TW200813425A - Water quality evaluation method and substrate contacting apparatus used by water quality evaluation method - Google Patents

Description

200813425 九、發明說明· 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於一種運用在半導體、曰。 產業令可較好地使用的超純水的水質坪2a曰等電子材料的 於一種對以下情形較好的評估方法，、=f法，尤其是關 半導體晶圓等基板接觸而對該基板P矣猎由使超純水與 超純水的水質。又，本發明是關於— 使用的基板接觸器具。 貝孑估方法所 【先前技術】 ^==内所使用的超純水是在清潔步驟的最後 Π代表的基板表面的清潔度。因:二二= 中所含有的所有雜質。=二if力， 分析裝置來分析赶;^日 x可使用筮敏度鬲的 妙木刀析赵说！的水中雜質的技術。 出現下述事^年^ I ^半導體製品性能的急速提高，而 分析的超純水來進^更使用已明確進行了超微量的雜質 存在下述問Ϊ 亦無法滿足製品的品質標準。 機物之種軸多〜4該半導體製品的可能性較高的有 ng/L級、超微旦以確定’而且超純水所含有的量亦為 質。又，即便=且小於等於分析下限值，故難以把握水 形，當成為例如^物質僅以極微量存在於超純水中的情 :共存物質的影響而容易地附著於基板 6 200813425 ΪΪ:、隹則，驗有不良影響，但即便對超純水本 地進行水質評估。 …、清週田 =解決此_題，業界開發了下述水f評估法，即， 精由使半料g _基板與被評估水接觸❿使 的雜質附著於該基板，並分析該基板表面_著物、= ^谷析附者物並分龍躲、或者分㈣板表面的變化 #，由此對被評估水的水質進行評估。 例如，日本專利特開麵―规州號中，揭示有利用 王反射螢光X射線分析來檢_著於基板表面的金屬。 ^日,本=特開鹰5—2_號中，揭示有利用傅立葉 ^換紅外線吸收光譜法（Fourier Transfom 厂麵吻’酿）或熱脫附氣相層析法（Thermai rZTZ G：S Chr〇mat〇g^ Spectr〇meter， dgcms)，來檢顧著於基板表面的有機物。 旦，鄉根方法，可實際把握被評估水對基板的 心音’亦可耩此確疋影響基板的被評估水中的雜質。 再者’上述日本專利特開2001—施748號以及日本專 接d’:27:0號中’將基板收容於保持容器(基板 =y 保持容11内通人被評估水而使被評 基板接觸後，自簡容器取出基板，將該基板放入 岔閉容器且搬送至分鍵置所在之處，來進行分析。 I專利文獻1】日本專利特開2〇〇1_2〇8748號 【專利文獻2】日本專利特開2〇〇5 —274_號 7 200813425 上述曰本專利特開2〇〇] — 開购號的許估方法中，為了 出基板時空氣中的雜質附著 ^持容器取 類形成有潔淨的氣_境之場所實行二潔淨室此 驟，或者於此場所附近實行。 ”、态通水的步 基板收容於容器二打開保持容器而將 步驟基；二外’在任- 保持容二：:：至内將基板收容於保持容器内後，於將 上:=:r::置水=接觸， 估水時、進而在通水停止 二，谷益内通入被評 狀態下將該保持容哭H:在保‘容器内收容有基板的 保持容器内的基板；：氣器所處之位置時等，使 分析儀器所户之ϋί 析需要高精確度的儀器，且 後將保持容:移:至該:::二:,被評估水與基板接觸 或該分析儀wil儀㈣處之場所要花費時間， 間保持於保;容器内而_ 為密閉狀態較為理想。 了將雜持容器長時間維持 容器再ΐ仍將内部維持在充分的真空度的保持 基板的表“ t乳與保持容器内的基板接觸，從而 果為，益法確美f中的污染物、氧而產生變化。其結 、確基板的表面狀態的變化是由被評估水而

