TW200539741A - Mask, method of manufacturing the same, method of forming thin film pattern, method of manufacturing electro-optical device and electronic equipment - Google Patents

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200539741 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 k 本發明是關於一種罩幕’罩幕的製造方法’薄膜圖案 的形成方法，光電裝置的製造方法及電子機器。 【先前技術】 光電裝置的一種裝置的有機EL面板，是由具有層積 | 薄膜的構造的自發光型且高速回應性的顯示元件所構成。 因此有機EL面板是輕又可構成動畫對應上優異的顯示裝 置，近年來作爲平面面板顯示器（FPD )電視機等的顯示 面板極受注目。成爲有機EL面板的代表性製法表示在 Appl. Phys. Lett，Vol 51，NO.12，ρ·ρ· 913-914，（ 1 987 )。 亦即，將ITO (銦-錫氧化物）等的透明陽極使用微影成 像技術圖案化成所望形狀，又使用真空蒸鍍裝置將有機材 料作成成膜並層積在該圖案上，而在該上面蒸鍍成爲陰極 φ 的MgAg等低工作函數的金屬陽極膜。最後，使得如此所 成的發光元件不會接觸到濕度或氧氣等般地，在惰性氣體 環境中密閉封密該發光元件。 又’有機EL面板是藉著變更發光材料，就可將發光 色變更成各種顏色。例如提案一種使用薄又高精細的金屬 罩幕’像素別地形成紅、綠、藍的發光元件的方法。該方 法是以磁鐵密接金屬罩幕與玻璃基板，並藉由隔著罩幕進 行蒸鍍’作成製造鮮明的全色有機E L面板者（例如，參 照專利文獻1 )。 -5- 200539741 (2) 又，作爲使用罩幕的蒸鍍方法，提案一種使用矽基板 來製造蒸鍍罩幕的方法。在該方法中使用微影成像技術及 乾蝕刻技術等的半導體製造技術，而將矽基板本體作成罩 ^ 幕者。 石夕是與玻璃的熱脹係數大約相同之故，因而砂的罩幕 與被成膜基板的玻璃基板不會產生熱脹所致的偏移。又， 矽是可提高加工精度（例如參照專利文獻2 )。 p 專利文獻1:日本特開2001— 273976號公報 專利文獻2:日本特開2001— 185350號公報 【發明內容】 然而，在被記載於上述專利文獻1的金屬罩幕，若增 加須對應於有機EL面板的大畫面化的面板尺寸，則該面 板用的金屬罩幕也必須形成較大，惟有很難高精度地製作 出大面積且薄型的金屬罩幕的缺點問題。又，金屬罩幕的 φ 熱脹係數比有機EL面板用的玻璃基板的熱脹係數極大。 因此，蒸鍍時的熱輻射上，金屬罩幕比玻璃基板還較大地 延伸。由此，擬使用金屬罩幕來製造大型有機EL罩幕， 則熱脹所致的誤差累計値變大，而在金屬罩幕最多可製造 20吋的中小型面板尺寸作爲其界限。 又’在使用記載於上述專利文獻2的矽基板的蒸鍍罩 幕中，矽晶錠的直徑爲300mm之故，因而矽基板是僅存 在直徑300mm爲止約大小者’有無法製造對應於該尺寸 以上的大畫像尺寸的蒸鍍罩幕的缺點問題。 -6 ~ 200539741 (3) 本發明是鑑於上述事項而創作者，其目的是在於提供 一種可對應於被成膜領域的大型化，可高精度地進行圖案 化的罩幕，罩幕的製造方法，薄膜圖案的形成方法，光電 1 裝置的製造方法及電子機器。 又，本發明的目的是在於提供一種可對應於被成膜領 域的大型化，可減低熱脹所致的誤差，又以精簡工程而可 局精度地圖案化的罩幕，罩幕的製造方法，薄膜圖案的形 p 成方法，光電裝置的製造方法及電子機器。 爲了達成上述目的，本發明的罩幕，其特徵爲：上述 晶片是具有對應於形成在被成膜面的薄膜圖案的至少一部 分的形狀的開口部；上述晶片所佔有的面積是比使用上述 複數晶片所形成的薄膜圖案的面積還小。 依照本發明，藉由複數晶片來構成一個罩幕，因此可 簡便地提供可形成比晶片還大的薄膜圖案（也包含複數薄 膜圖案形成大面積的情形）的罩幕。例如，可簡便地構成 φ 可形成成爲大畫面的顯示裝置的構成要素的較大薄膜圖案 的罩幕。 又，本發明的罩幕是上述晶片是由矽所構成較理想。 依照本發明，與金屬罩幕等相比較，可簡便地形成抗 拉強度等機械性強度較高的罩幕。如此，依照本發明的罩 幕，可減低罩幕的厚度，而且簡便地可形成對於抗拉力量 的延伸量較小的罩幕。因此，本發明的罩幕是高精度且高 精細地可形成大面積的薄膜圖案，例如高品位地且低成本 地可製造成爲大畫面的顯示裝置的構成要素的大薄膜圖案 200539741 (4) 又，依照本發明，如被成膜基板爲矽基板時，可將該 被成膜基板的熱脹係數與罩幕的熱脹係數作成相同。