TW200523701A - System and method for using first-principles simulation to control a semiconductor manufacturing process - Google Patents

Description

200523701 九、發明說明： 一、【發明所屬之技術領域】 模擬 本發明一般關於製造半導體装置，尤有胃 應用於半導體製造程序中。 有關於將第一原理 二、【先前技術】 使轉體製造業者在基板上所製造之裝f f率】:求’迫 低製造成本，有必要降低製造曰凰縮小，再者’為降 由於特徵尺寸減少以及基板尺寸增加（3^^ Ί複雜度。 製程結果的變數。為更精確控制各果存;影響 ί 愈多數目之診斷系統(電子、機械'以，及光理Ξ 理期間1測資料’並提供透過製^^控制 )j ^數之智慧基礎。診斷系統之數目開始變得 “ ‘ 法取得在空間與時間上已獲充分解析以用於完整ί二 對使用6使得吾人在半導聽造產業上 程期間，電腦i式化及模擬製^工具之設計製 (如應力 >熱'磁等）上之模擬 ^ 題之正麵^賴_崎丨=== 200523701 ΐϊΐ人ί2ί均::?得模擬結果所需時間降低。事實上，本 以於由該工具所執行之；:直接實施於該工具本身， ，際半導體技術藍圖確認阻礙:具如2。01 在未=導雜置上觀極小舰之離^之㈣，作為 目前用於半導體製造I具 理巧内執稍擬；尤其 能，因此僅能執行極簡單之診斷與控制功 在半導體處理工具執行二貫上模擬能力。然而， 時，將此-電腦專用於亨工本不需要模擬之製程 貴計算資源之無效率使^ 成浪費計算資源；此種對寶 力之障礙。料使用已成為在料_社具上執行模擬能 三、【發明内容】 /或剛：妙她先前技術 本發明之另一目的為•腺埜 工具整合，以輔助㈣工模擬能力與—半導體製造 之上述已確認以及 資 源下1^=擬要該工具專用之強力計算 本發明之再另一目的為· y· 之現，算資源，以提供;面性:篇=利用各工具專用 攻些以及/或其他目的可由之=样 根據本發明之-態樣，控制^ ϋ歹j雜提供： 製程之方法包含:輸入關於4二==工具所執行之- 等體處理工具所執行之製程的 200523701 處，=冗：:於:==¾ 係用《輪入關= 原理模擬，以提供ί:=口 果制以在由該半導體處理工具所執行之難程 之^:資料所用的裝置;以及 工具所: 上執行4用八悲：電腦可讀媒體包含在-處理器 理器執雜树，將使處 及輪入關於該半導體處理工且之—第」=之製程之雜、以 導m理1具所該：⑽理模擬結果’以於該半 四、【實施方式】 同或相對應^部分、。’相同參考數字指示與其相 圖1為根據本發明之一實施例之系統方塊圖， 200523701 :亥系:先係利用第一原理模擬技術，以辅助由半導體處理工具所執 行^程。如圖！所示，該系統包含半導體處理工具1〇2、:身料輸 7 Ί一原理物理模式106、以及第一原理模擬處理器 , 之该系統亦可包含如虛線内所示之工具級程式庫no。 夕制處理工具搬為執行關於製造積體電路或半導體晶圓 屬卢工具。例如半導體處理工具102 $以下列系統施行： 侧系統、光阻旋轉塗佈系統、微影系統、介電 亦即旋塗玻璃(S0G)或旋塗介電(s〇D)系統)、沉 化學蒸氣沉積（CVD)系統或物理蒸氣沉積（PVD) 他執行半導體製造程序所用之工具。 擴賴次者其 製程收ΐ關於半導體處理工具1〇2所執行之 ^。由本道#^已收集之貝料輸入至第一原理模擬處理器的裝 製程iG2所執行之製程可為特徵化製程（亦即 理，具Η>2所執行之製程。在—實施例中，資J輸、人g = 汽俨力：具之一室内部環境之資料，此種資料可包含 處理室内部各點之氣體速率及㈣；電的資料 資料r在ΐ理=ίί内部各點之電壓、電流、以及阻抗；化學 ，料（當使用電聚時）如電》密度（例如ΐ藍米、爾探針 機械=如在處理‘======及 製程工ίί境資料外，資料輸入裝置ι〇4可收集關於 传以作油人至本ϋ果。在一貫施例中’資料輸入裝置104 係讀為麵口至+導體處理工具102之計量學工具執行；該計量 200523701 尺寸（例如之長度刻速率之_)、_臨界 側壁輪和、膜性質g如 徵異向性（例如蚀刻特徵 所執ί之製程i其他1i數圖案臨界尺寸、或由半導體處理工具1〇2 理器具102及第-原理模擬處 為使用者輸入裝置執行，該使用者於，二f輸入裝置104可作 處理工具102直接提供至槿擬Μ』1 f置係用以將關於半導體 可為-鍵盤，握鮮二土二擬处理器106，例如資料輸入裝置104 106 t ; ill ΐ!^ 處理工具102所^行之存關於先前由半導體 以將資料輸人至處理器中第顏模擬處理器⑽自動存取， 第一原理物理模式106為工具、工具環以及 Ϊ模狀物理雖咐赋，錢肢模擬結 力由+導體處理工具所執行之製程，故第—原理物理模 ϋίΐί析半導體處理工具1G2之類型以及該工具所執行之 I程有某種程度的關係，例如物理模式106可包含一工具撤之 j纽積（CVD)室及擴散爐不同；同理，計算流場所需之第 二原^方程式與計算溫度場所需者週異。物理模式可為如實 商業化軟體巾之模式，例如ANSYS (ansys公3出品，美 國負州153Π坎農斯堡城科技路π ?虎南腳尖）、FLUENT(Fiuent 公，出品，*賴罕布夏州°遍黎MiCenterraSJ卡文迪西巷 1〇说）、或CFD-ACE+(CFD研究公司出品，美國阿拉巴馬州358〇5 200523701 亨次維市韋恩路2is號），以計算流場、電磁場、溫度場 、 表面化學（亦即蝕刻表面化學或沉積表面化學）；然而，五予 採用自第一原理發展出以解析這些或其他處理系统内 =了 用或定製模式。 、、、、田卽的專 第-原理模擬處理器108 &-處理裝置，其係 入裝置104之資料輸入應用至第一原理物理模式1〇6 原理模擬；尤其第-原理模擬處理器108可利用資料輸 所提供之資料，以設定第-原理物理模式⑽之起始條 邊界條件，該第一原理物理模幻06接著即由模擬模組 ^ 發明之第一原理模擬包含但不限於由馬克士威、 本 P^isf；r ^B?G, a ^ "rd： )1994年)）。第一原理模擬處理器⑽可以實體上 ‘二Γί 合之處理器或工作站之方式實施，或以通用電 H ^；〇8 理工具102所齡_擬結果係用以輔助由半導體處 製程控制、及j ί]如模擬結果可用以促進製程發展、 出，此將更進一8“明’於，供可輔助工具處理之虛擬感測器輸 之工具部=示’該系統亦可包含儲存模擬結果所用 來此編譯可用以提供模庫上為過去模擬結果之編譯，未 第-原理模擬處t 果，该工具級程式庫110可儲存於與 硬碟中。、 w 8整合之獨立儲存裝置或電腦儲存裝置如 將極易了解實二ϋ ’之系統僅為例示用’通常熟悉此技術者 如第-原理物卿i 用之特殊硬體及軟體可有許多變化。