200813425 引起，還是由與大氣的接觸而引起。又 ，，水的接觸而變化，而且基板的 進—步變化’則難以高精確度地 “ 例如，有下述影響 '，若氨（amm〇nia) ，質存在於被評估水中，則由於崎 ，ί而進—步大氣與基板表面接觸時ϋ 某板^开^附者於基板表面’或者由於大氣中的氧而於 土板表面形成氧化膜，該凹凸的高度變小。 【發明内容】 本發明為了解決上述先前的問題， I對被評估水的水質進行高精確度地評估的水=估I /以及此水^[ 5f估方法所使用的基板接觸器具。 本4月的水貝„平估用的基板接觸器具是於内部收容基 反’且可使絲板與被評估水接觸，其概在於，將其内 部維持在以真空度表示的小於等於_GG94 Mpa。 本發明的水質評估方法的特徵在於，將基板收容於上 ^本發明的基板接_翻，向該基板接_具内通入被 «平估水而使之與基板接騎，停止通人被評估水，密閉該 基板接_具的内部並將該基板接觸器具搬送至分析設 備’此後，自該基板接具_出基板，败基板的表 面狀態以對被評估水的水質進行評估。 本發明的水質評估方法中，該基板表面狀態的測定是 200813425 指測定該基板表面的凹凸。 本發明的水質評估方法中，使用掃插 測定該基板表面的凹凸。 衣斜頦微鏡，來 本發明的水質評估方法中，該掃插探 力顯微鏡。 破鏡疋原子 本發明的水質評估方法中，該基板表面 η 指測定附著或生成於該基板表面的物質。"疋疋 本發明的水質評估方法中，❹螢光以線分析 (u〇rescence x-ray analysis)、氣相層析質譜分析（糾s chromatograph-mass spectrometry)或歐傑電子光譜分析 (Auger Electron Spectroscopy Analysis )，來測定附著或生 成於該基板表面的物質。 [發明的效果] 本發明的水質汗估用的基板接觸器具，具有可將内部 維持為小於等於-0.094 MPa的真空度的高密閉性能。因 此，可充为防止大氣（外界氣體）侵入該基板接觸器具内 而與基板接觸。 再者，本發明中，所謂真空度是指大氣壓與基板接觸 器具内部的氣Μ差（用計示壓力（gaUge pressure)來表 示）。亦即，當基板接觸器具内部的氣壓與大氣壓相等時， 真空度為0 MPa ;當該基板接觸器具内部為完全的真空狀 態時，真空度為-0.1013 MPa。因此，該真空度是以〇〜 -〇· 1013 MPa的範圍内的值來表示的。 然而，於測定該真空度時，可能會由於所使用的真空 200813425 栗而產生差異，因此於本發明中，使用到達真空度為 -0.1012MPa、排氣速度為2〇NL/min的真空泵，來對基板 接觸器具的内部進行真空吸引。 本發明的水質評估方法中，將基板收容於上述本發明 的基板接觸器具内，向該基板接觸器具内通入被評估水而 • 使之與基板接觸後，停止通入被評估水，密閉該基板接觸 • 器具的内部並將該基板接觸器具搬送至分析設備，此後， 自職板接_具魄綠板，測絲㈣表面狀態，對 被^估水的水質進行評估。因該基板接觸器具如上所述具 有南密閉性能，故使被評估水與基板接觸後，可防止或大 幅抑制大氣侵入該基板接觸器具内而與基板接觸。因此， 基板完全或幾乎未受大氣影響，藉此可高精確度地對被評 水質進行評估（败被評估水中的金屬或有機物的 存在量）。 A本i明中，車父好的疋，基板的表面狀態的測定是指測 疋該基板表面的凹凸。 •，該基板表面的凹凸可使用掃描探針顯微鏡來進行詳細 =技。該掃描探針顯微鏡尤其好的是原子力顯微鏡(Atomic • force Microscopes ;以下稱為 AFM)。 桊發明中 签微衣卸狀您的測定亦尨 , 或生成於該基板表面的物質。 “ 析附rifi於該基板表面的物質可使用螢光χ射線' ί實譜分析、或歐傑電子光#分析來測定。 11 200813425 以下1 ^圖式’就本發明的實施形態加以說明。 圖1疋貫施形態的水質評估方法所使用的基板接觸器 具的，剖面圖，圖2是該基板接觸器具的底盤的立體圖， 圖3疋向該基板接觸裔具通水的通水系統概略圖，圖*是 用以進打該基板朗器制㈣性測試_氣系統概略 • ® ’ ® 7是表示實齡m及比較懒測定結果的圖 • 表’ ® $疋用輯行向縣板接顧、具注人有機物的測試 的通水系統概略圖，目9是表示基板表面的凹凸的測定 • 與注人總錢碳（T_ 〇柳ie Ca-n，TOC)量之相關 關係的圖表。 _ [水質評估用的基板] 本發明的水質評估方法所使用的基板，較好的是，自 η型石夕、p型⑦或轉結晶的任—種結晶塊以傾斜於該結晶 塊的（001)面的角度所切出的矽晶圓。所切出的矽晶二 傾斜角度較好的是，處於相對於上述（〇〇1)面偏向（〇ιι) 方向3〜5。的範圍内。例如，若使用4。〇任型碎晶圓，則可 • 於使石夕結晶整體暴露的狀態下進行評估，故可進行更嚴格 的評估。 ° [基板接觸器具10] 本貫施形,％的基板接觸器具10具備容ϋ本體Ή，該 容器本體11包括：具有於上表面收容基板1的圓形凹處 12a的底盤12，及封閉該凹處12a的上蓋13。於上蓋η 的巾央附近，設有肋向該贿12a内供給被評估水皿 純水）的給水口 14。於凹處12a的底面中央附近，嗖有用 12 200813425 以自該凹處12a内排出被評估水的排水口 15。 示自底盤12下表面向下方豎立設置的腳。再者，^美板 = = =:水平面上時，該腳12b支持該i板 接觸為具10以使之大致水平。 給水管16與該給水口 14連接，且排水管17 ⑼連接。該給水管16的上游侧分岔為導人管 兩支路。再者，本實施形態中，該導人管18愈導出 二19以使各自之軸心線大致為—直線狀的方式而於相反 ^向上延伸’給水管16於與導人管18及導出管19大致正 乂的方向上延伸，然而，若導入管18與導出管19分分 ^路，則亦可不為-直線狀。又，本實施形態中，^ 吕17自排水口15向下方延伸出後，自中途向大致 向彎折，但亦可向下方徑直延伸。 _ 於該導入官18、導出官19以及排水管17的延伸方 的中途部，分別設有開M 2G、21、22。本實施形態中， 該開關閥20〜22均由封閉時密閉性高的球閥而構成二 本實施形態中，上蓋13、給水管16、導入管18、、首 出營19以及各開關閥20、21的閥室2〇a、2la構成為一， 列整體。又，底盤12、排水管17以及開關閥22的閥室 亦構成為U整體。然而，若可充分確保此等構件a 接部的密閉性，則亦可分別另外構成。 自超純水供給用配管1經由開關閥2分出用以向美 接觸器具10供給被評估水的取樣管3。該取樣管3藉二= 200813425 ㈣用帶固定或擰人等方式喊管接頭 管3以及管接頭4而構成被評估水供給用配t由…t 攻（2 8 ί 3的連接口 18 &之内周面形成有内螺 ㈣端外周，形成有螺合於該 入ί、、! Λ ^文4 a。管細4以可拆卸的方式螺合於該導 l18a。如上所述，藉由擰人來連接導入管 及5接頭4，由此兩者之連接部的密閉性變良好。 之連s mi之連接口i9a以及排水管17下游側 :7a，刀別連接有將該導出管19以及排水管” 之抓出水¥入排水系統的排水用配管5、6。 =等配管5、6與導出管19以及排水管17:各‘接： 19a、17a。亦即，於該連接口 19a、17&的内 ，紋々(省略符號）’於配管5、6的上游端外周分卿成有 與此等内螺紋螺合的外軌5a、6a。_配管5、

