JP2014211554A - 露光用マスク、それを用いて製造された半導体デバイス、およびマスクデータ作成方法 - Google Patents

Abstract

【課題】焦点深度の向上と、高い寸法均一性を同時に実現すること。
【解決手段】半導体デバイスの露光用マスクは、所定の幅を持ち、第１方向へ延在する複数のデバイスパターンが所定のピッチで配列されたライン・アンド・スペースパターンと、このライン・アンド・スペースパターンに近接して配置された補助パターンとを含む。補助パターンは、複数のデバイスパターンをその端部から第１方向に離間して延伸した領域に、第１方向と平行に延在して配置された複数の非解像補助パターンから成る。或いは、補助パターンは、複数のデバイスパターンをその端部から第１方向に離間して延伸した領域に、第１方向と垂直な第２方向に延在して配置された解像補助パターンから成ってもよい。
【選択図】図４

Description

本発明は、半導体装置を製造するときのリソグラフィ工程に用いられる露光用マスクに係り、特に、補助パターンを有する露光用マスク、それを用いて製造された半導体デバイス、およびマスクデータ作成方法に関するものである。

この技術分野において周知のように、半導体集積回路（半導体デバイス）の製造においては、回路バターンの形成にステッパ又はスキャナと呼ばれる縮小投影露光装置を用いたフォトリソグラフィ技術が用いられる。以下、縮小投影露光装置をスキャナと呼ぶ。

スキャナでは単一波長の光源を露光光源に用いる。現在最先端のスキャナでは、光源にＡｒＦエキシマレーザ（波長λ：１９３ｎｍ）を用いている。

上記スキャナによるフォトリソグラフィでは、露光光源からのレーザ光によってフォトマスクに描画されている回路パターンを、フォトレジストを塗布した基板上に投影する事によって回路パターンを転写する。

フォトリソグラフィの分野では、近年の超解像技術の適用により波長の１／２以下の微細パターンの形成が可能となってきた。特に密集パターン（例えば、ラインとスペースの一定ピッチの繰り返しパターンである、ライン・アンド・スペースパターン（Ｌ／Ｓパターン））では、斜入射照射法の適用により十分な焦点深度が得られるようになっている。斜入射照射法とは、マスク照明光のうち垂直入射成分をカットして、マスクを斜め入射で照明する方法である。

しかしながら、この手法は回折光の生じない孤立パターンには変形照明法の効果は少なく、焦点深度はあまり拡大しない。そこで、それ自体は解像しない微細パターン（以下、「補助パターン」とも呼ばれる）を用いる手法が、密集パターンと孤立パターンとの焦点深度を両立させるために検討されてきた。焦点深度が広いほど、フォトリソグラフィ工程における焦点裕度が広いといえる。

例えば、特開２０００−０６６３７２号公報（特許文献１）では、フォトマスク中で焦点裕度を狭める孤立ライン（孤立パターン）の両側にまたは片側に、孤立ライン（孤立パターン）と平行でフォトレジストに転写されない程度のライン幅を有する補助パターンを設けている。

一方、微細化が進んだ現在のフォトリソグラフィにおいては、補助パターンと光近接効果補正（Optical Proximity Correction:ＯＰＣ）との両者が同時に採用されている。微細化パターンを実現するために、補助パターンとＯＰＣとの両者を最適化する方法が求められている。

ところで、マスクデータの作成方法としては、デバイスパターンが入力されたＣＡＤ（Computer Aided Design）データに対して補助パターンが配置され、その後ＯＰＣの補正が行われる。補助パターンの配置方法は、まずすべてのデバイスパターンの辺に対して、予め決められたルールに従い補助パターンを発生させ、その後補助パターンとデバイスパターンおよび補助パターン同士が近接した箇所を消去するという手順が一般的である。そして、補助パターンが配置されたデバイスパターンに対してＯＰＣを行い、半導体基板上に転写されるパターンが所望の寸法となるような最終的なマスクデータを作成している。

フォトリソグラフィを用いた配線等のレイアウトでは、露光装置（スキャナ）のフォーカス変動により、ラインエンドのレジストパターン後退が著しく大きかった。そこで、特開２００７−２４０９４９号公報（特許文献２）では、ラインエンド方向に垂直な、非解像の補助パターンを発生させてパターン後退を抑え、焦点深度を増大させている。

また、特許第４７６８９８０号公報（特許文献３）は、配線パターンとダミーパターンとを備え、ダミーパターンが、配線パターンを長手方向に延伸したときに、当該配線パターンと重なる領域に配置された、露光用マスクを開示している。

さら、特開２０１０−１５２０２９号公報（特許文献４）は、幅広パターンに隣接した微細パターンの光強度コントラストが低下することを考慮して、微細パターンに対する光強度コントラストの低下を軽減するパターン処理を施した半導体装置を開示している。

特開２０００−０６６３７２号公報 特開２００７−２４０９４９号公報 特許第４７６８９８０号公報 特開２０１０−１５２０２９号公報

微細化が進行することで、フォトリソグラフィでは、より高解像な液浸技術や露光の適用、クロスポールなどの特殊照明を使用することが必須となっている。このような背景の下、クロスポールを使用し、特許文献２に開示されたのと同様の、非解像の補助パターンを使用した場合、非解像の補助パターンからの光強度の波がデバイスパターンに影響を与え、結果として転写されたフォトレジストパターンをうねらせてしまい、特に、焦点距離が理想値からずれてしまうデフォーカスが起ると、うねりが顕著となる。

フォトレジストパターン寸法が不均一になることで、トランジスタ動作の不具合、コンタクトパターンのショートなどの諸問題を引き起こす原因となりうる。

特許文献３に開示された技術では、焦点深度を増大させる効果がない。

特許文献４は、微細パターンに幅広パターンが近接している場合に、パターン倒壊を防止する技術を開示しているに過ぎない。

本発明のある一側面における露光用マスクは、所定の幅を持ち、第１方向へ延在する複数のデバイスパターンが所定のピッチで配列されたライン・アンド・スペースパターンと；このライン・アンド・スペースパターンに近接して配置された補助パターンと；を含む半導体デバイスの露光用マスクあって、補助パターンは、複数のデバイスパターンをその端部から第１方向に離間して延伸した領域に、第１方向と平行に延在して配置された複数の非解像補助パターンから成る。

本発明の他の一側面における露光用マスクは、所定の幅を持ち、第１方向へ延在する複数のデバイスパターンが所定のピッチで配列されたライン・アンド・スペースパターンと；このライン・アンド・スペースパターンに近接して配置された補助パターンと；を含む半導体デバイスの露光用マスクであって、補助パターンは、複数のデバイスパターンをその端部から第１方向に離間して延伸した領域に、第１方向と垂直な第２方向に延在して配置された解像補助パターンから成る。

また、本発明に係る半導体デバイスは、上記露光用マスクを使用して製造された半導体デバイスである。

更に、本発明に係るマスクデータ作成方法は、所定の幅を持ち、第１方向へ延在する複数のデバイスパターンが所定のピッチで配列されたライン・アンド・スペースパターンのレイアウト設計後に、このライン・アンド・スペースパターンに近接して補助パターンを配置するマスクデータを作成する方法であって、補助パターンとして、複数のデバイスパターンをその端部から第１方向に離間して延伸した領域に、第１方向と平行に延在して配置された複数の非解像補助パターンおよび第１方向と垂直な第２方向に延在して配置された解像補助パターンのいずれか一方を選択して、補助パターンのレイアウトシステムに対する初期設定を実施するステップと、作成した補助パターンをチェックして、チェック結果が良好であれば、作成した補助パターンをマスクデータとして出力するチェックするステップと、を含む。

