200825213 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明與適於被用來作爲電子機器之連接零件的連接 器等之電解電鍍的金-銀合金電鍍液有關。 【先前技術】 一般係使用磷青銅或鈹等之銅系材料來當作被用來作 爲電子機器之連接零件的連接器等之電氣接點用零件的材 電鍍技術被廣泛利用於電氣接點用零件的表面處理， 而其種類大致分爲貴金屬電鍍和卑金屬電鍍。 在工業方面廣泛利用於銲錫附著性及耐蝕性兩方面皆 優異的錫-鉛系之銲錫電鍍來作爲卑金屬電鍍（例如，參 照專利文獻1、2 )。 然而，隨著對鉛之有害性的指摘，已逐漸使用不含鉛 的無鉛電鍍來取代銲錫電鍍。無鉛之電鍍是以對電氣接點 用零件之銅系材料施行鎳電鍍後，接著進行錫或錫合金電 鍍的方法爲代表。進行鎳電鍍之目的是爲了對電氣接點用 零件賦予耐磨耗性，而進行錫電鍍之目的是爲了提高電氣 的可靠度、耐蝕性。此電鍍被膜是以提高耐蝕性爲目的而 進tr迴銲處理。 錫電鍍係有因錫鬚之產生而發生電子電路之故障的情 況。此外，還有接觸電阻値高、耐腐蝕性低等成爲問題的 情況。由於此理由，在要求高度可靠度的電腦或通信機器 -4- 200825213 用連接器之表面處理係廣泛使用貴金屬電鍍來取代卑金屬 電鍍。 貴金屬電鍍是以使用金電鍍爲主。金電鍍可維持比卑 金屬低的接觸電阻，並顯示高耐蝕性，且長期安定性優 異。 由於金電鍍的製造成本高，爲了補足此經濟性的缺 點，金電鍍被膜係傾向薄膜化。 # 隨著金電鍍被膜的薄膜化，電鍍被膜中容易產生小孔 等。對應於此而對金電鍍被膜實施封孔處理。然而，實施 封孔處理一事係於電鍍處理後強制追加新的製程，故作業 製程會變得複雜。 金-鈷合金電鍍已被利用於連接器等之處理，以代替 封孔處理所需要的金電鍍（例如，參照專利文獻3 )。藉 由金-鈷合金電鍍，材料的耐蝕性會提高，但另一方面，, 與純金電鍍相比，接觸電阻係上昇。金-鈷合金電鍍亦有 ® 當以1 μπι以上之厚度進行電鍍時，在電鍍膜中容易產生 微小裂痕的缺點。 一般來說，在電腦或通信機器用連接器等之電解電鍍 方面，係在材料的微小部份形成厚度〇·2〜2 μπι程度的薄 膜。於對連接器端子部加以電解電鍍之際，電流會集中至 端子前端部，而容易產生電鍍被膜粗糙脆弱之所謂的電鍍 之過燒現象（burnt deposits)、或是電鍍膜表面的不均勻 電沉積。 爲了防止這些現象，採用將電流密度控制在特定範圍 200825213 內等之對策。然而，因電鍍條件被嚴格限制，伴隨而來的 是作業面上的困難。 此外，近年來伴隨著電子機器的輕薄短小化，連接器 等之連接荷重係被輕量化。因此，需要有對於低荷重仍有 低接觸電阻値的連接器。 另外，專利文獻4中記載有在對連接器等之貴金屬電 鍍方面，可倂同金電鍍而使用銀電鍍一事。專利文獻4中 Φ 所記載之電鍍被膜是藉由依序電鍍此等金屬所形成之被 膜，其構成與後述之本發明的金一銀合金電鍍相異。 [專利文獻1]特開2002-6968 8號公報（申請專利範 圍） [專利文獻2]專利第3 65 93 23號公報（申請專利範 圍） [專利文獻3]特開昭60- 1 55696號公報（申請專利範 圍） ® [專利文獻4]特開昭63- 1 1 4083號公報（申請專利範 圍第4項） 【發明內容】 [發明所欲解決之問題] 本發明之目的在於提供：適於電氣接點用零件等之接 點的表面處理，並含有金的合金電鍍，亦即，可得到比習 知所使用之金-鈷合金電鍍更接近純金的接觸電阻値，即 使在電氣接點所負荷之接觸荷重很低的情況，仍可維持高 -6- 200825213 傳導度’且於電鍍時之廣範圍的電流密度將電鍍被膜的硬 度保持一定’同時得到不會發生過燒現象或不均勻電沉積 的良好電鍍被膜之合金電鍍。 [用以解決問題之手段] s τ解 '决上述問題而進行致力檢討的結果，本案發明 A係發現’藉由使用溶解有預定濃度的氰化金鉀和氰化銀 鉀之電鍍液來進行電解電鍍，會得到低接觸電阻値的金一 銀合金電鍍被膜。 此外’本案發明人係發現，藉由在含有氰化金鉀和氰 化銀鉀的電鍍液中添加乙二胺或其衍生物，在進行電氣接 點用零件的電鍍之際，可形成良好電鍍被膜之電流密度的 範圍會變成極廣之範圍，而得以完成本發明。 用以達成上述目的之本發明係記載於以下之物。 〔1〕金-銀合金電鍍液，係含有：氰化金鉀而金含 有量爲1.0〜30 g/Ι、氰化銀鉀而銀含有量爲1.0〜200 ppm。 〔2〕電氣機器之電氣接點被膜形成用金一銀合金電 鍍液，係含有：氰化金鉀而金含有量爲1 ·0〜30 g/i、氰化 銀鉀而銀含有量爲1 . 〇〜2 0 0 p p m。 〔3〕如〔2〕所記載的電氣機器之電氣接點被膜形成 用金—銀合金電鍍液，係含有·· 3 0〜1 0 0 g /1的焦磷酸绅、 20〜50 g/Ι的硼酸。 〔4〕如〔2〕所記載的電氣機器之電氣接點被膜形成 200825213 用金一銀合金電鍍液，係含有：〇.〇 5〜150 g/l的乙二胺或 其衍生物。 〔5〕具有電氣接點之電氣機器，該電氣接點是由厚 度0.05〜1·〇 μιη、銀的含有量爲0.3〜2質量％之金一銀合 金電鍍被膜所形成。 〔6〕如〔5〕所記載的電氣機器，其中金-銀合金電 鍍被膜的接觸電阻値在重量10 g時之値爲15〜30 ιηΩ。 • 〔 7〕如〔5〕所記載的具有電氣接點之電氣機器，其 中金-銀合金電鍍被膜的硬度爲150〜200 HV。 [發明之效果] 本發明之電鍍液係含有氰化金鉀和氰化銀鉀來作爲必 要成份。藉由使用本發明之電鍍液來進行連接器等之電氣 接點用零件的電解電鍍，可在金屬材料上形成由金-銀合 金所製成的電鍍被膜。此電鍍被膜顯示安定之低接觸電阻 値。此外，此電鍍被膜幾乎沒有小孔。 藉由使用添加了乙二胺或其衍生物的電鍍液，可抑制 由電流密度之集中所致之電鍍過燒不良等。此外，可形成 良好電鍍被膜的電流密度係擴張爲廣範圍，故能夠安定作 業。於廣範圍之電流密度，電鍍被膜的硬度亦會大致保持 一定。因此，藉由使用前述電鍍液，電流密度會易於集中 而可良好地進行連接器端子部的電鍍。 以本發明之電鍍液所形成的金-銀合金電鍍被膜即使 在受到銲錫迴銲溫度，亦即2 6 0 °C左右的熱歷程後，仍可 200825213 維持低接觸電阻値。 藉由本發明之電鍍液所形成之金-銀合金電鍍被膜係 硬度高’而接觸電阻値低。因此，適用於電氣接點用零件 的電氣接點用之電鍍被膜。由於藉由此電鍍液所形成之電 鍍被膜中含有0·3〜5質量％的銀，與金電鍍被膜相較係可 降低製造成本。藉由此電鍍液所形成之電鍍被膜的硬度很 高’故會抑制形成電氣接點之電鍍被膜的磨耗。此外，即 使在接觸荷重少的情況，仍可將形成電氣接點之電鍍被膜 的接觸電阻値維持爲低値。由於這些理由，本發明之電鍍 液可適合使用於行動電話、個人電腦等之連接器、電視、， 錄放影機等之輸入輸出端子等的被膜之形成。 【實施方式】 使用氰化金鉀來作爲本發明電鍍液的金離子源。電鍍 液中所添加的氰化金鉀之濃度係使金含有量爲1.0〜3 0 g/Ι ’但以3〜20 g/Ι爲佳，5〜15 g/Ι更佳。