TW200820252A - Sputtering target and manufacturing method therefor, and recordable optical recording medium - Google Patents

Description

200820252 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明關於一種灑鍍靶材及其製法，靶材係經使用供 形成氧化物層之膜，而氧化物層係可錄式光記錄媒體之組 ^ 成層。此外，本發明關於一種藉使用濺鍍靶材製造之可錄 - 式光記錄媒體，尤其是，一種即便於藍色雷射波長區域亦 可致能高密度記錄之可錄式光記錄媒體。 【先前技術】 爲提供一種使用波長等於或小於藍色雷射光束波長而 致能記錄和重現性之可錄式光記錄媒體，現今廣泛地發展 致能超高密度記錄之藍色雷射光束，並發展可使用此種藍 色雷射光束之可錄式光記錄媒體。 本發明人提出含有金屬或半金屬氧化物，尤其是氧化 鉍（參見日本專利公開（JP-A)號 2003-483 75、2005- 1 6 1 83 1 φ 和2005 - 1 083 96)，作爲主要成份之記錄層於作爲使用等於 或小於藍光雷射波長致能高密度記錄之光記錄媒體的有效 性。 本發明之申請人於前案（日本專利公開（JP-A)號2006-V 247897)中揭露一種可錄式光記錄媒體，其具有含有元素 鉍作爲主要組成成份的記錄層，且記錄層尙含有氧化鉍。 記錄層含有一或多種選自 B、P、G a、A s、S e、T c、P d、 Ag、Sb、Te、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg、ΤΙ、Po、At 和Cd的元素X。申請人亦揭露使用包括Bi、B和氧化物 -5- 200820252 (2) 之膜的可錄式光記錄媒體具有優異的特性，且亦可使用濺 鍍法作爲形成此層的方法。 濺鍍法爲廣泛知悉之用於薄膜沉積之氣相沉積技術β 一。此方法亦用於工業用薄膜沉積。於濺鍍法中’與欲沉 ^ 積之膜具有相同組份的靶材材料係經製備。一般來說’於 ^ 靶材材料中藉輝光放電產生之氬氣離子接續被允許與此靶 材材料碰撞，造成靶材材料的組成原子經鎚出，且原子累 φ 積於基材上而形成膜。因氧化物通常具有特別的高熔點’ 諸如氣相沉積之方法並不合適，並因此經常使用採用高頻 率之射頻濺鍍。 濺鍍於製造過程中產生許多結果，且以生產率之觀點 來看其係較有利者。然而，於欲沉積的膜由含有二或更多 種元素之材料構成的情況下，產生的膜之組份通常不同於 其濺鍍靶材因此需考量用於靶材之組份。此外，膜之結構 和品質常因所含有的組成靶材之化合物的型式而不同；因 φ 而亦須考量此觀點。 另外，以生產成本的觀點來看，膜沉積速率亦需要進 一步的改進。爲增進膜沉積速率，需要採用高功率。於本 案中亦然，靶材強度係需改進以避免靶材之破壞。 " 舉例而言，如習知技術的日本專利申請公開（JP-A)號 1 1 -92922揭露一種Bi基的氧化物靶材作爲用於形成介電 膜之濺鍍靶材。然而，此文獻並未描述含有B的靶材。若 組成元素的種類不相同，則前述靶材之組份和組成的化合 物之間的關係以及沉積膜之結構和組份亦不相同。因而有 -6- 200820252 (3) 必要改變靶材的組份。於此文獻中揭露的資訊並未引用於 本發明中。 此外，日本專利申請公開（JP-Α)號2005-264206揭露 一種含有B2〇3之Bi203基的玻璃狀靶材。然而，此文獻 A 中的發明無可避免的含有Si〇2，且相關於玻璃狀靶材，使 - 得此文獻之發明與本發明不同。 Φ 【發明內容】 爲體現可致能高密度記錄之可錄式光記錄媒體，需要 一種含有Bi、B和氧且具有穩定之組份與結構的膜。爲達 此目的，需要適當的濺鍍靶材。然而，組成靶材之化合物 的型態和結構、雜質等影響欲形成之膜的組份和結晶性爲 此需要適用於膜所需特徵之組成靶材的化合物。因此，本 發明之一目的在於提供一種濺鍍靶材及其製法，和使用此 濺鍍靶材之一種高密度可錄式光記錄媒體，其中濺鍍靶材 • 係適用於體現可致能高密度記錄、具有諸如低顫動之有利 記錄特徵的可錄式光記錄媒體。此外，本發明之另一目的 在於提供一種灑鍍靶材，其體現增進的膜沉積速率以改進 生產率、於膜沉積時顯示高強度，並具有高塡充密度。 嘗 另外，本發明揭露一種於記錄層中含有Bi和B的可 錄式記錄媒體。本發明亦揭露Bi原子數對B原子數之比 (Bi/B)係設定爲1.25或更小。然而，針對含有Bi和B之 記錄層進行廣泛硏究的結果顯示，可於其間得到優異特徵 ，特別是保存性，之Bi對B相對比例的範圍已被界定。 -7- 200820252 (4) 已知的是，添加B至記錄層中含有Bi和B的可錄式 錄媒體可改進保存性。因爲，藉使光線自如HD DVD 見之基材側入射至其上之用於執行記錄和重現的磁碟 使光線自如Blu-ray碟片中可見之覆蓋層側入射至其 ** 用於執行記錄和重現的磁碟之間適用的層結構不同， - 記錄層之適當組份傾向於不相同。考量生產率和類似 ，記錄層組份較佳位於相同範圍中。因此，本發明之 φ 的在於提供一種可錄式光記錄媒體，其於具有不同層 的磁碟中具有有利特徵，且其藉使Bi對B之原子比 含量兩者落入其最佳範圍中（此於相關先前技術中尙 達成）而具有特別經改進的保存性。 本發明之用於製備可錄式光記錄媒體之濺鍍靶材 Bi 和 B。 本發明之用於製造包含Bi和B而供製備可錄式 錄媒體之濺鍍靶材的方法採用燒結法。 • 本發明之可錄式光記錄媒體包含膜，而膜包含作 要成份之Bi、B和氧，膜藉使用包含Bi和B之供製 錄式光記錄媒體的濺鍍靶材而經沉積。 本發明之可錄式光記錄媒體包含基材以及形成於 上的記錄層，記錄層至少包含Bi、B和〇作爲主要成 且於記錄層中的Bi對B比係設定爲3/7$ Bi/BS 8。 【實施方式】 在下文中將解釋所有前述之本發明。 光記 中可 與藉 上之 而使 因素 一目 結構 和〇 未被 包含 光記 爲主 備可 基材 份， -8- 200820252 (5) 根據本發明之第一面向，提供一種含有Bi和B作爲 主要成份之濺鍍靶材。根據本發明之第二面向，提供一種 含有Bi、B和Ο作爲主要成份之濺鍍靶材。於此可假設 Bi和B爲一包括其自身作爲單一元素的形式、爲一包括 — 其自身作爲氧化物的形式，以及爲一包括其作爲其他化合 - 物的形式。於使用灑鍍靶材於光記錄媒體之記錄層沉積的 情況中，濺鍍靶材係使用作爲氧化物。因而B i和B較佳 φ 係包括於單一元素或氧化物的形式當中。當所包括之Bi 和B各爲單一元素時，於膜沉積時需要添加氧以形成氧化 物膜。當如本發明之第二面向所示，使用包括氧之靶材時 ’於膜沉積時不需添加氧。値得注意的是，於本發明之第 一面向和本發明之第二面向中，主要成份包括約90原子％ 或更高之前述元素。除了以下將說明之本發明的第八面向 中之雜質元素和微量成份元素外，濺鍍靶材通常僅由前述 元素組成。 • 根據本發明3的第三個面向，提供一種結晶質濺鍍靶 材。當祀材爲非晶狀時，於膜沉積過程中間將靶材溫度升 高’而可使靶材成爲部份或全部爲結晶質。因非晶體和晶 體之原子鍵結的強度和其他類似特性不相同，使得經沉積 ^ 的膜之特性和組份有所差異。當靶材爲結晶質時，隨時間 進行之改變可受到抑制。此外，形成之均勻的晶體粒徑或 晶體尺寸以及細緻的晶體，使得組份移位和晶體結構的去 均勻性可受到抑制。 根據本發明之第四面向，提供一種濺鍍耙材，於其中 -9- 200820252 (6)

