TW200838006A

TW200838006A - Electrode coating material, electrode structure, and semiconductor device

Info

Publication number: TW200838006A
Application number: TW96143577A
Authority: TW
Inventors: Masaki Murata; Nobuhide Yoneya; Norio Kimura
Original assignee: Sony Corp
Priority date: 2006-11-22
Filing date: 2007-11-16
Publication date: 2008-09-16
Also published as: KR101413208B1; JP2008130920A; EP2091077B1; US8895960B2; EP2091077A1; TWI368342B; US20100314611A1; CN101542698A; CN101542698B; EP2091077A4; JP5151122B2; WO2008062843A1; KR20090082419A

Description

200838006 九、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明係關於一種電極被覆材料、電極構造體及半導體裝置。【先前技術】先前利用矽半導體基板等製造半導體裝置時，一直係使用光微影技術及各種薄膜形成技術。然而，該等生產技術較複雜，製造半導體裝置需要較長時間，故而對降低半導體裝置之製造成本構成較大障礙。又，先前之半導體裝置係所謂塊材（bulk)，故而難以應用於需要可挽性及柔軟性之領域。目則，作為代替上述先前之基於矽半導體基板等之半導體裝置之電子元件、例如場效型電晶體（FET，

Transistor)，使用有導電性高分子材料之元件之研究及開卷侍到積極發展，正在逐漸開拓一個柔軟且廉價之所謂塑料電子學之新領域。並且，由有機半導體材料層構成通道形成區域之所謂有機場效型電晶體，已由例如日本專利特開平10-27〇712或日本專利特開而廣為人知。【發明内容】，然而，於該等專利公開公報所揭示之技術中，構成通道形成區域之有機半導體材料層與由金屬構成之源極/汲極電極直接接觸。因&，於如此形態中，金屬與有機半導體材料層之界面上之電子授受時會伴隨明顯之能量損耗。即，金屬與有機半導體材料之接合界面上之電子授受會 123229.doc 200838006 因存在自由電子之金屬界面、具有量子化空間之有機半導體材料層之界面、進而該接合界面之二者距離或方向之不同而受到較大影響，因此，就現狀而言，極其缺乏效率。並且，結果將產生接觸電阻值較大且遷移率較低等問題。口此，本發明之目的在於提供一種可獲得較低之接觸電 • 阻值之電極被覆材料及電極構造體、以及可實現較低之接 ' 觸電阻及較南之遷移率之半導體裝置。 ( 用以達成上述目的之本發明之第1態樣〜第4態樣之半導體裝置包含場效型電晶體，該場效型電晶體具有間極電極、閘極絕緣層、由有機半導體材料層所構成之通道形成區域、以及含金屬之源極/汲極電極；與構成通道形成區域之有機半導體材料層相接之源極/汲極電極之部分係以電極被覆材料所被覆。又，用以達成上述目的之本發明之第1態樣〜第4態樣之電極構造體包含電極及被覆該電極表面之電極被覆材料。 I 並且’用以達成上述目的之本發明之第1態樣之電極被覆材料、本發明之第1態樣之半導體裝置中之電極被覆材 #、本發明之第1態樣之電極構造體中之電極被覆材料之特徵在於： " 包含以式（1)表示之有機分子，且式⑴中之官能基Y與含金屬之電極（或源極/没極電極）之表面鍵結。又’用以達成上述目的之本發明之第2態樣之電極被覆材料、本發明之第2態樣之半導體裝置中之電極被覆材 123229.doc 200838006 料、本發明之第2悲樣之電極構造體中之電極被覆材料之特徵在於：包含以式（1)表示之有機分子，式（1)中之g旎基Υ與含金屬之電極（或源極/汲極電極）之表面鍵結，且式（！）中選自由氮原子、官能基心及官能基心所組成之群中之至少一種與金屬離子鍵結而形成螯合物。 f ί‘ 〜即，於本發明之第2態樣之電極被覆材料、本發明之第2 態樣之半導體裝置、或本發明之第2態樣之電極構造體(以下’有時將該等總稱為本發明之第2態樣）中， Φ式（1)中之氮原子與金屬離子鍵結而形成螯合物，或 •式⑴中之官能基Rl與金屬離子鍵結而形㈣合物:或 •式⑴中之官能基、與金屬離子鍵結而形成螯合物，或中之氮原子及官能基Rl與金屬離子鍵結而形成整合 :式(:中之氮原子及官能基1與金屬離子鍵結而形成螯合 =(υΓ官能基Rl及官能基〜與金屬離子鍵結而形成螯式（1)中之氮原子、官能基Ri及官能美P 而形成螯合物。土1與金屬離子鍵結進而，用以達成上述目的之本發覆材料、本發_ t 之弟3態樣之電極被个％刊之弟3悲樣之半導體奘料、本發明夕楚。At 、置中之電極被覆材 X月之弟3恶樣之電極構造體中版甲之電極被覆材料之 123229.doc 200838006 特徵在於：包含第1有機分子及第2有機分子，第1有機分子包含以式（1)表示之有機分子，第2有機分子包含以式（6)表示之有機分子，式（1)中之官能基γ與含金屬之電極（或源極/汲極電極）之表面鍵結， Γ

式⑴中選自由氮原子、官能基!^及官能基汉2所組成之群中之至少一種與金屬離子鍵結而形成螯合物，式（6)中it自由官能基RS、官能基R，2以及與官能基仏相鄰之氮原子所組成之群中之至少—種與金屬離子鍵結而形成螯合物，及/或式（6)中選自由官能基R,3、官與官能基R，3相鄰之氮原子所組成之群中之至少一土種與4金屬離子鍵結而形成螯合物。即，於本發明之第3態樣之電極被覆材料 =:導體裝置、或本發明之第3態樣之電極構造體:以有時將该等總稱為本發明之第3態樣）中， :式⑴中之氮原子與金屬離子鍵結而形成螯合物，或 •=)中之官能基Rl與金屬離子鍵結而形成聲合物 •工' (1)中之官能基&與金屬離子鍵結而形 5 •式⑴中之氮原子及官能基Ri與金屬離子鍵^物’或物，或硬、、告而形成螯合 :式:)中之《原子及官能基R2與金屬離子鍵結而形成整合 •式⑴中之官能基I及官能扣與金心Μ結而形- 123229.doc 200838006 合物，或官能基Ri及官能基^與金屬離子鍵結 φ式（1)中之氮原子而形成螯合物。又， • =(6)中之官能基R’】與金屬離子鍵結而形成螯合物，或 ^(6)中之官能基Rl2與金屬離子鍵結而形成整合物，或

相之與官能基R、相鄰之氮原子(為方便起見，稱為氣原子A)與金屬離子鍵結而形成螯合物，咬 •式（6)中之官能基及官能基R 螯合物，《 u屬離子鍵結而形成子鍵結而形子鍵結而形 •式（6)中之官能基及相鄰氮原子八與金屬離成螯合物，或 •式（6)中之官能基R，2及相鄰氮原子A與金屬離成螯合物，或 •式（6)中之官能基RS、官能基尺，2及相鄰氮原子A與金屬離子鍵結而形成螯合物。抑或進而，式（6)中之官能基R’3與金屬離子鍵結而形成螯合物，或弋（6)中之官能基R,4與金屬離子鍵結而形成螯合物，或 • 2(^6)中之與官能基R，3相鄰之氮原子（為方便起見，稱為相郴氮原子B)與金屬離子鍵結而形成螯合物，或式（6)中之官能基R,3及官能基尺,4與金屬離子鍵結而形螯合物，或 •式（6)中之官能基R，3及相鄰氮原子B與金屬離子鍵結而形 123229.doc 200838006 成螯合物，或 •式⑷中之官能基R，4及相鄰氮原子B與金屬離子鍵結而形成螯合物，或 •式（6)中之宫能基R，3、冑能基R，4及相鄰氮原子_ 離子鍵結而形成螯合物。再者，式⑴中選自㈣原子、官能糾及官能从所組成之群中之至少一種與金屬離子鍵結而形成螯合物，進而，該金屬離子與式⑹中選自由官能基^、官能美與官能基R,1相鄰之氮原子所組成之群中之至少―種❸:而形成養合物，藉此，第玉有機分子與第2有機分子=而来又’ 中選自由官能基Rli、官能基r,2及與官能基％相鄰之氮原子所組成之群中之至少一種與金屬離子鍵結而形成螯合物’該金屬離子與式（6)中選自由官能基心官能基A及與官能基R，3相鄰之氮原子所組成之群中之至少一㈣結而形成螯合物’藉此’第2有機分子與第2有機分子鍵結，從而使得第2有機分子之鍵結物延長。又’用以達成上述目的之本發明之第4態樣之電極被覆材料、本發明之第4態樣之半導體裝置中之電極被覆材料、本發明之第4態樣之雷Μ 、生μ | ^ 〜像之電極構造體中之電極被覆材料之寺U在於包3具有可與金屬離子鍵結之官能基以及與含金屬之電極（或源極/汲極電極）鍵結之官能基之有機分子。 :者，於本發明之第4態樣之電極被覆材料、本發明之第4 悲樣之半導體裝置、或本發明之第4態樣之電極構造體(以下，有時將該等總稱為本發明之第4態樣）中，可形成藉由 123229.doc 200838006 可V、金屬離子鍵結之官能基與金 ^ 丁又鍵結而形成螯合物之構成，或者亦可形成可與金屬離子鍵結 > ★ 4+ y 〜B月b暴為吼 dm物、或聯K或其衍生物，^ ^ A 〜哪一ϋ比咬或其柄生物，/、3金屬之電極（或源極/汲極電極）鍵結硫醇基、或羧基、氰基、異氰基月b 土 ‘ "、丞胺基、矽氫氧土、羥基、吡啶類、噻吩類等之構成。厪舱工Μ α 作馮可與金、、’°之官能基，可列舉吡啶基、募吡啶基、噻嘴土、-硫酵基、草酸基等由氮原子、硫原成之單齒 [化1]

