TWI430468B - 包含電流散佈層的半導體發光裝置 - Google Patents

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Description

包含電流散佈層的半導體發光裝置
本發明係關於包含重摻雜電流散佈層的半導體發光裝置。
諸如發光二極體(LED)之半導體發光裝置為當前可用之最有效光源中之一種。當前在製造能在整個可見光譜中操作之高亮度LED中所關注之材料系統包含III-V族半導體，特定言之為鎵、鋁、銦及氮之二元、三元及四元合金，其亦被稱為III族氮化物材料；及鎵、鋁、銦及磷之二元、三元及四元合金，其亦被稱為III族磷化物材料。此等裝置通常具有一夾於一p型摻雜區域與一n型摻雜區域間之發光區域或活性區域。通常藉由金屬有機化學氣相沈積(MOCVD)、分子束磊晶法(MBE)或其它磊晶技術使III族氮化物裝置磊晶成長於藍寶石、碳化矽或III族氮化物基板上，且使III族磷化物裝置磊晶成長於砷化鎵上。
成長於一導電基板上之裝置通常具有形成於該裝置之相對側面上之接觸點。或者，由於成長於不良導電基板上之裝置，或由於光學或電學原因，可將該裝置蝕刻，以將n型及p型區域兩者之部分曝露於該裝置之相同側面上。接著，該等接觸點形成於所曝露之區域上。若該等接觸點為反射性的，且自與該等接觸點相對之裝置之側面提取光，則該裝置被稱為一覆晶。由於覆晶裝置上之該等接觸點中之至少一者不直接覆於活性區域上，因此若電流不有效地 散佈穿過p型及n型區域，則裝置效能可能降低。
根據本發明之實施例，III族氮化物或III族磷化物發光裝置包含一安置於一p型區域與一n型區域間之發光區域。至少一高度摻雜層安置於該n型區域或該p型區域內或安置於兩者之內，以提供電流散佈。
詳言之，用以改良III族磷化物裝置中之電流散佈之一途徑為增加接觸點間磊晶層之厚度。厚磊晶層大體而言增加了生產一裝置之成本及由於吸收而損失之光之量。此外，在一覆晶裝置中，為了形成接觸點對蝕刻以曝露內埋層之部分之需求限制某些裝置層可成長之厚度。
根據本發明之一實施例，一III族磷化物覆晶裝置包含一或多個高度摻雜層。該等高度摻雜層在該裝置內側向散佈電流，而不會增加該裝置內之磊晶層之厚度。圖1A為一III族磷化物覆晶LED之橫截面圖。圖1A之該裝置包含一夾於p型摻雜包覆區域5與n型摻雜包覆區域7間之活性區域(active region)6。如此項技術中已知，由該活性區域發射之光之波長可藉由選擇活性區域6中之該等層之寬度及成份而得以控制。一合適活性區域之實例包含由障壁層分隔之3或4個量子阱。一n型摻雜接觸區域8將n型接觸點10與n型摻雜包覆區域7分隔。一p型接觸點9形成於一p型摻雜接觸區域3上。穿過一無摻雜之透明GaP窗口層1自該裝置提取光。下表提供適用於層3、5、6、7及8中之每一者之厚度、成份 及摻雜物之實例。
上表提供之對於每一層之特徵僅作為實例，而非意欲為限制性的。舉例而言，可使用諸如Zn或Si之其它p型及n型之摻雜物。可在Semiconductors and Semimetals，第64冊，ElectroluminescenceI,Academic Press,San Francisco,2000,Gerd Mueller,ed.之1-3章中找出關於選擇裝置之該等層之合適特徵之更多資訊，其內容以引用之方式併入本文中。
如圖1B與圖1C中所說明，圖1A之p型接觸點9與n型接觸點10可為多層結構。圖1B說明一多層p型接觸點9之實例。一Au-Zn合金層9A形成為鄰近p型摻雜接觸區域3，以提供與半導體層之歐姆接觸。可由(例如)TiW、TiW：N及TiW之夾層之可選防護金屬層9B來保護Au-Zn層9A。接著，一諸如金之厚接觸層9C形成於防護層9B上。歐姆層9A及防護層9B可覆蓋反射器9C下之半導體層之所有部分或僅一部分。
如圖1C所說明，多層n型接觸點10可具有一類似結構。一Au-Ge合金層10A形成為鄰近n型摻雜接觸區域8，以提供與半導體層之歐姆接觸。可由(例如)一TiW、TiW：N及TiW之夾層之可選防護金屬層10B來保護Au-Ge層10A。金之厚反射層10C沈積於層10A及10B上。歐姆層10A大體上不非常具 有反射性，且因此通常形成為覆蓋反射器10C下之半導體層之一小部分之點(如圖1C中)或細條。
高度摻雜層4(圖1A中顯示為粗虛線)可包含於p型摻雜接觸區域3、p型摻雜包覆區域5及n型摻雜包覆區域7的其中之一或多個中。高度摻雜層4形成於可得益於額外電流散佈之裝置之區域中。在圖1A中說明之裝置中，p型接觸點9不直接覆於活性區域上，因此需要電流自p型接觸點9散佈至活性區域。相應地，活性區域6之p型側面可得益於額外電流散佈，且因此可包含高度摻雜層4。若n型接觸點10為一薄片接觸點，則n型接觸點10覆於整個活性區域上，且在活性區域6之n型側面上不需要額外電流散佈。若n型接觸點10包含如圖1C中說明之小區域之歐姆層10A及一較大反射薄片10C，則需要電流自各歐姆接觸區域10A散佈至反射薄片10C下無歐姆接觸區域10A之各區域。在此等裝置中，活性區域6之n型側面可得益於額外電流散佈，且因此可包含高度摻雜層4。
高度摻雜層4摻雜有與其形成於其中之區域相同之導電類型。舉例而言，裝置之n型區域內之高度摻雜層4為n型，且p型區域內之高度摻雜層4為p型。通常，儘管不需要，但高度摻雜層4摻雜有與周圍區域相同之摻雜物種類。高度摻雜層4可摻雜成具有約5x1018 cm-3 至約1x1019 cm-3 之濃度。相反地，n型摻雜包覆區域7、p型摻雜包覆區域5及p型摻雜接觸區域3通常摻雜成具有約5x1017 cm-3 至約1x1018 cm-3 之濃度。
