TW200529295A - Method for manufacturing semiconductor device and method forming mask pattern data - Google Patents

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Toshihiko Tanaka
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Description

200529295 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明有關於半導體裝置之製造方法和光罩圖案數據 (m a s k p a 11 e r n d a t a )作成方法，特別有關於利用直線偏極 光使用平版印刷技術之半導體裝置之製造方法和光罩圖案 數據作成方法。 【先前技術】
在半導體積體電路裝置之製造時，使用平版印刷技術作 為將微細圖案轉印在半導體晶圓上之方法。在平版印刷技 術中，主要使用投影曝光裝置，將被裝著在投影曝光裝置 之光罩圖案轉印在半導體晶圓上，藉以形成裝置圖案。 近年來為因應裝置之高積體化，和提高裝置動作速度之 要求，而朝向圖案之微細化之進行。在此種背景下，先前 技術之進行方式為增加曝光裝置之開口數（N A : N u m e r i c a 1 Aperture) j藉以提高解析度。 另外，更有效增加ΝΑ之方法有被稱為液浸之曝光方法現 正檢討中。液浸曝光法係在透鏡和成為燒結對象之試料之 光阻面之間填滿液體，用來提高該空間之折射率，藉以增 加有效N A (從另外之觀點，使曝光之光之有效波長變短）之 曝光法。有關於液浸之技術，例如，被記載在後述之非專 利文獻1。 依照此種方式，增加有效之開口數，藉以提高圖案之對 比（解析度）之要求越加升高。在目前已試作為上述 N A為 0 . 9以上者。另外，經由與液浸組合，換算成N A為1 . 3左 5 312XP/發明說明書(補件)/94-04/94100686 200529295 右之曝光裝置亦正計割中。+ 在此種超高開口數之曝光裝置 中，係已知由於曝光之光之偏極方肖，使轉印圖案之對比 進行很大之變化。
已知有利用沿著圖案之延伸方向之偏極光（以下亦稱為 S偏極光）在曝光時可以獲得高對比，在利用無偏極之光進 行曝光時，解析度變低，在利用#圖案之延伸方向垂直之 偏極光（以下亦稱為P偏極光）進行曝光時，解析度變成更 低。此種現象被記載在例如日本專利特開平6_ 2 7 5 4 9 3號公 報（先刖技術例1 )、特開平5 — 9 〇丨2 8號公報（先前技術例 2)、特開平6 — 1 4 0 3 0 6號公報（先前技術例3)等。 [專利文獻1 ]日本專利特開平6 _ 2 7 5 4 9 3號公報 [專利文獻2 ]日本專利特開平5 _ 9 〇丨2 8號公報 [專利文獻3 ]日本專利特開平6 _丨4 〇 3 〇 6號公報 [非專利文獻π “浸液曝光技術，，[〇nline]，Nik〇n(股）， [ 2004 年 2 月 19 日檢索]，網際網路 <URL: http: //www. nikon. CO. jp/main/jpn/profile/technology/immersion/> 【發明内容】 (發明所欲解決之問題） 但在上述方式之半導體裝置之製造方法中會有下述之問 題。 如上所述，由於曝光之光之偏極方向使所形成之圖案之 對比進行變化。對於採用液浸技術等使開口數（N A )增加之 方式，該偏極相關性越加升高。其結果係曝光之光之偏極 方向會影響到圖案形狀等，不能穩定地獲得所希望之圖案 6 312XP/發明說明書(補件)/94-04/94100686 200529295 形狀。 與此相對地，在先前技術例1、2中，所揭示之曝光方法 ^ 係假定圖案只在一方向延伸。另外，在先前技術例3中， 所揭示之曝光方法係個別形成用以形成正交之2個方向之 圖案之光罩，但未揭示依圖案方向之相異變化尺寸補正量 之技術思想。因此，本發明和先前技術例1〜3之前提和構 造成為完全不同。 本發明係針對上述問題者，本發明之目的在於提供可以 Φ 使形成在晶圓上之圖案形狀穩定之半導體裝置之製造方法 及光罩圖案數據作成方法。 (解決問題之手段）
本發明之半導體裝置之製造方法係具有：第1圖案，依 照第1方向延伸；及第2圖案，具有與該第1圖案相同之 形狀，且依照與第1方向正交之第2方向延伸者，所具備 之步驟包含有：使用直線偏極照明，依照包含有上述第 1 圖案形成用之第1光罩圖案和上述第2圖案形成用之第2 光罩圖案之光罩圖案，進行曝光之步驟；及在曝光後，.形 成依照光罩圖案之形狀之上述第1和第2圖案之步驟；且 使第1和第2光罩圖案之形狀成為互異。 本發明之光罩圖案數據作成方法係使用直線偏極光，規 定在晶圓上用以形成有圖案之光罩圖案者，其中在與直線 偏極光之偏極方向平行之第1方向及與該第1方向正交之 第2方向，使尺寸校正量互異。 (發明效果） 7 312XP/發明說明書(補件)/94-04/94100686 200529295 依照本發明時，可以使利用曝光形成在晶圓上之圖案之 形狀穩定。 裊
本發明之上述和其他之目的、特徵、態樣和優點，經由 下面關聯添附圖式之對本發明之詳細說明當可明白。 【實施方式】 下面使用圖1至圖2 1說明根據本發明之半導體裝置之製 造方法及光罩圖案數據作成方法之實施形態。 (實施形態1 ) 圖1係表示本發明之實施形態1之半導體裝置之俯視圖。 本實施形態之半導體裝置係屬於非揮發性半導體記憶裝 置之一實例之快閃記憶器。另外，在本實施形態中，所說 明者係有關於作為本發明之適用例之上述快閃記憶器，但 是本發明之適用範圍並不只限於快閃記憶器，亦可適用在 任意之半導體裝置。 參照圖 1，快閃記憶器（半導體裝置）具備有記憶器底板 部1 0和周邊電路部1 1。 圖2表示記憶器底板部1 0之閘極佈線圖案之一實例。 參照圖 2，閘極佈線圖案包含有形成在記憶單元上之線 和空間圖案13(line and space pattern)和連接到接觸襯 塾（contact pad)之歹1J出、線部12。 線和空間圖案 1 3係快閃記憶器中密度最高之微細圖 案。另外，因為線和空間圖案1 3佔晶片面積全體之比例為 大約5 0 %以上，所以使線和空間圖案1 3之間距變狹，可以 獲得使晶片面積有效縮小之效果（晶片收縮（chip shrink) 8 312XP/發明說明書(補件)/94-04/94100686