因此 1 ，本發明是提供一種不會受到周圍溫度的影響而高精度地 可形成薄膜圖案的罩幕。 又’本發明的罩幕是上述晶片是由金屬材料所構成較 理想。 p 依照本發明，如被成膜基板爲金屬材所成時，可將該 被成fl吴基板的熱張係數與罩幕的熱張係數作成相同。因此 ’本發明是提供一種不會受到周圍溫度的影響而高精度地 可形成薄膜圖案的罩幕。 又’本發明的罩幕爲上述矽是具有面方位（110)較 理想。 依照本發明，例如對於具有面方位（1 i 〇 )的砂，爲 了形成開口部，藉由施以結晶向異性蝕刻，可極其減低其 Φ 蝕刻速度，因此高精度地可控制其蝕刻量。因此本發明的 罩幕疋:開口部形狀成爲局精度，而高精度地可形成薄膜圖 案。 又’本發明的罩幕爲上述砂是具有面方位（100)較 理想。 依照本發明，例如對於具有面方位（1 0 0 )的砂，爲 了形成開口部’藉由施以結晶向異性蝕刻，高精度地可控 制其餓刻量。因此本發明的罩幕是開口部形狀成爲高精度 ’而高精度地可形成薄膜圖案。 -8- 200539741 (5) 又，本發明的罩幕爲上述矽是上述開口部的側面面方 位爲（111 )較理想。 依照本發明，例如對於具有面方位（1 00 )的矽，藉 由施以向異性蝕刻，使得開口部側面的面方位成爲（η1 )。如此，可極其減低其蝕刻速度，因此高精度地可控制 其飩刻量。因此本發明的罩幕是開口部形狀成爲高精度， 而高精度地可形成薄膜圖案。 又，本發明的罩幕是上述晶片具有複數上述開口部； 上述開口部是具有長孔形狀；複數上述開口部是上述長孔 形狀的長度方向分別平行地配置而呈條紋圖案較理想。 依照本發明的罩幕，例如高精度地且大面積地可形成 構成配置於條紋圖案的像素的薄膜圖案。因此，本發明的 罩幕是高品位地且以低成本可製造成爲大畫面的顯示裝置 的構成要素的條紋圖案。 又，本發明的罩幕爲上述晶片彼此間是配置成具有間 隔較理想。 依照本發明，鄰接的晶片彼此間是安裝於支持基板成 爲具有間隔之故，因而在其安裝時容易地可微調各晶片的 對準’而可將各晶片局精度地安裝於支持基板。又，本發 明是在該安裝時’也可避免鄰接的晶片彼此間接觸而損壞 等情形。又’本發明的罩幕是也可避免各晶片的熱脹量被 累積’又尺寸精度優異地可形成大面積的薄膜圖案。 又’本發明的罩幕是正交於上述晶片的長孔形狀的開 口部長度方向的方向的上述晶片彼此間的間隔，是大致相 -9 - 200539741 (6) 等於該長孔形狀的寬度較理想。 依照本發明，可將晶片與晶片之間的間隙，功能作爲 形成薄膜圖案所用的開口部。因此，本發明罩幕是高品位 地且以低成本可製造一定間隔的條紋圖案。 又，本發明的罩幕是上述晶片的開口部的側面與該晶 片的其中一方平面所成的角部位，是具有推拔形狀較理想 〇 I 依照本發明，在罩幕中，沒有成爲從蒸鍍源所放射的 蒸鍍粒子的「影子」的角之故，因而一直到邊緣部分可形 成均勻膜厚的薄膜圖案。 又，本發明的罩幕是上述支持基板的構成材料與上述 晶片的構成材料是熱脹係數大約相同較理想。又，本發明 的罩幕是上述支持基板的構成材料與上述晶片的構成材料 及被成膜構件的構成材料，是熱脹係數大約相同較理想。 依照本發明，可提供一種不會受到周圍溫度的影響又 筒精度地可形成罩幕。 又’本發明的罩幕是上述支持基板是具有長方形狀的 開口領域（溝槽）：上述開口領域是配置成橫斷被安裝於 上述支持基板的複數晶片較理想。 依照本發明，例如晶片的開口部位於支持基板的開口 領域內般地，將各晶片安裝於支持基板，就可將各晶片的 開口部功能作爲罩幕的開口部。又，藉由支持基板的開口 領域也可共通地遮蔽各晶片的開口部的一部分。 又，本發明的罩幕爲上述支持基板的開口領域的長度 -10- 200539741 (7) 方向，是大約正交於上述晶片的開口部的長孔形的長度方 向；在上述支持基板，互相平行地配置有複數上述開口領 域；沿著一個上述開口領域，配置有一列複數上述晶片較 理想。 依照本發明的罩幕，例如在各開口領域可形成條紋圖 案。因此，本發明的罩幕是可製造配置於條紋圖案的像素 所成的光電裝置等。 | 又’本發明的罩幕爲上述支持基板是具有分別表示複 數上述晶片的安裝位置的複數對準標誌較理想。 依照本發明，可將各晶片高精度地安裝在支持基板的 所望位置，簡便地可提供大面積又高精度的罩幕。 又，本發明的罩幕爲上述支持基板是組合複數四角柱 所構成較理想。 依照本發明，簡便地可構成所期望的大小及形狀的支 持基板，簡便地可提供大面積又高精度的罩幕。 φ 爲了達成上述目的，本發明的薄膜圖案的形成方法， 其特徵爲： 使用分別具有對應於形成在被成膜面的薄膜圖案的至 少一部分形狀的開口部的複數晶片，被安裝於支持基板所 成的罩幕；形成具有比上述晶片的佔有面積還大面積的薄 膜圖案。 依照本發明，藉由複數晶片所成的一個大罩幕，簡便 地且高精度地可形成較大薄膜圖案。因此，本發明是簡便 地高精度地可形成如成爲大畫面的顯示裝置的構成要素的 -11 - 200539741 (8) 較大薄膜圖案。 