TW200532786A - Wafer transcription method - Google Patents
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Description
200532786 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關一種將經由黏著薄片而被固定於框體的 附加框體之半導體晶圓(以下簡稱「晶圓」),轉印至固 定於其他框體之狀態的晶圓之轉印方法。 【先前技術】 Φ 例如針對電子產業或光學產業之半導體裝置的製造工 程中,於晶圓表面形成特定之電路圖案後,爲了使該晶圓 之厚度薄且平均,或爲了去除電路形成時所產生之氧化膜 ,係將晶圓之背面加以硏磨(背向硏磨),之後將晶圓切 割爲各個電路而製造出期望之半導體晶片(以下簡稱「晶 片」)。然後,於之後之撿料工程將晶片撿料,將此撿料 後之晶片於其次的打線(die bonding)工程中打銲於導線 框等基台,再經過之後的塑型(molding )等工程而製造 φ 出期望之半導體裝置。 然而,近年來半導體裝置係要求極度薄片化,在此狀 況下,將極薄化後又未單片化(晶片化)之晶圓加以無破 壞的搬運,或是進行切割等加工,係有困難。 因此,爲了可不對晶圓施加物理力量等而將該晶圓單 片化,而相當期待一種隱密切割(Stealth Dicing註冊商 標)之切割方法,來對應極薄化之晶圓。 隱密切割係於晶圓內部對準焦點而照射雷射光線,將 焦點形成改質且脆弱化的範圍,使的照射雷射光線之焦點 -5- 200532786 (2) 的軌跡成爲起點,而切斷晶圓的方法(例如參考專利文件 1 )。進行了隱密切割之晶圓,僅需施加極小的力量來單 純切割被改質之範圍,而不會於其他部分發生不必要之破 裂。故,比起以物理力量進行之通常切割法,更適合極薄 化晶圓之加工。 但是,即使以隱密切割進行加工,爲了進行之後的晶 圓搬運等處理,係必須不直接碰觸晶圓(晶片)地,做爲 Φ 經由黏著薄片而固定於環狀框體的工件狀態。 然而,進行隱密切割時,係使焦點不偏移地,避開電 路面或黏著薄片般材質與晶圓本體不同的層,而進行雷射 光線照射者爲佳。故,黏著薄片係被黏合在電路面側,而 由晶圓之背面(硏磨面)進行雷射光線之照射。 〔專利文件1〕日本專利第3 408 8 05號公報 【發明內容】 φ 發明所欲解決之課題 但是,將晶片撿料時,常用之撿料裝置之晶片辨識裝 置,係由工件之上側以攝相機檢測出電路,來辨識晶片之 位置,故電路面黏合有黏著薄片之工件係無法辨識晶片之 正確位置關係。又,因要對電路面進行晶片之推起,故有 多少對電路造成損傷的問題。 本發明係有鑑於上述問題,其目的爲提供一種由黏著 薄片被黏合於晶圓電路面之工件的狀態,轉印至晶圓背面 黏合有黏著薄片之工件的狀態,而可使用常用之撿料裝置 -6- 200532786 (3) 進行撿料的,晶圓之轉印方法。尤其本發明,其目的係提 供一種可由固定有以進行隱密切割之晶圓(晶片)的工件 ’以通常方法進行晶片撿料的晶圓之轉印方法。 用以解決課題之手段 爲達成上述目的,申請專利範圍第1項所記載之發明 ,係將電路面側經由第1黏著薄片而被固定在環狀之第1 B 框體的晶圓,轉印至電路面側之反對側經由第2黏著薄片 而被固定在第2框體的狀態的,附加框體之晶圓之轉印方 法;其特徵係將被固定於上述第1框體之晶圓,於直徑較 該晶圓直徑爲大而較第1框體內徑爲小的轉印桌台上,以 上述第1黏著薄片在下而接觸後,取下上述第1框體;在 該狀態下於上述晶圓上方,配置黏合有第2黏著薄片之第 2框體,將第2黏著薄片黏合於上述晶圓之後,再將上述 第1黏著薄片自上述晶圓剝除,而將晶圓轉印至第2框體 φ 側。 申請專利範圍第2項所記載之發明,係針對申請專利 範圍第1項所記載之發明,其中,上述晶圓,係切割線藉 由雷射光線照射,而被改質且脆弱化之晶圓者。 