TW200535997A - Semiconductor device - Google Patents

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Description

200535997 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 〔產業上之利用區域〕 本發明係關於一種在半導體基板上透過閘極絕緣膜而 形成閘極電極之MOS構造之半導體裝置。 【先前技術】 φ 〔背景技術〕 向來，作爲MOS構造電晶體之閘極電極材料係使用 多結晶矽（Poly-Si)。作爲控制MOS構造電晶體之臨限 値電壓之方法係一般使用稱爲通道摻雜之在通道區域摻雜 雜質之方法或者是在Poly-Si膜摻雜雜質之方法。 但是，隨著半導體裝置之微細化而在通道摻雜，有所 謂通道區域之雜質濃度之上升對於載體造成影響之問題發 生’此外，在Poly-Si摻雜，由於對於基底層閘極氧化膜 0 之穿透而在P〇iy-Si和基底層閘極氧化膜間之界面形成空 閥層，因此，有所謂在閘極電極動作時之電氣特性之惡化 或者是閘極氧化膜之更加薄膜化變得困難之問題發生。此 外’隨著LSI之高度積體化、高速度化之進行而要求閘極 1 電極之低電阻化，在 Poly-Si，不容易滿足此種要求，因 此’要求更加低電阻者，來作爲閘極電極材料。 所以’作爲閘極電極材料係檢討不形成空乏層之更加 低電阻之W (鎢）系膜。W之功函數係更加高於S i (矽） 之中央間隙。但是，含有Si之WSix之功函數係可以位處
200535997 (2) 於矽之中央間隙附近，因此，能夠控制P型電晶體5 電晶體兩者之臨限値電壓。因此，適合作爲CMOS τι 閘極電極材料。作爲使用WSix之閘極電極構造係S WSix單層所構成之WSix閘極電極或者是在WSix| 積Poly-Si膜之WSix/Poly-Si層積電極（例如參3 特開平8 — 1 5 3 804號公報、日本特開平1 0 — 3 034 1 2 報）。 作爲此種W系膜之成膜方法係在過去使用物理 (PVD)，但是，在最近，不需要熔融成爲高熔點途 W ’並且’使用能夠充分地對應於元件微細化之化奪 (CVD)。 此種CVD — W系膜係使用例如六氟化鎢（WF6) 來作爲成膜原料而進行成膜。但是，在近年來，越贫 行設計規則之微細化，在使用此種含F (氟）氣體 係對於基底層閘極氧化膜之膜質，來造成影響，有蛋 φ 極絕緣膜之問題發生。 另一方面，在W系膜等之含金屬導電層上層積 Λ S 1或非結晶質矽等之矽膜之金屬/矽層積閘極構造每 在砂膜上層積W系膜等之含金屬導電層之矽/金層 構造，在中途作業之高溫製程，矽膜中之si係擴葡 金屬導電層，會有進行矽膜和含金屬導電層間之界g 化物化之問題發生。 【發明內容】 η型 :件之 :議由 丨上層 :曰本 號公 蒸鍍 屬之 蒸鍍 氣體 越進 寺，F 化閘 Poly- 者是 閘極 至含 之矽 -6 - 200535997 (3) 〔發明之揭示〕 本發明係有鑑於此種情況而完成的，其目的係提供一 種實現閘極電極之低電阻化及由於F所造成之閘極絕緣膜 之惡化之消除並且能夠控制臨限値電壓的半導體裝置。此 外’本發明、其目的係在具有含金屬導電層和矽膜間之層 積閘極電極之半導體裝置，提供一種能夠有效地防止矽膜 中之Si擴散至含金屬導電層之擴散的半導體裝置。 φ 爲了解決前述課題，因此，本發明係提供一種半導體 裝置’其特徵爲：具備：半導體基板、形成於該基板上之 閘極絕緣膜以及具有形成於該絕緣膜上之金屬化合物膜之 閘極電極’前述閘極電極之金屬化合物膜係藉由使用含有 金屬羰基之原料和含有Si之原料、含有N之原料及含有 C之原料中之至少1種之CVD而形成，包含前述金屬羰基 中之金屬和Si、N及C中之至少1種。 藉由本發明所造成之具有金屬化合物膜之閘極電極係 # 可以比起習知之多結晶矽閘極電極，還更加進行低電阻 化。此外，使用含有金屬羰基之原料，來形成金屬化合物 _ 膜，因此，並無正如使用含F氣體來作爲成膜材料之狀態 而發生由於F擴散所造成之閘極絕緣膜之惡化。
