JPH0331653B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0331653B2 JPH0331653B2 JP58069641A JP6964183A JPH0331653B2 JP H0331653 B2 JPH0331653 B2 JP H0331653B2 JP 58069641 A JP58069641 A JP 58069641A JP 6964183 A JP6964183 A JP 6964183A JP H0331653 B2 JPH0331653 B2 JP H0331653B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vanadium
- melt
- nozzle
- raw material
- roll
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 42
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 33
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 30
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 17
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 16
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 14
- 238000010791 quenching Methods 0.000 claims description 11
- ARZRWOQKELGYTN-UHFFFAOYSA-N [V].[Mn] Chemical compound [V].[Mn] ARZRWOQKELGYTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 10
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 9
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 7
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- FKBGOUXGDAMMHP-UHFFFAOYSA-N [V+5].[O-2].[Mn+2] Chemical compound [V+5].[O-2].[Mn+2] FKBGOUXGDAMMHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000004455 differential thermal analysis Methods 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000441 X-ray spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- -1 magnetic tapes Substances 0.000 description 1
- 150000002697 manganese compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000012768 molten material Substances 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- PXXKQOPKNFECSZ-UHFFFAOYSA-N platinum rhodium Chemical compound [Rh].[Pt] PXXKQOPKNFECSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001874 polarisation spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Hard Magnetic Materials (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
