容器 30において、蓋体移動機構 86の作動により、蓋体 81を上 昇させ、処理容器本体 80の上面から蓋体 81を放すことにより、処理空間 83を開放 する。また、ウェハ昇降機構 128の昇降ピン 128aを、載置台 91及び開口部 80aの上 方に突出させた状態にする。この状態で、主ウェハ搬送装置 18の搬送アーム 18aに より、ウェハ Wを蓋体 81と処理容器本体 80の間に進入させ、昇降ピン 128aの上端 部に載せる。こうして、昇降ピン 128aにウェハ Wを受け渡した後、搬送アーム 18aを 蓋体 81と処理容器本体 80の間から退出させ、ウェハ Wを保持した昇降ピン 128aを 下降させる。即ち、ウェハ Wを開口部 80aから処理容器本体 80の内部に搬入し、載 置台 91にウェハ Wを載置させる。 [0077] 搬送アーム 18aを退出させた後、蓋体移動機構 86の作動により、蓋体 81を下降さ せて処理容器本体 80に近接させ、蓋体 81によって開口部 80aを閉塞する。即ち、第 一のシール部 101と第一のシール部接触面 116aを、また、第二のシール部 102と第 二のシール部接触面 115aを互いに密着させる。すると、第一のシール部 101の内 側に、密閉された処理空間 83が形成される。また、処理空間 83の外側において、処 理容器本体 80の下側溝部 84aの下部開口と蓋体 81の上側溝部 84bの下部開口が 互いに上下に連通し、これら下側溝部 84aと上側溝部 84bによって、低圧空間 84が 形成される。こうして、低圧空間 84は、処理空間 83の周囲を囲むように、第一のシー ル部 101と第二のシール部 102との間に形成され、第一のシール部 101と第二のシ ール部 102によって密閉される。以上のように、第一のシール部 101と第二のシール 部 102がそれぞれ蓋体 81の下面に密着して、二重シールが行われることにより、処 理容器 30の外部の雰囲気、処理空間 83、低圧空間 84が互いに遮断される。即ち、 正常シール状態にされる。
[0078] また、載置台 91にウェハ Wを載置させたら、吸着用吸引機構 97の作動により、ゥェ ハ Wの下面を吸着口 95に吸着させて保持する。さらに、正常シール状態にされたら 、低圧空間圧力調節機構 120の作動により、低圧空間 84を減圧する。即ち、処理容 器 30の外部の圧力（外圧） P とほぼ同じ圧力になっている低圧空間 84の内圧を、外
o
圧 P よりも低い圧力 P にする。すると、外圧 P と低圧空間 84の内圧 P との差圧に
O LI O L1 より、処理容器本体 80に対して蓋体 81を押さえ付ける力が働く。
[0079] この場合、蓋体 81は、主に蓋体移動機構 86の加圧力、及び、ピストンロッド 86bや 蓋体 81の自重によって、開口部 80aを開けないようにロックされる力 さらに、外圧 P o と低圧空間 84の内圧 P との差圧により生じる力力 蓋体 81をロックする補助的な力
L1
として働く。即ち、当該差圧が発生することにより、蓋体 81は、より確実にロックされ、 処理容器本体 80に対してより強固に密着させられる。
[0080] また、低圧空間 84の内圧 P の目標値は、内側リーク状態（第一のシール部 101で
L1
リークが発生した状態、処理空間 83と低圧空間 84が処理容器 30の外部から遮断さ れた状態において互いに連通した状態）における処理空間 30の内圧 P 力 外圧 P
P2 O に対して陰圧になるような圧力とする。そのような内圧 P の目標値は、例えば前述し た式（1)を満たす圧力として求めることができる。本実施形態においては、式（1)に おける外圧 P とは大気圧であり、処理空間 83の内圧 P は、例えばゲージ圧で約 50
O P1
kPa 75kPa程度である。この場合、低圧空間 84の内圧 P は、例えばゲージ圧で
L1
約 80kPa - 90kPa程度にしても良!/ヽ。
[0081] 以上のようにして、密閉された処理空間 83及び低圧空間 84を形成し、低圧空間 8 4の内圧を調節したら、先ず、ヒータ 125 126の稼動によって、処理空間 83および ウェハ Wを昇温させる。また、オゾンガス発生部 40で発生させたオゾンガスを、切替 弁 50の切り替えにより、処理側オゾンガス流路 51、供給口 92を経て、処理空間 83に 供給し、処理空間 83の内圧を加圧する。こうして、昇温加圧工程を行う。一方、水蒸 気発生部 41で発生させた水蒸気は、切替弁 70の切り替えにより、バイパス側水蒸気 流路 72に通し、主排出流路 131に排出させる。また、昇温加圧工程では、 Nガス供
2 給流路 141に設けられたエアオペ弁 143は閉じ、 Nガスの供給は停止する。また、