I 此外，金屬化合物膜係能夠藉由改變S i和N中之至 少一種含有量而改變其功函數，能夠藉由改變N和C中之 至少一種含有量而改變對於矽膜之障蔽性。因此，本發明 之半導體裝置之閘極電極之金屬化合物膜係可以藉由改變 Si、N和C中之至少一種含有量而改變功函數及/或對於 200535997 (4) 矽膜之障蔽性。可以藉此而得到具有要求之功函數及/或 障蔽性之閘極電極，進而能夠提高半導體裝置整體之設計 之自由度。 特別是能夠藉由改變金屬化合物膜之S i和N中之至 少一種含有量而改變其功函數，控制閘極電極之臨限値電 壓。此外，特別是能夠藉由改變金屬化合物膜之N和C中 之至少一種含有量而改變對於矽膜之障蔽性，能夠有效地 φ 防止矽膜中之Si擴散至金屬化合物膜之擴散。 在該狀態下，可以藉由在前述金屬化合物膜，導入η 型雜質或Ρ型雜質而進行臨限値電壓之微調整。 前述閘極電極係可以還具有形成於前述金屬化合物膜 上之矽膜，能夠有效地防止該砂膜中之S i擴散至金屬化 合物膜之擴散。 在該狀態下’最好是前述閘極電極係還具有形成於前 述金屬化合物膜和前述砂膜間之障蔽層，該障蔽層係藉由 Φ 使用含有金屬羰基之原料和含有N之原料及含有C之原料 中之至少1種之CVD而形成，由包含前述金屬羰基中之 % 金屬和N及C中之至少1種之金屬化合物所構成。 在該狀態下，能夠藉由改變障蔽層之N和C中之至少 一種含有量而改變對於該砂膜之障蔽性。能夠藉此而不同 於金屬化合物膜之功函數及/或障蔽性，來個別獨立地改 變障蔽層對於矽膜之障敝性。能夠藉此而更進一步地提高 閘極電極、甚至半導體裝置整體之設計之自由度。 此外，本發明係提供一種半導體裝置，其特徵爲：具 -8- 200535997 (5) 備：半導體基板、形成於該基板上之閘極絕緣膜以及形成 於該絕緣膜上之閘極電極，前述閘極電極係具有：含金屬 導電層、形成於該導電層上之障蔽層以及形成於該障蔽層 ±之_膜’前述障蔽層係使用含有金屬羰基之原料和含有 N之原料及含有C之原料中之至少1種而形成，由包含前 述金屬羰基中之金屬和N & C中之至少1種之金屬化合物 所構成。 • 也在該狀態下，能夠藉由改變障蔽層之N和C中之至 少一種含有量而改變對於該矽膜之障蔽性。可以藉此而有 效地防止矽膜中之Si擴散至導電層之擴散，抑制在導電 層和矽膜界面之矽化物化。此外，作爲含金屬導電層之形 成方法係不限定於CVD，可以採用PVD等之向來習知之 方法。 構成前述金屬羰基之金屬係由 W、Ni、Co、RU、 Mo、Re、Ta及Ti所構成之群組而選擇出。 • 例如前述金屬羰基係w(co)6。 特別是在使用含有w(co)6之原料和含有Si之原料所 Λ 形成之W砂化物膜來作爲聞極電極之金屬化合物膜之狀 態下，可以使得其功函數位處於矽之中央間隙附近。因 此，例如能夠在CMOS元件之pMOS、nMOS兩者之電晶 體，進行臨限値電壓之控制。 含有前述s i之原料係由砂院、二砍院及二氯代砂院 所構成之群組而選擇出。 含有前述N之原料係由氨及單甲基 所構成之群組而 -9- 200535997 (6) 選擇出。 含有前述C之原料係由乙烯、烯丙基醇、甲酸及四氫 化呋喃所構成之群組而選擇出。 【實施方式】 〔發明之最佳實施形態〕 以下，參考附件之圖式而就本發明之實施形態，來具 φ 體地進行說明。 第1圖係用以說明本發明之第1實施形態之半導體裝 置之製造製程之剖面圖。 首先，正如第1(a)圖所示，在成爲半導體基板之 Si基板1上，形成作爲閘極絕緣膜之閘極氧化膜2。接 著，正如第1 ( b )圖所示，在閘極氧化膜2上，藉由使用 成爲W羰基氣體之W(CO)6氣體以及含Si氣體和含N氣 體中之至少一種之CVD而形成包含Si和N中之至少一種 • 之W化合物膜3 a。閘極氧化膜2和W化合物膜3 a之厚度 係例如分別成爲0.8〜5nm、10〜200nm。然後，經過熱處 ^ 理，進行阻劑塗敷、圖案化、蝕刻等，並且，還藉由離子 注入等而形成雜質擴散區域1 〇。藉此而正如第1 ( c )圖 所示，形成具有由包含w及Si和N中之至少一種之w化 合物膜3a所構成之閘極電極3之MOS構造之半導體裝 置。 構成閘極電極3之W化合物膜3 a係能夠藉由控制成 膜之W(CO)6氣體、含Si氣體、含N氣體之流量或者是基 -10- 200535997 (7) 板溫度、處理室內壓力等之成膜條件而任意地改變S i、N 之含有量。可以藉此而形成任意組成之W S i x膜、WN x膜 及複合這些膜之組成之化合物膜。 正如第2圖所示，可以藉由改變W化合物膜之Si和 N之含有量而改變功函數。因此，像這樣，能夠藉由任意 地改變W化合物膜3a之Si、N之含有量而得到要求之功 函數，可以控制成爲要求之臨限値電壓。特別是在使用含 φ Si氣體而形成WSix膜之狀態下，能夠藉由以W : Si二1 : 1.3之組成比而位處於功函數成爲矽之中央間隙之4.6eV。 因此，例如即使是CMOS元件之pMOS、nMOS之任何一 種，也可以進行臨限値電壓之控制。 此外，藉由 W化合物膜3 a而構成閘極電極3，因 此，比起習知之多結晶矽閘極電極，還更加能夠進行閘極 電極之低電阻化。