TWI406588B - 有機電場發光元件及具備該有機電場發光元件之顯示裝置或發光裝置 - Google Patents

有機電場發光元件及具備該有機電場發光元件之顯示裝置或發光裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI406588B
TWI406588B TW095121357A TW95121357A TWI406588B TW I406588 B TWI406588 B TW I406588B TW 095121357 A TW095121357 A TW 095121357A TW 95121357 A TW95121357 A TW 95121357A TW I406588 B TWI406588 B TW I406588B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
light
organic
energy level
emitting
Prior art date
Application number
TW095121357A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200711525A (en
Inventor
Yuji Hamada
Haruhisa Hashimoto
Masahiro Iyori
Kazuki Nishimura
Kenji Okumoto
Masaya Nakai
Original Assignee
Sanyo Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co filed Critical Sanyo Electric Co
Publication of TW200711525A publication Critical patent/TW200711525A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI406588B publication Critical patent/TWI406588B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/20—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the material in which the electroluminescent material is embedded
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/18—Carrier blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/622—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing four rings, e.g. pyrene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1007—Non-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1011—Condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1029—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
    • C09K2211/1037—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom with sulfur
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/917—Electroluminescent
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree

Description

有機電場發光元件及具備該有機電場發光元件之顯示裝置或發光裝置
本發明是有關有機電場發光(organic electroluminence)元件及具備該元件之顯示裝置或發光裝置。
近年來，隨著資訊機器的多樣化而對於消耗電力小於一般所使用的CRT(陰極射線管)之平面顯示元件的需求提高。在這種平面顯示元件中之一者，是具有高效率、薄型、輕量、低視野角依存性等特徵而受人矚目的有機電場發光元件(以下簡稱為有機EL元件)。
現今一般的有機EL元件，在以電洞注入電極為陽極與電子注入電極為陰極之間，具有為輸送由陽極注入之電洞的電洞輸送層、使由電洞輸送層輸送的電洞與電子再結合而行發光的發光層，以及從陰極向著發光層輸送電子的電子輸送層依序形成的積層結構。在特開2004－179142號公報中可見到這種周知的示例。
在具有上述組成的有機EL元件中，為了使發光層中的電子與電洞再結合而產生所定波長的光、且欲得到充分的發光亮度，則冀盼能充分供應從陰極送到發光層的電子及從陽極送到發光層的電洞。
然而，供應到發光層的電子量多時，在發光層上會生成未能再結合的多餘電子，而當這些多餘電子到達電洞輸送層時，則此電子對於組成電洞輸送層的有機材料恐有不良影響之虞。
例如，在有機EL元件中從陽極注入電洞的電洞輸送層之材料，一般是使用三芳基胺衍生物等的胺衍生物，但是使用胺衍生物時，因電子在胺的氮中活動而會破壞分子組成，使電洞輸送能力劣化而降低有機EL元件的壽命。
本發明的目的是為延長有機EL元件及具備該元件之顯示裝置或發光裝置的壽命。
具備在陽極與陰極間含有機材料的發光層之有機電場發光元件，其特徵為：具有設置於陽極與發光層之間的電洞輸送層、設置於電洞輸送層與發光層之間的中間層，而中間層具有的最低空分子軌道的能階低於電洞輸送層與發光層的最低空分子軌道的能階。
雖然無特殊限制，但在上述有機電場發光元件中是依序設置陽極、促進電洞輸送的電洞輸送層、中間層、發光層、以及陰極。因此，有機電場發光元件在驅動時，可使電子從陰極注入發光層、電洞從陽極注入發光層。其結果可使電子與電洞在發光層上再結合，而使發光層發光。
此時，中間層的最低空分子軌道(LUMO：Lowest Unoccupied Molecular Orbital)具有比電洞輸送層與發光層的LUMO更低的能階。因此，會通過中間層內的發光層之多餘電子即為中間層所捕捉。其結果能減少向電洞輸送層移動的電子而抑制電洞輸送層之劣化，而可延長有機電場發光元件的壽命。
尚且，發光層的最高被佔有分子軌道(HOMO：Highest Occupied Molecular Orbital)能階之與中間層的LUMO能階之差，大約組成在1.5eV以內。
此時，由於中間層的LUMO能階與該中間層相隣發光層的HOMO能階之差很小，中間層可從發光層吸引電子而使該發光層內產生電洞。該電洞在發光層內與電子結合而使發光層發光。因此，除了可提高發光效率之外，更可在發光層中促進電洞與電子的再結合，而可減少多餘電子並抑制電洞輸送層的劣化。
另外，在陽極與電洞輸送層之間設置電洞注入層。電洞注入層將電洞從陽極注入電洞輸送層，電洞輸送層的HOMO能階與電洞注入層的LUMO能階之差也可以在大約1.5eV以內。
