JP3337400B2 - センサ電極取出し構造 - Google Patents
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- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8512—Aligning
- H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
- H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
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- H01L2224/85186—Translational movements connecting first outside the semiconductor or solid-state body, i.e. off-chip, reverse stitch
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はセンサ電極取出し構
造に関し、特にシリコン単結晶材を用いたギャップの狭
い半導体センサ（例えばＴＦＴ液晶パネル検査用ＦＥＴ
センサ）からの信号を外部へ取出すためのセンサ電極取
出し構造に関する。
造に関し、特にシリコン単結晶材を用いたギャップの狭
い半導体センサ（例えばＴＦＴ液晶パネル検査用ＦＥＴ
センサ）からの信号を外部へ取出すためのセンサ電極取
出し構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、センサ電極取出し構造は図５
（Ａ），（Ｂ）に示すようになっていた。ここで、図３
（Ａ）は全体図、図５（Ｂ）は図５（Ａ）のＸ−Ｘ線に
沿う断面図である。
（Ａ），（Ｂ）に示すようになっていた。ここで、図３
（Ａ）は全体図、図５（Ｂ）は図５（Ａ）のＸ−Ｘ線に
沿う断面図である。
【０００３】図中の付番１は回路基板であり、この回路
基板１上にセンサ２や複数の電子部品（又は電気部品）
３が搭載されている。前記センサ２の上面の一部はセン
サ検知部４となっており、前記センサ２の上面に複数の
電極パッド５が設けられている。前記センサ２に隣接す
る回路基板１上には、前記電極パッド５とボンディング
ワイヤ６を介して電気的に接続する電極パッド７が設け
られている。
基板１上にセンサ２や複数の電子部品（又は電気部品）
３が搭載されている。前記センサ２の上面の一部はセン
サ検知部４となっており、前記センサ２の上面に複数の
電極パッド５が設けられている。前記センサ２に隣接す
る回路基板１上には、前記電極パッド５とボンディング
ワイヤ６を介して電気的に接続する電極パッド７が設け
られている。
【０００４】前記ボンディングワイヤ６は、通常、超音
波ワイヤボンディング法と呼ばれる手法により電極パッ
ド５，７間の接続を行っていた。これを図６（Ａ）〜
（Ｅ）を参照して説明する。まず、図６（Ａ）の状態か
ら回路基板１上の電極パッド７上にボンディングワイヤ
６の一端をキャピラリー11を用いて熱溶着させて接続さ
せる（図６（Ｂ）参照）。つづいて、図６（Ｃ）のよう
にボンディングワイヤ６の他端側をセンサ２上面の電極
パッド５の真上に移動させた後、ボンディングワイヤ６
の他端を電極パッド５に接続させる（図６（Ｄ）参
照）。この後、余分なボンディングワイヤ６の他端側を
クランパ−12で切断し、ボンディングワイヤ６による接
続を終了する（図６（Ｅ）参照）。
波ワイヤボンディング法と呼ばれる手法により電極パッ
ド５，７間の接続を行っていた。これを図６（Ａ）〜
（Ｅ）を参照して説明する。まず、図６（Ａ）の状態か
ら回路基板１上の電極パッド７上にボンディングワイヤ
６の一端をキャピラリー11を用いて熱溶着させて接続さ
せる（図６（Ｂ）参照）。つづいて、図６（Ｃ）のよう
にボンディングワイヤ６の他端側をセンサ２上面の電極
パッド５の真上に移動させた後、ボンディングワイヤ６
の他端を電極パッド５に接続させる（図６（Ｄ）参
照）。この後、余分なボンディングワイヤ６の他端側を
クランパ−12で切断し、ボンディングワイヤ６による接
