TW200810596A - Organic light-emitting device - Google Patents

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200810596 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於有機發光元件，特別是關於有機EL元 件。 【先前技術】 利用電場發光之EL元件，因爲自我發光而辨視性高 _ ，而且因爲是完全固體元件而具有優異的耐衝擊性等之特 長，故於各種顯示裝置中作爲發光元件的應用受到注目。 此EL元件中，具有發光材料爲使用無機化合物所成 的無機EL元件、與使用有機化合物所成的有機EL元件 ，其中，特別是有機EL元件，可大幅降低外加電壓，再 加上彩色化容易，消耗電力小且可面發光，故被開發作爲 新一代的發光元件。 關於此有機EL元件的構成，以陽極/發光層/陰極的 φ 構成爲基本，以高效率且長壽命的有機EL元件爲目的， 檢討了各種的元件構成。 例如，專利文獻1揭示由陽極/η型有機化合物層/p型 有機化合物層/發光層/陰極的構成所成的發光元件。 惟，此元件構成，因爲η型有機化合物層與p型有機 化合物層之間的親和能階的差距大，從被施加負偏壓的陽 極被注入至η型有機化合物之電子，不會超越界面輸送至 Ρ型有機物層，故即使在此元件的陽極施以負偏壓亦無法 發光。 -5- 200810596 此外，專利文獻2中亦揭示由陰極與發光媒介物之間 夾著接受體含有層之構成所成的發光元件。 惟，此元件構成係接受體層的電子親和力與電子輸送 層之間具有能量差爲1 eV左右之大的電子注入的障壁，必 須外加高電壓，因此即使此元件的陰極施以負偏壓亦無法 發光。 專利文獻1 : W02005/109542文獻 i 專利文獻2:特開平4-230997號公報 本發明的目的在於提供可降低消耗電力、高效率且長 壽命之有機發光元件。 【發明內容】 依據本發明，可提供以下的有機發光元件。 1 · 一種有機發光元件，其特徵係依照陽極、發光層、 施體含有層、接受體含有層、及陰極順序設置，該施體含 Φ 有層含有選自施體性金屬、施體性金屬化合物及施體性金 屬錯合物之群中的至少一種。 2.如1所記載之有機發光元件，其中該施體性金屬爲 鹼金屬、鹼土類金屬或稀土類金屬。 3 ·如1所記載之有機發光元件，該施體性金屬化合物 爲驗金屬、鹼土類金屬或稀土類金屬的鹵化物、氧化物、 碳酸鹽或硼酸鹽。 4·如1所記載之有機發光元件，其中該施體性金屬錯 合物爲鹼金屬、鹼土類金屬或稀土類金屬的錯合物。 -6- 200810596 5 .如1至4中任一項所記載之有機發光元件，其中該施 體含有層爲光穿透性高電阻層。 6·如1至5中任一項所記載之有機發光元件，其中該接 受體含有層所含有的接受體，爲具有電子吸引性的取代基 或電子缺乏環之有機化合物。 7·如6所記載之有機發光元件，其中該接受體爲奎諾 二甲烷（quinodimethane)系有機化合物。 _ 8 .如1至7中任一項所記載之有機發光元件，其中該接 受體含有層爲膜厚1〜100 nm的薄膜，於450〜650 nm的可 見光之穿透率爲80%以上。 9.如1至8項中任一項所記載之有機發光元件，其中該 陰極與該接受體含有層之間，夾著緩衝層。 I 〇 ·如9所記載之有機發光元件，其中該緩衝層含有電 洞輸送性材料。 II ·如1 〇之有機發光元件，其中該電洞輸送性材料爲 Φ 金屬氧化物及/或金屬氮化物。 12·如1至1 1中任一項所記載之有機發光元件，該發光 層含有藍色發光成份。 1 3 ·如1至1 2中任一項所記載之有機發光元件，其中該 陰極爲光穿透性。 依據本發明，提供可降低電力、高效率且長壽命之有 機發光元件。 [實施發明之最佳形態] 200810596 本發明的有機發光元件，其係依照陽極、發光層、施 體含有層、接受體含有層、及陰極順序設置，圖1中表示 本發明的有機發光元件的第一實施形態的元件構成。 如圖1所示’有機發光元件i係依照陽極i 0、電洞注入 層2 0、電洞輸送層30、發光層4〇、施體含有層50、接受體 含有層60、及陰極70順序層合層之構成。 本發明中，接受體含有層60係從陰極70引出電子（接 φ 受電子），而移送至施體含有層50之層，通常的有機發光 元件爲了從陰極將電子注入至有機物，使用功函數較小者 作爲陰極材料，例如作爲陰極之L i F與A1的層合層較爲 人熟知，僅A1作爲陰極時，因爲A1的功函數並不是那麼 小，故與LiF/Al比較下，驅動電壓變大；另一方面，藉 由與本發明的有機發光元件同樣設置接受體含有層6 0，即 使無LiF，亦可減少驅動電壓的增大。 