TW200535218A - Polishing composition and polishing method - Google Patents

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Yasuyuki Yamato
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Description

200535218 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明關於一種研磨用組成物，用在如形成電路板之 半導體線之研磨’以及使用此研磨組成物之研磨方法。 【先前技術】 近年來伴隨LSIs的高速化及高積體化，因此需要具 有^功能及咼性能以固定1C、電晶體及相似者的電路板， 如半導體封裝基板。在鑲後(damascene)結構的製程中，化 學機械研磨(CMP)技術已成為形成電路板的導線的主要方 法。在形成導線的例子中，首先形成具有溝渠、導電層之 ^月J區域，使得溝渠以導電層填充。之後，在溝渠外‘部 U電層以研磨方式移除，使得在鄰近溝渠間的樹脂區域 二露出來，而在溝渠内的至少一部份導電層仍在樹脂區 域，此部分的導電層可作為導線之用。 在曰本特開平專利公告號2003-257910中揭示應用於 =Ξ成導線的一種研磨用組成物。此研磨用組：物包 3研磨料、銅螫合(chelating)劑、銅蝕刻劑及氧化劑。 為了增加研磨效率以形成導線，不僅要增加導 ===量(導電層的研磨速率），也需要增加樹月0旨區 二母&寸間的研磨量(樹脂區域的研磨速率）。然而， 號2。。3·25791。所揭示者，僅能對導電 i ，對於樹脂區域的卻無法有高的移除速 辦加導用組成物用於研細形成導線時，可以 難以增^I、^速率’但是對於樹脂區域的研磨速率卻
40NDA/05005TW/FUJIMI 200535218 【發明内容】 道帝明之一目的在於提供一種研磨用組成物，可增加 v电層的研磨速率及樹脂區域的研磨速率。
為了達到前述的目的及其他目的，及根據本發明之咅、 圖而^供—種研磨用組成物。此研磨用組成物包含氧& t稷t舰氧蝴。此研磨肋成物祕研磨包含具有 ΐίϊ樹脂區域及導電層之物體，其中在樹脂區域提供此 V電層，使得至少一部份的溝渠以導電層填充。 本發明亦提供一種研磨方法。此方法包含提供一種研 爲用組成物，且以本發明之研磨方法研磨具有溝渠及導電 層之物體，其中在樹脂區域提供此導電層，使得至少一部 伤的溝渠以導電層填充。 藉由下面的說明伴隨圖式，及本發明之原理的例示， 本發明之其他方面及優點將變得顯而易見。 【實施方式】 參考圖1及圖2以說明本發明之一實施例。 首先’將解釋形成電路板之導線14之方法。 如圖1所揭示，在形成導線14中，先在絕緣樹脂層 11(樹脂區域)上形成導電層13，其中此絕緣樹脂層U被提 供於基材10上且具有溝渠12。基材1〇舉例來說由陶瓷或 ，屬所組成，樹脂層11可能由玻璃環氧樹脂、聚亞醯胺 樹脂、紙環氧樹脂(paper epoxy resin)及電木樹脂(Bakelite resin)之一所形成。舉例來說，藉由習知微影及圖案化蝕刻 技術形成具有預定設計圖案的溝渠丨2。導電層13形成於 知十月曰層11上以至少填滿溝渠12。藉由如pvD、CVD或電
40NDA/05005TW/FUJIMI 6