由於電洞注入層的LUMO能階與電洞輸送層的HOMO能階之差很小，可使電洞注入層從電洞輸送層吸引電子而使該電洞輸送層內產生電洞。此電洞可因與本發明有關的有機電場發光元件內之電場而在發光層內移動後，在發光層內與電子再結合而使發光層發光。因此，可提高發光效率，也可因多餘電子自體的減少而抑制電洞輸送層的劣化。
並且，中間層與電洞注入層也可以是由同一材料所組成。
此時，由於中間層與電洞注入層不需要準備各別不同的材料，可減少材料件數，並且也可兼用中間層與電洞注入層各別的成膜裝置。因此，有助於減少製造成本。
以至少含有陽極、含胺衍生物的電洞輸送層、發光層、電子輸送層、以及設在電洞輸送層與發光層之間的中間層為特徵，而此中間層具有可以式(1)所示分子結構的吡(pyrazine)衍生物。
吡衍生物Ar：芳基(aryl)R：－H、－Cn H2 n ＋ 1 (n＝1至10)、－O Cn H2 n ＋ 1 (n＝1至10)、－N(Cn H2 n ＋ 1 )2 (n＝1至10)、－X(X＝F,Cl,Br,I)、－CN、並且，吡衍生物也可由至少含有具式(2)所示分子結構的材料所組成。
由於具有式(2)所示分子結構的材料之LUMO能階較低，如使用此為中間層時，可將中間層的LUMO設定在低於電洞輸送層與發光層的LUMO之能階。因此即使在中間層內，通過發光層的電子也會被補捉到。所以，會減少從發光層通過中間層而移動到電洞輸送層的電子。其結果，將降低因這種電子而使含胺衍生物的電洞輸送層之劣化，而延長有機電場發光元件的壽命。
至少含有陽極、含胺衍生物的電洞輸送層、發光層、電子輸送層、以及設在電洞輸送層與發光層之間的中間層，而此中間層是具有可以式(3)所示分子結構的材料。
由於具有式(3)所示分子結構的吡衍生物之LUMO能階較低，如使用此作為中間層時，可將中間層的LUMO設定在低於電洞輸送層與發光層的LUMO之能階。
因此，即使在中間層內，通過發光層的電子也會被補捉到。所以，會減少從發光層通過中間層而移動到電洞輸送層的電子。其結果，將降低因這種電子而使含胺衍生物的電洞輸送層之劣化，而延長有機電場發光元件的壽命。
並且，也可以使用一個以上上述的有機電場發光元件組成顯示裝置。此時，也可以使發光層的HOMO能階與中間層的LUMO能階之差大概在1.5eV以內。
並且，也可以使用一個以上上述的有機電場發光元件組成發光裝置。此時，也可以使發光層的HOMO能階與中間層的LUMO能階之差大概在1.5eV以內。
[發明的詳細說明]
以下係參照圖表說明有關本發明的有機電場發光(以下簡稱為有機EL)元件及具備該元件之顯示裝置或發光裝置。
第1圖表示組成與實施形態有關並具備有機EL元件的顯示裝置之一畫素的有機EL元件之截面圖。
如第1圖所示，在由玻璃或塑膠等形成的透明基板1上，形成例如由二氧化矽(SiO2 )形成之層與氮化矽(SiNX )形成之層之積層膜11。
在積層膜11的一部份形成TFT(薄膜電晶體)20。TFT20係由通道(channel)領域12、汲極(drain)電極13d、源極(source)電極13s、閘極(gate)氧化膜14、以及閘極電極15所組成。
例如，由聚矽氧烷層等組成的通道領域12形成在部份的積層膜11上。通道領域12上形成汲極電極13d及源極電極13s。通道領域12上形成閘極氧化膜14。而在閘極氧化膜14上形成閘極電極15。
使TFT 20的汲極電極13d與後述的陽極2連接，而TFT 20的源極電極13s連接在電源線(圖中未顯示)上。
在閘極氧化膜14上形成第一層間絶緣膜16以覆蓋閘極電極15。在第一層間絶緣膜16上形成第二層間絶緣膜17以覆蓋汲極電極13d及源極電極13s。將閘極電極l5連接在電極(圖中未顯示)上。
再者，閘極氧化膜14具有例如由氮化矽形成之層與由二氧化矽形成之層的積層結構。並且，在第一層間絶緣膜16具有例如由二氧化矽形成之層與由氮化矽形成之層的積層結構。第二層間絶緣膜17是由例如氮化矽所形成。
在第二層間絶緣膜17上，可各別形成紅色彩色濾光板層CFR、綠色彩色濾光板層CFG、以及藍色彩色濾光板層CFB。紅色彩色濾光板層CFR可使紅色波長域的光透過；綠色彩色濾光板層CFG可使綠色波長域的光透過；藍色彩色濾光板層CFB可使藍色波長域的光透過。又，在第1圖為藍色彩色濾光板層CFB的示例。藍色彩色濾光板層CFB以可透過70%以上400nm至530nm波長域的光為佳，並以可透過80%以上更佳。
在第二層間絶緣膜17上形成例如由丙烯酸樹脂等組成的第一平坦化層18以覆蓋紅色彩色濾光板層CFR、綠色彩色濾光板層CFG及藍色彩色濾光板層CFB。
在第一平坦化層18上形成有機EL元件100。有機EL元件100，依序具備作為陽極的陽極2、電洞注入層3、電洞輸送層4、橙色發光層5、藍色發光層6、電子輸送層7、以及作為陰極的陰極8，並在電洞輸送層4與橙色發光層5之間設置中間層10。在第一平坦化層18上於每一畫素形成陽極2在畫素間的區域中形成絶緣性的第二平坦化層19以覆蓋陽極2的四周。陽極2可使用例如由銦錫氧化物(ITO)等透明金屬氧化膜與由電漿CVD法(電漿化學氣相成長法)形成的CFX (氟化碳)的二層結構。
此電洞注入層3可使用例如由下述式(2)表示的六吖三次苯基六腈(hexaazatriphenylenehexacarbonitrile)(以下簡述為HAT－CN6)等的有機材料組成。或者也可使用例如由下述式(3)所示的2,3－二苯基－1,4,6,11－四吖－萘并萘(2,3－diphenyl－1,4,6,11－tetraaza－naphatacene)(以下簡述為DTN)等的有機材料。
HAT－CN6的LUMO能階(以下LUMO能階是以絶對值表示)為4.4eV、HOMO能階(以下HOMO能階是以絶對值表示)為7.0eV。另外，DTN的LUMO能階為3.9eV、HOMO能階為6.5eV。又，因LUMO能階、HOMO能階是以絶對值表示，故LUMO、HOMO的能量值較小者其階數較高。
在電洞注入層3之上依序形成電洞輸送層4、中間層10、橙色發光層5、藍色發光層6、以及電子輸送層7。在此電子輸送層7之上，例如又可形成由鋁等形成陰極的陰極8。
電洞輸送層4可使用例如下述式(4)所示的N,N’－二(1－萘基)－N,N’－二苯基－聯苯胺(N,N’－di(1－naphthy1)－N,N’－diphenyl－benzidine)(以下簡稱為NPB)等胺衍生物。以此NPB為代表的胺衍生物若接受電子，將使分子結構變成非常不安定而招致電洞輸送能力的劣化。
NPB的LUMO能階為2.6eV、HOMO能階為5.4eV。並且，LUMO能量值較小者其階數較高。
本實施形態中的電洞輸送層4，可使用以上述NPB為代表之以下述式(5)所表示的胺衍生物。
在式(5)中，Ar1至Ar3表示芳香族取代基，可以是相互相同的，也可以是相互各異。
並且，本實施形態中的電洞輸送層4是由例如以下述式(6)所表示的4,4’,4”－三(3－甲基苯基胺基)三苯基胺(4,4’,4”－tris(3－methylphenylamino)triphenylamine)(以下簡稱為MTDATA)等有機材料形成。
MTDATA的LUMO能階為2.5eV、HOMO能階為5.0eV。
中間層10的材料是以LUMO能階低於使用在電洞輸送層含胺衍生物的材料之LUMO能階，而且也比使用於發光層(橙色發光層5)的材料之LUMO能階更低者為佳。
本實施形態中的中間層10為例如具有可以下述式(1)所示之分子結構的吡衍生物，更好的是可使用與前述電洞注入層同樣的HAT－CN6或DTN。