本発明は、新規なバナジウム−マンガン系化合
物材料及びその製造法に関する。 近年エレクトロニクス及びその関連技術の発展
に伴つて、酸化バナジウム（V2O5）を主とする
酸化物系セラミクス及びその単結晶の研究が活発
に行なわれており、特に光−電気、音−電気、雰
囲気ガス−電気、光音偏光、Ｘ線分光等の分野に
おける変換素子材料として、又触媒材料、磁性材
料等として研究が行なわれている。V2O5と
MnO2との安定な化合物としては、数種の結晶体
について２〜３の文献に記載されているのみで、
これ等の単結晶化の研究はさかんに行なわれてい
るものの、非晶質部分を含む化合物についての研
究は行なわれていない。 本発明は、従来全く知られていない、少なくと
も一部が非晶質からなるバナジウム−マンガン系
酸化物を提供するものである。即ち、本発明は、
（V2O5）1-x・（MnO2）x（但し、0.80≧ｘ＞０）な
る組成を有する、非晶質部分を含むバナジウム−
マンガン系化合物材料、及び（V2O5）1-x・
（MnO2）x（但し、ｘは上記に同じ）に相当する
酸化バナジウムと酸化マンガンとの混合物を加熱
溶解した後、104〜106℃／秒の冷却速度で超急冷
することを特徴とする、非晶質部分を含むバナジ
ウム−マンガン系化合物材料の製造法に係るもの
である。 本発明のバナジウム−マンガン系酸化物は、磁
性材料、光応答性磁性素子、温度応答性磁性素
子、磁気メモリ材料、イオン伝導材料、磁気テー
プ、触媒、光透過性導電材料、誘電体材料、光−
電気スイツチング素子、熱−電気スイツチング素
子等として有用である。 尚、本発明においては、“非晶質部分を含むバ
ナジウム−マンガン系化合物”とは、非晶質中に
多結晶相を含む場合のみならず、非晶質単独の場
合をも包含するものとする。 本発明のバナジウム−マンガン系酸化物は、以
下の様にして製造される。 本発明において使用する原料は、酸化バナジウ
ムと酸化マンガンとの混合物であり、その組成割
合は、（V2O5）1-x・（MnO2）x（但し、0.80≧ｘ＞
０）となる量比である。上記組成比の原料混合物
を加熱溶融し、これを超急冷する。加熱溶融は、
これ等原料混合物が充分に溶融する温度以上で行
なえば良く、好ましくは溶融温度よりも50〜200
℃程度高い温度範囲特に好ましくは80〜150℃程
度高い温度範囲で加熱する。加熱時の雰囲気に対
する制限は特に無く、通常空気中で行う。次いで
原料混合物の融液を超急冷する。超急冷は本発明
方法の必須の要件であつて、これによりはじめて
非晶質部分を含む新規化合物を収得することが出
来る。超急冷は通常104〜106℃／秒程度の冷却速
度で行う。この超急冷は、上記冷却速度で冷却出
来る手段であれば広い範囲で各種の手段が採用出
来、高速回転中のロール表面上に原料混合物の融
液を噴出して液体状態の原子配置にて固化せしめ
る方法を代表例として挙げることが出来る。 以下図面を参照しつつ本発明方法の実施に際し
使用される融解原料混合物の急冷装置の一例を説
明する。 第１図は、架台１上に設置された急冷装置本体
３の正面図を示す。急冷装置は、誘電加熱用コイ
ル５、原料加熱用チユーブ７、該チユーブ７の支
持体９、融解原料噴出用のノズル１１、急冷用ロ
ール１３、ノズル１１の冷却用ノズル１５、渦流
防止エアノズル１７、ノズル１１の微調整機構１
９、エアシリンダー２１、冷却された材料の受け
箱２３、冷却材料取出口２５等を主要構成部とし
ている。冷却用ロール１３の内部に該ロール冷却
用のフアンを設置し且つロール表面側端部に空気
吹込み口を設けることにより、融解原料の急冷を
安定して行なうことが出来る。第２図は、支持体
９の詳細を示す。第２図において、支持体９は、
バルブ２７を備えた冷却水導入路２９、冷却水排
出路３１、ニードルバルブ３３を備えたブローエ
ア導入路３５、ロール１３の表面とノズル１１と
の間隔微調整機構３７及び原料融液を均一に押出
す為の整流用目皿３９を備えている。 第１図及び第２図に示す急冷装置３を使用して
本発明方法を実施する場合、まず所定組成の原料
混合物を融液吹出し用ノズル１１を有するチユー