以改善導電層13及樹脂層11之研磨速率的觀點言 之’在研磨驗成财的氧化練佳為G1質量 ， 或更多，尤佳為5質量％或更多厂最佳為 、貝里/〇或更夕。另一方面，以改善研磨用組成物中每一 ^分的分散度及溶解度的觀點而言，氧化鋁較佳為50質 里/〇或更父’更佳為30質量％或更少，最佳為2〇質量％ 或更少。 200535218 鑛形成導電層l3，且導電層13由 銅紹合金及銅鈦合金，所組成。轴的材科，如銅、 之後，在溝渠12之外、至少一部份的導+ ί ，部分樹脂層11暴露。藉此，在12内 =-部份的導電層13仍然在樹脂區 =面=，:14。如圖2所示補 I暴露出來。導線14的暴露頂表面及 娩曰θ月平且^平滑。藉由研磨步驟以執行供形成導 =4之研磨。根據此實補，研剌組成物包化銘、 複a，、氧化劑及水，且應用在形成導線14之研磨中。 研磨用組成物中的氧化鋁具有將欲研磨之物體機 能。可藉由熱處理氫_後，將 ，而k養驗成物巾的氧脑，補驗成物中的氧 也或可I疋膠狀氧化結或燒結過的氧化㉟，研磨用组 成物也可能具有兩種不同型式的氧化鋁。 、’ 、當使用於研磨用組成物的氧化鋁不是燒結過的氧化 ，或，狀氧她’以改善樹脂層η之研磨速率的觀點而 言，氧化鋁平均顆粒(以電阻方法(coulter方法)測得)較佳 為〇·1μιη或更多，更佳為1μπι或更多。另一方面，以抑 制研磨期間產生的刮傷(線性裂缝)的觀點而言，氧化鋁平
40NDA/05005TW/FUJIMI 200535218 電阻方法(coulter方法〕測得〕較佳為％脾或更 乂，更佳為ΙΟμηι或更少。 或膠騎磨Λ組祕魄她械結氧化鋁 ^ 、呂’以？ 口樹脂層11 磨速率的觀點而言， ，，均_(以雷射繞射方法測得)較佳為α_或更 方面’以抑制研磨綱產生的刮傷的觀點而言， :化t呂平均顆粒(以雷射繞射方法測得)較佳為1〇解或更 ’更佳為Ιμιη或更少。
研磨驗成物之複合由研料騎13及加強導 ，層13之研磨’以捕捉(catching)研磨用組成物產生的金 屬。研磨用組成物中之複合劑可能至少選自下列之一化合 物^如草酸(oxalic acid)、檸檬酸_c add)、號珀酸(篇响 aci )、順丁烯二酸(maldc add)及酒石酸㈣aric &⑽之有 機酸i甘胺酸(glycine)、丙胺酸(細㈣之霜基酸；乙二 胺一乙四胺之多價胺類；氨水及铵鹽。雖然較佳之複合 劑可依導電層13之材料類型而變，α胺基酸〔氨水或銨鹽 因其在研磨由銅組成的導電層U時，可有效加強銅研磨， 因此為較佳之選擇。 當只有氨水及鋁鹽之至少一組合物被選為研磨用組 合物之複合辦，則在導電層丨3之表面可能產生腐蚀， 此將視複合躺内容物而定。再者，'只知胺基酸被選為 研磨用組合物之複合劑時，相對於僅氨水及鋁鹽之至少一 組合物^遥為研磨用組合物之複合劑而言，研磨銅之速率 不會變％比較快，而研磨速率視複合劑的内容物而定。因 此，$了避免，電層13之腐蝕，且兼具改善銅研磨的速 率，較佳為從氨水及鋁鹽中至少選出一化合物，並將之與 α月女基酸一同用來作為研磨用組合物之複合劑。
40NDA/05005TW/FUJIMI 8 200535218 對於作為α胺基酸的範例可為甘胺酸(glycine)、精胺酸 丙胺酸(alanine)、纈胺酸(valine)、白胺酸(leucine)、異白胺 酸（isoleucine)、異白胺基酸（alloisoleucine)、絲胺酸 (serine)、穌胺酸(threonine)、別經丁氨酸(allothreonine)、 半胱胺酸(cysteine)、曱硫胺酸(methionine)、苯丙胺酸