此外，使用成爲有機金屬之W (C Ο) 6氣 體，來作爲W化合物膜3 a之成膜氣體，因此，不正如向 # 來使用之WF6，不包含F，也不發生由於F之擴散所造成 之基底層閘極氧化膜之惡化。 此外，可以使用矽烷、二矽烷及二氯代矽烷等，來作 爲含Si氣體，可以使用氨及單甲基 等，來作爲含N氣 體。此外，可以配合於需要而在W化合物膜3 a，進行 P、As、B等之雜質離子之離子注入。可以藉此而進行臨 限値電壓之微調整。 第3圖係用以說明本發明之第2實施形態之半導體裝 置之製造製程之剖面圖。 -11 - 200535997 (8) 在第2實施形態，首先，在Si基板1上，形成閘極 氧化膜2。然後，正如第3 ( b )圖所示，在閘極氧化膜2 上，藉由使用W(CO)6氣體以及含Si氣體和含N氣體中之 至少一種之CVD而形成包含W及Si和N中之至少一種之 W化合物膜4a。接著，正如第3 ( c )圖所示，在W化合 物膜4a上，還藉由適當之方法而成膜多結晶矽（Poly -Si)膜4b。W化合物膜4a及Poly — Si膜4b之厚度係例 φ 如分別成爲2〜100nm、50〜200nm。然後，經過熱處理， 進行阻劑塗敷、圖案化、蝕刻等，並且，還藉由離子注入 等而形成雜質擴散層1 〇。藉此而正如第3 ( d )圖所示， 形成具有由W化合物膜4a和Poly - Si膜4b所構成之2 層構造之閘極電極4之MOS構造之半導體裝置。 構成閘極電極4之W化合物膜4a係相同於前述第1 實施形態，能夠藉由任意地改變Si、N之含有量而得到要 求之功函數，可以控制成爲要求之臨限値電壓。特別是在 # 使用含N氣體而形成包含N之W化合物膜之狀態下，產 生對於上層之P〇iy - Si膜4b之障蔽性。可以藉此而也得 到所謂有效地防止P〇iy - si膜4b中之si擴散至w化合 物膜4a之擴散並且抑制在界面之矽化物化之效果。此 外，藉由W化合物膜4a而構成閘極電極4，因此，比起 習知之多結晶矽閘極電極，還更加能夠進行閘極電極之低 電阻化。此外，使用W(C 0)6氣體，來作爲W化合物膜4a 之成膜氣體，因此，也不發生由於F之擴散所造成之基底 層聞極氧化膜之惡化。此外，作爲含Si氣體及含N氣體 -12- 200535997 (9) 係可以使用相同於前述第i實施形態之同樣氣體°此夕和’ 可以配合於需要而在w化合物膜4a和poly 一 si膜4b間 之層積膜，進行P、As、B寺之雜質離子之離子注入。 第4圖係用以說明本發明之第3實施形態之半導體裝 置之製造製程之剖面圖。 在第3實施形態，首先’在S i基板1上，形成閘極 氧化膜2。然後，正如第4 ( b )圖所示’在閘極氧化膜2 φ 上，藉由使用W(CO)6氣體以及含Si氣體、含N氣體和含 C氣體中之至少一種之CVD而形成包含W及Si、N、C中 之至少一種之W化合物膜5 a。接著，正如第4 ( c )圖所 示，在W化合物膜5a上，還藉由適當之方法而成膜Poly 一 Si膜5b。W化合物膜5a及Poly - Si膜5b之厚度係例 如分別成爲2〜lOOnm、50〜200nm。然後，經過熱處理， 進行阻劑塗敷、圖案化、蝕刻等，並且，還藉由離子注入 等而形成雜質擴散層1 〇。藉此而正如第4 ( d )圖所示， # 形成具有由W化合物膜5a和Poly — Si膜5b所構成之2 層構造之閘極電極5之MOS構造之半導體裝置。 _ 構成閘極電極5之W化合物膜5 a係藉由在W化合物 膜5a之成膜，控制W(CO)6氣體、含Si氣體、含N氣 體、含C氣體之流量或者是基板溫度、處理室內壓力等之 成膜條件而任意地改變S i、N、C之含有量。可以藉此而 形成任意組成之WSix膜、WNX膜、WCX膜及複合這些膜 之組成之化合物膜。正如前面敘述，可以藉由改變W化 合物膜之Si及N之含有量而改變功函數。此外，也可以 -13- 200535997 (10) 藉由改變改變 W化合物吴之N、C之含有量而改變對於 P〇iy — Si膜之障敝性。因此，可以藉由像這樣，任意地改 變W化合物膜5a之Si、N、C之含有量而得到要求之功 函數和要求之障蔽性，能夠得到兼具要求之臨限値電壓和 要求之障蔽性之閘極電極。 此外，即使是在本實施形態，也藉由W化合物膜5 a 而構成閘極電極5，因此，比起習知之多結晶矽閘極電 φ 極，還更加能夠進行閘極電極之低電阻化。此外，使用含 有W羰基之氣體，來成膜W化合物膜，因此，也不發生 由於F之擴散所造成之基底層閘極絕緣膜之惡化。 此外，作爲含S i氣體及含N氣體係可以使用相同於 前述第1實施形態之同樣氣體，作爲含C氣體係可以使用 烯丙基醇、乙烯、甲酸、四氫化呋喃等。此外，可以配合 於需要而在W化合物膜5a和Poly - Si膜4b間之層積 膜，進行P、As、B等之雜質離子之離子注入。 # 第5圖係用以說明本發明之第4實施形態之半導體裝 置之製造製程之剖面圖。 . 在第4實施形態，首先，在S i基板1上，形成閘極 氧化膜2。然後，正如第5 ( b )圖所示，在閘極氧化膜2 上，藉由使用W(CO)6氣體以及含Si氣體和含N氣體中之 至少一種之CVD而形成包含W及Si和N中之至少一種之 第1層之W化合物膜6a。接著，正如第5 ( c )圖所示， 在W化合物膜6a上，藉由使用W(C 0)6氣體以及含N氣 體和含C氣體中之至少一種之CVD而形成包含W及N和 -14- 200535997 (11) c中之至少一種並且不同於W化合物膜6a組成之不同組 成之W化合物膜6 b。此外’正如第5 ( d )圖所示，在W 化合物膜6b上，藉由適當之方法而成膜Poly - Si膜6c。 W化合物膜6a、W化合物膜6b及Poly - Si膜6c之厚度 係例如分別成爲 2〜l〇〇nm、2〜100nm、50〜200nm。然 後，經過熱處理，進行阻劑塗敷、圖案化、蝕刻等，並 且，還藉由離子注入等而形成雜質擴散層10。藉此而正如 φ 第5 ( e )圖所示，形成具有由W化合物膜6a、W化合物 膜6 b和Ρ ο 1 y - S i膜6 c所構成之3層構造之閘極電極6之 MOS構造之半導體裝置。 接合在閘極電極6之閘極氧化膜2之W化合物膜6a 係相同於前述第1實施形態，能夠藉由任意地改變Si、N 之含有量而得到要求之功函數，可以控制成爲要求之臨限 値電壓。此外，在W化合物膜6a和Poly - Si膜6c間， 設置包含W及N和C中之至少一種之W化合物膜6b。該 # W化合物膜6b係發揮作爲抑制W化合物膜6a和Poly — S i膜6 c間之反應之障蔽層之功能，因此，能夠有效地防 . 止Poly — Si膜6c中之Si擴散至W化合物膜6a之擴散。 特別是使用含C氣體所形成之包含C之W化合物係對於 P〇iy- si膜之障蔽性良好，因此，適合作爲障蔽層。如果 藉由本實施形態的話，則可以配合於要求而分別控制功函 數和障蔽性，提高設計規則之自由度。此外，作爲含Si 氣體及含N氣體係可以使用相同於前述第1實施形態之同 樣氣體，作爲含C氣體係可以使用相同於前述第3實施形 -15- 200535997 (12) 態之同樣氣體。此外，可以配合於需要而在W化合物膜 6a、W化合物膜6b及Poly— Si膜6c之層積膜，進行P、 As、B等之雜質離子之離子注入。 第6圖係用以說明本發明之第5實施形態之半導體裝 置之製造製程之剖面圖。 第5實施形態係在將具有含金屬導電層和Poly - Si膜 間之層積膜構造之閘極電極予以具備之半導體裝置，防止 φ Poly - Si膜中之Si擴散至導電層之擴散。在第5實施形 態，首先，正如第6 ( a )圖所示，在成爲半導體基板之 S i基板1上，形成閘極氧化膜2。接著，在閘極氧化膜2 上，形成作爲含金屬導電層之W系膜7a。該W系膜7a之 成膜係不限定於CVD，可以是PVD等之向來習知之方 法。接著，正如第6 ( c )圖所示，在W系膜7a上，藉由 使用W(CO)6氣體以及含N氣體和含C氣體中之至少一種 之CVD而形成由包含W及N和C中之至少一種之w化 • 合物所構成之障蔽層7b。此外，正如第6 ( d )圖所示， 在障蔽層7b上，藉由適當之方法而成膜Poly - Si膜7c。 W系膜7a、障蔽層7b及Poly - Si膜7c之厚度係例如分 別成爲2〜1 〇〇nm、2〜1 OOnm、50〜200nm。然後，經過 熱處理，進行阻劑塗敷、圖案化、蝕刻等，並且，還藉由 離子注入等而形成雜質擴散層10。藉此而正如第6(e) 圖所示，形成具有由W系膜7a、障蔽層7b及Poly — Si 膜7c所構成之3層構造之閘極電極7之MOS構造之半導 體裝置。 -16- 200535997 (13) 像這樣，閘極電極5係可以藉由在W系膜7a和Poly 一 Si膜7c間，設置由包含W及N和C中之至少一種之W 化合物所構成之障蔽層7b，而有效地防止Poly - Si膜7c 中之Si擴散至W系膜7a之擴散。特別是使用含C氣體所 形成之包含C之W化合物係對於Poly - Si膜之障蔽性良 好，因此，適合作爲障蔽層。此外，作爲含N氣體係可以 使用相同於前述第1實施形態之同樣氣體，作爲含C氣體 • 係可以使用相同於前述第3實施形態之同樣氣體。作爲含 金屬導電層係並無限定在W系膜7a，在使用容易反應於 Poly - Si膜之單體金屬或金屬化合物膜之狀態下，能夠得 到同樣之效果。此外，在本實施形態，以在W系膜7a上 層積Poly - Si膜7c之狀態，作爲例子而進行說明，但 是，也可以在Poly - Si膜上層積含金屬導電層之狀態，得 到相同之效果。 