TW200826271A - Imagine sensor package and forming method of the same - Google Patents

Description

200826271 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明大體上是關热^ H ; 一種影像感測器封裝結構，特別 疋關於一種能避免微透锫戽μ ^ 傅特別 边鏡文到雜質粒子污染之影像碭钏哭 封裝結構與其製作方法。 家砍及 【先前技術】 體曰=㈣體科技的發展㈣快速，特料在對於半導 體曰曰片被型化的趨勢方面有顯著的進步。然而，吾人對於 現今半導體晶片功虹的需求卻日趨於多樣化。此即代表 =的半導體晶粒必須在更小的區域内設置更多的輸出入 接塾°如此’引腳(㈣的密度才能大幅提升。這使得半導 ，晶粒封裝日益_ ’良率也下降。封裝結構主要的功能 ，保護晶粒不受到外界損害。而且，晶粒所產生的熱必須 月匕透過封裝結構有效地發散以確保晶粒能夠正常的運作。 大部分的封裝技術都會先將晶圓上的晶粒（物)分成個別 的小晶粒（dies)再分別進行晶㈣封裝與測試^另一種名 為「晶圓級封裝」（wafer level package，WLp)的封裝技術 可在晶粒被分成個別的小晶粒之前就先進行封裝。晶圓級 封裝技術有一些優點，如製作時間較短、成本低、以及不 需要進行底部填膠（underfill)或是模封（m〇lding)等步驟。 數位影像技術現今已經被廣泛運用在數位相機、掃描 器等攝影器材上。一般的CM0S感測器會被配置在電路板 上。CMOS感測器具有一晶片固定其中。透鏡座上具有一 聚焦透鏡用來將影像聚焦在CM0S感測器的晶片上。透過 5 200826271 此透鏡，影像訊號會被晶粒傳送至一數位處理器以將此類 比訊號轉換成數位訊號。CMOS感測器的晶片對於紅外線 和灰塵相當敏感，感測器上雜質粒子的存在會導致整個裝 -置的品質下降。為了避免這類情形，以傳統人工的方式來 •移除雜質粒子又有可能會損害到敏感的晶片。一般而言， 影像感測器模組是使用COB (Chip on Board，晶粒直銲） 或LCC (Leaded Chip Carrier，晶粒承載）的方法形成。COB 製程因為在封裝過程中其感測區域容易受到雜質粒子的污 ( 染，故其良率較低。此外，LCC封裝亦因感測區域易受到 雜質粒子污染的原因而產生良率較低、成本高等的缺點。 微透鏡是一種光學元件，在半導體領域中被用來作為 固態（solid state)影像裝置。在微透鏡的設計與製作當中， 其最重要的考量就是光感度（photosensitivity)。微透鏡光感 度下降的因素之一就是微透鏡區域低於其設定之理想值。 SHELL CASE公司曾開發一種晶圓級封裝技術。由於需要 ( 兩片玻璃板以及製程複雜，以此技術來封裝影像感測器晶 粒所費成本較高，再加上其透光度會因為環氧樹脂（epoxy) 的磨耗而變差，使得可靠度下降。美國專利5,514888號 「ON-CHIP SCREEN TYPE SOLID STATE IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF」 揭示了 一種在矽基底上形成電荷耦合元件（CCDs)之方 法，其使用傳統的微影技術與迴銲技術在CCD陣列上方形 成一微透鏡陣列。 打線焊接（wire bonding)是一種用來在封裝内形成電 6 200826271 路連接的傳統技術。打線焊接會採用金、紹或銅線等材料。 :接線的-端會接在晶粒上，而另一端則接在次一層級的 二導線架㈣fr，)、印刷電路板、陶究基板、 或疋軟性電路板。 •一般的打線焊接技術會在晶粒上形成球銲接點（ball bond)，在基底上則形成縫銲接點（8出此b〇n句。在打線焊 接的過程中，銲針末端的焊線會受熱燒成球狀，從打線機 ㈣ebonder)的銲針（eapillary)末端延伸而出。