200529295 效果）。 因此，使用對線和空間圖案1 3之延伸方向平行之方 行偏極之直線偏極光（對線和空間圖案1 3成為S偏極 直線偏極光）施加曝光步驟。利用此種方式可以提高線 間圖案1 3之解析度，使線和空間圖案1 3之間距變窄 上述直線偏極光可使用直線偏極照明獲得。圖1 5表 含有實現本實施形態之半導體裝置之製造方法的直線 照明之半導體製造裝置之一實例。 參照圖1 5，在光源1之背面具備有鏡2。從光源1 之光通過複眼透鏡 3 ( f 1 y _ e y e 1 e n s )被均一化，經由 偏極板 4，在指定之方向進行偏極，成為直線偏極光 本實施形態中，沿著晶圓9上之微細圖案6 (例如線和 圖案13等）和形成該圖案6用之光罩圖案5之延伸方 行偏極，用來產生直線偏極光（S偏極光）。 來自偏極板4之直線偏極光到達光罩7。在光罩7 成有上述之光罩圖案5。通過光罩7之直線偏極光， 物鏡8 (投影透鏡）到達晶圓9上。其結果係光罩圖案 轉印到形成在晶圓9上之光阻膜上。 在圖15所示之曝光裝置中，使曝光波長為193nm， N A為0 . 9 2，在大氣中進行曝光。但是，該等條件只係 例，亦可以提高透鏡之N A，或使用液浸技術，預定可 形成窄間距之圖案 6。例如，使用 F2受激準分子 (excimerlaser)可以使曝光波長成為157nm。另外， 源1為受激準分子雷射之情況時，從該處發出之光成 312XP/發明說明書(補件)/94-04/94100686 向進 光之 和空 〇 示包 偏極 發出 通過 。在 空間 向進 上形 經由 5被 透鏡 一實 進而 雷射 在光 為直 9 200529295 線偏極光。在此種情況，當使偏極面旋轉 9 0 °進行S偏極 和P偏極之變換時，可以使用λ /4板。 對於在晶圓上形成佈線圖案之一般步驟，使用圖1 8〜圖 2 1進行說明。 如圖1 8所示，在形成有絕緣層1 2 1和導電層1 2 2之晶 圓120上，形成光阻膜123(圖21中之步驟130)。
其次，使用光罩圖案進行曝光（圖21中之步驟131)。然 後施加顯影處理，如圖1 9所示，形成與光罩圖案對應之光 阻圖案1 2 3 Α。 再以光阻圖案1 2 3 A作為光罩，經由施加蝕刻，如圖2 0 所示，用來在晶圓1 2 0上形成佈線圖案1 2 2 A，其間包夾有 絕緣膜1 2 1 A。然後，除去光阻圖案1 2 3 A (以上係圖2 1中之 步驟1 3 2 )。 下面說明上述之曝光步驟所使用之光罩之光罩圖案數 據之作成方法。 一般在光罩圖案形成時，使用預先估計該光罩圖案之晶 圓轉印時之變形量（圖案變形量），形成校正過該變形之光 罩圖案之手法（OPC : Optical Proximity Correction)。這 時被校正之尺寸稱為尺寸校正量。 在曝光之光使用無偏極之光（隨機偏極）之情況時，在縱 方向和橫方向間之尺寸校正量沒有差異。但是，在曝光之 光使用直線偏極之情況時，所形成之圖案之解析度在縱方 向和橫方向成為不同，所以依照同一尺寸之光罩圖案所形 成之圖案之尺寸，有在縱方向和橫方向成為不同之問題。 10 312XP/發明說明書(補件)/94-04/94100686 200529295 與此相對地，在本實施形態之光罩圖案數據作成方法 中，在與曝光所使用之直線偏極光之偏極方向平行之縱方 向（第1方向），和對縱方向正交之橫方向（第2方向），使 用互不相同之尺寸校正量。 利用此種方式，可以獲得與曝光之光之偏極方向無關之 穩定形狀之圖案。 圖1 6表示本實施形態之光罩圖案數據作成方法之步驟。
參照圖1 6，輸入：與形成在晶圓上之圖案有關之數據 (設計圖案數據）；與曝光所使用之直線偏極光之偏極方向 有關之數據（偏極方向數據）；其他曝光條件（開口數N A )， 照明之連貫性（c 〇 h e r e n c e ) ( σ ));與光阻有關之資訊（光阻 和顯影參數）（圖1 6中之步驟6 1 )。 其次，利用設計圖案數據，偏極方向數據，和曝光條件， 用來計算光學像（圖1 6中之步驟6 2 )。在此處參照偏極方 向和各個設計圖案之方向之關係。 利用所算出之光學像和上述光阻（和顯影）參數，用來計 算轉印像（圖1 6中之步驟6 3 )。 利用上述轉印像獲得形成在光罩上之光罩圖案數據（圖 16中之步驟 64)。然後，輸出所算出之光罩圖案數據（圖 1 6中之步驟6 5 )。 圖17表示圖16所示之光罩圖案數據作成方法之步驟之 變化例。 參照圖1 7，在該變化例中，自動地抽出被輸入之設計圖 案數據中之最微細之圖案（微細密集圖案）（圖1 7中之步驟 11 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-04/94100686 200529295 6 1 A )，根據其抽出結果，規定曝光所使用之直線偏極光之 偏極方向（圖1 7中之步驟6 1 B )。其結果係因為自動地獲得 上述偏極方向數據，所以不需要輸入該數據。 在此處直線偏極光之偏極方向被規定在微細密集圖案 之延伸方向之平行方向。利用此種方式，對於設計圖案中 之最微細之圖案，可以使用對該圖案成為S偏極光之直線 偏極光，進行圖案製作。其結果係可以提高微細密集圖案 之解析度，可以有效地縮小晶片面積。
