TW200831967A - Bidirectional optical transmitting/receiving module, optical transmitting/receiving device, and bidirectional optical transmitting/receiving module manufacturing method - Google Patents

Description

200831967 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 ，發龍雙向光收發模組。尤其係 光 ==且2,高性能解多功性的光收發裝置，並且關於製 造此雙向光收發裝置的方法。 . 【相關申請案的交互參照】 -^^申5月案係基於並且主張自日本專利申請案第2007-020127 ίί I2:7年1月30日)以及日本專利申請案第_-〇〇3194 【先前技術】 有又向光收發模組被提$，此模組透過單芯光纖雙向地發 長，俾朗步進行雙向傳遞。舉咖言，如圖16 開專利公鮮2刪_287186號(專利文獻υ的 =第模組包含：光波導基板101;第一光波導104 102，在光波導基板101上排列成ν字型；端面 L合ϋ 乎垂直於第一波導器104與第二波導器1〇5之 1 :^端面^的方式加以形成；以及多層滤光片 的外二向光11欠發模組包含：光纖107，與第二波導器105 ‘ 2歹· ，部（受光元件）106 ’面對多層遽光片103而 .=。夫考符108，與第一光波導104的外側端面光學連 接。^考付唬111為光學樹脂層。 繼私m圖,16所示之模組中的第一波長光A，自發光元件 L Πίΐ:先波導104的第一波長光A在多層渡光片103被反 弟一光波導105被送出至光纖107。然後，當第二波 長光β、、生由光纖107入射至第二光波導105時，第二波長光β透 5 200831967 片1G3而到達受光部⑽’此處光會被轉換成電信 以單’吾人可齡使㈣料有Μ波長的光 行選擇性的動作（多層據光片1〇3的解多^慮1片t會進 =透射而反射第-波長光A以及不反 == 干ί(串收時，例如傳輸不必要的第-波長光Α，ί引ί :。串板)。因此，對於模組的性能而言，解多工特性為重二 公報第〜二 ίϊΐί=’”型光波導223沿著光波 ，以及介電多職、光片214被設置…字型 ϋ ϋ ϋ會處(被設置在上端面)接觸，藉以形成解多工單 凡（圖17A)。參考付號215為焊錫膜。圖17A所揭露的解 被堆疊在圖17B所示的單元上。參考符號謝表示定位點。 圖17B顯示另-個單元（圖式的右側），此單元固持上述解多 早凡。吾人將适些|兀加以結合以形成雙向級發模組。 口口如下所述組裝圖17Β所示的單元。吾人將用以放置上述解 工早兀的定位區域設置在位於多模線性光波導基板251上方 =上，將上覆層233層疊在位於多模線性光波導基板251上 =側上，將線性光波導221a封於其内部，以及將131〇截多 層濾光片214a設置在位於上覆層233之遠側上方的端面上戴 吾人精由面對1310mn截止多層濾光片214a的方式依序堆疊接 光二極體210以及封裝板252。 二事實上，在圖17的情況中，朝向圖17之線性光波導基板251 的剷側’線性光波導基板251自身延伸並且待與v字型光波導mg 接合的光纖與發光元件被裝設在此延伸區域。亦即，在此種情況 200831967 严侧另—個單元(圖式的右側) S#、用雙向光收發模組。