未滿1.0 g/1 時，電鍍速度緩慢。若超過3 0 g/1，則製造成本提高，而 不利於經濟性之觀點。 本發明之電鍍液中，除了氰化金鉀以外，亦配合有氰 化銀鉀來作爲銀離子源。氰化銀鉀之濃度係使銀含有量爲 1·0 〜200 ppm，但以 20〜150 ppm 爲佳，50〜100 ppm 更 佳。由於氰化銀鉀的濃度很低，所形成之電鍍被膜中的銀 含有量很少而近乎於金被膜。銀含有量很少的電鍍被膜之 接觸電阻値係顯示與金被膜之接觸電阻値相近的良好之 -9- 200825213 値。由於此理由，於電鍍液中所添加之氰化銀鉀的濃度並 不存在實質上之下限値。但是，若電鍍液中的銀量減少’ 則電鍍被膜的外觀會產生變化。從製造成本的觀點來看’ 氰化銀鉀的濃度以1.0 ppm以上爲佳。若氰化銀鉀的濃度 超過20 0 ppm，則析出被膜中的銀量增加，被膜的色調變 白，而接觸電阻値提高。在底層爲鎳或鎳合金的情況中’ 底層與電鍍被膜的附著性低劣，而有析出被膜自底層剝離 的情況。 本發明之電鍍液中，以添加焦磷酸鉀來作爲電解質成 份爲佳。藉由添加焦磷酸鉀，係得到安定之均勻電沉積 性，而可將電鍍膜厚度及合金比率維持一定。 焦磷酸鉀的添加量以30〜100 g/Ι爲佳，40〜80 g/Ι更 佳。 本發明之電鍍液中，以添加硼酸來作爲pH緩衝劑爲 佳。在本發明之電鍍液的組成方面，硼酸係比後述之其他 的pH緩衝劑顯示更優異的緩衝作用。硼酸的添加量以 20〜50 g/Ι爲佳，30〜40 g/Ι更佳。 本發明之電鍍液中，亦可使用琥珀酸、酞酸、酒石 酸、檸檬酸、磷酸、亞硫酸或此等之鹽來代替硼酸或是與 硼酸一起作爲p Η緩衝劑。 本發明之電鍍液中，以添加乙二胺或其衍生物爲佳。 藉由添加乙二胺或其衍生物，可以將可形成良好電鍍被膜 的電流密度之範圍擴大爲廣範圍。可舉出四醋酸乙二胺、 二乙基三胺、三乙基四胺、四乙基五胺、五乙基六胺等來 -10- 200825213 作爲乙二胺衍生物。 乙二胺或其衍生物的添加量以〇·〇5〜150 g/l爲佳，1〜 50 g/l較佳，5〜10 g/Ι更佳。乙二胺之添加量未滿0.05 g/Ι時，無法使得到良好電鍍被膜之電流密度的範圍成爲 十分廣的範圍。若超過1 50 g/l，則無法得到與添加量相當 的效果，而會在製造成本方面有不利的傾向。 在使用本發明之電鍍液來進行電鍍處理的情況，係以 依下述條件進行電解電鍍爲佳。 電鍍液的pH値係以藉由調整pH緩衝劑、電解質成 份等的濃度而成爲pH 6.0〜9.0的範圍爲佳。若電鍍液的· pH未滿6.0，則於電鍍外觀容易產生不均勻，若pH超過 9.0，則所得到的電鍍之色調會呈紅色而外觀不良。 進行電鍍之際的電鍍液之液溫以2〇〜7 0°C爲佳。未滿 2 0°C時，不容易控制溫度，而電鍍處理的變動很大，故不 適於作業。若超過70°C，則析出之電鍍物的光澤會受到影 響，同時因作業中的電鍍液之蒸發導致容量大爲減少，而 難以維持電鍍液中的各成份之濃度。 電鍍時的電流密度以10〜160 A/dm2爲佳，1〇〜120 A/dm2更佳，20〜100 A/dm2特佳。藉由在此範圍適當選擇 該電鍍液的pH値、液溫、金濃度、銀濃度，可形成良好 的電鍍被膜。 藉由使用上述電鍍液所電解電鍍而得到之電鍍被膜是 金和銀均勻的合金被膜。在依上述條件電鍍之情況中，合 金被膜中之銀的含有比率是0.3〜2質量％，而以〇·5〜1質 -11 - 200825213 量％爲佳。銀的含有量爲0.3〜2質量％之電鍍被膜的接觸 電阻値係相當於金電鍍被膜之接觸電阻値的1〜1 · 5倍。 