(phenylalanine)、色胺酸(tryptophan)、酿胺酸(tyrosin)、胱 胺酸(cystine)之中性胺基酸；麵胺酸(glutamic acid)、天門 冬氨酸(aspartic acid)之酸性胺基酸；組胺酸(histidine)及精 胺酸(arginine)之驗性胺基酸。至少從當中選出一化合物來 使用。尤其是為了方便採講且使導電層13之研磨速率能 充分的改善，較佳為氨基乙酸及丙氨酸，更佳為氨基乙 酸。α胺基酸可為左旋鏡像異構物或右旋鏡像異構物之 一。當導電層13由銅所組成，從改善銅的研磨速率的觀 點而言，在研磨用組成物中的以胺基酸較佳為〇〇1質量％ ，更多，更佳為0.1質量％或更多。另一方面，從成本效 盈的觀點而言，α胺基酸較佳為20質量。/❻或更少，更佳為 1〇質夏％或更少。 ，於作為無機酸之錄鹽的範例可為碳酸錢、碳酸氮 Ϊ可η、硝酸銨、硫酸銨及氣化銨;作為有機酸之銨 卓H摔樣酸錢、號#酸錢及酒石 二交;!，因此，磨用組合物中之複 研二率虚13 *銅所組成’從改善銅的 另一方 面’從抑制導電層13之腐蝕的顴：二^ W質量%或更少，更佳為5質量以：内谷物較佳為 ^為1質量％或更多Ϊ
4〇NDA/〇5〇〇5TW/FUJ，MI 200535218 研磨用組合物中之氧化劑藉由化學研磨的方式以加 強研磨導電層13。研磨用組合物中之氧化劑可能從下列化 合物中至少選出一種：過硫酸(persul也ricacid)、過氣酸、 過醋，、過曱酸、硝酸及其鹽類及過氧化物。其中，較佳 為過氧化物，這是因為使用過氧化物僅會有一點金屬殘留 物且價錢便宜、易於取得。
從改善導電層13之研磨速率的觀點而言，研磨用組 成物中氧化劑的内容物較佳為為〇〇1質量％或更多，更佳 /為0.1 1量％或更多，尤佳為〇·3質量％或更多。另一方面， 從成本效益而言，氧化劑的内容物較佳為1〇質量％或更 少，更佳為6質量❻/〇或更少，尤佳為3質量％或更少。 研磨用組成物巾的水作為·用組·之分散或溶 ，分的媒介。在研磨驗成物中的水含量儘可能:口' ^ 少里的不純物，以不妨礙研磨用組成物中每種成分的作 用，較佳為去離子水、超純水或蒸餾水。 播」之研磨速率的觀點而言’研磨組成物之PH 為7或更大’更佳為8·5或更多，尤佳為9或更多。 ^為小於12，更佳為小於115 ,尤佳為小於η。再者， ▲研磨組成物包含從氨水及銨財所選取之至少一化人 ，奴之複合細容較; 介叙明之一實施例，為了抑制在研磨組成物之氧 、水集及增加再分散性(redispersibilit力，可能將 2液加人研磨驗成物中’以作為聚集抑糊。化 =溶液加人肋祕巾，目為在哺敎成物 放成膠體的氧她水溶液之_，可能抑繼生Hi
40NDA/05005TW/FUJIMI 200535218
鋁的聚集。若產生硬塊，將成為氧化鋁再分散性較低的原 因’而軋化銘的聚集將造成待磨物體的刮傷。可能藉由分 散氧化鋁水合物，如在水溶液酸中之水鋁礦(b〇ehmite)、假 f，礦、水紹石（diaspore)、三水氧化銘(gibbsite)及晶‘ 氫氧化链(bayerite)或膠狀氫氧化鋁，以獲得氧化紹水溶 ，其中從水溶液酸中分散的水銘礦或假水銘礦所獲得之 氧化鋁水溶液為佳。從抑制氧化鋁聚集的觀點而言^研磨 用組成物中氧化鋁水溶液較佳為為〇 〇5質量％或更多， 佳為〇·1質量％或更多，尤佳為〇·5質量％或更多。另一方 f，從2加每—成分在研磨驗成物之分散度及溶解度的 硯點而言，氧化鋁水溶液較佳為為5質量％或更少， 為3質量％或更少，尤佳為2質量％或更少。 當使職據本發日狀-實關之研磨用域物 :巧形成導線14時，導電層13及樹脂層u藉㈣磨