由於高摻雜濃度，高度摻雜層4將趨於吸收光。因此，高度摻雜層4通常為薄的，例如在約10nm與100nm厚度之間，且位於盡可能遠離裝置之活性區域之處。多個高度摻雜層4可形成於單一區域中。在此等實施例中，該等高度摻雜層通常以至少10nm之距離間隔開，且所有該等高度摻雜層之總厚度為約100nm與約500nm之間。
在某些實施例中，高度摻雜層4為與其安置於其中之區域相同之成份。在其它實施例中，高度摻雜層4為四元AlInGaP層，其具有一比高度摻雜層4安置於其中之區域更低之帶隙，例如(Alx Ga1-x )0.5 In0.5 P，其中0.2<x<0.7。大體而言，一材料之帶隙越小，可更高度地摻雜該材料而不會犧牲晶體品質，因此用於高度摻雜層4之四元合金之使用可允許此等層得以更重地摻雜。此外，由四元重摻雜層產生之更低帶隙之小區域可藉由產生垂直位障來進一步促進側向電流散佈。
圖2說明用於一併有高度摻雜層之III族磷化物裝置之一實例之能帶圖之一部分。p型摻雜包覆區域5及n型摻雜包覆區域7中之每一者包含四個高度摻雜層4。p型摻雜包覆區域5及n型摻雜包覆區域7中之每一者具有約1微米之總厚度。高度摻雜層4中之每一者之厚度均為約50nm，且以約100nm之距離分隔。由於高度摻雜層4之吸收性質，所以將此等層定位於p型摻雜包覆區域5及n型摻雜包覆區域7之最遠離活性區域6之部分中。高度摻雜層為摻雜成具有約5x1018 cm-3 之濃度之(Al0.65 Ga0.35 )0.5 In0.5 P。
高度摻雜電流散佈層亦可用於III族氮化物發光裝置中。圖3為一包含高度摻雜層之III族氮化物覆晶裝置之橫截面圖。在圖3之裝置中，一n型摻雜接觸區域8成長於一成長基板20及可選長晶層(未圖示)上，繼之為n型摻雜包覆區域7、活性區域6、p型摻雜包覆區域5及p型摻雜接觸區域3。如圖1A之裝置中，如此項技術中已知，可藉由選擇活性區域6中之該等層之寬度及成份來控制由該活性區域發射之光之波長。一合適活性區域之實例包含由障壁層分隔之3或4個量子阱。n型接觸點10形成於n型摻雜接觸區域8之一經蝕刻而曝露之部分上。p型接觸點9形成於p型摻雜接觸區域3上。n型接觸點10及p型接觸點9兩者均為反射性的，且穿過基板20自該裝置提取光。下表提供適用於層3、5、6、7及8中之每一者之厚度、成份及摻雜物之實例。
上表提供之對於每一層之特徵僅作為實例，而非意欲為限制性的。
如圖1A中描述之實施例中，在圖3中說明之裝置中，高度摻雜層4可形成於p型摻雜接觸區域3、p型摻雜包覆區域5、n型摻雜包覆區域7及n型摻雜接觸區域8的其中之一或多者中。在圖3中說明之裝置中，p型接觸點通常為一在活性區 域6之p型側面上提供充分電流散佈之薄片接觸點。因此，在III族氮化物裝置中，高度摻雜層4通常僅形成於活性區域6之n型側面上。圖3中之高度摻雜層4可為GaN層、四元AlInGaN層，或可為與高度摻雜層4定位於其中之區域具有相同成份之層。如上文結合圖1A之文字中所描述，高度摻雜層可具有相同厚度、相對於活性區域之位置及摻雜濃度。
圖4A及4B說明根據圖1A或圖3之用於一大型連接裝置(即，一具有大於約400×400μm2 之面積之裝置)之接觸點9及10之排列。圖4A為一平面圖，圖4B則為一沿線DD截取之橫截面圖。層19包含圖1A之層1、3、4、5、6、7及8或圖3之層20、7、8、6、5、3及4。活性區域劃分成四個隔離區域，以使p型及n型接觸點間之距離最小化。沈積於一藉由蝕刻而曝露之層上之接觸點(即，圖1A之裝置中之p型接觸點9及圖3之裝置中之n型接觸點10)環繞該等四個區域並插入其中。圖1A之裝置中之n型接觸點10及圖3之裝置中之p型接觸點9形成於該等四個活性區域上。藉由空氣或藉由選用絕緣層22使p型接觸點9與n型接觸點10彼此電隔離。六個基台連接處(submount connection)23及十六個基台連接處24沈積於p型及n型接觸點上，以形成一適用於將裝置連接至一基台之表面。該基台通常為一藉由焊接點附著至該裝置之矽積體電路。在此等實施例中，p型及n型基台連接處可為(例如)可焊接金屬。在其它實施例中，藉由金黏結、冷焊或熱壓黏結將該裝置連接至該基台。
圖5A及5B說明根據圖1A或圖3用於一小型連接裝置 (即，一具有小於約400×400μm2 之面積之裝置)之接觸點9及10之排列。圖5A為一平面圖，圖5B則為一沿線CC截取之橫截面圖。層19包含圖1A之層1、3、4、5、6、7及8或圖3之層20、7、8、6、5、3及4。圖5A及5B中展示之裝置具有一向下蝕刻至活性區域下方之一磊晶結構層之單一通孔21。圖1A之裝置中之p型接觸點9及圖3之裝置中之n型接觸點10沈積於通孔21中。通孔21定位於裝置之中心處，以提供均一的電流及光發射。圖1A之裝置中之n型接觸點10及圖3之裝置中之p型接觸點9環繞該通孔，且提供與磊晶結構之活性區域之另一側之電接觸。藉由一或多個介電層22或藉由空氣將該等p型接觸點與n型接觸點分隔開並電隔離。兩個基台連接處24與一個基台連接處23安置於p型接觸點9及n型接觸點10上。基台連接處23可定位於由絕緣層22圍繞之區域內之任何地方，而無需定位於通孔21之正上方。類似地，基台連接處24可定位於絕緣層22外之區域中之任何地方。因此，裝置與一基台之連接不受p型接觸點9及n型接觸點10之形狀或置放之限制。
圖6為一已封裝之發光裝置之分解圖。一散熱塊100置於一嵌入成型之引線框內。該嵌入成型之引線框為(例如)一環繞提供電路徑之金屬框106而成型之填充之塑膠材料105。塊100可包含一可選反射杯102。可為上文描述之任何裝置之發光裝置晶粒104直接或間接地經由一熱傳導基台103安裝至塊100。可添加一罩蓋108，其可為一光學透鏡。
