TW200539741A - Mask, method of manufacturing the same, method of forming thin film pattern, method of manufacturing electro-optical device and electronic equipment - Google Patents
Mask, method of manufacturing the same, method of forming thin film pattern, method of manufacturing electro-optical device and electronic equipment Download PDFInfo
- Publication number
- TW200539741A TW200539741A TW094107188A TW94107188A TW200539741A TW 200539741 A TW200539741 A TW 200539741A TW 094107188 A TW094107188 A TW 094107188A TW 94107188 A TW94107188 A TW 94107188A TW 200539741 A TW200539741 A TW 200539741A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- mask
- wafer
- thin film
- film pattern
- scope
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04M—TELEPHONIC COMMUNICATION
- H04M1/00—Substation equipment, e.g. for use by subscribers
- H04M1/02—Constructional features of telephone sets
- H04M1/0202—Portable telephone sets, e.g. cordless phones, mobile phones or bar type handsets
- H04M1/0206—Portable telephones comprising a plurality of mechanically joined movable body parts, e.g. hinged housings
- H04M1/0208—Portable telephones comprising a plurality of mechanically joined movable body parts, e.g. hinged housings characterized by the relative motions of the body parts
- H04M1/0235—Slidable or telescopic telephones, i.e. with a relative translation movement of the body parts; Telephones using a combination of translation and other relative motions of the body parts
- H04M1/0237—Sliding mechanism with one degree of freedom
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04M—TELEPHONIC COMMUNICATION
- H04M1/00—Substation equipment, e.g. for use by subscribers
- H04M1/02—Constructional features of telephone sets
- H04M1/23—Construction or mounting of dials or of equivalent devices; Means for facilitating the use thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12044—OLED
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
200539741 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 k 本發明是關於一種罩幕’罩幕的製造方法’薄膜圖案 的形成方法,光電裝置的製造方法及電子機器。 【先前技術】 光電裝置的一種裝置的有機EL面板,是由具有層積 | 薄膜的構造的自發光型且高速回應性的顯示元件所構成。 因此有機EL面板是輕又可構成動畫對應上優異的顯示裝 置,近年來作爲平面面板顯示器(FPD )電視機等的顯示 面板極受注目。成爲有機EL面板的代表性製法表示在 Appl. Phys. Lett,Vol 51,NO.12,ρ·ρ· 913-914,( 1 987 )。 亦即,將ITO (銦-錫氧化物)等的透明陽極使用微影成 像技術圖案化成所望形狀,又使用真空蒸鍍裝置將有機材 料作成成膜並層積在該圖案上,而在該上面蒸鍍成爲陰極 φ 的MgAg等低工作函數的金屬陽極膜。最後,使得如此所 成的發光元件不會接觸到濕度或氧氣等般地,在惰性氣體 環境中密閉封密該發光元件。 又’有機EL面板是藉著變更發光材料,就可將發光 色變更成各種顏色。例如提案一種使用薄又高精細的金屬 罩幕’像素別地形成紅、綠、藍的發光元件的方法。該方 法是以磁鐵密接金屬罩幕與玻璃基板,並藉由隔著罩幕進 行蒸鍍’作成製造鮮明的全色有機E L面板者(例如,參 照專利文獻1 )。 -5- 200539741 (2) 又,作爲使用罩幕的蒸鍍方法,提案一種使用矽基板 來製造蒸鍍罩幕的方法。在該方法中使用微影成像技術及 乾蝕刻技術等的半導體製造技術,而將矽基板本體作成罩 ^ 幕者。 石夕是與玻璃的熱脹係數大約相同之故,因而砂的罩幕 與被成膜基板的玻璃基板不會產生熱脹所致的偏移。又, 矽是可提高加工精度(例如參照專利文獻2 )。 p 專利文獻1:日本特開2001— 273976號公報 專利文獻2:日本特開2001— 185350號公報 【發明內容】 然而,在被記載於上述專利文獻1的金屬罩幕,若增 加須對應於有機EL面板的大畫面化的面板尺寸,則該面 板用的金屬罩幕也必須形成較大,惟有很難高精度地製作 出大面積且薄型的金屬罩幕的缺點問題。又,金屬罩幕的 φ 熱脹係數比有機EL面板用的玻璃基板的熱脹係數極大。 因此,蒸鍍時的熱輻射上,金屬罩幕比玻璃基板還較大地 延伸。由此,擬使用金屬罩幕來製造大型有機EL罩幕, 則熱脹所致的誤差累計値變大,而在金屬罩幕最多可製造 20吋的中小型面板尺寸作爲其界限。 又’在使用記載於上述專利文獻2的矽基板的蒸鍍罩 幕中,矽晶錠的直徑爲300mm之故,因而矽基板是僅存 在直徑300mm爲止約大小者’有無法製造對應於該尺寸 以上的大畫像尺寸的蒸鍍罩幕的缺點問題。 -6 ~ 200539741 (3) 本發明是鑑於上述事項而創作者,其目的是在於提供 一種可對應於被成膜領域的大型化,可高精度地進行圖案 化的罩幕,罩幕的製造方法,薄膜圖案的形成方法,光電 1 裝置的製造方法及電子機器。 又,本發明的目的是在於提供一種可對應於被成膜領 域的大型化,可減低熱脹所致的誤差,又以精簡工程而可 局精度地圖案化的罩幕,罩幕的製造方法,薄膜圖案的形 p 成方法,光電裝置的製造方法及電子機器。 爲了達成上述目的,本發明的罩幕,其特徵爲:上述 晶片是具有對應於形成在被成膜面的薄膜圖案的至少一部 分的形狀的開口部;上述晶片所佔有的面積是比使用上述 複數晶片所形成的薄膜圖案的面積還小。 依照本發明,藉由複數晶片來構成一個罩幕,因此可 簡便地提供可形成比晶片還大的薄膜圖案(也包含複數薄 膜圖案形成大面積的情形)的罩幕。例如,可簡便地構成 φ 可形成成爲大畫面的顯示裝置的構成要素的較大薄膜圖案 的罩幕。 又,本發明的罩幕是上述晶片是由矽所構成較理想。 依照本發明,與金屬罩幕等相比較,可簡便地形成抗 拉強度等機械性強度較高的罩幕。如此,依照本發明的罩 幕,可減低罩幕的厚度,而且簡便地可形成對於抗拉力量 的延伸量較小的罩幕。因此,本發明的罩幕是高精度且高 精細地可形成大面積的薄膜圖案,例如高品位地且低成本 地可製造成爲大畫面的顯示裝置的構成要素的大薄膜圖案 200539741 (4) 又,依照本發明,如被成膜基板爲矽基板時,可將該 被成膜基板的熱脹係數與罩幕的熱脹係數作成相同。因此 1 ,本發明是提供一種不會受到周圍溫度的影響而高精度地 可形成薄膜圖案的罩幕。 又’本發明的罩幕是上述晶片是由金屬材料所構成較 理想。 p 依照本發明,如被成膜基板爲金屬材所成時,可將該 被成fl吴基板的熱張係數與罩幕的熱張係數作成相同。因此 ’本發明是提供一種不會受到周圍溫度的影響而高精度地 可形成薄膜圖案的罩幕。 又’本發明的罩幕爲上述矽是具有面方位(110)較 理想。 依照本發明,例如對於具有面方位(1 i 〇 )的砂,爲 了形成開口部,藉由施以結晶向異性蝕刻,可極其減低其 Φ 蝕刻速度,因此高精度地可控制其蝕刻量。因此本發明的 罩幕疋:開口部形狀成爲局精度,而高精度地可形成薄膜圖 案。 又’本發明的罩幕爲上述砂是具有面方位(100)較 理想。 依照本發明,例如對於具有面方位(1 0 0 )的砂,爲 了形成開口部’藉由施以結晶向異性蝕刻,高精度地可控 制其餓刻量。因此本發明的罩幕是開口部形狀成爲高精度 ’而高精度地可形成薄膜圖案。 -8- 200539741 (5) 又,本發明的罩幕爲上述矽是上述開口部的側面面方 位爲(111 )較理想。 依照本發明,例如對於具有面方位(1 00 )的矽,藉 由施以向異性蝕刻,使得開口部側面的面方位成爲(η1 )。如此,可極其減低其蝕刻速度,因此高精度地可控制 其飩刻量。因此本發明的罩幕是開口部形狀成爲高精度, 而高精度地可形成薄膜圖案。 又,本發明的罩幕是上述晶片具有複數上述開口部; 上述開口部是具有長孔形狀;複數上述開口部是上述長孔 形狀的長度方向分別平行地配置而呈條紋圖案較理想。 依照本發明的罩幕,例如高精度地且大面積地可形成 構成配置於條紋圖案的像素的薄膜圖案。因此,本發明的 罩幕是高品位地且以低成本可製造成爲大畫面的顯示裝置 的構成要素的條紋圖案。 又,本發明的罩幕爲上述晶片彼此間是配置成具有間 隔較理想。 依照本發明,鄰接的晶片彼此間是安裝於支持基板成 爲具有間隔之故,因而在其安裝時容易地可微調各晶片的 對準’而可將各晶片局精度地安裝於支持基板。又,本發 明是在該安裝時’也可避免鄰接的晶片彼此間接觸而損壞 等情形。又’本發明的罩幕是也可避免各晶片的熱脹量被 累積’又尺寸精度優異地可形成大面積的薄膜圖案。 又’本發明的罩幕是正交於上述晶片的長孔形狀的開 口部長度方向的方向的上述晶片彼此間的間隔,是大致相 -9 - 200539741 (6) 等於該長孔形狀的寬度較理想。 依照本發明,可將晶片與晶片之間的間隙,功能作爲 形成薄膜圖案所用的開口部。因此,本發明罩幕是高品位 地且以低成本可製造一定間隔的條紋圖案。 又,本發明的罩幕是上述晶片的開口部的側面與該晶 片的其中一方平面所成的角部位,是具有推拔形狀較理想 〇 I 依照本發明,在罩幕中,沒有成爲從蒸鍍源所放射的 蒸鍍粒子的「影子」的角之故,因而一直到邊緣部分可形 成均勻膜厚的薄膜圖案。 又,本發明的罩幕是上述支持基板的構成材料與上述 晶片的構成材料是熱脹係數大約相同較理想。又,本發明 的罩幕是上述支持基板的構成材料與上述晶片的構成材料 及被成膜構件的構成材料,是熱脹係數大約相同較理想。 依照本發明,可提供一種不會受到周圍溫度的影響又 筒精度地可形成罩幕。 又’本發明的罩幕是上述支持基板是具有長方形狀的 開口領域(溝槽):上述開口領域是配置成橫斷被安裝於 上述支持基板的複數晶片較理想。 依照本發明,例如晶片的開口部位於支持基板的開口 領域內般地,將各晶片安裝於支持基板,就可將各晶片的 開口部功能作爲罩幕的開口部。又,藉由支持基板的開口 領域也可共通地遮蔽各晶片的開口部的一部分。 又,本發明的罩幕爲上述支持基板的開口領域的長度 -10- 200539741 (7) 方向,是大約正交於上述晶片的開口部的長孔形的長度方 向;在上述支持基板,互相平行地配置有複數上述開口領 域;沿著一個上述開口領域,配置有一列複數上述晶片較 理想。 依照本發明的罩幕,例如在各開口領域可形成條紋圖 案。因此,本發明的罩幕是可製造配置於條紋圖案的像素 所成的光電裝置等。 | 又’本發明的罩幕爲上述支持基板是具有分別表示複 數上述晶片的安裝位置的複數對準標誌較理想。 依照本發明,可將各晶片高精度地安裝在支持基板的 所望位置,簡便地可提供大面積又高精度的罩幕。 又,本發明的罩幕爲上述支持基板是組合複數四角柱 所構成較理想。 依照本發明,簡便地可構成所期望的大小及形狀的支 持基板,簡便地可提供大面積又高精度的罩幕。 φ 爲了達成上述目的,本發明的薄膜圖案的形成方法, 其特徵爲: 使用分別具有對應於形成在被成膜面的薄膜圖案的至 少一部分形狀的開口部的複數晶片,被安裝於支持基板所 成的罩幕;形成具有比上述晶片的佔有面積還大面積的薄 膜圖案。 依照本發明,藉由複數晶片所成的一個大罩幕,簡便 地且高精度地可形成較大薄膜圖案。因此,本發明是簡便 地高精度地可形成如成爲大畫面的顯示裝置的構成要素的 -11 - 200539741 (8) 較大薄膜圖案。 又,本發明的對於被成膜面使用一個上述罩幕以成膜 上述薄膜圖案的一部分之後,對於該被成膜面偏離該罩幕 ^ 位置,再對於該被成膜面使用該罩幕進行成膜,以成膜上 述薄膜圖案的其他部分較理想。 依照本發明,如顯示裝置的像素配置般地,欲在被成 膜面整體重複製作相同圖案時,以使用上述罩幕的第一次 | 成膜來成膜被成膜面的一部分,而以使用相同罩幕的第二 次(或是第三次)成膜來成膜被成膜面的其他部分。如此 ,本發明是使用精簡而容易製作構成的罩幕,以低成本可 形成較大薄膜圖案。 又’本發明的薄膜圖案的形成方法爲偏離上述罩幕位 置的距離,是對應於上述開口部大小的距離較理想。 依照本發明,如顯示裝置的像素配置般地,欲在被成 膜面整體重複製作相同圖案時,以使用上述罩幕的第一次 φ 成膜來成膜第1、3、5…行(奇數行)的像素,而以使用 相同罩幕的第二次(或是第三次)成膜來成膜第2、4、 6…行(偶數行)的像素。