JPS598618A - ビスマス−ホウ素系非晶質化合物及びその製造法 - Google Patents
ビスマス−ホウ素系非晶質化合物及びその製造法Info
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- JPS598618A JPS598618A JP57114651A JP11465182A JPS598618A JP S598618 A JPS598618 A JP S598618A JP 57114651 A JP57114651 A JP 57114651A JP 11465182 A JP11465182 A JP 11465182A JP S598618 A JPS598618 A JP S598618A
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- bismuth
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はビスマス−ホウ素系非晶質化合物及びその製造
法に関し、更に詳しくは文献未記載のじスマスーホウ素
系新規物質及びその製造方法に関する。
法に関し、更に詳しくは文献未記載のじスマスーホウ素
系新規物質及びその製造方法に関する。
酸化ビスマス(BL203 )を主体とする酸化物系セ
ラミックス及びその単結晶の研究は、近年のエレクトロ
ニクス分野の発展に伴々い活発に行なわれており、就中
特に光−電気、音−電気、雰囲気ガス−電気、光音偏向
、X線分光等の変換素子材料として、又触媒として盛ん
に研究されている。
ラミックス及びその単結晶の研究は、近年のエレクトロ
ニクス分野の発展に伴々い活発に行なわれており、就中
特に光−電気、音−電気、雰囲気ガス−電気、光音偏向
、X線分光等の変換素子材料として、又触媒として盛ん
に研究されている。
Bi2O3とB2O3との安定な化合物としては、2#
3の文献に数種の結晶体についてのみ記載されているだ
けであり、これ等単結晶化の研究が盛んに行なわれてい
るが、非晶質化合物としての研究は全く行なわれていな
い。
3の文献に数種の結晶体についてのみ記載されているだ
けであり、これ等単結晶化の研究が盛んに行なわれてい
るが、非晶質化合物としての研究は全く行なわれていな
い。
本発明は従来全く知られてい々いビスマス−ホウ素系の
非晶質化合物を新たに合成したものであり、即ち本発明
は(B203)よ・(B i203 )□−〇(但しl
>r>O)の組成を有する新規ビスマス−ホウ素系非晶
質化合物及び(B2O3几及び(Bi203)1−X:
(但し1>x>O)の混合物を加熱溶融せしめた後超
急冷することを特徴とするじスマスーホウ素系非晶質化
合物の製造法に係るものである。
非晶質化合物を新たに合成したものであり、即ち本発明
は(B203)よ・(B i203 )□−〇(但しl
>r>O)の組成を有する新規ビスマス−ホウ素系非晶
質化合物及び(B2O3几及び(Bi203)1−X:
(但し1>x>O)の混合物を加熱溶融せしめた後超
急冷することを特徴とするじスマスーホウ素系非晶質化
合物の製造法に係るものである。
本発明を製造法に従って下記に説明する。
本発明に於いて使用する原料は酸化ビスマスと酸化ホウ
素との混合物であり、その組成割合は(B203 )J
” CB’203 )1−x (但し1>−1’>O
>)である。上記組成比の原料混合物を加熱溶融し、こ
れを超急冷する。加熱溶融はこれ等原料混合物が充分に
溶融する温度以上で良く、溶融する温度よりも好ましく
は50〜200℃以上特に好ましくは80〜150℃以
上高い温度で加熱する。加熱時の雰囲気としては特に制
限は無く、通常空気中で行う。次いで原料混合物の融液
を超急冷する。この際超急冷することは極めて重要であ
って、これによりはじめて非晶質新規化合物を収得する
ことが出来る。超急冷は通常104〜b 却速度で行う。この超急冷は上記冷却速度で冷却出来る