接著，在藉由使用W(CO)6氣體以及含Si體、含N氣 ® 體和含C氣體中之至少一種之CVD而成膜前述W化合物 膜時之成膜方法及成膜裝置之適當例子，來進行說明。 , 第7圖係呈示意地顯示用以實施W化合物膜之成膜 ^ 之CV〇成膜裝置之某一例子之剖面圖。 該成膜裝置1 0 0係具有呈氣密地構成之槪略圓筒狀之 處理容器21。在處理容器21之底壁21b之中央部，形成 圓形之開口部42。在處理容器21之底壁21b，連接通過 開口部4 2而內部相互聯通之排氣容器4 3。在處理容器2 1 內’設置用以呈水平地支持成爲半導體基板之晶圓8之由 -17- 200535997 (14) A1N等之陶瓷所構成之感受器22。該感受器22係藉著由 排氣容器43之底部中央開始延伸至上方之圓筒狀支持構 件2 3而進行支持。在感受器2 2之外邊部’設置用以導引 晶圓8之導引環圈24。此外，在感受器22，埋入電阻加 熱型加熱器25。該加熱器25係藉由來自電源26之供電而 加熱感受器22，藉由該熱而加熱晶圓8。藉由該熱而正如 龜 後面敘述，對於導入至處理容器21內之W(C0)6氣體，來 φ 進行熱分解。在加熱器電源26，連接控制器（並未圖 示），藉此而配合於並未圖示之溫度感測器之訊號，來控 制加熱器2 5之輸出。此外，也在處理容器21之壁部，埋 入加熱器（並未圖示），加熱處理容器21之壁部至40〜 8 0 °C程度。 在感受器22，呈能夠對於感受器22之表面自由進行 突出/沒入地設置用以支持及升降晶圓8之3條（僅圖示 2條）之晶圓支持銷46。這些晶圓支持銷46係固定於支 φ 持板47。接著，晶圓支持銷46係藉由汽缸等之驅動機構 48，透過支持板47而進行升降。 在處理容器21之頂壁21a，設置噴灑頭30。在該噴 灑頭3 0之下部，配置形成用以朝向感受器22而噴出氣體 之許多之氣體噴出孔30b之噴灑板30a。在噴灑頭30之上 壁，設置導入氣體至噴灑頭30內之氣體導入口 30c。在該 氣體導入口 30c，連接供應成爲W羰基氣體之”（(：0)6氣 體之配管32之一端。此外，在氣體導入口 30c，也連接： 供應成爲含Si氣體之矽烷（Si H4)氣體、成爲含N氣體 -18- 200535997 (15) 之氨（NH3)氣體和成爲含C氣體之乙烯（C2H4)氣體 配管8 1之一端。此外，在噴灑頭3 0之內部，形成擴散 3 0 d。在噴灑板3 0 a，設置由冷媒供應源3 0 f供應冷卻水 之冷媒之同心圓狀冷煤流路3 0e。可以藉此而控制噴灑 30內之溫度成爲20〜100 °C，用以防止在噴灑頭30內 W(CO)6氣體之分解。 配管32之其他端係插入至收容成爲金屬羰基原料 φ 固體狀之W(CO)6原料s之W原料容器33。在W原料 器33之周圍，設置加熱器33a。在W原料容器33，插 載體氣體配管34。由載體氣體供應源35開始，通過配 3 4，將載體氣體、例如Ar氣體，吹入至W原料容器3 3 另一方面，W原料容器33內之固體狀之W(C 0)6原料S 藉由加熱器33a而進行加熱及昇華，成爲w(CO)6氣體 該W(CO)6氣體和載體氣體一起通過配管32，供應至擴 室3 0d。此外，在配管3 4，設置質量流控制器3 6和其 鲁 後之閥3 7 a、3 7 b。此外，在配管3 2，設置例如用以根 W(CO)6氣體量而把握其流量之流量計65及其前後之 3 7 c、3 7 d。此外，在流量計6 5之下游側，在配管3 2， 接預流線6 1。該預流線6 1係連接在後面敘述之排氣 44。此外，在預流線6 1，在和配管3 2間之分歧部之正 游，設置閥6 2。在配管3 2、3 4、6 1之周圍，設置加熱 (並未圖示），控制在W(CO)6氣體之並未固化之溫度 例如20〜100°C、最好是25〜60°C。 此外，在配管3 2之途中，透過淸洗氣體配管3 8而 之 室 等 頭 之 之 容 入 管 〇 係 〇 散 刖 據 閥 連 管 下 器 連 -19- 200535997 (16)