又，本發明的對於被成膜面使用一個上述罩幕以成膜 上述薄膜圖案的一部分之後，對於該被成膜面偏離該罩幕 ^ 位置，再對於該被成膜面使用該罩幕進行成膜，以成膜上 述薄膜圖案的其他部分較理想。 依照本發明，如顯示裝置的像素配置般地，欲在被成 膜面整體重複製作相同圖案時，以使用上述罩幕的第一次 | 成膜來成膜被成膜面的一部分，而以使用相同罩幕的第二 次（或是第三次）成膜來成膜被成膜面的其他部分。如此 ，本發明是使用精簡而容易製作構成的罩幕，以低成本可 形成較大薄膜圖案。 又’本發明的薄膜圖案的形成方法爲偏離上述罩幕位 置的距離，是對應於上述開口部大小的距離較理想。 依照本發明，如顯示裝置的像素配置般地，欲在被成 膜面整體重複製作相同圖案時，以使用上述罩幕的第一次 φ 成膜來成膜第1、3、5…行（奇數行）的像素，而以使用 相同罩幕的第二次（或是第三次）成膜來成膜第2、4、 6…行（偶數行）的像素。如此，本發明是使用精簡而容 易製作構成的罩幕，以低成本又高精度地可形成較大薄膜 圖案。 又，本發明的薄膜圖案的形成方法是製作對於被成膜 面的複數上述晶片的安裝位置有所偏離的複數種類的上述 罩幕，分別另外地使用上述複數種類的上述罩幕，以形成 一個上述薄膜圖案較理想。 -12- 200539741 (9) 依照本發明，如以使用上述複數種類罩幕的第一罩幕 的第一次成膜來成膜被成膜面的一部分，而以使用上述複 數種類的罩幕的第二罩幕的第二次（或是第三次）成膜來 > 成膜被成膜面的其他部分。如此，本發明是使用精簡而容 易製作構成的罩幕，以低成本又高精度地可形成較大薄膜 圖案。 又’本發明的薄膜圖案的形成方法爲上述罩幕彼此間 g 的上述晶片的安裝位置的偏離値，是對應於上述開口部大 小的數値較理想。 依照本發明，如顯示裝置的像素配置般地，欲在被成 膜面整體重複製作相同圖案時，在鄰接於以使用上述罩幕 的第一次成膜所製作的薄膜圖案的位置，而以使用相同罩 幕的第二次成膜可製作薄膜圖案。如以使用上述罩幕的第 一次成膜來成膜第1、3、5…行（奇數行）的像素，而以 使用相同罩幕的第二次（或是第三次）成膜來成膜第2、4 φ 、6…行（偶數行）的像素時，可將奇數行像素與偶數行 像素的間隔，也可避免其間隔。如此，本發明是使用精簡 ，而容易製作構成的罩幕，以低成本又高精度地可形成較大 薄膜圖案。 爲了達成上述目的，本發明的罩幕的製造方法，其特 徵爲··具有對應於形成在被成膜面的薄膜圖案的至少一部 分形狀的開口部的晶片，形成比成爲被成膜物的薄膜圖案 的面積還小的佔有面積的複數晶片；將上述複數晶片安裝 於支持基板，形成在形成上述薄膜圖案時所使用的罩幕。 -13- 200539741 do) 依照本發明，藉由複數晶片可構成一個罩幕。因此， 本發明是簡便地可提供可形成比晶片還大的薄膜圖案（也 包含複數薄膜圖案形成大面積的情形）的罩幕。例如簡便 地可構成可形成成爲大畫面的顯示裝置的構成要素的大面 積薄膜圖案的罩幕。又，以本發明的製造方法所製造的罩 幕是也可避免累積各晶片的熱脹量，而尺寸楕度優異地可 形成大面積的薄膜圖案。 _ 又’本發明的罩幕的製造方法爲上述晶片的開口部， 是使用結晶向異性蝕刻所形成較理想。 依照本發明，高精度地可加工晶片的開口部形狀； 又’本發明的罩幕的製造方法爲上述晶片是具有面方 位（1 1 〇 )的矽所構成；上述晶片的開口部是設置··在上 述矽的整體露出面形成耐蝕刻罩幕材料；之後，針對於上 述晶片的其中一方面側的耐蝕刻罩幕材料，形成孔成爲上 述開口部的長度方向與上述矽的（111)方位成直角，且 φ 對應於該開口部形狀的形狀，而且針對於該晶片的另一方 面側的耐蝕刻罩幕材料，除去包括該開口部的領域；然後 ，藉由上述結晶向異性蝕刻以形成貫通該晶片的孔較理想 〇 依照本發明，由晶片的其中一方面側及另一方面側的 兩側，施以結晶向異性鈾刻，可設置開口部。又，依據本 發明，針對於具有面方位（1 1 0 )的矽，配置使得開口部 長度方向與（111 )方位成爲直角而施以結晶向異性蝕刻 之故，因而使得開口部的長度方向的側面成爲（111 )方 -14- 200539741 (11) 位面。由此，在該結晶向異性蝕刻，可將針對於開口部領 域的深度方向與開口部的長度方向的側面的鈾刻比作成如 1對1 000，而高精度地可控制開口部的寬度尺寸。 爲了達成上述目的，本發明的光電裝置的製造方法， 其特徵爲：形成成爲光電裝置的構成層的薄膜圖案時，使 用上述罩幕或是上述薄膜圖案的形成方法。 依照本發明，如高精度地且簡便地可設置成爲大畫面 的光電裝置的構成的較大薄膜圖案之故，因而以低成本可 提局大畫面之各像素的膜厚分佈極優異，且可顯示無斑駁 的高品位畫像的光電裝置。 爲了達成上述目的，本發明的電子機器，其特徵爲： 使用上述罩幕或是上述薄膜圖案的形成方法所製造。 