如此,本發明是使用精簡而容 易製作構成的罩幕,以低成本又高精度地可形成較大薄膜 圖案。 又,本發明的薄膜圖案的形成方法是製作對於被成膜 面的複數上述晶片的安裝位置有所偏離的複數種類的上述 罩幕,分別另外地使用上述複數種類的上述罩幕,以形成 一個上述薄膜圖案較理想。 -12- 200539741 (9) 依照本發明,如以使用上述複數種類罩幕的第一罩幕 的第一次成膜來成膜被成膜面的一部分,而以使用上述複 數種類的罩幕的第二罩幕的第二次(或是第三次)成膜來 > 成膜被成膜面的其他部分。如此,本發明是使用精簡而容 易製作構成的罩幕,以低成本又高精度地可形成較大薄膜 圖案。 又’本發明的薄膜圖案的形成方法爲上述罩幕彼此間 g 的上述晶片的安裝位置的偏離値,是對應於上述開口部大 小的數値較理想。 依照本發明,如顯示裝置的像素配置般地,欲在被成 膜面整體重複製作相同圖案時,在鄰接於以使用上述罩幕 的第一次成膜所製作的薄膜圖案的位置,而以使用相同罩 幕的第二次成膜可製作薄膜圖案。如以使用上述罩幕的第 一次成膜來成膜第1、3、5…行(奇數行)的像素,而以 使用相同罩幕的第二次(或是第三次)成膜來成膜第2、4 φ 、6…行(偶數行)的像素時,可將奇數行像素與偶數行 像素的間隔,也可避免其間隔。如此,本發明是使用精簡 ,而容易製作構成的罩幕,以低成本又高精度地可形成較大 薄膜圖案。 爲了達成上述目的,本發明的罩幕的製造方法,其特 徵爲··具有對應於形成在被成膜面的薄膜圖案的至少一部 分形狀的開口部的晶片,形成比成爲被成膜物的薄膜圖案 的面積還小的佔有面積的複數晶片;將上述複數晶片安裝 於支持基板,形成在形成上述薄膜圖案時所使用的罩幕。 -13- 200539741 do) 依照本發明,藉由複數晶片可構成一個罩幕。因此, 本發明是簡便地可提供可形成比晶片還大的薄膜圖案(也 包含複數薄膜圖案形成大面積的情形)的罩幕。例如簡便 地可構成可形成成爲大畫面的顯示裝置的構成要素的大面 積薄膜圖案的罩幕。又,以本發明的製造方法所製造的罩 幕是也可避免累積各晶片的熱脹量,而尺寸楕度優異地可 形成大面積的薄膜圖案。 _ 又’本發明的罩幕的製造方法爲上述晶片的開口部, 是使用結晶向異性蝕刻所形成較理想。 依照本發明,高精度地可加工晶片的開口部形狀; 又’本發明的罩幕的製造方法爲上述晶片是具有面方 位(1 1 〇 )的矽所構成;上述晶片的開口部是設置··在上 述矽的整體露出面形成耐蝕刻罩幕材料;之後,針對於上 述晶片的其中一方面側的耐蝕刻罩幕材料,形成孔成爲上 述開口部的長度方向與上述矽的(111)方位成直角,且 φ 對應於該開口部形狀的形狀,而且針對於該晶片的另一方 面側的耐蝕刻罩幕材料,除去包括該開口部的領域;然後 ,藉由上述結晶向異性蝕刻以形成貫通該晶片的孔較理想 〇 依照本發明,由晶片的其中一方面側及另一方面側的 兩側,施以結晶向異性鈾刻,可設置開口部。又,依據本 發明,針對於具有面方位(1 1 0 )的矽,配置使得開口部 長度方向與(111 )方位成爲直角而施以結晶向異性蝕刻 之故,因而使得開口部的長度方向的側面成爲(111 )方 -14- 200539741 (11) 位面。由此,在該結晶向異性蝕刻,可將針對於開口部領 域的深度方向與開口部的長度方向的側面的鈾刻比作成如 1對1 000,而高精度地可控制開口部的寬度尺寸。 爲了達成上述目的,本發明的光電裝置的製造方法, 其特徵爲:形成成爲光電裝置的構成層的薄膜圖案時,使 用上述罩幕或是上述薄膜圖案的形成方法。 依照本發明,如高精度地且簡便地可設置成爲大畫面 的光電裝置的構成的較大薄膜圖案之故,因而以低成本可 提局大畫面之各像素的膜厚分佈極優異,且可顯示無斑駁 的高品位畫像的光電裝置。 爲了達成上述目的,本發明的電子機器,其特徵爲: 使用上述罩幕或是上述薄膜圖案的形成方法所製造。 依照本發明,如以低成本可提供一種以大畫面可顯示 ,鮮明又無斑駁而可顯示大畫像的電子機器。又,依照本 發明,以低成本可提供一種具備高精細地精密地經圖案化 大面積的基板整體的薄膜所成的電子電路的電子機器。 【實施方式】 以下,參照圖式說明本發明的實施形態的罩幕。 (罩幕的構造) 第1圖是表示本發明的實施形態的罩幕的模式立體圖 。第2圖是表示藉由圖示於第1圖的罩幕所形成的像素圖 案的排列例的圖式。第3圖是表示圖示於第1圖的罩幕的 -15- 200539741 (12) 主要部分擴大立體圖。本實施形態的罩幕1是如可使用作 爲蒸鍍罩幕。 罩幕1是在成爲底基板的支持基板10,具有安裝複數 晶片2 0的構成。在本實施形態中,晶片2 0是作爲矽所成 者。又,以金屬材料也可構成晶片20。各晶片是分別施以 對準而被黏接於支持基板1 0。又,在支持基板1 0形成有 罩幕定位用標誌1 6。罩幕定位用標誌1 6是使用罩幕1來 p 進行蒸鍍等時,用以進行該罩幕1的定位者。罩幕定位用 標誌1 6是如以金屬膜可形成。又,在晶片20形成罩幕定 位用標誌1 6也可以。 如第1圖及第3圖所示地,在支持基板10,平行地且 以一定間隔設有開口部由長方形貫通孔所成的複數開口領 域1 2。如第3圖所示地,在晶片20,以一定間隔平行地 設有長孔形狀的複數開口部22。晶片20的開口部22是對 應於形成表示於第2圖的「縱條紋」的像素配置的薄膜圖 φ 案的形狀。因此,罩幕1是使用在形成縱條紋的像素。 又,各晶片20是覆蓋支持基板1 0的開口領域1 2般 地,且以開口領域1 2的長度方向與晶片20的開口部22 的長度方向呈正交的方向,形成行列般地配置在支持基板 10上。 支持基板1 0的構成材料是具有與晶片20的構成材料 的熱脹係數相同或接近的熱脹係數者較理想。晶片20是 石夕之故’因而以具有與矽的熱脹係數相同或接近的熱脹係 數的材料構成支持基板1 0。由於作成如此,可抑制支持基 -16- 200539741 (13) 板1 〇與晶片20的熱脹量不相同所致的「翹曲」或「彎曲 」的發生。例如,對應矽的熱脹係數(3 0 X 1 ο E — 7 / °C ), 康尼公司所製的巴依累克斯(登錄商標)玻璃的熱脹係數 〔30 X 1 0E — 7/°C )是大致相同値。無鹼玻璃的日本電氣玻 璃公司所製的OA - 10的熱脹係數(38 X 1 0E — 7广C ),而 在金屬材料的42合金的熱脹係數(50x1 0E - 7/°C )及恒 範鋼材的熱脹係數(1 2 X 1 0 E - 7/°C )等也接近於矽的熱脹 係數。因此,作爲支持基板1 0的構成材料,可使用巴依 雷克斯(登錄商標)玻璃、無鹼玻璃的OA— 10以及42 合金等。 晶片2 0是成爲如第3圖所不地在長方形的板設置開 口部2 2的構成。 本實施形態的罩幕1是用以形成表示於第2圖的「縱 條紋」的像素者,因此晶片20的開口部22是如將其像素 成爲相當於包含約40個縱領域的較大細長的溝槽形狀。 亦即晶片20的開口部22是成爲對應於形成在被成膜面的 薄膜圖案的至少一部分形狀的形狀。如此,晶片2 0所佔 有的面積是比罩幕1所形成的薄膜圖案(如構成有機EL 面板的薄膜圖案)的面積還小。 又,形成本實施形態的晶片20的矽是具有面方位( 1 10 )。但是,以具有面方位(1〇〇 )的矽來構成晶片 20 也可以。又晶片20的開口部22的長度方向側面,是具有 面方位(1 1 1 )。如此地將開口部22側面的面方位作成( 1 1 1 ),是針對於具有面方位(Η 〇 )的矽晶片施以結晶向 -17- 10 200539741 (14) 異性蝕刻就簡便地可實現。 