Ar 作 膜 體 系 供 應 設 置 質 透 接 連 Ar 作 膜 體 制 接淸洗氣體供應源3 9。淸洗氣體供應源3 9係供應例如 氣體、He氣體、N2氣體等之惰性氣體或H2氣體等，來 爲淸洗氣體。藉由該淸洗氣體而進行配管32之殘留成 氣體之排氣或處理容器2 1內之淸洗。此外，在淸洗氣 配管3 8，設置質量流控制器40及其前後之閥4 1 a、4 1 b < 另一方面，配管8 1之其他端係繫接在氣體供應 80。氣體供應系80係具有：供應SiH4氣體之SiH4氣體 φ 應源82、供應NH3氣體之NH3氣體供應源83以及供 C2H4氣體之C2H4氣體供應源84。在各個氣體供應源82 83、84，分別連接氣體線85、86、87。在氣體線 85 ’ 置質量流控制器88及其前後之閥91，在氣體線86，設 質量流控制器8 9及其前後之閥92，在氣體線8 7，設置 量流控制器90及其前後之閥93。此外，各個氣體線係 過配管8 1而連接在擴散室3 0d。此外，在配管8 1，連 預流線95，該預流線95係連接在後面敘述之排氣管44 • 此外，在預流線95，在和配管8 1間之分歧部之正下游 設置閥9 5 a。 _ 此外，在配管81之途中，透過淸洗氣體配管97而 接淸洗氣體供應源96。淸洗氣體供應源96係供應例如 氣體、He氣體、N2氣體等之惰性氣體或H2氣體等，來 爲淸洗氣體。藉由該淸洗氣體而進行配管8 1之殘留成 氣體之排氣或處理容器2 1內之淸洗。此外，在淸洗氣 配管97，設置質量流控制器98及其前後之閥99。 各個質量流控制器、各個閥及流量計65係藉由控 -20- 200535997 (17) 器6 0而進行控制。藉此而控制載體氣體、W(C 0)6氣體、 SiH4氣體、NH3氣體、C2H4氣體、及淸洗氣體之供應•停 止、以及這些氣體之流量，成爲既定之流量。供應至處理 容器21之氣體擴散室30d之W(C 0)6氣體之流量係根據流 量計65之檢測値，藉由利用質量流控制器3 6，來控制載 體氣體之流量，而控制W(C 0)6氣體之流量。 在前述排氣容器43之側面，透過排氣管44，而連接 φ 包含高速真空幫浦之排氣裝置45。藉由啓動該排氣裝置 45而使得處理容器2 1內之氣體，均勻地排出至排氣容器 43之空間43a內，透過排氣管44而排氣至外部。能夠藉 此而對於處理容器21內，高速地減壓至既定之真空度爲 止。 在處理容器2 1之側壁，設置：用以在和鄰接於成膜 裝置100之搬送室（並未圖示）之間而進行晶圓8之搬出 入之搬出入口 49和開關該搬出入口 49之閘閥50。 # 使用此種成膜裝置之W化合物膜之成膜係藉由以下 之順序而進行。首先，將通過閘閥50成爲打開之搬出入 ^ 口 49而預先在表面形成閘極氧化膜之晶圓8，搬入至處理 容器21內，載置於感受器22上。接著，藉由加熱器25 而加熱感受器22，藉由該熱而加熱晶圓8。此外，藉由排 氣裝置45之真空幫浦而對於處理容器2 1內，進行排氣， 使得處理容器21內之壓力，真空排氣成爲6.7Pa以下。 此時之晶圓8之加熱溫度係最好是100〜600°C。 接著，打開閥37a、37b，在收容固體狀之W(C 0)6原 -21 - 200535997 (18) 料s之W原料容器33，由載體氣體供應源35，來吹入載 體氣體、例如Ar氣體。此外，藉由加熱器3 3 a而加熱 W(CO)6原料S，產生W(CO)6氣體。接著，打開閥37c及 閥6 2，進行使得W (C Ο ) 6氣體通過預流線6 1而排氣之預 流。在既定時間來進行該預流時，穩定W(C 0)6氣體之流 量。接著，關閉閥62，同時，打開閥37d，導入W(CO)6 氣體至配管32，經過氣體導入口 30c而供應至氣體擴散室 φ 30d。此時之處理容器 21內之壓力係最好是 〇.〇1〜 5 0 0Pa。此外，載體氣體係不限定在Ar氣體，也可以使用 其他氣體，使用N2氣體、H2氣體、He氣體等。 另一方面，配合W(CO)6氣體供應至氣體擴散室30d 之供應和時間而供應SiH4氣體、NH3氣體和C2H4氣體中 之至少一種至氣體擴散室3 0d。首先，進行使得企圖供應 之氣體通過預流線95而進行排氣之預流。藉由在既定時 間來進行該預流而穩定該氣體之流量。然後，配合 # W(CO)6氣體供應至氣體擴散室30d之供應和時間而使得 該氣體通過配管81來供應至氣體擴散室30d。 _ 在供應 W(CO)6氣體、以及SiH4氣體、NH3氣體和 C2H4氣體中之至少一種氣體至氣體擴散室30d時，這些氣 體係分別維持在既定之流量。例如控制W(CO)6氣體之流 量成爲0.000 1〜0.5L/min、SiH4氣體之流量成爲0.001〜 lL/min、NH3氣體之流量成爲0.001〜lL/min、C2H4氣 體之流量成爲0.001〜1L/ min之範圍。 供應至體擴散室30d之W(CO)6氣體、以及SiH4氣 -22- 200535997 (19) 體、nh3氣體和C2H4氣體中之至少一種係擴散於擴散室 30d內，由噴灑板30a之氣體噴出孔30b，朝向處理容器 2 1內之晶圓8之表面，均勻地進行供應。藉此而在加熱之 晶圓8之表面，使得W(CO)6熱分解所產生之W和SiH4 氣體、NH3氣體、C2H4氣體之Si、N、C發生反應，形成 要求之W化合物膜。