另外，用以實現上述光罩圖案數據作成方法中之各個步 驟 61 〜65 之 EDA(Electronic Design Automation)程式之 作成，可從最初預定。 下面說明利用上述光罩圖案數據作成方法所獲得之光 罩圖案及其效果。 圖3 A、圖3 B表示上述快閃記憶器（半導體裝置）之周邊 電路部1 1之閘極佈線圖案之一實例。另外，圖3 A、圖3 B 所示佈線圖案之形狀相同，當使圖 3A所示佈線圖案旋轉 9 0 °時，獲得圖3 B所示之佈線圖案。 參照圖3 A、圖3 B，周邊電路部1 1之佈線圖案1 4、1 5， 當與上述記憶器底板部1 0之線和空間圖案1 3比較時，圖 案間之間距較大。實質上，例如線和空間圖案1 3之圖案寬 度為60nm左右，圖案間距為120nm左右，與此相對地，佈 線圖案14、15之圖案間距最窄為240nm左右。 佈線圖案1 4 (第1圖案）在縱方向（第1方向）延伸，佈線 圖案15(第2圖案）在橫方向（第2方向）延伸。佈線圖案 12 312XP/發明說明書(補件)/94-04/94100686 200529295 14、15之寬度（W0)相等。 線和空間圖案1 3和佈線圖案1 4、1 5利用同一直線偏極 光經由同一曝光步驟形成。在此處曝光所使用直線偏極光 . 之偏極方向，被規定成為與線和空間圖案1 3之延伸方向平 行。其結果係偏極方向成為與佈線圖案1 4之延伸方向（圖 3 A、圖3 B中之上下方向）平行。亦即，上述直線偏極光對 佈線圖案 14成為 S偏極（TE(Transverse Electric)波） 光，對佈線圖案15成為P偏極（TM(Transverse Magnetic) 鲁波）光。 如上所述，利用S偏極光轉印之圖案其解析度高於利用 P偏極光轉印之圖案。因此，在使用相同形狀之光罩圖案 形成佈線圖案14、15之情況時，其尺寸產生3nm左右之差。 圖4A、圖4B表示形成圖3A、圖3B所示佈線圖案14、 15所使用之光罩圖案16、17。 參照圖 4 A、圖4 B，使與利用S偏極光所形成之佈線圖
案14對應之光罩圖案16(第1光罩圖案）之寬度（W1)，大 於與利用 P偏極光所形成之佈線圖案1 5對應之光罩圖案 17(第2光罩圖案）之寬度（W2)。另外，在圖4A中，與光罩 圖案1 7相同形狀之圖案，在光罩圖案1 6内以虛線描繪成 為光罩圖案18。在圖4A中，光罩圖案16、18之橫方向之 尺寸差為16nm。另外，在圖4A中，在光罩圖案16、18沒 有縱方向之尺寸差。 如上所述，因為利用 S偏極光形成之佈線圖案1 4所具 有之解析度高於利用P偏極光形成之佈線圖案1 5，所以在 13 312XP/發明說明書(補件)/94-(M/94100686 200529295 佈線圖案1 4、1 5之形成時，在使用相同形狀之光罩圖案之 情況，佈線圖案1 4之寬度成為小於佈線圖案1 5之寬度。 與此相對地，對於光罩圖案經由進行上述尺寸校正，可以 使佈線圖案1 4之寬度變大，其結果係可以使形成在晶圓上 之佈線圖案1 4、1 5之佈線寬度（W 0 )成為相等。 另外，佈線圖案 1 4、1 5之佈線間距大於線和空間圖案
1 3之佈線間距，所以利用P偏極光形成之佈線圖案1 5亦 被充分地解析。另外，佈線圖案1 4利用S偏極光形成，因 為焦點深度（D0F:Depth Of Focus)等具有較大之餘裕，所 以即使光罩圖案16之寬度大於光罩圖案17之寬度時，佈 線圖案1 4亦被充分地解析。 依照此種方式，因應佈線圖案之延伸方向和偏極方向之 關係，經由變化光罩圖案之尺寸校正量，在記憶器底板部 可以形成微細間距之閘極佈線圖案，同時在周邊電路部之 縱方向（第1方向）和橫方向（第2方向）沒有尺寸差，可以 形成對設計忠實之閘極圖案。 下面說明以與上述者同樣精神施加尺寸校正之光罩圖 案之另一實例。 圖5A、圖5B表示形成上述快閃記憶器之周邊電路部之 密集圖案所使用之光罩圖案19、20。 參照圖5A、圖5B，使與利用S偏極光形成之佈線圖案 對應之光罩圖案19(第1光罩圖案）之寬度（W1)，大於與利 用P偏極光所形成之佈線圖案對應之光罩圖案2 0 (第2光 罩圖案）之寬度（W2)。另外，在圖5A中，與光罩圖案20 14 312XP/發明說明書(補件)/94-04/94100686
200529295 相同形狀之圖案，在光罩圖案1 9内以虛線描繪成為光 案21。 依照此種方式，在縱方向和橫方向使光罩圖案之尺 正量成為不同，用來使周邊電路部之密集圖案沒有 差，可以進行對設計忠實之圖案之形成。 圖6 A、圖6 B、圖6 C、圖6 D表示上述快閃記憶器之 電路部之孤立圖案之形成所使用之光罩圖案。另外 6 A、圖6 B係使用無偏極光形成孤立圖案時所使用之光 案，圖6C、圖6D係使用直線偏極光形成孤立圖案時 用之光罩圖案。 參照圖6 A、圖6 B，分別依照縱方向（第1方向）和 向（第2方向）延伸之L形設計圖案1 0 1、1 0 2 (虛線）， 相同之形狀。用以形成設計圖案1 0 1、1 0 2之光罩圖案 104 具有主（main)部 105、106;突出部 107、108;位 落（corner)部内側之内襯線（inner serif)部109、11 1和第2凹部）；及位於角落部外側之襯線（s e r i f )部 1 1 2 (第1和第2凸部）。在此處設計圖案1 0 1、1 0 2因 由使用無偏極光之曝光步驟而形成，所以用以形成設 案101、102之光罩圖案103、104之形狀相同。 參照圖6 C、圖6 D，使與利用S偏極光形成之佈線 對應之光罩圖案114(第1光罩圖案）之寬度（W1)，大 利用P偏極光形成之佈線圖案對應之光罩圖案1 1 3 (第 罩圖案）之寬度（W2)。另外，在圖6D中，與光罩圖案 相同形狀之圖案在光罩圖案Π 4内以虛線描繪。 312XP/發明說明書(補件)/94-04/94100686 罩圖 寸校 縱橫 周邊 ，圖 罩圖 所使 橫方 具有 1 03 1 於角 〇(第 丨1卜 為經 計圖 圖案 於與 2光 113 15 200529295 如圖6C、圖6D所示，在橫方向延伸之光罩圖案113和 縱方向延伸之光罩圖案114，其主部115A、115B之線寬， 突出部1 1 6 A、1 1 6 B之突出量，内襯線部1 1 7 A、1 1 7 B (第1 和第2凹部）之形狀和襯線部1 1 8 A、1 1 8 B (第1和第2凸部） 之形狀互異。利用此種方式形成在縱方向和橫方向具有相 同形狀之設計圖案。