ブ７内に収納する。このチユーブ７は、高温酸化
雰囲気状態で充分耐久性のある材質で作られ、た
とえば白金、白金−ロジウム、イリジウム、窒化
ケイ素、窒化ボロン等で作られたものが好まし
い。尚、原料融液と直接接触しない部分の材質
は、高融点のセラミツクス、ガラス、金属でも良
い。ノズル口の形状は、目的製品に応じて適宜に
決定され、たとえば細い線状材料の場合は円い形
状で、巾の広い製品の場合はスリツト状の形状の
ものを使用する。ノズル口の形状は、楕円形その
他の形状であつても良い。チユーブ７内に収納さ
れた原料混合物は、次いでその融点以上の温度に
加熱され、融液とされた後、ノズル１１の口部か
ら高速回転しているロール１３の面上に一定ガス
圧にて吹出され、ロール表面上で急冷せしめられ
る。ノズル口とロール面における原料融液の吹出
し角度は、目的化合物の巾が約３mm以下の場合は
ロール面に対して垂直で良く、またその巾が約３
mm以上の場合はロール面垂線に対して0゜〜45゜で
ある。これ等の吹出し角度調整機構は、装置自体
に所定の角度を設定可能な機構として組み込むこ
とも出来るが、好ましくはノズル自体を加工して
おくのが良い。 原料混合物の加熱方法は、特に制限されない
が、通常発熱体を有する炉、誘電加熱炉または集
光加熱炉で行う。原料融液の温度は、その融点よ
り50〜200℃好ましくは80〜150℃程度高い温度と
するのが良い。この際融点にあまり近過ぎると、
融液をロール面上に吹き出している間にノズル附
近で冷却固化する恐れがあり、逆にあまりにも高
くなりすぎると、ロール面上での急冷が困難とな
る傾向がある。 ロール面上に融液を吹き出すために使用する加
圧用ガスとしては、不活性ガスが好ましく、たと
えばアルゴン、窒素、ヘリウム等でも良いが、融
液原料を酸化状態に維持する為には、乾燥圧縮空
気が好ましい。ガス圧は、ノズル口の大きさにも
よるが、通常0.1〜2.0Kg／cm2好ましくは0.5〜1.0
Kg／cm2程度である。また原料融液を吹き出す際の
ノズル口とロール面間の距離は、0.01〜1.0mm程
度が良く、より好ましくは0.05〜0.5mm程度であ
る。0.01mmよりも小さな場合、パドル量が非常に
少なくなり、均一な材料が得られず、一方1.0mm
よりも大きい場合、パドル量が過剰になつたり、
又組成融液の界面張力により形成されるパドル厚
さ以上の場合には、パドルが形成され難くなる傾
向が生ずる場合がある。 ロールの材質は、熱伝導性の良い銅及びその合
金、硬質クロムメツキ層を有する上記材料、さら
には鋼、ステンレススチール等である。ロールの
周速度を５ｍ／秒〜35ｍ／秒、好ましくは10ｍ／
秒〜20ｍ／秒とし、原料融液を急冷することによ
り目的とする良質の非晶質部分を含む化合物材料
が得られる。この際ロール周速度が５ｍ／秒以下
の場合には、非晶質化し難い傾向が生じるので、
あまり好ましくない。ロール周速度が35ｍ／秒よ
りも大きくなると、得られる目的物材料の形状が
非常に薄膜化し、すべて鱗片状もしくは細粉状と
なるが、材料構造的にはやはり本発明の化合物材
料である。 融液原料を回転ロール面上へ吹き出す雰囲気と
して減圧下乃至高真空下、又は不活性ガス雰囲気
中で本発明化合物の製造を行なう場合には、高温
状態での原料融液の還元が発生し、組成原子中の
酸素原子の減少が起り、得られる材料に紫色もし
くは黒色等の着色が発生する。しかし乍ら、この
着色生成物も物性的には本発明化合物であり、着
色された状態で使用可能である。 原料混合物をチユーブ内で加熱溶融せしめるに
際しては、該混合物をすべて完全に融液化するこ
とが必要である。しかし乍ら、該混合物が完全に
融液化する前に、一部融液化したものが、ノズル
先端から流出してしまう恐れがあるため、ノズル
先端を局部的に冷却して融液の流出を防止するこ
とが好ましい。ノズルを局部的に冷却する代表的
手段は、ノズル先端に冷却用ガスを吹きつける手
段であり、ガスとしてはアルゴン、ヘリウム、窒
素等の不活性ガスでも良いが、乾燥冷圧縮空気が
より好ましい。 本発明に係る新規なる化合物材料は、通常50〜
10μｍ程度の厚さであり、非常にもろい材料であ
る。このためロール面で急冷され、固体化された
後、できる限り材料に応力が加えられない状態に