吡衍生物Ar：芳基(aryl)R：－H、－Cn H2n ＋ 1 (n＝1至10)、－OCn H2 n ＋ 1 (n＝1至10)、－N(Cn H2 n ＋ 1 )2 (n＝1至10)、－X(X＝F,Cl,Br,I)、－CN、HAT－CN6的LUMO能階為4.4eV、HOMO能階為7.0 eV；而DTN的LUMO能階為3.9eV、HOMO能階為6.5 eV。
橙色發光層5例如可以NPB作為主(host)材料、以下述式(7)所表示的5,12－雙(4－3級－丁基苯基)－萘并萘(5,12－bis(4－ter－butylphenyl)－naphthacene，以下簡稱為tBuDPN)作為第一摻質(dopant)、以下述式(8)所表示的5,12－雙(4－(6－甲基苯并噻唑－2－基)苯基)－6,11－二苯基萘并萘(5,12－bis(4－(6－methylbenzothiazol－2－yl)phenyl)－6,11－diphenylnaphthacene，以下簡稱為DBzR)作為第二摻質而形成。
並且，橙色發光層5也可以上述的MTDATA作為主材料，而第一摻質及第二摻質也可以與上述相同。
此時，第二摻質負責發光，而第一摻質負責在橙色發光層5內輸送電子。因主材料NPB具有電洞輸送性，但電子輸送性較小，為彌補此缺失而加入第一摻質。因此，即可使橙色發光層5內的電洞與電子之載體取得平衡而促進再結合。橙色發光層5可從第二摻質產生具有大於500nm而小於650nm峰值波長的橙色光。
tBuDPN的LUMO能階為3.1eV、HOMO能階為5.4eV；而DBzR的LUMO能階為3.1eV、HOMO能階為5.2 eV。
藍色發光層6也可由例如以下述式(9)表示的2,6－二(3級－丁基)－9,10－二(2－萘基)蒽(2,6－di(t－butyl)－9,10－di(2－naphthyl)anthracene，以下簡稱為TBADN)作為主材料、NPB作為第一摻質、以下述式(10)表示的1,4,7,10－四－3級－丁基苝(1,4,7,10－tetra－tert－butylperylene，以下簡稱為TBP)作為第二摻質而形成。此時，第二摻質負責發光，而第一摻質負責因促進載體的輸送而補助第二摻質發光的任務。因此藍色發光層6會產生具有大於400nm而小於500nm峰值波長的藍色光。
可使用啡啉(phenanthroline)衍生物作為電子輸送層7。例如，可使用以下述式(11)表示的2,9－二甲基－4,7－二苯基－1,10－啡啉(2,9－dimethyl－4,7－diphenyl－1,10－phenanthroline，以下簡稱為BCP)。此時，由於BCP具有高電子移動度，而可使電子極有效地注入藍色發光層6及橙色發光層5中。因此，驅動電壓會變低而減少有機EL元件100的電力消耗。
再者，也可使用以下述式(12)表示的三(8－羥基喹啉基)鋁(triS(8－hydroxyquinolinato)aluminum，以下簡稱為Alq3)，或二唑(oxydiazole)衍生物、矽雜環戊二烯(silole)衍生物等的其他有機材料作為電子輸送層7。
在上述的有機EL元件100中，因在陽極2與陰極8之間施加電壓，而可從陽極2注入電洞、從陰極8注入電子。電洞可通過電洞輸送層4及中間層10而輸送到橙色發光層5及藍色發光層6，而電子可通過電子輸送層7而輸送到藍色發光層6及橙色發光層5，而在橙色發光層5及藍色發光層6中使電洞與電子再結合，使橙色發光層5及藍色發光層6發光。其結果是可得到白色光。
綜如上述，在基板1上將積層膜11、TFT20、第一層間絶緣膜16、第二層間絶緣膜17、紅色彩色濾光板層CFR、綠色彩色濾光板層CFG、藍色彩色濾光板層CFB、第一平坦化層18及第二平坦化層19依序排列形成有機EL元件100，即完成底層發射(bottom emission)結構的有機EL裝置。
從有機EL元件100產生的光，是通過紅色彩色濾光板層CFR、綠色彩色濾光板層CFG及藍色彩色濾光板層CFB與透明基板1後，才顯現到外部。
以下說明在有機EL元件100驅動時，中間層10與電洞注入層3對應於移動的電子及電洞的運作。
第2圖是為了說明中間層10的LUMO能階低於電洞輸送層4及橙色發光層5的主材料之LUMO能階時電子與電洞的移動之圖示。然而，雖然第2圖所示電洞輸送層4及橙色發光層5的主材料是由同一材料形成、電洞注入層3及中間層10為同一材料形成，但並非必需為同一材料者。
如上述，中間層10及電洞注入層3使用HAT－CN6時，HAT－CN6的HOMO能階為7.0eV、LUMO能階為4.4eV。
並且，電洞輸送層4及橙色發光層5的主材料使用NPB時，NPB的LUMO能階為2.6eV、HOMO能階為5.4eV。
又，CFX 的LUMO能階為2.0Ev以下、HOMO能階為5.8eV以上。
此時，如第2圖所示，由於中間層10的LUMO能階在橙色發光層5之主材料的LUMO能階之下，電子會從橙色發光層5之主材料向中間層10移動，而電洞輸送層4的LUMO能階在中間層10的LUMO能階之上，可抑制從橙色發光層5之主材料向中間層10移動的電子再移向電洞輸送層4，而為中間層10所捕捉。
又，可認為通過電洞輸送層4的電洞是以如下的路徑通過。首先，第一路徑(第2圖中的路徑A)是移向中間層10後再移向橙色發光層5，並於橙色發光層5內與電子再結合。而且因中間層10為薄膜，故第二路徑(第2圖中的路徑B)將因隧道效果，而使電洞直接從電洞輸送層4移動到橙色發光層5，於橙色發光層5內與電子再結合。第三路徑是電洞移向中間層10，與被中間層10捕捉的電子再結合而消滅。然而，即使來自橙色發光層5之主材料的電子在中間層10內不與電洞再結合，也會因移向中間層10而失活。
因此，會減少進入電洞輸送層4的電子。結果可降低電洞輸送層4的劣化，而延長有機EL元件的壽命。
因此，只要藉由與本實施形態有關的有機EL元件100，即可因在電洞輸送層4與橙色發光層5之間形成如上述的中間層10，而延長有機EL元件100的壽命。
而且，因使用作為中間層10的HAT－CN6之LUMO能階與作為橙色發光層5的主材料之NPB的HOMO能階之差僅有1.0eV，故可認為是中間層10從相隣的橙色發光層5拉走電子而使橙色發光層5內產生電洞。因此，橙色發光層5內的電洞數增加，與電子再結合之機率增大。
所以，對於橙色發光層5而言，來自電子注入層7的電子注入量與來自電洞注入層3及中間層10的電洞量可達成良好的平衡，可提高有機EL元件100的發光效率。
另一方面，因使用作為電洞注入層3的HAT－CN6之LUMO能階與用作電洞輸送層4之NPB的HOMO能階之差僅有1.0eV，故可認為是電洞注入層3從電洞輸送層4拉走電子而使電洞輸送層4內產生電洞(第2圖之C)。此電洞即受有機EL元件內的電場而移向橙色發光層5，並在橙色發光層5內與電子再結合而發光。
所以，對於橙色發光層5而言，來自電子注入層7的電子注入量與來自電洞注入層3及中間層10的電洞量可達成良好的平衡，更為提高有機EL元件100的發光效率。
意即，就有關本實施形態的有機EL元件100而言，可在發光層內非常有效的進行電子與電洞的再結合，除了可提高發光效率外，也可防止因未再結合的電子而致電洞輸送層4的劣化，而可延長壽命。
在上述中，雖然已形成橙色發光層5及藍色發光層6以組成白色光源發光層，但不只限於這些，發光層可以是只有一個，也可含有產生其他波長之光的發光層。
尚且，上述中已說明備有與實施形態有關的有機EL元件之顯示裝置的一畫素，這樣的畫素之大小可以變大，也可使用為備有這種畫素的發光裝置。
具備本實施形態相關有機EL元件之顯示裝置，可以具有以下之構造。