手段であれば広い範囲で各種の手段が採用出来、その代
表的な方法として、高速回転中のロール表面上に原料混
合物の融液を噴霧して液体状態の原子配置にて固化せし
める方法を代表例として挙げることが出来る。該手段を
更に詳しく説明すると下記の通りである。
素との混合物であり、その組成割合は(B203 )J
” CB’203 )1−x (但し1>−1’>O
>)である。上記組成比の原料混合物を加熱溶融し、こ
れを超急冷する。加熱溶融はこれ等原料混合物が充分に
溶融する温度以上で良く、溶融する温度よりも好ましく
は50〜200℃以上特に好ましくは80〜150℃以
上高い温度で加熱する。加熱時の雰囲気としては特に制
限は無く、通常空気中で行う。次いで原料混合物の融液
を超急冷する。この際超急冷することは極めて重要であ
って、これによりはじめて非晶質新規化合物を収得する
ことが出来る。超急冷は通常104〜b 却速度で行う。この超急冷は上記冷却速度で冷却出来る
手段であれば広い範囲で各種の手段が採用出来、その代
表的な方法として、高速回転中のロール表面上に原料混
合物の融液を噴霧して液体状態の原子配置にて固化せし
める方法を代表例として挙げることが出来る。該手段を
更に詳しく説明すると下記の通りである。
本発明性実施の際に使用される代表的な装置の一例につ
いて図面を用いて下記に示す。
いて図面を用いて下記に示す。
第7図は急冷装置の正面図であシ、fl)は急冷用回転
ロール、(2)は原料加熱用ノズル付チューづ、(3)
は誘電加熱用コイルを示す。第8図はチューブ支持体を
示す図であわ、(4)はニードルパルプ、(6)はづリ
ーエアー導入口、(6)は冷却水排出口、(7)は冷却
水導入口を示す。この支持体には内部を冷却水で冷却可
能となし、ロール表面とチューづノズル口との間隙の微
調整機構(8)が取りつけられており、また原料融液を
均一に押出すための整流用目皿(9)が先端にとりつけ
である。第9図は効率的に急冷させ、さらに0−ル自体
を空冷さす目的でロール内部にファシを設置しロール表
面側端部に空気吹込み口を設けた安定急冷型空冷ロール
に関する図面であり、同図イはその正面図、(ロ)は側
面断面図であり、Q〜はスリット穴の形状説明図を示す
。
ロール、(2)は原料加熱用ノズル付チューづ、(3)
は誘電加熱用コイルを示す。第8図はチューブ支持体を
示す図であわ、(4)はニードルパルプ、(6)はづリ
ーエアー導入口、(6)は冷却水排出口、(7)は冷却
水導入口を示す。この支持体には内部を冷却水で冷却可
能となし、ロール表面とチューづノズル口との間隙の微
調整機構(8)が取りつけられており、また原料融液を
均一に押出すための整流用目皿(9)が先端にとりつけ
である。第9図は効率的に急冷させ、さらに0−ル自体
を空冷さす目的でロール内部にファシを設置しロール表
面側端部に空気吹込み口を設けた安定急冷型空冷ロール
に関する図面であり、同図イはその正面図、(ロ)は側
面断面図であり、Q〜はスリット穴の形状説明図を示す
。
第1O図イはロール表面で回転により発生する風切り渦
流の防止用向流吹出しノズルを、同図(ロ)は融液の落
下防止のための原料チューづ先端ノズル部の局部冷却用
エアーノズルを示す。これ等ノズルはいずれも石英管で
調製されているのが好ましい。第1I図は原料加熱用チ
ューブとノズル形状を示し、■はスリットノズル、■は
丸形穴をもつノズル、■は巾広用多段スリット、■及び
■は傾斜角を持ったスリットノズルである。
流の防止用向流吹出しノズルを、同図(ロ)は融液の落
下防止のための原料チューづ先端ノズル部の局部冷却用
エアーノズルを示す。これ等ノズルはいずれも石英管で
調製されているのが好ましい。第1I図は原料加熱用チ
ューブとノズル形状を示し、■はスリットノズル、■は
丸形穴をもつノズル、■は巾広用多段スリット、■及び
■は傾斜角を持ったスリットノズルである。
先ず所定組成の原料混合物を融液吹出し用ノズルを有す
るチューブ内に収納する。このチューづは高温酸化雰囲