続を終了する（図６（Ｅ）参照）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図５の構成
の電極取出し構造においては、センサ２上面の電極パッ
ド５と回路基板１上の電極パッド７がボンディングワイ
ヤ６を介して電気的に接続されているが、ボンディング
の関係でボンディングワイヤ６の高さがセンサ検知部４
の位置より高い位置に存在する。従って、センサ２で被
検査体を検知する際に前記ボンディングワイヤ６が被検
査体に接触し、断線したり、あるいは検知する際の被検
査体の接近が制限される等の問題が生じていた。
の電極取出し構造においては、センサ２上面の電極パッ
ド５と回路基板１上の電極パッド７がボンディングワイ
ヤ６を介して電気的に接続されているが、ボンディング
の関係でボンディングワイヤ６の高さがセンサ検知部４
の位置より高い位置に存在する。従って、センサ２で被
検査体を検知する際に前記ボンディングワイヤ６が被検
査体に接触し、断線したり、あるいは検知する際の被検
査体の接近が制限される等の問題が生じていた。
【０００６】本発明はこうした事情を考慮してなされた
もので、センサ検知部の傾斜部を利用して第１の電極パ
ッドと第２の電極パッド同士を電気的に接続する配線パ
ターンを設けることにより、被検査体を従来と比べセン
サのセンサ検知部付近へ接近させることができ、もって
高精度なセンサシステムが実現できるセンサ電極取出し
構造を提供することを目的とする。
もので、センサ検知部の傾斜部を利用して第１の電極パ
ッドと第２の電極パッド同士を電気的に接続する配線パ
ターンを設けることにより、被検査体を従来と比べセン
サのセンサ検知部付近へ接近させることができ、もって
高精度なセンサシステムが実現できるセンサ電極取出し
構造を提供することを目的とする。
【０００７】又、本発明は、センサ検知部の傾斜部を利
用して第２の電極パッドと電気的に接続する配線パター
ンを形成し、回路基板及び傾斜部には配線シートを形成
し、この配線シート内に接続配線、前記配線パターンと
接続配線同士を電気的に接続する第３の電極パッド、前
記接続配線と第１の電極パッド同士を電気的に接続する
第４の電極パッドを夫々形成した構成とすることによ
り、被検査体を従来と比べセンサのセンサ検知部付近へ
接近させることができ、もって高精度なセンサシステム
が実現できるセンサ電極取出し構造を提供することを目
的とする。
用して第２の電極パッドと電気的に接続する配線パター
ンを形成し、回路基板及び傾斜部には配線シートを形成
し、この配線シート内に接続配線、前記配線パターンと
接続配線同士を電気的に接続する第３の電極パッド、前
記接続配線と第１の電極パッド同士を電気的に接続する
第４の電極パッドを夫々形成した構成とすることによ
り、被検査体を従来と比べセンサのセンサ検知部付近へ
接近させることができ、もって高精度なセンサシステム
が実現できるセンサ電極取出し構造を提供することを目
的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願に係る第１の発明
は、回路基板上に半導体センサと第１の電極パッドとを
有したセンサ電極取出し構造において、前記半導体セン
サは一部が傾斜部となっており、かつ前記半導体センサ
はセンサ検知部と第２の電極パッドとを有し、更に前記
傾斜部を利用して前記第１の電極パッドと第２の電極パ
ッド同士を電気的に接続する配線パターンが形成されて
いることを特徴とするセンサ電極取出し構造である。
は、回路基板上に半導体センサと第１の電極パッドとを
有したセンサ電極取出し構造において、前記半導体セン
サは一部が傾斜部となっており、かつ前記半導体センサ
はセンサ検知部と第２の電極パッドとを有し、更に前記
傾斜部を利用して前記第１の電極パッドと第２の電極パ
ッド同士を電気的に接続する配線パターンが形成されて
いることを特徴とするセンサ電極取出し構造である。
【０００９】また、本願に係る第２の発明は、回路基板
上に半導体センサと第１の電極パッドとを有したセンサ
電極取出し電極構造において、前記半導体センサは一部
が傾斜部となっており、かつ前記半導体センサはセンサ
検知部と第２の電極パッドとを有し、更に前記傾斜部を
