TW200529443A - Thin film panel - Google Patents

Description

200529443 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種薄膜面板，且特定而言，係關於一種 用於顯示裝置之薄膜電晶體陣列面板。 【先前技術】 諸如液晶顯示器（LCD)及有機發光顯示器（〇LED)之顯示 裝置包括複數個以矩陣形式排列之像素，且各像素均包括 用於顯示影像之像素電極。像素電極由來自於訊號線之訊 號驅動，該等訊號線包括閘極線及資料線，其彼此相交以 界定像素區域且藉由開關元件（例如薄膜電晶體（TFT》連接 至像素電極。該等開關元件回應來自於閘極線之掃描訊號 控制來自於資料線之資料訊號。 LCD包括一種TFT陣列面板，該面板包括訊號線、像素電 極、及TFT及共同電極面板，該共同電極面板包括一朝向該 等像素電極之共同電極及—具有朝向該等像素區域的開口 之黑色矩陣。 田LCD之底板中之有效區域過大以至於無法使用曝光光 罩時，藉由重複一種稱作分步重複法之分區曝光來實現整 體曝光。-分區曝光單元或區域被稱作一照射(sh〇t)。由於 在*光J間產生了轉變、旋轉、失真等，該等照射並未 正確地對準。相應地，產生於訊號線與像素電極之間的寄 生電容根據照射而不同，且此造成了照射之間的亮度差， /儿度差在位於照射之間邊界的像素處被辨識出。因此， 由於照射之間的亮度不連續性，所以在LCD之螢幕上產生 96822.doc 200529443 了缝合缺陷。 【發明内容】 本發明之一動機為解決傳統技術問題。 提供一種薄膜面板，其包括··一基板；一形成在該基板 上之第一訊號線；一第二訊號線，其與該第一訊號線相交 且包括實質上為直線的且置於不同直線上的第一與第二部 分及連接至該第一與該第二部分的連接；及第一與第二像 素電極，該等像素電極相鄰於該第二訊號線安置且分別與 5亥第一訊號線之第一及第二部分重疊。 較佳地，第二訊號線之第一與第二部分分別與第一及第 二像素電極完全重疊。 该第一及該第二像素電極中之每一像素電極均可具有一 鏤空區。 ^ 該薄膜面板可進一步包括一第四訊號線，該第 —_7、V Η σ比机、咏 ”弟-及第二訊號線分離且與第一及第二像素電極重疊 其中插入一絕緣體以形成一儲存電容器。 且 該薄膜面板可進一步包括：-置於第-訊號線上之第一 絕緣體；及-置於第二線與第一及第二像素電 二絕緣體。 乐 5亥薄膜面板可進一步肖枯· , 、去社 /匕括·一閘極，其置於該基板上且 連接至第一訊號線上·一半 • 牛蜍體層，其置於第一絕緣層上 ’一源極’其至少置於半導 • ^體層上且連接至第二訊號線上 曼^極，其至少置於半導體層上且與源極分離且連接 -弟-及该第二像素電極中之一像素電極上。 96822.doc 200529443 該半導體層可包括一安置在第二訊號線下的部分。 安置在第二訊號線下之半導體層的部分可具有與該第二 訊號線實質上相同的平面形狀。 提供一種薄膜面板，其包括：一基板；一第一訊號線， 其形成於該基板上；第二及第三訊號線，其與該第一訊號 線相交，該第二及該第三訊號線中之每一訊號線均包括實 質上為直線的且置於不同直線上之第一及第二部分及一連 接至該第一及該第二部分的連接；及一像素電極，其安置 於該第二訊號線與該第三訊號線之間且與該第二訊號線之 第一部分及該第三訊號線之第二部分重疊。 該像素電極可完全地覆蓋該第二訊號線之第一部分及該 第三訊號線之第二部分。 該像素電極可具有一鏤空區。 該薄膜面板可進一步包括一第四訊號線，該第四訊號線 與該第一及該第二訊號線分離且與該第一及該第二像素電 極重疊，其中插入一絕緣體以形成一儲存電容器。 該薄膜面板可進一步包括一薄膜電晶體，其連接至該像 素電極及該第二及該第三訊號線中之一訊號線上。 