KR102111140B1 - 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 - Google Patents

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Abstract

발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법이 개시된다. 이 발광 다이오드는, 질화갈륨 계열의 화합물 반도체층; Mg을 포함하는 아일랜드들로 형성되어 상기 화합물 반도체층에 오믹 콘택하는 제1 금속층; Ni로 형성되어 제1 금속층을 덮음과 아울러, 제1 금속층의 아일랜드들 사이에서 화합물 반도체층에 접촉하는 제2 금속층; 및 제2 금속층을 덮는 반사 금속층을 포함한다. 제1 금속층 및 제2 금속층을 이용하여 안정한 오믹 콘택 특성 및 반사 특성을 얻을 수 있다.

Description

발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법{LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}
본 발명은 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법에 관한 것으로, 특히, 오믹 반사 구조체를 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로 질화갈륨(GaN), 질화알루미늄(AlN) 등과 같은 Ⅲ족 원소의 질화물은 열적 안정성이 우수하고 직접천이형의 에너지 밴드(band) 구조를 가지므로, 최근 가시광선 및 자외선 영역의 발광소자용 물질로 많은 각광을 받고 있다. 특히, 질화인듐갈륨(InGaN)을 이용한 청색 및 녹색 발광 소자는 대규모 천연색 평판 표시 장치, 신호등, 실내 조명, 고밀도광원, 고해상도 출력 시스템과 광통신 등 다양한 응용 분야에 활용되고 있다.
이러한 III족 원소의 질화물 반도체층은 그것을 성장시킬 수 있는 동종의 기판을 제작하는 것이 어려워, 유사한 결정 구조를 갖는 이종 기판에서 금속유기화학기상증착법(MOCVD) 또는 분자선 증착법(molecular beam epitaxy; MBE) 등의 공정을 통해 성장된다. 이종기판으로는 육방 정계의 구조를 갖는 사파이어(Sapphire) 기판이 주로 사용된다. 그러나, 사파이어는 전기적으로 부도체이므로, 발광 다이오드 구조를 제한한다. 이에 따라, 최근에는 사파이어와 같은 이종기판 상에 질화물 반도체층과 같은 에피층들을 성장시키고, 상기 에피층들에 지지기판을 본딩한 후, 레이저 리프트 오프 기술 등을 이용하여 이종기판을 분리하여 수직형 구조의 고효율 발광 다이오드를 제조하는 기술이 개발되고 있다. 예컨대, 특허공개공보 제10-2011-0001633호는 수직형 구조의 고효율 발광 다이오드를 개시하고 있다.
이러한 수직형 구조의 발광 다이오드는 일반적으로 p형 반도체층 아래에 높은 반사율을 가지는 Al 또는 Ag와 같은 금속 반사층과 이 반사층을 보호하기 위한 장벽 금속층을 포함한다. Ag 또는 Al 반사층은 상대적으로 높은 반사율을 갖기 때문에 수직형 구조 또는 플립형 구조의 발광 다이오드에서 반사층으로서 선호되지만, 양호한 오믹 특성을 달성하거나 유지하는 것이 어렵고 또한 열적 변형에 의해 반사율이 떨어지기 쉽다.
따라서, 양호한 오믹 접촉 특성을 가지면서 열적 안정성이 향상된 오믹 반사 구조체가 요구된다.
대한민국 특허공개공보 제10-2011-0001633호
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 양호한 오믹 콘택 특성을 가지면서 열적 안정성이 향상된 오믹 반사 구조체를 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드는, 질화갈륨 계열의 화합물 반도체층; 아일랜드들로 형성되어 상기 화합물 반도체층에 오믹 콘택하는 제1 금속층; 상기 제1 금속층을 덮음과 아울러, 상기 제1 금속층의 아일랜드들 사이에서 상기 화합물 반도체층에 접촉하는 제2 금속층; 및 상기 제2 금속층을 덮는 반사 금속층을 포함한다. 상기 제1 금속층은 Mg을 포함하는 아일랜드들로 형성될 수 있으며, 상기 제2 금속층은 Ni로 형성될 수 있다.