利用して前記第２の電極パッドと電気的に接続する配線
パターンが形成され、前記回路基板及び傾斜部には配線
シートが形成され、この配線シート内には接続配線、前
記配線パターンと接続配線同士を電気的に接続する第３
の電極パッド、前記接続配線と第１の電極パッド同士を
電気的に接続する第４の電極パッドが夫々形成されてい
ることを特徴とするセンサ電極取出し構造である。
上に半導体センサと第１の電極パッドとを有したセンサ
電極取出し電極構造において、前記半導体センサは一部
が傾斜部となっており、かつ前記半導体センサはセンサ
検知部と第２の電極パッドとを有し、更に前記傾斜部を
利用して前記第２の電極パッドと電気的に接続する配線
パターンが形成され、前記回路基板及び傾斜部には配線
シートが形成され、この配線シート内には接続配線、前
記配線パターンと接続配線同士を電気的に接続する第３
の電極パッド、前記接続配線と第１の電極パッド同士を
電気的に接続する第４の電極パッドが夫々形成されてい
ることを特徴とするセンサ電極取出し構造である。
【００１０】本発明において、前記傾斜部の傾斜角度
（例えば図１のθ）は、配線パターンの段切れを少なく
するため、１０°〜３０°程度が好ましい。傾斜部を設
けたのは次のような理由による。つまり、センサ内に形
成されたセンサ検知部は、検出ギャップを約２０μｍ保
った状態における電位計測センサである。従って、セン
サ検知部の真上約２０μｍの位置へ被検査体が存在する
ため、電極取出しはその２０μｍ内で行う必要がある。
また、センサ内のセンサ検知部は半導体センサであり、
センサの材料は一般に単結晶シリコンを使用している。
それ故、単結晶シリコンでの例えば印刷配線板の表裏接
続法の１つであるスルーホール加工等はできない。よっ
て、センサからの電極取出しは本方式となる。
（例えば図１のθ）は、配線パターンの段切れを少なく
するため、１０°〜３０°程度が好ましい。傾斜部を設
けたのは次のような理由による。つまり、センサ内に形
成されたセンサ検知部は、検出ギャップを約２０μｍ保
った状態における電位計測センサである。従って、セン
サ検知部の真上約２０μｍの位置へ被検査体が存在する
ため、電極取出しはその２０μｍ内で行う必要がある。
また、センサ内のセンサ検知部は半導体センサであり、
センサの材料は一般に単結晶シリコンを使用している。
それ故、単結晶シリコンでの例えば印刷配線板の表裏接
続法の１つであるスルーホール加工等はできない。よっ
て、センサからの電極取出しは本方式となる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について説
明する。 （実施例１）図１（Ａ），（Ｂ）を参照して説明する。
ここで、図１（Ａ）は本実施例１に係るセンサ電極取出
し構造の平面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＸ−Ｘ線に
沿う断面図である。
明する。 （実施例１）図１（Ａ），（Ｂ）を参照して説明する。
ここで、図１（Ａ）は本実施例１に係るセンサ電極取出
し構造の平面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＸ−Ｘ線に
沿う断面図である。
【００１２】図中の付番21は回路基板である。この回路
基板21上には、センサ22や複数の電子部品（又は電気部
品）23が実装され、更に複数の第１の電極パッド24が前
記センサ22に隣接して形成されている。ここで、前記セ
ンサ22の材質は単結晶シリコンであり、厚みは約３ｍｍ
である。前記センサ22は、傾斜角度（θ）が１０°〜３
０°程度の２つの対向する傾斜部22ａを有している。前
記センサ22の頂部22ｂのフラット面の一部はセンサ検知
部25となっており、該センサ22の頂部22ｂには外部との
電気的接続を行うための複数の第２の電極パッド26がセ
ンサ22の傾斜部22ａに沿って設けられている。前記電子
部品23は、センサ22で得られた微弱な電気信号を増幅又
は波形整形等信号処理するためのものである。前記傾斜
部22ａ上には、両端が回路基板21の上面、センサ22の頂
部22ｂ上に延出して第１の電極パッド24、第２の電極パ