可拆卸的方式螺合於各連接口 19a、17a。 V 然而，由於此等配管5、6為排水側，各配管5、 f連接口 19a、17a的連接並不是非常須要考慮氣密性。因 ^ ’各配管>5、6與各閥2卜22的連接亦可不藉由捧入= 声、現。上述管接頭4與目20的連接亦並非必須藉由擰 實現，但由於管接頭4及閥2(M立於給水侧，故較好…f 密性高的擰入式。 阿^氧 上述底盤12的圓形凹處的内徑充分大於需保 基板W的直徑。於凹處12a的底面上，在圓周方向^的 相等間隔而隆起設有多條（本實施形態㈣3條）玫^開 200813425 脊（ridge) 24，以作為某拓 24在凹處12a的半狎^上 的保持機構。各放射狀脊 基板W是以板朝的j 等放射狀脊24上。於^脊方式而大致水平地保持於此 台25，該階梯形支持25 =之外端部上設有階梯形支持 26。階26的階差是^有载置基板W的邊緣部的階 24之延伸方向中;厚度相對應。又，於各脊 板w的半徑方向中^下表=27，該支持部27支持基 自底盤12的上表面，突_ 多個突起…該_ 23 上蓋置的 大致相等間隔而配置的。於上罢二周方向上空開 起23卡合的凹部（省略圖示^ 有此等突 芸y付就28b表不用以將兮μ 现13固疋於底盤12的擰入雜如的螺检孔。”上 [基板接觸器具10的密閉性能評估測試] 試的t力=的紐翻轉1G_能評估夠 如圖4所示，將與真空泵30相連的吸引管31連 導入官18的連接口 18a。本發明中，使用到達真空度為 -〇.1012MPa、排氣速度為20NL/min的真空泵，直 空泵30。於該吸引管31的中途部設有用以測定基板接^ 器具10内的氣壓的壓力計32。 將上蓋13覆蓋於底盤12上並加以固定（密閉）後 關閉導出管19以及排水管Π的各開關閥21、22,打開導 入管18的開關閥20，於該狀態下使真空泵30動作，^讀 15 200813425 具Η)的内部進行真空吸引。再者’當該基板接 觸益具10内部的氣壓下降實質上停止時，算出壓 2置值與大氣壓之差，求出基板接觸器具10内的到達真 009= ㈣絲接魅具1G巾，其猶衫度小於等於 • MPa，更好的是小於等於_〇1〇1庸&。 、 [超純水的水質評估順序] 次，就使用該基板接觸11具1G對超純水的水質進杆 #估的順序加以說明。 、、仃 首先，於凹處12a内配置基板w 认 =2f且用螺㈣固定。其次，如圖3;= = ===被評估水供給用的取樣f 3連接二 =口 ”。又，將排水用配管5、6連 ；