在分別單獨地使用SiH4氣體、NH3 氣體或C2H4氣體之狀態下，分別形成 WSi4、WN4、 Φ WC4。在使用2種以上之氣體之狀態下，形成這些複合化 之組成之化合物。可以藉由控制導入至處理容器2 1內之 氣體種及/或氣體流量、基板溫度、處理容器內壓力等之 成膜條件而任意地改變W化合物膜之組成，能夠控制形 成之 W化合物膜之特性。也就是說，可以藉由使用 W(CO)6氣體、以及SiH4氣體、NH3氣體和C2H4氣體中之 至少一種，控制這些之流量或成膜條件，而控制W化合 物膜之功函數，控制臨限値電壓，同時，可以得到要求之 • 障蔽性。 在形成要求膜厚之W化合物膜之時間點，停止各種 ^ 氣體之供應。然後，由淸洗氣體供應源3 9、96，導入淸洗 氣體至處理容器2 1內，淸洗殘留之成膜氣體，打開閘閥 50，由搬出入口 49來搬出晶圓8。 此外，第5圖之W化合物膜之層積膜構造係使用第7 圖之裝置，藉由以下之順序而形成。首先，以既定之流量 比，來供應W(CO)6氣體、以及SiH4氣體和NH3氣體中之 至少一種氣體，成膜第1層之W化合物膜6a。接著，在 -23- 200535997 (20) 形成既定膜厚之W化合物膜6a之時間點，停止氣體之供 應，進行處理容器內之淸洗。然後，以既定之流量比，來 供應W(CO)6氣體、以及SiH4氣體和NH3氣體中之至少一 種氣體，成膜第2層之W化合物膜（障蔽層）6b。像這 樣，可以藉由在第1層之W化合物膜之成膜時和第2層 之W化合物膜之成膜時，使得導入至處理容器內之氣體 種或各種氣體之流量、基板溫度、處理容器內壓力等之成 'Φ 膜條件呈不同，而在一個處理容器內，連續地成膜組成相 互呈不同之2層之W化合物膜。可以藉此而效率極爲良 好並且不發生氧化等之意外地形成W化合物膜之層積膜 構造。 此外，在前述實施形態，就作爲閘極電極所使用之金 屬化合物膜係使用W(CO)6來成爲金屬羰基而形成包含W 之 W化合物膜之狀態，來進行說明，但是，本發明係並 非限定於此。例如本發明係有效於使用由 w(co)6、 • Ni(CO)4、Co2(CO)6、Ru3(CO)12、Mo(CO)6、Re2(CO)10、 Ta(CO)6、Ti(CO)6所選擇出之至少一種來作爲金屬羰基而 形成包含 W、Ni、Co、Ru、Mo、Re、Ta和 Ti中之至少 _ 一種之金屬化合物膜之狀態。此外，作爲用以藉由 CVD 而形成金屬化合物膜之成膜原料係並無限定在氣體，也可 以是液體原料或固體原料。此外’還就在閘極電極之層積 膜構造來使用P〇iy - si膜之狀態而進行說明，但是，並無 限定在P〇iy - si，也可以是非結晶質矽等之矽膜。 此外，在前述實施形態’就在同一處理室內而形成不 -24- 200535997 (21) 同組成之2層之W化合物膜之層積膜來作爲層積膜之狀 態，進行說明，但是，本發明係並非限定於此。也就是 說，形成於同一處理室內之層積膜係不限定於2層，也可 以是3層以上。此外，層積之複數個膜中之一個以上係可 以是由金屬羰基中之金屬所構成之金屬膜。此種金屬膜係 可以藉由使用在聞極電極而達到其低電阻化。 此外，還在前述實施形態，就使用Si基板來作爲半 導體基板之狀態而進行說明，但是，並非限定於此，也可 以適用在SOI基板等之其他基板。 【圖式簡單說明】 第1圖係用以說明本發明之第1實施形態之半導體裝 置之製造製程之剖面圖。 第2圖係顯示在改變W化合物膜中之Si、N組成比 之狀態下之功函數之變化之圖形。 # 第3圖係用以說明本發明之第2實施形態之半導體裝 置之製造製程之剖面圖。 第4圖係用以說明本發明之第3實施形態之半導體裝 Λ 置之製造製程之剖面圖。 第5圖係用以說明本發明之第4實施形態之半導體裝 置之製造製程之剖面圖。 第6圖係用以說明本發明之第5實施形態之半導體裝 置之製造製程之剖面圖。
第7圖係顯示用以成膜本發明之W化合物膜之CVD -25- 200535997 (22) 成膜裝置之某一例子之剖面圖。 【主要元件符號說明】 S : w(co)6 原料 1 :半導體基板、s i基板 2 :閘極氧化膜 3 :閘極電極
3 a :金屬化合物膜、W化合物膜 4 :閘極電極 4a : W化合物膜 4b :多結晶矽（Poly-Si )膜 5 :閘極電極 5 a : W化合物膜 5b : Poly-Si 膜 6 :閘極電極 6a : W化合物膜 6b : W化合物膜 6c : Poly-Si 膜 7 :閘極電極 7a : W系膜 7b :障蔽層 7c : Poly_Si 膜 晶 圓 1 〇 :雜質擴散區域 -26- 200535997 (23) 2 1 :處理容器 2 1 a :頂壁 21b :底壁 22 :感受器 2 3 :支持構件 24 :導引環圈 2 5 :加熱器