2
主排出流路 131に設けられた切替弁 132は、排出口 93を通じて処理容器 30から排 出されたオゾンガスを、主排出流路 131を通じて排出させる状態に切り替える。
[0082] また、昇温加圧工程では、排出口 93を通じて処理空間 83から排出されたオゾンガ スカ 主排出流路 131を通じて排出される。更に、バイパス側水蒸気流路 72に通さ れた水蒸気が、主排出流路 131に排出させられる。こうして、オゾンガス及び水蒸気 の混合ガスが、エアオペ弁 135及びリリーフ弁 136を経て、主排出流路 131から外部 に排出される。リリーフ弁 136の設定圧力は、例えば 50kPa 75kPa程度に設定さ れる。昇温加圧工程中の処理空間 83の内圧 P は、処理容器 30の外部の圧力 P に
PI o 対して陽圧であり、例えばゲージ圧で約 50kPa 75kPa程度に調節される。低圧空 間 84の内圧は、前述した設定圧力 P (例えばゲージ圧で約 80kPa 90kPa
L1
程度）に維持される。
[0083] こうして、処理空間 83内をオゾン雰囲気に置換しつつ、処理空間 83及びウェハ W を所定の温度（例えば 100°C 110°C程度）まで昇温させ、昇温加圧工程が終了す
[0084] 次に、処理空間 83に収納したウェハ Wを処理する処理工程を行う。即ち、水蒸気 発生部 41で発生させた水蒸気を処理側水蒸気流路 71から処理空間 83に供給しな がら、処理側オゾンガス流路 51から処理空間 83にオゾンガスを供給する。処理空間 83は一定の処理温度に維持される。こうして、ウェハ Wに対してオゾンガスと水蒸気 の混合流体（ガス）を処理流体として供給することで、ウェハ Wの表面に塗布されたレ ジストを酸化させる水溶化処理が行われる。なお、排出口 93を通じて処理空間 83か ら排出されたオゾンガスと水蒸気の混合ガスは、主排出流路 131を通じて排出される
[0085] 処理工程中の処理空間 83の内圧 P は、例えば昇温加圧工程と同程度（ゲージ圧
P1
で約 50kPa 75kPa程度）に調節される。低圧空間 84の内圧は、前述した設定圧 力 P (例えばゲージ圧で約 80kPa 90kPa程度）に維持される。
L1
[0086] 所定の処理工程が終了した後、処理空間 83を Nガス雰囲気に置換させるパージ
2
工程を行う。即ち、オゾンガス発生部 40で発生させたオゾンガスを、切替弁 50の切り 替えにより、処理空間 83に供給せずにバイパス側オゾンガス流路 52に通す状態に する。また、水蒸気発生部 41で発生させた水蒸気を、切替弁 70の切り替えにより、 処理空間 83に供給せずにバイパス側水蒸気流路 72に通す状態にする。
[0087] また、パージ工程では、 Nガス供給流路 141に設けられたエアオペ弁 143を開き、
2
処理側オゾンガス流路 51を経て処理空間 83に Nガスを供給する。また、主排出流
2
路 131に設けられた切替弁 132は、排出口 93を通じて処理空間 83から排出された Nガスを、 Nガス排出流路 145を通じて排出させる状態に切り替える。こうして、ノ
2 2
ージ工程では、処理空間 83に Nガスを供給し、処理空間 83を Nガス雰囲気に置換
2 2
させる。
[0088] パージ工程が終了したら、ウェハ Wの搬出を行う。先ず、吸着口 95によるウェハ W の吸着を停止させる。さらに、低圧空間圧力調節機構 120の作動によって、低圧空 間 84の内圧を上昇させ、例えば外圧 P と同程度に回復させる。そして、蓋体移動機 o
構 86の作動により、蓋体 81を上昇させ、処理容器本体 80の上面から蓋体 81を放す ことにより、処理空間 83 84を開放する。この状態で、昇降ピン 128aを上昇させ、ゥ ェハ Wを載置台 91及び開口部 80aの上方に押し上げ、開口部 80aから搬出させる。 そして、主ウェハ搬送装置 18の搬送アーム 18aを蓋体 81と処理容器本体 80の間に 進入させ、搬送アーム 18aによってウェハ Wを昇降ピン 128aから受け取る。その後、 搬送アーム 18a及びウェハ Wを、蓋体 81と処理容器本体 80の間から退出させること により、処理容器 30からウェハ Wを搬出する。
[0089] ところで、上記のように処理空間 83において昇温加圧工程、処理工程、パージェ 程等が行われている間、処理空間 83の内圧 P は、オゾンガス、水蒸気、 Nガス等
P1 2 の供給により、処理容器 30の外圧 P に対して陽圧に加圧される。例えば昇温加圧
o
工程、処理工程においては、処理空間 83の内圧 P は、前述のようにゲージ圧約約
P1