상기 아일랜드들 및 상기 아일랜드들을 덮는 Ni의 제2 금속층에 의해 안정한 오믹 특성 및 안정한 반사특성을 얻을 수 있다. 나아가, 상기 제2 금속층을 이용하여 오믹 콘택 특성을 더욱 향상시킬 수 있다.
상기 제1 금속층은 Mg 또는 Mg/Pt일 수 있다.
한편, 상기 아일랜드 상의 제2 금속층의 두께가 상기 아일랜드들 사이의 제2 금속층의 두께보다 더 클 수 있다. 따라서, 상기 아일랜드들 사이의 영역으로 입사되는 광이 상기 반사 금속층에 의해 반사될 수 있다.
상기 반사 금속층은 Ag를 포함할 수 있다. 나아가, 상기 발광 다이오드는 상기 반사 금속층을 덮는 장벽 금속층을 더 포함할 수 있다. Ag 반사 금속층이 제2 금속층과 장벽 금속층 사이에 위치하므로, 반사 금속층의 열적 안정성이 향상된다.
상기 발광 다이오드는 수직형 구조의 발광 다이오드일 수 있다. 따라서, 상기 발광 다이오드는 지지 기판; 및 상기 지지 기판과 상기 장벽 금속층 사이에 위치하는 본딩 금속층을 더 포함할 수 있다. 이와 달리, 상기 발광 다이오드는 플립형 발광 다이오드일 수도 있다.
한편, 상기 화합물 반도체층은 p형 반도체층일 수 있다. 또한, 상기 화합물 반도체층은 c면, a면, m면 또는 m면에 대해 ± 15도 이내의 경사진 성장면을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드는, 질화갈륨 계열의 화합물 반도체층; 아일랜드들로 형성되어 상기 화합물 반도체층에 오믹 콘택하는 제1 금속층; Ni로 형성되어 상기 제1 금속층을 덮음과 아울러, 상기 제1 금속층의 아일랜드들 사이에서 상기 화합물 반도체층에 접촉하는 제2 금속층; 및 상기 제2 금속층을 덮는 Ag 반사 금속층을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 제조 방법은, 성장 기판 상에 질화갈륨계열의 화합물 반도체층을 성장하고, 상기 화합물 반도체층 상에 제1 금속층을 증착하고, 상기 제1 금속층 상에 제2 금속층을 증착하고, 상기 제2 금속층 상에 반사 금속층을 형성하고, 상기 제1 금속층을 열처리하여 아일랜드들을 형성하는 것을 포함한다. 또한, 상기 제2 금속층은 상기 아일랜드들을 덮음과 아울러, 상기 아일랜드들 사이의 상기 화합물 반도체층에 콘택한다.
나아가, 상기 제1 금속층은 Mg을 함유할 수 있으며, 상기 제2 금속층은 Ni일 수 있다. 또한, 상기 반사 금속층은 Ag를 포함할 수 있다.
또한, 상기 Mg을 함유하는 제1 금속층은 Mg 또는 Mg/Pt일 수 있다.
상기 발광 다이오드 제조 방법은, 상기 반사 금속층 상에 장벽 금속층을 형성하는 것을 더 포함할 수 있다. 상기 열처리는 상기 장벽 금속층을 형성한 후에 수행될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 아일랜드들의 제1 금속층, 제2 금속층 및 반사 금속층을 채택함으로써, 안정한 오믹 콘택 특성 및 반사 특성을 갖는 오믹 반사 구조체를 제공할 수 있다. 특히, 상기 제1 금속층을 Mg을 함유하는 아일랜드들로 형성하고, 제2 금속층을 Ni로 형성함으로써, 발광 다이오드에서 생성된 열에 의해 오믹 콘택 특성 및 반사 특성이 나빠지는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 2는 도 1의 오믹 반사 구조체와 화합물 반도체층의 계면 부분을 확대 도시한 단면도이다.