本発明によれば、焦点深度の向上と、高い寸法均一性を同時に実現できる。

本発明の実施形態によるフォトマスク（露光用マスク）を搭載した露光装置の概略構成図である。 図１に示した露光装置に使用される開口絞り板の平面図である。 （Ａ）は図１におけるフォトマスクの部分拡大平面図であり、（Ｂ）は図１におけるフォトマスクの部分拡大断面図であり、（Ｃ）は図１におけるウェハ並びにウェハステージの部分拡大断面図であり、（Ｄ）は、（Ａ）の線Ａ-Ａ’領域における露光時の光強度を示したグラフである。 本発明の第１の実施形態に係るレチクル（露光用マスク）を説明するための図であって。（Ａ）は、従来技術となるレチクルの構成を示す平面図であり、（Ｂ）は、第１の実施形態におけるレチクルの構成を示す平面図であり、（Ｃ）は、（Ａ）並びに（Ｂ）の中心線Ｂ-Ｂ’におけるリソグラフィシミュレーションによる光強度を示したグラフである。 本発明の第２の実施形態に係るレチクル（露光用マスク）について、主に補助パターンの配置位置について説明するための図であって、（Ａ）は従来技術となるレチクルの構成を示す平面図であり、（Ｂ）は第２の実施形態におけるレチクルの構成を示す平面図であり、図５は（Ａ）並びに（Ｂ）の中心線Ｂ-Ｂ’におけるリソグラフィシミュレーションによる光強度を示したグラフである。 本発明の第３の実施形態に係るレチクル（露光用マスク）について、主に補助パターンの形状について説明するための図であって、（Ａ）は従来技術となるレチクルの構成を示す平面図であり、（Ｂ）は第３の実施形態におけるレチクルの構成を示す平面図であり、（Ｃ）は（Ａ）並びに（Ｂ）の中心線Ｂ-Ｂ’におけるリソグラフィシミュレーションによる光強度を示したグラフである。 本発明の第４の実施形態に係るレチクル（露光用マスク）について、主に補助パターンの配置位置と形状について説明するための図であって、（Ａ）は従来技術となるレチクルの構成を示す平面図であり、（Ｂ）は第４の実施形態におけるレチクルの構成を示す平面図であり、（Ｃ）は（Ｂ）における補助パターンの形状を示す平面図であり、（Ｄ）は（Ａ）並びに（Ｂ）の中心線Ｂ-Ｂ’におけるリソグラフィシミュレーションによる光強度を示したグラフである。 本発明の第５の実施形態に係るレチクル（露光用マスク）について、主に補助パターンの配置位置と形状について説明するための図であって、（Ａ）は従来技術となるレチクルの構成を示す平面図であり、（Ｂ）は第５の実施形態におけるレチクルの構成を示す平面図であり、（Ｃ）は（Ｂ）における補助パターンの形状を示す平面図であり、（Ｄ）は（Ａ）並びに（Ｂ）の中心線Ｂ-Ｂ’におけるリソグラフィシミュレーションによる光強度を示したグラフである。 本発明の第６の実施形態に係るレチクル（露光用マスク）について、主に補助パターンの配置位置と形状について説明するための図であって、（Ａ）は従来技術となるレチクルの構成を示す平面図であり、（Ｂ）は第６の実施形態におけるレチクルの構成を示す平面図であり、（Ｃ）は（Ｂ）における補助パターンの形状を示す平面図であり、（Ｄ）は（Ａ）並びに（Ｂ）の中心線Ｂ-Ｂ’におけるリソグラフィシミュレーションによる光強度を示したグラフである。 本発明の第７の実施形態に係るレチクル（露光用マスク）について、主に補助パターンの配置位置と形状について説明するための図であって、（Ａ）は従来技術となるレチクルの構成を示す平面図であり、（Ｂ）は第７の実施形態におけるレチクルの構成を示す平面図であり、（Ｃ）は（Ｂ）における補助パターンの形状を示す平面図であり、（Ｄ）は（Ａ）並びに（Ｂ）の中心線Ｂ-Ｂ’におけるリソグラフィシミュレーションによる光強度を示したグラフである。 シミュレーションパターン（Ｓパターン）における幅（ＹＳ）の測定個所を説明するためのレチクルの平面図である。 シミュレーションパターン（Ｓパターン）における幅（ＹＳ）の測定結果を示すグラフである。 本発明の第１の実施形態における補助パターンの配置手順を示すフロー図である。 図１３の第４ステップＳ４における補助パターンのレイアウトルールチェックの一例を示した平面図である。 図１３の第４ステップＳ４における補助パターンのレイアウトルールチェックの一例を示した平面図である。 図１３の第４ステップＳ４における補助パターンのレイアウトルールチェックの一例を示した平面図である。 図１３の第６ステップＳ６におけるＯＰＣパターンのマスクルールチェックの一例を示したレチクルの平面図である。 図１３の第８ステップＳ８を説明するための図であって、（Ａ）は、第８ステップＳ８におけるデバイスパターンの完成予想寸法チェックの一例を示したレチクルの平面図であり、（Ｂ）は、第８ステップＳ８におけるデバイスパターンの形成マージンチェックの一例を示したレチクルの平面図あり、（Ｃ）は、デバイスパターンの中心線Ｂ-Ｂ’上における光強度を示したグラフである。 図１３の第９ステップＳ９を説明するための図であって、（Ａ）は、第９ステップＳ９における補助パターンの形成マージンチェックの一例を示したレチクルの平面図であり、（Ｂ）は、補助パターンの形成マージンが不足している場合におけるフォトレジストの断面形状を示す図であり、（Ｃ）は、デバイスパターンの中心線Ｂ-Ｂ’上における光強度を示したグラフである。

以下、図面を参照して、本発明を適用した露光用マスク及びマスクデータ作成方法について、詳細に説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、以下の説明において例示される材料、寸法等は一例であって、本発明はそれらに必ずしも限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することが可能である。

また、ＸＹＺ座標系を設定し、各構成の配置を説明する。この座標系において、Ｚ方向はウェハの表面に垂直な方向であり、Ｘ方向はウェハの表面と水平な面においてＺ方向と直交する方向であって、Ｙ方向はウェハの表面と水平な面においてＸ方向と直交する方向である。本明細書中において、Ｘ方向は第１方向と呼ばれ、Ｙ方向は第２方向と呼ばれ、Ｚ方向は第３方向と呼ばれる。

［露光装置およびパターンの種別］
まず、本発明の実施形態によるフォトマスク（露光用マスク）の設計条件を明確にするために、図１乃至図３を参照して、半導体デバイスを製造する際に用いる露光装置と、露光絞り板の構成並びにフォトマスク（露光用マスク）におけるパターンの種別について説明する。

図１は本発明の実施形態によるフォトマスク（露光用マスク）を搭載した露光装置２００の概略構成図である。図２は図１に示した露光装置に使用される開口絞り板の平面図である。図３（Ａ）は図１におけるフォトマスク（露光用マスク）の部分拡大平面図であり、図３（Ｂ）は図１におけるフォトマスク（露光用マスク）の部分拡大断面図であり、図３（Ｃ）は図１におけるウェハ並びにウェハステージの部分拡大断面図であり、図３（Ｄ）は、図３（Ａ）の線Ａ-Ａ’領域における露光時の光強度を示したグラフである。

最初に、図１を参照して、露光装置２００について説明する。露光装置２００は、光源２０１、開口絞り板２０２、リレーレンズ２０３、コンデンサレンズ２０４、光学系２０５、およびウェハステージ２０６を備えている。

露光時に装着されるフォトマスク（露光用マスク）２０７は、コンデンサレンズ２０４と光学系２０５との間に配置されている。フォトレジストを塗布されたウェハ２０８は、ウェハステージ２０６の上面に配置されている。ここで光源２０１には、ＡｒＦエキシマレーザ（波長λ：１９３ｎｍ）が備えられており、開口絞り板２０２には、クロスポール照明用の開口部が備えられている。なお露光装置２００は、ＡｒＦエキシマレーザを備えた液浸露光装置（開口数ＮＡ：１.３５）としてもよい。今後フォトマスク（露光用マスク）は、縮小投影露光で用いるレチクルとして呼称する。

次に、図２を参照して、開口絞り板２０２について説明する。開口絞り板２０２には、４つの開口部２０２Ａが設けられており、夫々の開口部２０２Ａは、開口絞り板２０２の端部に均等間隔で配置されている。また、夫々の開口部２０２Ａの中心線Ｘ−Ｘ’と中心線Ｙ−Ｙ’の交差角度θは９０°となっている。このような配置とすることで、開口部２０２Ａを透過した光源光をホールパターンの露光に有利な照明条件とすることができる。今後、開口絞り板２０２をクロスポール照明と称する場合がある。なお、開口絞り板２０２として、ＤＯＥ（Diffractive Optical Elements：回折光学素子）を用いても良い。

次に、図３（Ａ）乃至図３（Ｄ）を参照して、露光時の光強度について説明する。ここで、レチクル２０７はバイナリマスク、ウェハ２０８に塗布されたフォトレジストはポジ型として、本実施形態における補助パターンの構成で言及する、解像パターンと非解像パターンとについて説明する。

図３（Ａ）と図３（Ｂ）とに示すように、レチクル２０７を構成しているガラス基板２０９の下面には、クロム（Ｃｒ）である第１の遮光膜２１０Ａと第２の遮光膜２１０Ｂとが設けられている。図３（Ｄ）は、露光時の光強度分布をグラフにしており、グラフのＸ軸は、図３（Ａ）の線Ａ−Ａ’部における位置（Ｘ位置）、Ｙ軸は夫々のＸ位置における光強度である。

このようなレチクル２０７を用いて露光されたフォトレジスト内部の光強度は、図３（Ｄ）に示すように、第２の遮光膜２１０ＢのＸ位置に相当する領域から第１の遮光膜２１０Ａに相当する領域にかけて徐々に低下しており、第１の遮光膜２１０Ａの直下に相当する領域において最低となっている。

このような光強度分布にすると、フォトレジストの解像可否の境界となるしきい値Ｓ１よりも低い光強度領域Ｘｓのフォトレジストは現像後に残留（図３（Ｃ）のフォトレジスト２１１に相当）するが、しきい値Ｓ１よりも高い光強度領域では溶解して除去される。

このように、レチクル２０７において、残留したフォトレジスト２１１の加工マスクとなった第１の遮光膜２１０Ａを「解像パターン」と称し、フォトレジストが残留しない加工マスクである第２の遮光膜２１０Ｂを「非解像パターン」と称する。なお、解像パターンとなる第１の遮光膜２１０Ａの寸法（Ｘａ、Ｙａ）と非解像パターンとなる第２の遮光膜２１０Ｂの寸法（Ｘｂ、Ｙｂ）とは、回折光の散乱並びに重複によって光強度が複雑に変動するので、一概に設定することはできず、仮寸法での光強度シミュレーション結果に基づいて決定している。なお今後は、光強度シミュレーションをリソグラフィシミュレーションと呼称する。

［第１実施形態］
次に、図４（Ａ）乃至図４（Ｃ）を参照して、本発明の第１の実施形態に係るレチクル１００ついて説明する。

図４（Ａ）は、従来技術となるレチクル３００の構成を示す平面図であり、図４（Ｂ）は、第１の実施形態におけるレチクル１００の構成を示す平面図であり、図４（Ｃ）は、図４（Ａ）並びに図４（Ｂ）の中心線Ｂ-Ｂ’におけるリソグラフィシミュレーションによる光強度を示したグラフである。