已詳細描述了本發明，彼等熟習此項技術者將瞭解到： 給出本揭示內容，可在不偏離本文描述之發明性概念之精神之前提下對本發明作出修改。因此，並非意欲將本發明之範疇限制於所說明及描述之具體實施例內。
1‧‧‧透明GaP窗口層
3‧‧‧p型摻雜接觸區域
4‧‧‧高度摻雜層
5‧‧‧p型摻雜包覆區域
6‧‧‧活性區域
7‧‧‧n型摻雜包覆區域
8‧‧‧n型摻雜接觸區域
9‧‧‧p型接觸點
10‧‧‧n型接觸點
9A‧‧‧Au-Zn合金、歐姆層
9B‧‧‧防護金屬層
9C‧‧‧接觸層/反射器
10A‧‧‧Au-Ge合金
10B‧‧‧防護金屬層
10C‧‧‧反射層/反射器
19‧‧‧層
20‧‧‧成長基板
21‧‧‧通孔
22‧‧‧絕緣層/介電層
23、24‧‧‧基台連接處
100‧‧‧散熱塊
102‧‧‧反射杯
103‧‧‧熱傳導基台
104‧‧‧發光裝置晶粒
105‧‧‧填充之塑膠材料
106‧‧‧金屬框
108‧‧‧罩蓋
圖1A為根據本發明之一實施例之一III族磷化物覆晶LED之橫截面圖。
圖1B說明圖1A中說明之裝置之p型接觸點。
圖1C說明圖1A中說明之裝置之n型接觸點。
圖2為本發明之一實施例之一部分之能帶圖。
圖3為根據本發明之一實施例之一III族氮化物覆晶LED之橫截面圖。
圖4A及4B為用於一大型連接覆晶LED之接觸機制之平面圖及橫截面圖。
圖5A及5B為用於一小型連接覆晶LED之接觸機制之平面圖及橫截面圖。
圖6為一已封裝之半導體發光裝置之分解圖。
3‧‧‧p型摻雜接觸區域
4‧‧‧高度摻雜層
5‧‧‧p型摻雜包覆區域
6‧‧‧活性區域
7‧‧‧n型摻雜包覆區域
8‧‧‧n型摻雜接觸區域
9‧‧‧p型接觸點
10‧‧‧n型接觸點
20‧‧‧成長基板

Claims (17)

  1. 一種半導體發光裝置，包括：一發光區域，其安置於一第一導電類型之包覆(cladding)區域與一第二導電類型之包覆區域之間；一第一導電類型之接觸區域，其鄰近於該第一導電類型之包覆區域；一第二導電類型之接觸區域，其鄰近於該第二導電類型之包覆區域；及至少一高度摻雜層，其安置於該第一導電類型之包覆區域內，其中該高度摻雜層較該第一導電類型之包覆區域更高度地摻雜。
  2. 如請求項1之裝置，其中該發光區域包括至少一InGaP層。
  3. 如請求項1之裝置，其中該發光區域包括至少一InGaN層。
  4. 如請求項1之裝置，進一步包括安置於該第一導電類型之包覆區域內之複數個高度摻雜層。
  5. 如請求項4之裝置，其中：該等複數個高度摻雜層中之每一高度摻雜層之厚度皆在約10nm與約100nm之間；且該等複數個高度摻雜層由至少10nm之第一導電類型之區域分隔開。
  6. 如請求項4之裝置，其中該等複數個高度摻雜層之一總厚度在約100nm與約500nm之間。
  7. 如請求項1之裝置，其中：該第一導電類型之包覆區域具有一在約5×1017 cm-3 與 約1×1018 cm-3 之間之摻雜濃度；且該高度摻雜層具有一在約1×1018 cm-3 與約1×1019 cm-3 之間之摻雜濃度。
  8. 如請求項1之裝置，其中該高度摻雜層包括(Alx Ga1-x )0.5 In0.5 P，其中0<x1。
  9. 如請求項8之裝置，其中該高度摻雜層包括(Alx Ga1-x )0.5 In0.5 P，其中0.2<x<0.7。
  10. 如請求項8之裝置，其中該高度摻雜層包括(Al0.65 Ga0.35 )0.5 In0.5 P。
  11. 如請求項1之裝置，其中該高度摻雜層包括Alx Iny Gaz N，其中0<x1、0<y1且0<z1。
  12. 如請求項1之裝置，其中該高度摻雜層包括GaN。
  13. 如請求項1之裝置，其中該高度摻雜層為一第一高度摻雜層，該裝置進一步包括一安置於該第二導電類型之包覆區域內之第二高度摻雜層，其中該第二高度摻雜層較該第二導電類型之包覆區域更高度地摻雜。
  14. 如請求項1之裝置，其中該高度摻雜層為一安置於該第一導電類型之包覆區域內之第一高度摻雜層，該裝置進一步包括一安置於該第一導電類型之接觸區域內之第二高度摻雜層，其中該第二高度摻雜層較該第一導電類型之接觸區域更高度地摻雜。
  15. 如請求項1之裝置，其中該高度摻雜層為一安置於該第一導電類型之包覆區域內之第一高度摻雜層，該裝置進一步包括一安置於該第二導電類型之接觸區域內之第二高 度摻雜層，其中該第二高度摻雜層較該第二導電類型之接觸區域更高度地摻雜。
  16. 如請求項1之裝置，其中：該第一導電類型之接觸區域係藉由一第一導電類型之包覆區域來與活性區域(active region)間隔開；且該第二導電類型之接觸區域係藉由一第二導電類型之包覆區域來與該活性區域間隔開。
  17. 如請求項1之裝置，進一步包括：一第一引線(lead)，其電連接至該第一導電類型之接觸區域；一第二引線，其電連接至該第二導電類型之接觸區域；及一罩蓋，其安置於該活性區域上。
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Families Citing this family (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7829912B2 (en) * 2006-07-31 2010-11-09 Finisar Corporation Efficient carrier injection in a semiconductor device