Bi對B之原子比係爲0.6S Bi/B €7.0。當Bi之數量增加 時，經沉積的膜傾向進行結晶化。因而記錄特徵和保存性 劣化且可能產生靶材裂解，使得生產率變差。另一方面， 當Bi之數量減少時，記錄特徵變差。具有以濺鍍前述原 * 子比範圍之靶材而沉積的記錄層之光記錄媒體的顫動係有 找 利者（見以下描述之實例7)。於原子比小於〇·6的情況中 ，顫動增加。於原子比大於7.0的情況中，降低非所欲之 φ 保存性。 根據本發明之第五面向，提供一種包括Bi和B錯合 氧化物的濺鍍靶材。假設錯合氧化物的一形式致能晶體的 穩定存在，藉此增加靶材強度。錯合氧化物包括Bi4B209 、BiB03和Bi3B5012。包括含有Bi-B-Ο三種元素的化合 物提升靶材的強度，而此爲有利的。 根據本發明的第六面向，提供一種包括Bi4B209作爲 錯合氧化物的濺鍍靶材。與其他錯合氧化物相較， φ Bi4B209提供優異的膜沉積速率和強度，使得於膜沉積後 可體現具有有利記錄特徵之光記錄媒體。係藉由X光繞射 進行是否包括Bi4B209之判斷。於X光繞射分析中，晶格 常數因測量溫度變異、膜之內壓' X光波常變異或組份移 w 位而改變，且因此移位生成於產生折射峰値的角度中。相 關於已知物質，透過檢復AS TM (美國試驗與材料協會）卡 與JCPDS可找出X光繞射峰値產生在哪一個角度。ATSM 卡和”JCPDS圖卡”係廣泛地用於藉由分析樣本以確認X光 繞射峰値的情況。附帶地，”JCPDS”係”粉末繞射標準聯合 -10- 200820252 (7) 委員會，，的縮寫。JCPDS意指由國際繞射資料中心所發布 的X光繞射圖表。目前，圖表存有許多標準物質以供檢復 。成份未知之樣本的X光繞射圖表係與前述標準物質之圖 表相比較，而得以判斷其由哪一種標準物質之圖表組成或 • 接近何種成份未知之物質的圖表’而判斷辨識樣本。藉使 . 用，’JCPDS圖卡”進行辯識的方法係全球廣泛使用的方法， 其係如於”X光繞射通則”和” X光繞射通則之分析”（日本 φ 工業標準），以及東京工業大學編輯之陶瓷基本標準3的” X光繞射分析”中所示者。其可經硏究而決定未知化合物 的標本是否符合或接近標準物質之圖表，以辨識此物質。 於辨識物質時，藉使用布拉格定律自各經測量的峰値 決定一表面間隔以辨識符合的晶體結構。此外，於特殊晶 體表面經定向的材料中，可由相應於晶體表面的複數個峰 値的峰値比來辨識物質。於X光繞射中，晶格常數因諸如 測量溫度、膜的內壓、X光波長錯誤以及組份位移或類似 Φ 原因而改變，使得於其中產生繞射峰値的角度發生位移。 因而當峰値存在於鄰近於繞射峰値產生的角度時，物質可 視爲相符的物質。 舉例而言，相對於繞射峰値中產生的位移，來自具有 | 表面間隔爲3.101A峰値之峰値係參考Bi4B2〇9的標準圖 表（參考碼：25- 1 089)，且測量結果相關其他以相同製備方 法而製備的靶材進行比較。因此，即便測量結果有些許偏 移，如3.1 05 8、3.0952和類似者，參考資料之表面間隔係 3 .1 0 1 A。然而，此程度的偏移係產生於錯誤範圍中，當重 -11 - 200820252 (8) 複測量時使得任何一者可視爲包括Bi4B209。 根據本發明之第七面向，提供一種塡充密度爲72 % 至1 〇〇 %的濺鍍靶材。增加塡充密度造成靶材強度的改進 ，藉此增加膜沉積速率。當塡充密度經降低時，膜沉積速 ^ 率減緩。此外，靶材本身成爲易碎者而造成許多問題，諸 - 如於形成的膜中產生裂縫或發生類似情形。附帶地，於此 描述之塡充密度意指藉由計算於靶材體積1 〇〇 %爲材料物 Φ 質時的重量決定所得之値，且與實際製備之靶材的重量相 較而決定此重量作爲密度。如將於以下描述之實例8中所 顯示，有利的濺鍍靶材的塡充密度係72 %或更高。此外 ，當塡充密度爲93 %或更高時，膜沉積速率爲於72 %情 況的1.5倍。因塡充密度爲約100 %的情況下變得更大， 因此優勢更佳。 根據本發明的第八面向，提供一種包括選自Li、A1、 Fe、Mg、Na和Si之至少一元素的濺鍍靶材。藉添加這些 φ 元素，易於增進塡充密度。另外，因晶體之間的連結可更 堅固，可體現高強度靶材。添加量較佳盡可能的少。添加 量至多可爲約1 〇原子％。當添加量過大時，其喪失作爲含 '有B i和B或B i、B和氧爲主要成份之濺鍍靶材的特性而 ^ 此並非有利的。 根據本發明的第九面向，提供一種濺鍍靶材，於其中 氧量係小於化學計量組成。藉使氧量降低至小於化學計量 組成可改進光記錄媒體的記錄特徵。即使氧量很少’於使 用包括氧的氣體進行濺鍍而沉積膜時可添加氧。因此並不 -12- 200820252 (9) 會產生問題。此外，降低氧將增加晶體的鍵結力，藉此提 供改進靶材密度、改進靶材強度以及提升膜沉積速率的效 果。 根據本發明的第十面向，提供一種至少包括Bi氧化 ^ 物和B氧化物之一的濺鍍靶材。當B氧化物，特別是 • B2〇3氧化物，存在時，因B2〇3具有低熔點而可改進於記 錄時的敏感度。另外，當至少含有Bi氧化物和B氧化物 φ 之一時，其產生含有Bi、B和氧作爲主要成份之膜的沉積 ，而顯示有利的記錄特徵。 根據本發明的第十一面向，提供一種使用燒結法製造 濺鍍靶材的方法。使用燒結法致能具有高熔點氧化物之濺 鍍靶材的有利製備。 根據本發明的第十二面向，提供一種方法，其包含自 燒結法中的材料粉末移除水分的步驟。移除水分的步驟意 指自材料粉末、以諸如於重量測量前使用真空乾燥之方法 # 移除水分的步驟。亦可使用加熱各種材料粉末至低於其熔 點但於1 oo°c或更高之溫度的步驟。於此之氧化物的情況 中’致能於大氣中之加熱處理。 舉例而言，B2〇3因容易吸收水分而造成之材料量的測 * 量錯誤可藉由增加移除水分的步驟而減少，且組份重現性 經增高。 根據本發明的第十三面向，提供一種濺鍍靶材的製造 方法，其包括燒結Bi2〇3和B2〇3粉末。因Bi2〇3和b203 粉末可容易取得，而使製造成本低廉。另外，因此類粉末 -13- 200820252 (10) 具相當低的熔點，相當容易增加塡充密度且易於提供一種 具高強度的靶材。因B2〇3具有吸水特性，此粉末藉乾燥 方式或於有機溶劑中經粉碎，且依製得之具有均勻直徑的 粉末進行分類。接著，將粉末混合並模製成特定形狀，並 • 續行燒結。燒結係將經模製物件置於420°C大氣中而執行 ^ 。藉重複再一次粉碎、模製和加熱經燒結物件之步驟的循 環，可改進靶材的強度。於第二和接續的燒結步驟中，燒 φ 結溫度可被升高至約63 0°C。當B2〇3存在於靶材中時，其 吸收水分，造成高度水分吸收率且靶材品質於一些情況中 劣化。爲了避免此狀況，粉末於沒有水分被吸收的條件下 經混合，且粉末於等於或小於B2〇3之熔點的溫度下經燒 結。所得的粉末經粉碎，且藉執行加熱並擠壓形式燒結而 製備靶材，而可獲得具有高均勻性的靶材及優勢。此外， 藉於等於或小於B 2 Ο 3之熔點的溫度下燒結顆粒可粉碎顆 粒。特別是’提供一個沒有B2〇3殘留於產生的靶材中之 # 步驟係重要的。另外，於420°c或更低的溫度進行燒結所 需的時間延長，而燒結B i和B之錯合化合物後接續將溫 度升局至約6 3 0 ° C持續短暫時間的燒結具有好的效果。 藉由金屬接合或樹脂接合將已經前述燒結的耙材接合 ^ 至無氧銅背板可獲得濺鍍靶材。 於濺鍍靶材之製造過程的整體流程中，可使用秤重材 料、乾燥式球磨混合、熱壓、模製並接合的步驟。另外， 可使用秤重材料、濕式球磨混合、噴霧乾燥、熱壓、模製 並接合的步驟。 -14 - 200820252 (11) 根據本發明之第十四面向，本發明關於一種具有含有 Bi、B和氧作爲主要成份之膜的光記錄媒體，其使用本發 明第一至第十面向任一者中所描述的濺鍍靶材。所需的膜 係形成於諸如聚碳酸酯基材的樹脂基材上，以提供光記錄 " 媒體。可形成溝槽或凹坑於樹脂基材上以控制追蹤或類似 • 情形。氬氣係導入真空中並施加高頻功率而形成含有Bi、 B和氧作爲主要成份之膜。此外，可提供作爲反射層的金 % 屬膜或用於改進特徵的保護層。 根據本發明之第一至第十四面向，可提供一種濺鍍靶 材及其製造方法，以及一種使用濺鍍靶材的高密度可錄式 光記錄媒體，濺鍍靶材係適用於體現具有如低顫動的有利 記錄特徵且致能高密度記錄之可錄式光記錄媒體。另外， 本發明可提供一種濺鍍靶材，其致能用於改進生產率之膜 沉積率的改進，且其於膜沉積期間具有高強度並具有增進 的塡充密度。 • 根據本發明之第十五面向，本發明關於一種可錄式光 記錄媒體，其中於基材上提供至少含有Bi、B和Ο之記錄 層，且記錄層中Bi對B的原子比係3/7S Bi/BS 8。於 B i / B原子比大於8的情況中，保存性被減低。雖然造成此 現象的原因不明，一般認爲記錄標記係由B i單一金屬形 成，而於本發明之光記錄媒體的情況中由Bi和B的氧化 物或類似者形成。當Bi的比例過大時，極有可能製造出 Bi的單一金屬並因此組成記錄標記的一大部分。Bi單一 金屬可能造成諸如氧化或類似情形的劣化。一般認爲於 15- 200820252 (12)

Bi/B原子比大於8的情況中，保存性被減低。本發明提供 一種益處，於其中存在的大面積Bi單一金屬藉添加B使 Bi單一金屬的面積因被分爲小區塊而減少。因而改進記錄 特徵和保存性。一般認爲可錄式光記錄媒體的保存性於 ’ Bi/B的原子比小於3/7時爲優異者。然而，一般認爲因諸 . 如較難發生的Bi分離之相分離使得記錄敏感度降低且記 錄變得沒有效率。另外，相關於用於記錄層形成之靶材， φ 含有大量Bi之組份的熔點降低，且靶材對於溫度改變爲 脆弱的，而減低了靶材的強度。此外，相關於添加B或類 似者的 Bi-B-Ο化合物靶材，可容易地製備諸如 Bi4B209 的包含三種元素之三元化合物，使得原子之間的連結增強 且改進靶材的強度。然而，因氧化硼具有低於45 0°C的熔 點，當增加B時難以於高溫下執行燒結。因此需要進行低 溫燒結。於低溫燒結中，顆粒之間的連結強度不易被升高 ，使得靶材製備困難且強度降低。Bi、B和Ο的含量爲 φ 1 〇〇 %，即除雜質外不需包括其他元素。另外，其他元素 之添加量可達1 〇 %。 於決定Bi/B的原子比時，Bi、B和Ο的量於如表1 ^ 和2顯示之條件下、藉由盧瑟福背散射（RBS)和核反應分 • 析（NRA)而經測量。以此方法決定的組份包括諸如Bi係土 0.5原子％、B係±2.0原子％且Ο係±3.0原子％之失誤。 Bi/B的原子比和Ο/B的原子比係以相同方式測量。 -16- 200820252 (13) 表1 RBS測量裝置 高解析度RBS分析器HR-RBS550， Kobe Steel，Ltd 製造 入射離子能量 450 KeV 離子種類 He + 設定之散射角度 1220 入射角度 相對於樣本表面之正交線呈2 9度 樣本電流 30 nA 照射量 40μΟ 表2 NRA測量裝置 Belltron式 IMV 串歹ij力□速器，NEC Corporation 製造 RBS 端平台 RBS-400 ， CE&A Corporation 製造 入射離子能量 2.275 KeV 離子種類 He + 設定之散射角度 160° 入射角度 相對於樣本表面之正交線呈0度 照射量 1 00μϋ