本第１の実施形態では、４０ｎｍのライン・アンド・スペースをＡｒＦ液浸露光で形成するため、開口数ＮＡ＝１.３５、コヒーレントファクタ（σ）：σout=０.９４、σin=０.８４のクロスポール照明、フォトマスクはバイナリマスクを用いるものとする。

まず、図４（Ｂ）を参照して、本発明の第１の実施形態に係るレチクル１００ついて説明する。

レチクル１００には、レイアウト設計に基づいた２つのデバイスパターン１が、Ｙ方向に隣接して配置されている。各デバイスパターン１は、Ｘ方向の一方へ延在した矩形のラインパターンとなっており、幅Ｙ１と間隔Ｙ２はいずれも４０ｎｍとしている。各補助パターン２は、露光時におけるデバイスパターン１の形状不良を緩和するために配置された矩形の非解像パターンであり、デバイスパターン１の延在方向（第１方向）となるＸ方向の一方の端部Ｅ１に隣接して配置されている。

さらに詳細に説明すると、第１方向における補助パターン２の中心線とデバイスパターン１の中心線は、同じ中心線Ｂ−Ｂ’上となるように配置されている。補助パターン２の長さＸ１は２００ｎｍ、補助パターン２の幅Ｙ３は２６ｎｍ、隣接する２つの補助パターン２の間隔Ｙ４は５４ｎｍ、Ｘ方向におけるデバイスパターン１の一方の端部Ｅ１と補助パターン２の一方の端部Ｅ２の間隔Ｘ２は６３.７５ｎｍとしている。

このように、デバイスパターン１の端部Ｅ１に隣接して、中心線Ｂ−Ｂ’上に配置した非解像の補助パターン２を「第１の補助パターン２」と称する。

デバイスパターン１の端部Ｅ１付近には、光近接効果補正（Optical Proximity Correction：ＯＰＣ）によって第１のＯＰＣパターン３が配置されている。第１のＯＰＣパターン３の長さＸ３は５５.７５ｎｍ、第１のＯＰＣパターン３の幅Ｙ５は５０.５ｎｍ、Ｘ方向におけるデバイスパターン１の端部Ｅ１から第１のＯＰＣパターン３の端部Ｅ３までの距離Ｘ４は１５.７５ｎｍとしている。

デバイスパターン１において、第１のＯＰＣパターン３は端部Ｅ１以外にも配置されているが、ここでは説明を割愛する。なお、デバイスパターン１は、露光現像後におけるフォトレジストの理想形状となっているが、実際のフォトレジスト形状は、光強度分布によって変動するので、リソグラフィシミュレーションによる予測形状をシミュレーションパターン４として示している。

シミュレーションパターン４の端部Ｅ４は、デバイスパターン１の端部Ｅ１から後退して、夫々の間隔Ｘ５が８.５ｎｍとなっており、シミュレーションパターン４はデバイスパターン１よりも小さくなっている。なお今後は、シミュレーションパターンをＳパターンと呼称する。

次に、図４（Ａ）を参照して、従来のレチクル３００について説明する。

レチクル３００には、デバイスパターン１と同じ寸法であるデバイスパターン３０１並びにデバイスパターン３０１に対して最適寸法としたＯＰＣパターン３０２が配置されている。また、レチクル１００と同様に、Ｓパターン３０３を示している。Ｓパターン３０３の端部Ｅ６は、デバイスパターン３０１の端部Ｅ５から後退しており、夫々の間隔Ｘ６が２０ｎｍに拡大しており、Ｓパターン３０３はＳパターン４よりもさらに小さくなっている。

ここで、図４（Ｃ）を参照して、リソグラフィシミュレーションによる光強度について説明する。図４（Ｃ）に示したグラフの縦軸は、リソグラフィシミュレーションで得られた光強度の最大値を１.０とした相対光強度であり、横軸は、中心線Ｂ−Ｂ’上におけるデバイスパターン（１、３０１）の位置を示しており、デバイスパターン１の端部Ｅ１とデバイスパターン３０１の端部Ｅ５の位置をＸｅにして一致させている。

なおここでは、最大光強度となるデバイスパターンの位置がグラフエリア外となってしまうので、記載した相対光強度は１．０以下となっている。

レチクル１００における光強度は、Ｓパターン４の端部Ｅ４から第１の補助パターン２の端部Ｅ２にかけて一旦増加するが、第１の補助パターン２に相当する領域では安定している。これに対して、レチクル３００における光強度は、Ｓパターン３０３の端部Ｅ６から一様に増加している。

このリソグラフィシュミレーションでは、相対光強度が０．３以下となった領域にＳパターンが配置されるので、相対光強度が０．３となるＳパターン４の端部Ｅ４は、Ｓパターン３０３の端部Ｅ６よりもデバイスパターン１（３０１）の端部Ｅ１に近づいており、Ｓパターン４の後退が抑制されている。

このようにレチクル１００では、第１の補助パターン２を配置することで、Ｓパターン４の配置位置を改善して、最終的に最適なフォトレジスト形状を得ることができる。

なお第１の実施形態では、デバイスパターン１の延在方向（第１方向）の中心線上において、デバイスパターン１のＸ方向の一方の端部Ｅ１と隣接するように、矩形とした第１の補助パターン２を配置したが、補助パターンの配置位置並びに 形状は、種々変更可能であるので、以下詳細に説明する。なお説明は、第１の実施形態と共通する内容は割愛して、図面を参照しながら相違点だけを記載している。

［第２の実施形態］
まず、図５（Ａ）乃至図５（Ｃ）を参照して、本発明の第２の実施形態に係るレチクル１１０について、主に補助パターンの配置位置について説明する。

ここで、図５（Ａ）は従来技術となるレチクル３００の構成を示す平面図であり、図５（Ｂ）は第２の実施形態におけるレチクル１１０の構成を示す平面図であり、図５（Ｃ）は図５（Ａ）並びに図５（Ｂ）の中心線Ｂ-Ｂ’におけるリソグラフィシミュレーションによる光強度を示したグラフである。

まず、図５（Ｂ）を参照して、本発明の第２の実施形態に係るレチクル１１０について説明する。

レチクル１１０において、各補助パターン２Ａは、露光時におけるデバイスパターン１の形状不良を緩和するために配置された矩形の非解像パターンであり、デバイスパターン１の延在方向（第１方向）となるＸ方向の一方の端部Ｅ１に隣接して配置されている。

さらに詳細に説明すると、隣接した２つの補助パターン２Ａの隙間における中心線とデバイスパターン１の中心線とは、同じ第１方向の中心線Ｂ−Ｂ’上となるように配置されている。隣接した２つの補助パターン２Ａの隙間における中心線から一方の補助パターン２ＡまでのＹ方向における距離Ｙ６は２７ｎｍ、Ｘ方向におけるデバイスパターン１の一方の端部Ｅ１と補助パターン２Ａの一方の端部Ｅ７の間隔Ｘ７は６３.７５ｎｍとしている。

このように、デバイスパターン１の端部Ｅ１に隣接して、中心線Ｂ−Ｂ’からの距離が同じになるように配置した非解像の補助パターン２Ａを「第２の補助パターン２Ａ」と称する。

デバイスパターン１の端部Ｅ１付近には、第２のＯＰＣパターン３Ａが配置されている。第２のＯＰＣパターン３Ａの長さＸ８は６１.２５ｎｍ、第２のＯＰＣパターン３Ａの幅Ｙ７は４８ｎｍ、Ｘ方向におけるデバイスパターン１の端部Ｅ１から第２のＯＰＣパターン３Ａの端部Ｅ８までの距離Ｘ９は２１.２５ｎｍとしている。

Ｓパターン４Ａの端部Ｅ９は、デバイスパターン１の端部Ｅ１から後退して、夫々の間隔Ｘ１０が９．２ｎｍとなっており、Ｓパターン４Ａはデバイスパターン１よりも小さくなっている。

ここで、図５（Ｃ）を参照して、リソグラフィシミュレーションによる光強度について説明する。レチクル１１０における光強度は、Ｓパターン４Ａの端部Ｅ９から第２の補助パターン２Ａの端部Ｅ７にかけて急峻に増加するが、第２の補助パターン２Ａに相当する領域では穏やかに増加する。相対光強度が０．３となるＳパターン４Ａの端部Ｅ９は、Ｓパターン３０３の端部Ｅ６よりもデバイスパターン１（３０１）の端部Ｅ１に近づいており、Ｓパターン４Ａの後退が抑制されている。

このようにレチクル１１０では、第２の補助パターン２Ａを配置することで、Ｓパターン４Ａの配置位置を改善して、最終的に最適なフォトレジスト形状を得ることができる。

［第３の実施形態］
次に、図６（Ａ）乃至図６（Ｃ）を参照して、本発明の第３の実施形態に係るレチクル１２０について、主に補助パターンの形状について説明する。

ここで、図６（Ａ）は従来技術となるレチクル３００の構成を示す平面図であり、図６（Ｂ）は第３の実施形態におけるレチクル１２０の構成を示す平面図であり、図６（Ｃ）は図６（Ａ）並びに図６（Ｂ）の中心線Ｂ-Ｂ’におけるリソグラフィシミュレーションによる光強度を示したグラフである。