依照本發明，如以低成本可提供一種以大畫面可顯示 ，鮮明又無斑駁而可顯示大畫像的電子機器。又，依照本 發明，以低成本可提供一種具備高精細地精密地經圖案化 大面積的基板整體的薄膜所成的電子電路的電子機器。 【實施方式】 以下，參照圖式說明本發明的實施形態的罩幕。 (罩幕的構造） 第1圖是表示本發明的實施形態的罩幕的模式立體圖 。第2圖是表示藉由圖示於第1圖的罩幕所形成的像素圖 案的排列例的圖式。第3圖是表示圖示於第1圖的罩幕的 -15- 200539741 (12) 主要部分擴大立體圖。本實施形態的罩幕1是如可使用作 爲蒸鍍罩幕。 罩幕1是在成爲底基板的支持基板10，具有安裝複數 晶片2 0的構成。在本實施形態中，晶片2 0是作爲矽所成 者。又，以金屬材料也可構成晶片20。各晶片是分別施以 對準而被黏接於支持基板1 0。又，在支持基板1 0形成有 罩幕定位用標誌1 6。罩幕定位用標誌1 6是使用罩幕1來 p 進行蒸鍍等時，用以進行該罩幕1的定位者。罩幕定位用 標誌1 6是如以金屬膜可形成。又，在晶片20形成罩幕定 位用標誌1 6也可以。 如第1圖及第3圖所示地，在支持基板10，平行地且 以一定間隔設有開口部由長方形貫通孔所成的複數開口領 域1 2。如第3圖所示地，在晶片20，以一定間隔平行地 設有長孔形狀的複數開口部22。晶片20的開口部22是對 應於形成表示於第2圖的「縱條紋」的像素配置的薄膜圖 φ 案的形狀。因此，罩幕1是使用在形成縱條紋的像素。 又，各晶片20是覆蓋支持基板1 0的開口領域1 2般 地，且以開口領域1 2的長度方向與晶片20的開口部22 的長度方向呈正交的方向，形成行列般地配置在支持基板 10上。 支持基板1 0的構成材料是具有與晶片20的構成材料 的熱脹係數相同或接近的熱脹係數者較理想。晶片20是 石夕之故’因而以具有與矽的熱脹係數相同或接近的熱脹係 數的材料構成支持基板1 0。由於作成如此，可抑制支持基 -16- 200539741 (13) 板1 〇與晶片20的熱脹量不相同所致的「翹曲」或「彎曲 」的發生。例如，對應矽的熱脹係數（3 0 X 1 ο E — 7 / °C )， 康尼公司所製的巴依累克斯（登錄商標）玻璃的熱脹係數 〔30 X 1 0E — 7/°C )是大致相同値。無鹼玻璃的日本電氣玻 璃公司所製的OA - 10的熱脹係數（38 X 1 0E — 7广C )，而 在金屬材料的42合金的熱脹係數（50x1 0E - 7/°C )及恒 範鋼材的熱脹係數（1 2 X 1 0 E - 7/°C )等也接近於矽的熱脹 係數。因此，作爲支持基板1 0的構成材料，可使用巴依 雷克斯（登錄商標）玻璃、無鹼玻璃的OA— 10以及42 合金等。 晶片2 0是成爲如第3圖所不地在長方形的板設置開 口部2 2的構成。 本實施形態的罩幕1是用以形成表示於第2圖的「縱 條紋」的像素者，因此晶片20的開口部22是如將其像素 成爲相當於包含約40個縱領域的較大細長的溝槽形狀。 亦即晶片20的開口部22是成爲對應於形成在被成膜面的 薄膜圖案的至少一部分形狀的形狀。如此，晶片2 0所佔 有的面積是比罩幕1所形成的薄膜圖案（如構成有機EL 面板的薄膜圖案）的面積還小。 又，形成本實施形態的晶片20的矽是具有面方位（ 1 10 )。但是，以具有面方位（1〇〇 )的矽來構成晶片 20 也可以。又晶片20的開口部22的長度方向側面，是具有 面方位（1 1 1 )。如此地將開口部22側面的面方位作成（ 1 1 1 )，是針對於具有面方位（Η 〇 )的矽晶片施以結晶向 -17- 10 200539741 (14) 異性蝕刻就簡便地可實現。 又，在各晶片2 0有對準標誌1 4至少形成在兩部位 對準標誌1 4是使用在將晶片20黏貼在支持基板 之際的對位。對準標誌1 4是以微影成像技術或是結晶 異性蝕刻等所形成。 晶片20的開口部20的長度方向與支持基板1〇白勺 口領域1 2的長度方向成爲正交般地，各晶片2 0是黏貼 _ 支持基板1 〇。開口部20的寬度是如作成與像素的副像 間距d 1相同。又，佔有相同開口領域12的晶片2 0的 鄰的晶片20a、20b是配置成僅具有像素的副像素間隔 的間隔。該晶片20a與20b的間隙是與晶片20的開口 20同樣地功能，功能作爲形成所望形狀的薄膜圖案所用 罩幕1的開口部。又，相鄰接的晶片20彼此間，是針 於正交於開口領域1 2的長度方向也配置成具有間隔。 ，複數晶片20是分別具有間隔，而在支持基板1 〇上， Φ 第1圖所示地配置成行列狀態。 如此些地，本實施形態的罩幕1是將複數晶片20 裝於支持基板1 0，因此可形成比晶片20還大的薄膜圖 ’例如可形成成爲大畫面的顯示面板的縱條紋圖案的像 〇 第4圖是表示使用圖示於第1圖及第3圖的罩幕1 形成的蒸鍍圖案（薄膜圖案）的一例的俯視圖。第5圖 表示針對於圖示於第4圖的蒸鍍圖案所形成的基板，偏 罩幕1再施以蒸鍍處理的狀態的一例的俯視圖。