又,在各晶片2 0有對準標誌1 4至少形成在兩部位 對準標誌1 4是使用在將晶片20黏貼在支持基板 之際的對位。對準標誌1 4是以微影成像技術或是結晶 異性蝕刻等所形成。 晶片20的開口部20的長度方向與支持基板1〇白勺 口領域1 2的長度方向成爲正交般地,各晶片2 0是黏貼 _ 支持基板1 〇。開口部20的寬度是如作成與像素的副像 間距d 1相同。又,佔有相同開口領域12的晶片2 0的 鄰的晶片20a、20b是配置成僅具有像素的副像素間隔 的間隔。該晶片20a與20b的間隙是與晶片20的開口 20同樣地功能,功能作爲形成所望形狀的薄膜圖案所用 罩幕1的開口部。又,相鄰接的晶片20彼此間,是針 於正交於開口領域1 2的長度方向也配置成具有間隔。 ,複數晶片20是分別具有間隔,而在支持基板1 〇上, Φ 第1圖所示地配置成行列狀態。 如此些地,本實施形態的罩幕1是將複數晶片20 裝於支持基板1 0,因此可形成比晶片20還大的薄膜圖 ’例如可形成成爲大畫面的顯示面板的縱條紋圖案的像 〇 第4圖是表示使用圖示於第1圖及第3圖的罩幕1 形成的蒸鍍圖案(薄膜圖案)的一例的俯視圖。第5圖 表示針對於圖示於第4圖的蒸鍍圖案所形成的基板,偏 罩幕1再施以蒸鍍處理的狀態的一例的俯視圖。第6圖 向 開 在 素 相 dl 部 的 對 又 如 安 案 素 所 是 移 是 -18- (15) 200539741 表示針對於圖示於第5圖的蒸鍍圖案所形成的基板,偏移 卓幕1再施以蒸鑛處理的狀態的一^例的俯視圖。 作爲成爲形成有該蒸鍍圖案的被成膜構件的基板5 4, 如可適用形成有機EL裝置的構成要素的玻璃基板等的透 明基板。這時候的蒸鍍圖案,是如作成形成有機EL裝置 的紅色發光層60的條紋圖案。因此,發光層6〇的寬度是 成爲像素的副像素間距d 1。 p 但是,在表示於第4圖的蒸鍍圖案中,未形成有機 E L裝置的紅色像素的複數行(如4 0行X 5 )的像素。又, 對於基板5 4將罩幕1朝縱方向(Y軸方向)偏移如像素 40個分量,再進行蒸鍍處理,如第5圖所示地圖案化紅色 發光層6 0 ’。藉由作成如此,簡便地可形成具有較大縱條 紋圖案的大畫面圖案的薄膜圖案。 在表示於第5圖的蒸鍍圖案中,僅形成有紅色發光層 60,60’,而未形成有紅色及藍色發光層。又,對於表示於 φ 第5圖的狀態的基板54,將罩幕1朝橫方向(X軸方向) 僅偏移副像素分量而圖案化綠色發光材料,如第6圖所示 地形成綠色發光層62。之後將罩幕1朝橫方向(X軸方向 )僅偏移副像素分量而圖案化藍色發光材料,如第6圖所 示地形成藍色發光層6 4。 由這些,簡便地且高精度地可形成可製成彩色顯示而 成爲大畫面面板的薄膜圖案。又,在上述實施形態中,一 面偏移相同罩幕1 一面蒸鍍處理複數次,就可形成成爲一 個大畫面面板的薄膜圖案,惟事先製作複數種類的罩幕1 -19- 200539741 (16) ,交互地使用該複數種類的罩幕1來形成成爲一個大畫面 面板的薄膜圖案。 (罩幕的製造方法) 第7圖是表示本發明的實施形態的罩幕的製造方法的 模式斷面圖。亦即,第7圖是表示成爲上述罩幕1的主要 部的矽晶片20的製造方法。 首先,準備面方位(1 1 〇 )的矽晶圓2 0 ',藉由熱氧化 法將成爲耐蝕刻罩幕材的氧化矽膜7 1形成厚1 # ηι於該矽 晶圓20’的整體露出面〔參照第7(a)圖〕。 該氧化矽膜7 1所成的耐蝕刻罩幕材,是在後續工程 使用鹼水溶液所進行的結晶向異性蝕刻具有耐久性的膜就 可以。因此,該耐蝕刻材,是作爲以CVD法所設置的氮 化矽膜也可以、或是以濺鍍法所設置的Au或Pt膜等也可 以,特別是並不被限定於氧化矽膜者。 之後,針對於上述矽晶圓20’的其中一方面側的氧化 矽膜7 1,使用微影成像技術來進行圖案化,形成對應於上 述開口部22的開口形狀(斷面形狀)的形狀的溝槽圖案 72。在此,矽的(111)方位與溝槽圖案72的長度方向成 爲直角般地,形成該溝槽圖案72〔參照第7 ( b )圖〕。 又,與形成上述溝槽圖案72之同時,將對準標誌1 4 形成在矽晶圓20’也可以。 又,與形成上述溝槽圖案72之同時,針對於矽晶圓 2 〇 ’的另一方面側的氧化矽膜7 1,藉由上述微影成像工程 -20- 200539741 (17) ,除去包含對應上述開口部2 2的部分的較大領域7 3〔參 照第7 ( b )圖〕。 如此地,欲除去矽晶圓20’的另一方面側的氧化矽膜 7 1的領域7 3,藉由後續工程,爲了減小包含矽晶圓2 0 ’的 開口部22的領域的厚度d2。亦即,減薄從矽晶圓20f所形 成的晶片20,在蒸鍍時蒸鍍粒子容易朝斜方向通過開口部 22,爲了將所成膜的薄膜厚度作成均勻化。 _ 在對於氧化矽膜7 1的微影成像技術所致的圖案化, 例如使用緩衝氟酸溶液。 之後,針對於表示於第7 ( b )圖的狀態的矽晶圓20’ ,使用加熱成8 0 °C的3 5重量°/〇的氫氧化鉀水溶液而進行 結晶向異性蝕刻。藉由該結晶向異性蝕刻,未被覆蓋於矽 晶圓20’的氧化矽膜71的部分,是從其中一方面及另一方 面的兩側被除去,形成作爲開口部22的貫通溝,而且減 小包含開口部22的領域的厚度d2。又,藉由該結晶向異 φ 性蝕刻,矽晶圓20’的領域73側的角部74也被蝕刻,成 爲推拔形狀〔參照第7 ( c )圖〕。 藉由控制上述結晶向異性触刻的蝕刻時間,可管理包 含角部74的推拔形狀及開口部22的領域厚度d2。因此, 即使罩幕1與蒸鍍源的相對性位置關係有所變動,也可製 造罩幕1的影子領域未變化的良好罩幕。 最後,除去形成於矽晶圓20’的氧化矽膜71,即完成 本實施形態的晶片20〔參照第7 ( d )圖〕。 在除去該氧化矽膜7 1,例如使用緩衝氟酸溶液。 -21 - 200539741 (18) 由這些,依照本實施形態的製造方法,針對於 的開口部2 2使用結晶向異性蝕刻所形成,因此, 地可加工開口部22的形狀。又本製造方法是對於 方位(1 10 )矽晶圓20’,使得開口部22的長度方 1 1 1 )方位成爲直角般地施以結晶向異性蝕刻,因 開口部2 2的長度方向的側面成爲(1 1 1 )方位面。 在該結晶向異性蝕刻中,可將對於開口部22的深 與開口部22的長度方向的側面的蝕刻比作成如1 ; ,而高精度地可控制開口部22的寬度尺寸。 (支持基板的製造方法) 第8圖是表示本發明的實施形態的支持基板1 造方法的一例的模式立體圖。 首先,對於成爲支持基板1 〇的材料,切出所 狀的基板10’〔參照第8 ( a)圖〕。 之後,爲了將黏貼於支持基板1 0的晶片2 0功 罩幕,將長方形貫通穴所成的開口領域1 2形成在 參照第8 ( b )圖〕。 作爲形成開口領域1 2,可採用因應於形成支 1 〇的材料的方法。例如基板1 0’爲巴依雷克斯(登 )玻璃或Ο A - 1 0等如無鹼玻璃的玻璃基板,則有 風法切削而形成開口領域1 2的方法,或以微影成 與氟酸所致的濕蝕刻形成開口領域1 2的方法。又 支持基板1 0由4 2合金等的金屬材料所構成時,以 晶片 2 0 高精度 具有面 向與( 此對於 由此, 度方向 Μ 10 0 0 0的製 定板形 能作爲 基板〔 持基板 錄商標 藉由鼓 像技術 ,作爲 微影成 -22- 200539741 (19) 像技術與濕蝕刻形成開口領域1 2也可以、或是藉由溶接 裝配複數金屬材料所製造也可以、或是藉由切削加工或鑄 造所製造也可以。 