【實施方式】 在下文中將參看隨附圖式更為充分地描述本發明，在該 等隨附圖式中展示了本發明之較佳實施例。然而，本發明 可藉由不同形式來體現且不應被解釋為限制在本文所陳述 之實施例中。 在圖中，出於清楚之目的，放大了層、膜及區域的厚度 96822.doc 200529443 。全文中相同的數字表示相同的元件。應理解，當將一諸 如層、膜、區域或基板之元件稱作"在另一元件上”時，其 可直接在其它元件上或亦可存在介入元件。相反，當將一 元件稱作”直接在另一元件上"時，則不存在介入元件。 現將參看隨附圖式描述根據本發明之實施例的TFT陣列 面板及其製造方法。 將參看圖1-3詳細描述一種用於lcd之TFT陣列面板。 圖1為根據本發明之一實施例的Tft陣列面板之例示性 布局圖。圖2為沿線Π-Π’截取之圖1中所示的TFT陣列面板 之剖視圖。圖3為沿線πΐ-ΐπ’及ΙΠ，-ΠΙ，，截取之圖！中所示的 TFT陣列面板之剖視圖。 彼此分離的複數個閘極線121及複數個儲存電極線13 1形 成於一絕緣基板11 〇上。 用於傳輸閘極訊號之各閘極線121均實質上在橫向方向 上延伸且各閘極線121之向上及向下突出的複數個部分形 成了複數個閘極124。各閘極線121均包括一擴展末端部分 1 29’其具有較大區域以用來與其它層或外部裝置接觸。 各儲存電極線13 1均置於兩個相鄰的閘極線12丨之間。各 儲存電極線131均包括：一主體線，其實質上在橫向方向上 延伸且與上部閘極線121相鄰；及複數個分支，其自該主體 線延伸。各分支均自該主體線向下延伸（其被稱為上部縱向 部分133)、偏斜向左且行進很短的距離（其被稱為偏斜部分 U2)、再次向左轉以向左行進（其被稱為橫向部分13句、且 在靠近相鄰分支之偏斜部分132處轉向下方且向下行進（其 96822.doc 200529443 被稱為下部縱向部分丨35)。該等儲存電極線丨3丨被供應有預 疋笔壓（例如通用電塵），其被施加至LCD之共同電極面板 (未圖示）上的共同電極（未圖示）。 閘極線121及儲存電極線13 1較佳地由以下材料製成：含 鋁金屬（例如鋁及鋁合金）、含銀金屬（例如銀及銀合金）、含 銅金屬（例如銅及銅合金）、鉻、鉬、鉬合金、鈕或鈦。然而 ，其可具有包括具不同物理特性之兩層膜的多層結構。該 %兩層膜中之一者較佳由包括含鋁金屬之低電阻率金屬製 成，以用來減少閘極線121及儲存電極線131中之訊號延遲 或電壓降落。另一膜較佳由諸如鉻、鉬及鉬合金、鈕或鈦 之材料製成，此類材料與其它諸如氧化銦錫（IT〇)或氧化銦 鋅（ΙΖΟ)之材料具有良好的物理、化學、及電接觸特性。該 等兩薄膜之結合的良好實例為一下層鉻膜與一上層鋁-鈥 合金膜及一下層鋁膜與一上層鉬膜。閘極線121及儲存電極 線131可具有包括一下層鉬膜、一中間鋁膜、及一上層鉬膜 之三層結構。 另外，閘極線121及儲存電極線131之側面可相對於基板 U〇的表面傾斜，且其傾角介於約30,度之間的範圍内。 /較佳由氮化矽（SiNx)或二氧化矽製成之閘極絕緣層14〇 形成在閘極線121及儲存電極線131上。 較佳由氫化非晶石夕（簡寫為製成之複數個半導體 iW紋15 1形成於間極絕緣層14〇上。該等半導體條紋⑸相鄰 於儲存電極線13 i之縱向部分133及135安置且實質上在縱 向方向上延伸。詳言之’各半導體條紋i5i均向下行進且在 96822.doc 200529443 靠近儲存電極線13 1之偏斜部分丨32處朝向左側短距離地改 麦其路線。然而’該半導體條紋151立即再次在縱向方向上 行進。另外’各半導體條紋1 5 1均在閘極124上擴展其寬度 以形成複數個突出部分154，且各半導體條紋丨5丨均偏斜地 向右轉以再次向下延伸。 較佳由矽化物或以n型雜質重摻雜之n+氫化心以製成的 複數個歐姆接觸條紋及島狀物161及165形成在半導體條紋 15 1上。