JP2000269286A - 半導体基板の欠陥位置特定方法 - Google Patents

半導体基板の欠陥位置特定方法

Info

Publication number
JP2000269286A
JP2000269286A JP11070433A JP7043399A JP2000269286A JP 2000269286 A JP2000269286 A JP 2000269286A JP 11070433 A JP11070433 A JP 11070433A JP 7043399 A JP7043399 A JP 7043399A JP 2000269286 A JP2000269286 A JP 2000269286A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
defect
defects
semiconductor substrate
evaluation device
coordinate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11070433A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Matsushita
下 宏 松
Youko Toyomaru
丸 陽 子 豊
Norihiko Tsuchiya
屋 憲 彦 土
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Toshiba Electronic Device Solutions Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Microelectronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Toshiba Microelectronics Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP11070433A priority Critical patent/JP2000269286A/ja
Priority to US09/525,943 priority patent/US6320655B1/en
Publication of JP2000269286A publication Critical patent/JP2000269286A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers

Abstract

(57)【要約】 【課題】 欠陥の位置の特定を精度良く行うことを可能
にする。 【解決手段】 半導体基板上に少なくとも３個の基準点
を形成するステップと、半導体基板の欠陥を評価する第
１の評価装置を用いて半導体基板の前記基準点および欠
陥を検出し、これらの基準点および欠陥の第１の評価装
置の座標系における座標値を測定するステップと、半導
体基板の欠陥を評価する第２の評価装置を用いて半導体
基板の基準点を検出し、これらの基準点の第２の評価装
置の座標系における座標値を測定するステップと、基準
点に関する、第１および第２の評価装置における各々の
座標値に基づいて、第１の評価装置に関する座標系を第
２の評価装置に関する座標系に変換するアフィン変換を
決定するステップと、決定されたアフィン変換および欠
陥の第１の評価装置の座標系における座標値に基づいて
第２の評価装置の座標系における欠陥の位置を特定する
ステップと、を備えたことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体基板の欠陥位
置特定方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、ＵＬＳＩの高集積化に伴い、素子
活性層となる半導体基板表層には更なる無欠陥が求めら
れてる。るつぼから引上げて形成された単結晶シリコン
をスライスして鏡面加工した半導体基板の結晶中には、
グロウイン（grown-in）欠陥と呼ばれる引上げに起因す
る欠陥が存在していることが一般に知られている。これ
らの欠陥は主に光散乱で検出されるが密度が１０6 ｃｍ
-3程度しかない。このため透過電子顕微鏡（Transmissi
on Electron Microscope（以下、ＴＥＭとも云う））や
原子間力顕微鏡（Atomic Force Microscope （以下、Ａ
ＦＭとも云う））による直接観察が非常に困難であり、
その実体は近年まで不明であった。
【０００３】ところがＣｕが欠陥の存在箇所に選択的に
析出する性質を利用してゲート酸化膜の欠陥そのものを
ＴＥＭで観察することに１９９５年に成功し、これらの
欠陥がほとんどボイドで構成されていることが明らかに
された。
【０００４】一般に欠陥を有する半導体基板を評価する
装置としては、欠陥の存在をマクロに捉える装置と、ミ
クロに捉える装置の２種類がある。またマクロに捉える
装置は図１６に示すように半導体基板の表面の欠陥を捉
える装置（例えばパーティクルカウンタ）と、半導体基
板の表面直下の欠陥を捉える装置（例えば可視光散乱ト
ポグラフィ）との２種類がある。また、ミクロに捉える
装置は図１６に示すように半導体基板の表面の欠陥を捉
える装置（例えばＡＦＭ）と、半導体基板の表面直下の
欠陥を捉える装置（例えば、走査型キャパシタンス顕微
鏡（Scanning Capacitance Microscope （以下、ＳＣＭ
ともいう））、や断面ＴＥＭ等）との２種類がある。な
おＳＣＭは本来半導体素子中のドーパント（不純物）濃
度の２次元分布を得る評価法であるが、ＡＦＭでは観察
できない表面を下の欠陥評価にも用いることができる。
【０００５】そして、欠陥の位置を特定するためには、
まずマクロに捉える装置によって評価した後、ミクロに
捉える装置によって評価するのが一般的である。このた
め、マクロに捉える装置とミクロに捕える装置との間で
欠陥の位置を表わす座標値の受け渡しが重要となる。
【０００６】従来、欠陥の座標値は、半導体基板が載置
される各装置のＸ−Ｙステージ、及び半導体基板の外形
（円周及びオリエンテーションフラット・ノッチ）を用
いて測定されていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ステージの機
械的な精度には限界があり、また半導体基板の外形にも
加工時の誤差が含まれている。このため、マクロに捉え
る装置によって欠陥を見出しても、必ずしもミクロに捉
える装置の視野内に欠陥が入るとは限らず、欠陥の位置
を特定することができないという問題があった。
【０００８】本発明は上記事情を考慮してなされたもの
であって、欠陥の位置の特定を精度良く行うことのでき
る半導体基板の欠陥位置特定方法を提供することを目的
とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体基板
の欠陥位置特定方法の第１の態様は、半導体基板上に少
なくとも３個の基準点を形成するステップと、半導体基
板の欠陥を評価する第１の評価装置を用いて前記半導体
基板の前記基準点および欠陥を検出し、これらの基準点
および欠陥の前記第１の評価装置の座標系における座標
値を測定するステップと、半導体基板の欠陥を評価する
第２の評価装置を用いて前記半導体基板の前記基準点を
検出し、これらの基準点の前記第２の評価装置の座標系
における座標値を測定するステップと、前記基準点に関
する、前記第１および第２の評価装置における各々の座
標値に基づいて、第１の評価装置に関する座標系を第２
の評価装置に関する座標系に変換するアフィン変換を決
定するステップと、前記決定されたアフィン変換および
前記欠陥の前記第１の評価装置の座標系における座標値
に基づいて前記第２の評価装置の座標系における前記欠
陥の位置を特定するステップと、を備えたことを特徴と
する。
【００１０】なお、前記第１の評価装置はパーティクル
カウンタであり、前記第２の評価装置は光学顕微鏡およ
びこの光学顕微鏡と共通の座標系を有する原子間力顕微
鏡であって、前記基準点の前記第２の評価装置の座標系
における座標値は前記光学顕微鏡を用いて測定されるよ
うに構成しても良い。
【００１１】なお、前記第１の評価装置は、光学顕微鏡
およびこの光学顕微鏡と共通の座標系を有する可視光散
乱トポグラフィであり、前記第２の評価装置は集束イオ
ンビーム描画装置であり、前記基準点および前記欠陥の
前記第１の評価装置の座標系における座標値は前記光学
顕微鏡および前記可視光散乱トポグラフィを用いて測定
されるように構成しても良い。
【００１２】なお、前記可視光散乱トポグラフィを用い
て検出された欠陥の中から半導体基板の内部に存在する
欠陥を選択するステップを更に備え、前記第２の評価装
置の座標系における前記欠陥の位置を特定するステップ
は、前記決定されたアフィン変換と、前記選択された欠
陥の座標値に基づいて、前記集束イオンビーム描画装置
の座標系における位置を推定し、前記推定された位置の
近傍にエッチング痕を複数個形成するステップと、前記
選択された欠陥と前記エッチング痕の座標および相対位
置を、可視光散乱トポグラフィを用いて求めるステップ
と、集束イオンビーム描画装置を用いて前記エッチング
痕の座標値を測定するステップと、前記エッチング痕
の、前記集束イオンビーム描画による座標値および前記
可視光散乱トポグラフィによる座標値に基づいて第２の
アフィン変換を決定するステップと、この第２のアフィ
ン変換と前記欠陥の前記可視光散乱トポグラフィによる
座標値に基づいて前記欠陥の集束イオンビーム描画装置
の座標系における位置を推定するステップと、を備える
ように構成しても良い。
【００１３】また本発明による半導体基板の欠陥位置特
定方法の第２の態様は、半導体基板上に少なくとも３個
の基準点を形成するステップと、半導体基板の欠陥を評
価する第１の評価装置を用いて前記半導体基板の前記基
準点および欠陥を検出し、これらの基準点および欠陥の
前記第１の評価装置の座標系における座標値を測定する
ステップと、検出された欠陥の中から前記半導体基板の
内部に存在する欠陥を選択するステップと、前記半導体
基板にマークを付することが可能なマーキング装置を用
いて前記基準点の各々の座標値を測定するステップと、
前記基準点に関する、前記第１の評価装置およびマーキ
ング装置における各々の座標値に基づいて、前記第１の
評価装置に関する座標系を前記マーキング装置に関する
座標系に変換するアフィン変換を決定するステップと、
前記決定されたアフィン変換と、前記選択された欠陥の
座標値から、この欠陥の前記マーキング装置上での位置
を推定し、この推定された位置の近傍に前記マーキング
装置によってマークを形成するステップと、半導体基板
の欠陥を評価する第２の評価装置を用いて前記形成され
たマークを目印にして前記選択された欠陥を評価するス
テップと、を備えたことを特徴とする。
【００１４】なお、前記基準点はビッカース硬度計によ
って形成された圧痕であっても良い。
【００１５】また本発明による半導体基板の欠陥位置特
定方法の第３の態様は、半導体基板の欠陥を評価する第
１の評価装置を用いて前記半導体基板の複数個の欠陥を
検出し、これらの欠陥の座標値を測定するステップと、
半導体基板の欠陥を評価する第２の評価装置を用いて前
記半導体基板の同一直線上に配置されていない少なくと
も３個の欠陥を検出し、各々の座標値を測定するステッ
プと、前記第１の評価装置を用いて検出された複数個の
欠陥のうち、前記第２の評価装置を用いて検出された各
欠陥を頂点とするすべての三角形に最も近い形状の三角
形となる欠陥の組を抽出するステップと、この抽出され
た欠陥の組の前記第１の評価装置における座標値と前記
第２の評価装置によって検出された欠陥の組の座標値と
に基づいてアフィン変換を決定するステップと、を備え
たことを特徴とする。
【００１６】なお、前記欠陥の組を抽出するステップ
は、前記第２の評価装置を用いて検出された各欠陥を頂
点とするすべてのベクトルに最も近い成分を有するベク
トルとなる欠陥の組を、前記複数個の欠陥の組の中から
抽出するように構成しても良い。
【００１７】なお、前記欠陥の組を抽出するステップ
は、前記第２の評価装置を用いて検出された各欠陥を頂
点とするすべての三角形の２辺とその挟む角に最も近い
二辺とのその挟む角を有する三角形となる欠陥の組を前
記複数個の欠陥の中から抽出するように構成しても良
い。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面を参照
して説明する。
【００１９】第１の実施の形態 本発明による半導体基板の欠陥位置特定方法の第１の実
施の形態の処理手順を図１に示す。この第１の実施の形
態の欠陥位置特定方法は、半導体基板上の異物、或いは
ピットを評価できる、パーティクルカウンタを用いて散
乱体を検出し、この検出された散乱体をＡＦＭ（原子間
力顕微鏡）で観察しており、パーティクルカウンタとＡ
ＦＭとの座標の受け渡しをアフィン変換を用いて行う構
成となっている。
【００２０】この位置特定方法を図１を参照して詳細に
説明する。まず半導体基板上に例えばビッカース硬度計
を用いて圧痕を、一直線上にない３箇所に各々３個づつ
形成する（図１のステップＦ１参照）。この圧痕は座標
の基準点とするもので、各圧痕のサイズは５μｍであ
り、各圧痕の中心位置を測ることにより１μｍの位置精
度を得ることができる。そしてこれらの圧痕（マーキン
グ）６は、図２に示すように欠陥４の評価の障害となら
ないように半導体基板１の外周から約５ｍｍ付近に形成
した。また各箇所において、圧痕６は５ｍｍ間隔で３個
形成した。これはパーティクルカウンタで評価する際