如上述圖16的情況，此種情況 性動作攄光片214a ’此濾光片用以進行根據波長的選擇 動作。參考付號207為切割溝槽，212為凹入部份，215a 錫膜，以及204為定位點。 巧凹入晶，㈣為坏 細ΓΐίίΓ相關技術的光收發模組結構係彼此相異，但由於 •成m j皮丄具體揭露，故假設其介電多層濾光片係直接形 -ίΪΓ/并Λ 導基板被切割）上。在那種情況下，對於在 生粗糙度的影二2 =光=避^行切割時於切割面上產 性。⑽和日係困難的。因此，吾人無法獲得足夠的解多工特 【發明内容】 =本發明之示範目的為提供—種雙向光收發模組、 種光 以及—種製造此紐發模_方法π可使避免雙向 中位於切割面上所產生待加諸於解多= ::二射=光二導_構造端面 及透射來自外部之接收光2先凡件之發射光的特性以 係設细目對於基板之端面_至_=^的_構造端面 、、且，以及接收μ輸蚊置，用以將接收信號輸出至^收= 200831967 =ίί藉由將自雙向光收發模組所接收的光信號以受光元件進 換而獲得，其中此雙向光收發模組包含··發光元件，夢 你芯光纖以雙波長的光進行同步雙向通信；雙向光波導，曰 /ΐίίΐ上並且與發光元件耦合；以及介電多層濾光片，形成 t先的褶輯造端面上，此介電多層濾光片具有反射來自 之發射光的特性，以及具有透射來自外部之接收光的特 回至二ίΐ:的褶曲構造娜設置在相對細反之端面縮 、生古、照本發明之又另—示範實施樣態的雙向光收發模組製 έ :在基板上形成雙向級導；以及在從基板之端面縮 =側的位置上，形成相對於此光波導之褶曲 直於此光波導的端面。 1阳工 如依照本發明的示範優點，形成平整的端面係可行的。因此， 广上所形成的介電多層濾光片可制具有高性能的解多工特 1。因此L提供不與接收光混合的高性能雙向光收發模組係可行 德，提供使用此種模組的雙向光收發裝置，以及穩固提供此 又。、，收發模組之簡易建構及低成本製造方法亦係可行的。 【實施方式】 以下，將芩考圖1說明本發明之示範實施例。 在圖1中，依照本示範實施例的雙向光收發模組例如包含：

Si基板η轉體雷射4,作域由使用科光__波長的光 同步進打雙向傳遞的發光元件；ν字型光波導2 f He，此波導定在基板1上及介電多層 d ，、為；丨電夕層膜，並且具有將來自半導體雷射（發光元件）4之 發射光反射的特性，以及將自外部所接收之光透射的特性，此滤 光片被设置在位於V字型光波導2之交會處的端面12上方。 又，在此種雙向光收發模組中，位於v字型光波導2之交會 處的端面12係藉由_加以形成，以及基板}的端15係形^ 200831967 藉：整==5^人可 割工具在切割基板時不鱼 梯π構1A，俾能使切 進行切割時與端面12產生朗。因此刀割工具在 效避免於其上產生粗糙度係可行的，俾理 (deiuUiplexing)特性上的反 '層臈(介電多層濾'光片3)係可行的，齡㈣1 = ”介電多 f 造的方法綱地獲得敏的解多卫特性' S鍵構以及低成本製 、目士以下將對此洋加說明。圖1概略地顯示雙向光收發榲組i 面12又上成平整的端面12。介電多層濾、光片3係形成在端 離L的位置上鳊面12被設置在從基板1之端面15退後（縮回）距 宝荆f、f、f光元件的半導體雷射（光源)4係光學耦合至形成在V I; 鐵主二波導2内之光波導2、2其中之-的-端，以及光纖6係光 =至另一個光波導2的一端。又，裝設於基板1之端面15以 ，叉光70件的光二極體5被設置在形成於ν字型光波導2之交 . Θ處的介電多層濾光片3上。 位於Si基板1上的ν字型光波導2依序包含至少一下覆層（折 ^率nl)、核心層（折射率成）、以及上覆層（折射率ng)，這些層 構成具有矩形橫斷面的V字型光波導，以此矩形橫斷面可抑制 尹、向的光擴散。