TW200537711A - Semiconductor light emitting devices including current spreading layers - Google Patents

Semiconductor light emitting devices including current spreading layers Download PDF

Info

Publication number
TW200537711A
TW200537711A TW094102019A TW94102019A TW200537711A TW 200537711 A TW200537711 A TW 200537711A TW 094102019 A TW094102019 A TW 094102019A TW 94102019 A TW94102019 A TW 94102019A TW 200537711 A TW200537711 A TW 200537711A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
heavily doped
conductivity type
region
layer
doped layer
Prior art date
Application number
TW094102019A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI430468B (zh
Inventor
Decai Sun
Original Assignee
Lumileds Lighting Llc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lumileds Lighting Llc filed Critical Lumileds Lighting Llc
Publication of TW200537711A publication Critical patent/TW200537711A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI430468B publication Critical patent/TWI430468B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/025—Physical imperfections, e.g. particular concentration or distribution of impurities
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S257/00—Active solid-state devices, e.g. transistors, solid-state diodes
    • Y10S257/918—Light emitting regenerative switching device, e.g. light emitting scr arrays, circuitry

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Description

200537711 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於包含重摻雜電流散佈層的半導體發光裝 置。 【先前技術】 諸如發光二極體（LED)之半導體發光裝置為當前可用之 最有效光源中之一種。當前在製造能在整個可見光譜中操