に、これらの圧痕と他のパーティクル・ピットとを区別
し易くするためである。
【００２１】このように圧痕を形成した後、例えば波長
が４８８ｎｍの緑色光を発生するパーティクルカウンタ
をもちいて、上記半導体基板の欠陥を検出し、この欠陥
の座標値と、上記圧痕の座標値を測定する（図１のステ
ップＦ２参照）。
【００２２】次に上記半導体基板の圧痕をＡＦＭに付属
している光学顕微鏡を用いて捉え、これらの圧痕の座標
値を測定する（図１のステップＦ３参照）。
【００２３】次に、ステップＦ２で測定された９（＝３
×３）個の圧痕の座標値と、ステップＦ３で測定された
９（＝３×３）個の圧痕の座標値とに基づいて、パーテ
ィクルカウンタとＡＦＭとの座標値の受け渡しを行うア
フィン変換を決定する（図１のステップＦ４参照）。
（ｘ，ｙ）をパーティクルカウンタ上での散乱体の座標
とし、（ｘ′，ｙ′）を上記散乱体のＡＦＭ上での座標
とすると、アフィン変換は次の式によって表わされる。
【００２４】
【数１】 （１）式は一次変換＋平行移動の形をしている。従来の
方法では一次変換の項が回転行列となっているのに対
し、本発明では一般の一次変換となっている。そのため
変換の自由度が高く、装置間の座標対応において座標系
の伸び縮みや歪みといった単なる回転だけでは表わせな
い変換を含めることが可能になる。このためより正確な
座標対応が期待できる。
【００２５】また係数Ｃ1 〜Ｃ6 は次式で求められる。
【００２６】
【数２】 ここで（ｘi ，ｙi ）は座標基準にした圧痕のパーティ
クルカウンタ上の座標、（ｘi ′，ｙi ′）は同圧痕の
ＡＦＭ上での座標である。Σは基準に用いた圧痕全てに
ついて和をとることを意味する。（２）、（３）式は最
小２乗法に基づいてアフィン変換の係数を決定するもの
である。従来の方法では２個の基準点のみを用いて座標
の対応を求めていたため、基準点の誤差があると座標の
推定結果にそのまま反映されてしまう問題があった。本
発明の方法によれば複数点の基準点が利用できるため、
より高い精度が期待される。
【００２７】ここで（２）、（３）式の導出を行う。パ
ーティクルカウンタ上の座標（ｘi，ｙi ）と、同散乱
体のＡＦＭ上での座標（ｘi ′，ｙi ′）について、
（１）式による座標変換のｘ軸方向とｙ軸方向の誤差の
２乗Ｒx とＲy は、次式で表わされる。
【００２８】
【数３】 ここでＲx を最小にするには、次の（６）式、（７）
式、（８）式を満足する必要がある。
【００２９】
【数４】
【００３０】（６）、（７）、（８）式より（２）式が
求められる。同様に（５）式のＲy を最小にすることに
より（３）式が求められる。
【００３１】このようにして、測定された圧痕の座標値
に基づいて（２）、（３）式を用いることによりアフィ
ン変換の係数Ｃ1 〜Ｃ6 が求められ、アフィン変換
（１）式が決定される。
【００３２】次に、パーティクルカウンタによって検出
された欠陥の座標値を上記決定されたアフィン変換に代
入することにより、上記欠陥のＡＦＭ上での位置を特定
する（図１のステップＦ５参照）。
【００３３】本実施の形態の方法を実際に用いて半導体
基板を評価すると、パーティクルカウンタ上の１０例の
散乱体の内、９例がＡＦＭの像８として観察された（図
３参照）。各欠陥を最初に捉える際のＡＦＭの走査領域
は５０μｍ×５０μｍで行なったが、（１）式の推定位
置との差は１０μｍ〜２０μｍ程度であった。この実施
の形態から分かるように、半導体基板の欠陥評価におい
て座標系の対応をアフィン変換で行い、かつ最小２乗法
を適用することにより格段に精度を向上させ、ＡＦＭの
走査領域内にほぼ確実に導入することが可能になった。
【００３４】これに対して従来の方法では２個の圧痕の
みを用いてパーティクルカウンタとＡＦＭのＸ−Ｙステ
ージの原点ずれと回転角を求めて、パーティクルカウン
タの散乱体のＡＦＭ上での位置を推定していた。この従
来の方法で欠陥を探した所、パーティクルカウンタ上の
散乱体１０例中ＡＦＭで像が捉えられたのは１例であっ
た。ＡＦＭの走査域は５０μｍ×５０μｍであり、従来
の方法では座標を対応させる誤差が５０μｍ以上生じて
いることが分かる。このことより、パーティクルカウン
タとＡＦＭの座標を対応させるには、座標原点の移動お
よび回転だけでは不十分であった。
【００３５】本実施の形態の方法においては、欠陥をマ
クロに捉える装置（パーティクルカウンタ）と、欠陥を
ミクロに捉える装置（ＡＦＭ）との間での座標の受け渡
しをアフィン変換を用いて行うことにより、座標の平行
移動や回転だけでは表わせない歪みをも表現することが
可能となり、従来の方法に比べて欠陥の位置を精度良く
特定することができる。
【００３６】第２の実施の形態 次に本発明による半導体基板の欠陥位置特定方法の第２
の実施の形態を図４乃至図６を参照して説明する。図４
はこの第２の実施の形態の欠陥位置特定方法の処理手順
を示すフローチャートである。この第２の実施の形態の
欠陥位置特定方法は、半導体基板の内部に存在する欠陥
の位置を特定するものであり、欠陥をマクロに捉える装
置として可視光散乱トポグラフィが用いられ、ミクロに
捉える装置としてＳＣＭ（走査型キャパシタンス顕微
鏡）が用いられる。
【００３７】まず第１の実施の形態の場合と同様に、ビ
ッカース硬度計を用いて半導体基板上の同一直線上にな
い３箇所に各々３個の圧痕を形成し、半導体基板の基準
点とする（図４のステップＦ１１参照）。
【００３８】次にこの半導体基板を可視光散乱トポグラ
フィに付属する光学顕微鏡を用いて観察し、上記半導体
基板に形成された圧痕の座標値を測定する（図４のステ
ップＦ１２参照）。なおここで可視光散乱トポグラフィ
の場合、付属する光学顕微鏡で圧痕を捉えるのは、可視
光散乱トポグラフィの感度が非常に高いため、圧痕から
の散乱光が強すぎて位置測定が困難になるからである。
【００３９】続いて、可視光散乱トポグラフィを用いて
図５に示すように圧痕（マーキング）６が形成された上
記半導体基板１の表面を走査し、欠陥４の面内分布と、
これらの欠陥の座標値を得る（図４のステップＦ１３参
照）。そして得られた欠陥４の内から半導体基板１の内
部に存在すると思われる欠陥４ａを選択する（図４のス
テップＦ１４参照）。なお上記可視光散乱トポグラフィ
においては、入射光として波長が６９０ｎｍの赤色レー
ザが用いられている。この赤色レーザを用いることによ
り、例えばＳｉからなる半導体基板の表面から約４μｍ
の深さまで入射光が浸入するため、半導体基板の内部の
欠陥まで捉えることが可能となる。これに対して第１の
実施の形態では、波長が４８８ｎｍの緑色光が用いられ
るため、半導体基板への光の侵入は極めて浅く、半導体
基板表面の異物やピットのみが検出できる。
【００４０】次に上記半導体基板をビッカース硬度計に
移し、この硬度計に付属する光学顕微鏡を用いて上述の
９個の圧痕の座標値を測定する（図４のステップＦ１５