US7920612B2 (en) * 2004-08-31 2011-04-05 Finisar Corporation Light emitting semiconductor device having an electrical confinement barrier near the active region
JP2007149791A (ja) 2005-11-24 2007-06-14 Univ Meijo 半導体発光素子および半導体発光素子の作成方法
US7772604B2 (en) 2006-01-05 2010-08-10 Illumitex Separate optical device for directing light from an LED
DE102006034847A1 (de) * 2006-04-27 2007-10-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
US20080042145A1 (en) * 2006-08-18 2008-02-21 Helmut Hagleitner Diffusion barrier for light emitting diodes
EP2070123A2 (en) 2006-10-02 2009-06-17 Illumitex, Inc. Led system and method
US8031752B1 (en) 2007-04-16 2011-10-04 Finisar Corporation VCSEL optimized for high speed data
US7829358B2 (en) 2008-02-08 2010-11-09 Illumitex, Inc. System and method for emitter layer shaping
CN101515613B (zh) * 2008-02-19 2013-04-03 晶元光电股份有限公司 半导体元件
US8664747B2 (en) * 2008-04-28 2014-03-04 Toshiba Techno Center Inc. Trenched substrate for crystal growth and wafer bonding
TW201034256A (en) 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
WO2010129409A1 (en) 2009-05-05 2010-11-11 3M Innovative Properties Company Semiconductor devices grown on indium-containing substrates utilizing indium depletion mechanisms
JP2012526394A (ja) 2009-05-05 2012-10-25 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー Ｌｅｄとともに使用するための再発光半導体キャリア素子及び製造方法
US8207547B2 (en) 2009-06-10 2012-06-26 Brudgelux, Inc. Thin-film LED with P and N contacts electrically isolated from the substrate
JP2012532453A (ja) 2009-06-30 2012-12-13 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 調節可能な色温度を備えた白色光エレクトロルミネセンスデバイス
US8304976B2 (en) 2009-06-30 2012-11-06 3M Innovative Properties Company Electroluminescent devices with color adjustment based on current crowding
CN102473817A (zh) 2009-06-30 2012-05-23 3M创新有限公司 无镉再发光半导体构造
US8449128B2 (en) 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
TWI405409B (zh) * 2009-08-27 2013-08-11 Novatek Microelectronics Corp 低電壓差動訊號輸出級
US8525221B2 (en) * 2009-11-25 2013-09-03 Toshiba Techno Center, Inc. LED with improved injection efficiency
US8587022B2 (en) 2010-01-06 2013-11-19 Panasonic Corporation Nitride semiconductor light-emitting element and process for production thereof
US8860077B2 (en) * 2010-02-12 2014-10-14 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and light emitting device package including the same