することが好ましい。応力付加となる原因の一つ
に大気中でのロール回転により発生する風切り現
象からくるロール表面空気層の大きな乱流があ
る。この乱流を防止するとともに急冷却すべき溶
融原料混合物とロール面との密着性をより良好と
するために、風切り防止用向流吹出しノズル即ち
第１図に示す渦流防止エアノズル１７を設置する
か、ロール内部にフアンを固定設置する。後者の
場合は、ロールの自転によりロール表面側端部に
設けられた口径可変式の空気導入口よりロール内
部へ発生する乱流をすい込み、ロール軸正面より
排出し、ロール表面上空気をロール内部へ移動せ
しめ、これにより溶融物をロール面へより押しつ
け密着させ、さらに空気の吹込み移動によりロー
ル自体をも空冷することが出来る。また得られる
材料の寸法均一性を保持させるために、ロール表
面に回転方向とは直角に材料切断用の溝を設けて
おけば、一定寸法で切断された材料が得られる。 本発明のバナジウム−マンガン系化合物は、そ
の原料混合比により化合物の原子配列構造が大き
く変化し、具体的には以下の如くに大別される。
先ず、0.50≧ｘ＞０の場合には非晶質化合物100
％のものが得られ、0.80≧ｘ＞0.50の範囲では
MnO2結晶相を含む多結晶混在非晶質化合物が得
られ、又ｘ＞0.80ではMnO2結晶相を主体とする
材料が得られる。第３図に本発明材料の生成範囲
を示す。 使用する急冷装置の急冷用ロールの周速度が、
５ｍ／秒〜35ｍ／秒の範囲内では、各組成域にお
いて得られる材料の構造自体には大きな変化は認
められない。 尚、本発明材料の構造の同定に際しては、Ｘ線
回折及び偏光顕微鏡により結晶性の有無の確認及
び構造解析を行ない、走査型電子顕微鏡により極
少部分の観察を行なつた。 以下実施例により本発明の特徴とするところを
より一層明らかにする。 実施例 １ V2O5（純度99.9％）及びMnO2（純度99.9％）を
所定の組成で配合し、均一に混合した後、850℃
で30分間仮焼して組成物原料とした。得られた組
成物原料を白金チユーブ（直径10mm×長さ150mm）
に充填し、誘電加熱コイル内に設置して、発振管
繊条電圧13V、陽極電圧10KV、格子電流120〜
150ｍＡ、陽極電流1.2〜1.8Aの条件下に誘電加熱
した。完全に融液化した原料を急冷用回転ロール
表面上に乾燥圧縮空気により吹出し、急冷させ
た。 第１表及び第２表に組成及び製造時の諸条件を
示す。第１表及び第２表中試料No.１〜22は、本発
明化合物材料を示す。尚、No.21は、ロールの回転
速度が大きいため、薄片となつているが、形状に
制約がない触媒等の分野では使用可能である。
又、No.23〜25は、比較例である。 尚、ノズル形状Ａとあるのは、0.2mm×４mmの
スリツト状ノズルを示し、ノズル形状Ｂとあるの
は径0.2mmの円形ノズルを示す。
物材料及びその製造法に関する。 近年エレクトロニクス及びその関連技術の発展
に伴つて、酸化バナジウム（V2O5）を主とする
酸化物系セラミクス及びその単結晶の研究が活発
に行なわれており、特に光−電気、音−電気、雰
囲気ガス−電気、光音偏光、Ｘ線分光等の分野に
おける変換素子材料として、又触媒材料、磁性材
料等として研究が行なわれている。V2O5と
MnO2との安定な化合物としては、数種の結晶体
について２〜３の文献に記載されているのみで、
これ等の単結晶化の研究はさかんに行なわれてい
るものの、非晶質部分を含む化合物についての研
究は行なわれていない。 本発明は、従来全く知られていない、少なくと
も一部が非晶質からなるバナジウム−マンガン系
酸化物を提供するものである。即ち、本発明は、
（V2O5）1-x・（MnO2）x（但し、0.80≧ｘ＞０）な
る組成を有する、非晶質部分を含むバナジウム−
マンガン系化合物材料、及び（V2O5）1-x・
（MnO2）x（但し、ｘは上記に同じ）に相当する
酸化バナジウムと酸化マンガンとの混合物を加熱
溶解した後、104〜106℃／秒の冷却速度で超急冷
することを特徴とする、非晶質部分を含むバナジ
ウム−マンガン系化合物材料の製造法に係るもの
である。 本発明のバナジウム−マンガン系酸化物は、磁
性材料、光応答性磁性素子、温度応答性磁性素