まず、図６（Ｂ）を参照して、第３の実施形態におけるレチクル１２０について説明する。

レチクル１２０において、各補助パターン２Ｂは、露光時におけるデバイスパターン１の形状不良を緩和するために配置された２つの矩形を一体化した非解像パターンであり、デバイスパターン１の延在方向（第１方向）となるＸ方向の一方の端部Ｅ１に隣接して配置されている。

さらに詳細に説明すると、第１方向における補助パターン２Ｂの中心線とデバイスパターン１の中心線は、同じ中心線Ｂ−Ｂ’上となるように配置されている。各補助パターン２Ｂは、２つの矩形パターンが一体化した構成をしており、デバイスパターン１に隣接して配置された第１の矩形パターン５Ａと、第１の矩形パターン５Ａの一方の側面に配置されている第２の矩形パターン５Ｂとで構成されている。

第１の矩形パターン５Ａの長さＸ１１は３０ｎｍ、幅Ｙ８は３８ｎｍとなっている。第２の矩形パターン５Ｂの長さＸ１２は１７０ｎｍ、幅Ｙ９は２６ｎｍとなっている。補助パターン２Ｂの間隔（正確には、第２の矩形パターン５Ｂの間隔）Ｙ１０は５４ｎｍ、Ｘ方向におけるデバイスパターン１の一方の端部Ｅ１と補助パターン２Ｂの一方の端部Ｅ１０の間隔Ｘ１３は６３.７５ｎｍとしている。

このように、デバイスパターン１の端部Ｅ１に隣接して、中心線Ｂ−Ｂ’上に配置した非解像の補助パターン２Ｂを「第３補助パターン２Ｂ」と称する。

デバイスパターン１の端部Ｅ１付近には、第３のＯＰＣパターン３Ｂが配置されている。第３のＯＰＣパターン３Ｂの長さＸ１４は５４.５ｎｍ、第３のＯＰＣパターン３Ｂの幅Ｙ１１は４９.５ｎｍ、Ｘ方向におけるデバイスパターン１の端部Ｅ１から第３のＯＰＣパターン３Ｂの端部Ｅ１１までの距離Ｘ１５は１４.５ｎｍとしている。

Ｓパターン４Ｂの端部Ｅ１２は、デバイスパターン１の端部Ｅ１から後退して、夫々の間隔Ｘ１６が６ｎｍとなっており、Ｓパターン４Ｂはデバイスパターン１よりも小さくなっている。

ここで、図６（Ｃ）を参照して、リソグラフィシミュレーションによる光強度について説明する。レチクル１２０における光強度は、Ｓパターン４Ｂの端部Ｅ１２から第３補助パターン２Ｂの端部Ｅ１０にかけて一旦増加するが、第３の補助パターン２Ｂに相当する領域では安定している。相対光強度が０．３となるＳパターン４Ｂの端部Ｅ１２は、Ｓパターン３０３の端部Ｅ６よりもデバイスパターン１（３０１）の端部Ｅ１に近づいており、Ｓパターン４Ｂの後退が抑制されている。

このようにレチクル１２０では、第３の補助パターン２Ｂを配置することで、Ｓパターン４Ｂの配置位置を改善して、最終的に最適なフォトレジスト形状を得ることができる。

［第４の実施形態］
次に、図７（Ａ）乃至図７（Ｄ）を参照して、本発明の第４の実施形態に係るレチクル１３０ついて、主に補助パターンの配置位置と形状について説明する。

ここで、図７（Ａ）は従来技術となるレチクル３００の構成を示す平面図であり、図７（Ｂ）は第４の実施形態におけるレチクル１３０の構成を示す平面図であり、図７（Ｃ）は図７（Ｂ）における補助パターンの形状を示す平面図であり、図７（Ｄ）は図７（Ａ）並びに図８（Ｂ）の中心線Ｂ-Ｂ’におけるリソグラフィシミュレーションによる光強度を示したグラフである。

まず、図７（Ｃ）を参照して、補助パターン２Ｃについて説明する。レチクル１３０において、補助パターン２Ｃは、露光時におけるデバイスパターン１の形状不良を緩和するために配置された矩形の解像パターンであり、Ｘ方向における幅Ｘ１７は１００ｎｍとなっている。

次に、図７（Ｂ）を参照して、レチクル１３０について説明する。補助パターン２Ｃは、デバイスパターン１の延在方向（第１方向）となるＸ方向の一方の端部Ｅ１に隣接して配置されている。

さらに詳細に説明すると、補助パターン２Ｃは、デバイスパターン１の延在方向（第１方向）と垂直な方向となるＹ方向（第２方向）へ延在して配置されている。Ｘ方向におけるデバイスパターン１の一方の端部Ｅ１と補助パターン２Ｃの一方の端部Ｅ１３の間隔Ｘ１８は１００ｎｍ、Ｙ方向におけるデバイスパターン１の一方の端部Ｅ１４と補助パターン２Ｃの一方の端部Ｅ１５の距離Ｙ１２は１５０ｎｍとしている。

このように、デバイスパターン１の端部Ｅ１に隣接するとともに、第２方向へ延在して解像される補助パターン２Ｃを「第４の補助パターン２Ｃ」と称する。

各デバイスパターン１の端部Ｅ１付近には、第４のＯＰＣパターン１０Ａが配置されている。第４のＯＰＣパターン１０Ａの長さＸ１９は５２.７５ｎｍ、第４のＯＰＣパターン１０Ａの幅Ｙ１３は４７.７５ｎｍ、Ｘ方向におけるデバイスパターン１の端部Ｅ１から第４のＯＰＣパターン１０Ａの端部Ｅ１６までの距離Ｘ２０は１２.７５ｎｍとしている。

同様に、第４の補助パターン２ＣのＸ方向における一方の端部Ｅ１３には、複数の第４のＯＰＣパターン１０Ｂが配置されている。第４のＯＰＣパターン１０Ｂの長さＸ２１は１７.７５ｎｍ、第４のＯＰＣパターン１０Ｂの幅Ｙ１４は４０ｎｍ、Ｙ方向における第４のＯＰＣパターン１０Ｂの間隔Ｙ１５は４０ｎｍとしている。ここで、第４のＯＰＣパターン１０Ａと１０Ｂとを合わせて、第４のＯＰＣパターン１０と称する。

なお、第４の補助パターン２ＣのＸ方向における他方の端部にも、第４のＯＰＣパターン１０が配置されている。Ｓパターン４Ｃの端部Ｅ１７は、デバイスパターン１の端部Ｅ１から後退して、夫々の間隔Ｘ２２が１１.６ｎｍとなっており、Ｓパターン４Ｃはデバイスパターン１よりも小さくなっている。なお、第４の補助パターン２Ｃは解像パターンであるので、第４の補助パターン２Ｃの予測形状をＳパターン１１として示している。

ここで、図７（Ｄ）を参照して、リソグラフィシミュレーションによる光強度について説明する。レチクル１３０における光強度は、Ｓパターン４Ｃの端部Ｅ１７から第４補助パターン２Ｃの端部Ｅ１３にかけて一旦増加するが、第４補助パターン２Ｃに接近するにつれて徐々に低下し、第４補助パターン２Ｃに相当する領域では０.３以下となっている。相対光強度が０．３となるＳパターン４Ｃの端部Ｅ１７は、Ｓパターン３０３の端部Ｅ６よりもデバイスパターン１（３０１）の端部Ｅ１に近づいており、Ｓパターン４Ｃの後退が抑制されている。

このようにレチクル１３０では、第４の補助パターン２Ｃを配置することで、デバイスパターン１におけるＳパターン４Ｃの配置位置を改善して、最終的に最適なフォトレジスト形状を得ることができる。

［第５の実施形態］
次に、図８（Ａ）乃至図８（Ｄ）を参照して、本発明の第５の実施形態に係るレチクル１４０ついて、主に補助パターンの配置位置と形状について説明する。

ここで、図８（Ａ）は従来技術となるレチクル３００の構成を示す平面図であり、図８（Ｂ）は第５の実施形態におけるレチクル１４０の構成を示す平面図であり、図８（Ｃ）は図８（Ｂ）における補助パターンの形状を示す平面図であり、図８（Ｄ）は図８（Ａ）並びに図８（Ｂ）の中心線Ｂ-Ｂ’におけるリソグラフィシミュレーションによる光強度を示したグラフである。

まず、図８（Ｃ）を参照して、レチクル１４０に使用される補助パターン２Ｄについて説明する。レチクル１４０において、補助パターン２Ｄは、露光時におけるデバイスパターン１の形状不良を緩和するために配置された解像パターンであり、２種類の矩形パターンで構成されている。

すなわち、補助パターン２Ｄは、デバイスパターン１における第１方向の一方の端部に隣接して配置された複数の第３の矩形パターン６Ａと、第３の矩形パターン６Ａにおける第１方向の一方の端部に配置された第４の矩形パターン６Ｂとが一体化して構成されている。ここで、第３の矩形パターン６Ａの幅Ｘ２３は２０ｎｍ、長さＹ１６は４０ｎｍ、Ｙ方向で隣接している第３の矩形パターン６Ａの間隔Ｙ１７は４０ｎｍとなっており、第４の矩形パターン６Ｂは第２方向へ延在しており、第１方向の幅Ｘ２４は８０ｎｍとなっている。

尚、第４の矩形パターン６Ｂは主矩形パターンとも呼ばれ、各第３の矩形パターン６Ａは副矩形パターンとも呼ばれる。したがって、補助パターン２Ｄは、第２方向に延在して配置された主矩形パターン６Ｂと、この主矩形パターン６Ｂから複数のデバイスパターン１へ近づく方向に突出して設けられた複数の副矩形パターン６Ａとから構成されている。