根據本發明之第十五面向，藉提供至少含有Bi、B和 0之記錄層於基材上並設定記錄層中B i對B之原子比爲 3/7 ‘ Bi/B ^ 8，可提供一種具優異特徵和保存性之可錄式 光記錄媒體。 根據本發明之十六面向’本發明關於—*種光可錄式記 錄媒體’於其中記錄層中的0對B的比例係設定爲2.2 S 0/B $ 1 3。已明瞭的是，記錄層中的氧量大幅影響記錄特 -17- 200820252 (14) 徵。當氧量少時，記錄敏感度提高。然而，因 熱係數提高，於記錄期間藉施加光所產生的熱 ，導致難以執行高密度記錄。另外，當氧量過 層之敏感度降低，且記錄變得沒有效率而不易 . 特徵。 • 最佳含氧量因不同的Bi/B原子比而異，月 佳値因此隨之改變。舉例而言，於Bi/B原子比 φ 況中，0/B較佳爲大於3.8。另外，當O/B超 敏感度降低。因此0/B較佳爲4.5或更低。 以Bi/B的原子比考量，敏感度隨Bi含量 ，而造成保存性劣化的傾向。因而含有過多B 有利者。即使當Bi/B的原子比相同，藉增加 保存性。亦即，當0/B原子比之値爲大時，保 的傾向。此外，當氧量過大時，敏感度降低。 量可增強敏感度。 φ 另外，當給定的原子比爲Bi/B = Z時，較 立 0.8 X (Z+1) X 1·5<0/Β<1·1 χ (Z+l) χ 1.5 之 而言，樣本的各特徵係顯示於表3中的磁碟1 i 記錄層之導 很可能增加 多時，記錄 獲得有利的 ff以0/B最 爲2/1的情 過4.5時， 增加而改進 i的組份非 氧量可改進 存性有改進 藉增加Bi 佳情況係建 關係。舉例 g磁碟5。 -18- 200820252 (15) 表3

Bi/B 0/B 測量値 0/B 理想値 0.8x1.5x(Z+l) l.lxl.5x(Z+l) 顫動 取f土日己 錄功率 (mW) 保存性 較佳 次序 較佳重現光 劣化耐受性 之次序 磁碟1 1.53 3.12 3,80 3.03 4.17 良好 4.7 2 2 磁碟2 1.75 4.50 4.13 3.30 4.53 良好 4.5 1 1 磁碟3 3.41 6.70 6.62 5.29 7.28 良好 4.2 3 3 磁碟4 8.00 12.74 13.50 10.80 14.85 良好 3.8 4 4 磁碟5 2.20 3.75 4.80 3.84 5.28 良好 3.5 5 5

因爲於理想狀態中，Bi、B和Bi203及B2〇3係爲穩定 狀態，因而建立 〇 = (Bi + B)x 1·5的關係。亦即，設定 0/B = ((Bi/B)+l) X 1 .5。然而，實際膜的組份取決於靶材的 狀態、對分別元素易於灑鍍的特性、於膜形成時之電力以 及氬的流速。於許多情況中，靶材組份與形成的膜之組份 不同。需考量的是組份的位移。表4顯示各種B i - B -0靶 材之組份和於靶材形成時之經形成的Bi_B-〇膜之組份。 表4 靶材測量ί 直（原子％) 膜之分析測 丨量値（原子％) Bi B 0 Bi B 0 20.6 21.1 58.3 17.5 16.4 66.1 24.4 15.7 59.9 24.1 13.8 62.1 26.9 13.4 59.7 27.4 1 1.4 61.2 3 1.0 9.7 59.3 30.7 9.0 60.3 3 8.0 4.1 57.9 3 6.8 4.6 58.6 -19- 200820252 (16) 如上所示，需考量於膜形成時因不同條件所產生的組 份位移。由各樣Bi/B原子比組份的硏究結果清楚顯示， 若考量自理想0/B狀態之組份位移，前述關係等式係設定 爲最佳情況。此結果係顯示於表3中。當0/B的原子比理 • 想値，即〇/B = ((Bi/B)+l) X 1.5，係由磁碟1至磁碟5之 〃 Bi/B原子比的測量値決定時，提供表格中的數値。當比較 此數値與測量的0/B原子比値而發現數値不一致時，此等 φ 數値存在於0/B理想原子比X 0.8至0/B理想原子比X 1.1的範圍中。因而關係經設定的組份範圍係較佳者。磁 碟1至磁碟5的特性係有利者。磁碟1至磁碟4符合前述 等式的範圍。磁碟1至磁碟5之顫動値均假設爲位在4至 6範圍之中產生顯示之有利特徵的數値。由所示得知當最 佳記錄功率高時，敏感度較差；當最佳功率低時，敏感度 高。參考磁碟5，其敏感度最高。附上的數値表示自最高 至最低之保存性的次序，結果顯示於表3中。此外，當觀 # 察重現光劣化耐受性時，磁碟5爲最差。由大致上觀察所 有的磁碟發現，磁碟1至磁碟4之範圍係最有利者。磁碟 1至5係以與以下將描述的實例1 3至20之相同方式而製 備。

' 根據本發明的第十六面向，藉設定記錄層中的〇對B 原子比爲2.2^0/bs 13可提供一種具優異記錄特徵和保 存性的可錄式光記錄媒體。 根據本發明的第十七面向，本發明關於一種可錄式光 記錄媒體’其中〇於組成記錄層之元素總量中的比例係設 -20- 200820252 (17) 定爲50 %至67 %之原子比範圍。範圍較佳係50 %至60 % ，於其中氧量較少。此現象明顯顯示於實例2 6中。一般 認爲記錄層係處於缺氧狀態的範圍中，於其中氧量很小’ 尤其是小於6 0 %的範圍中。於缺氧狀態中’易發生相分 ^ 離而改進記錄敏感度。另外當氧量太少時’因熱擴散傾向 _ 而使記錄層的導熱性降低，使得小的記錄標記難以形成而 不利於高密度記錄。此外當缺氧時，Bi可能以金屬狀態存 φ 在。因此，與氧化物相較呈現不穩定狀態。因而具有保存 性較差的傾向。一般認爲於50 %至60 %的範圍中幾乎沒 有問題產生。當氧量增加時，有利於保存性。然而’敏感 度因有利記錄困難而變得較差。亦即，由敏感度的觀點來 看，氧量小於67 %的情況爲較佳者。 根據本發明的第十七面向，藉於組成記錄層之所有元 素量中最佳化0佔有比率，可提供一種具有優異記錄特徵 和保存性的可錄式光記錄媒體。 Φ 根據本發明的第十八面向，本發明關於一種設有保護 層接鄰於記錄層之兩個表面的可錄式光記錄媒體。因記錄 層爲氧化物，進出的氧影響特性。爲抑制氧的進出，可藉 設置保護層於記錄層的兩表面以改進保存性。作爲保護層 的材料通常以於記錄期間不會因來自記錄層的熱而造成分 解、昇華、空隙或類似者爲較佳。舉例而言，可使用諸如 A12〇3、MgO、Zr02、Si〇2、Sn02、ZnO、Sm203 的單氧化 物型氧化物或類似物，和此等氧化物的組合，諸如氮化矽 、氮化鋁、B和Ti氮化物的氮化物和類似者，諸如SiC、 -21 - 200820252 (18) B4c、Tic、WC的碳基非氧化物和類似者，諸如LaB6、 TiB2、ZrB2的溴化物和類似者，諸如ZnS、CdS、MoS2的 硫化物和類似者，諸如Mo Si2的矽化物、非晶碳、石墨、 鑽石和類似者。另外，亦可使用有機材料。 " 舉例而言，由相關於記錄和重現光之透明度和生產率 • 的觀點而言，使用Si〇2或ZnS-Si02作爲主要成份係引用 作爲有利的實例。此外，爲得到充分的熱隔絕效果，較佳

