TW200806996A - Non-contact type single side probe structure - Google Patents

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Description

200806996 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種非 別地係有關於一種非接觸p f如針、、“冓，且更特 膜及複數導電膜被重複地二面::：：其中複數絕緣 形成於結構的.截面的内部導:膜括：探針電極，被 形成於截面的外部導電膜部：，、;：成:：=部分’被 應於圖案化電極了士成‘針電極以具有對 化的同…電膜的厚度，從而檢掷在小型 化的圖案化電極中之開路及短路。 【先前技術】 通$纟諸如貧料傳輸線的多線路電魔中的開路及 赚由在各線路與其他線路分開後測量 = 電阻而被檢測。因此，需要兩個以上的操作員。在= 量線路的電纜的情況中，古栌此 杜匕枯 舌、— 兄巾H線路數目遺失且檢測須
重獲，從而降低檢測可靠度並增加操作時間。 PDP^者’如圖1所示’在平板顯示裝置1G(例如LCD PDP)中，開路及短路可經由施加電流至各圖案化電極15 -端並且測量在對應的圖案化電極15的另一端上的電 而被檢測。又，開路及短路可經由以顯微鏡等檢查導線 被檢測。在圖i中’參考數字20標示探針方塊，且參考: 字3 0標示針式探針。 因此，為了檢測在單一 需要至少兩個探針。如此， 圖案化電極中的開路及短路， 需要許多探針且成本增加.。再
5151-8990-PF 5 200806996 者，長的圖案化探針為了不 L· Xx3 同位置上的測量兩-顧以 上的操作者，從而耗費大量的…㈣里而要-個以 灵入里的B守間及人力。 再者，在接觸式探針的情況 圖案化電極，可$ 口為振針係按壓接觸 4 J月匕發生接觸錯誤。正本备 的圖案化電極上可能產生靜再者，在做為測量對象 … 產生刮傷’從而導致另-錯誤。 為了解決上述問題，一種 為禋非接觸式早面探針，其中做 馮非接觸捸針電極的一激 洛i , 歲^ 電極及一感測器電極被配置
风早一极組，被應用於一姶、 ^ ^ ^ 、 一儀為以在採針未接觸圖案化 為在圖案化電極的一端檢測開路及短路。 圖2顯示非接觸式單面探針的截面。如圖2所示，做 為楝針電極的一激於哭φ 士 .^ 電極41及一感測器電極42被設置 在截面的内部且-防護部分50被設置在被電性接地的截 ^的外部’從而防止外部雜訊的影響並防止被提供至探針 笔極的訊號线漏到外部。 、隨者小型化及多腳圖案化電極的趨勢，探針需被小型 :以檢測在圖案化電極中的開路及短路。不過，因為探針 電極及圍繞探針電極的防護部分5"被形成在傳統的結 構中，其難以將傳統結構適用於小型化的圖案。 【發明内容】 因此’本發明係有鑑於上述問題而被製造，且本發明 之目的係在於提供一種非接觸式單面探針結構，其中複數 絶緣膜及複數導電膜被重複地堆疊，結構包括：探針電極， 被形成於結構的截面的内部導電膜部分；及一防護部分，
5151-8990-PF 6 200806996 被形成於截面的外部導成 對應於圖案化電極的間距 、有 荆Α ΛΛ门^ 守电胰的与度，從而檢测在小 支的圖木化電極中之開路及短路。 根據本發明之一牿傲， 壯 特徵、有一種非接觸式單面探針 、、、口構’包括：一探針電極 ^ ^ ^ 被^成於重稷堆豐的複數絕緣 膜及V電膜之截面的內邱邋 成m… 部分；一防護部分，被形 ^ ^膜°卩刀，外邛導電膜部分圍繞探針電
° ^接觸孔1於介接探針電極及防護部分。 取好，絶緣膜及導電膜係印刷電路板（PCBs)或軟性印 刷電路板（F'PCBs)。 取好，絕緣膜及導電膜係沉積形成的薄膜。
