TW200834995A - Compound semiconductor light-emitting element and manufacturing method thereof - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 213
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 130
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 46
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 86
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical group [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 67
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 66
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 31
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 19
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 12
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 133
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 28
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 26
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 24
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 7
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 5
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 5
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N methylidynetantalum Chemical compound [Ta]#C NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910003468 tantalcarbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 2
- IHGSAQHSAGRWNI-UHFFFAOYSA-N 1-(4-bromophenyl)-2,2,2-trifluoroethanone Chemical compound FC(F)(F)C(=O)C1=CC=C(Br)C=C1 IHGSAQHSAGRWNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTLYFUHAOXGGBS-UHFFFAOYSA-N Fe3+ Chemical compound [Fe+3] VTLYFUHAOXGGBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003910 SiCl4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007948 ZrB2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- VWZIXVXBCBBRGP-UHFFFAOYSA-N boron;zirconium Chemical compound B#[Zr]#B VWZIXVXBCBBRGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- AHICWQREWHDHHF-UHFFFAOYSA-N chromium;cobalt;iron;manganese;methane;molybdenum;nickel;silicon;tungsten Chemical group C.[Si].[Cr].[Mn].[Fe].[Co].[Ni].[Mo].[W] AHICWQREWHDHHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- KWLSQQRRSAWBOQ-UHFFFAOYSA-N dipotassioarsanylpotassium Chemical compound [K][As]([K])[K] KWLSQQRRSAWBOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- QUZPNFFHZPRKJD-UHFFFAOYSA-N germane Chemical compound [GeH4] QUZPNFFHZPRKJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052986 germanium hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- MQBKFPBIERIQRQ-UHFFFAOYSA-N magnesium;cyclopenta-1,3-diene;cyclopentane Chemical compound [Mg+2].C=1C=C[CH-]C=1.[CH-]1[CH-][CH-][CH-][CH-]1 MQBKFPBIERIQRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 230000003637 steroidlike Effects 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- OTRPZROOJRIMKW-UHFFFAOYSA-N triethylindigane Chemical compound CC[In](CC)CC OTRPZROOJRIMKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N uranium(0) Chemical compound [U] JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
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- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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Description