φ 主要使用Zr02 (作爲主要成份）。此外，因穩定性高，氮 化矽、氮化鋁和氧化鋁亦爲較佳者。另外，包含ZnS、 Zr02、Y2〇3和Si02的氧化物或包含Zr02、Ti02、Si02和 X的氧化物（其中 X係選自 Y203、CeO、Al2〇3、MgO、 Nb205和稀土氧化物的至少一物質）係較佳者。於此，主要 成份意指以莫耳比計爲約90 %或更高。舉例而言，相關 於ZnS-Si02，膜可藉添加碳和透明傳導材料以使材料具有 傳導性而以直流濺鍍形成。此外，可使用添加ZnO、GeO # 或類似物並混合氧化物和氮化物的方法以調整導熱性。 於所謂HD DVD或類似之自基材側邊施加光線穿過基 材的結構中，作爲較佳層結構者係其中依保護層（稱爲第 一保護層）、記錄層、保護層（稱爲第二保護層）和反射層之 順序形成於基材上的層結構。另外，於B1 u -1* a y或類似者 中，依序包含基材、反射層、保護層（第二保護層）、記錄 層、保護層（第一保護層）和覆蓋層之結構係較佳者。此外 ，於使用近場光記錄資料項目的情況中，設置諸如氮化矽 、鑽石碳或類似者之一具有高折射係數之相當硬的層於光 -22- (19) (19)200820252 入射側的最外部表面上。包含基材、反射層、保護層（第 二保護層）、記錄層以及保護層（第一保護層）的層結構係較 佳者。較佳係設置一潤滑層於最外側表面上。 根據本發明的第十八面向，藉使用保護層接鄰記錄層 兩表面之組態，可提供一種具有優異記錄特徵和保存性的 可錄式光記錄媒體。 根據本發明的第十九面向，本發明關於一種可錄式光 記錄媒體，其中保護層含有作爲主要成份之ZnS-Si02、氮 化砂或氧化銘。使用作爲保護層之ZnS_Si02、氮化砂或氧 化鋁於預防氧和水分的進出具良好的效果，且於改進保存 性亦具良好效果。另外，對ZnS-Si02而言，當 ZnS對 Si〇2之比經設定爲80莫耳％ : 20莫耳％時，膜之壓力較 佳約爲零。特別是，具有其中膜僅形成於諸如BD-R或類 似者之基材的一個表面之層結構的光記錄媒體並非較佳者 ，因當施加大壓力於膜時，基材彎曲。此外，於諸如HD-R或類似者之相互沉積式光記錄媒體中，小壓力代表膜剝 落困難而保存性優異，且此種記錄媒體係較佳者。 根據本發明的第十九面向，藉使保護層含有作爲主要 成份之ZnS-Si02、氮化矽或氧化鋁，可提供一種具有優異 記錄特徵和保存性的可錄式光記錄媒體。 根據本發明的第二十面向，本發明關於一種可錄式光 記錄媒體，其中至少依序地設置第一保護層、記錄層、第 二保護層和反射層於基材上，第一保護層包含氧化鋁，第 二保護層包含ZnS-Si02。第一保護層用於保護記錄層免於 -23 - 200820252 (20) 透過基材進出的氧和水分。藉由以第一保護層和第二保護 層夾置記錄層，可改進保存性。爲使記錄特徵和保存性共 存，設置氧化鋁保護層於記錄層之基材的一側上並設置包 含ZnS-Si02的保護層於其相對側上，以致能提供有利特 - 徵之光學和熱學上的最佳條件。 ^ 根據本發明之第二十面向，藉提供依序沉積至少第一 保護層、記錄層、第二保護層和反射層於基材上之層結構 φ ，可提供一種具有優異記錄特徵和保存性的可錄式光記錄 媒體，而第一保護層包含氧化鋁，第二保護層包含ZnS-Si〇2。 根據本發明的第二十一面向，本發明關於一種可錄式 光記錄媒體，其中至少反射層、第二保護層、記錄層、第 一保護層和覆蓋層係依序地經沉積，而第二保護層包含氮 化矽，第一保護層包含ZnS-Si02。於記錄層的反射層側之 上提供氮化矽作爲保護層。於保護層的相對側上提供ZnS- • Si02而可體現具有有利記錄特徵和保存性之可錄式光記錄 媒體。氮化矽阻擋氧及水分且具有相當高的導熱性，使得 於進行記錄於記錄層上時所產生的熱可即時消散至反射層 。氮化矽使熱停滯並於記錄層中擴散，藉此用以預防於小 * 的記錄標記形成時產生的問題。另外，ZnS-Si02預防氧及 水分的進出，同時用於預防覆蓋層側的變形。當導熱性過 高時，記錄變得不充份。因此具有相當低導熱性的ZnS_ Si02係較佳者。 對於基材之材料則沒有特別的限制，只要材料具有熱 -24 - 200820252 (21) 學及機構上優異的特性且於基材側邊（通過基材）執行記錄 和重現的情況中具有優異透光特性即可。 特殊的示範例包括聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、非 晶聚烯烴、乙酸纖維素和聚對酞酸乙二酯。然而以聚碳酸 ^ 酯和非晶聚烯烴爲較佳。基材之厚度取決於其用途而不同 ^ 。對其並無特別的限制。 於重現光之波長具有充分高反射性的材料可使用作爲 φ 反射層之材料。舉例而言，可使用諸如Au、Al、Ag、Cu 、Ti、Cr、Ni、Pt、Ta、Pd和類似者之金屬作爲單一金屬 或可使用其合金。於此類金屬中，Au、A1和Ag具有高反 射性且適合作爲反射性材料。另外，材料於含有前述金屬 作爲主要成份的同時可含有其他元素。其他元素包括金屬 和半金屬，諸如 Mg、Se、Hf、V、Nb、Ru、W、Mn、Re 、Fe、Co、Rh、Ir、Zn、Cd、Ga、In、Si、Ge、Te、Pb、 P o、S η、B i和類似者。於此類金屬和半金屬中，由低成 # 本及高反射性之觀點來看，以含有Ag作爲主要成份的材 料爲特佳者。彼此交替沉積之低繞射層和高繞射層與非金 屬的材料所形成之複數層膜亦可被使用作爲反射層。舉例 而言’用以形成反射層的方法包括濺鍍法、離子鍍覆法、 化學氣相沉積法以及真空氣相沉積法。反射層的厚度較佳 爲 20nm 至 300nm。 此外，爲改進反射性、改進記錄特徵、改進附著性或 類似者’可於基材上或反射層之下設置已知之無機物質或 有機物質的上部塗層、下部塗層或黏著層。 -25- 200820252 (22) 形成於反射層及干擾層上的環境耐受保護層 無特別限制，只要保護層用於保護反射層和干擾 力即可。有機材料包括熱塑性樹脂、熱固性樹脂 固化樹脂以及UV固化樹脂。此外，無機材料包 ’ SiN4、MgF2和Sn02。熱塑樹脂和熱固樹脂可藉 ， 燥被溶解於適當溶劑中之塗覆液而形成。UV固 藉塗覆單純塗覆液體或塗覆被溶解於溶劑中的塗 φ 施加UV光至其上以固化樹脂而形成。UV固化 諸如胺甲酸丙烯酸酯、環氧丙烯酸酯、聚醚丙烯 似者的丙烯酸樹脂。這些材料可單獨或結合使用 外，可形成複數層。可使用諸如旋轉塗佈法、鑄 似者、濺鍍法和化學氣相沉基法之塗佈法作爲形 和記錄層的方法。與此類方法中，以旋轉塗佈法 其厚度通常介於至100/zm的範圍中。於 ，以3 // m至3 0 // m的範圍爲較佳。 φ 此外，基材可進一步被接合到反射層或干擾 。此外，反射層或干擾層表面被允許以其面設定 面而設置爲彼此相對，使得兩個光記錄媒體可沉 上。於基材的鏡面處理表面上，可形成用於表面 _ 預防灰塵附著或類似情形的UV固化樹脂層、無ί 當使用具高ΝΑ鏡片以企圖增加記錄密度的 覆蓋層成爲必須者。舉例而言，當ΝΑ增高時， 允許重現光穿透之部分的厚度。因隨著ΝΑ的增 許的像差量減少，像差係以磁碟表面自垂直方向 之材料並 層免於外 、電子束 括 Si02 、 塗覆並乾 化樹脂可 覆液體且 樹脂包括 酸酯或類 。除單層 造法或類 成保護層 爲較佳。 本發明中 層的表面 作爲內表 積至彼此 保護以及 幾層。 情況時， 需要縮減 高，被允 相對光拾 -26- 200820252 (23) 取器之光軸位移的角度（其與所謂傾斜角、光源波長的倒 數、物鏡光口的乘積之平方成比例）而產生。此亦因傾斜 角易受到基材厚度導致之像差所影響。因而將基材厚度減 低使得相關於傾斜角之像差盡可能的減少。 ^ 因此，本發明提出一種例如其中形成有凹部與突起之 • 光記錄媒體於基材上以形成記錄層，反射層係設置於記錄 層上，接續設置允許光穿透之光穿透覆蓋層於反射層上， φ 使得記錄層上的資訊藉由自覆蓋層側施加重現光而經重現 ;且提供一種光記錄媒體，記錄層係形成於其上，且光學 上透明之覆蓋層係設置於其中，其中記錄層中的資訊藉由 自覆蓋層側施加重現光而經重現。 藉由此方法可達成藉由使覆蓋層變薄而增加物鏡之 NA。亦即，可藉由提供薄的覆蓋層並且由覆蓋層側執行 記錄和重現而進一步提高記錄密度。 附帶地，此覆蓋層通常由聚碳酸酯片和UV固化樹脂 • 形成。另外，根據本發明之覆蓋層可包括用於接合覆蓋層 之層。 根據本發明之第二十一面向，藉提供於基材上至少依 序設置反射層、第二保護層、記錄層、第一保護層以及覆 ' 蓋層之層結構，可提供一種具優異記錄特徵和保存性的可 錄式光記錄媒體，而第二保護層包含氮化矽，第一保護層 包含 ZnS-Si02。 根據本發明之第二十二面向’本發明關於一種可錄式 光記錄媒體，其中反射層包含A1合金。特別是，當層結 -27- 200820252 (24) 構係以反射層和ZnS-Si02層彼此接鄰設置之方式形成時 ，較佳以A1合金預防反射層之劣化。於許多情況中反射 層較佳包含Ag或Ag合金。雖A1合金次於Ag，但A1合 金具有高導熱性及高反射性，其意謂A1合金顯示有利的 ^ 特性。因Ag具有高導熱性，其敏感度有較差的傾向。此 • 外，亦有反射性也變得過高的傾向，而A1合金係較佳者 。舉例而言，於具有包含覆蓋層/ ZnS-Si02 (10nm)/ Bi-B· φ Ο (16nm)/ SiN (12nm)/反射層（35nm)/聚碳酸酯基材之層結 構的光記錄媒體中的反射層係Ag-In合金之情況中，顫動 値爲5.8 %。然而，當使用AlTi合金時，顫動値爲5.2% 。因A1合金具有較高敏感度且記錄特徵爲有利者，A1合 金係更佳者。 根據本發明的第二十二面向，藉限制反射層的材料， 可提供一種具優異記錄特徵和保存性的可錄式光記錄媒體 〇 φ 根據本發明的第二十三面向，本發明關於一種可錄式 光記錄媒體，其中至少第一保護層、記錄層、第二保護層 以及反射層係依序地沉積於基材上，第一保護層的厚度係 設定爲l〇nm至80nm，記錄層的厚度係設定爲6nm至 3 0nm，第二保護層的厚度係設定爲8nm至35nm，反射層 的厚度係設定爲20nm至l〇〇nm。當第一保護層的厚度非 1 Onm或更大時，水分或氧自記錄層進出基材，使得保存 性劣化。此外，隨其厚度增加，敏感度經改進。然而，當 厚度超過8 0 nm時，熱輻射變得較差；經加寬的記錄標記 -28- 200820252 (25) 使得記錄特徵劣化。相關於記錄層，當其厚度薄於 ’敏感度係劣化，且諸如PRSNR或類似之記錄特 化。當厚度超過3 Onm時，反射減少。雖敏感度經 但記錄特徵係劣化。當第二保護層薄於8nm時，反 設於一較近的位置，使得熱輻射過度增加且敏感度 。於厚於35nm之區域中，熱輻射變得較差且記錄 加寬。當反射層薄於20nm時，反射性係降低且追 似性質變爲不穩定的。當厚度厚於100nm時，敏感 較差且記錄特徵係劣化。 根據本發明的第二十四面向，本發明關於一種 光記錄媒體，其中至少反射層、第二保護層、記錄 一保護層和覆蓋層係依序地沉積於基材上，第一保 厚度係設定爲7nm至30nm，記錄層的厚度係設定 至30nm，第二保護層的厚度係設定爲5nm至3 0nm 層的厚度係設定爲30nm至80nm。於第一保護層薄 的情況中發現，儲存特性係劣化。當第一保護j 3 Onm時，熱輻射和記錄特徵因標記擴張傾向而變 。當第一保護層薄於6nm時，敏感度變得較差， PRSNR或類似的記錄特徵亦變得較差。當記錄層的 於3 0 n m時，反射性亦經降低。雖記錄層的敏感度 ，但記錄特徵係劣化。當第二保護層薄於5 nm時， 係設於較近的位置，使得熱輻射過佳且敏感度係劣 第二保護層厚於3 0nm時，熱輻射變得較差且記錄 加寬。當反射層薄於3 Onm時，熱輻射效應變得不 6nm時 徵亦劣 改進， 射層係 係劣化 標記係 蹤或類 度變得 可錄式 層、第 護層的 爲 6nm ，反射 於 7nm 罾厚於 得較差 且諸如 厚度厚 經增進 反射層 化。當 標記經 足，使 -29- 200820252 (26) 得顫動値上升且記錄特徵係劣化。當反射層厚於8〇nm時 ，反射性變得較差且記錄特徵係劣化。 根據本發明的第二十三和第二十四面向，藉最佳化各 層的厚度，可提供一種具優異記錄特徵和保存性之可錄式 ^ 光記錄媒體。 • 根據本發明的第二十五面向，本發明關於一種其中之 記錄層含有Bi、B和Ο的可錄式光記錄媒體，其包含處於 φ 缺氧狀態的氧化物，於其中氧量係小於化學計量組成。化 學計量意指顯示使用於化學界之化學反應中的元素量關係 的理論。於此，化學計量組成以下列方式定義。化學計量 意指可由穩定化合物形成的化合物之元素的組份，穩定化 合物係由各組成元素組成。舉例而言，於此之定義爲於常 溫常壓下以穩定狀態存在之諸如Bi203、B2〇3、Bi4B209的 化合物之組份即爲化學計量組成。氧量小於化學計量組成 的缺氧狀態意指化合物BiOx之X <1.5的情況，即BiOK48 # 或類似情況。於非缺氧狀態中係提供BiCh.5。同樣地，