作之高亮度LED中所關注之材料系統包含ιπ_ν族半導體， 特定言之為鎵、鋁、銦及氮之二元、三元及四元合金，其 亦被稱為III族氮化物材料；及鎵、鋁、銦及磷之二元、三 兀及四元合金，其亦被稱為ΠΙ族磷化物材料。此等裝置通 书具有一夾於一 ρ型摻雜區域與摻雜區域間之發光區 域或活性區域。通常藉由金屬有機化學氣相沈積 (MOCVD)、分子束蟲晶法（MBE)或其它磊晶技術使山族氮 化物裝置蟲晶成長於藍寶石、碳切或m族氮化物基板 上，且使III族磷化物裝置磊晶成長於砷化鎵上。 成長於一導電基板上之裝置通常具有形成於該裝置之相 對側面上之接觸點。或者，由於成長於不良導電基板上之 裝置’或由於光學或電學原目’可將該裝置钱刻，以將η 型及Ρ型區域兩者之部分曝露於該裝置之相同侧面上。接 ^該等制㈣纽所《之區域上。若料接觸點為 反射性的’且自與㈣接觸點相對之裝置之側面提取光， =裝置被稱為一覆晶。由於覆晶褒置上之該等接觸點中 之至者不直接覆於活性區域上，因此若電流不有效地 99057.doc 200537711 散佈穿過p型及η型區域，則裝置效能可能降低。 【發明内容】 根據本發明之實施例，ΠΙ族氮化物或m族磷化物發光裝 置包含一安置於一 p型區域與一 n型區域間之發光區域。至 重掺雜層安置於該n型區域或該P型區域内或安置於兩 者之内，以提供電流散佈。 【實施方式】 詳言之，用以改良III族磷化物裝置中之電流散佈之一途 徑為增加接觸點間磊晶層之厚度。厚磊晶層大體而言增加 了生產一裝置之成本及由於吸收而損失之光之量。此外， 在一覆晶裝置中，為了形成接觸點對蝕刻以曝露内埋層之 部为之需求限制某些裝置層可成長之厚度。 根據本發明之一實施例，一m族磷化物覆晶裝置包含一 或多個高度摻雜層。該等高度摻雜層在該裝置内側向散佈 電流，而不會增加該裝置内之磊晶層之厚度。圖1A為一m 族磷化物覆晶LED之橫截面圖。圖1A之該裝置包含一夾於p 型播雜包覆區域5與n型摻雜包覆區域7間之活性區域6。如 此項技術中已知，由該活性區域發射之光之波長可藉由選 擇活性區域6中之該等層之寬度及成份而得以控制。一合適 活性區域之實例包含由障壁層分隔之3或4個量子阱。一打 型接觸層8將η型接觸點1〇與11型摻雜包覆區域了分隔。一Ζ 型接觸點9形成於一ρ型摻雜電流散佈層3上。穿過一無摻雜 之透明㈣窗口層1自該裝置提取光。下表提供適用於層3\ 5、6、7及8中之每一者之厚度、成份及摻雜物之實例。 99057.doc 200537711 P型摻雜電流散佈區域3 1至10微米厚之摻雜Mg之GaP層 P型摻雜包覆區域5 0.5至2微米厚之摻雜Mg之A1InP層 活性區域6之量子味 80至300埃厚之無摻雜之InGaI^ 活性區域6之障壁層 100至150埃厚之無摻雜之(AixGai_x)a5ln〇5p 層，X為0.65 N型摻雜包覆區域7 〇_5至2微米厚之摻雜孔之AllnP層 N型摻雜接觸區域8 500埃厚之摻雜Te之GalnP層 上表提供之對於每一層之特徵僅作為實例，而非意欲為 限制性的。舉例而言，可使用諸如211或si之其它P型及η型 之推雜物。可在 Semiconductors and Semimetals，第 64冊， • Electroluminescence I，Academic Press，San Francisco，2000, Gerd Mueller，ed·之1-3章中找出關於選擇裝置之該等層之 合適特徵之更多資訊，其内容以引用之方式併入本文中。 如圖1B與圖1C中所說明，圖ία之p型接觸點9與η型接觸 點10可為多層結構。圖1Β說明一多層ρ型接觸點9之實例。 一 Au-Zn合金層9Α形成為鄰近電流散佈層3，以提供與半導 體層之歐姆接觸。可由（例如）TiW、TiW : N及TiW之夾層之 可選防護金屬層9B來保護Au-Zn層9A。接著，一諸如金之 _ 厚接觸層9C形成於防護層9B上。歐姆層9A及防護層9B可覆 蓋反射器9C下之半導體層之所有部分或僅一部分。 如圖1C所說明，多層η型接觸點10可具有一類似結構。一 Au-Ge合金層10Α形成為鄰近接觸層8，以提供與半導體層 之歐姆接觸。可由（例如）一 TiW、TiW : N及TiW之夾層之可 選防護金屬層10B來保護Au-Ge層10A。金之厚反射層10C 沈積於層10A及10B上。歐姆層i〇A大體上不非常具有反射 性，且因此通常形成為覆蓋反射器1 〇C下之半導體層之一小 99057.doc 200537711 部分之點（如圖1C中）或細條。 高度摻雜層4(圖1A中顯示為粗虛線）可包含於？型摻雜接 觸層3、p型摻雜包覆層5及η型摻雜包覆層7的其中之一或多 個中。重摻雜層4形成於可得益於額外電流散佈之裝置之= 域中。在圖1Α中說明之裝置中，？型接觸點9不直接覆於活 性區域上，因此需要電流自ρ型接觸點9散佈至活性區域。 相應地，活性區域6之ρ型側面可得益於額外電流散佈，且 因此可包含高度摻雜層4。