200834995 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種化合物半導體發光元件,尤其是一種 氮化鎵系化合物半導體發光元件’關於具有優越之發光輸 出的化合物半導體發光元件及其製法。 【先前技術】 以往,pn接合型發光二極體(LED )作爲化合物半導體 發光元件之一例爲習知的。例如’使導電性之磷化鎵(GaP ) 單晶予以嘉晶成長於基板上的GaP層,習知係將該GaP層 作爲發光層利用之GaP系LED。另外,習知由紅色帶及橙 黃色帶而成的綠色帶LED係將砷化鋁·鎵混晶(組成式: AlxGaYAs( 0<X,Y2 1且X + Y = l ))或磷化鋁•鎵·銦混晶(組 成式·· AlxGaylnzP ( OSX,Y,ZS1 且 χ + γ + ζ=1))作爲發光 層。另外,習知由_近紫外帶、藍色帶或綠色帶之短波長LED 係將氮化鎵•銦(組成式:GaaIn3N( 0<〇:,/3 <1、a + /3 =1)) 等之氮化鎵系化合物半導體層作爲發光層。 上述之例子,在AlxGaYlnzP系LED,導電性的η型或p 型之發光層係將導電性的Ρ型或η型之砷化鎵(GaAs )單 晶作爲基板而於其上予以形成。另外,藍色LED之情形, 其係將電絕緣性之藍寶石(a -Al2〇3單晶)等之單晶作爲 基板而予以利用。另外,於短波長LED中,也將立方晶(3 C 結晶型)或六方晶(4H或6H結晶型)之碳化矽(SiC)作 爲基板而予以利用。將例如第1傳導型透明電極及第2傳 導型電極設置於使半導體層積層於此等基板上之半導體晶 圓而形成發光元件。 200834995 尤其,氮化鎵系化合物半導體發光元件之情形,以藍寶 石單晶爲首,以各種氧化物或III-V族化合物作爲基板,利 用有機金屬氣相化學反應法(MOCVD法)或分子線磊晶法 (MBE法),於其上形成氮化鎵系化合物半導體。 氮化鎵系化合物半導體發光元件之特徵:朝橫向之電流 擴散有時爲小的。因此,電流僅流入電極正下方之半導體, 於發光層發出的光將被電極所遮擋而不會被外部所取出。 而且,於此氮化鎵系化合物半導體發光元件中,通常採用 透明電極作爲正極,光將通過正極而被取出。 於透明電極中,採用如Ni/Au或ITO之習知的導電材 料。近年來,由於具優越之透光性,利用以In2〇3或Zn〇 等作爲主要成分之氧化物系的透明電極,例如,已揭示於 曰本專利特開2005- 1 23 50 1號公報中。作爲透明電極所最常 被利用之ITO,其係藉由將5〜20質量%之Sn〇2摻雜於 In2〇3中,能夠得到2x10 — 4 Ω cm之低比電阻的導電氧化膜。 另外,爲了使光取出效率得以提高,例如於日本專利特 開2000- 1 96 1 5 2號公報等已提案將凹凸加工設置在光取出 面。低電阻之ITO係於成膜後立即形成微結晶,將凹凸加 工設置在ITO,必須使用氯化鐵(III) ( FeCh)水溶液或鹽 酸(HC1 )等之蝕刻液。於使用如此強酸的濕蝕刻中,由於 蝕刻速度爲快的,控制爲困難的,在ΙΤΟ之邊緣部分,毛 邊容易發生。另外,過度蝕刻容易發生,良率將變低。 如上述之問題的解決對策,能夠使用記載於日本專利特 開平08-2 1 7 57 8號公報的ΙΖΟ導電膜。由於根據濺鍍法所 成膜的ΙΖΟ膜係非晶質(amorphous),因此可以不使用如上 200834995 述之強酸而進行較爲緩和的飩刻。因此,因上述所示之蝕 刻所造成之毛邊或過度蝕刻將難以發生。再者,也能夠容 易地實施爲了發光元件之輸出提昇的微細加工。 然而,相較於已實施熱處理之ITO膜,由於非晶質之IZO 膜的透光性爲差的,發光元件之輸出爲低的。另外,由於 與P型GaN層之接觸電阻爲高的,將有元件之驅動電壓爲 高的問題。再者,由於爲非晶質,耐水性與耐藥品性爲差 的,ΙΖΌ膜成膜後之製程中的良率將減少,另外,也將發 生元件之信賴性降低的問題。 【發明內容】 本發明係有鑑於上述之問題所進行的,其目的在於提供 一種化合物半導體發光元件及其製法,其係於製程中之良 率良好的、具有優越之發光輸出。 本發明人等係爲了解決上述課題,鑽硏探討的結果,完 成了本發明。 亦即,本發明提供以下之發明: (1 ) 一種化合物半導體發光元件,其特徵在於:在基板上, 由化合物半導體所構成的η型半導體層、發光層與p型半 導體層係以η型半導體層與ρ型半導體層挾持發光層之方 式來予以積層,於具備第1傳導型透明電極與第2傳導型 電極之發光元件中,該第1傳導型透明電極爲由含有方鐵 鍤礦(Bixbyite)構造之Ιπ2〇3結晶的ΙΖΟ膜所構成。 (2) 上述第1項記載之化合物半導體發光元件,其中ΙΖΟ 膜中之ΖηΟ含量爲1〜20質量%。 (3) 上述第1或2項記載之化合物半導體發光元件,其中 200834995 IZO膜之厚度爲3 5nm〜10 /z m。 (4)上述第1〜3項中任一項記載之化合物半導體· 件,其中在IZ0膜之表面已進行凹凸加工。 (5 )上述第4項記載之化合物半導體發光元件,其中 膜之表面已形成複數個獨立的凹部。 (6)上述第4或5項記載之化合物半導體發光元件 凹部之合計面積爲IZ0膜整體之1/4〜3/4。 (7 )上述第4〜6項中任一項記載之化合物半導體 件,其中凹部中之IZ0膜的厚度係凸部中之IZ0膜 之1/2以下。 (8 )上述第1〜7項中任一項記載之化合物半導體 件,其中化合物半導體爲氮化鎵系化合物半導體。 (9) 上述第8項記載之化合物半導體發光元件,其 半導體層、發光層與P型半導體層係依此順序予以 第1傳導型透明電極與第2傳導型電極分別已設置 半導體層與η型半導體層。 (10) —種化合物半導體發光元件之製法,其特徵 下列(a )〜(d )之步驟: (a )在基板上,由化合物半導體所構成的η型 層、發光層與Ρ型半導體層係以η型半導體層與ρ 體層挾持發光層之方式來加以積層,而製作半導體 步驟; (b)將非晶質狀之ΙΖ0膜積層於該半導體晶圓 驟; (c )蝕刻該非晶質狀之ΙΖ0膜的步驟;及 發光元 在IZ0 ,其中. 發光元 的厚度 發光元 中η型 積層, 於Ρ型 係含有 半導體 型半導 晶圓的 上的步 200834995 (d )將所蝕刻的該非晶質狀之IZO膜予以結晶化的步 (11)上述第10項記載之化合物半導體發光元件之製法, 其中積層非晶質狀之IZ0膜的步驟係藉由濺鍍法所進行。 (1 2 )上述第1 0或1 1項記載之化合物半導體發光元件之 製法,其中將非晶質狀之IZ0膜予以結晶化的步驟係藉由 熱處理所進行。 (13) 上述第12項記載之化合物半導體發光元件之製法, 其中熱處理溫度爲500〜1〇〇〇 °C。 (14) 上述第13項記載之化合物半導體發光元件之製法, 其中熱處理溫度爲700〜900°C。 (1 5 )上述第1 0〜1 4項中任一項記載之化合物半導體發光 元件之製法,其中化合物半導體係氮化鎵系化合物半導體。 (1 6 )上述第1 5項記載之化合物半導體發光元件之製法, 其中n型半導體層、發光層與p型半導體層係依此順序予 以積層,非晶質狀之ΙΖ0膜係積層於ρ型半導體層上。 (17) —種化合物半導體發光元件,藉由上述第1〇〜16項 中任一項記載之製法所製造。 (1 8 ) —種化合物半導體發光元件用透光性電極,其特徵 在於:由含有方鐵錳礦(Bixbyite)構造之Ιη2〇3結晶的ΙΖ0 膜所構成。 (1 9 ) 一種燈,其係由上述第1〜9項及第1 7項中任一項 記載之化合物半導體發光元件所構成。 (20 ) —種電子機器,其係已裝入上述第1 9項記載之燈。 (21) —種機械裝置,其係已裝入上述第20項記載之電子 ‘200834995 機器。 若根據本發明,藉由使用具優越蝕刻性之非晶質的IZO 膜,能夠於製程中製作良率良好的化合物半導體發光元 件。另外,根據熱處理等’使IZ0膜從非晶質狀態轉移至 含有結晶之構造爲可的(以下,稱爲「結晶化」)。相 較於非晶質之IZ0膜,由於經結晶化之IZ0膜具優越之透 光性,藉由於飩刻處理後將IZ0膜結晶化,可以得到發光 輸出高的化合物半導體發光元件。 • 【實施方式】 用以實施發明之最佳形態