例 、式106、第一原理模擬處理器1〇8、以及工具級 200523701 los 〇 ί Ji^I4^'/1400 5 1 所示之^ΐί^ΪΓ 面’二或更多已程式化電腦可以圖i 複製）分散式處理之原理及優勢（如冗餘及 ϋΊιί猶行’明加綠之驗及性能。 第：模為：，?辅之助 102所^-製^自步驟201開始，即輸入闕於由半導體處理工罝 :物執理ir之料資料如上入資料_ 行之製程或此製程姓果之次料^ ，在半導體晶圓上之工具所執 與第一原賴 人，或間接自手動裝置或 ^物2測裔或計量學工具輸 如來自*前已執行Si I，則已執行製程中所記錄之資料， 者設定為特定模擬之者該資料可由模擬操作 依所欲模擬結果而定。由處理工具所輸入之輸入資料類型通常 物理模除式了==所第:f里模擬請亦輪入第-原理 化之工具的物理特 不(驟203包含輸入以該模式 所需要之軟體編寫而成^執之所欲特性的第-原理模擬 體處理工具H)2所方f式，其中該製程係由半導 體或該處理器不可支 1 原理物理模式106可自外部記憶 。雖，圖2所私轉之2^記接 處理器，·另 瞭第—原理模擬器⑽可同時執=;:，=固 200523701 反之次序執行這些步驟。 料與步驟加之輸入資 模擬結果；步驟205 ^與半導體^理I :原理模擬並提供-或非同時執行，例如可在^寺間^ 執行之製程同時執行 果用於控制該製程之模:，可 二，且其模擬結果可儲存於-程式庫中，以“ i糾時進 貫施例中，步驟205包括利用步驟2〇1輸入^檢索用。在— 挪中所提供之物理模式之起始條件及入界 =，。以設定步驟 所執行辅助由半導體處理工具⑽ 行，，严利;該ί擬以測處執 接至if-1此圖中所示，該網路架構包含透過網際網路3Η連

It 包含第一原理物理模式106、關於圖1所述之第 擬^以及任何其他有助於執行第—原理模 。另外’模擬模、组302係用以利用任何已知網路通 可以高If程控制（APC)控制器聯繫，各模擬模組302 圖14之電腦系統14〇1般的通用電腦方式實施。 所執=製圖程3之1:= 12 200523701 接輕合至-侧工具102，因此，資料輸入裝置係 二個別工具上之物理感測器及/或計量學工具之=方: ΪΪ认如上所述，資料輸人裝置可以封議模組操作者上Ϊ用之 =輸入裝置之方式執行。此外’各模擬模組3G2可用以將 $存=如程式庫3G6之工具級資料庫，並自I具級 】資 料庫本#上為可用於未來模擬之過^ 在本發明之-實施财，各觀池3Q2魏_ jfiff f縱控制器3〇4 ;如圖3所示’廠級APC控制器 304亦可透過網路314與通訊伺服器316而連接至獨立 二 組308、廠級程式庫31〇、與獨立電腦模擬模組312。、、 Μ如將更進—步說财，獨立f職擬模組㈣及312為 ίΐΤ十Ϊ翁集之第一原理模擬時可用以輔助模擬模組302之計 η級程式庫310為用於儲存自任一網路系統： ^传之模擬結果的資料庫；廠級縱控制器3〇4為任一適^ 作站、祠服器、或其他與模擬模組3〇2、3〇8、及312互 ; 薇級程式庫310之資訊的裝置，廠級就“制 i制鞀亦工具102根據模鋪、组302之模擬結果而執行 ，例如APC控制器可用以接收來自模擬模組之模擬 令，該模擬結果執行製程調整與/或任何工具102 4控°， S = APC控制器綱利用任何適當協定而與模擬模組=方 電:系二?程式庫一 ^ 提供在合理求解速率下，圖3之網路組態可 ΐί 果之計算與儲存資源分享，如此即 =了 :便_工具所執行之製程之有4義的I具上模擬能力； 簡單模擬可由工具專屬模擬模組執行，但需要較多計 雜模擬可利用在網路之工具上_立多重模擬模組上 之知式碼平行化技術執行。假設有電力供應至模擬模組，即使目 13 200523701 之程式庫（例如儲存裝置）令，^ 廠網路中任意處 時可被所有工具存取。 果在查找診斷或控制資料 本案發明者亦發現··圖3 -條件組下所得出之模式結果，分=冓=二^工具1〇2將 運作之其他相似或同-工具的能力件下 執行唯—處理條件之槪，並再_來自ίί 提供在網路上自一模擬模組傳snn=s架構亦 變ί精化至其餘類模_能力，例如若彳輸2ίί之ΐ 仃執行期間決定某些輸入參數必須改變式之平 經傳遞至所有其他模擬模組及工具。…二灸化可透過網路 遠程m路^構亦提供至遠程計算資源之最適連接，其中該 者廠i槿ϋΓ31協助執行模擬任務並將結果回傳至裝置製^ 具上提供 之貝科父換中心，藉此更增加了建 二^、、、。果 址塊遠程;以 際網路連接提供ΐίΐ客戶化處理即透過通鋪服器及網 現，本案發明者更發展出用於提供虛擬感測器讀i之新穎 200523701 模擬系統、提供用於發展由工具所執^ 上、或如圖3所述之計算與儲存資源之互“:及模減組 组。肋自物理感卿增加已測量資料 _見: 數目龐大，在工具上安裝較多咸測考 :曰主右所而感測淼 許多案例中，工具上極昂貴的提案，且在 量之狀況ΐί明j且:Γίίϋ线裝感測11處卻需要測 或邊丄=;式 ，=稱其中之鋪由來自工具二 第理發Γΐτ5"闕之製㈣關，賴程係利用 測。========擬感測器量 椒^ 订貝枓類型，只要輸入貧料可令第一眉拥描 ====結;即可。如此，該輸入 程、或者此触之結果有關gum具所執行之製 ，二，或間L原手^二之輸物入理感測㈣^ —it 15 200523701 作為一第—原理蝕刻製程模式之輸入。於施行蝕 罩触刻之量測包含在-批特定基板之-特定基板上之一 2 = 置（如中央及邊緣）的圖案臨界尺寸及遮罩膜厚度； 膜J度（亦特侧膜之膜厚度：> 之量測亦可作為_製程掇? 在執行-特定製程策略之第-原理蝕刻製程模i後，、〇 輸:，此輸:可_定二= 之後，這些結果可用來調整目前或未來基板之製程策略。，寸， 料r接由手動輸人裝置或資料庫輸人處，該資料可為自 者該資料可由模擬操作者設定為以 最佳輸入參數」；由處理工具所輸入之輸 之所欲虛擬量測喊。 胃簡㈣巾根據待測 除了輸入該輸入資料外，第一原理模擬處 於仿真如步驟403所示之物理感測器之第雨入用 4〇3包含輸人由模式所模式化之工具的物^ 理模擬所需之第一原理基礎方程式，以獲得屬J 原 處理工具102所執行之製程之物理感測器讀數的 數。如步驟彻之第一原理物理模式可自測器t 部記憶體或内部記憶體裝置輸人至該處 ^^了或缺之-外 示之步驟403係於步驟401之後執行，但y ^者’雖然圖4所 擬處理器108可同時或以與圖4所一°=^瞭第一原理模 在步驟405中，如圖】之處理器序施行這些步驟。 係利用步驟401之輸入資料與步驟二 J第一原理模擬處理器 執行第-原理模擬並提供虛擬感測器量列物理模式，以 間或與由半導體處理工具所施行之製 ς驟_ = y在不同時 同時執行之模擬可利用來自具有相同 ^:丁 ’未與晶圓製程 所儲存之起始與邊界條件。