析出作爲電鍍被膜的金-銀合金，與電鍍液中所含有 的金和銀之比率相比，銀的含有量較多。因此，電鍍液中 所含有的銀會比金更早被消耗。在電鍍液中的銀濃度下降 至電鍍液製造當初的濃度之2 0 %以下的情況中，藉由於 電鍍液適量補充氰化銀鉀，可使析出之電鍍被膜的銀含有 φ 量恆爲0.3〜2質量％。 於本發明所使用之被電鍍材料並未特別加以限定，例 如，可舉出被用來作爲電氣機器之電氣接點用零件的連接 器、開關、繼電器等。磷青銅或鈹銅、黃銅、銅、鐵鎳合 金、鐵等可適用來作爲材料之材質。於這些材料係可使用 本發明之電鍍液直接電鍍。以在材料上藉由常法鎳電鍍來 作爲底層電鍍，或是在進行金預鍍電鍍後，使用本發明之 電鍍液來進行電鍍爲佳。 • 對這些被電鍍材料之電鍍方法可使用眾所周知的方 法。在使用經電鍍之材料來作爲電氣接點用零件的1½況 中，只要至少成爲電氣接點的部份被覆有由本發明之電鍍 液所形成的電鍍被膜即可。在於包含電氣接點用零件的電 氣接點之表面的特定區域進行電鍍的情況中，可使用眾所 周知的遮罩材料。在對電氣接點用零件的電鍍之際，係使 電鍍被膜的厚度爲0.05〜Ι.Ομπι，而以0.1〜0.5 μπι爲 佳。 藉由本發明之電鍍液來施行電鍍的電氣接點用零件係 -12- 200825213 視需要而進fJ熱處理。例如’在將電氣接點用零件搭載於 基板等的情況中’於迴銲熱處理後進行對基板之銲接。迴 婷製程的熱處理溫度爲200〜3 00 °C ’熱處理時間爲iq分 鐘之程度。 使用本發明之電鍍液而依上述電鍍條件所形成之電鍍 被膜的接觸電阻値，可藉由調整銀鹽或乙二胺及其衍生物 的添加量而成爲低接觸電阻値。銀鹽的添加量及乙二胺的 U 添加量爲定量以下時，接觸電阻値會變高。電鍍被膜的接 觸電阻値係依形成電鍍被膜之電氣接點用零件的用途而決 定。例如，在形成連接器等之需要低接觸電阻値的電鍍被 膜之情況，接觸電阻値以10〜30 Π1Ω爲佳，15〜25 ιηΩ較 佳。此接觸電阻値是以後述實施例記載之方法（交流四端 子法）測定1 〇 g重量時之値。由本發明之電鍍液所形成 之金一銀合金電鍍被膜，即使以200〜300 °C進行熱處理， 接觸電阻値也幾乎不會變化。 Φ 使用本發明之電鍍液而依上述電鍍條件所形成之電鍍 被膜的硬度爲150〜200 HV。例如，藉由增減焦磷酸鉀的 添加量，可使電鍍被膜的硬度爲上述範圍。當焦磷酸磷酸 鉀的添加量爲定量以下，電鍍浴中的電解質不足，而無法 形成正常的電鍍被膜，且在被膜表面產生龜裂，其結果係 被膜的硬度降低。 [實施例] 藉由下述之方法調製電鍍用試樣後，使用於實施例1 -13- 200825213 7及比較例1、2所調製之電鍍液’依照後述之電鍍條件進 行電解電鍍。 〔電鍍用試樣之調製〕 使用厚度0·3 mm的銅版（1 5 mmx33 mm )來作爲電 鍍試料。依照下述程序（1 )進行銅版之除脂後，依照 (2 )進行鎳電鍍。 (1 )電鍍用試樣之除脂 將DIPSOL公司所製之鹼性除脂液#46-S ( 30 g/L )加 熱至液溫約60°C，浸漬電鍍用試樣20秒來加以除脂。 之後，將電鍍用試樣浸漬於加熱至液溫約60°C的同公 司製之鹼性電解除脂液#CE-56 ( 30 g/L )中20秒，以陰 極電流密度2〜8 A/dm2進行電解除脂。 接著，將電鍍試樣浸漬於1 0 %硫酸水溶液（室溫） ♦ 中2 0秒，予以中和處理。 (2)光澤Ni電鍍 將45 g硼酸、300 g硫酸鎳六水合物、60g氯化鎳六 水合物溶解於700 ml純水中來調製光澤瓦特Ni電鍍浴。 