ッド26と夫々電気的に接続する薄膜配線パターン27が形
成されている。
基板21上には、センサ22や複数の電子部品（又は電気部
品）23が実装され、更に複数の第１の電極パッド24が前
記センサ22に隣接して形成されている。ここで、前記セ
ンサ22の材質は単結晶シリコンであり、厚みは約３ｍｍ
である。前記センサ22は、傾斜角度（θ）が１０°〜３
０°程度の２つの対向する傾斜部22ａを有している。前
記センサ22の頂部22ｂのフラット面の一部はセンサ検知
部25となっており、該センサ22の頂部22ｂには外部との
電気的接続を行うための複数の第２の電極パッド26がセ
ンサ22の傾斜部22ａに沿って設けられている。前記電子
部品23は、センサ22で得られた微弱な電気信号を増幅又
は波形整形等信号処理するためのものである。前記傾斜
部22ａ上には、両端が回路基板21の上面、センサ22の頂
部22ｂ上に延出して第１の電極パッド24、第２の電極パ
ッド26と夫々電気的に接続する薄膜配線パターン27が形
成されている。
【００１３】次に、上述した構成のセンサ電極取出し構
造の組立法について図３を参照して説明する。まず、セ
ンサ22上にセンサ検知部25を形成した後、センサ22の両
端を傾斜加工して対向する２つの傾斜部22ａを形成す
る。一方、回路基板21を予め配置しておき、前記センサ
22をセンサ検知部25を上向きにして回路基板21に実装す
る。つづいて、センサ22の第２の電極パッド26から信号
等の電気信号を取り出す（又は供給する）ために、前記
センサ１の傾斜部22ａに成膜及びエッチング技術を用い
て第２の電極パッド26，第１の電極パッド24に電気的に
接続する薄膜配線パターン27を形成する。これにより、
センサ22の電気成分が回路基板21の第１の電極パッド24
で取出し（又は供給）することができる。その後、第１
の電極パッド24を使用して電子部品23の各々の端子と回
路基板21上へ印刷配線を用いることにより、電気的接続
ができ、センサ信号の処理が可能となる。
造の組立法について図３を参照して説明する。まず、セ
ンサ22上にセンサ検知部25を形成した後、センサ22の両
端を傾斜加工して対向する２つの傾斜部22ａを形成す
る。一方、回路基板21を予め配置しておき、前記センサ
22をセンサ検知部25を上向きにして回路基板21に実装す
る。つづいて、センサ22の第２の電極パッド26から信号
等の電気信号を取り出す（又は供給する）ために、前記
センサ１の傾斜部22ａに成膜及びエッチング技術を用い
て第２の電極パッド26，第１の電極パッド24に電気的に
接続する薄膜配線パターン27を形成する。これにより、
センサ22の電気成分が回路基板21の第１の電極パッド24
で取出し（又は供給）することができる。その後、第１
の電極パッド24を使用して電子部品23の各々の端子と回
路基板21上へ印刷配線を用いることにより、電気的接続
ができ、センサ信号の処理が可能となる。
【００１４】上記実施例１に係るセンサ電極取出し構造
においては、センサ22の傾斜部を利用して回路基板21上
の第１の電極パッド24とセンサ22の頂部22ｂの第２の電
極パッド26同士を電気的に接続する薄膜配線パターン27
を設けることにより、被検査体を従来と比べセンサ22の
センサ検知部25へ接近させることができる。従って、セ
ンサ22の検知信号レベルが向上し、Ｓ／Ｎ比向上で高精
度なセンサシステムが実現でき、製品のイメージを大幅
に向上できる。
においては、センサ22の傾斜部を利用して回路基板21上
の第１の電極パッド24とセンサ22の頂部22ｂの第２の電
極パッド26同士を電気的に接続する薄膜配線パターン27
を設けることにより、被検査体を従来と比べセンサ22の
センサ検知部25へ接近させることができる。従って、セ
ンサ22の検知信号レベルが向上し、Ｓ／Ｎ比向上で高精
度なセンサシステムが実現でき、製品のイメージを大幅
に向上できる。
【００１５】ちなみに、薄膜配線パターン27の厚みは現
在の技術レベルにおいて〜１０μｍ程度が可能であり、
本発明を用いることにより大幅に被検査体をセンサへ接
近させることが可能となる。従って、センサの検知レベ
ルが向上してＳ／Ｎ向上となり、高精度なセンサシステ
ムが実現でき、製品のイメージを大幅にアップすること