作爲構成發光元件之化合物半導體,例如有:於藍寶石 基板、碳化矽或矽基板等上所設置的 AlxGaYlnzNhMa (0SXS1、0SYS1、0SZS1 且 X + Y + Z=l。記號 Μ 係表示氮以 外之其他的第V族元素,0^a< 1。)等之III族氮化物半 導體層。另外有,設置於砷化鉀(GaAs )單晶基板上之 AlxGavAs( 0<X, Y< = 1 、 X + Y = l)層或 AlxGaYlnzP( 〇<X, Y, _ 、X + Y + Z=l )層等。另外有,於GaP基板上設置GaP 層。尤其,作爲朝橫向之電流擴散爲小的ΠΙ族氮化物半 導體之一種的氮化鎵系化合物半導體,本發明之效果爲顯 著的。 基於所設定目的之機能,應將此等化合物半導體層配置 於適合之位置。例如,針對構成雙異質(雙重異種)接合構 造之發光部,將η型及ρ型之化合物半導體層配置於發光 層之上下兩表面側。而且,爲了供應驅動電流,第1傳導 型電極與第2傳導型電極被配置於適合之位置。本發明之 -10- 200834995 特徵係使用由含有方鐵錳礦(Bixbyite)構造之In2〇3結晶 的IZO膜所構成的透明電極作爲此第1傳導型電極。 以下,以本發明半導體發光元件之一實施形態的氮化鎵 系化合物半導體發光元件爲例,適當參照第1〜1 0圖的同 時,加以詳細說明。但是,本發明並不受限於氮化鎵系化 合物半導體發光元件,可適用於使用上述之各種化合物半 導體的發光元件。 第1圖係示意顯示本發明之半導體發光元件之一例的剖 視圖,第2圖係示意顯示第1圖所示之半導體發光元件的 平面圖。 顯示於第1圖之半導體發光元件1係一種面朝上型之發 光元件,其槪略構造如下:於基板11上,積層構成氮化鎵 系化合物半導體層的η型半導體層12、發光層13與p型半 導體層14,於ρ型半導體上積層由ΙΖΟ膜構成的第1傳導 型電極之正極1 5 (透明電極)。於正極1 5上之一部分形成 正極接合墊16。另外,於η型半導體層上之第2傳導型電 極(負極)形成區域形成接合墊之負極1 7。 以下,針對本發明之氮化鎵系化合物半導體發光元件的 各構造加以說明。 「基板」 於基板1 1,能夠無任何限制地使用藍寶石單晶(Α丨2〇3 ; A面、C面、Μ面、R面)、尖晶石單晶(MgA;h〇4) 、ZnO 單晶、L i A10 2單晶、L i G a 0 2單晶、M g 〇單晶等之氧化物單 晶;Si單晶、SiC單晶、GaAs單晶、A1N單晶、GaN單晶 及ZrB2等硼化物單晶等之習知的基板材料。 200834995 還有,基板之面方位並未予以特別限定。另外’可以爲 恰當(Just)基板,也可以爲賦與偏離角之基板。 「氮化鎵系化合物半導體層」
η型半導體層12、發光層13及p型半導體層14係習知 之各種構造物,能夠無任何限制地使用此等之習知物。尤 其,ρ型半導體層最好使用載體濃度爲一般濃度之物,即 使相對於載體濃度較低,例如約lxl〇17cm_ 3的ρ型半導體 層,也能夠適用本發明使用之IZO膜的正極15。 φ 另外,氮化鎵系化合物半導體係通式 AlxInyGah X- yN (OSX < 1、OSY < 1、OSX + γ < 1 )所示之各種組成的半導體 爲習知的,即使作爲構成本發明中的n型半導體層、發光 層及Ρ型半導體層之氮化鎵系化合物半導體,能夠無任何 限制地使用通式 AlxInYGai-x-YN( 〇SX< 1、0<Υ< 1、0SX + Y < 1 )所示之各種組成之半導體。 此等氮化鎵系化合物半導體之成長方法並未予以特別 限定’能夠應用MOCVD(有機金屬化學氣相成長法)、HVPE φ (氫化物氣相成長法)、MBE (分子線磊晶法)等之使氮 化鎵系化合物半導體予以成長所習知之所有方法。基於膜 厚控制性、量產性之觀點,較佳之成長方法爲MOCVD法。 於MOCVD法中,載體氣體使用氫(h2)或氮(n2) ; Ga 源使用三甲基鎵(TMG)或三乙基鎵(TEG) ;A1源使用 三甲基鋁(TMA )或三乙基鋁(TEA ) ; In源使用三甲基 銦(TMI)或三乙基銦(tei) ; N源使用氨(NH3 )、聯胺 (N2H〇等。另外,η型之摻雜劑使用一矽烷(SiH〇或二 砂1:完(ShH6)作爲Si原料、以鍺烷(GeH4)或有機鍺化合 •12- 200834995 物作爲Ge原料;p型之摻雜劑使用例如雙環戊二烯鎂 (Cp2Mg )或雙乙基環戊二烯鎂((EtCp) 2Mg)作爲Mg 原料。 作爲使如此之氮化鎵系化合物半導體積層於基板上的 半導體晶圓之一例,能夠使用下列構造之物:以具有如第 3圖所示之積層體構造的氮化鎵系化合物半導體晶圓20之 方式,於由藍寶石構成的基板21上積層由A1N構成的緩衝 層(圖示省略),再依序積層GaN底層22、η型GaN接觸 _ 層23、η型AlGaN覆層24、由InGaN構成的發光層25、p 型AlGaN覆層26、p型GaN接觸層27。 「正極(IZO膜)」 於P型半導體層14上,成膜含有方鐵錳礦(Bixbyite) 構造之In2〇3結晶的IZO膜作爲正極15。IZO膜係形成於p 型半導體層之正上方、或是於p型半導體層之上,隔著金 屬層等予以形成。於IZ0膜與p型半導體層之間夾持金屬 層之情形下,雖然能夠使發光元件之驅動電壓減低,但是, φ 光透過率將減少而使輸出降低。因而,因應於發光元件之 用途等而採取驅動電壓與輸出之平衡,適當判斷是否於 IZ0膜與p型半導體層之間夾持金屬層等。於此之金屬層, 較佳爲使用由Ni或Ni氧化物、Pt、Pd、Ru、Rh、Re、〇s 等構成之物。 另外,IZO膜較佳爲使用比電阻成爲最低之組成。例如, IZ〇中之ZnO濃度較佳爲1〜20質量%,更佳爲5〜15質 量%,特佳爲10質量%。 另外,IZO膜之膜厚較佳爲能夠得到低比電阻、高光透 13- 200834995 過率的35nm〜10〇〇〇nm( 10"m)之範圍。再者,基於生產 成本之觀點,IZO膜之膜厚較佳爲1〇〇〇11111(1//111)以下。 接著,針對IZO膜之形成方法,舉出例子加以說明。 首先,於P型半導體層14上之全部區域,形成非晶質 狀態的IZO膜。IZO膜之成膜方法,只要爲可能形成非晶 質狀態的IZO膜之方法的話,也可以使用薄膜之成膜所使 用之習知任意方法。例如,雖然能夠使用濺鍍法或真空蒸 鍍法等之方法而成膜,但相較於真空蒸鍍法,若使用成膜 時所發生之顆粒或塵埃等爲少的濺鍍法則更佳。使用濺鍍 法之情形,藉由利用RF磁控濺鍍法以進行In2〇3靶與Zn〇 靶之公轉成膜,進行成膜爲可能的,爲了進一步提高成膜 速度,也可以利用DC磁控濺鍍法以將IZO靶成膜。另外, 爲了減輕電漿對P型半導體層14所造成之損害,濺鍍之放 電輸出較佳爲1000W以下。 進行如此方式所成膜之非晶質狀態的IZO膜,除了形成 P型半導體層14上之正極15之區域的正極形成區域以外, 其餘區域係藉由使用習知之光刻法及蝕刻以形成圖案,如 第2圖所示,成爲僅於正極形成區域所形成的狀態。 ΙΖΌ膜之圖案形成係期望於進行後述之熱處理步驟之前 進行。藉由熱處理,由於非晶質狀態的IZO膜係成爲已結 晶化之IZO膜,相較於非晶質狀態的IZO膜,蝕刻將變得 更難。針對於此,由於熱處理前之IZO膜係非晶質狀態, 使用習知之蝕刻液,容易精確度佳地進行蝕刻將爲可能 的。例如,使用ITO-07N蝕刻液(關東化學公司製)之情 形,能夠以約40nm/min之飩刻速度進行飩刻,毛邊或過度 -14- 200834995 飩刻幾乎不會發生。 另外,非晶質狀態的IZO膜之蝕刻,也可以使用乾蝕刻 裝置進行。此時,能夠將Cl2、SiCl4、BC13等使用於蝕刻氣 非晶質狀態的IZO膜係利用上述之光刻法與蝕刻,於 IZO膜表面形成凹凸加工爲可能的。