依照此種方式，經由使縱方向和橫方向之光罩圖案之尺 寸校正量成為不同，在孤立圖案亦沒有縱橫差，可以進行 對設計忠實之圖案形成。另外一方面，在未設有尺寸校正 量之差，使用直線偏極光進行曝光之情況，在縱橫會產生 3nm左右之尺寸差。 圖7 A、圖7 B表示用來在上述快閃記憶器之周邊電路部 形成突合圖案所使用之光罩圖案。 參照圖7 A、圖7 B，橫方向（第2方向）之突合圖案形成 用之光罩圖案具有主圖案22和錘頭23(hammerhead)，縱 方向（第1方向）之突合圖案形成用之光罩圖案具有主圖案 2 4和錘頭2 5。在此處使與利用S偏極光形成之佈線圖案對 應之主圖案24(第1光罩圖案）之寬度（W1)，大於與利用P 偏極光形成之佈線圖案對應之主圖案2 2 (第2光罩圖案）之 寬度（W 2 )。另外，與主圖案之寬度同樣地，使錘頭2 5之寬 度大於錘頭23之寬度。再使錘頭25(第1光罩圖案）之厚 度變大，使其間隔（W 3 )小於錘頭2 3 (第2光罩圖案）之間隔 (W4)。 依照此種方式，在縱方向和橫方向經由使光罩圖案之尺 16 312XP/發明說明書(補件)/94-04/94100686 200529295 寸校正量互異，在周邊電路部之突合圖案沒有縱橫差，可 以進行對設計忠實，和突合間隔很小之圖案形成。 ， 本實施形態之半導體裝置之製造方法係摘要如下。 . 本實施形態之半導體裝置之製造方法在其一態樣中，該 半導體裝置具有：第1圖案（例如圖 3中之佈線圖案14 等），依照縱方向（第1方向）延伸；第2圖案（例如圖3中 之佈線圖案1 5等），具有與第1圖案相同之形狀，依照與 縱方向正交之橫方向（第2方向）延伸；該製造方法所具備 ® 之步驟包含有：使用直線偏極照明，依照包含有第1圖案 形成用之第1光罩圖案（例如圖4中之光罩圖案16等）和第 2圖案形成用之第2光罩圖案（例如圖4中之光罩圖案17 等）之光罩圖案，進行曝光之步驟；在曝光後形成依照光罩 圖案形狀之第1和第2圖案（例如圖3中之佈線圖案1 4、
1 5等）之步驟；使第1和第2光罩圖案（例如圖4中之光罩 圖案1 6、1 7等）之形狀成為互異。在另外一個觀點中，光 罩圖案之尺寸校正量在縱方向和橫方向成為互異。 另外，在另一態樣中，上述第1和第2圖案具有相同寬 度，與此相對地，第1和第2光罩圖案具有不同寬度。 在此處當直線偏極光之偏極方向為縱方向之情況時，使 在縱方向延伸之光罩圖案（第1光罩圖案）之寬度，大於在 橫方向延伸之光罩圖案（第2光罩圖案）之寬度。 第1和第2圖案之一實例可以考慮具有L形形狀之設計 圖案101、102(第1和第2圖案）。與設計圖案101、102 對應之光罩圖案113、114具有角落部113人、114六。在角 17 312XP/發明說明書(補件)/94·04/94100686 200529295 落部1 1 3 A、1 1 4 A内側設有内襯線部1 1 7 A、1 1 7 B (第1和第 2凹部），在角落部外側設有襯線部1 1 8 A、1 1 8 B (第1和第 2凸部）。在依縱方向（第1方向）延伸之光罩圖案113，和 依橫方向（第2方向）延伸之光罩圖案1 1 4之間，使内襯線 部1 1 7 A、1 1 7 B和襯線部1 1 8 A、1 1 8 B之形狀成為互異。 第1和第2圖案例如可以係閘極佈線圖案，亦可以係密 集圖案，亦可以係孤立圖案，或突合圖案。
本實施形態之半導體裝置具有記憶單元（memory cell) 部和周邊電路部。上述之精神可以在記憶單元部實現，亦 可以在周邊電路部實現。 在本實施形態中，利用上述之精神可以抑制縱/橫方向 間之尺寸差，可以進行對設計忠實之圖案之形成。 (實施形態2 ) 圖8 A、圖8 B表示用以形成實施形態2之快閃記憶器（半 導體裝置）之佈線圖案之光罩圖案。 參照圖8 A、圖8 B，使與利用S偏極光形成之佈線圖案對 應之縱方向之主圖案26(第1主圖案）之寬度，和與利用P 偏極光形成之佈線圖案對應之橫方向之主圖案2 6 A (第2主 圖案）之寬度，成為相同（W1)。但是，在橫方向之主圖案 26A之兩側設有本身不解析之輔助圖案27(虛擬圖案）。 實質上，主圖案26、26A之寬度（W1)在光罩上為240n m (晶 圓換算成6 0 n m)。在沒有輔助圖案2 7之情況時，依照主圖 案2 6、2 6 A形成之縱方向之佈線圖案和橫方向之佈線圖案 產生2nm左右之尺寸差。另外一方面，在光罩上配置有輔 18 312XP/發明說明書(補件)/94-04/94100686 200529295 助圖案2 7之情況時，可以形成在縱/橫圖案間沒有尺寸差 亦沒有形狀差之佈線圖案。另外，輔助圖案2 7之線寬（b 1 ) 在光罩上為50nm左右。 圖9A、圖9B表示圖8A、圖8B所示之光罩圖案之變化例。
參照圖9 A、圖9 B，使與利用S偏極光形成之佈線圖案對 應之縱方向之主圖案28(第1主圖案）之寬度，和與利用P 偏極光形成之佈線圖案對應之橫方向之主圖案3 0 (第2主 圖案）之寬度，成為相同（W1)。另外，在縱方向之主圖案 28之兩側設有其本身不解析之輔助圖案29,在橫方向之主 圖案26A之兩側設有其本身不解析之輔助圖案31。 實質上，主圖案28、30之寬度^1)在光罩上為20〇11111(晶 圓換算成50nm)。另外，輔助圖案29之線寬（b2)在光罩上 為 35nm左右，輔助圖案31之線寬（b3)在光罩上為60nm 左右。使輔助圖案2 9、31和主圖案2 8、3 0之間隔，在縱 方向和橫方向成為相同。利用此種方式，可以在縱/橫圖案 間形成沒有尺寸差亦沒有形狀差之佈線圖案。 本實施形態之半導體裝置之製造方法係摘要如下。 本實施形態之半導體裝置之製造方法係該半導體裝置具 有：佈線圖案（第1圖案），依照縱方向（第1方向）延伸； 佈線圖案（第2圖案），具有與第1圖案相同之寬度，依照 與縱方向正交之橫方向（第2方向）延伸；該製造方法所具 備之步驟包含有：利用直線偏極光，將形成在光罩上之光 罩圖案，轉印在形成於晶圓上之光阻膜上之步驟；對光阻 膜進行圖案製作之步驟；使用經圖案製作之光阻膜，用來 19 312XP/發明說明書(補件)/94-04/94100686 200529295 形成圖案之步驟；直線偏極光之偏極方向與上述之縱方向 (第1方向）平行；用以形成第2圖案之光罩圖案設有··主 圖案2 6 A，對應到第2圖案；輔助圖案2 7，位於主圖案2 6 A 之兩側，寬度小於該主圖案2 6 A ( b 1 < W 1 )。