ができる。
在の技術レベルにおいて〜１０μｍ程度が可能であり、
本発明を用いることにより大幅に被検査体をセンサへ接
近させることが可能となる。従って、センサの検知レベ
ルが向上してＳ／Ｎ向上となり、高精度なセンサシステ
ムが実現でき、製品のイメージを大幅にアップすること
ができる。
【００１６】これに対し、従来技術では、先に述べたよ
うに、センサからの電気信号の取出し（又は供給）を行
う電極パッドへの電線の接続は、ボンディングワイヤを
用いて実施していたため、そのワイヤ接続メカニズム上
センサの電極パッド高さ位置から更に高い位置まで吊り
上げた後、接続先の電極パッドへ接続していた。このた
め、センサのセンサ検知部付近に被検査体を接近させる
ことは不可能に近かった。
うに、センサからの電気信号の取出し（又は供給）を行
う電極パッドへの電線の接続は、ボンディングワイヤを
用いて実施していたため、そのワイヤ接続メカニズム上
センサの電極パッド高さ位置から更に高い位置まで吊り
上げた後、接続先の電極パッドへ接続していた。このた
め、センサのセンサ検知部付近に被検査体を接近させる
ことは不可能に近かった。
【００１７】（実施例２）図２（Ａ），（Ｂ）を参照し
て説明する。ここで、図２（Ａ）は本実施例２に係るセ
ンサ電極取出し構造の平面図、図２（Ｂ）は図２（Ａ）
のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。但し、図１と同部材は
同符号を付して説明を省略する。
て説明する。ここで、図２（Ａ）は本実施例２に係るセ
ンサ電極取出し構造の平面図、図２（Ｂ）は図２（Ａ）
のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。但し、図１と同部材は
同符号を付して説明を省略する。
【００１８】図中の付番31は、センサ22の傾斜部22ａに
一部がセンサ22の頂部22ｂに延出するように形成された
薄膜配線パターンである。この薄膜配線パターン31の一
端はセンサ22の頂部22ｂの第２の電極パッド26に電気的
に接続されている。前記回路基板21及び傾斜部22ａに
は、傾斜部22ａの長手方向に沿って配線シート32が形成
されている。この配線シート32の内側には、接続配線33
と、前記配線パターン31と接続配線33同士を電気的に接
続する第３の電極パッド34と、前記接続配線33と第１の
電極パッド24同士を電気的に接続する第４の電極パッド
35が夫々形成されている。
一部がセンサ22の頂部22ｂに延出するように形成された
薄膜配線パターンである。この薄膜配線パターン31の一
端はセンサ22の頂部22ｂの第２の電極パッド26に電気的
に接続されている。前記回路基板21及び傾斜部22ａに
は、傾斜部22ａの長手方向に沿って配線シート32が形成
されている。この配線シート32の内側には、接続配線33
と、前記配線パターン31と接続配線33同士を電気的に接
続する第３の電極パッド34と、前記接続配線33と第１の
電極パッド24同士を電気的に接続する第４の電極パッド
35が夫々形成されている。
【００１９】次に、上述した構成のセンサ電極取出し構
造の組立法について図４を参照して説明する。まず、セ
ンサ22上にセンサ検知部25を形成した後、センサ22の両
端を傾斜加工して対向する２つの傾斜部22ａを形成す
る。一方、回路基板21を予め配置しておき、前記センサ
22をセンサ検知部25を上向きにして回路基板21に実装す
る。つづいて、センサ22の第２の電極パッド26から信号
等の電気信号を取り出す（又は供給する）ために、前記
センサ１の傾斜部22ａの一部に成膜及びエッチング技術
を用いて第２の電極パッド26に電気的に接続する薄膜配
線パターン31を形成する。次いで、前記薄膜配線パター
ン31の他端と、薄膜シート32内に製作された接続配線33
の一端の第３の電極パッド34との電気的な接続を行い、
更に接続配線33の他端の第４の電極パッド35と前記第１
の電極パッド24との電気的な接続を行う。これにより、
センサ22の電気成分が回路基板21の第１の電極パッド24
で取出し（又は供給）することができる。その後、第１
の電極パッド24を使用して電子部品23の各々の端子と回