次に、図８（Ｂ）を参照して、レチクル１４０について説明する。補助パターン２Ｄは、デバイスパターン１の延在方向（第１方向）となるＸ方向の一方の端部Ｅ１に隣接して配置されている。

さらに詳細に説明すると、補助パターン２Ｄは、デバイスパターン１の延在方向（第１方向）と垂直な方向となるＹ方向（第２方向）へ延在して配置されるとともに、Ｘ方向におけるデバイスパターン１の中心線と第３の矩形パターン６Ａの中心線が、同じ中心線Ｂ-Ｂ’上となるように配置されている。Ｘ方向におけるデバイスパターン１の一方の端部Ｅ１と補助パターン２Ｄを構成している第３の矩形パターン６Ａの一方の端部Ｅ１８の間隔Ｘ２５は１００ｎｍ、Ｙ方向におけるデバイスパターン１の一方の端部Ｅ１９から補助パターン２Ｄを構成している第４の矩形パターン６Ｂの一方の端部Ｅ２０までの距離Ｙ１８は１５０ｎｍとしている。

このように、デバイスパターン１の端部Ｅ１に隣接するとともに、第２方向へ延在して解像される補助パターン２Ｄを「第５の補助パターン２Ｄ」と称する。

デバイスパターン１の端部Ｅ１付近には、第５のＯＰＣパターン１２Ａが配置されている。第５のＯＰＣパターン１２Ａの長さＸ２６は５１.５ｎｍ、第５のＯＰＣパターン１２Ａの幅Ｙ１９は５０.２５ｎｍ、Ｘ方向におけるデバイスパターン１の端部Ｅ１から第５のＯＰＣパターン１２Ａの端部Ｅ２１までの距離Ｘ２７は１１.５ｎｍとしている。

同様に、第５の補助パターン２ＤのＸ方向における一方の端部Ｅ１８には、複数の第５のＯＰＣパターン１２Ｂが配置されている。第５のＯＰＣパターン１２Ｂの長さＸ２８は２０.２５ｎｍ、第５のＯＰＣパターン１２Ｂの幅Ｙ２０は４０ｎｍ、Ｙ方向における第５のＯＰＣパターン１２Ｂの間隔Ｙ２１は４０ｎｍとしている。ここで、第５のＯＰＣパターン１２Ａと１２Ｂとを合わせて、第５のＯＰＣパターン１２と称する。

なお、第５の補助パターン２ＤのＸ方向における他方の端部にも、第５のＯＰＣパターン１２が配置されている。

Ｓパターン４Ｄの端部Ｅ２２は、デバイスパターン１の端部Ｅ１から後退して、夫々の間隔Ｘ２９が７.２ｎｍとなっており、Ｓパターン４Ｄはデバイスパターン１よりも小さくなっている。なお、第５の補助パターン２Ｄは解像パターンであるので、第５の補助パターン２Ｄの予測形状をＳパターン１３として示している。

ここで、図８（Ｄ）を参照して、リソグラフィシミュレーションによる光強度について説明する。レチクル１４０における光強度は、Ｓパターン４Ｄの端部Ｅ２２から第５の補助パターン２Ｄの端部Ｅ１８にかけて一旦増加するが、第５の補助パターン２Ｄに接近するにつれて徐々に低下し、第５の補助パターン２Ｄに相当する領域では０.３以下となっている。相対光強度が０．３となるＳパターン４Ｄの端部Ｅ２２は、Ｓパターン３０３の端部Ｅ６よりもデバイスパターン１（３０１）の端部Ｅ１に近づいており、Ｓパターン４Ｄの後退が抑制されている。

このようにレチクル１４０では、第５の補助パターン２Ｄを配置することで、デバイスパターンにおけるＳパターン４Ｄの配置位置を改善して、最終的に最適なフォトレジスト形状を得ることができる。

［第６の実施形態］
次に、図９（Ａ）乃至図９（Ｄ）を参照して、本発明の第６の実施形態に係るレチクル１５０ついて、主に補助パターンの配置位置と形状について説明する。

ここで、図９（Ａ）は従来技術となるレチクル３００の構成を示す平面図であり、図９（Ｂ）は第６の実施形態におけるレチクル１５０の構成を示す平面図であり、図９（Ｃ）は図９（Ｂ）における補助パターンの形状を示す平面図であり、図９（Ｄ）は図９（Ａ）並びに図９（Ｂ）の中心線Ｂ-Ｂ’におけるリソグラフィシミュレーションによる光強度を示したグラフである。

まず、図９（Ｃ）を参照して、レチクル１５０に使用される補助パターン２Ｅについて説明する。レチクル１５０において、補助パターン２Ｅは、露光時におけるデバイスパターン１の形状不良を緩和するために配置された解像パターンであり、２種類の矩形パターンで構成されている。

すなわち補助パターン２Ｅは、デバイスパターン１における第１方向の一方の端部に隣接して配置された複数の第５の矩形パターン７Ａと、第５の矩形パターン７Ａにおける第１方向の一方の端部に配置された第６の矩形パターン７Ｂとが一体化して構成されている。ここで、第５の矩形パターン７Ａの幅Ｘ３０は２０ｎｍ、長さＹ２２は４０ｎｍ、Ｙ方向で隣接している第５の矩形パターン７Ａの間隔Ｙ２３は４０ｎｍとなっており、第６の矩形パターン７Ｂは第２方向へ延在して、第１方向の幅Ｘ３１は８０ｎｍとなっている。

尚、第６の矩形パターン７Ｂは主矩形パターンとも呼ばれ、各第５の矩形パターン７Ａは副矩形パターンとも呼ばれる。したがって、補助パターン２Ｅは、第２方向に延在して配置された主矩形パターン７Ｂと、この主矩形パターン７Ｂから複数のデバイスパターン１へ近づく方向に突出して設けられた複数の副矩形パターン７Ａとから構成されている。

次に、図９（Ｂ）を参照して、レチクル１５０について説明する。補助パターン２Ｅは、デバイスパターン１の延在方向（第１方向）となるＸ方向の一方の端部Ｅ１に隣接して配置されている。

さらに詳細に説明すると、補助パターン２Ｅは、デバイスパターン１の延在方向（第１方向）と垂直な方向となるＹ方向（第２方向）へ延在して配置されるとともに、Ｘ方向におけるデバイスパターン１の中心線とＹ方向で隣接している２つの第５の矩形パターン７Ａ間における隙間の中心線とが、同じ中心線Ｂ-Ｂ’上となるように配置されている。Ｘ方向におけるデバイスパターン１の一方の端部Ｅ１と補助パターン２Ｄを構成している第５の矩形パターン７Ａの一方の端部Ｅ２３の間隔Ｘ３２は１００ｎｍ、Ｙ方向におけるデバイスパターン１の一方の端部Ｅ２４から補助パターン２Ｄを構成している第６の矩形パターン７Ｂの一方の端部Ｅ２５までの距離Ｙ２４は１５０ｎｍとしている。

このように、デバイスパターン１の端部Ｅ１に隣接するとともに、第２方向へ延在して解像される補助パターン２Ｅを「第６の補助パターン２Ｅ」と称する。

デバイスパターン１の端部Ｅ１付近には、第６のＯＰＣパターン１４Ａが配置されている。第６のＯＰＣパターン１４Ａの長さＸ３３は５６ｎｍ、第６のＯＰＣパターン１４Ａの幅Ｙ２５は４７.５ｎｍ、Ｘ方向におけるデバイスパターン１の端部Ｅ１から第６のＯＰＣパターン１４Ａの端部Ｅ２６までの距離Ｘ３４は１６ｎｍとしている。

同様に、第６の補助パターン２ＥのＸ方向における一方の端部Ｅ２３には、複数の第６のＯＰＣパターン１４Ｂが配置されている。第６のＯＰＣパターン１４Ｂの長さＸ３５は２５.２５ｎｍ、第６のＯＰＣパターン１４Ｂの幅Ｙ２６は４０ｎｍ、Ｙ方向における第６のＯＰＣパターン１４Ｂの間隔Ｙ２７は４０ｎｍとしている。ここで、第６のＯＰＣパターン１４Ａと１４Ｂとを合わせて、第６のＯＰＣパターン１４と称する。

なお、第６の補助パターン２ＥのＸ方向における他方の端部にも、第６のＯＰＣパターン１４が配置されている。Ｓパターン４Ｅの端部Ｅ２７は、デバイスパターン１の端部Ｅ１から後退して、夫々の間隔Ｘ３６が８.７ｎｍとなっており、Ｓパターン４Ｅはデバイスパターン１よりも小さくなっている。なお、第６の補助パターン２Ｅは解像パターンであるので、第６の補助パターン２Ｅの予測形状をＳパターン１５として示している。

ここで、図９（Ｄ）を参照して、リソグラフィシミュレーションによる光強度について説明する。レチクル１５０における光強度は、Ｓパターン４Ｅの端部Ｅ２７から第６の補助パターン２Ｅの端部Ｅ２３にかけて一旦増加するが、第６の補助パターン２Ｅに接近するにつれて徐々に低下し、第６の補助パターン２Ｅに相当する領域では０.３以下となっている。相対光強度が０．３となるＳパターン４Ｅの端部Ｅ２７は、Ｓパターン３０３の端部Ｅ６よりもデバイスパターン１（３０１）の端部Ｅ１に近づいており、Ｓパターン４Ｅの後退が抑制されている。