US8785904B2 (en) 2011-04-20 2014-07-22 Invenlux Corporation Light-emitting device with low forward voltage and method for fabricating the same
US8395165B2 (en) 2011-07-08 2013-03-12 Bridelux, Inc. Laterally contacted blue LED with superlattice current spreading layer
US20130026480A1 (en) 2011-07-25 2013-01-31 Bridgelux, Inc. Nucleation of Aluminum Nitride on a Silicon Substrate Using an Ammonia Preflow
US8916906B2 (en) 2011-07-29 2014-12-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Boron-containing buffer layer for growing gallium nitride on silicon
US9343641B2 (en) 2011-08-02 2016-05-17 Manutius Ip, Inc. Non-reactive barrier metal for eutectic bonding process
US8865565B2 (en) 2011-08-02 2014-10-21 Kabushiki Kaisha Toshiba LED having a low defect N-type layer that has grown on a silicon substrate
US9012939B2 (en) 2011-08-02 2015-04-21 Kabushiki Kaisha Toshiba N-type gallium-nitride layer having multiple conductive intervening layers
US9142743B2 (en) 2011-08-02 2015-09-22 Kabushiki Kaisha Toshiba High temperature gold-free wafer bonding for light emitting diodes
US20130032810A1 (en) 2011-08-03 2013-02-07 Bridgelux, Inc. Led on silicon substrate using zinc-sulfide as buffer layer
US8564010B2 (en) 2011-08-04 2013-10-22 Toshiba Techno Center Inc. Distributed current blocking structures for light emitting diodes
US9330911B2 (en) 2011-08-22 2016-05-03 Invenlux Limited Light emitting device having group III-nitride current spreading layer doped with transition metal or comprising transition metal nitride
US8624482B2 (en) 2011-09-01 2014-01-07 Toshiba Techno Center Inc. Distributed bragg reflector for reflecting light of multiple wavelengths from an LED
US8669585B1 (en) 2011-09-03 2014-03-11 Toshiba Techno Center Inc. LED that has bounding silicon-doped regions on either side of a strain release layer
US8558247B2 (en) 2011-09-06 2013-10-15 Toshiba Techno Center Inc. GaN LEDs with improved area and method for making the same
US8686430B2 (en) 2011-09-07 2014-04-01 Toshiba Techno Center Inc. Buffer layer for GaN-on-Si LED
US8698163B2 (en) 2011-09-29 2014-04-15 Toshiba Techno Center Inc. P-type doping layers for use with light emitting devices
US9012921B2 (en) 2011-09-29 2015-04-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting devices having light coupling layers