各層折射率之間的關係可表示為nl < n2，以及 n2 > n3 。 藉由薄膜形成技術將介電多層濾光片3形成在位於V字型光 9 200831967 二射:能=用以反射具有不同波 吾人將透射光混人弱接收光，種解多工特性。因此， 雜比(S/N，signal-to_noise 光收發模組的接收信 從光蚊歧導•形^驟 互交會的㈣上Ί形成在上述光波導相 15退後⑽回）距離L 設ff從基板1之端面 的階梯結魏被設置在端至少約3卵(或以上） =====㈣目秘丨项侧基板丨 發射ίΖ且mi上1雙向光收發模組的作用。首先，對於作為 t 另一個多層濾光騰反射並且透過 字型導2田纖6將具有149〇nm波長的光朝向形成在V 多層it 3 Γ個光波導2產生人射時，此光會穿過介電 電信號並且受到部二極體5’此處光會被轉換成 完全在介。在柄’假使具有131Gnm波長的光並沒有 盘;^:Γ;ί片3產生反射並經由此產生透射時，此光會 產f ΐ之具有剛簡波長的光進人光二極體5。此會 特有的έ士 特性降低的干擾雜訊。因此，上述示範實施例所 特有的、、、。構可用以維持高性能的解多卫特性以及高受光品質。 200831967 與上述雙向光收發模組相同的光收發 置•，在此情況下，就解^^而 多層滤光片必須具有「颠倒的特性」，即透射具有 nm波長之光並且反射具有i49〇nm波長之光的特性。、 vfff上述結構的雙向光收發模組中，吾人個別進行光收發 ίΐΐΐ以及用以在光波導之交會處上形成端面的端面形1 1且设置階梯、结構。亦即，將位於V字型光波導2之交合 „ 12設置在從基板i之端面15凹人的位置上，俾能避i 1之端面15時對端面12所產生的切割影響。因此， 二改善形成在端面12上之介電多層遽光片的解多工特 性，此可獲仔如同雙向光收發模組的優異特性。 (製造方法） 收發圖2至圖13說明依照示範實施例之雙向光 _，用以製造雙向光收發模組之方法之每一步驟的流 田1,圖,12係對應圖2所示之每—步驟的示意圖。 述模組的方法包含：首先為波導器形成步驟，用 驟，石夕f板:Sl^5板)1上形成v字型光波導2;端面形成步 v字型光波導2之交會處上形成垂直於所形成 =ΐΛϋ f®12;切割處理步驟，用以在基板1上從 ^面12朝向夕卜^凸出、並且在與端面12關的位置進行切割處 之後的介電多層膜形成步驟，用以在端面12 參‘旦丨電多層遽'光片）3 ’此介電多層膜可反射發射 光波長並且透射接收光波長。 由同ίΐ行=基，及形成端面的製造方法，本方法藉 / ^成纟而面。因此，藉以形成的端面會變得平整。又，在形 2梯結構之後進行基㈣丨相，俾能使切割工具不與端面產生 接觸。因此，即使切誠具有姆度，吾人仍可避免加諸於解多 200831967 ^上的影響，俾能形成高品質的介電多層膜。因此，吾人可 易結構以及低成本而穩聽獲得具有期望解多工特性的光收發^ 、令且 ^'人可庄⑥到此方法可彳鍵構以使：在上述切割處理步驟中 =進行輕微的_而使基板丨達到未被分離的程度；在介電多声 =成步驟中藉由晶圓共同處理形成介電多層膜3;以及然後進& 元全分離步驟（參考圖13)。