このようにレチクル１５０では、第６の補助パターン２Ｅを配置することで、デバイスパターンにおけるＳパターン４Ｅの配置位置を改善して、最終的に最適なフォトレジスト形状を得ることができる。

［第７の実施形態］
次に、図１０（Ａ）乃至図１０（Ｄ）を参照して、本発明の第７の実施形態に係るレチクル１６０ついて、主に補助パターンの配置位置と形状について説明する。

ここで、図１０（Ａ）は従来技術となるレチクル３００の構成を示す平面図であり、図１０（Ｂ）は第７の実施形態におけるレチクル１６０の構成を示す平面図であり、図１０（Ｃ）は図１０（Ｂ）における補助パターンの形状を示す平面図であり、図１０（Ｄ）は図１０（Ａ）並びに図１０（Ｂ）の中心線Ｂ-Ｂ’におけるリソグラフィシミュレーションによる光強度を示したグラフである。

まず、図１０（Ｃ）を参照して、レチクル１６０に使用される補助パターン２Ｆについて説明する。レチクル１６０において、補助パターン２Ｆは、露光時におけるデバイスパターン１の形状不良を緩和するために配置された、矩形の解像パターン２ＦＡと矩形の非解像パターン２ＦＢとで構成されており、夫々のパターンはいずれも第２方向に延在している。

さらに詳細に説明すると、Ｙ方向における解像パターン２ＦＡの中心線と非解像パターン２ＦＢの中心線とは同一直線上で重なっており、非解像パターン２ＦＢは解像パターン２ＦＡで取り囲まれている。ここで、解像パターン２ＦＡの第１方向における幅Ｘ３７は１４０ｎｍ、非解像パターン２ＦＢの第１方向における幅Ｘ３８は２０ｎｍとなっている。

次に、図１０（Ｂ）を参照して、レチクル１６０について説明する。補助パターン２Ｆは、デバイスパターン１の延在方向（第１方向）となるＸ方向の一方の端部Ｅ１に隣接して配置されている。

さらに詳細に説明すると、補助パターン２Ｆは、デバイスパターン１の延在方向（第１方向）と垂直な方向となるＹ方向（第２方向）へ延在して配置されている。Ｘ方向におけるデバイスパターン１の一方の端部Ｅ１と補助パターン２Ｆの一方の端部Ｅ２８の間隔Ｘ３９は１００ｎｍ、Ｙ方向におけるデバイスパターン１の一方の端部Ｅ２９と補助パターン２Ｆの一方の端部Ｅ３０の距離Ｙ２８は１５０ｎｍとしている。

このように、デバイスパターン１の端部Ｅ１に隣接して第２方向へ延在するとともに、非解像パターン２ＦＢが解像パターン２ＦＡで囲まれた補助パターン２Ｆを「第７の補助パターン２Ｆ」と称する。

デバイスパターン１の端部Ｅ１付近には、第７のＯＰＣパターン１６Ａが配置されている。第７のＯＰＣパターン１６Ａの長さＸ４０は５５.２５ｎｍ、第７のＯＰＣパターン１６Ａの幅Ｙ２８は４６ｎｍ、Ｘ方向におけるデバイスパターン１の端部Ｅ１から第７のＯＰＣパターン１６Ａの端部Ｅ３１までの距離Ｘ４１は１５.２５ｎｍとしている。

同様に、第７の補助パターン２ＦのＸ方向における一方の端部Ｅ２８には、複数の第７のＯＰＣパターン１６Ｂが配置されている。第７のＯＰＣパターン１６Ｂの長さＸ４２は１８.７５ｎｍ、第７のＯＰＣパターン１６Ｂの幅Ｙ２９は４０ｎｍ、Ｙ方向における第７のＯＰＣパターン１６Ｂの間隔Ｙ３０は４０ｎｍとしている。ここで、第７のＯＰＣパターン１６Ａと１６Ｂを合わせて、第７のＯＰＣパターン１６と称する。

なお、第７の補助パターン２ＦのＸ方向における他方の端部にも、第７のＯＰＣパターン１６が配置されている。

Ｓパターン４Ｆの端部Ｅ３２は、デバイスパターン１の端部Ｅ１から後退して、夫々の間隔Ｘ４３が８.３ｎｍとなっており、Ｓパターン４Ｆはデバイスパターン１よりも小さくなっている。なお、解像パターン２ＦＡで囲まれている非解像パターン２ＦＢでは、その領域に相当するレジストが解像されてしまうので、解像パターン２ＦＡの内部には非解像となる領域が存在しない。ここでも、解像パターン２ＦＡと非解像パターン２ＦＢで構成された第７の補助パターン２Ｆの予測形状をＳパターン１７として示している。

ここで、図１０（Ｄ）を参照して、リソグラフィシミュレーションによる光強度について説明する。レチクル１６０における光強度は、Ｓパターン４Ｆの端部Ｅ３２から第７の補助パターン２Ｆの端部Ｅ２８にかけて一旦増加するが、第７の補助パターン２Ｆに接近するにつれて徐々に低下し、第７の補助パターン２Ｆに相当する領域では０.３以下となっている。

さらに詳細に説明すると、第７の補助パターン２Ｆにおける非解像パターン２ＦＢの領域では、解像パターン２ＦＡの領域よりも光強度が増加するが、０．３以下に留まるために解像される領域となっている。相対光強度が０．３となるＳパターン４Ｆの端部Ｅ３２は、Ｓパターン３０３の端部Ｅ６よりもデバイスパターン１（３０１）の端部Ｅ１に近づいており、Ｓパターン４Ｆの後退が抑制されている。このようにレチクル１６０では、第７の補正パターン２Ｆを配置することで、デバイスパターンにおけるＳパターン４Ｆの配置位置を改善して、最終的に最適なフォトレジスト形状を得ることができる。

［実施形態の他の効果］
上述した実施形態には、Ｓパターン４（以降、４Ａ乃至４Ｆを含む）の配置位置を改善するだけでなく、Ｓパターン４の幅を安定させる効果も有しているので、図面を参照しながら説明する。

図１１は、Ｓパターン４における幅（ＹＳ）の測定個所を説明するためのレチクル１００の平面図である。幅ＹＳの測定は、Ｓパターン４の一方の端部ＥＳ１を起点として、Ｘ方向へ１００ｎｍの地点Ｓ１から２９０ｎｍの地点Ｓ２までの測定範囲Ａで実施した。なおこの範囲Ａは、他のレチクルでも同様である。

図１２は、Ｓパターン４における幅（ＹＳ）の測定結果を示すグラフであり、横軸はレチクル名、縦軸は幅ばらつきである。ここでの測定は、夫々のレチクルに対して、露光条件を理想状態とデフォーカス状態にしており、測定結果となる幅ばらつきは、デバイスパターン１の幅Ｙ１の設定値（４０ｎｍ）を基準としたずれ量を標準偏差（３σ）で示している。なお、レチクル３１０の構成は、上記特許文献２（特開２００７−２４０９４９号公報）の図５に開示されている。

第１乃至第７の実施形態によれば、Ｓパターン４の幅ばらつきは、いずれの状態もレチクル３００と同程度であるが、公知例となるレチクル３１０に対しては、明らかに低減している。このように本実施形態では、Ｓパターン４の形状ばらつきが低減しており、デバイスパターンを安定して形成することができる。

［作成方法］
次に、図１３から図１９を参照にしながら、第１の実施形態における補助パターン２の作成方法について説明する。なお説明は、図４（Ｂ）を用いて説明した第１の実施形態の構成と共通する内容は割愛して、新規事項だけを記載する。

図１３は、本発明の第１の実施形態における補助パターン２の配置手順を示すフロー図である。補助パターン２の配置手順は９ステープ（Ｓ１乃至Ｓ９）で構成されている。

所定の幅を持ち、第１方向へ延在する複数のデバイスパターン１が所定のピッチで配置されたライン・アンド・スペースパターンのレイアウト設計後の第１ステップＳ１では、補助パターン２のレイアウトシステムに対する初期設定を実施する。ここでは、半導体デバイスにおける補助パターン２の配置可能領域を考慮して、補助パターン２の種類を「非解像パターン」と指定する。同様に、補助パターン２の配置方法を決定するために、デバイスパターン１に対する補助パターン２の相対位置を「デバイスパターン１の第１方向における中心線上に、補助パターン２の第１方向における中心線を重ね合わせる。」と指定する。補助パターン２を配置するデバイスパターン１の寸法として、幅Ｙ１とピッチＹ２をいずれも「４０ｎｍ」に設定する。

さらに、第１ステップＳ１では、Ｓパターン４の配置状況を確認するリソグラフィシミュレーションシステムに対する初期設定を実施する。ここでは、照明パラメータとして、露光波長λを「１９３ｎｍ」、開口数ＮＡを「１.３５」、コヒーレントファクタσを「σout=０.９４、σin=０.８４」、開口絞り板を「クロスポール照明」に設定し、「ポジ型のフォトレジスト」に基づいたデータベースを用いるものとする。

次に、第２ステップＳ２では、補助パターン２の寸法を仮決めするために、幅Ｙ３を「２６ｎｍ」、間隔Ｙ４を「５４ｎｍ」、長さＸ１を「２００ｎｍ」として指定する。

第３ステップＳ３において、レイアウトシステムによる補助パターン２の配置を行ってから、後続の第４ステップＳ４において、配置した補助パターン２のレイアウトルールチェックを実施する。