發明效果 若依發明之晶圓轉印方法,則黏著薄片被黏合於晶圓 電路面的工件,會被轉印爲黏著薄片被黏合於晶圓背面的 一般工件狀態,而可使用常用之撿料裝置進行晶片之撿料 200532786 (4) 。尤其若依本發明之晶圓轉印方法,因亦可以進行了隱密 切割之晶圓(晶片)其搬運或固定的工件,做爲對象’故 可更簡單的進行極薄化之晶圓(晶片)的搬運或加工。 【實施方式】 以下根據附加圖示,說明本發明之實施方式。 第1圖〜第7圖,係依該工程順序表示本發明方法的 側剖面圖。 第1圖係表示第1工件W1之構成者,該第1工件 W 1,係將自背面被隱密切割的晶圓1,經由第1黏著薄片 2而與環狀之第1框體3 —體化所構成。 在此,上述晶圓1係以第9圖所示之硏磨工程來硏磨 背面,而被極薄化。然後第1工件W1,係將第1黏著薄 片2黏合於被極薄化之晶圓1的電路面側,並黏合於被配 置在晶圓1周圍的環狀第1框體3,而構成之。此狀態下 ’晶圓1係電路面朝下而逆鑲嵌於第1黏著薄片上;接著 ,使用未圖示之隱密切割裝置,由背面(硏磨面)沿著切 割線照射雷射光線。如此一來,切割線會因雷射光線之照 射而改質且脆弱化,晶圓1則成爲可以極小之力量分割出 晶片1 a的狀態。 接著,本發明中係如第2圖所示,將第1圖所示之第 1工件W1 ’以第1黏著薄片2朝下,而放置在轉印桌台5 上。另外,轉印桌台5亦可設置未圖示之吸附固定手段。 在此,轉印桌台5之直徑,係設定爲較晶圓i之直徑 -8- 200532786 (5) 大且較第1框體3之內徑小。 其次由第2圖所示之狀態,將第1框體3如第3圖所 示般’沿著轉印桌台5之外緣取下。此第1框體3之取下 ,係爲了於後述轉印工程中,防止其他的第2黏著薄片7 黏合於第1黏著薄片2。另外,取下第1框體3時,上述 真空吸附手段係在關閉狀態。 接著本實施方式中,增加第1框體3之取下量,使隱 密切割造成脆弱化的晶圓1之切割線容易斷裂(breaking ),而單片化爲複數晶片1 a (參考第3圖)。如此將第1 框體3取下而將晶圓1單片化爲晶片1 a的同時,晶片1 a 之間的空隙會被擴張,而可省略之後撿料裝置的擴張工程 〇 之後如第4圖所示,於晶圓1 (被單片化之複數晶片 la)的上方,設置一週邊黏合有第2黏著薄片7的第2框 體6,再如第5圖所示,使第2黏著薄片7不接觸晶圓1 (被單片化之複數晶片1 a )之背面(上面)地接近之。然 後’自弟2黏著薄片7上使黏貼滾輪8旋轉,並將此往第 5圖之箭頭方向移動,而使第2黏著薄片7黏貼於晶圓1 (被單片化之複數晶片1 a )之背面(上面)。 又,做爲第2黏著薄片7之黏合方法,亦可使用上述 方法以外的方法。例如將第2框體6,使其上面與複數晶 片1 a的背面(上面)一樣高地,設置於其周圍,而將第2 黏著薄片7與複數晶片1 a,一起對第2框體6黏貼亦可。 另外,轉印桌台5設置有吸附固定手段時,則自將第 -9- 200532786 (6) 2黏著薄片7黏合於晶圓1 (被單片化之複數晶片1 a )的 階段,到剝除第1黏著薄片2而完成轉印的階段之間’可 使此吸附固定手段成爲開啓狀態,使晶片1 a不會偏移或 脫落。 其次如第6圖所示,將第2框體6和被固定於此之第 2黏著薄片7拿往上方,則晶圓1 (被單片化之複數晶片 la)會自第1黏著薄片2脫離,而黏合於第2黏著薄片7 B 並轉印於此。結果,第1黏著薄片2被貼合於該電路面的 晶圓1 (被單片化之複數晶片1 a ),係如第7圖所示,該 背面(硏磨面)側黏合有第2黏著薄片7,而構成此晶圓 1和第2框體6和第2黏著薄片7 —體化形成的第2工件 W2 〇 從而,第7圖所示之第2工件W2,係藉由對第2黏 著薄片7之轉印,將晶圓1 (被單片化之複數晶片1 a )以 其電路面向上的狀態而鑲嵌;故之後的撿料工程中,可簡 • 單以攝相機由上方辨識晶片1 a之電路面的圖案,進而可 以其爲基準來精確辨識晶片1 a之位置,使撿料裝置之吸 附筒夾(collet )無偏差的正對於撿料對象物晶片la。依 此,將不會有晶片1 a之撿料失誤。 另外,第1黏著薄片2及第2黏著薄片7係分別爲紫 外線硬化型之黏著薄片爲佳。