若η型接觸點1〇為一薄片接觸 點，貝彳η型接觸點10覆於整個活性區域上，且在活性區域6 之η型側面上不需要額外電流散佈。若η型接觸點1〇包含如 圖ic中說明之小區域之歐姆層1〇Α及一較大反射薄片 i〇c，則需要電流自各歐姆接觸區域1〇Α散佈至反射薄片 10C下無歐姆接觸區域10Α之各區域。在此等裝置中，活性 區域6之η型側面可得益於額外電流散佈，且因此可包含高 度摻雜層4。 高度摻雜層4摻雜有與其形成於其中之區域相同之導電 類型。舉例而言，裝置之11型區域内之高度摻雜層4gn型， 且ρ型區域内之向度摻雜區域4為ρ型。通常，儘管不需要， 但高度摻雜層4摻雜有與周圍區域相同之摻雜物種類。高度 摻雜層4可摻雜成具有約5xl〇18 cm_3至約lxl〇i9 cm·3之濃 度。相反地，n型摻雜包覆區域7、p型摻雜包覆區域5及ρ 型摻雜電流散佈層3通常摻雜成具有約5χ1〇ΐ7 cm·3至約 lxlO18 cm·3之濃度。 由於咼摻雜濃度，·高度摻雜層4將趨於吸收光。因此，高 99057.doc 200537711 度摻雜層4通常為薄的，例如 u隹約10 nm與1〇〇 nm厚度之 間，且位於盡可能遠離裝置之活性區域之處。多個高度摻 雜層4可形成於早—區域中。在此等實施例中，該等高度換 雜層通常以至少心狀距離間隔開，且所有該等高度摻雜 層之總厚度為約100 nm與約5〇〇 之間。
在某些實施例中，高度摻雜層4為與其安置於其中之區域 相同之成份。在其它實施例中，高度換雜層4為四元A1InGap 層’其具有―比高度摻雜層4安置於其中之區域更低之帶 隙，例如（AlxGa】-x)〇 5ln〇 5p，其中〇 2<χ<〇 7。大體而言，一 材料之帶隙越小’可更高度地摻雜該材料而不會犧牲晶體 口口貝因此用於重摻雜層4之四元合金之使用可允許此等層 得以更重地摻雜。此外’由四元重摻雜層產生之更低帶隙 之小區域可藉由產生垂直位障來進—步促進側向電流散 佈。 圖2說明用於一併有重摻雜層之η〗族麟化物裝置 例之能帶圖之一部分。包覆層5及7中之每一者包含四個重 摻雜層4。包覆層5及7中之每一者具有約丨微米之總厚度。 重摻雜層4中之每一者之厚度均為約5〇 nm，且以約1〇〇 之距離分隔。由於重摻雜層4之吸收性質，所以將此等層定 位於包覆層5及7之最逆離活性區域6之部分中。重換雜層為 摻雜成具有約5xl018 cm」之濃度之（A1〇 35)q 5lnQ 5p。 重摻雜電流散佈層亦可用於III族氮化物發光裝置中。圖3 為一包含重摻雜層之III族氮化物覆晶裝置之橫截面圖。在 圖3之裝置中，一η型接觸層8成長於一成長基板20及可選長 99057.d〇, 200537711 曰曰層（未圖不）上’繼之為〇型包覆層7、活性區域6、p型包覆 層1及P型接觸層3。如圖丨八之裝置中，如此項技術中已知， 可藉由4擇活性區域6中之該等層之寬度及成份來控制由
"亥活陡區域發射之光之波長。一合適活性區域之實例包含 由障i層分隔之3或4個量子阱。N型接觸點10形成於η型接 觸層8之經蝕刻而曝露之部分上。ρ型接觸點9形成於ρ型 U接觸層3上。η型接觸點1〇及？型接觸點9兩者均為反射 ί±的且穿過基板20自該裝置提取光。下表提供適用於層 3 6 歷》[遥及雜二之層實例 P型摻雜包覆區域5 活性區域6之量子畔 0.05至0.25微米厚之摻雜Mg之AlGaN層 100至150埃厚之無摻雜之InGaN層或 AlInGaN 層 活性區域6之障壁層 50至150埃厚之無摻雜之GaN層或InGaN層 N型摻雜包覆區域7及接觸區域8 2至6微米厚之摻雜Si之GaN層 上表提供之對於每一層之特徵僅作為實例，而非意欲為 限制性的。 如圖1A中描述之實施例中，在圖3中說明之裝置中，重摻 雜層4可形成於P型摻雜接觸層3、p型摻雜包覆區域5、η型 摻雜包覆區域了及11型摻雜接觸層8的其中之一或多者中。在 圖3中說明之裝置中，Ρ型接觸點通常為一在活性區域6之ρ 型側面上提供充分電流散佈之薄片接觸點。因此，在III族 氮化物裝置中，重摻雜層4通常僅形成於活性區域6之η型側 面上。圖3中之重摻雜層4可為GaN層、四元AlInGaN層，或 可為與重摻雜層4定位於其中之區域具有相同成份之層。如 上文結合圖1A之文字中所描述，重摻雜層可具有相同厚 99057.doc -10- 200537711 度、相對於活性區域之位置及摻雜濃度。