参照）。続いてステップＦ１２において測定された圧痕
の座標値と、ステップＦ１５において測定された圧痕の
座標値とに基づいて可視光散乱トポグラフィとビッカー
ス硬度計との間の座標の受け渡しとなるアフィン変換を
決定する（図１のステップＦ１６参照）。このアフィン
変換は第１の実施の形態の場合と同様にして決定するこ
とができる。
【００４１】次にこの決定されたアフィン変換と、ステ
ップＦ１４で選択された欠陥の座標値とに基づいて、上
記選択された欠陥の位置を推定し、この推定された位置
から２０μｍ離れた複数の位置（例えば２箇所）にビッ
カース硬度計を用いて圧痕を形成する（図４のステップ
Ｆ１７参照）。ビッカース硬度計に付属する光学顕微鏡
では半導体基板の内部の欠陥を捉えることができない
が、上述のようにアフィン変換を用いて欠陥の位置を推
定することができる。なお確認のため、上記半導体基板
を可視光散乱トポグラフィに戻して上述の欠陥箇所を観
察したところ、上記欠陥の位置から１８μｍ〜２２μｍ
の範囲内に圧痕が形成されていることが確認された。こ
れに対して従来の方法では、欠陥の推定された位置の非
常に近い近傍例えば２０μｍ離れた位置に圧痕を形成し
ても、この圧痕は上記欠陥の実際の位置から５０μｍ以
上離れた位置に形成される場合もあった。
【００４２】次に、欠陥の近傍に圧痕が形成された半導
体基板をＳＣＭで評価した（図４のステップＦ１８参
照）。ＳＣＭはＡＦＭの原理で探針を走査し探針・酸化
膜・半導体基板で構成される微小なＭＯＳキャパシタの
容量の面内分布を画像化する評価装置である。図６に示
すように圧痕９に囲まれた領域の中央部にＳＣＭ像のコ
ントラストが見られ、その位置は可視光散乱トポグラフ
ィの散乱像の位置と一致した。またＳＣＭ像と同時に得
られたＡＦＭ像では欠陥位置で凹凸は見られない。従っ
て半導体基板内部に存在する欠陥４ａがＳＣＭで捉えら
れたことが分かる。
【００４３】このように本実施の形態による方法で欠陥
から２０μｍ程度のごく近傍に正確に形成された圧痕
（マーキング）を用いることにより、通常の光学顕微
鏡、パーティクルカウンタ、ＡＦＭでは観察不可能な半
導体基板内部の欠陥が評価可能であることが分かる。な
お圧痕９はステップＦ１７で形成された圧痕である。
【００４４】以上説明したように本実施の形態の欠陥位
置特定方法によれば、半導体基板内部の欠陥の位置を精
度良く特定することができる。
【００４５】第３の実施の形態 次に本発明による半導体基板の欠陥位置特定方法の第３
の実施の形態を図７乃至図１０を参照して説明する。こ
の第３の実施の形態の欠陥位置特定方法の処理手順を図
７のフローチャートに示す。この第３の実施の形態の欠
陥位置特定方法は、第２の実施の形態の場合と同様に半
導体基板の内部に存在する欠陥の位置を特定するもので
あり、特にマーキングの精度を第２の実施の形態の場合
よりも良くしてＴＥＭで直接に観察したものである。
【００４６】まず第２の実施の形態の場合と同様に、ビ
ッカース硬度計を用いて半導体基板上の同一直線上にな
い３箇所に各々３個の圧痕を形成し、半導体基板の基準
点とする（図７のステップＦ２１参照）。
【００４７】次にこの半導体基板を可視光散乱トポグラ
フィに付属する光学顕微鏡を用いて観察し、上記圧痕の
各々の座標値を測定する（図７のステップＦ２２参
照）。
【００４８】続いて、可視光散乱トポグラフィを用いて
上記半導体基板の表面を走査し、欠陥の面内分布と、こ
れらの欠陥の座標値を得る（図４のステップＦ２３参
照）。そして得られた欠陥の内から半導体基板の内部に
存在すると思われる欠陥を選択する（図４のステップＦ
２４参照）。
【００４９】次にこの半導体基板を集束イオンビーム
（Focused Ion Beam）描画装置（以下、ＦＩＢ描画装置
ともいう）内に載置して上記半導体基板の表面を走査す
ることにより走査イオン像（Scanning Ion Microscope
（以下、ＳＩＭともいう））を得、このＳＩＭ像に基づ
いて上述の圧痕の座標値を測定する（図７のステップＦ
２５参照）。続いてステップＦ２２において測定された
上記圧痕の座標値と、ステップ２５において測定された
上記圧痕の測定値とに基づいて、可視光散乱トポグラフ
ィとＦＩＢ描画装置との間の座標の受け渡しとなるアフ
ィン変換を決定する（図７のステップＦ２６参照）。な
お、このアフィン変換は第２の実施の形態の場合と同様
にして決定することができる。
【００５０】次に、この決定されたアフィン変換と、ス
テップＦ２４で選択された欠陥の座標値とに基づいて、
この選択された欠陥の、ＦＩＢ描画装置のＳＩＭ像にお
ける位置を推定し、図８に示すようにこの推定された位
置４ａから２０μｍの位置に、ＦＩＢ描画装置を用いて
エッチングによる痕（マーキング）１０を複数個（図８
においては３個）形成する（図７のステップＦ２７参
照）。ＦＩＢ描画装置のＳＩＭ像では半導体基板内部の
欠陥は全く見えないが、上述のように圧痕の座標値に基
づいて欠陥の位置を推定することができる。
【００５１】次に上記半導体基板を再び可視光散乱トポ
グラフィで評価して上記欠陥４ａと、エッチング痕１０
との相対的な座標値を求める（図７のステップＦ２８参
照）。一般にＦＩＢ描画装置によるエッチング痕の大き
さは約２００ｎｍであり、光の波長よりも小さい。そこ
で本実施の形態においてはレーザ光の強度を調整し、欠
陥４ａとエッチング痕による散乱像ができるだけ小さく
なるようにして、散乱画像を得た。ここで散乱体（欠陥
等）の像は点対称な光強度分布を持つ。そこで図９に示
すように散乱画像に基づいて、画素毎に光強度を測定
し、欠陥４ａおよびエッチング痕１０の相対位置を０．
１μｍの精度で求めた。
【００５２】次に上記半導体基板をＦＩＢ描画装置のス
テージ上に載置し、図７のＦ２９に示すように上記エッ
チング痕１０のＳＩＭ像上での座標を測定する。そして
この測定された座標値と、ステップＦ２８において求め
られた上記エッチング痕の座標値とに基づいて、新たな
アフィン変換を決定し、この決定されたアフィン変換と
上記欠陥の座標値とに基づいて上記欠陥のＳＩＭ像上で
の位置を推定する（図７のステップＦ２９参照）。そし
てこの推定された位置から５μｍの位置にＦＩＢ描画装
置を用いてエッチング痕（マーキング）を新たに形成す
る（図７のステップＦ３０参照）。
【００５３】ここで確認のため再び可視光散乱トポグラ
フィで評価した所、５μｍ位置につけたＦＩＢエッチン
グ痕と欠陥との間には０．１μｍ以上のずれは見られな
かった。そこでＦＩＢエッチング痕を挟んで約０．２μ
ｍ厚の断面ＴＥＭサンプルに加工した所、ＴＥＭにより
欠陥像が捉えられた（図１０参照）。
【００５４】マーキングと欠陥の距離は近いほどＳＩＭ
像の倍率を高くすることができ、位置精度は向上してい
く。本実施の形態では最終的に欠陥より５μｍの所にマ
ーキングを形成できたため、位置精度を上げることが出
来た。
【００５５】以上説明したように本実施の形態の欠陥位
置特定方法によれば、欠陥の位置を精度良く特定するこ
とができる。
【００５６】第４の実施の形態 本発明による半導体基板の欠陥位置特定方法の第４の実
施の形態を図１１及び図１２を参照して説明する。この
第４の実施の形態の欠陥位置特定方法の処理手順を図１
１のフローチャートに示す。この第４の実施の形態の欠
陥位置特定方法は、マーキングを用いることなく、欠陥
をマクロに捉える装置とミクロに捉える装置との間の座
標系の対応を行い、欠陥の実体的解析を可能にするもの
である。
【００５７】まず図１１のステップＦ３１に示すよう
に、パーティクルカウンタを用いて半導体基板の欠陥を
複数個（３個以上）検出し、これらの欠陥の座標値を測
定する。
【００５８】次に、上記半導体基板上をＡＦＭ（原子間
力顕微鏡）で走査することにより、欠陥あるいは異物の
像を検出してこの像の座標値を測定することを、同一直
線上にない３箇所で行う（図１１のステップＦ３２参
照）。このとき３箇所で検出された像をＡ，Ｂ，Ｃとす
ると、ＡＢ，ＢＣ，ＣＢの３つのベクトルが得られる。
【００５９】そこで、ステップＦ３１においてパーティ
クルカウンタによって予め検出された複数個の欠陥の中
で、任意の３個の欠陥Ａ′，Ｂ′，Ｃ′が作る３個のベ
クトルＡ′Ｂ′，Ｂ′Ｃ′，Ｃ′Ａ′と対応する上述の
３個のベクトルＡＢ，ＢＣ，ＣＡとの差が最も小さくな
る３個の欠陥Ａ′，Ｂ′，Ｃ′の組を抽出する（図１１
のステップＦ３３参照）。これについて説明する。
【００６０】まずＡ点・Ｂ点のみを考え、パーティクル
カウンタ上の任意の２点が作るベクトルとＡＢを結ぶベ
クトルの差があるしきい値以下（本実施例ではｘ，ｙ各
成分の差が１００μｍ以下）になる組み合わせを抽出
し、Ａ点，Ｂ点の候補を各々Ａ′，Ｂ′とする。次にＣ
点を考え、先に抽出したＡ点，Ｂ点の候補Ａ′，Ｂ′と
任意の１点と結ぶベクトルと、ＡＣ・ＢＣを結ぶベクト
ルとの差がしきい値以下になる点Ｃ′を抽出する。
【００６１】ここで複数の候補が存在する場合は例えば
図１２に示すように基準点Ｄを追加し、この点Ｄを始点
として他の基準点Ａ，Ｂ，Ｃとを結ぶベクトルを考えこ
れらのベクトルと、対応する候補のベクトルとの差がし
きい値以下になる組合せを抽出する。この操作を数回繰
り返すことによりＡＦＭで検出された欠陥・異物に対応
するパーティクルカウンタ上の散乱体がほぼ一意に決定
される。
【００６２】従来の方法では、およそ位置が近いと推定
される散乱体を選んで座標の基準にしていた。そのため
パーティクルカウンタとＡＦＭの間でそれぞれ別の欠陥
・異物が対応付けられてしまうことが多かった。この場
合座標系の対応に大きな誤差が生じてしまい、ＡＦＭの
視野に入れることが困難になっていた。本実施の形態の
方法ではＡＦＭとパーティクルカウンタの間で確実に同
一の欠陥・異物が対応付けられる。
【００６３】次に抽出された各欠陥の座標値と、対応す
るＡＦＭ以上の欠陥の座標に基づいてアフィン変換を決
定する（図１１のステップＦ３４参照）。
【００６４】この決定されたアフィン変換によってパー
ティクルカウンタの座標系とＡＦＭの座標系とを精度良
く対応させることができる。
【００６５】本実施の形態の方法を用いて実際に行った
ところ、ＡＦＭの走査領域を２０μｍ×２０μｍの場合
に、パーティクルカウンタ上の散乱体１０例中、９例が
ＡＦＭで捉えられた。そしてそれらの散乱体のＡＦＭ上
での推定位置と実際の位置との差は５〜１０μｍであっ
た。
【００６６】以上説明したように本実施の形態によれば
欠陥位置を精度良く決定することがができる。
【００６７】第５の実施の形態 本発明による半導体基板の欠陥位置特定方法の第５の実
施の形態を図１３及び図１４を参照して説明する。この
第５の実施の形態の欠陥位置特定方法の処理手順を図１
３のフローチャートに示す。この第５の実施の形態の欠
陥位置特定方法は、半導体基板の内部の欠陥を特定する
ものであり、第４の実施の形態の場合と同様に、マーキ
ングを用いることなく、欠陥をマクロに捉える装置（可
視光散乱トポグラフィ）とミクロに捉える装置（ＳＣ
Ｍ）との間の座標系の対応を行い、欠陥の実体的解析を
可能にするものである。なお第４の実施の形態は、欠陥
を点と考えたときに各欠陥から構成されるベクトルに着
目したのに対して、本実施の形態の形態は２辺とその挟
む角に着目した構成となっている。
【００６８】まず図１３のステップＦ４１に示すよう
に、可視光散乱トポグラフィを用いて半導体基板の全面
を評価し、欠陥あるいは異物を少なくとも３個以上検出
し、これらの欠陥あるいは異物の座標値を測定する。
【００６９】次に、ＳＣＭ（走査型キャパシタンス顕微
鏡）を用いて上記半導体基板上を走査することにより、
欠陥あるいは異物の像を検出してこの像の座標値を測定
することを、同一直線上に並んでいない３箇所で行う
（図１３のステップＦ４２参照）。
【００７０】これらの３箇所で検出した欠陥あるいは異
物の像を点Ａ，Ｂ，Ｃとしたとき、点Ａを始点としてベ
クトルＡＢ，ＡＣと、これらのベクトルのなす角度θを
求める（図１３のステップＦ４３参照）。
【００７１】次に、ステップＦ４１で可視光散乱トポグ
ラフィを用いて検出された複数の欠陥あるいは異物の中
で、任意の３個Ａ′，Ｂ′，Ｃ′を選び、ベクトルＡ′
Ｂ′，Ａ′Ｃ′と、これらのベクトルＡ′Ｂ′，Ａ′
Ｃ′のなす角θ′とが、上記ベクトルＡＢ，ＡＣとθと
に各々最も近い３個Ａ′，Ｂ′，Ｃ′の欠陥の組を抽出
する（図１３のステップＦ４４参照）。これについて説
明する。
【００７２】可視光散乱トポグラフィ上の任意の３点に
ついて、その内１点を始点として他の２点を結ぶベクト
ルを考え、その長さおよびなす角度を求め、点Ａ，Ｂ，
Ｃの場合との差があるしきい値以下（本実施例では長さ
の差が１００μｍ以下、角度の差が０．１゜以下）にな
る組み合わせを抽出して点Ａ，Ｂ，Ｃの候補とする。こ
こで複数の候補があった場合は基準点を追加し、追加し
た点を始点として他の基準点Ａ′，Ｂ′，Ｃ′とを結ぶ
ベクトルを考え、同様に可視光散乱トポグラフィの散乱
体の中から該当する散乱体の組み合わせを抽出する。こ
の操作を数回繰り返すことによりＳＣＭで検出された欠
陥・異物に対応する可視光散乱トポグラフィ上の散乱体
がほぼ一意に決定される（図１４参照）。
【００７３】次に抽出された各点の座標値と対応するＳ
ＣＭ上の各点の座標値に基づいて第１の実施の形態の場
合と同様にしてアフィン変換を決定する（図１３のステ
ップＦ４５参照）。
【００７４】このようにして決定されたアフィン変換を
用いることにより可視光散乱トポグラフィとＳＣＭとの
間で座標系を高精度に対応させることができる。
【００７５】本実施の形態の方法を用いて実際に行った
ところ、ＳＣＭの走査領域を２０μｍ×２０μｍとした
時、可視光散乱トポグラフィ上の散乱体１０例中３例が
ＳＣＭで捉えられ、その走査領域の中心からの誤差は１
０μｍ程度であった。残り７例はＳＣＭの検出深さ（約
０．３μｍ）よりも欠陥が深い所にあったため、ＳＣＭ
では見られなかったと考えられる。従来法では誤った対
応点による誤差や、原点ずれや座標系の回転角のみを考
慮した座標対応による誤差が加わり、ＳＣＭの視野内に
欠陥を導入することは困難になり、ＳＣＭで検出されな
い原因が座標のずれによるものか、欠陥が深いところに
あるためなのかの判別ができなくなってしまう。
【００７６】以上説明したように本実施の形態によれ
ば、欠陥位置を精度良く決定することができる。
【００７７】第６の実施の形態 本発明の第６の実施の形態を図１５を参照して説明す
る。この第６の実施の形態は、本発明による半導体基板
の欠陥位置特定装置に関するものであって、その構成を
図１５に示す。この実施の形態は可視光散乱トポグラフ
ィ装置５０とＳＣＭ／ＡＦＭ装置７０を組み合わせたも
ので示してある。まず可視光散乱トポグラフィ５０のＸ
−Ｙステージ５１に半導体基板１をセットすると、可視
光散乱トポグラフィ５０に組み込まれているレーザマー
キング機構５２により、第２の実施の形態の場合のよう
に半導体基板１の外周部３箇所にマーキングが自動的に
形成される。次に半導体基板１上を走査し、欠陥の全面
マップ、およびマーキングの座標値が得られる。次に半
導体基板１をＳＣＭ／ＡＦＭ装置７０のＸ−Ｙステージ
７１にセットすると、ユニット７５に付属する光学顕微
鏡によりレーザマーキングの座標が測定される。可視光
トポグラフィ５０上のマーキング座標と実体解析装置７
０上のマーキングの座標値に基づいて制御用コンピュー
タ８０によって（１）式のアフィン変換が決定され、こ
のアフィン変換を用いて座標が対応される。そして可視
光散乱トポグラフィ５０上のマップで希望する散乱体を
選択すると、実体解析装置７０上の座標が制御用コンピ
ュータ８０によって計算され、自動的に目的の欠陥のＳ
ＣＭおよびＡＦＭ座標が得られる。
【００７８】また可視光散乱トポグラフィ５０上に再び
半導体基板１をセットすると、先につけたマーキングの
座標が再測定され、（１）式のアフィン変換を用いて最
初に半導体基板を全面評価した時の座標系が再現され
る。これにより、いつでも可視光散乱トポグラフィ上の
希望する散乱体を選択すると、レーザマーキング機構５
２を用いて欠陥の周囲にマーキングを行うことが出来、
ＴＥＭ解析へ用いることもできる。
【００７９】また第４の実施の形態あるいは第５の実施
の形態に示したように、ＳＣＭ／ＡＦＭで観察された欠
陥・異物に対応する可視光散乱トポグラフィ上の散乱体
を自動抽出して、マーキングを用いずに座標対応させる
機能も付属している。
【００８０】また本実施の形態では全面評価部と実体解
析部に分けてあるため、全面評価部にはパーティクルカ
ウンタやＸ線トポグラフィを、実体解析部にはＳＥＭ
（Scanninng Electron Microscope ）やＦＩＢ描画装置
等、他の装置を組み合わせることが可能である。
【００８１】なお、上記第１乃至第６の実施の形態にお
いては、座標変換はｘ，ｙの１次式を用いて行っていた
がｘ，ｙの２次の項まで含んだ式で座標変換を行った場
合について説明する。
【００８２】 ｘ′＝ａ1 ｘ2 ＋ａ2 ｘｙ＋ａ3 ｙ2 ＋ａ4 ｘ＋ａ5 ｙ＋ａ6 ｙ′＝ｂ1 ｘ2 ＋ｂ2 ｘｙ＋ｂ3 ｙ2 ＋ｂ4 ｘ＋ｂ5 ｙ＋ｂ6 （９） 半導体基板上６箇所に３個ずつ、計１８個の圧痕を形成
し、パーティクルカウンタ、およびＡＦＭに付属する光
学顕微鏡で各圧痕の座標を測定した。測定結果を元に
（９）式の係数ａ１〜ａ６、およびｂ１〜ｂ６を決定
し、パーティクルカウンタ上の散乱体のＡＦＭ上の位置
を（９）式で推定した。その結果１０例中９例がＡＦＭ
像として観察された。観察されたＡＦＭ像について
（９）式の推定位置からのずれは１０〜２０μｍであっ
た。
【００８３】次のこの半導体基板を用いて、（１）式に
より座標変換を行なったところ、やはり１０例中９例が
ＡＦＭ像として観察され、（１）式からのずれは１０〜
２０μｍであった。この結果は座標変換として２次の項
まで取り入れた（９）式を用いても、１次の項までしか
入っていない（１）式と同程度の位置精度であることを
意味している。すなわち実際の装置間の座標変換にはア
フィン変換で十分であり、高次の項を取り入れる必要性
はないと言える。
【００８４】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、半
導体基板の欠陥の位置を精度良く特定することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態の処理手順を示すフ
ローチャート。
【図２】第１の実施の形態に用いられた半導体基板の表
面を示す平面図。
【図３】第１の実施の形態の方法に用いられるＡＦＭに
よって検出された欠陥の像を示す図。
【図４】本発明の第２の実施の形態の処理手順を示すフ
ローチャート。
【図５】第２の実施の形態に用いられた半導体基板の表
面を示す平面図。
【図６】第２の実施の形態の方法によって位置が特定さ
れた欠陥とマーキングとの位置関係を示す図。
【図７】本発明の第３の実施の形態の処理手順を示すフ
ローチャート。
【図８】第３の実施の形態の方法によって位置が特定さ
れた欠陥とマーキングの位置関係を示す図。
【図９】欠陥とマーキングとの相対位置関係を精密に求
める方法を説明する図。
【図１０】ＴＥＭにより捉えられた欠陥の像を示す図。
【図１１】本発明の第４の実施の形態の処理手順を示す
フローチャート。
【図１２】第４の実施の形態の特徴を説明する図。
【図１３】本発明の第５の実施の形態の処理手順を示す
フローチャート。
【図１４】第５の実施の形態の特徴を説明する図。
【図１５】本発明の第６の実施の形態の構成を示す構成
図。
【図１６】半導体基板の欠陥を評価する装置の例を説明
する図。
【符号の説明】
１ 半導体基板 ４ 欠陥 ４ａ 選択された欠陥 ６ 圧痕（マーキング） ８ 欠陥の像 ９ 圧痕（マーキング） １０ エッチング痕（マーキング）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 豊 丸 陽 子 神奈川県川崎市川崎区駅前本町25番地１ 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社内 (72)発明者 土 屋 憲 彦 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式会 社東芝川崎事業所内 Ｆターム(参考） 2G051 AA51 AB02 AB20 BA10 BA20 CA03 CA04 CB05 DA07 DA15 EB01 EB02 ED07 4M106 AA01 BA03 BA04 BA11 BA12 BA14 BA20 CA41 CA50 CB20 DA05

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体基板上に少なくとも３個の基準点を
    形成するステップと、 半導体基板の欠陥を評価する第１の評価装置を用いて前
    記半導体基板の前記基準点および欠陥を検出し、これら
    の基準点および欠陥の前記第１の評価装置の座標系にお
    ける座標値を測定するステップと、 半導体基板の欠陥を評価する第２の評価装置を用いて前
    記半導体基板の前記基準点を検出し、これらの基準点の
    前記第２の評価装置の座標系における座標値を測定する
    ステップと、 前記基準点に関する、前記第１および第２の評価装置に
    おける各々の座標値に基づいて、第１の評価装置に関す
    る座標系を第２の評価装置に関する座標系に変換するア
    フィン変換を決定するステップと、 前記決定されたアフィン変換および前記欠陥の前記第１
    の評価装置の座標系における座標値に基づいて前記第２
    の評価装置の座標系における前記欠陥の位置を特定する
    ステップと、 を備えたことを特徴とする半導体基板の欠陥位置特定方
    法。
  2. 【請求項２】前記第１の評価装置はパーティクルカウン
    タであり、前記第２の評価装置は光学顕微鏡およびこの
    光学顕微鏡と共通の座標系を有する原子間力顕微鏡であ
    って、前記基準点の前記第２の評価装置の座標系におけ
    る座標値は前記光学顕微鏡を用いて測定されることを特
    徴とする請求項１記載の半導体基板の欠陥位置特定方
    法。
  3. 【請求項３】前記第１の評価装置は、光学顕微鏡および
    この光学顕微鏡と共通の座標系を有する可視光散乱トポ
    グラフィであり、前記第２の評価装置は集束イオンビー
    ム描画装置であり、前記基準点および前記欠陥の前記第
    １の評価装置の座標系における座標値は前記光学顕微鏡
    および前記可視光散乱トポグラフィを用いて測定される
    ことを特徴とする請求項１記載の半導体基板の欠陥位置
    特定方法。
  4. 【請求項４】前記可視光散乱トポグラフィを用いて検出
    された欠陥の中から半導体基板の内部に存在する欠陥を
    選択するステップを更に備え、 前記第２の評価装置の座標系における前記欠陥の位置を
    特定するステップは、 前記決定されたアフィン変換と、前記選択された欠陥の
    座標値に基づいて、前記集束イオンビーム描画装置の座
    標系における位置を推定し、前記推定された位置の近傍
    にエッチング痕を複数個形成するステップと、 前記選択された欠陥と前記エッチング痕の座標および相
    対位置を、可視光散乱トポグラフィを用いて求めるステ
    ップと、 集束イオンビーム描画装置を用いて前記エッチング痕の
    座標値を測定するステップと、 前記エッチング痕の、前記集束イオンビーム描画による
    座標値および前記可視光散乱トポグラフィによる座標値
    に基づいて第２のアフィン変換を決定するステップと、 この第２のアフィン変換と前記欠陥の前記可視光散乱ト
    ポグラフィによる座標値に基づいて前記欠陥の集束イオ
    ンビーム描画装置の座標系における位置を推定するステ
    ップと、 を備えたことを特徴とする請求項３記載の半導体基板の
    欠陥位置特定方法。
  5. 【請求項５】半導体基板上に少なくとも３個の基準点を
    形成するステップと、 半導体基板の欠陥を評価する第１の評価装置を用いて前
    記半導体基板の前記基準点および欠陥を検出し、これら
    の基準点および欠陥の前記第１の評価装置の座標系にお
    ける座標値を測定するステップと、 検出された欠陥の中から前記半導体基板の内部に存在す
    る欠陥を選択するステップと、 前記半導体基板にマークを付することが可能なマーキン
    グ装置を用いて前記基準点の各々の座標値を測定するス
    テップと、 前記基準点に関する、前記第１の評価装置およびマーキ
    ング装置における各々の座標値に基づいて、前記第１の
    評価装置に関する座標系を前記マーキング装置に関する
    座標系に変換するアフィン変換を決定するステップと、 前記決定されたアフィン変換と、前記選択された欠陥の
    座標値から、この欠陥の前記マーキング装置上での位置
    を推定し、この推定された位置の近傍に前記マーキング
    装置によってマークを形成するステップと、 半導体基板の欠陥を評価する第２の評価装置を用いて前
    記形成されたマークを目印にして前記選択された欠陥を
    評価するステップと、 を備えたことを特徴とする半導体基板の欠陥位置特定方
    法。
  6. 【請求項６】前記基準点はビッカース硬度計によって形
    成された圧痕であることを特徴とする請求項１乃至５の
    いずれかに記載の半導体基板の欠陥位置特定方法。
  7. 【請求項７】半導体基板の欠陥を評価する第１の評価装
    置を用いて前記半導体基板の複数個の欠陥を検出し、こ
    れらの欠陥の座標値を測定するステップと、 半導体基板の欠陥を評価する第２の評価装置を用いて前
    記半導体基板の同一直線上に配置されていない少なくと
    も３個の欠陥を検出し、各々の座標値を測定するステッ
    プと、 前記第１の評価装置を用いて検出された複数個の欠陥の
    うち、前記第２の評価装置を用いて検出された各欠陥を
    頂点とするすべての三角形に最も近い形状の三角形とな
    る３個の欠陥の組を抽出するステップと、 この抽出された欠陥の組の前記第１の評価装置における
    座標値と前記第２の評価装置によって検出された欠陥の
    組の座標値とに基づいてアフィン変換を決定するステッ
    プと、 を備えたことを特徴とする半導体基板の欠陥位置特定方
    法。
  8. 【請求項８】前記欠陥の組を抽出するステップは、前記
    第２の評価装置を用いて検出された各欠陥を結ぶすべて
    のベクトルに最も近い成分を有するベクトルとなる欠陥
    の組を、前記複数個の欠陥の中から抽出することを特徴
    とする請求項７記載の半導体基板の欠陥位置特定方法。
  9. 【請求項９】前記欠陥の組を抽出するステップは、前記
    第２の評価装置を用いて検出された各欠陥を頂点とする
    すべての三角形の２辺とその挟む角に最も近い二辺との
    その挟む角を有する三角形となる欠陥の組を前記複数個
    の欠陥の組の中から抽出することを特徴とする請求項７
    記載の半導体基板の欠陥位置特定方法。
JP11070433A 1999-03-16 1999-03-16 半導体基板の欠陥位置特定方法 Pending JP2000269286A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11070433A JP2000269286A (ja) 1999-03-16 1999-03-16 半導体基板の欠陥位置特定方法
US09/525,943 US6320655B1 (en) 1999-03-16 2000-03-15 Defect-position identifying method for semiconductor substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11070433A JP2000269286A (ja) 1999-03-16 1999-03-16 半導体基板の欠陥位置特定方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000269286A true JP2000269286A (ja) 2000-09-29

Family

ID=13431356

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11070433A Pending JP2000269286A (ja) 1999-03-16 1999-03-16 半導体基板の欠陥位置特定方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6320655B1 (ja)
JP (1) JP2000269286A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100439574B1 (ko) * 2001-11-07 2004-07-12 동부전자 주식회사 주사전자현미경을 이용한 파티클 계수 효율 평가방법
JP2006210571A (ja) * 2005-01-27 2006-08-10 Sumco Corp ウェーハの評価方法およびその評価装置
KR100750193B1 (ko) * 2006-06-16 2007-08-17 삼성전자주식회사 방향성 결함 분류 방법 및 이를 수행하기 위한 장치
JP2008016533A (ja) * 2006-07-04 2008-01-24 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 ウェーハ上の粒子の位置を解析する装置およびコンピュータプログラム
CN104205316A (zh) * 2012-04-27 2014-12-10 富士电机株式会社 半导体装置的制造方法以及制造装置
CN107015028A (zh) * 2017-02-27 2017-08-04 同济大学 基于原位探测的纳米尺度初始激光损伤检测方法及系统
US11836914B2 (en) 2020-09-11 2023-12-05 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Information processing method and information processing device for detecting a trace formed on a surface of a workpiece

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6640151B1 (en) 1999-12-22 2003-10-28 Applied Materials, Inc. Multi-tool control system, method and medium
US6708074B1 (en) 2000-08-11 2004-03-16 Applied Materials, Inc. Generic interface builder
US7188142B2 (en) 2000-11-30 2007-03-06 Applied Materials, Inc. Dynamic subject information generation in message services of distributed object systems in a semiconductor assembly line facility
US6577970B2 (en) * 2001-03-08 2003-06-10 Agere Systems Inc. Method of determining a crystallographic quality of a material located on a substrate
US6657716B1 (en) * 2001-05-23 2003-12-02 Advanced Micro Devices Inc. Method and apparatus for detecting necking over field/active transitions
US7698012B2 (en) 2001-06-19 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Dynamic metrology schemes and sampling schemes for advanced process control in semiconductor processing
US7160739B2 (en) 2001-06-19 2007-01-09 Applied Materials, Inc. Feedback control of a chemical mechanical polishing device providing manipulation of removal rate profiles
US6782076B2 (en) * 2001-12-07 2004-08-24 Bede Scientific Instruments Limited X-ray topographic system
US20030199112A1 (en) 2002-03-22 2003-10-23 Applied Materials, Inc. Copper wiring module control
US7272459B2 (en) 2002-11-15 2007-09-18 Applied Materials, Inc. Method, system and medium for controlling manufacture process having multivariate input parameters
US7317521B2 (en) * 2003-09-18 2008-01-08 Micron Technology, Inc. Particle detection method
DE102004014971A1 (de) * 2004-03-26 2005-06-02 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Inspektion von Rohwafern
US7834992B2 (en) * 2006-04-05 2010-11-16 Hitachi High-Technologies Corporation Method and its apparatus for detecting defects
JP4893156B2 (ja) * 2006-08-21 2012-03-07 栗田工業株式会社 水質評価方法及びそれに用いられる基板接触器具
US9533418B2 (en) * 2009-05-29 2017-01-03 Cognex Corporation Methods and apparatus for practical 3D vision system
JP2013140840A (ja) * 2011-12-28 2013-07-18 Hitachi High-Technologies Corp 試料観察装置
US9726624B2 (en) 2014-06-18 2017-08-08 Bruker Jv Israel Ltd. Using multiple sources/detectors for high-throughput X-ray topography measurement
US9368415B1 (en) 2015-02-25 2016-06-14 International Business Machines Corporation Non-destructive, wafer scale method to evaluate defect density in heterogeneous epitaxial layers
JP6673122B2 (ja) * 2016-09-29 2020-03-25 株式会社Sumco シリコンウェーハの評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法およびシリコンウェーハの製造方法
CN110261270B (zh) * 2019-07-18 2023-02-21 西安奕斯伟材料科技有限公司 一种硅片缺陷的分析方法及装置
CN117334589A (zh) * 2022-06-24 2024-01-02 长鑫存储技术有限公司 半导体器件中缺陷的定位方法、装置及存储介质

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5267017A (en) * 1992-05-20 1993-11-30 Applied Materials, Inc. Method of particle analysis on a mirror wafer
JP3130222B2 (ja) 1995-02-14 2001-01-31 三菱電機株式会社 微小異物の分析方法、分析装置およびこれらを用いる半導体素子もしくは液晶表示素子の製法
US5917588A (en) * 1996-11-04 1999-06-29 Kla-Tencor Corporation Automated specimen inspection system for and method of distinguishing features or anomalies under either bright field or dark field illumination
US6028664A (en) * 1997-01-29 2000-02-22 Inspex, Inc. Method and system for establishing a common reference point on a semiconductor wafer inspected by two or more scanning mechanisms
US5847821A (en) 1997-07-10 1998-12-08 Advanced Micro Devices, Inc. Use of fiducial marks for improved blank wafer defect review

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100439574B1 (ko) * 2001-11-07 2004-07-12 동부전자 주식회사 주사전자현미경을 이용한 파티클 계수 효율 평가방법
JP2006210571A (ja) * 2005-01-27 2006-08-10 Sumco Corp ウェーハの評価方法およびその評価装置
JP4604734B2 (ja) * 2005-01-27 2011-01-05 株式会社Ｓｕｍｃｏ ウェーハの評価方法
KR100750193B1 (ko) * 2006-06-16 2007-08-17 삼성전자주식회사 방향성 결함 분류 방법 및 이를 수행하기 위한 장치
JP2008016533A (ja) * 2006-07-04 2008-01-24 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 ウェーハ上の粒子の位置を解析する装置およびコンピュータプログラム
CN104205316A (zh) * 2012-04-27 2014-12-10 富士电机株式会社 半导体装置的制造方法以及制造装置
CN107015028A (zh) * 2017-02-27 2017-08-04 同济大学 基于原位探测的纳米尺度初始激光损伤检测方法及系统
US11836914B2 (en) 2020-09-11 2023-12-05 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Information processing method and information processing device for detecting a trace formed on a surface of a workpiece

Also Published As

Publication number Publication date
US6320655B1 (en) 2001-11-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2000269286A (ja) 半導体基板の欠陥位置特定方法
JP3959355B2 (ja) 微細パターンの３次元形状測定方法
US5438413A (en) Process for measuring overlay misregistration during semiconductor wafer fabrication
CN104520982B (zh) 类装置散射测量叠盖目标
USRE45245E1 (en) Apparatus and methods for determining overlay of structures having rotational or mirror symmetry
US5847821A (en) Use of fiducial marks for improved blank wafer defect review
TWI603453B (zh) 旋轉多層疊對標記、裝置、及方法
JP2006512582A (ja) 検出されたウェハ欠陥座標値の変換
KR101137045B1 (ko) 미세 구조체 검사 방법, 미세 구조체 검사 장치, 및 미세 구조체 검사 프로그램 기록 매체
EP2411789A1 (en) Method of measuring defect density of single crystal
TW201731004A (zh) 減少配準及設計附近所引發之晶粒內檢查之雜訊
Cresswell et al. RM 8111: Development of a prototype linewidth standard
KR101887730B1 (ko) 표면-아래 결함 검토를 위한 샘플들의 준비를 위한 시스템들 및 방법들
CN112447542A (zh) 半导体晶片检验方法及其系统
US20070019859A1 (en) Method for measuring registration
Cresswell et al. CD reference features with sub-five nanometer uncertainty
JP2003203959A (ja) 半導体ウェーハ表層結晶欠陥観察用試料とその作製方法
JP2010087075A (ja) マスク検査方法
JP7218710B2 (ja) レーザー表面検査装置の座標位置特定精度校正方法および半導体ウェーハの評価方法
JP5071782B2 (ja) 基板の欠陥検査方法及び欠陥検査プログラム
WO2006120722A1 (ja) 半導体デバイスの製造方法
Cho et al. The Potential of Inline Automated Defect Review of Mechanical Property and Electrical Characterization by AFM
CN114965522A (zh) 一种测量复合材料层合板内部分层损伤的方法
Ruprecht et al. Epitaxial Silicon Quality Improvement by Automatic Surface Inspection
KR20080040623A (ko) 반도체 디바이스의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040608

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050412

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060428

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20060711