도 3 및 도 4는 은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 제조 방법을 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 5는 도 4의 오믹 반사 구조체와 화합물 반도체층의 계면 부분을 확대 도시한 단면도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 개략적인 단면도이고 도 2는 오믹 반사 구조체(40)와 하부 반도체층(27)의 계면을 확대 도시한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 발광 다이오드는, 반도체 적층 구조체(30) 및 오믹 반사 구조체(40)를 포함한다. 또한, 상기 발광 다이오드는, 지지 기판(51), 본딩 금속층(53) 및 전극 패드들(55, 57)을 포함할 수 있다.
지지기판(51)은 화합물 반도체층들을 성장시키기 위한 성장기판과 구분되며, 이미 성장된 화합물 반도체층들에 부착된 2차 기판이다. 상기 지지기판(51)은 실리콘 또는 금속 기판과 같은 도전성 기판일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 사파이어 기판과 같은 절연 기판일 수도 있다.
반도체 적층 구조체(30)는 지지기판(51) 상에 위치한다. 반도체 적층 구조체(30)는 질화갈륨계의 화합물 반도체층들로서 상부 반도체층(23), 활성층(25) 및 하부 반도체층(27)을 포함한다. 상기 상부 반도체층(23)은 n형 화합물 반도체층이고, 상기 하부 반도체층(27)은 p형 화합물 반도체층일 수 있다. 여기서, 반도체 적층 구조체(30)는 일반적인 수직형 발광 다이오드와 유사하게 p형 화합물 반도체층(27)이 n형 화합물 반도체층(23)에 비해 지지기판(51) 측에 더 가깝게 위치한다.
한편, 반도체 적층 구조체(30)는 지지기판(51)과 동일 면적을 갖도록 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 특히, 지지기판(51)이 절연 기판인 경우, 반도체 적층 구조체(30)는 지지기판(51)의 일부 영역 상에 위치할 수 있다.
상부 반도체층(23), 활성층(25) 및 하부 반도체층(27)은 III-N 계열의 화합물 반도체, 예컨대 (Al, Ga, In)N 반도체로 형성될 수 있다. 상부 반도체층(23) 및 하부 반도체층(27)은 각각 단일층 또는 다중층일 수 있다. 또한, 상기 활성층(55)은 단일 양자우물 구조 또는 다중 양자우물 구조일 수 있다. 저항이 상대적으로 작은 n형의 상부 반도체층(23)이 지지기판(51)의 반대쪽에 위치함으로써 반도체 적층 구조체(30)의 상부면에 거칠어진 면을 형성하는 것이 용이하며, 거칠어진 면은 활성층(25)에서 생성된 광의 추출 효율을 향상시킨다.
한편, 오믹 반사 구조체(40)는 오믹 콘택층(32), 반사 금속층(33) 및 장벽 금속층(35)을 포함할 수 있다. 도 2에 자세히 도시된 바와 같이, 오믹 콘택층(32)은 제1 금속층(32a) 및 제2 금속층(32b)을 포함한다. 특히, 제1 금속층(32a)은 아일랜드들의 형상을 가지며, 제2 금속층(32b)은 제1 금속층(32a)을 덮고 또한, 아일랜드들 사이의 영역에서 하부 반도체층(27)에 콘택한다.
제1 금속층(32a)은 Mg을 함유하는 금속, 예컨대 Mg 또는 Mg/Pt로 형성될 수 있다. Mg은 넓은 파장 영역에서 양호한 반사 특성을 가지며, 하부 반도체층(27)에 우수하고 안정한 오믹 콘택 특성을 가진다. 더욱이, Mg이 아일랜드 형상으로 형성되기 때문에 발광 다이오드의 동작에 따라 발생되는 열에 의해 오믹 특성이나 반사 특성이 열화되지 않는다.
한편, 제2 금속층(32b)은 Ni로 형성된다. 제2 금속층(32b)은 아일랜드들 사이의 영역에서 하부 반도체층(27)에 접촉하므로, 반사 금속층(33)의 금속 원소가 하부 반도체층(27) 내로 확산되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제2 금속층(32b)을 Ni로 형성함으로써, 제1 금속층(32a) 물질, 예컨대 Mg과 반사 금속층(33)의 물질, 예컨대 Ag 사이의 상호 확산을 방지하여 안정한 오믹 특성 및 반사 특성을 유지할 수 있다.