及排水官17的各連接〇 19a、17a。 y M =打開輯管3_„2以及導人f i8及 、e々口開關閥20、2卜使被評估水於該媒'、 導出管19内流過，使此等管變清潔。…、s以及 繼而’打開排水管17的開關閥22 基板接觸器具1()内（凹處12 水通入

接觸。 便破砰估水與基板W

At此時，固定導入管18側的開關閥20的門* 恶下調節導出管19侧的開關閥21的開产，、=，於該狀 估水的流速。再者，亦可考慮到，藉由調^墓错此調節被評 開關閥20白勺開度來調節被評估水^流速，P作^J1 y則的. 16 200813425 貝 =H t ΐ ‘作閥時各部的摩擦等而使閥結構材料溶出至 夺二广，或微粒子混入被評估水中。對此，當調|々導 出ΐ 9側的開關閥21的開度而調節被評估水的流速、， 即料自開關閥2"容出至被評估水中或微粒子混 入被砰估材’但祕制關21位 侧，故不會污染供給於基板接觸轉㈣^ 6的下游 夂閥向2基2=器”内通入被評括水預定時間後，關閉 =him束料水，並且㈣絲板接觸 ， 円尨而，自連接口 ISa取下管接頭4〇 狀能著在基板_11具10内收容有基板w的 而咖備。繼 10 w，w „" [基板W的表面狀態的測定方法] 而產ί='===ϊ’有因與被評估水接觸 r物的測定、一::表== (1)基板W表面的凹凸的測定 基板表面的凹凸可使用原子Λ 編露-，Α間、掃描穿(A-i-繼 Mic露ope，STM )、磁力顯 ^ ( — Tiding