又,爲了將各晶片20規則正確地配置在支持基板1 〇 ,而在基板10’形成對準標誌14’,就可完成支持基板10 〔參照第8 ( c )圖〕。 該對準標誌14’的形成也使用微影成像技術。具體上 例如在基板1(Τ上以50nm的濺鍍成膜Cr。之後,以噴塗 式的光阻塗布器將光阻附著在Cr上。然後,經曝光、顯 像、進行Cr的濕蝕刻,以形成對準標誌14’。又,將雷射 等所致的加標記使用作爲對準標誌1 4’也可以。 第9圖是表示本發明的實施形態的支持基板1 0的製 造方法的其他例的模式立體圖。首先,形成所定材料所成 的複數四角柱l〇a,10b。然後,以螺栓10c等接合各四角 柱10a,10b,以形成具有開口領域12的基板l〇d〔參照 第 9(a) , (b)圖〕。 各四角柱l〇a,10b的接合是使用黏接劑等進行也可 以。 之後,在基板l〇d形成對準標誌14’,就完成支持基 板1 〇〔參照第9 ( c )圖〕。 在使用以上方法所製造的支持基板1 〇,藉由安裝晶片 20,來完成罩幕1。如第6圖所示地,藉由使用本實施形 態的罩幕1,如可蒸鍍形成4 0英吋大畫面的顯示裝置的薄 膜圖案。 -23- 200539741 (20) (光電裝置的製造方法) 第1〇圖是表示本發明的實施形態的光電裝置的製造 方法的模式斷面圖。 在本實施形態中,作爲光電裝置的—裝置例爲有機 EL裝置加以說明。在表示於第1〇圖的罩幕5〇 (相當於上 述罩幕1 ),形成有磁性體膜52。磁性體膜52是以鐵、 鈷、鎳等強磁性材料可形成。或是藉由Ni、、Fe、或 是包含Fe成分的不銹鋼合金等的磁性金屬材料、或是磁 性金屬材料與非fe性金屬材料的結合,形成磁性體膜5 2 也可以。罩幕5 G的其他詳細是與上述罩幕1相同。 在本實施形態中,使用罩幕50而在基板(成膜對象 構件)5 4來成膜發光材料。基板5 4是用以形成複數有機 EL裝置者’爲玻璃基板等的透明基板。如第n ( a )圖 所示地’在基板54形成有電極(如IT0等所成的透明電 極)56及空穴輸送層58。又,形成電子輸送層也可以。 如第1 0圖所示地,配置罩幕5 〇使得晶片2 0位於基 板5 4側。在基板5 4的背後,配置有磁鐵4 8,成爲拉近形 成於罩幕5 0 (晶片2 0 )的磁性體膜5 2。 第Π(Α)圖至第11(C)圖是表示說明使用於製造 胃_ EL裝置的發光材料的成膜方法的模式斷面圖。發光 #料*胃$D有機材料,作爲低分子的有機材料有鋁曜啉酚配 ί立ft合物(Alq3 ),而作爲高分子的有機材料有聚對苯乙 :¾撐(PPV)。發光材料的成膜是可藉由蒸鍍所進行。 -24- 200539741 (21) 例如,如第1 1 ( A )圖所示地,經由罩幕5 0 —面將 紅色發光材料予以圖案化一面進行成膜,以形成紅色發光 層60。又如第11(B)圖所示地,偏移罩幕50,一面將 綠色發光材料予以圖案化一面進行成膜,以形成綠色發光 層62。又如第11 (c)圖所不地,再偏移罩幕50,一面將 藍色發光材料予以圖案化一面進行成膜,以形成藍色發光 層6 4 〇 在本實施形態中,成爲屏蔽的晶片2 0局部地黏接在 支持基板10。因此,晶片20是自由度較高,不容易發生 彎曲、翹曲,選擇蒸鍍的再現性較高,又生產性較高。在 本實施形態的罩幕5 0中,複數開口領域1 2形成在支持基 板1 〇,而對應於各該開口領域1 2而有晶片20。複數晶片 20對應於一具有機EL裝置。亦即,使用罩幕50,高精度 地可製造大畫面的有機EL裝置。 第1 2圖是表示經由上述發光材料的成膜方法所製造 的有機E L裝置的槪略構成的模式斷面圖。有機E L裝置 是具有基板54,電極56,空穴輸送層58,發光層60,62 ,64等。在發光層60 ’62,64上,形成有電極66。電極 66是如陰極電極。本實施形態的有機EL裝置是最適用作 爲顯不裝置(顯不器)’可成爲在發光層60,62,64中 圖案偏移較少,膜厚分布極均勻化,無斑駁又鮮明的大畫 面的顯示裝置。 (電子機器) -25- 200539741 (22) 以下說明使用上述實施形態的罩幕所製造的電 〇 第13 (a)圖是表示手機的一例的立體圖。在】 a)圖中,符號600是表示手機本體;符號601是 用上述實施形態的罩幕所形成的光電裝置所成的顯 第13 (b)圖是表示文字處理器,個人電腦等的手 訊處理裝置的一例的立體圖。在第1 3 ( b )圖中 | 700是表示資訊處理裝置;符號701是表示鍵盤等 部;符號702是表示使用上述實施形態的罩幕所形 電裝置所成的顯示部;符號703是表示資訊處理裝 。第13(c)圖是表示手錶式電子機器的一例的立 在第13(c)圖中,符號800是表示手錶本體;符 是表示使用上述實施形態的罩幕所形成的光電裝置 顯示部。 表示於第13圖的電子機器是以大畫面可顯示 φ 品位地可顯示鮮明、無斑駁又較大畫像,又以低成 以製造。 又’本發明的技術範圍是並不被限定於上述實 者,在不超越本發明的意圖範圍內可施加各種變更 施形態所列舉的具體材料或層構成等只不過是一例 而可適當地變更。例如在上述實施形態中,將罩幕 作爲蒸鍍罩幕’惟本發明是並不被限定於此者,作 法或CVD法等的罩幕可使用罩幕i。 子機器 I 13 ( 表示使 示部。 提式資 ’符號 的輸入 成的光 置本體 體圖。 號801 所成的 ’且局 本可加 施形態 ,在實 而已, 1使用 爲濺鍍 -26- 200539741 (23) [圖式簡單說明】 第1圖是表示本發明的實施形態的罩幕的模式立體圖 〇 •第2圖是表示藉由同上的罩幕所形成的像素圖案的排 列例的圖式。 第3圖是表示同上的罩幕的主要部分擴大立體圖。 第4圖是表示使用同上的罩幕所形成的蒸鍍圖案的一 例的俯視圖。 第5圖是表示使用同上的罩幕所形成的蒸鍍圖案的一 例的俯視圖。 第6圖是表示使用同上的罩幕所形成的蒸鍍圖案的一 例的俯視圖。 第7(a)圖至第7(d)圖是表示同上的罩幕的製造 方法的模式斷面圖° 第8(a)圖至第8(c)圖是表示同上的支持基板的 φ 製造方法的一例的模式立體圖。 第9(a)圖至第9(c)圖是表示同上的支持基板的 製造方法的一例的模式立體圖。 第1 0圖是表示本發明的實施形態的光電裝置的製造 方法的模式斷面圖。 第1 1 ( A )圖至第1 1 ( C )圖是表示本發明的實施形 態的發光材料的成膜方法的模式斷面圖。 第12圖是表示以同上製造方法所製造的有機EL裝置 的模式斷面圖。 -27- 200539741 (24) 3(c)圖是表示本發明的實施形 第13 ( a)圖至第1 態的電子機器的立體圖。 【主要元件之符號說明】 1 :罩幕 1 〇 :支持基板 10’ :基板
1 0 a,1 0 b :四角柱 l〇d :基板 1 2 :開口領域 14,14’ :對準標誌 1 6 :罩幕定位標誌 20, 20a, 20b :晶片 2 0':砂晶圓 22 :開口部 5 4 :基板 光層 60, 60’, 62, 64: i 7 1 :氧化矽膜 72 :溝槽圖案 7 3 :領域 74 :角部 -28-
Claims (1)