Hi =化18之作用，在高的堆疊移除速率下機械研 為複合劑的加強作用，其捕捉因研料電層13所 ί^ί^ί餘成射之金屬，且複合継有化學研磨， ίίίίίΓ3之研磨在高的堆疊移除速率下進行。因此， Ξίί 顧喊物，可能增加導電層13之研磨 研磨速率’且供形成導線14的研磨效 綠，者所知的是残縣發明之精神及範 :發明； 儲存研磨用組成物可能將氧化劑與其他成分分開儲
40NDA/05005TW/FUJIMI 11 200535218 存，而在此例中，將氧化劑與其他成分混合後，才可提供 研^用組成物以供制，#此，可避免儲存綱氧化劑在 研磨用組成物中分解。 可將已知之添加劑，如介面劑、增稠劑、乳化劑、防 鏽劑、保存劑、抗菌劑、止泡劑及pH調節劑加入研磨用 組成物中。 導電層13可能被提供於樹脂基材(樹 非提供於基材10上的樹脂層n之上。1刀）上而 下面將描述根據本發明之範例及對照之範例。 每「研磨料、複合劑、氧化劑及氧化銘水溶液將依需 要^水混合’以製備根據本發明之範例[22之範例及對照 之範例1_8。在每一研磨用組成物中的研磨料、複合劑了 氧化劑及氧她水溶液騎於表丨巾，㈤時，研磨用組成 用之pH測量值分別顯示於表i中。在表每一 容的單位為質量％。
40NDA/05005TW/FUJIMI 12 200535218 表1
硏磨料 第一復合劑 第二複合劑 氧化劑 氧化鋁 溶液 pH 種輯 錄 種類. 含里 mm 錄 讎 含童 範例1 A3 20 G 0.2 NHj 2 HA 1 1.5 10.1 範例2 A3 15 Q 0.2 NHs 2 1 L5 10.1 範祕 A3 7 G 0.2 職 2 H?02 1 L5 10.1 醜 A1 15 G 0.2 NH? 2 h202 1 1.5* 10.1 ms A2 15 G 0.2 nh3 2 祕 1 1.5 10.1 範例6 CA 15 G 0·之 m 2 HA 1 L5 10.1 咖 FA 15 G 0*2 碼 2 H^pz 1. 1.5 10.1 酬 A3 15 0 0.01 nh3 2 HA 1 IS 10.1 mm A3 15 G 3 叫 2 HA I 1.5 10.1 輸10 A3 IS - 2 1 1.5 10:1 mu A3 1 15 A 0.2 2 H2〇i 1 is 10.1 m\i A3 15 ύ 0.2 0.1 1 1.5 9.2 咖3 A3 X5 Q 0.2 5 躺 i ί>5 10.9 顧14 A3 15 G 0.2 ,T 喃 1 1,5 13 m\s A3 15 G 0.2 NH? 2 _ 0.1 1.5 ια.ι 酬:6 A3 15 G oa nh3 2 HiOi D*2 1.5 10.1 魏7 A3 15 G 02 nh3 % H2O2 M L5 10.1 峨8 A3 15 G m NHj 2 H202 5 U 104 A3 15 G 0.2 聰3 2 APS 1 1.5 mi 範例20 A3 15 G 0.2 nh3 2 H2〇2 1 — 10.1 細2i A3 15 G 0.2 NHi 2 . H202 1 0.015 10,1 mm2 A3 15 Gf 0*2 NH3 2 H2〇2 1 0J5 10.1 A3 0.5 G m 耶？ 