한편, 제2 금속층(32b)은 아일랜드들 사이의 영역에서보다 아일랜드들 상에 더 두껍게 형성될 수 있다. 이에 따라, 아일랜드들 사이의 영역으로 입사된 광은 반사 금속층(33)을 이용하여 반사할 수 있으며, 아일랜드들의 금속 물질과 반사 금속층(33)의 금속 물질의 상호확산을 방지할 수 있다. 아일랜드들 사이의 영역에서 제2 금속층(32b)의 두께는 수 Å 내지 수 nm의 두께를 가질 수 있다.
한편, 반사 금속층(33)은 통상의 Ag로 형성될 수 있다. 반사 금속층(33)은 제1 금속층(32a)의 아일랜드들 사이의 영역으로 입사된 광을 주로 반사한다. 장벽 금속층(35)은 반사 금속층(33)이 반도체 적층 구조체(30)와 지지기판(51) 사이에 매립되도록 반사 금속층(33)을 감쌀 수 있다. 장벽 금속층(35)은 예컨대, Ni로 형성되거가, 또는 Ni을 포함하는 다층 구조로 형성될 수 있다.
본딩 금속층(53)은 지지기판(51)과 오믹 반사 구조체(40)를 상호 본딩한다. 본딩 금속층(53)은 예컨대, Au-Sn으로 공융 본딩을 이용하여 형성될 수 있다.
한편, 본딩 패드(55)는 지지 기판(51) 하부에 위치할 수 있다. 본딩 패드(55)는 지지 기판(51)을 통해 오믹 반사 구조체(40)에 전기적으로 연결될 수 있다. 이와 달리, 지지 기판(51)이 절연 기판인 경우, 본딩 패드(55)는 지지 기판(51)을 관통하거나 또는 지지 기판(51)의 상부에 형성되어 오믹 반사 구조체(40)에 전기적으로 연결될 수 있다. 한편, 본딩 패드(57)는 상부 반도체층(23) 상에 위치하며, 상부 반도체층(23)에 전기적으로 연결된다.
본 실시예에 따르면, Mg을 함유하며 아일랜드 형상을 가지는 제1 금속층(32a), 제1 금속층(32a)을 덮는 제2 금속층(32b) 및 반사 금속층(33)을 채택함으로써, 오믹 콘택 특성 및 반사 특성을 안정화시킬 수 있다.
한편, 본 실시예에 있어서, 오믹 반사 구조체(40)가 수직 구조의 발광 다이오드에 적용된 것을 설명하지만, 상기 오믹 반사 구조체(40)가 플립형 발광 다이오드에도 적용될 수 있다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시에에 따른 발광 다이오드 제조 방법을 설명하기 위한 개략적인 단면도들이며, 도 5는 도 4의 오믹 반사 구조체(40)와 하부 반도체층(27)의 계면을 확대 도시한 단면도이다.
도 3을 참조하면, 우선, 성장 기판(21) 상에 반도체 적층 구조체(30)를 성장시킨다.
기판(21)은 질화갈륨계 화합물 반도체층을 성장시킬 수 있는 기판이면 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 패터닝된 사파이어 기판, 스피넬 기판, 탄화실리콘 기판, 실리콘 기판 또는 질화갈륨 기판 등일 수 있다. 기판(21)은 특히, c면, a면 또는 m면 성장면을 가질 수 있으며, 또한, 주면이 c면, a면 또는 m면에 대해 경사진 면을 가질 수 있다. 예를 들어, 기판(21)은 m면에 대해 ±15도 이내의 경사진 성장면을 가질 수 있다.
반도체 적층 구조체(30)는 질화갈륨계열의 화합물 반도체층들, 예컨대 제1 반도체층(23), 활성층(25) 및 제2 반도체층(27)을 포함한다. 제1 반도체층(23)은 질화갈륨 계열, 즉, (Al, Ga, In)N 계열의 화합물 반도체층으로 형성되며, 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다. 예컨대, 제1 반도체층(23)은 GaN층을 포함하며, n형 불순물 예컨대 Si이 도핑되어 형성될 수 있다. 제1 반도체층(23)은 도 1의 상부 반도체층(23)에 상응한다.