如以上關於程條件之先前製程 、回所提及者，其僅適用 16 200523701 晶圓製程緩慢之案例，·晶圓曰舟… 曰曰 測’這些「_」稍後可^日=，例如令模擬模組解所需之量 製程·瑜^與 同時執行處， 行，以不停地更新第^歷if Ϊ里測而與製程同時重複地進 量測資料可供卫具操作者用於監生之虛擬 之量測完全相同H且其絕對與物理感測器所做 ^擬量測方可以合,里速率^例如里如此 模;之;始及邊界條件係根據工具處理以二 理丁二S感;:=ϊ以理=時，相依之模擬接著社= 作者並處錢；所得之虛擬制可顯示給操 -#。若ίίϋΐ分析’如任何其他經確實測量之工具參數 應確實量測前得知，預二 =根據攻些1測而貫施各種不同前饋控制功能，兹將更進—牛 坪迷於下。 ^ 又在圖4之製程之另一實施例中，第一原模 ，測器量測與相對應之物理感測器量測相比較而 執行。例如在具有某種製程策略/工具條件之第一回合期間，、1 具操作者將「已知最佳輸入參數」用於模式上；在各模擬運算期 間或之後，該模擬模組可於進行來自物理感測器之確實量測的位 置上，將所預測之「量測」與確實量測相比較，若偵測到明顯差 異，則可利用最適化及統計方法改變輸入資料及/或第一原理物 17 200523701 =本。根 ：: t!---- -2 需求以及對相同製程條件之模式料π: 了，後續輸入參數之 些其他=中對進正之刀it 如此即消除了在這 係用以輔助由半導體i疑理二、f〇f:::: J栽虛:感測器量測 2測器量測可作為各種不^同用途之工具统言，虛 ;確==;生製;心 L感===:=之r所執行之典型= 者，虛擬感測器量測:再 稍後使用，如此即免除了*二=呆體上之鞋式庫中，以備 模式或輸入條件（例如在精化期、二=條件之模擬執行’除非 除提供虛擬感測器讀數外，本發明之 而ΐ其:=目前?驗設計製程發展 -行’此將導致耗時且;貴:特4=::2需要不同之製程執 理模擬能力容許參數變化及工具本身若又=之工具上第一原 這些由第-原理模擬所充分模式化ΐ製;以^ 第一原理模紐術，以將解導體處用 執行，或者利用圖3之架構。如圖5 /示，處理器=上 輸入用於獲得關於由半導體處理工請所執化 200523701 ;感;f模擬結果即可。如二 :至第-原理模擬處理器108 量與^耦 或間接自手動輸人裝置或·献人學工具輸入’ 之j供虛擬感測器讀數之模擬模:貝二二$ 或如資=S^t，r料可為先 模擬操作者蚊可由 二:：卜二:原二輪::7原理 503 102 ^ 益不可或缺之内部記鋪裝置輸人至該 :卩:「it體或處理 503 5〇1 ^ , ^ 可同時執行這些步驟，或《與圖 在步驟505中，如圖1之處理器1〇8 步驟501之輸入資料與步驟5〇3 = 一原理模擬器利用 原理模擬並提供-模擬結果，以將該製程、特，模^ ’執行第一 由半導體處理工具所執行之製程同時 ^ ，乂驟505可與 ，程同時進行之模擬可利絲自執行，不與工 刖處理執行中所儲存之起始與邊界條 ° =/員似製程條件之先 、如以上關於圖2所提及 200523701 ，：;= 處，第-原具所贿之餘_執行之

2：S|S=S 同或不晴======料行測試之相 疼供由丰導贈田τ曰」.^ 口人可實施第一原理模擬，以 係不 以將由分資料組 如上所述之以模擬結果作為特徵^ ^步驟507所示。 =，化之實驗設計方法所要求之耗或製 用貝科組可儲存於-程式射，以_由工 之=寺= ____ 料庫中，以便感測或控制半導體處理工具之势程 測並操細铸化下可靠地感 狀況將令資“:ii : 作條件，此 組任何此種資 1準破輸入資料；然而，吾人仍可利用統計方法， 月自運作時間資訊；但本發明並不需要具有此_ 200523701 制能力之資訊。事實上，製程模式可提供-基礎，於此，製裎可 利用製程模式進行經驗控制，以將該些已知解延伸錢驗 之「解」；故本發明之—實施例藉由以第—原^模擬 模、，且解丨曰補已知（亦即實際上觀察到的）解而 Γ權模組解係與已知解—致。最後，隨著統品2Ϊ 展，模擬模組解可以經驗式解之資料庫取代。 之r實施例中，工具上第—原理模擬不需要資料庫 ίίϋΐ取，在不同操作條件下具有較多可資利用之電腦運作 夺„，不同統計方法仍可用以精化卫作模式與輸入資料， 但，此實_林需要具有此種製程_及控制及錯誤 之貧訊。 ' 第；本發明之—實關之系統方塊®，姆統係利用 第一原理模擬技術以控制由半導體處理工具所執行之製程。如此 圖所示，該系統包含耦合至高等製程控制（APC)基礎建設刚 之-處理工具602，其中該APC基礎建設6G4包含 ，- APC控制器，、以及一程式庫61〇 ;計以= 退程控制器614亦耦合至APC基礎建設6〇4。如圖6所示，程 庫610可包含一解資料庫616與一網格資料庫618。 > 處理工具602可當作參照關於圖丨之半導體處理工具1〇2 ，，故處理工具6G2可為例如材料處理系統、侧系統、、 塗系統、微影系統、介電塗佈祕、沉積系統、熱退火 ，處理（RTP)系統、以及/或批次擴散爐或其他適當半導體造 統。如圖6所示，處理工具602提供工具資料給模擬二且 606並自APC控制器_接收控制資料，如下方將更詳細說明 處理工具602亦輕合至提供處理結料訊給模擬模組 吾 學工具612。 《重 模擬模組606為電腦、工作站、或其他可執行第一原理 技術以控制由工具602所施行之製程的處理裝置，因此其告 關於圖3所述之模擬模組302實施；故模擬模組6〇2包^第:原 21 200523701 理物理模式l〇6及關於圖1 一 任何其他有助於執行第一肩 一原理模擬處理器108,以及 體。在圖6之實施例f，/擬制製程之硬體與/或軟 在工具602上用以在以接收來自-或更多 1資料，該工具資料可包含上；理與後續使用之工 :貝料、熱及機械資料、或任何二電學資料、化學 料。在圖6之實施财，工 I二圖2所述之輸入資 上執行之模式的邊界條件及/起^ 字在模麵組_ 溫度場、化學、表面U式碼，以計算流場、電磁場、 等，·自第理二或沉積表面化學） 以提供工具製程控制所用之^ 入系統内部之細節部分， APC控制器608係麵合至描 組606之模擬結果，並利用該模擬结^以實施^接^來自模擬模 行之製程調整/製程修正所用^请^實=工具6〇2上所執 整以修正製程非均勾性。例如吾人可進行-調 降法（數^方法1，接者可以該非線性最適化方案如最陡下 Ιί ΛΐΪ I ! qU1St ^ Bj〇rCk ^ S Prentice-Hall，Av5l , ^ 等又著，劍料ίί西州，1774年’第441頁；數值處方，p職 動解ΐ於=劍橋，1989年，第289-306頁)，將擾 之^，該修正接著即利 ΐ處、或者來自目前模擬執行之結果可指 均Ϊ靜知目前起始，邊界條件之基板下方之-非 二勻靜心I力％，该均勻性可依序提供用以定量基板 的已觀測非均勻性，該尺度係藉由計量學工具在基板二 尺寸、特徵深度、膜厚度等。