50kPa〜70kPa程度の設定圧力に維持される。従って、処理空間 83においては、 外圧 P と処理空間 83の内圧 P との差圧により、蓋体 81を処理容器本体 80から離
O P1
隔させようとする力が働く。これに対し、上述したように、蓋体 81は蓋体移動機構 86 の加圧力と低圧空間 84の陰圧により生じる力を受けることで、ロック状態にされてい る。即ち、処理容器本体 80から離隔しないように保持されている。また、例えば処理 ユニット 23aの異常などで、蓋体移動機構 86の加圧力が低下した場合であっても、 低圧空間 84の内圧 P 力 S、外圧 P や処理空間 83の内圧 P より低い陰圧状態（例え
LI O P1
ば前述した式（1)を満たす圧力）になっていることにより、蓋体 81のロックを維持する こと力 Sでさる。
[0090] 即ち、例えば処理ユニット 23aの異常などで、蓋体移動機構 86の加圧力が低下し た場合、処理空間 83の内圧 P が外圧 P に対して陽圧になっていることにより、蓋体
PI o
移動機構 86の加圧力やピストンロッド 86bの自重、蓋体 81の自重に抗して、蓋体 81 が処理容器本体 80から持ち上げられる。すると、第一のシール部 101が、第一のシ ール部接触面 116aから離れ、リークが発生するおそれがある。しかし、第二のシー ル部 102においては、リップ 102aの復元力により、リップ 102aが第二のシール部接 触面 115aに追従して上昇するように変形するので、蓋体 81の上昇量が少ないうち は、第一のシール部 101が第一のシール部接触面 116aから離れた後でも、リップ 1 02aの先端部が第二のシール部接触面 115aから離れず、シールが継続される。即 ち、第一のシール部 101のみがリークする内側リーク状態になる。
[0091] 力、かる内側リーク状態においては、低圧空間 84 (及び処理空間 83)は第二のシー ル部 102によって処理容器 30の外部に対して遮断されたままである力 S、低圧空間 84 と処理空間 83は、第一のシール部 101に形成された隙間を介して互いに連通する ので、当該隙間を通じて、高圧側の処理空間 83の雰囲気が低圧空間 84に流入する 。そのため、処理空間 83の内圧は低下し、低圧空間 84の内圧は上昇する。しかしな がら、そのような場合であっても、低圧空間 84の内圧 P が予め十分低圧に調節され
L1
ていることにより、処理空間 83の雰囲気の流入による低圧空間 84の内圧の上昇分は 相殺されるので、低圧空間 84の内圧が外圧 P に対して陽圧にならない。さらに、処
O
理空間 83の雰囲気が低圧空間 84に流入して、処理空間 83の内圧と低圧空間 84の 内圧力 S、互いに等しい内圧 P =P = (P V +P V ) / (V +V )になったとき、
P2 L2 PI P LI L P L
内圧 P 、P は、外圧 P に対して陰圧になる（P =P < P )。
P2 L2 O P2 L2 O
[0092] このように、内側リーク状態においては、蓋体 81を処理容器本体 80から離隔（上昇 )させようとする力が弱められ、逆に、内圧 P が陰圧（P < P )になることで、内圧 P
P2 P2 O P と外圧 P の差圧により、蓋体 81を処理容器本体 80に対して近接（下降）させようと
2 O
する力が働くようになる。従って、蓋体 81が内側リーク状態における上昇量以上に上 昇することを防止できる。これにより、第二のシール部 102が第二のシール部接触面 115aから離れること、即ち、第二のシール部 102においてリークが発生することを防 止できる。
[0093] なお、以上では処理ユニット 23aにおける処理を代表して説明した力 S、他の処理ュ ニット 23b〜23fにおいても、同様の処理が行われる。
[0094] 以上説明したように、力、かる処理ユニット 23a〜23fにあっては、第一のシール部 10
1においてリークが発生した内側リーク状態における処理空間 83の内圧 P (低圧空
P2
間 84の内圧 P )が、処理容器 30の外部の圧力 P に対して陰圧になるように、正常
L2 O
シール状態における低圧空間 84の内圧 P を調節することで、蓋体 81が処理容器
L1
本体 80から離隔することを防止できる。即ち、第二のシール部 102においてリークが 発生することを防止できる。従って、第一のシール部 101においてリークが発生した 場合でも、第二のシール部 102によって、処理空間 83内の腐食性雰囲気が処理容 器 30の外部に漏れることを防止でき、安全である。