於此電鍍浴中適量添加荏原UDYLITE #610之光澤劑，以 硫酸或碳酸N i將p Η調整爲4 ± 0 · 2。 接下來，將以電流密度5 A/dm2除脂後的電鍍用試樣 浸漬於加熱至浴溫5 5 °C的電鍍浴中，進行電鍍厚3 μηι的 -14- 200825213 電鍍。 實施例1 將70g焦磷酸鉀和30 g硼酸溶解於70°C的溫純水 中。之後，添加〇. 1 m 1乙二胺。以磷酸或氫氧化鉀水溶液 將pH調整爲6.7後，添加純水使液量爲1L。 在此水溶液中添加溶解氰化金鉀，使得Au量爲1 5 g/Ι (氰化金鉀爲22 g/Ι )。接著，添加溶解氰化銀鉀，使 得Ag量爲75 ppm (氰化銀鉀爲0.14 g/Ι)。 實施例2 除了將pH調整爲7 · 5以外，以和實施例1相同的方 式來調製電鍍液。 寶施例3 不使用乙二胺’其他皆以和實施例1相同的方式來調 製電鍍液。 實施例4 除了令氰化銀鉀使Ag量爲20 ppm以外，以和實施例 1相同的方式來調製電鍍液。 實施例5 除了令氰化銀鉀使Ag量爲150 ppm以外，以和實施 -15- 200825213 例1相同的方式來調製電鍍液。 實施例6 除了令氰化金鉀使Au量爲1 g/i以外，以和實施例1 相同的方式來調製電鍍液。 實施例7 除了令氰化金鉀使Au量爲3 0 g/1以外，以和實施例 1相同的方式來調製電鍍液。 比較例1 除了令氰化銀鉀使Ag量爲500 ppm以外，以和實施 例1相同的方式來調製電鍍液。 比較例2 φ 將1 2 〇 g檸檬酸鉀、6 0 g檸檬酸、2 ·5 g硫酸鈷溶解 於7 0°c之溫純水中。以檸檬酸或氫氧化鉀水溶液將pH調 整爲4.5後，添加純水使液量爲1L ( Co濃度；500 mg/1、 pH = 4.4) 〇 在此水溶液中添加溶解氰化金鉀，使得Au量爲1 〇 gH (氰化金鉀爲14.7 g )。 〔電鍍被膜外觀之評估〕 以幫浦（IWAKI公司製之MD-15R)將於實施例1〜 -16· 200825213
7、比較例1所調整之電鍍液噴射於電鍍試樣部，進行電 鍍厚約0.3 μιη的部份電鍍。電鍍液的溫度係調整成表1 所記載之溫度，電鍍時的電流密度則在10〜1 10 A/dm2的 範圍每次變化10 A/dm2。 藉由利用目視及光學顯微鏡之觀察來評估所得到之電 鍍被膜的外觀。結果顯示於表1。 -17- 200825213 rO < m 隹3 Μ iff Ο τ-Η ir-^ 過燒 〇 過燒 過燒 過燒 過燒 Δ X X X X <]Ο 1 1 Ο <]Ο 過燒 Δ 過燒 <3 Ο X X X X 〇〇 1 I ο ΟΝ 〇〇 <]Ο 過燒 〇〇 X X X X 〇〇 1 1 〇〇 〇〇 過燒 〇〇 X X X X 〇〇 1 1 ο 〇〇 〇〇 過燒 〇〇 X X X X 〇〇 1 1 S 〇〇 〇〇 過燒 〇〇 X X X X 〇〇 1 1 〇〇 〇〇 過燒 〇〇 X X X X 〇〇 1 i ο 〇〇 〇〇 過燒 〇〇 X X X X 〇〇 X X 沄 〇〇 〇〇 過燒 〇〇 < < 0 0 〇〇 X X ο (Ν 〇〇 〇〇 〇 〇〇 〇〇 〇〇 〇〇 X X Ο Τ—Η 〇〇 〇〇 〇 〇〇 〇〇 〇〇 〇〇 X X 電鍍液 溫度 50°C 65〇C 50°C 65〇C Ο〇 50°C 65〇C 50°C 65〇C 50°C 65〇C 50°C 65〇C 50°C 65〇C Ag濃度 (ppm) JQ r-H 〇 Au濃度 ω\) in in V 4 O Η 實施例1 ΓηΗ:6.7) / 實施例2 (όΗ:7.5) \JT / 實施例3 實施例4 ΓόΗ:6.7 實施例5 (όΗ:6.7) \JT / 實施例6 (όΗ:6.7) / 實施例7 ΓηΗ:6.7) \JL / 比較例1 (ρΗ:6·7) («3擊觀_1111。