第3圖係有機EL元件的示意截面圖，其可組成備有與其他實施形態有關的有機EL元件之顯示裝置的一畫素。第3圖之顯示裝置與第1圖之顯示裝置在以下各點之構造有差異。
第3圖的顯示裝置與第2圖之顯示裝置同樣在基板1上形成有積層膜11、TFT20、第一層間絶緣膜16、第二層間絶緣膜17、藍色彩色濾光板層CFB、第一平坦化層18、第二平坦化層19、以及有機EL元件100。並且，在第3圖中也以藍色彩色濾光板層CFB為示例。
然後，於透明接著劑層23的介入下，將依序積層上保護塗層(over coat)22、藍色彩色濾光板層CFB及透明密封基板21而成的積層體接著在有機EL元件100上。如此即完成頂端發射(top emission)結構的顯示裝置。
由有機EL元件100產生的光將通過紅色彩色濾光板層CFR、綠色彩色濾光板層CFG及藍色彩色濾光板層CFB與透明密封基板21而顯現到外部。
在第3圖的顯示裝置中，基板1也可由不透明的材料形成。而有機EL元件100的陽極2可由例如膜厚約50nm的銦錫氧化物(ITO)與膜厚約100nm的鋁、鉻或銀積層而形成。此時，陽極2可將有機EL元件100所產生的光反射到密封基板21側邊。
陰極8係由透明的材料形成。陰極8是由例如膜厚約100nm<的銦錫氧化物(ITO)與膜厚約20nm的銀積層而形成。
保護塗層22可由例如厚約1 μ m的丙烯酸樹脂等形成。紅色彩色濾光板層CFR、綠色彩色濾光板層CFG及藍色彩色濾光板層CFB分別具有約1 μ m的厚度。
至於密封基板21，可使用例如由玻璃、氧化矽(SiO2 )形成之層或由氮化矽(SiNX )形成之層。
在第3圖的顯示裝置中，由於具有頂端發射結構，TFT20上的領域也可利用作為畫素領域。意即，在第3圖的顯示裝置中，可使用比第2圖的藍色彩色濾光板層CFB更大的藍色彩色濾光板層CFB。因此，由於可使用較為廣域的畫素領域，而可提高顯示裝置的發光效率。
以下，製作實施例及比較例的有機EL元件，再測定製成之有機EL元件的發光特性。
(實施例1)
在實施例1中，如下述製成具有第1圖的結構之有機EL元件。
在由玻璃形成的基板1上形成銦錫氧化物(ITO)層，更在該ITO層上以電漿CDV法形成CFx(氟化碳)層，即作成具有ITO層與氟化碳層二層構造的陽極2。此時電漿CDV法中的電漿放電時間為15秒。
又在陽極2上，依序以真空蒸鍍形成電洞注入層3、電洞輸送層4、中間層10、橙色發光層5、藍色發光層6及電子輸送層7。
電洞注入層3係由膜厚10nm的HAT－CN6形成。電洞輸送層4係由膜厚100nm的NPB形成。中間層10與電洞注入層3同樣的是由膜厚10nm的HAT－CN6形成。
橙色發光層5具有30nm的膜厚，是在NPB形成的主材料上添加由tBuDPN形成的第一摻質10體積%，再添加由DBzR形成的第二摻質3體積%而形成。
藍色發光層6具有40nm的膜厚，是在主材料上添加由NPB形成的第一摻質20體積%後，再添加上由TBP形成的第二摻質2.5體積%而形成。
電子輸送層7是以電子輸送性的材料成膜到膜厚為10nm而形成。陰極8是由1nm的氟化鋰(LiF)膜及200nm的鋁膜積層而形成的二層構造。
(實施例2)
在實施例2中製成的有機EL元件，除了具有150nm膜厚的NPB之電洞輸送層4之外，其餘則與實施例1相同。
(實施例3)
在實施例3中製成的有機EL元件，除了具有80nm膜厚的NPB之電洞輸送層4之外，其餘則與實施例1相同。
(實施例4)
在實施例4中製成的有機EL元件，除了具有5nm膜厚的HAT－CN6之中間層10之外，其餘則與實施例1相同。
(實施例5)
在實施例5中製成的有機EL元件，除了具有5nm膜厚的HAT－CN6之電洞注入層3之外，其餘則與實施例1相同。
(實施例6)
實施例6中製成的有機EL元件，除了具有5nm膜厚的HAT－CN6之中間層10之外，其餘則與實施例5相同。
(實施例7)
實施例7中製成的有機EL元件，除了電子輸送層7是以3nm膜厚的BCP取代10nm膜厚的Alq之外，其餘則與實施例1相同。
(實施例8)
實施例8中製成的有機EL元件，除了具有30nm膜厚的HAT－CN6之電洞注入層3、30nm膜厚的HAT－CN6之中間層10之外，其餘則與實施例1相同。
(實施例9)
實施例9中製成的有機EL元件，除了具有50nm膜厚的HAT－CN6之電洞注入層3、50nm膜厚的HAT－CN6之中間層10之外，其餘則與實施例1相同。
(實施例10)
實施例10中製成的有機EL元件，除了電洞輸送層4是以MTDATA取代NPB、橙色發光層5的主材料是以MTDATA取代NPB之外，其餘則與實施例1相同。
(實施例11)
實施例11中製成的有機EL元件，除了不設置電洞注入層3之外，其餘則與實施例1相同。
(比較例1)
比較例1中製成的有機EL元件，除了不設置中間層10之外，其餘則與實施例1相同。
(比較例2)
比較例2中製成的有機EL元件，除了不設置電洞注入層3及中間層10之外，其餘則與實施例1相同。
(實施例12)
實施例12中製作成的有機EL元件，除了電洞注入層3是以DTN取代HAT－CN6、中間層10與電洞注入層3同樣是以DTN取代HAT－CN6之外，其餘則與實施例1相同。
(實施例13)
實施例13中製成的有機EL元件，除了中間層10是以DTN取代HAT－CN6之外，其餘則與實施例1相同。
(實施例14)
實施例14中製成的有機EL元件，除了電洞注入層3是以DTN取代HAT－CN6之外，其餘則與實施例1相同。
(實施例15)
實施例15中製成的有機EL元件，除了不設置橙色發光層5之外，其餘則與實施例1相同。此元件，是只有藍色發光層6可發光的藍色發光元件。
以上所示的實施例1至15及比較例1及2的有機EL元件之電洞注入層3、電洞輸送層4、中間層10、橙色發光層5、藍色發光層6及電子輸送層7之組成如表1中所示。各材料名稱後的括弧內之數值為各材料的膜厚(nm單位)。
其次，將上述的各實施例及比較例中所使用材料的HOMO能階及LUMO能階列示於表2中。該表的HOMO能階及LUMO能階可以藉由將於以下說明的循環伏安測定法(cyclic voltammetry，CV測定法)測定。
首先對於NPB，係使用離子化電位測定裝置(理研計器社製AC－2)，測定標準材料NPB的薄膜中的離子化電位。以此離子化電位測定法測定的NPB之離子化電位為5.4eV。
接著，由NPB的CV測定而測得氧化還原電位。NPB的氧化電位為＋0.5V、還原電位為－2.3V。因此，即可計算出NPB的HOMO能階為5.4 eV、LUMO能階為2.6 eV(5.4－(0.5＋2.3)＝2.6)。而其他材料的測定，例如為Alq時，其氧化電位為＋0.8V、還原電位為－2.0V。所以在以NPB為基準時，Alq的HOMO能階為5.7 eV(5.4＋(0.8－0.5)＝5.7)、LUMO能階為2.9 eV(5.7－(0.8＋2.0)＝2.9)。
對於其他材料也可以同樣地計算出其HOMO能階及LUMO能階。
尚且，由CV測定可以如下述進行氧化電位及還原電位的測定。
氧化電位係以二氯甲烷為溶劑，加入支持電解質第三丁基銨過氯化物(tert－butylammoniumperchlorate)直至其濃度為10－ 1 mol/l，加入測定材料至其濃度為10－ 3 mol/l，即調製成氧化電位的試樣品。並在大氣中與室溫下測定氧化電位。
還原電位係以四氫呋喃為溶劑，加入支持電解質第三丁基銨過氯化物直至其濃度為10－ 1 mol/l，加入測定材料至其濃度為10－ 3 mol/l，即調製成還原電位的試樣品。並在氮氣氣團中與室溫下測定還原電位。