R；其中， =之X係下式叫至(2.10)中之任_者或” 式⑴中之γ”式（3.υ至（3.12)+之任 123229.doc -12- 200838006 中之Rl係下式㈣至(4_19)中之任 :⑴中之R2係下式（叫至（4,中之任 ζι係下扣·υ至（5·1δ)巾之任—者， Ζ2係下式（5-1)至（5_18)中之任一者， Ζ3係下式（5_1)至（5_l8)t之任—者， Z4係下式(5-1)至(5_18)中之任一者， Z5係下式(5-1)至(5_18)中之任—者， Z6係下式（5_1)至（5_18)中之任一者，式（6)中之Χ'#Τ々7·υ至（7.13)中之任_ 式（6)中之％係'下式㈤）至（8_19)中之任_ 式（6)中之R，2係下式（8-1)至（8_19)中之任_ 式（6)中之R,3係下式（8-1)至（8-19)中之任一式(6)中之R’4係下式(8-1)至(8-19)中之任_ Ζ:丨係下式㈣至㈤8)中之任_者， Ζ’2係下式（9·1)至（9-18)中之任一者， Ζ’3係下式（9_im(9_18)中之任—者， Z’4係下式(9-1)至(9-18)中之任一者， Z'5係下式（9_^(9·18)中之任—者， Ζ’6係下式（9-1)至（9_18)中之任一者， n m係1以上之整數。 [化3] ‘者者者 .者者 *者者

(2-3) 123229.doc -13- 200838006

z2 (2-10) [化4]

HS )-(3-12) HS - (3-1) HOOC — (3-2) H2N — (3-3) HOS i — (3-4) —S - (3-5) NC- (3-6) OCN — (3-7) NCS — (3-8) H〇一 (3-9) [化5]

123229.doc -14- 200838006

Z2 Z1/SH (4-18) ZVs (4-19) [化6] —Η (5-1) — F (5-2) -Cl (5-3) —Br (5-4) — I (5-5) —CH 3 (5-6) -(CH2)mCH3 (5-7) — och3 (5-8) -〇(CH2)mCH3 (5-9) 一 COOH (5-10) — (c = 0)H (5-11) 一 (c=o)ch3 (5H2) 一 (c= 〇)(CH2)mCH3 (5-13) 一 (c: :o)och3 (5Ί4) 一 (c= 〇)0(CH2)mCH3 (5-15) 〇6 h5 (5-16) -(c= 〇)c6h5 (5-17) 一（c= =〇)〇c6h5 (5-18) 123229.doc -15 - 200838006 [化7]

(7-2) —S — S — (7-3) -{Si (z、）(z’2)}n- (7-4)

(7-6) (7-9) (7-12)

[化8]

(8-3) (8-6) 123229.doc -16- 200838006

Z2

ZV /= SH (8-18) )-S (8-19) [化9] -H (9-1) - F (9-2) —Cl (9-3) —B r (9-4) — I (9-5) — CH 3 (9-6) —(CH2)m CH3 (9-7) -och3 (9-8) -0(CH2)mCH3 (9-9) —CO〇H (9-10) 一（C = 0)H (9-11) —(C = 0)CH 3 (9—12) 一 (C = 〇)(CH2)mCH3 (9-13) 一 (c: :〇)〇ch3 (9-14) -(C = 0)0(CH2)mCH3 (9-15) 一 c6 H5 (9-16) -(c=〇)c6h5 (9-17) 一（c: =o)oc6h5 (9-18) 123229.doc -17- 200838006 :式(1)_中之X具有包含兀共軛系或σ共軛系之分子結體而言’作為兀共軛系，可列舉苯基、乙烯基（乙炔 ^反系不飽和基’作為σ共軛系，可列舉硫基、二硫 Γ、石夕烧基等，進而’’亦可為4輛系與σ共輛系之複合系0 弋（）中之X，自使有機分子成為剛直之π共軛結

冓體之觀』而σ，較好的是不具有相對於兩侧之鍵結部位旋轉以外之自由度。 /本發明之第2態樣、本發明之第3態樣或本發明之第4 L樣中’作為構成金屬離子之金屬，籠統而言可列舉驗金屬、鹼土金屬、過渡金屬、稀土金屬，具體而t，可列舉例如鐵（Fe)、鈷（Co)、銅（Cu)、鎳（Ni)、銀（Ag)、鉑（pt)、鈀（Pd)、釕（RU)、鈦⑺）、鋅（Zn)、鎮（Mg)、錳（Μη)。於本發明之第1態樣〜第4態樣（以下，有時將該等總稱為本發明）中，作為利用電極被覆材料被覆電極（或源極/汲極電極）表面之方法’例如可列舉利用具有硫醇基之取代基之官能基Υ可與電極（或源極/汲極電極）表面鍵結之原理，將作為自組裝單分子膜之由電極被覆材料構成之層形成於電極（或源極/汲極電極）表面之方法，進而，可列舉藉由於電極（或源極/汲極電極）表面與官能基γ鍵結之後，浸潰於金屬離子之溶液中而形成螯合物之方法。又，於本發明中，作為構成電極或源極/汲極電極之金屬，可列舉金（Au)、銀（Ag)、銅（Cu)、把（Pd)、鈿（Pt)、鉻 (Cr)、鎳（Ni)、鋁（A1)、鈕（Ta)、鎢（W)、鈦（Ti)、銦（In)、 123229.doc -18 - 200838006 錫㈣等金屬、或包含該等金屬μ之合金、勺心屬之導電性粒子、包含該等金屬之合金專金 :將=…極電極形成為包含該等元素之層之二： :。再者，於本發明之第1態樣〜第4態樣之半導：：中，作為構成閘極電極及一 ( :卜’亦可列舉含有雜質之多晶”導電性物質、聚：乳乙基嗔吩）/聚苯乙婦續酸[PED〇T/pss]等有機材料性-分子)、或碳系材料。構成源極/沒極電及各種配線之材料既可相同，亦可不同。電桎作為源極/沒極電極、閘極電極及配線之形成方法取決於構成該等之材料’可列舉以下方法中之任一種與視需要而定之圖案化技術之組合：物理氣相沈積法 (PVD(Physical vapor dep0siti0n)法）；包含有機金屬化學氣相沈積法（Metal organic chemicaI vap〇r dep〇s出⑽， MOC VD)在内之各種化學氣相沈積法（c VD(chemieai

Deposition)法）；旋轉塗佈法；絲網印刷法、噴墨印刷法、平板印刷法、凹板印刷法之各種印刷法；氣動括塗法、刮刀塗佈法、棒式塗佈法、刀塗法、擠壓式塗佈法、反輥塗佈法、轉送輥（transfer roll)塗佈法、凹板塗佈法、吻合式塗佈法、鑄塗法、噴塗法、毛細管塗佈法、狹縫式塗佈法、壓延塗佈法、浸潰法之各種塗佈法；衝壓法 (stamping);舉離法；蝕刻法；遮罩法；電解電鍍法或無電解電鍍法或該等之組合之電鍍法；以及噴霧法。再者，作為PVD法’可列舉·（a)電子束加熱法、電阻加熱法、閃 123229.doc •19- 200838006 蒸等各種真空蒸鍍法；（b)電漿蒸鍍法；（c)二極濺射法、直流濺射法、直流磁控濺射法、高頻濺射法、磁控濺射法、離子束濺射法、偏壓濺射法等各種濺射法；以及（^直流（direct current，DC)法、射頻（radi〇，rf)法、夕陰極法、活化反應法、電場蒸鍍法、高頻離子電鍍法、反應性離子電鍍法等各種離子電鍍法。作為構成閘極絕緣層之材料，不僅可列舉以氧化矽系材料、氮化矽（SiNY)、金屬氧化物高介電絕緣膜為例之無機系絕緣材料，而且可列舉以聚甲基丙烯酸甲酯（pmma)、聚乙烯酚（PVP)、聚乙烯醇（PVA)為例之有機系絕緣材料，亦可使㈣等之組合。再者，作為氧切緒料，可例示氧化矽（SiOx)、BPSG、PSG、BSG、AsSG、pbSG、氮氧化矽（Sl〇N)、旋塗玻璃（Spin-on-glass，SOG)、低介電常數Si〇2系材料（例如，聚芳醚、環全氟碳聚合物及苯幷環丁烯、環氟樹脂、聚四氟乙烯、氟化芳醚、氟化聚醯亞胺、非晶形碳、有機S0G)。作為閘極絕緣層之形成方法，可列舉上述各種PVD法、各種CVD法、旋轉塗佈法、上述各種印刷法、上述各種塗佈法/文’貝法、澆鑄法及喷霧法中之任一者。或者閘極絕緣層可藉由將閘極電極之表面氧化或氮化而形成，亦可藉由於閘極電極之表面形成氧化膜或氮化膜而獲得。作為將閘極電極之表面氧化之方法，亦取決於構成閘極電極之材料，可例不使用〇2電漿之氧化法、陽極氧化法。又，作為將閘極電極之表面氮化之方法，亦取決於構成閘極電極之 123229.doc •20· 200838006 材料，可例示使用N2電漿之氮化法。或者例如對於Au電極，可如一端經巯基修飾之直鏈狀烴般，藉由具有可與閑極電極化學性鍵結之官能基之絕緣性分子，使用浸潰法等方法以自組裝方式被覆閘極電極表面，而於閘極電極之表面形成閘極絕緣層。與構成通道形成區域之有機半導體材料層相接之源極/ 汲極電極之部分為電極被覆材料所被覆，具體而言，至少源極/汲極電極之側面為電極被覆材料所被覆。源極/汲極電極之側面及頂面亦可為電極被覆材料所被覆。或者，亦可為源極/汲極電極之側面為電極被覆材料所被覆，源極/ 汲極電極之頂面為下述構成絕緣膜之絕緣材料所被覆。構成作為通道形成區域之有機半導體材料層之有機半導體材料較好的是具有共軛鍵之有機半導體分子，較好的是於分子之兩端具有硫醇基（_SH)、胺基（_Nh2)、異氰基 (NC)、氰基（-CN)、硫代乙醯氧基（ — scocHs)或羧基 (-COOH)。位於分子兩端之官能基可不同。具體而言，作為構成作為通道形成區域之有機半導體材料層之有機半導體材料，可例示稠五苯及其衍生物（Tips_ 稠五本等）、稠四苯及其衍生物（紅螢烯、六丙基稠四苯）、 PQT、F8T2、結構式（11)之4,4，-聯苯二硫醇 (BPDT)、結構式（12)之 4 一 - 一異亂基聯苯、結構式（13)之 21 200838006 對酉昆二甲烧（tetracyanoquinodimethane，TCNQ)、結構式 (18)之聯苯-4,4’-二甲酸、結構式（19)之1，4-二（4-噻吩基乙炔基）-2-乙苯、結構式（20)之1，4-二（4-異氰基苯基乙炔基）-2-乙苯。結構式（11) : 4,4’-聯苯二硫醇 [化 10]