經由在主圖案2 6 A之兩側設置輔助圖案2 7，可以抑制主 圖案26A之形成時在橫方向（P偏極方向）延伸之第2圖案 之寬度。其結果係可以使第2圖案之寬度配合在縱方向（S 偏極方向）延伸之第1圖案之寬度，可以抑制縱橫方向間之 尺寸差，藉以進行對設計忠實之圖案形成。 另外，在依照縱方向（S偏極方向）延伸之主圖案2 8 (第1 主圖案）之兩側，設置輔助圖案2 9 (第1輔助圖案），在依 照橫方向（P偏極方向）延伸之主圖案3 0 (第2主圖案）之兩 側，設置輔助圖案3 1 (第2輔助圖案），即使輔助圖案3 1 之寬度（b3)大於輔助圖案29之寬度（b2)時，亦可以獲得與 上述同樣之效果。 另外，在本實施形態中，對於與實施形態1同樣之事項， 不再重複其詳細說明。 (實施形態3 ) 圖1 0 A、圖1 0 B係表示用以在晶圓上形成孔洞圖案之光 罩圖案之俯視圖。 圖10A表示一般之光罩圖案。在圖10A中，光罩圖案具 有半色調場（h a 1 f t ο n e f i e 1 d )部 3 2 (半色調區域）和開口 部3 3。開口部 3 3具有正方形之形狀。經由對該光罩圖案 照射無偏極光，用來形成圓形之孔洞圖案（h ο 1 e p a 11 e r η )。 20 312XP/發明說明書(補件)/94-04/94100686 200529295
與此相對地，圖1 0 B表示本實施形態之半導體裝置之製 造方法所使用之光罩圖案佈置。在圖10B中，光罩圖案具 有半色調場部3 2 (半色調區域）和開口部3 4。開口部3 4具 有使縱方向（第1方向）之開口寬度（W 2 )大於橫方向（第2 方向）之開口寬度（W 1 )的長方形形狀。經由對該光罩圖案照 射依照縱方向偏極之偏極光，用來形成圓形之孔洞圖案。 另外，在圖1 Ο B中，長方形之縱橫比為1 . 6左右，但該值 可以在1 . 2以上2以下左右之範圍進行變更。經由將縱橫 比設定在該範圍，可以充分確保防止後面所述之異狀轉印 之效果，同時可以防止所形成之孔洞圖案成為橢圓形狀。 另外，透過半色調場部32之光，當與透過開口部34之光 比較時，相位被調整成為偏移7Γ 。 圖11A、圖11B表示配置有多個圖10A、圖10B所示之光 罩圖案之狀態。在圖1 1 A中，在半色調場部4 0配置具有正 方形之形狀之開口部41，在圖1 1 B中，在半色調場部 4 0 配置具有長方形之形狀之開口部42。 但是，在上述實施形態1中，經由使曝光所使用之直線 偏極光成為 S偏極照明方向（第 1方向）之光罩圖案之線 寬，大於該直線偏極光成P偏極照明方向（第2方向）之光 罩圖案之線寬，用來形成在縱/橫方向間沒有尺寸差之圖 案，但是在本實施形態中，使縱方向（第1方向）之開口寬 度大於橫方向（第2方向）之開口寬度，亦即，使曝光所使 用之直線偏極光成為S偏極照明方向（第1方向）之半色調 場部之寬度，小於該直線偏極光成為P偏極照明方向（第2 21 312XP/發明說明書(補件)/94-04/94100686 200529295 方向）之半色調場部之寬度，用來形成圓形之孔洞圖案。依 照此種方式，本實施形態之光罩圖案具有與上述實施形態 1不同之特徵部份。
依照上述方式，在本實施形態中，進行與實施形態1相 反之尺寸校正，可以防止在半色調曝光時成為妨礙解析度 提高之原因之副尖峰（s u b p e a k )異狀轉印。副尖峰係由於 來自開口部之光繞射在開口周邊產生光強度變強之點，由 於與來自周邊之開口之繞射光產生干涉，使點強度變強， 因而出現異狀轉印像之現象。 圖12A、圖12B表示使用圖11A、圖11B所示之光罩圖案 所形成之晶圓上之圖案。另外，圖1 2 A表示對圖1 1 A所示 之光罩圖案照射無偏極光所形成之圖案，圖1 2 B表示對圖 1 1 B所示之光罩圖案照射在縱方向（第1方向）偏極之直線 偏極光所形成之圖案。 參照圖1 2 A、圖1 2 B，在光阻4 3上形成孔洞4 4、4 5。在 圖1 2 A中，於孔洞4 4之間形成有副尖峰所造成之異狀轉印 圖案46。另外一方面，在圖12B中，未觀察到有副尖峰所 造成之異狀轉印。在圖1 2 B中，曝光之光使用直線偏極光， 和使該偏極方向之開口寬度相對地較大，用來改善曝光效 率，藉以使開口部和場部之相對曝光比變小。 另外，在本實施形態中係將半色調場部之透過率設定在 6 %左右，但是經由使該透過率更高，可以使防止異狀轉印 之效果成為更高。實質上，上述透過率可以在2 %以上2 5 % 以下左右之範圍進行變更。 22 312XP/發明說明書(補件)/94-04/94100686 200529295 本實施形態之半導體裝置之製造方法係摘要如下。 本實施形態之半導體裝置之製造方法係該半導體裝置具 ， 有孔洞4 5 (孔洞圖案）；該製造方法所具備之步驟包含有： . 利用直線偏極光，將包含有形成在光罩上之開口部4 2之光 罩圖案，轉印在形成於晶圓上之光阻43上之步驟；對光阻 4 3進行圖案製作之步驟；使用經圖案製作之光阻4 3，用來 形成圖案之步驟；在用以形成孔洞45之開口部42中，使 與直線偏極光之偏極方向平行之縱方向（第1方向）之開口 ® 寬度（W2)，大於與縱方向正交之橫方向（第2方向）之開口 寬度（W1 )。 利用此種方式可以抑制由於副尖峰在光阻上形成異狀轉 印圖案。 另外，在本實施形態中，對於與實施形態1、2相同之事 項不再重複其詳細說明。 (實施形態4 )