第４ステップＳ４の詳細は後述するが、ここで許容範囲外と判定された場合は、第２ステップＳ２に戻って補助パターン２の寸法を再設定する。

今後、このように「第２ステップＳ２へ戻って、補助パターン２の寸法を再設定する。」処置を「再設定処置」と称する。

第４ステップＳ４で許容範囲内と判定された場合は、第５ステップＳ５でＯＰＣパターン３の配置を行ってから、第６ステップＳ６において、配置したＯＰＣパターン３のマスクルールチェックを実施する。第６ステップＳ６の詳細は後述するが、このとき許容範囲外と判定された場合は、再設定処置を実施する。

第６ステップＳ６で許容範囲内と判定された場合は、第７ステップＳ７でリソグラフィシミュレーションによる露光時の光強度分布を算出する。この後、第８ステップＳ８において、デバイスパターン１の完成予想寸法と形成マージンをＳパターン４の位置並びに寸法としてチェックする。第８ステップＳ８の詳細は後述するが、このとき、許容範囲外と判定された場合は、再設定処置を実施する。

第８ステップＳ８で許容範囲内と判定された場合は、第９ステップＳ９において、補助パターン２の形成マージンを光強度分布のばらつきとしてチェックする。第９ステップＳ９の詳細は後述するが、このとき、許容範囲外と判定された場合は、再設定処置を実施する。第９ステップＳ９で許容範囲内と判定された場合は、それまでの補助パターン２の作成を完了して、マスクデータ出力へ移行する。

上述したように、第２ステップＳ２〜第９ステップＳ９は、作成した補助パターンをチェックして、チェック結果が良好であれば、作成した補助パターンをマスクデータとして出力するステップ（チェックするステップ）である。

図１４は、第４ステップＳ４における補助パターン２のレイアウトルールチェックの一例を示した平面図であり、デバイスパターン１と補助パターン２が配置されている。なお図１５と図１６も同様である。

２つのデバイスパターン１（１ａ、１ｂ）はＸ方向へ延在しており、１つのデバイスパターン１（１ｃ）は、Ｙ方向へ延在している。ここで、デバイスパターン１ａの延在方向に配置した補助パターン２（２ａ）とデバイスパターン１ａとの間隔をＸＳ１と定義する。また補助パターン２ａとデバイスパターン１ｃの延在方向に配置した補助パターン２（２ｃ）との間隔をＸＳ２と定義する。このとき、デバイスパターン１ｂの延在方向に配置した補助パターン２（２ｂ）における個々の間隔も同様となる。

ここで、ＸＳ１とＸＳ２の許容値が夫々ＸＳＬ１以上である場合、ＸＳ１＞ＸＳＬ１＞ＸＳ２になっているとＸＳ２が許容値以下となるので、再設定処置が必要になる。しかし、ＸＳ１＞ＸＳ２＞ＸＳＬ１になっていれば、ＸＳ１とＸＳ２がいずれも許容値以上となるので、再設定処置は不要となる。

次に、図１５を参照すると、補助パターン２ｃが補助パターン２ａ並びに２ｂと重複（破線部１を参照）しており、ＸＳ２を定義することができない。このような状態では、必然的にＸＳ２が許容値以下となってしまうので、再設定処置が必要となる。しかしながら、デバイスパターン１ｃの位置は、デバイスパターン１ａに接近しており、再設定処置後も補助パターン２ｃが補助パターン２ａと重複することが容易に予想されるため、図１６に示す特殊な再設定処置を行う。

次に図１６を参照すると、補助パターン２ａと２ｂを配置して、補助パターン２ｃを配置しない特殊な再設定処置を実施している。このような特別処置によって、２つのデバイスパターン１（１ａ、１ｂ）に対して補助パターン２（２ａ、２ｂ）を正規の位置に配置している。

なお、補助パターン２ｃだけを配置する特殊な再設定処置も可能であるが、補助パターン２を正規の位置に配置したデバイスパターン１が１つに低減してしまうので、補助パターン２を配置したデバイスパターン１がより多くなる特殊な再設定処置を実施している。

図１７は、第６ステップＳ６におけるＯＰＣパターンのマスクルールチェックの一例を示したレチクル１７０の平面図であり、デバイスパターン１と補助パターン２とＯＰＣパターン３が配置されている。ここでは説明の都合から、図１４における破線内の領域だけを記載している。

２つのデバイスパターン１（１ａ、１ｂ）には、補助パターン２との隙間に相当する領域にＯＰＣパターン３が配置されており、前述したスペース寸法ＸＳ１が狭くなっている。ここで、ＯＰＣパターン３ａと補助パターン２ａとの間隔をＸＳ３と定義する。このとき、デバイスパターン１ｂに配置したＯＰＣパターン２ｂとの間隔も同様となる。

ここで、ＸＳ３の許容値がＸＳＬ２以上である場合、ＸＳＬ２＞ＸＳ３になっているとＸＳ３が許容値以下となるので、再設定処置が必要になる。しかし、ＸＳ３＞ＸＳＬ２になっていれば、ＸＳ３が許容値以上となるので、再設定処置は不要となる。

次に、図１８（Ａ）乃至図１８（Ｃ）を参照して、図１３の第８ステップＳ８について詳細に説明する。

図１８（Ａ）は、第８ステップＳ８におけるデバイスパターン１の完成予想寸法チェックの一例を示したレチクル１７０の平面図であり、デバイスパターン１と補助パターン２とＯＰＣパターン３とＳパターン４を配置している。図１８（Ｂ）は、第８ステップＳ８におけるデバイスパターン１の形成マージンチェックの一例を示したレチクル１７０の平面図ある。図１８（Ｃ）は、図４（Ｃ）と同様に、デバイスパターン１の中心線Ｂ-Ｂ’上における光強度を示したグラフである。

図１８（Ａ）を参照すると、露光条件を理想状態とした場合におけるＳパターン４（４Ｇ）の端部ＥＳ２とデバイスパターン１の端部Ｅ１との間隔をＸＳ４と定義する。ここで、ＸＳ４の許容値がＸＳＬ３である場合、ＸＳＬ３＞ＸＳ４になっているとＸＳ４の値は許容値以下となるので、再設定処置が不要になる。しかし、ＸＳ４＞ＸＳＬ３になっていれば、ＸＳ４が許容値以上となるので、再設定処置が必要となる。なお、ＸＳ４は、理想的には０であることが望ましい。

また図１８（Ｂ）に示すように、デフォーカス状態とした場合におけるＳパターン４（４Ｈ）の端部ＥＳ３とデバイスパターン１の端部Ｅ１との間隔をＸＳ５と定義すると、ＸＳ５の許容値がＸＳＬ４以上である場合も同様である。なお図１８（Ｃ）に示したグラフは、図４（Ｃ）と同様であるので、説明は割愛する。

次に、図１９（Ａ）乃至図１９（Ｃ）を参照して、図１３の第９ステップＳ９について詳細に説明する。

図１９（Ａ）は、第９ステップＳ９における補助パターン２の形成マージンチェックの一例を示したレチクル１７０の平面図であり、デバイスパターン１と補助パターン２とＯＰＣパターン３とＳパターン４を配置している。

図１９（Ｂ）は、補助パターン２の形成マージンが不足している場合におけるフォトレジストの断面形状を示している。図１９（Ｃ）は、図４（Ｃ）と同様に、デバイスパターン１の中心線Ｂ-Ｂ’上における光強度を示したグラフである。

ここで、補正パターン２の形成可否境界となる光強度のしきい値（以降、しきい値Ｓ２と称する）は、０.４以上とする。補正パターン２の形成マージンが不足すると、補正パターン２の配置領域における光強度の一部が０.４以下（破線部２）となるので、その領域におけるフォトレジスト２１２は、デバイスパターンを形成するフォトレジスト２１３よりも膜厚が薄い状態となって残留する。

このようなフォトレジスト２１２は、飛散して残留物を形成し易い孤立したフォトレジストであるので、半導体デバイスの安定動作を阻害する原因となり得る。なお、フォトレジスト２１３の端部にも、膜厚が薄い領域が生じているが、この領域は孤立していないので、飛散することはない。従って、補正パターン２に相当する領域の光強度がしきい値Ｓ２以下になっていれば、再設定処置が必要になる。しかし、しきい値Ｓ２以上になっていれば、再設定処置は不要になる。

以上、第１の実施形態における補助パターン２の作成方法について説明したが、他の実施形態における補助パターンの作成方法は、第１ステップＳ１における初期設定の内容が異なるだけで他は同様であるので、説明は割愛する。

以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明は、上記の実施例に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。例えば上記説明は、ＡｒＦエキシマレーザ（波長λ：１９３ｎｍ）を用いるフォトリソグラフィについて説明したが、露光波長はＫｒＦ（波長λ：２４８ｎｍ）あるいは水銀ランプのＩ線（波長λ：３６５ｎｍ）等他の波長でも同様に適用できる。また、マスクタイプとしてはバイナリマスク以外にも、ハーフトーン位相マスク、他の位相マスクあるいは遮光マスクにも同様に適用できる。また、透過型以外にも反射型のマスクでも同様に適用することが出来る。