2 峨 i 1,5 141 c._ A3 3 G m NH? 2 HA 1 1.5 10.1 e.翻3 ύ 0.2 KH3 2 H2O3 1 U m c.麵4 CS η Q m 骑 1 瞒 1 1.5 10.1 α咖5 η 15 G m nh3 2 Η2〇ί 1 U· 10,1 ά賴6 A3 15 - - H2〇2 1 1.5 7.3 C.麵7 A3 15 .-. • 1.5 13 C.棚8 m 15 (3 1 0.2 KHi 1 % - 1.5 ion
40NDA/05005TW/FUJIMI 13 200535218 ㈣f中欄位’，研磨料，，中，’，A1，，表示具有平均顆粒直 ^為1·3μιη的氧化鋁，”A2”表示具有平均顆粒直徑 的概，，，A3”表示具有平均顆粒餘為5.5卿的 ，化銘’ ”CA”表示具有平均顆粒直徑$ 〇 〇5μιη的膠 ^呂’ FA表不具有平均顆粒直徑為〇·2μιη的燒結過 、呂，cs表示具有平均顆粒直徑為〇.〇7)Lim的膠狀二 ^匕矽，FS表不具有平均顆粒直徑為〇·2μιη的燒結 氧化石夕。 —
制、主氧化鋁之平均顆粒直徑係使用Beckman c〇ulter公司 衣造之Coulter Multisizer，以電阻方法所測得，而膠狀氧 化鋁、燒結過的氧化鋁、膠狀二氧化鋁及燒結過的二氧化 鋁之平均顆粒直徑係使用Beckman c〇ulter公司製造之 進階次微米顆粒大小測定器(N4 pius SubmiaOn Partide Sizer) ’以雷射繞射方法所測得。 一在表1中攔位”第一複合劑，，及，，第二複合劑，，中，，，G，， 表示甘胺酸，”A”表示丙胺酸，”麗3，，表示氨水。 #在表1中攔位”氧化劑，，中，，，H2〇2，，表示過氧化 氫，”APS”表示硫酸銨。 、分別使用根據範例1-22及對照的範例ι_8之的研磨用 組成物及下列研磨條件，將銅毯覆晶圓及環氧樹脂毯覆晶 圓研磨1分鐘。依下列公式可得銅的研磨速率及環氧樹脂 的研，速率，其結果揭示於表2之攔位，，研磨速率，，中，再 者，，一銅毯覆晶圓具有以電鍍方法形成於8吋矽晶圓上 之銅薄膜，每一環氧樹脂毯覆晶圓具有以旋轉塗佈形成於 8寸石夕曰曰圓上之薄膜，此薄膜由環氧樹脂(Ajin〇m〇t〇 公司之ABF)組成。 <研磨條件>
40NDA/05005TW/FUJIMI 14 200535218 研磨裝置：單面CMP研磨機器，”ARW”由MAT公 司所製造。 研磨墊：多層研磨墊，，IC-1000/Suba400，，由聚氨酉旨 (Polyurethane)所組成，由R〇dai公司所製造。 研磨壓力：28kPa(約6psi)。 壓盤之轉動速率：90/min。 研磨用組成物之給料速率··
支撐晶圓之載體轉動速率：95/min。 〈鋼之研磨速率之公式> 銅之研磨速率(pm/minh(研磨前銅毯覆晶圓之厚度 μΐη>研磨後銅毯覆晶圓之厚度(μπι))/研磨時間(min) 曰再者，研磨前銅毯覆晶圓之厚度及研磨後銅毯覆晶圓 之尽度係使用片電阻測量儀器（由K〇kusai電子系統服務 公司所製造之，，VR-120，，)測量。 <環氧樹脂之研磨速率之公式> 曰環氧樹脂之研磨速率(μηι/minH研磨前環氧樹脂毯覆 ，圓之重量(g)-研磨後環氧樹脂毯覆晶圓之重量(g))/環氧 =的比重(gWy環氧樹脂毯覆晶圓之研磨面積(啦2)/研 磨日π間(min) 圖案化晶圓係具有一銅導電層於一樹脂層上，樹脂声 乃由環氧難所魏且具有-些鮮。這些鞞之 ίίϊ 及寬ί85μηι⑽渠，另—為具魏度20叩 及寬度300μιη的溝渠，且另一為具有深度 及 5〇(Vm的溝渠。此圖案化晶圓使用根據範例Q 對= =例1-8(C.範例之研磨驗成物，及以上述之^ i卞件所研磨，直到相鄰溝渠_每—樹脂之頂面部分= 出來。將頂面部分暴露出來所需的時間係揭示於表2 ^閣