根據本發明之另_ /JUL 另特徵，楗供有一種非接觸式單面探 络“ 匕括·第一層，各自包括一絕緣膜及被沉積在絕 '、、膜上的導電膜以形成一防護部分;至少一第二層，包 巴緣膜及被/儿積在絕緣膜上的一導電膜以豆 被圖案化的一探斜雷托B ^ 、’電極及一防護部分；防護接觸孔，用於 接防凌邛刀，及電極接觸孔，用於介接探針電極，豆中， :連續地堆疊之第一層的截面、第二層及第一層係被形成 為一探針。 Y 探針電極被圖案化成在第二層中的複數電極。 最子探針電極係經由沉積複數第二層而變厚。 最好、、愚緣膜及導電膜係印刷電路板（PCBS)或軟性印 刷電路板（FPCBs)。 最好， 絶緣膜及導電膜係沉積形成的薄膜。
5151-8990-PF 7 200806996 …在根據本發明之非接觸式單 稷數絕緣膜及複數導電膜被重複地 -冓 探針電極，赫报恣热处摄^ 立、、、口構包括·· 構的截面的内部導電膜部分；及一 防“刀’被形成於截面的外部導電膜部分1此 形成採針電極以具有對 八可 严声，似 兩士應於圖案化電極的間距之導電膜的 子又 攸而檢測在小型化的FI垒儿+ j丄 、 ,^ …匕的圖案化電極中之開路及短路。 -明之上述及其他目的、特點及 細說明配合附圖將更加清楚。 ^由下面评 【實施方式】 :面，將參考附圖說明本發明之一較佳實施例，其中， 门二考數字標示實際上具有與傳統結構相同的功能之
同樣的部件。 刀K 顯示根據本發明之非接觸式單面探針結構。 田圖3所7F ’複數絕緣膜61及複數導電膜62被重複 2隹二。做為探針電極的-激發器则及-感測器電極 寻形成在結構的截面的内部導電膜部分。一 被形成在圍錶糯私干， 又丨刀
% k針電極的外部導電膜部分。因此，整個輪 廓類似於圖？备-1 U 不的非接觸式單面探針結構。也就是，防 遵部分5 0被形忐少θ 士 乂成在具有對應於絕緣膜61及導電膜62的厚 度之間距的外邱 .,t ^ °做為探針電極的激發器電極41及感測器 甩極42被形成在防護部分50内部。 再者電纟見10 0被提供以通過電極接觸孔91及防護接 觸孔9 2。探斜雷4 ♦ 41及42與防護部分50通過電親1 〇〇
5151-8990-PF 8 200806996 介接檢查儀器，使得激發及感測係通過探針電極41及4 2 被執行且防護部分50被電性接地。 在此情況中，絕緣膜61及導電膜62可經由堆疊印刷 電路板（PCBs)或軟性印刷電路板（FPCBs)而被配置。為了妒 成具有較細微線路的探針電極，絕緣膜及導電膜62可 Ik由根據一半‘體製造程序沉積薄膜而被形成。 圖4A及4B顯示被包括在根據本發明之非接觸式單面 探針中的層。 如圖4A所示，第一層70被設置在探針的防護部分5〇 的上部及下部。各個第一層7〇包括絕緣膜61及被形成在 %緣膜61上的導電膜62。第一層70更包括用以介接激發 器電極41及感測器電極42的電極接觸孔91與用以介接防 護部分50的防護接觸孔92。 如圖4B所示，各個第二層8〇包括絕緣膜61及被形成 在絕緣膜61上的導電臈62，其中，做為探針電極的激發 _ 态電極41及感測器電極42與防護部分50在導電膜62上 被圖案化。第二層8G更包括用以介接激發器電極41及感 測器電極42的電極接觸孔91與用以介接防護部* 5〇的防 護接觸孔92。 如圖3所不’探針係經由從下至上堆疊第一層7〇、第 二層80、第二層80及第-層，而被形成。 在此ί月況中做為掩針電極的激發器電極及感測器 電極42可經由重複地堆疊第二層80而變厚。 同時’如圖5所示’激發器電極41及感測器電極42