例如,使用ITO-07N 蝕刻液之情形,能夠以1分鐘之蝕刻時間而形成40nm深度 之凹凸。 φ 利用此蝕刻之凹凸加工能夠使氮化鎵系化合物半導體 發光元件之發光踰出提高。認爲藉由凹凸加工而使發光輸 出提高之原因如下:1.根據透明電極之薄膜化所造成之光 透過率的提高,2.根據凹凸加工所造成之光取出面積(IZ〇 膜表面積)的增加,3 .於透明電極表面之全反射的減低等。 根據上述1〜3之理由.,不論任何形狀,對於凹凸加工 之形狀均具有輸出提高效果。尤其,由於能夠擴大凹凸側 面之面積,更佳爲如第4圖及第5圖所示之點形狀。 φ 一般而言,由於越增加透明電極之膜厚,片電阻越低, 流通電極內之電流容易擴散至電極之所有區域,較佳爲作 成如電流容易流向於凸部之凹凸形狀。因而,針對點形狀, 相較於如第5圖之獨立的凸部存在之形狀,更佳爲如第4 圖之獨立的凹部存在之形狀。另外,因爲若凹部面積爲凸 部面積之1 Μ以下的話,則提升發光輸出效果爲小的,若 爲3/4以上的話,則電流變得難以擴散,驅動電壓將上升, 凹部面積較佳爲凸部面積之1/4〜3/4。 爲了擴大來自於凹凸側面之光取出,凹部之膜厚較佳爲 -15- 200834995 凸部之膜厚的1 /2以下。但是,完全蝕刻凹部之IZ〇膜的 情形’亦即’ IZO膜之凹部的膜厚爲0nm之情形,由於能 夠不隔著IZO膜而取出來自於p型GaN層之光,對提高輸 出爲有效。另外’由於利用相同於IZO膜之圖案形成的鈾 刻時間進行處理爲可能的,能夠同時進行IZO膜之圖案形 成與凹凸加工,也能夠縮短製程。然而,完全蝕刻凹部的 IZO膜之情形,將有IZO膜與p型半導體層的接觸面積減 少、發光元件的驅動電壓上升之情形。因而,僅於使發光 輸出較發光元件的驅動電路更爲優先之情形,凹部之膜厚 可以使用Onm之IZO膜。 針對凹凸加工,能夠無任何限制地使用相同於上述圖案 形成之光刻法,欲進一步提高發光輸出之情形下,也能夠 使用g線或i線之步進機、奈米壓印裝置、雷射曝光裝置、 EB (電子束)曝光裝置等,形成更小的凹凸。 相同於IZO膜之圖案形成,期望IZO膜之凹凸加工係於 進行後述之熱處理步驟之前進行。 非晶質狀態的IZO膜係藉由進行例如500 °C〜1 000 °C之 熱處理,作成已結晶化之IZO膜(熱處理步驟)。藉由作 成已結晶化之IZO膜,能夠使氮化鎵系化合物半導體發光 元件之發光波長中光的透過率得以提高。尤其,於3 80nm 〜500nm之波長區域中,光透過率之提筒爲大的。已結晶 化之IZO膜係如上所述,因爲難以蝕刻’較佳於上述之蝕 刻處理後進行熱處理。 另外,期望IZO膜之熱處理爲於不含〇2之氣體環境中 進行,不含〇2之氣體環境,可舉出:氣體環境等之非活 -16- 200834995 性氣體環境、或N2等之非活性氣體與H2之混合氣 等’期望成爲N2氣體環境、或N2與H2之混合氣體 如由後述之實驗例1可明確得知:若於N2氣體環 N2與Η:之混合氣體環境中進行IZ〇膜之熱處理的話 膜予以結晶化的同時,有效使IZ0膜之片電阻減少 能的。尤其,欲使IZ〇膜之片電阻減少的同時,可 與H2之混合氣體環境中進行12〇膜之熱處理。混合 境中之N2與Hz的比率較佳爲1〇〇 : 1〜1 : loo。 # 針對於此,例如,若於含有〇2之氣體環境中進行 的話,IZO膜之片電阻將增加。若於含有〇2之氣體 進行熱處理的話,認爲IZO膜之片電阻將增加,其 IZO膜中之氧空孔將減少所致。IZ0膜顯示導電性, 由氧空孔存在於IZO膜中,而使成爲載體之電子 致。由於作爲載體電子發生源之氧空孔將因熱處 少,認爲IZO膜之載體濃度減少、片電阻變高。 ΙΖΌ膜之熱處理溫度較佳爲500°c〜1 000°C。於 Φ °C之溫度進行熱處理之情形,將有產生無法使IZO 結晶化之疑慮,有使IZO膜的光透過率達不到充分 形。於超過l〇〇〇°C之溫度進行熱處理之情形下,雖 膜已結晶化,將有IZO膜的光透過率達不到充分 形。另外,超過1 000°c之溫度進行熱處理之情形, 使位於IZO膜下方的半導體層劣化之疑慮。 另外,使非晶質狀態的IZO膜予以結晶化之情开 膜條件或熱處理條件等不同’則IZO膜中之結晶# 同。例如,如由後述之實驗例2可明確得知,於 體環境 環境。 境、或 ,使 IZO 也爲可 以於n2 氣體環 熱處理 環境中 係因爲 其係藉 發生所 理而減 S 於 500 膜充分 •高之情 t 然 IZO 高之情 也將有 多,若成 I造將不 700〇C 〜 -17- 200834995 10 00°C之溫度進行熱處理之情形下,由X線繞射(XRD) 之結果得知,於IZO膜中含有方鐵錳礦構造之In2〇3結晶。 相較於使用非晶質狀態的IZO膜之情形,將含有方鐵錳礦 構造之In2〇3結晶的IZO膜作爲透明電極使用之情形,其氮 化鎵系化合物半導體發光元件之驅動電壓較低。因此,較 佳爲於已結晶化之IZO膜中含有方鐵錳礦構造之In2〇3結 晶。雖然,藉由於IZO膜中含有方鐵錳礦構造之In2〇3結晶, 而使氮化鎵系化合物半導體發光元件之驅動電壓變低的原 φ 因尙未明確,但是認爲係藉由含有方鐵錳礦構造之In2Ch 結晶,而使與P型半導體層之接觸界面的接觸電阻變小所 致。 由於IZO膜中含有方鐵錳礦構造之In2〇3結晶,可以對 IZO膜進行熱處理,熱處理之條件係因IZO膜之成膜方法 或組成而有所不同。例如,一旦減少IZO膜中之鋅(Zn ) 濃度的話,結晶化溫度將變低,能夠於更低溫之熱處理而 作成含有方鐵錳礦構造之In2〇3結晶。 φ 還有,於本實施形態中,爲了使IZO膜得以結晶化而利 用熱處理,但是’於本發明之氮化鎵系化合物半導體發光 元件中,若能夠使IZO膜予以結晶化的話,可以利用任意 之方法,例如,可以使用RTA退火爐之方法、進行雷射退 火之方法、進行電子線照射之方法等。
另外,相較於非晶質狀態的IZO膜,根據熱處理而予以 結晶化之IZO膜,由於與p型半導體層14及正極接合墊 1 6之緊貼性爲良好的,能夠防止因發光元件之製程等之中 的剝離所造成之收率降低。另外,相較於非晶質狀態的IZO -18- 200834995 膜,所結晶化之IZO膜,其與空氣中之水份的反應爲少的, 由於具優越之酸等耐藥品性,長時間之耐久試驗下的特性 劣化也小,故較佳β 「負極」 如第1圖所示,負極17係藉由於ΙΖ0膜之熱處理後, 根據蝕刻以去除ρ型半導體層14、發光層13及η.型半導體 層12之一部分,使η型半導體層丨2予以露出,於該露出 的η型半導體層12上,例如設置由Ti/Au構成的習知之負 φ 極1 7 °習知之各種組成及構造的負極作爲負極i 7之材料, 能夠無任意限制地使用此等習知之負極。 「正極接合墊」 於作爲正極1 5之IZ0膜層上之一部分,設置用於與電 路基板或引線框架等之電性連接的正極接合墊1 6。正極接 合墊16係使用Au、A卜Ni及Cu等材料之各種構造爲習知 的,能夠無任何限制地使用此等習知之材料、構造之物。 另外,正極接合墊16之厚度較佳爲100〜lOOOnm之範圍 φ 內。另外,接合墊之特性上,由於厚度越大者,接合性變 得越高,正極接合墊16之厚度更佳爲300nm以上。再者, 基於製造成本之觀點,較佳爲500nm以下。 「保護層」 爲了防止IZO膜之氧化,更佳爲於IZO膜上成膜保護 層。因爲此保護層係覆蓋除了正極接合墊所形成區域以外 之IZO膜的全部區域,所以較佳爲使用具優越透光性之材 料,再者,爲了防止ρ型半導體層與η型半導體之漏電, 較佳爲絕緣性。例如,Si〇2或αι2〇3等爲佳的。另外,保護 -19- 200834995 層之膜厚能夠防止IZO膜之氧化,並且最好爲如具優越透 光性之膜厚,具體而言,例如20nm〜500nm之膜厚爲佳的。 