各歐姆接觸條紋16丨均具有複數個突出部分丨，且 該等突出部分163及該等歐姆接觸島狀物ι65成對地位於半 導體條紋151之突出部分154上。 半V體條紋15 1及歐姆接觸161及165之側面相對於基板 Π0之表面傾斜’且其傾角較佳地介於約度之間的範 圍内。 複數個資料線1 71及複數個沒極1 75形成於歐姆接觸161 及165及閘極絕緣層140上。 用於傳輸資料電壓之資料線171沿半導體條紋151實質上 在縱向方向上延伸且與閘極線121相交。詳言之，各資料線 171均向下行進且在靠近儲存電極線13 1之偏斜部分132處 朝向左側短距離地改變其路線以形成複數個彎曲部分丨72 。然而，資料線171立即再次在縱向方向上行進。另外，各 資料線171均伸出分支以在靠近閘極124處形成複數個源極 173 ’且其偏斜地轉向右側（174)以再次向下延伸。因此，各 貢料線171均包括由彎曲部分172連接的且置於兩條平行的 直線上之複數對上部及下部縱向部分丨7丨&及丨7丨b。另外， 96822.doc 200529443 各資料線171均包括一延伸部分179，其具有更大的區域以 與另一層或外部裝置接觸。 各汲極175均包括一末端部分，其具有較大的區域以與另 一層及置於閘極124上且部分地由源極173包圍之另一末端 部分接觸。一閘極124、一源極173、及一汲極175連同半導 體條紋151之突出部分154形成了一 TFT，該TFT具有形成在 置於源極173與汲極175之間的突出部分154上之通道。 資料線171及汲極17 5較佳由諸如鉻、鉬、鉬合金、鈕及 鈦之難熔金屬製成。其亦可包括一較佳由鉬、鉬合金或鉻 製成之下層膜（未圖示）及一位於其上的且較佳由含鋁金屬 製成之上層膜（未圖示）。或者，資料線171等包括插入一鋁 或鋁合金中間層之三層結構。 如同閘極線121—般，資料線171與汲極175具有相對於基 板110的表面之錐形側面，且其傾角介於約3〇_8〇度之範圍 内。 歐姆接觸161及165僅插入在下面的半導體條紋151與在 上面的資料線171之間及在上面的資料線171笋在其上面的 汲極175之間，且減少其間的接觸電阻。半導體條紋i5i包 括亚未由資料線171及汲極175覆蓋之複數個曝露部分，例 如位於源極1 7 3與沒極17 5之間的部分。 一鈍化層180形成在資料線17卜汲極175及並未由該資料 線171及該汲極175覆蓋的半導體條紋151之曝露部分上。該 鈍化層180較佳由諸如氮化矽及二氧化矽之無機材料製成 。然而，該鈍化層180可由具有良好平面度特性之感光有機 96822.doc -12- 200529443 材料及由電漿增強化學氣相沈積（PECvd)形成的諸如 a-Si:C:0及a-Si:0:F的低介電絕緣材料製成。該鈍化層18〇 可具有包括一下層無機膜及一上層有機膜的雙層化結構。 該純化層1 80具有分別曝露資料線1 71之末端部分1 79及 沒極175之複數個接觸孔182及185。另外，該純化層180及 閘極絕緣層140具有曝露閘極線121之末端部分129的複數 個接觸孔181。較佳，接觸孔18丨、i82及ι85不曝露含鋁金 屬，且若其曝露含鋁金屬，則經曝露之含鋁金屬較佳由毯 覆式#刻移除。接觸孔181、182及185可曝露末端部分129 及179的邊緣及汲極175。 較佳由ITO或IZO製成之複數個像素電極19〇及複數個接 觸助件81、82形成在純化層180上。 像素電極190藉由接觸孔ι85而物理連接且電連接至汲極 Π5上，使得像素電極190接收來自於汲極175之資料電壓。 供應有資料電壓之像素電極19〇與共同電極合作產生電 場，該電場決定置於像素電極19〇與共同電極之間的液晶層 (未圖示）中之液晶分子的定向。 