圖13A〜圖13D係表示實施形態4之半導體裝置之製造方 法中之在基板50上形成之光阻圖案51、52、51A、52A之 剖面圖。另外，圖1 4 A、圖1 4 B係表示該光阻圖案之俯視 圖。圖13A、圖13C表示圖14A中之A-A剖面，圖13B、圖 13D表示圖14B中之B-B剖面。 圖13A〜圖13D、圖14A、圖14B所示之光阻圖案係用來 形成圖案寬度為7 0 n m左右之線和空間圖案者。該光阻圖案 例如在曝光波長為1 9 3 n m，開口數（N A )為0 . 9 2之曝光條件 下形成。 23 312XP/發明說明書(補件)/94-04/94100686 200529295 圖1 3 A、圖1 3 B表示在使用直線偏極光進行曝光之情況 所形成之光阻圖案5 1、5 2。另外，直線偏極光之偏極方向 係圖1 4 A、圖1 4 B中之上下方向。亦即，圖1 3 A所示之光 阻圖案5 1利用S偏極光形成，圖1 3 B所示之光阻圖案5 2 利用P偏極光形成。 參照圖1 3 A、圖1 3 B，利用S偏極光形成之光阻圖案5 1 具有下部變細之剖面形狀。另外一方面，利用P偏極光形 成之光阻圖案5 2具有矩形之剖面形狀。
圖1 3 C、圖1 3 D係表示將在橫方向（第2方向）偏極之其 他直線偏極光（第2直線偏極光），組合在縱方向（第1方向） 偏極之直線偏極光（第1直線偏極光），使用組合後之偏極 光進行曝光之情況時所形成之光阻圖案5 1 A、5 2 A。另外， 第1直線偏極光之偏極方向係圖1 4 A、圖1 4 B中之上下方 向，第2直線偏極光之偏極方向係圖1 4 A、圖1 4 B中之左 右方向。另外，第2直線偏極光之振幅係第1直線偏極光 之振幅之5%左右。 參照圖1 3 C，利用S偏極光和P偏極光之組合所形成之 偏極光進行曝光，可以使光阻圖案5 1 A之形狀成為矩形形 狀。在此處可以確保光阻圖案5 1 A之解析度，成為與光阻 圖案5 1大致相同程度之解析度。另外，光阻圖案5 2 A之形 狀成為與光阻圖案5 2之形狀相同之形狀。其結果係可以使 縱/橫之光阻圖案（光阻圖案 5 1 A、5 2 A )之尺寸差和形狀差 變小0 在此處之第1和第2直線偏極光之組合手法可以考慮使 24 312XP/發明說明書(補件)/94-04/94100686 200529295 用照射合成該等之橢圓偏極光之方法，和個別照射第1和 第2直線偏極光之方法。亦即，第1直線偏極光和第2直 線偏極光之組合之概念包含合成第1和第2直線偏極光成 為橢圓偏極光，和個別照射第1和第2直線偏極光。前者 因為利用1次之曝光完成，所以其優點為可以提高通量， 後者因為可以以簡便之裝置構成曝光光學系統，所以其優 點為偏極比率（第1和第2直線偏極光之振幅之比率）之控 制變為容易。
另外，在本實施形態中係使第2直線偏極光之振幅成為 第1直線偏極光之振幅之5 %左右，但是該值可以在2 %以上 2 0 %以下左右（更好為 3 %以上 1 0 %以下左右）之範圍内進行 變更。經由將第1和第2直線偏極光之振幅之比率設定在 該範圍内，可以充分地確保光阻圖案之解析度，同時可以 抑制利用S偏極光轉印形成之光阻圖案之斷圖成為下部變 細之形狀。 本實施形態之半導體裝置之製造方法係摘要如下。 本實施形態之半導體裝置之製造方法具備有轉印步驟， 其係使用照明裝置、光罩和投影透鏡，利用來自照明裝置 之照明光，將形成在光罩上之光罩圖案，轉印在形成於晶 圓上之光阻膜上；該照明光組合使用有：S偏極光（第1直 線偏極光），偏極於與光罩圖案之延伸方向平行之縱方向 (第1方向）；P偏極光（第2直線偏極光），偏極於與縱方 向正交之橫方向（第2方向）。 另外，在本實施形態中，對於與實施形態1〜3同樣之事 25 312XP/發明說明書(補件)/94-04/94100686 200529295 項，其詳細說明不再重複。 以上已說明本發明之實施形態，但是亦可以從最初預定 • 地適當組合上述各個實施形態之特徵部份。 . 上面已詳細說明本發明，但是只作舉例之用，無意用來 限制本發明，應該明白地理解本發明之精神和範圍只由申 請專利範圍限定。 (產業上之可利用性） 依照上述之方式，本發明可適用於半導體裝置之製造方 ® 法及光罩圖案數據作成方法。 【圖式簡單說明】 圖1係表示本發明之實施形態1之半導體裝置之構造概 要之俯視圖。 圖 2 係表示圖 1 所示之半導體裝置中，記憶器底板 (memory mat)部之圖案佈置之俯視圖。
圖3 A係表示本發明之實施形態1之半導體裝置中，周邊 電路部之閘極佈線圖案佈置之俯視圖，用來表示縱方向閘 極圖案。 圖3 B係表示本發明之實施形態1之半導體裝置中，周邊 電路部之閘極佈線圖案佈置之俯視圖，用來表示橫方向閘 極圖案。 圖4A係表示用以形成圖3A所示之佈線圖案之光罩圖案 之俯視圖。 圖4 B係表示用以形成圖3 B所示之佈線圖案之光罩圖案 之俯視圖。 26 3 ] 2XP/發明說明書(補件)/94-04/94100686
200529295 圖5 A係表示用以形成本發明之實施形態1中，半 置之周邊電路部的密集佈線圖案之光罩圖案之俯視 來表示形成縱方向密集圖案用之縱方向光罩圖案。 圖5 B係表示用以形成本發明之實施形態1中，半 置之周邊電路部的密集佈線圖案之光罩圖案之俯視 來表示形成橫方向密集圖案用之橫方向光罩圖案。 圖6A係表示用以形成L形佈線圖案之光罩圖案 圖，用來表示一般之光罩圖案佈置。 圖6B係表示用以形成L形佈線圖案之光罩圖案 圖，用來表示一般之光罩圖案佈置。 圖6C係表示用以形成L形佈線圖案之光罩圖案 圖，用來表示本發明之實施形態1之半導體裝置之 法所使用之光罩圖案佈置。 圖6D係表示用以形成L形佈線圖案之光罩圖案 圖，用來表示本發明之實施形態1之半導體裝置之 法所使用之光罩圖案佈置。 圖7 A係表示用以形成本發明之實施形態1之半導 的突合佈線圖案之光罩圖案之俯視圖，用來表示縱 合佈線圖案形成用之縱方向光罩圖案。 圖7 B係表示用以形成本發明之實施形態1之半導 的突合佈線圖案之光罩圖案之俯視圖，用來表示橫 合佈線圖案形成用之橫方向光罩圖案。 圖8 A係表示用以形成本發明之實施形態2之半導 的佈線圖案之一光罩圖案實例之俯視圖，用來表示 312XP/發明說明書(補件)/94-04/94100686 導體裝 圖，用 導體裝 圖，用 之俯視 之俯視 之俯視 製造方 之俯視 製造方 體裝置 方向突 體裝置 方向突 體裝置 縱方向 27