なお、図４乃至図１１において、リソグラフィシミュレーションを示しているが、寸法後退を強調するためにデフォーカス時のシミュレーション結果を示している。

１ デバイスパターン
２ 補助パターン（第１の補助パターン；非解像パターン）
２Ａ 補助パターン（第２の補助パターン；非解像パターン）
２Ｂ 補助パターン（第３の補助パターン；非解像パターン）
２Ｃ 補助パターン（第４の補助パターン；解像パターン）
２Ｄ 補助パターン（第５の補助パターン；解像パターン）
２Ｅ 補助パターン（第６の補助パターン；解像パターン）
２Ｆ 補助パターン（第７の補助パターン）
２ＦＡ 解像パターン
２ＦＢ 非解像パターン
３ 第１のＯＰＣパターン
３Ａ 第２のＯＰＣパターン
３Ｂ 第３のＯＰＣパターン
４ シミュレーションパターン（Ｓパターン）
４Ａ シミュレーションパターン（Ｓパターン）
４Ｂ シミュレーションパターン（Ｓパターン）
４Ｃ シミュレーションパターン（Ｓパターン）
４Ｄ シミュレーションパターン（Ｓパターン）
４Ｅ シミュレーションパターン（Ｓパターン）
４Ｆ シミュレーションパターン（Ｓパターン）
４Ｇ シミュレーションパターン（Ｓパターン）
４Ｈ シミュレーションパターン（Ｓパターン）
５Ａ 第１の矩形パターン
５Ｂ 第２の矩形パターン
６Ａ 第３の矩形パターン
６Ｂ 第４の矩形パターン
７Ａ 第５の矩形パターン
７Ｂ 第６の矩形パターン
１０ 第４のＯＰＣパターン
１０Ａ 第４のＯＰＣパターン
１０Ｂ 第４のＯＰＣパターン
１１ シミュレーションパターン（Ｓパターン）
１２ 第５のＯＰＣパターン
１２Ａ 第５のＯＰＣパターン
１２Ｂ 第５のＯＰＣパターン
１３ シミュレーションパターン（Ｓパターン）
１４ 第６のＯＰＣパターン
１４Ａ 第６のＯＰＣパターン
１４Ｂ 第６のＯＰＣパターン
１５ シミュレーションパターン（Ｓパターン）
１６ 第７のＯＰＣパターン
１６Ａ 第７のＯＰＣパターン
１６Ｂ 第７のＯＰＣパターン
１７ シミュレーションパターン（Ｓパターン）
１００ レチクル
１１０ レチクル
１２０ レチクル
１３０ レチクル
１４０ レチクル
１５０ レチクル
１６０ レチクル
１７０ レチクル
２００ 露光装置
２０１ 光源
２０２ 開口絞り板（クロスポール照明）
２０２Ａ 開口部
２０３ リレーレンズ
２０４ コンデンサレンズ
２０５ 光学系
２０６ ウェハステージ
２０７ フォトマスク（露光用マスク；レチクル）
２０８ ウェハ
２０９ ガラス基板
２１０Ａ 第１の遮光膜
２１０Ｂ 第２の遮光幕
２１１ フォトレジスト
２１２ フォトレジスト
２１３ フォトレジスト
３００ レチクル
３０１ デバイスパターン
３０２ ＯＰＣパターン
３０３ シミュレーションパターン（Ｓパターン）
Ｘ Ｘ方向（第１方向）
Ｙ Ｙ方向（第２方向）
Ｚ Ｚ方向（第３方向）

Claims (22)

1. 所定の幅を持ち、第１方向へ延在する複数のデバイスパターンが所定のピッチで配列されたライン・アンド・スペースパターンと；該ライン・アンド・スペースパターンに近接して配置された補助パターンと；を含む半導体デバイスの露光用マスクあって、
   前記補助パターンは、前記複数のデバイスパターンをその端部から第１方向に離間して延伸した領域に、第１方向と平行に延在して配置された複数の非解像補助パターンから成る、露光用マスク。
2. 前記複数の非解像補助パターンは、それぞれ、前記複数のデバイスパターンの中心線上に配置されている、請求項１に露光用マスク。
3. 前記複数の非解像補助パターンの各々は、矩形パターンから成る、請求項２に記載の露光用マスク。
4. 前記複数の非解像補助パターンの各々は、
   前記デバイスパターンに隣接して配置された、第１の幅を持つ第１の矩形パターンと、
   該第１の矩形パターンに接して、第１方向へ延在し、前記第１の幅よりも狭い第２の幅を持つ第２の矩形パターンと、
   から成る、請求項２に記載の露光用マスク。
5. 前記複数の非解像補助パターンは、隣接する２つの非解像補助パターンの隙間における中心線が、前記複数のデバイスパターンの中心線上となるように配置されている、請求項１に露光用マスク。
6. 前記複数の非解像補助パターンの各々は、矩形パターンから成る、請求項５に記載の露光用マスク。
7. 前記複数のデバイスパターンの各々の第１方向の端部に配置されたＯＰＣパターンを更に有する、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の露光用マスク。
8. 所定の幅を持ち、第１方向へ延在する複数のデバイスパターンが所定のピッチで配列されたライン・アンド・スペースパターンと；該ライン・アンド・スペースパターンに近接して配置された補助パターンと；を含む半導体デバイスの露光用マスクであって、
   前記補助パターンは、前記複数のデバイスパターンをその端部から第１方向に離間して延伸した領域に、第１方向と垂直な第２方向に延在して配置された解像補助パターンから成る、露光用マスク。
9. 前記解像補助パターンは矩形形状をしている、請求項８に記載の露光用マスク。
10. 前記解像補助パターンは、
    前記第２方向に延在して配置された主矩形パターンと、
    該主矩形パターンから前記複数のデバイスパターンへ近づく方向に突出して設けられた複数の副矩形パターンと、
    から構成されている、請求項８に記載の露光用マスク。
11. 前記複数の副矩形パターンは、それぞれ、前記複数のデバイスパターンの中心線上に配置されている、請求項１０に記載の露光用マスク。
12. 前記複数の副矩形パターンは、隣接する２つの副矩形パターンの隙間における中心線が、前記複数のデバイスパターンの中心線上となるように配置されている、請求項１０に記載の露光用マスク。
13. 前記補助パターンは、前記解像補助パターンで取り囲まれた非解像補助パターンを更に含み、
    第２方向における前記解像補助パターンの中心線と前記非解像補助パターンの中心線とが前記同一直線上で重なっている、請求項８に記載の露光用マスク。
14. 前記解像補助パターンは矩形形状をしており、前記非解像補助パターンは矩形形状をしている、請求項１３に記載の露光用マスク。
15. 互いに近接する側の、前記複数のデバイスパターンの各々の第１方向の端部と前記解像補助パターンの端部とに配置されたＯＰＣパターンを更に有する、請求項８乃至１３のいずれか１項に記載の露光用マスク。
16. 請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の露光用マスクを使用して製造された半導体デバイス。
17. 所定の幅を持ち、第１方向へ延在する複数のデバイスパターンが所定のピッチで配列されたライン・アンド・スペースパターンのレイアウト設計後に、該ライン・アンド・スペースパターンに近接して補助パターンを配置するマスクデータを作成する方法であって、
    前記補助パターンとして、前記複数のデバイスパターンをその端部から第１方向に離間して延伸した領域に、第１方向と平行に延在して配置された複数の非解像補助パターンおよび第１方向と垂直な第２方向に延在して配置された解像補助パターンのいずれか一方を選択して、補助パターンのレイアウトシステムに対する初期設定を実施するステップと、
    作成した補助パターンをチェックして、チェック結果が良好であれば、前記作成した補助パターンを前記マスクデータとして出力するステップと、
    を含む、マスクデータの作成方法。
18. 前記初期設定を実施するステップは、シミュレーションパターンの配置状況を確認するリソグラフィシミュレーションシステムに対する初期設定をも実施する、請求項１７に記載のマスクデータ作成方法。
19. 前記チェックするステップは、
    前記補助パターンの寸法を指定する第２ステップと、
    前記レイアウトシステムによる前記補助パターンの配置を行う第３ステップと、
    配置した補助パターンのレイアウトルールチェックを実施する第４ステップと、
    を含み、
    前記第４ステップにおいて許容範囲外と判定された場合には、前記第２ステップに戻って前記補助パターンの寸法を再設定する、請求項１８に記載のマスクデータ作成方法。
20. 前記チェックするステップは、
    前記第４ステップにおいて許容範囲内と判定された場合に、ＯＰＣパターンの配置を行う第５ステップと、
    配置したＯＰＣパターンのマスクルールチェックを実施する第６ステップと、
    を更に含み、
    前記第６ステップにおいて許容範囲外と判定された場合には、前記第２ステップに戻って前記補助パターンの寸法を再設定する、請求項１９に記載のマスクデータ作成方法。
21. 前記チェックするステップは、
    前記第６ステップにおいて許容範囲内と判定された場合に、前記リソグラフィシミュレーションによる露光時の光強度分布を算出する第７ステップと、
    前記デバイスパターンの完成予想寸法と形成マージンを、前記シミュレーションパターンの位置並びに寸法としてチェックする第８ステップと、
    を更に含み、
    前記第８ステップにおいて許容範囲外と判定された場合には、前記第２ステップに戻って前記補助パターンの寸法を再設定する、請求項２０に記載のマスクデータ作成方法。
22. 前記チェックするステップは、
    前記第８ステップにおいて許容範囲内と判定された場合に、前記補助パターンの形成マージンを光強度分布のばらつきとしてチェックする第９ステップを更に含み、
    前記第９ステップにおいて許容範囲外と判定された場合には、前記第２ステップに戻って前記補助パターンの寸法を再設定し、
    前記第９ステップにおいて許容範囲内と判定された場合には、それまでに作成された補助パターンを前記マスクデータとして出力する、請求項２１に記載のマスクデータ作成方法。

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