「燈」 以上,說明的本發明之氮化鎵系化合物半導體發光元 件,例如,能夠藉由同業者習知之手段以設置透明罩子而 構成燈。另外,藉由組合本發明之氮化鎵系化合物半導體 發光元件與具有螢光體之罩子,也能夠構成白色的燈。 另外,本發明之氮化鎵系化合物半導體發光元件能夠使 φ 用習知之方法,無任何限制地作成LED燈而構成。燈能夠 使用於一般用途之砲彈型、攜帶之背光用途的側視型、顯 示器所用之俯視型等之任意用途。 第6圖係爲了說明本發明之燈一例的槪略構造圖。顯示 於第6圖之燈3 0係將面朝上型之本發明的氮化鎵系化合物 半導體發光元件封裝成砲彈型之物。於第6圖所示之燈30 中,顯示於第1圖之氮化鎵系化合物半導體發光元件1係 藉由樹脂等而黏著於2根框架3 1、32之一側,正極接合墊 φ 16及負極17係利用由金等材質構成的線33、34而分別接 合於框架3 1、32。另外,如第6圖所示,於氮化鎵系化合 物半導體發光元件1之周邊,形成由透明樹脂構成的塑模 3 5 〇 另外,由本發明之氮化鎵系化合物半導體發光元件製得 的燈,因爲其發光輸出爲高的、驅動電壓爲低的,組裝根 據此技術製作的燈之行動電話、顯示器、面板類等之電子 機器,或是組裝此電子機器之汽車、電腦、遊戲機等之機 械裝置類,利用低電力之驅動成爲可能的,實現高的特性 -20- .200834995 爲可能的。尤其,於行動電話、遊戲機、玩具、汽車零件 等之予以電池驅動的機器類中,發揮省電之效果。 還有,本發明並不受上述之實施形態所限定。例如,於 本發明之半導體發光元件所具備之半導體層並不受上述之 氮化鎵系化合物半導體層所限定,也可以使用任意之化合 物半導體層。 實施例 以下,根據實驗例及實施例以詳細說明本發明,但本發 Φ 明並不僅受此等之實施例所限定。 〔實驗例1〕 (IZO膜之熱處理中的氣體環境) 如下所述,探討IZO膜之熱處理中的氣體環境與熱處理 後之IZO膜片電阻的關係。 亦即,於玻璃基板上形成非晶質狀態的IZO膜(厚度 2 5 0nm ),於300°C〜8 0(TC之各溫度,對所得的IZO膜, 測定在N2氣體環境中熱處理之情形、與在N2中含有25% φ 〇2之混合氣體環境中熱處理之情形的片電阻。將其結果顯 示於表1。還有,片電阻係使用四探針法之測定裝置(三 菱化學公司製之Loresta MP MCP-T360 )而測定。 -21- 200834995 表1 溫度 片電阻〔Ω /sq〕 含有〇2之N2氣體環境 N2氣體環境 300°C 15 13 400°C 150 13 500°C 200 12 600°C 7xl05 9 800°C 2xl06 9
由表1,於N2中含有〇2之混合氣體環境中熱處理之情 形,得知熱處理溫度越高,片電阻變得越高。針對於此, N2氣體環境中熱處理之情形,得知熱處理溫度越高,片電 阻越爲減少。還有,熱處理前之非晶質狀態的厚度250nm 之IZO膜片電阻爲15 Ω /sq。 〔實驗例2〕 (IZO膜之熱處理溫度) 如下所述,探討IZO膜之熱處理溫度與IZO膜之結晶化 φ 的關係。 亦即,於玻璃基板上形成非晶質狀態的IZO膜(厚度 2 5 0nm ),利用X線繞射(XRD )法以測定所得的未經熱處 理之IZO膜。另外,於300°C〜10001之各溫度,比氣體 環境中,將於玻璃基板上所形成的IZO膜進行1分鐘熱處 理,利用X線繞射(XRD )法以測定熱處理後之IZO膜。 將其結果顯示於第7圖。 第7圖係顯示IZO膜之X線繞射(xrd )結果的圖表, 橫軸係表示繞射角(2 Θ ( ° )),縱軸係表示解析強度(s )。 -22· .200834995 由第7圖,熱處理前之IZO膜中及已於400 °C以下之溫 度進行熱處理之IZ0膜中,觀察到表示非晶質狀態之寬廣 的X線波峰。藉此,容易得知熱處理前之1z〇膜及已於400 。(:以下之溫度進行熱處理的IZ0膜爲非晶質狀態。另外’ 於7 00 t:以上之熱處理溫度,觀察到由方鐵錳礦構造之 In2〇3結晶構成的X線波峰,得知於IZ0膜中存在方鐵猛礦 構造之In2〇3結晶。 〔實驗例3〕 (ΙΖ0膜之光透過率) 如下所述,探討ΙΖΟ膜之熱處理溫度、與熱處理後之ΙΖ0 膜的光透過率的關係。 亦即,測定實驗例2所得的未經熱處理之ΙΖΟ膜及於 3 00°C、600°C、800°C及1 000°C之溫度所熱處理之ΙΖ0膜的 光透過率。將其結果顯示於第8圖。還有,對於IZ0膜之 光透過率測定,使用島津製造所製之紫外可見光光度計 UV-2450。另外,光透過率之値係減去僅測定玻璃基板之光 透過率所得的光透過空白値而算出。 第8圖係顯示IZO膜之光透過率的圖表,橫軸係表示波 長(nm ),縱軸係表示光透過率(% ) 。( a ) 、 ( b )、 (c) 、( d)及(e)係分別爲熱處理前、300°C、600°C、 800°C及1 000°C之熱處理後的結果。 由第8圖得知,相較於未經熱處理之ΙΖΟ膜或於30CTC 之溫度所熱處理之ΙΖ0膜,於600°C以上之溫度熱處理ΙΖ0 膜之情形,光透過率變高。尤其,於600 °C之溫度熱處理 IZ〇膜之情形,於400nm附近之紫外發光區域,光透過率 -23- 200834995 爲高的;於800°C之溫度熱處理IZO膜之情形,於460nm 附近之藍色發光區域,光透過率爲高的。另外,於1 000°C 之溫度熱處理IZO膜之情形,得知IZO膜之光透過率未充 分上升。因而,特別希望IZ0膜之熱處理溫度爲900°C以 下。 〔實施例1〕 (氮化鎵系化合物半導體發光元件之製作) 於第3圖,顯示爲了用於本實施例之氮化鎵系化合物半 φ 導體發光元件所製造之由氮化鎵系化合物半導體層構成的 半導體晶圓之剖面示意圖。另外,於第1圖及第2圖,顯 示本實施例所製造之氮化鎵系化合物半導體發光元件的剖 面示意圖及平面示意圖。以下,茲將一邊適宜參照此等圖 式,一邊說明本發明。 氮化鎵系化合物半導體晶圓20之積層構造體係於由藍 寶石之c面(( 00 01)結晶面)構成的基板21上,隔著由 A1N構成的緩衝層(未以圖示),依序積層下列薄層而構 φ 成:未摻雜之GaN底層(層厚= 2//m)22、摻雜Si的η 型GaN接觸層(層厚=2 # m、載體濃度=lxl〇i9cm — 3 ) 23、 摻雜3丨的11型八1。.。7〇&。.9"覆層(層厚二12.511111、載體濃 度= lxl018cm-3) 24、由6層摻雜Si之GaN阻障層(層厚 =14.0nm、載體濃度= lxl〇18 cm_3)與 5層未摻雜之 In〇.2〇Ga〇.8f)N之井層(層厚=2.5nm)構成的多重量子井構造 之發光層25、摻雜Mg的p型Alo.cnGamN覆層(層厚=) 2 6及摻雜Mg的p型GaN接觸層(層厚 = 100nm)27。上述 氮化鎵系化合物半導體晶圓20之各構造層22〜27係利用 -24 - 200834995 一般之減壓MOCVD手段予以成長。 使用上述氮化鎵系化合物半導體晶圓20而製作氮化鎵 系化合物半導體發光元件(參照第1圖)。首先,使用HF 及HC1以洗淨氮化鎵系化合物半導體晶圓20的p型GaN 接觸層27表面之後,於該p型GaN接觸層27上,利用濺 鍍法以形成IZ0膜。IZ0膜係利用DC磁控濺鍍法以長成約 2 5 0nm膜厚之薄膜。於濺鍍中,使用ZnO濃度爲10質量% 之IZ0靶,IZ0成膜係導入70sccm之Ar氣體,壓力設爲 • 約 0.3 P a。 利用上述之方法而形成的IZO膜之片電阻爲ΠΩ/sq。 另外,利用XRD而能夠確認剛成膜後之IZO膜係非晶質。 IZO膜之成膜後,利用習知之光刻與濕蝕刻,僅於形成 P型GaN接觸層27上之正極區域,成爲IZO膜所形成的狀 態。非晶質之IZO膜係將ITO-07N使用於蝕刻液,以約 40nm/min之蝕刻速度進行飩刻。