藉由擾動目前^ 擬執饤之輸入參數，可獲得一組擾動解，以決定為移除或降低靜 22 200523701 態壓力非均勻性所應採取之最佳「路 包含壓力、功率（傳送至電極以產生電紫入參數可 3-輸人參數且保持所有其他輸人參數固定二次 «度_，以獲 以及修正製程效能之方法巾 t制、識別、 式，兹將後者之内容(P㈤模 :(=似）以決定模擬好（帽擬模 變= ds忿=二 。主成份分= 組至少-控制參數（协疑:或預測輸出）之空間成份與- 份之iii:參數（或輸入參數）之修正，以便令空間成 測結果Γ之非均勻=改善（或降低）模擬結果（或若有可用之量 用以座圖6之模擬模組606之程式庫⑽係 可二2=座與一:Γ靖618 ^ =之獨，數目所支配:、當二 === 接料^據f式輸人而搜尋程式庫_，以決定最 士擬口解，根據本發明，此解 格資料庫6料包t戈新更解多入至久解資料庫·。另外，網 工且或處理工且继二of更雜組’各網格組表示一特定處理 之網格，範圍“ 不同網格解析度 在粗網格塌模擬絲，接 23 200523701 而利用網格之選擇以減少求解時間。 m ^ mmmt ( 界尺寸（例如特徵之長度或寬度）in率比）、侧臨 罩）膜厚度、遮罩（例如光罩）圖案臨^尺度^遮罩（例如光 導體處理工騎綺之製歡錄辦其他由半 解答器參數（亦即解答器參數更新）、解與包含模式 斂歷程之模擬模組606交換資訊。 ^模式解、以及解收 程圖由步驟702開始，其係在如^工且6〇戶==製程。該流 基板或基板批次；在步驟7〇4，測量工星/資 ^ 2内處理 該模擬馳條件加諸於 :二C擾器_内之控制演算法批 果，藉由712 +_之模擬結 眉理ίί㈣之另—實施射，吾人可顧_經驗料結合第- 施行之製程之控制。圖， 實方例之系統方塊圖，該系統係利用第一原理模擬# 式，啸織料财理工鱗猜之製程。如此 8ΐΓ」ίί統包含一麵合至一高等製程控制（apc)基礎建設 之處理工具802，其中該APC基礎建設8〇4包含-模擬模 24 200523701 ^8〇lf^DAPC控制器_，計量學工具812及遠程控制器814 2 ^基礎建設_，這些項目與關於圖6所討論之相對 二士 除了圖8之項目更用以運用於考慮經驗模式外，故 这些相似項目將不針對圖8作說明。 至模統包含—模式分析處理器_，其係搞合 ，以接收來自模、组806之模擬結果。在圖8之 析包含自模擬結果之非尺寸化建構經驗模式， 於由—執行至另—執行或由—批次至另一批次之 2 m，—經驗模式職建立並儲存於經驗模式程式庫 產之卢具尸歷經範圍自製錄展㈣良率斜坡至量 產之處理舰歷程，在這些處理循環期間，工具之處理室由一 ΐ」ΐΊίί ίΐ錢處理至—於室清理及維護處理前之「老 相2於ίϊί料循環後’可逐步發展出一經驗模式，以包含 =應=殊處理工具及與其相關之製程之統計上充分參數空間 換s之，透過清理循環、處理循環、以及維護循環，工且 儲存之助）原本即須決定參數空間之邊界；最後: 展峨料可械—練加強第—原 式，並可提供至APC_之輸人，以作為製程 以監_式馳麵合， Π發展谢秀決疋優先於模麵級控制器輸入 、擇-、、星驗模式控制器輸出之角色；另外 可與經驗模式資料庫於（連接狀況未顯 ^ : ^ 之至經驗模式資解之輸人。 糾、作為技正用 f 9為根據本發明之一實施例之製程流程圖，該 術與—經驗模式’以控制由半導體處理工且所執 具8〇2内處_板或基板批次；在步驟9〇4，測|工且g 提供作為域擬模組如模麵組咖之輸出，邊^見條 25 200523701 =著即加諸於模擬模組之第一原理物理 出 1Γ06所示;在步驟908，執行第-原理物理模仏 分析與建構經驗模式之第一原理模擬結果 刼作者隨時有機會根據第一原理模 執行至另-執行料—減 式，例如由- 驗模式之某點上，操作者可支触制，在建立經 理模擬，在該點上可細料㈣擇完全置換第-原 提取控制器輸出以形成一^定工i資^插2插^案，迅速地 ==第一原理模擬或經驗=控=程決=$ 中右决疋不作置換，則製程繼續 ’驟912 自模擬結S歧控制峨，若麵 I ’卩APC控制器 驗模式決定控制訊號，如步置換在，，控制器自經 程。如步驟918所示，製程可利用^驗f4=之結合來控制製 中所示之經驗模式輸出 Ϊ計上有之就地ί構之方法，且一旦滿足 程控制期間，可採用過i器模式；在製 濾器）以給予部分所要求之你，數加權移動平均⑽MA)過 W根轉二=^ ^ (控制變數）之新值，γ A /式八中尾〜為特定輸入參數 ^ () 自〇至1之_器係數。 的輸人參數新值，福範圍 模擬，以提供由處理!Γ具所^^^^^貝器可結合第一原理 -錯誤偵測器，以控制由半導原理模擬技術與 所示，該系統包含，合之製程。如此圖 寻長私控制（ApC)基礎建設1004 26 200523701 之處理工具1002’ $基礎建設1G04包含-模擬模組觸6及一 Apc ^器1，及程式* _ ;雖然圖1G中未顯示，程式庫1〇1〇 料庫及-網格資料庫，計量學工具iGi2與遠程控制器 亦麵S至APC基礎建設1004，這些項目與關於圖6所討論 J相，，目相似’除了圖1G之項目更用以運用於考慮錯誤偵測 外，故廷些相似項目將不針對圖10作說明。 10所示，該系統包含一錯誤偵測器1〇4〇，其係搞合至 ，，模組1006並用以接收來自模M 1〇〇6之模擬結果。例如模擬 ii 之輸出可包含—f料輪廓，該資料輪廓接著可作為對多 嫒數为析（如錯誤偵測1040中所執行之部分最小平方（pLs))之 PLS-分析中’吾人可定義表示工具擾動資料（尤）血製 間i關係的一組負載(或相關)係數，其中;係 退載模擬結果Yslm與確實結果Yreal間之差值。 擬模==用PLS ’工具擾動資料之朗組由錯誤偵測器自模 擬M，、且處接收，工具擾動資料不是集中於 製程模式在n維解空間内先驗地決定; aY/J於[ί 1擾動組^言個擾動導數（亦即aY/av1，_V2, 掛Γ丄;丨Γ二v2、v3為不同獨立參數〕係儲存於矩陣尤内； f程效，工具擾動資料可於矩衫中儲存成-攔，且 旦ΐίY，Yreal)可於矩陣7中儲存成一攔。因此， 表不同之工具資料參數;-旦矩陣"且合起來，各列即代 •,再者，位於-矩賴巾之資料可糊巾㈣標準差作 27 200523701 正現化〇 係可，多變數分析而言’工具資料與製程效能資料間之關 ^ Β =ζγ ⑴ ΪΙίΪί上述之m Χ η矩陣’ 5代表η Χ Ρ (Ρ<η)之負載(或 陣，；Κ代表士述，m χ ρ矩陣。一旦資料矩陣_及戶組 設計最近似J及F空間且射與？間係 化之關 係即利用PLS分析建立。 一 jPLS分析模式中，X及f係分解如下： Χ^Τρτ+ε (2a)