気状態で充分耐久性のある材質で作られ、好ましくはた
とえば白金、白金−0ジウム、イリジウム、窒化ケイ素
、窒化ポOシ等で作られたものが良い。尚原料融液と直
接接触しない部分の材質は高融点のセラミックス、カラ
ス、金属でも良い。ノズル口の形状は目的製品に応じて
適宜に決定され、たとえば細い線状材料の場合は丸い形
状で、巾の広い製品の場合はスリット状の口形状のもの
を使用する。チューづ内に収納された原料混合物は次い
でその融点以上の温度に加熱された融液とされた後、高
速回転している0−ル面上に一定ガス圧にて融液を吹出
してロール表面上で急冷せしめる。この際のノズル口と
ロール面における原料融液の吹出し角度は、目的物化合
物の巾が約3u以下の場合ロール面に対して垂直方向で
良く、またその巾が約31LI+以上の場合は〇−ル面
垂線に対して06〜45°の吹き出し角度である。
るチューブ内に収納する。このチューづは高温酸化雰囲
気状態で充分耐久性のある材質で作られ、好ましくはた
とえば白金、白金−0ジウム、イリジウム、窒化ケイ素
、窒化ポOシ等で作られたものが良い。尚原料融液と直
接接触しない部分の材質は高融点のセラミックス、カラ
ス、金属でも良い。ノズル口の形状は目的製品に応じて
適宜に決定され、たとえば細い線状材料の場合は丸い形
状で、巾の広い製品の場合はスリット状の口形状のもの
を使用する。チューづ内に収納された原料混合物は次い
でその融点以上の温度に加熱された融液とされた後、高
速回転している0−ル面上に一定ガス圧にて融液を吹出
してロール表面上で急冷せしめる。この際のノズル口と
ロール面における原料融液の吹出し角度は、目的物化合
物の巾が約3u以下の場合ロール面に対して垂直方向で
良く、またその巾が約31LI+以上の場合は〇−ル面
垂線に対して06〜45°の吹き出し角度である。
これ等の吹き出し角度は装置自体に所定の角度を設定可
能な機構を組み込むことも出来るが、好ましくはノズル
を加工する手段である。
能な機構を組み込むことも出来るが、好ましくはノズル
を加工する手段である。
原料混合物の加熱方法は特に制限されるものではガいが
、通常発熱体を有する炉、誘電加熱炉または集光加熱炉
で行う。この加熱により原料混合物は加熱溶融されるが
、この際の原料融液の温度はその融点より50〜200
℃好ましくは80〜150℃程度高い温度が良い。この
際融点よりあまり高くないと融液を0−ル面上に吹き出
している間にノズル附近で冷却固化する恐れが生じ、ま
た逆にあまりにも高くなシすぎるとロール面上での急冷
に支障を来たす恐れが生ずる。ロール面上に融液を吹き
出すために使用する加圧ガスのガスとしては不活性ガス
が好ましく、たとえばアルjシ、窒素、ヘリウム等でも
良いが、融液原料を還元させる恐れがあるため、乾燥圧
縮空気が好ましい。そのガス圧はノズル口の大きさKも
よるが、通常0.1〜2.0Vr4/−好ましくは0.
5〜1.0 Kf/d程度である。また原料融液を吹き
出す際のノズル口と0−石面間の距離は0.01−1.
0m程度が良く特に好ましくは0.05〜0.5gm程
度である。
、通常発熱体を有する炉、誘電加熱炉または集光加熱炉
で行う。この加熱により原料混合物は加熱溶融されるが
、この際の原料融液の温度はその融点より50〜200
℃好ましくは80〜150℃程度高い温度が良い。この
際融点よりあまり高くないと融液を0−ル面上に吹き出
している間にノズル附近で冷却固化する恐れが生じ、ま
た逆にあまりにも高くなシすぎるとロール面上での急冷
に支障を来たす恐れが生ずる。ロール面上に融液を吹き
出すために使用する加圧ガスのガスとしては不活性ガス
が好ましく、たとえばアルjシ、窒素、ヘリウム等でも
良いが、融液原料を還元させる恐れがあるため、乾燥圧
縮空気が好ましい。そのガス圧はノズル口の大きさKも
よるが、通常0.1〜2.0Vr4/−好ましくは0.
5〜1.0 Kf/d程度である。また原料融液を吹き
出す際のノズル口と0−石面間の距離は0.01−1.