像素電極190與共同電極形成一液晶電容器，其在τρτ關 閉後儲存所施加之電壓。提供了一並聯至液晶電容器上的 被稱作’’儲存電容器”之額外電容器，以用來增強電壓儲存 能力。該等儲存電容器藉由使像素電極190與儲存電極線 13 1重疊來建構。 各像素電極190均置於該等資料線171中相鄰的兩條之間 且置於該等閘極線121中相鄰的兩條之間。而且，各資料線 96822.doc 200529443 190均與兩條相鄰的資料線171兩者重疊。詳言之，像素電 極190與左側貧料線171之上部縱向部分及右側資料線 171之下縱向部分mb重疊。較佳地，資料線⑺之該等 上α卩及下卩分171a&171b完全由像素電極i9〇覆蓋。 此種組態使像素電極190與資料線171之間的寄生電容在 分區曝光以在TFT陣列面板上形成薄膜下保持恆定。意即， 雖然使像素電極190對準以較靠近左側資料線171或右側資 料線171，但像素電極19〇與與其相鄰的兩條資料線i7i之間 的重豐區域實質上保持恆定。因此，在不同曝光區域中（其 中像素電極190之位置相對於資料線171可不同）的像素電 極190與資料線171之間的寄生電容實質上彼此相等。 接觸助件81/82藉由接觸孔181/182連接至閘極線129/資 料線171之曝露的延伸部分129/179上。接觸助件“及“保 護該等曝露部分129及179且補充曝露部分129及179與外部 裝置之間的黏接。 像素電極190可由透明導電聚合物製成。對於反射性lcd 而吕，像素電極190由不透明之反射性金屬製成。在此等情 況下’接觸助件82可由不同於像素電極丨9〇的諸如IT〇或 ιζ〇之材料製成。 TFT陣列面板亦可包括一用於產生施加至閘極線12 2上 的閘極訊號之閘極驅動電路且該等接觸助件8丨可用來連接 該閘極驅動電路。 將參看圖4及5詳細地描述根據本發明之另一實施例的用 於LCD之TFT陣歹丨J面板。 96822.doc -14- 200529443 圖4為根據本發明之另一實施例的用於lcd的TFT陣列面 板之布局圖，及圖5為沿線v_v，截取之圖4中所示的TFT陣列 面板之剖視圖。 參看圖4及5，根據此實施例之TFT陣列面板的層化結構 與圖1-3中所示的大致相同。 意即’包括複數個閘極124之複數個閘極線121及包括分 支132-135之複數個儲存電極線ηι形成在基板11〇上，且閘 極絕緣層140、包括複數個突出部分ι54之複數個半導體條 紋15 1、及包括複數個突出部分163之複數個歐姆接觸條紋 161及複數個歐姆接觸島狀物ι65相繼形成在該基板11〇上 。包括成對之上部及下部縱向部分171&及171b、彎曲部分 172及源極173之複數個資料線171、及複數個汲極175形成 在歐姆接觸161及165上，且鈍化層180形成在其上。在鈍化 層180上提供了複數個接觸孔182及185，且複數個像素電極 190及複數個接觸助件82形成在該鈍化層18〇上。 不同於圖1-3中所示TFT陣列面板之處在於：TFT陣列面 板在鈍化層180下方提供了複數個彩色濾光片條23〇。該等 彩色;慮光片條2 3 0中之母一者均代表諸如紅、綠、及藍之三 原色中的一種且該等三種顏色較佳依次在橫向方向上排列 。各彩色濾光片條230實質上均置於相鄰的資料線171中的 兩者之間且在縱向方向上延伸使得沿資料線m延伸的彩 色濾光片條230之邊緣彎曲。可將該等彩色濾光片條23〇劃 分為置於由閘極線121及資料線1 71界定之個別區域中的複 數個彩色遽光片。彩色濾、光片條2 3 〇並不置於具有資料線 96822.doc -15- 200529443 171之延伸部分179之外圍區域中。該等彩色濾光片條230 中相鄰的兩條彼此重疊以阻斷像素電極19〇之間的光洩漏 ’但其邊緣可在資料線171上彼此完全地匹配、或可彼此分 隔。