[0095] 特に、従来用いられていたロック機構等のような、複雑な構造を用いることなぐ低 圧空間 84、低圧空間圧力調節路 118、低圧空間圧力調節機構 120等によって構成 された簡単な構造によって、蓋体 81を確実に保持し、蓋体 81が開くことを防止できる 。かかる構成においては、従来用いられていたロック機構で行われていたような難し い調整は不要であり、メンテナンスも簡単である。また、故障の心配も少なぐ信頼性 を高めること力 Sできる。さらに、部品点数が少なくなり、装置コストを低減できる。
[0096] 以上、本発明の好適な実施形態について説明した力 本発明はかかる例に限定さ れない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内にお いて、各種の変更例または修正例に想到しうることは明らかであり、それらについても 当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
[0097] 例えば処理装置にお!/、て供給される処理流体には、オゾンガスや水蒸気の他、そ の他の処理ガスも含まれる。また、処理装置とは、レジスト水溶化処理を行う処理ュニ ット 23a〜23fには限定されず、被処理体に対してレジスト水溶化処理以外の他の処 理を施すものであっても良い。被処理体は半導体ウェハに限らず、例えば他の基板、 即ち、 LCD基板用ガラスや CD基板、プリント基板、セラミック基板などであっても良 い。
[0098] 以上の実施形態では、第一のシール部 101と第二のシール部 102は、いずれも処 理容器本体 80側に取り付けられ、第一のシール部接触面 116a、第二のシール部接 触面 115aは、蓋体 81側にあるとした力 力、かる形態には限定されない。例えば第一 のシール部と第二のシール部のいずれか一方又は両方を、蓋体 81側に取り付け、 第一のシール部接触面と第二のシール部接触面の!/、ずれか一方又は両方を、処理 容器本体 80側に設けても良い。また、第一のシール部、第二のシール部の種類、材 質、形状なども、以上の実施形態には限定されない。例えば第一のシール部又は第 二のシーノレ部としては、 Oリングなどを用いても良い。
[0099] 処理空間 83、低圧空間 84の形状なども、以上の実施形態には限定されない。例え ば以上の実施形態では、処理容器本体 80に設けた下側溝部 84aと蓋体 81に設け た上側溝部 84bとによって、低圧空間 84が形成されるとした力 勿論、下側溝部 84a か上側溝部 84bの!/、ずれか一方のみを形成した構成でも、低圧空間を形成すること が可能である。また、低圧空間圧力調節路 118は、蓋体 81側でなぐ処理容器本体 80側（下側溝部 84a)に接続しても良!/、。
[0100] 以上の実施形態では、内側リーク状態になる前の正常シール状態における低圧空 間 84の内圧 P は、内側リーク状態になった場合の処理空間 83の内圧 P (低圧空
LI P2 間 84の内圧 P )が外圧 P に対して陰圧になる圧力に、低圧空間圧力調節機構 12
L2 O
0によって調節されるとしたが、かかる低圧空間 84の内圧 P は、内側リーク状態にな
L1
つた場合の処理空間 83の内圧 P (低圧空間 84の内圧 P )が外圧 P に対してほぼ
P2 L2 O
等圧（P =P =P )になるような圧力にしても良い。つまり、内圧 P (P )が外圧 P
P2 L2 O P2 L2
に対して等圧以下になるようにすれば良ぐさらに好ましくは、以上の実施形態のよ
O
うに、内圧 P (P )が外圧 P に対して陰圧になるようにしても良い。換言すれば、次
P2 L2 O
式（1) 'で表される関係が満たされるように、さらに好ましくは、以上の実施形態に示 した式（1)で表される関係が満たされるように設定しても良い。
(P V +P V ) / (V +V ) =P =P ≤P …ひ），
PI P Ll L P L P2 L2 O
即ち、正常シール状態における低圧空間 84の内圧 P と低圧空間 84の容積 Vは
Ll L
、内側リーク状態における低圧空間 84の内圧 P が外圧 P に対して等圧以下になる
L2 O
ように、さらに好ましくは、内圧 p が外圧 p に対して陰圧になるように設定しても良い
L2 O
[0101] 上記のように、内側リーク状態になった場合の処理空間 83の内圧 P が外圧 P に
P2 O 対して等圧になるようにした場合も、内側リーク状態になったときに蓋体 81が処理容 器本体 80から離隔することを防止でき、第二のシール部 102においてリークが発生 することを防止できる。また、従来用いられていたロック機構等のような複雑な構造を 用いることなぐ簡単な構造で蓋体 81の開放を防止できる。
産業上の利用可能性
[0102] 本発明は、例えば半導体ウェハや LCD基板用ガラス等の被処理体をガスを用いて 処理する装置、方法等に適用できる。