針對DTN、HAT－CN6、NPB及MTDATA，以上述的方法測定其HOMO能階及LUMO能階之結果列示於表2。
(評估)
對於以上所製成實施例1至15及比較例及2的有機EL元件，測定其在20mA/cm2 時的驅動電壓、發光效率及壽命，結果列示於表3中。而壽命是指測定開始時的亮度10,000d/m2 到減半時的經過時間，驅動電壓為有機EL元件在20mA/cm2 時所測得的驅動電壓。
以下針對實施例，並以比較例為對比說明作用效果。在比較實施例1與比較例1時，可知設有HAT－CN6的中間層10之實施例1的壽命遠比未設中間層10之比較例1為長。意即，可知到亮度減半的時間可延長到910/480＝約190%。
在實施例1中，使用作為電洞輸送層4的NPB之LUMO能階為2.6 eV，使用作為中間層10的HAT－6之LUMO能階為4.4 eV，使用作為與中間層10接觸的橙色發光層5之主材料的NPB之LUMO能階為2.6 eV，中間層10具有比電洞輸送層4與發光層5的個別LUMO能階還低的LUMO能階。
因設有具這種LUMO能階的材料作成的中間層10，可使從橙色發光層5流入的電子被中間層10捕捉，並在此中間層10中與從電洞輸送層4移來的電洞再結合，而可防止電子再移向電洞輸送層4。因此，可推斷因抑制電子引起的電洞輸送層4之劣化，而可延長有機EL元件的壽命。
再者，實施例1的有機EL元件因同時設有具這種LUMO能階的材料作成的中間層10與電洞注入層3，而與未設電洞注入層3的實施例11比較時，可知其有機EL元件的發光效率與壽命增加。
並且，使用為中間層10的HAT－CN6之LUMO能階為4.4 eV，而使用為與該中間層10接觸的橙色發光層5的NPB之HOMO能階為5.4 eV，兩者的能階差為1.0 eV。由於此值小於1.5 eV，即中間層10的LUMO能階與橙色發光層5的HOMO能階甚為接近，所以可使電子被中間層10吸引而使電子與電洞分離，並在發光層6中產生電洞，可供於發光層中與電子再結合，而促進發光效率的提高。此時為中間層10所吸引的電子，與如前述經由發光層到來的電子同樣被禁閉在電洞輸送層4與橙色發光層5之間的電位障壁間，結果與中間層10的電洞進行再結合。由於這種再結合而產生的啟動子則經非放射失活。
就如上述，實施例1的有機EL元件不僅因該中間層10的存在而產生能夠捕捉電子的第1作用，且會在橙色發光層5中供應電洞而產生促進與電子再結合的第2作用，在這些作用的協力運作下而可抑制電洞輸送層4因電子而造成的劣化。意即，可因第2作用而減少通過橙色發光層5的電子之量，可因第1作用而使通過橙色發光層5的電子被捕捉而不移動到電洞輸送層，進而抑制電洞輸送層4因電子所造成的劣化，而可延長有機EL元件之壽命。當然，也可藉由第2作用而提高發光效率。
並且，在實施例1時，使用於電洞輸送層4的NPB之HOMO能階為5.4 eV，使用於電洞注入層3的HAT－CN6之LUMO能階為4.4 eV，兩者的能階差為1.0 eV。由於此值小於1.5 eV，即電洞注入層3的LUMO能階與電洞輸送層4的HOMO能階甚接近，使電子被電洞注入層3吸引，而致電子與電洞分離，並於電洞輸送層4內產生電洞，而此電洞與由陽極3注入的電洞相依且供應到橙色發光層5，於橙色發光層5中被用來與電子再結合。這種情形在與上述不具電洞注入層3的實施例11之發光效率比較時，則證實備有上述電洞輸送層的實施例1之發光效率較高。
其次，針對中間層10與電洞注入層3的膜厚，再增加實施例1、實施例4至6、實施例8與實施例9的說明。
實施例1、實施例6、實施例8與實施例9都是使用同樣膜厚的HAT－CN6作為電洞輸送層4，而個別實施例中的電洞注入層3與中間層10的膜厚則各異。有機EL元件的壽命依HAT－CN6的膜厚為50nm、5nm、30nm、10nm之順序而延長，並以10nm時的壽命最長。
實施例4、實施例5與實施例6的個別電洞注入層3與中間層10的膜厚各異，而實施例1的個別中間層10與電洞注入層3的膜厚也不同。可知雖然實施例4、實施例5的有機EL元件的壽命比實施例6的還長，但比實施例1的壽命還短。由此結果可知，使用作為電洞注入層3與中間層10的HAT－CN6之膜厚均以10nm為佳。
其次在比較實施例12與比較例2時，可知實施例12的有機EL元件之壽命較長，即使以DTN作為電洞注入層3與中間層10，也可提高其有機EL元件之壽命。
其次在比較實施例13與比較例1時，可知設有由DTN形成的中間層10者比未設中間層10者，其有機EL元件的壽命較長。而且也可由此結果得知，電洞注入層3與中間層10是由不同材料形成時，也可延長有機EL元件之壽命。
同樣的在比較實施例11與實施例14時，可知設有由DTN形成的電洞注入層3者比未設電洞注入層3者，其有機EL元件的壽命較長。並且也可由此結果得知，電洞注入層3與中間層10縱然以不同的吡衍生物形成之材料構成時，也可增加有機EL元件的壽命。
另外，在比較實施例1、實施例12至實施例14時，可知以使用HAT－CN6作為電洞注入層3與中間層10者，其有機EL元件的壽命較使用DTN者為長。使用為與電洞輸送層4及中間層10接觸的橙色發光層5之主材料的NPB之HOMO能階為5.4 eV，使用於電洞注入層3或中間層10的DTN、HAT－CN6之LUMO能階分別為3.9 eV、4.4eV。因此，NPB之HOMO能階與HAT－CN6、DTN之LUMO能階的能階差分別為1.0 eV、1.5eV。因HAT－CN6之LUMO能階比DTN者更接近於NPB之HOMO能階，且因上述的第2作用較大，故可認為使用HAT－CN6者比使用DTN者的有機EL元件之壽命較長。
在比較實施例1至3時，電洞輸送層4所使用NPB的膜厚分別為80nm、100nm及150nm中，可知以100nm的有機EL元件之壽命最長。由此結果可知，使用為電洞輸送層4的NPB之膜厚以100nm為佳。
在比較實施例10與比較例2時，可知作為電洞輸送層4的NPB即使以同為胺衍生物的MTDATA替代時，只要設有由HAT－CN6構成的電洞注入層3與中間層10，就可延長有機EL元件的壽命。
又，在比較實施例1與實施例10時，可知使用NPB為電洞輸送層4者，可增長其有機EL元件的壽命。由此結果可知，以NPB作為電洞輸送層4的材料較佳。
藉由與本發明有關的有機電場發光元件及備有其之顯示裝置或發光裝置，即可減少侵入電洞輸送層內的電子，而抑制電洞輸送層之劣化，可延長有機電場發光元件及備有其之顯示裝置或發光裝置的壽命。
與本發明有關的有機電場發光元件及備有其之顯示裝置或發光裝置，其範圍並不只限於上述的實施例，也包括有本實施例的組成要件之替代技術或追加．變更的技術，全部的類似物也包括在其中。例如，上述的有機電場發光元件結構、電洞注入層3、電洞輸送層4及中間層10的材料或膜厚等，並不只限定於內容說明書中的記載。
1．．．基板
2．．．陽極
3．．．電洞注入層
4．．．電洞輸送層
5．．．橙色發光層
6．．．藍色發光層
7．．．電子輸送層
8．．．陰極
10．．．中間層
20．．．TFT
11．．．積層膜
12．．．通道領域
13d．．．汲極電極
13s．．．源極電極
14．．．閘極氧化膜
15．．．閘極電極
16．．．第一層間絶緣膜
17．．．第二層間絶緣膜
18．．．第一平坦化層
19．．．第二平坦化層
100．．．有機EL元件
CFB．．．藍色彩色濾光板層
第1圖表示與本發明之一實施形態有關的有機EL元件之模式截面圖。
第2圖中間層10的LUMO能階低於電洞輸送層4及橙色發光層5的主(host)材料的LUMO能階時，電子與電洞的移動之說明圖。