路基板21上へ印刷配線を用いることにより、電気的接続
ができ、センサ信号の処理が可能となる。
造の組立法について図４を参照して説明する。まず、セ
ンサ22上にセンサ検知部25を形成した後、センサ22の両
端を傾斜加工して対向する２つの傾斜部22ａを形成す
る。一方、回路基板21を予め配置しておき、前記センサ
22をセンサ検知部25を上向きにして回路基板21に実装す
る。つづいて、センサ22の第２の電極パッド26から信号
等の電気信号を取り出す（又は供給する）ために、前記
センサ１の傾斜部22ａの一部に成膜及びエッチング技術
を用いて第２の電極パッド26に電気的に接続する薄膜配
線パターン31を形成する。次いで、前記薄膜配線パター
ン31の他端と、薄膜シート32内に製作された接続配線33
の一端の第３の電極パッド34との電気的な接続を行い、
更に接続配線33の他端の第４の電極パッド35と前記第１
の電極パッド24との電気的な接続を行う。これにより、
センサ22の電気成分が回路基板21の第１の電極パッド24
で取出し（又は供給）することができる。その後、第１
の電極パッド24を使用して電子部品23の各々の端子と回
路基板21上へ印刷配線を用いることにより、電気的接続
ができ、センサ信号の処理が可能となる。
【００２０】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、セ
ンサ検知部の傾斜部を利用して第１の電極パッドと第２
の電極パッド同士を電気的に接続する配線パターンを設
けることにより、被検査体を従来と比べセンサのセンサ
検知部付近へ接近させることができ、もって高精度なセ
ンサシステムが実現できるセンサ電極取出し構造を提供
することを目的とする。
ンサ検知部の傾斜部を利用して第１の電極パッドと第２
の電極パッド同士を電気的に接続する配線パターンを設
けることにより、被検査体を従来と比べセンサのセンサ
検知部付近へ接近させることができ、もって高精度なセ
ンサシステムが実現できるセンサ電極取出し構造を提供
することを目的とする。
【００２１】又、本発明は、センサ検知部の傾斜部を利
用して第２の電極パッドと電気的に接続する配線パター
ンを形成し、回路基板及び傾斜部には配線シートを形成
し、この配線シート内に接続配線、前記配線パターンと
接続配線同士を電気的に接続する第３の電極パッド、前
記接続配線と第１の電極パッド同士を電気的に接続する
第４の電極パッドを夫々形成した構成とすることによ
り、被検査体を従来と比べセンサのセンサ検知部付近へ
接近させることができ、もって高精度なセンサシステム
が実現できるセンサ電極取出し構造を提供できる。
用して第２の電極パッドと電気的に接続する配線パター
ンを形成し、回路基板及び傾斜部には配線シートを形成
し、この配線シート内に接続配線、前記配線パターンと
接続配線同士を電気的に接続する第３の電極パッド、前
記接続配線と第１の電極パッド同士を電気的に接続する
第４の電極パッドを夫々形成した構成とすることによ
り、被検査体を従来と比べセンサのセンサ検知部付近へ
接近させることができ、もって高精度なセンサシステム
が実現できるセンサ電極取出し構造を提供できる。
【図１】本発明の実施例１に係るセンサ電極取出し構造
の説明図で、図１（Ａ）は平面図、図１（Ｂ）は図１
（Ａ）のＸ−Ｘ線に沿う断面図。
の説明図で、図１（Ａ）は平面図、図１（Ｂ）は図１
（Ａ）のＸ−Ｘ線に沿う断面図。
【図２】本発明の実施例２に係るセンサ電極取出し構造
の説明図で、図２（Ａ）は平面図、図２（Ｂ）は図２
（Ａ）のＸ−Ｘ線に沿う断面図。
の説明図で、図２（Ａ）は平面図、図２（Ｂ）は図２
（Ａ）のＸ−Ｘ線に沿う断面図。
【図３】本発明の実施例１に係るセンサ電極取出し構造
の製造手順を示すフローチャート。
の製造手順を示すフローチャート。
【図４】本発明の実施例２に係るセンサ電極取出し構造
の製造手順を示すフローチャート。
の製造手順を示すフローチャート。
【図５】従来のセンサ電極取出し構造の説明図で、図５
（Ａ）は平面図、図５（Ｂ）は図５（Ａ）のＸ−Ｘ線に
沿う断面図。
（Ａ）は平面図、図５（Ｂ）は図５（Ａ）のＸ−Ｘ線に
沿う断面図。
【図６】図５のセンサ電極取出し構造におけるワイヤボ