彩色濾光片條230可具有曝露接觸孔185之複數個開口 且該等接觸孔1 85較佳小於圖5中所示之開口。 另外，根據此實施例之TFT陣列面板的半導體條紋151具 有與資料線171及汲極175及在下面的歐姆接觸161及165幾 乎相同之平面形狀。然而，半導體條紋15丨之突出部分154 包括若干未由資料線171及汲極175覆蓋之曝露部分，例如 位於源極173與汲極175之間的部分。 而且’不存在閘極線121之擴展末端部分且在閘極線121 上不存在接觸孔及接觸助件。 圖1-3中所示之用於LCD的TFT陣列面板的諸多上述特徵 皆可適用於圖4及圖5中所示之TFT陣列面板。 將參看圖6-9詳細地描述根據本發明之另一實施例的用 於LCD的TFT陣列面板。 圖6為根據本發明之另一實施例的LCD的TFT陣列面板之 布局圖’圖7為根據本發明之一實施例的LCD的共同電極面 板之布局圖，圖8為包括圖1中所示之TFT陣列面板及圖2中 所示之共同電極面板的LCD之布局圖，及圖9為沿線ΙΧ·ΐχ， 截取之圖8中所示的LCD之剖視圖。 根據此實施例之LCD包括一 TFT陣列面板100、一共同電 極面板200、及一插入該等面板1〇〇與2〇〇之間的LC層3。 現將參看圖6、8及9詳細地描述該TFT陣列面板100。 96822.doc -16- 200529443 參看圖6、8及9，根據此實施例之TFT陣列面板1 〇〇的層 化結構幾乎與圖1 -3中所示之結構相同。 意即，包括複數個閘極124之複數個閘極線121及包括分 支132-135之複數個儲存電極線131形成在基板11〇上，且閘 極絕緣層140、包括複數個突出部分154之複數個半導體條紋 151、及包括複數個突出部分163及複數個歐姆接觸島狀物 165的複數個歐姆接觸條紋161相繼形成在該基板11 〇上。包 括成對的上部及下部縱向部分171a及171b、彎曲部分172及 源極173之複數個資料線171、及複數個汲極175形成在歐姆 接觸161及165上，且鈍化層180形成於其上。在鈍化層18〇 上提供了複數個接觸孔181、182及185，且複數個像素電極 190及複數個接觸助件81及82形成於該鈍化層180上。 不同於圖1及2中所示之TFT陣列面板的是··圖6、8及9中 所示之TFT陣列面板100的各像素電極19〇在其左上角處被 斜切且像素電極19〇的削邊與閘極線m成約45度角。 此外’各像素電極19〇均具有複數個下部鏤空區19丨及192 、上部鏤空區195及190、及中央鏤空區193及194，其將像 素電極190分割為複數個分割區。該等下部及上部鏤空區 19卜192、195及196分別置於像素電極190之下及上半部分 中，且該等中央鏤空區193及194位於該等下部鏤空區191 及192與該等上部鏤空區195及196之間。該等鏤空區 191 196實貝上相對於平分像素電極19〇之下及上半部分的 儲存電極線131之橫向部分134反向對稱。 孩等下邻及上部鏤空區191、192、195及與閘極線 96822.doc 200529443 成約45度角，且實質上平行於彼此且平行於像素電極i9〇 之斜切的左上邊延伸之上部鏤空區195及196實質上垂直於 下部鏤空區191及192延伸，該等下部鏤空區191及192實質 上平行於彼此延伸。 鏤工區191及196大致自像素電極丨9〇的左側縱向邊緣大 致延伸至像素電極190的橫向邊緣》鏤空區192及195大致自 像素電極190之左側邊緣大致延伸至像素電極19〇之右側縱 向邊緣。 中央鏤空區193包括一橫向部分及一對偏斜部分，該橫向 部分大致自像素電極190之左側邊緣沿儲存電極線131之橫 向部分134延伸，該等偏斜部分自該橫向部分延伸至像素電 極190之右側邊緣且大致上分別與下部鏤空區i9i及192及 上部鏤空區195及196平行。