Microscope ^ MFM) 較好的是使用AFM。 孓進仃測疋。其中， 17 200813425 接 式已知有非接觸模式⑽—福

Mode )、接觸极式（C_et M〇de )、以及

Mode) 3種模式，可採用任意模式.，其中，匕二= 損傷基板、且_能力高，故較好。 式不a 基板表面凹凸的測定指標可列舉. 差（= 基tr㈣⑽叫之間的高低 凹凸的高低差的平均值他， ⑷基板表面凹凸的均方根粗經度（r 其中既可利用1個指標來進行評估 2個以上指標來進行評估。 」、、且口 2個或 ⑵附著於基板w表面的附著於 面的氧化膜的測定 I狀暴扳W表 基板W表面_著物的測定+，縣板w有不良与 響的所有物質均為對象，代表性物質可列舉金屬（Na、^ 〜人卜^心抓⑹以及有機物仏種胺一 聚苯乙稀磧酸（p〇lystyrenesulfbnie Add > 等）。 附著於基板W表面的附箸物可使㈣ 析、氣相層析質譜分析或歐傑電子光譜分析來進行測定: 螢光X射線分析適於敎附著於基板w表面的金屬 相層析質譜分析適於測定有機物，歐傑電子光譜分析二 ㈣定金屬'有機物兩者1 ’歐傑電子光譜分析亦可用 於測定生成於基板W表面的氧化膜。 測定附著於基板w表面的附著物時，既可直接測定基 18 200813425 板w上的附著物，或者亦可暫且溶析而回收附著物，對該 溶析液進行分析。 然而，亦可利用除上述以外的測定方法來分析基板w 的表面狀態。 [使用基板接觸器具10的水質評估方法的效果]

―七本發明的使用基板接觸器具10對被評估水的水質進 平，的方法中’該基板接觸器具10具有可將内部維持為 =等於-_4 MPa的真空度的高密閉性能，因此，向收 基板W的基板接觸II具1Q内通人被評估水而使該被 與？板％接觸後’可防止或大幅地抑制大氣侵入該 ::又大氣影響。其結果為’可高精確度地對被評估 旦7錢行職（測定被評财中的金屬或有機物的存 能進ΐ二發日种’對與被評估水接觸的基板w的表® 故可實際把難魄水聽板W的影響( 生成ί)面的凹凸的形成、污染物質的附著、或者氧化靡 +亦即，例如，於歸物f雖仙減量存在於被詞 =中’但由於共存物f的影響而對基板w帶來不良景 ^、兄對丨被·^水的水f直餘行分析時树無法把握^ =况，但糾實際分析基板w的表面㈣，可把握 //U ° 即便因濃度小於 又，例如，被評估水的水質分析中， 19 200813425 寻於測疋下限值等理由，而無法測^形成該凹凸的物質， 甚至該物質為未知物f，但若可對絲w表面的凹凸 測疋，則亦可對被評估水的水質進行評估。 [實施例] 明 以下，芩知、貫施例以及比較例，進一步詳細說明本發 [實施例1、2以及比較例η