第3圖表示與本發明其他實施形態有關的有機EL元件的模式截面圖。
1．．．基板
2．．．陽極
3．．．電洞注入層
4．．．電洞輸送層
5．．．橙色發光層
6．．．藍色發光層
7．．．電子輸送層
8．．．陰極
10．．．中間層
20．．．TFT
11．．．積層膜
12．．．通道領域
13d．．．汲極電極
13s．．．源極電極
14．．．閘極氧化膜
15．．．閘極電極
16．．．第一層間絶緣膜
17．．．第二層間絶緣膜
18．．．第一平坦化層
19．．．第二平坦化層
100．．．有機EL元件
CFB．．．藍色彩色濾光板層

Claims (10)

  1. 一種有機電場發光元件，其特徵為：在陽極與陰極間具備含有有機材料的發光層之有機電場發光元件中具有：設置於前述陽極與前述發光層之間的電洞輸送層、以及設置於該電洞輸送層與前述發光層之間的中間層；前述發光層的最高被佔有分子軌道之能階與前述中間層的最低空分子軌道之能階差大約在1.5eV以內，而該中間層的最低空分子軌道的能階(energy level)均低於前述電洞輸送層與前述發光層的最低空分子軌道的能階。
  2. 一種有機電場發光元件，其特徵為該有機電場發光元件具有：陽極、含胺類衍生物的電洞輸送層、發光層、電子輸送層、以及設置在前述電洞輸送層與前述發光層之間的中間層；前述發光層的最高被佔有分子軌道之能階與前述中間層的最低空分子軌道之能階差大約在1.5eV以內， 吡衍生物 Ar：芳基(aryl)R：-H、-Cn H2n+1 (n=1至10)、-O Cn H2n+1 (n=1至10)、-N(Cn H2n+1 )2 (n=1至10)、-X(X=F,Cl,Br,I)、-CN。
  3. 如申請專利範圍第2項之有機電場發光元件，其中，前述吡衍生物至少含具有式(2)表示之分子結構的材料者，
  4. 一種有機電場發光元件，其特徵為：至少含有陽極、含胺類衍生物的電洞輸送層、發光層、電子輸送層、以及設在前述電洞輸送層與前述發光層之間的中間層，而該中間層為具有式(3)表示之分子結構的材料者，
  5. 如申請專利範圍第1項、第2項或第4項之有機電場發光元件，其中：前述陽極與電洞輸送層之間又設置電洞注入層，該電洞注入層係將來自前述陽極之電洞注入電洞輸送層中，前述電洞輸送層的最高被佔有分子軌道之能階與前述電洞注入層的最低空分子軌道之能階差大約在1.5eV以內者。
  6. 如申請專利範圍第5項之有機電場發光元件，其特徵為：前述中間層與前述電洞注入層係由相同材料而成者。
  7. 一種顯示裝置，其特徵為：使用一個以上如申請專利範圍第1、2或4項中任一項之有機電場發光元件者。
  8. 如申請專利範圍第7項之顯示裝置，其中，前述發光層的最高被佔有分子軌道之能階與前述中間層的最低空分子軌道之能階差大約在1.5eV以內者。
  9. 一種發光裝置，其特徵為：使用一個以上如申請專利範圍第1、2或4項中任一項之有機電場發光元件者。
  10. 如申請專利範圍第9項之發光裝置，其中，前述發光層的最高被佔有分子軌道之能階與前述中間層的最低空分子軌道之能階差大約在1.5eV以內者。
TW095121357A 2005-06-30 2006-06-15 有機電場發光元件及具備該有機電場發光元件之顯示裝置或發光裝置 TWI406588B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005193215A JP4999291B2 (ja) 2005-06-30 2005-06-30 有機エレクトロルミネッセンス素子およびそれを備える表示装置又は発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200711525A TW200711525A (en) 2007-03-16
TWI406588B true TWI406588B (zh) 2013-08-21

Family

ID=37598137

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW095121357A TWI406588B (zh) 2005-06-30 2006-06-15 有機電場發光元件及具備該有機電場發光元件之顯示裝置或發光裝置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8153275B2 (zh)
JP (1) JP4999291B2 (zh)
KR (1) KR101309875B1 (zh)
CN (1) CN100574547C (zh)
TW (1) TWI406588B (zh)

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4785386B2 (ja) * 2005-01-31 2011-10-05 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
DE602005003425T2 (de) 2004-10-11 2008-10-02 Samsung SDI Co., Ltd., Suwon Organische elektrolumineszierende Vorrichtung und deren Herstellungsmethode
JP4785509B2 (ja) * 2005-11-30 2011-10-05 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
TWI481308B (zh) * 2007-09-27 2015-04-11 Semiconductor Energy Lab 發光元件，發光裝置，與電子設備
EP2091097A3 (en) * 2008-02-13 2013-05-15 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
KR100922757B1 (ko) * 2008-02-19 2009-10-21 삼성모바일디스플레이주식회사 수명을 향상시킨 유기 발광 소자
US8896201B2 (en) 2008-02-19 2014-11-25 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting device
KR20090092051A (ko) 2008-02-26 2009-08-31 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광소자 및 그의 제조방법
JP5618495B2 (ja) * 2008-05-16 2014-11-05 キヤノン株式会社 有機発光素子
KR100924145B1 (ko) * 2008-06-10 2009-10-28 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광소자 및 이의 제조방법
KR101811782B1 (ko) 2008-07-10 2018-01-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 전자기기
JP5098871B2 (ja) * 2008-07-24 2012-12-12 セイコーエプソン株式会社 発光素子、表示装置および電子機器