第6圖 向 開 在 素 相 dl 部 的 對 又 如 安 案 素 所 是 移 是 -18- (15) 200539741 表示針對於圖示於第5圖的蒸鍍圖案所形成的基板，偏移 卓幕1再施以蒸鑛處理的狀態的一^例的俯視圖。 作爲成爲形成有該蒸鍍圖案的被成膜構件的基板5 4， 如可適用形成有機EL裝置的構成要素的玻璃基板等的透 明基板。這時候的蒸鍍圖案，是如作成形成有機EL裝置 的紅色發光層60的條紋圖案。因此，發光層6〇的寬度是 成爲像素的副像素間距d 1。 p 但是，在表示於第4圖的蒸鍍圖案中，未形成有機 E L裝置的紅色像素的複數行（如4 0行X 5 )的像素。又， 對於基板5 4將罩幕1朝縱方向（Y軸方向）偏移如像素 40個分量，再進行蒸鍍處理，如第5圖所示地圖案化紅色 發光層6 0 ’。藉由作成如此，簡便地可形成具有較大縱條 紋圖案的大畫面圖案的薄膜圖案。 在表示於第5圖的蒸鍍圖案中，僅形成有紅色發光層 60，60’，而未形成有紅色及藍色發光層。又，對於表示於 φ 第5圖的狀態的基板54，將罩幕1朝橫方向（X軸方向） 僅偏移副像素分量而圖案化綠色發光材料，如第6圖所示 地形成綠色發光層62。之後將罩幕1朝橫方向（X軸方向 )僅偏移副像素分量而圖案化藍色發光材料，如第6圖所 示地形成藍色發光層6 4。 由這些，簡便地且高精度地可形成可製成彩色顯示而 成爲大畫面面板的薄膜圖案。又，在上述實施形態中，一 面偏移相同罩幕1 一面蒸鍍處理複數次，就可形成成爲一 個大畫面面板的薄膜圖案，惟事先製作複數種類的罩幕1 -19- 200539741 (16) ，交互地使用該複數種類的罩幕1來形成成爲一個大畫面 面板的薄膜圖案。 (罩幕的製造方法） 第7圖是表示本發明的實施形態的罩幕的製造方法的 模式斷面圖。亦即，第7圖是表示成爲上述罩幕1的主要 部的矽晶片20的製造方法。 首先，準備面方位（1 1 〇 )的矽晶圓2 0 '，藉由熱氧化 法將成爲耐蝕刻罩幕材的氧化矽膜7 1形成厚1 # ηι於該矽 晶圓20’的整體露出面〔參照第7(a)圖〕。 該氧化矽膜7 1所成的耐蝕刻罩幕材，是在後續工程 使用鹼水溶液所進行的結晶向異性蝕刻具有耐久性的膜就 可以。因此，該耐蝕刻材，是作爲以CVD法所設置的氮 化矽膜也可以、或是以濺鍍法所設置的Au或Pt膜等也可 以，特別是並不被限定於氧化矽膜者。 之後，針對於上述矽晶圓20’的其中一方面側的氧化 矽膜7 1，使用微影成像技術來進行圖案化，形成對應於上 述開口部22的開口形狀（斷面形狀）的形狀的溝槽圖案 72。在此，矽的（111)方位與溝槽圖案72的長度方向成 爲直角般地，形成該溝槽圖案72〔參照第7 ( b )圖〕。 又，與形成上述溝槽圖案72之同時，將對準標誌1 4 形成在矽晶圓20’也可以。 又，與形成上述溝槽圖案72之同時，針對於矽晶圓 2 〇 ’的另一方面側的氧化矽膜7 1，藉由上述微影成像工程 -20- 200539741 (17) ，除去包含對應上述開口部2 2的部分的較大領域7 3〔參 照第7 ( b )圖〕。 如此地，欲除去矽晶圓20’的另一方面側的氧化矽膜 7 1的領域7 3，藉由後續工程，爲了減小包含矽晶圓2 0 ’的 開口部22的領域的厚度d2。亦即，減薄從矽晶圓20f所形 成的晶片20，在蒸鍍時蒸鍍粒子容易朝斜方向通過開口部 22，爲了將所成膜的薄膜厚度作成均勻化。 _ 在對於氧化矽膜7 1的微影成像技術所致的圖案化， 例如使用緩衝氟酸溶液。 之後，針對於表示於第7 ( b )圖的狀態的矽晶圓20’ ，使用加熱成8 0 °C的3 5重量°/〇的氫氧化鉀水溶液而進行 結晶向異性蝕刻。藉由該結晶向異性蝕刻，未被覆蓋於矽 晶圓20’的氧化矽膜71的部分，是從其中一方面及另一方 面的兩側被除去，形成作爲開口部22的貫通溝，而且減 小包含開口部22的領域的厚度d2。又，藉由該結晶向異 φ 性蝕刻，矽晶圓20’的領域73側的角部74也被蝕刻，成 爲推拔形狀〔參照第7 ( c )圖〕。 藉由控制上述結晶向異性触刻的蝕刻時間，可管理包 含角部74的推拔形狀及開口部22的領域厚度d2。因此， 即使罩幕1與蒸鍍源的相對性位置關係有所變動，也可製 造罩幕1的影子領域未變化的良好罩幕。 最後，除去形成於矽晶圓20’的氧化矽膜71，即完成 本實施形態的晶片20〔參照第7 ( d )圖〕。 在除去該氧化矽膜7 1，例如使用緩衝氟酸溶液。 -21 - 200539741 (18) 由這些，依照本實施形態的製造方法，針對於 的開口部2 2使用結晶向異性蝕刻所形成，因此， 地可加工開口部22的形狀。又本製造方法是對於 方位（1 10 )矽晶圓20’，使得開口部22的長度方 1 1 1 )方位成爲直角般地施以結晶向異性蝕刻，因 開口部2 2的長度方向的側面成爲（1 1 1 )方位面。 