Claims

請求の範囲
[1] 被処理体を処理容器内の処理空間に収納して処理する処理装置であって、
前記処理容器は、処理容器本体と、前記処理容器本体の開口部を閉塞する蓋体 とを備え、前記蓋体によって前記開口部を閉塞することにより、前記処理空間が形成 され、かつ、前記処理空間の外側に、前記処理空間よりも低圧にされる低圧空間が 形成される構成とし、
前記処理容器本体と前記蓋体との間をシールすることにより前記低圧空間を前記 処理空間から遮断する第一のシール部と、前記第一のシール部よりも外側において 前記処理容器本体と前記蓋体との間をシールすることにより前記低圧空間を前記処 理容器の外部から遮断する第二のシール部とを備え、
前記低圧空間の内圧を調節する低圧空間圧力調節機構を備え、
前記低圧空間の内圧は、前記第二のシール部においてシールが行われている状 態で前記第一のシール部においてリークが発生する内側リーク状態になった場合に 、前記処理空間の内圧が前記処理容器の外部の圧力に対して等圧以下になるよう に、前記低圧空間圧力調節機構により調節されることを特徴とする、処理装置。
[2] 前記低圧空間の内圧は、前記内側リーク状態になった場合に、前記処理空間の内 圧が前記処理容器の外部の圧力に対して陰圧になるように、前記低圧空間圧力調 節機構により調節されることを特徴とする、請求項 1に記載の処理装置。
[3] 前記第一のシール部と前記第二のシール部の!/、ずれにお!/、てもシールが行われ ている正常シール状態における前記処理空間の内圧は、前記処理容器の外部の圧 力に対して陽圧にされることを特徴とする、請求項 1に記載の処理装置。
[4] 前記第一のシール部は、耐熱性及び前記処理空間内の雰囲気に対する耐腐食性 が前記第二のシール部よりも高ぐ
前記第二のシール部は、前記第一のシール部よりも高レ、シール性能を有することを 特徴とする、請求項 1に記載の処理装置。
[5] 前記第一のシール部は、フッ素樹脂によって形成され、
前記第一のシール部が接触する第一のシール部接触面は、炭化シリコンによって 形成されてレ、ることを特徴とする、請求項 1に記載の処理装置。
[6] 前記第二のシール部はリップシールであることを特徴とする、請求項 1に記載の処 理装置。
[7] 前記処理容器本体は、本体基材と、前記本体基材に対して着脱可能に取り付けら れた本体取付部材とを備え、
前記第一のシール部、前記処理空間に処理流体を供給する供給口、及び、前記 処理空間から前記処理流体を排出する排出口は、前記本体取付部材に設けられて いることを特徴とする、請求項 1に記載の処理装置。
[8] 前記低圧空間の容積は、前記処理空間の容積以上の大きさであることを特徴とす る、請求項 1に記載の処理装置。
[9] 前記蓋体を前記処理容器本体に対して移動させる蓋体移動機構を備え、 前記開 口部を閉塞した状態の前記蓋体を、前記蓋体移動機構によって前記処理容器本体 に対して押し付けることを特徴とする、請求項 1に記載の処理装置。
[10] 前記処理空間に供給される処理流体は、オゾンガス、水蒸気、又は、オゾンガスと 水蒸気との混合流体であることを特徴とする、請求項 1に記載の処理装置。
[11] 被処理体を処理容器内の処理空間に収納して処理する処理方法であって、
被処理体を前記処理容器の処理容器本体に形成された開口部から前記処理容器 本体の内部に搬入し、
前記開口部を前記処理容器の蓋体によって閉塞し、前記処理空間を形成し、前記 処理空間の外側に、前記処理空間よりも低圧にされる低圧空間を形成し、前記処理 容器の外部、前記低圧空間、前記処理空間が互いに遮断された正常シール状態に し、