圖4A及4B說明根據圖ία或圖3之用於一大型連接裝置 (即，一具有大於約400x400 μπι2之面積之裝置）之接觸點9 及10之排列。圖4Α為一平面圖，圖4Β則為一沿線!)!)截取之 橫截面圖。層19包含圖1Α之層1、3、4、5、6、7及8或圖3 之層20、7、8、6、5、3及4。活性區域劃分成四個隔離區 域，以使ρ型及η型接觸點間之距離最小化。沈積於一藉由 餘刻而曝露之層上之接觸點（即，圖1Α之裝置中之ρ型接觸 點9及圖3之裝置中之η型接觸點10)環繞該等四個區域並插 入其中。圖1Α之裝置中之Ν型接觸點1〇及圖3之裝置中之ρ t接觸點9形成於该專四個活性區域上。藉由空氣或藉由選 用絕緣層22使P型接觸點9與η型接觸點10彼此電隔離。六個 基台連接處（submount connection) 23及十六個基台連接處 24沈積於p型及n型接觸點上，以形成一適用於將裝置連接 至一基台之表面。該基台通常為一藉由焊接點附著至該裝 置之矽積體電路。在此等實施例中，Ρ型及η型基台連接處 可為（例如）可焊接金屬。在其它實施例中，藉由金黏結、冷 焊或熱壓黏結將該裝置連接至該基台。 圖5Α及5Β說明根據圖1Α或圖3用於一小型連接裝置 (即，一具有小於約400x400 μηι2之面積之裝置）之接觸點9 及10之排列。圖5Α為一平面圖，圖5Β則為一沿線cC截取之 橫截面圖。層19包含圖1Α之層1、3、4、5、6、7及8或圖3 之層20、7、8、6、5、3及4。圖5 Α及5Β中展示之裝置具有 一向下蝕刻至活性區域下方之一磊晶結構層之單一通孔 99057.doc -11- 200537711 21。圖1A之裝置中之p型接觸點9及圖3之裝置中之^型接觸 點10沈積於通孔2 1中。通孔21定位於裝置之中心處，以提 供均一的電流及光發射。圖1Α之裝置中之η型接觸點1 〇及圖 3之裝置中之ρ型接觸點9環繞該通孔，且提供與磊晶結構之 活性區域之另一側之電接觸。藉由一或多個介電層22或藉 由空氣將該等ρ型接觸點與η型接觸點分隔開並電隔離。兩 個基台連接處24與一個基台連接處23安置於0型接觸點9及 η型接觸點10上。基台連接處23可定位於由絕緣層22圍繞之 區域内之任何地方，而無需定位於通孔2丨之正上方。類似 地’基台連接處24可定位於絕緣層22外之區域中之任何地 方。因此，裝置與一基台之連接不受卩型接觸點9&η型接觸 點10之形狀或置放之限制。 圖6為一已封裝之發光裝置之分解圖。一散熱塊1〇〇置於 一嵌入成型之引線框内。該嵌入成型之引線框為（例如）一環 繞提供電路徑之金屬框1 〇6而成型之填充之塑膠材料丨〇5。 塊100可包含一可選反射杯1〇2。可為上文描述之任何裝置 之發光裝置晶粒1 04直接或間接地經由一熱傳導基台i 〇3安 裝至塊100。可添加一罩蓋1〇8，其可為一光學透鏡。 已詳細描述了本發明，彼等熟習此項技術者將瞭解到： 、、’口出本揭示内谷’可在不偏離本文描述之發明性概念之精 神之別k下對本發明作出修改。因此，並非意欲將本發明 之範疇限制於所說明及描述之具體實施例内。 【圖式簡單說明】
圖1A為根據本發明之一實施例之一 m族磷化物覆晶lED 99057.doc -12- 200537711 之橫截面圖。 圖1B說明圖1A中說明之裝置之？型接觸點。 圖1C說明圖丨八中說明之裝置之η型接觸點。 圖2為本發明之一實施例之一部分之能帶圖。 圖3為根據本發明之一實施例之一 ΙΠ族氮化物覆晶lEd 之橫截面圖。 圖4A及4B為用於一大型連接覆晶LED之接觸機制之平面 圖及橫截面圖。 圖5A及5B為用於一小型連接覆晶LED之接觸機制之平面 圖及橫截面圖。 【主要元件符號說明】 圖6為一已封裝之半導體發光裝置之分解圖。 1 透明GaP窗口層 3 P型摻雜電流散佈層 4 重摻雜層 5 P型摻雜包覆區域 6 活性區域 7 η型摻雜包覆區域 8 η型接觸層 9 Ρ型接觸點 10 η型接觸點 9A Au-Zn合金、歐姆層 9B 防護金屬層 9C 接觸層/反射器 99057.doc -13- 200537711 10A Au-Ge合金 10B 防護金屬層 IOC 反射層/反射器 19 層 20 成長基板 21 通孔 22 絕緣層/介電層 23、24 基台連接處 100 散熱塊 102 反射杯 103 熱傳導基台 104 發光裝置晶粒 105 填充之塑膠材料 106 金屬框 108 罩蓋 99057.doc - 14-