在該結晶向異性蝕刻中，可將對於開口部22的深 與開口部22的長度方向的側面的蝕刻比作成如1 ; ，而高精度地可控制開口部22的寬度尺寸。 (支持基板的製造方法） 第8圖是表示本發明的實施形態的支持基板1 造方法的一例的模式立體圖。 首先，對於成爲支持基板1 〇的材料，切出所 狀的基板10’〔參照第8 ( a)圖〕。 之後，爲了將黏貼於支持基板1 0的晶片2 0功 罩幕，將長方形貫通穴所成的開口領域1 2形成在 參照第8 ( b )圖〕。 作爲形成開口領域1 2，可採用因應於形成支 1 〇的材料的方法。例如基板1 0’爲巴依雷克斯（登 )玻璃或Ο A - 1 0等如無鹼玻璃的玻璃基板，則有 風法切削而形成開口領域1 2的方法，或以微影成 與氟酸所致的濕蝕刻形成開口領域1 2的方法。又 支持基板1 0由4 2合金等的金屬材料所構成時，以 晶片 2 0 高精度 具有面 向與（ 此對於 由此， 度方向 Μ 10 0 0 0的製 定板形 能作爲 基板〔 持基板 錄商標 藉由鼓 像技術 ，作爲 微影成 -22- 200539741 (19) 像技術與濕蝕刻形成開口領域1 2也可以、或是藉由溶接 裝配複數金屬材料所製造也可以、或是藉由切削加工或鑄 造所製造也可以。 又，爲了將各晶片20規則正確地配置在支持基板1 〇 ，而在基板10’形成對準標誌14’，就可完成支持基板10 〔參照第8 ( c )圖〕。 該對準標誌14’的形成也使用微影成像技術。具體上 例如在基板1(Τ上以50nm的濺鍍成膜Cr。之後，以噴塗 式的光阻塗布器將光阻附著在Cr上。然後，經曝光、顯 像、進行Cr的濕蝕刻，以形成對準標誌14’。又，將雷射 等所致的加標記使用作爲對準標誌1 4’也可以。 第9圖是表示本發明的實施形態的支持基板1 0的製 造方法的其他例的模式立體圖。首先，形成所定材料所成 的複數四角柱l〇a，10b。然後，以螺栓10c等接合各四角 柱10a，10b，以形成具有開口領域12的基板l〇d〔參照 第 9(a) ， （b)圖〕。 各四角柱l〇a，10b的接合是使用黏接劑等進行也可 以。 之後，在基板l〇d形成對準標誌14’，就完成支持基 板1 〇〔參照第9 ( c )圖〕。 在使用以上方法所製造的支持基板1 〇，藉由安裝晶片 20，來完成罩幕1。如第6圖所示地，藉由使用本實施形 態的罩幕1，如可蒸鍍形成4 0英吋大畫面的顯示裝置的薄 膜圖案。 -23- 200539741 (20) (光電裝置的製造方法） 第1〇圖是表示本發明的實施形態的光電裝置的製造 方法的模式斷面圖。 在本實施形態中，作爲光電裝置的—裝置例爲有機 EL裝置加以說明。在表示於第1〇圖的罩幕5〇 (相當於上 述罩幕1 )，形成有磁性體膜52。磁性體膜52是以鐵、 鈷、鎳等強磁性材料可形成。或是藉由Ni、、Fe、或 是包含Fe成分的不銹鋼合金等的磁性金屬材料、或是磁 性金屬材料與非fe性金屬材料的結合，形成磁性體膜5 2 也可以。罩幕5 G的其他詳細是與上述罩幕1相同。 在本實施形態中，使用罩幕50而在基板（成膜對象 構件）5 4來成膜發光材料。基板5 4是用以形成複數有機 EL裝置者’爲玻璃基板等的透明基板。如第n ( a )圖 所示地’在基板54形成有電極（如IT0等所成的透明電 極）56及空穴輸送層58。又，形成電子輸送層也可以。 如第1 0圖所示地，配置罩幕5 〇使得晶片2 0位於基 板5 4側。在基板5 4的背後，配置有磁鐵4 8，成爲拉近形 成於罩幕5 0 (晶片2 0 )的磁性體膜5 2。 第Π(Α)圖至第11(C)圖是表示說明使用於製造 胃_ EL裝置的發光材料的成膜方法的模式斷面圖。發光 #料*胃$D有機材料，作爲低分子的有機材料有鋁曜啉酚配 ί立ft合物（Alq3 )，而作爲高分子的有機材料有聚對苯乙 :¾撐（PPV)。發光材料的成膜是可藉由蒸鍍所進行。 -24- 200539741 (21) 例如，如第1 1 ( A )圖所示地，經由罩幕5 0 —面將 紅色發光材料予以圖案化一面進行成膜，以形成紅色發光 層60。又如第11(B)圖所示地，偏移罩幕50，一面將 綠色發光材料予以圖案化一面進行成膜，以形成綠色發光 層62。又如第11 (c)圖所不地，再偏移罩幕50，一面將 藍色發光材料予以圖案化一面進行成膜，以形成藍色發光 層6 4 〇 在本實施形態中，成爲屏蔽的晶片2 0局部地黏接在 支持基板10。因此，晶片20是自由度較高，不容易發生 彎曲、翹曲，選擇蒸鍍的再現性較高，又生產性較高。在 本實施形態的罩幕5 0中，複數開口領域1 2形成在支持基 板1 〇，而對應於各該開口領域1 2而有晶片20。複數晶片 20對應於一具有機EL裝置。亦即，使用罩幕50，高精度 地可製造大畫面的有機EL裝置。 第1 2圖是表示經由上述發光材料的成膜方法所製造 的有機E L裝置的槪略構成的模式斷面圖。