활성층(25)은 제1 반도체층(25)과 제2 반도체층(27) 사이에 위치하며, 단일의 웰층을 갖는 단일 양자우물 구조 또는 웰층과 장벽층이 교대로 적층된 다중양자우물 구조를 가질 수 있다. 웰층은 예컨대 InGaN으로 형성되며, 장벽층은 웰층에 비해 넓은 밴드갭을 갖는 질화갈륨계 반도체층, 예컨대 GaN으로 형성될 수 있다.
제2 반도체층(27)은 p형 콘택층을 포함하며, 질화갈륨 계열의 화합물 반도체층으로 형성되며, 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다. 예컨대, 제2 반도체층(27)은 GaN층을 포함하며, p형 불순물 예컨대 Mg이 도핑되어 형성될 수 있다. 제2 반도체층(27)은 도 1의 하부 반도체층(27)에 상응한다.
이어서, 상기 반도체 적층 구조체(30) 상에 제1 금속층(31a), 제2 금속층(31b), 반사 금속층(33) 및 장벽 금속층(35)이 증착될 수 있다. 제1 금속층(31a)은 Mg을 함유하는 금속층, 예컨대, Mg 또는 Mg/Pt로 형성될 수 있다. 제1 금속층(31a)은 0.5 내지 20nm의 두께로 형성될 수 있다. 제1 금속층(31a)은 제2 반도체층(31b)을 덮는다.
제2 금속층(31b)은 제1 금속층(31a) 상에 증착되며 Ni로 수Å 내지 수nm의 두께로 형성된다. 한편, 반사 금속층(33)은 제2 금속층(31b) 상에 증착되며, 제1 금속층(31a) 또는 제2 금속층(31b)에 비해 상대적으로 두껍게 형성될 수 있다.
한편, 장벽 금속층(35)은 반사 금속층(33) 상에 형성되며, 반사 금속층(33)을 둘러싸도록 형성될 수 있다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 상기 제1 금속층(31a)을 열처리하여 아일랜드들(32a)을 형성한다. 제1 금속층(31a) 물질은 열처리에 의해 서로 응집하여 아일랜드들로 구성된 제1 금속층(32a)이 형성된다. 열처리는 예컨대 400 내지 700℃의 온도범위에서 수행될 수 있다. 열처리 온도가 700℃를 초과하면, 제1 금속층(32a)과 제2 반도체층(27) 사이의 오믹 특성이 나빠진다. 또한, 400℃ 이하에서는, 열처리 효과를 달성하기 어렵다. 예를 들어, 상기 열처리는 600℃에서 10분 동안 수행될 수 있다.
한편, 상기 열처리에 의해, 제2 금속층(32b)의 일부는 아일랜드들을 덮고, 나머지 일부는 아일랜드들 사이의 영역에서 제2 반도체층(27)에 콘택한다.
상기 열처리는 제1 금속층(31a) 및 제2 금속층(31b)을 증착한 후에 수행될 수도 있다. 그러나, 제1 금속층(31a)의 산화를 방지하고, 공정을 단순화하기 위해, 장벽 금속층(35)이 형성된 후에 열처리를 수행하는 것이 바람직하다.
그 후, 상기 오믹 반사 구조체(40) 상에 지지 기판(도 1의 51)을 본딩 금속층을 이용하여 부착하고, 성장 기판(21)을 제거하고, 제1 반도체층(23) 상에 전극 패드(57)를 형성함으로써, 수직형 구조의 발광 다이오드가 완성될 수 있다.
이와 달리, 반도체 적층 구조체(30)을 부분적으로 제거하여 제1 반도체층(23)을 노출시킨 후, 노출된 제1 반도체층(23) 상에 전극 패드를 형성하고, 상기 오믹 반사 구조체(40) 상에 전극 패드를 형성함으로써 플립형 발광 다이오드가 제조될 수도 있다.