TWI486097B (zh) * 2008-12-01 2015-05-21 Semiconductor Energy Lab 發光元件、發光裝置、照明裝置、及電子裝置
CN105742515A (zh) * 2009-05-29 2016-07-06 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光装置、照明装置以及电子设备
JP5573013B2 (ja) * 2009-06-16 2014-08-20 大日本印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US8877356B2 (en) * 2009-07-22 2014-11-04 Global Oled Technology Llc OLED device with stabilized yellow light-emitting layer
WO2011030450A1 (ja) * 2009-09-11 2011-03-17 富士電機ホールディングス株式会社 有機発光素子
JP5479009B2 (ja) 2009-09-24 2014-04-23 キヤノン株式会社 有機発光素子
JP5515661B2 (ja) * 2009-11-16 2014-06-11 ソニー株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造方法
KR101137392B1 (ko) * 2010-03-31 2012-04-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
JP5620163B2 (ja) * 2010-06-21 2014-11-05 株式会社日本触媒 有機薄膜電界発光素子、照明装置およびそれに用いられる自己組織化単分子膜材料
US8884509B2 (en) * 2011-03-02 2014-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Optical device, display device, and lighting device
KR101451586B1 (ko) * 2011-09-20 2014-10-16 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 소자
JP6386136B2 (ja) * 2012-04-13 2018-09-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器および照明装置
KR101433524B1 (ko) * 2012-05-25 2014-08-22 주식회사 엘지화학 유기발광소자 및 이의 제조방법
KR20140143545A (ko) * 2013-06-07 2014-12-17 삼성디스플레이 주식회사 발광소자, 이를 포함하는 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
EP3201960A1 (en) * 2014-09-30 2017-08-09 Merck Patent GmbH Semiconductor composition comprising an inorganic semiconducting material and an organic binder
KR102291895B1 (ko) 2014-11-27 2021-08-20 엘지디스플레이 주식회사 인덴 카보나이트릴 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자
KR102574052B1 (ko) * 2015-11-19 2023-09-04 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
CN106784343B (zh) * 2015-11-19 2018-10-09 乐金显示有限公司 有机发光显示装置
JP6714401B2 (ja) * 2016-03-18 2020-06-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN105679957B (zh) * 2016-04-20 2017-12-05 京东方科技集团股份有限公司 有机发光器件及其制备方法
KR102401012B1 (ko) * 2017-07-28 2022-05-24 삼성디스플레이 주식회사 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
US20190280215A1 (en) * 2018-03-08 2019-09-12 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device
US20200168817A1 (en) * 2018-11-23 2020-05-28 Samsung Display Co., Ltd. Organometallic compound and organic light-emitting device including the same
KR20200062462A (ko) * 2018-11-26 2020-06-04 삼성디스플레이 주식회사 유기금속 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
JP2020188199A (ja) * 2019-05-16 2020-11-19 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ素子、有機ｅｌ表示パネル、および、有機ｅｌ素子の製造方法
CN110364636B (zh) * 2019-07-22 2022-02-22 云谷（固安）科技有限公司 有机电致发光器件以及显示装置
KR20210012800A (ko) * 2019-07-26 2021-02-03 엘티소재주식회사 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
CN113097394B (zh) * 2020-01-09 2022-08-12 京东方科技集团股份有限公司 一种oled器件、显示装置及其制备方法
CN111799385A (zh) 2020-07-21 2020-10-20 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管器件及其制备方法、显示基板、显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW506229B (en) * 1999-12-31 2002-10-11 Lg Chemical Ltd Electronic device comprising organic compound having p-type semiconducting characteristics
US20030175553A1 (en) * 2001-12-28 2003-09-18 Thompson Mark E. White light emitting oleds from combined monomer and aggregate emission