有機E L裝置 是具有基板54，電極56，空穴輸送層58，發光層60，62 ，64等。在發光層60 ’62，64上，形成有電極66。電極 66是如陰極電極。本實施形態的有機EL裝置是最適用作 爲顯不裝置（顯不器）’可成爲在發光層60，62，64中 圖案偏移較少，膜厚分布極均勻化，無斑駁又鮮明的大畫 面的顯示裝置。 (電子機器） -25- 200539741 (22) 以下說明使用上述實施形態的罩幕所製造的電 〇 第13 (a)圖是表示手機的一例的立體圖。在】 a)圖中，符號600是表示手機本體；符號601是 用上述實施形態的罩幕所形成的光電裝置所成的顯 第13 (b)圖是表示文字處理器，個人電腦等的手 訊處理裝置的一例的立體圖。在第1 3 ( b )圖中 | 700是表示資訊處理裝置；符號701是表示鍵盤等 部；符號702是表示使用上述實施形態的罩幕所形 電裝置所成的顯示部；符號703是表示資訊處理裝 。第13(c)圖是表示手錶式電子機器的一例的立 在第13(c)圖中，符號800是表示手錶本體；符 是表示使用上述實施形態的罩幕所形成的光電裝置 顯示部。 表示於第13圖的電子機器是以大畫面可顯示 φ 品位地可顯示鮮明、無斑駁又較大畫像，又以低成 以製造。 又’本發明的技術範圍是並不被限定於上述實 者，在不超越本發明的意圖範圍內可施加各種變更 施形態所列舉的具體材料或層構成等只不過是一例 而可適當地變更。例如在上述實施形態中，將罩幕 作爲蒸鍍罩幕’惟本發明是並不被限定於此者，作 法或CVD法等的罩幕可使用罩幕i。 子機器 I 13 ( 表示使 示部。 提式資 ’符號 的輸入 成的光 置本體 體圖。 號801 所成的 ’且局 本可加 施形態 ，在實 而已， 1使用 爲濺鍍 -26- 200539741 (23) [圖式簡單說明】 第1圖是表示本發明的實施形態的罩幕的模式立體圖 〇 •第2圖是表示藉由同上的罩幕所形成的像素圖案的排 列例的圖式。 第3圖是表示同上的罩幕的主要部分擴大立體圖。 第4圖是表示使用同上的罩幕所形成的蒸鍍圖案的一 例的俯視圖。 第5圖是表示使用同上的罩幕所形成的蒸鍍圖案的一 例的俯視圖。 第6圖是表示使用同上的罩幕所形成的蒸鍍圖案的一 例的俯視圖。 第7(a)圖至第7(d)圖是表示同上的罩幕的製造 方法的模式斷面圖° 第8(a)圖至第8(c)圖是表示同上的支持基板的 φ 製造方法的一例的模式立體圖。 第9(a)圖至第9(c)圖是表示同上的支持基板的 製造方法的一例的模式立體圖。 第1 0圖是表示本發明的實施形態的光電裝置的製造 方法的模式斷面圖。 第1 1 ( A )圖至第1 1 ( C )圖是表示本發明的實施形 態的發光材料的成膜方法的模式斷面圖。 第12圖是表示以同上製造方法所製造的有機EL裝置 的模式斷面圖。 -27- 200539741 (24) 3(c)圖是表示本發明的實施形 第13 ( a)圖至第1 態的電子機器的立體圖。 【主要元件之符號說明】 1 :罩幕 1 〇 :支持基板 10’ ：基板

1 0 a，1 0 b :四角柱 l〇d :基板 1 2 :開口領域 14，14’ ：對準標誌 1 6 :罩幕定位標誌 20， 20a， 20b ：晶片 2 0':砂晶圓 22 :開口部 5 4 :基板 光層 60， 60’， 62， 64: i 7 1 :氧化矽膜 72 :溝槽圖案 7 3 :領域 74 :角部 -28-

Claims (1)

1. 200539741 (1) 十、申請專利範圍 1. 一種罩幕’其特徵爲： 具有支持基板，及安裝於該支持基板的複數晶片； 上述晶片是具有對應於形成在被成膜面的薄膜圖案的 至少一部分的形狀的開口部； 上述晶片所佔有的面積是比使用上述複數晶片所形成 的薄膜圖案的面積還小。 2 ·如申請專利範圍第1項所述的罩幕，其中，上述 晶片是由砂所構成。 3 ·如申請專利範圍第1項所述的罩幕，其中，上述 晶片是由金屬材料所構成。 4.如申請專利範圍第2項所述的罩幕，其中，上述 矽是具有面方位（1 1 〇 )。 5 ·如申請專利範菌第2項所述的罩幕，其中，上述 矽是具有面方位（1〇〇)。 6 ·如申請專利範圍第2項所述的罩幕，其中，上述 矽是上述開口部的側面面方位爲（1 1 1 )。 7 ·如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述的 罩幕，其中， 上述晶片是具有複數上述開口部； 上述開口部是具有長孔形狀； 複數上述開口部是上述長孔形狀的長度方向分別平行 地配置而呈條紋圖案。 8 ·如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述的罩 -29- 200539741 (2) 幕，其中，上述晶片彼此間是配置成具有間隔。 