Claims (1)

  1. 200537711 十、申請專利範圍： 1· 一種半導體發光裝置，包括： 务光區域’其安置於一第一導電類型之區域與一第 二導電類型之區域之間；及 至少一重摻雜層，其安置於該第一導電類型之區域 内’其中該重摻雜層較該第一導電類型之區域更重地摻 雜。 2. • 3. 4. 如請求項1之裝置，其中該發光區域包括至少—InGap層。 如請求項1之裝置，其中該發光區域包括至少— lnGaN層。 域求項i之裝置，進一步包括安置於該第_導電類型曰之 區域内之複數個重摻雜層。 5·如請求項4之裝置，其中： 該等複數個重摻雜層中之每一重播雜層之厚度皆在約 10 nm與約100 nm之間；且 該等複數個重摻雜層由至少10 nm之第一導電類型之 區域分隔開。 6.如請求項4之裝置，其中該等複數個重接雜層之一總厚度 在約100 nm與約500 nm之間。 7·如請求項1之裝置，其中： 該第一導電類型之區域具有一在約5xl〇” cm-3與約 lxl〇18cm·3間之摻雜濃度；且 該重摻雜層具有一在約1χ10ΐ8 cm-3與約1χΐ〇,9 cm·3間 之摻雜濃度。 8·如請求項i之裝置’其中該重摻雜層包括 99057.doc 200537711 (AlxGaKx)〇 5in0 5P，其中 0<Χ<1。 9·如請求項8之裝置，其中該重摻雜層包括 (AlxGai.x)〇 5in〇.5P，其中 〇·2<χ<〇·7。 10·如請求項8之裝置，其中該重摻雜層包括 (Al〇.65Ga0.35)0.5In0.5P。 11 ·如請求項1之裝置，其中該重摻雜層包括AlxInyGazN，其 中 〇<XSl、〇<y<l且 〇<z€l。 12.如請求項1之裝置，其中該重摻雜層包括GaN。 13·如請求項1之裝置，其中該重摻雜層為一第一重摻雜層， 該裝置進一步包括一安置於該第二導電類型之區域内之 第二重摻雜層，其中該第二重摻雜層較該第二導電類型 之區域更重地掺雜。 14 ·如請求項1之裝置，其中該第一導電_变之區域及該第二 導電類型之區域為鄰近活性區域之包覆層，該裝置進一 步包括： 一第一導電類型之接觸區域，其鄰近一與該活性區域 相對之該第一導電類型之包覆層之表面；及 一第二導電類型之接觸區域，其鄰近一與該活性區域 相對之該第二導電類型之包覆層之表面。 15·如請求項14之裝置，其中該重摻雜層為一安置於該第一 導電類型之包覆層内之第一重摻雜層，該裝置進一步包 括一安置於該第一導電類型之接觸區域内之第二重摻雜 層’其中該第二重摻雜層較該第一導電類型之接觸區域 更重地摻雜。 99057.doc 200537711 1 6 ·如請求項1 4之裝置’其中该重摻雜層為一安置於該第一 導電類型之包覆層内之第一重摻雜層’該裝置進一步包 括一安置於該第二導電類型之接觸區域内之第二重摻雜 層，其中該第二重摻雜層較該第二導電類型之接觸區域 更重地摻雜。 17·如請求項1之裝置，其中： 該第一導電類型之區域及該第二導電類型之區域為接 觸區域； 該第一導電類型之接觸區域係藉由一第一導電類型之 包覆區域來與該活性區域間隔開；且 該第二導電類型之接觸區域係藉由一第二導電類型之 包覆區域來與該活性區域間隔開。 18·如請求項17之裝置，該重摻雜層為一安置於該第一導電 類型之接觸區域内之第一重摻雜層，該裝置進一步包括 一安置於該第二導電類型之接觸區域内之第二重摻雜 層，其中該第二重摻雜層較該第二導電類型之接觸區域 更重地換雜。 19·如請求項1之裝置，進一步包括： 一第一引線，其電連接至該第一導電類型之區域； 第二引線，其電連接至該第二導電類型之區域；及 罩蓋’其安置於該活性區域上。 99057.doc
TW094102019A 2004-01-27 2005-01-24 包含電流散佈層的半導體發光裝置 TWI430468B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/766,277 US7026653B2 (en) 2004-01-27 2004-01-27 Semiconductor light emitting devices including current spreading layers

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200537711A true TW200537711A (en) 2005-11-16
TWI430468B TWI430468B (zh) 2014-03-11

Family

ID=34654329

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW094102019A TWI430468B (zh) 2004-01-27 2005-01-24 包含電流散佈層的半導體發光裝置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7026653B2 (zh)
EP (1) EP1560275B1 (zh)
JP (1) JP2005217406A (zh)
TW (1) TWI430468B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9755112B2 (en) 2015-01-21 2017-09-05 Advanced Optoelectronics Technology, Inc. LED die with barrier layer