中央鏤空區194沿像素電極19〇 之橫向中心線延伸且具有一自像素電極19〇之右側邊緣的 入口，該入口具有一對實質上分別平行於下部鏤空區i9i 及192及上部鎮空區195及196之傾斜邊緣。 因此，像素電極190的下半部分由下部鏤空區丨9丨及丨92 及中央鏤空區193分割為四個下部分割區，且像素電極19〇 之上半部分亦由上部鏤空區195及196及中央鏤空區193分 割為四個上部分割區。分割區之數量或鏤空區之數量可根 據設計因數（例如像素之尺寸M象素電極之橫向邊緣與縱向 邊緣的比率、液晶層之類型及特性等）的不同而變化。 此外，在像素電極190及鈍化層180上塗覆一層可為垂直 配向之對準層11。 96822.doc -18- 200529443 圖1-3中所示之用於LCD的TFT陣列面板之諸多上述特徵 皆可適用於圖6、8及9中所示之TFT陣列面板100。 下文中參看圖7-9描述共同電極面板200。 種用於防止光Ά漏的稱作黑色矩陣之光阻斷構件220 幵/成在諸如透明玻璃之絕緣基板21 〇上。該光阻斷構件220 包括朝向像素電極190且具有實質上與像素電極ι9〇相同的 形狀之複數個開口。光阻斷構件22〇較佳由單鉻層、鉻及氧 化鉻雙層、或含黑色晶粒有機層製成。 複數個彩色濾光片230形成在基板210上且其實質上置於 由光阻斷構件220所包圍之區域内。彩色濾光片230可實質上 〜像素電極190在縱向方向上延伸。該等彩色渡光片230中之 每一者均可代表諸如紅、綠及藍顏色之原色中的一種。 種用於防止彩色渡光片230曝露且用於提供平坦表面 之覆層250形成於彩色濾光片230及光阻斷構件220上。 較佳由諸如ITO及IZO之透明導電材料製成的共同電極 270形成在覆層250上。 共同電極270具有複數組鏤空區271-276。 一組鏤空區271-276朝向像素電極190且包括複數個下部 及上部鏤空區271及272與275及276及中央鏤空區273及274 。該等鎮空區271-276中之每一者均置於像素電極19〇之相 鄰鏤空區191-196之間或置於鏤空區196與像素電極19〇的 削邊之間。另外，該等鏤空區271-276中之每一者均具有平 行於像素電極190之下部鏤空區191及192或上部鏤空區195 及196延伸的至少一偏斜部分。該等鏤空區271_276實質上 96822.doc 200529443 相對於健存電極線131之橫向部分134反向對稱。 該等鏤空區繼276中之每—者均具有：―偏斜部分， 其大致自像素電極_之左側邊緣大致延伸至像素電極⑽ 之下或上邊緣；及橫向及縱向部分，其自偏斜部分之各別 ，端沿像素電極190之邊緣延伸、與像素電極19〇之邊緣重 疊、且與偏斜部分成鈍角。 該等鏤空區272及275中之每—者均具有··_偏斜部分； -連接至該偏斜部分H縱㈣分；及_連接至該偏斜 部分另-端之延伸部分。該偏斜部分大致自像素電極19〇 之左邊緣大致延伸至像素電極⑽之右下角或右上角。該縱 向部分自該偏斜部分之末端沿像素電極19〇之左側邊緣延 伸、與像素電極190之左側邊緣重疊、且與該偏斜部分成鈍 角。該延伸部分覆蓋了像素電極19〇之各自的端角。 鏤二區273具有· 一對偏斜部分，其大致自像素電極19〇 之左側邊緣的中央延伸至像素電極19〇之右側邊緣；一橫向 部分，其自偏斜部分之會合點延伸至左側；及一對縱向部 分，其自各自的偏斜部分沿像素電極19〇之右側邊緣延伸、 與像素電極190之右側邊緣重疊、且與各自的偏斜部分成鈍 角。鏤空區274具有：一橫向部分，其沿像素電極19〇之橫 向中心線延伸；一對偏斜部分，其自該橫向部分大致延伸 至像素電極190的右側邊緣且與該橫向部分成鈍角；及一對 縱向部分’其自各自的偏斜部分沿像素電極19〇之右側邊緣 延伸、與像素電極190之右側邊緣重疊、且與各自的偏斜部 分成鈍角。 