，在上述情況中，雙向光收發模組的製造程序可包含：首 器形成步驟’肋在基板丨上形成v字型光波導2;端面形 ，爛以在v字型光波導2之交會處上形成垂直於v 二型光，導2的端面m圖7的右側面）；介電多層卿成步驟， =以在端面12上藉由晶圓共同處理形成介電多層膜3，此介電多 層膜可反射發射光波長並且透射接收光波長；以及切割處理步 驟，用以在基板1上從端面12朝向外側凸出、並且在與端面12 同側的位置進行切割處理。 以下將對此詳加說明。 、、首先，透過此程序從圖2之步驟si〇i至步驟si〇3(V字型光 波導形成步驟A至步驟c)形成V字型光波導2。 亦即，如圖3所示，磷矽玻璃（PSG，phosph〇r〇us—added si丨ica glass)以及填鍺/磷矽玻璃（GPSG，germanium/ph〇sph〇r〇us—added silicaglass)被沉積在Si基板1上，以形成下覆層7(折射率nl) j及核=層8(折射率n2)，並且又在待形成包含矩形夾心斷面之v 子型波導裔2的位置上形成光阻圖案9(v字型光波導形成步驟a : 前步驟、步驟S101)。 a、以下’如圖4所示，藉由使光阻圖案9作為遮罩，透過進行 乾式蝕刻將圖案轉寫至V字型光波導2的夾心（v字型光波導形成 步驟B :夾心形成步驟、步驟S102)。 …然後，如圖5所示，沉積磷矽玻璃（PSG)以形成上覆層10(折 射率n3)，並且將v字型波導器2形成在其内部(v字型光波導形 12 200831967 成步驟C :上覆層形成步驟、步驟si〇3)。 然後如0 6以及圖了所示，在待形成半導體雷射4與光纖 6的位置上對上覆層1〇形成垂直端面，俾能使半導體雷射4'與光 纖6可分別光學耦合至v字型光波導2。在同時，垂直端面亦幵^成 在用以形成介電多層濾光片3iV字型光波導2的交會處上（端面 形成步驟）。 亦即，圖6顯示用於蝕刻遮罩之光阻圖案π的形成步驟（端 面形成步驟A :光阻圖案形成步驟、步驟sl〇4)。又，圖7顯示藉 ， 由使用光阻圖案11作為飿刻遮罩透過乾式餘刻上覆層10至&基 板1之頂面之上述端面的形成步驟（端面形成步驟B :蝕刻步驟? 《 參驟S105)。透過這些步驟，吾人可獲得用以使半導體雷射4 =光學_合至V字型光波導2的端面，並且獲得待形成介電多 層濾光片3的平整端面12。 以下，如圖8所示，移除光阻圖案U，並且形成包含v字型 j面的溝槽13 ’俾能使先纖6可被設置在適當的位置上(v型 =成步驟、步驟)。在圖8中，顯示Si基板1的裁切端14 以呪明位於依照示範實施例之平整端面12與&基 之間的階梯結構。 攸…而面15 相對二9所7^ ’共同形成在晶圓上的雙向光收發模組在 分離；偟二’光波導之交會處的垂直方向（在此稱為「縱向」）被 離’ ^使複數的雙向光收發模組在橫向以條狀方式呈列狀連 -二ί :在位於端面15之存在有至少3,階梯結構的位置上 發模組，俾能使上述之平整端面12在進行切割時不 中，二組縱向切割步驟、步驟S107)。在此種分離步驟 利用乾ίί::的深度。因此’就生產率而言，無法實施僅 u上10所示’藉由例如減鍛的已知方法在平整的端面 通ί 3(介電多層卿成步驟、步驟测）。 在將複數的光學模組沿著橫向以條狀排列的同時進行此步 13 200831967 Γ排顯不此狀態，在此圖式中顯示沿著緊鄰之橫 片3 _落與分層’藉以造 ^ 平整端面12理想上可與切割面此：上， 面的蝕刻步驟（步驟幻〇5)里相 上U用以形成鈿 .間之巧上的上覆層^於横向鄰接之綱組 最後’如圖12所示，半導體雷射^ ^ _ :被設置在指定的位置上(元件設置步驟:以=^、，光纖 依照利用介電多層飧氺H q夕初☆娜乂驟S110)，錯以完成 收發模組。半導!^射4 ntf性之不範實施例的雙向光 並非本發==點先一極體5等等的電力佈線細節，因為此 分輸虫平整端面12時進行充 的切割，將介電多層^ 部份亦係可行的。 