前記低圧空間を減圧し、前記低圧空間の内圧を、前記処理空間と前記低圧空間 が前記処理容器の外部から遮断された状態で互いに連通する内側リーク状態になつ た場合の前記処理空間の内圧が、前記処理容器の外部の圧力に対して等圧以下に なるような圧力にして、前記処理空間内の被処理体を処理することを特徴とする、処 理方法。
[12] 前記低圧空間の内圧を、前記内側リーク状態になった場合の前記処理空間の内 圧が、前記処理容器の外部の圧力に対して陰圧になるような圧力にして、前記処理 空間内の被処理体を処理することを特徴とする、請求項 11に記載の処理方法。
[13] 前記正常シール状態における前記処理空間の内圧を、前記処理容器の外部の圧 力に対して陽圧にして、前記処理空間内の被処理体を処理することを特徴とする、 請求項 11に記載の処理方法。
[14] 前記開口部を閉塞した状態の前記蓋体を、前記処理容器本体に対して押し付けな がら、前記処理空間内の被処理体を処理することを特徴とする、請求項 11に記載の 処理方法。
[15] 前記処理空間に、オゾンガス、水蒸気、又は、オゾンガスと水蒸気との混合流体を 供給して、前記処理空間内の被処理体を処理することを特徴とする、請求項 11に記 載の処理方法。
[16] 処理装置の制御コンピュータによって実行することが可能なプログラムが記録され た記録媒体であって、
前記プログラムは、前記制御コンピュータによって実行されることにより、前記処理 装置に、処理方法を行わせるものであり、
前記処理方法は、
被処理体を処理容器内の処理空間に収納して処理する処理方法であって、 被処理体を前記処理容器の処理容器本体に形成された開口部から前記処理容器 本体の内部に搬入し、
前記開口部を前記処理容器の蓋体によって閉塞し、前記処理空間を形成し、前記 処理空間の外側に、前記処理空間よりも低圧にされる低圧空間を形成し、前記処理 容器の外部、前記低圧空間、前記処理空間が互いに遮断された正常シール状態に し、
前記低圧空間を減圧し、前記低圧空間の内圧を、前記処理空間と前記低圧空間 が前記処理容器の外部から遮断された状態で互いに連通する内側リーク状態になつ た場合の前記処理空間の内圧が、前記処理容器の外部の圧力に対して等圧以下に なるような圧力にして、前記処理空間内の被処理体を処理する、処理方法
であることを特徴とする、記録媒体。
PCT/JP2007/072540 2006-11-24 2007-11-21 Appareil de traitement, procédé de traitement et support d'enregistrement WO2008062826A1 (fr)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE112007002340T DE112007002340T5 (de) 2006-11-24 2007-11-21 Bearbeitungssystem, Bearbeitungsverfahren und Aufzeichnungsmedium
US12/439,249 US8298344B2 (en) 2006-11-24 2007-11-21 Method of processing workpieces using a vessel with a low pressure space surrounding a processing space for the purpose of preventing the leakage of atmosphere into the processing space