US20130082274A1 (en) 2011-09-29 2013-04-04 Bridgelux, Inc. Light emitting devices having dislocation density maintaining buffer layers
US9178114B2 (en) 2011-09-29 2015-11-03 Manutius Ip, Inc. P-type doping layers for use with light emitting devices
US8853668B2 (en) 2011-09-29 2014-10-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting regions for use with light emitting devices
US8664679B2 (en) 2011-09-29 2014-03-04 Toshiba Techno Center Inc. Light emitting devices having light coupling layers with recessed electrodes
US8581267B2 (en) 2011-11-09 2013-11-12 Toshiba Techno Center Inc. Series connected segmented LED
US8552465B2 (en) 2011-11-09 2013-10-08 Toshiba Techno Center Inc. Method for reducing stress in epitaxial growth
US9184344B2 (en) 2012-01-25 2015-11-10 Invenlux Limited Lighting-emitting device with nanostructured layer and method for fabricating the same
SG11201408080UA (en) 2012-06-20 2015-01-29 Univ Nanyang Tech A light-emitting device
CN105870280B (zh) 2015-01-21 2019-07-09 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管晶粒
CN105742427B (zh) * 2016-04-11 2017-12-22 天津三安光电有限公司 发光二极管及其制作方法
CN105720160B (zh) * 2016-04-27 2018-01-12 天津三安光电有限公司 发光二极管及其制备方法

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4371968A (en) * 1981-07-01 1983-02-01 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Monolithic injection laser arrays formed by crystal regrowth techniques
US5226053A (en) * 1991-12-27 1993-07-06 At&T Bell Laboratories Light emitting diode
EP0582078B1 (en) * 1992-08-05 2000-08-16 Motorola, Inc. Superluminescent edge emitting device
JP3264563B2 (ja) * 1993-03-15 2002-03-11 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
JP3237972B2 (ja) * 1993-09-10 2001-12-10 株式会社東芝 半導体発光装置
US5614734A (en) * 1995-03-15 1997-03-25 Yale University High efficency LED structure
JP3195194B2 (ja) * 1995-05-26 2001-08-06 シャープ株式会社 半導体発光素子およびその製造方法
US6121638A (en) * 1995-09-12 2000-09-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Multi-layer structured nitride-based semiconductor devices
US5818859A (en) * 1996-06-27 1998-10-06 Minnesota Mining And Manufacturing Company Be-containing II-VI blue-green laser diodes
JP3374737B2 (ja) * 1997-01-09 2003-02-10 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
TW497759U (en) * 1997-03-13 2002-08-01 Rohm Co Ltd Semiconductor light emitting device