2 6 :加熱器電源 3 0 :噴灑頭 30a :噴灑板 3 0b :氣體噴出孔 30c :氣體導入口 30d :擴散室 3 0e :冷媒流路 3 Of :冷媒供應源 3 2 :配管 3 3 : W原料容器 3 3 a :加熱器 3 4 :載體氣體配管 3 5 :載體氣體供應源 3 6 :質量流控制器 3 7a :閥 37b ：閥 3 7c :閥 -27 200535997 (24) 3 7d :閥 3 8 :淸洗氣體配管 3 9 :淸洗氣體供應源 40 :質量流控制器 4 1 a :閥 41b :閥 4 2 :圓形開口部
43 :排氣容器 4 3 a :空間 44 :排氣管 45 :排氣裝置 46 :晶圓支持銷 4 7 :指示板 48 :驅動機構 49 :搬出入口 5 0 :閘閥 6 0 :控制器 61 :預流線、配管 6 2 ··閥 6 5 :流量計 80 :氣體供應系 81 :配管 82 : SiH4氣體供應源 83 : NH3氣體供應源 -28 200535997 (25) 8 4 : C 2 Η 4氣體供應源 8 5 :氣體線 8 6 :氣體線 8 7 :氣體線 8 8 :質量流控制器 89 :質量控制器 90 :質量流控制器
92 :閥 93 :閥 95 :預流線 95a :閥 96 :淸洗氣體供應源 97 :淸洗氣體配管 9 8 :質量流控制器 99 :閥 1〇〇 :成膜裝置 -29

Claims (1)

  1. 200535997 (1) 十、申請專利範圍 1. 一種半導體裝置，其特徵爲：具備： 半導體基板； 閘極絕緣膜，係形成於該基板上；以及， 閘極電極，係具有形成於該絕緣膜上之金屬化合物 膜；此外， 前述閘極電極之金屬化合物膜係藉由使用含有金屬羰 φ 基之原料和含有si之原料、含有N之原料及含有c之原 料中之至少1種之CVD而形成，包含前述金屬羰基中之 金屬和Si、N及C中之至少1種。 2 ·如申請專利範圍第1項所記載之半導體裝置，其 中，構成前述金屬羰基之金屬係由 W、Ni、Co、Ru、 Mo、Re、Ta及Ti所構成之群組而選擇出。 3 ·如申請專利範圍第1項所記載之半導體裝置，其 中，前述金屬羰基係W(CO)6。 # 4.如申請專利範圍第1項所記載之半導體裝置，其 中，含有前述Si之原料係由矽烷、二矽烷及二氯代矽烷 ^ 所構成之群組而選擇出。 5 .如申請專利範圍第1項所記載之半導體裝置，其 中，含有前述N之原料係由氨及單甲基 所構成之群組而 選擇出。 6.如申請專利範圍第1項所記載之半導體裝置，其 中，含有前述C之原料係由乙烯、烯丙基醇、甲酸及四氫 化呋喃所構成之群組而選擇出。 -30- 200535997 (2) 7 ·如申請專利範圍第1項所記載之半導體裝置 中，在前述金屬化合物膜，導入η型雜質或p型雜質 8 ·如申請專利範圍第1項所記載之半導體裝置 中，前述閘極電極係還具有形成於前述金屬化合物膜 砂膜。 9·如申請專利範圍第8項所記載之半導體裝置 中，前述閘極電極係還具有形成於前述金屬化合物膜 φ 述矽膜之間之障蔽層，該障蔽層係藉由使用含有金屬 之原料和含有Ν之原料及含有C之原料中之至少1 CVD而形成，由包含前述金屬羰基中之金屬和Ν及 之至少1種之金屬化合物所構成。 10. —種半導體裝置，其特徵爲：具備： 半導體基板； 閘極絕緣膜，係形成於該基板上；以及， 閘極電極，係形成於該絕緣膜上；此外， ® 前述閘極電極係具有： 含金屬導電層； - 障蔽層，係形成於該導電層上；以及， ^ 矽膜，係形成於該障蔽層上；此外， 前述障蔽層係使用含有金屬羰基之原料和含有Ν 料及含有C之原料中之至少1種而形成，由包含前述 羰基中之金屬和Ν及C中之至少1種之金屬化合物 成。 η ·如申請專利範圍第1 〇項所記載之半導體裝置 ，其 D ，其 上之 ，其 和前 羰基 種之 C中 之原 金屬 所構 ，其 -31 - 200535997 (3) 中，構成前述金屬羰基之金屬係由 W、Ni、Co、Ru、 Mo、Re、Ta及Ti所構成之群組而選擇出。 1 2 .如申請專利範圍第1 〇項所記載之半導體裝置，其 中，前述金屬碳基係W(C0)6。 1 3 .如申請專利範圍第1 0項所記載之半導體裝置，其 中，含有前述N之原料係由氨及單甲基 所構成之群組而 選擇出。 1 4 ·如申請專利範圍第1 0項所記載之半導體裝置，其 中，含有前述C之原料係由乙烯、烯丙基醇、甲酸及四氫 化呋喃所構成之群組而選擇出。
    -32-
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