BiCh.u、Bi4B2 0 8.9顯示缺氧狀態。換句話說，當Bi以三 價態存在時可判斷並無缺氧狀態。當爲單價態或二價態時 ，可視爲其處於缺氧狀態。相同法則適用於其他元素。本 胃 發明亦包括其混合物狀態、非氧化物的單一元素狀態及與 氧化物混合的狀態。當氧化物處於缺氧狀態時，氧化物從 外部捕獲氧，或相分離而使得氧化物改變至穩定狀態。當 BiCh.45存在時，進行相分離成爲兩相；Bi203和Bi係穩定 的。於記錄層夾置於保護層之間而經遮蔽免於接觸外部的 -30- 200820252 (27) 狀態中，施加記錄光並提高溫度，使處於缺氧狀態的記錄 層相分離，Bi金屬經沉積且濃縮以形成記錄標記。於沒有 缺氧狀態的情況中，或是氧過量的情況中，相分離難以發 生，且敏感度變得較差使得有利記錄變得困難。於此方式 ^ 中，缺氧狀態中包括的氧量小於化學計量組成而提供良好 - 的效果。較佳可採用下列情況作爲組成記錄層之狀態；僅 包含處於缺氧狀態氧化物之情況、於缺氧狀態氧化物和非 φ .於缺氧狀態氧化物的混合物之情況，或是於缺氧狀態氧化 物和單一元素的混合物之情況，和於缺氧狀態氧化物、非 於缺氧狀態氧化物以及單一元素的混合物之情況。 根據本發明的第二十五面向，藉使含有Bi、B和Ο的 記錄層包括氧量小於化學計量組成、處於缺氧狀態的氧化 物，可提供一種具優異記錄特徵和保存性的可錄式光記錄 媒體。 根據本發明的第二十六面向，本發明關於一種可錄式 φ 光記錄媒體，其中含有Bi、B和Ο的記錄層包括氧量小於 化學計量組成、處於缺氧狀態的Bi氧化物。因Bi可能被 減少，Bi可能經相分離，使得Bi較佳用於記錄標記的形 ~ 成。處於缺氧狀態之Bi氧化物比例較佳係存在之Bi總量 ‘ 之50 %至80 %。當比例約100 %時係產生效果。缺氧狀 態的判斷可藉使用X射線光電子光譜分析（XPS)測量進行 Bi4f鄰近能區測量而達成。舉例而言，處於三價狀態之 Bi被視爲Bi203。此狀態可被視爲非缺氧。當Bi爲二價 的情況中，根據本發明可將其視爲處於缺氧狀態，Bi之金 -31 - 200820252 (28) 屬態可被測量。因本發明僅於以單一金屬Bi存在’以及 以氧量小於如B i 2 Ο 3或類似者之化學計量組成、處於缺氧 狀態的B i氧化物存在的兩種狀態下具有相同效果’此等 狀態係可包括於本發明中。 ^ 根據本發明的第二十六面向，藉使含有Bi ' β和Ο的 - 記錄層包括氧量小於化學計量組成、處於缺氧狀態的Bi 氧化物，可提供一種具優異記錄特徵和保存性之可錄式光 φ 記錄媒體。 根據本發明的第二十七面向，本發明關於一種可錄式 光記錄媒體，其中藉施加光線而經記錄的記錄標記包括非 氧化物的單一元素。雖細節並未非常詳細，下述觀點可視 爲記錄標記的形成準則。一般認爲含有Bi、B和Ο的記錄 層處於下列二狀態之一者中：記錄層中存在的氧化物皆爲 未經記錄情況的狀態，或是除氧之外的個別元素之單態與 氧化物混合的狀態。於此狀態的情況中，當於記錄期間施 # 加光線時，記錄層溫度上升，使得組成記錄層之膜的穩定 性下降。於氧化物非處於缺氧狀態期間的情況中的高穩定 性使記錄無法以有利方式執行。然而，當未經記錄狀態存 於缺氧狀態中時，藉施加記錄光而使狀態被改變成穩定狀 態。自缺氧狀態改變成無缺氧狀態氧化物和單一元素之混 合物的狀態有助於記錄標記的形成。對此記錄標記而言， 因沉積單一元素擴大未經記錄部分造成光學特性的差異， 藉此致能反射性差異之擴大。因此，重現信號的振幅係擴 大並可顯示更有利的特性。另外，當單一元素和氧化物處 -32- 200820252 (29) 於未經記錄狀態的情況時，藉施加記錄光造成的記錄層溫 度上升允許氧化物將氧分離，使得單一元素可被形成。於 施加記錄光的區域，氧化物減少而單一元素增加。另外地 ，氧化物和單一元素係分別濃縮而體現類-相分離的狀態 ~ 。於少量單一元素混合氧化物的情況中，施加記錄光產生 _ 一狀態，於其中單一元素生長且單一元素於氧化物中經濃 縮並經分配。由此提供記錄標記。針對記錄標記而言，因 φ 沉積單一元素擴大未經記錄部分造成光學特性的差異，藉 此致能反射性差異之擴大。因此，重現信號的振幅係擴大 並可顯示更有利的特性。特別是Bi氧化物，因易於分離 氧而爲較佳者。較佳的情況係於未經記錄的狀態中，Bi氧 化物以缺氧狀態存在且施加記錄光用於Bi單一元素之相 分離，以及Bi氧化物存在於記錄標記中，使得記錄標記 形成。此外，亦爲較佳的情況係於非經記錄的狀態中，少 量Bi存在作爲與其氧化物混合的單一實體，而記錄標記 • 係以使Bi生長並經沉積的方式形成。亦爲較佳的情況係 其他氧化物經沉積，且記錄標記形成於混合狀態中。 根據本發明的第二十七面向，由於藉施加光而經記錄 的記錄標記包括非氧化物之單一元素，提供一種具優異記 ^ 錄特徵和保存性的可錄式光記錄媒體。 根據本發明的第二十八面向，本發明關於一種可錄式 光記錄媒體，其中藉施加光而經記錄的記錄標記並未顯示 任何特殊的晶體結構。藉由諸如變形之光學特性改變（於 許多情況中係晶體結構或類似者的改變）而達成光學記錄 -33-