第1黏著薄片2若爲紫外線 硬化型之黏著薄片,則因爲可藉由紫外線之照射而控制其 黏著力,故可不勉強的進行擴張工程中晶画1 (晶片i a ) 之固定,和對第2黏著薄片7的轉印。 -10- 200532786 (7) 又,第2黏著薄片7若爲紫外線硬化型之黏著薄片, 則可不勉強的進行轉印工程中晶圓1 (晶片1 a )之固定, 和撿料作業。 然後,第1黏著薄片2及第2黏著薄片7同爲紫外線 硬化型之黏著薄片時,因可使用相同種類之黏著薄片,故 可將材料管理簡單化。如此之紫外線硬化型之黏著薄片, 可將通常之切割工程〜撿料工程所用之切斷膠帶,原樣拿 來使用之。 然而本實施方式中,雖說明了背面被隱密切割,切割 線藉由雷射光線照射而被改質且脆弱化的晶圓之轉印方法 ,但本發明對於以其他方法切割並完成單片化的晶圓轉印 ,同樣亦可適用。 第8圖〜第1 0圖,係表示一準備對以不同於隱密切割 之方法所製造的晶圓,黏合黏著薄片於其電路面的工件之 工程。 • 第8圖中,晶圓1係於其電路面側,黏合有晶圓背面 硏磨用之表面保護膠帶4。晶圓1,係以其背面側爲上面 ,而被裝載於未圖示之背面硏磨裝置的處理桌台,而藉由 背面硏磨裝置之旋轉硏磨石9,被硏磨至特定厚度爲止( 第9圖)。 接著,於晶圓1之外緣配置環狀框體3,且對框體3 和晶圓1之表面保護膠帶4側,以黏著薄片1 1 一倂黏合 。更且’藉由將晶圓1加以全切割(full cut )之切割,可 形成第1 0圖所示之工件(第1工件)W1。 -11 - 200532786 (8) 如此準備之第1工件W1,係可藉由本發明之轉印方 法,將表面保護膠帶4整個與黏著薄片1 1脫離而轉印晶 圓1 (被單片化之複數晶片1 a ),而成爲與第7圖所示之 工件相同的第2工件W2之構成。依此,可由常用之撿料 裝置來撿料晶片1 a。 產業上之可利用性 | 本發明,係針對電子產業或光學產業中之半導體裝置 的製造工程,尤其做爲極薄之背面切割晶圓的轉印方法是 爲有用。 【圖式簡單說明】 〔第1圖〕表示本發明方法(晶圓被逆鑲嵌之工件) 的側剖面圖 〔第2圖〕表示本發明方法(將第1工件設置於轉印 φ 桌台的工程)的側剖面圖 〔第3圖〕表示本發明方法(取下第1框體之工程) 的側剖面圖 〔第4圖〕表示本發明方法(第2框體和第2黏著薄 片之設置工程)的側剖面圖 〔第5圖〕表不本發明方法(轉印工程)的側剖面圖 〔第6圖〕表示本發明方法(轉印工程)自側剖面圖 〔第7圖〕表示本發明方法(轉印後之第2工件)的 側剖面圖 、12- 200532786 (9) 〔第8圖〕表示黏合有表面保護膠帶之晶圓的側剖面 圖 〔第9圖〕表示晶圓之背面硏磨工程的側剖面圖 〔第1 〇圖〕表示本發明之其他第1工件之構成的側 剖面圖 【主要元件符號說明】
1 :晶圓 la: 晶片 2 :第1黏著薄片 3 :第1框體 5 :轉印桌台 6 :第2框體 7 :第2黏著薄板 8 :黏貼滾輪 9 :旋轉硏磨石 11 :黏著薄板 W1 :第1工件 W2 :第2工件 - 13-
Claims (1)
- 200532786 ⑴ 十、申請專利範圍 1 · 一種晶圓之轉印方法,係將電路面側經由第1黏 著薄片而被固定在環狀之第]框體的晶圓,轉印至電路面 側之反對側經由第2黏著薄片而被固定在第2框體的狀態 的,附加框體之晶圓之轉印方法;其特徵係 將被固定於上述第1框體之晶圓,於直徑較該晶圓直 徑爲大而較第1框體內徑爲小的轉印桌台上,以上述第1 φ 黏著薄片在下而接觸後’取下上述第1框體;在該狀態下 於上述晶圓上方,配置黏合有第2黏著薄片之第2框體, 將弟2黏者薄片黏合於上述晶圓之後,再將上述第1黏著 薄片自上述晶圓剝除,而將晶圓轉印至第2框體側。 2 ·如申請專利範圍第1項所記載之晶圓之轉印方法 ’其中’上述晶圓’係切割線藉由雷射光線照射,而被改 質且脆弱化之晶圓者。•14-
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