96822.doc -20- 200529443 鏤空區271-276之數量可根據設計因素的不同而變化，且 光阻斷構件220亦可與鏤空區271-276重疊以阻斷通過鏤空 區271-276之光泼漏。 同時，若不存在覆層250，則鏤空區271-276可曝露彩色 濾光片230之多個部分，且彩色濾光片230的曝露部分可污 染LC層3。 可為垂直配向之對準膜21形成在共同電極270上。 交叉偏光器（未圖示）可置於面板1〇〇及2〇〇之外表面上， 且可在該等偏光器與面板1〇〇及2〇〇之間提供用於補償lc層 3之延遲的至少一層延遲膜（未圖示）。當lcd為反射性LCD 時’可省略該等偏光器中之一者。 較倖地，LC層3具有負介電各向異性且其經受將lc層3中 之LC分子對準的垂直對準使得其長軸在無電場之情況下， 實質上垂直於面板之表面。 如圖8中所示，一組鏤空區191_196及271_276將像素電極 190分為複數個子區且各子區均具有兩條主要邊緣。 鏤空區191-196及271-276控制LC層3中的LC分子之傾斜 方向。對此將進行詳細描述。 一旦將通用電壓施加至共同電極270上且將資料電壓施 加至像素電極190上，即產生了 一實質上垂直於面板1〇〇及 200之表面的電場。LC分子傾向於回應該電場而改變其定向 使得其長轴垂直於該電場方向。 電極190及270之鏤空區191_196及271_276及像素電極 190的邊緣扭曲該電場以具有實質上垂直於鏤空區ι91_196 96822.doc -21 - 200529443 之水平分量。因此 方向上傾斜且該等 從而增加了 LCD之 及271-276的邊緣及像素電極190的邊緣 ’各子區中之LC分子藉由水平分量在一 傾斜方向之方位分佈定位為四個方向， 視角。 一者可由突起部 該等鏤空區191-196及271-276中的至少 分或凹陷部分替代。

可修改該等鏤空區19H96及271-276之形狀及排列。 雖然已參考較佳實施例詳細描述了本發明，但熟習此項 技術者將瞭解：可對本發明作出多種修改及替代而不脫離 在隨附申請專利範圍中所陳述之本發明的精神及範疇。 【圖式簡單說明】 圖1為根據本發明之一實施例的TFT陣列面板之例示性 布局圖； 圖2為沿線IMI’截取之圖！中所示的TFT陣列面板之剖視 圖； 圖3為沿線ΙΠ-ΠΓ及ΙΙΓ-ΙΠ，，截取之圖1中所示的TFT陣列 面板之剖視圖； 圖4為根據本發明之另一實施例的用於LCD的TFT陣列面 板之布局圖； 圖5為沿線V-V’截取之圖4中所示的TFT陣列面板之剖視 ΙΞ! · 園， 圖6為根據本發明之另一實施例的LCD的TFT陣列面板之 布局圖； 圖7為根據本發明之一實施例的LCD的共同電極面板之 96822.doc •22- 200529443 布局圖； 圖8為包括圖1中所示之TFT陣列面板及圖2中所示之共 同電極面板的LCD之布局圖；及 圖9為沿線IX-IX’截取之圖8中所示的LCD之剖視圖。 【主要元件符號說明】 3 LC層 11 對準層 21 對準膜 81、82 接觸助件 100 TFT陣列面板 110 、 210 絕緣基板 121 、 129 閘極線 124 閘極 131-135 儲存電極線 140 閘極絕緣層 151 、 154 半導體 161 、 163 、 165 歐姆接觸 171、171a、171b、 資料線 172 、 174 、 179 173 源極 175 >及極 180 鈍化層 181 、 182 、 185 接觸孔 190 像素電極 96822.doc - 23 200529443 191-196 鏤空區 200 共同電極面板 220 光阻斷構件 230 彩色濾光片 250 覆層 270 共同電極 271-276 鏤空區 96822.doc -24-

Claims (1)