進行如此方式,於p型GaN 接觸層27上形成本發明之正型(參照第1圖及第2圖之符 0 號 15 )。 利用濕蝕刻以進行IZO膜之圖案形成後,使用RTA退火 爐,進行800°C 1分鐘之熱處理。還有,於熱處理中,於升 溫前進行數次利用N2氣體所進行之沖洗,使RTA退火爐內 成爲N2氣體環境後進行。 相較於剛成膜後,於35 0〜600nm之波長區域,熱處理 後之IZO膜顯示較高的光透過率,片電阻爲10 Ω /sq。另外, 於熱處理後之XRD的測定中,主要檢測出由方鐵錳礦構造 之In2〇3結晶構成的X線波峰,已確認IZO膜已結晶化。 -25- 200834995 接著,於形成負極之領域實施一般之乾蝕刻,只限於其 區域,使摻雜Si的η型GaN接觸層的表面予以露出(參照 第1圖)。利用真空蒸鍍法,於IZO膜層(正極)上之一 部分、及所露出之摻雜Si的η型GaN接觸層23上,依序 積層由Cr構成的第1層(層厚=40nm )、由Ti構成的第2 層(層厚= l〇〇nm)、由Au構成的第3層(層厚= 400nm), 分別形成正極接合墊1 6及負極1 7。 於形成正極接合墊及負極之後,使用鑽石微粒之磨石粒 φ 以進行由藍寶石構成的基板11 ( 2 1 )之背面硏磨,最後完 成爲鏡面。之後,切斷晶圓20,分離成邊長350/zm正方 形之個別晶片,載置成引線框架狀之後,利用金(An )線 與引線框架連線。 (驅動電壓(Vf)及發光輸出(Ρο)之測定) 藉由利用探針所進行此等晶片之通電,以測定電流施加 値20mA之順向電壓(驅動電壓:Vf)。另外,利用一般 之積分球以測定發光輸出(Ρ〇 )及發光波長。發光面之發 φ 光分布能夠確認以正極1 5之整面發光。 晶片係於460nm附近之波長區域具有發光波長,Vf爲 3.24V,Ρο 爲 12.6mW。 -〔比較例1及實施例2〜4〕 除了將IZ0膜之熱處理溫度,分別設爲於300°C (比較 例)、5 0 0 °C、6 0 0 °C、7 0 0 °C進行之外,與實施仿il 1同樣地 製作氮化鎵系化合物半導體發光元件,與實施例1同樣地 進行評估。 於第9圖,顯示IZ0膜之熱處理溫度與氮化鎵系化合物 200834995 半導體發光元件之Vf及Po之關係。橫軸表示IZO膜之熱 處理溫度(°c),縱軸分別表示氮化鎵系化合物半導體發 光元件之Vf ( V )及氮化鎵系化合物半導體發光元件的p〇 (mW)。 由第9圖,於500°C以上之溫度進行熱處理之情形,氮 化鎵系化合物半導體發光元件之Po將上升。另外,相較於 氮化鎵系化合物半導體發光元件之Vf不進行熱處理之情 形,於700 °C以上之溫度進行熱處理之情形約較低0.1V。 φ 〔實施例5〕 除了於與IZ0膜的p型半導體層不接觸之側的表面形成 凹凸形狀之外,與實施例1同樣地製作氮化鎵系化合物半 導體發光元件,與實施例1同樣地進行評估。 凹凸形狀之形成步驟係於IZ0膜的熱處理之前進行,相 同於IZ0膜的圖案形成,使用ITO-07N蝕刻液以進行濕蝕 刻。凹凸形狀係直徑2 // m、深度1 5 Onm之圓柱形的凹型, 圓柱形的凹部係以中心間距3 // m配列成千鳥狀。所得的氮 φ 化鎵系化合物半導體發光元件之Vf爲3.23V,P〇爲13.5mW。 〔實施例6及7〕 除了將圓柱形的凹部之深度分別設爲200nm、250nm之 外,與實施例5同樣地製作氮化鎵系化合物半導體發光元 件,與實施例1同樣地進行評估。 於第10圖,顯示IZO膜表面的凹部之深度與氮化鎵系 化合物半導體發光元件之Vf及P〇的關係。橫軸係表示IZ〇 膜表面的凹部之深度(nm ),縱軸係分別表示氮化鎵系化 合物半導體發光元件之Vf(V)及氮化鎵系化合物半導體 -27- 200834995 發光元件之Po ( mW )。還有,IZO膜表面的凹部之深度爲 0之情形,表示未形成凹凸形狀(實施例1 )。 由第10圖,於與IZ0膜的p型半導體層不接觸之側的 表面,形成的凹部之深度越深,氮化鎵系化合物半導體發 光元件之Po越高。另外,凹部之深度爲250nm,亦即,氮 化鎵系化合物半導體發光元件的P型半導體層表面已露出 之情形,氮化鎵系化合物半導體發光元件之Vf將上升。 〔比較例2〕 φ 除了將IT0膜使用於正極15之外,與實施例1同樣地 製作氮化鎵系化合物半導體發光元件。 於晶圓20的p型GaN接觸層27上,利用濺鍍層以形成 25 0nm之ΙΤΌ膜。於濺鍍後之XRD的測定中,由方鐵錳礦 構造之Ιιΐ2〇3結晶構成的X線之波峰主要被檢測出,確認熱 處理前之IT0膜已結晶化。因爲此IT0膜並未被實施例1 中使用之ITO-07N蝕刻液所飩刻,使用HC1而進行濕蝕刻, 僅於形成P型0&^^接觸層27上之正極區域,成爲已成膜 Φ IT0膜之狀態。進行IT0膜之圖案形成後,於含有25%〇2 之N2氣體環境中,進行600°C、1分鐘之熱處理,與於N2 氣體環境中,再次進行500°C、1分鐘之熱處理。還有,再 次的熱處理後之IT0膜的片電阻爲15 Ω /sq。 再次的熱處理後,與實施例1同樣地製作氮化鎵系化合 物半導體發光元件。所得的氮化鎵系化合物半導體發光元 件之 Vf 爲 3.3V,Po 爲 12.5mW。 [產業上利用之可能性] 本發明之化合物半導體發光元件,因爲發光輸出爲高 -28- 200834995 的,並且驅動電壓也爲低的,例如,作爲燈等之產業上的 利用價値極大。 【圖式簡單說明】 第1圖係示意顯示本發明之氮化鎵系化合物半導體發光 元件之一例的剖視圖。 第2圖係示意顯示第1圖所示之氮化鎵系化合物半導體 發光元件的平面圖。 第3圖係示意顯示氮化鎵系化合物半導體晶圓之一例的 剖視圖。 第4圖(a) 、(b)係示意顯示IZO膜表面之凹型的凹 凸加工之一例的圖形。 第5圖係示意顯示IZO膜表面之凸型的凹凸加工之一例 的圖形。 第6圖係示意顯示使用本發明之氮化鎵系化合物半導體 發光元件而構成的燈之剖視圖。 第7圖係顯示IZO膜之X線繞射(XRD )結果的圖表。 弟8圖(a)〜(e)係顯τκ IZO膜之光透過率的圖表。 第9圖係顯示IZO膜之熱處理溫度與氮化鎵系化合物半 導體發光元件的驅動電壓及發光輸出之關係的圖表。 第10圖係顯示IZO膜表面的凹部深度與氮化鎵系化合 物半導體發光元件的驅動電壓及發光輸出之關係的圖表。 【主要元件符號說明】 I 發光元件 II 基板 12 η型半導體層 •29- 200834995
13 發光層 14 P型半導體層 15 正極 16 正極接合墊 17 負極 20 氮化鎵系化合物半導體晶圓 21 基板 22 G a N底層 23 η型GaN接觸層 24 η型AlGaN覆層 25 由InGaN構成的發光層 26 p型AlGaN覆層 27 p型0&]^接觸層 30 燈 3 1 框架 32 框架 33 線 34 線 35 塑模 -30-
Claims (1)