當施以執壓 或/與超音波震㈣，銲針會許㈣焊線焊在晶片的鲜塾 上。在銲整上的球銲形成後，銲針的下個動作是移動到欲 焊接之基材上（引線），以形成一迴圈。輝針會在基材的焊 接位置上將焊線壓下焊接’產生一楔型的縫銲接點。 於此，吾人需提出一種創新的影像感測器封裝結構， 可使感測區域免於雜質粒子的污染並改善傳統的焊接線連 結0 【發明内容】 本發明為因應上述先前技術中所產生的問題而生，其 目的在於提出-種微透鏡區域不會受到雜質粒子污染的影 像感測器封裝結構及其製造方法。根據本發明，其影像感 測器封裝結構可採用連接通孔（via thnmgh心)作為其連 接點，而不需使用傳統的打線焊接。 本發明提出一種影像感測器封裝，其包含一基底、一 晶粒黏在基底上方。一封膠材料（核膠，晴…刪在晶粒的 四周形成以路出其微透鏡區域。其中該封膠材料含有通孔 200826271 結構穿透其中。一重佈層形成在該封膠材料上方以連接晶 粒上的接墊。金屬接墊則形成在該通孔結構上。一覆蓋層 在基底的上方形成以隔絕該金屬接墊。 在本發明中，基底之材質包含金屬、合金42(42%鎳 -58%鐵）、Kovar合金（29%鎳_17%鈷-54%鐵）、玻璃、陶瓷、 矽或是印刷電路板（以具有高玻璃轉換溫度之環氧樹脂類 材料為佳，如FR5或是BT)。其晶粒包含CCD和CMOS 之影像感測器晶粒。該封膠材料之材質包含石夕酮橡膠、樹 脂、環氧樹脂。其第一介電層與第二介電層之材質包含 SINR (Siloxane polymer，矽氧烷聚合物）、BCB 卯邙 cyclobutene ’ 苯環丁烯）、PI(p〇lyimides)或是以矽 _ 為主 材料。微透鏡上保護層之材質包含Si〇2,八丨2〇3。其 、 之材質包含銅/金、銅/鎳/金合金。其通孔層之佈層 含鈦/銅或是鈦/鎢/鋼合金。其覆蓋層之材質勺質包 月曰、树月曰、以石夕為主（siHc〇ne base)之材料、。·裒氧树 本發明亦提出了一個製作影像感測器封裝 包含：提供一晶粒，其含有一保護層形成在其方法，其 一基 介電 上；在該晶粒四周填入封膠材料（核膠）；接著，=鏡區域 底黏在該晶粒上；在封膠材料與晶粒上方形成供 層。該第一介電層含有一第一開口（鋁墊）以及一第一 裸露出形成在其内部的微透鏡區域；接下來，第一開口 第一介電層與封膠材料以形成一第三開口；之移除部分的 層填入該第一開口中以連接晶粒上的接墊；形成 層上方形成—晶種層（seed metal lay 、在該第 一上-~ 乂及一重佈 通孔層 8 200826271 填入該第二開口；再來，在該第一介電層以及重佈層上方 形成一第二介電層，該第二介電層含有一第四開口以露出 其微透鏡區域；在通孔層上形成金屬接墊；接著，在基底 •上方形成一覆蓋層。 在本發明中，其第一開口與第二開口是使用微影製程 以及蝕刻製程形成。其第三開口是使用雷射鑽孔（laser drilling)製程形成。其重佈層是使用電鍍製程形成。通孔層 『的金屬亦疋使用電鍍製程形成。而第四開口則是使用微影 、 製程以及姓刻製程形成。 【實施方式】 現在此處將詳細描述本發明之實施例。然而，不僅限 於此處所詳述者，需瞭解本發明亦可在其他廣泛的實施例 當中施行’且本發明之範疇未受其隨附之專利請求項以外 之敘述或說明所限制。然，此處並未明定其各元件之尺度 與組成。而為了讓本發明能被更清楚的描述與理解，圖中 I 些相關元件之尺度被放大，而不重要的部位則被省略。 圖一是根據本發明一影像感測器封裝10()基本結構之 頂視圖與截面圖’此結構包含：一由金屬材料製成的方形 基底105、一用來擷取影像的半導體裝置晶片1〇6 (CM〇s 影像感測器晶粒），其含有一平面CM〇s影像感測器可透 過一由矽酮橡膠、樹脂或環氧樹脂等材質構成的封膠材料 (核膠）107黏在基底1〇5上；一通孔層結構1〇3形成並穿過 核膠層並以電鍍製程在其中填入銅。該結構被設定成圓柱 型之類的形狀並連接到基底105作為其與印刷電路母板連 9 200826271 接的通道；一晶種層（圖中未表示）與一重佈層ι〇2被連接 到半導體元件晶片106上的晶粒銲墊1〇1以及通孔層結構 103上；而一保護層104在彩像感’則器曰曰片1 上形成以 覆蓋影像感測器晶片的感測區$ ° ‘ 根據本發明，圖二與圖三分別表示出一 BGA封裝（Bal1

