KR100439574B1 - 주사전자현미경을 이용한 파티클 계수 효율 평가방법 - Google Patents

주사전자현미경을 이용한 파티클 계수 효율 평가방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 주사전자현미경을 이용한 파티클 계수 효율 평가방법에 관한 것으로, 웨이퍼 위에 폴리스티렌 라텍스 스피어(PSL) 파티클을 임의의 개수만큼 증착(deposition)하고, 증착된 파티클 각각에 대하여 좌표화한다. 이후, 파티클 각각의 좌표 값을 주사전자현미경(SEM)에 로딩(loading)시키고, 전자빔을 이용하여 웨이퍼 위에 증착된 폴리스티렌 라텍스 스피어(PSL) 파티클의 입자 수량을 산출한다. 이어서, 입자 수량이 파악된 웨이퍼를 웨이퍼 표면 스캐너(wafer surface scanner) 장비에 로딩(loading)시켜 산출된 파티클 수와 주사전자현미경(SEM)에 의해 산출된 실제 웨이퍼 위의 파티클 수를 비교하여 파티클 계수 효율을 평가한다. 따라서, 웨이퍼 표면 스캐너(WSS) 장비의 파티클 검사 오차를 규명할 수 있어 반도체 제조 공정의 수율 향상에 많은 영향을 줄 수 있는 효과가 있다.

Description

주사전자현미경을 이용한 파티클 계수 효율 평가방법{METHOD FOR VALUATING PARTICLE COUNTING EFFICIENCY BY USING SCANNING ELECTRON MICROSCOPY}
본 발명은 주사전자현미경(scanning electron microscopy : SEM)을 이용한 파티클 계수 효율 평가방법에 관한 것으로, 특히 웨이퍼 표면 스캐너(wafer surface scanner : WSS) 장비에 의해 계수(counting)되는 개수와 실제 웨이퍼 위의 잔재하는 파티클 개수와의 오차를 없애 반도체 제조 공정의 수율 향상에 많은 영향을 줄 수 있도록 하는 방법에 관한 것이다.
통상적으로, 웨이퍼 표면 스캐너(WSS) 장비는 반도체 소자 제조과정에서 고도로 청정한 작업환경 내부에서 정밀한 작업제어에 의해서 진행되나 여러 가지 원인에 의해서 발생되는 웨이퍼 위의 파티클 개수를 검사하는 장비인 것이다.
이와 같이, 웨이퍼 위에 발생되는 파티클 크기가 매우 미세한 관계로 인하여 사람의 눈으로는 식별이 불가능하기 때문에, WSS 장비에 의해 계수(counting)되는 개수와 실제 웨이퍼 위의 잔재하는 파티클 개수간에는 많은 오차가 있어 반도체 제조 공정의 수율 저하에 많은 영향을 주게 되는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 그 목적은 웨이퍼 표면 스캐너(WSS) 장비에 주사전자현미경(SEM)을 적용시켜 WSS 장비에 의해 계수(counting)되는 개수와 실제 웨이퍼 위의 잔재하는 파티클 개수와의 오차를 없애 반도체 제조 공정의 수율 향상에 많은 영향을 줄 수 있도록 하는 SEM을 이용한 파티클 계수 효율 평가방법을 제공함에 있다.
상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서 SEM을 이용한 파티클 계수 효율 평가방법은 웨이퍼 위에 폴리스티렌 라텍스 스피어(PSL) 파티클을 임의의 개수만큼 증착(deposition)하는 단계; 증착된 파티클 각각에 대하여 좌표화하는 단계; 파티클 각각의 좌표 값을 주사전자현미경(SEM)에 로딩(loading)시키고, 전자빔을 이용하여 웨이퍼 위에 증착된 폴리스티렌 라텍스 스피어(PSL) 파티클의 입자 수량을 산출하는 단계; 산출된 입자 수량이 파악된 웨이퍼를 웨이퍼 표면 스캐너(wafersurface scanner) 장비에 로딩(loading)시켜 산출된 파티클 수와 주사전자현미경(SEM)에 의해 산출된 실제 웨이퍼 위의 파티클 수를 비교하여 파티클 계수 효율을 평가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
도 1은 본 발명에 따른 주사전자현미경을 이용한 파티클 계수 효율 평가방법을 설명하기 위한 도면이며,
도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 위에 증착된 파티클 각각에 대하여 좌표화한 도면이며,
도 3은 본 발명에 따른 주사전자현미경을 이용한 파티클 계수 효율 평가방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
S1 : 웨이퍼 S2 : PSL 파티클
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세하게 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명에 따른 주사전자현미경(scanning electron microscopy : SEM)을 이용한 파티클 계수 효율 평가방법을 설명하기 위한 도면으로서 , 반도체 가공을 위한 웨이퍼(S1)와, 웨이퍼(S1) 위에 잔재하는 다수의 폴리스티렌 라텍스 스피어(polystyrene latex spheres : PSL) 파티클(particle)(S2)을 포함한다.
도 3의 흐름도를 참조하면, 상술한 구성을 바탕으로, 본 발명에 따른 SEM을 이용한 파티클 계수 효율을 평가하는 과정에 대하여 보다 상세하게 설명한다.
먼저, 반도체 가공을 위한 웨이퍼(S1) 위에 PSL 파티클(S2)을 임의의 개수(예로, 100개)만큼 증착(deposition)한다(단계 301).
PSL 파티클(S2)이 웨이퍼(S1) 위에 증착된 후, 결점 검사 장비(KLA 2139)를 이용하여 도 2에 도시된 바와 같이, 증착된 파티클(S2) 각각에 대하여 좌표화한다(단계 302).
이후, 좌표화된 파티클(S2)을 갖는 웨이퍼(S1)를 SEM에 로딩(loading)시키고, 전자빔을 이용하여 웨이퍼(S1) 위에 증착된 PSL 파티클의 입자 수량을 산출한다(단계 303). 여기서, 주사전자현미경(SEM)은 전자가 표본을 통과하는 것이 아니라 초점이 잘 맞추어진 전자 빔(electron beam)을 표본의 표면에 주사하며, 주사된 전자선이 표본의 한 점에 집중되면 일차 전자만 굴절되고 표면에서 발생된 이차전자는 검파기(detector)에 의해 수집되며, 그 결과 생긴 신호들이 여러 점으로부터 모여들어 음극선관(cathode ray tube)에 상을 형성하게 하는 장비이다.
이어서, PSL 파티클(S2)의 입자 수량이 파악된 웨이퍼(S1)를 웨이퍼 표면 스캐너(wafer surface scanner) 장비에 로딩(loading)시킨다(단계 304).
마지막으로, 웨이퍼 표면 스캐너(wafer surface scanner) 장비에 의해 산출된 파티클 수(웨이퍼 표면 스캐너(wafer surface scanner) 장비의 성능에 따라 파티클 수가 변동됨)와 SEM에 의해 산출된 실제 웨이퍼(S1) 위의 파티클(S2) 수를 비교하여 파티클 계수 효율을 평가한다(단계 305).
그러므로, 본 발명은 웨이퍼 표면 스캐너(WSS) 장비에 주사전자현미경(SEM)을 적용시켜 WSS 장비에 의해 계수(counting)되는 개수와 실제 웨이퍼 위의 잔재하는 파티클 개수와의 오차를 줄일 수 있도록 함으로써, 웨이퍼 표면 스캐너(WSS) 장비의 파티클 검사 오차를 규명할 수 있어 반도체 제조 공정의 수율 향상에 많은 영향을 줄 수 있는 효과가 있다.

Claims (3)

  1. 반도체 웨이퍼 가공 시 존재하는 파티클(particle)의 계수 효율 산출방법에 있어서,
    상기 웨이퍼 위에 폴리스티렌 라텍스 스피어(polystyrene latex spheres : PSL) 파티클을 임의의 개수만큼 증착(deposition)하는 단계;
    상기 증착된 파티클 각각에 대하여 좌표화하는 단계;
    상기 파티클 각각의 좌표 값을 주사전자현미경(scanning electron microscopy : SEM)에 로딩(loading)시키고, 전자빔을 이용하여 상기 웨이퍼 위에 증착된 폴리스티렌 라텍스 스피어(PSL) 파티클의 입자 수량을 산출하는 단계;
    상기 산출된 입자 수량이 파악된 웨이퍼를 웨이퍼 표면 스캐너(wafer surface scanner) 장비에 로딩(loading)시켜 산출된 파티클 수와 상기 주사전자현미경(SEM)에 의해 산출된 실제 웨이퍼 위의 파티클 입자 수량을 비교하여 파티클 계수 효율을 평가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 주사전자현미경을 이용한 파티클 계수 효율 평가방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 웨이퍼 위에 증착된 파티클 각각에 대하여 결점(defect) 검사 장비인 KLA2139를 이용하여 좌표화하는 것을 특징으로 하는 주사전자현미경을 이용한 파티클 계수 효율 평가방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 파티클 계수 효율을 평가하는 단계는, 상기 웨이퍼 표면 스캐너(wafer surface scanner) 장비의 성능 개선을 위한 것으로, 상기 비교 과정을 반복적으로 수행하여 상기 웨이퍼 표면 스캐너 장비에 의해 계수(counting)되는 개수와 실제 웨이퍼 위의 잔재하는 파티클 개수와의 오차를 없애는 것을 특징으로 하는 주사전자현미경을 이용한 파티클 계수 효율 평가방법.
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CN109904087A (zh) * 2019-01-14 2019-06-18 全球能源互联网研究院有限公司 一种半导体晶圆表面颗粒度的检测方法和装置
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07147308A (ja) * 1993-11-25 1995-06-06 Shin Etsu Handotai Co Ltd パーティクル数測定装置
KR20000018613A (ko) * 1998-09-03 2000-04-06 윤종용 반도체장치 제조용 파티클측정설비의 기준값설정방법
JP2000269286A (ja) * 1999-03-16 2000-09-29 Toshiba Microelectronics Corp 半導体基板の欠陥位置特定方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07147308A (ja) * 1993-11-25 1995-06-06 Shin Etsu Handotai Co Ltd パーティクル数測定装置
KR20000018613A (ko) * 1998-09-03 2000-04-06 윤종용 반도체장치 제조용 파티클측정설비의 기준값설정방법
JP2000269286A (ja) * 1999-03-16 2000-09-29 Toshiba Microelectronics Corp 半導体基板の欠陥位置特定方法

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