此外，施體含有層50係從接受體含有層60引出電子， φ 而將電子注入至發光層40(給予電子）之層，藉由設置施體 含有層50，因爲接受來自接受體含有層60之電子變容易， 故具有驅動電壓的降低，且更高效率、長壽命化的效果。 此元件1，係接受體含有層60中所含有的接受體，從 與陰極70之間的接觸面引出電子，因爲接受體含有層60爲 電子輸送性，故電子從此接觸面開始在接受體含有層60中 往施體含有層50方向輸送，更進一步，從施體含有層50往 發光層4 0方向注入。另一方面，從陽極1 0將電洞注入至電 洞注入層20、電洞輸送層30，更進一步，注入至發光層40 -8- 200810596 ，於發光層40中電洞與電子再結合而產生發光。 本發明的有機發光元件，藉由設置施體含有層50而可 消除發光層4〇與接受體含有層60的親和能階的大落差。 無施體含有層50時，因爲接受體含有層60與發光層的 親和能階的差距大，故必須外加高電壓，因此此元件構成 ，即使對陰極施以負偏壓亦無法優良的發光。 本發明係藉由在陰極70與發光層40之間，設置接受體 含有層60與施體含有層50，使電子的輸送變容易，而試圖 逹到有機發光的低電壓化、高效率化、長壽命化。 此外，有機EL元件中，接受體含有層中，使用ITO( 銦錫氧化物）等之不怕在形成透明電極時濺鍍的損壞之化 合物時，不需要與ΙΤΟ同時使用LiF等的超薄膜。 親和能階係由電離電勢（ionization potential)的値減 去能隙（energy gap)之値決定。 能隙係可由吸收光譜端的波長決定。 電離電勢，可由光電子光譜法直接測量，亦可將電化 學上所測量的氧化電位相對於基準電極進行補正而計算得 到，後者的方法係例如使用飽和甘汞電極（SCE)作爲基準 電極時，電離電勢以下述式所不（Molecular Semiconductors ，Springer-Verlag，1 98 5 年、98頁）° [電離電勢]=[氧化電位（vs.SCE)]+4 3ev 此外，電離電勢係由電化學上所測量的還原電位同樣 -9 - 200810596 依上述式計算得到。 本發明係藉由大氣中光電子法或電化學的方法測量電 離電勢，計算親和能階。 陰極所使用的金屬材料，不稱爲親和能階，一般稱爲 功函數。 本發明的有機發光元件，較佳係發光層含有藍色發光 成份。 本發明的有機發光元件，可爲頂部發光型或底部發光 型，任一型皆只要是從陰極側射出光時，陰極成爲光穿透 性，較佳爲陰極的可見光區域（450〜650 nm)的光穿透率爲 50%以上。 關於施體含有層及接受體含有層，後述。 以下說明關於本發明的有機發光元件的第二實施形態 〇 圖2係表示本發明的有機發光元件的第二實施形態之 截面圖。 此實施形態係在於接受體含有層60與陰極70之間設置 緩衝層80這一點，與第一實施形態不同。 緩衝層係層本身產生電荷或層本身存在電荷之層，具 體而言’爲摻雜層、導電性或半導性無機化合物層、鹼金 屬層、鹵化金屬層、金屬錯合物層及此等的組合，金屬錯 合物層及與此等反應之A1薄層等之組合等各種。 因爲緩衝層中存在賦予導電之載體（電子或電洞），故 接受體含有層的電子的引出所需要的能量少，可更低電壓 -10 - 200810596 化。 緩衝層較佳爲含有金屬氧化物、金屬氮化物等之電洞 輸送性材料，含有電洞輸送性材料，則藉由接受體含有層 引出電子，電洞容易產生，此電洞藉由外加的電壓輸送至 陰極。 金屬氧化物之例，可列舉MoOx、WOx、VOx、ReOx 、MnOx、RuOx、NbOx、TaOx、TiOx(x=l 〜4)。 金屬氮化物之例，可列舉MoNx、WNX、VNx、MnNx 、NbNx、TaNx、TiNx(x=l 〜4)。 此等的化合物可單獨使用1種，或可組合2種以上使用 〇 再者，本發明的有機發光元件並不限定於圖1及圖2所 示的構成，例如因爲電洞輸送層、電洞注入層爲任意層， 故可省略，此外，可設置電子輸送層。 接著，設明關於施體含有層。 本發明的有機發光元件中，施體含有層係含有至少一 種選自施體性金屬、施體性金屬化合物及施體性金屬錯合 物所成之群作爲施體之層。 施體性金屬係指功函數3 · 8 eV以下的金屬，較佳爲鹼 金屬、驗土類金屬及稀土類金屬’更佳爲Cs、Li、Na、 Sr、K、Mg、Ca、Ba、Yb、Eu 及 Ce〇 施體性金屬化合物係含有上述的施體性金屬之化合物 ，較佳爲含有鹼金屬、鹼土類金屬及稀土類金屬之化合物 ，更佳爲此等金屬的鹵化物、氧化物、碳酸鹽、硼酸鹽， -11 - 200810596 例如MOx(M爲施體性金屬、χ爲〇·5〜1.5)、MFx(x爲1〜3) 、M(C03)x(x爲0.5〜1.5)所表示之化合物。 施體性金屬錯合物係指上述的施體性金屬的錯合物， 較佳爲鹼金屬、鹼土類金屬及稀土類金屬之有機金屬錯合 物，較佳爲下述式（I)所表示之有機金屬錯合物。 [化1]