- 200539741 (1) 十、申請專利範圍 1. 一種罩幕’其特徵爲: 具有支持基板,及安裝於該支持基板的複數晶片; 上述晶片是具有對應於形成在被成膜面的薄膜圖案的 至少一部分的形狀的開口部; 上述晶片所佔有的面積是比使用上述複數晶片所形成 的薄膜圖案的面積還小。 2 ·如申請專利範圍第1項所述的罩幕,其中,上述 晶片是由砂所構成。 3 ·如申請專利範圍第1項所述的罩幕,其中,上述 晶片是由金屬材料所構成。 4.如申請專利範圍第2項所述的罩幕,其中,上述 矽是具有面方位(1 1 〇 )。 5 ·如申請專利範菌第2項所述的罩幕,其中,上述 矽是具有面方位(1〇〇)。 6 ·如申請專利範圍第2項所述的罩幕,其中,上述 矽是上述開口部的側面面方位爲(1 1 1 )。 7 ·如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述的 罩幕,其中, 上述晶片是具有複數上述開口部; 上述開口部是具有長孔形狀; 複數上述開口部是上述長孔形狀的長度方向分別平行 地配置而呈條紋圖案。 8 ·如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述的罩 -29- 200539741 (2) 幕,其中,上述晶片彼此間是配置成具有間隔。 9 ·如申請專利範圍第8項所述的罩幕,其中,正交於 上述晶片的長孔形狀的開口部長度方向的方向的上述晶片 彼此間的間隔,是大致相等於該長孔形狀的寬度。 1 0 ·如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述的罩 幕,其中,上述晶片的開口部的側面與該晶片的其中一方 平面所成的角部位,是具有推拔形狀。 1 1 ·如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述的罩 幕,其中,上述支持基板的構成材料與上述晶片的構成材 料是熱脹係數大約相同。 1 2·如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述的罩 幕,其中,上述支持基板的構成材料與上述晶片的構成材 料及被成膜構件的構成材料,是熱脹係數大約相同。 1 3 .如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述的罩 幕,其中, 上述支持基板是具有長方形狀的開口領域; 上述開口領域是配置成橫斷被安裝於上述支持基板的 複數晶片。 14.如申請專利範圍第13項所述的罩幕,其中, 上述支持基板的開口領域的長度方向,是大約正交於 上述晶片的開口部的長孔形的長度方向, 在上述支持基板,互相平行地配置有複數上述開口領 域; 沿著一個上述開口領域,配置有一列複數上述晶片。 -30- 200539741 (3) 1 5 .如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述的罩 幕,其中,上述支持基板是具有分別表示複數上述晶片的 安裝位置的複數對準標誌。 16·如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述的罩 幕,其中,上述支持基板是組合複數四角柱所構成。 1 7 · —種薄膜圖案的形成方法,其特徵爲: 使用分別具有對應於形成在被成膜面的薄膜圖案的至 少一部分形狀的開口部的複數晶片,被安裝於支持基板所 成的罩幕; 形成具有比上述晶片的佔有面積還大面積的薄膜圖案 〇 1 8 ·如申請專利範圍第1 7項所述的薄膜圖案的形成方 法,其中,對於被成膜面使用一個上述罩幕以成膜上述薄 膜圖案的一部分之後,對於該被成膜面偏離該罩幕位置, 再對於該被成膜面使用該罩幕進行成膜,以成膜上述薄膜 圖案的其他部分。 19·如申請專利範圍第18項所述的薄膜圖案的形成方 法,其中,偏離上述罩幕位置的距離,是對應於上述開口 部大小的距離。 20·如申請專利範圍第17項所述的薄膜圖案的形成方 法,其中, 製作對於被成膜面的複數上述晶片的安裝位置有所偏 離的複數種類的上述罩幕; 分別另外地使用上述複數種類的上述罩幕,以形成一 -31 - 200539741 (4) 個上述薄膜圖案。 2 1 ·如申請專利範圍第20項所述的薄膜圖案的形成方 法,其中,上述罩幕彼此間的上述晶片的安裝位置的偏離 値,是對應於上述開口部大小的數値。 22. —種罩幕的製造方法,其特徵爲: 具有對應於形成在被成膜面的薄膜圖案的至少一部分 形狀的開口部的晶片,形成比成爲被成膜物的薄膜圖案的 | 面積還小的佔有面積的複數晶片; 將上述複數晶片安裝於支持基板,形成在形成上述薄 膜圖案時所使用的罩幕。 2 3.如申請專利範圍第22項所述的罩幕的製造方法, 其中,上述晶片的開口部,是使用結晶向異性蝕刻所形成 〇 2 4.如申請專利範圍第23項所述的罩幕的製造方法, 其中, φ 上述晶片是具有面方位(π 〇 )的矽所構成; 上述晶片的開口部是設置: 在上述矽的整體露出面形成耐蝕刻罩幕材料; 之後,針對於上述晶片的其中一方面側的耐蝕刻罩幕 材料,形成孔成爲上述開口部的長度方向與上述矽的( 1 1 1 )方位成直角,且對應於該開口部形狀的形狀,而且 針對於該晶片的另一方面側的耐蝕刻罩幕材料’除去包括 該開口部的領域; 然後,藉由上述結晶向異性蝕刻以形成貫通該晶片的 -32- 200539741 (5) 孔。 25· —種光電裝置的製造方法,其特徵爲: 在形成成爲光電裝置的構成層的薄膜圖案時,使用以 申請專利範圍第1項至第1 6項中任一項所述的罩幕,或是 以申請專利範圍第1 7項至第2 1項中任一項所述的薄膜圖案 的形成方法,或是以申請專利範圍第22項至第24項中任一 項所述罩幕的製造方法所製造的罩幕。 2 6. —種電子機器,其特徵爲:使用以申請專利範圍 第1項至第1 6項中任一項所述的罩幕,或是以申請專利範 圍第1 7項至第2 1項中任一項所述的薄膜圖案的形成方法, 或是以申請專利範圍第22項至第24項中任一項所述罩幕的 製造方法所製造的罩幕。-33-
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004084644A JP2005276480A (ja) | 2004-03-23 | 2004-03-23 | マスク、マスクの製造方法、薄膜パターンの形成方法、電気光学装置の製造方法および電子機器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200539741A true TW200539741A (en) | 2005-12-01 |
Family
ID=34909414
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW094107188A TW200539741A (en) | 2004-03-23 | 2005-03-09 | Mask, method of manufacturing the same, method of forming thin film pattern, method of manufacturing electro-optical device and electronic equipment |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20050211981A1 (zh) |
EP (1) | EP1584703A1 (zh) |
JP (1) | JP2005276480A (zh) |
KR (1) | KR20060044575A (zh) |
CN (1) | CN100459222C (zh) |