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006317253A JP4907310B2 (ja) 2006-11-24 2006-11-24 処理装置、処理方法及び記録媒体
JP2006-317253 2006-11-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2008062826A1 true WO2008062826A1 (fr) 2008-05-29

Family

ID=39429755

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2007/072540 WO2008062826A1 (fr) 2006-11-24 2007-11-21 Appareil de traitement, procédé de traitement et support d'enregistrement

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8298344B2 (ja)
JP (1) JP4907310B2 (ja)
KR (1) KR100979978B1 (ja)
DE (1) DE112007002340T5 (ja)
TW (1) TW200839862A (ja)
WO (1) WO2008062826A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019111429A1 (ja) * 2017-12-06 2019-06-13 ＣＳＧ Ｉｎｖｅｓｔｍｅｎｔｓ株式会社 密閉容器用蓋

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4985183B2 (ja) * 2007-07-26 2012-07-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法並びに記憶媒体
US8033771B1 (en) * 2008-12-11 2011-10-11 Novellus Systems, Inc. Minimum contact area wafer clamping with gas flow for rapid wafer cooling
JP5474840B2 (ja) * 2011-01-25 2014-04-16 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP5655735B2 (ja) * 2011-07-26 2015-01-21 東京エレクトロン株式会社 処理装置、処理方法及び記憶媒体
JP6305736B2 (ja) * 2013-11-20 2018-04-04 測位衛星技術株式会社 情報管理システム、データバンク装置、データの管理方法、データベースの管理方法、および、プログラム
JP5994821B2 (ja) * 2014-06-13 2016-09-21 ウシオ電機株式会社 デスミア処理装置およびデスミア処理方法
US10460955B2 (en) * 2014-08-25 2019-10-29 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Methodology for annealing group III-nitride semiconductor device structures using novel weighted cover systems

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04196532A (ja) * 1990-11-28 1992-07-16 Tokyo Electron Ltd 駆動装置
JPH0910709A (ja) * 1995-06-30 1997-01-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JPH11204613A (ja) * 1998-01-12 1999-07-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JPH11219925A (ja) * 1998-01-29 1999-08-10 Shin Etsu Handotai Co Ltd 多孔質焼結体を用いた耐熱性半導体製造治具の洗浄方法及びその乾燥方法
JP2000349060A (ja) * 1999-06-02 2000-12-15 Ebara Corp ウエハ洗浄装置
JP2002246361A (ja) * 2000-12-15 2002-08-30 Tokyo Electron Ltd 液処理装置および液処理方法
JP2003332322A (ja) * 2002-03-08 2003-11-21 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5248022A (en) 1990-11-28 1993-09-28 Tokyo Electron Limited Driving device having sealing mechanism
JP3106172B2 (ja) * 1991-02-26 2000-11-06 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置の封止構造
US5820692A (en) * 1996-01-16 1998-10-13 Fsi Interntional Vacuum compatible water vapor and rinse process module
JP4196532B2 (ja) 2000-09-28 2008-12-17 株式会社日立製作所 自動車用発電機および回転機の音質評価方法
US6647642B2 (en) 2000-12-15 2003-11-18 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus and method
US6729041B2 (en) * 2000-12-28 2004-05-04 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2003224102A (ja) 2002-01-30 2003-08-08 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
KR100863782B1 (ko) 2002-03-08 2008-10-16 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
KR20050019129A (ko) * 2002-06-13 2005-02-28 비오씨 에드워즈 인코포레이티드 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR100992803B1 (ko) * 2002-07-25 2010-11-09 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 용기
JP4093462B2 (ja) 2002-10-09 2008-06-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04196532A (ja) * 1990-11-28 1992-07-16 Tokyo Electron Ltd 駆動装置
JPH0910709A (ja) * 1995-06-30 1997-01-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JPH11204613A (ja) * 1998-01-12 1999-07-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JPH11219925A (ja) * 1998-01-29 1999-08-10 Shin Etsu Handotai Co Ltd 多孔質焼結体を用いた耐熱性半導体製造治具の洗浄方法及びその乾燥方法
JP2000349060A (ja) * 1999-06-02 2000-12-15 Ebara Corp ウエハ洗浄装置
JP2002246361A (ja) * 2000-12-15 2002-08-30 Tokyo Electron Ltd 液処理装置および液処理方法
JP2003332322A (ja) * 2002-03-08 2003-11-21 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019111429A1 (ja) * 2017-12-06 2019-06-13 ＣＳＧ Ｉｎｖｅｓｔｍｅｎｔｓ株式会社 密閉容器用蓋
JP2019100490A (ja) * 2017-12-06 2019-06-24 ＣＳＧ Ｉｎｖｅｓｔｍｅｎｔｓ株式会社 密閉容器用蓋

