JP5317399B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5317399B2 JP5317399B2 JP2006216645A JP2006216645A JP5317399B2 JP 5317399 B2 JP5317399 B2 JP 5317399B2 JP 2006216645 A JP2006216645 A JP 2006216645A JP 2006216645 A JP2006216645 A JP 2006216645A JP 5317399 B2 JP5317399 B2 JP 5317399B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- line
- electrode
- liquid crystal
- film
- crystal display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
ここで、スイッチング素子は、ゲート線とデータ線との交差点に形成され、スイッチング素子はゲート線に連結された制御端子、データ線に連結された入力端子、そして、画素電極に連結された出力端子を持つ三段素子である。スイッチング素子の出力端子には、維持キャパシタ及び液晶キャパシタが連結される。
本発明の技術的課題は、前述した技術的課題に制限されず、言及されなかったさらなる技術的課題は、下記の記載から当業者に明確に理解されるであろう。
また、前記維持電極は、アルミニウム、クロム、モリブデン、タンタル及びチタンでなされたグループで選択された一つ以上の物質で構成された単一膜または多層膜でなされたことを特徴とする。
また、前記維持電極と前記画素電極との間に介在された保護膜をさらに含むことを特徴とする。維持キャパシタは、保護膜を介して形成されるため、ゲート絶縁膜及び保護膜を介して維持電極が形成される場合よりもキャパシタ容量を大きくすることが可能である。そのため、維持電極の面積を減らしても一定な維持キャパシタを得られる。これにより、液晶表示装置の開口率を高め、かつ液晶表示装置の小型化及び薄型化を図ることができる。
また、前記保護膜は、約2000Å以下の厚さを持つことを特徴とする。保護膜は、約2000Å以下で形成することで、維持キャパシタの面積を小さくしても容量を維持することができる。これにより、液晶表示装置の開口率を高め、かつ液晶表示装置の小型化及び薄型化を図ることができる。
また、前記データ線と接するように前記データ線に沿って前記画素ごとに形成されたフローティングバーをさらに含むことを特徴とする。
データ線に隣接するように形成されたフローティングバーを用いて、データ線と画素電極の間の空間を阻んで、この空間を通過するバックライト光を遮断することで、光漏れ現象を抑制できる。したがって、データ線上部のブラックマトリックスの面積を減らすことができるので、液晶表示装置の開口率を高めることができる。
また、前記フローティングバーは、前記データ線の両方に対で形成されたことを特徴とする。
前記技術的課題を果たすための本発明の他の実施形態による液晶表示装置は、絶縁基板上に互いに離隔して形成されたゲート線と維持電極線と、前記ゲート線及び前記維持電極線と絶縁され形成されて、前記ゲート線と交差するデータ線と、前記ゲート線と前記データ線によって定義される画素ごとに形成された画素電極と、前記ゲート線と前記データ線に連結されて前記画素電極に電圧を印加する薄膜トランジスターと、前記データ線と同じ層に同じ物質で形成されて、前記維持電極線と連結されて前記画素電極と共に維持キャパシタの両端子を構成する維持電極と、前記データ線と接するように前記データ線に沿って前記画素ごとに形成されたフローティングバーを含む。
また、前記維持電極は、クロム下部膜とアルミニウム上部膜またはアルミニウム下部膜とモリブデン上部膜の二重膜、またはモリブデン膜-アルミニウム膜-モリブデン膜の三重膜でなされたことを特徴とする。
また、前記保護膜は、SiNxでなされたことを特徴とする。
また、前記保護膜は、約2000Å以下の厚さを持つことを特徴とする。
また、前記保護膜は、前記ゲート線、前記維持電極線、前記データ線及び前記維持電極を覆うように形成されて、前記保護膜は、前記維持電極線を露出させる第1接触孔及び前記維持電極を露出させる第2接触孔を含んで、前記液晶表示装置は、前記第1及び第2接触孔を通じて前記維持電極線と前記維持電極を連結するように前記保護膜上に形成された連結部材をさらに含むことを特徴とする。
また、前記フローティングバーは、前記ゲート線と同じ層に形成されたことを特徴とする。
また、前記フローティングバーは、前記データ線の両方に対で形成されたことを特徴とする。
本発明の液晶表示装置は、ゲート線とデータ線によって定義される薄膜トランジスターを備える薄膜トランジスター表示板と、薄膜トランジスター表示板と対向し共通電極を備える共通電極表示板と、薄膜トランジスター表示板と共通電極表示板との間に介在されて液晶分子の長軸がこれら表示板に対してほぼ垂直に配向されている液晶層と、を含む。
図1Aは、本発明の一実施形態による液晶表示装置の薄膜トランジスター表示板の配置図で、図1Bは、図1Aの薄膜トランジスター表示板をIb-Ib'線に沿って切開した断面図で、図1Cは、図1Aの薄膜トランジスター表示板をIc-Ic'線に沿って切開した断面図で、図1Dは、図1Aの薄膜トランジスター表示板をId-Id'線に沿って切開した断面図である。
ゲート配線、フローティングバー21及び維持電極線28が同一層に形成されているため、フローティングバー21及び維持電極線28をゲート配線と別途に形成する場合と比較して、製造工程を簡略化することができる。
ゲート絶縁膜30上には、水素化非晶質珪素(hydrogenated amorphous silicon)または多結晶珪素などでなされた半導体層40が形成されている。このような半導体層40は、島形、線形などのように多様な形状を持つことができ、例えば本実施形態のようにデータ線62の下に位置してゲート電極26の上部まで延長された形状を持つ線形で形成できる。また、ゲート電極26の上に島形で形成されうる。線形半導体層40を形成する場合、データ線62と同じパターニングで形成することもでき、あるいは別途のマスクを使ってデータ線とは別のパターニングにすることもできる。
このようなデータ線62、データ先端68、ソース電極65及びドレーン電極66をデータ配線と言う。
そして、データ配線62、65、66、68と同じ層に同じ物質でなされた維持電極67が形成される。図1Dに示すように、維持電極67は維持電極線28と連結されて、維持キャパシタは、維持電極67を一端子とし、画素電極82を他の端子とし、及びこれらの間に介在された保護膜70で構成される。