結構式（12) : 4,4’-二異氰基聯苯 [化 11]

結構式（13) : 4,4f-二異氰基對聯三苯 [化 12]

結構式（14) ·· 2,5-雙（5’-硫代乙醯基-2’-噻吩基）噻吩 [化 13]

結構式（15) : 4,4’-二異氰基苯 123229.doc -22- 200838006 [化 14]

結構式（16):聯苯胺（聯苯-4,4’-二胺） [化 15] 結構式（17):四氰基對醌二曱烷（TCNQ) [化 16]

HCy \=/ CN 結構式（18) ··聯苯-4,4’-二甲酸 [化 17] Ο /τ=\ i V Ο -0Η 結構式（19): 1，4-二（4-噻吩基乙炔基）-2-乙苯 [化 18]

結構式（20): 1，4-二（4-異氰基苯基炔基）-2-乙苯 [化 19]

200838006 又’作為有機半導體分子之樹枝狀聚合物。結構式（21) ··樹枝狀聚合物 [化 20] 亦可使用以結構式（21)表示

123229.doc -24- 200838006 中之任一者表示。此處，「η」之值為0或正整數。又，X係以式（23-1)、式（23-2)、式（23-3)、式（23-4)中之任一者表示之單元重複鍵結1次以上者，其包含不同單元之重複。進而，側鏈Zi、Ζ2、Ζ3、Ζ4可於重複中變為不同者。 [化 21] Υι—X — Y2 (22) [化 22]

—(23-1)

Zi Zp

(23-3) z3 z4

(23-2) (23-4) [化 23] -SH (24-1) —nh2 (24-2) —c〇〇H (24-3) -CN (24-4) —NC (24-5) -scoch3 (24-6) HS -< (24-7) 一 NCS (24-8) 一 scn (24-9) \ S [化 24] —H (25-1) —F (25-2) -ci (25-3) -Br (25-4) —I (25-5) —(CH2)nCH3 (25-6) —〇(CH2)nCH3 (25—7) — (c=〇)(CH2)nCH3 (25-8)

—(c=o)〇(CH2)nCH3 (25—9) 一 nh 2 (25—10) -no2 (25-11) 123229.doc -25- 200838006 再者’有機半導體材料層可根據CVD法、衝壓法、蒸鍍法塗佈法、旋轉塗佈法、喷墨法、浸潰法等而形成，藉此，可形成基於π共軛錯合物、π共軛錯合物寡聚物、兀共軛錯合物聚合物之單層或多層之有機半導體材料層。作為有機半導體材料層之厚度，可例示數十nm至數卜㈤。作為半‘體裝置之具體構成及構造，於半導體裝置由底部閘極/底部接觸型之場效型電晶體（FET)構成之情形時，该底部閘極/底部接觸型之場效型電晶體具備·· (A) 形成於支持體上之閘極電極； (B) 形成於閘極電極上之閘極絕緣層； (C) 形成於閘極絕緣層上之源極/汲極電極；以及 (D) 形成於源極/汲極電極之間之閘極絕緣層上之通道形成區域。或，於半導體裝置由頂部閘極/底部接觸型之場效型電晶體（FET)構成之情形時，該頂部閘極/底部接觸型之場效型電晶體具備： (A) 形成於支持體上之源極/汲極電極； (B) 形成於源極/汲極電極之間之支持體上之通道形成區域； (C) 形成於通道形成區域上之閘極絕緣層；以及 (D) 形成於閘極絕緣層上之閘極電極。作為支持體，可列舉各種玻璃I板、I面形成有絕緣膜之各種玻璃基板、石英基板、表面形成有絕緣膜之石英基板、表面形成有絕緣膜之矽基板。或者，作為支持體，可 123229.doc •26- 200838006

列舉以聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA)、聚乙烯醇（PVA)、聚乙稀酚（PVP)、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN)、聚砜（PSF)、聚醚颯（PES)、聚醯亞胺、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET)為例之有機聚合物（具有由高分子材料構成之具有可撓性之塑膠薄膜、塑膠薄片、塑膠基板之高分子材料之形態），或者可列舉雲母。使用上述具有可撓性之由高分子材料構成之支持體，可使例如將半導體裝置組裝入具有曲面形狀之顯示裝置或電子設備、或者將其等一體化成為可能。進而，作為支持體，此外可列舉導電性基板（由金荨金屬尚疋向性石墨構成之基板）。又，根據半導體裝置之構成及構造，將半導體裝置設於支持部件上，該支持部件亦可由上述材料構成。此處，作為絕緣膜，可例示含石夕系材料（SiOx、SiNY等氧化銘、金屬氧化物、金屬鹽等絕緣體’或聚甲基丙烯酸甲g旨⑽MA)、聚乙_(pvp) 等有機高分子。較理想的是支持體之表面平滑，但即使存在無益於有機半導體材料層之導電性程度之粗链程度亦無妨0 又，根據構成支持體之材料，有時會給有機半導體材料層之穩定性帶來不良影響，此時較好的是，於支持體表面上，例如藉由錢偶合法而形成錢醇衍生物，或藉由 CVD法等而形成絕緣體之金屬鹽或金屬錯合物之薄膜，曰為密著層。通道形成區域由有機半導體材料層 .^ ^ 竹層構成，但根據情況，亦可於有機半導體材料層中包含由導 V體或丰導體構成之微 123229.doc -27- 200838006 粒子。即，通道形成區域亦可由微粒子及與該微粒子鍵結之有機半導體分子構成，其中該微粒子由導體或半導體^ 成。具體而言，較好的是，有機半導體分子之末端所具有之官能基與微粒子化學性鍵結，更好的是，藉由利用有機半導體分子之兩端所具有之官能基使有機半導體分子與微粒子形成化學性(交替)鍵結，而構建網狀導電通路。可藉由微粒子與有機半導體分子之鍵結物之單層構造而構成‘ 電通路’亦可藉由微粒子與有機半導體分子之鍵結物之積層構造而構成立體網狀導電通路。藉由如上所述構建網狀導電通路’導電通路内之電荷轉移主要於沿著有機半導體刀子之主鏈之分子之軸方向上產生，從而形成導電通路中未包含分子間之電子轉移之構造’其結果可消除先前使用有機半導體材料之半導體裝置中之遷移率較低之原因、即遷移率因分子間之電子轉移而受限，可最大限度地利用分子之軸方向之遷移率，例如離域之兀電子之高遷移率，故而可實現前所未有之高遷移率。 Μ粒子由作為導體之金（Au)、銀（Ag)、鉑（^)、銅 (Cu)銘（A1)、鈀（Pd)、鉻（Cr)、鎳（Ni)、鐵（Fe)等金屬構成，或由包含該等金屬之合金構成，或者由作為半導體之硫化鎘（cds)、硒化鎘（CdSe)、碲化鎘（CdTe)、砷化鎵 (GaAs)、氧化鈦（Tl〇2)或矽（Si)構成。再者，所謂作為導體之微粒子，係指由體積電阻率為ΙΟ·4 Ω·ιη(10-2 n.cm)級別以下之材料構成之微粒子。又，所謂作為半導體之微粒子，係指由體積電阻率具有1〇-4 n.m(1〇-2 Ω至i〇u 123229.doc -28- 200838006 Ω-η^ΙΟ14 〇.cm)級別之材料構成之微粒子。較理想的是，微粒子之平均粒徑Rave之範圍為5.㈣『MU，=好的是 S.Oxn^mAva.ox^ m，更好的是 5〇χΐ〇ι〇 mSRAVESl.〇xi〇_8 m。作為微粒子之形狀，可列舉球形’ 但並不限於此，此外亦可列舉例如三角形、四面體、立方體、長方體、圓錐、圓柱狀（棒狀）、三稜柱、纖維狀、毛球狀之纖維等。再者，微粒子之形狀為球形以外之情形時之微粒子之平均粒徑rave ’可假設一體積與已測定之球形以外之微粒子之體積相同之球，將該球之直徑之平均值作為微粒子之平均粒徑RAVE。微粒子之平均粒徑〜例如可藉由測量利用穿透式電子顯微鏡（Transmission El_Qn Microscope，TEM)觀察到之微粒子之粒徑而獲得。於將本發明之半導體裝置應用、使用於顯^置或各種電子設，中之情形時’可作為支持體上集積有多個半導體裝置之單石積體電路而使用’亦可將各半導體裝置加以切斷而個別化’作為分立零件而❹。χ，亦可利用樹脂穷封半導體裝置。再者’於本發明中’表示即將與含金屬之電極之表面鍵結之電極被覆材料(即’與含金屬之電極之表面鍵社前之電極被覆材料）之式子與表示與含金屬之電極之表面鍵么士後之電極被覆材料之式子，有時會因電極被覆材料與電極表面鍵結而:同。此時，上述各式係表示與含金屬之電極之表面鍵結如之電極被覆材料之式子。於本發明中，將無機物與有機物之中間化合物，例如具 123229.doc -29- 200838006 之電子授受變得容易有剛性之冗共耗系之有機-無機混合化合物用作電極被覆材料’並且使電極被㈣料與電極（或源極级極電極）直接鍵結’進而❹使構成有機半導體材料層之有機半導體材料與源極/沒極電極經由電極被覆材料而鍵結，藉此使得構成半v體材料層之有機半導體材料與源極/沒極電極之間之高遷移率及較低接觸電阻。其結果為例如可實現半導體裝置中