1. 200529443 十、申請專利範圍： 1 · 一種薄膜面板，其包含·· 一基板； 一第一訊號線，其形成在該基板上； 一第二訊號線’其與該第一訊號線相交，且包括實質 上為直線的且置於不同直線上之第一及第二部分，而且 包括一連接至該第一部分及該第二部分上之連接；及 第一及第二像素電極，其相鄰於該第二訊號線安置且 分別與該第二訊號線之該第一部分及該第二部分重疊。 2·如請求項1之薄膜面板，其中該第二訊號線之該第一部分 及該第二部分分別與該第一像素電極及該第二像素電極 完全重疊。 3·如睛求項1之薄膜面板，其中該第一像素電極及該第二像 素電極中的每一者均具有一鏤空區。 4·如請求項1之薄膜面板，其進一步包含一第四訊號線，其 與該第一訊號線及該第二訊號線分離且與該第一像素電 極及該第二像素電極重疊，其中插入一絕緣體以形成一 儲存電容器。 5.如請求項4之薄膜面板，其中該第四訊號線包含一與該第 一像素電極重疊之彎曲分支。 月长項5之薄膜面板，其中該第四訊號線之該彎曲分支 在罪近該第二訊號線之該連接處彎曲。 月长員6之薄膜面板’其中該第四訊號線之該彎曲分支 匕s貫質上為直線的且置於不同直線上之第一部分及第 96822.doc 200529443 一部分及一連接至該第一部分及該第二部分的連接。 8·如請求項7之薄膜面板，其中該第四訊號線之該彎曲分支 之該第一部分及該第二部分置於靠近該第一像素電極之 邊緣處，且該第四訊號線之該彎曲分支之該連接實質上 經過該第一像素電極。 9·如請求項1之薄膜面板，其進一步包含： 一第一絕緣體，其置於該第一訊號線上；及 一第二絕緣體，其置於該第二線與該第一像素電極及 該第二像素電極之間。 1〇·如請求項9之薄膜面板，其進一步包含： 一閘極，其置於該基板上且連接至該第一訊號線； 一半導體層，其置於該第一絕緣層上； 一源極，其至少置於該半導體層上且連接至該第二訊 號線上；及 一汲極，其至少置於該半導體層上、與該源極分離、 且連接至該第一像素電極及該第二像素電極之一。 11. 如請求項ίο之薄膜面板，其中該半導體層包括一置於該 第二訊號線下方的部分。 12. 如請求項11之薄膜面板，其中置於該第二訊號線下方的 該半導體層之該部分具有與該第二訊號線基本相同的平 面形狀。 13 · —種薄膜面板，其包含： 一基板； 一第一訊號線，其形成在該基板上； 第二及第三訊號線，其與該第一訊號線相交，該第二 96822.doc 200529443 訊號線及該第三訊號線中之每一者均包括實質上為直線 的且置於不同直線上之第一及第二部分，而且包括一連 接至該第一部分及該第二部分上之連接；及 一像素電極，其置於該第二訊號線與該第三訊號線之 間，且與該第二訊號線之該第一部分及該第三訊號線之 該第二部分重疊。 14. 15. 16. 17. 18. 19. 20. 如凊求項13之薄膜面板，其中該像素電極完全地覆蓋該第 二訊號線之該第一部分及該第三訊號線之該第二部分。 如請求項14之薄膜面板，其中該像素電極具有一鏤空區。 如明求項13之薄膜面板，其進一步包含一第四訊號線， 其與該第一訊號線至該第三訊號線分離且與該像素電極 重疊，其中插入一絕緣體以形成一儲存電容器。 如請求項16之薄膜面板，其中該第四訊號線在靠近該第 一訊號線及該第三訊號線之該等連接處彎曲。 如請求項17之薄膜面板，其中該第四訊號線包含實質上 為直線的且置於不同直線上之第一及第二部分以及一連 接至該第一部分及該第二部分的連接。 如請求項18之薄膜面板，其中該第四訊號線之該第一部 刀置於罪近5亥苐一 號線之該第一部分處，且該第四訊 號線之該第二部分置於靠近該第三訊號線之該第二部分 處。 如請求項12之薄膜面板，其進一步包含一薄膜電晶體， 其連接至該像素電極以及連接至該第二訊號線及該第三 5虎線之一。 96822.doc