子、磁気メモリ材料、イオン伝導材料、磁気テー
プ、触媒、光透過性導電材料、誘電体材料、光−
電気スイツチング素子、熱−電気スイツチング素
子等として有用である。 尚、本発明においては、“非晶質部分を含むバ
ナジウム−マンガン系化合物”とは、非晶質中に
多結晶相を含む場合のみならず、非晶質単独の場
合をも包含するものとする。 本発明のバナジウム−マンガン系酸化物は、以
下の様にして製造される。 本発明において使用する原料は、酸化バナジウ
ムと酸化マンガンとの混合物であり、その組成割
合は、（V2O5）1-x・（MnO2）x（但し、0.80≧ｘ＞
０）となる量比である。上記組成比の原料混合物
を加熱溶融し、これを超急冷する。加熱溶融は、
これ等原料混合物が充分に溶融する温度以上で行
なえば良く、好ましくは溶融温度よりも50〜200
℃程度高い温度範囲特に好ましくは80〜150℃程
度高い温度範囲で加熱する。加熱時の雰囲気に対
する制限は特に無く、通常空気中で行う。次いで
原料混合物の融液を超急冷する。超急冷は本発明
方法の必須の要件であつて、これによりはじめて
非晶質部分を含む新規化合物を収得することが出
来る。超急冷は通常104〜106℃／秒程度の冷却速
度で行う。この超急冷は、上記冷却速度で冷却出
来る手段であれば広い範囲で各種の手段が採用出
来、高速回転中のロール表面上に原料混合物の融
液を噴出して液体状態の原子配置にて固化せしめ
る方法を代表例として挙げることが出来る。 以下図面を参照しつつ本発明方法の実施に際し
使用される融解原料混合物の急冷装置の一例を説
明する。 第１図は、架台１上に設置された急冷装置本体
３の正面図を示す。急冷装置は、誘電加熱用コイ
ル５、原料加熱用チユーブ７、該チユーブ７の支
持体９、融解原料噴出用のノズル１１、急冷用ロ
ール１３、ノズル１１の冷却用ノズル１５、渦流
防止エアノズル１７、ノズル１１の微調整機構１
９、エアシリンダー２１、冷却された材料の受け
箱２３、冷却材料取出口２５等を主要構成部とし
ている。冷却用ロール１３の内部に該ロール冷却
用のフアンを設置し且つロール表面側端部に空気
吹込み口を設けることにより、融解原料の急冷を
安定して行なうことが出来る。第２図は、支持体
９の詳細を示す。第２図において、支持体９は、
バルブ２７を備えた冷却水導入路２９、冷却水排
出路３１、ニードルバルブ３３を備えたブローエ
ア導入路３５、ロール１３の表面とノズル１１と
の間隔微調整機構３７及び原料融液を均一に押出
す為の整流用目皿３９を備えている。 第１図及び第２図に示す急冷装置３を使用して
本発明方法を実施する場合、まず所定組成の原料
混合物を融液吹出し用ノズル１１を有するチユー
ブ７内に収納する。このチユーブ７は、高温酸化
雰囲気状態で充分耐久性のある材質で作られ、た
とえば白金、白金−ロジウム、イリジウム、窒化
ケイ素、窒化ボロン等で作られたものが好まし
い。尚、原料融液と直接接触しない部分の材質
は、高融点のセラミツクス、ガラス、金属でも良
い。ノズル口の形状は、目的製品に応じて適宜に
決定され、たとえば細い線状材料の場合は円い形
状で、巾の広い製品の場合はスリツト状の形状の
ものを使用する。ノズル口の形状は、楕円形その
他の形状であつても良い。チユーブ７内に収納さ
れた原料混合物は、次いでその融点以上の温度に
加熱され、融液とされた後、ノズル１１の口部か
ら高速回転しているロール１３の面上に一定ガス
圧にて吹出され、ロール表面上で急冷せしめられ
る。ノズル口とロール面における原料融液の吹出
し角度は、目的化合物の巾が約３mm以下の場合は
ロール面に対して垂直で良く、またその巾が約３
mm以上の場合はロール面垂線に対して0゜〜45゜で
ある。これ等の吹出し角度調整機構は、装置自体
に所定の角度を設定可能な機構として組み込むこ
とも出来るが、好ましくはノズル自体を加工して
おくのが良い。 原料混合物の加熱方法は、特に制限されない
が、通常発熱体を有する炉、誘電加熱炉または集
光加熱炉で行う。原料融液の温度は、その融点よ
り50〜200℃好ましくは80〜150℃程度高い温度と
するのが良い。この際融点にあまり近過ぎると、
融液をロール面上に吹き出している間にノズル附
近で冷却固化する恐れがあり、逆にあまりにも高