Grid Array，球型柵格陣列）2〇〇 與 LGA(Land Grid A啊， 基板柵格陣列）封裝300的影像感測器封裝結構之底視 圖。BGA式封裝的特徵是使用一封裝基底，其正面與半導 '體晶片相接，而背面則使用自動對準技術植入錫球（S〇lder ball)陣列來與PCB母板焊接。此作法使彳于單位面積下的晶 片載體（即封裝結構）可設置更多的輸出入接點（1/〇)，以達 到高整合性半導體晶片之封裝需求。錫球或錫塊（bumP)的 焊接方式可讓封裝結構整體與一外部裝置或兀件電性連 接。 在BGA封裝中，金屬材質的錫球2〇1透過重佈層203 (與通孔層202電耦合。在LGA式封裝中，金屬接墊301 則可讓訊號直接與PCB母板電耦合。該金屬接墊被用來作 為終端引腳(terminal pin)，其間距(Pitch)約為400 μιη ’引 腳區域約為4〇Ομιη X 200μιη，每一邊的接腳數目為13，而 其每一邊長尺寸為0.4mm+(13x0,4mm)+0.4mm。終端引腳 表面金屬的厚度約為2000A以上，可達到更好的焊接效果。 影像感測器100詳細的周邊結構如圖四所示，其為本 發明較佳實施例中之影像感測器封裝結構。在圖四中，影 像感測器封裝100是由一用來擷取影像的半導體元件晶片 200826271 400所構成，其含有一平面CMOS影像感測器之類的元件 透過一封膠材料（核膠）或黏晶材料黏在基底408上。一晶 種層與一重佈層409被連接到半導體元件晶片400上的晶 β粒接墊401 ; —第一介電層403覆蓋在晶粒接墊401與微 ，透鏡區域以外的核膠402區域與晶粒400上方。一第二介 電層404則覆蓋在微透鏡區域以外的重佈層409與該第一 介電層403上方以保護晶粒400 ;通孔層405穿過該第一 介電層403與核膠402區域以連接金屬接墊407與該重佈 化傳導層409; —保護層104(如圖一所示）覆蓋在影像感測 器400的微透鏡上，而一覆蓋層410在金屬接墊407形成 後被鍍在基底408以及核膠402區域下方。 舉例而言，基底408是一硬塊材式的金屬、合金42(42% 鎳-58%鐵）、Kovar合金（29%鎳-17%鈷-54%鐵）、玻璃、陶 瓷、矽或是PCB有機基底（具有高玻璃轉換溫度之環氧樹 脂類材料，如FR5或是BT)等材質。上述之半導體晶粒400 被黏附在基底的正表面上。合金42的組成包含42%的鎳 與的58%鐵，而Kovar合金的組成包含29%的鎳、17%的 鈷以及54%的鐵。在本例中，基底408是一個圓形或方形 的板狀結構。其金屬接墊407的原料包含銅、合金42。金 屬接墊407可被用來作為與PCB母板連接的通道。一由金 元素組成之金屬薄膜406可作為通孔層405與該金屬接墊 407之間的介面，其作用如同黏結層或晶種層，可加強通 孔層405與金屬接塾407之間的連結。另一由金元素組成 之金屬薄膜411形成在該金屬接墊407的焊接面上以改善 11 200826271 整體封裝之電性。 根據本發明，此實施例之優點在於其封裝結構採用通 孔層405以及金屬接墊407兩構造，不需像傳統的封裝使 用打線焊接（wire bonding)的方式來與PCB板或外部裝詈 連接。 合金42的物理性質如下：其熱膨脹係數（CTE)約為4 〇 〜4.7(ppm/°C)、熱傳導率約為i2(W/m-°C)、電阻率約為7〇 (μΩ-cm)而應力彎曲疲勞強度（fatigUe strength)約為6如 MPa。同樣地，Kovar合金的物理性質如下：其熱膨騰係 數（CTE)約為5·1〜8.7(ppm/°C)、熱傳導率約為、 40(W/m-°C)、電阻率約為49 (μΩ-cm)、。