200820252 (30) 。然而本發明之特徵係記錄標記並未顯示任/ 結構，但以同於未經記錄狀態中使用之X射 爲非晶型。當使用X射線測量記錄標記之晶 測量出晶體峰値而其爲非晶型。雖僅能推測 體結構的成因，但缺乏特殊晶體結構可能致’ 記部分之變形，以提供有利的特徵。 根據本發明的第二十八面向，由於施加 記錄標記未顯示特殊的晶體結構，可提供一: 特徵和保存性的可錄式光記錄媒體。 如前述，根據本發明的第十五至第二十 明可提供一種具優異記錄特徵和保存性的可: 體，尤其是一種符合HD DVD-R標準或BD-的可錄式光記錄媒體。 實例 • 以下將參考實例和比較實例而進一步詳 。然而，本發明不受到這些實例的限制。 (實例1和2) 於沒有水分吸附的狀況下秤重Bi203和 而使B對Bi的原子比被設定爲2 : 1。以球| 物持續一小時後，粉末於42 0°C經燒結持續 1)。另外，於一分別的方式中，當以球磨機幸 物持I賈一小時之同時，於4 2 0 ° C燒結粉末持 特殊的晶體 繞射判定其 結構時，未 錄標記之晶 抑制記錄標 而經記錄的 具優異記錄 面向，本發 式光記錄媒 標準之優異 解釋本發明 B2〇3粉末， f機乾燥混合 一小時（實例 行乾燥混合 I 一小時（實 -34- 200820252 (31) 例2)。接下來，藉於l〇〇MPa至200Mpa將粉末壓模並於 大氣中、6〇 〇°C下燒結粉末持續5小時而製備濺鍍靶材。 靶材係形成碟狀構型，其直徑爲200mm且厚度爲 6mm。此類靶材藉由金屬接合而經接合至無氧銅製背板以 ^ 獲得濺鍍靶材1和2。此類靶材之塡充密度分別爲9 8 %和 • 9 6%° (實例3和4) 根據實例3和4之可錄式光記錄媒體係藉使用實例1 和2中製備的濺鍍靶材而經製備。 於具有引導溝槽（溝槽深21nm、溝槽寬0.16//m，且 軌距爲 〇.32//m)的聚碳酸酯基材上（產品名：ST3000， Teijin Bayer Polytec Co.Ltd.製造），藉濺鍍法依序設置厚 度爲35nm的AlTi合金（Ti : 10重量％)膜、厚度爲20nm 的ZnS-Si02 (8 0 : 20莫耳％)膜，以及厚度爲15nm並包含 Bi、B和氧的膜（Bi-B-Ο膜），接續於其上藉使用UV固化 樹脂（Nippon Kayaku製造的DVD003)另外層合厚度爲75 的聚碳酸酯片（Teijin Kasei製造之Pure Ace)以設置透 光層，而製備根據本發明之厚度約1.2mm的可錄式光記錄 媒體（符合所謂Blu-ray標準的需求之一種可錄式光記錄媒 體）。 對此類可錄式光記錄媒體而言，記錄和重現係由透光 層側藉使用Pulstec Industrial Co.，Ltd.製造的光碟評估裝 置DDU- 1 0 00 (波長：405nm，NA : 0.85)而執行，以測量 -35- 200820252 (32) 當下之顫動。實例3之顫動爲5 · 8 %，而實例4之顫動爲 5.9 %。這些數値係有利者。記錄條件入下所示。重現功 率係設定至〇 = 2mW。 一 •調變法：1-7個調變 • •記錄線性密度：最短標記長度2Τ = 0·149 ( // m) •記錄線性速度：4 · 9 (m / s) φ •波長等化：限制等化器

•記錄功率：6. lmW (實例5) 藉濕式方法以球磨機將Bi和B粉末混合持續一小時 ，以使其原子比成爲2對1，接續於大氣中、2 5 0。C下燒 結粉末持續8小時，同時於1〇〇至200MP擠壓並模製粉 末，使得濺鍍靶材藉由熱擠壓而製備。 # 靶材係形成碟狀構型，其直徑爲200mm且厚度爲 6mm。此靶材藉由金屬接合而經接合至無氧銅製成的塡充 板以獲得濺鍍靶材3。此靶材之塡充密度爲9 6 %。 (實例6) 除了藉使用實例5中所製備的濺鍍靶材3於氬及氧 (Ar :氧之體積比爲40 : 6)混合氣體中製備Bi-B — o膜之外 ，以相同於實例3之方式製備可錄式光記錄媒體，且測量 的顫動値係有利的4.8 %。 -36- 200820252 (33) (實例7) 除了改變Bi2〇3中的Bi: B原子比和b2〇3之外，以 相同於實例1中的方式製備濺鍍靶材4至1〇。除了藉使用 這些祀材將記錄層形成膜之外，以相同於實例3之方式製 備可錄式光記錄媒體。藉執行記錄重現的顫動測量結果係 顯不於弟1圖中。附帶地，第1圖中各點的Bi/B原子比 和顫動（％)係顯示於表5中。 表5

Bi/B 顫動（％) 0.4 11.3 0.6 5.6 一 1 5.8 2 5.8 2.5 5.8 4 5.9 7 6.3

由桌1圖可知有利的顫動可得自0 · 6 S B i / B £ 7.0的範圍 中0 (實例8) 除了改變燒結條件外，以相同於實例1中之方式製備 «鍍靶材，濺鍍靶材之塡充密度、製備有效性和膜沉積速 率（膜係由 Unaxis Co.Ltd.製造的、濺鍍裝置（DVD Sprinter) 所形成）係顯示於表6中。DVD Sprinter係使用於光記錄 -37- 64 200820252 (34) 媒體之製造。 由表6可見，於塡充密度爲5 0 %或更低的情況中 材料係易碎的’且無法製備靶材。此外，於塡充密度爲 %的情況中，靶材係成功地製備，但膜沉積速率不充分 ^ 當增加膜沉積期間施加的功率時，膜沉積速率經改進。 - 而，靶材因無法獲得充分的膜沉積速率而被損傷。相對 ，當塡充密度爲72 %的情況時，可成功獲得充分的膜 m 積速率。 表6 塡充密度 (%) 靶材之製備 的有效性 膜形成速度 ^ 50 X —— 64 〇 X 72 〇 〇 93 〇 〇 96 〇 〇 100 〇 〇

〇 然 的 沉 (實例9) 原 小 同 壓 徑 至 以相同方式秤重Bi203和B粉末，使得Bi和B之 子比係設定成3 : 1，且以球磨機濕潤並混合粉末持續一 時’並接續於大氣中、於420°C燒結粉末持續八小時， 時於lOOMpa至200Mpa擠壓且模製粉末，粉末經熱擠 以製備濺鍍靶材。濺鍍靶材係形成碟狀構型，使得其直 爲20 0mm且厚度爲6mm。靶材藉由金屬接合而經接合 -38- 200820252 (35) 無氧銅製成的塡充板以獲得濺鍍靶材11。此靶材之塡充密 度爲98%。本實例符合氧量小於化學計量組成之情況。 (實例10) 除了使用實例9中所製備的濺鍍靶材1 1以於氬及氧 混合氣體（Ar :氧之體積比爲20 : 1)中製備Bi-B-Ο膜之外 ，以相同於實例3之方式製備可錄式光記錄媒體，且測量 的顫動値爲5 · 1 %，其表示可獲得有利的特徵。 (實例1 1) 除了於重量測量之前添加令Bi203和B2〇3粉末於 1 5 0°C下真空乾燥持續24小時以移除水分之步驟外，以相 同於實例1之步驟製備濺鍍靶材1 2。於真空乾燥期間的真 空度爲約10Pa至lOOOPa，其中係以普通旋轉泵執行真空 抽吸。此靶材之塡充密度爲99 %。 Φ 藉使用前述濺鍍靶材12，以相同於實例3之方式製備 可錄式光記錄媒體而執行記錄和重現，所測量的顫動係 5.3 % 〇 (實例12) 測量於實例1 1中所製備之濺鍍靶材1 2的X射線繞射 圖案。測量條件係顯示於表7中。測量結果係顯示於第2 圖中。 執行檢復以確認於此測量中所獲得之繞射峰値位置爲 -39- 200820252 (36) 已知物質。第2圖的上半部顯示濺鍍靶材1 2的繞射圖案 ，而其下半部顯示已知資料項目之Bi4B2〇9之繞射峰値的 位置。針對X射線繞射圖案建構一資料庫，其指示已知物 質的繞射線出現在何處並指示該繞射線的強度。比較分析 物與已知物質的峰値可以辨識分析物。藉由比較顯示於下 半部之Bi4B209資料項目與顯示於上半部之經測量的資料 項目之檢復結果，確認幾近所有峰値皆爲Bi4B209之峰値 ，且此濺鍍靶材主要包含Bi4B209化合物。 亦即，由第2圖所示之X射線繞射結果顯示，偵測到 特殊峰値且其與假設Bi4B209結晶物質存在時之經計算的 峰値位置一致，而可視爲Bi4B209晶體存在。因此可說明 物質較佳於靶材爲結晶質的情況中。

雷射源 Cu 波長 1 ·5405 6Α 單色儀 使用 管電流 100 mA 管電壓 40 kV 資料範圍 5-40 度 掃描軸 2Θ / θ 採樣間隔 0.020 度 掃描速度 8.00度/分鐘 發散狹縫 1·00 度 散射狹縫 1.00 度 光接收狹縫 0.15 mm -40- 200820252 (37) (比較實例1) 以70 : 3 0(莫耳比例）混合Bi2〇3和m〇03並燒結之， 且製備直徑爲76.2mm、厚度爲4mm之濺鍍靶材，接續沉 積膜。BiMoO含有作爲主要成份的Bi、Mo及氧。施加功 率並於此期間測量靶材強度，其結果顯示於表8中。於膜 正常地經形成時以符號〇表示。另一方面，於靶材經損傷 時以符號X表示。 爲比較目的，顯示以2 : 1比例混合之Bi203和B2〇3 粉末並接續燒結之所得之物件的資料。

施加的電壓 (W) BiMoO BiBO 50 X 〇 100 X 〇 200 X 〇

(實例13至實例22) 於厚度爲1.1mm且直徑爲120mm並具有導引溝槽（溝 槽深2 1 nm且軌距爲0.3 2 // m)的聚碳酸酯基材（產品名： ST3000，Teijin Bayer Polytec Co· Ltd·製造）上，藉濺鍍依 序設置厚度爲35nm之AlTi合金（Ti: 1·〇重量。/。）層、厚度 爲10nm的ZnS-Si02 (80: 20莫耳％)層、厚度爲i6nm之 含有Bi、B和Ο之層（Bi-B-Ο層），以及厚度爲i〇nm之 ZnS-Si02 (80: 20莫耳％)層，接續藉使用UV固化樹脂 -41 - 200820252 (38) (Nippon Kayaku製造的DVD003)沉積另外的聚碳酸酯片 (Teijin Kasei製造的Pure Ace)於其上，以形成透明層而 製備本發明之可錄式光記錄媒體（符合所謂Blu-ray磁碟標 準之可錄式光記錄媒體）。 根據表9及10中實例13至22之相關於可錄式光記 錄媒體符合可錄式Blu-ray磁碟標準（BD-R 1.1版）媒體的 條件下，藉使用Pulse Tec Industries Co. Ltd·製造的光碟 評估裝置ODU-1000 (波長：405nm，ΝΑ: 0.85)執行記錄 以評估顫動値。 表9 實例 Bi/B原子比 0/B原子比 實例13 1 2.4 實例14 1.74 3.1 實例15 2.61 4.5 實例16 3.41 6.7 實例17 8.0 12.7 實例18 0.58 2.4 實例19 0.7 2.5 實例20 0.93 2.7