くなりすぎると、ロール面上での急冷が困難とな
る傾向がある。 ロール面上に融液を吹き出すために使用する加
圧用ガスとしては、不活性ガスが好ましく、たと
えばアルゴン、窒素、ヘリウム等でも良いが、融
液原料を酸化状態に維持する為には、乾燥圧縮空
気が好ましい。ガス圧は、ノズル口の大きさにも
よるが、通常0.1〜2.0Kg／cm2好ましくは0.5〜1.0
Kg／cm2程度である。また原料融液を吹き出す際の
ノズル口とロール面間の距離は、0.01〜1.0mm程
度が良く、より好ましくは0.05〜0.5mm程度であ
る。0.01mmよりも小さな場合、パドル量が非常に
少なくなり、均一な材料が得られず、一方1.0mm
よりも大きい場合、パドル量が過剰になつたり、
又組成融液の界面張力により形成されるパドル厚
さ以上の場合には、パドルが形成され難くなる傾
向が生ずる場合がある。 ロールの材質は、熱伝導性の良い銅及びその合
金、硬質クロムメツキ層を有する上記材料、さら
には鋼、ステンレススチール等である。ロールの
周速度を５ｍ／秒〜35ｍ／秒、好ましくは10ｍ／
秒〜20ｍ／秒とし、原料融液を急冷することによ
り目的とする良質の非晶質部分を含む化合物材料
が得られる。この際ロール周速度が５ｍ／秒以下
の場合には、非晶質化し難い傾向が生じるので、
あまり好ましくない。ロール周速度が35ｍ／秒よ
りも大きくなると、得られる目的物材料の形状が
非常に薄膜化し、すべて鱗片状もしくは細粉状と
なるが、材料構造的にはやはり本発明の化合物材
料である。 融液原料を回転ロール面上へ吹き出す雰囲気と
して減圧下乃至高真空下、又は不活性ガス雰囲気
中で本発明化合物の製造を行なう場合には、高温
状態での原料融液の還元が発生し、組成原子中の
酸素原子の減少が起り、得られる材料に紫色もし
くは黒色等の着色が発生する。しかし乍ら、この
着色生成物も物性的には本発明化合物であり、着
色された状態で使用可能である。 原料混合物をチユーブ内で加熱溶融せしめるに
際しては、該混合物をすべて完全に融液化するこ
とが必要である。しかし乍ら、該混合物が完全に
融液化する前に、一部融液化したものが、ノズル
先端から流出してしまう恐れがあるため、ノズル
先端を局部的に冷却して融液の流出を防止するこ
とが好ましい。ノズルを局部的に冷却する代表的
手段は、ノズル先端に冷却用ガスを吹きつける手
段であり、ガスとしてはアルゴン、ヘリウム、窒
素等の不活性ガスでも良いが、乾燥冷圧縮空気が
より好ましい。 本発明に係る新規なる化合物材料は、通常50〜
10μｍ程度の厚さであり、非常にもろい材料であ
る。このためロール面で急冷され、固体化された
後、できる限り材料に応力が加えられない状態に
することが好ましい。応力付加となる原因の一つ
に大気中でのロール回転により発生する風切り現
象からくるロール表面空気層の大きな乱流があ
る。この乱流を防止するとともに急冷却すべき溶
融原料混合物とロール面との密着性をより良好と
するために、風切り防止用向流吹出しノズル即ち
第１図に示す渦流防止エアノズル１７を設置する
か、ロール内部にフアンを固定設置する。後者の
場合は、ロールの自転によりロール表面側端部に
設けられた口径可変式の空気導入口よりロール内
部へ発生する乱流をすい込み、ロール軸正面より
排出し、ロール表面上空気をロール内部へ移動せ
しめ、これにより溶融物をロール面へより押しつ
け密着させ、さらに空気の吹込み移動によりロー
ル自体をも空冷することが出来る。また得られる
材料の寸法均一性を保持させるために、ロール表
面に回転方向とは直角に材料切断用の溝を設けて
おけば、一定寸法で切断された材料が得られる。 本発明のバナジウム−マンガン系化合物は、そ
の原料混合比により化合物の原子配列構造が大き
く変化し、具体的には以下の如くに大別される。
先ず、0.50≧ｘ＞０の場合には非晶質化合物100
％のものが得られ、0.80≧ｘ＞0.50の範囲では
MnO2結晶相を含む多結晶混在非晶質化合物が得
られ、又ｘ＞0.80ではMnO2結晶相を主体とする
材料が得られる。第３図に本発明材料の生成範囲
を示す。 使用する急冷装置の急冷用ロールの周速度が、
５ｍ／秒〜35ｍ／秒の範囲内では、各組成域にお
いて得られる材料の構造自体には大きな変化は認