YjUct+f (2b) U^T+h (2c) 總料變數之分數的矩陣，之載人的矩陣，[為總 、广楚數之$數的，陣，C為表示(ζ)間相關性之加權矩 丄，、—F、及好為餘數矩陣；另外，在似分析模式中，有 代表&與X關係且用以計算F並稱為加權之額外載入_。 總之:按照，何，原理’ PLS分析係相當於擬合以多維空間 之，所代表之f及F資料兩者所成之—直線、平面或雙曲線面， /番目標，儘量近似絲資料衫衫、與將在雙鱗面上之觀測位 置間之協方差最大化。 f ^為資^輸入尤及7至PLS分析以及相對應之輸出 ^，^/，心％£，心//與在投影中之變數重要性（¥11>)示意圖。可 H4 f 分析模式化之已商業化軟體之一例為MATLAB (美國麻 之Mathworks公司之商業化產品）所提供之犯工具箱 ^ 紐澤西州金内隆之Um她s公司之商業化產 έ，在此軟體上更進一步之細節可參照simca_p 8·0 =用者指南：多變數㈣分析上的新鮮8g版，其亦適用於本 2二ίϊΐ已公式化，即已決定出各模擬結果之矩陣X，·在 、、、’。果”確實結果間之任何差異均可_ PLS分析與結果 28 200523701 出來並歸因於一特殊（獨立）製程參數所致’例如來自p 馍式之最大VIP值輸出即對應於最有可能造成差異之製程來 ，12為根據本發明之一實施例之製程流程圖，該製程& 擬技術與一錯誤偵測器’以控制由半導體處理工呈所 ，，程。該流程圖係由步驟開始，在如處理工且「斤 =处理工具内處理基板或基板批次；在步驟1204， 供給如模擬模組励6之模擬模組以作為輸人；接ί ΐ / 所示；在步驟麗，執行第—原理__ 以執仃輸出至如圖1〇2APC控制器1008之控制器 隨= 有用齡(例如由一執行至另—執行或由二批次 ^制^^程模式擾動結果或PCA模式 另一5仃或在一批次至另一批次中，製程可利用模 =士 ，制器進行調整/修正；在步驟1(n，製程ϋ曰^ 測器ι_中之PLS模式之輸人，此舉令—錯誤可^=1 測到並分類，例如如上所述，吾人可利 、^效偵 輸入控槪數組)之模擬以： 異& = ΐ 存在製程錯誤，若真實與模擬結^之

:可S錯ϊ已產生;該預定閾值可包含例如特殊資H PLS分析分類。例如吾二:錯r利用 陣）不是集中於目前模式解上就地決感度矩 維解空間内先驗地決^。利用敏_ 模式在η =:!:PLS分析解方程^ 間之差異具最佳相關性之控制變數（輸入參數）；利用二 29 200523701 括ΐϋϊίί可以位於基板上方空間之靜態壓力之輪廓作概 實，Yreai代表μ力之測量輪廓，而他代表壓力 設吾人已設定—氣體流速，然:而質量流量控制器 已知該蚊值），則吾人將可預見壓力之模擬與測 廓間之差異，亦即真實與模擬案湖之流速相距2 又#結制之差異將足以大至舰預定雖。利用PLS 二、* ί衫響壓力輪廓的這些參數將會被辨識出來，如氣體 1L、: f存在之錯誤與其特徵可以處理工具錯誤狀態向操作者報 ^i、i,APC鋪11執行處理玉具控制（例如關機），以回應該 錯获須測。 ㈣真线理綠之錢®1 ’本㈣之製健制實施例 L二田1真空處理系統；圖13中所提供之真空處理系統係作為 例=用，無論如何不應限制本發明之麵。該真空處理系統包含 力:^工具i302、，該處理工具具有一用以支樓基板之基板支 ί祕1·一氣體注入系統1306、以及一真空栗浦系統。氣體注入 包含一氣體注入盤、一氣體注入充氣室、以及在氣體 1，室内之-或更多氣體注人概。該氣體注人充氣室可麵 二入二或5多氣體供應如氣體A及氣體B，其中氣體A及氣體B λ/ττ^处理糸統之氣體流速係受兩質量流量控制器MFCA 13〇8及 ^ 1310所影響；另外，用於測量壓力ρι之壓力感測器 1312 、δ至氣體注人充氣室；基板支架可包含_用以測量基板支架 :二,Τ1)或基板溫度之溫度感測器1314、以及用以測量冷卻劑 之溫度感测器1316 ;如上所述，氦氣係供應至基板之 ^ 中在一或更多處之氣體間隙壓力（P(He))係為可變化者。 f ’另一壓力感測器1318可耦合至處理工具，以測量室壓力 另一溫度感測器1320可耦合至處理工具，以測量表面溫 ，Uj);而另一壓力感測器1322可耦合至真空泵浦系統之入口， 以測量入口壓力。 哆斷控制器1324可耦合至每一個上述感測器，且其可用以提 200523701 供來自這些感測器之量測給上述模擬模組；對於圖3之示範系統 ，言，在模擬模組上執行之模式可包含例如三組件，亦即熱組件、 氣，動力組件、與化學組件。在第一組件中，吾人可決定氣體間 隙壓力場，接著計算氣你間隙熱傳導，之後可藉適當地設定邊界 ，件（及内部條件）而決定基板（及基板支架）之空間解析溫度 場、邊界條件如邊界溫度或邊界熱通量、存於電阻加熱元件中之 功率、在冷卻元件中移除之功率、因存在電漿而於基板表面產生 之熱通量等。 在本發明之一實施例中，吾人係利用ANSYS計算溫度場； =製鋪式之第二組件（亦即氣麵力組件氣麵力場及速 X場可以在熱組件中所計算出之表面溫度與上述數種測量而決 定；例如質量流速及壓力（P1)可用以決定入口條件，且愿=3夬 =以決㈣Π條件’ CFD_ACE+可肢計魏麵力及速度場。 利用化學模式（即第三組件），先前計算之速度、壓力、及 β 可作„學模式計算例如_速率用之輸人，根據處理工 至批次之處理循環内’這些模式組&其 裎祉句可在I時間標度上執行’這些組件中任一個均可用於 均勻性資料，以作為餘控制 '方法學、製程特徵化、、 以及/或錯誤偵測/分類之輸入。 導！ΐ模式、回應處理條件變化之製程分析、以及如反庫 盗老化之效應，經驗模式可隨時間同化，因此 = ΐΐΐΐ準統計分析程式所決定般變得具有統計意ϊ時，製程; 狀中之能力，以適應新製程或在製程幾何】 任何或全部上述第-原理模擬處理 31 200523701 包含圖1-13所說明之任何處理步驟。電腦系統i4〇i 1402叙人^或其他用以傳輸資訊之通訊機構、與匯流排 處理器14。3;該電腦系統亦包含 置機、存取記憶體（RAM)或其他動態儲存裝 ( M)、靜態謹（8麵）、以及同步腦Μ 處理琴1403)2主ΐ憶體14G4耦合至匯流排14G2，以儲存將由 處理i 1403 訊與指令；此外’主記憶體1404可用來於 Ϊ_存暫時變數或其他中間資訊；電腦系 能咨邱-s至匯流排1402以儲存用於處理器1403之靜 二記憶體（ROM)1405或其他靜態儲存裝置（例 除^(醜=^)、可抹除PR0M (卿M)及電可抹 電，系統1401亦包含一輕合至匯流排14〇2以控制一或更 Ξίϋίΐί及指令之儲存裝置之磁碟控制器1406，其中儲ΐ裝 5 性Τϋ7、可移式雜機i4G8 (例如軟式磁碟 光碟機、光碟記錄庫，磁帶機、以及可 介面（scsi)、整合型電子裝置_、增強 記憶ΐΐΐΐ:)或高速DMA)而附加至電《統丄ί 組態化邏輯_ (例如簡 列（^^可財傾輯元件（CPLD)、以及場可程式化 電腦系統1401亦可包括與匯流排14 M09，其制以控制呈現資訊給電腦制者之顯示器 ==理 =T包括用於與電腦使用者產生^ 動並k仏貝I、。