換言之，本發明; 之金屬合金可被用來作為導線架合金。像合金42戎 合金之類的金屬在此類應用具有不錯的接受度，因為复 膨脹係數與矽晶圓以及陶瓷非常吻合，且可成形性高（^熱 formability)。故合金42與K〇Var合金為本發明的要件lgh 一。如以上所述，此兩合金材料的熱膨脹係數與矽的埶之 脹係數（2·3 ppm/°C)以及陶瓷的熱膨脹係數（3.4 t〇 7.4 “、、膨 C )相吻合。Kovar合金與合金42亦具有高疲勞強度PPm/ 金42的疲勞強度為620MPa，相較之下大部分的鋼:、。合 勞強度僅有380〜550之譜。故這類材料適合用來作^金疲 訊號的傳導路徑。此外，此類材料必須能耐腐蝕，因電子 蝕會增加鋁的電阻率而造成電性錯誤，最終導致機為腐 斷裂。本發明中的傳導材料可包含鐵-鎳合金、鐵_絲\性的 金、銅-鐵合金、銅-鉻合金、銅_鎳_矽合金或是鋼_锡=合 12 200826271 等。 本發明結構中配置有一用於掘取影像的半導體元件 晶片400，例如一半導體電路區之類的區域，其中有一光 電轉換區（感測區域）由一群光電轉換元件所組成，形成了 •平面CMOS影像感測器及其陣列；一驅動電路區連續驅動 該光電轉換元件群並獲取電荷訊號；一類比數位轉換區將 該電荷訊號轉換成一數位訊號；一訊號處理區將該數位訊 r 號轉換為一影像訊號輸出；其中，一曝光控制裝置形成在 該半導體晶片上，可根據該數位訊號的輸出等級來控制其 曝光時間。 根據本發明，影像感測器封裝的詳細製作方式如下： 在影像感測器晶圓中，首要步驟救是清洗該具有複數個晶 粒400的半導體晶圓。下一步，將保護層104(如圖一所示） 鍍在該影像感測晶粒400的微透鏡區域上。該保護層1〇4 的原料包含Si〇2、Al2〇3或是含氟聚合物（Fiu〇r〇p〇lymer)。 ( 之後，保護層會被熱固（cure)。接著，一頂覆蓋層在製程期 間會暫時覆蓋在該保護層上。之後半導體晶圓會進行晶背 研磨（back lapping)的步驟。晶粒40的厚度約為175mm或 127mm(5 mils),視整體封裝的厚度而定。接下來，處理後 的半導體晶圓會被切割（singulate)成單一的晶粒400。 就基底408而言，一光阻層會被鍍在該基底408的第 一表面上（正面），其後基底會進行微影製程顯開未蝕刻的 區域。之後，以電鍍製程在該區域上形成一金元素層。接 下來’將光阻層拔除並進行半濕姓刻製程以形成接墊 13 200826271 (pad)，如同圖三所示之LGA接墊3〇ι。基底的原料可選擇 、下材料· &金42、Kovar合金、玻璃、陶兗、石夕以及pcb。 另外，亦可選擇進行清洗基底408表面之步驟。 再來使用精雄、對準撿放系統（pick and place)將晶 .粒上含有接墊的那一面（即動態面）以彈性材料暫時黏附在 一底座上（該底座為含有晶粒重佈對準圖形之工具）。該撿 放系統可視為一定制的可移動式覆晶焊接器（flip chip 〔bonder)在本例中，複數個晶粒4⑼會在一特定或預定的 條件下從該彈性材料上被剝除。換言之，在一般狀態下， 忒彈性材料的表面具有黏滯性（黏性），而當彈性材料置於 某:特定環境或條件下它會失去黏滯性。所謂特定或預定 的％境可為去離子水溶液、特定的溶劑、預定的溫度（約為 20〜40C，視使用的溶劑而定）、或是特定的光照（如紫外 光）等環境。上述的底座（工具）在清洗後可重複使用。 填膠步驟為將一封膠材料（核膠）402填入鄰近晶粒4〇〇 c間的空隙中並覆蓋在晶粒4〇〇上方。核膠4〇2是以封膠材 料或疋彈性材料製成。核膠的原料可在矽酮橡膠、樹脂以 及％氧樹脂之間作選擇。核膠4〇2的寬度每邊約為5〇〇“m 〜lmm之間，而切割道（scribe line)寬約為100〜150mm。 基底408是透過核膠4〇2黏在晶粒4〇〇上。基底4〇8黏上 之後會進行一紫外線固化或熱固化步驟來加強封膠 (molding)的效果（黏附效果）。