ンディングの電極パッドへの接続の仕方を工程順に示す
説明図。
ンディングの電極パッドへの接続の仕方を工程順に示す
説明図。
21…回路基板、 22…半導体センサ、 22ａ…傾斜部、 22ｂ…頂部、 23…電子部品、 24，26，31，35…電極パッド、 25…センサ検知部、 27、31…薄膜配線パターン、 32…配線シート、 33…接続電線。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 六角 正 広島県広島市安佐南区祇園三丁目２番１ 号 三菱重工業株式会社広島工機工場内 (72)発明者 杉山 繁広 兵庫県高砂市荒井町新浜２丁目８番19号 高菱エンジニアリング株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−129441（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−294644（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 25/00 - 25/18
Claims (2)
- 【請求項１】 回路基板上に半導体センサと第１の電極
パッドとを有したセンサ電極取出し構造において、 前記半導体センサは一部が傾斜部となっており、かつ前
記半導体センサはセンサ検知部と第２の電極パッドとを
有し、更に前記傾斜部を利用して前記第１の電極パッド
と第２の電極パッド同士を電気的に接続する配線パター
ンが形成されていることを特徴とするセンサ電極取出し
構造。 - 【請求項２】 回路基板上に半導体センサと第１の電極
パッドとを有したセンサ電極取出し構造において、 前記半導体センサは一部が傾斜部となっており、かつ前
記半導体センサはセンサ検知部と第２の電極パッドとを
有し、更に前記傾斜部を利用して前記第２の電極パッド
と電気的に接続する配線パターンが形成され、前記回路
基板及び傾斜部には配線シートが形成され、この配線シ
ート内には接続配線、前記配線パターンと接続配線同士
を電気的に接続する第３の電極パッド、前記接続配線と
第１の電極パッド同士を電気的に接続する第４の電極パ
ッドが夫々形成されていることを特徴とするセンサ電極
取出し構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23415797A JP3337400B2 (ja) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | センサ電極取出し構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23415797A JP3337400B2 (ja) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | センサ電極取出し構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1174457A JPH1174457A (ja) | 1999-03-16 |
| JP3337400B2 true JP3337400B2 (ja) | 2002-10-21 |
Family
ID=16966555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23415797A Expired - Fee Related JP3337400B2 (ja) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | センサ電極取出し構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3337400B2 (ja) |
-
1997
- 1997-08-29 JP JP23415797A patent/JP3337400B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1174457A (ja) | 1999-03-16 |
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