處理|§ 1403之輸入裝置1411，如 示裝置1412;指示裝置1412可為傳達方向訊息與指令選擇 器剛並控制顯示器上續標移動之滑鼠、軌跡理 32 200523701 此外，或可有印表機以供列印電腦系統1401所儲存及/或產生之 資料項目。 生土 < 電腦系統1401因回應處理器1403而執行記憶體内（如主記 所包含之—或更多指令之—或更多序列，以完成部分 或王。卩本發明之處理步驟。此類指令可自另一電腦可讀媒體（如 硬碟1407可移動媒體機1408)讀入主記憶體14〇4，在多工處理 巧中之-或更多處理器亦可用於執行&含於記憶體1侧内之指 1敕ϋ可ϊί擇之實施例中，硬體連接迁迴可用於取代或結 二車人體扣々，故實施例並非僅限於任何硬體迂迴及軟體之特殊組 & ° 容纳ίίίϋ腦系統剛包含至少—根據本發明原理而用於 t含資料結構、表格、記錄、或其他此處所 體或記憶體。電腦可讀媒體或記憶體的為例 ΕΕ&ΟΜ 、軟碟、磁帶、磁光碟、PR〇M (EPR0M、 E^ROM、快閃 EPROM)、DRAM、SRAM、SDRAM、或任何其 紙帶碟（如CD-R〇M)、或任何其他光學媒體、打孔卡 ϋιί具孔洞圖案之物理媒體、載波（將說明於下）、或任 何其他電腦可讀取之媒體。 r)滇任 (若 二ίΐ裝為任何可直譯或可執行碼機構，包含 开2式語言、可直譯程式、動態鏈接程式庫（DLL)、 tl ΐ έ、及完全可執行程式；另外，本發明有i八‘ 分散處理，以獲得較佳效能、可靠度、及/或成^月有‘了作 此處所用之「細可賴體」―姆指任—與提供指令供處 33 200523701 理器1403執行有關之媒體。電腦可讀媒體可具諸多形式，包括（但 不限於）揮發性媒體、非揮發性媒體、及通訊媒體，非揮發性媒 體包含光碟、磁碟、及磁光碟，如硬碟1407或可移動式媒體機 1408 ;揮發性媒體包含動態記憶體如主記憶體14〇4 ;通訊媒體包 含同軸電纜、銅線、及光纖（包括組成匯流排14〇2之線），通訊 媒體亦可具聲波或光波形式，例如在無線電波及紅外線資料傳輸 期間所產生者。 ^ 各種不同形式之電腦可讀媒體與完成一或更多指令之一或更 多序列以供處理器1403執行有關。例如指令起初可記錄於遠程電 腦之磁碟上，遠程電腦可在遠處將施行全部或部分本發明之指令 載入動態記憶體，並透過電話線以數據機傳送指令，在電腦^ ^ 1401附近之數據機可接收電話線上之資料並利用紅外線傳輸器將 資料轉換成紅外線訊號；與匯流排1402耦合之紅外線偵測器可接 收紅外線訊號内所帶的資料，並將該資料置於匯流排14〇2，匯流 排/M02將資料攜帶至主記憶體14〇4，處理器14〇3再自此檢索及 ，行扎令，主記憶體14〇4所接收到的指令可選擇性地在處理器 4〇3執行前或後儲存於儲存裝置丨4〇7或14⑽中。 f腦系、统1401亦包含無流排輕合之通訊介面1413， 丨面1413提供與連結至如局部區域網路（LAN) 1415或另一 通，網路如崎轉之轉線鏈接1414她合之雙 傳 $如通^^面1413可為—附加於任—封包交換LAN之網路介面 介面1413可為—非對稱數位用戶迴路(趣l) _ (isdn)卡或數據機，以提供資料傳輸 資料流之電、電磁、光學n择收攜帶代表不同類型資訊之數位 、、罔，線鏈接1414典型上提供經由一或多 1414 ^ )或服務g、者所操作之設備（其藉由通賴路i4i6 34 200523701 提供傳輸服務）連接至另一電腦，區域網路1415及通訊網路1416 利用如攜帶數位資料流之電、電磁、或光學訊號與相關物理層（如 CAT 5緵線、同軸纜線、光纖等）。經過各種不同網路的訊號與在 網路鍵接1414上以及經過通訊介面1413的訊號，此些訊號均攜 f數位資料往返電腦系統14。卜且以基頻訊號或以載波為主之訊 唬形式進行。基頻訊號藉利用數位資料位元流表示 衝以傳遞數位資料，其中「位元」—詞係泛指為平均符 唬傳遞至少一貧訊位元，數位資料亦可用於調變載波，例如利用 在傳導媒體上傳遞或以電磁波形式透過傳遞媒體傳送之振幅、相 位以及/或頻率移動鍵控訊號，如此，數位資料可透過一 通訊頻道傳送，以及/或藉調變載波而在 頻 了Sift t 連接綺絲置1417純人數位助理 (PDA)、桌上型電腦、或行動電話等之功能。 本發明可按照上述原則進行諸多調整及變化 瞭·本發此處所制說明者外，另：ς =例如此處與申請專利範圍中所述之=== ::處2说明或列舉之順序外的順序實施；通常孰支術： 稍後之處理步驟前執行。 月<、二處理步驟，須於實施 五、【圖式簡單說明】 照下m 與由參 圖2為根據本發明之一實施例之製程 ^^製程， 第一原理模擬技術，_助由半利用 35 200523701 圖3為根據本發明之一實施例之網路架構方塊圖， 提供第一原理模擬技術，以輔助由半導體處理:具所ί 圖4為根據本發明之一實施例之製程流程圖，該製 y理模擬技術以提供在半導體處理工具上之虛== 圖5為根據本發明之一實施例之製程流程圖，該 弟一原理模擬技術，以將於半導體處理卫具上之製程利用 圖6為根據本發明之一實施例之系統方塊圖，該刹 第-原理模擬技術以控制由半導體處理工具所執行之製程:、J用 圖7為根據本發明之一實施例之製程流程圖，該製盘系 第一原理模擬技術以控制由半導體處理工具所執行之^程.'、Μ ^為根據本發明之一實施例之系统方塊圖，該系^係 行之^模擬技術與—經驗模式，以控制由半導體處理工具所執 ，9為根據本發明之一實施例之製程流程圖，該製程 行之模擬技術與—經驗模式，以控制由半導體處理工具所執 馭·;發二 ，12為根據本發明之—實施例之製程流程圖，該製^利 執行之巧擬技術與—錯誤偵測器’以控制由半導體處理工具所 可應用顧，树歡製絲制實施例 圖Η說明-f腦系統，本發明之—實施例可實施於該電腦系 36 200523701 統上 元件符號說明 102半導體處理工具 104資料輸入裝置 106第一原理物理模式 108第一原理模擬處理器 110工具級程式庫 201輸入關於由半導體處理工且 203輸入第一原理物理模式，、V執仃之製程的資料 205利用輸入資料及第」原 擬 原理模 以提供模擬結果 里模式來執行苐一 利用模擬結果以輔助由半導體處理 207 工具所執行之製程 302模擬模組 304廠級APC控制器 306工具級程式庫 308、312獨立模擬模組 310廠級程式庫 314網際網路 316通訊伺服器 401輸入資料以獲得關於由半導體處 的虛擬感測器讀數 具所執订之製程