成圖13之阳圓18狀態的 驟分’藉由與光學模組縱向分離步 分層與制落所引起的可靠度降低光 之同度可靠的雙向光收發模組成為可行。使衣心、有局.良率 电夕層應7^ 3然而’如圖13Α與圖13Β所示，在 14 200831967 光波導形成晶® 18上共同形成介t多層膜 對於此點，在上述製造步驟中，可=可行的。 組基板1沒有被分離時於晶圓上共同形 程序而在光學模 行用以形成圖7所示之平整端面12的麵二/臈。亦即，在進 刻，以對如® 13A之光波導形成晶關/ ==亍充分深賴 然後，如圖13B所示，將多層臈原材料f而=2與端面15。 晶圓18上，對此已進行充分侧 ^積f呈傾斜狀態的 ^刻部份E的上方形成介電多層濾光片在3而面^、端面、以 所示的切割步驟，或當達到圖9所示之「光學植後，不進行圖9 驟S107)」中的適當深度時巾 ;向分離步驟（步 能使多層薄膜在光學模組基板1沒有被I離狀切割，俾 圓上。 刀離狀怨下共同形成在晶 (關於雙向光收發裝置4〇) 收發向光收發模組30被實地使用作為圖14所示之雙向光 光元ίΐίίίίίΐ置40包含：上述雙向光收發模組30;發 於雙向光°收^模二η & ^來自外部的傳輸電信號驅動控制設置 = =2發光元件(半導體_4 ;以及接收信號 信號广此光二極體為m出經由光二極體5光電轉換的接收 進行件1峰裝置41職光元件（半導體雷射)4 光波^2至光孅βΤΙ出指定的傳遞發射光而經由上述ν字型 的接收。同時，從外部經由光纖6所接收 而、以ί*、止先波導2被引進，並且經由介電多層濾光片3 ^ ^70件（光二極體）5 ’以轉換成電信號而送至外部。透過 15 200831967 此，吾人可達成雙向光的發射與接收。 在此種雙向光收發裝置40中，主要元件亦為其中所改 ，，發模組30。由於雙向光收發模組30具有平整的端“ 成於，、上的介電多層遽光片具有高性能的解多工特性。因此 供透，光不與接收光混合的高性能雙向光收發模組係可行的。 又，提供使用此種模組的雙向光收發裝置，以及穩固提供雔 收發模組之簡易建構與低成本的製造方法亦係可行的。又 以下，將說明本發明之另一示範實施例。 如圖、1所示，在上述實施例中，吾人使用v字型光 雙向光波導2 ’並且形成褶輯造的交會處。細，本發明並不限 S具有兩種波長之解多工光信號功能的

二“墓^可^圖15Α及圖15B所示之雙向光波導2取代V ΐίί波〗圖15A所示之雙向光波導2,吾人可使用多模干 二（MMI，multi-mode lnterference)式光波導。圖 15A 所示之 包含位於褶曲構造端面12上的濾光片3，並且 ί fit 置在相對於基板1之端面向内側凹入的位置 回 所不之雙向光波導2，吾人可使用方向搞合(DC， dlrect1〇nai-coupling)式光波導。圖 15β 12 3 ^ 口又置在相對於基板1之端面向内側凹入的位置上。 長之ί進ίίΐΐΓίί一實施例之藉由使用單芯光纖以兩種波 开杜·ν:Γ止向通仏的雙向光收發模組可包含··發光元件； 又 ’子生光波導，形成在基板上；以及介電多層滅光片， 字型光_之交會處的端面上，此遽光片反身=自1光 ί由射接“而將其導向受光元件，其中··此端面係 i成；在此端面與基板之切割面之間設置階梯結 -放^工具在進行切割時與此端面產生接觸；以及受光 兀件的介電多層膜係形成在此端面上。 因此，不像同步進行切割基板以及形成端面的方法，吾人可 16 200831967 藉由爛平整地形成端面。此外，形 ，在切割基板時不與端面接觸，藉以防=且，能使切割工 與端面產生接觸。因此，對·於力 刀」工具在進行切割時 其上所產生的粗趟度而言係可行的免端面具有於 上的有害影響。因此，形成高多工特性 以㈣建構以及低成本製造方 』’俾能 人·=發明之另-實施例之频 3 ·在基板上形成V字型来、、古墓 、Ik方法可包 置上二:另=光 ，端面產生接觸；以及介電多層_成“構===工具 i電多層膜，此介電多層膜可反射發射光波長並且透=2 包含；本 字直“ 同處理以在端面上形成介電多層臈，“電 波長並且透射接收光波長；以及糊處理步驟y用美^上二 端面=外1凸出、一並且在與端面同侧的位置進行切割攸 ㈣’吾人可藉由在晶圓上進行共同處理而形成多層介質薄 可提供此種優點：簡化條型光學模組在製造時_ t二。此方法可被建構以使：在上述切割處理步驟中僅 藉由晶圓共同處卿成介電多層膜；以 雖紅特定顯示本發明並且參考其*範實施例加以說明，但 本發明並不限繼這些實施例。纽技術領域中具有通常知識者 17 200831967 爾與範圍的情 【圖式簡單說明】 體圖（不意“ 5 ， 、 ' 程圖圖2係顯示用以製造圖1所揭露之雙向光收發模組的程序流 ㈣Sir以說明在顯示製造雙向光收發模組程序之圖2的流 私圖中為刖步驟之v字型波導||形成步驟A的圖； ㈣用以說明在顯示製造雙向光收發模組程序之圖2的流 王回 ^型波導态形成步驟B(夾心形成步驟）的圖； i m f 5係用以"兒明在顯示製造雙向光收發模組程序之圖2的流 程圖中V字型波導器形成步驟c(上覆層形成步驟）的圖； 。圖6係用以說明在顯示製造雙向光收發模組程序之圖2的流 程圖中端面形成步驟A(光阻圖案形成步驟）的圖； 圖7係用以說明在顯示製造雙向光收發模組程序之圖2的流 程圖中端面形成步驟B(餘刻步驟）的圖； 圖8係用以說明在顯示製造雙向光收發模組程序之圖2的流 程圖中V型剖面槽形成步驟的圖； 圖9係用以說明在顯示製造雙向光收發模組程序之圖2的流 私圖中光學模組縱向分離步驟的圖； 圖10係用以說明在顯示製造雙向光收發模組程序之圖2的流 程圖中介電多層膜形成步驟的圖； 圖11係用以說明在顯示製造雙向光收發模組程序之圖2的流 程圖中光學模組橫向分離步驟的圖； 圖12係用以說明在顯示製造雙向光收發模組程序之圖2的流 程圖中用以設置發光元件等等之元件設置步驟的圖； 圖13A及13B係用以說明以晶圓狀態將介電多層膜共同形成 18 200831967 在圖7及圖8所揭露之平整端面上之製造方法範例的圖； 收發|置^係用f說明包含以雙向光收發模組作為主要元件之光 15A及15B係顯示本發明之實施例所使用之雙向光波 w〜範例的平面圖； τ〜 圖16係顯示相關技術範例的立體圖；及 圖ΠΑ及17B係顯示另-相關技術範例的立體圖。

【主要元件符號說明】 1 Si基板 1A階梯結構 2 V字型光波導 3介電多層濾光片 4半導體雷射 光二極: 6光纖 7下覆層 8核心層 9 光阻圖案 10上覆層 11光阻圖案 12端面 13溝槽 14裁切端 15端面 16光學模組 17切割面 18光波導形成晶圓 19多層膜原材料流 19 200831967 30雙向光收發模組 40雙向光收發裝置 41 發光元件驅動控制裝置 42接收信號輸出裝置 101光波導基板 102端面 103多層濾光片 104第一光波導 105第二光波導 106 受光元件