酶米壊#飄晅谳鹪ii)鹚顆dr_ " V (如舾忒_¥鹪瓣赚宋研驭)&_ :〇 -18- 200825213 如表1所清楚顯示的，對於在實施例3形成良好被膜 的電流密度之範圍爲1 〇〜20 A/dm2 —事，於實施例1、 2、4、7至少可在1〇〜80 A/dm2的範圍得到良好之被膜。 又’在實施例1、2、4、5、7中，即使電鍍液的金、銀濃 度隨著作業而下降，之後的電鍍被膜之金、銀濃度仍幾乎 不見影響。 φ 〔接觸電阻値之測定〕 使用幫浦（IWAKI公司製之MD-15R)噴射於實施例 2所調製之金-銀合金電鍍液，於試樣進行電鍍厚約〇.3 μπι的部份電鍍。令電鍍液的溫度爲5 5 °C，陰極電流密度 爲 2 0 A/dm2。 另一方面，對於比較例2所調製之金一鈷合金電鍍 液，亦以同樣方式進行電鍍。但是，令電鍍液溫度爲 5 5 °C，陰極電流密度爲70 A/dm2。 ® 對使用實施例2及比較例2之電鍍液所電鍍之試料測 定接觸電阻値。接觸電阻之測定係使用FACTK 份有限 公司所製之利用交流四端子法的接觸電阻評估裝置 MS2 003。測定荷重是採用1(^和；^。 接觸電阻値係對大氣中以26(TC、3 00°C分別加熱處理 2分鐘的試料進行，檢視因氧化物生成所致之接觸電阻値 的上昇之程度。 接觸電阻値的測定結果係顯示於表2。 •19- 200825213 表2 測定荷重 未加熱 260〇C 300°C (g) 加熱2分鐘 加熱2分鐘 實施例2 10 22.0 22.2 22.8 (金-銀合金電鍍） 1 18.0 19.0 19.5 比較例2 10 34.2 46.8 65.8 (金**銘合金電鑛） 1 33.5 200.0 1900 (m Ω) • 如表2所不’在測定荷重爲1 〇 g、1 g之任一者的情況 中，未加熱之金-銀合金電鍍被膜的接觸電阻値係比金-鈷合金被膜的接觸電阻値還低。 金-鈷合金電鍍被膜會隨著加熱處理溫度的上昇而接 觸電阻値顯著增加。金-銀合金電鍍被膜之接觸電阻値則 不論測定荷重而不受加熱處理溫度的上昇之影響，成爲大 致一定的安定之値。 根據以上結果，可確認使用本發明之金一銀合金電鍍 ^ 液所電鍍之金一銀合金電鍍被膜，與習知所利用之金-鈷 合金電鍍被膜相比，其接觸電阻値較低，加熱處理所致之 耐熱性優異，特別是即使在低荷重，仍可維持安定的低電 阻値。 〔被膜硬度之測定〕 和前述接觸電阻値之測定相同地，使用於實施例2、 比較例2所調製之電鍍液來進行部份電鍍。但是，令電鍍 液的溫度爲55°C，陰極電流密度爲30 A/dm2，而令電鍍膜 -20- 200825213 厚爲10 μιη。使用顯微維氏硬度計（（株： MVK-H300)來測定於被電鍍物上所形成的電 度。 金-銀合金電鍍的被膜硬度爲170 HV， 鈷合金電鍍膜之165 HV大致相同的硬度。 使電流密度變化爲30、50、70 A/dm2，^ 定出被膜硬度皆爲170 HV之程度，亦即爲 値。 AKASHI ； 鍍被膜之硬 保持和金- 同樣方式測 大致一定之
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