表10 實例 Bi/B原子比 0/B原子比 實例21 9.0 14.2 實例22 0.4 2.1 -42- 200820252 (39) 第3圖顯示實例13至1 7和21之評估結果。係顯示 於執行儲存測試持續1〇〇小時後、於80°C之溫度和85 % 之溼度的環境中的顫動値，以及儲存測試之前及之後的顫 動値增加量。於原子比Bi/B = 9時，顫動値明顯增加。附 帶地，BD-R之標準顫動値係調控爲6.5 %或以下。於原子 比達Bi/B = 8時，顫動値增加量小且顯示有利的特徵。於 原子比達〇/B = 12.7時，顯示有利的特徵，但顫動値明顯 增加至1 4.2。 第4圖顯示實例18至實例20和22的結果。於實例 22所示的Bi/B原子比和0/B原子比，顫動値明顯增加。 於B i/B原子比很小的組成當中，儲存測試之前及之後的 顫動値差異小。 此外，當Bi/B原子比小於0.8時，敏感度傾向相對降 低，而得知Bi/B原子比較佳係0.8或更大。 (實例23) 於具有導引溝槽（溝槽深26nm且軌距爲0.4/zm)的聚 碳酸酯基材上，藉濺鍍法依序沉積厚度爲15nm的ZnS-SiOa 層 （ZnS : SiO2=80 : 20 莫耳 ％) 、 厚度爲 15nm 之 Bi-B-〇層作爲記錄層，以及厚度爲20nm之ZnS-Si02層（ZnS : Si〇2 = 8 0 : 20莫耳％)。使用Bi/B原子比爲7.9且Ο/B原子 比爲13.2之層作爲Bi-B-Ο層。接著藉濺鍍法提供厚度爲 4 0nm之AlTi合金（Ti : 1.0重量％)層，且藉旋轉塗佈而設 置厚度爲約5//m的包含UV固化樹脂（SanNopco Co·，Ltd -43 - 200820252 (40) 製造的Nopco Cure 134)之有機保護層於AlTi合金層上， 接續層合具厚度爲〇.6mm的虛擬基材之層並UV固化樹脂 ，以提供可錄式光記錄媒體。於符合HD DVD-R標準（用 於高密度可錄式磁碟（HD DVD-R)l.〇版之DVD規格）的條 、 件下，藉使用Pulstec Industrial Co. Ltd.製造的光碟評估 - 裝置ODU-1000 (波長：405nm，NA: 0.85)針對此可錄式 光記錄媒體而執行記錄，以測量PRSNR，所得結果係爲 φ 22.0之有利的値（標準値：15或更大）。另外，於持續300 小時儲存測試之後、於80°C之溫度並85 %之溼度下之 PRSNR成爲16.0且顯示有利的特性。 (實例24) 於具有導引溝槽（溝槽深26nm且軌距爲0.4// m)的聚 碳酸酯基材上，藉濺鍍法依序沉積厚度爲1 5nm的氧化鋁 層（Al2〇3)、厚度爲15nm之Bi-B-Ο層作爲記錄層，以及 φ 厚度爲 20nm 之 ZnS-Si02 層（ZnS: SiO2 = 80: 20 莫耳％)。 使用Bi/B原子比爲1.75且0/B原子比爲4.5之層作爲 Bi-B-Ο 層。 ^ 接下來，藉濺鍍法提供厚度爲40nm之AlTi合金（Ti ’ ：1.0重量％)層，且藉旋轉塗佈而設置厚度爲約5// m的

由 UV 固化樹脂（San Nopco Co.，Ltd 製造的 Nopco Cure 13 4)形成之有機保護層。此外，接合厚度爲0.6mm的虛擬 基材至保護層以提供可錄式光記錄媒體。於符合HD DVD-R標準（用於高密度可錄式磁碟（HD DVD-R)1.0版之DVD -44- 200820252 (41) 規格）的條件下，藉使用Pulstec Industrial Co· Ltd·製造的 光碟評估裝置 ODU-IOOO (波長：405nm，ΝΑ : 0.65)針對 此可錄式光記錄媒體而執行記錄，以測量PRSNR，所得結 果係爲29.0之有利的値（標準値：15或更大）。另外，於 持續3 00小時儲存測試之後、於80°C之溫度並85 %之溼 度下之PRSNR成爲23.0且顯示有利的特性。於以义!^-Si02層（ZnS : SiO2 = 8 0 : 20莫耳％)取代氧化鋁層的情況中 清楚得知，PRSNR値爲24.0，且於儲存測試之後降低至 19.0，且於使用氧化鋁層情況中的PRSNR値係更高。 (實例25)

於厚度爲1.1mm且直徑爲120mm並具有導引溝槽（溝 槽深21nm且軌距爲0.32#m)的聚碳酸酯基材（產品名： ST3000，Teijin Bayer Polytec Co. Ltd.製造）上，藉濺鍍法 依序設置厚度爲35nm之AlTi合金（Ti: 1.0重量％)層作爲 反射層、厚度爲1 〇nm的氮化矽層作爲第二保護層、厚度 爲16nm之含有Bi、B和氧之層（Bi-B-0層），以及厚度爲 12nm之ZnS-Si02 (8 0: 20莫耳％)層，接續藉使用UV固 化樹脂（Nippon Kayaku製造的DVD003)於其上層合厚度爲 75/xm的聚碳酸酯片（Teijin Kasei製造的Pure Ace)，以提 供厚度爲1.2mm之透光層’藉此製備本發明之可錄式光記 錄媒體（符合所謂Blu-ray磁碟標準之可錄式光記錄媒體） 。使用Bi/B原子比爲1.75且0/B原子比爲4.5之層作爲 Bi-B-Ο層。於符合可錄式Blu-ray磁碟（BD-R 1.1版）標準 -45- 200820252 (42) 的條件下，藉使用Pulstec Industrial Co· Ltd.製造的光碟 §平估裝置〇 D U - 1 0 0 0 (波長：4 〇 5 n m，N A : 0 · 8 5 )針對此可 錄式光記錄媒體而執行記錄，以測量顫動値。於儲存測試 之前的顫動値爲5 · 1 %。於持續3 00小時儲存測試之後、 於8(^0之溫度並85 %之溼度下之顫動爲6.1 %。因此知 道可獲得有利的特徵。另外，如第5圖中所顯示，可清楚 知道針對於儲存後之重現信號，使用氮化矽之磁碟具有較 小的雜訊且較佳使用氮化矽作爲第二保護層。 (實例26) 實例26係對應申請專利範圍第丨7項之示範例。於厚 度爲 1.1mm且直徑爲 120mm並具有導引溝槽（溝槽深 2 Inm且軌距爲0.32 // m)的聚碳酸酯基材（產品名：ST3 000 ，Teijin Bayer Polytec Co· Ltd·製造）上，藉由濺鍍法依序 設置厚度爲35nm之AlTi合金（Ti : 1.0重量％)層作爲反射 層、厚度爲l〇nm的ZnS-Si02 (80: 20莫耳％)層作爲第二 保護層、厚度爲16nm之含有Bi、B和Ο之層（Bi-B-O層） ，以及厚度爲1 〇nm之Z nS - S i Ο 2 ( 8 0 : 2 0莫耳％ )層，接續 藉使用UV固化樹脂（Nippon Kayaku製造的DVD003)於其 上層合厚度爲75/zm的聚碳酸酯片（Teijin Kasei製造的 Pure Ace)，以提供光穿透層，而製備本發明之可錄式光記 錄媒體（符合所謂Blu-ray磁碟標準之可錄式光記錄媒體） 。相關於此記錄媒體，於符合可錄式Blu-ray磁碟（BD-R 1.1版）標準的條件下，藉使用Pulstec Industrial Co. Ltd. -46- 200820252 (43) 製造的光碟評估裝置 ODU- 1 000 (波長：40 5nm，ΝΑ : 0.85)執行記錄，以評估記錄特徵。Bi_B-0層中之氧量和 最佳記錄功率之間的關係係顯示於第6圖中。當氧量於此 範圍之內時，最佳記錄功率受限於標準値範圍中且顯示有 _ 利的功率。於氧量小於60原子％的範圍中，係顯示特別有 * 利之値。此外，於儲存測試之前及之後的顫動値增加程度 之硏究結果係顯示於第7圖中。儲存測試之前及之後的顫 φ 動値變異量係藉由儲存測試之前的顫動値比例而顯示。係 使用3 0 0小時儲存測試後之數値。可見的是當氧量爲50 %或更大時，顫動値增加量相當小，其係較佳者。可見的 是當氧量爲5 5 %或更大時，顫動値實質上無變化，其係 更佳者。