められない。 尚、本発明材料の構造の同定に際しては、Ｘ線
回折及び偏光顕微鏡により結晶性の有無の確認及
び構造解析を行ない、走査型電子顕微鏡により極
少部分の観察を行なつた。 以下実施例により本発明の特徴とするところを
より一層明らかにする。 実施例 １ V2O5（純度99.9％）及びMnO2（純度99.9％）を
所定の組成で配合し、均一に混合した後、850℃
で30分間仮焼して組成物原料とした。得られた組
成物原料を白金チユーブ（直径10mm×長さ150mm）
に充填し、誘電加熱コイル内に設置して、発振管
繊条電圧13V、陽極電圧10KV、格子電流120〜
150ｍＡ、陽極電流1.2〜1.8Aの条件下に誘電加熱
した。完全に融液化した原料を急冷用回転ロール
表面上に乾燥圧縮空気により吹出し、急冷させ
た。 第１表及び第２表に組成及び製造時の諸条件を
示す。第１表及び第２表中試料No.１〜22は、本発
明化合物材料を示す。尚、No.21は、ロールの回転
速度が大きいため、薄片となつているが、形状に
制約がない触媒等の分野では使用可能である。
又、No.23〜25は、比較例である。 尚、ノズル形状Ａとあるのは、0.2mm×４mmの
スリツト状ノズルを示し、ノズル形状Ｂとあるの
は径0.2mmの円形ノズルを示す。
【表】
【表】
【表】
【表】
参考例 １
（V2O5）1-x・（MnO2）xにおいてｘ＝0.50に相当
する上記実施例１の試料No.８、10、12、13及び15
についてのＸ線回折結果を第４図に示す。急冷用
ロールの周速度が5.18ｍ／秒（No.８）から34.54
ｍ／秒（No.15）の範囲内で得られた材料の原子配
列構造には、大きな変化がないことが明らかであ
る。 参考例 ２ （V2O5）1-x・（MnO2）xにおいてｘ＝0.66に相当
する上記実施例１の試料No.７の示差熱分析結果を
第５図に示す。 第５図において、Tcは結晶化温度、Tgはガラ
ス転位点、mpは融点を夫々示す。 参考例 ３ （V2O5）1-x・（MnO2）xにおいてｘ＝0.66に相当
する上記実施例１の試料No.７の外観を示す写真を
参考図面として示す。 参考例 ４ 上記実施例１の試料No.７の走査型電子顕微鏡写
真（20000倍及び880倍）を夫々参考図面及び
として示す。 参考例 ５ （V2O5）1-x・（MnO2）xにおいてｘ＝0.50に相当
する上記実施例１の試料No.８の赤外線吸収スペク
トルを第６図として示す。
する上記実施例１の試料No.８、10、12、13及び15
についてのＸ線回折結果を第４図に示す。急冷用
ロールの周速度が5.18ｍ／秒（No.８）から34.54
ｍ／秒（No.15）の範囲内で得られた材料の原子配
列構造には、大きな変化がないことが明らかであ
る。 参考例 ２ （V2O5）1-x・（MnO2）xにおいてｘ＝0.66に相当
する上記実施例１の試料No.７の示差熱分析結果を
第５図に示す。 第５図において、Tcは結晶化温度、Tgはガラ
ス転位点、mpは融点を夫々示す。 参考例 ３ （V2O5）1-x・（MnO2）xにおいてｘ＝0.66に相当
する上記実施例１の試料No.７の外観を示す写真を
参考図面として示す。 参考例 ４ 上記実施例１の試料No.７の走査型電子顕微鏡写
真（20000倍及び880倍）を夫々参考図面及び
として示す。 参考例 ５ （V2O5）1-x・（MnO2）xにおいてｘ＝0.50に相当
する上記実施例１の試料No.８の赤外線吸収スペク
トルを第６図として示す。
第１図は、本発明方法において使用される融解
原料の急冷装置の一例の正面図、第２図は、第１
図の急冷装置の一部拡大詳細図面、第３図は、本
発明材料の組成範囲を示す図面、第４図は、本発
明材料の若干のＸ線回折図面、第５図は、本発明
による一材料の示差熱分析図、第６図は、本発明
による他の一材料の赤外線吸収スペクトルを夫々
示す。 １……架台、３……急冷装置本体、５……誘電
加熱用コイル、７……原料加熱用チユーブ、９…
…原料加熱用チユーブの支持体、１１……融解原
料噴出用ノズル、１３……急冷用ロール、１５…
…ノズル１１の冷却用ノズル、１７……渦流防止
エアノズル、１９……ノズル１１の微調整機構、
２１……エアシリンダー、２３……冷却された材
料の受け箱、２５……冷却材料取り出口、２７…