9 ·如申請專利範圍第8項所述的罩幕，其中，正交於 上述晶片的長孔形狀的開口部長度方向的方向的上述晶片 彼此間的間隔，是大致相等於該長孔形狀的寬度。 1 0 ·如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述的罩 幕，其中，上述晶片的開口部的側面與該晶片的其中一方 平面所成的角部位，是具有推拔形狀。 1 1 ·如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述的罩 幕，其中，上述支持基板的構成材料與上述晶片的構成材 料是熱脹係數大約相同。 1 2·如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述的罩 幕，其中，上述支持基板的構成材料與上述晶片的構成材 料及被成膜構件的構成材料，是熱脹係數大約相同。 1 3 .如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述的罩 幕，其中， 上述支持基板是具有長方形狀的開口領域； 上述開口領域是配置成橫斷被安裝於上述支持基板的 複數晶片。 14.如申請專利範圍第13項所述的罩幕，其中， 上述支持基板的開口領域的長度方向，是大約正交於 上述晶片的開口部的長孔形的長度方向， 在上述支持基板，互相平行地配置有複數上述開口領 域； 沿著一個上述開口領域，配置有一列複數上述晶片。 -30- 200539741 (3) 1 5 .如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述的罩 幕，其中，上述支持基板是具有分別表示複數上述晶片的 安裝位置的複數對準標誌。 16·如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述的罩 幕，其中，上述支持基板是組合複數四角柱所構成。 1 7 · —種薄膜圖案的形成方法，其特徵爲： 使用分別具有對應於形成在被成膜面的薄膜圖案的至 少一部分形狀的開口部的複數晶片，被安裝於支持基板所 成的罩幕； 形成具有比上述晶片的佔有面積還大面積的薄膜圖案 〇 1 8 ·如申請專利範圍第1 7項所述的薄膜圖案的形成方 法，其中，對於被成膜面使用一個上述罩幕以成膜上述薄 膜圖案的一部分之後，對於該被成膜面偏離該罩幕位置， 再對於該被成膜面使用該罩幕進行成膜，以成膜上述薄膜 圖案的其他部分。 19·如申請專利範圍第18項所述的薄膜圖案的形成方 法，其中，偏離上述罩幕位置的距離，是對應於上述開口 部大小的距離。 20·如申請專利範圍第17項所述的薄膜圖案的形成方 法，其中， 製作對於被成膜面的複數上述晶片的安裝位置有所偏 離的複數種類的上述罩幕； 分別另外地使用上述複數種類的上述罩幕，以形成一 -31 - 200539741 (4) 個上述薄膜圖案。 2 1 ·如申請專利範圍第20項所述的薄膜圖案的形成方 法，其中，上述罩幕彼此間的上述晶片的安裝位置的偏離 値，是對應於上述開口部大小的數値。 22. —種罩幕的製造方法，其特徵爲： 具有對應於形成在被成膜面的薄膜圖案的至少一部分 形狀的開口部的晶片，形成比成爲被成膜物的薄膜圖案的 | 面積還小的佔有面積的複數晶片； 將上述複數晶片安裝於支持基板，形成在形成上述薄 膜圖案時所使用的罩幕。 2 3.如申請專利範圍第22項所述的罩幕的製造方法， 其中，上述晶片的開口部，是使用結晶向異性蝕刻所形成 〇 2 4.如申請專利範圍第23項所述的罩幕的製造方法， 其中， φ 上述晶片是具有面方位（π 〇 )的矽所構成； 上述晶片的開口部是設置： 在上述矽的整體露出面形成耐蝕刻罩幕材料； 之後，針對於上述晶片的其中一方面側的耐蝕刻罩幕 材料，形成孔成爲上述開口部的長度方向與上述矽的（ 1 1 1 )方位成直角，且對應於該開口部形狀的形狀，而且 針對於該晶片的另一方面側的耐蝕刻罩幕材料’除去包括 該開口部的領域； 然後，藉由上述結晶向異性蝕刻以形成貫通該晶片的 -32- 200539741 (5) 孔。 25· —種光電裝置的製造方法，其特徵爲： 在形成成爲光電裝置的構成層的薄膜圖案時，使用以 申請專利範圍第1項至第1 6項中任一項所述的罩幕，或是 以申請專利範圍第1 7項至第2 1項中任一項所述的薄膜圖案 的形成方法，或是以申請專利範圍第22項至第24項中任一 項所述罩幕的製造方法所製造的罩幕。 2 6. —種電子機器，其特徵爲：使用以申請專利範圍 第1項至第1 6項中任一項所述的罩幕，或是以申請專利範 圍第1 7項至第2 1項中任一項所述的薄膜圖案的形成方法， 或是以申請專利範圍第22項至第24項中任一項所述罩幕的 製造方法所製造的罩幕。

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