M十)Π (I) (式中，Μ爲施體性金屬，Q爲配位基，較佳爲羧酸衍生 物、二酮衍生物、喹啉衍生物，η爲1〜4的整數。） 施體性金屬錯合物的具體例子，可列舉特開2005-7201 2號公報所記載的鎢輪機[|2(111^)4](1^?:1，3,4,6,7,8-六氫-24-嘧啶並[l，2-a]嘧啶）等，而且，特開平1 1 -3 45 68 7 號公報中所記載的中心金屬爲鹼金屬、鹼土類金屬之酞菁 φ 化合物等亦可作爲施體性金屬錯合物使用。 上述的施體可單獨使用1種，或可組合2種以上使用。 施體含有層中所含有的施體的含量，較佳係相對於層 整體而言爲1〜100莫耳％，更佳爲50〜100莫耳％。 施體含有層，除了上述施體以外，只要是光穿透性的 物質，可含有單一或複數種類的物質，具體而言，可使用 胺化合物、縮合環化合物、含氮環化合物、金屬錯合物等 之有機物，或金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氟化物、碳 酸鹽等之無機物，但並不一定限定於此等。 -12- 200810596 施體含有層的膜厚較佳爲1〜100 nm。 施體含有層較佳爲高電阻層。 因爲是高電阻，故可抑制往膜厚與垂直方向的導電。 此外，通過施體含有層往外射出光時，施體含有層係 以光穿透性高者爲佳。 具有光穿透性之意，係指波長450〜650 nm的可見光 之穿透率爲10%以上，較佳爲30%以上，更佳爲50%以上 。光穿透性例如可在平坦且具有光穿骞性的基板上設置對 象層，照射光，計算相對於所照射的光強度所穿透的光強 度之比，而且由從此値減去相對於僅照射基板的光強度之 所穿透的光強度之比的數値來決定。 電阻係較佳爲比電阻爲ΙίΤ1 Ω · cm以上，比電阻係 例如可使用平坦的絶緣基板上使用平行的電極條（stripe) ，於其上設置光穿透性高電阻層，測量電流電壓特性而決 定。 光穿透性高電阻層，除了施體以外，亦可含有過渡金 屬氧化物、Alq等的金屬錯合物等，較佳係光穿透性高電 阻層含有施體性金屬元素及過渡金屬氧化物的混合物，更 佳爲含有鹼金屬及M〇Ox(x爲1〜4)的混合物。 接著，說明關於接受體含有層。 接受體含有層爲易還原性的有機化合物。 化合物的易還原程度，可以還原電位測量，本發明係 在以飽和甘汞（SCE)電極作爲參照電極之還原電位中，較 佳爲-0.8 V以上，更佳爲-0·3 V以上，特別佳爲具有大於 -13- 200810596 四氰基奎諾二甲烷（TCNQ)的還原電位（約〇 V)的値之化口 物。 接受體係較佳爲具有電子吸引性的取代基或® f @ $ 環之有機化合物。 電子吸引性的取代基，可列舉例如鹵素、cf @ 、芳基硼基等。 電子缺乏環，可列舉選自例如由2-吡啶基' @ ® 0 、4 -吡啶基、2 -喹啉基、3 -喹啉基、4 -喹啉基、2 -咪哗、 4 -咪唑、3 -吡唑、4 -吡唑、噠嗪、嘧啶、噌啉、酞嗪、喹 唑啉、喹喔啉、3-(1，2,4-Ν)-三唑基、5-(1，2,4-Ν)-三唑基 、5-四唑基、4-(1-0,3-Ν)-噁唑、5-(1-0,3-Ν)-噁唑、4-(1. S，3-N)-噻唑、5-(l-S，3-N)-噻唑、2-苯並唑、2-苯並噻唑 、4-(1，2,3-N)-苯並三唑、及苯並咪唑所成之群之化合物 等，但並不一定限定於此等。 接受體係較佳爲醌型衍生物，更佳爲奎諾二甲烷衍生 •物。 醌型衍生物較佳可列舉下述式（la)〜（li)所表示的化合 物，更佳爲（1 a)、（ 1 b)所表示的化合物。 [化2] -14- 200810596