Families Citing this family (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7829912B2 (en) * 2006-07-31 2010-11-09 Finisar Corporation Efficient carrier injection in a semiconductor device
US7920612B2 (en) * 2004-08-31 2011-04-05 Finisar Corporation Light emitting semiconductor device having an electrical confinement barrier near the active region
JP2007149791A (ja) 2005-11-24 2007-06-14 Univ Meijo 半導体発光素子および半導体発光素子の作成方法
US7772604B2 (en) 2006-01-05 2010-08-10 Illumitex Separate optical device for directing light from an LED
DE102006034847A1 (de) * 2006-04-27 2007-10-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
US20080042145A1 (en) * 2006-08-18 2008-02-21 Helmut Hagleitner Diffusion barrier for light emitting diodes
EP2070123A2 (en) 2006-10-02 2009-06-17 Illumitex, Inc. Led system and method
US8031752B1 (en) 2007-04-16 2011-10-04 Finisar Corporation VCSEL optimized for high speed data
US7829358B2 (en) 2008-02-08 2010-11-09 Illumitex, Inc. System and method for emitter layer shaping
CN101515613B (zh) * 2008-02-19 2013-04-03 晶元光电股份有限公司 半导体元件
US8664747B2 (en) * 2008-04-28 2014-03-04 Toshiba Techno Center Inc. Trenched substrate for crystal growth and wafer bonding
TW201034256A (en) 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
WO2010129409A1 (en) 2009-05-05 2010-11-11 3M Innovative Properties Company Semiconductor devices grown on indium-containing substrates utilizing indium depletion mechanisms
JP2012526394A (ja) 2009-05-05 2012-10-25 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー Ｌｅｄとともに使用するための再発光半導体キャリア素子及び製造方法
US8207547B2 (en) 2009-06-10 2012-06-26 Brudgelux, Inc. Thin-film LED with P and N contacts electrically isolated from the substrate
JP2012532453A (ja) 2009-06-30 2012-12-13 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 調節可能な色温度を備えた白色光エレクトロルミネセンスデバイス
US8304976B2 (en) 2009-06-30 2012-11-06 3M Innovative Properties Company Electroluminescent devices with color adjustment based on current crowding
CN102473817A (zh) 2009-06-30 2012-05-23 3M创新有限公司 无镉再发光半导体构造
US8449128B2 (en) 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
TWI405409B (zh) * 2009-08-27 2013-08-11 Novatek Microelectronics Corp 低電壓差動訊號輸出級
US8525221B2 (en) * 2009-11-25 2013-09-03 Toshiba Techno Center, Inc. LED with improved injection efficiency
US8587022B2 (en) 2010-01-06 2013-11-19 Panasonic Corporation Nitride semiconductor light-emitting element and process for production thereof
US8860077B2 (en) * 2010-02-12 2014-10-14 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and light emitting device package including the same
US8785904B2 (en) 2011-04-20 2014-07-22 Invenlux Corporation Light-emitting device with low forward voltage and method for fabricating the same
US8395165B2 (en) 2011-07-08 2013-03-12 Bridelux, Inc. Laterally contacted blue LED with superlattice current spreading layer
US20130026480A1 (en) 2011-07-25 2013-01-31 Bridgelux, Inc. Nucleation of Aluminum Nitride on a Silicon Substrate Using an Ammonia Preflow
US8916906B2 (en) 2011-07-29 2014-12-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Boron-containing buffer layer for growing gallium nitride on silicon
US9343641B2 (en) 2011-08-02 2016-05-17 Manutius Ip, Inc. Non-reactive barrier metal for eutectic bonding process
US8865565B2 (en) 2011-08-02 2014-10-21 Kabushiki Kaisha Toshiba LED having a low defect N-type layer that has grown on a silicon substrate
US9012939B2 (en) 2011-08-02 2015-04-21 Kabushiki Kaisha Toshiba N-type gallium-nitride layer having multiple conductive intervening layers
US9142743B2 (en) 2011-08-02 2015-09-22 Kabushiki Kaisha Toshiba High temperature gold-free wafer bonding for light emitting diodes
US20130032810A1 (en) 2011-08-03 2013-02-07 Bridgelux, Inc. Led on silicon substrate using zinc-sulfide as buffer layer
US8564010B2 (en) 2011-08-04 2013-10-22 Toshiba Techno Center Inc. Distributed current blocking structures for light emitting diodes
US9330911B2 (en) 2011-08-22 2016-05-03 Invenlux Limited Light emitting device having group III-nitride current spreading layer doped with transition metal or comprising transition metal nitride
US8624482B2 (en) 2011-09-01 2014-01-07 Toshiba Techno Center Inc. Distributed bragg reflector for reflecting light of multiple wavelengths from an LED
US8669585B1 (en) 2011-09-03 2014-03-11 Toshiba Techno Center Inc. LED that has bounding silicon-doped regions on either side of a strain release layer
US8558247B2 (en) 2011-09-06 2013-10-15 Toshiba Techno Center Inc. GaN LEDs with improved area and method for making the same
US8686430B2 (en) 2011-09-07 2014-04-01 Toshiba Techno Center Inc. Buffer layer for GaN-on-Si LED
US8698163B2 (en) 2011-09-29 2014-04-15 Toshiba Techno Center Inc. P-type doping layers for use with light emitting devices
US9012921B2 (en) 2011-09-29 2015-04-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting devices having light coupling layers
US20130082274A1 (en) 2011-09-29 2013-04-04 Bridgelux, Inc. Light emitting devices having dislocation density maintaining buffer layers
US9178114B2 (en) 2011-09-29 2015-11-03 Manutius Ip, Inc. P-type doping layers for use with light emitting devices
US8853668B2 (en) 2011-09-29 2014-10-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting regions for use with light emitting devices
US8664679B2 (en) 2011-09-29 2014-03-04 Toshiba Techno Center Inc. Light emitting devices having light coupling layers with recessed electrodes
US8581267B2 (en) 2011-11-09 2013-11-12 Toshiba Techno Center Inc. Series connected segmented LED
US8552465B2 (en) 2011-11-09 2013-10-08 Toshiba Techno Center Inc. Method for reducing stress in epitaxial growth
US9184344B2 (en) 2012-01-25 2015-11-10 Invenlux Limited Lighting-emitting device with nanostructured layer and method for fabricating the same
SG11201408080UA (en) 2012-06-20 2015-01-29 Univ Nanyang Tech A light-emitting device
CN105742427B (zh) * 2016-04-11 2017-12-22 天津三安光电有限公司 发光二极管及其制作方法
CN105720160B (zh) * 2016-04-27 2018-01-12 天津三安光电有限公司 发光二极管及其制备方法