이상에서 본 발명의 다양한 실시예들에 대해 설명하였지만, 본 발명은 이들 실시예들에 한정되는 것은 아니다. 당업자라면, 앞의 실시예들이 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 변형될 수 있음을 이해할 것이다.
21: 성장 기판, 23: 상부 반도체층(제1 반도체층), 25: 활성층, 27: 하부 반도체층(제2 반도체층), 30: 반도체 적층 구조체, 31a, 32a; 제1 금속층, 31b, 32b: 제2 금속층; 32: 오믹 콘택층, 33: 반사 금속층, 35: 장벽 금속층, 40: 오믹 반사 구조체, 51: 지지 기판, 53: 본딩 금속층, 55, 57: 본딩 패드

Claims (13)

  1. n형 화합물 반도체층, p형 화합물 반도체층 및 n형 화합물 반도체층과 p형 화합물 반도체층 사이에 개재된 활성층을 포함하는 질화갈륨 계열의 화합물 반도체층;
    Mg을 포함하는 아일랜드들로 형성되어 상기 P형 화합물 반도체층에 오믹 콘택하는 제1 금속층;
    Ni로 형성되어 상기 제1 금속층을 덮음과 아울러, 상기 제1 금속층의 아일랜드들 사이에서 상기 P형 화합물 반도체층에 접촉하는 제2 금속층; 및
    상기 제2 금속층을 덮는 반사 금속층을 포함하고,
    상기 Mg을 포함하는 아일랜드들은 상기 제1 금속층으로 입사된 광을 반사시키고,
    상기 아일랜드 상의 제2 금속층의 두께가 상기 아일랜드들 사이의 제2 금속층의 두께보다 더 큰 발광 다이오드.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 금속층은 Mg 또는 Mg/Pt인 발광 다이오드.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 반사 금속층은 Ag를 포함하는 발광 다이오드.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 반사 금속층을 덮는 장벽 금속층을 더 포함하는 발광 다이오드.
  5. 청구항 4에 있어서,
    지지 기판; 및
    상기 지지 기판과 상기 장벽 금속층 사이에 위치하는 본딩 금속층을 더 포함하는 발광 다이오드.
  6. 삭제
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 화합물 반도체층은 c면, a면, m면 또는 m면에 대해 ±15도 이내로 경사진 성장면을 갖는 발광 다이오드.
  8. 삭제
  9. 성장 기판 상에 n형 화합물 반도체층, p형 화합물 반도체층 및 n형 화합물 반도체층과 p형 화합물 반도체층 사이에 개재된 활성층을 포함하는 질화갈륨계열의 화합물 반도체층을 성장하고,
    상기 P형 화합물 반도체층 상에 Mg을 함유하는 제1 금속층을 증착하고,
    상기 제1 금속층 상에 Ni의 제2 금속층을 증착하고,
    상기 제2 금속층 상에 반사 금속층을 형성하고,
    상기 제1 금속층을 열처리하여 아일랜드들을 형성하는 것을 포함하고,
    상기 제2 금속층은 상기 아일랜드들을 덮음과 아울러, 상기 아일랜드들 사이의 상기 P형 화합물 반도체층에 콘택하고,
    상기 아일랜드 상의 제2 금속층의 두께가 상기 아일랜드들 사이의 제2 금속층의 두께보다 더 크고,
    상기 제1 금속층은 상기 제1 금속층으로 입사된 광을 반사시키는 발광 다이오드 제조 방법.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 Mg을 함유하는 제1 금속층은 Mg 또는 Mg/Pt인 발광 다이오드 제조 방법.
  11. 청구항 9에 있어서,
    상기 반사 금속층은 Ag를 포함하는 발광 다이오드 제조 방법.
  12. 청구항 9에 있어서,
    상기 반사 금속층 상에 장벽 금속층을 형성하고,
    상기 열처리는 상기 장벽 금속층을 형성한 후에 수행되는 발광 다이오드 제조 방법.
  13. 삭제
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