40NDA/05005TW/FUJIMI 15 200535218 位’’移除時間”中。 使用根據範例1-22及對照的範例l-8(C·範例1-8)之研 磨用組成物研磨圖案化晶圓，在形成溝渠寬度為85μηι的 區域(W85)、形成溝渠寬度為3〇〇μηι的區域(W300)及形成 溝渠寬度為500μπι的區域(W500)測量盤凹(dishing)深度， 其結果揭示於表2中攔位，，盤凹深度”。測量盤凹深度之執 行係使用輪廓描繪儀(ρΓ〇ί!16Γ)”ΗΚΡ340，，，其為接觸式表面 測里裝置，由KLA_Tencor公司所製造。再者，盤凹深度
正值(plus value)表示位在溝渠中的導電層部分是扁平的， 盤凹深度負值(minus value)表示位在溝渠中的導電層部分 是突出的。 =磨料的再分散性係由以下所評估：將範例丨_22及對 照的範例1-8(C·範例1-8)之研磨用組成物置於聚丙烯所製 成的气中’放置1〇天。因此，當其被評價為” E，，(ExceH賊 傑出)係放置10天後無沉澱或即使有沉澱，但是經搖晃工 分鐘後沉澱分散。被評價為”G，，(G〇〇d，良好），係^ 搖^ 1-10分鐘，沉澱分散。被評價為”D”，係當搖晃川 分鐘或大於10分鐘，沉澱未分散。此結果 ^
攔位，，再分散性”。 衣z Y
40NDA/05005TW/FUJIMI 16 200535218 表2
硏磨速率Um/min] 移除時間[sec] 盤凹深度〇m] 再分散性 銅 環氣樹脂 W300 W500 Ms mm 5.2 6.7 150 -D.5 -0.7 -0.7 E mm 7.1 6.2 120 0.4 -03 E 範例3 5:2 2.1 150 1.5 1.8 1.3 E mm 5.1 3.7 150 0.3 0.3 0.3 E mis 6:2 5 150 (K8 1.0 1.1 E me 6.5 4.5 150 ).〇 0.S 0.8 E 範例7 6；7 5 150、 1.2 LO 0.9 E _ 5.0 62 150 4S -0.5 -0.3 E 滴例夕 ik 6.2 120 0.4 0.3 E mm 5.2 6,2 150 -0.6 -0Λ -0.5 E 聊 5.3 5.9 150 -0.7 祉 r〇,6 E _Π2 4.2 6jI m •1 ;0 •0.S ;li0 i im 13 6.6 6:2 150 A5 0；5 0.3 E _4 4.1 6.2 180 -0.9 -u E 侧15 3：1 m .180 -1.5 -1.7 4.5 t 祕16 4.2 6.2 180 »L1 -0.8 -0·? ..B mm 5,4 6.2 150 -0；8 -0.9 E 細18 5.3 6.2 150 -03 -0,6 r〇,6 H 麵19 3.1 M 180 -1.6 4.5 E mm 6.9 5.9 120 0.5 •0.3 r〇3 D mm it 6,2 t20 0.4 -03 -0.3 G mm 22 7.1 6.2 120 0,4 -0.3 43 G cmm 4；8 0、 150 4.7 ΑΛ 4;8 E 5.0 ,0 150 5.1 4,6 4.5 )B c：Mm ：23 0 m 3.5 3.3 2.8 E έ_4 ..4.7.., 0.2 150 5.1 4.6 4.5 E c·咖 4;5 0.3 150 4.8 4.1 知 E eMme 0.6 6:2 ISO ‘3.3 -3.8 -4.3 E Q臟7 ] 0.9 64 240 -15 ,4.2 E 1,4 ¢.2 150 4.5 -2 .¾. E