…バルブ、２９……冷却水導入路、３１……冷却
水排出路、３３……ニードルバルブ、３５……ブ
ローエア導入路、３７……ロール１３とノズル１
１との間隔微調整機構、３９……整流用目皿。
原料の急冷装置の一例の正面図、第２図は、第１
図の急冷装置の一部拡大詳細図面、第３図は、本
発明材料の組成範囲を示す図面、第４図は、本発
明材料の若干のＸ線回折図面、第５図は、本発明
による一材料の示差熱分析図、第６図は、本発明
による他の一材料の赤外線吸収スペクトルを夫々
示す。 １……架台、３……急冷装置本体、５……誘電
加熱用コイル、７……原料加熱用チユーブ、９…
…原料加熱用チユーブの支持体、１１……融解原
料噴出用ノズル、１３……急冷用ロール、１５…
…ノズル１１の冷却用ノズル、１７……渦流防止
エアノズル、１９……ノズル１１の微調整機構、
２１……エアシリンダー、２３……冷却された材
料の受け箱、２５……冷却材料取り出口、２７…
…バルブ、２９……冷却水導入路、３１……冷却
水排出路、３３……ニードルバルブ、３５……ブ
ローエア導入路、３７……ロール１３とノズル１
１との間隔微調整機構、３９……整流用目皿。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ （V2O5）1-x・（MnO2）x（但し、0.80≧ｘ＞
０）なる組成を有する、非晶質部分を含むバナジ
ウム−マンガン系化合物材料。 ２ 0.50≧ｘ＞０である特許請求の範囲第１項の
バナジウム−マンガン系化合物材料。 ３ 0.80≧ｘ＞0.50である特許請求の範囲第１項
のバナジウム−マンガン系化合物材料。 ４ 酸化バナジウムと酸化マンガンとの混合物を
加熱溶解した後、融解物を104〜106℃／秒の冷却
速度で超急冷することを特徴とする、（V2O5）1-
ｘ・（MnO2）x（但し、0.80≧ｘ＞０）なる組成を
有する、非晶質部分を含むバナジウム−マンガン
系化合物材料の製造法。 ５ 原料融解物を固体に接触させることにより超
急冷する特許請求の範囲第４項のバナジウム−マ
ンガン系化合物材料の製造法。 ６ スリツト状、円形又は楕円形の吹出し口を設
けたノズルを備えた加熱用チユーブに原料混合物
を投入し、該混合物の融点よりも50〜200℃高い
温度で加熱溶融させた後、５ｍ／秒〜35ｍ／秒の
周速度で回転するロール表面上に上記ノズルを経
て該融解物を吹き出して超急冷させる特許請求の
範囲第４項又は第５項に記載のバナジウム−マン
ガン系化合物材料の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58069641A JPS59195537A (ja) | 1983-04-19 | 1983-04-19 | バナジウム―マンガン系化合物材料及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58069641A JPS59195537A (ja) | 1983-04-19 | 1983-04-19 | バナジウム―マンガン系化合物材料及びその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59195537A JPS59195537A (ja) | 1984-11-06 |
| JPH0331653B2 true JPH0331653B2 (ja) | 1991-05-08 |
Family
ID=13408683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58069641A Granted JPS59195537A (ja) | 1983-04-19 | 1983-04-19 | バナジウム―マンガン系化合物材料及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59195537A (ja) |
-
1983
- 1983-04-19 JP JP58069641A patent/JPS59195537A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59195537A (ja) | 1984-11-06 |