403輸入仿真-物理感測器之第一原理物理 405利用輸入資料及第一原理物 行J 擬，以提供虛擬感測器量測 、傾仃帛原理棋 4之製^虛擬感量測，以辅助由半導體處打具所執行 501輸入資料以獲得關於由半導體處理工星 程的特徵化資訊 /、川ζ所矾仃心表 37 200523701 503輸入用於將由半導體處理工具i〇2所執行之製程特徵化 的第一原理物理模式 505利用輸入資料及第一原理物理模式來執行第一原理 擬，以提供用來將製程特徵化之模擬結果 “、 特徵化 5〇7利用模擬結果以將由半導體處理工具1〇2所執行之製程 602計量學 604 APC基礎建設 606模擬模組

608 APC控制器 610程式庫 612處理工具 614遠程控制器 616解資料庫 618網格資料庫 702處理基板/批次 704測量工具資料 條件 706以工具資料設定模式之邊界條件/起始 708執行第一原理模式 σ 710由模擬結果決定控制訊號

712調整製程 802計量學 804 APC基礎建設 806模擬模組 808 APC控制器 812處理工具 814遠程控制器 840模式分析處理器 842經驗模式庫 38 200523701 902處理基板/批次 以工具資料設定模式之邊界條件/起始條 執行第一原理模式 904測量工具資料 906 908 910建立經驗模式 912模式撤銷否？ 914由模式輸出決定控制訊號 916由經驗模式輸出決定控制訊號 918調整製程 1002處理工具 1012計量學 1006模擬模組 1008 APC控制器 1014遠程控制器 1010程式庫 1040錯誤偵測器 1004APC基礎建設 1202處理基板/批次 1204測量工具資料 式之邊界條件，起始條件 1210以模式結果為輸入執行多變數分析 1212偵測錯誤 1302處理工具 1304基板支架 1305基板 1306氣體注入系統 1308、1310質量流量控制芎 1312壓力感測器 w 39 200523701 1314、1316溫度感測器 1318壓力感測器 1320溫度感測器 1322壓力感測器 1324診斷控制器 1402匯流排 1403處理器 1404主記憶體 1405 ROM 1406磁碟控制器 1407硬碟 1408可移媒體機 1409顯示器控制器 1410顯示器 1411鍵盤 1412指向裝置 1413通訊介面 1414網路鏈接 1415 LAN 1416通訊網路 1417移動式裝置

Claims (1)

1. 200523701 十、申請專利範圍·· 含：1. 一種控制由-半導體處理工具所執行之一製程的方法，包 製程的資料； ^原w物擬，以提供 之該ϊΐ对―紐酿絲’ κ_由料㈣如工具所執行 關於由直接輸入 之7製=;= ’間接輸入關於由該半導體處理工具所執;Π 之-4製利範圍第3項之控制由一半導體處理工具所執杆 之一 定之資料 Μ範圍第1項之控制由一半導體處理工I 汀執仃之—縣之-特酿-結果至少其巾之-的:#料 ϋΐϊ專利範圍第3項之控制由—半導體處理卫具所^ •資料。、法，其中該間接輸入包含輸入由一模擬操作者所= 6·如申請專利範圍第 之一製程的方法 41 200523701 之一 利第1項之控制由一半導體處理工具所執行 之-製程的;理=所執行 行之-製程的方法，其中今執—員由^半導體處理工具所執 原理由該半導雜處理製包ί同時執行第- 行之-製程的&專1項之控制由—半導體處理工具所執 行之-製程的方法，"^中^^項一半導體處理工具所執 料以設定該第一原“式擬包含利用該輸入資 行之^程 半導體處理工具所執 料以設定該第-原理模^=一第=、=擬包含利用該輪入資 行一半導體處理工具所執 類-錯誤至少其中之一。，、斤執订之遠製程中進行偵測以及分 專，圍第1項中所述之該處理步称至以=，。’以執行申請 執行奴理工具所 化，以分擔該第-原理模擬^算負荷源中利用程式碼平行 42 200523701 17.如申請專利範圍第15項之控制由一半導體處理工呈 =之-製簡方法，更包含在互連魏中分享 & 制由該半導體處理I具所執行之—製程。 ^以控 多餘執行 18，申請專利範圍第17項之控制由一半導體處理工呈 程的方法’其中該分享模擬資源包含在該互連資^門 擬結果’以減少不同魏之實質上相似之第-原理模= 源間 執行n申第17項之控制由一半導體處理工具所 =變化，之 執行ϊ - 4申第人 15項之ϊ制由-半導體處理工具所 以：Hit更包含經由一廣域網路而利用遠程資源， 3在導體處理卫具所執行之該製程中之該錯誤。、、 執行之-製2G項之控制由""半導體處理工具所 而利用遠程計算與儲存#源至少其中之—，網路 理工具所執行之該半導體製程。、 °/半導體處 行之-製二申利=第1項之控制由—半導體處理工具所執 電腦程“、一;LUENT 利用-ANSYS 碼、^及-直接模擬蒙地卡_^式碼至少電腦程式 行之^申:^專^第1項之鋪由-半導體處理工具所執 與ί，其令該執行第-原理模擬包含： 此42\最接近擬合解來計算該第—原理模擬之ϋ 此〇又疋在第一原理模擬中之單元起始條件_。 觀之解’由 執行之-f3制由—半導體處理工具所 自—解之程式庫中選擇該最接近擬合解。 43 200523701 執行靡—+輯理工具所 一解自於該半導體處理卫具上已證實收斂之該解之程式庫中選擇 執行t製如程=利^ 程式理工具之—電腦網路上之—解之 行之=製程如的m_項之控制由一半導體處理工具所執 的方法，其中該執行第一原理模擬包含： 理模t選:該第一原理模擬之解的-粗網格，來計算該第-原 28，申請專利範圍第π項之控制由一半導體處理工 仃之一1程的方法，其中該計算一解更包含： ^ 利用該粗網格之該解，以設定在使用一細 原理模擬中之單元的起始條件。 K後續第- 程，包^程的方法，其中該利用該第一原理模擬結果以控制該製 理握要成分讀，錢錢半導體處理工具之該第一斤 度減少h 少—控繼數之—修正，以令該空間成分之強 杆夕=制如申請專利範圍第1項之控制由一半導體處理工具所執 含：製程的方法，其中該利用該第一原理模擬結果來控制，包 巧=制—材料處理系統、—蚀刻系統、—光阻旋塗系統、-微 介電塗佈系統、—沉積系統、—陳熱退火之 處理糸統、以及—批次擴散爐至少其巾之-。 200523701 執行3^^^^軸第3G項之郷由—轉轉理工具所 包含·· &的方法，其中該利用該第—原理模擬結果來控制， 之一㈣化學蒸氣沉積系統以及一物理蒸氣沉積系統至少其中 猜Ϊ·一專f範圍第21狀控制由一半導體處理工具所 =I㈣方法，其中該輸人工具資料包含： 列特、沉積速率、蝕刻選擇性、一蝕刻臨界尺寸、-蝕 膜性質、一電雜度、—離子能量、一化學物 ^又 光阻遮罩膜厚度、一光阻圖案尺寸至少其中之一。 