ソース電極65は半導体層40と少なくとも一部分が重畳されて、ドレーン電極66はゲート電極26を中心にソース電極65と対向し、半導体層40と少なくとも一部分が重畳される。ここで、抵抗性接触層55、56は、半導体層40及びソース電極65と、半導体層40及びドレーン電極66と、の間に介在されており、これらの間に接触抵抗を低めてくれる役割をする。
保護膜70上には、接触孔76を通じてドレーン電極66と電気的に連結され画素の模様に沿って画素電極82が形成されている。データ電圧が印加された画素電極82は、上部表示板の共通電極と共に電気場を生成することで、画素電極82と共通電極の間の液晶層の液晶分子の配列を決める。
図1A及び図1Dを参照すれば、本発明の液晶表示装置は、ゲート線22とは別個に維持電極線28を使って維持キャパシタを形成することで、ゲート線22にかかるロード(load)を減らしうる。なお、従来の前段ゲート方式では、現在の画素内の薄膜トランジスターが、その画素の前段ゲート線と接続されているため、前段ゲート線からの負荷がかかってしまい、維持キャパシタを適切に駆動するのが困難である。
Cst = ε × ( A / d) ・・・(1)
を満足する。ここで、Cstは維持キャパシタンスで、εは保護膜(すなわち、誘電膜)の誘電定数で、dは保護膜の厚さで、Aは維持電極の面積である。
液晶層300に含まれている液晶分子は、画素電極82と共通電極90との間に電界が印加されない状態で、その方向子が薄膜トランジスター表示板100と共通電極表示板200に対して垂直を成すように配向されていて、負の誘電率異方性を有する。薄膜トランジスター表示板100と共通電極表示板200とは、画素電極82が色フィルター98と対応して正確に重畳されるように整列される。
図3A及び図3Cを参照すれば、絶縁基板10上には、データ線62の両側にフローティングバー21が形成されている。前に説明したように、フローティングバー21は、データ線62の近くに発生する光漏れ現象を防止する役割をする。一般的に、データ線62周囲の液晶分子は、画素電極82及び共通電極90により制御できず、光漏れ現象が発生する。特に、データ線62と画素電極82との間の空間を通過したバックライト光によって光漏れ現象がさらに深刻になる。その上に、バックライト光は、このような空間を多様な角度で入射して通過するので、光漏れ現象を防止するためには広い面積のブラックマトリックスを必要とする。しかし、本発明の液晶表示装置によれば、データ線62の両側の絶縁基板10上に形成されたフローティングバー21を用いてデータ線62と画素電極82の間の空間を阻んで、この空間を通過するバックライト光を遮断することで、光漏れ現象を抑制できる。したがって、データ線62上部のブラックマトリックス94の面積を減らすことができるので、液晶表示装置の開口率を高めることができる。また、画素電極82が、フローティングバー21の少なくとも一部重畳するように形成することで、画素電極82とフローティングバー21との間で光が漏れることを防止することで、光漏れ現象をさらに抑制できる。
22:ゲート線 24:ゲート先端
26:ゲート電極 28:維持電極線
40:半導体層 55,56:抵抗性接触層
62:データ線 65:ソース電極
66:ドレーン電極 67:維持電極
71,72,74,76,78:接触孔 82:画素電極
83:連結部材 86:補助ゲート先端
88:補助データ先端 90:共通電極
94:ブラックマトリックス 96:絶縁基板
98:色フィルター 100:薄膜トランジスター表示板
200:共通電極表示板 300:液晶層
Claims (10)
- 絶縁基板上に互いに離隔して形成されたゲート線と維持電極線と、
前記ゲート線及び前記維持電極線と絶縁され形成されて、前記ゲート線と交差するデータ線と、
前記ゲート線と前記データ線によって定義される画素ごとに形成された画素電極と、
前記データ線と同じ層に形成されて、前記維持電極線と連結されて前記画素電極と共に維持キャパシタの両端子を構成する維持電極と、
前記データ線と接するように前記データ線に沿って前記画素ごとに形成されたフローティングバーと、
前記ゲート線及び前記維持電極線上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート線と前記データ線に連結されて前記画素電極に電圧を印加する薄膜トランジスタと、
前記ゲート線、前記維持電極線、前記データ線及び前記維持電極を覆うように形成され、前記維持電極と前記画素電極との間に介在されており、前記維持電極線を露出させる第1 接触孔及び前記維持電極を露出させる第2接触孔を有する保護膜と、
前記第1及び第2接触孔を通じて前記維持電極線と前記維持電極を連結するように前記保護膜上に形成された連結部材と、を含み
前記データ線は前記ゲート絶縁膜上に形成されることを含むことを特徴とする液晶表示装置。 - 前記維持電極は、前記データ線と同じ物質でなされたことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記維持電極は、アルミニウム、クロム、モリブデン、タンタル及びチタンでなされたグループで選択された一つ以上の物質で構成された単一膜または多層膜でなされたことを特徴とする請求項1又は2に記載の液晶表示装置。
- 前記維持電極は、クロム下部膜とアルミニウム上部膜またはアルミニウム下部膜とモリブデン上部膜の二重膜、またはモリブデン膜-アルミニウム膜-モリブデン膜の三重膜でなされたことを特徴とする請求項1又は2に記載の液晶表示装置。
- 前記保護膜は、SiNxでなされたことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記保護膜は、約2000Å以下の厚さを持つことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記連結部材は、ITOまたはIZOの透明導電体またはアルミニウムの反射性導電体でなされたことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記フローティングバーは、前記ゲート線と同じ層に形成されたことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記フローティングバーは、前記データ線の両方に対で形成されたことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記画素電極は、前記フローティングバーの少なくとも一部と重畳するように形成されたことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050074836A KR101171056B1 (ko) | 2005-08-16 | 2005-08-16 | 액정 표시 장치 |