US20030197465A1 (en) * 2002-04-03 2003-10-23 Yong Qiu Organic light-emitting devices

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002175887A (ja) 2000-12-07 2002-06-21 Denso Corp 有機ｅｌ素子
JP4329305B2 (ja) * 2001-08-27 2009-09-09 株式会社デンソー 有機ｅｌ素子
JP4409942B2 (ja) 2001-08-29 2010-02-03 ザ トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシテイ 金属錯体を含むキャリア輸送層を有する有機発光デバイス
US6603150B2 (en) 2001-09-28 2003-08-05 Eastman Kodak Company Organic light-emitting diode having an interface layer between the hole-transporting layer and the light-emitting layer
JP2004179142A (ja) 2002-09-30 2004-06-24 Sanyo Electric Co Ltd 発光素子
US7862906B2 (en) * 2003-04-09 2011-01-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electroluminescent element and light-emitting device
JP4300176B2 (ja) * 2003-11-13 2009-07-22 ローム株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子
JP4785386B2 (ja) * 2005-01-31 2011-10-05 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW506229B (en) * 1999-12-31 2002-10-11 Lg Chemical Ltd Electronic device comprising organic compound having p-type semiconducting characteristics
US20030175553A1 (en) * 2001-12-28 2003-09-18 Thompson Mark E. White light emitting oleds from combined monomer and aggregate emission
US20030197465A1 (en) * 2002-04-03 2003-10-23 Yong Qiu Organic light-emitting devices

Also Published As

Publication number Publication date
US20070009762A1 (en) 2007-01-11
KR20070003619A (ko) 2007-01-05
JP4999291B2 (ja) 2012-08-15
US8153275B2 (en) 2012-04-10
CN1893748A (zh) 2007-01-10
CN100574547C (zh) 2009-12-23
KR101309875B1 (ko) 2013-09-17
JP2007012946A (ja) 2007-01-18
TW200711525A (en) 2007-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI406588B (zh) 有機電場發光元件及具備該有機電場發光元件之顯示裝置或發光裝置
JP4315874B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
JP4785386B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
TWI382079B (zh) 有機電場發光元件及有機電場發光顯示裝置
KR101688317B1 (ko) 저전압 구동 유기발광소자 및 이의 제조 방법
JP5639181B2 (ja) 有機発光装置及びこれを用いた光源装置
JP2018525835A (ja) 有機発光ダイオード（ｏｌｅｄ）の正孔注入層（ｈｉｌ）として使用される金属アミド
Eom et al. Effect of electron injection and transport materials on efficiency of deep-blue phosphorescent organic light-emitting devices
JP2006066380A (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
JP5977227B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4565922B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
JP4565921B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
JP2007179933A (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
JPWO2011010696A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子
KR101550473B1 (ko) 유기 ｅｌ 소자
JP2010182637A (ja) 有機電界発光素子の製造方法及び有機電界発光素子
JP2006066379A (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
JP2010027885A (ja) 有機電界発光素子
JP2010251585A (ja) 有機電界発光素子
JP4578215B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
EP3435437A1 (en) Organic light-emitting element
JP4434872B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
JP2006073642A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子およびそれを備える有機エレクトロルミネッセンス装置
CN114267803B (zh) 显示面板及其制作方法
JP2006073640A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子およびそれを備える有機エレクトロルミネッセンス装置