實施例1 。於到達真空度為_0·〇94 MPa的基板接觸器具内收容Si j圓作為基板，依照上述實施形態的順序，向該基板接觸 器具$通入超純水而使該超純水與si晶圓接觸後，關閉各 閥而停止通水，使該基板接觸器具内為密閉狀態。此後， 於在該基板接觸器具内收容有Si晶圓的狀態下保管。保管 時的外界氣體溫度為2,5°C。 於通水停止後第1天、第2天以及第3天，分別測定 形成於Si晶圓表面的凹凸中最高部分與最低部分之間的 南低差（Rmax)。將該測定結果示於圖5。 實施例2 於到達真空度為-0.101 MPa的基板接觸器具内收容Si Μ圓並通入超純水，除此以外與實施例1相同，對通水停 止後第1天、第2天以及第3天的Si晶圓表面的Rmax進 行測定。將該測定結果示於圖5。 比較例1 於到達真空度為_0.090 MPa的基板接觸器具内收容Si 20 200813425 日日圓，通入超純水，除此以外與實施例 1相同，對通水停 止後第1天、第2天以及第3天的Si晶圓表面的Rmax進 行測定。將該測定結果示於圖5。 [實施例3、4以及比較例2] 實施例3 與貫施例1相同，於到達真空度為-0.094 MPa的基板 接觸$'具_容Si晶m ’向該基板接觸器具内通入超純水

後’使，基板接觸!I具内為密閉狀態，於在該基板接觸器 具内收容有Si晶圓的狀態下保管。保管時的外界氣體溫度 為 25〇C。 於通水停止後第3天，利用TD-GC/MS (thermal desorption-Gas Clir〇mat〇graph/Mass Spectr〇metry，熱脫附 -氣相層析/質譜儀）測定喊於si晶圓表面的有機物 將結果示於圖6。再者，於圖6中亦-倂表示通水停 立即測SP付著於Si晶圓表面的有機物量的結果。 實施例4 曰於到達真空度為-〇.1〇1跑的基板接觸器具内收容別 晶圓並通人超純水，除此以外與實施例3相同，對1 ==。圓表面的附著有機物量進行測定懒 比較例2

於到達真空度為MPa的基板接觸器具 晶圓並通人超純水，除此以外與實施例3相同 U 止後第3天的Si晶圓表_附著有機物量崎測定嘴: 21 200813425 測定結果示於圖6。 [實施例5、6以及比較例3] 實施例5 與實施例1相同，於到達真空度為-0.094 MPa的基板 接觸器具内收容Si晶圓，向該基板接觸器具内通入超純水 後’於在該基板接觸器具内收容有Si晶圓的狀態下密閉保 管。保管時的外界氣體溫度為25°C。

通水停止後第3天，利用全反射螢光X射線測定附著 於Si晶圓表面的ca量。將結果示於圖7。再者，於圖7 中亦一倂表示通水停止後立即測定Si晶圓表面的附著Ca 1的結果。 實施例6 於到達真空度為_〇·1 〇 1 MPa的基板接觸器具内收容Si 晶圓並逍入超純水，除此以外與實施例5相同，測定通水 ^止後第3天的Si晶圓表面的附著ca量。將該測定結果 示於圖7。 、° 比較例3 於到達真空度為-0.090 MPa的基板接觸器具内收容& 日除此以外與實施例5相同，測定通水1 : 弟天的Sl曰曰圓表面的附著Ca量。將該測定結 不於圖7。 、、口衣 自圖5〜目7柄，若是具有到達真空度小於 -0.094 MPa的高密閉性的基板接觸器具，則停止通綿 水後，即便時間流逝心圓的表面狀態（凹凸的大小= 22 200813425 及附者有機物以及附著金屬之量） 程度小，故可將基板保管於基板接觸器1=變化 [基板表面凹凸的測^值與被長咏間。 相關關係] 、”水中的有機物量之