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4371968A (en) * 1981-07-01 1983-02-01 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Monolithic injection laser arrays formed by crystal regrowth techniques
US5226053A (en) * 1991-12-27 1993-07-06 At&T Bell Laboratories Light emitting diode
EP0582078B1 (en) * 1992-08-05 2000-08-16 Motorola, Inc. Superluminescent edge emitting device
JP3264563B2 (ja) * 1993-03-15 2002-03-11 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
JP3237972B2 (ja) * 1993-09-10 2001-12-10 株式会社東芝 半導体発光装置
US5614734A (en) * 1995-03-15 1997-03-25 Yale University High efficency LED structure
JP3195194B2 (ja) * 1995-05-26 2001-08-06 シャープ株式会社 半導体発光素子およびその製造方法
US6121638A (en) * 1995-09-12 2000-09-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Multi-layer structured nitride-based semiconductor devices
US5818859A (en) * 1996-06-27 1998-10-06 Minnesota Mining And Manufacturing Company Be-containing II-VI blue-green laser diodes
JP3374737B2 (ja) * 1997-01-09 2003-02-10 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
TW497759U (en) * 1997-03-13 2002-08-01 Rohm Co Ltd Semiconductor light emitting device
JP3488597B2 (ja) * 1997-07-14 2004-01-19 株式会社東芝 窒化ガリウム系化合物半導体装置
DE19741609C2 (de) * 1997-09-20 2003-02-27 Vishay Semiconductor Gmbh Verwendung einer Übergitterstruktur aus einer Mehrzahl von hintereinander angeordneten Heterogrenzflächenschichtfolgen zur Verbesserung der lateralen Stromausbreitung in einer lichtemittierenden Halbleiterdiode
US6015719A (en) * 1997-10-24 2000-01-18 Hewlett-Packard Company Transparent substrate light emitting diodes with directed light output
JP3680558B2 (ja) * 1998-05-25 2005-08-10 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
JP2000082841A (ja) * 1998-06-22 2000-03-21 Hitachi Cable Ltd エピタキシャルウェハ及びその製造方法
JP2000031591A (ja) * 1998-07-08 2000-01-28 Toshiba Corp 半導体発光素子
US6542528B1 (en) * 1999-02-15 2003-04-01 Ricoh Company, Ltd. Light-emitting semiconductor device producing red wavelength optical radiation
JP3656456B2 (ja) * 1999-04-21 2005-06-08 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
JP2001007445A (ja) * 1999-06-25 2001-01-12 Hitachi Cable Ltd ＡｌＧａＩｎＰ系発光素子及び発光素子用エピタキシャルウェハ
JP3609661B2 (ja) * 1999-08-19 2005-01-12 株式会社東芝 半導体発光素子
US6576932B2 (en) * 2001-03-01 2003-06-10 Lumileds Lighting, U.S., Llc Increasing the brightness of III-nitride light emitting devices
WO2002084829A1 (en) * 2001-04-11 2002-10-24 Cielo Communications, Inc. Long wavelength vertical cavity surface emitting laser
JP2003046127A (ja) * 2001-05-23 2003-02-14 Sanyo Electric Co Ltd 窒化物系半導体発光素子
JP2003086513A (ja) * 2001-06-26 2003-03-20 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体素子用基板の製造方法および半導体素子用基板ならびに半導体素子
EP1403932B1 (en) * 2001-07-04 2012-09-05 Nichia Corporation Light emitting nitride semiconductor device
JP3856750B2 (ja) * 2001-11-13 2006-12-13 松下電器産業株式会社 半導体装置及びその製造方法
US6720570B2 (en) * 2002-04-17 2004-04-13 Tekcore Co., Ltd. Gallium nitride-based semiconductor light emitting device
JP4250909B2 (ja) * 2002-05-20 2009-04-08 ソニー株式会社 半導体素子の分離方法および転写方法
US20030230977A1 (en) * 2002-06-12 2003-12-18 Epstein Howard C. Semiconductor light emitting device with fluoropolymer lens
JP4254373B2 (ja) * 2003-06-24 2009-04-15 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
US7019330B2 (en) * 2003-08-28 2006-03-28 Lumileds Lighting U.S., Llc Resonant cavity light emitting device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9755112B2 (en) 2015-01-21 2017-09-05 Advanced Optoelectronics Technology, Inc. LED die with barrier layer