5151-8990-PF 200806996 :被形成為雙重結構且電極接觸孔91及防護接觸孔9“皮 分別連接至激發器電極41及感測器電極 單-模組。 攸而形成一 如上所述，在根據本發明之非接 由、—如 ^钕嗎式早面探針結構 ，稷數絕緣膜及複數導電膜被重複地堆疊，且結構包括· 探針電極，被形成於結構的截面的内部導電膜部。分^及一· 防護部分，被形成於截面的外部導電膜部分二二= _形成探針電極以具有對應於圖案化電極的間距之膜: 厚度而檢測在小型化的圖案化電財之開路及短路。 用以月之非接觸式早面探針結構中，被 伙為抓針的截面係間隔特定 孔，從rfhl #。立θ ^ 心£離次更延地離開接觸 攸而對於囉音具有高耐受性。 再者’在根據本發明之非垃 緣❹道币 之非接觸式早面探針結構中，絕 、了、、二由根據一半導體製造 形成。如此，1可被靡田$ 7斤，儿積溥膜而被 “ ，'了被應用至-小型化的圖案化電極。 私 雖然本發明的較佳實施 技蓺者理解可％盼馮了 5兄明已被揭露，熟知此 I者理解可不脫離如在伴 本發明的料及精神而進行各種=專利乾圍中被揭露之 仃各種修正、增加及替代。 【圖式簡單說明】 圖1係用以說明檢測方 反一狀认 般的圖案化電極中的關政另 短路的方法的圖式； 电位甲的開路及 圖2係顯示一般的非接 式早面振針的平面圖· 圖3係顯示根據本 v， 月之非接觸式單面探針的透視
5151-8990-PF 10 圖； 面 例 。圖4A及料*被包括厂 探針中的各自的層；及 根據本發明之非接觸式單 1 5 1會示根據本發明之非接觸式單面探針的另〆 十0 【主要元件符號說明】 1 〇 ·平板顯示裝置·， 15 :圖案化電極； 20:探針方塊； 30 :針式探針； 41 ·激發器電極； 42:感測器電極； 5 0 :防護部分； 61 :絕緣膜； 62:導電膜； ·第一層； 80 :第二層； 91 :電極接觸孔； 9 2 :防護接觸孔； 10 0 :電纜。
5151-8990-PF 11

Claims (1)

  1. 200806996 十、申請專利範圍： 1. 一種非接觸式單面探針結構，包括·· 一探針電極，被形成於重複堆疊的複數絕緣膜 膜之截面的内部導電膜部分； ... 防°又。|5/刀，被形成於截面的外部導電膜部分，外邱 導電膜部分圍繞探針電極；及 ° 接觸孔’用於介接探針電極及防護部分。 :如申鳴專利範圍第1項的非接觸式單面探針壯 構，其中，絕緣膜及導雷勝#亡Τ、、、口 刷電路板⑽Bs)。 料刷電路板⑽s)或軟性印 構！.：申請專利範圍第1項的非接觸式單面探針-絶緣膜及導電膜係沉積形成的薄膜。 t 一種非接觸式單面探針結構，包括： 第-層’各自包括一絕緣膜 導電膜以形成-防護部分； ㈣、巴緣膜上的一 -導包括—絕緣膜及被沉積在絕緣膜上的 分、；、在其上被圖案化的-探針電極及-防護部 防護接觸孔，用於介接防護部分；及 電極接觸孔，用於介接探針電極， 其中，被連續地堆疊之第 層係被形成為一探針。 4截面、弟二層及第一 構1·中如：請專利範圍第4項的非接觸式單面探針,士 構，其中，探針電極被圖_ \平囬妹針！。 ϋ木化成在第二層中的複數電極。 5151-8990-PF 12 200806996 6. 如申請專利範圍第4項的非接觸式單 槿，豆中，拆力丄& Τ /、 衣針電極係經由沉積複數第二層而變厚。 7. 如申請專利範圍第4項的非接觸式單面探針結 構，其中，絕緣膜及導電膜係印刷電路板（pcBs)或軟性印 刷電路板（FPCBs)。 8. 如申請專利範圍第4項的非接觸式單面探針結 構，其中，絕緣膜及導電膜係沉積形成的薄膜。
    5151-8990-PF 13
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