使用圖8的給水系統，調查血 面的凹凸的測定值與被評估水ΐ的有機物1接f的基板表 給水系統中，於超關係。 路40的上游側，自有機物槽 、水）的給水管 系化合物）。於給水管路4G的中有而機1 人有機物（胺 游側）設有管路混合器43。巧點的下 水管路40八糸-古改 7 s路此合益的下游侧，給 g 刀為—支—支與基板接觸器具10連接， 另一支路與TOC計連接。 牧 ▲使用該給水系統，調整泵42之吐出量以使以機 而稍超m人的toc量為0.1蛛、⑽75挪、〇二 =L以及〇.G25蛛’並將超純水分騎人基板接觸器具 。將各注入TOC量的超純水通入後的基板表面凹^ 曰Rmax)的測定結果示於圖9。又，亦將以各注入t〇c 里通水時的TOC計的測量值示於圖9。 旦如圖9所示，即便注入T0C量增加，了〇€：計44的測 量值亦未必一定隨之增大，測量精確度不太高，對此，基 板表面凹凸（Rmax)的測定值幾乎與注入t〇c量的增加 成比例增大，如實地反映了注入TOC量。由此可知， 由測定基板表面的凹凸來把握被評估水對基板的影響。曰 :【圖式簡單說明】 曰 23 200813425 圖1是實施形態的水質評估方法所使用的基板接觸器 具的縱剖面圖。 圖2是基板接觸器具的底盤的立體圖。 圖3是向基板接觸器具通水的通水系統概略圖。 圖4是用以進行基板接觸器具的密閉性能測試的排氣 系統的概略圖。 圖5是表不實施例以及比較例的測定結果的圖表。 圖6是表示實施例以及比較例的測定結果的圖表。 圖7是表示實施例以及比較例的測定結果的圖表。 圖8是用以進行對基板接觸益具注入有機物的測試的 通水系統概略圖。 圖9是表示基板表面凹凸的測定值與注入TOC量之相 關關係的圖表。 【主要元件符號說明】 1 ··配管 2 :開關閥 3 :取樣管 4 :管接頭 4a、5a、6a :外螺紋 5、6 :酉己管 10 :基板接觸器具 11 :基板接觸器具本體 12 :底盤 12a :凹處 24 200813425 12b ··腳 13 ··上蓋 14 :給水口 15 :排水口 16 :給水管 ^ 17 :排水管 , 17a、18a、19a ··連接口 18 :導入管 _ 19 :導出管 20〜22 :開關閥 20a、21a :閥室 23 :突起 24 :脊 .25 :支持台 26 :階 27 :支持部 φ 28a ··螺栓 28b :螺栓孔 30 :真空泵 31 ··吸引管 — 32 :壓力計 41 :有機物槽 42 :泵 43 ··管路混合器 25 200813425 44 : TOC 計 W :基板

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Claims (1)

1. 200813425 十、申請專利範圍： 1:-種水f評估料基板接觸器具，可㈣部收 板，亚使該基板與被評估水接觸，其特徵在於. 土 MPa將該内部維持在以真空度表示的小於等於-0.094 申4利種估方法’其特徵在於，將基板收容於如 明專利耗圍弟1項所述之基板接觸器具内，將被評 通入，基板接_具使之與基板接觸後，停止通人被評= t 基板接觸器具的内部，並將該基板接觸器具搬 ，至/刀析设備，此後，自該基板接觸器具内取出基板，測 定基板的表面狀態以對被評估水的水質進行評估。 Μ 3·如申凊專利範圍第2項所述之水質評估方法，其特 徵在於該基板的表麟態_定是_定該基板表面的: 凸。 仙4·如申印專利範圍第3項所述之水質評估方法，其特 徵在於使用掃描探針顯微鏡，來測定該基板表面的凹/凸。 山5·如申請專利範圍第4項所述之水質評估方法，其特 被在於該掃描探針顯微鏡是原子力顯微鏡。 ' 6·如申請專利範圍第2項所述之水質評估方法，其特 徵在於該基板的表面狀態的測定是指測定附著或生成於該 基板表面的物質。 ' 7.如申請專利範圍第6項所述之水質評估方法，其特 徵在於使用螢光X射線分析 、氣相層析質譜分析或歐傑電 子光譜分析’來測定附著或生成於該基板表面的物質。 27