、又，於金屬離子與有機配位基之錯合反應中，若將兩者 k田力X、、·且a則可南概率形成金屬.配位基鍵。尤其是使八有兩個以上之可與金屬離子進行配位鍵結之官能基之有機配位基與金屬離子產生反應時，反應逐步依次進行，因此可生成主鏈上排列有金屬離子之高分子錯合物。再者’眾所周知’於將有機分子作為電子轉移媒體之情形時，電子轉移之效率為烷烴系分子（σ鍵）<烯·炔系分子（兀鍵），進而’右進而考慮具有有機金屬離子類之烯炔化合物群 (d-π鍵），則因此，藉由d-π鍵而接合之分子群最容易引起電子轉移。【實施方式】以下，參照圖式，根據實施例說明本發明。 (實施例1) 實施例1係關於本發明之第1態樣之電極被覆材料、本發月之第11、樣之電極構造體及本發明之第i態樣之半導體裝 123229.doc •30· 200838006 置。此處，實施例1之半導體裝置或下述實施例2〜實施例4 之半導體裝置由場效型電晶體構成，該場效型電晶體具有閘極電極13、閘極絕緣層14、由有機半導體材料層17構成之通道形成區域16 '以及由金屬構成之源極/汲極電極 15。並且，與構成通道形成區域16之有機半導體材料層相接之源極/沒極電極15之部分為電極被覆材料21、121、 221所被覆。又，實施例1或下述實施例2〜實施例4之電極構造體由電極15及被覆該電極15之表面之電極被覆材料 21、121、221 構成。實施例1之半導體裝置更具體而言，由底部閘極/底部接觸型之場效型電晶體（FET)構成，更具體而言由薄膜電晶體（TFT)構成，該底部閘極/底部接觸型之τρτ如圖1之（b) 所示之模式性之部分剖面圖，具備： (A) 形成於支持體10上之閘極電極13 ; (B) 形成於閘極電極13上之閘極絕緣層14 ; (c)形成於閘極絕緣層14上之源極/汲極電極15 ;以及 (D)形成於源極/汲極電極15之間之閘極絕緣層14上之通道形成區域16。並且’電極被覆材料21由以式⑴表示之有機分子構成’式⑴中之官能基γ與含金屬之電極15(或源極/汲極電極15)之表面鍵結。此處，於實施例i中’式⑴中之x不存在，式⑴中之γ 為式㈣，即「_SH」，式⑴中之分別為式㈣， Zr Z2、Z3、z4、z5及26分別為式（5])，即「·Η」。電極 123229.doc -31 - 200838006 被覆材料21更具體而吕’由以式（31)表示之有機分子（聯二 °比咬硫醇）構成。再者’於與含金屬之電極之表面鍵纟士後之電極被覆材料21中，自式（31)之「-SH-」脫去「H」而變為「-S-」。 [化 25]

(31) 又，閘極電極13由鋁（A1)層構成，閘極絕緣層“由％… 構成，源極/汲極電極15由金（Au)層構成，通道形成區域讪由稠五苯構成。圖1之（C)係表示通道形成區域16及其附近之概念圖，源極/汲極電極15之表面為電極被覆材料以所被覆。再者，於圖1之（C)中，以圓圈模式性地表示以式 (31)表示之有機分子。以下，說明用以製造實施例丨之半導體裝置之方法之概要。 [步驟-100] 首先，於支持體10上形成閘極電極13。具體而言，於形成於玻璃基板11之表面上之由Si〇2構成之絕緣膜12上，藉由光微影技術，形成已去除應形成閘極電極13之部分之光阻層（未圖示）。其後，藉由真空蒸鍛法，於整個表面依次 t成作為雄、著層之厚度為〇.5 nm之鉻㈣層（未圖示）以及 123229.doc -32- 200838006 作為閘極電極13之厚度為25 nm之鋁（A1)層，其後，去除光阻層。如此’藉由所謂舉離法，而可獲得閘極電極13。 [步驟-110] 其次，於包含閘極電極13之支持體10(更具體而言，形成於玻璃基板11之表面±之絕緣膜12)上，形成閘極絕緣層14。具體而言，藉由濺射法，將厚度為15〇 nm之由si〇2 構成之閘極絕緣層14形成於閘極電極13及絕緣膜12上。進 :亍閘極絕緣層14之成膜時，ϋ由以硬遮罩覆蓋-部分閘極電極1 3，可不經光微影製程而形成閘極電極1 3之取出部 (未圖示）。 [步驟-120] 其後，於閘極絕緣層14之上，形成由金（Au)層構成之源極/汲極電極15。具體而言，藉由真空蒸鍍法，依次形成作為密著層之厚度約〇.5 nm之鈦（Ti)層（未圖示）及作為源極/ 汲極電極15之厚度約25 nm之金（Au)層。進行該等之層之成膜時，藉由以硬遮罩覆蓋一部分閘極絕緣層14,可不經光微影製程而形成源極/沒極電極15。 [步驟-130] 繼而，使用紫外線（UV)臭氧產生裝置，於由si〇2構成之閘極絕緣層14之表面生成〇H基之後，將其整體浸潰於含 10%之六甲基二矽氮烧（HMDS)之甲苯溶液中，於閘極絕緣層14之表面，形成作為後續步驟中形成之有機半導體材料層17之基礎層之HMDSi單層膜。再者，圖式中已省略 HMDS之單層膜之圖示。 123229.doc -33- 200838006 [步驟-140] 其後，藉由電極被覆材料21而被覆電極（源極/汲極電極 15)之表面（參照圖1之（八））。具體而言，於〇1毫莫耳/升之以式（31)表示之聯三吡啶二硫化物之氣仿溶液中，將整體浸潰18個小時，藉此，利用作為聯三吡啶硫醇自組裝單分子膜之電極被覆材料21而被覆電極（源極/汲極電極15)之表面。 [步驟-150] 繼而，使用真空蒸鍍裝置，使稠五苯沈積於整個表面，形成通道形成區域16(參照圖。將位於源極/汲極電極15之間之閘極絕緣層14上方之通道形成區域“之厚度設為 50 nm 〇 [步驟_160] 最後於整個表面形成純化膜（未圖示），藉此可獲得底部閘極/底部接觸型之FET(具體而言為11?1：)。 (實施例2) 實施例2係實施例丨之變形。於實施例2中，將半導體裝置設為頂部閘極/底部接觸型之FET(具體而言為tft)。即，作為實施例2之半導體裝置之頂部閘極/底部接觸型 TFT，如目2之⑻所示之模式性之部分剖φ圖，具備： (A) 形成於支持體1〇上之源極/汲極電極15 ; (B) 形成於源極/汲極電極15之間之支持體ι〇上之通道形成區域1 6 ; (c)形成於通道形成區域16上之閘極絕緣層14;以及 123229.doc -34- 200838006 (D)形成於閘極絕緣層14上之閘極電極丨3。、、、麄而源極/;及極電極1 5之表面為電極被覆材料2 1所被覆〇以下，祝明用以製造實施例2之半導體裝置之方法之概要 [步驟_200] f先’利用與實施例!之[步驟·12〇]同樣之方法，於絕緣膜12上形成源極/汲極電極1 5。 [步驟-210] 繼而，藉由與實施例丨之[步驟_130]同樣之方式，於支持體（更具體而言為絕緣膜12)之表面形成hmds之單層膜。 [步驟-220] 9 其後，藉由與實施例1之[步驟-140]同樣之方式，藉由電極被覆材料21被覆電極（源極/沒極電極⑺之表面（表9眧圖2 之(A)) 〇 …、 [步驟-230] 其次’藉由與實施例κ[步驟·]同樣之方式，使厚度 ”、、之稠五苯沈積於整個表面，形 16。么W 〜风通道形成區域 [步驟_240] 其後，藉由與實施例！之[步驟_η 表面形成間極絕緣層叫藉由與實施:二同樣之方式’於閉極絕緣層14上形成閘極電極：驟：之（Β))。％拉13(參照圖2 123229.doc -35- 200838006 [步驟-250] 最後，藉由在整個表面形成鈍化膜（未圖示），可獲得頂部閘極/底部接觸型之FET(具體而言為TFT)。 (實施例3 )