行之-製範圍第1項之控制由—半導體處理工具所執 表私的方法，其中該輸入資料包含·· 處理系統、以—及、—用於熱退火之快速熱 .4丄Λ及批-人擴散爐至少其中之一的物理幾何參數。 行之-製程圍第1項之㈣由—+導體處理工具所執 含： /其中该利用該第一原理模擬結果來控制，包 導體半導體處理工具’以調整由該半 執行3t製如程== 程控及多變數分析至少其中之-，以導出製 行之3一6製^奴㈣由—料齡理工具所執 裝置交職訊，該減個計算/儲存 理模擬之模式解該模j解第之，-原 45 200523701 一 37.如申請專利範圍第1項之和制 行之一製程的方法，更包含： 工由一半導體處理工具所執 檢查製程結果；以及 一半導體處理工具，用以執行_· -輸人裝置，用以輸人關於由^ 製程的資料；以及 千導體處理工具所執行之該 一第一原理模擬處理器，用以·· 輸入關於該半導體處理工且之一— 利用該輪入資料與該物理i式來理模式，以及 供-第-原理模擬結果，其中該第 士、，，擬，以提 由該半導體處理工具所執行之該製程原理模擬結果係用以控制 39·如申請專利範圍第38項之系统，复由^认 實際上架置於該半導體處理工呈 物，中雜入裝置包含 具至少其中之一。 ，、上之物理感測器及-計量學工 40.如申明專利範圍第38項之系 -手動輸入裝置與-資料庫至少其中之一/、中讀入裝置包含 41·如申請專利範圍第40項之系統，其中誃於 以n由處理工具所執行之一製程所^ '料。 以輸入由-模擬操作者所設定之資料。、干”亥輸入裝置係用 43. 如申請專利範圍第38項之系統，其中該給人 以輸入關於該半導體處理工具及該半導體I境 種之物理特徵的資料。 兄之至乂 /、中一 44. 如申請專利範圍第38項之系統，其中該輸入裝置#用 以輸入關於由該半導體處理工具所執行之—製程 果至少其中之一。 41如申,月專利範圍第％項之系統，其中該處理器係用以 46 200523701 ^趙模式，該第-原理模擬物理模式包含兮 46.如申:主直1^可形狀之一空間解析模式。 m原理模模式包含執行-所欲 件，以執_」==：^第，模域式之-邊界條 至少藉由第Μ項之祕，其巾該處理11係用於 件，====：：設賴第1賴賴私-起始條 用二如原=f果圍= 程中執行價測以及分類—錯ίί；ΐ=ί理工具所執行之該製 ^ "irr 器勃并雜χ ^ Γ 連接顧理裔，且用以協助該處理 中之一 ^輸一第一原理模擬模式與執行一第一原理模擬至少其 敗在如申印專利範圍第52項之系統，其中該互連資源之網 模===理器一同利用程式碼平行化，以分擔該第-原理 败後如申请專利範圍第52項之系統，其中該互連資源之網 係用於與該處理器-同分享模擬資訊，以辅助由該半導體處理 200523701 工具所執行之該製程。 55·如申睛專利範圍第54項之系統，其中今万、金次 =係用以將模擬結果分配至該處 少g ==、、周 原理模擬之多餘執行。 1為上相似之第一 56·如申請專利範圍第54項之系統，1中兮万、击·欠、β Α 將模式變化分配至該處理器，以減少該 、土 5^、如申請專利範圍第52項之系統，更包含 lie透過—廣域網路連接至該處理器，並用以輔助’由哕ΐ 導體處理工具所執行之該半導 獨助由斜 如^請專利範圍第57項之祕，其中該遠程資源包含 一计异資源與—儲存資源至少其中之-。 藉二一如=s利=項之=中;處理器 =====讎.職_蝴 m’i由此設定在第-雜模擬巾之單元起始條件 藉由^少自—解程式庫中選擇該最接近擬合解而執用 藉由至少自如第61項之系統’其巾該處理器係用以 選擇一解理工具上已證纽狀贿之程式庫中 # * ^ ί*ί- ί ^ 解之程式庫中聊該最接近擬合解，减行該選$/ Mi 35. I如申β專利範圍第％項之系統，其中該處理5|俜用以 藉由至少選取該第-原理類之解的，網格，來= 48 200523701 理模擬之一解，而執行第一原理模擬。 藉由^用 =====中=器係用以 第一 Γ模擬i之單，條件:又而 藉由至少^項^統，其巾贿理器係用以 利用該第與—組至少—控制變數間之關係，而 至少-控制來控制該製程，該關係用妙定對該組 藉由至少^項之祕，其_理_以 速熱處理系統、以及、—用於熱退火之快 原理模擬結果來控繼製^。、政、盧至八巾H利用該第- 藉由至少上第?項之纽’其巾該歧11係用以 其中之-，而利用沉積系統以及一物理蒸氣沉積系統至少 69. 如由拄畜原理模擬結果來控制該製程。 以輸入_速^、％=第38項之祕，其中該輸人裝置係用 _特徵異向性Ίίί、姓刻選擇性、一姓刻臨界尺寸、-物種之濃度、一光阻一電一離子能量、-化學 70. 如申請裒膜厚度、一光阻圖案尺寸至少其中之-。 以輸入-材料處理圍第38項之系統，其中該輸入裝置係用 系統、一介電塗佈^、一侧系統、一光阻旋塗系統、一微影 理系統、以一及抵沉積系統、一用於熱退火之快速熱處 71. 如申浐襄1廣^爐至少其中之一的物理幾何參數。 藉由至少利用二圍第38 J員之系統’其中該處理器係用以 導體處理工具所執，，控制該半導體處理工具，以調整由該半 制該製程。 仃之礒製程，而利用該第一原理模擬結果以控 49 200523701 72如中請專利範圍第71項之系統，其中 猎由利用利用非線性最適化以及多變數分析至 二糸用^ 出製程控制所用之一控制模式。 八 ，以導 73.如申請專利範圍第38項之系統，並中 於複數個計算/儲存裝置間交換資訊，該複以 包含模式解答器參數、該第—原理模擬之裝置 擬之模式解、以及該模式解之收斂歷程至少〆之二第原理模 提供至該第-顧難之輸人’叫為校正用 75. 一 種用於輔助由-轉雌理卫具所執行之 製程的 系統，包含 裝置用於輸人_㈣半導雜打騎執行之—製程之資料的 用於輸入關於該半導體處理工具之 用於利用該輸入資料與該物理模式來* 供一第一原理模擬結果的裝置；以及 原理模擬以提 用於利用該第-原理類結果， 行之該製鋥的狴番。 市亥+導體處理 :模式 所執行之該製程的裝置 76. 工具 算負荷的裝置。 刀擔4第一原理模擬之計 讀媒體，當該«媒體,_^統用程式指令之電腦可 輸入關於由辭_處理 行H理n執行步驟： 輸入關於該半導趙處理工具之原之⑽料’· 50 200523701 利用該輸入資料以及該物理模式來執行第<原理模擬，以提 供一第一原理模擬結果；以及 利用該第一原理模擬結果，以控制由該半導體處理工具所執 行之該製程。 十一、圖式：

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