200529295 佈線圖案形成用之縱方向光罩圖案。 圖8 B係表示用以形成本發明之實施形態2之半導體 的佈線圖案之一光罩圖案實例之俯視圖，用來表示橫 佈線圖案形成用之橫方向光罩圖案。 圖9 A係表示用以形成本發明之實施形態2之半導體 的佈線圖案之其他光罩圖案實例之俯視圖，用來表示 向佈線圖案形成用之縱方向光罩圖案。 圖9 B係表示用以形成本發明之實施形態2之半導體 的佈線圖案之其他光罩圖案實例之俯視圖，用來表示 向佈線圖案形成用之橫方向光罩圖案。 圖1 0 A係表示用以形成孔洞圖案之光罩圖案之俯視 用來表示一般之光罩圖案。 圖1 0 B係表示用以形成孔洞圖案之光罩圖案之俯視 用來表示本發明之實施形態3之半導體裝置之製造方 使用之光罩圖案佈置。 圖Π A係表示集合圖1 0 A所示之光罩圖案之狀態之 圖〇 圖1 1 B係表示集合圖1 0 B所示之光罩圖案之狀態之 圖。 圖12A係表示使用圖11A所示之光罩圖案進行圖案 之結果之俯視圖。 圖12B係表示使用圖11B所示之光罩圖案進行圖案 之結果之俯視圖。 圖1 3 A係表示在本發明之實施形態4之半導體裝置 312XP/發明說明書(補件)/94-04/94100686 裝置 方向 裝置 縱方 裝置 橫方 圖， 圖， 法所 俯視 俯視 轉印 轉印 之製 28 200529295 造方法，於光罩圖案轉印後之光阻圖案之剖面圖。 圖1 3 B係表示在本發明之實施形態4之半導體裝置之製 造方法，於光罩圖案轉印後之光阻圖案之剖面圖。 圖1 3 C係表示在本發明之實施形態4之半導體裝置之製 造方法，於光罩圖案轉印後之光阻圖案之剖面圖。 圖1 3 D係表示在本發明之實施形態4之半導體裝置之製 造方法，於光罩圖案轉印後之光阻圖案之剖面圖。
圖1 4 A係表示在本發明之實施形態4之半導體裝置之製 造方法，於光罩圖案轉印後之光阻圖案之俯視圖。 圖1 4 B係表示在本發明之實施形態4之半導體裝置之製 造方法，於光罩圖案轉印後之光阻圖案之俯視圖。 圖1 5係表示半導體製造裝置之一構造實例之圖式。 圖1 6係表示本發明之實施形態1之光罩圖案數據作成方 法之一流程實例之圖式。 圖1 7係表示本發明之實施形態1之光罩圖案數據作成方 法之另一流程實例之圖式。 圖1 8係表示一般佈線圖案形成步驟之第1步驟之圖式。 圖1 9係表示一般佈線圖案形成步驟之第2步驟之圖式。 圖2 0係表示一般佈線圖案形成步驟之第3步驟之圖式。 圖2 1係表示一般佈線圖案形成步驟之流程圖。 【主要元件符號說明】 光源 2 鏡 3 複眼透鏡 29 312XP/發明說明書(補件)/94-04/94100686 200529295 4 偏極板 5 光罩圖案 6 微細圖案 7 光罩 物鏡
9 10 11 12 13 16、17 18 19^20 2 1 22 23 2 4 25 晶圓 記憶器底板 周邊電路部 引出線部 線和空間圖案 佈線圖案 光罩圖案 光罩圖案（尺寸校正前） 光罩圖案 光罩圖案（尺寸校正前） 主圖案（橫方向） 鍾頭（橫方向） 主圖案（縱方向） 錘頭（縱方向） 26、26A 主圖案 27 28 29 30 輔助圖案 主圖案（縱方向） 輔助圖案（縱方向） 主圖案（橫方向） 30 312XP/發明說明書(補件)/94-04/94100686 200529295 3 1 輔助圖案（橫方向 32 > 40 半色調場部 33、34 開口部 41、42 開口部 43 光阻 44、45 孔洞 46 異狀轉印圖案 50 基板 5 1、51A、52、 52 A 光阻圖案 10 卜 102 設計圖案 103、 104 光罩圖案 105' 106 主部 107、 108 突出部 1 09 > 110 内襯線部（凹部） 1 1 1、1 1 2 襯線部（凸部） 1 1 3、1 1 4 光罩圖案 113A 、 114A 角落部 115A 、 115B 主部 116 A、116B 突出部 117A 、 117B 内襯線部 118A 、 118B 襯線部 120 晶圓 121 絕緣層 1 2 1 A 絕緣膜 312XP/發明說明書(補件)/94-04/94100686 31 200529295 1 22 1 22A 1 23 1 23A Η〜b3 WO 〜W2 W3、W4 導電層 佈線圖案 光阻膜 光阻圖案 線寬 寬度 間隔
312XP/發明說明書(補件)/94-04/94100686 32

Claims (1)

  1. 200529295 十、申請專利範圍： 1. 一種半導體裝置之製造方法，係具有：第1圖案，依 照第1方向延伸；及第2圖案，具有與該第1圖案相同之 形狀，且依照與上述第1方向正交之第2方向延伸者，其 特徵係具備： 使用直線偏極照明，依照包含有上述1圖案形成用之第 1光罩圖案和上述第2圖案形成用之第2光罩圖案之光罩 圖案，進行曝光之步驟；及