實施例3係關於本發明之第2態樣之電極被覆材料、本發明之第2態樣之電極構造體及本發明之第2態樣之半導體裝置，進而係關於本發明之第4態樣之電極被覆材料、本發明之第4態樣之電極構造體及本發明之第4態樣之半導㈣只施例3之半導體裝置更具體而言，係由底部閘極/底 I5接觸！之FET構成，該底部閘極/底部接觸型之(更具體而σ為TFT)具有與圖!之⑻中模式性地表示之部分剖面圖相同之構成及構造。或者實施例3之半導體裝置更且體而言，係由頂部問極/底部接觸型之附構成，於該頂部閉極/底部接觸型之FET(更具體而言為TFT)中，具有與圖2之 ()中杈式f生地表不之部分剖面圖相同之構成及構造。因此對員施例3之半導體|置之具體構成及構造省略說、▲而，電極被覆材料121由以式⑴表示之有機分子構成式⑴中之官能基γ與含金屬之電極15(或源極/沒極電極15)之表面鍵姓，泞、、°式）中之選自由氮原子、官能基1及吕月匕基R2所組成之雜φ 螯合物。〉'一種與金屬離子鍵結而形成此處，於實施例3中為式（3-1)，即 -SH」式（1)中之X不存在，式（1)中之Υ 式（1)中之1及112分別為式（4_υ， 123229.doc -36- 200838006 z, > z： z 4、Zs及Z6分別為式（5-1)，即γ_η」，金屬離子為鐵（Fe)離子。電極被覆材料121更具體而言，由以式 (32)表示之有機分子構成。並且，式（1)中之氮原子、官能基1及官能基R2與金屬離子鍵結而形成螯合物。再者，於與含金屬之電極之表面鍵結後之電極被覆材料1 2 1中，自式（32)之「-SH-」脫去「H」而變為r_s_」。 [化 26] 2+

S— (32) 或，電極被覆材料121由有機分子構成，該有機分子: 有可與金屬離子鍵結之官能基、以及與含金屬之電極〇源極/汲極電極15)鍵結之官能基。繼而，藉由可與金屬肩子鍵結之官能基與金屬離子之鍵結而形成螯合物。此處可與金屬離子鍵結之官能基為聯三。比咬，與含金屬之電才 (或源極/汲極電極15)鍵結之官能基為硫醇基。又，閘極電極13由鋁（A1)層構成，閘極絕緣層14*sic 構成，源極/汲極電極15由金（Au)層構成，通道形成區域1 由稠五苯構成。圖3之表示通道形成區域16及其附近^ 概念圖，源極/汲極電極15之表面以電極被覆材料121所香覆再者，於圖3之（A)中，以菱形模式性地表示以式（32 123229.doc •37- 200838006 表不之有機分子。實施例3之半導體裝置可繼實施例[步驟-14〇]之後，或鉍實施例2之[步驟-220]之後，進行以下處理而獲得。即，藉由氯仿將整體洗淨之後，將整體於〇·丨莫耳/升之四I硼酸鐵（II)(Fe2+(BF4)2·)之乙醇溶液中浸潰一天，藉此 ' 使Fe2+離子與聯三吡啶硫醇之聯三吡啶部位鍵結。 • 除上述處理以外，實施例3之半導體裝置可藉由實施例1 或實施例2中所說明之半導體裝置之製造方法而製造，因此省略詳細說明。 (實施例4) 實施例4係關於本發明之第3態樣之電極被覆材料、本發明之第3怨樣之電極構造體及本發明之第3態樣之半導體裝置，進而係關於本發明之第4態樣之電極被覆材料、本發明之第4態樣之電極構造體及本發明之第4態樣之半導體裝置。實施例4之半導體裝置更具體而言，係由底部閘極/底 °卩接觸型之構成’該底部閘極/底部接觸型之FET(更具體而言為TFT)具有與圖中模式性地表示之部分剖面圖相同之構成及構造。或者實施例4之半導體裝置更具體而言，由頂部閘極/底部接觸型之FET構成，該頂部閘極/ 底部接觸型之FET(更具體而言為TFT)具有與圖2之（B)中模式性地表示之部分剖面圖相同之構成及構造。因此，對實施例4之半導體裝置之具體構成及構造省略說明。並且’電極被覆材料221由第1有機分子及第2有機分子構成，第1有機分子由以式表示之有機分子構成，第2有 123229.doc -38- 200838006 機分子由以式（6)表示之有機分子構成。並且，式中之官能基Y與含金屬之電極（或源極/汲極電極）之表面鍵妗，式⑴中之選自由氮原子、官能基〜及官能基〜所組成之群中之至少一種與金屬離子鍵結而形成螯合物，式（6)中之選自由官能基R’〗、官能基R，2以及與官能基R，〗相鄰之氮原子 (相鄰氮原子A)所組成之群中之至少_種與金屬離子鍵結 :形成螯合物’及/或(於實施例4中，更具體而言為 f 及」）式（6)中之選自由官能美R， …、 AR,都垃P 能基R4以及與官能 "3鄰接之虱原子（相鄰氮原子B)所組成之群中之至小一種與金屬離子鍵結而形成螯合物。 ^ 「1，中之X不存在’式⑴中之Y為式（Π)’即」，式（1)中之R丨及尺2分別為式

Ζ4、Ζ5及26分別為式⑹），即「η 丄' W 子。並且，式⑴中之氮肩早/屬離子為鐵㈣離離子鍵結而形成螯人、“基〜及官能基R2與金屬由實施例3中所即’第1有機分子具體而言，係另—方面，=中式（32)表示之有機分子構成。及 A 分別為式（M)，即「H ) 1 Z2、Z，3、Z，4、ZI5 並且，式⑷中之官，」’金屬離子為鐵㈣離子。金屬離子鍵結而形：二、官能基％及相鄰氮原子A與基R，4及相鄰氮原。，式⑹中之官能基R，3、官能第2有機分子:體：與金屬離子鍵結而形成綱^ 之有機分子構成。’，係由以圖4右側所示之綱表示 123229.doc -39- 200838006 或’於實施例4中，電極被覆材料221亦由有機分子構成’該有機分子具有可與金屬離子鍵結之官能基以及與含金屬之電極（或源極/汲極電極15)鍵結之官能基。並且，藉由可與金屬離子鍵結之官能基與金屬離子之鍵結而形成螯合物。此處，可與金屬離子鍵結之官能基為聯三吡啶，與含金屬之電極（或源極/汲極電極15)鍵結之官能基為硫醇基。又’閘極電極13由鋁（A1)層構成，閘極絕緣層14由Si〇2 構成，源極/汲極電極15由金（Au)層構成，通道形成區域16 由稠五苯構成。圖3之（B)係表示通道形成區域16及其附近之概念圖，源極/汲極電極15之表面為電極被覆材料221所被覆。預先製備π共軛鐵聚合物{[Fe_BLi]2+.2BFV}。具體而吕，藉由將四氟硼酸鐵及有機分子BL】（參照圖4之流程）以1:1之比例，混合於乙醇與氯仿為^之混合溶液中，了獲彳于π共輛鐵聚合物（參照圖4之流程中之式（3 3))。繼而，實施例4之半導體裝置可繼實施例}之[步驟_14〇] 之後，或繼實施例2之[步驟_220]之後，進行以下處理而獲得。即’首先’藉由與實施例3㈣之方式，藉由氣仿將整體加以洗淨之後，將整體浸漬於…莫耳/升之四氟蝴酸鐵 (II)(Fe2+(BF4)2_)之乙醇溶液中一 r 大，猎此使Fe2+離子與聯二。比咬硫醇之聯三吼σ定部位鍵結。其次’藉由乙醇洗淨之後，蔣敕雜將整體浸潰於包含以式（33) I23229.doc -40- 200838006 表示之π共輛鐵聚合物之乙醇與氣仿為1:丨之混合溶液中i 5 为鐘，重複該操作兩次。如此，如圖3之（B)所示，源極/汲極電極1 5之表面形成為電極被覆材料22丨所被覆之狀態。再者，於圖3之（B)中，以菱形模式性地表示以式（32)表示之第1有機分子，且以三角形模式性地表示以式（33)表示之弟2有機分子。除以上處理以外，實施例4之半導體裝置可藉由實施例i

或實施例2中所說明之半導體裝置之製造方法而製造，因此省略詳細說明。於實施例1、實施例3及實施例4中，試製底部閘極/底部接觸型之TFT。再者，於各實施例中，試製有通道長度分 J 為 10 μιη 20 μηι、50 μιη、70 μηι、1〇〇 μηι 之五種 TFT。通道寬度於所有試製品中均為5·6 mm。將所獲得之TFT試製品之接觸電阻值R(單位：kQ)之平均值、飽和區域中之遷移率μι(單位：之平均值、線形區域中之遷移率|^(單位·· 之平均值之測定結果揭示於下表1中。又，將實施例1及實施例3之底部閘極/底部接觸型之TFT試製品中之遷移率及通道長度之關係（其中Vd==_5伏特）揭示於圖5。再者，圖5中，以「A」 $不之黑圓圈表示實施例3之飽和區域中之遷移率㈨之測果以B」表不之黑二角形表示實施例3之線形區域中之遷移率μ之測定έ士罢「Γ 主-i娘 μ j疋、、，口果以c」表不之黑圓圈表示實施例1之飽和區域中之遷移率㈨之測定結 '，，、二角形表示實施例!之線形區域中之遷移率…之測定 123229.doc •41 - 200838006 結果 ° [表1]

R 實施例1 5.7 實施例3 2.4 實施例4 17 以1 μ2 0.16 0.16 0.22 0.23 0.09 0.08 為了比較，於實武製省略[步驟-140]之底部間極/底部接觸型之TFT並測定拉_ + 仏々 f 列疋接觸電阻值後發現，其接魎雷阻值非常高，達3〇kQ〜4〇kQ。又夕伯、又，μ!、μ2之值分別為 μ 1 ~0.0 5 42=0.03 〇如上所述，使電極與由有機_無機混合化合物共軛錯合物、π共軛錯合物募聚物或π共軛錯合物聚合物）構成^ 電極被覆材料直接化學性鍵結，藉此，電極被覆材料可輔助由金屬構成之源極/、及極電極與由有機半導體材料屏構成之通道形成區域之間之電子轉移，從而可大幅度地降低接觸電阻’實現較高之遷移率。又，於共軛錯合物聚合物中呈現出主鏈中流動之電荷之轉移速度高於通常之有機導電性高分子之現象，故而導電性之充分提高於理論上亦得到證實。又，由圖5可知，於通道長度為10 μιη之情形時，亦不太有遷移率之降低。以上，根據較佳實施例對本發明進行了說明，但本發明並不為該等實施例所限定。半導體裝置之構造、構成、形成條件、製造條件為例示，玎進行適當變更。於顯示裝置 123229.doc -42- 200838006 或各種電子設備中應用、使用藉由本發明而獲得之場效型電晶體_)之情形時，可作為於支持體或支持部件上集積有多個而之單石積體電路而使用，亦可將各FET加以切斷而個別化，作為分立零件而使用。於實施例中，電極主要為源極/沒極電極’但電極並不限定為源極/沒極電極，而亦可對如下電極廣泛應用本發明之電極被覆材料：向由有機導電性高分子（導電性物質）或有機半導體材料構

成之層流入電流的電極，或者需要施加電壓之領域内之電極。根據情況，電極被覆材料亦可由第1有機分子及第3有機分子構成。此處，第丨有機分子如上所述，由以式⑴表示之有機分子構成。另一方面，第3有機分子由以式 (跳1)、式⑽-2)或式⑽_3)表示之有機分子構成。並且，式（1)中之官能基γ與含金屬之電極之表面鍵結，式⑴ 中之選自由t原子、官能基官能基1所組成之群中之至少一種與金屬離子鍵結而形成螯合物，且選自由式 (1〇〇_1)、式（100-2)或式（100_3)之官能基¥，丨、官能基Ί 官能基Y，3及官能基YU所組成之群中之至少一種與金屬離

子鍵結。 W …中式（1)中之X如上所述，為式（2-1)至（2_10)中之任一者或不存在，式⑴中之Y為式（3_υ至（3_12)中之任一者，式（1)中之心及化2分別為式（4」）至（4_19)中之任一者， Zi、Z2、Z3、z4、R5及冗6分別為式（54)至（5_18)中之任一者。另一方面，式（100-D、式（100_2)或式（100·3)中之x” 123229.doc •43- 200838006 如上所述，為式㈤）至（2_1G)巾之任 (100-2)或式（ι〇〇·3)中之 γ" " (100-1)、式 y Τ < Υ 1、Υ，，2、Υ”3 及 Υ”4 八、、 (101-1)至（101-15)中之# 4. 477別為下式 )干之任-者，W"jW"2分別為 1)至（102-18)中之任一去丄卜式（102- } 者’n、m為1以上之整數。 [化 27]

[化 28] —SH ⑽ ~l) ~OH (101-2) -NH2 (101一3) COOH (101 4) — (C=0)H (101-5) — (C = 〇) CH 3 (101 -6) 一（C = 0)(CH2)mCH3 (101-7) 一（C=0)〇CH3 (101-8) 一（C = 0)0(CH2)mCH3 (101 -9) — c6 H5 (101 -10) 一（C = 0)C6H5 (1〇Hl) —（C=0)0C6H5 (101-12) )-NH (101-13)

OH (101-14)

SH (101 -15) [化 29] -H (102-1) ~ F (102-2) 一 CI (102-3) -Br (102-4) —I (102-5) -CH3 (102-6) 123229.doc .44· 200838006 ""^CH2)mCH3 (102-7) — 〇CH〇 3 (102-8) 一〇(CH2)mCH3 (102-9) —COOH (102-10) - (c=〇)H (102-11) 一 (c=o)ch3 (102-12) 一（C = 0)(CH2)mCH3 (102-13) -[c: =o)och3 (102-14) -(C = 0)0(CH2)mCH3 (102 -15) -c6 h5 (102 -16) (c=o)c6h5 002-17) 一（c: -0)0CgH5 (102 -18) 【圖式簡單說明】圖1之（A)及（B)係實施例！之半導體裝置之模式性之部分剖面圖，圖1之（C)係實施例1之半導體裝置之通道形成區域及其附近之概念圖。圖2之（A)及（B)係實施例2之半導體裝置之模式性之部分剖面圖。圖3之（A)及（B)分別係實施例3及實施例4之半導體裝置之通道形成區域及其附近之概念圖。圖4係表示實施例4中之π共軛鐵聚合物之合成流程之圖。圖5係表示實施例實施例3之底部閘極/底部接觸型 TFT試製品之遷移率與通道長度之關係之圖表。【主要元件符號說明】 10 支持體 11 玻璃基板 12 絕緣膜 13 閘極電極 14 閘極絕緣層 15 源極/汲極電極 123229.doc •45- 200838006 16 通道形成區域 17 有機半導體材料層 21、121、221 電極被覆材料

123229.doc -46-

Claims

200838006 十、申請專利範圍：性电蚀被覆材料其包含以式（〗）表示之有機分子，式⑴_之官能基Υ舆含金屬之電極 f化1J 题、、σ Ri 2ι

⑴ -中，式⑴中之x為下式㈣至(2·1〇)中之任存在，式⑴中之γ為下式叫）至（3_12)中之任^不 ⑴中…R2分別為下式⑹)至者’式 = Z2、Z3、：、…趣下式二者，n、m為1以上之整數，甲之任 [化2]

123229.doc 200838006

[化3]

HS - (3-1) HO〇C 一 (3-2) h2n — (3-3) H〇S i — (3-4) -s — (3-5) NC- (3-6) OCN - (3-7) NCS — (3-8) HO- (3-9) 123229.doc 200838006

[化5] -H (5-1) —F (5-2) -Cl (5-3) —B r (5-4) -I (5-5) —CH3 (5-6) -<CH2)mCH3 (5-7) —och3 (5 - 8) 一 0(CH2)mCH3 (5-9) —COOH (5-10) 一（c: :0)H (5-11) 一 (c=o)ch3 (5-12) 一 (C = 0)(CH2)mCH3 (5-13) 一 (c=o)och3 (5-14) 一（C = 0)0(CH2)mCH3 (5-15) —c6 h5 (5-16) 一 (c=o)c6h5 (5-17) -(c= :o)oc6h5 (5-18) / 裡冤極被覆材料，其特其包含以式（1)表示之有機分子，式（1)中之官能基γ與含金屬之電極之表面鍵結，式⑴中選自由氮原子、官能基〜及官能基尺2所組成群中之至少一種與金屬離 [化6] 十鍵、…而形成螯合物， 123229.doc 200838006

八中，式（1)中之χ為下存在，式⑴中之γ為下二_ (2·1〇)中之任-者或不 ⑴中之為下式㈤）至（3-12)中之任—者— 之=2分别為下式⑹)至崎之任:者式历為1以上之整數，者，XI、 [化7]

(2-3) (2-6) (2-9) [化8] HS (3-1) HOOC 〜(3-2) h2n (3 - 3) 123229.doc 200838006 H〇S i — (3-4) -S- (3-5) NC - (3-6) OCN — (3-7) NCS - (3-8) HO - (3-9)

123229.doc 200838006

3. Z2 Z\Z y- sh (4-18) ZVs (4-19) [化 10] -Η (5-1) — F (5-2) ~ Cl (5-3) —Br (5-4) 一 I (5-5) 〜CH3 (5-6) -(CH2)m CH3 (5-7) 一 och3 (5-8) —0(CH2)mCH —COOH (5-10) — (C = 0)H (Hi) 〜(c=o)ch3 —(C = 0)(CH2)mCH3 (5-13) 一 (c: :〇)〇ch3 (5-14) —(C = 0)0(CH2)mCH3 (5-15) —c6 h5 (5—16) —(c=o)c6h5 (5-17) 一 (c: = 0)〇〇eH5 (5-18) (5-9) (5-12) 一種電極被覆材料，其特徵在於：其包含第1有機分子及第2有機分子，第1有機分子包含以式（1)表示之有機分子，第2有機分子包含以式（6)表示之有機分子，式（1)中之官能基γ與含金屬之電極之^面鍵結，式（1)中選自由氮原子、官能基尺 m s能基R2所組成之之至少-種與金屬離子鍵結而形成螯合物，式（6)中選自由官能基R，官 _ 1 S此基汉2以及與官能基RS 相4之氮原子所組成之群中之？，丨、絲k ^^ 砰甲之至）一種與金屬離子鍵結形成螯合物，及/或式（6)中 1 ) T選自由官能基R，3、官能基 123229.doc -6 - 200838006 及與官能基R，3相鄰之氮原子所組成之群中之至小與金屬離子鍵結而形成f合物， " [化 11]

R； f 、R; =，式⑴中之X為下式(2-1)至(2,中之任一者t 存在，式⑴中之γ為下式f3 任者或 ⑴中之m⑽)中之任—者， Ζι、 2刀別為下式(4·”至(4-19)中之任一者 2 3 24、25及26分別為下式（5_丨）至（5 -者，式（6)中）至（5-18)中之 (6)中之R、、r，、R:D至('13)中之任-者，任ι，ζ,Λ ζ 4分別為下染”至⑹^ (9,中之任-者2:3:ζ'5及ζ’6分别為下式(9, f η、爪為丨以上之整數， [化 12J

(2-2) (2-3)

2a

123229.doc 200838006

[化 13] HS — (3-1) HOOC — (3-2) H2N ~ (3-3) HOS i - (3-4) -s - (3-5) NC — (3-6) OCN — (3-7) NCS — (3-8) HO — (3-9)

123229.doc 200838006

[化 15] -Η (5-1) _ F (5-2) — Cl (5-3) —Β r (5-4) — I (5-5) —CH3 (5-6) -(CH2)mCH3 (5-7) 一 OCH3 (5-8) 一〇(CH2)mCH3 (5-9) —COOH (5-10) 一 (C = 0)H (5-11) 一 (c=o)ch3 (5-12) 一 (C = 0)(CH2)mCH3 (5-13) 一（c=o)och3 (5-14) —(C 二 0)0(CH2)mCH3 (5-15) 一 c6h5 (5-16) 一（c二o)c6h5 (5-17) 一（c=o)oc6h5 (5-18)

[化 16]

—S — S - (7-3) (7-2) 123229.doc 200838006

[化 17]

N* V-Zs )=N Z； z； z；

Z；

Z： z； OH (8-3) (8-6)(8-9)

123229.doc -10- 200838006

[化 18] -Η (9-1) 一 F (9-2) -Cl (9-3) —Br (9-4) — I (9-5) -CH3 (9-6) -(CH2)mCH3 (9-7) — OCH3 (9-8) 一 0(CH2)mCH3 (9-9) 一 C〇〇H (9-10) 一 (C: :0)H (9-11) 一（c = 〇)ch3 (9-12) 一 (C = 〇)(CH2)mCH3 (9-13) 一（c=o)och3 (9-14) 一 (C = 0)0(CH2)mCH3 (9-15) 一 c6h5 (9-16) —(c=o)c6h5 (9-17) -(c=o)oc6h5 (9-18)

4. 一種電極被覆材料，其特徵在於：其包含有機分子，該有機分子具有可與金屬離子鍵結之官能基以及與含金屬之電極鍵結之官能基。 5. 如請求項4之電極被覆材料，其中藉由可與金屬離子鍵結之官能基與金屬離子之鍵結而形成螯合物。 6. 如請求項4之電極被覆材料，其中可與金屬離子鍵結之 123229.doc -11 - 200838006 官能基為吼咬或其衍生物、聯❸定或其衍生物、或聯三吡啶或其衍生物；與含金屬之電極鍵結之官能基為硫醇基。一種電極構造體，其特徵在於：其包含電極及被覆該電極表面之電極被覆材料，

電極被覆材料包含以式（1)表示之有機分子，式⑴中之官能基γ與含金屬之電極之表面鍵結， [化 19]

VI w甲之任一者子在’式⑴中之Y為下式㈣至(3_12)中之 ^中之Rl及R2分別為下式（4-1)至（4-19)中之任_ —^、'^仏分別為下式㈣至㈣中者，η、m為1以上之整數，巧 [化 20]

(2-2) (2-5) 2ι

Zi Z

I23229.doc 12- 200838006

[化 21]

(3-10) Z2 Zi

(3-11) (3-12) HS - (3-1) HOOC — (3-2) H2N - (3-3) H〇S i — (3-4) -s - (3-5) NC- (3-6) OCN - (3-7) NCS — (3-8) HO — (3-9) HS [化 22]

123229.doc •13- 200838006

[化 23] -Η (5-1) —F (5-2) -Cl (5-3) —Br (5-4) —I (5-5) —CH3 (5~6) -(CH2)mCH3 (5-7) —〇cH3 (5 - 8) 一〇(CH2)mCH3 (5-9) -COOH (5-10) 一（C: =〇)H (5-11) 一 (c=o)ch3 (5-12) -(C = 0)(CH2)mCH3 (5-13) —(C = 〇)〇ch3 (5-14) 一 (C = Q)〇(CH2)mCH3 (5-15) —C6H5 (5-16) -(c=o)c6h5 (5-17) -(C = 0)0C6H5 (5-18) 8. 一種電極構造體，其特徵在於：其包含電極及被覆該電極表面之電極被覆材料’ 123229.doc -14- 200838006 電極被覆松姓七人復材枓包含以式⑴表示之有機分子，工之官能基丫與含金屬之電極之 ^(1)ψ ^ Α 〈表面鍵結，、自由氮原子、官能基心及官群中之5小 g此基R2所組成之主夕—種與金屬離子鍵結而形成 [化24] &螯合物，

/、中，式⑴中之X為下式㈣至㈣)中之任一者或不存在，式（1)中之Y為下式（3-1)至（3_12)中之任一者，式 (1)中之Ri及R2分別為下式（4-1)至（4」9)中之任一者 A、Z2、Z3、Z4、Z5及Z6分別為下式（5_υ至（5_18)中之任一者，n、m為1以上之整數， [化 25]

123229.doc -15- 200838006

[化 26] HS — (3-1) HOOC- (3-2) h2n — (3-3) HOS ί — (3-4) 一s - (3-5) NC- (3-6) OCN — (3-7) NCS — (3-8) HO — (3-9)

(4-3) (4-6) (4-9) (4-12) 123229.doc -16- 200838006

[化 28] -Η (5-1) —Br (5-4) -(CH2)mCH3 (5-7) 一 COOH (5-10) 一 F (5-2) -I (5-5) 一0CH3 (5-8) 一（C=Q)H (5-11) 一（C = 0)(CH2)mCH3 (5-13) —(C = 0)0(CH2)mCH3 (5-15) —(C = 0)C6H5 (5-17) 一 (C=〇)〇ch3 一 c6h5 一（C = 〇)〇c6H5 -Cl (5-3) 一 CH3 (5-6) 一 0(CH2)mCH3 一 (c = o)ch3 (5-14) (5-16) (5-18) (5-9) (5 -12) 9· 一種電極構造體，其特徵在於：其包含電極及被覆該電極表面之電極被覆材料，電極被覆材料包含第i有機分子及第2有機分子，第1有機分子包含以式（1)表示之有機分子，第2有機分子包含以式⑷表示之有機分子，式（1)中之官能基γ與含全屬雪 ^ 3孟屬之電極之表面鍵結， $ (1)中選自由氮原子、官能基1 S月b基R2所組成之 123229.doc •17- 200838006 群中之至少—種與金屬離子鍵結而形成螯合物，式（6)中選自由官能基R，宫能其 ^ ^ ^ S此基以及與官能基R，丨 1开=原子所組成之群中之至少—種與金屬離子鍵結 ::f合物’及/或式⑷中選自由官能基R，3、官能基二及與官能基R，3相鄰之氮原子所組成之群中之至少 /、金屬離子鍵結而形成螯合物， [化 29] Ri 2)

R2 22 X ⑴

⑹ 存在，=為下式㈣至(2,中之任-者或不 ⑴中之:⑴中之γ為下式㈣至(3-12)中之任一者，式 Zl、Z2、rR2分別為下式（4.1)至（4_19)中之任一者， -者，式二二37別為下式(5，(5·18)中之任 (6)中之R、::式(7仰任-者，〜；I2 J及⑽^ (9，)中之任 3 Z4、2’5及汐6分別為下式(9-1)至 [化30] 者’ n、m為1以上之整數，

123229.doc •18- 200838006

(2-6) (2-9) [化 31] HS — (3-1) HO〇C — (3-2) H2N — (3-3) H〇S i — (3-4) —S — (3-5) NC — (3-6) OCN — (3-7) NCS 一 (3-8) H〇一 (3-9)

(4-3) (4-6) 123229.doc -19- 200838006

Z2 z SH (4-18) ')= s (4-19) [化 33] -H (5-1) — F (5-2) -Cl (5 - 3) —B r (5-4) — I (5-5) —CH3 (5-6) —(CH2)mCH3 (5-7) 一〇ch3 (5-8) 一〇(CH2)mCH3 (5-9) 一 C〇OH (5-10) 一 (c: :0)H (5-11) 一（c = 〇)ch3 (5 -12) 一 (C = 〇)(CH2)mCH3 (5-13) 一 (C: :〇)och3 (5-14) —(C = 〇)〇(CH2)mCH3 (5-15) 一 c6 h5 (5-16) —(C ~ O) C6H 5 (5-17) -(c= =o)oc6h5 (5-18) 123229.doc -20- 200838006 [化 34]

(7-3) (7-6) (7-9) (7-12) (8-3) (8-6) (8-9) 123229.doc -21 - 200838006

(8-12) (8-15)

[化 36] -Η (9-1) — F (9-2) — Cl (9-3) -Br (9-4) — I (9-5) —CH3 (9-6) -(CH2)mCH3 (9-7) — 〇ch3 (9-8) 一 0(CH2)mCH 一 CO〇H (9-10) — (C = 0)H (9-11) 一（c=o)ch3 一 (C = 〇)(CH2)mCH3 (9-13) 一 (c: :〇)〇ch3 (9-14) 一 (C = 〇)〇(CH2)mCH3 (9-15) 一 c6 h5 (9-16) ~ (c=o)c6h5 (9-17) -(c= :〇)〇c6h5 (9-18) (9-9) (9-12) 10. —種電極構造體，其特徵在於：其包含電極及被覆該電極表面之電極被覆材料， 123229.doc -22- 200838006 笔極被覆材料包含有機分子’該有機分子具有可盘金屬離子鍵結之官能基及與含金屬之電極鍵結之官能基。 11 ·如請求項10之電極構造體，其中藉由可與金屬離子鍵結之官能基與金屬離子之鍵結而形成螯合物。

12·如請求項1〇之電極構造體，其中可與金屬離子鍵結之官能基為吼咬或其衍生物、聯吡啶或其衍生物、或聯三吼咬或其衍生物；與含金屬之電極鍵結之官能基為硫醇基。 _ 13· —種半導體裝置，其特徵在於：其包含場效型電晶體，該場效型電晶體具有閘極電極、閘極絕緣層、由有機半導體材料層所構成之通道形成區域以及含金屬之源極/汲極電極，與構成通道形成區域之有機半導體材料層相接之源極/ 汲極電極之部分係以電極被覆材料所被覆，電極被覆材料包含以式（1)表示之有機分子，式（1)中之官能基γ與含金屬之源極/汲極電極之表面結，輝 [化 37]

V a ; r ^ r八（2-1)至（2-10)中之任一二子在式⑴t之γ為下式（3])至（3_12)中之任一； 123229.doc •23- 200838006 :)中之rjr2分別為下式(4_υ至(4，)中之 1、Ζ2、Ζ3、ζ4、25及26分別者，一去马下式（5-1)至（5-18)中之# 者，η、m為1以上之整數，）r之任 [化 38]

[化 39] HS — (3-1) HOOC、 * (3-2) H〇S i — (3-4) 一 s〜 (3-5) 〇CN - (3-7) NCS〜 (3-8)

H2N 〜（3〜3) NC 一 (3-6) HO — (3-9) HS ^ (3-12) 123229.doc -24- 200838006 [化 40]

(4-3) (4-6) (4-9) (4-12) (4-15) )/= SH (4-18) )= S (4-19) [化 41] 123229.doc -25- 200838006 一 COOH (5-10) —(C = 0)(CH2)mCH3 (5-13) — (C = 0)〇CH3 一 (C = 0)0(CH2)mCH3 (5~15) — C6 H5 (C-0)C6H5 (5-17) - (C = 0)0C6H5 一 Η (5-1) —Br (5-4) -(CH2)m CH3 (5-7) -F (5-2) 一 I (5-5) 一〇CH3 (5-8) 一（C = 〇)H (5-11) — Cl (5-3) —CH3 (5-6) 一〇(CH2)mCH3 (5-9) 一（C = 0)CH3 (5-12) (5-14) (5-16) (5-18) 14. 一種半導體裝置，其特徵在於： /、L 3 %效型電晶體，該場效型電晶體具有閘極電極、閘極絕緣層、由有機半導體材料層所構成之通道形成區域以及含金屬之源極/汲極電極，與構成通道形成區域之有機半導體材料層相接之源極/ 汲極電極之部分係以電極被覆材料所被覆，電極被覆材料包含以式表示之有機分子，式（1)中之官能基γ與含金屬之源極/汲極電極之表面鍵結，式⑴中選自由氮原子、官能基〜及官能基〜所组成之群中之至>、一種與金屬離子鍵結而形成螯合物， [化 42] 其中’式〇)中之X為下式㈣至(2,中之任-者或不 123229.doc -26- 200838006 存在，式⑴中之γ rn . 勹卜式（3-1)至（3·1 2)中之任一者，式 ()中之R丨及尺2分別為下4 “、 2刀〜為下式（4-1)至（4-19)中之任一者， r ζ2、Ζ3、ζ4、Ζ5ΑΖ6分別為下式（5-1)至（5_18)中之一者，n、m為1以上之整數， [化 43] (2-1) Γ

(2 - 4) (2-7)

(2-2) (2-5)

(2-8)

(2-10) [化 44] HS — (3-1) HOOC— (3-2) h2n — (3-3) HOS ί i - (3-4) 一 S — (3-5) NC ~ (3-6) OCN 一 (3-7) NCS — (3-8) HO〜 (3-9) 2ι Μ z2 HS Z3 Z, (3-12) (3-10) Ζ/ Λ (3-11) 乙3 123229.doc -27- 200838006 [化 45]

(4-3) (4-6) (4-9) (4-12) (4-15) y= SH (4-18) )= s (4-19) [化 46] 123229.doc -28- 200838006 -Η (5-1) —F (5-2) —C 1 (5-3) _ 巳 r (5-4) -I (5-5) —CH3 (5-6) -(CH2)mCH3 (5-7) 一〇CH3 (5-8) —〇(CH2)mCH3 (5-9) —CO〇H (5-10) 一（c= = 0)H (5-11) -(c=o)ch3 (5-12) 一 (C = 0)(CH2)mCH3 (5-13) 一（C = :o)〇ch3 (5-14) 一（C = 0)0(CH2)mCH3 (5 -15) 一 Ce H5 (5-16) 一（c=〇)c6h5 (5-17) -(C= =〇)〇c6h5 (5-18) 15· —種半導體裝置，其特徵在於：

i 其包含場效型電晶體，該場效型電晶體具有閘極電極、閘極絕緣層、由有機半導體材料層所構成之通道形成&域以及含金屬之源極/及極電極，與構成通道形成區域之有機半導體材料層相接之源極/ 汲極電極之部分係以電極被覆材料所被覆，電極被覆材料包含第丨有機分子及第2有機分子，第1有機分子包含以式（1)表示之有機分子，第2有機分子包含以式所示之有機分子，式⑴中之官能基Y與含金屬之源極/汲極電極之表面鍵八肀選自由氮原 ’ M /lyL 、 σ巧匕签1Μ，八&月匕签iv 群中之至少一種與金屬離子鍵結而形成螯合物，式（6)中選自由官能其ρ, ^ ^ 相鄰土 1、g能基R’2以及與官能基R，】 ^ ^ ^ 中之至父一種與金屬離子鍵結而形成螯合物，及/吱式、；式（6)中選自由官能基R，3、官能Λ R4以及與官能基％相鄰 3 B月匕基氮原子所組成之群中之至少 123229.doc -29- 200838006 一種與金屬離子鍵沾 %、、、口而形山 [化47] 戍骛合物， Ri 4

ί 存在，式⑴中之γ為下：:2·1)至(2·10)中之任-者或不 m由 r, 式（3-1)至（3-12)中之任—去 (1)中之心及112分別為下； 1者，式 2 , 7 7 為下式（4-〗）至（4-!9)中之任乙1 z2 ' Zl、7/、7 77 1 f， 5及4分別為下式…邮-以、由 -者’式⑹中之X，為 18)中之任式（7·1)至（7-13)中之任一！, (6)中之 R、、R，2、R，另 p, v 1 者，式 3及114勿別為下式任—者，Z、、Z，” 7， U主（8-19)中之乙1 Z 2 Z，3、Z， z, (Μ)中之任一者，n、 5及％刀別為下式（叫至 m為1以上之整數， [化 48]

(2-3) (2-6) 123229.doc -30- 200838006

[化 49] HS — (3-1) H〇OC — HOS ί — (3-4) -S — OCN — (3-7) NCS-

(3-2) H2N — (3-3) (3 - 5) NC — (3-6) (3 - 8) HO - (3-9) HS (3-11) (3-12)

[化 50]

123229.doc -31 - 200838006

(4-12) (4-15)

[化 51] -Η (5-1) — F (5-2) -Cl (5-3) ~ Br (5-4) — I (5-5) —CH 3 (5-6) -(CH2)mCH3 (5-7) — OCH3 (5-8) 一 0(CH2)mCH —COOH (5-10) — (C-0)H (5-11) 一（c = 〇)ch3 -(C = 0)(CH2)mCH3 (5-13) 一（c=〇)och3 (5-14) _ (C = 0)〇(CH2)mCH3 (5-15) —c6 h5 (5-16) —(c=o)c6h5 (5-17) 一（c=〇)oc6h5 (5-18) (5-9) (5-12)

[化 52]

一S —S (7-3) (7-2) 123229.doc -32- 200838006 _ {S i (Z、）(Z’2 )}n — (7-4)

7，

(7-6) (7-9) (7-12) [化 53]

z； (8-1) (8-4) )=NH Zz

ZV〇 (8-10)

(8-3) (8-6) (8-9) (8-12) 123229.doc -33- 200838006

[化 54]

— Η (9-1) -Br (9-4) -iCH2)mCH3 (9-7) -COOH (9-10) 一 (C = 0)(CH2)mCH3 —(C = 0)0(CH2)mCH3 -(c=o)c6h5 —F (9-2) -I (9-5) 一〇CH3 (9-8) 一（C=〇)H (9一n) (9 -13) — (〇 = 〇)〇CH3 (9-15) - c6h5 (9-17) ^ (C = 0)〇c6H, -Cl (9-3) —CH3 (9-6) —0(CH2)mCH 3 (9 - 9) 一（C二0)CH3 (9-12) (9-14) (9-16) (9~18) 16· 一種半導體裝置，其特徵在於： ’、包5 %效型電晶體，該場效型電晶體具有閘極電極、閘極絕緣層、由有機半導體材料層所構成之通道形成區域以及含金屬之源極/汲極電極，與構成通道形成區域之有機半導體材料層相接之源極/ 沒極電極之部分係以電極被覆材料被覆， 123229.doc -34- 200838006 電極被覆材料包含有機分子，1 遠有機分子具有可與金屬離子鍵結之官能基以及盥合么M ^ |屬之源極/汲極電極鍵έ士之官能基。硬、、、° 17. 如請求項16之半導體裝置，1 、稽由可與金屬離子键么士之吕能基與金屬離子之鍵結而形成螯人物。口 18. 如請求項16之半導體裝置，其中可與金屬離子鍵，之— 能基為❸定或其衍生物、聯_或其衍生物二吕啶或其衍生物；與含全屬及％二吡為硫醇基。夂吕犯基 123229.doc 35-