0m程度が良く特に好ましくは0.05〜0.5gm程
度である。
0.01mよりも小さh場合、パドル量が非常に少なく
なり、均一な材料は得られず1.0 m以上の場合、パ
ドル量が過剰になったり、組成融液の界面張力により形
成されるパドル厚さ以上の場合にはパドルが形成され難
くなる傾向が生ずる場合がある。ロールの材質は熱伝導
性の良い銅及びその合金、硬質りOムメツ十層を有する
上記材料、さらには鋼、ステシレス等であり、そのロー
ルの周速度は5nL/秒〜35m7秒、好ましくは10
L/秒〜20講/秒で急冷することにより目的とする良
質の非晶質化合物材料が得られる。この際〇−ル周速度
が5331/秒以下の場合非晶質化し難い傾向が生じる
のであt、b好ましくない。
なり、均一な材料は得られず1.0 m以上の場合、パ
ドル量が過剰になったり、組成融液の界面張力により形
成されるパドル厚さ以上の場合にはパドルが形成され難
くなる傾向が生ずる場合がある。ロールの材質は熱伝導
性の良い銅及びその合金、硬質りOムメツ十層を有する
上記材料、さらには鋼、ステシレス等であり、そのロー
ルの周速度は5nL/秒〜35m7秒、好ましくは10
L/秒〜20講/秒で急冷することにより目的とする良
質の非晶質化合物材料が得られる。この際〇−ル周速度
が5331/秒以下の場合非晶質化し難い傾向が生じる
のであt、b好ましくない。
周速度が35陽/秒よりも大きくなると得られる目的物
材料の形状が非常に薄膜化し、すべて鱗片状もしくは細
粉状となるが材料構造的には本発明の非晶質化合物材料
である。融液原料を回転ロール面上へ吹き出す雰囲気と
しては減圧下乃至高真空下、又は不活性ガス雰囲気中で
の本発明化合物の製造は可能であるが高温状態での原料
融液の還元が発生し組成原子中の酸素原子の減少が起り
、得られる材料が紫色もしくは黒色等の着色が発生する
。しかし乍ら物性的には本発明化合物であり、着色され
た状態で使用可能である。
材料の形状が非常に薄膜化し、すべて鱗片状もしくは細
粉状となるが材料構造的には本発明の非晶質化合物材料
である。融液原料を回転ロール面上へ吹き出す雰囲気と
しては減圧下乃至高真空下、又は不活性ガス雰囲気中で
の本発明化合物の製造は可能であるが高温状態での原料
融液の還元が発生し組成原子中の酸素原子の減少が起り
、得られる材料が紫色もしくは黒色等の着色が発生する
。しかし乍ら物性的には本発明化合物であり、着色され
た状態で使用可能である。
また原料混合物をチューづ内で加熱溶融せしめるに際し
ては該混合物をすべて完全に融液化することが必要であ
る。しかし乍ら該混合物が完全に融液化する前に一部融
液化したものがノズル先端より流出してしまう恐れがあ
るため、ノズル先端を局部的に冷却して融液の流出を防
止することが好ましい。ノズルを局部的に冷却する代表
的手段はノズル先端に冷却用ガスを吹きつける手段であ
り、ガスとしてはアルj′:、J1ヘリウム、窒素等の
不活性ガスでも良いが乾燥冷圧縮空気が好ましい。
ては該混合物をすべて完全に融液化することが必要であ
る。しかし乍ら該混合物が完全に融液化する前に一部融
液化したものがノズル先端より流出してしまう恐れがあ
るため、ノズル先端を局部的に冷却して融液の流出を防
止することが好ましい。ノズルを局部的に冷却する代表
的手段はノズル先端に冷却用ガスを吹きつける手段であ
り、ガスとしてはアルj′:、J1ヘリウム、窒素等の
不活性ガスでも良いが乾燥冷圧縮空気が好ましい。
本発明に係る新規なる非晶質化合物材料は通常50〜1
0μm程度の厚さであり、非常にもろい材料である。こ
のためロール面で急冷され固体化された後できる限シ材
料に応力が加えられない状態にすることが好ましい。応
力付加となる原因に大気中でのロールの回転によシ発生
する風切り現象からくる0−ル表面空気層の大きな乱流
がある。
0μm程度の厚さであり、非常にもろい材料である。こ
のためロール面で急冷され固体化された後できる限シ材
料に応力が加えられない状態にすることが好ましい。応
力付加となる原因に大気中でのロールの回転によシ発生
する風切り現象からくる0−ル表面空気層の大きな乱流
がある。
この乱流防止は必要であり、このだめ、並びに急冷却さ
すべき溶融原料混合物と0−ル面との密着性をより良好
とするために、目切り防止用向流吹出しノズルを設置す
るか、ロール内部にファシを固定設置する。後者の場合
は、ロールの自転により0−ル表面側端部に設けられた
口径可変式の空気導入口より0−ル内部へ発生する乱流
をすい込み、ロール軸正面より排出し、0−ル表面上の
空気を0−ル内部へ移動せしめ、これにより溶融物をロ
ール面へよシ押しつけ密着させ、さらに空気の吹込み移
動により、0−ル自体をも空冷さすことが出来る。
すべき溶融原料混合物と0−ル面との密着性をより良好
とするために、目切り防止用向流吹出しノズルを設置す
るか、ロール内部にファシを固定設置する。後者の場合
は、ロールの自転により0−ル表面側端部に設けられた
口径可変式の空気導入口より0−ル内部へ発生する乱流
をすい込み、ロール軸正面より排出し、0−ル表面上の
空気を0−ル内部へ移動せしめ、これにより溶融物をロ
ール面へよシ押しつけ密着させ、さらに空気の吹込み移
動により、0−ル自体をも空冷さすことが出来る。
ま九得られる材料の寸法均一性を保持させるために0−
ル表面に回転方向とは直角に材料切断用の溝を設けてお
けば材料長さが一定寸法で切断され裁断された材料が得
られる。
ル表面に回転方向とは直角に材料切断用の溝を設けてお
けば材料長さが一定寸法で切断され裁断された材料が得
られる。
本発明のビスマス−ホウ素系化合物はその原料混合比に
より化合物の原子配列構造が大きく変化し、大別して三
つに分別される。先ず0.14≦X〈lの場合は非晶質
化合物が100チのものが、0.05≦x(0,14の
場合はδ−Bi203多結晶相少量と非晶質化合物との
混合物が、また0〈x〈0.0うではδ−Bi203と
γ−Bi2O3の多結晶相、及び(B2O3)x’ (
”203 )1−3:固溶体多結晶相を含む非晶質化合
物が得られる。いま本発明化合物の生成範囲を第1図に
示す。又0−ルの回転数の変化すなわち周速度変化範囲
が5謬/秒〜3573/秒では、各組成変化において得
られる材料の構造変化は大きく差が認められない。これ
を第2図イルQ最に示す。
より化合物の原子配列構造が大きく変化し、大別して三
つに分別される。先ず0.14≦X〈lの場合は非晶質
化合物が100チのものが、0.05≦x(0,14の
場合はδ−Bi203多結晶相少量と非晶質化合物との
混合物が、また0〈x〈0.0うではδ−Bi203と
γ−Bi2O3の多結晶相、及び(B2O3)x’ (
”203 )1−3:固溶体多結晶相を含む非晶質化合
物が得られる。いま本発明化合物の生成範囲を第1図に
示す。又0−ルの回転数の変化すなわち周速度変化範囲
が5謬/秒〜3573/秒では、各組成変化において得
られる材料の構造変化は大きく差が認められない。これ
を第2図イルQ最に示す。
尚第2図(−0は[(”203 )1−x・(B203
)jc:]に於いてXが0.25、同図(0)は14.
29で周速度17.27m/秒の場合を、同図Q〜はX
が0.33で各種の周速度の場合を示す。
)jc:]に於いてXが0.25、同図(0)は14.
29で周速度17.27m/秒の場合を、同図Q〜はX
が0.33で各種の周速度の場合を示す。
本発明で得られる材料の構造を同定する手段としてはX
線回折及び偏光顕微鏡により結晶性の有無及び構造解析
を行い、極少部分については走査型電子顕微鏡によった
。
線回折及び偏光顕微鏡により結晶性の有無及び構造解析
を行い、極少部分については走査型電子顕微鏡によった
。
後記実施例のText A 300本発明の代表的な非
晶質化合物の写真を第3図に、またTaJPt A l
6のものの走査型電子顕微鏡写真(12,000倍)
を第4図に示す。同じく第5図に示差熱分析の結果を示
す。また赤外線吸収スペクトルを第6図に示す。
晶質化合物の写真を第3図に、またTaJPt A l
6のものの走査型電子顕微鏡写真(12,000倍)
を第4図に示す。同じく第5図に示差熱分析の結果を示
す。また赤外線吸収スペクトルを第6図に示す。
尚第6図巾揃はText A 50、(0)はText
A 17のものである。
A 17のものである。
以下に実施例を示して本発明を具体的に説明する。
実施例
原料としてBt203(純度99.9チ)及びB203
(純度99.9%)を使用し、所定の配合割合にて均−
混合後、850℃にで30分仮焼せしめ、取出して放冷
後再度粉砕混合して組成物原料とし友。
(純度99.9%)を使用し、所定の配合割合にて均−
混合後、850℃にで30分仮焼せしめ、取出して放冷
後再度粉砕混合して組成物原料とし友。
この組成物原料を白金チューブ(φl Osu X長さ
150m)に充填し、誘電加熱コイル内に設置した。防
電加熱は、発振管繊条電圧13V、陽極電圧+Onへ格
子電流120〜150m、(、陽極電流1.2〜1.8
Aで行ない組成原料を融液化せしめ回転O−ル表面上
へ乾燥圧縮空気にて吹き出させ急冷せしめた。第1〜2
表に条件値及び得られた材料を示す。Te5t 41〜
20は本発明の要件を満す条件であり、Te5t A
21〜29は不適な条件である。
150m)に充填し、誘電加熱コイル内に設置した。防
電加熱は、発振管繊条電圧13V、陽極電圧+Onへ格
子電流120〜150m、(、陽極電流1.2〜1.8
Aで行ない組成原料を融液化せしめ回転O−ル表面上
へ乾燥圧縮空気にて吹き出させ急冷せしめた。第1〜2
表に条件値及び得られた材料を示す。Te5t 41〜
20は本発明の要件を満す条件であり、Te5t A
21〜29は不適な条件である。
第1図は本発明化合物の組成範囲を示す図面、第2図は
そのX線回折図、第3図はその外観写真、第一4図はそ
の走査型電子顕微鏡写真、第5図はそ)、) め゛示差熱分析図、第6図はその赤外線吸収スペクトル
を示す。また第7〜If図は本発明化合物に使用する各
種装置の一例を示す図面であり、第7図は急冷装置、第
8図はチ1−づ支持体、第9図は急冷ロールを示す。ま
た第10図は吹き出しノズルを第11図は各種のノズル
の形状を示す。 (以 上) 93 図面の浄書(内容に変更なし) 第1図 ゼ ε−B!203多鮎晶相固j容イ木オ目 オ目 え虻 態 非晶算才目 徂 広 0 比 傘 〔°l。〕 Bi□031−x’) ”20” 第 3図 時間(分) 特開昭59−8G18(9) 特開昭59−8G18(10) g8開昭59−8G18(11) 手続補正書動式) 1.事件の表示 昭和57年特 許 願第114651 号新技術開発
事業団 (ほか2名) 4、代理人 大阪市東区平野町2の10平和ビル内電話06−203
−0941(代)別紙添附の通り 被圧の内容 l 第1乃至6図を別紙の通り訂正する。 2 第7〜lieを削除する。 3 「参考図面I」及び「参考図面■」を補充する。 4 明細書中筒24頁第2〜IO行(図面の簡単な説明
の項)[第1図は・・・・・・・・・・形状を示す−と
あるを下記の通り訂正する。 「 #!1図は本発明化合物の組成範囲を示す図面、第
2図はそのX線回折図、第5図はその示差熱分析図、第
4図はその赤外線g&収スペクトルを示す。また第5〜
6図は本発明性実施に使用する各種装置の一例を示す図
面であり、第5図は急冷装置の正面図、第6図はチュー
ブ支持体の縦断面図を示す。」 (以 上) 1− 99
そのX線回折図、第3図はその外観写真、第一4図はそ
の走査型電子顕微鏡写真、第5図はそ)、) め゛示差熱分析図、第6図はその赤外線吸収スペクトル
を示す。また第7〜If図は本発明化合物に使用する各
種装置の一例を示す図面であり、第7図は急冷装置、第
8図はチ1−づ支持体、第9図は急冷ロールを示す。ま
た第10図は吹き出しノズルを第11図は各種のノズル
の形状を示す。 (以 上) 93 図面の浄書(内容に変更なし) 第1図 ゼ ε−B!203多鮎晶相固j容イ木オ目 オ目 え虻 態 非晶算才目 徂 広 0 比 傘 〔°l。〕 Bi□031−x’) ”20” 第 3図 時間(分) 特開昭59−8G18(9) 特開昭59−8G18(10) g8開昭59−8G18(11) 手続補正書動式) 1.事件の表示 昭和57年特 許 願第114651 号新技術開発
事業団 (ほか2名) 4、代理人 大阪市東区平野町2の10平和ビル内電話06−203
−0941(代)別紙添附の通り 被圧の内容 l 第1乃至6図を別紙の通り訂正する。 2 第7〜lieを削除する。 3 「参考図面I」及び「参考図面■」を補充する。 4 明細書中筒24頁第2〜IO行(図面の簡単な説明
の項)[第1図は・・・・・・・・・・形状を示す−と
あるを下記の通り訂正する。 「 #!1図は本発明化合物の組成範囲を示す図面、第
2図はそのX線回折図、第5図はその示差熱分析図、第
4図はその赤外線g&収スペクトルを示す。また第5〜
6図は本発明性実施に使用する各種装置の一例を示す図
面であり、第5図は急冷装置の正面図、第6図はチュー
ブ支持体の縦断面図を示す。」 (以 上) 1− 99
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■ CB203)! ・(B’203)1−x ’但し
l>Z>0 )の組成を有する新規ビスマス−ホウ素系
非晶質化合物。 ■ δ−BL203多結晶と上記特許請求の範囲第1項
記載の非晶質化合物との均一混合物。 ■ α−Bt203の多結晶相、β−Bt203及びδ
−B番、03の多結晶及び(B203)よ・(BL20
3)□−〇の固溶体多結晶相と上記特許請求の範囲第1
項記載の非晶質化合物との均一混合物。 ■ Xが0.14≦z(lである特許請求の範囲第1項
記載の非晶質化合物。 ■ Xが0.05≦−Z’<0.14である特許請求の
範囲第2項記載の混合物。 ■ Xがo < x < o、 05である特許請求の
範囲第3項記載の混合物。 ■ (B203″):、及び(”2o3 )i −x
(但し1〉x〉0)の混合物の溶融物を超急冷して得た
ビスマス−ホウ素系非晶質化合物、またはこれを主体と
する混合物。 ■ (B203)、27及び(”203 )1−x ’
但し1〉x〉0)の混合物を加熱溶融せしめた稜超急冷
することを特徴とするビスマス−ホウ素系非晶質化合物
の製造法。 ■ 104〜to6/ 夕#cの速度で超冷却すること
を特徴とする特許請求の範囲第8項の製造法。 0 超急冷を固体接触液体超急冷法に依り行うことを特
徴とする特許請求の範囲第8項の製造法。 ■ その底部にスリット形状本しくけ丸形、楕円形の穴
を設けた吹出しノズルを有するチューブに原料混合物を
投入し、該混合物の融点より50〜200℃高い温度に
て加熱溶融せしめた後、周速度が5m/秒〜35m/秒
で回転しているロール表面上へ吹き出して急冷せしめる
ことを特徴とする特許請求の範囲第8項の製法。 O原料混合物の溶融温度以上の高温酸化雰囲気中で安定
な材質から成シ、そのノズルの先端から原料混合物の溶
融液を所要時以外には滴下しないように冷却用ガスでノ
ズル先端部のみを冷却せしめ得るように設計されたノズ
ルを使用して超急冷を行うことを特徴とする特許請求の
範囲第8項の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57114651A JPS598618A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | ビスマス−ホウ素系非晶質化合物及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57114651A JPS598618A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | ビスマス−ホウ素系非晶質化合物及びその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS598618A true JPS598618A (ja) | 1984-01-17 |
| JPH0457609B2 JPH0457609B2 (ja) | 1992-09-14 |
Family
ID=14643135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57114651A Granted JPS598618A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | ビスマス−ホウ素系非晶質化合物及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS598618A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008210492A (ja) * | 2007-01-30 | 2008-09-11 | Ricoh Co Ltd | 光記録媒体、スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| US7897535B2 (en) | 2006-03-01 | 2011-03-01 | Ricoh Company, Ltd. | Sputtering target and manufacturing method therefor, and recordable optical recording medium |
| US8163366B2 (en) | 2004-12-15 | 2012-04-24 | Ricoh Company, Ltd. | Write-once-read-many optical recording medium |
-
1982
- 1982-06-30 JP JP57114651A patent/JPS598618A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8163366B2 (en) | 2004-12-15 | 2012-04-24 | Ricoh Company, Ltd. | Write-once-read-many optical recording medium |
| US7897535B2 (en) | 2006-03-01 | 2011-03-01 | Ricoh Company, Ltd. | Sputtering target and manufacturing method therefor, and recordable optical recording medium |
| US8124212B2 (en) | 2006-03-01 | 2012-02-28 | Ricoh Company, Ltd. | Sputtering target and manufacturing method therefor, and recordable optical recording medium |
| JP2008210492A (ja) * | 2007-01-30 | 2008-09-11 | Ricoh Co Ltd | 光記録媒体、スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0457609B2 (ja) | 1992-09-14 |
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