    在上述曝光後，形成依照上述光罩圖案形狀之上述第 1 和第2圖案之步驟；且 使上述第1和第2光罩圖案之形狀成為互異。 2. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置之製造方法，其 中， 上述第1方向係與通過上述第1和第2光罩圖案之曝光 之光的偏極方向平行之方向；且 使上述第1光罩圖案之寬度大於上述第2光罩圖案之寬 度。 3.如申請專利範圍第1項之半導體裝置之製造方法，其 中， 上述第1和第2光罩圖案具有第1和第2角落部； 在上述第1和第2角落部設有第1和第2凹部；且 使上述第1和第2凹部之形狀成為互異。 4.如申請專利範圍第1項之半導體裝置之製造方法，其 中， 33 312XP/發明說明書(補件)/94-04/94100686 200529295 上述第1和第2光罩圖案具有第1和第2角落部； 在上述第1和第2角落部設有第1和第2凸部；且 使上述第1和第2凸部之形狀成為互異。 5. —種半導體裝置之製造方法，係具有：第1圖案，依 照第1方向延伸；及第2圖案，具有與該第1圖案相同之 寬度，且依照與上述第1方向正交之第2方向延伸者，其 特徵係具備：
    使用直線偏極照明，依照包含有上述第1圖案形成用之 第1光罩圖案和上述第2圖案形成用之第2光罩圖案之光 罩圖案，進行曝光之步驟；及 在上述曝光後，形成依照上述光罩圖案形狀之上述第 1 和第2圖案之步驟；且 使上述第1和第2光罩圖案之寬度成為互異。 6 .如申請專利範圍第5項之半導體裝置之製造方法，其 中， 上述第1方向係與通過上述第1和第2光罩圖案之曝光 之光的偏極方向平行之方向；且 使上述第1光罩圖案之寬度大於上述第2光罩圖案之寬 度。 7.如申請專利範圍第5項之半導體裝置之製造方法，其 中， 上述第1和第2光罩圖案具有第1和第2角落部； 在上述第1和第2角落部設有第1和第2凹部；且 使上述第1和第2凹部之形狀成為互異。 34 312XP/發明說明書(補件)/94-04/94100686 200529295 8 .如申請專利範圍第5項之半導體裝置之製造方法，其 中， 上述第1和第2光罩圖案具有第1和第2角落部； 在上述第1和第2角落部設有第1和第2凸部；且 使上述第1和第2凸部之形狀成為互異。
    9 . 一種半導體裝置之製造方法，係具有··第1孤立圖案， 依照第1方向延伸；及第2孤立圖案，具有與該第1孤立 圖案相同之形狀，並依照與上述第1方向正交之第2方向 延伸者，其特徵係具備： 使用直線偏極照明，依照包含有上述第1孤立圖案形成 用之第1光罩圖案和上述第2孤立圖案形成用之第2光罩 圖案之光罩圖案，進行曝光之步驟；及 在上述曝光後，形成依照上述光罩圖案形狀之上述第 1 和第2孤立圖案之步驟；且 使上述第1和第2光罩圖案之形狀成為互異。 1 0 . —種半導體裝置之製造方法，係具有記憶單元部和周 邊電路部者，其特徵係具備： 利用直線偏極光，將形成在光罩上之光罩圖案，轉印在 形成於晶圓上之光阻膜上之步驟； 對上述光阻膜進行圖案製作之步驟；及 使用經圖案製作之上述光阻膜，以形成圖案之步驟；且 使形成上述周邊電路部之圖案用之上述光罩圖案之尺寸 校正量在縱方向和橫方向成為互異。 11. 一種半導體裝置之製造方法，係具有：第1圖案，依 35 312XP/發明說明書(補件)/94-04/94100686 200529295 照第1方向延伸；及第2圖案，具有與該第1圖案相同之 寬度，且依照與上述第1方向正交之第2方向延伸者，其 特徵係具備： 利用直線偏極光，將形成在光罩上之光罩圖案轉印在形 成於晶圓上之光阻膜上之步驟； 對上述光阻膜進行圖案製作之步驟；及 使用經圖案製作之上述光阻膜，以形成圖案之步驟； 上述第1方向和上述直線偏極光之偏極方向平行；
    用以形成上述第2圖案之光罩圖案設有：主圖案，對應 到上述第2圖案；及輔助圖案，位於上述主圖案之兩側， 且寬度小於該主圖案。 12. —種半導體裝置之製造方法，係具有··第1圖案，依 照第1方向延伸；及第2圖案，具有與該第1圖案相同之 寬度，且依照與上述第1方向正交之第2方向延伸者，其 特徵係具備： 利用直線偏極光，將形成在光罩上之光罩圖案轉印在形 成於晶圓上之光阻膜上之步驟； 對上述光阻膜進行圖案製作之步驟；及 使用經圖案製作之上述光阻膜，以形成圖案之步驟； 用以形成上述第1圖案之第1光罩圖案設有：第1主圖 案，對應到上述第1圖案；及第1輔助圖案，位於上述第 1主圖案之兩側，且寬度小於該第1主圖案； 用以形成上述第2圖案之第2光罩圖案設有··第2主圖 案，對應到上述第2圖案；及第2輔助圖案，位於上述第 36 312XP/發明說明書(補件)/94-04/94100686 200529295 2主圖案之兩側，且寬度小於該第2主圖案； 上述第2輔助圖案之寬度大於上述第1輔助圖案之寬度。 1 3 . —種半導體裝置之製造方法，係具有孔洞圖案者，其 特徵係具備： 利用直線偏極光，將形成在光罩上之光罩圖案轉印在形 成於晶圓上之光阻膜上之步驟；
    對上述光阻膜進行圖案製作之步驟；及 使用經圖案製作之上述光阻膜，以形成圖案之步驟； 在用以形成上述孔洞圖案之光罩圖案中，使與上述直線 偏極光之偏極方向平行之第1方向之開口寬度，大於與該 第1方向正交之第2方向之開口寬度。 1 4.如申請專利範圍第1 3項之半導體裝置之製造方法， 其中，在上述光罩圖案設有半色調區域。 15. —種半導體裝置之製造方法，其特徵為： 具備有轉印步驟，係使用照明裝置、光罩和投影透鏡， 利用來自上述照明裝置之照明光，將形成在光罩上之光罩 圖案轉印在形成於晶圓上之光阻膜上； 上述照明光係組合使用：第1直線偏極光，偏極於與上 述光罩圖案之延伸方向平行之第1方向；及第2直線偏極 光，偏極於與上述第1方向正交之第2方向。 1 6 .如申請專利範圍第1 5項之半導體裝置之製造方法， 其中，使上述第2直線偏極光之振幅，成為上述第1直線 偏極光之振幅之2 %以上、2 0 %以下。 1 7 . —種光罩圖案數據作成方法，係使用直線偏極光來規 37 312XP/發明說明書(補件)/94-04/94100686 200529295 定用以在晶圓上形成圖案之光罩圖案者，其特徵為： 在與上述直線偏極光之偏極方向平行之第1方向、和與 該第1方向正交之第2方向，使尺寸校正量互異。
    38 312XP/發明說明書(補件)/94-04/94100686
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