107光纖 108發光元件 111 光學樹脂層 201光波導基板 203覆蓋層 204 定位點 207切割溝槽 210 光二極體 212 凹入部份 214介電多層濾光片 214a 1310-nm截止多層濾光片 215 焊錫膜 215a焊錫膜 221a線性光波導 223 V字型光波導 233上覆層 251多模線性光波導基板 252 封裝板 S101在Si基板上沉積下覆層與核心層，並且形成V字型光 20 200831967 阻圖案A S102藉由具有作為遮罩之光阻圖案A的蝕刻將圖案轉寫至 核心層 5103 5104 5105 5106 5107 5108

沉積磷矽玻璃以形成上覆層 形成光阻圖案B 進行使用光阻圖案B作為遮罩的侧（使v字型光波導 的端面曝光） 藉由姓刻形成V型剖面槽 藉由切割，光學模組與Si基板(以縱向分離基板) 形成介電多層膜 f S109錯由切割分離光學模組邀 S110設置例如半導體雷射、/光 A第一波長光 B第二波長光

Si基板（以橫向分離基板) 二極體等元件 E蝕刻部份 L距離

Claims (1)

1. 200831967 十、申睛專利範圍： 1· 一種雙向光收發模組，包含： 向、雨疒發光元件，藉由使用一單芯光纖以雙波長的光進行同步雙 二，向光波導，形成在一基板上並且與該發光元件耦合；及 人電多層濾光片，形成在該光波導的一褶曲構造端面上， 電多層濾光片具有反射來自該發光元件之發射光的特性， - 及具t透射來自外部之接收光的特性， 一山其中，該光波導的該褶曲構造端面被設置在相對於該基板 一端面縮回至内侧的位置上。 ϋ申π專利範圍第1項之雙向光收發模組，其巾在該光波 =褶曲構造端面與該基板的該端面之間形成一階梯結構，俾能 ，褶曲構造端面由於該階梯結構而從該基板之該端面的位置移 ^如申請專利範圍第2項之雙向光收發模組，其中該光波導的爷 稽曲構造端面係藉由侧而形成，_基板的該端面係藉= 而形忐。 … 4·如申叫專利範圍第2項之雙向光收發模組，其中該光波導 褶曲構造端面以及該基板的該端面係藉由蝕刻而形成。 μ 5·如申請補制第2項之雙向献發模組，其巾該光波導 褶曲構造端面與該基板的該端面可彼此錯開至少3“m的距離。 6·—種雙向光收發裝置，包含： 一雙向光收發模組； -發光兀件驅動控制裝置，以來自外部的傳輸電信號驅動控 22 200831967 2毛光7G件’雜光兀件將—絲號輸人該雙向練發模組； 收㈣用以將一接收信號輸出至外部，該接 進azt:雙向光收發模組之受光元件所接收的光信號 其中，该雙向光收發模組包含·· 向通^發光70件，#由使用—單芯光_雙波長的光進行同步雙 二3ίίί、υ成在一基板上並且與該發光元件耦合;及 該介電絲波導的―_構造端面上’ 及具有透部光元件之發射光的特性，以 一端軸面娜在鱗於該基板之 7· —種雙向光收發模組的製造方法，包含·· 在一基板上形成一雙向光波導；及 波導縮回至内側的位置上，形成相對於該光 蜍之袼曲構仏的位置而垂直於該光波導的一端面。 =申2利範圍第7項之雙向光收發模組的製造方法，复 二曲構造端面與該基板的該端面之間形成-P皆梯社 9朵^^專纖圍f 7項之雙向光收賴組的製造方法，兑中1 23 200831967 ^ 中该 10·如申請專利範圍第7項之雙向光收發模組的製造方法，，、 光波導的該褶曲構造端面以及該基板的該端面係藉由蝕刻 / 成0 U·如申請專利範圍第7項之雙向光收發模組的製造方法，包含·· 在該光波導的該褶曲構造端面上形成一介電多層膜，該介電 多層膜用以反射一發射光波長並且透射一接收光波長。 當雙向光《模組的製造方法，其中 …守’儿積一原材料流而形成該介電多層膜。 14·如申請專利範圍 該介電多層膜係形狀雙向光收發模組的製造方法，其中 凡仕—晶圓上。 (； 十一、圖式： 24