此外，相同記錄係執行於同於前述之可錄式光記錄媒 體上，除了依序形成厚度爲35nm之AlTi合金（Ti : 1.0重 量％)層作爲反射層、厚度爲25nm的ZnS-Si02 (80 : 20莫 # 耳％)層作爲第二保護層，以及厚度爲16nm之含有Bi、B 和氧之層（氧爲68原子％的Bi-B-O層），接續藉使用UV 固化樹脂（Nippon Kayaku製造的 DVD0003 )於其上層合厚 度爲75 μ m的聚碳酸酯片（Teijin Kasei製造的Pure Ace) ，以提供透光層。當記錄功率爲5 · 6 m W時，得到5 · 8 %的 顫動。然而可清楚知道，當記錄線性速度加倍時（2倍速記 錄），僅於記錄光爲7.2m W的情況中顫動値成爲6.5 %或 更小，且敏感度備降低並落於標準之外。 -47 - 200820252 (44) (實例27) 於具有導引溝槽（溝槽深26nm且軌距爲0.4/zm)的聚 碳酸酯基材上，藉使用濺鍍法依序沉積作爲第一保護層之 ZnS-Si02層（ZnS : SiO2 = 80 : 20莫耳％)、作爲記錄層之 — Bi-Β-Ο 層、作爲第二保護層之 ZnS-Si02 層（ZnS : SiO2 = 8 0 • : 20莫耳％)，以及作爲反射層之AlTi合金（Ti : 1·〇重量 %)層。使用組成爲Bi 27.0 - B 13.1 - Ο 59.9之層作爲Bi_ • B-0層。接下來，藉旋轉塗佈而設置厚度爲約5从m的包 含 UV 固化樹脂（San Nopco Co.，Ltd 製造的 Nopco Cure 134)之有機保護層於AlTi合金層上，接續進一步層合厚 度爲0 · 6mm的虛擬基材並U V固化樹脂以獲得可錄式光記 錄媒體。於符合HD DVD-R標準（用於高密度可錄式磁碟 (HD DVD-R)1.0版之DVD規格）的條件下，藉使用Pulstec Industrial Co· Ltd·製造的光碟評估裝置ODU- 1 000 (波長 :4 0 5 nm，N A : 0 · 6 5 )針對此可錄式光記錄媒體而執行記錄 φ 。實例27係對應申請專利範圍第23項之示範例。第8圖 顯示藉改變作爲ZnS-Si02層之第一保護層厚度之記錄層 厚度爲17nm、第二保護層爲20nm，以及反射層厚度爲 40nm的光g己錄媒體之PRSNR値。60nm鄰近之PRSNR値 爲最高値。第9圖顯示於其中作爲第一保護層之ZnS_si〇2 層的厚度爲60nm、記錄層的厚度經改變、第二保護層的 厚度經改變成爲20nm，以及反射層的厚度爲40 nm之光記 錄媒體的PRSNR値。I7nm鄰近之PRSNR値爲最高値。 第10圖顯示於其中作爲第一保護層之ZnS_Si〇2層的厚度 -48- 200820252 (45) 爲60nm、記錄層的厚度爲1511111、第二保護層的厚度經改 變，以及反射層的厚度爲4 Onm之光記錄媒體的PR SNR値 。20nm鄰近之PRSNR値爲最高値。另外，第11圖顯示 儲存測試之前及200小時儲存測試之後的PRSNR値。其 取決於第一保護層的厚度而有所差異。於第一保護層的厚 度爲Onm的情況中，PRSNR値降低非常多。然而，保護 層的厚度爲l〇nm或30nm時，PRSNR値的降低受到抑制 ;此代表此類厚度値爲有效者。第1 2圖顯示反射層厚度 與PRSNR之間的關係。作爲第一保護層之ZnS-Si02層的 厚度爲60nm、記錄層的厚度爲17nm，以及第二保護層的 厚度爲20nm。40nm鄰近的PRSNR値顯示有利的特徵。 (實例28) 於厚度爲1.1mm且直徑爲120nm並具有導引溝槽（溝 槽深21nm且軌距爲0.32/zm)的聚碳酸酯基材（產品名： ST3000，Teijin Bayer Polytec Co. Ltd.製造）上，藉使用濺 鍍法依序設置AlTi合金（Ti : 1.0重量％)層作爲反射層、 氮化矽層作爲第二保護層、包含Bi、B和氧之層（Bi-B-0 層）作爲記錄層、ZnS-Si02 (80 : 20莫耳％)層作爲第一保 護層，接續藉使用UV固化樹脂（Nippon Kayaku製造的 DVD003)於其上層合厚度爲75 //m的聚碳酸酯片（Teijin Kasei製造的Pure Ace)，以提供透光層，以製備厚度爲 1.2mm之本發明的可錄式光記錄媒體（符合所謂Blu-ray磁 碟標準之可錄式光記錄媒體）。於符合可錄式Blu-ray磁碟 -49 - 200820252 (46) (BD_R 1·1版）標準的條件下，藉使用Pulstec Industrial Co· Ltd.製造的光碟評估裝置ODU- 1 000 (波長：405nm， N A : 0.8 5 )相關於此光記錄媒體執行記錄’以評估記錄特 徵。實例2 8係對應申請專利範圍第2 4項之示範例。第1 3 圖顯示形成35 nm厚之反射層、16nm厚之記錄層’以及 10nm厚之第一保護層並改變第二保護層厚度所得的結果 。10nm至12nm鄰近的顫動値顯示最有利的特徵。第14 圖顯示形成35nm厚之反射層、16nm厚之記錄層、12nm 之第二保護層並改變第一保護層厚度所得的結果。1 〇nm 鄰近的厚度顯示有利的特徵。第圖顯不形成厚之 反射層、1 2nm之第二保護層、1 〇nm厚之第一保護層並改 變記錄層厚度所得的結果。1 3 nm至1 6nm鄰近的厚度顯示 有利的特徵。 【圖式簡單說明】 第1圖係Bi/B原子比對顫動値之圖； 第2圖顯示灑鍍靶材1 2之X光折射光譜測量結果； 第3圖顯示於1 00小時之儲存測試後的顫動値和顫動 値增加量； 第4圖係Bi/B原子比對顫動値之圖； 第5圖係用以解釋實例2 5之視圖； 第6圖係氧量對記錄功率之圖； 第7圖係氧量對保存性之圖； 第8圖係第一保護層厚度對PRSNR値之圖； -50- 200820252 (47) 第9圖係記錄層厚ί 第1 0圖係第二保護 第1 1圖係儲存測試 第1 2圖係反射層厚 • 第1 3圖係第二保護 • 第1 4圖係第一保護 第1 5圖係記錄層厚 f對PRSNR値之圖； 層厚度對PRSNR値之圖； 時間對PRSNR値之圖； 度對PRSNR値之圖； 層厚度對顫動値之圖； 層厚度對顫動値之圖；以及 度對顫動値之圖。

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Claims (1)

1. 200820252 (1) 十、申請專利範圍 1. 一種用於製備可錄式光記錄媒體之濺鍍靶材，其包 含： Bi (鉍）和B(硼）。 " 2·根據申請專利範圍第1項之用於製備可錄式光記錄 • 媒體之濺鍍耙材，其進一步包含氧。 3 ·根據申請專利範圍第1項之用於製備可錄式光記錄 φ 媒體之濺鍍靶材，其中該靶材係結晶質。 4 ·根據申請專利範圍第1項之用於製備可錄式光記錄 媒體之濺鍍靶材，其中Bi和B之原子比係設定爲0.6 S Bi $ 7·0。 5 .根據申請專利範圍第2項之用於製備可錄式光記錄 媒體之濺鍍耙材，其包含B i和Β之錯合氧化物。 6·根據申請專利範圍第5項之用於製備可錄式光記錄 媒體之濺鍍靶材，其包含Bi4B2〇9作爲錯合氧化物。 ^ 7 ·根據申請專利範圍第1項之用於製備可錄式光記錄 媒體之濺鍍靶材，其中塡充密度係72 %至100 %。 8·根據申請專利範圍第1項之用於製備可錄式光記錄 ' 媒體之濺鍍靶材，其進一步包含至少一種選自Li、Al、Fe • 、Mg、Na和Si之元素。 9·根據申請專利範圍第1項之用於製備可錄式光記錄 媒體之濺鍍靶材，其中氧量係小於化學計量組成。 1〇·根據申請專利範圍第1項之用於製備可錄式光記 錄媒體之濺鍍靶材，其包含Bi氧化物和Β氧化物之至少 -52- 200820252 (2) 一者。 1 1 · 一 g用於製造濺鍍靶材之方法，其中該濺鍍靶材 包含用於製備可錄式光記錄媒體之Bi和B，且其中使用 燒結法。 ^ 1 2 ·根據申請專利範圍第1 1項之用於製造濺鍍靶材之 * 方法’其包含自材料粉末移除水分。 1 3 ·根據申請專利範圍第n項之用於製造濺鍍靶材之 • 方法，其中Bi2〇3和Βίο3之粉末係經燒結。 14. 一種可錄式光記錄媒體，其包含： 膜，其包含作爲主要組份之Bi、B和氧，該膜藉使用 包含用於製備可錄式光記錄媒體之Bi和B的濺鍍靶材而 經沉積。 15. —種可錄式光記錄媒體，其包含： 基材；以及 形成於該基材上之記錄層’該記錄層至少含有B i、B • 和〇作爲主要組份， 其中於該記錄層中之Bi對B之比例係設定爲3/7$ Bi/B € 8。 ” 16.根據申請專利範圍第15項之可錄式光記錄媒體， • 其中於該記錄層中之〇對Β之比例係設定爲2.2 S 0/B S 13 ° 1 7.根據申請專利範圍第1 5項之可錄式光記錄媒體， 其中以原子比表示時，於總元素中之0含量係於5 0 %至 67 %之範圍中。 -53- 200820252 (3) 1 8 ·根據申請專利範圍第1 5項之可錄式光記錄媒體， 其中一保護層係接鄰該記錄層之兩表面而設置。 19·根據申請專利範圍第15項之可錄式光記錄媒體， 其中該保護層包含作爲主要組份之ZnS-Si02、氮化矽或氧 - 化鋁。 • 20 ·根據申請專利範圍第15項之可錄式光記錄媒體， 其中至少第一保護層、一記錄層、第二保護層和一反射層 φ 係依序地沉積於該基材上，該第一保護層包含氧化鋁，該 第二保護層包含ZnS-Si02。 2 1 .根據申請專利範圍第1 5項之可錄式光記錄媒體， 其中至少一反射層、第二保護層、一記錄層、第一保護層 和一覆蓋層係依序地沉積於該基材上，該第二保護層包含 氮化矽，該第一保護層包含ZnS-Si02。 22.根據申請專利範圍第15項之可錄式光記錄媒體， 其中該反射層包含A1合金。 φ 23 ·根據申請專利範圍第1 5項之可錄式光記錄媒體， 其中至少第一保護層、一記錄層、第二保護層和一反射層 係依序地沉積於該基材上，該第一保護層之厚度係設定爲 10 nm至80 nm，該記錄層之厚度係設定爲6 nm至30 nm ' ，該第二保護層之厚度係設定爲8 nm至3 5 nm，且該反 射層之厚度係設定爲20 nm至100 nm。 24·根據申請專利範圍第1 5項之可錄式光記錄媒體， 其中至少一反射層、第二保護層、一記錄層、第一保護層 和一覆蓋層係依序地沉積於該基材上，該第一保護層之厚 -54- 200820252 (4) 度爲7 nm至30 nm，該記錄層之厚度爲6 nm至30 nm， 該第二保護層之厚度爲5 nm至30 nm，且該反射層之厚 度爲30nm至80nm。 25·根據申請專利範圍第15項之可錄式光記錄媒體， • 其中包含Bi、B和〇之該記錄層包含氧化物，該氧化物係 ' 處於缺氧狀態，於其中氧量係小於化學計量組成。 2 6 ·根據申請專利範圍第1 5項之可錄式光記錄媒體， 馨 其中包含Bi、B和〇之該記錄層包含Bi氧化物，該Bi氧 化物係處於缺氧狀態，於其中氧量係小於化學計量組成。 2 7 ·根據申g靑專利範圍第1 5項之可錄式光記錄媒體， 其中由施加光而g己錄之一記錄標記含有單一兀素而非其氧 化物。 2 8 .根據申請專利範圍第丨5項之可錄式光記錄媒體， 其中由施加光而記錄之一記錄標記未顯示特殊的晶體結構

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