Also Published As

Publication number Publication date
DE112007002340T5 (de) 2009-07-30
US8298344B2 (en) 2012-10-30
KR100979978B1 (ko) 2010-09-03
US20090260656A1 (en) 2009-10-22
TW200839862A (en) 2008-10-01
KR20080097402A (ko) 2008-11-05
JP2008130978A (ja) 2008-06-05
TWI362070B (ja) 2012-04-11
JP4907310B2 (ja) 2012-03-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2008062826A1 (fr) Appareil de traitement, procédé de traitement et support d&#39;enregistrement
KR102396319B1 (ko) 고압 프로세싱 챔버를 위한 가스 전달 시스템
TWI724010B (zh) 基板吸著方法、基板保持裝置、基板研磨裝置、彈性膜、基板保持裝置之基板吸著判定方法及壓力控制方法
US10141210B2 (en) Purge module and load port having the same
US5988233A (en) Evacuation-driven SMIF pod purge system
US20120325328A1 (en) Methods and loadport for purging a substrate carrier
JP6463303B2 (ja) 弾性膜、基板保持装置、基板研磨装置、基板保持装置における基板吸着判定方法および圧力制御方法
JP6368882B1 (ja) ゲートバルブの制御方法
JP5383979B2 (ja) 処理システム
KR101121938B1 (ko) 웨이퍼 처리를 위한 챔버 및 관련 방법
JP4842771B2 (ja) 処理システムと処理方法および記録媒体
JP4693175B2 (ja) 加圧式処理液供給装置
JP2003332322A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP4278407B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP4976110B2 (ja) 処理システムと処理方法および記録媒体
KR102424601B1 (ko) 웨이퍼 제조장치 및 상기 웨이퍼 제조장치의 운영방법
KR101233757B1 (ko) 기판 디척킹 방법
JP2004288766A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
TW202127532A (zh) 基板吸著方法、基板保持裝置、基板研磨裝置、彈性膜、基板保持裝置之基板吸著判定方法及壓力控制方法
JP2004228359A (ja) 半導体製造装置
KR20080084145A (ko) 반도체 제조설비의 기상 증착 장치 및 방법
KR20070016729A (ko) 로드락 챔버 퍼지 시스템
KR20070036306A (ko) 챔버의 잠금장치
KR20010055523A (ko) 임플랜터의 밸브장치
KR20050073176A (ko) 로드락 챔버의 부식성 잔류물 배출장치

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020087016891

Country of ref document: KR

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 07832270

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 12439249

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1120070023406

Country of ref document: DE

RET De translation (de og part 6b)

Ref document number: 112007002340

Country of ref document: DE

Date of ref document: 20090730

Kind code of ref document: P

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 07832270

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1