TW (1) | TW200539741A (zh) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4441974B2 (ja) * | 2000-03-24 | 2010-03-31 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP3775493B2 (ja) * | 2001-09-20 | 2006-05-17 | セイコーエプソン株式会社 | マスクの製造方法 |
KR100659057B1 (ko) | 2004-07-15 | 2006-12-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 증착용 마스크 프레임 조립체 및 유기 전계 발광표시장치 |
KR101192798B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2012-10-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 섀도우 마스크 및 이를 이용한 유기 발광 소자의 제조 방법 |
KR101453877B1 (ko) * | 2008-08-04 | 2014-10-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 el 소자의 발광층을 증착하는 방법, 상기 증착방법을 포함하는 유기 el 소자의 제조 방법, 및 상기제조 방법에 의해 제조된 유기 el 소자 |
JP5780350B2 (ja) * | 2013-11-14 | 2015-09-16 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、及び有機半導体素子の製造方法 |
JP6229483B2 (ja) * | 2013-12-24 | 2017-11-15 | コニカミノルタ株式会社 | 成膜用マスク、マスク成膜方法、および有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
US9349922B2 (en) * | 2014-08-25 | 2016-05-24 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Mask, mask group, manufacturing method of pixels and pixel structure |
CN105986225A (zh) * | 2015-02-16 | 2016-10-05 | 上海和辉光电有限公司 | Oled蒸镀用的屏蔽层及其制作方法 |
CN107641786B (zh) * | 2017-09-27 | 2020-04-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模板及掩模板制作方法 |
US11326245B2 (en) * | 2018-05-14 | 2022-05-10 | Kunshan Go-Visionox Opto-Electronics Co., Ltd. | Masks for fabrication of organic lighting-emitting diode devices |
USD900486S1 (en) * | 2019-09-20 | 2020-11-03 | The Glad Products Company | Film with pattern |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09162096A (ja) * | 1995-12-05 | 1997-06-20 | Toshiba Corp | 荷電ビーム成形用アパーチャおよび荷電ビーム露光装置 |
JP2001237073A (ja) * | 2000-02-24 | 2001-08-31 | Tohoku Pioneer Corp | 多面取り用メタルマスク及びその製造方法 |
KR100382491B1 (ko) * | 2000-11-28 | 2003-05-09 | 엘지전자 주식회사 | 유기 el의 새도우 마스크 |
JP4092914B2 (ja) * | 2001-01-26 | 2008-05-28 | セイコーエプソン株式会社 | マスクの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
US7396558B2 (en) * | 2001-01-31 | 2008-07-08 | Toray Industries, Inc. | Integrated mask and method and apparatus for manufacturing organic EL device using the same |
JP2002313564A (ja) * | 2001-04-17 | 2002-10-25 | Nec Corp | シャドウマスク、該シャドウマスクの製造方法、およびディスプレイ |
JP3775493B2 (ja) * | 2001-09-20 | 2006-05-17 | セイコーエプソン株式会社 | マスクの製造方法 |
JP3596502B2 (ja) * | 2001-09-25 | 2004-12-02 | セイコーエプソン株式会社 | マスク及びその製造方法、エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法並びに電子機器 |
JP3651432B2 (ja) * | 2001-09-25 | 2005-05-25 | セイコーエプソン株式会社 | マスク及びその製造方法並びにエレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
KR100490534B1 (ko) * | 2001-12-05 | 2005-05-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전자 발광 소자의 박막 증착용 마스크 프레임 조립체 |
US6749690B2 (en) * | 2001-12-10 | 2004-06-15 | Eastman Kodak Company | Aligning mask segments to provide an assembled mask for producing OLED devices |
JP3915898B2 (ja) * | 2002-04-12 | 2007-05-16 | セイコーエプソン株式会社 | マスク及びエレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
CN100464440C (zh) * | 2002-06-03 | 2009-02-25 | 三星移动显示器株式会社 | 用于有机电致发光装置的薄层真空蒸发的掩模框组件 |