- 200834995 十、申請專利範圍: 1. 一種化合物半導體發光元件,其特徵在於:在基板上, 由化合物半導體所構成的η型半導體層、發光層與p型 半導體層係以η型半導體層與ρ型半導體層挾持發光層 之方式來予以積層,於具備第1傳導型透明電極與第2 傳導型電極之發光元件中,該第1傳導型透明電極爲由 含有方鐵锰礦(Bixbyite)構造之Ιη2〇3結晶的ΙΖΟ膜所 構成。 φ 2.如申請專利範圍第1項之化合物半導體發光元件,其中 ΙΖΟ膜中之ΖηΟ含量爲1〜20質量%。 3.如申請專利範圍第1項之化合物半導體發光元件,其中 ΙΖΟ膜之厚度爲35nm〜10#m。 4 .如申請專利範圍第1項之化合物半導體發光元件,其中 在IZ0膜之表面已進行凹凸加工。 5 .如申請專利範圍第4項之化合物半導體發光元件,其中 在IZ0膜之表面已形成複數個獨立的凹部。 φ 6·如申請專利範圍第4項之化合物半導體發光元件,其中 凹部之合計面積爲IZ0膜整體之1/4〜3/4。 7.如申請專利範圍第4項之化合物半導體發光元件,其中 凹部中之IZO膜的厚度係凸部中之IZO膜的厚度之1/2 以下。 8 ·如申請專利範圍第1項之化合物半導體發光元件,其中 化合物半導體爲氮化鎵系化合物半導體。 9 ·如申請專利範圍第8項之化合物半導體發光元件,其中n 型半導體層、發光層與Ρ型半導體層係依此順序予以積 -31- 200834995 層,第1傳導型透明電極與第2傳導型電極分別已設置 於P型半導體層與η型半導體層。 10. —種化合_物半導體發光元件之製法,其特徵係含有下列 (a )〜(d )之步驟: (a)在基板上,由化合物半導體所構成的η型半導 體層、發光層與Ρ型半導體層係以η型半導體層與Ρ型 半導體層挾持發光層之方式來加以積層,而製作半導體 晶圓的步驟; ❿ (b )將非晶質狀之ΙΖΟ膜積層於該半導體晶圓上的 步驟; (c )鈾刻該非晶質狀之IZO膜的步驟;及 (d )將所蝕刻的該非晶質狀之IZO膜予以結晶化的 步驟。 11. 如申請專利範圍第1 0項之化合物半導體發光元件之製 法,其中積層非晶質狀之IZO膜的步驟係藉由濺鍍法所 進行。 • 12.如申請專利範圍第10項之化合物半導體發光元件之製 法,其中將非晶質狀之IZO膜予以結晶化的步驟係藉由 熱處理所進行。 1 3 ·如申請專利範圍第i 2項之化合物半導體發光元件之製 法,其中熱處理溫度爲500〜1000°C。 14·如申請專利範圍第13項之化合物半導體發光元件之製 法,其中熱處理溫度爲700〜90CTC。 1 5 .如申請專利範圍第1 〇項之化合物半導體發光元件之製 '法’其中化合物半導體係氮化鎵系化合物半導體。 -32- 200834995 16·如申請專利範圍第15項之化合物半導體發光元件之製 法,其中η型半導體層、發光層與ρ型半導體層係依此 順序予以積層,非晶質之ΙΖΟ膜係積層於1>型半導體層 上。 1 7 · —種化合物半導體發光元件,藉由如申請專利範圍第丄〇 項之製法所製造。 1 8 · —種化合物半導體發光元件用透光性電極,其特徵在 於:由含有方鐵錳礦(Bixbyite)構造之In2〇3結晶的ιζ〇 膜所構成。 1 9 · 一種燈’其係由如申請專利範圍第1項之化合物半導體 發光元件所構成。 20 · —種電子機器,其係已裝入如申請專利範圍第1 9項之 燈。 2 1 · —種機械裝置,其係已裝入如申請專利範圍第2〇項之 電子機器。-33-
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006333582A JP5201566B2 (ja) | 2006-12-11 | 2006-12-11 | 化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200834995A true TW200834995A (en) | 2008-08-16 |
TWI392113B TWI392113B (zh) | 2013-04-01 |
Family
ID=39511697
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW096146953A TWI392113B (zh) | 2006-12-11 | 2007-12-10 | 化合物半導體發光元件及其製法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7972952B2 (zh) |
EP (1) | EP2096684B1 (zh) |
JP (1) | JP5201566B2 (zh) |
KR (1) | KR101087601B1 (zh) |
CN (1) | CN101523626B (zh) |
TW (1) | TWI392113B (zh) |
WO (1) | WO2008072681A1 (zh) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009260237A (ja) * | 2008-01-24 | 2009-11-05 | Showa Denko Kk | 化合物半導体発光素子及びその製造方法、化合物半導体発光素子用導電型透光性電極、ランプ、電子機器並びに機械装置 |
JP5520496B2 (ja) * | 2008-02-19 | 2014-06-11 | 昭和電工株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
TWI511299B (zh) | 2008-09-01 | 2015-12-01 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置的製造方法 |
JP2010177586A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-08-12 | Fujifilm Corp | 発光素子及びその製造方法 |
JP2010232642A (ja) * | 2009-03-02 | 2010-10-14 | Showa Denko Kk | Iii族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ |
JP2010232649A (ja) * | 2009-03-06 | 2010-10-14 | Showa Denko Kk | Iii族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ |
US8568621B2 (en) | 2009-06-30 | 2013-10-29 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Transparent conductive film |
WO2011138851A1 (ja) | 2010-05-07 | 2011-11-10 | パナソニック株式会社 | 発光ダイオード |
JP5343984B2 (ja) * | 2011-01-17 | 2013-11-13 | 株式会社デンソー | 化合物半導体基板およびその製造方法 |
CN102738347B (zh) * | 2012-01-18 | 2015-01-14 | 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 | 具有自组成式纳米结构的白光led芯片结构 |
USD745472S1 (en) * | 2014-01-28 | 2015-12-15 | Formosa Epitaxy Incorporation | Light emitting diode chip |
TWD173883S (zh) * | 2014-01-28 | 2016-02-21 | 璨圓光電股份有限公司 | 發光二極體晶片之部分 |
TWD173888S (zh) * | 2014-01-28 | 2016-02-21 | 璨圓光電股份有限公司 | 發光二極體晶片之部分 |
TWD173887S (zh) * | 2014-01-28 | 2016-02-21 | 璨圓光電股份有限公司 | 發光二極體晶片之部分 |
TWD163754S (zh) * | 2014-01-28 | 2014-10-21 | 璨圓光電股份有限公司 | 發光二極體晶片之部分 |