KR10-2005-0074836 | 2005-08-16 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007052418A JP2007052418A (ja) | 2007-03-01 |
JP5317399B2 true JP5317399B2 (ja) | 2013-10-16 |
Family
ID=37767021
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006216645A Expired - Fee Related JP5317399B2 (ja) | 2005-08-16 | 2006-08-09 | 液晶表示装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7973865B2 (ja) |
JP (1) | JP5317399B2 (ja) |
KR (1) | KR101171056B1 (ja) |
CN (1) | CN1932624B (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI360682B (en) * | 2007-06-08 | 2012-03-21 | Wintek Corp | Multi-domain liquid crystal display and array subs |
TWI375102B (en) * | 2008-06-26 | 2012-10-21 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | Pixel structure |
KR101502361B1 (ko) | 2008-08-06 | 2015-03-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
CN101710586B (zh) * | 2009-01-09 | 2011-12-28 | 深超光电(深圳)有限公司 | 提高开口率的储存电容及其制作方法 |
CN101799603B (zh) * | 2009-02-11 | 2015-12-02 | 北京京东方光电科技有限公司 | Tft-lcd阵列基板及其制造方法 |
CN101819361B (zh) * | 2009-02-26 | 2012-11-21 | 北京京东方光电科技有限公司 | Tft-lcd阵列基板及其制造方法 |
CN102651401B (zh) | 2011-12-31 | 2015-03-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法和显示器件 |
CN103489881B (zh) * | 2011-12-31 | 2016-10-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法和显示器件 |
CN103151305B (zh) * | 2013-02-28 | 2015-06-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管阵列基板、制备方法以及显示装置 |
CN204422935U (zh) | 2015-03-12 | 2015-06-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板和显示装置 |
CN105093752A (zh) * | 2015-08-18 | 2015-11-25 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶面板 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1096949A (ja) * | 1996-09-24 | 1998-04-14 | Toshiba Electron Eng Corp | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
JP3234168B2 (ja) * | 1997-05-20 | 2001-12-04 | 株式会社アドバンスト・ディスプレイ | Tftアレイ基板の製造方法 |
JPH1184416A (ja) * | 1997-09-08 | 1999-03-26 | Sony Corp | 液晶表示素子 |
KR100312753B1 (ko) | 1998-10-13 | 2002-04-06 | 윤종용 | 광시야각액정표시장치 |
JP4897995B2 (ja) | 1999-11-05 | 2012-03-14 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板 |
JP5408829B2 (ja) * | 1999-12-28 | 2014-02-05 | ゲットナー・ファンデーション・エルエルシー | アクティブマトリックス基板の製造方法 |
TW594156B (en) * | 2002-01-04 | 2004-06-21 | Fujitsu Display Tech | Substrate for display device and display device equipped therewith |
KR100870016B1 (ko) * | 2002-08-21 | 2008-11-21 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 액정 표시장치 |
TW544942B (en) * | 2002-09-30 | 2003-08-01 | Hannstar Display Corp | Thin film transistor array substrate |
KR100905017B1 (ko) * | 2002-12-27 | 2009-06-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
KR100961945B1 (ko) * | 2003-03-26 | 2010-06-08 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 표시판 |
KR101006434B1 (ko) * | 2003-06-26 | 2011-01-06 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시장치의 수리 방법 |