式（la)〜（li)中，R1〜R48各自爲氫、鹵素 '氟烷基、氰基、 烷氧基、烷基或芳基，較佳爲氫、氰基。 式（la)〜（li)中，X爲電子吸引基，由下述式（j)〜（p)的 構造的任一者所成，較佳爲（j)、(k)、（1)的構造。 [化3] 〇 NCYCN nc^coor40 r50ooc^coor51 nc^r52

11 « it T T T T (j) ⑻ 0) ⑽ ⑻ （Ο) (ρ) -15 200810596 (式中，R49〜R52各自爲氫、氟烷基、烷基、 方基或雜環， R5()與R51可形成環。） 式（la)〜（li)中，Y 爲-N =或-CH=。 R1〜R48的鹵素，較佳爲氟、氯。 R1〜R48的氟烷基，較佳爲三氟甲基、五氣 R1〜R48的烷氧基，較佳爲甲氧基、乙氣# 颯基、iso-丙氧 基、tert-丁氧基。 R1〜R48的烷基，較佳爲甲基、乙基、柯其 · 棊、1S〇-丙基 、tert-丁基、環己基。 R1〜R48的芳基，較佳爲苯基、萘基。 R49〜R52的氟烷基、烷基、芳基’與R1〜：相同。 R49〜R52的雜環，較佳爲下述式所不的取代其 [化4] •00 -to 奶 R50與R51形成環時，X較佳爲下述式所示的取代某。 [化5]

tert-丁基） (式中，R51’、R52’各自爲甲基、乙基 -16- 200810596 醌型衍生物的具體例子，可列舉以下的化合物。 [化6]

NC、/CN

'CN NC，、CN (CN)rTCNQ

-17- 200810596 接受體較佳爲具有薄膜形成性，亦即，能以蒸鍍形成接受 體含有層，此處’ 「可形成薄膜」之意，係指於基板上以 真空蒸鍍、旋轉塗佈等之一般的薄膜形成方法可製作平坦 的薄膜，具體而言，在玻璃製的基板上可製作平坦的薄膜 (厚度1 nm〜10 0 nm)。此處的平坦之意，係指薄膜的凹凸 小，較佳係面粗度（Ra)爲10 nm以下，更佳係面粗度（Ra) 爲1.5 nm以下，而且再更佳係面粗度（Ra)爲1 nm以下， 再者，面粗度可藉由原子間顯微鏡（AFM)測量。 具有薄膜形成性之有機化合物，較佳爲非晶性的有機 化合物，更佳爲非晶性的奎諾二甲烷衍生物，再更佳爲非 晶性且CN-基的數目爲5以上之奎諾二甲烷衍生物，例如 可列舉上述（cn)2_tcnq。 接受體含有層中所含有的接受體的含量，較佳係相對 於層整體而言爲1〜100莫耳％，更佳爲50〜100莫耳％。 接受體含有層，除了接受體以外，可含有電洞輸送性 且爲光穿透性者，但並非一定限定於此等。 此外，接受體含有層中，爲了容易注入電子至施體含 有層中，或容易輸送電洞至陰極，可添加施體。此施體係 可將電子傳遞給接受體含有層中所含有的施體以外的化合 物或附近層中所含有的化合物之化合物。 施體除了上述的施體性金屬以外，可列舉胺化合物、 聚胺化合物、鎢錯合物等之有機施體性化合物。 接受體含有層的膜厚較佳爲1〜100 nm。 -18- 200810596 此外，通過接受體含有層後射出光時，接受體含有層 爲光穿透性，接受體含有層的可見光區域（450〜650 nm)之 穿透率，較佳爲50%以上，更佳爲80%以上。 【實施方式】 [實施例] <化合物> 關於實施例及比較例所使用的化合物列示如下。 [化7] TPD23 2

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<接受體含有層中所使用的材料的還原電位> 關於作爲形成接受體含有層之材料使用的（cn)2tcnq ’進行周期伏安測量法測量，其結果爲飽和甘汞（SCE)電 φ 極作爲參照電極之還原電位爲0.71 V。 <評價方法> (1) 驅動電壓 測量於ITO與 A1之間通電使電流密度成爲10 mA/cm1時的電壓（單位：V)。 -20- 1 發光效率 用光譜放射亮度計CS 1 000A(KONICA MINOLTA公司 200810596 製）測量外加電流密度lOmA/cm2時的EL光譜，計算出發 光效率（單位：cd/A)。 (3) 半衰期壽命 於室溫以直流一定電流進行驅動，電流値被設定在初 期亮度成爲5000 cd/m2，測量亮度的時間相關性，成到初 期亮度的一半爲止所需要的間爲半衰期壽命。 (4) 光穿透率 平坦且具有光穿透性的玻璃基板（厚度0.7 mm)上設置 對象層（膜厚1〜100 nm)，照射光，計算相對於所照射的光 強度所穿透的光強度之比，而且從此値減去相對於僅照射 基板的光強度之所穿透的光強度之比的數値作爲光穿透率 (5)比電阻 在平坦的絶緣基板上設置平行的2條的電極條（電極間 的間隙1 mm)，於其上設置對象層（厚度1 00 nm)，測量在2 條的電極條之間掃描-1 〇 V至+ 1 0 V的電壓時的電流値， 由電流電壓特性的斜線計算比電阻。 實施例1 在厚度0.7 mm的玻璃基板上，將ITO藉由濺鍍而成 膜爲130 nm的厚度，將此基板於異丙醇中進行5分鐘的超 -21 - 200810596 音波洗淨後，進行30分鐘的UV臭氧洗淨，然後將此附有 ITO電極之基板裝置於真空蒸鍍裝置的基板固定架上。 再者，預先在各個鉬製的加熱板中，各自裝上作爲電 洞注入層的材料之TPD232、作爲電洞輸送層的材料之 TBDB、作爲發光層的主材料之BH、作爲藍色發光材料之 BD、作爲電子輸送材料之Alq、作爲施體之Li、作爲接 受體之（CN)2TCNQ、作爲陰極材料之A1。 _ 首先將TPD232膜進行成膜爲膜厚60 nm作爲電洞注 入層的功能，緊接於電洞注入層的成膜，將T B D B膜進行 成膜爲膜厚20 nm作爲電洞輸送層的功能，接著使化合物 BH與化合物BD成爲40 : 2之比進行共蒸鍍成爲膜厚40 nm作爲發光層，於此膜上將Alq3膜進行成膜爲膜厚1〇 nm 作爲電子輸送層，然後將Li膜（光穿透率：90%、比電阻 :1 (Γ5 Ω · cm)蒸鍍爲膜厚1 nm作爲施體含有層，接著將 (CN)2TCNQ膜（光穿透率：90%)成膜爲膜厚10 nm作爲接 φ 受體含有層’於此膜上將A1膜成膜爲膜厚15〇 nm作爲陰 極的功能，得到有機發光元件。 進行關於所得到的有機發光元件之評估，結果列示於 表1 〇 實施例2 於實施例1中，除了使用Liq取代Li作爲施體，成膜 爲施體含有層（光穿透率：90%'比電阻：ι〇ΐ4 Ω · _)以 外，其餘與實施例1相同作法而得到有機發光元件。 -22- 200810596 進行關於所得到的有機發光元件之評f古’，結$歹1175方令 表1 〇 實施例3 於實施例1中，除了在接受體含有層的成膜後’使用 作爲緩衝層用材料之ΜοΟχ(χ = 2〜3)，成膜爲膜厚1〇11111的 緩衝層，然後使Α1膜（陰極）進行成膜以外，其餘與實施 例2相同作法而得到有機發光元件。 進行關於所得到的有機發光元件之評估’結果列示於 表1。 實施例4 於實施例1中，除了使用Μ〇Οχ(χ = 2〜3)、Cs取代Li作 爲施體，使MoOx與Cs成爲10: 1進行共蒸鍍爲膜厚ΐ〇ηιη 後成膜爲施體含有層（光穿透率：80%、比電阻：1〇8 Q · cm) φ ，使用（CN)2TCNQ作爲接受體，成膜爲接受體含有層（光 穿透率：90%)以外，其餘與實施例i相同作法而得到有機 發光元件。 進行關於所得到的有機發光元件之評估，結果列示於 表1 〇 實施例5 於實施例1中，除了使用Alq與Li作爲施體，使Alq 與Li成爲10: 〇·3進行共蒸鍍爲膜厚10 nm後成膜爲施體 -23- 200810596 含有層（光穿透率：90%、比電阻：101G Ω · cm)以外，其 餘與實施例1相同作法而得到有機發光元件。 進行關於所得到的有機發光元件之評估，結果列示於 表1 〇 比較例1 於實施例1中，除了無進行Li(施體含有層）的成膜以 外，其餘與實施例1相同作法而得到有機發光元件。 進行關於所得到的有機發光元件之評估，結果列示於 表1 〇 比較例2 在厚度0.7 mm的玻璃基板上，將ITO藉由濺鍍而成 膜爲130 nm的厚度，將此基板於異丙醇中進行5分鐘的超 音波洗淨後，進行30分鐘的UV臭氧洗淨，然後將此附有 ITO電極之基板裝置於真空蒸鍍裝置的基板固定架上。 再者，預先在各個鉬製的加熱板中，各自裝上作爲接 受體之HAT、作爲電洞輸送層的材料之TBDB、作爲發光 層的主材料之BH、作爲藍色發光材料之BD、作爲電子輸 送材料之Alq、作爲施體之Li、作爲陰極材料之A1。 首先將HAT成膜爲膜厚10 nm作爲接受體含有層的 功能，緊接於接受體含有層的成膜，將TBDB膜成膜爲膜 厚7 0 nm作爲電洞輸送層的功能，接著使化合物BH與化 合物BD成爲40 : 2之比進行共蒸鍍成爲膜厚4〇 nm作爲發 -24- 200810596 光層，於此膜上將Alq膜成膜爲膜厚20 nm作爲電子輸送 層，接著，將Li膜成膜爲膜厚1 nm作爲施體含有層，最 後，於此膜上將A1膜成膜爲膜厚150 nm作爲陰極的功能 ，得到有機發光元件。再者，比較例2係對接近HAT的 IΤ Ο外加負偏壓後評估發光特性。 進行關於所得到的有機發光元件之評估，結果列示於 表1 〇

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比較例2 玻璃基板 ITO 1 HAT TBDB BH ： BD cr1 < 1 I T-H O 比較例1 玻璃基板 ITO TPD232 1 TBDB BH ： BD or 1 o u 6 1 ο 寸 100 實施例5 玻璃基板 ITO TPD232 1 TBDB BH ： BD cr Alq : Li 〇 u u 1 iTi vo 700 實施例4 玻璃基板 ITO TPD232 t TBDB BH ： BD cr MoOx : Cs o g u 1 iri \o 700 實施例3 玻璃基板 ITO TPD232 1 TBDB BH ： BD < o o 6 MoOx vo 700 實施例2 玻璃基板 ITO TPD232 I TBDB BH ： BD cr o u 6 1 to VO 700 實施例1 玻璃基板 ITO TPD232 1 TBDB BH ： BD cr o u u 1 tn Ό o o ^N § 幽 幽 < 幽 幽 幽 幽 挪! 1 K <ΓΠ m m <HI mil pirT] 離 m igniz 幽 蠢 m iguc _Ί ipr 较 圈 m Πϋ m llrni\r 戮 m n^> nnm 稍 |tf 镞 m m ㈣ m 麵 ten HH|> m 1 -26- 200810596 產業上的可利用性 本發明的有機發光元件作爲顯示器、照明等之光源使 用。 【圖式簡單說明】 [圖1 ]係表示本發明的有機發光元件的第一實施形態 之圖。 _ [圖2 ]係表不本發明的有機發光元件的第二管施形態 之圖。 【主要元件符號說明】 10 :陽極 20 :電洞注入層 3 0 :電洞輸送層 4〇 :發光層 馨 50:施體含有層 60:接受體含有層 7〇 :陰極 8〇 :緩衝層 -27-

Claims (1)

1. 200810596 十、申請專利範圍 1· 一種有機發光元件，其特徵係依照陽極、發光層、 施體含有層、接受體含有層、及陰極順序設置，該施體含 有層含有選自施體性金屬、施體性金屬化合物及施體性金 屬錯合物之群中的至少一種。 2·如申請專利範圍第1項之有機發光元件，其中該施 體性金屬爲鹼金屬、鹼土類金屬或稀土類金屬。 3 .如申請專利範圍第1項之有機發光元件，該施體性 金屬化合物爲鹼金屬、鹼土類金屬或稀土類金屬的鹵化物 、氧化物、碳酸鹽或硼酸鹽。 4·如申請專利範圍第1項之有機發光元件，其中該施 體性金屬錯合物爲鹼金屬、鹼土類金屬或稀土類金屬的錯 合物。 5 .如申請專利範圍第1項之有機發光元件，其中該施 體含有層爲光穿透性高電阻層。 6 .如申請專利範圍第1項之有機發光元件，其中該接 受體含有層所含有的接受體，爲具有電子吸引性的取代基 或電子缺乏環之有機化合物。 7.如申請專利範圍第6項之有機發光元件，其中該接 受體爲奎諾二甲烷（quinodimethane)系有機化合物。 8 .如申請專利範圍第1項之有機發光元件，其中該接 受體含有層爲膜厚1〜1〇〇 nm的薄膜，於45 0〜6 5 0 nm的可 見光之穿透率爲80%以上。 9.如申請專利範圍第1至8項中任一項之有機發光元件 -28- 200810596 ，其中該陰極與該接受體含有層之間，夾著緩衝層。 10.如申請專利範圍第9項之有機發光元件，其中該緩 衝層含有電洞輸送性材料。 1 1 ·如申請專利範圍第1 〇項之有機發光元件，其中該 電洞輸送性材料爲金屬氧化物及/或金屬氮化物。 12.如申請專利範圍第1項之有機發光元件，該發光層 含有藍色發光成份。 1 3 .如申請專利範圍第1項之有機發光元件，其中該 陰極爲光穿透性。

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