USD757663S1 (en) * | 2014-01-28 | 2016-05-31 | Formosa Epitaxy Incorporation | Light emitting diode chip |
USD745474S1 (en) * | 2014-01-28 | 2015-12-15 | Formosa Epitaxy Incorporation | Light emitting diode chip |
TWD164809S (zh) * | 2014-01-28 | 2014-12-11 | 璨圓光電股份有限公司 | 發光二極體晶片之部分 |
US11505454B2 (en) * | 2019-09-25 | 2022-11-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | MEMS structure and manufacturing method thereof |
CN116779739A (zh) * | 2022-03-11 | 2023-09-19 | 深超光电(深圳)有限公司 | 发光模组、显示装置及发光模组制造方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3611618B2 (ja) | 1995-02-08 | 2005-01-19 | 出光興産株式会社 | 非晶質導電膜のパターニング方法 |
JP2000128698A (ja) | 1998-10-22 | 2000-05-09 | Toyota Motor Corp | Ito材、ito膜及びその形成方法、並びにel素子 |
JP3469484B2 (ja) | 1998-12-24 | 2003-11-25 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
DE60042431D1 (de) * | 1999-11-25 | 2009-07-30 | Idemitsu Kosan Co | Tranparentes konduktives Oxid |
US7141186B2 (en) * | 2002-10-29 | 2006-11-28 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Oxide sintered body and sputtering target, and manufacturing method for transparent conductive oxide film as electrode |
JP4259268B2 (ja) | 2003-10-20 | 2009-04-30 | 豊田合成株式会社 | 半導体発光素子 |
CN1918672B (zh) * | 2004-03-09 | 2012-10-03 | 出光兴产株式会社 | 薄膜晶体管、薄膜晶体管基板、液晶显示装置、溅射靶、透明导电膜、透明电极及它们的制造方法 |
TWI237903B (en) * | 2004-06-24 | 2005-08-11 | Epistar Corp | High efficiency light emitting device |
US7385226B2 (en) * | 2004-03-24 | 2008-06-10 | Epistar Corporation | Light-emitting device |
JP2005317676A (ja) | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Sony Corp | 半導体発光素子、半導体発光装置及び半導体発光素子の製造方法 |
JP2006128227A (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-18 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
TWI269463B (en) * | 2004-10-29 | 2006-12-21 | Epitech Technology Corp | Method for manufacturing high brightness light-emitting diode |
KR100665120B1 (ko) * | 2005-02-28 | 2007-01-09 | 삼성전기주식회사 | 수직구조 질화물 반도체 발광소자 |
JP5265090B2 (ja) * | 2006-04-14 | 2013-08-14 | 豊田合成株式会社 | 半導体発光素子およびランプ |
TWI291253B (en) * | 2006-04-18 | 2007-12-11 | Univ Nat Central | Light emitting diode structure |
-
2006
- 2006-12-11 JP JP2006333582A patent/JP5201566B2/ja active Active
-
2007
- 2007-12-06 WO PCT/JP2007/073989 patent/WO2008072681A1/ja active Application Filing
- 2007-12-06 KR KR1020097007418A patent/KR101087601B1/ko active IP Right Grant
- 2007-12-06 EP EP07850520.3A patent/EP2096684B1/en active Active
- 2007-12-06 US US12/095,175 patent/US7972952B2/en active Active
- 2007-12-06 CN CN2007800380511A patent/CN101523626B/zh active Active
- 2007-12-10 TW TW096146953A patent/TWI392113B/zh active
-
2011
- 2011-05-24 US US13/114,113 patent/US20110220872A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090267109A1 (en) | 2009-10-29 |
TWI392113B (zh) | 2013-04-01 |
JP5201566B2 (ja) | 2013-06-05 |
KR20090054466A (ko) | 2009-05-29 |
US20110220872A1 (en) | 2011-09-15 |
KR101087601B1 (ko) | 2011-11-29 |
US7972952B2 (en) | 2011-07-05 |
CN101523626A (zh) | 2009-09-02 |
EP2096684B1 (en) | 2018-02-21 |
EP2096684A1 (en) | 2009-09-02 |
EP2096684A4 (en) | 2014-09-03 |
JP2008147459A (ja) | 2008-06-26 |
CN101523626B (zh) | 2012-09-19 |
WO2008072681A1 (ja) | 2008-06-19 |
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