核膠4〇2固化之後，封裝結 構會在上述特定的環境下從彈性材料上剝離。 接下來’在清洗晶粒表面後，一第一介電層403會被 200826271 鍍在核膠402以及晶粒400的上方。該第一介電層4〇3會 以微影製程與蝕刻製程在其表面上形成第一開口與第二開 口以露出鋁墊401以及其微透鏡區域。再來會進行另一道 微影及蝕刻製程來形成穿過該第一介電層4〇3與核膠區 .405的通孔。另外，也可以採用雷射鑽孔製程來形成通孔。 通孔層的直徑約為lOO^m，而其高度約為2〇〇#m (或 # m) ’其深寬比為2(或15)。在雷射鑽孔之後會進行 ^ RIE( Reactive Ion Etch，反應式離子蝕刻法）步驟清洗鋁墊 401、以避免文到雜質粒子的污染。一晶種層會以濺鍍 方式填入通孔與鋁墊中並覆蓋在第一介電層4〇3上方。再 來，一光阻層會被鍍在晶種層及第一介電層4〇3上。接著， 實行微影製程形成光阻圖形以露出晶粒接墊4〇1、通孔以 及重佈層圖形。再來實行電鍍製程將材料填入通孔並覆蓋 在晶粒接墊401上方，以形成通孔層4〇5以及重佈層4〇9。 舉例而言，晶種層406的材質包含銅、鈦-銅合金、鈦_鎢_ :銅合金，而重佈層4〇9的材質包含·金合金、銅鎳金合 金重佈化傳^層409的厚度約為6.0//m。在光阻拔除後， 接下來晶種層進行濕蝕刻步驟來移除第一介電層4〇3上方 的晶種層以形成重佈層409。 接下來，一第二介電層404被鍍在第一介電層4〇3與 重佈層409上方以保護晶粒4〇〇。第二介電層4〇4會進行 微影製程和钱刻製程以形成開口露出其微透鏡區域。之後 該第二介電層會被熱固。 第電層403與第二介電層404的材質可選擇 15 200826271 SINR、BCB、PI及以碎酮為主的材料。 接著，基底408的第二表面（背面）會被清洗。一光阻 層會被鍍在基底408的弟二表面上，然後在接墊以外的基 底部分進行微景> 製程以及半钱刻製程讓金屬接墊4〇7彼此 、隔絕。換&之，基底408會進行兩次半蝕刻製程以隔絕金 屬接墊（LGA式），其一次在基底的第一表面上，一次在基 底的第二表面上。殘存的光阻之後會被拔除。此外，在非 Γ金屬基底部分408會進行另一次的金屬電鍍製程來形成金 屬接墊407以連接通孔層405。金屬接墊4〇7可作為與ρ(：Β 板的接點。另一由金元素構成的金屬薄膜411形成在金屬 接墊407上以改善封裝結構之電性。 再來，清洗基底408的第二表面（背面）。最後，一覆 蓋層410會被印在金屬接墊4〇7以外基底的第二表面4〇8 與核膠402區域（在靠近金屬接墊4〇7的區域）上。該覆蓋 層410包含環氧樹脂、樹脂、矽酮橡膠。覆蓋層41〇印上 C後，可進行一些製程讓金屬接墊407裸露出來，例如濕蝕 刻或晶背研磨製程等。覆蓋層亦可將金屬接墊407彼此隔 絕。然後，移除微透鏡區域上暫時覆蓋的保護層。接著， 封裝會被切割從面板上移除。 再者，根據本發明，吾人可以在影像擷取的半導體元 件晶片❸光接收部位上配置一微透鏡以加大孔徑並增加光 入射的效率。 ⑽本發明的優點包含如下·· PCB模組的佈局（lay〇叫簡 早，具有保護層而不受雜質粒子影響；簡易的SMT製程（表 200826271 面黏著製程）可用於LGA式的終端引腳；超薄式封裝結構 (厚度小於4〇0 // m)，·小面積架構（f〇〇t print & f〇rm f⑽〇r); 晶圓級封裝的成本較低；可進行大面板尺寸的封裝製程； 能達到最高的封裝及模組化良率；完全自動化的模組構 •裝，以及可進行晶圓級的最終測試（final testing)。 儘管本發明之具體實施例業已於上面的描述中說明， 本領域之熟習技藝者仍需清楚認知，在不違悖本發明所附 ,之專利請求項的精神下，本發明可以各種不同的修改形式 ^ 呈現。 