Also Published As

Publication number Publication date
TWI430468B (zh) 2014-03-11
US7026653B2 (en) 2006-04-11
EP1560275A2 (en) 2005-08-03
EP1560275B1 (en) 2019-03-13
EP1560275A3 (en) 2014-02-26
JP2005217406A (ja) 2005-08-11
US20050161679A1 (en) 2005-07-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200537711A (en) Semiconductor light emitting devices including current spreading layers
KR101386192B1 (ko) 전류 분산 구조물을 갖는 박막 ｌｅｄ
JP6934812B2 (ja) 発光素子及びそれを含む発光素子アレイ
KR101171361B1 (ko) 발광 다이오드 어셈블리 및 그의 제조 방법
US6825502B2 (en) Light emitting element, method of manufacturing the same, and semiconductor device having light emitting element
US10177281B2 (en) Light-emitting diode
TWI377697B (en) Method for growing a nitride-based iii-v group compound semiconductor
EP2201618B1 (en) Semiconductor light emitting device
JP2007227939A (ja) 発光素子及びその製造方法
TW200939546A (en) Contact for a semiconductor light emitting device
JP2007067418A (ja) 二重ヘテロ構造の発光領域を有するｉｉｉ族窒化物発光デバイス
US20150263223A1 (en) Semiconductor light emitting element
JP2005079595A (ja) 共振空洞発光デバイス
JP2014041886A (ja) 半導体発光素子
EP3216062B1 (en) Light emitting device with trenches beneath a top contact
TW201817033A (zh) 具有超晶格之iii-p發光器件
KR101864195B1 (ko) 발광 소자
KR20120017443A (ko) 전기 절연성을 갖는 다이 에지로의 콘택트 패드들의 확장
KR102111140B1 (ko) 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
JP2011517084A (ja) 半導体発光装置に関する反射的コンタクト部
KR20090111889A (ko) 수직구조의 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자및 제조방법
JP5865870B2 (ja) 半導体発光素子
KR20170088663A (ko) 자외선 발광 소자
JP2010171138A (ja) 発光装置
KR20120015623A (ko) 발광소자