JP4367018B2 (ja) * | 2002-06-18 | 2009-11-18 | 東レ株式会社 | 統合マスクの組立装置と組立方法。 |
JP2004183044A (ja) * | 2002-12-03 | 2004-07-02 | Seiko Epson Corp | マスク蒸着方法及び装置、マスク及びマスクの製造方法、表示パネル製造装置、表示パネル並びに電子機器 |
JP2005042133A (ja) * | 2003-07-22 | 2005-02-17 | Seiko Epson Corp | 蒸着マスク及びその製造方法、表示装置及びその製造方法、表示装置を備えた電子機器 |
-
2004
- 2004-03-23 JP JP2004084644A patent/JP2005276480A/ja not_active Withdrawn
-
2005
- 2005-02-25 CN CNB2005100521349A patent/CN100459222C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-03-08 US US11/075,157 patent/US20050211981A1/en not_active Abandoned
- 2005-03-09 TW TW094107188A patent/TW200539741A/zh unknown
- 2005-03-22 KR KR1020050023792A patent/KR20060044575A/ko not_active Application Discontinuation
- 2005-03-22 EP EP05006227A patent/EP1584703A1/en not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005276480A (ja) | 2005-10-06 |
EP1584703A1 (en) | 2005-10-12 |
KR20060044575A (ko) | 2006-05-16 |
CN100459222C (zh) | 2009-02-04 |
US20050211981A1 (en) | 2005-09-29 |
CN1674730A (zh) | 2005-09-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW200539741A (en) | Mask, method of manufacturing the same, method of forming thin film pattern, method of manufacturing electro-optical device and electronic equipment | |
JP4971723B2 (ja) | 有機発光表示装置の製造方法 | |
KR100791530B1 (ko) | 마스크, 마스크 칩, 마스크의 제조 방법, 마스크 칩의 제조방법, 및 전자 기기 | |
KR100707553B1 (ko) | 마스크, 마스크의 제조 방법, 전기 광학 장치의 제조 방법및 전자기기 | |
TWI244354B (en) | Deposition mask, manufacturing method thereof, display unit, manufacturing method thereof, and electronic apparatus including display unit | |
JP4377453B2 (ja) | 基板処理装置、及び基板処理方法 | |
US7396558B2 (en) | Integrated mask and method and apparatus for manufacturing organic EL device using the same | |
KR100641478B1 (ko) | 마스크 증착 방법 및 장치, 마스크 및 마스크의 제조 방법 및 표시 패널 제조 장치 | |
US6893575B2 (en) | Mask and method of manufacturing the same, electro-luminescence device and method of manufacturing the same, and electronic instrument | |
JP3651432B2 (ja) | マスク及びその製造方法並びにエレクトロルミネッセンス装置の製造方法 | |
JP4428285B2 (ja) | マスク保持構造、成膜方法、及び電気光学装置の製造方法 | |
US11396030B2 (en) | Mask frame assembly for depositing thin film | |
TWI267561B (en) | Precision mask for deposition and a method for manufacturing the same, an electroluminescence display and a method for manufacturing the same, and electronic equipment | |
JP2006188731A (ja) | マスク成膜方法,マスク | |
JP2004296436A (ja) | 有機電界発光装置およびその製造方法 | |
JP4096567B2 (ja) | 統合マスク、ならびに統合マスクを用いた有機el素子の製造方法およびその製造装置 | |
US20040026360A1 (en) | Mask and method of manufacturing the same, electroluminescent device and method of manufacturing the same, and electronic instrument | |
JP2004152704A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
JP2006077276A (ja) | マスク、マスクの製造方法、薄膜パターンの形成方法、電気光学装置の製造方法 | |
JP2005310472A (ja) | 真空蒸着用マスクおよび真空蒸着装置および真空蒸着方法 | |
JP2006077297A (ja) | マスク、成膜方法、有機el装置の製造方法 | |
TWI249821B (en) | Thin film formation method, thin film formation equipment, method of manufacturing organic electroluminescence device, organic electroluminescence device, and electronic apparatus | |
JP2004047245A (ja) | 統合マスクおよび統合マスクの組立方法並びに有機el素子の製造方法。 | |
JP2005290524A (ja) | マスク、マスクの製造方法、電気光学装置の製造方法および電子機器 |