【圖式簡單說明】 本發明在某些部份與配置會以物理的方式呈現，其較 佳實施例在說明書中會有詳細的描述與圖示，其中： 圖一為根據本發明一影像感測器封裝結構之頂視圖與戴面 圖； ’、 圖二為根據本發明—影像感測器BGA式封裝結構之底 ( 視圖； ^ 圖二為根據本發明—影像感測器LGA式封裝結構之底 視圖， 一 圖四為根據本發明—影像感測器封裝結構之截面圖。 【主要元件付號說明】 100 影像感測器封| 101 晶粒接墊 102 重佈層 103 通孔層 200826271 104 保護層 105 基底 200 球型柵格陣列封裝 201 錫球 202 通孔層 203 重佈層 300 基板柵格陣列封裝 301 金屬接墊 400 晶粒 401 晶粒接塾 402 核膠 403 第一介電層 404 第二介電層 405 通孔層 406 金屬薄膜 407 金屬接墊 408 基底 409 重佈層 410 覆蓋層 411 金屬薄膜 18

Claims (1)

1. 200826271 十、申請專利範園： 1. 一種影像感測器封裝結構，包含： 一基底； 一晶粒黏附在該基底上方； 、封膠材料形成在該晶粒的四周以露出其微透鏡區 域〃中°亥封膠材料包含通孔結構穿過其中； 一保護層形成在該微透鏡區域上方以保護該微透鏡區 域； 一重佈層形成在該封膠材料上方以連接該晶粒的接墊； 複數個金屬接墊形成在該通孔結構上方；以及 一覆蓋層形成在該基底上方以隔絕該複數個金屬接墊。 2·如請求項1所述之影像感測器封裝結構，其中該基底之 材質包含金屬、合金42 (42%鎳_58%鐵）、K〇var合金 (29%鎳-17%姑-54%鐵）、玻璃、陶兗、矽或是PCB。 3·如睛求項1所述之影像感測器封裝結構，其中該晶粒包 含CMOS影像感測器晶粒。 4·如請求項1所述之影像感測器封裝結構，其中該晶粒包 含CCD影像感測器晶粒。 5 ·如明求項1所述之影像感测器封裝結構，其中該封膠材 料包含矽酮橡膠、樹脂以及環氧樹脂。 200826271 6·如清求項1所述之影像感測器封裝結構，其中該保護層 之材質包含si〇2、Α1203、含氟聚合物。 7·如請求項i所述之影像感測器封裝結構，其中該重佈層 之材質包含銅-金合金、銅-鎳-金合金。 8. 如請求項丨所述之影像感測器封裝結構，其中該通孔結 構之材質包含鈦-銅合金或鈦-鶴-銅合金。 9. 如請求項1所述之影像感測器封裝結構，其中該覆蓋層 之材質包含環氧樹脂、樹脂或是以矽_為/主的材料。曰 1〇.如請求項1所述之影像感測器封裝結構，更包含BGA 封裝結構之錫球形成在該基底的下表面。 11.如請求項丨所述之影像感測器封裝結構，其中該複數個 金屬接墊作為LGA封裝結構之接墊形成在該基底的下 表面及該LGA封裝結構的周邊上。 12·種製作影像感測器封裝的方法，包含·· 提供一晶粒，其微透鏡上有形成一層保護層； 將封膠材料填入該晶粒四周； 提供一基底黏著在該晶粒上； 20 200826271 在該封膠材料與該晶粒上方形成一 一介電層含有一第一開口及一第層第—介電層，該第 的微透鏡區域露出； 〜開口將其内部形成 移除部份第一介電層及封膠材料 在該第-介電層上方形成一重❹殖成-第三開口； 以連接該晶粒上的接墊； 9具入該第一開口中 形成一通孔結構以填入該第三開口； 在該第-介電層與該重佈層上方形成 第二介電層具有-第四開口以露出”電層’該 出其微透鏡區域； “I孔結構上形成複數個金屬接墊； 在該基底上方形成一覆蓋層。 13.如請求項12所述之方法，其中該第—開口及該第二開 口為使用微影製程以及蝕刻製程形成。 14·如請求項12所述之方法，其中該第三開口為使用微影 製程以及蝕刻製程形成。 15·如請求項12所述之方法，其中該第三開口為使用雷射 鑽孔製程形成。 16·如請求項12所述之方法，其中該重佈層為使用電鍍製 程形成。 21 200826271 17·如請求項12所述之方法，其中該通孔結構為使用電鍍 製程形成。 18·如請求項12所述之方法，其中該第四開口為使用微影 製程及蝕刻製程形成。 19·如請求項12所述之方法，更包含在該基底上進行一半 蝕刻製程之步驟。 22