JP3488597B2 (ja) * 1997-07-14 2004-01-19 株式会社東芝 窒化ガリウム系化合物半導体装置
DE19741609C2 (de) * 1997-09-20 2003-02-27 Vishay Semiconductor Gmbh Verwendung einer Übergitterstruktur aus einer Mehrzahl von hintereinander angeordneten Heterogrenzflächenschichtfolgen zur Verbesserung der lateralen Stromausbreitung in einer lichtemittierenden Halbleiterdiode
US6015719A (en) * 1997-10-24 2000-01-18 Hewlett-Packard Company Transparent substrate light emitting diodes with directed light output
JP3680558B2 (ja) * 1998-05-25 2005-08-10 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
JP2000082841A (ja) * 1998-06-22 2000-03-21 Hitachi Cable Ltd エピタキシャルウェハ及びその製造方法
JP2000031591A (ja) * 1998-07-08 2000-01-28 Toshiba Corp 半導体発光素子
US6542528B1 (en) * 1999-02-15 2003-04-01 Ricoh Company, Ltd. Light-emitting semiconductor device producing red wavelength optical radiation
JP3656456B2 (ja) * 1999-04-21 2005-06-08 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
JP2001007445A (ja) * 1999-06-25 2001-01-12 Hitachi Cable Ltd ＡｌＧａＩｎＰ系発光素子及び発光素子用エピタキシャルウェハ
JP3609661B2 (ja) * 1999-08-19 2005-01-12 株式会社東芝 半導体発光素子
US6576932B2 (en) * 2001-03-01 2003-06-10 Lumileds Lighting, U.S., Llc Increasing the brightness of III-nitride light emitting devices
WO2002084829A1 (en) * 2001-04-11 2002-10-24 Cielo Communications, Inc. Long wavelength vertical cavity surface emitting laser
JP2003046127A (ja) * 2001-05-23 2003-02-14 Sanyo Electric Co Ltd 窒化物系半導体発光素子
JP2003086513A (ja) * 2001-06-26 2003-03-20 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体素子用基板の製造方法および半導体素子用基板ならびに半導体素子
EP1403932B1 (en) * 2001-07-04 2012-09-05 Nichia Corporation Light emitting nitride semiconductor device
JP3856750B2 (ja) * 2001-11-13 2006-12-13 松下電器産業株式会社 半導体装置及びその製造方法
US6720570B2 (en) * 2002-04-17 2004-04-13 Tekcore Co., Ltd. Gallium nitride-based semiconductor light emitting device
JP4250909B2 (ja) * 2002-05-20 2009-04-08 ソニー株式会社 半導体素子の分離方法および転写方法
US20030230977A1 (en) * 2002-06-12 2003-12-18 Epstein Howard C. Semiconductor light emitting device with fluoropolymer lens
JP4254373B2 (ja) * 2003-06-24 2009-04-15 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
US7019330B2 (en) * 2003-08-28 2006-03-28 Lumileds Lighting U.S., Llc Resonant cavity light emitting device

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Publication number Publication date
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