40NDA/05005TW/FUJIMI 17 200535218 如表2所揭示，在範例丨_22，銅的研磨速率是高的， 即3β〇μηι/ηώι或更高，且環氧樹脂的研磨速率也是高的， 即ΖΟμπι/ηϋη或更高。另一方面，在對照的範例^8(c•範 例1_8) ’銅的研磨速率小於3 〇Jlm/min，環氧樹脂的研磨 速率小於2·0μιη/πώι。在對照的範例uf ·範例中 磨速率較低的原因是對照的範例1-2((：·範例1-2)中氧化銘 =量較低。再者，在對照的範例3_8(c•範例岣 ，率較低的原岐其未包含至少―研磨料、—複合 氧化劑。 為了獲得移料盤凹深度的適#結果，從範 〜之結果可知氧化錄佳的設定為含量約15質量％，從 ，例2、8及9的結果可知α胺基酸較佳 …的結果可知氨水較佳。 二酸及氨水作為複合劑可從範例13 =4传知結果，魏例2、15幻8的結果可知氧 1 f量％。從範例2及11的結果證實，當^ 用2^glycine)作為複合劑時，特別強化' it 5 "4 疋马1·5貝里/〇或更多g寸，再分散度特佳。 可依據本=»^^ 【圖式簡單說明】 可獲的說明’伴隨其圖式、優點將 法，圖====根據本發明之—實施例之研磨方 40NDA/05005TW/FUJIM! 18 200535218 【主要元件符號說明】 10基材 11絕緣樹脂層 12溝渠 13導電層 14導線 40NDA/05005TW/FUJIMI 19

Claims (1)

  1. 200535218 十、申請專利範圍： 1· -種研剌組成物，驗研磨—物體的—制上，該物體 包含-樹脂區域及-導電層，該樹脂區域具有__溝渠，該 導電層被提供於職脂區域上，使得至少該溝渠被該導電 層填充，該研磨用組成物之特徵在魏化鄉lumina)、一複 合劑及一氧化劑。 2.如請求項1所述之研磨驗餘，舰在於翊脂區域為 被提供於一基材上的一樹脂層。 3·如請求項1所述之研磨用組成物，特徵在於該複合劑為至 少選自CX胺基酸、氨水及一錄鹽之一化合物。 4·如請求項1所述之研磨用組成物，特徵在於該複合劑為〇6胺 基酸及至少選自氨水及一錢鹽之一化合物。 5·如請求項4所述之研磨用組成物，特徵在於在該研磨用組 成物中α胺基酸之含量為〇·〇ι至20質量％。 6·如請求項4所述之研磨用組成物，特徵在於在該研磨用組 20 40NDA/05005TW/FUJIMI 200535218 量％ 成物中氨水及一銨鹽之總量為〇」至1〇質 7·如任一請求項1至6 在於氧化鋁溶液。 所述之研磨用組成物，進一步的特徵 8. 一種根據任一請求項1至6所述之研磨用組成物，其中該 研磨用組成物之pH為7或更大。 μ 9· 一種研磨方法，特徵在於·· 製備根據任-請求項1至6所述之—種研磨驗成物；以 及 使用該製備的研磨用組成物以研磨該物體。
    40NDA/05005TW/FUJIMI 21
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