KR100556702B1 (ko) * | 2003-10-14 | 2006-03-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 표시 소자용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
-
2005
- 2005-08-16 KR KR1020050074836A patent/KR101171056B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-08-09 JP JP2006216645A patent/JP5317399B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-08-16 US US11/504,922 patent/US7973865B2/en active Active
- 2006-08-16 CN CN2006101437552A patent/CN1932624B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7973865B2 (en) | 2011-07-05 |
JP2007052418A (ja) | 2007-03-01 |
CN1932624A (zh) | 2007-03-21 |
KR101171056B1 (ko) | 2012-08-03 |
CN1932624B (zh) | 2010-06-16 |
KR20070020675A (ko) | 2007-02-22 |
US20070040951A1 (en) | 2007-02-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5317399B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
JP5328117B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
KR101216688B1 (ko) | 박막 트랜지스터 기판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치 | |
JP5190625B2 (ja) | 液晶表示装置及びその不良画素修復方法 | |
US9780177B2 (en) | Thin film transistor array panel including angled drain regions | |
KR102007833B1 (ko) | 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판 | |
KR20140047649A (ko) | 액정 표시 장치 | |
US20120206684A1 (en) | Liquid crystal display and manufacturing method thereof | |
KR101163622B1 (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 | |
CN104280957B (zh) | 液晶显示器 | |
US20080121893A1 (en) | Display panel | |
KR20080008858A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 | |
US7817214B2 (en) | Liquid crystal display device | |
US8330917B2 (en) | Thin film transistor substrate and liquid crystal display having the same | |
KR20140119395A (ko) | 액정 표시 장치 | |
KR20080051536A (ko) | 액정 표시 장치 | |
US20050098781A1 (en) | Thin film array panel | |
KR101398641B1 (ko) | 액정 표시 장치 | |
KR20060132264A (ko) | 액정 표시 장치 및 그의 불량 화소 복구 방법 | |
KR102109678B1 (ko) | 액정 표시 장치 | |
KR20070076298A (ko) | 액정 표시 장치 | |
KR20070080349A (ko) | 액정 표시 장치 | |
KR20070080107A (ko) | 빛샘 방지를 위한 액정 표시 장치 | |
US20210132456A1 (en) | Display device | |
KR20050026300A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090619 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100525 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111012 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111025 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120612 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120731 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20121213 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130322 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130409 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130520 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130611 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130709 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |